KR101737699B1 - 입력 장치 - Google Patents

Abstract

(과제) 기판의 가장자리부에서의 배선 영역을 줄여 표시 영역 (입력 영역) 의 면적을 확대할 수 있도록 하고, 게다가 배선층과 전극층 사이에 불필요한 감도가 형성되는 현상을 억제할 수 있으며, 또한 표시 품질도 양호하게 유지할 수 있는 입력 장치를 제공한다.
(해결 수단) 복수의 제 1 전극층 (21) 이 연결부 (22) 에 의해 연결되어 Y 방향으로 연속해서 형성되고, 제 2 전극층 (31) 이 서로 독립적으로 형성되어 X 방향으로 배열되어 있다. 제 2 전극층 (31) 에 제 2 배선층 (35a ∼ 35d) 이 일체로 형성되어 있고, 각각의 제 2 배선층은, 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 내를 통과하여 Y 방향으로 연장되어 있다. 제 2 배선층과 제 1 전극층 (21) 사이에서 거리를 유지할 수 있기 때문에, 제 2 배선층과 제 1 전극층 (21) 이 불필요한 감도를 갖는 것을 억제할 수 있다.

Description

입력 장치{INPUT DEVICE}

본 발명은, 투광성 기판의 동일면에 복수의 투광성의 제 1 전극층과 제 2 전극층이 형성된 입력 장치에 관한 것이다.

휴대용 전자 기기 등에는 정전 용량을 검지하는 입력 장치가 형성되어 있으며, 이 입력 장치는, 컬러 액정 패널 등의 표시 패널의 전방에 겹쳐져 배치되어 있다.

입력 장치는, 투광성 기판에 복수의 투광성 전극층이 형성되어 있으며, 전극층은, 제 1 방향에 접속되어 있는 제 1 전극층과 제 2 방향에 접속되어 있는 제 2 전극층을 가지고 있다. 제 1 전극층과 제 2 전극층의 일방의 전극층에 구동 전력이 부여되면, 타방의 전극층으로부터 검지 출력이 얻어져, 손가락 등이 입력 장치의 어느 지점에 접근해 있는지를 검지할 수 있게 된다.

이러한 종류의 입력 장치에는, 1 개의 기판의 동일한 표면에, 제 1 전극층과 제 2 전극층의 쌍방이 형성되어, 기판수를 줄여 박형화할 수 있도록 한 것이 있다.

이 입력 장치에서는, 상기 기판의 표면에, 제 1 전극층에 접속되는 제 1 배선층 (리드층) 과, 제 2 전극층에 접속되는 제 2 배선층 (리드층) 을 형성하는 것이 필요하지만, 제 1 전극층이 제 1 방향에서 접속되고, 제 2 전극층이 제 2 방향에서 접속되어 있기 때문에, 제 1 배선층을 기판의 제 1 방향의 가장자리부에서 권회하고, 제 2 배선층을 기판의 제 2 방향의 가장자리부에서 권회하는 것이 필요해진다. 기판의 서로 직교하는 2 개의 변에 배선 영역을 형성하면, 이 배선 영역이 검지 영역으로서 기능하지 않는 데드 영역이 된다. 또, 표면 패널에 입력 장치가 장착되는 경우에, 배선 영역을 가식층으로 덮는 것이 필요해져, 이 가식층을 형성하는 분만큼 표시 패널의 표시 영역이 좁아지는 과제가 있었다.

특허문헌 1 에 기재된 터치 스크린 패널에서는, Y 방향으로 연속되는 제 2 감지 전극과, 제 2 감지 전극끼리를 Y 방향으로 연결하는 제 2 접속 패턴이 일체로 형성되고, 제 2 접속 패턴의 양측에 X 방향으로 나열되는 제 1 감지 전극이 서로 독립적으로 형성되어 있다. 또, 구동 패턴이, 제 1 감지 전극과 제 2 감지 전극 사이를 통과하여 Y 방향으로 연속해서 연장되어 있다. 제 2 접속 패턴과 구동 패턴은 절연층으로 덮여 있으며, 절연층 상에 형성된 제 1 접속 패턴에 의해, X 방향에 인접하는 제 1 검지 전극끼리가 서로 접속되어 있다.

이 터치 스크린 패널은, 구동 패턴이 제 1 접속 패턴의 하측을 통과함으로써, 제 2 감지 전극에 접속되는 구동 배선과, 구동 패턴을 개재하여 제 1 감지 전극에 접속되는 구동 배선을, 기판의 Y 방향으로 향하는 가장자리부로만 인출 (引出) 할 수 있다.

특허문헌 2 에 기재된 터치 패널은, 기판의 표면에, X 방향으로 나열되는 복수의 제 1 전극과 제 1 전극끼리를 연결하는 제 1 도선이 일체로 형성되어 있다. 각각의 제 1 전극에 개구부가 형성되어 있으며, 개구부의 내부에 제 2 전극이 서로 독립적으로 형성되어 있다. 제 1 전극 상에는 절연층이 형성되고, 이 절연층 상에 제 2 도선이 형성되어, 제 2 도선에 의해 Y 방향에서 인접하는 제 2 전극층끼리가 접속되어 있다.

기판의 표면에는, Y 방향으로 연장되는 도전 세그먼트가 형성되고, 각각의 도전 세그먼트가 제 1 도선에 접속되어 있는데, 접속해서는 안 되는 제 1 도선과 도전 세그먼트의 교차부에서는, 제 1 도선의 표면에 상기 절연층이 형성되고, 이 절연층 상에 형성된 제 3 도선을 개재하여 도전 세그먼트끼리가 접속되어 있다.

이 터치 패널에서는, X 방향으로 도통하고 있는 제 1 전극에 접속된 도전 세그먼트가 Y 방향으로 연장되어 있기 때문에, 제 1 전극에 접속되는 리드선과, 제 2 전극에 접속되는 리드선을, 기판의 Y 방향의 가장자리부에만 권회할 수 있다.

일본 공개특허공보 2012-150782호 일본 공개특허공보 2013-143131호

특허문헌 1 에 기재된 터치 스크린 패널에서는, 제 1 감지 전극에 도통하는 구동 패턴이, 제 2 감지 전극의 측방에 근접한 위치를 통과하고 있다. 그 때문에, 구동 패턴과 제 2 감지 전극 사이에서 정전 용량이 형성되어, 구동 패턴과 제 2 감지 전극의 대향부가 감도 영역이 된다. 손가락 등이 접근하면, 구동 패턴과 제 2 감지 전극 사이에 검지 출력이 발생하게 되어, 이 출력이, 제 1 감도 전극과 제 2 감도 전극의 정전 용량의 변화를 검지하는 본래의 검지 출력에 대해 검출 노이즈로서 중첩되게 된다.

