KR101735445B1 - Layer of high and low refractive index organic-inorganic hybrid materials and manufacturing method of OLEDs, OLEDs made thereby - Google Patents

Layer of high and low refractive index organic-inorganic hybrid materials and manufacturing method of OLEDs, OLEDs made thereby Download PDF

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박수영
김기한
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경북대학교 산학협력단
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Abstract

The present invention relates to a laminate for OLED devices using a high-refractive and low-refractive organic/inorganic hybrid material, a method of manufacturing an OLED device and an OLED device prepared thereby. The laminate for an OLED element forms an inner light extraction layer or an outer light extraction layer on a transparent substrate and one surface of the transparent substrate, and the inner light extraction layer or the outer light extraction layer is a scattering region formed by coating a high-refractive or low-refractive organic/inorganic hybrid material. The high-refractive or low-refractive organic/inorganic hybrid material, as the precursor (P), is mixed with titanium or silica-based refractive index functional metal alkoxide by using copolymerization of methyl methacrylate (MMA) and 3-(trimethoxysilyl) propyl methacrylate (MSMA), as well as a sol-gel method for the precursor (P). The laminate for OLED devices according to the present invention reduces the refractive index difference by SiO_2 and TiO_2 nanoparticles, thereby enhancing light scattering.

Description

고굴절 및 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체 및 OLED 소자의 제조방법, 이에 의해 제조되는 OLED 소자{Layer of high and low refractive index organic-inorganic hybrid materials and manufacturing method of OLEDs, OLEDs made thereby}Technical Field [0001] The present invention relates to a laminate for an OLED device using a high-refraction and low-refractive organic / inorganic hybrid material, a method for manufacturing an OLED device, and an OLED device manufactured by the method. thereby}

본 발명은 고굴절 및 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체 및 OLED 소자의 제조방법, 이에 의해 제조되는 OLED 소자에 관한 것이다.
The present invention relates to a laminate for an OLED device using a high-refraction and low-refraction organic / inorganic hybrid material, a method of manufacturing an OLED device, and an OLED device manufactured thereby.

많은 디스플레이 소자 중에서, 유기발광다이오드(OLED)는 조명, 평면 디스플레이의 잠재적인 적용가능성으로 유망한 차세대 디스플레이로 간주되어 왔다. OLED는 낮은 소비 전력, 넓은 시야각, 우수한 색 재현성, 높은 콘트라스트, 고속 응답 및 유연성과 같은 독특한 특성을 갖고 있다. Among many display elements, organic light emitting diodes (OLEDs) have been regarded as promising next-generation displays for potential applications of lighting, flat displays. OLEDs have unique characteristics such as low power consumption, wide viewing angle, excellent color reproducibility, high contrast, fast response and flexibility.

그러나 OLED의 전력, 전류 효율은 여전히 스마트폰, 태블릿 PC 및 조명과 같은 특정 애플리케이션에 충분하지 못하다. OLED의 광 추출 기술은 최근 형광 튜브 및 LED와 같은 다른 조명 기술과 같은 높은 효율을 달성하기 위해 중요한 문제가 되고 있다. However, the power and current efficiency of OLEDs is still insufficient for certain applications such as smart phones, tablet PCs and lighting. OLED light extraction technology has recently become an important issue to achieve high efficiencies such as fluorescent tubes and other lighting technologies such as LEDs.

OLED의 내부 양자 효율은 인광 메커니즘을 도입함에 따라 100%에 도달할 수 있지만, 배면발광방식 OLED의 광 추출 효율은 보통 약 20% 정도이다. air/substrate와 substrate/indium tin oxide (ITO) 계면의 굴절률 차이로 광 손실이 일어나고, 상기 광 손실은 기판의 전반사에 영향을 받기 때문이다. 내부에서 방출된 빛은 보통 내부 전반사를 겪게 되고, 소자내부에서 반사되는 빛이 증가하여 대부분 소자에 갇히게 된다. 외부양자효율(EQE)을 강화시키기 위한 방안은 추출층을 도입하여 굴절률의 차이를 감소시키고, 전반사의 조건을 깨는 방법이 있다. The internal quantum efficiency of an OLED can reach 100% by introducing a phosphorescent mechanism, but the light extraction efficiency of a backside OLED is usually about 20%. the light loss occurs due to the refractive index difference between the air / substrate and the substrate / indium tin oxide (ITO) interface, and the light loss is affected by the total reflection of the substrate. Light emitted from the inside usually undergoes total internal reflection, and light reflected from the inside of the device is increased to be trapped in most devices. A method for enhancing the external quantum efficiency (EQE) is to reduce the refractive index difference by introducing an extraction layer and to break the condition of the total reflection.

최근 몇몇 연구에서 외부 또는 내부 광 추출층을 이용하여 OLED의 광 추출을 향상시키는 방법에 대해 보고되었다. 내부 광 추출층은 투명전도막(TCO)과 유리기판 사이에 위치하며 외부 광 추출층은 소자 기판의 외부에 위치한다. Recently, several studies have been reported on improving the light extraction of OLEDs using external or internal light extraction layers. The inner light extracting layer is located between the transparent conductive film (TCO) and the glass substrate, and the outer light extracting layer is located outside the element substrate.

마이크로/나노-구조로 소자 기판의 외부에 위치한 외부 광 추출층은 substrate/air 계면에서 전반사에 의해 반사되는 빛을 소자에 방해되지 않게끔 다시 재지정할 수 있다. 반면 기판과 ITO anode 층 사이에 있는 마이크로/나노 구조의 내부 광 추출층은 기판과 도파 모드 모두에서 전반사를 방해할 수 있다. The external light extraction layer located outside the device substrate with the micro / nano structure can be reassigned so that the light reflected by the total reflection at the substrate / air interface does not interfere with the device. On the other hand, the micro / nano structure inner light extraction layer between the substrate and the ITO anode layer can interfere with total reflection in both the substrate and the waveguide mode.

따라서 내부 광 추출층을 포함하는 OLED의 광 추출 효율이 외부 광 추출층을 포함하는 것보다 더 높을 것이다. OLED에 광 추출층을 도입하는 현재의 기술은 무기 입자를 고분자에 혼합하여 굴절률을 조절하여 빛의 산란을 증가시키는 것이다. 그러나, 무기입자는 가끔 잘 분산되지 않고, 높은 거칠기와 물결 모양의 표면을 발생시켜 소자의 성능저하 및 수명을 단축시킨다. Therefore, the light extraction efficiency of the OLED including the inner light extracting layer will be higher than that including the outer light extracting layer. The current technology for introducing a light extraction layer into an OLED is to mix the inorganic particles with the polymer and adjust the refractive index to increase light scattering. However, the inorganic particles are sometimes not well dispersed and generate high roughness and wavy surfaces, which shortens the performance and life of the device.

상기 광 추출층을 도입하는 데 있어서 또 다른 문제는 낮은 투과율이다. 고분자 속 무기입자의 분산력은 하나의 중요한 문제가 된다. 상기 무기입자의 응집은 광 추출층의 투과도를 감소시켜, OLED의 광추출을 향상시키지 않게 한다. OLED의 외부 광 추출 효율을 향상시키기 위해, 내부 및 외부 광추출층은 낮은 거칠기, 높은 투과도, 저굴절 및 고굴절 특성이 substrate/ITO와 air/glass 계면의 굴절률 차이를 줄이기 위해 요구된다. Another problem in introducing the light extracting layer is low transmittance. The dispersive power of polymer particles is an important problem. The agglomeration of the inorganic particles reduces the transmittance of the light extracting layer, so as not to improve the light extraction of the OLED. In order to improve the external light extraction efficiency of the OLED, the inner and outer light extracting layers are required to reduce the refractive index difference between the substrate / ITO and the air / glass interface at low roughness, high transmittance, low refractive index and high refractive index.

