KR101730802B1 - 광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 - Google Patents

광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 광학소자 및 전자소자 공정 시 기존의 반도체 공정의 낮은 생산성을 극복할 수 있는 나노 임프린트 공정에 사용 가능한 광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법에 관한 것이다. 구체적으로, 나노 임프린트 몰드와 광경화형 레진 조성물간의 이형특성을 향상시키기 위한 특정의 과불소계 아크릴화합물을 포함하는 광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법에 관한 것이다.

Description

광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법{UV-CROSSLINKABLE RESIN COMPOSITION AND METHOD FOR FORMATION OF PATTERN USING THE SAME}
본 발명은 광학소자 및 전자소자 공정 시 기존의 반도체 공정의 낮은 생산성을 극복할 수 있는 나노 임프린트 공정에 사용 가능한 광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게 나노 임프린트 몰드와 광경화형 레진 조성물간의 이형특성을 향상시키기 위한 과불소계 아크릴화합물을 포함하는 광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
나노 임프린트법은 요철 패턴을 형성한 금형원기(예, 몰드, 스템프, 템플레이트라 함)를 레지스트에 압착하여 역학적으로 변형시켜 미세패턴을 정밀하게 전사하는 기술을 의미한다. 이는 금형원기를 한번 제조하면 나노 구조 등의 미세구조를 간단하게 반복적으로 성형할 수 있으며, 기존 포토리소그래피법에 비해 간단하고 매우 경제적이기 때문에 반도체 뿐만 아니라 디스플레이소자, 나노구조 형태를 갖는 광학소자 등에서 경제성과 신뢰성을 확보하면서 대량 생산에 적합한 기술로 부각되고 있다.
이러한 나노 임프린트법에 사용되는 종래의 레진 조성물은 아크릴계 화합물, 불소계 화합물 등을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때, 상기 레진 조성물은 실리콘 웨이퍼(Si wafer), 유리(glass) 기판 및 고분자 기판 등에 도포되어 미세구조를 가진 몰드로 압착하고 열 또는 광조사 후 몰드를 제거할 때 이형 특성이 좋지 않아 상대적으로 고가인 몰드가 쉽게 손상되어 반복적인 나노 구조체의 제작이 어려울 뿐 아니라 불소계 화합물의 경우, 계면 접착력이 약해 기판에서 레진의 박리현상이 쉽게 발생하는 문제점을 가진다. 최근 UV를 이용한 나노 임프린트 공정은 낮은 점성의 광경화형 레진을 사용하여 투명 스탬프 패턴 사이로 레진이 쉽게 침투시켜, 상온에서 낮은 압력으로 압착시킨 후 UV를 조사하여 나노 구조체를 형성는 방법을 사용하고 있다. 이는 상대적으로 스탬프 손상을 최소화할 수 있으나 고가인 투명 스탬프의 제작이 어려울 뿐 아니라 복제 스탬프를 사용하더라도 스템프와 레진간의 접착력을 감소시키기 위해 스템프를 불소계열의 자기조립 단분자막(self-assembled monolayer)등의 보호막을 액상이나 기상증착으로 기판에 형성해야 한다.
이에, 본 출원인은 단차가 있는 기재에 도포 시에도 갭필(gap fill) 특성이 우수하고, 나노 임프린팅 몰드와 레진 조성물과의 향상된 이형특성을 가지는 저점성의 광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법을 제공하고자 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 낮은 표면에너지를 가져 나노 임프린트 몰드와의 결합력을 최소화하여 이형 특성을 보다 향상시키고, 조성물의 낮은 점성으로 인해 상온에서 몰드 패턴 사이로 레진 조성물의 침투가 용이한 광경화형 레진 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 불소계 아크릴화합물(A), 분자 내 광중합성 관능기를 1개 또는 2개 갖는 아크릴화합물(B) 및 광개시제(D)를 포함하는 광경화형 레진 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015101996848-pat00001
[화학식 1에서,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C10)알킬이며;
L1 은 -(CF2)n- 또는 CF2(OCF2CF2)m-OCF2-이고, 상기 n은 2 내지 10에서 선택되는 정수이고, m은 1 내지 5에서 선택되는 정수이다.]
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 광경화형 레진 조성물에 있어, 상기 아크릴화합물(B)는 하기 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 아크릴화합물에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 2]
Figure 112015101996848-pat00002
[화학식 3]
Figure 112015101996848-pat00003
[화학식 2 및 3에서,
R3, R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C10)알킬이며;
R6 은 수소, (C1-C10)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C3-C20)헤테로시클로알킬, (C6-C20)아릴(C1-C10)알킬, (C6-C20)아릴, (C3-C20)헤테로아릴, 디(C1-C10)알킬실릴, 트리(C1-C10)알킬실릴, 디(C1-C10)알콕시실릴, 트리(C1-C10)알콕시실릴, 디(C1-C10)알킬(C6-C20)아릴실릴, 트리(C6-C20)아릴실릴 또는
Figure 112015101996848-pat00004
이고, 상기 p는 1 내지 5의 정수이고, 상기 R11은 수소, (C1-C10)알킬 또는 (C6-C20)아릴이며;
L2 는 단일결합, (C1-C10)알킬렌, (C6-C20)아릴렌 또는
Figure 112015101996848-pat00005
이고, 상기 q는 1 내지 5의 정수이며;
상기 R6의 알킬, 아릴이 치환된 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴, 알킬아릴, 헤테로아릴, 트리알킬실릴, 디알킬아릴실릴, 트리아릴실릴과 L2의 알킬렌, 아릴렌은 각각 독립적으로 불소, 시아노, 니트로, -OR21, -SR21, (C6-C10)아릴, -O(C6-C10)아릴, 히드록시(C1-C8)알킬, 할로(C1-C7)알킬, -Si-(OR21)3, -NR21R22 -C(O)R21, -COOR21 및 -C(O)NR21R22로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있으며, 상기 R21 내지 R23은 각각 독립적으로 (C1-C10)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C3-C20)헤테로시클로알킬, (C6-C20)아릴 또는 (C3-C20)헤테로아릴이며, 상기 헤테로시클로알킬 및 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.]
