KR20120037848A - Light emitting diode, backlgiht unit and liquid crystal display device the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting diode, a backlight unit and a liquid crystal display device including the same are provided to improve color deviation between the center and the edge of a light emission surface by constantly maintaining an interval between the light emission surface and a light emitting chip. CONSTITUTION: A P type semiconductor layer(173) is formed on a base substrate(171). An active layer(175) is deposited on the P type semiconductor layer with a constant thickness. An N type semiconductor layer(177) is deposited on the active layer with a constant thickness. The N type semiconductor layer includes a step in the edge. A groove(179) is formed in the center of the N type semiconductor layer by first to third protrusions.

Description

발광 다이오드, 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치{LIGHT EMITTING DIODE, BACKLGIHT UNIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE THE SAME}LIGHT EMITTING DIODE, BACKLGIHT UNIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE THE SAME}

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 색 감차를 개선할 수 있는 발광 다이오드, 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode, a backlight unit, and a liquid crystal display having the same, which can improve color difference.

일반적으로 널리 사용되고 있는 표시장치들 중의 하나인 CRT(cathode ray tube)는 TV를 비롯해서 계측기기, 정보 단말기기 등의 모니터에 주로 이용되고 있으나, CRT 자체의 무게와 크기로 인해 전자 제품의 소형화, 경량화의 대응에 적극적으로 대응할 수 없었다.A CRT (cathode ray tube), which is one of the widely used display devices, is mainly used for monitors such as a TV, a measurement device, and an information terminal device. However, due to the weight and size of the CRT itself, Could not respond positively to the response of

이러한 문제에 대한 해결책으로서, 액정표시장치는 경량화, 박형화, 저소비 전력 구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이에 따라 액정표시장치는 사용자의 요구에 부응하여 대면적화, 박형화, 저소비전력화의 방향으로 진행되고 있다.As a solution to this problem, the liquid crystal display device has a tendency that its application range is gradually widening due to the features such as light weight, thinning, low power consumption driving. Accordingly, the liquid crystal display device is proceeding in the direction of large-sized, thin, and low power consumption in response to the demand of the user.

액정표시장치는 액정을 투과하는 광의 양을 조절하여 화상을 표시하는 디스플레이 장치로서 박형화 및 저소비전력등의 장점으로 많이 사용되고 있다.BACKGROUND ART A liquid crystal display device is a display device that displays an image by controlling an amount of light passing through a liquid crystal, and is widely used for advantages such as thinning and low power consumption.

상기 액정표시장치는 CRT와는 달리 스스로 빛을 내는 표시장치가 아니므로, 액정표시패널의 배면에는 화상을 시각적으로 표현하기 위해 광을 제공하는 별도의 광원을 포함한 백라이트 유닛(Backlight Unit)이 구비된다.Unlike the CRT, the liquid crystal display is not a display device that emits light by itself, and thus, a backlight unit including a separate light source is provided on the back of the liquid crystal display panel to provide light for visually representing an image.

상기 백라이트 유닛은 광원의 위치에 따라 직하(direct) 방식과 에지(edge) 방식의 두 종류가 있다.The backlight unit has two types, a direct method and an edge method, depending on the position of the light source.

상기 에지 방식은 평판 측면에 광원을 배치한 것으로서, 광원으로부터 발광된 광을 도광판을 이용하여 액정표시패널 전체의 면으로 조사한다. 한편, 직하 방식은 액정표시패널의 배면에 다수의 광원을 배치하여 액정표시패널의 직하에서 광을 직접 조사하는 방식으로 에지 방식과 비교하여 다수의 광원에 의해 휘도를 높일 수 있고, 발광 면을 넓게 할 수 있는 장점이 있다.In the edge method, a light source is disposed on a side of a flat plate, and the light emitted from the light source is irradiated onto the entire surface of the liquid crystal display panel using a light guide plate. On the other hand, in the direct method, a plurality of light sources are disposed on the back of the liquid crystal display panel to directly irradiate light directly under the liquid crystal display panel, so that the luminance can be increased by a plurality of light sources compared to the edge method, and the light emitting surface is wider. There is an advantage to this.

백라이트 유닛은 광원으로 램프 또는 발광 다이오드(LED)가 구비된다. 최근 들어 저소비전력, 슬림화에 유리한 발광 다이오드가 사용되고 있다.The backlight unit includes a lamp or a light emitting diode (LED) as a light source. Recently, light emitting diodes that are advantageous for low power consumption and slimming have been used.