이에, 본 발명자는 상기 종래기술의 문제점을 해결하고자, 테트라 에틸 오쏘실리케이트(TEOS)와 Ti를 포함하는 알콕사이드 재료를 고굴절 및 저굴절 물질로써 함께 졸-겔 공정에 의해 유기-무기 하이브리드 재료를 합성하여 OLED에 적용함으로써 본 발명을 완성하였다.
In order to solve the problems of the prior art, the present inventors have synthesized an organic-inorganic hybrid material by a sol-gel process together with a tetraethylorthosilicate (TEOS) and an alkoxide material containing Ti together with a high-refraction and a low- The present invention has been completed by applying the present invention to an OLED.

따라서 본 발명은 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체를 제공하는 것을 그 해결과제로 한다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a laminate for OLED devices using a high-refraction or low-refractive organic / inorganic hybrid material.

또한, 본 발명은 상기 OLED 소자용 적층체를 포함하여 제조되는 OLED 소자의 제조방법을 제공하는 것을 다른 해결과제로 한다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an OLED device including the above-described laminate for an OLED element.

또한, 본 발명은 상기 방법으로 제조되는 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 제공하는 것을 다른 해결과제로 한다.Another object of the present invention is to provide a high-refraction or low-refractive green light emitting OLED device manufactured by the above method.

또한, 본 발명은 상기 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 이용하여 제조되는 디스플레이 장치를 제공하는 것을 다른 해결과제로 한다. Another object of the present invention is to provide a display device manufactured using the high-refraction or low-refractive green light emitting OLED device.

또한, 본 발명은 상기 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 이용하여 제조되는 면발광 광원을 제공하는 것을 다른 해결과제로 한다.
Another object of the present invention is to provide a surface-emitting light source manufactured using the high-refraction or low-refractive green light-emitting OLED device.

상기 본 발명의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면,According to an aspect of the present invention,

투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 일면에 내부 광 추출층 또는 외부 광 추출층을 형성하는 OLED 소자용 적층체에 있어서,A laminate for an OLED element which forms an inner light extraction layer or an outer light extraction layer on one surface of the transparent substrate,

상기 내부 광 추출층 또는 외부 광 추출층은 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료의 코팅으로 형성된 산란영역이고, The inner light extracting layer or the outer light extracting layer is a scattering region formed by coating a high-refraction or low-refractive organic / inorganic hybrid material,

상기 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료는 전구체(P)로서 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate; MMA)와 3-(트리메톡시실릴) 프로필 메타크릴레이트(3-(trimethoxysilyl) propyl methacrylate; MSMA)의 공중합체와 상기 전구체(P)에 졸-겔법을 이용하여 티타늄 또는 실리카 기반의 굴절률 기능성 금속 알콕사이드를 결합시켜 제조되는 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체를 제공한다.The high refractive index or low refractive organic / inorganic hybrid material may include methyl methacrylate (MMA) and 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (MSMA) as precursors (P) And a refractory functional metal alkoxide based on titanium or silica using a sol-gel method to the precursor (P). The present invention also provides a laminate for an OLED device using the organic / inorganic hybrid material .

또한, 본 발명의 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 상기 OLED 소자용 적층체를 포함하여 제조되는 OLED 소자의 제조방법을 제공하는 것에 관한 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an OLED device including the stack for OLED elements.

또한, 본 발명의 또 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 상기 OLED 소자의 제조방법으로 제조되는 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 제공하는 것에 관한 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a high-refraction or low-refractive green light emitting OLED device manufactured by the method of manufacturing an OLED device.

또한, 본 발명의 또 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 상기 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 이용하여 제조되는 디스플레이 장치를 제공하는 것에 관한 것이다.According to another aspect of the present invention, there is provided a display device manufactured using the high-refraction or low-refractive green light emitting OLED device.

또한, 본 발명의 또 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명은, 상기 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 이용하여 제조되는 면발광 광원을 제공하는 것에 관한 것이다.
According to another aspect of the present invention, there is provided a surface emitting light source manufactured using the high-refraction or low-refractive green light emitting OLED device.

본 발명에 따른 OLED 소자용 적층체는 내부 광 추출층 또는 외부 광 추출층으로 이루어진 산란영역을 포함함으로써, SiO2 및 TiO2 나노입자에 의해 굴절률 차를 감소시켜 빛의 산란을 강화시킴에 따라 광 추출을 증가하게 하는 효과가 있다. Since the stack for OLED devices according to the present invention includes a scattering region composed of an inner light extracting layer or an outer light extracting layer, the refractive index difference is reduced by SiO 2 and TiO 2 nanoparticles to enhance light scattering, There is an effect of increasing extraction.

또한, 이에 따라 OLED 소자의 효율과 휘도, 수명을 높일 수 있는 효과가 있다. In addition, there is an effect that the efficiency, the luminance, and the life of the OLED device can be increased.

또한, 본 발명의 OLED 소자를 간단한 공정과 저렴한 비용으로도 쉽게 양산 적용이 가능한 제조방법을 제공하는 장점이 있다.
Further, there is an advantage that the OLED device of the present invention can be easily mass-produced with a simple process and a low cost.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 OLED 소자의 모식도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 내부 광 추출층 및 외부 광 추출층의 투과율과 haze를 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전구체, 내부 광 추출층 및 외부 광 추출층의 하향식 SEM 사진을 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 ITO/glass와 ITO/internal light extraction layer/glass의 표면 이미지를 3D 광학 분석기로 측정한 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 ITO/internal light extraction layer/glass substrate의 두께에 따른 최적의 투과율을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 광 추출 특성을 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 광 추출 특성을 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자의 불을 켰을 때, 발광하는 사진을 나타낸 것이다.
1 is a schematic diagram of an OLED element according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph illustrating transmittance and haze of an inner light extracting layer and an outer light extracting layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a top-down SEM photograph of a precursor, an inner light extracting layer, and an outer light extracting layer according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph showing surface images of ITO / glass and ITO / internal light extraction layer / glass according to an embodiment of the present invention, measured by a 3D optical analyzer.
FIG. 5 is a graph illustrating an optimum transmittance according to thickness of an ITO / internal light extraction layer / glass substrate according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.
6 is a graph illustrating light extraction characteristics of a device according to an exemplary embodiment of the present invention.
7 is a graph illustrating light extraction characteristics of a device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a photograph illustrating light emission of a device according to an embodiment of the present invention when the device is turned on.

이하 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 고굴절 및 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체 및 OLED 소자의 제조방법, 이에 의해 제조되는 OLED 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a laminate for an OLED device using a high-refraction and low-refraction organic / inorganic hybrid material, a method of manufacturing an OLED device, and an OLED device manufactured thereby.

구체적으로 본 발명의 일 측면에 따르면 본 발명의 고굴절 및 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체는, Specifically, according to one aspect of the present invention, a laminate for an OLED device using the high-refraction and low-refractive organic /

투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 일면에 내부 광 추출층 또는 외부 광 추출층을 형성하는 OLED 소자용 적층체에 있어서, 상기 내부 광 추출층 또는 외부 광 추출층은 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료의 코팅으로 형성된 산란영역이고, 상기 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료는 전구체(P)로서 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate; MMA)와 3-(트리메톡시실릴) 프로필 메타크릴레이트(3-(trimethoxysilyl) propyl methacrylate; MSMA)의 공중합체와 상기 전구체(P)에 졸-겔법을 이용하여 티타늄 또는 실리카 기반의 굴절률 기능성 금속 알콕사이드를 결합시켜 제조되는 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용하는 것에 관한 것이다. A laminate for an OLED element which forms an inner light extracting layer or an outer light extracting layer on one surface of the transparent substrate, wherein the inner light extracting layer or the outer light extracting layer is a high refractive index or low refractive index organic / inorganic hybrid material (MMA) and 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (PMA) as a precursor (P), and the high refractive index or low refractive organic / inorganic hybrid material, which is prepared by bonding a copolymer of titanium (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (MSMA) and a titanium or silica-based refractive index functional metal alkoxide to the precursor (P) by a sol-gel method .

