KR101734006B1 - 전력 소모를 감소시키는 데이터 판독 회로 - Google Patents

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Abstract

전력 소모를 감소시키는 데이터 판독 회로가 게시된다. 본 발명의 데이터 판독 회로는 각자의 센싱 데이터를 수신하는 복수개의 센싱 라인들; 및 복수개의 데이터 측정 유닛들을 포함하는 데이터 측정 블락으로서, 상기 데이터 측정 유닛들 각각은 대응하는 상기 센싱 라인을 통하여 제공되는 각자의 상기 센싱 데이터의 전압 레벨에 따른 각자의 신호 측정 전압을 신호 라인으로 제공하되, 상기 데이터 측정 유닛들 각자의 상기 신호 측정 전압들은 상기 신호 라인에 순차적으로 제공되는 상기 데이터 측정 블락을 구비한다. 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들 각각은 자신의 증폭 인에이블 신호에 응답하여, 상기 각자의 센싱 데이터에 따른 전압을 증폭하여 상기 신호 측정 전압으로 생성하는 신호 전압 증폭부를 구비한다. 이때, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들의 상기 증폭 인에이블 신호들은 순차적으로 활성화된다. 본 발명의 데이터 판독 회로에 의하면, 전체적인 전력 소모가 감소되고, 또한, 피크 전류도 완화된다.

Description

전력 소모를 감소시키는 데이터 판독 회로{DATA READOUT CIRCUIT WITH LOW POWER CONSUMPTION}
본 발명은 데이터 판독 회로에 관한 것으로서, 특히 전체적인 전력 소모를 감소시키는 데이터 판독 회로에 관한 것이다.
데이터 판독 회로는 아날로그 성분의 데이터를 감지하여 디지털 성분의 데이터를 제공하는 회로로서, 터치 감지 시스템, 이미지 스캐너 등의 전자제품에 널리 사용되고 있다.
일반적으로, 데이터 판독 회로는, 데이터 감지 시스템의 제어 패널 등으로부터 제공되는 아날로그 성분의 센싱 데이터를 수신하고, 센싱 데이터에 따른 전하를 집적하며, 집적된 전하에 따른 전압 레벨을 가지는 신호를 발생한다. 그리고, 이러한 집적된 전하에 따른 전압 레벨을 가지는 신호는 디지털 데이터로 변환되어 출력됨으로써, 상기 센싱 데이터가 판독된다.
한편, 데이터 판독 회로를 내장하는 최근의 전자제품들에 있어서, 전력 소모의 감소가 중요하다. 이에 따라, 전체적으로 전력 소모를 감소시키는 데이터 판독 회로가 요구된다.
본 발명의 목적은 전체적으로 전력 소모들 감소시키는 데이터 판독 회로를 제공하는 데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일면은 데이터 판독 회로에 관한 것이다. 본 발명의 데이터 판독 회로는 각자의 센싱 데이터를 수신하는 복수개의 센싱 라인들; 신호 라인; 및 복수개의 데이터 측정 유닛들을 포함하는 데이터 측정 블락으로서, 상기 데이터 측정 유닛들 각각은 대응하는 상기 센싱 라인을 통하여 제공되는 각자의 상기 센싱 데이터의 전압 레벨에 따른 각자의 신호 측정 전압을 상기 신호 라인으로 제공하되, 자신의 스캔 신호의 활성화에 응답하여 각자의 상기 신호 측정 전압들은 상기 신호 라인에 순차적으로 제공되는 상기 데이터 측정 블락을 구비한다. 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들 각각은 자신의 증폭 인에이블 신호에 응답하여 인에이블되어서, 상기 각자의 센싱 데이터에 따른 전압을 증폭하여 상기 신호 측정 전압으로 생성하는 신호 전압 증폭부를 구비한다. 그리고, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들의 상기 증폭 인에이블 신호들은 상기 자신의 스캔 신호의 활성화에 대응하여 순차적으로 활성화된다.