발광 다이오드는 일반적으로 청색(Blue) 발광 칩으로부터 발생된 청색 광이 엘로우 형광물질을 투과하면서 백색 파장대의 광으로 변환되는 백색 발광 다이오드가 사용된다.In general, a white light emitting diode is used in which blue light generated from a blue light emitting chip is transmitted to a yellow fluorescent material while being converted into light of a white wavelength band.

그러나, 일반적인 발광 다이오드는 출사면과 발광 칩 사이의 간격에 있어서, 발광 칩과 출사면의 간격이 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역에서 서로 상이하여 출사면의 중앙영역으로 백색 광이 출사되는 반면 상기 출사면의 중앙영역보다 발광 칩의 간격이 큰 출사면의 가장자리 영역으로 엘로우 광이 출사되어 색 감차가 발생하는 문제가 있었다.
However, in the general light emitting diode, in the distance between the light emitting chip and the light emitting chip, the distance between the light emitting chip and the light emitting chip is different from each other in the center region and the edge region of the light emitting surface, whereas white light is emitted to the center region of the light emitting surface. There was a problem in that the yellow light is emitted to the edge area of the emission surface where the distance between the light emitting chips is larger than the center area of the emission surface to cause color difference.

본 발명은 색 감차를 개선할 수 있는 발광 다이오드, 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a light emitting diode, a backlight unit, and a liquid crystal display device having the same, which can improve color difference.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는,A light emitting diode according to an embodiment of the present invention,

리드 프레임; 상기 리드 프레임 상에 실장된 발광 칩; 및 상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질;을 포함하고, 상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 한다.Lead frame; A light emitting chip mounted on the lead frame; And a fluorescent material formed on the light emitting chip, wherein the light emitting chip has a structure protruding in the direction of the fluorescent material along the edge of the light emitting chip.

또한, 백라이트 유닛은,In addition, the backlight unit,

청색 광을 발광하는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질을 가지는 발광 다이오드; 및 상기 발광 다이오드로부터 출사된 백색 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들을 포함하고, 상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 한다.A light emitting diode having a light emitting chip emitting blue light and a fluorescent material formed on the light emitting chip; And optical sheets for diffusing and condensing white light emitted from the light emitting diodes, the optical sheets protruding in the direction of the fluorescent material along the edge of the light emitting chip and having a constant distance from the light emitting chip. do.

또한, 액정표시장치는,In addition, the liquid crystal display device,

청색 광을 발광하는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질을 가지는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드로부터 출사된 백색 광을 이용하여 영상이 디스플레이되는 액정표시패널을 포함하고, 상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 한다.A light emitting diode having a light emitting chip emitting blue light and a fluorescent material formed on the light emitting chip; And a liquid crystal display panel that displays an image by using white light emitted from the light emitting diode, and has a structure protruding toward the fluorescent material along an edge of the light emitting chip so that the distance of the emission surface from the light emitting chip is constant. It features.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는 베이스 기판의 가장자리를 따라 P형 반도체층의 제1 돌출부, 상기 제1 돌출부에 의한 활성층의 제2 돌출부 및 제2 돌출부에 의한 N형 반도체층의 제3 돌출부에 의해 발광 칩의 가장자리가 돌출된 구조로써, 출사면과 발광 칩 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지함으로써, 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역 간의 색 감차를 개선할 수 있다.A light emitting diode according to an embodiment of the present invention includes a first protrusion of the P-type semiconductor layer along the edge of the base substrate, a second protrusion of the active layer by the first protrusion, and a third of the N-type semiconductor layer by the second protrusion. The edge of the light emitting chip is protruded by the protrusion, and the color difference between the center area and the edge area of the light emitting surface can be improved by maintaining a constant distance between the light emitting chip and the light emitting chip as a whole.

본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 칩은 베이스 기판의 가장자리를 따라 P형 반도체층의 제1 돌출부, 상기 제1 돌출부에 의한 활성층의 제2 돌출부 및 제2 돌출부에 의한 N형 반도체층의 제3 돌출부에 의해 발광 칩의 가장자리가 돌출된 구조로써, 출사면과 발광 칩 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지함으로써, 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역 간의 색 감차를 개선할 수 있다.According to another exemplary embodiment of the present invention, a light emitting chip includes a first protrusion of a P-type semiconductor layer, a second protrusion of an active layer by the first protrusion, and a third of the N-type semiconductor layer by the second protrusion, along the edge of the base substrate. The edge of the light emitting chip is protruded by the protrusion, and the color difference between the center area and the edge area of the light emitting surface can be improved by maintaining a constant distance between the light emitting chip and the light emitting chip as a whole.

