KR101715215B1 - 반도체 저장장치의 훼손장치 - Google Patents

반도체 저장장치의 훼손장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체를 기반으로 하는 반도체 저장장치에 정전기를 인가함으로써 정전기에 의해 반도체 저장장치에 저장되어 있는 데이터를 복구할 수 없게 훼손하는 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 처리할 반도체 저장장치(2)가 수용되는 정전기실(10); 정전기실(10)에 설치되고, 하층의 도체판(21), 및 도체판(21) 위에 적층되고 방전경로를 형성하는 관통구(22a)가 다수 천공된 절연판(22)을 포함하며, 반도체 저장장치(2)가 절연판(22) 위에 올려지는 좌대(20); 및 정전기를 발생시키는 정전기 제너레이터(31), 및 정전기 제너레이터(31)에 연결되어 좌대(20)의 상부에서 좌대(20)에 올려진 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)로 정전기를 가하는 정전기조사대(32)를 포함하고, 데이터 단자(2a)가 정전기조사대(32)에 노출되게 반도체 저장장치(2)가 절연판(22) 위에 올려진 상태에서, 정전기조사대(32)로부터 방전된 정전기가 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 인입되어 반도체 저장장치(2)를 거쳐 관통구(22a)를 통해 도체판(21)으로 흘러감으로써, 반도체 저장장치(2)에 기록된 데이터를 복구 불가능하게 훼손하는 정전기 발생장치(30); 를 포함한다.

Description

반도체 저장장치의 훼손장치{Device for Destroying of Semiconductor Memory Device}
본 발명은 반도체 저장장치의 훼손장치에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 반도체를 기반으로 하는 반도체 저장장치에 정전기를 인가함으로써 정전기에 의해 반도체 저장장치에 저장되어 있는 데이터를 복구할 수 없게 훼손하는 장치에 관한 것이다.
컴퓨터나 각종 휴대용 전자기기에 적용되는 저장장치에는 외부에 유출되면 문제가 될 수 있는 민감정보들이 기록되어 있을 수 있고, 저장장치의 데이터는 포맷만으로는 소거(삭제)가 불완전할 수 있기 때문에, 이런 저장장치를 폐기할 때에는 민감정보가 의도하지 않게 타인에게 유출되는 것을 원천적으로 차단하기 위해 복구 불가능하게 데이터를 영구히 소거할 필요가 있다.
저장장치로서는 플래터의 표면에 피복된 자성물질의 자기 배열을 변경하는 방식으로 데이터를 기록하는 하드디스크드라이버(HDD: Hard Disk Drive)가 널리 사용되어 왔고, HDD의 데이터 소거방법으로는, 물리적으로 HDD를 파괴하는 방법, 삭제 프로그램을 실행하여 삭제된 데이터를 복구하지 못하게 하는 방법, 및 자석의 강한 자기장에 HDD를 노출시켜 디가우징 함으로써 데이터를 복구하지 못하게 훼손시키는 방법 등이 있다.
전자기기의 다른 저장장치로는 반도체를 기반으로 하는 반도체 저장장치가 있으며, 널리 알려진 바와 같이 반도체 저장장치는 전원 공급이 중단되면 데이터가 소멸되는 휘발성 메모리(RAM)를 기반으로 하는 저장장치와 전원 공급이 중단되어도 저장된 데이터를 유지하는 비휘발성 메모리(ROM)를 기반으로 하는 저장장치로 크게 대별되며, 후자의 비휘발성 메모리 중에 예를 들어 낸드플래시메모리 저장장치는 전원 공급이 중단되어도 데이터를 유지할 뿐만 아니라, 고속으로 데이터의 읽기 쓰기가 가능하고, 저렴하고 전력소모가 적으며, 소형의 대용량화가 가능하다는 등의 여러 장점으로 인하여, 컴퓨터와 노트북 등의 저장장치인 솔리드스테이트드라이버(SSD: Solid State Drive)로서 뿐만 아니라, 휴대전화, 카메라, USB 메모리 등의 각종 저장장치 등으로 널리 사용되고 있다.