상기 투광성 기판은 가시광에 대한 투과율이 높은 재료가 사용되고, 투과율이 높은 재료로는 유리기판이나 플라스틱 기판이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 유리기판을 사용한다.As the transparent substrate, a material having a high transmittance to visible light is used. As the material having high transmittance, a glass substrate or a plastic substrate can be used, and a glass substrate is preferably used.

또한, 상기 기능성 금속 알콕사이드는 고굴절 재료인 경우에는 티타늄 기반 금속 알콕사이드이고, 저굴절 재료인 경우에는 실리카 기반 금속 알콕사이드인 것을 특징으로 한다. 바람직하게는 상기 기능성 금속 알콕사이드는 고굴절 재료인 경우에는 TTIP(Titanium(IV) isopropoxide)이고, 저굴절 재료인 경우에는 TEOS(Tetraethyl orthosilicate)를 사용한다. In addition, the functional metal alkoxide is a titanium-based metal alkoxide when it is a high-refraction material, and is a silica-based metal alkoxide when it is a low-refraction material. Preferably, the functional metal alkoxide is TTIP (Titanium (IV) isopropoxide) for a high-refraction material and TEOS (tetraethyl orthosilicate) for a low-refraction material.

또한, 상기 고굴절 재료는 내부 광 추출층에 포함되고, 상기 저굴절 재료는 외부 광 추출층에 포함되는 것을 특징으로 한다. 상기 고굴절 재료는 기판과 ITO 사이의 굴절률 차이를 줄여줄 수 있기 때문에 내부 광 추출층에 포함이 되고, 상기 저굴절 재료는 외부공기와 기판 사이의 굴절률 차이를 줄여줄 수 있기 때문에 외부 광 추출층에 포함이 된다. The high refractive index material is included in the inner light extracting layer, and the low refractive index material is included in the external light extracting layer. Since the high refractive index material can reduce the refractive index difference between the substrate and ITO, it is included in the inner light extracting layer, and the low refractive index material can reduce the refractive index difference between the external air and the substrate. .

또한 상기 산란영역은, TiO2 나노입자 또는 SiO2 나노입자로 이루어진 산란요소를 포함하는 것을 특징으로 한다. 상기 산란요소는 광 추출층 안으로 입사된 빛, 즉 유기층에서 직접 입사된 빛은 물론 투광성 기판과 공기의 경계에서 전반사되어 다시 내부 광 추출층 안으로 들어온 빛은 다수의 산란요소에 의해 무작위적으로 산란되고, 이러한 과정에서 임계각 미만의 입사각을 가진 빛이 투광성 기판 외부로 빠져나가게 되어 광 추출 효율이 향상된다. The scattering region is characterized by including a scattering element composed of TiO 2 nanoparticles or SiO 2 nanoparticles. The scattering element is totally reflected at the boundary between the light-transmitting substrate and the air, as well as the light incident directly into the light extracting layer, that is, the light directly incident from the organic layer, and the light entering the inner light extracting layer is randomly scattered by a plurality of scattering elements In this process, light having an incident angle less than the critical angle is emitted to the outside of the transparent substrate, thereby improving light extraction efficiency.

또한, 상기 내부 광 추출층 및 외부 광 추출층은 100 내지 800 nm 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 한다. 상기 광 추출층의 두께가 얇을수록 흡광은 감소하고 광투과율은 증가한다는 측면에서 바람직하지만, 상기 광 추출층의 표면의 평탄도를 유지하기 위해서 요구되는 최소한의 두께를 고려해야 한다. 따라서 바람직하게는 350 nm 일 때가 바람직하다. 또한, 상기 내부 광 추출층 및 외부 광 추출층의 두께가 350 nm 이하일 경우에는 후방 반사에 의해 광 손실이 발생하기 때문에 바람직하지 못하고, 400 nm 이상일 경우에는 후방 산란에 의해 광 손실이 발생하기 때문에 바람직하지 못하다.
In addition, the inner light extracting layer and the outer light extracting layer And has a thickness in the range of 100 to 800 nm. The thinner the thickness of the light extracting layer is, in terms of decreasing the light absorbance and increasing the light transmittance, it is necessary to consider the minimum thickness required to maintain the flatness of the surface of the light extracting layer. Therefore, it is preferably 350 nm. When the thickness of the inner light extracting layer and the outer light extracting layer is 350 nm or less, light loss occurs due to back reflection, and when the thickness is 400 nm or more, light loss occurs due to back scattering I can not.

본 발명의 다른 측면에 따르면,According to another aspect of the present invention,

상기 OLED 소자용 적층체를 포함하여 제조되는 OLED 소자의 제조방법은,A method of manufacturing an OLED device including the stack for OLED elements,

고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 준비하는 제1 단계; 투광성 기판의 일면에 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 코팅하여 내부 광추출층 또는 외부 광추출층을 형성하는 제2 단계; 상기 제2 단계에서 투광성 기판의 일면에 고굴절 재료의 코팅으로 형성된 내부 광추출층의 상면 또는 저굴절 재료의 코팅으로 외부 광추출층이 형성된 투광성 기판의 상면에 ITO, 유기층 및 캐소드를 순차적으로 적층하여 OLED 소자를 제조하는 제3 단계를 포함하여 제조된다.
A first step of preparing high refractive index or low refractive organic / inorganic hybrid material; A second step of forming an inner light extracting layer or an outer light extracting layer by coating a high refractive index or low refractive organic / inorganic hybrid material on one surface of the translucent substrate; In the second step, ITO, an organic layer, and a cathode are successively stacked on the upper surface of the transparent substrate on which an external light extracting layer is formed by coating an upper surface or a lower refractive material of the internal light extracting layer formed by coating a high refractive index material on one surface of the transparent substrate And a third step of manufacturing an OLED device.

또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면,According to still another aspect of the present invention,

상기 OLED 소자의 제조방법으로 제조되는 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 제공한다.
There is provided a high-refraction or low-refractive green light emitting OLED device manufactured by the method of manufacturing an OLED device.

또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면,According to still another aspect of the present invention,

상기 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 이용하여 제조되는 디스플레이 장치를 제공한다.
And a display device manufactured using the high-refraction or low-refractive green light-emitting OLED device.

또한, 본 발명의 또 다른 측면에 따르면,According to still another aspect of the present invention,

상기 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자를 이용하여 제조되는 면발광 광원을 제공한다.
And a surface emitting light source manufactured using the high refractive index or low refractive green emitting OLED device.

이하, 실시예 및 도면을 참고하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and drawings.

이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 요지에 따라 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명할 것이다.
It is to be understood by those skilled in the art that these embodiments are only for describing the present invention in more detail and that the scope of the present invention is not limited by these embodiments in accordance with the gist of the present invention .

실시예Example

<실시예 1> poly(MMA-co-MSMA) 전구체의 합성.Example 1 Synthesis of poly (MMA-co-MSMA) precursor.

전구체를 합성하기 위해 MMA(1.001g, 0.01mole)와 MSMA(0.828g, 0.003mole)를 질소 분위기 하에 60 ℃에서 2 h 동안 BPO (0.121g, 0.001mole, a reaction initiator)와 함께 THF(21 mL)가 포함되어 있는 3구 둥근 플라스크에서 고분자화시켰다.
MMA (1.001 g, 0.01 mole) and MSMA (0.828 g, 0.003 mole) were combined with BPO (0.121 g, 0.001 mole, a reaction initiator) in THF (21 mL ) Were polymerized in a three-neck round flask.

<실시예 2> 고굴절 하이브리드 재료의 합성.Example 2 Synthesis of High Refractive Hybrid Material.

고굴절 물질을 합성하기 위해, TTIP (16.461g, 0.058mole, 90wt%), deionized water (1.04mL) 및 THF(338.7mL)를 상기 전구체 용액에 첨가하여 60 ℃에서 2 h 동안 교반하였다. 물의 양은 TTIP 와 물의 비율이 1:1 mole이 되도록 조절하였다.
TTIP (16.461 g, 0.058 mole, 90 wt%), deionized water (1.04 mL) and THF (338.7 mL) were added to the precursor solution and stirred at 60 ° C for 2 h. The amount of water was adjusted so that the ratio of TTIP to water was 1: 1 mole.

