KR101724711B1 - Measurement apparatus of light emitting device chip - Google Patents
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Abstract
실시 예는 발광 칩 측정 장치에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 칩 측정장치는 복수의 발광 칩이 부착되는 접착 부재; 상기 접착 부재의 아래에서 상기 접착 부재를 고정 및 지지하는 로딩 척을 포함하는 척 부재를 포함하며, 상기 로딩 척 내부에는 복수의 관통홀이 배치되며, 상기 로딩 척의 표면 거칠기는 10㎛이하의 평탄도를 포함한다.An embodiment relates to a light emitting chip measuring apparatus.
The light emitting chip measuring apparatus according to the embodiment includes an adhesive member to which a plurality of light emitting chips are attached; And a chuck member including a loading chuck for fixing and supporting the adhesive member under the bonding member, wherein a plurality of through holes are disposed in the loading chuck, and a surface roughness of the loading chuck is not more than 10 占 퐉 .
Description
실시 예는 발광 칩 측정을 위한 장치에 관한 것이다.An embodiment relates to an apparatus for light emitting chip measurement.
엘이디(LED) 제품의 제조 과정 중에는 여러 가지 원인으로 불량품이 발생한다. 이들 불량품이 제조 중에 적절히 제거되지 못하면 불필요한 후속 공정을 거치게 되므로 재료비, 공정비 등의 손실을 초래하게 된다. 이러한 손실을 줄이기 위해 제조 공정 중에 LED 칩을 테스트하고, 그 테스트 결과에 따라 LED 칩을 적절한 등급으로 분류하는 장치가 이용된다.During the manufacturing process of the LED product, defective products occur for various reasons. If these defective products can not be properly removed during the production, unnecessary subsequent processes are performed, resulting in loss of material cost, process cost, and the like. In order to reduce the loss, an apparatus for testing the LED chip during the manufacturing process and classifying the LED chip into an appropriate grade according to the result of the test is used.
그러한 장치의 일례로서, 패키지(package) 공정을 거치기 전에 LED 칩의 광 특성을 측정하는 LED 칩 테스트장치, 또는 상기 LED 칩 테스트장치를 포함하며 LED 칩의 광 특성의 측정값에 기초하여 LED 칩을 분류하는 LED 칩 분류장치가 알려져 있다.As an example of such a device, an LED chip test apparatus that measures the optical characteristics of the LED chip before passing through a package process, or an LED chip test apparatus that includes the LED chip test apparatus, LED chip sorting devices for sorting are known.
LED 칩 측정장치에서는 LED 칩의 측정 불량률을 감소할 수 있는 방안이 요구되고 있다.
In the LED chip measuring apparatus, there is a demand for a method of reducing the measurement defective rate of the LED chip.
실시 예는 새로운 로딩 척을 갖는 발광 칩의 측정 장치를 제공한다.An embodiment provides a measurement apparatus for a light emitting chip having a new loading chuck.
실시 예는 표면 평탄도가 개선된 로딩 척을 갖는 발광 칩의 측정 장치를 제공한다.The embodiment provides a measurement apparatus for a light emitting chip having a loading chuck with improved surface flatness.
실시 예는 발광 칩을 지지하는 포러스 메탈 척을 이용하여 측정 불량률을 개선한 발광 칩의 측정 장치를 제공한다.The embodiment provides a measuring device for a light emitting chip in which the measurement defective ratio is improved by using a porous metal chuck supporting the light emitting chip.
실시 예에 따른 발광 칩 측정 장치는, 복수의 발광 칩이 부착되는 접착 부재; 상기 접착 부재의 아래에서 상기 접착 부재를 고정 및 지지하는 로딩 척을 포함하는 척 부재를 포함하며, 상기 로딩 척에는 복수의 관통홀이 배치되며, 상기 로딩 척의 표면은 10㎛이하의 평탄도를 가진다. The light emitting chip measuring apparatus according to the embodiment includes: an adhesive member to which a plurality of light emitting chips are attached; And a chuck member including a loading chuck for fixing and supporting the adhesive member under the adhesive member, wherein a plurality of through holes are disposed in the loading chuck, and a surface of the loading chuck has a flatness of 10 mu m or less .