따라서, 본 발명의 발광 다이오드가 구비된 백라이트 유닛 및 액정표시장치는 발광 다이오드로부터 색 감차가 개선됨으로써, 순수한 백색 광 구현 및 이에 따른 화질이 개선되는 장점을 가진다.Therefore, the backlight unit and the liquid crystal display device having the light emitting diode according to the present invention have an advantage of realizing pure white light and improving image quality by improving color difference from the light emitting diode.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 도시한 단면도이다.1 is an exploded perspective view illustrating a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view showing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting chip of a light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting chip of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세히 설명하도록 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 도시한 단면도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 도시한 단면도이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view showing a light emitting diode according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an embodiment of the present invention. It is sectional drawing which shows the light emitting chip of the light emitting diode.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정표시장치는 영상이 디스플레이되는 액정표시패널(110)과, 상기 액정표시패널(110)의 하부에 배치되어 광을 제공하는 백라이트 유닛(120)을 포함한다.1 to 3, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention is provided with a liquid crystal display panel 110 on which an image is displayed, and is disposed under the liquid crystal display panel 110 to provide light. It includes a backlight unit 120 to.

액정표시패널(110)은 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 합착된 컬러필터 기판(113) 및 박막 트랜지스터 기판(111)과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정 층을 포함한다.The liquid crystal display panel 110 includes a color filter substrate 113 and a thin film transistor substrate 111 bonded to face each other to maintain a uniform cell gap, and a liquid crystal layer interposed between the two substrates.

도면에는 상세히 도시되지 않았지만, 상기 컬러필터 기판(113) 및 박막 트랜지스터 기판(111)을 상세히 설명하면, 상기 박막 트랜지스터 기판(111)은 복수의 게이트 라인 및 데이터 라인이 교차하여 화소를 정의하고, 각각의 교차영역마다 박막 트랜지스터(TFT : thin flim transistor)가 구비되어 각각의 픽셀에 실장된 화소전극과 일대일 대응되어 연결된다. 상기 컬러필터 기판(113)은 각 픽셀에 대응되는 R, G, B 컬러의 컬러필터, 이들 각각을 테두리 하며 게이트 라인과 데이터 라인 및 박막 트랜지스터 등을 가리는 블랙 매트릭스와, 이들 모두를 덮는 공통전극을 포함한다.Although not shown in detail in the drawings, the color filter substrate 113 and the thin film transistor substrate 111 will be described in detail. In the thin film transistor substrate 111, a plurality of gate lines and data lines cross each other to define pixels. A thin flim transistor (TFT) is provided at each of the crossing regions of the transistors, and is connected in a one-to-one correspondence with pixel electrodes mounted on each pixel. The color filter substrate 113 includes a color filter of R, G, and B colors corresponding to each pixel, a black matrix bordering each of them, and covering a gate line, a data line, a thin film transistor, and the like, and a common electrode covering all of them. Include.

액정표시패널(110)의 가장자리에는 게이트 라인 및 데이터 라인으로 구동신호를 공급하는 구동 PCB(115)가 구비된다.A driving PCB 115 is provided at the edge of the liquid crystal display panel 110 to supply driving signals to the gate line and the data line.

상기 구동 PCB(115)는 COF(Chip on film, 117)에 의해 액정표시패널(110)과 전기적으로 연결된다. 여기서, 상기 COF(117)는 TCP(Tape Carrier Package)로 변경될 수 있다.The driving PCB 115 is electrically connected to the liquid crystal display panel 110 by a chip on film 117. Here, the COF 117 may be changed to a tape carrier package (TCP).

액정표시패널(110)의 하부에 배치된 백라이트 유닛(120)은 상면이 개구된 사각 박스 형상의 바텀커버(190)와, 상기 바텀커버(190)의 측면에 구비된 광원 유닛(150)과, 상기 광원 유닛(150)과 나란하게 배치되어 점광을 면광으로 변환하는 도광판(140)을 포함한다.The backlight unit 120 disposed below the liquid crystal display panel 110 may include a rectangular box shape bottom cover 190 having an upper surface, a light source unit 150 provided on a side surface of the bottom cover 190, The light guide plate 140 may be disposed in parallel with the light source unit 150 to convert point light into surface light.

또한, 백라이트 유닛(120)은 상기 도광판(140) 하부에 배치되어 도광판(140) 하부로 진행하는 광을 액정표시패널(110) 방향으로 반사시키는 반사 시트(180)와, 상기 도광판(140) 상부에 배치되어 도광판(140)으로부터 조사되는 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들(130)을 더 포함한다.In addition, the backlight unit 120 is disposed below the light guide plate 140 to reflect the light traveling toward the bottom of the light guide plate 140 toward the liquid crystal display panel 110, and the upper part of the light guide plate 140. The optical sheet 130 is disposed on the light guide plate 140 to diffuse and focus the light emitted from the light guide plate 140.