반도체 저장장치의 경우에서도, 민감정보의 의도하지 않은 유출을 방지하기 위해 HDD에서와 같은 데이터 소거가 필요할 수 있으며, 반도체 저장장치에 저장된 데이터를 복구 불가능하게 소거하는 방법은, 반도체 저장장치를 물리적으로 파괴(파쇄) 및/또는 소각 하거나 삭제 프로그램 및/또는 삭제 회로를 통해 데이터를 삭제하고 있으며, 프로그램이나 삭제 회로에 관련된 종래기술로서는 예를 들어 대한민국 특허 제10-0935865호의 '플래시 메모리 소거핀을 이용한 플래시 메모리 소거 방법 및 시스템', 대한민국 특허 제10-0882591호의' 플래시 메모리 소거 장치 및 방법', 및 대한민국 공개특허 제10-2006-0118384호의 '낸드플래시 메모리를 사용한 저장장치시스템에서의 고속데이터 소거 방법' 등이 있다.
그러나 전술한 종래의 반도체 저장장치의 데이터 소거 방법들은, 물리적인 파괴의 방법의 경우. 물리적인 파손에도 불구하고 반도체 저장장치에서 반도체 메모리 영역이 훼손되지 않고 기능을 유지한 상태로 반출될 경우에, 해당 반도체 메모리를 정상 작동하는 저장장치로 옮겨서 데이터를 인식해 낼 가능성을 배제할 수 없을 뿐만 아니라, 특히 파쇄의 경우에는 반도체 저장장치의 외형이 보존되지 않은 때문에 타인에게 파쇄를 의뢰한 경우에 파쇄의 결과물이 파쇄를 주문했던 해당 반도체 저장장치의 파쇄 결과물인지 확인할 수 없기 때문에 불손한 반출을 피할 수 없다는 문제점이 있고, 소각 방법의 경우 대기오염을 유발하는 문제점이 있다.
삭제 프로그램과 회로에 의한 방법의 경우는, 해당 반도체 저장장치가 정상적으로 작동하지 않을 때에는 데이터 소거를 실행할 수 없고, 회로적인 방법의 경우 각각의 반도체 저장장치 마다 소거를 위한 회로를 구축하여야 문제점이 있으며, 프로그램에 의한 방법의 경우 완전한 소거가 보장되지 않을 수 있을 뿐만 아니라 소거작업에 많은 시간이 소요되는 문제점 등이 있다.
이와 같은 기술적 배경 하에서, 본 발명자는 각종 전자장치에서 HDD를 대체하여 저장장치로의 사용이 더욱 증가하고 있는 반도체 기반의 저장장치들에 관련하여, 민감정보의 유출을 방지하기 위해 저장된 데이터를 복구 불가능하게 처리함에 있어서, 해당 반도체 저장장치가 정상작동하고 있는지 여부와 관계없이 외부 원형을 훼손하지 아니하면서 보다 신속하고 확실하게 처리할 수 있는 방법에 대해 여러 가지로 연구한 결과 본 발명을 제안하게 되었다.
본 발명의 목적은, 반도체 기반의 각종 저장장치에 기록된 데이터를 저장장치의 정상 작동 여부와 관계없이 원형을 훼손하지 아니하면서 보다 신속하고 확실하게 복구 불가능하게 훼손할 수 있는 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명에 따라 반도체 저장장치의 훼손장치가 제공된다.
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치는, 정전기실, 좌대 및 정전기 발생장치를 포함한다.
상기 정전기실은 처리할 반도체 저장장치가 수용된다.
상기 좌대는, 상기 정전기실에 설치되고, 하층의 도체판, 및 상기 도체판 위에 적층되고 방전경로를 형성하는 관통구가 다수 천공된 절연판을 포함한다. 상기 반도체 저장장치는 상기 절연판 위에 올려진다.
상기 정전기 발생장치는, 정전기를 발생시키는 정전기 제너레이터, 및 상기 정전기 제너레이터에 연결되어 상기 좌대의 상부에서 상기 좌대에 올려진 상기 반도체 저장장치의 데이터 단자로 정전기를 가하는 정전기조사대를 포함한다.
