KR102173091B1 - 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 하는 반도체 저장장치의 훼손장치 - Google Patents

Abstract

본 발명에 따른 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 하는 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 정전기실(10); 도체판(21)과 절연판(22)을 구비하는 좌대(20); 정전기 제너레이터(31)와 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)로 정전기가 인입되게 하는 정전기조사대(32)를 구비하는 정전기 발생장치(30); 및 정전기조사대(32)의 이동방향과 동일한 방향으로 정전기조사대(32)의 아래에 설치되는 절연소재의 정전기유도대(41), 정전기조사대(32)의 이동방향과 동일한 방향으로 정전기유도대(41)의 상면(41a)에 간격을 두고 노출 설치된 도체의 정전기유도핀(42), 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)들에 연결되는 연결단자(43a)들이 구비된 연결소켓(43), 및 정전기유도핀(42)과 이에 대응하는 연결단자(43a)를 연결하는 다수의 케이블(44)을 포함하고, 정전기조사대(32)에서 방전된 정전기가 정전기유도핀(42)으로 인입되게 하여 대응하는 케이블(44)과 연결단자(43a)와 데이터 단자(2a)를 통해 반도체 저장장치(2)로 흐르게 하는 정전기유도지그(40); 를 포함하고, 정전기조사대(32)에서 정전기유도핀(42)들에 순차적으로 정전기를 방전시키면, 방전된 정전기가 대응하는 정전기유도핀(42)에 인입되어서, 영구적으로 데이터를 복구할 수 없도록 하는 것에 필요한 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)로 정전기를 인입시킬 수 있게 된다.

Description

데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 하는 반도체 저장장치의 훼손장치{Device for Damaging Semiconductor Memory Device in Order to Permanently Make Data Unrecoverable}

본 발명은 반도체 저장장치의 훼손장치에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 반도체를 기반으로 하는 각종 반도체 저장장치에 정전기를 가함으로써, 저장되어 있는 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 반도체 저장장치를 훼손하는 장치에 관한 것이다.

컴퓨터나 각종 휴대용 전자기기에 적용되는 저장장치에는 외부에 유출되면 문제가 될 수 있는 민감 정보들이 기록되어 있을 수 있고, 저장장치의 데이터는 포맷만으로는 삭제(소거, 파손, 훼손)가 불완전할 수 있기 때문에, 이런 저장장치를 폐기할 때에는 민감 정보가 의도하지 않게 타인에게 유출되는 것을 원천적으로 차단하기 위해서는, 영구적으로 데이터를 복구할 수 없게 처리할 필요가 있다.

저장장치로서는 플래터의 표면에 피복된 자성물질의 자기 배열을 변경하는 방식으로 데이터를 기록하는 하드디스크드라이버(HDD: Hard Disk Drive)가 널리 사용되어 왔고, 이런 HDD에 대한 영구적인 데이터 복구 불가능화 방법으로는, 물리적으로 HDD를 파괴하는 방법, 삭제 프로그램을 실행하여 삭제된 데이터를 복구하지 못하게 하는 방법, 및 자석의 강한 자기장에 HDD를 노출시켜 디가우징 함으로써 데이터를 복구하지 못하게 삭제하는 방법 등이 있다.

전자기기의 다른 저장장치로는 반도체를 기반으로 하는 반도체 저장장치가 있으며, 널리 알려진 바와 같이 반도체 저장장치는 전원 공급이 중단되면 데이터가 소멸되는 휘발성 메모리(RAM)를 기반으로 하는 저장장치와 전원 공급이 중단되어도 저장된 데이터를 유지하는 비휘발성 메모리(ROM)를 기반으로 하는 저장장치로 크게 대별된다.

후자의 비휘발성 메모리 중에 예를 들어 낸드플래시메모리 저장장치는 전원 공급이 중단되어도 데이터를 유지할 뿐만 아니라, 고속으로 데이터의 읽기 쓰기가 가능하고, 저렴하고 전력소모가 적으며, 소형의 대용량화가 가능하다는 등의 여러 장점으로 인하여, 컴퓨터와 노트북 등의 저장장치인 솔리드스테이트드라이버(SSD: Solid State Drive)로서 뿐만 아니라, 휴대전화, 카메라, USB 메모리 등의 각종 저장장치 등으로 널리 사용되고 있다.

반도체 저장장치의 경우에서도, 민감 정보의 의도하지 않은 유출을 방지하기 위해, HDD에서와 같이 영구적으로 데이터를 복구할 수 없게 처리할 필요가 있을 수 있고, 반도체 저장장치에 저장된 데이터를 영구적으로 복구 불가능하게 처리하는 방법으로는, 반도체 저장장치를 물리적으로 파괴(파쇄) 및/또는 소각하는 방법이나, 삭제 프로그램 및/또는 삭제 회로를 사용하는 방법 등이 있다.