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 광경화형 레진 조성물에 있어, 상기 아크릴화합물(B)은 3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트, 4,6,8-헥사메틸-3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트, 4,6,8-트리메틸-4,6,8-트리페닐-3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트, 1,4-사이클로헥산다이메탄올 1,4-다이아크릴레이트, 다이에틸렌글리콜 다이아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 다이메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트, 다이프로필렌글리콜 다이아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 다이아크릴레이트, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이메타크릴레이트, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 메타크릴레이트, 3-페녹시벤질 아크릴레이트, 3-페녹시벤질 메타크릴레이트, 페녹시 테트라에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시 트리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시 다이에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시 테트라에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 페녹시 트리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 페녹시 다이에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 테트라하이드로퓨릴 아크릴레이트, 사이클로헥실 메타크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 다이사이클로펜테닐 아크릴레이트, 다이사이클로펜테닐옥시에틸 메타크릴레이트, 다이사이클로펜타닐 아크릴레이트, 3-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필 트리메톡시실란 및 메타크릴옥시 트리메톡시실란 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 광경화형 레진 조성물에 있어, 상기 화합물(C)은 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 트리스(2-하이드록시에틸 이소시아누레이트) 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스톨 테트라아크릴레이트 및 다이펜타에리스톨 헥사아크릴레이트 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 광경화형 레진 조성물에 있어, 상기 화학식 1로 표시되는 불소계 아크릴화합물(A)의 R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C7)알킬이고, m은 1 또는 2의 정수이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 광경화형 레진 조성물은 분자 내 광중합성 관능기 및 광중합성 관능기와 반응할 수 있는 관능기에서 선택되는 3개 이상의 관능기를 갖는 화합물(C)을 더 포함할 수 있다.
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 불소계 아크릴화합물(A), 분자 내 광중합성 관능기를 1개 또는 2개 갖는 아크릴화합물(B),및 광개시제(D)를 포함하는 광경화형 레진 조성물을 기재 일면에 도포한 후 몰드로 이형하여 미세 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 미세 패턴층에 광을 조사하여 광경화하는 단계를 포함하는 패턴의 제조방법을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112015101996848-pat00006
[화학식 1에서,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C10)알킬이며;
L1 은 -(CF2)n- 또는 CF2(OCF2CF2)m-OCF2-이고, 상기 n은 2 내지 10에서 선택되는 정수이고, m은 1 내지 5에서 선택되는 정수이다.]
본 발명에 따른 광경화형 레진 조성물은 낮은 점성으로 용이한 도포 공정이 가능하며, 낮은 표면 에너지로 인해 몰드에 추가적인 보호막의 형성에 소요되는 수고나 시간을 단축할 수 있을 뿐 아니라 우수한 이형 특성의 구현이 가능하다.
이와 더불어, 본 발명에 따른 광경화형 레진 조성물은 광중합성 관능기 및 광중합성 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 동시에 가져, 단차가 있는 기재에 도포 시에도 갭필 특성이 우수하여 대면적의 균일한 패턴을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 조성물을 이용한 패턴을 형성하는 방법을 도시한 것이다.
이하 첨부된 도면을 포함한 실시예를 통해 본 발명에 따른 광경화형 레진 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있음은 물론이다.
또한 달리 정의되지 않는 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 가지며, 본 발명의 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되는 것은 아니다.
본 발명에 기재된 「알킬」, 「알콕시」 및 그 외 「알킬」부분을 포함하는 치환체는 직쇄 또는 분쇄 형태를 모두 포함한다. 또한 본 발명에 기재된 「아릴」은 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로, 각 고리에 적절하게는 4 내지 7개, 바람직하게는 5 또는 6개의 고리원자를 포함하는 단일 또는 융합고리계를 포함하며, 다수개의 아릴이 단일결합으로 연결되어 있는 형태까지 포함한다. 구체적인 예로 페닐, 나프틸, 비페닐, 안트릴, 인데닐(indenyl), 플루오레닐 등을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명에 기재된 「헤테로아릴」은 하나의 수소 제거에 의해서 방향족 탄화수소로부터 유도된 유기 라디칼로 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 3 내지 8개의 고리원자를 포함하는 일환상 또는 다환상 방향족 탄화수소 라디칼일 수 있고, 각 고리에 적절하게는 3 내지 7개, 바람직하게는 5 또는 6개의 고리원자를 포함하는 단일 또는 융합 고리계를 포함하며, 다수개의 헤테로아릴이 단일결합으로 연결되어 있는 형태까지 포함한다.