상기 데이터 단자가 상기 정전기조사대에 노출되게 상기 반도체 저장장치가 상기 절연판 위에 올려진 상태에서, 상기 정전기조사대로부터 방전된 정전기는, 상기 반도체 저장장치의 데이터 단자에 인입되어 상기 반도체 저장장치를 거쳐 상기 관통구를 통해 상기 도체판으로 흘러가며, 이로써 상기 반도체 저장장치에 기록된 데이터가 복구 불가능하게 훼손된다.
삭제
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치에 의해 훼손 처리되는 상기 반도체 저장장치는 SSD 또는 플래시메모리 등이다.
삭제
삭제
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치는, 상기 좌대에 올려지며 상기 반도체 저장장치에 전기적으로 연결되는 커넥터를 포함할 수 있다. 상기 커넥터는 상기 반도체 저장장치의 데이터 단자에 연결되는 일단의 연결단과 상기 정전기조사대로부터의 정전기에 노출되는 타단의 노출단을 구비하는 정전기 유도핀을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치는, 상기 좌대에 잔류하는 정전기를 제거하는 정전기 제거장치를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치는, 상기 정전기실의 상기 좌대에 상기 반도체 저장장치를 올려놓고, 상기 정전기 발생장치를 가동하여 상기 좌대에 올려진 상기 반도체 저장장치의 데이터 단자에 정전기를 가하는 간단한 방법으로, 매우 신속하게 반도체 기반 저장장치에 기록되어 있는 데이터를 복구 불가능하게 훼손할 수 있는 효과가 있다.
도1은 본 발명에 따른 예시적인 반도체 저장장치의 훼손장치의 평면 개략도,
도2는 본 발명에 따른 예시적인 반도체 저장장치의 훼손장치의 측면 개략도,
도3은 예시적인 반도체 저장장치와 예시적인 커넥터의 연결 개념도,
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치를 보다 상세히 설명한다. 이하의 구체예는 본 발명을 예시적으로 설명하는 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하지 아니한다.
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 반도체를 기반으로 하는 각종 반도체 저장장치(2)에 기록된 데이터가 복구될 수 없도록 반도체 저장장치를 훼손하는 장치로서, 본 발명에 의해 훼손시킬 수 있는 반도체 저장장치(2)로서는 컴퓨터와 스마트폰을 포함한 각종 전자기기에서 데이터를 저장하기 위해 사용되는 반도체 기반의 저장장치이며, 예를 들어 컴퓨터의 보조저장장치로 널리 HDD(Hard Disk Drive)를 대체하여 사용되고 있는 SSD(Solid State Drive)와 USB 드라이브와 같이 (낸드)플래시메모리를 저장 공간의 기반으로 하는 저장장치 등이 포함되며, 이에 제한되지 아니한다.
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 반도체 저장장치(2)에 고전압의 정전기를 인가하는 것을 특징으로 하며, 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 고전압의 정전기가 인가되면, 정전기가 메모리셀의 전하 상태를 교란시켜 데이터를 훼손시키거나 저장장치의 저장구조를 훼손시킴으로써 결과적으로 데이터를 복구할 수 없는 상태가 되는 것으로 생각된다.
도1과 도2에 예시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 기본적으로 정전기실(10), 좌대(20) 및 정전기 발생장치(30)를 포함한다.
상기 정전기실(10)은 처리할(훼손할) 반도체 저장장치(2)를 수용하기 위한 공간이다. 도시된 구체예에서 본 발명의 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 예를 들어 전자레인지와 같은 육면체 형상으로 형성한 하우징(3)에 대해, 하우징(3)의 일측 공간에는 정전기실(10)을 형성하고, 타측 공간에는 후술하는 정전기 발생장치(30)의 정전기 제너레이터(31)와 제어반(60) 등을 내장한 예이다.
정전기실(10)의 크기는 특히 제한되지 아니하며, 1회의 작동으로 훼손 작업을 할 수 있는 반도체 저장장치(2)의 량(수량)에 부합하도록 필요에 맞는 적절한 사이즈로 결정할 수 있다.