상기 복수개의 데이터 측정 유닛들 각각은 대응하는 상기 센싱 라인과 전하 집적 라인 사이에 형성되어, 각자의 상기 센싱 데이터에 따른 전압 레벨을 상기 전하 집적 라인에 발생시키는 전하 집적부로서, 리셋 신호에 응답하여 상기 센싱 라인과 상기 전하 집적 라인을 리셋하는 상기 전하 집적부; 대응하는 상기 센싱 라인이 리셋된 후 각자의 상기 센싱 데이터가 수신된 상태의 상기 전하 집적 라인의 전압 레벨에 따른 신호 집적 전압을 홀딩하는 신호 홀딩부; 자신의 상기 증폭 인에이블 신호에 응답하여, 상기 신호 집적 전압을 증폭하여 상기 신호 측정 전압으로 생성하는 상기 신호 전압 증폭부; 및 상기 자신의 스캔 신호에 응답하여, 자신의 상기 신호 측정 전압을 상기 신호 라인으로 리드아웃하는 신호 리드아웃 스위치를 구비한다.
또한, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들 각각은 대응하는 상기 센싱 라인이 리셋된 후 각자의 상기 센싱 데이터가 수신되기 이전 상태의 상기 전하 집적 라인의 전압 레벨에 따른 노이즈 집적 전압을 홀딩하는 신호 홀딩부; 자신의 상기 증폭 인에이블 신호에 응답하여, 상기 노이즈 집적 전압을 증폭하여 노이즈 측정 전압으로 생성하는 노이즈 전압 증폭부; 및 상기 자신의 스캔 신호에 응답하여, 자신의 상기 노이즈 측정 전압을 노이즈 라인으로 리드아웃하는 노이즈 리드아웃 스위치를 더 구비한다.
상기와 같은 구성의 본 발명의 데이터 판독 회로에서는, 연산 증폭기의 형태로 구현될 수 있는 신호 전압 증폭부 및 노이즈 전압 증폭부를 포함하는 데이터 측정 유닛들 각각이 자신의 신호 측정 전압 및 노이즈 측정 전압을 리드아웃할 때 인에이블된다. 이에 따라, 본 발명의 데이터 판독 회로에 의하면, 전체적인 전력 소모가 감소된다. 또한, 데이터 측정 유닛들 각각의 신호 전압 증폭부가 순차적으로 인에이블되므로, 피크 전류도 완화된다.
본 발명에서 사용되는 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.
도 1의 본 발명의 일실시예에 따른 데이터 판독 회로를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 복수개의 데이터 측정 유닛들 중의 하나를 자세히 나타내는 도면이다.
도 3은 도 1의 데이터 판독 회로의 주요신호의 타이밍도이다.
도 4는 도 3의 리드아웃 구간을 자세히 나타내는 도면이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 잇점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 각 도면을 이해함에 있어서, 동일한 부재는 가능한 한 동일한 참조부호로 도시하고자 함에 유의해야 한다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
한편, 본 명세서에서는 동일한 구성 및 작용을 수행하는 구성요소들에 대해서는 동일한 참조부호와 함께 < >속에 참조부호가 추가된다. 이때, 이들 구성요소들은 참조부호로 통칭한다. 그리고, 이들을 개별적인 구별이 필요한 경우에는, 참조부호 뒤에 '< >'가 추가된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어 지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어 지는 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 데이터 판독 회로를 나타내는 도면이다. 도 1에서는, 이해의 편의를 위하여, 본 발명의 데이터 판독 회로가 이용될 수 있는 데이터 감지 시스템의 제어 패널(CONPAN)의 일부가 함께 도시된다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 데이터 판독 회로는 복수개의 센싱 라인들(LSEN<1>~LSEN<n>), 신호 라인(LSIG) 및 데이터 측정 블락(BKDM)을 구비한다.