특허문헌 2 에 기재된 터치 패널은, 제 1 전극에 도통하는 도전 세그먼트가 Y 방향으로 연장되는 배선층 (리드층) 으로서 기능하고 있는데, 이 도전 세그먼트가, 개구부 내에 위치하고 있는 제 2 전극으로부터 떨어져 있기 때문에, 도전 세그먼트와 제 2 전극의 정전 결합이 약해져, 특허문헌 1 에 기재된 바와 같은 본래 감도를 가져서는 안 되는 영역이 감도 영역이 되는 과제는 발생하기 어렵다.

그러나, 특허문헌 2 에 기재된 터치 패널은, Y 방향으로 연장되는 도전 세그먼트가, X 방향에 인접하는 제 1 전극 사이를 통과하고 있기 때문에, X 방향에 인접하는 제 1 전극을 도전 세그먼트를 통과시키기 위해 떼어놓아 배치하는 것이 필요해져, 전극의 밀집 배치가 어려워진다.

또, 제 1 전극에 형성된 개구부 안에 제 2 전극을 배치한다는 복잡한 구조를 채용하고 있기 때문에, 제 2 전극끼리를 접속하고 있는 제 2 도선의 수를, 1 개의 제 1 전극에 대해 2 개 지점씩 형성하는 것이 필요해진다. 따라서, 전극수를 많게 하면 제 2 도선의 수 및 제 2 도선 아래에 형성되는 절연 블록의 수가 많아져, 배후에 형성되는 표시 패널을 표시했을 때, 많은 제 2 도선과 절연 블록이 보이기 쉬워 눈에 띄게 되어, 표시 품질을 저해하기 쉽다.

본 발명은 상기 종래의 과제를 해결하는 것으로, 기판의 가장자리부에서의 배선 영역을 줄여 표시 영역 (입력 영역) 의 면적을 확대할 수 있도록 하고, 게다가 배선층과 전극층 사이에 불필요한 감도가 형성되는 현상을 억제할 수 있으며, 또한 표시 품질도 양호하게 유지할 수 있는 입력 장치를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

본 발명은, 투광성 기판에, 투광성 도전 재료로 형성된 제 1 전극층과 제 2 전극층이 형성되고, 복수의 상기 제 1 전극층이 제 1 방향으로 나열되고, 복수의 상기 제 2 전극층이 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 나열되어 있는 입력 장치에 있어서,

상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층 중 어느 일방의 전극층끼리를 연결하는 연결부가 상기 투광성 도전 재료에 의해 일체로 형성되고, 상기 연결부 상에 제 1 절연층과 제 1 브리지 접속층이 겹쳐 형성되고, 상기 제 1 브리지 접속층에 의해 타방의 전극층끼리가 도통되어 있고,

상기 제 2 전극층의 내부에 제 1 방향으로 연장되는 배선 통로가 형성되어, 상기 배선 통로 내를 통과하는 배선층이, 다른 상기 제 2 전극층에 도통하고 있고,

상기 제 2 전극층을 상기 배선 통로에 의해 구분한 구분 전극층과, 상기 배선층 중 어느 일방의 층이 상기 배선 통로 내에서 연속되고, 그 연속부 상에 제 2 절연층과 제 2 브리지 접속층이 형성되어, 상기 제 2 브리지 접속층에 의해 타방의 층이 도통되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명의 입력 장치는, 제 2 전극층에 도통하는 배선층이, 제 2 전극층에 형성된 배선 통로 내를 통과하고 있기 때문에, 배선층과 제 1 전극층의 정전 결합을 약하게 할 수 있어, 배선층과 제 1 전극층 사이에 불필요한 감도 영역이 형성되는 것을 방지할 수 있다.

또, 배선층은 제 2 전극층의 내부를 통과하고 있기 때문에, 배선층을 제 1 방향으로 인출하기 위한 통로를 제 2 전극층의 외부에 형성할 필요가 없어진다. 그 때문에, 배선층의 존재에 관계없이, 제 2 전극층의 배치 피치 등을 적정하게 설정할 수 있게 된다.

본 발명은, 상기 배선 통로가 형성되어 있지 않은 상기 제 2 전극층의 영역 내에, 개구부가 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또, 상기 제 1 전극층의 영역 내에, 개구부가 형성되어 있는 것이 바람직하다.

상기 발명에서는, 배선 통로를 갖는 제 2 전극층과, 배선 통로를 갖지 않는 다른 전극층에서 전극층의 면적에 큰 차이가 생기는 것을 방지할 수 있게 되어, 각각의 전극층에서의 감도를 일정하게 하기 쉬워진다.

본 발명의 입력 장치는, 상기 배선 통로 내를 복수의 상기 배선층이 통과하고 있고, 각각의 상기 배선층이 상이한 상기 제 2 전극층에 도통하고 있는 것으로서 구성할 수 있다.

혹은, 상기 제 2 전극층에 복수의 상기 배선 통로가 형성되고, 각각의 상기 배선 통로 내를 상기 배선층이 통과하고 있어, 각각의 상기 배선층이 상이한 상기 제 2 전극층에 도통하고 있는 것으로서 구성할 수 있다.

본 발명의 입력 장치는, 상기 배선 통로는, 상기 제 2 전극층을 제 2 방향으로 이분하는 중앙부에 형성되어 있는 것이 바람직하다.

상기 구성에서는, 제 2 전극층의 양측에 위치하는 제 1 전극층의 각각과 배선층의 거리를 균등하게 떼어놓을 수 있게 된다.

본 발명의 입력 장치는, 상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층은 동일한 재료로 동일한 공정에 의해 형성되고, 상기 제 1 브리지 접속층과 상기 제 2 브리지 접속층은, 동일한 재료로 동일한 공정에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다.

예를 들어, 본 발명의 입력 장치는, 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층은 사각형이고, 사각형의 모서리부가 제 1 방향과 제 2 방향으로 향해 있다.

또, 본 발명의 입력 장치는, 상기 배선층이, 상기 제 1 전극층과 대향하는 영역을 통과하고 있고, 이 위치에 있는 상기 제 1 전극층과 상기 배선층 사이에, 도전 재료로 형성된 보호층이 형성되어 있는 것이 바람직하다.

이 경우에, 상기 보호층은, 상기 제 1 전극층과 동일한 투광성 도전 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다.

또, 제 1 방향으로 간격을 두고 배치되어 있는 상기 보호층끼리를 연결하는 보호 연결층이, 상기 배선 통로 내를 통과하고 있는 것으로서 구성할 수 있다.

또한, 상기 보호층이 상기 제 2 전극층과 연속해서 형성되어 있는 것으로서 구성할 수 있다.

본 발명의 입력 장치는, 제 2 전극층에 도통하는 배선층이, 제 2 전극층에 형성된 배선 통로 내를 통과하고 있기 때문에, 배선층과 제 1 전극층을 떼어놓아 배치할 수 있게 되어, 배선층과 제 1 전극층 사이에 불필요한 감도 영역이 형성되기 어려워져, 검출 정밀도를 높일 수 있게 된다.