<실시예 3> 저굴절 하이브리드 재료의 합성.Example 3: Synthesis of a low refractive hybrid material.

저굴절 물질을 합성하기 위해, 에탄올(17ml)을 용매로 사용하였으며, 이는 졸-겔 공정시 부산물이 알코올이고, TEOS가 에탄올에 대한 용해도가 좋기 때문이다. 저굴절 물질의 전구체를 합성하는 과정은 THF 용매 대신 에탄올을 사용하고, 반응온도를 70℃로 한 것 외에는 고굴절 물질의 제조방법과 동일하다. Deionized water (0.18mL), TEOS (2.778g, 0.013mole) 및 2.5M NaCl (0.015g)을 상기 전구체 용액에 첨가하여 70 ℃에서 2 h 동안 교반하였다.
For the synthesis of low refractive materials, ethanol (17 ml) was used as a solvent because the by-product in the sol-gel process is alcohol and TEOS is highly soluble in ethanol. The process for synthesizing a precursor of a low refractive material is the same as that for producing a high refractive material except that ethanol is used instead of THF solvent and the reaction temperature is 70 ° C. Deionized water (0.18 mL), TEOS (2.778 g, 0.013 mole) and 2.5 M NaCl (0.015 g) were added to the precursor solution and stirred at 70 ° C for 2 h.

<실시예 4> OLED 소자의 제조.Example 4: Preparation of OLED device.

본 발명에서는 세가지 종류의 OLED 소자를 제조하였다. OLED 소자의 구조는 도 1과 같으며, 도 1(a)는 기준 소자(reference device)이고, 도 1(b)는 외부 광 추출층을 포함하는 소자이며, 도 1(c)는 내부 광 추출층을 포함하는 소자이다. OLED 소자의 외부 및 내부 광 추출층은 저굴절 및 고굴절 하이브리드 재료를 스핀 코팅으로 코팅하였다. In the present invention, three kinds of OLED devices were manufactured. 1 (a) is a reference device, FIG. 1 (b) is an element including an external light extraction layer, FIG. 1 (c) Layer. The outer and inner light extraction layers of the OLED device were coated with a spin-coating of low refractive and high refractive hybrid materials.

실시예 4-1은 기준 소자(reference device)로 배면발광방식의 녹색 형광 OLED로써, glass / ITO(140nm) / NPB(100nm) / Alq3:C545T(40nm) / Alq3(25nm) / LiF(1nm) / Al(120nm) 로 제조되었다. NPB는 정공 수송층, C545T에 3wt%가 도핑된 Alq3는 발광층, 도핑되지 않은 Alq3는 전자 수송층, LiF는 정공주입층 그리고 고굴절 Al은 음극으로 사용되었다. 유기층의 용착속도는 ~0.1nm/s로 유지되었다. 유기와 금속 층은 진공 챔버 내에서 진공 증착되었고, 압력은 <10-6 torr였다. 소자의 증착 면적은 2 x 2mm2 였다. ITO의 스퍼터링(sputtering)은 49.5 sccm의 Ar, 0.11 sccm의 O2와 994 W의 RF(radio frequency power) 하에서 이루어졌다. 35 Ω/sq의 면저항을 갖는 투명한 ITO 전극이 유리에 증착되었다. Example 4-1 is a reference device in which glass green ITO (140 nm) / NPB (100 nm) / Alq3: C545T (40 nm) / Alq3 (25 nm) / LiF (1 nm) / Al (120 nm). NPB was used as a hole transporting layer, Alq3 doped with 3 wt% C545T as a light emitting layer, Alq3 as an undoped electron transporting layer, LiF as a hole injection layer, and high refractive Al as a cathode. The deposition rate of the organic layer was maintained at ~ 0.1 nm / s. The organic and metal layers were vacuum deposited in a vacuum chamber and the pressure was <10 -6 torr. The deposition area of the device was 2 x 2 mm 2 . Sputtering of ITO was performed at 49.5 sccm of Ar, 0.11 sccm of O2 and 994 W of radio frequency power. A transparent ITO electrode with a sheet resistance of 35 Ω / sq was deposited on the glass.

외부 광 추출 구조를 위한 실시예 4-2 소자는 실시예 4-1 소자의 유리 기판의 바깥 표면에 저굴절층을 외부 광 추출층으로써 도입되었다. 저굴절 하이브리드 물질은 유리기판에 40초 동안 500 ~ 5000 rpm 으로 스핀 코팅되었고, 80℃에서 2시간동안 방치하고, 물로 여러번 씻어내어 NaCl을 제거하였다.Example 4-2 for an external light extracting structure The device was introduced as an external light extracting layer with a low refractive index on the outer surface of the glass substrate of Example 4-1. The low refractive hybrid material was spin-coated on a glass substrate at 500-5000 rpm for 40 seconds, left at 80 ° C for 2 hours, washed several times with water to remove NaCl.

실시예 4-3 소자는 내부 광 추출 구조로서, 고굴절 물질을 내부 광 추출층으로써 실시예 4-1 소자의 ITO와 유리기판 사이에 삽입하여 제작되었다. 고굴절 하이브리드 물질은 유리기판에 40초 동안 500 ~ 5000 rpm 으로 스핀 코팅되었고, 80℃에서 2시간동안 방치해두었다. 고굴절물질로 코팅된 기판 위에 바로 35 Ω/sq의 면저항을 갖는 투명한 ITO 전극을 무선 주파수 마그네트론 스퍼터로 증착하였다.
Example 4-3 The device was manufactured by inserting a high refractive index material as an internal light extracting layer between the ITO of the device of Example 4-1 and the glass substrate as an internal light extracting structure. The high-refractive-index hybrid material was spin-coated on a glass substrate at 500-5000 rpm for 40 seconds and left at 80 ° C for 2 hours. A transparent ITO electrode with a sheet resistance of 35 Ω / sq was directly deposited on the substrate coated with high refractive index material by radio frequency magnetron sputtering.

제작된 소자의 구조는 하기 실시에 4-1 내지 4-3로 나타내었다.The structure of the fabricated device is shown in the following Examples 4-1 to 4-3.

실시예 4-1: glass / ITO(140nm) / NPB(100nm) / Alq3:C545T(40nm) / Alq3(25nm) / LiF(1nm) / Al(120nm)로 소자를 제작하였다. Example 4-1: The device was fabricated with glass / ITO (140 nm) / NPB (100 nm) / Alq3: C545T (40 nm) / Alq3 (25 nm) / LiF (1 nm) / Al (120 nm).

실시예 4-2: 저굴절층(external light extraction layer) / glass / ITO(140nm) / NPB(100nm) / Alq3:C545T(40nm) / Alq3(25nm) / LiF(1nm) / Al(120nm)로 소자를 제작하였다. Example 4-2: The device was fabricated with an external light extraction layer / glass / ITO (140 nm) / NPB (100 nm) / Alq3: C545T (40 nm) / Alq3 (25 nm) / LiF (1 nm) / Al (120 nm).

실시예 4-3: glass / 고굴절층(internal light extraction layer) / ITO(140nm) / NPB(100nm) / Alq3:C545T(40nm) / Alq3(25nm) / LiF(1nm) / Al(120nm)로 소자를 제작하였다.
Example 4-3: Alq3: C545T (40 nm) / Alq3 (25 nm) / LiF (1 nm) / Al (120 nm)

또한 상기 제작된 소자의 특성을 분석하기 위해 저굴절 및 고굴절 하이브리드 물질의 미세 구조는 주사전자현미경(FE-SEM, S-4800, Hitachi, Japan)로 측정되었다. 박막의 투과율과 haze는 UV 분광광도계 (CM-3600d, Konica Minolta Co., Japan)로 측정되었으며, 파장은 360~ 740nm로 확인되었다. 박막의 굴절률과 흡광계수는 분광타원해석기 (Elli-SE-U, Ellipsotechnology Co., Korea) 로 측정되었으며, 파장은 355~ 1030nm로 확인되었다. Also, in order to analyze the characteristics of the fabricated device, the microstructure of the low-refraction and high-refraction hybrid materials was measured with a scanning electron microscope (FE-SEM, S-4800, Hitachi, Japan). The transmittance and haze of the thin film were measured with a UV spectrophotometer (CM-3600d, Konica Minolta Co., Japan) and the wavelength was found to be 360 to 740 nm. The refractive index and extinction coefficient of the thin film were measured by a spectroscopic ellipsometer (Elli-SE-U, Ellipsotechnology Co., Korea), and the wavelength was found to be 355 to 1030 nm.