실시 예는 발광 칩의 측정 불량률을 개선할 수 있다.The embodiment can improve the measurement defective rate of the light emitting chip.
실시 예는 대면적 웨이퍼로 인한 편차를 줄일 수 있어, 웨이퍼의 위치 변동을 최소화하여 발광 칩의 측정 불량률을 개선할 수 있다.Embodiments can reduce variations due to a large-area wafer, minimize variations in the position of the wafer, and improve the measurement defective rate of the light emitting chip.
도 1는 실시 예에 의한 발광 칩 측정장치를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 칩 측정장치의 측면도이다.
도 3은 제1실시 예에 따른 발광 칩 측정 장치의 측 단면도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 칩 측정 장치의 측 단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a light emitting chip measuring apparatus according to an embodiment.
2 is a side view of the light emitting chip measuring apparatus shown in FIG.
3 is a side cross-sectional view of the light emitting chip measuring apparatus according to the first embodiment.
4 is a side cross-sectional view of the light emitting chip measuring apparatus according to the second embodiment.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 구비할 수 있다는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is referred to as being "connected" to another part, it includes not only "directly connected" but also "indirectly connected" . Also, when an element is referred to as "comprising ", it means that it can include other elements, not excluding other elements unless specifically stated otherwise.
실시 예에 있어서, "발광 칩"은 웨이퍼를 가공하여 기능소자를 적층한 후 다이싱(dicing)이나 스크라이빙(scribing)을 거친 칩 상태, 즉 에피(EPI) 공정 이후 패키징(packaging) 공정을 거치기 이전의 칩 상태를 말하며, "발광 소자 패키지"는 발광 칩을 완제품 또는 반제품 형태로 가공한 상태, 즉 패키징 공정을 거친 이후의 상태를 말한다.In the embodiment, the "light emitting chip" is formed by laminating functional devices by processing wafers and then performing a dicing or scribing chip state, that is, a packaging process after the epi (EPI) process Quot; light emitting device package "refers to a state in which the light emitting chip is processed into a finished product or a semi-finished product, that is, a state after the packaging process.