도면에는 도시되지 않았지만, 백라이트 유닛(120)은 상기 광원 유닛(150), 도광판(140), 광학 시트들(130) 및 반사시트(180)가 수납되며, 상기 바텀커버(190)와 결합되는 사각 테 형상의 몰드물로 이루어진 서포트 메인(미도시)을 더 포함한다.Although not shown in the drawing, the backlight unit 120 may include the light source unit 150, the light guide plate 140, the optical sheets 130, and the reflective sheet 180, and may be coupled to the bottom cover 190. It further includes a support main (not shown) made of a frame-shaped mold.

본 발명의 광원 유닛(150)은 인쇄회로기판(151)과, 상기 인쇄회로기판(151) 상에 실장되는 복수의 발광 다이오드(160)를 포함한다.The light source unit 150 of the present invention includes a printed circuit board 151 and a plurality of light emitting diodes 160 mounted on the printed circuit board 151.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(160)는 리드 프레임(161)과, 사출 공정을 통해 상기 리드 프레임(161)에 형성되는 몰드 프레임(163)과, 상기 리드 프레임(161) 상에 실장되는 발광 칩(170)을 포함한다.The LED 160 according to an embodiment of the present invention includes a lead frame 161, a mold frame 163 formed on the lead frame 161 through an injection process, and a mounting on the lead frame 161. It includes a light emitting chip 170.

도면에는 도시되지 않았지만, 발광 다이오드(160)는 리드 프레임(161)의 구조에 있어서, 발광 칩(170)의 P형 반도체층(173)과, N형 반도체층(177)으로부터 각각 인출된 와이어(미도시)가 본딩되도록 극성에 따라 분할된 구조를 가진다.Although not shown in the drawing, the light emitting diode 160 has a lead frame 161 in the structure of the lead frame 161. (Not shown) has a structure divided according to polarity so as to be bonded.

또한, 발광 다이오드(160)는 상기 발광 칩(170) 상에 청색 광을 백색 광으로 변환하는 형광 물질(167)을 포함한다.In addition, the light emitting diode 160 includes a fluorescent material 167 that converts blue light into white light on the light emitting chip 170.

본 발명의 발광 칩(170)은 가장자리가 돌출된 구조로써, 발광 칩(170)의 중앙영역으로부터 형광물질(167)의 출사면까지 거리와, 발광 칩(170)의 가장자리 영역으로부터 형광물질 출사면까지 거리를 일정하게 유지할 수 있는 구조를 가진다.The light emitting chip 170 of the present invention has a protruding edge, a distance from the center region of the light emitting chip 170 to the emission surface of the fluorescent material 167, and the emission surface of the fluorescent material from the edge region of the light emitting chip 170. It has a structure that can keep the distance constant.

상기 발광 칩(170)은 베이스 기판(171)과, 상기 베이스 기판(171) 상에 형성된 P형 반도체층(173)과, 상기 P형 반도체층(173) 상에 형성된 활성층(175)과, 상기 활성층(175) 상에 형성된 N형 반도체층(177)을 포함한다.The light emitting chip 170 may include a base substrate 171, a P-type semiconductor layer 173 formed on the base substrate 171, an active layer 175 formed on the P-type semiconductor layer 173, and An N-type semiconductor layer 177 formed on the active layer 175 is included.

베이스 기판(171)은 사파이어, 실리콘카바이트(SiC), 아연산화물(ZnO), 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs) 또는 일렉트로프레이팅(electroplating)/ 본딩 트랜스퍼(bonding transfer) 방법에 의해 형성되는 금속(Cu, Ni, Al 등) 또는 합금(alloy)등과 같은 물질 중 어느 하나로 이루어진다.The base substrate 171 is a metal formed by sapphire, silicon carbide (SiC), zinc oxide (ZnO), silicon (Si), gallium arsenide (GaAs) or an electroplating / bonding transfer method. (Cu, Ni, Al, etc.) or an alloy such as alloy (alloy).

상기 베이스 기판(171) 상에 형성되는 P형 반도체층(173)은 가장자리가 상부방향으로 돌출된 제1 돌출부(173a, 173b)를 가진다. 즉, P형 반도체층(173)은 가장자리를 따라 단차형태의 구조를 가진다.The P-type semiconductor layer 173 formed on the base substrate 171 has first protrusions 173a and 173b with edges protruding upward. That is, the P-type semiconductor layer 173 has a stepped structure along the edge.