상기 좌대(20)는, 예를 들어 정전기실(10)의 하부에 평평하게 설치하여 반도체 저장장치(2)를 올려놓을 수 있도록 하는 판상의 부재이다. 좌대(20)는, 정전기 발생장치(30)로부터의 정전기가 마치 샤워하듯이 반도체 저장장치(2)에 위로부터 아래로 가해질 수 있도록 반도체 저장장치(2)를 올려놓을 수 있는 부재라면 특히 제한되지 아니한다.
좌대(20)는 하나의 반도체 저장장치(2)를 올려놓을 수 있는 정도의 사이즈인 것도 배제되지 아니하나, 1회의 작업으로 다수의 반도체 저장장치(2)를 처리할 수 있도록 다수개(예, 5-10개)의 반도체 저장장치(2)를 올려놓을 수 있을 정도의 크기로 형성할 수 있다.
좌대(20)는 예를 들어 철판이나 알루미늄판과 같은 도체판(21)을 포함한다. 본 발명자의 테스트에 의하면, 좌대(20)를 도체판(21)으로 형성할 경우 도체판(21)의 전기적 특성에 의하여 가해진 정전기가 그 위의 반도체 저장장치(2)에 보다 유효하게 인가된다.
상기 도체판(21) 위에는 방전경로가 되는 다수의 관통구(22a)가 천공된, 예를 들어 테플론판 과 같은, 절연판(22)이 적층된다. 본 발명자의 테스트에 의하면, 도체판(21) 위에 관통구(22a)가 천공된 절연판(22)을 적층한 좌대(20)에 대해, 절연판(22) 위에 반도체 저장장치(2)를 올려놓고 상부에서 정전기를 가하면, 정전기 발생장치(30)로부터 방전된 정전기가 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 인입되어 반도체 저장장치(2)를 거쳐 관통구(22a)를 통해 도체판(21)으로 흘러감으로써, 반도체 저장장치(2)에 대한 정전기 훼손 작용이 유효하게 실행됨을 확인하였다.
상기 정전기 발생장치(30)는, 좌대(20)에 올려진 반도체 저장장치(2)에 정전기를 가하는 장치로서, 좌대(20)에 올려진 반도체 저장장치(2)에 정전기를 가할 수 있는 장치라면 제한되지 아니한다.
정전기 발생장치(30)로서는 예를 들어 대략 50KV 내외의 전압과 3mA 내외의 전류의 정전기를 발생시킬 수 있는 종래의 장치를 본 발명에 맞게 적용할 수 있다. 널리 알려진 바와 같이 정전기 발생장치는 전자제품의 정전기 내성을 테스트하는 등의 용도로 널리 사용되고 있는 바, 본 발명에 적용할 수 있는 정전기 발생장치로서는 예를 들어 영국 소재의 Fraser Anti-Static Techniques Ltd. 제조의 상품명 '75150 Static Generator' 등을 본 발명에 맞게 적용할 수 있다.
정전기 발생장치(30)에 의해 인가되는 정전기의 전압이 과도하게 낮을 경우 데이터 훼손 성능이 저하되거나 데이터가 훼손되지 않을 수 있고, 상기 전압보다 과도하게 높을 경우 데이터 훼손 성능의 측면에서는 바람직하나 정전기 발생에 소요되는 비용이 증가할 수 있고, 또한 정전기의 전류가 과도하면 안전사고를 유발할 수 있다.
앞서 설명한 바와 같이 좌대(20)에는 다수의 반도체 저장장치(2)가 올려질 수 있으므로, 올려진 반도체 저장장치(2)들에 균일하게 정전기가 인가되도록 하는 것이 필요할 수 있고, 이를 위해 정전기 발생장치(30)는 정전기 제너레이터(31)와 정전기조사대(32)를 포함하도록 구성할 수 있다.
상기 정전기 제너레이터(31)는 정전기를 발생시키는 모듈이고, 정전기조사대(32)는 정전기 제너레이터(31)에 연결된 상태로, 좌대(20)의 상부에, 예를 들어 좌우로 이동 가능하게 설치되어, 정전기 제너레이터(31)에 의해 발생된 정전기를 좌우로 이동하면서 아래의 반도체 저장장치(2)로 균일하게 조사하는, 예를 들어 바(Bar) 형상의 모듈이다.