본 발명에 기재된 「시클로알킬」은 3 내지 9개의 탄소 원자의 완전히 포화 및 부분적으로 불포화된 탄화수소 고리를 의미하며, 아릴 또는 헤테로아릴이 융합되어 있는 경우도 포함하며, 본 발명에 기재된 「헤테로시클로알킬」은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함하는 4 내지 10개의 고리원자를 포함하는 일환상 또는 다환상 비방향족 라디칼일 수 있다.
본 발명에 따른 임프린트용 광경화형 레진 조성물은 높은 투명성을 가지며, 기재와의 밀착성이 현저하게 향상된 경화막, 나노구조체 등을 형성할 수 있을 뿐 아니라 다양한 형태의 몰드를 이용하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 레진 조성물은 하기 화학식 1의 불소계 아크릴화합물(A), 분자 내 광중합성 관능기를 1개 또는 2개 갖는 아크릴화합물(B) 및 광개시제(D)를 포함함으로써, 기재와의 계면에서 부풀어짐이나 박리 현상 등을 억제할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112015101996848-pat00007
[화학식 1에서,
R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C10)알킬이며;
L1 은 -(CF2)n- 또는 CF2(OCF2CF2)m-OCF2-이고, 상기 n은 2 내지 10에서 선택되는 정수이고, m은 1 내지 5에서 선택되는 정수이다.]
게다가, 본 발명에 따른 레진 조성물은 상기 조성을 가짐에 따라 몰드에 추가적인 이형 처리를 실시하지 않고도 양호한 이형특성을 보여 연속 전사가 가능하여, 이를 이용한 경화막, 나노구조체 등을 높은 생산성으로 제조할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 레진 조성물은 상술된 조합을 가짐에 따라 양호한 혼화성을 보이며, 몰드에 추가적인 이형처리를 하지 않아도 우수한 이형특성을 구현할 수 있다. 이때, 보다 효과적인 이형특성을 가지기 위한 측면에서 상기 화학식 1로 표시되는 불소계 아크릴화합물(A)의 R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C7)알킬이고, m은 1 또는 2의 정수일 수 있으며, 바람직하게는 각각 독립적으로 수소, 메틸, 에틸, 프로필 등에서 선택되는 것 일 수 있다. 또한, 상술한 효과뿐 아니라 우수한 에칭 내성을 가지는 측면에서 보다 바람직하게 상기 불소계 아크릴화합물(A)은 1H,1H,4H,4H-퍼플루오로-1,4-부탄다이올 다이아크릴네이트(1H,1H,4H,4H-perfluoro-1,4-butanediol diacrylate), 1H,1H,5H,5H-퍼플루오로-1,5-펜탄다이올 다이아크릴네이트 (1H,1H,5H,5H-perfluoro-1,4-pentanediol diacrylate), 1H,1H,6H,6H-퍼플루오로-1,6-헥산다이올 다이아크릴네이트 (1H,1H,6H,6H-perfluoro-1,6-hexanediol diacrylate), 1H,1H,8H,8H-퍼플로로-1,8-옥탄다이올 다이아크릴네이트 (1H,1H,8H,8H-perfluoro-1,8-hexanediol diacrylate), 1H,1H,9H,9H-퍼플로로-1,9-노난다이올 다이아크릴네이트 (1H,1H,9H,9H-perfluoro-1,9-nonanediol diacrylate), 1H,1H,10H,10H-퍼플로로-1,10-데칸다이올 다이아크릴네이트 (1H,1H,10H,10H-perfluoro-1,10-decanediol diacrylate), 1H,1H,12H,12H-퍼플로로-1,12-언데칸다이올 다이아크릴네이트 (1H,1H,12H,12H-perfluoro-1,12-undecanediol diacrylate), 1H,1H,8H,8H-퍼플로오로-3,6-다이옥사옥탄-1,8-다이올 다이아크릴레이트(1H,1H,8H,8H-perfluoro-3,6-dioxaoctan-1,8-diol diacrylate), 1H,1H,11H,11H-퍼플로오로-3,6,9-트리옥사언데칸-1,11-다이올 다이아크릴레이트(1H,1H,11H,11H-perfluoro-3,6,9-trioxaundecane-1,11-diol diacrylate, C14H10F12O7), 1H,1H,14H,14H-퍼플로오로-3,6,9,12-테트라옥사테트라데칸-1,14-다이올 다이아크릴레이트(1H,1H,14H,14H-perfluoro-3,6,9,12-tetraoxatetradecane-1,14-diol diacrylate, C16H10F16O8), 불소화 폴리에틸렌글리콜 다이아크닐레이트(fluorinated polyethylene glycol diacrylate) 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 레진 조성물은 하기 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 아크릴화합물(B)에서 선택되는 하나 이상을 포함한 조합을 가짐으로써, 에칭 가공된 기재와의 갭필 특성을 향상시킬 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112015101996848-pat00008
[화학식 3]
Figure 112015101996848-pat00009
[화학식 2 및 3에서,
R3, R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C10)알킬이며;
R6 은 수소, (C1-C10)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C3-C20)헤테로시클로알킬, (C6-C20)아릴(C1-C10)알킬, (C6-C20)아릴, (C3-C20)헤테로아릴, 디(C1-C10)알킬실릴, 트리(C1-C10)알킬실릴, 디(C1-C10)알콕시실릴, 트리(C1-C10)알콕시실릴, 디(C1-C10)알킬(C6-C20)아릴실릴, 트리(C6-C20)아릴실릴 또는
Figure 112015101996848-pat00010
이고, 상기 p는 1 내지 5의 정수이고, 상기 R11은 수소, (C1-C10)알킬 또는 (C6-C20)아릴이며;
L2 는 단일결합, (C1-C10)알킬렌, (C6-C20)아릴렌 또는
Figure 112015101996848-pat00011
이고, 상기 q는 1 내지 5의 정수이며;
상기 R6의 알킬, 아릴이 치환된 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴, 알킬아릴, 헤테로아릴, 트리알킬실릴, 디알킬아릴실릴, 트리아릴실릴과 L2의 알킬렌, 아릴렌은 각각 독립적으로 불소, 시아노, 니트로, -OR21, -SR21, (C6-C10)아릴, -O(C6-C10)아릴, 히드록시(C1-C8)알킬, 할로(C1-C7)알킬, -Si-(OR21)3, -NR21R22 -C(O)R21, -COOR21 및 -C(O)NR21R22로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있으며, 상기 R21 내지 R23은 각각 독립적으로 (C1-C10)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C3-C20)헤테로시클로알킬, (C6-C20)아릴 또는 (C3-C20)헤테로아릴이며, 상기 헤테로시클로알킬 및 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.]