P형 반도체층(173)은 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그라피 공정을 통해 양측으로 돌출된 제1 돌출부(173a, 173b)를 형성할 수 있다.The P-type semiconductor layer 173 may form first protrusions 173a and 173b that protrude to both sides through a photolithography process using a halftone mask.

여기서, 발광 칩(173)은 베이스 기판(171) 상에 P형 반도체층(173)가 형성된 구조를 한정하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 베이스 기판상에 N형 반도체층이 형성되고, 활성층 상에 P형 반도체층이 형성된 구조로 변경될 수도 있다.Here, the light emitting chip 173 has a structure in which the P-type semiconductor layer 173 is formed on the base substrate 171, but is not limited thereto. An N-type semiconductor layer is formed on the base substrate, and the active layer is formed on the active layer. It may be changed to a structure in which a P-type semiconductor layer is formed.

상기 활성층(175)은 상기 P형 반도체층(173) 상에 일정한 두께로 증착된다. 여기서, 활성층(175)의 가장자리는 P형 반도체층(173)의 제1 돌출부(173a, 173b)에 의해 돌출된 형태의 제2 돌출부(175a, 175b)가 형성된다.The active layer 175 is deposited on the P-type semiconductor layer 173 with a predetermined thickness. Here, the edges of the active layer 175 are formed with the second protrusions 175a and 175b protruding by the first protrusions 173a and 173b of the P-type semiconductor layer 173.

활성층(175)은 N형 반도체층(177)에서 제공된 전자와 P형 반도체층(173)에서 제공된 정공이 재결합되면서 일정 파장의 광이 출력되는 층으로 우물층(well layer)과 장벽층(barrier layer)을 교대로 적층하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조(multiple quantum well) 구조를 가지는 반도체 박막으로 형성될 수 있다.The active layer 175 is a layer in which light of a predetermined wavelength is outputted when electrons provided in the N-type semiconductor layer 177 and holes provided in the P-type semiconductor layer 173 are recombined, and a well layer and a barrier layer are used. ) May be alternately stacked to form a semiconductor thin film having a single or multiple quantum well structure.

상기 N형 반도체층(177)은 상기 활성층(175) 상에 일정한 두께로 증착된다. 여기서, N형 반도체층(177)의 가장자리는 활성층(175)의 제2 돌출부(175a, 175b)에 의해 돌출된 형태의 제3 돌출부(177a, 177b)가 형성된다.The N-type semiconductor layer 177 is deposited on the active layer 175 to a predetermined thickness. Here, the edges of the N-type semiconductor layer 177 are formed with third protrusions 177a and 177b protruding by the second protrusions 175a and 175b of the active layer 175.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 칩(170)은 제1 내지 제3 돌출부(173a, 173b, 175a, 175b, 177a, 177b)에 의해 N형 반도체층(177) 상의 중앙부에 홈(179) 구조가 형성된다.The light emitting chip 170 according to the exemplary embodiment of the present invention has a groove 179 at a central portion on the N-type semiconductor layer 177 by the first to third protrusions 173a, 173b, 175a, 175b, 177a, and 177b. Is formed.

이상에서와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드(170)는 베이스 기판(171)의 가장자리를 따라 P형 반도체층(173)의 제1 돌출부(173a, 173b), 상기 제1 돌출부(171a, 173b)에 의한 활성층(175)의 제2 돌출부(175a, 175b) 및 제2 돌출부(175a, 175b)에 의한 N형 반도체층(177)의 제3 돌출부(177a, 177b)에 의해 발광 칩(170)의 가장자리가 돌출된 구조로써, 출사면과 발광 칩(170) 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지함으로써, 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역 간의 색 감차를 개선할 수 있다.As described above, the light emitting diode 170 according to the exemplary embodiment of the present invention may include the first protrusions 173a and 173b of the P-type semiconductor layer 173 and the first protrusions along the edge of the base substrate 171. The light emitting chip is formed by the second protrusions 175a and 175b of the active layer 175 by the 171a and 173b and the third protrusions 177a and 177b of the N-type semiconductor layer 177 by the second protrusions 175a and 175b. As the edge of the protrusion 170 is protruded, the color difference between the center area and the edge area of the emission surface can be improved by maintaining a constant distance between the emission surface and the light emitting chip 170 as a whole.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting chip of a light emitting diode according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 다른 실시예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩(270)은 베이스 기판(271)과, 상기 베이스 기판(271) 상에 형성된 P형 반도체층(273)과, 상기 P형 반도체층(273) 상에 형성된 활성층(275)과, 상기 활성층(275) 상에 형성된 N형 반도체층(277)을 포함한다. 또한, 다른 실시예에 따른 발광 칩(270)은 P형 반도체층(273)의 하부 가장자리와 베이스 기판(271) 상부 가장자리 사이에 몰딩층(272)을 더 포함한다.As shown in FIG. 4, a light emitting chip 270 of a light emitting diode according to another embodiment may include a base substrate 271, a P-type semiconductor layer 273 formed on the base substrate 271, and the P-type. An active layer 275 formed on the semiconductor layer 273 and an N-type semiconductor layer 277 formed on the active layer 275. In addition, the light emitting chip 270 according to another embodiment may further include a molding layer 272 between the lower edge of the P-type semiconductor layer 273 and the upper edge of the base substrate 271.