또, 배선층은 제 2 전극층의 내부를 통과하고 있기 때문에, 배선층을 제 1 방향으로 인출하기 위한 통로를 제 2 전극층의 외부에 형성할 필요가 없어진다. 그 때문에, 배선층의 존재에 관계없이, 제 2 전극층을 배치하기 쉬워져, 예를 들어 제 2 전극층의 배치 피치를 적정하게 설정할 수 있게 된다.

또한, 제 1 전극층과 배선층 사이에 보호층을 형성함으로써, 제 1 전극층과 배선층 사이의 정전 용량을 저감시킬 수 있어, 검지 노이즈를 저감시킬 수 있게 된다.

도 1 은 본 발명의 실시형태의 입력 장치를 사용한 터치 패널의 분해 사시도이다.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시형태의 입력 장치의 전극의 배치를 나타내는 평면도이다.
도 3 은 도 2 에 나타내는 입력 장치를 Ⅲ-Ⅲ 선으로 절단한 확대 단면도이다.
도 4 는 도 2 에 나타내는 입력 장치의 I 화살표 부분을 Ⅳ-Ⅳ 선으로 절단한 확대 단면도이다.
도 5 는 본 발명의 제 2 실시형태의 입력 장치의 전극의 배치를 나타내는 부분 평면도이다.
도 6 은 본 발명의 제 3 실시형태의 입력 장치의 전극의 배치를 나타내는 부분 평면도이다.
도 7 은 본 발명의 변형예를 나타내는 제 2 전극층의 확대 평면도이다.
도 8 은 본 발명의 제 4 실시형태의 입력 장치의 전극층과 보호층을 나타내는 평면도이다.
도 9 는 상기 제 4 실시형태의 입력 장치의 보호층의 변형예를 나타내는 부분 평면도이다.
도 10 은 본 발명의 제 5 실시형태의 입력 장치의 전극층과 보호층을 나타내는 부분 평면도이다.
도 11 은 본 발명의 제 6 실시형태의 입력 장치의 전극층과 보호층을 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 12 는 본 발명의 제 7 실시형태의 입력 장치의 전극층과 보호층을 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 13 은 보호층이 있는 실시형태 (제 7 실시형태) 와 보호층을 갖고 있지 않은 실시형태에서의, 배선층과 제 1 전극층 사이의 정전 용량의 차이를 나타내는 선도이다.

도 1 에 터치 패널 (1) 이 도시되어 있다. 터치 패널 (1) 은, 표면 패널 (2) 과 그 아래에 위치하는 본 발명의 입력 장치 (10) 로 구성되어 있다.

표면 패널 (2) 은, 휴대용 전화기, 내비게이션 장치, 게임 장치, 통신 장치 등의 각종 전자 기기의 케이스의 일부를 구성하고 있다. 표면 패널 (2) 은 아크릴계 등의 투광성의 합성 수지 재료나 유리로 형성되어 있어, 표면 패널 (2) 의 외부로부터 기기 내부를 투시할 수 있다.

입력 장치 (10) 는, 투광성 기판 (11) 을 가지고 있다. 기판 (11) 은 PET (폴리에틸렌ㆍ테레프탈레이트) 등의 수지 시트이다. 표면 패널 (2) 과 입력 장치 (10) 는, OCA (투명 점착성 접착제) 를 개재하여 접착된다.

입력 장치 (10) 는, Y 방향이 제 1 방향이고, X 방향이 제 2 방향이다. 도 1 과 도 2 에 나타내는 바와 같이, 입력 장치 (10) 는, 제 1 방향 (Y 방향) 의 일방의 가장자리부 (10y) 측에만 배선 영역 (H) 이 형성되어 있고, 배선 영역 (H) 이외의 영역이 검지 영역 (S) 으로 되어 있다. 전자 기기의 케이스 내에는, 컬러 액정 패널 등의 표시 패널 (5) 이 수납되어 있으며, 표시 패널 (5) 의 표시 화면을, 표면 패널 (2) 과 입력 장치 (10) 의 검지 영역 (S) 을 통해 외부로부터 보는 것이 가능하다. 따라서, 검지 영역 (S) 이 표시 영역이기도 하다.

도 2 이하에서는, 입력 장치 (10) 가 배선 영역 (H) 을 도시 상방을 향한 자세로 나타나 있다. 입력 장치 (10) 는, 제 2 방향 (X 방향) 으로 향하는 가장자리부 (10x) 에 배선 영역 (H) 이 형성되어 있지 않기 때문에, 검지 영역 (표시 영역) (S) 을, 입력 장치 (10) 의 가장자리부 (10x) 에 극히 접근하는 위치까지 넓힐 수 있어, 배선을 위한 데드 스페이스를 없앨 수 있다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 (11) 의 공통의 표면에, 제 1 방향 (Y 방향) 으로 연장되는 제 1 전극열 (20) 과, 제 2 방향 (X 방향) 으로 연장되는 제 2 전극열 (30) 이 형성되어 있다.

제 1 전극열 (20) 에서는, 복수의 제 1 전극층 (21) 과, 제 1 전극층 (21) 을 Y 방향으로 연결하는 (접속하는) 연결부 (22) 가 일체로 형성되어 있는, 제 1 전극열 (20) 은 y1, y2, y3 의 3 열 형성되어 있는데, 이 수는 입력 장치 (10) 의 면적에 따라 선택된다.

제 1 전극층 (21) 은 정방형 (또는 마름모꼴) 이고, 정방형의 모서리부가 X 방향과 Y 방향으로 향해 있으며, 연결부 (22) 는, Y 방향에 인접하는 제 1 전극층 (21) 의 모서리부끼리를 연결하고 있다.

제 2 전극열 (30) 은, x1, x2, x3, x4 의 4 열을 따라 X 방향을 향하여 균등한 피치로 규칙적으로 배열됨과 함께, ya, yb, yc, yd 의 각 열을 따라 Y 방향으로 균등한 피치로 규칙적으로 배열되어 있다. X 방향과 Y 방향의 각 열의 수는, 입력 장치 (10) 의 면적에 따라 선택된다. 제 2 전극층 (31) 은 정방형 (또는 마름모꼴) 이고, 각 모서리부가 X 방향과 Y 방향으로 향해 있다. 제 1 전극층 (21) 과 제 2 전극층 (31) 의 사각형의 각 변의 크기는 서로 일치하고 있다.

제 2 전극층 (31) 에는, 그 중앙부에 배선 통로 (32) 가 형성되어 있는 것이 있으며, 배선 통로 (32) 가 형성되어 있는 제 2 전극층에 부호 31A 를 붙여, 배선 통로 (32) 를 갖지 않는 제 2 전극층 (31) 과 구별하고 있다.