이때, 상기 아크릴화합물(B)은 광중합성 관능기 및 광중합성 관능기와 반응할 수 있는 관능기를 동시에 포함하는 것이 바람직하며, 상기 광중합성 관능기는 아크릴기 등일 수 있으며, 상기 광중합성 관능기와 반응할 수 있는 관능기는 하이드록시기, 티올기, 알콕시실릴기 등일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 바와 같은 효과를 가지기 위해, 본 발명에 따른 레진 조성물에 포함되는 아크릴화합물(B)의 구체적인 일예로는 3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트 (3,5,7,9-tetraoxa-4,6,8-trisilaundecan-1,11-diol dimethacrylate), 4,6,8-헥사메틸-3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트 (4,6,8-hexamethyl-3,5,7,9-tetraoxa-4,6,8-trisilaundecan-1,11-diol dimethacrylate), 4,6,8-트리메틸-4,6,8-트리페닐-3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트 (4,6,8-trimethyl-4,6,8-triphenyl-3,5,7,9-tetraoxa-4,6,8-trisilaundecan-1,11-diol dimethacrylate), 1,4-사이클로헥산다이메탄올1,4-다이아크릴레이트(1,4-cyclohexanedimethanol 1,4-diacrylate), 다이에틸렌글리콜 다이아크릴레이트(diethyleneglycol diacrylate), 트리에틸렌글리콜 다이메타크릴레이트(triethyleneglycol dimethacrylate), 트리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트(triethyleneglycol diacrylate), 폴리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트(polyethyleneglycol diacrylate), 다이프로필렌글리콜 다이아크릴레이트(dipropylene glycol diacrylate), 트리프로필렌글리콜 다이아크릴레이트(tripropylene glycol diacrylate), 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트(dimethylol tricyclo decane diacrylate), 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이메타크릴레이트(dimethylol tricyclo decane dimethacrylate), 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트(dimethylol tricyclo decane diacrylate) 등의 다이아크릴레이트계 화합물; 및 2-페녹시에틸 아크릴레이트 (2-phenoxyethyl acrylate), 2-페녹시에틸 메타크릴레이트(2-phenoxyethyl methacrylate), 3-페녹시벤질 아크릴레이트(3-phenoxybenzyl acrylate), 3-페녹시벤질 메타크릴레이트(3-phenoxybenzyl methacrylate), 페녹시 테트라에틸렌글리콜 아크릴레이트(phenoxy tetraethyleneglycol acrylate), 페녹시 트리에틸렌글리콜 아크릴레이트(phenoxy triethyleneglycol acrylate), 페녹시 다이에틸렌글리콜 아크릴레이트(phenoxy diethyleneglycol acrylate), 페녹시 폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트(phenoxy polyethyleneglycol acrylate), 페녹시 테트라에틸렌글리콜 메타크릴레이트(phenoxy tetraethyleneglycol methacrylate), 페녹시 트리에틸렌글리콜 메타크릴레이트(phenoxy triethyleneglycol methacrylate), 페녹시 다이에틸렌글리콜 메타크릴레이트(phenoxy diethyleneglycol methacrylate), 메톡시 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트(methoxy polyethyleneglycol methacrylate), 테트라하이드로퓨릴 아크릴레이트(tetrahydrofuryl acrylate), 사이클로헥실 메타크릴레이트(cyclohexyl methacrylate), 이소보닐 아크릴레이트(isobornyl acrylate), 다이사이클로펜테닐 아크릴레이트(dicyclopentenyl acrylate), 다이사이클로펜테닐옥시에틸 메타크릴레이트(dicyclopentenyloxyethyl methacrylate), 다이사이클로펜타닐 아크릴레이트(dicyclopentanyl acrylate), 3-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란((3-methacryloxypropyl)trimethoxysilane), 3-(아크릴옥시프로필)트리메톡시실란((3-acryloxypropyl)trimethoxysilane) 등의 모노아크릴레이트계 화합물;에서 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 조성물 상호간의 혼화성을 향상시키고, 기재와의 밀착력을 향상시키기 위한 측면에서, 바람직하게는 2-페녹시에틸 아크릴레이트, 테트라하이드로퓨릴 아크릴레이트, 3-(메타크릴옥시프로필) 트리메톡시실란, 3-페녹시벤질 아크릴레이트, 페녹시 테트라에틸렌글리콜 아크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 페녹시 다이에틸렌글리콜 아크릴레이트, 3-(메타크릴옥시프로필) 트리메톡시실란, 폴리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 다이메타크릴레이트, 1,4-사이클로헥산다이메탄올-1,4-다이아크릴레이트, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트, 다이프로필렌글리콜 다이아크릴레이트 등에서 선택되는 둘 이상을 포함하는 것이 좋다.