P형 반도체층(273)은 가장자리 상부면이 상부방향으로 구부러진 제1 돌출부(273a, 273b)를 가진다.The P-type semiconductor layer 273 has first protrusions 273a and 273b whose edge upper surfaces are bent in the upward direction.

여기서, 발광 칩(270)은 베이스 기판(271) 상에 P형 반도체층(273)가 형성된 구조를 한정하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 베이스 기판상에 N형 반도체층이 형성되고, 활성층 상에 P형 반도체층이 형성된 구조로 변경될 수도 있다.Here, the light emitting chip 270 defines a structure in which the P-type semiconductor layer 273 is formed on the base substrate 271, but is not limited thereto. An N-type semiconductor layer is formed on the base substrate and is formed on the active layer. It may be changed to a structure in which a P-type semiconductor layer is formed.

상기 활성층(275)은 상기 P형 반도체층(273) 상에 일정한 두께로 증착된다. 여기서, 활성층(275)의 가장자리는 P형 반도체층(273)의 제1 돌출부(273a, 273b)에 의해 돌출된 형태의 제2 돌출부(275a, 275b)가 형성된다.The active layer 275 is deposited on the P-type semiconductor layer 273 to a predetermined thickness. Here, the edges of the active layer 275 are formed with the second protrusions 275a and 275b protruding by the first protrusions 273a and 273b of the P-type semiconductor layer 273.

상기 N형 반도체층(277)은 상기 활성층(275) 상에 일정한 두께로 증착된다. 여기서, N형 반도체층(277)의 가장자리는 활성층(275)의 제2 돌출부(275a, 275b)에 의해 돌출된 형태의 제3 돌출부(277a, 277b)가 형성된다.The N-type semiconductor layer 277 is deposited on the active layer 275 to a predetermined thickness. Here, the edges of the N-type semiconductor layer 277 are formed with third protrusions 277a and 277b protruding from the second protrusions 275a and 275b of the active layer 275.

본 발명의 일 실시예에 따른 발광 칩(270)은 제1 내지 제3 돌출부(273a, 273b, 275a, 275b, 277a, 277b)에 의해 N형 반도체층(277)의 중앙부에 홈(279) 구조가 형성된다.In the light emitting chip 270 according to the exemplary embodiment, the groove 279 is formed at the center of the N-type semiconductor layer 277 by the first to third protrusions 273a, 273b, 275a, 275b, 277a, and 277b. Is formed.

이상에서와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 칩(270)은 베이스 기판(271)의 가장자리를 따라 P형 반도체층(273)의 제1 돌출부(273a, 273b), 상기 제1 돌출부(273a, 273b)에 의한 활성층(275)의 제2 돌출부(275a, 275b) 및 제2 돌출부(275a, 275b)에 의한 N형 반도체층(277)의 제3 돌출부(277a, 277b)에 의해 발광 칩(270)의 가장자리가 돌출된 구조로써, 출사면과 발광 칩(270) 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지함으로써, 출사면의 중앙영역과 가장자리 영역 간의 색 감차를 개선할 수 있다.As described above, the light emitting chip 270 according to another exemplary embodiment of the present invention may include the first protrusions 273a and 273b and the first protrusions of the P-type semiconductor layer 273 along the edge of the base substrate 271. The light emitting chip is formed by the second protrusions 275a and 275b of the active layer 275 by the 273a and 273b and the third protrusions 277a and 277b of the N-type semiconductor layer 277 by the second protrusions 275a and 275b. As the edge of 270 is protruded, the color difference between the center area and the edge area of the emission surface can be improved by maintaining a constant distance between the emission surface and the light emitting chip 270 as a whole.

따라서, 본 발명의 발광 다이오드가 구비된 백라이트 유닛 및 액정표시장치는 발광 다이오드로부터 색 감차가 개선됨으로써, 순수한 백색 광 구현 및 이에 따른 화질이 개선되는 장점을 가진다.Therefore, the backlight unit and the liquid crystal display device having the light emitting diode according to the present invention have an advantage of realizing pure white light and improving image quality by improving color difference from the light emitting diode.