분광타원해석기와 UV 분광광도계에서 측정하기 위해 시료의 준비는 유리기판에 용액을 스핀 코팅하여 준비하였다. 광추출층의 표면 거칠기 및 두께는 3D 광학 분석기(Nano-view NV-E1000, Nano system Co., Korea)로 측정하였다. 제작된 OLED 소자의 I-V-L 특성은 일반 대기 조건에서 검은 상자 내에서 분광복사기 (PR-650, LMS Corp., Korea)로 측정하였다.
The samples were prepared by spin coating a glass substrate with a spectrophotometer and a UV spectrophotometer. The surface roughness and thickness of the light extraction layer were measured with a 3D optical analyzer (Nano-view NV-E1000, Nano system Co., Korea). The IVL characteristics of fabricated OLED devices were measured with a spectrophotometer (PR-650, LMS Corp., Korea) in a black box under normal atmospheric conditions.

이하, 상기 실시예의 결과를 도면을 참고하여 설명하기로 한다.
Hereinafter, the results of the above embodiments will be described with reference to the drawings.

1. 광학적 특성 (Optical properties)1. Optical properties

하기 표 1은 550 nm에서 내부 및 외부 광 추출층의 굴절률과 흡광계수를 정리한 것이다.Table 1 below summarizes the refractive index and extinction coefficient of the inner and outer light extraction layers at 550 nm.

내부 광 추출층Inner light extraction layer 외부 광 추출층External light extraction layer 굴절률Refractive index 1.811.81 1.441.44 흡광계수Extinction coefficient 2.4 x 10-2 2.4 x 10 -2 9.58 x 10-3 9.58 x 10 -3

표 1을 참고하면, 내부 광 추출층의 굴절률은 90 wt% TTIP를 첨가하면 1.50에서 1.81로 증가하고, 외부광 추출층은 2.5M NaCl을 첨가하면 굴절률이 1.50에서 1.44로 감소하였다. 상기와 같은 굴절률의 증가 및 감소는 전구체 원자보다 상대적으로 더 무거운 TiO2 입자와 상대적으로 더 가벼운 SiO2에 의한 것이다. 내부 및 외부 광추출층을 위한 혼합용액에서 TTIP와 NaCl의 양이 각각 90wt%, 2.5M 보다 더 많을 때, TiO2와 SiO2 입자는 반응물질의 겔화에 의해서 침전될 것이다. 종래의 배면발광식 OLED의 경우, 빛의 손실은 indium tin oxide (ITO)/glass substrate 와 glass substrate/air간의 굴절률의 차이에 의한 것이다. 고굴절 및 저굴절 하이브리드 물질이 OLED의 외부 및 내부 광추출층으로 적용된다면 OLED의 광추출효율은 굴절률의 차이를 감소시킴에 따라서 현저히 향상될 것이다.
Referring to Table 1, the refractive index of the internal light extracting layer increased from 1.50 to 1.81 when 90 wt% TTIP was added, and the refractive index decreased from 1.50 to 1.44 when the external light extracting layer was added with 2.5M NaCl. The increase and decrease of the refractive index is due to the relatively heavier TiO 2 particles and relatively lighter SiO 2 than the precursor atoms. When the amounts of TTIP and NaCl in the mixed solution for the inner and outer light extracting layers are more than 90 wt% and 2.5M respectively, the TiO 2 and SiO 2 particles will be precipitated by the gelation of the reactants. In the case of conventional backside OLEDs, the loss of light is due to the difference in refractive index between indium tin oxide (ITO) / glass substrate and glass substrate / air. If high refractive index and low refractive index hybrid materials are applied to the outer and inner light extraction layers of an OLED, the light extraction efficiency of the OLED will be significantly improved as the refractive index difference is reduced.

도 2 및 도 3은 실시예 1 및 실시예 2에서 합성한 고굴절 하이브리드 재료 및 저굴절 하이브리드 재료의 투과율과 haze를 나타낸 그래프와 하향식 SEM 사진을 나타낸 것이다.FIGS. 2 and 3 are graphs showing the transmittance and haze and the top-down SEM photographs of the high-refraction hybrid material and the low-refractive hybrid material synthesized in Example 1 and Example 2, respectively.

도 2를 참고하면, 전구체 공중합체의 투과율과 haze는 유리기판 위의 poly(MMA-co-MSMA)가 각각 92.0 그리고 0.2 %로 나타났다. 상기와 같은 값은 순수한 유리기판의 투과율과 haze 값인 91.3 과 0.2 %와 유사하게 나타났다. 750 nm 두께의 내부 광 추출층의 투과율과 haze는 각각 감소하고 증가하여 85.4와 13.1 %로 나타났다. 800 nm 두께의 외부 광 추출층의 투과율과 haze는 각각 감소하고 증가하여 89.3 %와 23.8 %로 나타났다. 내부 광 추출층 및 외부 광 추출층에서 투과율의 감소와 haze의 증가는 poly(MMA-co-MSMA) matrix의 티타늄 및 실리카 입자에 의한 빛의 산란에 의한 것이다. 상기 투과율과 haze값은 하기 표 2에 정리하였다. Referring to FIG. 2, the transmittance and haze of the precursor copolymer were 92.0 and 0.2% for poly (MMA-co-MSMA) on the glass substrate, respectively. The above values were similar to the transmittance and haze values of pure glass substrates of 91.3 and 0.2%. The transmittance and haze of the 750 nm thick inner light extraction layer decreased and increased to 85.4 and 13.1%, respectively. The transmittance and haze of the 800 nm thick external light extraction layer decreased and increased to 89.3% and 23.8%, respectively. The decrease in transmittance and the increase in haze in the inner light extraction layer and the outer light extraction layer are due to light scattering by titanium and silica particles in the poly (MMA-co-MSMA) matrix. The transmittance and the haze value are summarized in Table 2 below.

투과율Transmittance hazehaze 실시예 1Example 1 92.0 %92.0% 0.2 %0.2% 실시예 2Example 2 85.4 %85.4% 13.1 %13.1% 실시예 3Example 3 89.3 %89.3% 23.8 %23.8%

도 3(a)는 전구체, 도 3(b)는 내부 광 추출층 그리고 도 3(c)는 외부 광 추출층의 하향식 SEM 사진을 나타낸 것이다. 도 3을 참고하면, 도 3(a) 전구체의 SEM 사진은 특색이 없는 형태를 보여주고 있는 반면, 도 3(b) 내부 광 추출층 및 도 3(c) 외부 광 추출층은 잘 분산되어 있고 균일하며, 각각 118.7 ± 32.5 nm와 125.3 ± 21.5 nm 지름의 구형의 무기입자를 갖는 것을 알 수 있다. 상기 무기구형입자는 OLED에 적용되었을 때, 발광되는 빛을 효율적으로 추출할 수 있게 되어 굴절률을 조절할 수 있으므로, 내부 및 외부 광 추출층에 긍정적인 영향을 미친다. 상기 무기구형입자의 지름을 측정한 값은 하기 표 3에 정리하였다. FIG. 3 (a) is a top view, FIG. 3 (b) is an inner light extraction layer, and FIG. 3 (c) is a top-down SEM photograph of an outer light extraction layer. Referring to FIG. 3, the SEM photograph of the precursor of FIG. 3 (a) shows a featureless form, while the inner light extracting layer of FIG. 3 (b) and the outer light extracting layer of FIG. 3 Uniform, spherical inorganic particles having diameters of 118.7 ± 32.5 nm and 125.3 ± 21.5 nm, respectively. When the inorganic spherical particles are applied to an OLED, the emitted light can be efficiently extracted and the refractive index can be adjusted, thus positively affecting the inner and outer light extraction layers. The diameters of the inorganic spherical particles were measured and are shown in Table 3 below.