또한 습식 에칭을 행하는 경우, 에칭액의 침투에 의한 언더컷을 방지하기 위해 포스트베이킹을 추가로 더 행하는 것이 좋다. 이때, 포스트 베이킹은 통상의 온도에서 수행될 수 있으며, 좋게는 90 내지 150 ℃에서 수행될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 레진 조성물은 에칭 내성 및 에칭 선택성이 탁월하여 균일하고 고르게 코팅된 경화막 및 나노구조체 등을 형성할 수 있으며, 다양한 형태의 몰드 등을 이용하거나 에칭액을 이용하여 미세 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 레진 조성물은 불소계 아크릴화합물(A) 30 ~ 60 중량%, 아크릴화합물(B) 10 ~ 65 중량% 및 광개시제(D) 0.001 ~ 5 중량%의 조성비로 혼합됨으로써 몰드와의 이형 특성이 우수하고, 표면 막질의 상태가 양호한 투명 패턴을 형성할 수 있다. 이때, 상기 레진 조성물에 화합물(C) 1~25 중량%를 더 포함함으로써, 특히 사불화탄소(CF4)에 대한 에칭 내성을 탁월하게 향상시킬 수 있었다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 조성의 레진 조성물의 점도는 한정되지는 않지만 5 내지 1000 cps(centipoise, 25 ℃)인 것일 수 있으며, 임프린트용 몰드 내 레진의 침투성을 보다 향상시키기 위한 측면에서 5 내지 100 cps(25 ℃)가 바람직하며, 5 내지 20cps(25 ℃)가 보다 바람직하다.
본 발명에 따른 상기 몰드의 요철 패턴 형상이나 크기 등은 제한되지 않으며, 목적하는 경화막, 나노구조체의 패턴의 형상이나 크기 등에 따라 적절히 설정될 수 있음은 물론이다. 상기 요철 패턴에 있어서의 각 오목부의 단면 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 정사각형, 직사각형, 반원형, 삼각형, 이들 형상에 유사한 형상, 부정형 등을 다양하게 변화될 수 있다. 이때, 상기 요철 패턴의 각 오목부의 깊이는 특별히 한정되지 않지만, 1 nm 내지 100 ㎛가 바람직하고, 각 오목부의 개구부의 폭은 특별히 한정되지 않지만, 1 nm 내지 100 ㎛가 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따른 레진 조성물은 기재와의 밀착력을 높이기 위한 측면에서 다기능성 광가교 화합물인 화합물(C)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 이는 본 발명에 따른 레진 조성물에 혼합된 불소계 아크릴화합물(A) 및 아크릴화합물(B) 등과 혼합되어 기재와 레진 조성물의 밀착력을 현저하게 향상시킬 수 있을 뿐 아니라 불소계 아크릴화합물(A)과의 높은 혼화성으로 이종 계면에서의 우수하고 균일한 밀착력을 나타낼 수 있다. 상기 다기능성 광가교 화합물인 화합물(C)의 구체적인 일예로는 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 트리스(2-하이드록시에틸 이소시아누레이트) 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스톨 테트라아크릴레이트 및 다이펜타에리스톨 헥사아크릴레이트 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 불소계 아크릴화합물(A), 분자 내 광중합성 관능기를 1개 또는 2개 갖는 아크릴화합물(B) 및 광개시제(D)를 포함하는 광경화형 레진 조성물을 기재 일면에 도포한 후 몰드로 이형하여 미세 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 미세 패턴층에 광을 조사하여 광경화하는 단계를 포함하는 패턴의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 레진 조성물은 분자 내 광중합성 관능기 및 광중합성 관능기와 반응할 수 있는 관능기에서 선택되는 3개 이상의 관능기를 갖는 화합물(C)을 더 포함하는 것이 기재와의 계면에서 부풀어짐이나 박리 현상 등을 최소화 할 수 있어 바람직하다.
이때, 상기 아크릴화합물(B)은 상기 화학식 2 및 3에서 선택되는 하나 이상일 수 있으며, 상기 화합물(C)는 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 트리스(2-하이드록시에틸 이소시아누레이트) 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스톨 테트라아크릴레이트 및 다이펜타에리스톨 헥사아크릴레이트 등에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 광개시제(D)는 상기 레진 조성물을 광경화시키는 역할을 하는 것으로 통상의 광개시제라면 한정되는 것은 아니며, 이의 구체적인 일예로는 벤지온알킬에테르(Benzionalkylether), 벤조페논(Benzophenone), 벤질디메틸카탈(Benzyl dimethylkatal), 하이드록시사이클로헥실 페닐아세톤(Hydroxycyclohexyl phenylacetone), 클로로아세토페논(Chloroacetophenone), 1,1-디클로로 아세토페논(1,1-Dichloro acetophenone), 디에톡시 아세토페논(Diethoxy acetophenone), 하이드록시아세토페논 (Hydroxy Acetophenone), 2-클로로티옥산톤(2-Chorothioxanthone), 2-에틸안트라튀논[2-ETAQ(2-EthylAnthraquinone)], 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤(1-Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, Irgacure 184), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-1-프로파논(2-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-1-propanone), 2-하이드록시-1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로파논(2-Hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1-propanone) 및 메틸벤조일포메이트(methylbenzoylformate)등에서 선택되는 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패턴의 제조방법에 있어, 상기 도포는 스핀코팅, 바코팅 및 스프레이코팅, 잉크젯 코팅 등에서 선택되는 방법으로 수행되는 것이 바람직하며, 통상의 도포 방법으로 수행될 수 있음은 물론이다.