이상에서는 두 개의 실시예를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 발광 칩과 발광 다이오드의 출사면 사이의 간격을 전체적으로 일정하게 유지할 수 있도록 발광 칩의 구조에 있어서, 가장자리로 돌출된 돌출부의 형상은 얼마든지 변경될 수 있고, 역피라미드 형태의 구조도 적용될 수 있다.Although two embodiments have been described above, the present invention is not limited thereto. In the structure of the light emitting chip, the shape of the protrusion protruding from the edge of the light emitting chip may be maintained so that the distance between the light emitting chip and the emission surface of the light emitting diode is kept constant. Can be changed as much as possible, and a structure in the form of an inverted pyramid can also be applied.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be defined by the claims.

170, 270: 발광칩 171, 271: 베이스 기판
173, 273: P형 반도체층 175, 275: 활성층
177, 277: N형 반도체층 179, 279: 홈170, 270: light emitting chips 171, 271: base substrate
173 and 273: P-type semiconductor layers 175 and 275: active layer
177, 277: N-type semiconductor layer 179, 279: groove

Claims (21)

리드 프레임;
상기 리드 프레임 상에 실장된 발광 칩; 및
상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질;을 포함하고,
상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.Lead frame;
A light emitting chip mounted on the lead frame; And
It includes; a fluorescent material formed on the light emitting chip;
A light emitting diode comprising a structure protruding toward the fluorescent material along the edge of the light emitting chip, the distance of the exit surface from the light emitting chip is constant. 제1 항에 있어서,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The light emitting chip,
A base substrate;
A first semiconductor layer formed on the base substrate and having a stepped portion at an edge thereof;
An active layer formed on the first semiconductor layer and having a stepped portion at an edge thereof; And
And a second semiconductor layer formed on the active layer and having a stepped portion at an edge thereof. 제2 항에 있어서,
상기 제1 반도체층의 가장자리는 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그라피 공정으로 가장자리가 상부방향으로 돌출된 제1 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 2,
The edge of the first semiconductor layer is a photolithography process using a halftone mask, characterized in that the light emitting diode is characterized in that the first protrusion is formed with the edge protruding upwards. 제3 항에 있어서,
상기 활성층의 가장자리는 상기 제1 돌출부에 의해 상부방향으로 돌출된 제2 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 3,
The edge of the active layer is a light emitting diode, characterized in that the second protrusion protruding upward by the first protrusion is formed. 제4 항에 있어서,
상기 제2 반도체층의 가장자리는 상기 제2 돌출부에 의해 상부방향으로 돌출된 제3 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 4, wherein
The edge of the second semiconductor layer is a light emitting diode, characterized in that the third protrusion protruding upwards by the second protrusion. 제1 항에 있어서,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 형성되고 가장자리가 돌출된 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 형성되고 가장자리가 돌출된 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성되고 가장자리가 돌출된 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method according to claim 1,
The light emitting chip,
A base substrate;
A first semiconductor layer formed on the base substrate and protruding an edge thereof;
An active layer formed on the first semiconductor layer and protruding an edge thereof; And
And a second semiconductor layer formed on the active layer and protruding an edge thereof. 제6 항에 있어서,
상기 제1 반도체층의 하부 가장자리와 상기 베이스 기판의 상부 가장자리 사이에는 몰딩층이 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The method of claim 6,
The light emitting diode of claim 1, wherein a molding layer is formed between the lower edge of the first semiconductor layer and the upper edge of the base substrate. 청색 광을 발광하는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질을 가지는 발광 다이오드; 및
상기 발광 다이오드로부터 출사된 백색 광을 확산 및 집광시키는 광학 시트들을 포함하고,
상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.A light emitting diode having a light emitting chip emitting blue light and a fluorescent material formed on the light emitting chip; And
Optical sheets for diffusing and condensing white light emitted from the light emitting diode,
And a light emitting surface having a constant distance from the light emitting chip having a structure protruding toward the fluorescent material along an edge of the light emitting chip. 제8 항에 있어서,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The method of claim 8,
The light emitting chip,
A base substrate;
A first semiconductor layer formed on the base substrate and having a stepped portion at an edge thereof;
An active layer formed on the first semiconductor layer and having a stepped portion at an edge thereof; And