제 2 전극층 (31A) 에서는, 배선 통로 (32) 가 Y 방향으로 직선적으로 연장되어 형성되어 있다. 배선 통로 (32) 는, 제 2 전극층 (31A) 을 X 방향으로 균등하게 분할할 수 있도록, X 방향에서의 중앙부에 형성되어 있다. 제 2 전극층 (31A) 은, 배선 통로 (32) 에 의해 2 개의 구분 전극층 (33, 33) 으로 분할되어 있다.

제 1 전극층 (21) 과 연결부 (22) 및 제 2 전극층 (31, 31A) 은, 동일한 투광성 도전 재료로 형성되어 있다. 투광성 도전 재료는, ITO (산화인듐주석) 층, 은나노 와이어로 대표되는 금속 나노 와이어층, 메시상으로 형성된 얇은 금속 층, 혹은 도전성 폴리머층 등으로 형성되어 있다.

도 3 에는, y1 열의 제 1 전극열 (20) 과 x2 열의 제 2 전극열 (30) 의 교차부의 적층 구조가 단면도로 나타나 있다.

이 교차부에서는, 제 1 전극열 (20) 의 연결부 (22) 를 덮는 투광성의 제 1 절연층 (41) 이 형성되어 있으며, 제 1 절연층 (41) 상에 제 1 브리지 접속층 (42) 이 형성되어 있다. 제 1 브리지 접속층 (42) 에 의해, 연결부 (22) 의 X 방향의 양측에 인접하는 제 2 전극층 (31) 끼리가 접속되어 도통되어 있다. 제 1 전극열 (20) 과 제 2 전극열 (30) 의 모든 교차부에, 상기 절연층 (41) 과 제 1 브리지 접속층 (42) 이 형성되어 있어, x1 열에 나열되어 있는 제 2 전극층 (31) (31A) 이 X 방향으로 연결되어 있다. 마찬가지로 x2, x3, x4 열에 있어서도, 제 2 전극층 (31) (31A) 이 X 방향으로 연결되어 있다.

투광성의 제 1 절연층 (41) 은, 노볼락 수지 또는 노볼락 수지와 아크릴 수지로 구성되어 있다. 제 1 브리지 접속층 (42) 은, 아모르퍼스의 ITO 층의 하지층 상에, Au (금), Au 합금, CuNi 합금 (구리ㆍ니켈 합금), Ni (니켈) 등의 도전성 금속 재료가 겹쳐지고, 더욱 바람직하게는 아모르퍼스의 ITO 층의 보호층에 의해 덮여 있다.

제 1 전극층 (21) 과 연결부 (22) 및 제 2 전극층 (31) 이 ITO 층으로 형성되는 경우에는, 이들을 결정성 ITO 로 형성함으로써, 제 1 전극층 (21) 과 연결부 (22) 및 제 2 전극층 (31) 을 구성하는 결정성의 ITO 와, 제 1 절연층 (32) 을 구성하는 아모르퍼스의 ITO 를 선택하여 에칭하는 것이 가능해진다.

또한, 제 1 전극열 (20) 과 제 2 전극열 (30) 의 교차부에 있어서, X 방향에 인접하는 제 2 전극층 (31) (31A) 끼리를 연결하는 연결부가 제 2 전극층과 일체로 형성되어, 복수의 제 2 전극층 (31) (31A) 이 X 방향으로 연속해서 형성되어 있어도 된다. 이 경우에는, 서로 독립적인 제 1 전극층 (21) 이 상기 연결부를 사이에 두고 Y 방향의 양측에 배치되고, 제 2 전극층 (31) (31A) 을 연결하는 상기 연결부 상에 제 1 절연층 (41) 과 제 1 브리지 접속층 (42) 이 형성되어, 제 1 브리지 접속층 (42) 에 의해, Y 방향에 인접하는 제 1 전극층 (21) 끼리가 접속된다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 (11) 의 Y 방향의 일단 (一端) 에 형성된 배선 영역 (H) 에는, y1 열의 제 1 전극층 (21) 과 일체로 형성된 제 1 배선층 (25a) 과, y2, y3 열의 제 1 전극층 (21) 의 각각과 일체로 형성된 제 1 배선층 (25b, 25c) 이 형성되어 있다. 또, 배선 영역 (H) 에는, 제 2 전극열 (30) 의 각각에 도통하는 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 이 형성되어 있다.

제 1 배선층 (25a, 25b, 25c) 과 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 은, 상기 배선 영역 (H) 에서 권회되어, 배선 영역 (H) 에 형성된 커넥터부에 도통하고 있다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 2 배선층 (35a) 은, x1 열과 ya 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31) 과 일체로 형성되어 있다.

제 2 배선층 (35b) 은, x2 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31) 과 일체로 형성되어 있다. 이 제 2 배선층 (35b) 은, x1 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여 Y 방향으로 직선적으로 연장되어 배선 영역 (H) 에 이르고 있다.

제 2 배선층 (35c) 은, x3 열과 yc 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31) 과 일체로 형성되어 있다. 이 제 2 배선층 (35c) 은, x2 열과 yc 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 와, x1 열과 yc 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여 Y 방향으로 직선적으로 연장되어 배선 영역 (H) 에 이르고 있다.

제 2 배선층 (35d) 은, x4 열과 yd 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31) 과 일체로 형성되어 있다. 이 제 2 배선층 (35d) 은, x3 열과 yd 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 와, x2 열과 yd 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32), 및 x1 열과 yd 열의 교점에 위치하는 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여 Y 방향으로 직선적으로 연장되어 배선 영역 (H) 에 이르고 있다.

제 2 배선층 (35a) 은, x1 열에 위치하는 제 2 전극열 (30) 을 구성하는 각 제 2 전극층 (31) (31A) 과 도통하고 있고, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 은, x2, x3, x4 열에 위치하는 제 2 전극열 (30) 을 구성하는 각 제 2 전극층 (31) (31A) 과 각각 도통하고 있다.

제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 은, 모두 제 2 전극층 (31) 을 구성하는 투광성 도전 재료에 의해, 제 2 전극층 (31) 과 일체로 형성되어 있다.

도 4 는, x3 열과 yd 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 의 단면 구조를 나타내고 있다.

제 2 전극층 (31A) 은, 배선 통로 (32) 에 의해, 구분 전극층 (33, 33) 으로 이분되어 있다. 배선 통로 (32) 와 제 2 배선층 (35d) 상에 제 2 절연층 (43) 이 형성되고, 그 위에 제 2 브리지 접속층 (44) 이 형성되어 있다. 배선 통로 (32) 에 의해 분할되어 있는 구분 전극층 (33, 33) 은 제 2 브리지 접속층 (44) 에 의해 접속되어 있으며, 이로써 제 2 전극층 (31A) 은 전체가 1 개의 전극층으로서 기능할 수 있도록 되어 있다.