무기구형입자 지름(nm)Inorganic spherical particle diameter (nm) 실시예 1Example 1 -- 실시예 2Example 2 118.7 ± 32.5118.7 ± 32.5 실시예 3Example 3 125.3 ± 21.5125.3 ± 21.5

2. 고유의 특성 (Characteristic properties)2. Characteristic properties

도 4(a)와 도 4(b)는 ITO/glass와 ITO/internal light extraction layer/glass의 표면 이미지를 3D 광학 분석기로 측정한 것이다.4 (a) and 4 (b) show the surface images of ITO / glass and ITO / internal light extraction layer / glass measured by a 3D optical analyzer.

도 4를 참고하면, 내부 광 추출층을 포함하지 않은 ITO 박막의 거칠기(Ras)와 유리 기판의 거칠기는 각각 1.05 ± 0.09와 0.85 ± 0.04 nm로 나타났고 ITO 박막과 내부 광 추출층, 그리고 내부 광 추출층과 유리기판의 거칠기는 각각 1.92 ± 0.28, 1.52 ± 0.34 nm로 나타났다. 상기와 같은 유기-무기 하이브리 박막은 종래의 제조방법에 비해 평면성이 좋다. 표면의 평면성은 OLED 적용에 있어서 중요한 역할을 한다. 표면이 거칠거나 굴곡이 있다면 소자의 성능을 저하시키고, 수명을 단축시키게 된다. 플라즈마 강화 화학증기증착(PECVD)과 화학적 기계 연마(CMP)로 증착된 평면층은 광추출층 위에 평면성을 향상시키기 위해 도입된다. 상기 ITO 박막 및 유리기판의 거칠기를 측정한 값은 하기 표 4에 정리하였다. Referring to FIG. 4, the roughness (R a s) of the ITO thin film without the inner light extracting layer and the roughness of the glass substrate were 1.05 ± 0.09 and 0.85 ± 0.04 nm, respectively. The roughness of the inner light extraction layer and the glass substrate were 1.92 ± 0.28 and 1.52 ± 0.34 nm, respectively. The organic-inorganic hybrid thin film as described above has better planarity than the conventional manufacturing method. Planarity of the surface plays an important role in OLED application. If the surface is rough or curved, the performance of the device is deteriorated and the life time is shortened. Planar layers deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and chemical mechanical polishing (CMP) are introduced to improve planarity over the light extraction layer. The measured values of the roughness of the ITO thin film and the glass substrate are summarized in Table 4 below.

박막pellicle 거칠기(Ras)Roughness (R a s) ITOITO 1.05 ± 0.09 nm1.05 0.09 nm glassglass 0.85 ± 0.04 nm0.85 ± 0.04 nm ITO + internal light extraction layer + glassITO + internal light extraction layer + glass 1.92 ± 0.28 nm1.92 ± 0.28 nm internal light extraction layer + glassinternal light extraction layer + glass 1.52 ± 0.34 nm1.52 + - 0.34 nm

3. 두께의 최적화 (Optimization for thickness)3. Optimization for thickness

도 5는 ITO/internal light extraction layer/glass substrate의 두께에 따른 최적의 투과율을 나타낸 그래프이다. 5 is a graph showing the optimum transmittance according to the thickness of the ITO / internal light extraction layer / glass substrate.

도 5를 참고하면, 최고값은 200, 400 그리고 600n m에서 나타났고, 최소값은 100, 300 그리고 500 nm에서 나타났다. 도 5의 투과율은 내부광추출층의 두께가 증가할수록 진동하는데 이는 보강 간섭과 상쇄 간섭에 의한 것이다. 투과율은 200 nm에서 최대 투과율을 나타냈고, 이는 ITO 필름만 있는 것과 유사한데 상기와 같은 결과는 내부광추출층의 두께를 조절함으로써 투과율의 손실을 최소화할 수 있음을 나타낸다. 또한, ITO 박막의 두께, 투과율, 굴절률 및 흡광계수는 각 140 nm, 78.4 %, 2.07 그리고 2.3ⅹ10-2로 나타났고, 상기 값을 이용하여 ITO/internal light extraction layer/glass 구조의 투과율을 계산하였다.
Referring to FIG. 5, the highest values were found at 200, 400 and 600 nm, and the minimum values were found at 100, 300 and 500 nm. The transmittance of FIG. 5 oscillates as the thickness of the inner light extracting layer increases, which is due to constructive interference and destructive interference. The transmittance showed a maximum transmittance at 200 nm, which is similar to that of the ITO film alone. The above results show that the loss of transmittance can be minimized by controlling the thickness of the inner light extracting layer. The thickness, transmittance, refractive index and extinction coefficient of the ITO thin film were 140 nm, 78.4%, 2.07 and 2.3 × 10 -2 , respectively, and the transmittance of ITO / internal light extraction layer / glass structure was calculated using the above values .

4. OLED의 광 추출 (Light extraction of the OLEDs)4. Light extraction of the OLEDs

도 6 및 도 7은 실시예 4-1 및 실시예 4-2에서 제조된 소자의 광 추출 특성을 나타낸 그래프이다.FIGS. 6 and 7 are graphs showing light extraction characteristics of the device manufactured in Examples 4-1 and 4-2. FIG.

먼저, 도 6(a)-(d)는 각각 실시예 4-1 및 실시예 4-2의 전압에 따른 휘도(luminance), 전력(power), 전류효율(current efficiency) 그리고 EL 스펙트럼을 나타낸 것이다. 6A to 6D show luminance, power, current efficiency, and EL spectrum according to voltages of Examples 4-1 and 4-2, respectively .

도 6을 참고하면, 외부 광 추출층의 두께가 350 nm 일 때, 실시예 4-2 소자의 경우 휘도, 전력 및 전류효율은 각각 14 V에서 16780 cd/m2, 4 V에서 5.80 lm/W 그리고 4 V에서 7.17 cd/A로 나타났고, 실시예 4-1 소자의 경우는 각각 14 V에서 13830 cd/m2, 4 V에서 4.51 lm/W 그리고 4 V에서 5.55 cd/A으로 나타났다. 휘도, 전력 및 전류 효율의 경우, 실시예 4-2 소자가 실시예 4-1 소자보다 각각 21.3, 28.6 그리고 29.1% 더 강화된 것을 알 수 있다. 도 6d는 휘도의 향상이 전체 스펙트럼 범위에 나타남을 보여주고 있고, EL 스펙트럼의 모양과 파장의 피크는 외부광추출층의 삽입에 의해 증가됨을 알 수 있다. 광 추출은 산란입자의 농도와 광 추출층의 경로에 따라 달라진다. 광 추출층의 경로는 층의 두께에 의존한다. 산란입자의 농도가 낮고, 광 추출층의 경로가 짧은 경우 계면에서 소자내부로 후방 반사가 일어나고, 큰 광 손실이 일어나게 된다. 산란입자의 농도가 높고, 광 추출층의 경로가 긴 경우에는 후방 산란이 광 손실의 주요 원인이다. 상기와 같은 광 추출의 두께의 효과의 경우, 350 nm에서 광추출층의 최적의 두께를 부여하게 될 것이다. 따라서, 외부 광 추출층은 OLED의 광 추출의 증가에 있어서 긍정적인 역할을 하게 되는데 이는 유리기판과 공기 사이 및 외부 광 추출층에 잘 분산된 SiO2 나노입자 사이의 굴절률 차를 감소시켜 OLED에서 빛의 산란을 강화시키기 때문이다. 상기 OLED의 광 추출 특성을 측정한 값은 하기 표 5에 정리하였다.6, when the thickness of the external light extracting layer is 350 nm, the luminance, power and current efficiencies of the device of Example 4-2 are 16780 cd / m 2 at 14 V and 5.80 lm / W at 4 V, respectively In the case of the device of Example 4-1, it was 13830 cd / m 2 at 14 V, 4.51 lm / W at 4 V and 5.55 cd / A at 4 V, respectively. In the case of luminance, power and current efficiency, it can be seen that the device of Example 4-2 is strengthened by 21.3, 28.6 and 29.1% more than the device of Example 4-1, respectively. FIG. 6D shows that the enhancement of the luminance appears in the entire spectral range, and the shape of the EL spectrum and the peak of the wavelength are increased by the insertion of the external light extraction layer. The light extraction depends on the concentration of scattering particles and the path of the light extraction layer. The path of the light extracting layer depends on the thickness of the layer. When the scattering particle concentration is low and the path of the light extracting layer is short, back reflection occurs to the inside of the device at the interface and large light loss occurs. When the scattering particle concentration is high and the path of the light extraction layer is long, back scattering is a main cause of light loss. In the case of the effect of the thickness of the light extraction as described above, the optimal thickness of the light extracting layer at 350 nm will be given. Thus, the external light extraction layer plays a positive role in increasing the light extraction of the OLED because it reduces the refractive index difference between SiO 2 nanoparticles well dispersed in the glass substrate and air and in the external light extraction layer, To enhance the scattering. The measured values of the light extraction characteristics of the OLED are summarized in Table 5 below.