본 발명에 따른 패턴의 제조방법으로 제조된 상기 미세 패턴층은 제한되지는 않으나 건조 도포 두께가 1 내지 150 nm 범위인 것이 좋으며, 바람직하게는 1내지 100 nm, 보다 바람직하게는 1 내지 50nm인 것이 UV 임프린트 후 잔류층을 최소할 수 있어 좋다.
이하 실시예 및 비교예를 바탕으로 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위한 하나의 예시일 뿐, 본 발명이 하기 실시예 및 비교예에 의해 제한되는 것은 아니다.
(실시예 1)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
날젠 100 ML PE 용기에 1H,1H,4H,4H-퍼플로오로-1,4-부탄다이올 다이아크릴레이트 47 g, 페녹시에틸 아크릴레이트 24 g, 테트라하이드로퓨릴 아크릴레이트 23 g, 3-(메타크릴옥시프로필) 트리메톡시실란 1 g, 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트) 1 g 및 Irgacure 184 4 g를 넣고, 24 시간동안 상온(25 ℃)에서 교반하여 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실리콘웨이퍼 기재(10cm × 10cm)에 상기 광경화형 레진 조성물을 3,000rpm의 회전수로 30초간 스핀코팅 하였다. 스핀 코팅한 도포 기재 상에 하기 도 1에 도시한 직사각형 패턴을 가지는 우레탄 몰드(질량 15g, 접지부분의 그키 5 mm × 5 mm)를 탑재하고, 주식회사 탑콘 제품인 플록시미티 노광기 TME-150PRC를 사용하여, 노광량 13mW/㎠(UV A 기준)로 3분 동안 전체면을 노광하였다. 노광량은 우시오전기 주식회사 제품인 적산 광량계 UIT-102, 수광기 UVD-365PD로 측정하였다. 노광 후, 몰드를 제거하고, 오븐 중 120 ℃에서 5분 동안 포스트베이킹하여 패턴(건조 도포 두께 = 5 um)을 형성하였다.
이의 방법으로 제조된 패턴의 물성을 하기와 같은 방법으로 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
1) 코팅성 평가
주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 경화 전 후의 상태를 확인하였다. 이때 혼화성이 좋지 않은 재료를 이용할 경우, 스핀코팅시 빗살무늬가 확인되나 clear 한 막질은 이러한 흔적없이 깨끗하게 확인되었다.
2) 점도 측정
상기 광경화형 레진 조성물의 점도 측정은 DV-II + VISCOMETER(브룩필드)를 이용하여 41 spindle/30rpm에서 초기 점도(25℃ 기준)를 측정하였다. 측정양(3 mL)은 동일하게 사용되었으며, bubble 없는 상태에서 측정하여 오차를 최소화 하였다.
3) 내에칭성 측정
내에칭성 확인 방법은 ICP 장비를 통해 식각하여 알파스텝으로 두께를 확인하였다. 식각 가스는 CF4를 사용하였고, 같은 장비, 동일한 조건으로 1차, 2차, 3차로 세 번을 나누어 식각하였다. 식각 후 두께는 3번을 연속 측정하여 평균값을 사용하였다. 내에칭성은 식각된 두께와 식각 시간(min)을 확인하여 하기 식에 따라 계산하여 1,2,3차의 평균값으로 나타내었다.