이것은, 다른 장소에 형성된 제 2 전극층 (31A) 의 전부에서 동일하다.

도 4 에 나타내는 제 2 절연층 (43) 은, 도 3 에 나타내는 제 1 절연층 (32) 과 동일한 재료로 동일한 공정에 의해 형성되어 있다. 도 4 에 나타내는 제 2 브리지 접속층 (44) 은, 도 3 에 나타내는 제 1 브리지 접속층 (42) 과 동일한 재료로 동일한 공정에 의해 형성되어 있다.

입력 장치 (10) 의 제조 공정은, 기판 (11) 의 표면에 ITO 등의 투광성 도전 재료가 형성된 소재가 사용되고, 이 도전 재료가 에칭되어, 제 1 전극열 (20), 제 2 전극열 (30), 제 1 배선층 (25a, 25b, 25c) 및 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 이 형성된다.

그 후에, 기판 (11) 상에 노볼락 수지와 아크릴 수지의 수지층이 형성되고, 포토리소그래피 공정에 의해, 제 1 절연층 (41) 과 제 2 절연층 (43) 이 동시에 패터닝된다. 또한, 브리지 접속층용 적층체가 형성되고, 에칭 공정에 의해, 제 1 브리지 접속층 (42) 과 제 2 브리지 접속층 (44) 이 동시에 형성된다.

도 2 에 나타내는 입력 장치 (10) 에서는, 입력 장치 (10) 와 표면 패널 (2) 을 통해 외부로부터 표시 패널 (5) 의 표시 화상을 볼 수 있다. 이 표시를 보면서 표면 패널 (2) 에 손가락을 댐으로써 입력 장치 (10) 를 조작할 수 있다.

이 입력 장치 (10) 는, 제 1 전극열 (20) 과 제 2 전극열 (30) 사이에 정전 용량이 형성되어 있다. 제 1 전극열 (20) 과 제 2 전극열 (30) 중 어느 일방의 전극열에 차례로 펄스상의 구동 전력이 부여되어, 구동 전력이 부여되었을 때에 타방의 전극열에 흐르는 검지 전류가 검출된다. 손가락이 접근하면, 손가락과 전극층 사이에 정전 용량이 형성되기 때문에, 상기 검출 전류가 변화한다. 이 검출 전류의 변화를 검지함으로써, 표면 패널 (2) 의 어느 지점에 손가락이 접근하고 있는지를 검출할 수 있다.

제 2 전극층 (31A) 에는, Y 방향으로 관통하는 배선 통로 (32) 가 형성되어 있기 때문에, 배선 통로 (32) 를 갖지 않는 전극층보다 실질적으로 면적이 작아져, 검지 동작에 있어서 전극층마다 감도가 불균일할 우려가 있다. 그래서, 도 2 에 나타내는 실시형태에서는, 배선 통로 (32) 가 형성되어 있지 않은 제 2 전극층 (31) 에 개구부 (31b) 가 형성되어, 배선 통로 (32) 를 갖는 제 2 전극층 (31A) 과 배선 통로 (32) 를 갖고 있지 않은 제 2 전극층 (31) 에서 면적의 차이가 그다지 생기지 않도록 하고 있다.

또한, 제 1 전극층 (21) 에도 개구부 (21b) 가 형성되어, 제 1 전극층 (21) 과 제 2 전극층 (31A) 에서 면적의 차이가 크게 상이하지 않도록 하고 있다.

상기 입력 장치 (10) 는, 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 이, 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여 Y 방향으로 연장되어 있다. 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 은, X 방향의 양측에 제 2 전극층 (31A) 의 구분 전극층 (33, 33) 사이에 위치하고 있기 때문에, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 과, 제 1 전극층 (21) 이 인접하는 영역을 감소시킬 수 있어, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 과 제 1 전극층 (21) 의 정전 결합을 저하시킬 수 있다. 그 때문에, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 의 권회 부분이 여분의 감도를 갖는 것을 억제할 수 있어, 제 1 전극열 (20) 과 제 2 전극열 (30) 사이에서 검지되는 본래의 검지 출력에 노이즈가 중첩되기 어려워져, 검지 정밀도를 높이는 것이 가능해진다.

또, 제 2 배선층 (35b, 35c, 35d) 은, 제 2 전극층 (31A) 의 내부를 통과하고 있기 때문에, 인접하는 전극층 사이에 제 2 배선층을 통과시키기 위한 통로를 형성할 필요가 없다. 따라서, 각 전극층 (21, 31) 의 배치가, 제 2 배선층의 권회 때문에 제약받는 경우가 없어, 예를 들어 각 전극층 (21, 31) 을 서로 접근시켜 배치할 수 있어, 검지 동작의 분해능을 높이는 것이 가능해진다.

도 5 는 본 발명의 제 2 실시형태의 입력 장치 (110) 의 전극의 배치 구조를 나타내는 부분 평면도이다. 도 5 에서는, 도 2 에 나타내는 제 1 실시형태와 동일한 구성 부분에 동일한 부호를 붙여 상세한 설명을 생략한다.

도 5 에 나타내는 입력 장치 (110) 에서는, 제 2 배선층 (35a) 이, x1 열과 ya 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 과 일체로 형성되어 있다. 이 제 2 전극층 (31A) 에는 배선 통로 (32) 가 형성되어 있고, 상기 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하는 제 2 배선층 (35b) 이, x2 열과 ya 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31) 과 일체로 형성되어 있다.

x1 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 내 및 x2 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 내를 2 개의 제 2 배선층 (35c, 35d) 이 통과하고 있다. 일방의 제 2 배선층 (35c) 은, x3 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 과 일체로 형성되어 있다. 타방의 제 2 배선층 (35d) 은, x3 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 의 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하여, x4 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31) 과 일체로 형성되어 있다.

x1 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 과, x2 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 은, 배선 통로 (32) 에, 제 2 배선층 (35c, 35d) 이 2 개 통과하고 있기 때문에, 좌우의 구분 전극층 (33, 33) 을 접속시키기 위한 제 2 절연층 (43) 과 제 2 브리지 접속층 (44) 이, 2 개의 제 2 배선층 (35c, 35d) 사이에 걸쳐지도록 형성되어 있다.

도 2 에 나타내는 제 1 실시형태의 입력 장치 (10) 는, 제 2 전극층 (31A) 에 형성된 배선 통로 (32) 에 제 2 배선층이 1 개만 통과하고 있기 때문에, 제 2 전극층 (31) (31A) 은, 예를 들어 X 방향의 배열수와 Y 방향의 배열수가 동수가 아니면 구성할 수 없다. 이에 대해, 도 5 에 나타내는 제 2 실시형태에서는, 제 2 전극층 (31A) 의 배선 통로 (32) 에, 제 2 배선층이 2 개 또는 복수 개 통과하고 있기 때문에, 제 2 전극층 (31) (31A) 의 배열수를 X 방향보다 Y 방향이 많아지도록 구성하는 것이 가능해진다.