이때, 상기 복수개의 센싱 라인들(LSEN<1>~LSEN<n>)은 게이팅 신호(GN)의 활성화에 응답하여 상기 제어 패널(CONPAN)로부터 제공되는 각자의 센싱 데이터(ADAT<1>~ADAT<n>)를 수신한다.
자세히 기술하자면, 상기 제어 패널(CONPAN)에서 게이팅 신호(GN)가 상기 게이팅 신호(GN)에 연결되는 상기 감지 소자들(PSEN<1>~PSEN<n>)의 전송 트랜지스터들이 게이팅된다. 이에 따라, 상기 감지 소자들(PSEN<1>~PSEN<n>)의 센싱 셀(SNS<1>~SNS<n>)의 상기 센싱 데이터들(ADAT<1>~ADAT<n>)이 대응하는 각자의 센싱 라인들(LSEN<1>~LSEN<n>)에 전송된다.
상기 데이터 측정 블락(BKDM)은 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)을 포함한다.
복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>) 각각은 대응하는 센싱 라인(LSEN<1>~LSEN<n>)을 통하여 제공되는 각자의 상기 센싱 데이터(ADAT<1>~ADAT<n>)의 전압 레벨에 따른 각자의 신호 측정 전압(VSMS<1>~VSMS<n>)을 자신의 스캔 신호(SCAN, 도 2 참조)의 활성화에 응답하여 상기 신호 라인(LSIG)으로 제공한다.
이때, 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 스캔 신호(SCAN)의 활성화는 순차적으로 발생된다. 그 결과, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 신호 측정 전압(VSMS<1>~VSMS<n>)은 상기 신호 라인(LSIG)에 순차적으로 제공된다.
그리고, 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>) 각각은 자신의 증폭 인에이블 신호(AMEN<1>)~AMEN<n>)에 응답하여 인에이블되어서, 상기 각자의 센싱 데이터(ADAT<1>~ADAT<n>)에 따른 전압을 증폭하여 상기 신호 측정 전압(VSMS<1>~VSMS<n>)으로 생성하는 신호 전압 증폭부(PSAM<1>~PSAM<n>)를 구비한다.
이때, 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 상기 증폭 인에이블 신호(AMEN<1>)~AMEN<n>)은 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 스캔 신호(SCAN)에 대응하여 순차적으로 활성화된다.
이에 따라, 본 발명의 데이터 판독회로에서, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)은 순차적으로 인에이블되므로, 전체적 전류 및 피크(peak) 전류(current)가 감소된다.
계속하여, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)이 구체적으로 기술된다.
도 2는 도 1의 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>) 중의 하나를 자세히 나타내는 도면이다.
여기서, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)은 서로 동일한 형태로 구현될 수 있으며, 센싱 데이터(ADAT), 센싱 라인(LSEN) 및 출력되는 신호 측정 전압(VSMS)과 이를 기술되는 노이즈 측정 전압(VNMS)의 첨자만이 상이할 뿐이다.
그러므로, 도 2에서, 상기 데이터 측정 유닛(UTMSDA)에 대하여, 첨자가 생략되어 도시되고 기술된다.
도 3은 도 1의 데이터 판독 회로의 주요신호의 타이밍도이다. 본 발명의 데이터 판독회로는 크게 홀딩 구간(P_HL)과 리드아웃 구간(P_RDUT)으로 구분되어 진행될 수 있다.
그리고, 도 4는 도 3의 리드아웃 구간(P_RDUT)을 자세히 나타내는 도면으로서, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 증폭 인에이블 신호(AMEN<1>)~AMEN<n>)들은 순차적으로 활성화됨을 설명하기 위한 도면이다.
본 명세서에서, 상기 홀딩 구간(P_HL)은 제어 패널(CONPAN)으로부터 제공되는 센싱 데이터(ADAT)에 따른 전압을 홀딩하는 동작이 수행되는 구간을 의미한다. 그리고, 상기 리드아웃 구간(P_RDUT)은 상기 홀딩 구간(P_HL)에서 홀딩된 전압을 증폭하여 신호 라인(LSIG)으로 제공하는 동작이 수행된 구간을 의미한다.