이하 첨부된 도면을 참고하여 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1는 실시 예에 의한 발광 칩 측정장치를 개략적으로 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 발광 칩 측정장치의 측면도이다.FIG. 1 is a perspective view schematically showing a light emitting chip measuring apparatus according to an embodiment, and FIG. 2 is a side view of the light emitting chip measuring apparatus shown in FIG.
도 1 및 도 2를 참조하면, 발광 칩 측정장치(100)는 외부에서 공급된 발광 칩의 특성을 측정하는 장비로서, 측정 부재(110), 접촉 부재(120), 접착 부재(135), 척(chuck) 부재(130), 보정 부재(140), 지지 프레임(102)을 포함한다. 1 and 2, the light emitting
상기 발광 칩(L)은 금속제의 링 부재(133)와 상기 링 부재(133)의 내부에 배치된 접착 부재(135) 상에 부착된다. 상기 접착 부재(135)는 상기 발광 칩(L)을 유지 및 보관하는 부재로서 예컨대, 탄성 테이프를 사용할 수 있으며, 바람직하게 점착성을 가진 블루 테이프(blue tape)일 수 있다.The light emitting chip L is attached to a
상기 접착 부재(135)는 발광 칩(L)의 하면 예컨대, 성장 기판이 접착되며, 상기 성장 기판은 예컨대, 대면적 발광 칩에 의해 6인치(inch) 이상으로 형성될 수 있으며, 예컨대 투광성의 사파이어 기판일 수 있다. 상기 접착 부재(135)는 성장 기판(즉, 웨이퍼)의 하면을 고정하고 있어서, 하나의 성장 기판 크기보다 적어도 큰 크기를 갖고, 상기 성장 기판 내에 제조된 개별 발광 칩들이 부착된다.For example, the growth substrate may be formed by a large-area light emitting chip to have a size of 6 inches or more, for example, a translucent sapphire Substrate. The
지지프레임(102) 상에는 전체적으로 척 부재(130)의 외측에서 상기 척 부재(130)의 위로 수직하게 절곡된 수직지지프레임(104)이 고정 설치되며, 이 수직지지프레임(104)에 측정부재(110)가 설치된다. 측정부재(110)의 하측에는 접촉부재(120)가 마련된다. A
측정부재(110)는 발광 칩(L)의 특성을 측정하는 부재이다. 측정부재(110)는 예컨대 적분구를 포함할 수 있다. 적분구(integrating sphere)는 내측에 중공부를 가진 구형의 장치로서, 중공부 내로 광을 받아들여 그 특성을 측정하는 장치이다. 적분구의 내측면은 광을 효과적으로 난반사시키는 물질로 이루어지거나, 그러한 물질로 코팅되어 있으며, 이로 인해 적분구의 중공부 내로 유입되는 광은 적분구 내에서 지속적으로 난반사되며, 따라서 유입되는 광의 강도 및 광 특성이 중공부 내에서 평균화된다.The
적분구를 통해 발광 칩(L)의 광특성을 측정할 수 있다. 이를 위해, 측정부재(110)는 포토 디텍터(photo detector)나 스펙트로미터(spectrometer)를 더 포함할 수 있다. 측정 가능한 광특성으로는 휘도, 파장, 광속, 광도, 조도, 분광분포, 색온도 등이 있다.The optical characteristics of the light emitting chip L can be measured through the integrating sphere. For this purpose, the
접촉부재(120)는 테스트위치에 놓인 척 부재(130) 상의 발광 칩(L)과 접촉하여 이 발광 칩(L)에 전류를 공급하는 부재이다. 접촉부재(120)는 예컨대 프로브 카드 또는 프로브 핀(도 3의 P1, P2)을 포함할 수 있다. 프로브 핀(도 3의 P1, P2)은 전도성이 있는 물질로 이루어지며, 예리한 선단을 갖고 있다. 이 선단 부분이 발광 칩(L)의 전극, 또는 패드나 범프 부분과 접촉하여 발광 칩(L)에 전류를 공급하게 된다. 이로서 발광 칩(L)의 특성을 측정할 수 있게 된다.The
또한, 지지프레임(102) 상에는 척 부재(130)가 마련된다. 척 부재(130)는 발광 칩(L)을 유지하고 적정한 위치로 이동 및 회전시키는 부재이다. 척 부재(130)는 이동 및 회전하는 부재를 포함하는 로딩 척(134)과, Y축 테스트 이동부재(136), 및 X축 이동부재(138)를 포함한다.A