좌대(20)의 상부에서 좌우로 이동 가능하게 정전기조사대(32)를 설치하는 구성은 특히 제한되지 아니하며, 예를 들어 정전기실(10)에 정전기조사대(32)의 좌우이동을 안내하는 가이드레일(33)을 형성하고, 예를 들어 모터(34)와 벨트(35)에 의해 정전기조사대(32)를 가이드레일(33)을 따라 좌우로 이동시킴으로써, 정전기조사대(32)로부터의 정전기가 정전기실(10)에서 균일하게 위에서 아래로 조사되도록 할 수 있다.
반도체 저장장치(2)는 그 사용 용도에 따라 매우 다양한 형태로 제조되며, 반도체 저장장치(2)의 단자들이 외부로 노출된 형태도 있고, 단자들이 케이싱 속에 가려진 형태도 있다. 전자의 노출형은 샤워되는 정전기가 용이하게 반도체 저장장치(2)의 단자에 인가되지만, 후자의 내부형은 케이싱의 간섭으로 반도체 저장장치(2)의 단자에 대한 정전기의 인가가 부족할 수 있다. 이런 배경하에서 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 좌대(20)에 올려지고 반도체 저장장치(2)의 단자에 전기적으로 연결되는 커넥터(40)를 더 포함할 수 있다.
반도체 저장장치(2)의 단자는 다양한 규격으로 되어 있는 바, 예를 들어 2.5 Inch 케이스 형태를 가지고 있는 SSD 등에 널리 사용되는 SATA 인터페이스의 단자는, 데이터 부분의 7핀과 전원 부분의 15핀을 포함하고 있고, 데이터 부분의 7핀에는 4개의 데이터 단자와 3개의 접지단자로 구성되어 있으며, 전원 부분의 15핀은 9개의 전원단자와 5개의 접지단자로 구성되어 있는바, 상기 커넥터(40)는 반도체 저장장치(2)의 단자 중에 4개의 데이터 단자(2a)에 연결되어서, 데이터 단자(2a)가 확실하게 정전기에 노출되게 하는 작용을 한다.
즉, 도3에 예시된 바와 같이, 예시된 커넥터(40)에는, 반도체 저장장치(2)의 예를 들어 4개의 데이터 단자(2a)에 대응하는 4개의 정전기 유도핀(41)을 포함하며, 각각의 정전기 유도핀(41)의 일단인 연결단(41a)은 반도체 저장장치(2)의 4개의 데이터 단자(2a)에 각각 연결되고, 각 정전기 유도핀(41)의 타단인 노출단(41b)은 외부로 돌출되어 정전기에 노출된다.
도3에 도시된 커넥터(40)는 그 전체적인 형상을 일정 규격의 대략 L자 형상으로 형성하고, 정전기 유도핀(41)을 형성함에 있어서, 연결단(41a)을 L자의 가로부(42)에 배치하되 장착될 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 맞게 배치하고, 노출단(41b)을 L자의 세로부(43)에 일정 간격을 두고 충분히 이격되게 배치하는 한편, 서로 이격되어 있는 연결단(41a)과 노출단(41b)을 전선(41c)으로 연결한 예이며, 이에 제한되지 아니한다.
커넥터(40)의 전체적인 형상을 규격화된 L자형으로 형성한 것은, 좌대(20) 위에 올려진 커넥터(40)를 규칙적으로 배치하기 위함이고, 세로부(43)에 노출단(41b)을 세로로 배치한 것은 그 위를 통과하는 정전기조사대(32)와 노출단(41b)의 배치방향을 평행하게 유지하여, 모든 노출단(41b)에 정전기가 조사되도록 함으로써, 연결된 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)들에 정전기가 인가되어 정전기에 의한 반도체 저장장치의 훼손 작용이 보다 효과적으로 실행되도록 하기 위함이다.