참고로, 도 3 및 도 4에 도시되는 리드아웃 신호(XRDT)는, 본 실시예에서는, 상기 리드아웃 구간(P_RDUT)을 나타내는 가상의 신호로 사용된다. 하지만, 본 발명의 다른 실시예 또는 변형예에서는, 상기 리드아웃 신호(XRDT)는 상기 리드아웃 구간(P_RDUT)에 활성화되는 실제의 신호가 될 수도 있다.
도 2를 도 3 및 도 4와 함께 참조하면, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>) 각각은 전하 집적부(100), 신호 홀딩부(200), 상기 신호 전압 증폭부(PSAM), 신호 리드아웃 스위치(300)를 구비한다.
상기 전하 집적부(100)는 상기 센싱 라인(LSEN)과 전하 집적 라인(LCA) 사이에 형성되어, 상기 센싱 라인(LSEN)에 수신되는 전하에 따른 전압 레벨을 상기 전하 집적 라인(LCA)에 발생한다. 그리고, 상기 전하 집적부(100)는, 상기 리셋 신호(RST)의 펄스에 응답하여, 상기 센싱 라인(LSEN)과 상기 전하 집적 라인(LCA)을 리셋시키도록 구동된다.
바람직한 실시예에 의하면, 상기 전하 집적부(100)는 축전 캐패시터(110), 리셋 스위치(130) 및 집적 증폭기(150)를 구비한다.
상기 축전 캐패시터(110)는 상기 센싱 라인(LSEN)과 상기 전하 집적 라인(LCA) 사이에 형성된다.
상기 리셋 스위치(130)는 상기 리셋 신호(RST)의 펄스(도 3의 t11, 참조)에 응답하여 상기 센싱 라인(LSEN)과 상기 전하 집적 라인(LCA)을 전기적으로 연결하도록 구동된다. 이때, 상기 센싱 라인(LSEN)과 상기 전하 집적 라인(LCA)은 기준 전압(VREF)으로 리셋된다.
상기 집적 증폭기(150)는 상기 센싱 라인(LSEN)의 전압을 증폭하여 상기 전하 집적 라인(LCA)의 전압으로 발생한다. 바람직하기로는, 상기 집적 증폭기(150)는 반전 입력단(-)에 상기 센싱 라인(LSEN)이 인가되고, 비반전 입력단(+)에 상기 기준 전압(VREF)가 인가되며, 출력단이 상기 전하 집적 라인(LCA)이 연결되는 연산 증폭기이다.
상기 신호 홀딩부(200)는 상기 홀딩 구간(P_HL)에서 활성화되는 신호 홀딩 신호(XSHL)에 응답하여(도 3의 t12 참조), 상기 신호 집적 라인(LCA)의 신호 집적 전압(VSIT)을 홀딩한다.
즉, 상기 신호 홀딩부(200)는 상기 홀딩 구간(P_HL)에서, 상기 리셋 신호(RST)의 펄스에 응답되어 리셋된 후에 상기 게이팅 신호(GN)이 활성화되어(도 3의 t13 참조), 상기 센싱 데이터(ADAT)가 수신된 상태에서의 상기 센싱 라인(LSEN)의 전압 레벨에 따른 신호 집적 전압(VSIT)을 홀딩한다.
바람직하기로는, 상기 신호 홀딩부(200)는 상기 신호 집적 전압(VSIT)을 축전하는 신호 홀딩 캐패시터(210)와, 상기 신호 홀딩 신호(XSHL)의 활성화에 응답하여 상기 신호 집적 라인(LCA)을 신호 홀딩 캐패시터(210)에 연결하는 신호 홀딩 스위치(220)를 구비한다.