도 6 은 본 발명의 제 3 실시형태의 입력 장치 (210) 의 전극의 배치 구조를 나타내는 부분 평면도이다. 이하에서는, 도 5 에 나타내는 제 2 실시형태의 입력 장치 (110) 와의 상이점만을 설명한다.

도 6 에 나타내는 입력 장치 (210) 에서는, x1 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 과, x2 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에 2 개의 배선 통로 (32, 32) 가 따로따로 형성되어 있다. 제 2 배선층 (35c) 은 일방의 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하고, 제 2 배선층 (35d) 은 타방의 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하고 있다.

상기 제 2 전극층 (31A) 에서는, 배선 통로 (32) 가 2 개 형성되어 있기 때문에, 전극층이 3 개의 구분 전극층 (33, 33, 33) 으로 분할되어 있다. 그리고, 각각의 배선 통로 (32) 에 있어서, 제 2 배선층에 걸쳐지는 제 2 절연층 (43) 과 제 2 브리지 접속층 (44) 이 형성되어 있다.

또한, x2 열과 yb 열의 교점에 위치하는 제 2 전극층 (31A) 에서는, 일방의 배선 통로 (32) 를 덮는 제 2 절연층 (43) 그리고 제 2 브리지 접속층 (44) 과, 타방의 배선 통로 (32) 를 덮는 제 2 절연층 (43) 그리고 제 2 브리지 접속층 (44) 이, Y 방향으로 거리를 두고 형성되어 있다. 이로써, 근접하여 배치되는 2 세트의 제 2 절연층 (43) 그리고 제 2 브리지 접속층 (44) 이, 마치 일체가 된 것처럼 보여 눈에 띄어 버리는 현상을 방지하기 쉽게 하고 있다.

도 7 은 본 발명의 변형예를 나타내고 있다.

도 7 에는 제 2 전극층 (31A) 이 도시되어 있다. 이 제 2 전극층 (31A) 은, X 방향으로 구분된 구분 전극층 (33, 33) 이 연결부 (37) 에 의해 연결되어 있다. 구분 전극층 (33, 33) 과 연결부 (37) 는, 동일한 도전 재료로 일체로 형성되어 있다. 배선 통로 (32, 32) 는, 연결부 (37) 를 사이에 두고 Y 방향으로 분할되어 형성되어 있다. 제 2 배선층 (35e, 35e) 은, 상기 배선 통로 (32, 32) 에 배치되어 있는데, 연결부 (37) 를 사이에 두고 분리되어 있다.

이 구성에서는, 연결부 (37) 를 덮는 제 2 절연층 (45) 과 제 2 브리지 접속층 (46) 이 Y 방향으로 연장되도록 하여 형성되어 있으며, 제 2 브리지 접속층 (46) 에 의해, 분리된 제 2 배선층 (35e, 35e) 끼리가 접속되어 도통되어 있다.

도 8 은 본 발명의 제 4 실시형태의 입력 장치 (310) 를 나타내고 있다.

도 2 에 나타내는 제 1 실시형태의 입력 장치 (10) 에서는, x4 열과 yd 열의 교차부에 위치하는 제 2 전극층 (31) 으로부터 Y 방향으로 연장되는 제 2 배선층 (35d) 이, xa, xb, xc, xd 의 각 열을 통과할 때, 그 우측 방향에 위치하는 복수의 제 1 전극층 (21) 의 각각의 모서리부와 대향한다. 제 2 배선층 (35c) 은, xa, xb, xc 의 각 열을 통과할 때, X 방향의 양측에 위치하는 제 1 전극층 (21) 의 각각의 모서리부와 대향한다. 제 2 배선층 (35b) 은, xa, xb 의 각 열을 통과할 때, 그 양측에 위치하는 제 1 전극층 (21) 의 각각의 모서리부와 대향한다. 그리고, 제 2 배선층 (35a) 은, xa 열을 통과할 때, 제 1 전극층 (21) 의 모서리부와 대향한다.

따라서, 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 과 제 1 전극층 (21) 의 모서리부가 대향하는 부분에서, 양 층 사이에 정전 용량이 형성된다. 제 2 배선층은 35a 보다 35b 쪽이, 제 1 전극층 (21) 의 모서리부와의 대향 지점이 증가하고, 이것은 제 2 배선층 (35c, 35d, …) 의 순서로 증가해 간다. 1 개의 제 2 배선층과 1 개의 제 1 전극층 (21) 의 모서리부가 대향하는 부분은 얼마 안 되는 길이로, 그 부분에서 정전 용량이 그다지 커지지 않지만, 제 2 배선층 (35d) 등과 같이, 제 1 전극층 (21) 의 모서리부와의 대향 지점이 증가해 가면, 정전 용량의 누적값이 커져, 검지 노이즈가 약간 커질 우려가 있다.

그래서, 도 8 에 나타내는 제 4 실시형태의 입력 장치 (310) 에서는, ya, yb, yc, yd 의 각 열과 xa 열의 교차부, yb, yc, yd 의 각 열과 xb 열의 교차부, yc, yd 의 각 열과 xc 열의 교차부, 및 yd 열과 xd 열의 교차부에 있어서, 제 2 배선층 (35a, 35b, 25c, 25d) 과 제 1 전극층 (21) 사이에 보호층 (51) 이 형성되어 있다.

보호층 (51) 은, 제 1 전극층 (21) 과 제 2 전극층 (31) 과 동일한 투광성 도전 재료로 형성되어 있다. 보호층 (51) 의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도 8 에 나타내는 실시형태에서는, 보호층 (51) 이 장방형이고, 장변이 Y 방향으로 연장되도록, 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 과 평행하게 형성되어 있다.

복수의 보호층 (51) 의 각각은 서로 독립되어 있으며, 제 1 전극층 (21) 과 제 2 전극층 (31) 및 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 중 어느 것과도 접속되지 않고 분리되어 있다. 이 보호층 (51) 을 형성함으로써, 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, 35d) 과 제 1 전극층 (21) 사이의 정전 용량을 저감시킬 수 있다.

도 9 는 상기 제 4 실시형태의 입력 장치 (310) 에 형성된 보호층의 변형예를 나타내고 있다.

도 9 에 나타내는 보호층 (55) 은, 제 2 배선층 (35c) 과 제 1 전극층 (21) 사이에 개재하는 직선부 (55a) 와, 제 1 전극층 (21) 의 2 개의 변과 대향하여 X 방향과 Y 방향의 쌍방에 대해 비스듬하게 연장되는 경사부 (55b) 를 가지고 있다. 이 변형예에서는, 제 1 전극층 (21) 중 제 2 배선층 (35c) 에 대향하는 부분이 보호층 (55) 에 의해 둘러싸여 있기 때문에, 제 1 전극층 (21) 과 제 2 배선층 (35c) 사이의 정전 용량을 더욱 저하시키는 것이 가능해진다.