프로그램이나 삭제 회로에 관련된 종래기술로서는, 예를 들어 대한민국 특허 제10-0935865호의 '플래시 메모리 소거핀을 이용한 플래시 메모리 소거 방법 및 시스템', 대한민국 특허 제10-0882591호의' 플래시 메모리 소거 장치 및 방법', 및 대한민국 공개특허 제10-2006-0118384호의 '낸드플래시 메모리를 사용한 저장장치시스템에서의 고속데이터 소거 방법' 등이 있다.

그러나 전술한 종래의 반도체 저장장치들의 데이터의 영구적인 복구 불가능화 방법들은, 물리적인 파괴의 방법의 경우. 파손에도 불구하고 반도체 저장장치에서 반도체 메모리 영역이 손상되지 않고 기능을 유지한 상태로 반출될 경우에, 해당 반도체 메모리를 정상 작동하는 저장장치로 옮겨서 데이터를 인식해 낼 가능성을 배제할 수 없을 뿐만 아니라, 특히 파쇄의 경우에는 반도체 저장장치의 외형이 보존되지 않은 때문에 타인에게 파쇄를 의뢰한 경우에 파쇄의 결과물이 파쇄를 주문했던 해당 반도체 저장장치의 파쇄 결과물인지 확인할 수 없기 때문에 불손한 반출을 피할 수 없다는 문제점이 있고, 소각 방법의 경우 대기오염을 유발하는 문제점이 있다.

또한, 삭제 프로그램과 회로에 의한 방법의 경우는, 해당 반도체 저장장치가 정상적으로 작동하지 않을 때에는 영구적인 데이터 삭제를 실행할 수 없고, 회로적인 방법의 경우 각각의 반도체 저장장치 마다 삭제를 위한 회로를 구축하여야 하는 문제점이 있으며, 프로그램에 의한 방법의 경우 완전한 삭제가 보장되지 않을 수 있을 뿐만 아니라 삭제작업에 많은 시간이 소요되는 문제점 등이 있다.

이와 같은 기술적 배경 하에서, 본 발명자는 각종 전자장치에서 HDD를 대체하여 저장장치로의 사용이 더욱 증가하고 있는 반도체 기반의 저장장치들에 관련하여, 민감 정보의 유출을 방지하기 위해 저장된 데이터를 영구적으로 복구 불가능하게 처리함에 있어서, 반도체 저장장치가 정상작동하고 있는지 여부와 관계없이 외부 원형을 훼손하지 아니하면서 보다 신속하고 확실하게 처리할 수 있는 방법에 대해 연구한 결과, 대한민국 특허 제10-1715215호의 ‘반도체 저장장치의 훼손장치’를 제안한 바 있다.

본 발명자의 특허 제10-1715215호에 개시된 종래 반도체 저장장치의 훼손장치(100)는, 도10 내지 도12에 도시된 바와 같이, 처리할 반도체 저장장치(102)가 수용되는 정전기실(110); 정전기실(110)에 설치되고, 하층의 도체판(121), 및 도체판(121) 위에 적층되고 방전경로를 형성하는 관통구(122a)가 다수 천공된 절연판(122)을 구비하며, 반도체 저장장치(102)가 절연판(122) 위에 올려지는 좌대(120); 및 정전기를 발생시키는 정전기 제너레이터(131), 및 정전기 제너레이터(131)에 연결되어 좌대(120)의 상부에서 좌대(120)에 올려진 반도체 저장장치(102)의 데이터 단자(102a)로 정전기를 가하는 정전기조사대(132)를 구비하는 정전기 발생장치(130);로 구성되어 있다.

도10 내지 도12에 도시된 종래 장치(100)는, 데이터 단자(102a)가 정전기조사대(132)에 노출되게 반도체 저장장치(102)가 절연판(122) 위에 올려진 상태에서, 정전기조사대(32)로부터 방전된 정전기가 반도체 저장장치(102)의 데이터 단자(102a)에 인입되어 반도체 저장장치(102)를 거쳐 관통구(122a)를 통해 도체판(121)으로 흘러감으로써, 반도체 저장장치(102)는 영구적으로 데이터를 복구할 수 없게 훼손된다.