로딩 척(134)은 발광 칩(L) 및 접착 부재(135)를 지지하는 부재이다. 로딩 척(134)의 상면(132)에는 발광 칩(L)이 부착된 접착 부재(135)를 지지 및 고정할 수 있도록 흡착하거나 고정시켜 줄 수 있다. 도면에서 로딩 척(134)은 평면(XY평면)에서 보아 링 형상인 것으로 도시되어 있으나, 그 형태나 크기에 특별한 제한은 없다.The
X축 이동부재(138)는 X축 방향으로 이동가능하게 지지프레임(102) 상에 지지 설치되어 있다. X축 이동부재(138) 상에는 Y축 이동부재(136)가 Y축 방향으로 이동하게 지지 설치되어 있다. Y축 이동부재(136) 상에는 로딩 척(134)이 회전 가능하게 지지 설치되어 있으며, 상기 로딩 척(134)은 Z축(상하) 방향으로 지지 설치되어 있다.The
이로써, 로딩 척(134)은 평면 상에서 X축 및 Y축 방향으로 이동가능하며, 또한 수직방향(Z축 방향)으로도 이동가능하다. 또한, 로딩 척(134)은 회전 가능하다. 그러나, 로딩 척(134)을 이동 및 회전시키기 위한 구성이 상기한 구성으로 한정되는 것은 아니다. 상기 로딩 척을 회전시키는 부재, X축 이동부재(136), 및 Y축 이동부재(138)의 구동을 위해, 액츄에이터, 가이드-레일 부재, 리니어 모터, 회전모터, 랙-피니언 등의 구동부재가 장착될 수 있으며, 이러한 구동부재의 종류나 형태 등에 특별한 제한은 없다.As a result, the
로딩 척(134)의 상면(132)에 접착 부재(135) 및 발광 칩(L)이 위치하게 되면, X축 이동부재(138), Y축 이동부재(136), 및 로딩 척(134)의 구동을 통해, 소정의 발광 칩이 접촉부재(120) 및 측정부재(110)의 하측에 위치하게 된다. 이 상태에서 로딩 척(134)이 상승하면 상기 소정의 발광 칩(L)은 테스트위치(측정위치)에 놓이게 된다. 테스트위치에서 발광 칩(L)의 전극은 접촉부재(120)의 프로브 카드 또는 프로브 핀(도 3의 P1, P2)와 접촉하게 되고, 접촉부재(120)로부터 전류를 받으면 발광 칩(L)이 발광하여 측정부재(110)가 발광 칩의 광특성을 측정하게 된다.When the
이상의 설명에서는 로딩 척(134)이 이동 및 회전가능하고, 측정부재(110) 및 접촉부재(120)가 고정되어 있는 것으로 설명하였다. 즉, 로딩 척(134)이 고정되어 있는 측정부재(110)에 대해 상대적으로 이동하면서 발광 칩(L)의 특성의 측정이 이루어지게 된다. 그러나, 본 발명이 이러한 구성으로 한정되는 것은 아니다.In the above description, the
또한, 이상의 설명에서는 측정부재(110)와 접촉부재(120)가 일체형인 것으로 설명하였으나, 측정부재(110)와 접촉부재(120)가 별개로 구성될 수도 있다. 이 경우 측정부재(110)는 고정되어 있는 것으로 하고, 로딩 척(134)은 평면 및 수직 방향으로 이동 및 회전가능한 것으로 하며, 접촉부재(120)는 로딩 척(134)과는 별개로 수직 방향으로만 이동가능한 것으로 구성할 수도 있다. In the above description, the
보정 부재(140)는 발광 칩 테스트장치(100)의 측정 오류를 파악하고 보정하기 위한 부재이다. 이를 위해 보정부재(140)는 지지부재(142) 및 기준 발광 칩(L) 또는 기준 발광 패키지를 포함할 수 있다.The
기준 발광 칩(L) 또는 기준 발광 패키지는 그 특성이 미리 알려진 발광 칩 또는 발광 패키지로서, 상기 특성은 측정부재(110)를 통해 측정이 가능한 휘도, 파장, 광속, 광도, 조도, 분광분포, 색온도 등의 값일 수 있다.
The reference light emitting chip L or the reference light emitting package is a light emitting chip or a light emitting package whose characteristics are known in advance and the characteristics include a luminance, a wavelength, a luminous flux, a luminous intensity, an illuminance, a spectral distribution, And the like.
도 3은 제1실시 예에 따른 척 부재를 나타낸 도면이다.3 is a view showing a chuck member according to the first embodiment.