상기 신호 전압 증폭부(PSAM)는 자신의 상기 증폭 인에이블 신호(AMEN)에 응답하여(도 3의 t14 참조) 인에이블되어, 상기 신호 집적 전압(VSIT)을 상기 신호 측정 전압(VSMS)으로 생성한다. 이때, 상기 신호 전압 증폭부(PSAM)는 연산 증폭기의 형태로 구현될 수 있으며, 또한, '1'의 이득율(gain)로 구현될 수 있다.
그리고, 신호 리드아웃 스위치(300)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 상기 신호 측정 전압(VSMS)을 상기 신호 라인(LSIG)에 생성한다.
본 실시예에서, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 증폭 인에이블 신호(AMEN<1>)~AMEN<n>)들 및 스캔 신호(SCAN<1>~SCAN<n>)들은 상기 리드아웃 신호(XRDT)가 활성화되는 리드아웃 구간(P_RDUT) 동안에 클락 신호(CLK)에 동기되어 순차적으로 활성화된다(도 4 참조).
한편, 바람직한 실시예에 의하면, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>) 각각은 노이즈 홀딩부(400), 상기 노이즈 전압 증폭부(PNAM), 노이즈 리드아웃 스위치(500)를 더 구비한다.
상기 노이즈 홀딩부(400)는 상기 홀딩 구간(P_HL)에서 활성화되는 노이즈 홀딩 신호(XNHL)에 응답하여(도 3의 t15 참조), 상기 신호 집적 라인(LCA)의 노이즈 집적 전압(VNIS)을 홀딩한다.
즉, 상기 노이즈 홀딩부(400)는 상기 홀딩 구간(P_HL)에서, 상기 리셋 신호(RST)의 펄스에 응답되어 리셋된 후에 상기 게이팅 신호(GN)이 활성화(도 3의 t13 참조)되기 이전의 상기 센싱 데이터(ADAT)가 미수신된 상태에서의 상기 센싱 라인(LSEN)의 전압 레벨에 따른 노이즈 집적 전압(VNIS)을 홀딩한다.
바람직하기로는, 상기 노이즈 홀딩부(400)는 상기 노이즈 집적 전압(VNIS)을 축전하는 노이즈 홀딩 캐패시터(410)와, 상기 노이즈 홀딩 신호(XNHL)의 활성화에 응답하여 상기 신호 집적 라인(LCA)을 노이즈 홀딩 캐패시터(410)에 연결하는 노이즈 홀딩 스위치(420)를 구비한다.
상기 노이즈 전압 증폭부(PNAM)는 자신의 상기 증폭 인에이블 신호(AMEN)에 응답하여(도 3의 t14 참조) 인에이블되어, 상기 노이즈 집적 전압(VNIS)을 노이즈 측정 전압(VNMS)으로 생성한다. 이때, 상기 노이즈 전압 증폭부(PNAM)는 연산 증폭기의 형태로 구현될 수 있으며, 또한, '1'의 이득율(gain)로 구현될 수 있다.
그리고, 노이즈 리드아웃 스위치(500)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 상기 노이즈 측정 전압(VNMS)을 노이즈 라인(LNIS)에 생성한다.
계속 도 1을 참조하면, 본 발명의 데이터 판독 회로는 디지털 변환 블락(BKCVT)을 더 구비하는 것이 바람직하다.
상기 디지털 변환 블락(BKCVT)은, 리드아웃 구간(P_RDUT)에서, 상기 신호 라인(LSIG)에 생성되는 신호 측정 전압들(VSMS<1>~VSMS<n>)과 상기 노이즈 라인(LNIS)에 생성되는 상기 노이즈 측정 전압들(VNMS<1>~VNMS<n>)의 레벨 차이를 감지하여, 디지털 성분의 디지털 데이터들(DDAT<1>~DDAT<n>))로 변환한다.
이때, 상기 노이즈 측정 전압(VNMS)에 대한 상기 신호 측정 전압(VSMS)의 전압레벨의 차이(Vdif)는 (수학식 1)과 같다.