And a second semiconductor layer formed on the active layer and having a stepped portion at an edge thereof. 제9 항에 있어서,
상기 제1 반도체층의 가장자리는 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그라피 공정으로 가장자리가 상부방향으로 돌출된 제1 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.10. The method of claim 9,
The edge of the first semiconductor layer is a photolithography process using a halftone mask, the backlight unit, characterized in that the first protrusion with the edge protruding upward. 제10 항에 있어서,
상기 활성층의 가장자리는 상기 제1 돌출부에 의해 상부방향으로 돌출된 제2 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The method of claim 10,
The edge of the active layer is a backlight unit, characterized in that the second protrusion protruding upwards by the first protrusion. 제11 항에 있어서,
상기 제2 반도체층의 가장자리는 상기 제2 돌출부에 의해 상부방향으로 돌출된 제3 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The method of claim 11, wherein
The edge of the second semiconductor layer is a backlight unit, characterized in that the third protrusion protruding upwards by the second protrusion. 제8 항에 있어서,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 형성되고 가장자리가 돌출된 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 형성되고 가장자리가 돌출된 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성되고 가장자리가 돌출된 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The method of claim 8,
The light emitting chip,
A base substrate;
A first semiconductor layer formed on the base substrate and protruding an edge thereof;
An active layer formed on the first semiconductor layer and protruding an edge thereof; And
And a second semiconductor layer formed on the active layer and protruding an edge thereof. 제13 항에 있어서,
상기 제1 반도체층의 하부 가장자리와 상기 베이스 기판의 상부 가장자리 사이에는 몰딩층이 형성된 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛.The method of claim 13,
And a molding layer is formed between the lower edge of the first semiconductor layer and the upper edge of the base substrate. 청색 광을 발광하는 발광 칩 및 상기 발광 칩 상에 형성된 형광물질을 가지는 발광 다이오드;
상기 발광 다이오드로부터 출사된 백색 광을 이용하여 영상이 디스플레이되는 액정표시패널을 포함하고,
상기 발광 칩의 가장자리를 따라 상기 형광물질 방향으로 돌출된 구조로 이루어져 상기 발광 칩으로부터 출사면의 거리가 일정한 것을 특징으로 하는 액정표시장치.A light emitting diode having a light emitting chip emitting blue light and a fluorescent material formed on the light emitting chip;
A liquid crystal display panel on which an image is displayed by using white light emitted from the light emitting diode;
And a light emitting surface having a constant distance from the light emitting chip having a structure protruding toward the fluorescent material along the edge of the light emitting chip. 제15 항에 있어서,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성되고 가장자리에 단차부를 가지는 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 15,
The light emitting chip,
A base substrate;
A first semiconductor layer formed on the base substrate and having a stepped portion at an edge thereof;
An active layer formed on the first semiconductor layer and having a stepped portion at an edge thereof; And
And a second semiconductor layer formed on the active layer and having a stepped portion at an edge thereof. 제16 항에 있어서,
상기 제1 반도체층의 가장자리는 하프톤 마스크를 이용한 포토리쏘그라피 공정으로 가장자리가 상부방향으로 돌출된 제1 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.17. The method of claim 16,
The edge of the first semiconductor layer is a photolithography process using a halftone mask, characterized in that the first protrusion is formed in which the edge protrudes in the upper direction. 제17 항에 있어서,
상기 활성층의 가장자리는 상기 제1 돌출부에 의해 상부방향으로 돌출된 제2 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 17,
The edge of the active layer is a liquid crystal display, characterized in that the second protrusion protruding upward by the first protrusion. 제18 항에 있어서,
상기 제2 반도체층의 가장자리는 상기 제2 돌출부에 의해 상부방향으로 돌출된 제3 돌출부가 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 18,
The edge of the second semiconductor layer is a liquid crystal display, characterized in that the third protrusion protruding upward by the second protrusion. 제15 항에 있어서,
상기 발광 칩은,
베이스 기판;
상기 베이스 기판상에 형성되고 가장자리가 돌출된 제1 반도체층;
상기 제1 반도체층상에 형성되고 가장자리가 돌출된 활성층; 및
상기 활성층 상에 형성되고 가장자리가 돌출된 제2 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 15,
The light emitting chip,
A base substrate;
A first semiconductor layer formed on the base substrate and protruding an edge thereof;
An active layer formed on the first semiconductor layer and protruding an edge thereof; And
And a second semiconductor layer formed on the active layer and protruding an edge thereof. 제20 항에 있어서,
상기 제1 반도체층의 하부 가장자리와 상기 베이스 기판의 상부 가장자리 사이에는 몰딩층이 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.The method of claim 20,
And a molding layer is formed between the lower edge of the first semiconductor layer and the upper edge of the base substrate.
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