이와 같이, 예시된 SATA 인터페이스가 장착된 2.5 Inch SSD와 같은 반도체 저장장치(2)를 커넥터(40)에 연결한 상태로 좌대(20)에 올려놓으면, 정전기가 커넥터(40)의 노출단(41b)과 데이터 단자(2a)를 통해 반도체 저장장치(2)에 인가됨으로써 정전기의 데이터 훼손 작용이 보다 효과적으로 실행된다.
본 발명에 적용되는 커넥터(40)는, 다양한 규격의 반도체 메모리의 단자 규격에 맞게 다양하게 형성하여 다수 구비할 수 있고, 처리할 반도체 저장장치(2)의 단자 규격에 맞는 커넥터(40)를 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 데이터 훼손장치(1)를 사용하여 반도체 저장장치(2)의 데이터 훼손 작업을 완료한 후에는 좌대(20)에 정전기가 잔류할 수 있는바, 이런 잔류 정전기를 제거하기 위해 정전기 제거장치(50)를 더 포함할 수 있다.
도시된 구체예의 경우, 정전기 제거장치(50)로 좌대(20)의 표면을 쓸고 지나가면서 잔류 정전기를 제거하는 붓(51)을 적용한 예이다. 도시된 구체예에서 정전기 제거장치(50)는 좌대(20)의 상면을 따라 좌우로 이동 가능하게 설치되어 있다.
좌대(20)의 상면을 따라 좌우로 이동 가능하게 정전기 제거장치(50)를 설치하는 구성은 특히 제한되지 아니하며, 예를 들어 정전기실(10)에 정전기 제거장치(50)의 좌우이동을 안내하는 가이드레일(52)을 형성하고, 모터(53)와 벨트(54)에 의해 정전기 제거장치(50)를 가이드레일(52)을 따라 좌우로 이동시킴으로써, 좌대(20)에 잔류하는 정전기를 제거하도록 할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는 정전기 발생장치(30)와 정전기 제거장치(50) 등을 제어하기 위한 컨트롤러와 조작스위치 등을 구비하는 제어반(60)을 포함할 수 있고, 제어반(60)은 본 발명에 따른 데이터 훼손장치(1)의 작동에 부합하도록 관련 회로 기술을 이용하여 적절히 구축할 수 있다.
본 발명자는 반도체 저장장치(2)로서, 시판되는 (A) SSD 850 EVO mSATA(120G)(삼성전자 제품), (B) SSD 850 EVO M2SATA(120G)(삼성전자 제품), (C) SSD 850 EVO 2.5 Inch SATA(120G)(삼성전자 제품), 및 (D) SSD X110 2.5 Inch SATA(120G)(SanDisk 사 제품)를 구입하여, 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)를 테스트하였다.
구체적으로, 정상적인 (A) 내지 (D)의 반도체 저장장치(2)에 통상의 방법으로 임의의 데이터를 저장한 후에, 전술한 Fraser Anti-Static Techniques Ltd.의 '75150 Static Generator'가 장착된 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)의 좌대(20)에, 상기 (A) 내지 (D)의 반도체 저장장치(2)를 올려놓고, 각각의 반도체 저장장치(2)에 대해 대략 10cm 이내의 상부에서 50KV/3mA의 정전기를 5초간 조사하였으며, 좌대(20)로는 철판으로 형성한 도체판(21) 위에 다수의 관통구(22a)가 천공된 테플론의 절연판(22)을 적층하여 사용하였다.
이때 (A)와 (B)의 반도체 저장장치(2)에 대해서는 커넥터(40)의 사용 없이 정전기를 조사하였고, (C)와 (D)의 반도체 저장장치(2)에 대해서는 반도체 저장장치(2)에 커넥터(40)를 연결함으로써 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 커넥터(40)의 정전기 유도핀(41)이 연결되어 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)가 정전기에 노출되도록 한 상태에서 정전기를 조사하였다.
본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)에 의해 정전기를 조사한 (A)내지 (D)의 반도체 저장장치(2)들에 대해 통상의 방법으로 데이터의 인식을 시도하였으나 모두 인식되지 아니하였다.