(수학식 1)
Vdif=Vds-Vns=(Vsen+Vdn)-Vdn=Vsen
여기서, Vds는 상기 신호 측정 전압(VSMS)의 전압 레벨이고, Vns은 상기 노이즈 측정 전압(VNMS)의 전압 레벨이다. 그리고, Vsen은 상기 센싱 데이터(ADAT)에 따른 레벨이며, Vdn은 상기 센싱 라인(LSEN)의 노이즈에 따른 레벨이다.
즉, 상기 노이즈 측정 전압(VNMS)에 대한 상기 신호 측정 전압(VSMS)의 전압레벨의 차이(Vdif)는 상기 센싱 라인(LSEN)의 노이즈에 따른 레벨은 배제되고, 상기 센싱 데이터(ADAT)에 따른 레벨만을 의미하게 된다.
그리고, 노이즈 측정 전압(VNMS)에 대한 신호 측정 전압(VSMS)의 차이에 따른 값을 가지는 디지털 데이터(DDAT)가 출력된다.
상기와 같은 본 발명의 데이터 판독 회로에서는, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 증폭 인에이블 신호(AMEN<1>)~AMEN<n>)들은 자신의 신호 측정 전압(VSMS<1>~VSMS<n>) 및 노이즈 측정 전압(VNMS<1>~VNMS<n>)을 상기 신호 라인(LSIG) 및 노이즈 라인(LNIS)으로 출력하는 타이밍에서 활성화된다.
이에 따라, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 신호 전압 증폭부(PSAM) 및 노이즈 전압 증폭부(PNAM)는 자신의 신호 측정 전압(VSMS<1>~VSMS<n>) 및 노이즈 측정 전압(VNMS<1>~VNMS<n>)을 상기 신호 라인(LSIG) 및 노이즈 라인(LNIS)으로 출력하는 타이밍에서 인에이블되어 동작된다.
그 결과, 본 발명의 데이터 판독회로에서는, 연산 증폭기의 형태로 구현될 수 있는 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 신호 전압 증폭부(PSAM) 및 노이즈 전압 증폭부(PNAM)가 항상 인에이블되어 동작하는 경우에 비하여, 전체적인 소모 전력이 현저히 감소된다.
또한, 본 발명의 데이터 판독회로에서, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 신호 전압 증폭부(PSAM) 및 노이즈 전압 증폭부(PNAM)가가 순차적으로 인에이블된다.
그러므로, 본 발명의 데이터 판독회로에서, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들(UTMSDA<1>~UTMSDA<n>)의 신호 전압 증폭부(PSAM) 및 노이즈 전압 증폭부(PNAM)가 동시에 인에이블되어 동작하는 경우에 비하여, 피크(peak) 전류(current)도 현저히 감소된다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
예를 들면, 본 명세서에서는, 리셋 신호(RST)의 펄스가 발생한 후의 센싱 라인(LSEN)의 레벨에 따른 노이즈 측정 전압들(VNMS)을 생성하고, 상기 노이즈 측정 전압들(VNMS)에 대한 신호 측정 전압들(VSMS)의 차를 감지하여 센싱 데이터(ADAT)의 값을 판독하는 실시예가 도시되고 기술되었다.
그러나, 상기 노이즈 측정 전압들(VNMS)을 생성하지 않고, 신호 측정 전압들(VSMS)의 레벨을 감지하여 센싱 데이터(ADAT)의 값을 판독하는 실시예에 의해서도, 본 발명의 기술적 사상이 상당부분 구현될 수 있음은 당업자에게는 자명하다. 이 경우, 상기 데이터 증폭블락(BKRD)의 반전 단자(-)에는 기준 전압(VREF)이 인가될 수 있다.