내에칭성 = (식각된 두께(um)/식각 시간(min))
(실시예 2)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
날젠 100ML PE 용기에 1H,1H,11H,11H-퍼플로오로-3,6,9-트리옥사언데칸-1,11-다이올 다이아크릴레이트 38 g, 4,6,8-헥사메틸-3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트 31 g, 폴리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트 13 g, 트리에틸렌글리콜 디메타크릴레이트 13 g, 3-(메타크릴옥시프로필) 트리메톡시실란 1 g, Irgacure 184 4 g를 넣고 24시간동안 상온에서 교반하여 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 실시예 2에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(실시예 3)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
날젠 100ML PE 용기에 1H,1H,11H,11H-퍼플로오로-3,6,9-트리옥사언데칸-1,11-다이올 다이아크릴레이트 45 g, 1,4-사이클로헥산다이메탄올-1,4-다이아크릴레이트 32 g, 폴리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트 5 g, 트리에틸렌글리콜 다이메타크릴레이트 13 중량부, 3-(메타크릴옥시프로필) 트리메톡시실란 1 g, Irgacure 184 4 g를 넣고 24시간동안 상온에서 교반하여 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 실시예 3에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(실시예 4)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
상기 실시예 3의 광경화형 레진 조성물에서 트리에틸렌글리콜 다이메타크릴레이트 대신 3-페녹시벤질 아크릴레이트를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 조건으로 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 실시예 4에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(실시예 5)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
날젠 100ML PE 용기에 1H,1H,11H,11H-퍼플로오로-3,6,9-트리옥사언데칸-1,11-다이올 다이아크릴레이트 45 g, 1,4-사이클로헥산다이메탄올-1,4-다이아크릴레이트 16 g, 페녹시 테트라에틸렌글리콜 아크릴레이트 5 g, 3-페녹시벤질 아크릴레이트 29 g, 3-(메타크릴옥시프로필) 트리메톡시실란 1 g, Irgacure 184 4 g를 넣고 24시간 교반동안 상온에서 교반하여 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 실시예 5에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(실시예 6)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
날젠 100ML PE 용기에 1H,1H,11H,11H-퍼플로오로-3,6,9-트리옥사언데칸-1,11-다이올 다이아크릴레이트 40 g, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트 10 g, 이소보닐 아크릴레이트 26 g, 페녹시 다이에틸렌글리콜 아크릴레이트 20 g, Irgacure 184 4 g를 넣고 24시간 교반동안 상온에서 교반하여 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 실시예 6에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(실시예 7)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
날젠 100ML PE 용기에 1H,1H,11H,11H-퍼플로오로-3,6,9-트리옥사언데칸-1,11-다이올 다이아크릴레이트 41 g, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트 5 g, 다이프로필렌글리콜 다이아크릴레이트 35 g, 다이펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 (DPHA) 1 g, 페녹시 다이에틸렌글리콜 아크릴레이트 14 g, Irgacure 184 4 g를 넣고 24시간동안 상온에서 교반하여 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 실시예 7에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(비교예 1)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
날젠 100ML PE 용기에 1H,1H,4H,4H-퍼플로오로-1,4-부탄디올 디아크릴레이트 10 g, 페녹시에틸 아크릴레이트 61 g, 테트라하이드로퓨릴 아크릴레이트 23 g, 메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란 1 g, 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트) 1 g, Irgacure 184 4 g를 넣고 24시간동안 상온에서 교반하여 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 비교예 1에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(비교예 2)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
날젠 100ML PE 용기에 1H,1H,4H,4H-퍼플로오로-1,4-부탄다이올 다이아크릴레이트 70 g, 페녹시에틸 아크릴레이트 10 g, 테트라하이드로퓨릴 아크릴레이트 14 g, 메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란 1 g, 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트) 1 g, Irgacure 184 4 g를 넣고 24시간 교반동안 상온에서 교반하여 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 비교예 2에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
(비교예 3)
A. 광경화형 레진 조성물의 제조
상기 실시예 1의 1H,1H,4H,4H-퍼플로오로-1,4-부탄다이올 다이아크릴레이트 대신 1,4-부탄다이올 다이아크릴레이트(CAS number:1070-70-8)를 사용하는 것을 제외하고는 동일한 방법으로 광경화형 레진 조성물을 제조하였다.
B. 패턴의 형성방법
실시예 1에서 제조된 광경화형 레진 조성물 대신 비교예 3에서 제조된 조성물을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 1의 B와 동일한 조건으로 패턴을 형성하고, 이의 물성을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112015101996848-pat00012
상기 표 1에서 보이는 바와 같이, 비교예 3과 같이 화학식 1의 화합물을 사용하지 않거나 비교예 1 및 2와 같이 본 발명의 조성비를 벗어나는 광경화형 레진 조성물을 이용할 경우, 임프린트 몰드와의 이형특성이 불량하며, 사불화탄소에 대한 식각내성이 현저하게 저하됨을 알 수 있습니다. 또한 코팅성 평가시에도 깨끗한 막질을 구현할 수 없었음을 알 수 있습니다.
이에 반해, 실시예 1 내지 7에서 보이는 바와 같이, 본 발명의 조성 및 조성비를 만족할 경우 몰드와의 이형특성이 우수하며, 기재와의 밀착력 또한 현저하게 향상됨을 알 수 있었습니다. 특히, 실시예에서 보인바와 같이 불소계 아크릴화합물(A)을 38 내지 45 중량부로 포함할 경우 신뢰성 높은 막질 특성을 가지는 패턴이 형성됨을 확인할 수 있었다.
10: 기판
20: 레진조성물
30: 스템프

Claims (11)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 불소계 아크릴화합물(A), 분자 내 광중합성 관능기를 1개 또는 2개 갖는 아크릴화합물(B) 및 광개시제(D)를 포함하는 나노 임프린트용 광경화형 레진 조성물;
    [화학식 1]
    Figure 112017004191928-pat00013

    [화학식 1에서,
    R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C7)알킬이며;
    L1 은 CF2(OCF2CF2)m-OCF2-이고, 상기 m은 1 내지 2에서 선택되는 정수이다.]