도10 내지 도12에 도시된 종래 장치(100)에 의하여 반도체 저장장치(102)의 데이터 단자(102a)에 고전압의 정전기가 인가되면, 정전기가 메모리셀의 전하상태를 교란시켜 데이터를 훼손시키거나 저장장치의 저장구조를 훼손시킴으로써 결과적으로 반도체 저장장치는 데이터를 영구적으로 복구할 수 없는 훼손 상태가 된다.

도10 내지 도12에 도시된 종래 장치(100)는, 좌대(120)에 올려 사용하고 반도체 저장장치(102)에 전기적으로 연결되는 커넥터(140)가 구비되어 있고, 상기 커넥터(140)는 반도체 저장장치(102)의 데이터 단자(102a)에 연결되는 단자연결단(141a)과 정전기조사대(132)로부터의 정전기에 노출되는 정전기노출단(141b)이 케이블(141c)로 연결된 구성으로서, 정전기조사대(132)에서 방전된 정전기가 반도체 저장장치(102)의 데이터 단자(102a)에 보다 확실하게 가해지도록 하는 작용을 한다.

그러나, 도10 내지 도12에 도시된 종래 장치(100)는, 그동안 본 발명자의 실시 경험에 의하면, 상기 커넥터(140)의 적용에도 불구하고, 정전기가 데이터 단자(102a)들에 확실하게 가해지지 못하여, 데이터의 영구적인 복구 불가능 상태로의 반도체 저장장치의 훼손이 불완전하게 이루어진 경우가 가끔 발생하는 문제점이 있다.

즉, 특허 제10-1715215호의 반도체 저장장치의 훼손장치(100)는, 도10 내지 12에 도시된 바와 같이, 커넥터(140)의 정전기노출단(141b)이 정전기조사대(132)로부터 상당한 거리(L)를 두고 이격되어 위치하고 있으면서 정전기노출단(141b)들이 정전기조사대(132)의 이동방향(도10의 화살표 A 방향)과 직교하는 방향(도10의 화살표 B 방향)으로 배치되어 있기 때문에, 데이터를 복구할 수 없게 하는 것에 필요한 모든 정전기노출단(141b)에 정전기가 가해지지 못하고 일부에만 가해지는 경우가 있었고, 결과적으로 영구적으로 데이터를 복구 불가능하도록 반도체 저장장치를 훼손하는 것에 필요한 모든 데이터 단자(102a)에 정전기가 가해지지 못하게 되는 경우가 있었다.

본 발명의 목적은, 정전기로 반도체 저장장치를 훼손시킴으로써, 저장장치의 정상 작동 여부와 관계없이 원형을 손상하지 아니하면서, 보다 신속하고 확실하게 반도체 저장장치에 저장된 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 처리할 수 있는, 반도체 저장장치의 훼손장치를 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 목적은, 반도체 저장장치의 데이터 단자에 정전기를 인가하여 반도체 저장장치를 훼손함으로써, 반도체 저장장치에 저장된 데이터를 영구적으로 복구할 수 없도록 처리하는 반도체 저장장치의 훼손장치에 관련하여, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 반도체 저장장치를 훼손하는 것에 필요한 반도체 저장장치의 데이터 단자들에 대해 보다 확실하게 정전기가 인입되도록 보장함으로써, 데이터 단자들에 정전기가 불완전하게 인입되는 것으로 인하여, 데이터의 영구적인 복구 불가능 상태가 불완전하게 실현되는 것을 방지하고자 하는 것이다.

본 발명에 따라 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 하는 반도체 저장장치의 훼손장치가 제공된다.

본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치는, 정전기실, 좌대, 정전기 발생장치 및 정전기유도지그를 포함한다.

상기 정전기실은, 훼손 처리할 반도체 저장장치가 수용되는 밀폐된 공간이다.

상기 좌대는, 상기 정전기실의 저면에 설치된다.

상기 좌대는, 하층의 도체판, 및 상기 도체판 위에 적층되고 상기 반도체 저장장치가 올려지는 절연판을 포함한다.

상기 절연판에는, 올려진 상기 반도체 저장장치와 간섭되지 않는 위치에, 관통구가 관통 형성되어 있다.

상기 정전기 발생장치는, 정전기 제너레이터와 정전기조사대를 포함한다.

상기 정전기 제너레이터는 정전기를 발생시킨다.

상기 정전기조사대는, 상기 정전기 제너레이터에 전기적으로 연결되고, 상기 좌대의 일측 상부에 좌우로 이동 가능하게 설치되며. 상기 좌대에 올려진 상기 반도체 저장장치의 데이터 단자로 정전기가 인입되게 한다.

상기 정전기유도지그는, 상기 좌대에 설치되며, 정전기유도대, 정전기유도핀, 연결소켓 및 케이블을 포함한다.