그리고, 본 명세서에서는, 대응하는 상기 증폭 인에이블 신호(AMEN)와 상기 스캔 신호(SCAN)의 활성화 타이밍이 완전히 일치하는 실시예가 도시되고 기술되었다. 그러나, 대응하는 상기 증폭 인에이블 신호(AMEN)와 상기 스캔 신호(SCAN)의 활성화 타이밍이 완전히 일치하지 않고, 일정 부분 겹치는 실시예에 의해서도, 본 발명의 기술적 사상이 상당부분 구현될 수 있음은 당업자에게는 자명하다.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 데이터 판독 회로에 있어서,
    각자의 센싱 데이터를 수신하는 복수개의 센싱 라인들;
    신호 라인; 및
    복수개의 데이터 측정 유닛들을 포함하는 데이터 측정 블락으로서, 상기 데이터 측정 유닛들 각각은 대응하는 상기 센싱 라인을 통하여 제공되는 각자의 상기 센싱 데이터의 전압 레벨에 따른 각자의 신호 측정 전압을 상기 신호 라인으로 제공하되, 자신의 스캔 신호의 활성화에 응답하여 각자의 상기 신호 측정 전압들은 상기 신호 라인에 순차적으로 제공되는 상기 데이터 측정 블락을 구비하며,
    상기 복수개의 데이터 측정 유닛들 각각은
    자신의 증폭 인에이블 신호에 응답하여 인에이블되어서 상기 각자의 센싱 데이터에 따른 전압을 증폭하여 상기 신호 측정 전압으로 생성하는 신호 전압 증폭부를 구비하며,
    상기 복수개의 데이터 측정 유닛들의 상기 증폭 인에이블 신호들은
    상기 자신의 스캔 신호의 활성화에 대응하여 순차적으로 활성화되며,
    상기 복수개의 데이터 측정 유닛들 각각은
    대응하는 상기 센싱 라인과 전하 집적 라인 사이에 형성되어, 각자의 상기 센싱 데이터에 따른 전압 레벨을 상기 전하 집적 라인에 발생시키는 전하 집적부로서, 리셋 신호에 응답하여 상기 센싱 라인과 상기 전하 집적 라인을 리셋하는 상기 전하 집적부;
    대응하는 상기 센싱 라인이 리셋된 후 각자의 상기 센싱 데이터가 수신된 상태의 상기 전하 집적 라인의 전압 레벨에 따른 신호 집적 전압을 홀딩하는 신호 홀딩부;
    자신의 상기 증폭 인에이블 신호에 응답하여, 상기 신호 집적 전압을 증폭하여 상기 신호 측정 전압으로 생성하는 상기 신호 전압 증폭부; 및
    상기 자신의 스캔 신호에 응답하여, 자신의 상기 신호 측정 전압을 상기 신호 라인으로 리드아웃하는 신호 리드아웃 스위치를 구비하며,
    상기 복수개의 데이터 측정 유닛들 각각은
    대응하는 상기 센싱 라인이 리셋된 후 각자의 상기 센싱 데이터가 수신되기 이전 상태의 상기 전하 집적 라인의 전압 레벨에 따른 노이즈 집적 전압을 홀딩하는 노이즈 홀딩부;
    자신의 상기 증폭 인에이블 신호에 응답하여, 상기 노이즈 집적 전압을 증폭하여 노이즈 측정 전압으로 생성하는 노이즈 전압 증폭부; 및
    상기 자신의 스캔 신호에 응답하여, 자신의 상기 노이즈 측정 전압을 노이즈 라인으로 리드아웃하는 노이즈 리드아웃 스위치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 판독 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수개의 데이터 측정 유닛들 각각은
    상기 자신의 스캔 신호에 응답하여, 자신의 상기 신호 측정 전압을 상기 신호 라인으로 리드아웃하는 신호 리드아웃 스위치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 판독 회로.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
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KR101019159B1 (ko) 2010-09-17 2011-03-03 주식회사 룩센테크놀러지 개선된 잡음 특성을 가지는 샘플링 회로 및 이를 이용한 이미지 센서
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