도 3을 참조하면, 로딩 척(134) 내부에는 다수의 관통홀(porous)(134A)이 형성되며, 상기 로딩 척(134)의 상면에는 접착 부재(135)가 접착되며, 상기 접착 부재(135) 위에 발광 칩(L)이 부착된다.3, a plurality of through
상기 로딩 척(134)은 금속 재질이며, 상기 금속 재질은 예컨대, Al 계열의 재질이며, 상기 금속 표면에 애노다이징(Anodizing) 처리될 수 있다. 상기 애노 다이징은 산화물질과 같은 보호 보호층을 형성하여 내식성 및 내마모성을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 금속 재질은 애노 다이징 처리를 통해 산화 알루미늄으로 형성될 수 있다.The
상기 로딩 척(134)의 금속 표면은 반사층을 포함할 수 있으며, 이러한 표면의 반사 율은 적어도 50% 이상으로 높게 형성할 수 있다. 이에 따라, 발광 칩(L)으로부터 상기 로딩 척(134) 방향으로 방출되는 광의 반사율을 높여 주어, 측정 부재에 입사되는 광량을 높여줄 수 있다. 이에 따라 발광 칩의 광량 손실을 억제하여 불량 칩으로의 측정을 억제할 수 있다. The metal surface of the
상기 로딩 척(134) 내의 관통홀(134A)은 원형 또는 다각형을 포함하며, 상기 접착 부재(135)의 아래에 대응되는 영역 내에 각각 형성될 수 있다. 상기 관통홀(134A)은 최대 200㎛이내의 직경(또는 너비)이거나 칩 사이즈보다 작은 직경(또는 너비)을 갖도록 형성될 수 있다. 상기 관통홀(134A) 간의 간격은 일정하거나 불규칙한 간격으로 형성될 수 있다. 상기 관통홀(134A)을 통해 상기 접착 부재(135)를 흡착하여 상기 접착 부재(135)를 고정시켜 준다. The through
또한 상기 로딩 척(134)의 표면 상에 무 반사 코팅층이 형성될 수 있다. 상기 무 반사 코팅층은 유전 물질로 코팅하거나 나노 처리하여 형성할 수 있다. Further, a non-reflecting coating layer may be formed on the surface of the
상기 로딩 척(134)을 금속 재질로 사용함으로써, 상면의 평탄도를 다른 재질보다 더 개선시켜 줄 수 있다. 예컨대, 세라믹과 같인 로딩 척은 평탄도 또는 양산 과정에서 세라믹 입자들이 떨어지기 때문에 움푹 패인 곳이 발생되고, 이러한 영역은 발광 칩의 평행 상태나 프로브 카드 또는 프로브 핀 등의 접촉 정확도를 떨어뜨리게 된다. 이는 발광 칩의 측정 불량률을 높이는 원인이 될 수 있다.By using the
실시 예는 로딩 척(134)의 표면의 표면 거칠기는 도금 공정, 연마 공정, 애노다이징 처리 등의 공정에 의해 10㎛이하의 평탄도로 형성될 수 있다. 이러한 표면 거칠기는 발광 칩(L)의 평행 상태를 유지시키고 프로브 카드 또는 프로브 핀(P1,P2)의 접촉 정확도를 높여줄 수 있다. 이에 따라 발광 칩(P1,P2)의 측정 불량률을 개선시켜 줄 수 있다.
In the embodiment, the surface roughness of the surface of the
도 4(A)는 제2실시 예에 따른 척 부재를 나타낸 평면도이며, (B)는 (A)의 측 단면도이다.Fig. 4 (A) is a plan view showing a chuck member according to a second embodiment, and Fig. 4 (B) is a side sectional view of Fig.
도 4의 (A)(B)를 참조하면, 로딩 척(134)의 상부에 단차진 로딩부(134B)를 포함하며, 상기 로딩부(134B)는 상기 로딩 척(134A)의 에지 영역보다 안쪽에 배치되며 에지 영역의 상면보다 낮은 상면을 갖고 형성되며, 그 형상은 원 형상을 포함한다. Referring to FIGS. 4A and 4B, the
상기 로딩부(134B)의 형상은 발광 칩(L)의 성장 기판과 동일한 직경보다 더 큰 직경으로 형성될 수 있다. 이는 상기 발광 칩(L)들이 성장 기판 예컨대, 6인치와 같인 대면적의 웨이퍼 상에서 개별 칩으로 분리된 후 접착 부재(135)로 접착된 상태로 로딩 척(134) 위에 배치됨으로써, 성장 기판 범위 중에서 특히, 외측의 발광 칩의 유동을 최소화할 수 있다.The shape of the
상기 로딩 척(134)의 상부에는 접착 부재(135)가 배치되며, 상기 접착 부재(135)는 상기 로딩 척(134)의 상면 전체를 덮는 형태로 배치되어, 상기 로딩부(134B)의 상면에도 배치된다. An
상기 로딩 척(134)의 로딩부(134B)는 상기 접착 부재(135)가 단차진 구조로 접착됨으로써, 외부 영향에 의해 유동하는 것을 방지될 수 있다. 또한 상기 로딩부(134B) 내에 배치된 발광 칩(L)이 유동에 의해 이탈되는 것을 방지할 수 있다.The
실시 예는 금속 재질의 로딩 척을 제공하여, 발광 칩의 평탄도를 개선해 주어 발광 칩의 측정 불량률을 개선시켜 줄 수 있다. 또한 발광 칩으로부터 방출된 광을 반사시켜 주어, 각 발광 칩의 광량 손실을 줄여 주어, 측정 오류를 줄일 수 있도록 할 수 있다. 또한 실시 예는 로딩 척의 상부에 단차진 로딩부를 배치함으로써, 대면적의 웨이퍼 상에서 제조되는 발광 칩의 이탈을 줄일 수 있다. The embodiment provides a loading chuck made of a metal to improve the flatness of the light emitting chip, thereby improving the measurement defective rate of the light emitting chip. In addition, the light emitted from the light emitting chip is reflected, and the light loss of each light emitting chip is reduced, so that the measurement error can be reduced. In addition, the embodiment can reduce the deviation of the light emitting chip manufactured on the large-area wafer by disposing the stepped loading portion on the top of the loading chuck.