도 10 에는 본 발명의 제 5 실시형태의 입력 장치 (410) 가 도시되어 있다.

제 5 실시형태에서는, 제 2 배선층 (35c) 과 제 1 전극층 (21) 사이에 위치하는 보호층 (52) 이, 이것에 가장 가까운 위치에 있는 제 2 전극층 (31 또는 31A) 과 연속해서 형성되어 있다. 이 실시형태에서는, 보호층 (52) 이 이것에 가까운 위치에 있는 제 2 전극층 (31 또는 31A) 과 항상 동일한 전위가 되기 때문에, 보호층 (52) 이 개별적으로 대전되는 것을 방지할 수 있어, 제 2 배선층과 제 1 전극층 (21) 사이의 정전 용량을 저하시키는 효과를 높일 수 있다.

도 11 에는 본 발명의 제 6 실시형태의 입력 장치 (510) 가 도시되어 있다. 도 11 에는, yc 열에 위치하는 제 2 전극층 (31, 31A) 과 제 2 배선층 (35c) 만을 꺼내 확대해서 나타내고 있다.

제 6 실시형태에서는, 제 2 배선층 (35c) 과 제 1 전극층 (21) 사이에 배치되어 있는 보호층 (53) 끼리가 보호 연결층 (54) 에 의해 연결되어 있다. 보호 연결층 (54) 은, 제 2 배선층 (35c) 과 함께 배선 통로 (32) 의 내부를 통과하고 있다. 따라서, 제 2 절연층 (43) 과 제 2 브리지 접속층 (44) 은, 제 2 배선층 (35c) 과 보호 연결층 (54) 의 쌍방을 덮도록 형성되어 있다.

제 6 실시형태에서는, 복수의 보호층 (53) 을 동일한 전위로 설정할 수 있기 때문에, 복수의 보호층 (53) 이 개별적으로 대전되어, 보호층 (53) 이 서로 상이한 전위가 되는 것을 피할 수 있어, 정전 용량을 저하시키는 효과를 높일 수 있다.

도 12 에는 본 발명의 제 7 실시형태의 입력 장치 (610) 가 도시되어 있다.

제 7 실시형태의 입력 장치 (610) 는, 도 5 에 나타낸 제 2 실시형태의 입력 장치 (110) 와 마찬가지로, x1 열과 yb 열의 교차부 및 x2 열과 yb 열의 교차부에 위치하고 있는 제 2 전극층 (31A) 의 배선 통로 (32) 에, 제 2 배선층이 35c 와 35d 의 2 개 통과하고 있다. 마찬가지로, yc 열, yd 열, ye 열, … 에 있어서도, 제 2 전극층 (31A) 에 2 개의 제 2 배선층이 통과하고 있는 부분이 존재한다.

이 입력 장치 (610) 는, 도 2 에 나타낸 제 1 실시형태의 입력 장치 (10) 와 마찬가지로, 제 1 전극층 (21) 에 개구부 (21b) 가 형성되고, 제 2 전극층 (31) 에 개구부 (31b) 가 형성되어 있다. 그리고, xa, xb, xc, … 의 각 열과, ya, yb, yc, … 의 각 열의 교차부에서는, 각각 2 개의 제 2 배선층의 양측으로서 제 1 전극층 (21) 과의 대향부에 보호층 (51) 이 형성되어 있다. 보호층 (51) 은, 제 1 전극층 (21) 및 제 2 전극층 (31, 31A) 과는 독립적으로 형성되어 있다.

도 12 에 나타내는 실시형태에서는, xa, xb, xc, … 의 각 열에 있어서, X 방향에 인접하는 제 1 전극층 (21) 사이에 2 개의 제 2 배선층이 통과하고 있는데, 이 2 개의 배선층과 제 1 전극층 (21) 사이에 보호층 (51) 을 형성함으로써, 제 2 배선층 (35a, 35b, 35c, …) 과 제 1 전극층 (21) 사이의 정전 용량을 저하시키는 것이 가능해진다.

도 13 은, 상기 보호층 (51) 의 효과를 나타내는 시뮬레이션 결과이다.

이 시뮬레이션은, 도 12 에 나타내는 보호층 (51) 을 갖는 제 7 실시형태의 입력 장치 (610) 와, 도 5 에 나타내는 보호층을 갖지 않는 제 2 실시형태의 입력 장치 (110) 를 비교한 것이다. 도 13(A) 가 보호층 (51) 을 갖는 입력 장치 (610) 에 관한 결과이고, 도 13(B) 가 보호층 (51) 을 갖고 있지 않은 입력 장치 (110) 에 관한 결과이다.

시뮬레이션에서는, 제 1 전극층 (21) 과 제 2 전극층 (31) 의 각각의 1 변을 3 ㎜, 제 2 배선층 (35a, 35b, …) 의 폭 치수를 45 ㎛, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 보호층 (51) 을 형성하지 않았을 때의, 제 2 배선층과 제 1 전극층 (21) 의 모서리부의 X 방향의 거리 (δ) 를 30 ㎛ 로 하였다. 상기 거리는, 제 2 배선층과 제 1 전극층 (21) 의 대향부의 모든 부분에서 동일한 값이다. 또, 보호층 (51) 은, X 방향의 폭 치수를 500 ㎛, Y 방향의 길이 치수를 1.2 ㎜ 로 하였다. 또한, 개구부 (21b 와 31b) 는 3 ㎜ × 0.18 ㎜ 로 하였다.

도 13 에 나타내는 시뮬레이션에서는, 제 1 전극열 (20) 을 y1 에서부터 y12 까지의 12 열로 하고, 제 2 전극열 (30) 을 x1 에서부터 x21 까지의 21 열로 하였다.

이 입력 장치를 사용한 검지 동작에서는, 제 1 전극열 (20) 이 y1, y2, y3, … 의 순으로 구동 전극으로서 선택되어 차례로 구동 전압이 인가된다. y1 의 제 1 전극열 (20) 이 구동 전극으로서 선택되어 있는 기간 중에, 제 2 전극열 (30) 이 x1, x2, x3, … 열의 순으로 선택되어 검지 전극이 되어, x1, x2, x3, … 의 열의 순으로 출력이 검지된다. 다음으로, y2 의 제 1 전극열 (20) 이 구동 전극으로서 선택되어 있는 기간 중에, 제 2 전극열 (30) 이 x1, x2, x3, … 의 순으로 선택되어 검지 전극으로서 출력이 검지된다. 이것이 y3, y4, y5, … 의 순으로 진행됨으로써, 표면 패널 (2) 에 손가락이 접근한 위치를 X-Y 좌표 상에서 검지하는 것이 가능해진다.