소자device 휘도(luminance)Luminance 전력(power)Power 전류효율
(current efficiency)
Current efficiency
(current efficiency)
실시예 4-1Example 4-1 13830 cd/m2 13830 cd / m 2 4.51 lm/W4.51 lm / W 5.55 cd/A5.55 cd / A 실시예 4-2Example 4-2 16780 cd/m2 16780 cd / m 2 5.80 lm/W5.80 lm / W 7.17 cd/A7.17 cd / A

도 7(a)-(d)은 각각 실시예 4-1 및 실시예 4-3의 전압에 따른 휘도(luminance), 전력(power), 전류효율(current efficiency) 그리고 EL 스펙트럼을 나타낸 것이다. 7 (a) - (d) show luminance, power, current efficiency and EL spectrum according to the voltages of Examples 4-1 and 4-3, respectively.

도 7을 참고하면, 휘도, 전력 및 전류 효율의 관점에서 최대 광 추출은 두께가 400 nm일때 최대값을 가진다. 실시예 4-3 소자의 휘도, 전력 및 전류 효율은 각각 14 V에서 22460 cd/m2, 4 V에서 7.98 lm/W 그리고 4 V에서 8.84 cd/A로 나타났으며, 실시예 4-1 소자의 경우는 14 V에서 13830 cd/m2, 4 V에서 4.51 lm/W 그리고 4 V에서 5.55 cd/A로 나타났다. 휘도, 전력 및 전류 효율의 경우, 실시예 4-3 소자가 실시예 4-1 소자보다 각각 62.4, 76.9 그리고 59.2 % 더 강화된 것을 알 수 있다. 도 7d는 실시예 4-1 및 실시예 4-3 소자의 내부 광 추출층의 두께에 따른 EL 스펙트럼을 나타낸 것이다. EL 강도는 전 스펙트럼 영역에서 증가하며 내부 광 추출층이 도입되었을 때 400 nm에서 최대값을 갖는다. 상기 OLED의 광 추출 특성을 측정한 값은 하기 표 6에 정리하였다.
Referring to FIG. 7, in terms of luminance, power, and current efficiency, the maximum light extraction has a maximum value when the thickness is 400 nm. The luminance, power and current efficiency of the device were found to be 22460 cd / m 2 at 14 V, 7.98 lm / W at 4 V, and 8.84 cd / A at 4 V, respectively. In the case of 14 V, 13830 cd / m 2 , 4.51 lm / W at 4 V and 5.55 cd / A at 4 V, respectively. In the case of luminance, power and current efficiency, it can be seen that the device of Example 4-3 is further enhanced by 62.4, 76.9 and 59.2% than the device of Example 4-1. 7D shows EL spectra according to the thicknesses of the inner light extracting layers of the devices of Examples 4-1 and 4-3. The EL intensity increases in the entire spectral range and has a maximum at 400 nm when an internal light extraction layer is introduced. The measured values of the light extraction characteristics of the OLED are summarized in Table 6 below.

소자device 휘도(luminance)Luminance 동력(power)Power 전류효율
(current efficiency)
Current efficiency
(current efficiency)
실시예 4-1Example 4-1 13830 cd/m2 13830 cd / m 2 4.51 lm/W4.51 lm / W 5.55 cd/A5.55 cd / A 실시예 4-3Example 4-3 22460 cd/m2 22460 cd / m 2 7.98 lm/W7.98 lm / W 8.84 cd/A8.84 cd / A

5. OLED의 발광(Emitting light)5. Emitting light of OLED

도 8(a)-(c)는 실시예 4-1 내지 실시예 4-3 소자의 불을 켰을 때, 발광하는 사진이다. 8 (a) - (c) are photographs of light emission when the devices of Examples 4-1 to 4-3 are turned on.

도 8을 참고하면, 실시예 4-2 소자의 발광 영역은 실시예 4-1 소자의 발광 영역보다 넓은데 유리에 의해 추출되는 빛이 곧바로 외부 광 추출층의 TiO2 나노입자에 의해 산란되기 때문이다. 실시예 4-3 소자의 발광은 실시예 4-1 소자에 비해 더 강한 것을 알 수 있는데 이는 ITO 층 및 유기층에 갇혀있는 빛이 내부 광 추출층에 의해 방출되기 때문이다.
8, the light emitting region of the device of Example 4-2 is wider than the light emitting region of the device of Example 4-1, since the light extracted by the glass is directly scattered by the TiO 2 nanoparticles of the external light extracting layer to be. It can be seen that the emission of the device of Example 4-3 is stronger than that of the device of Example 4-1 because the light trapped in the ITO layer and the organic layer is emitted by the inner light extracting layer.

하기 표 7은 실시예 4-1 내지 실시예 4-3 소자의 CIE1931 (x,y) 좌표를 도시한 것이다. Table 7 below shows the CIE1931 (x, y) coordinates of the devices of Examples 4-1 to 4-3.

소자device CIE (x) CIE (x) CIE (y) CIE (y) 실시예 4-1Example 4-1 0.30220.3022 0.63330.6333 실시예 4-2Example 4-2 0.30040.3004 0.63480.6348 실시예 4-3Example 4-3 0.30130.3013 0.63410.6341

표 7을 참고하면, 실시예 4-2 소자 및 실시예 4-3 소자의 CIE (x,y)는 실시예 4-1 소자와 유사한 색상으로 나타났고, 이는 내부 및 외부 광추출층의 영향을 받지 않는다는 것을 의미하며, 내부 및 외부 광 추출층이 안정적인 색상을 나타내는 것을 알 수 있다. Referring to Table 7, the CIE (x, y) of the device of Example 4-2 and the device of Example 4-3 were similar to those of Example 4-1, and the effect of the inner and outer light extracting layers And it can be seen that the inner and outer light extracting layers exhibit a stable color.