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예컨대, 일체형 또는 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분리되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분리된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.It will be understood by those skilled in the art that the foregoing description of the present invention is for illustrative purposes only and that those of ordinary skill in the art can readily understand that various changes and modifications may be made without departing from the spirit or essential characteristics of the present invention. will be. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. For example, each component described as an integral type or a single type may be separately implemented, and components described as being also separated may be implemented in a combined form.
본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.
110: 측정부재, 120: 접촉부재, 130: 척 부재, 135: 접착 부재, 140: 보정 부재, 102: 지지 프레임, 134:로딩 척; 132: 링, L:발광 칩The present invention relates to a measuring apparatus for measuring a distance between a chuck member and a bonding member. 132: ring, L: light emitting chip
Claims (7)
상기 지지 프레임 상의 접착 부재와 상기 접착 부재의 아래에서 상기 접착 부재를 지지하는 로딩 척이 배치되는 척 부재를 포함하고,
상기 로딩 척은 상기 접착 부재의 하면을 노출 시키는 관통홀이 배치되며 상기 로딩 척의 에지 영역보다 낮게 단차진 로딩부를 포함하고,
상기 로딩부 내에는 복수의 발광 칩이 배치되며,
상기 로딩 척의 둘레에 링 부재를 포함하며,
상기 접착 부재는 상기 로딩부로부터 상기 로딩척의 에지영역까지 제공되어 상기 링 부재의 측면과 맞닿아 상기 로딩척의 상면 전체를 덮는 발광 칩 측정 장치.
A support frame; And
And a chuck member on which an adhesive member on the support frame and a loading chuck for supporting the adhesive member are disposed under the adhesive member,
Wherein the loading chuck includes a through hole for exposing a lower surface of the adhesive member and a lower loading portion lower than an edge region of the loading chuck,
A plurality of light emitting chips are disposed in the loading portion,
And a ring member around the loading chuck,
Wherein the adhesive member is provided from the loading portion to the edge region of the loading chuck so as to abut the side surface of the ring member to cover the entire upper surface of the loading chuck.
상기 로딩 척은 금속 재질을 포함하는 발광 칩 측정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the loading chuck comprises a metal material.
상기 로딩 척은 알루미늄 계열의 금속을 포함하는 발광 칩 측정 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the loading chuck comprises an aluminum-based metal.
상기 로딩 척은 회전 가능한 발광 칩 측정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the loading chuck is rotatable.
상기 로딩 척의 표면에는 반사 또는 무반사 코팅층을 포함하는 발광 칩 측정 장치.The method according to claim 1,
And a reflective or non-reflective coating layer on the surface of the loading chuck.
상기 접착 부재는 테이프를 포함하는 발광 칩 측정 장치.The method according to claim 1,
Wherein the adhesive member comprises a tape.
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