도 13 에 나타내는 시뮬레이션은, y1 의 제 1 전극열 (20) 이 구동 전극으로서 선택되어 있는 기간 중에, 제 2 전극열 (30) 을 x1, x2, x3, x4, … 의 순으로 검지 전극으로서 선택하고, x1, x2, x3, x4, … 의 순으로 선택한 제 2 전극열 (30) 과 y1 열의 전극열 (20) 사이의 정전 용량을 각각 구하였다. 다음으로, y2 의 제 1 전극열 (20) 이 구동 전극으로서 선택되어 있는 기간 중에, x1, x2, x3, x4, … 의 각 제 2 전극열 (30) 을 검지 전극으로서 차례로 선택하고, 차례로 선택한 제 2 전극열 (30) 과 y1 열의 전극열 (20) 사이의 정전 용량을 각각 구하였다. 이것을 y3, y4, y5, …, y12 의 순으로 반복한 결과이다.

도 13(A) 와 도 13(B) 는 모두 가로축이, 검지 전극으로서 차례로 선택된 제 2 전극열 (30) 의 열 x1, x2, x3, …, x21 을 나타내고 있고, 세로축은, 구동 전극으로서 선택된 y1, y2, y3, …, y12 의 각 열의 제 1 전극열 (20) 과, x1, x2, x3, …, x21 각각의 열의 제 2 전극열 (30) 사이의 정전 용량 (단위는 pF) 을 나타내고 있다.

도 13(A) 에 나타내는 바와 같이 보호층 (51) 을 형성한 시뮬레이션 결과에서는, y12 열의 제 1 전극열 (20) 을 구동 전극으로 하고, X21 열의 제 2 전극열 (30) 을 검지 전극으로 했을 때, 양 전극열 간의 정전 용량이 최대값 (CA) 이 되어, CA ＝ 0.88 pF 였다. 이에 반해, 도 13(B) 에 나타내는 바와 같이, 보호층 (51) 을 형성하지 않는 시뮬레이션 결과에서는, y12 열의 제 1 전극열 (20) 을 구동 전극으로 하고, X21 열의 제 2 전극열 (30) 을 검지 전극으로 했을 때, 양 전극열 간의 정전 용량이 최대값 (CB) 이 되어, CB ＝ 1.07 pF 였다.

보호층 (51) 을 형성함으로써, 제 2 배선층과 제 1 전극층 (21) 사이의 정전 용량의 누적값의 최대값을 18 ％ 정도 개선할 수 있다.

1 : 터치 패널
2 : 표면 패널
5 : 표시 패널
10 : 입력 장치
11 : 기판
20 : 제 1 전극열
21 : 제 1 전극층
21b : 개구부
22 : 연결부
25a, 25b, 25c : 제 1 배선층
30 : 제 2 전극열
31, 31A : 제 2 전극층
31b : 개구부
32 : 배선 통로
33 : 구분 전극층
35a, 35b, 35c, 35d : 제 2 배선층
37 : 연결부
41 : 제 1 절연층
42 : 제 1 브리지 접속층
43 : 제 2 절연층
44 : 제 2 브리지 접속층
51, 52, 53, 55 : 보호층
54 : 보호 연결층
110, 210, 310, 410, 510, 610 : 입력 장치
H : 배선 영역

Claims (14)

1. 투광성 기판에, 투광성 도전 재료로 형성된 제 1 전극층과 제 2 전극층이 형성되고, 복수의 상기 제 1 전극층이 제 1 방향으로 나열되고, 복수의 상기 제 2 전극층이 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 나열되어 있는 입력 장치에 있어서,
   상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층 중 어느 일방의 전극층끼리를 연결하는 연결부가 상기 투광성 도전 재료에 의해 일체로 형성되고, 상기 연결부 상에 제 1 절연층과 제 1 브리지 접속층이 겹쳐 형성되고, 상기 제 1 브리지 접속층에 의해 타방의 전극층끼리가 도통되어 있고,
   상기 제 2 전극층의 내부에 제 1 방향으로 연장되는 배선 통로가 형성되어, 상기 배선 통로 내를 통과하는 배선층이, 다른 상기 제 2 전극층에 도통하고 있고,
   상기 제 2 전극층을 상기 배선 통로에 의해 구분한 구분 전극층과, 상기 배선층 중 어느 일방의 층이 상기 배선 통로 내에서 연속되고, 그 연속부 상에 제 2 절연층과 제 2 브리지 접속층이 형성되어, 상기 제 2 브리지 접속층에 의해 타방의 층이 도통되어 있는 것을 특징으로 하는 입력 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 배선 통로가 형성되어 있지 않은 상기 제 2 전극층의 영역 내에, 개구부가 형성되어 있는, 입력 장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 제 1 전극층의 영역 내에, 개구부가 형성되어 있는, 입력 장치.
4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 배선 통로 내를 복수의 상기 배선층이 통과하고 있고, 각각의 상기 배선층이 상이한 상기 제 2 전극층에 도통하고 있는, 입력 장치.
5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 제 2 전극층에 복수의 상기 배선 통로가 형성되고, 각각의 상기 배선 통로 내를 상기 배선층이 통과하고 있어, 각각의 상기 배선층이 상이한 상기 제 2 전극층에 도통하고 있는, 입력 장치.
6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 배선 통로는, 상기 제 2 전극층을 제 2 방향으로 이분하는 중앙부에 형성되어 있는, 입력 장치.
7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 제 1 절연층과 상기 제 2 절연층은 동일한 재료로 동일한 공정에 의해 형성되고, 상기 제 1 브리지 접속층과 상기 제 2 브리지 접속층은, 동일한 재료로 동일한 공정에 의해 형성되어 있는, 입력 장치.
8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층은 사각형이고, 사각형의 모서리부가 제 1 방향과 제 2 방향으로 향해 있는, 입력 장치.
9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   상기 배선층이, 상기 제 1 전극층과 대향하는 영역을 통과하고 있고, 이 위치에 있는 상기 제 1 전극층과 상기 배선층 사이에, 도전 재료로 형성된 보호층이 형성되어 있는, 입력 장치.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보호층은, 상기 제 1 전극층과 동일한 투광성 도전 재료로 형성되어 있는, 입력 장치.
11. 제 9 항에 있어서,
    제 1 방향으로 간격을 두고 배치되어 있는 상기 보호층끼리를 연결하는 보호 연결층이, 상기 배선 통로 내를 통과하고 있는, 입력 장치.
12. 제 10 항에 있어서,
    제 1 방향으로 간격을 두고 배치되어 있는 상기 보호층끼리를 연결하는 보호 연결층이, 상기 배선 통로 내를 통과하고 있는, 입력 장치.
13. 제 9 항에 있어서,
    상기 보호층이 상기 제 2 전극층과 연속해서 형성되어 있는, 입력 장치.
14. 제 10 항에 있어서,
    상기 보호층이 상기 제 2 전극층과 연속해서 형성되어 있는, 입력 장치.

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