본 발명은 MSMA에 트리알콕시실란으로 캡핑된 랜덤공중합체인 methyl methacrylate (MMA)와 3-(trimethoxysilyl)propyl methacrylate (MSMA) (poly(MMA-co-MSMA))를 acid-free 졸겔 공정에 의해 유기-무기 하이브리드 재료를 전구체로 합성하고, titanium (IV) isopropoxide(TTIP)와 TEOS를 상기 전구체와 함께 고굴절 및 저굴절 재료로써 사용하였다. 90 wt% TTIP와 2.5M NaCl, 그리고 1.50 전구체를 첨가시, 굴절률은 각각 1.81로 증가하였고, 1.44로 감소하였다. 상기와 같은 고굴절 및 저굴절 하이브리드 재료는 내부 및 외부 광 추출층에 사용되었다. 외부 광 추출층을 포함하는 소자의 휘도, 전력 및 전류 효율은 기준 소자와 비교하였을 때 21.3, 28.6 그리고 29.1% 높게 나타났고, 내부 광 추출층을 포함하는 소자의 휘도, 전력 및 전류 효율은 62.4, 76.9 그리고 59.2% 더 높게 나타났다. 본 발명의 내부 및 외부 광 추출층은 substrate/ITO와 air/glass 계면의 굴절률을 감소시킴으로써 기판의 전반사를 감소시키는데 효과적임을 알 수 있고, 내부 및 외부 광 추출층의 TiO2 및 SiO2 나노입자에 의한 빛의 산란은 OLED의 광 추출 효율을 강화시켰다. 고굴절 및 저굴절 물질은 광 추출 효율의 향상을 위해 유용한 것임을 확인할 수 있다.
The present invention relates to a process for the preparation of an organo-silane coupling agent by acid-free sol-gel process of methyl methacrylate (MMA) and 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (MSMA) (poly (MMA- The inorganic hybrid material was synthesized as a precursor, and titanium (IV) isopropoxide (TTIP) and TEOS were used as the high and low refractive materials together with the precursor. When 90 wt% TTIP, 2.5M NaCl, and 1.50 precursor were added, the refractive index increased to 1.81 and decreased to 1.44. The high-refraction and low-birefringence hybrid materials as described above were used for the inner and outer light extraction layers. The luminance, power and current efficiencies of the devices including the external light extraction layer were 21.3, 28.6 and 29.1% higher than those of the reference device, and the luminance, power and current efficiencies of the devices including the internal light extraction layer were 62.4, 76.9 and 59.2%, respectively. It can be seen that the inner and outer light extraction layers of the present invention are effective in reducing the total reflection of the substrate by reducing the refractive index of the substrate / ITO and air / glass interfaces. It is also known that the TiO 2 and SiO 2 nanoparticles The light scattering by the OLED has enhanced the light extraction efficiency of the OLED. It can be confirmed that high refractive index and low refractive index materials are useful for improving light extraction efficiency.

이제까지 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention has been described above with reference to preferred embodiments. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. The disclosed embodiments should, therefore, be considered in an illustrative rather than a restrictive sense. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and all differences within the scope of equivalents thereof should be construed as being included in the present invention.

Claims (10)

투광성 기판과, 상기 투광성 기판의 일면에 내부 광추출층 또는 외부 광추출층을 형성하는 OLED 소자용 적층체에 있어서,
상기 내부 광추출층 또는 외부 광추출층은 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료의 코팅으로 형성된 산란영역이고,
상기 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료는 전구체(P)로서 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate; MMA)와 3-(트리메톡시실릴) 프로필 메타크릴레이트(3-(trimethoxysilyl) propyl methacrylate; MSMA)의 공중합체와 상기 전구체(P)에 졸-겔법을 이용하여 티타늄 또는 실리카 기반의 굴절률 기능성 금속 알콕사이드를 결합시켜 제조되며
상기 내부 광추출층 및 외부 광추출층은 각각 118.7±32.5nm와 125.3±21.5nm 지름의 구형의 무기입자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체.
A laminate for an OLED element which forms an inner light extraction layer or an outer light extraction layer on one surface of the transparent substrate,
The inner light extracting layer or the outer light extracting layer is a scattering region formed by coating a high-refraction or low-refractive organic / inorganic hybrid material,
The high refractive index or low refractive organic / inorganic hybrid material may include methyl methacrylate (MMA) and 3- (trimethoxysilyl) propyl methacrylate (MSMA) as precursors (P) And a titanium or silica-based refractive index functional metal alkoxide with a sol-gel method to the precursor (P)
Wherein the inner light extracting layer and the outer light extracting layer comprise spherical inorganic particles having diameters of 118.7 ± 32.5 nm and 125.3 ± 21.5 nm, respectively.
제 1 항에 있어서,
상기 기능성 금속 알콕사이드는 고굴절 재료인 경우에는 티타늄 기반 금속 알콕사이드이고, 저굴절 재료인 경우에는 실리카 기반 금속 알콕사이드인 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the functional metal alkoxide is a titanium-based metal alkoxide in the case of a high-refraction material, and the silica-based metal alkoxide is in the case of a low-refraction material.
제 1 항에 있어서,
상기 기능성 금속 알콕사이드는 고굴절 재료인 경우에는 TTIP(Titanium(IV) isopropoxide)이고, 저굴절 재료인 경우에는 TEOS(Tetraethyl orthosilicate)인 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the functional metal alkoxide is TTIP (Titanium (IV) isopropoxide) in the case of a high-refraction material and TEOS (tetraethyl orthosilicate) in a case of a low-refraction material.
제 1 항에 있어서,
상기 고굴절 재료는 내부 광추출층에 포함되고, 상기 저굴절 재료는 외부 광추출층에 포함되는 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the high refractive index material is contained in an inner light extracting layer and the low refractive index material is contained in an external light extracting layer.
제 1 항에 있어서,
상기 산란영역은, TiO2 나노입자 또는 SiO2 나노입자로 이루어진 산란요소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체.
The method according to claim 1,
Wherein the scattering region comprises a scattering element made of TiO 2 nanoparticles or SiO 2 nanoparticles.
제 4 항에 있어서,
상기 내부 및 외부 광 추출층은 100 내지 800 nm 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자용 적층체.
5. The method of claim 4,
Wherein the inner and outer light extraction layers have a thickness in the range of 100 to 800 nm. &Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 11. &lt; / RTI &gt;
고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 준비하는 제1 단계;
투광성 기판의 일면에 고굴절 또는 저굴절 유/무기 하이브리드 재료를 코팅하여 내부 광추출층 또는 외부 광추출층을 형성하는 제2 단계;
상기 제2 단계에서 투광성 기판의 일면에 고굴절 재료의 코팅으로 형성된 내부 광추출층의 상면 또는 저굴절 재료의 코팅으로 외부 광추출층이 형성된 투광성 기판의 상면에 ITO, 유기층 및 캐소드를 순차적으로 적층하여 OLED 소자를 제조하는 제3 단계를 포함하여 제조되고
상기 내부 광추출층 및 외부 광추출층은 각각 118.7±32.5nm와 125.3±21.5nm 지름의 구형의 무기입자를 포함하는 것을 특징으로 하는, 유/무기 하이브리드 재료를 이용한 OLED 소자의 제조방법.
A first step of preparing high refractive index or low refractive organic / inorganic hybrid material;
A second step of forming an inner light extracting layer or an outer light extracting layer by coating a high refractive index or low refractive organic / inorganic hybrid material on one surface of the translucent substrate;
In the second step, ITO, an organic layer, and a cathode are successively stacked on the upper surface of the transparent substrate on which an external light extracting layer is formed by coating an upper surface or a lower refractive material of the internal light extracting layer formed by coating a high refractive index material on one surface of the transparent substrate And a third step of manufacturing an OLED device
Wherein the inner light extracting layer and the outer light extracting layer each comprise spherical inorganic particles having diameters of 118.7 ± 32.5 nm and 125.3 ± 21.5 nm, respectively.
제 7 항에 의해 제조되는, 고굴절 또는 저굴절 녹색 발광 OLED 소자.9. A high-index or low-refractive green light-emitting OLED device according to claim 7. 제 8 항에 따른 녹색 발광 OLED 소자를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.9. A display device manufactured using the green light emitting OLED device according to claim 8. 제 8 항에 따른 녹색 발광 OLED 소자를 이용하여 제조되는 것을 특징으로 하는 면발광 광원.9. A surface emitting light source according to claim 8, wherein the green light emitting OLED element is used.
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