  2. 제1항에 있어서,
    상기 아크릴화합물(B)는 하기 화학식 2 및 화학식 3으로 표시되는 아크릴화합물에서 선택되는 하나 이상인 나노 임프린트용 광경화형 레진 조성물;
    [화학식 2]
    Figure 112017004191928-pat00014

    [화학식 3]
    Figure 112017004191928-pat00015

    [화학식 2 및 3에서,
    R3, R4 및 R5 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C10)알킬이며;
    R6 은 수소, (C1-C10)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C3-C20)헤테로시클로알킬, (C6-C20)아릴(C1-C10)알킬, (C6-C20)아릴, (C3-C20)헤테로아릴, 디(C1-C10)알킬실릴, 트리(C1-C10)알킬실릴, 디(C1-C10)알콕시실릴, 트리(C1-C10)알콕시실릴, 디(C1-C10)알킬(C6-C20)아릴실릴, 트리(C6-C20)아릴실릴 또는
    Figure 112017004191928-pat00016
    이고, 상기 p는 1 내지 5의 정수이고, 상기 R11은 수소, (C1-C10)알킬 또는 (C6-C20)아릴이며;
    L2 는 단일결합, (C1-C10)알킬렌, (C6-C20)아릴렌 또는
    Figure 112017004191928-pat00017
    이고, 상기 q는 1 내지 5의 정수이며;
    상기 R6의 알킬, 아릴이 치환된 알킬, 시클로알킬, 헤테로시클로알킬, 아릴, 알킬아릴, 헤테로아릴, 트리알킬실릴, 디알킬아릴실릴, 트리아릴실릴과 L2의 알킬렌, 아릴렌은 각각 독립적으로 불소, 시아노, 니트로, -OR21, -SR21, (C6-C10)아릴, -O(C6-C10)아릴, 히드록시(C1-C8)알킬, 할로(C1-C7)알킬, -Si-(OR21)3, -NR21R22, -C(O)R21, -COOR21 및 -C(O)NR21R22로 이루어진 군으로부터 독립적으로 선택된 하나 이상의 치환기로 치환될 수 있으며, 상기 R21 내지 R23은 각각 독립적으로 (C1-C10)알킬, (C3-C20)시클로알킬, (C3-C20)헤테로시클로알킬, (C6-C20)아릴 또는 (C3-C20)헤테로아릴이며, 상기 헤테로시클로알킬 및 헤테로아릴은 B, N, O, S, P(=O), Si 및 P로부터 선택된 하나 이상의 헤테로원자를 포함한다.]
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 아크릴화합물(B)은 3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트, 4,6,8-헥사메틸-3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트, 4,6,8-트리메틸-4,6,8-트리페닐-3,5,7,9-테트라옥사-4,6,8-트리실라운데칸-1,11-다이올 다이메타크릴레이트, 1,4-사이클로헥산다이메탄올 1,4-다이아크릴레이트, 다이에틸렌글리콜 다이아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 다이메타크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 다이아크릴레이트, 다이프로필렌글리콜 다이아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜 다이아크릴레이트, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이메타크릴레이트, 다이메틸올 트리사이클로데칸 다이아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 메타크릴레이트, 3-페녹시벤질 아크릴레이트, 3-페녹시벤질 메타크릴레이트, 페녹시 테트라에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시 트리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시 다이에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시 폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 페녹시 테트라에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 페녹시 트리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 페녹시 다이에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 메톡시 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트, 테트라하이드로퓨릴 아크릴레이트, 사이클로헥실 메타크릴레이트, 이소보닐 아크릴레이트, 다이사이클로펜테닐 아크릴레이트, 다이사이클로펜테닐옥시에틸 메타크릴레이트, 다이사이클로펜타닐 아크릴레이트, 3-(메타크릴옥시프로필)트리메톡시실란 및 3-아크릴옥시프로필 트리메톡시실란에서 선택되는 하나 이상인 나노 임프린트용 광경화형 레진 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 조성물은 분자 내 광중합성 관능기 및 광중합성 관능기와 반응할 수 있는 관능기에서 선택되는 3개 이상의 관능기를 갖는 화합물(C)를 더 포함하는 것인 나노 임프린트용 광경화형 레진 조성물.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 화합물(C)은 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 트리스(2-하이드록시에틸 이소시아누레이트) 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트, 펜타에리스톨 테트라아크릴레이트 및 다이펜타에리스톨 헥사아크릴레이트에서 선택되는 하나 이상인 나노 임프린트용 광경화형 레진 조성물.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 조성물은 불소계 아크릴화합물(A) 30 ~ 60 중량%, 아크릴화합물(B) 10~ 65 중량% 및 광개시제(D) 0.001 ~ 5 중량%를 포함하는 것인 나노 임프린트용 광경화형 레진 조성물.
  8. 하기 화학식 1로 표시되는 불소계 아크릴화합물(A), 분자 내 광중합성 관능기를 1개 또는 2개 갖는 아크릴화합물(B) 및 광개시제(D)를 포함하는 광경화형 레진 조성물을 기재 일면에 도포한 후 몰드로 이형하여 미세 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 미세 패턴층에 광을 조사하여 광경화하는 단계를 포함하는 패턴의 제조방법;
    [화학식 1]
    Figure 112017004191928-pat00018

    [화학식 1에서,
    R1 및 R2 는 각각 독립적으로 수소 또는 (C1-C7)알킬이며;
    L1 은 CF2(OCF2CF2)m-OCF2-이고, 상기 m은 1 내지 2에서 선택되는 정수이다.]
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 도포는 스핀코팅, 바코팅, 스프레이코팅 및 잉크젯 코팅에서 선택되는 방법으로 수행되는 패턴의 제조방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 미세 패턴층의 건조 도포 두께는 1 내지 150 nm인 패턴의 제조방법.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 조성물은 분자 내 광중합성 관능기 및 광중합성 관능기와 반응할 수 있는 관능기에서 선택되는 3개 이상의 관능기를 갖는 화합물(C)를 더 포함하는 것인 패턴의 제조방법.
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