데이터 인식 불가의 원인을 파악하기 위해, 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)에 의해 훼손 처리된 상기 (A) 내지 (D)의 반도체 저장장치(2)들과 동일 모델의 정상제품에 대해 각각 단자별 저항을 측정한 결과, 정상의 반도체 저장장치(2)에서는 메가옴(Ω) 단위의 저항값이 측정되었으나, 훼손 처리된 반도체 저장장치(2)에서는 킬로옴(Ω) 이하 단위의 저항값이 측정되었고, 또한 훼손 처리된 반도체 저장장치(2)에서는 전압-전류 특성 곡선이 정상 제품과는 다르게 측정되었으며, 이로써 본 발명의 장치에 의해 훼손 처리된 반도체 저장장치(2)는 쇼트가 발생하여 훼손된 상태임을 알 수 있다.
아울러 본 발명자는 정상인 반도체 저장장치에 장착된 정상의 반도체 메모리를 제거하고 훼손 처리된 반도체 저장장치에서 탈거한 반도체 메모리를 정상인 반도체 저장장치에 장착한 후에, 훼손된 반도체 저장장치에서 기원한 반도체 메모리에서 데이터가 인식되는지를 테스트(Swapping Test: 교차 테스트) 하였으나, 상기 (A) 내지 (D)의 반도체 저장장치(2)들 모두에서 데이터를 전혀 인식할 수 없었으며, 결과적으로 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)에 의해 훼손 처리된 반도체 저장장치(2)는, 반도체 메모리를 교차하여 데이터를 쉽게 복원할 수 있는 단순한 단자나 회로의 손상으로 인한 데이터 인식 불가가 아니라, 반도체 메모리 자체가 정전기에 의해 훼손되어 교차 방식으로도 데이터를 복구할 수 없는 상태임을 확인할 수 있었다.
1: 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 데이터 훼손장치
2: 반도체 저장장치 2a: 반도체 저장장치의 단자
3: 하우징 10: 정전기실
20: 좌대 21: 도체판
22: 절연판 22a: 관통구
30: 정전기 발생장치 31: 정전기 제너레이터
32: 정전기조사대 33, 52: 가이드레일
34, 53: 모터 35, 54: 벨트
40: 커넥터 41: 정전기 유도핀
41a: 연결단 41b: 노출단
50: 정전기 제거장치 60: 제어반

Claims (6)

  1. 처리할 반도체 저장장치(2)가 수용되는 정전기실(10);
    상기 정전기실(10)에 설치되고, 하층의 도체판(21), 및 상기 도체판(21) 위에 적층되고 방전경로를 형성하는 관통구(22a)가 다수 천공된 절연판(22)을 포함하며, 상기 반도체 저장장치(2)가 상기 절연판(22) 위에 올려지는 좌대(20); 및
    정전기를 발생시키는 정전기 제너레이터(31), 및 상기 정전기 제너레이터(31)에 연결되어 상기 좌대(20)의 상부에서 상기 좌대(20)에 올려진 상기 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)로 정전기를 가하는 정전기조사대(32)를 포함하고, 상기 데이터 단자(2a)가 상기 정전기조사대(32)에 노출되게 상기 반도체 저장장치(2)가 상기 절연판(22) 위에 올려진 상태에서, 상기 정전기조사대(32)로부터 방전된 정전기가 상기 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 인입되어 상기 반도체 저장장치(2)를 거쳐 상기 관통구(22a)를 통해 상기 도체판(21)으로 흘러감으로써, 상기 반도체 저장장치(2)에 기록된 데이터를 복구 불가능하게 훼손하는, 정전기 발생장치(30);
    를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 저장장치의 훼손장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 저장장치(2)는 SSD 또는 플래시메모리인 것을 특징으로 하는, 반도체 저장장치의 훼손장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 좌대(20)에 올려지며 상기 반도체 저장장치(2)에 전기적으로 연결되는 커넥터(40)를 포함하고, 상기 커넥터(40)는 상기 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 연결되는 일단의 연결단(41a)과 상기 정전기조사대(32)로부터의 정전기에 노출되는 타단의 노출단(41b)을 구비하는 정전기 유도핀(41)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 저장장치의 훼손장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 좌대(20)에 잔류하는 정전기를 제거하는 정전기 제거장치(50)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 저장장치의 훼손장치.
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