상기 정전기유도대는, 절연소재로 형성되고, 상기 정전기조사대의 이동방향과 동일한 방향으로 상기 정전기조사대의 아래에, 탈착 가능하게 설치된다.

상기 정전기유도핀은, 도체로 형성되고, 상기 정전기조사대의 이동방향과 동일한 방향으로 상기 정전기유도대의 상면에 간격을 두고 다수개가 노출 설치된다.

상기 연결소켓은, 상기 정전기유도대의 측면 쪽에 위치되고, 상기 반도체 저장장치의 데이터 단자들에 착탈식으로 연결되는 연결단자들이 구비된다.

상기 케이블은, 상기 정전기유도핀들과 이에 대응하는 상기 연결단자들을 각각 연결한다.

상기 정전기유도지그는, 상기 정전기조사대에서 방전된 정전기가 상기 정전기유도핀으로 인입되게 하여 대응하는 상기 케이블과 상기 연결단자와 상기 데이터 단자를 통해 상기 반도체 저장장치로 흐르게 한다.

본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치에 의하면, 상기 좌대에 상기 반도체 저장장치를 배치하고, 상기 연결단자가 대응하는 상기 데이터 단자에 각각 연결되게 한 상태에서, 상기 정전기조사대를 좌우로 이동시키면서, 상기 정전기조사대에서 상기 정전기유도핀들에 순차적으로 정전기를 방전시키면, 방전된 정전기가 대응하는 상기 정전기유도핀에 인입되어서, 대응하는 상기 케이블, 대응하는 상기 연결단자, 및 대응하는 상기 데이터 단자를 통한 후에, 상기 반도체 저장장치를 거쳐, 상기 관통구를 통해 상기 도체판으로 방전됨으로써, 영구적으로 데이터를 복구할 수 없도록 하는 것에 필요한 상기 반도체 저장장치의 상기 데이터 단자로 정전기를 인입시킬 수 있게 된다.

상기 정전기유도지그는, 받침대, 변환부 및 고정구를 더 포함할 수 있다.

상기 받침대는, 절연소재로 형성되고, 상기 정전기유도대의 저부로부터 세로로 길게 신장되어 상기 좌대에 올려진다.

상기 변환부는, 상기 받침대에 설치되고, 상기 연결단자와 상기 데이터 단자 사이에 탈착식으로 결합되어 상기 데이터 단자들을 상기 연결단자에 맞게 변화시킨다.

상기 고정구는, 상기 반도체 저장장치를 상기 받침대에 고정한다.

상기 고정구는, 슬롯, 가압편, 체결편, 및 체결부재를 포함할 수 있다.

상기 슬롯은, 상기 받침대에 세로방향으로 형성된다.

상기 가압편은, 절연소재로 형성되고, 상기 받침대의 상면에 접한 상태에서 상기 슬롯을 따라 이동 가능하게 설치된다.

상기 체결편은, 도체로 형성되고, 상기 받침대의 하면에 접한 상태에서 상기 슬롯을 따라 이동 가능하게 설치된다.

상기 체결부재는, 상기 슬롯을 가로질러 상기 가압편과 상기 체결편 사이에 체결된다.

상기 좌대는, 상기 반도체 저장장치와 상기 관통구 사이의 상기 절연판 위에 설치되는 확장도체판을 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치는, 상기 정전기실의 상기 좌대 위에 상기 반도체 저장장치를 배치하고, 상기 정전기 발생장치를 가동하여 상기 반도체 저장장치의 데이터 단자에 정전기를 인입시키는 간단한 방법으로, 매우 신속하게 확실하게, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게, 반도체 저장장치를 훼손시킬 수 있다.

본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치는, 상기 정전기유도지그의 작용에 의하여, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 처리하는 것에 필요한 상기 데이터 단자들에 대해 실패 없이 정전기를 보다 확실하게 인입시킬 수 있게 되므로, 상기 반도체 저장장치의 상기 데이터 단자들에 정전기가 불완전하게 인입되는 것으로 인하여, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없도록 반도체 저장장치를 훼손시키는 것이 불완전하게 이루어지는 것을 방지할 수 있다.

도1은 본 발명에 따른 예시적인 반도체 저장장치의 훼손장치의 개략적인 사시도.
도2는 본 발명에 따른 예시적인 반도체 저장장치의 훼손장치의 개략적인 부분 사시도.
도3은 본 발명에 따른 예시적인 반도체 저장장치의 훼손장치의 개략적인 평면도.
도4는 본 발명에 따른 예시적인 반도체 저장장치의 훼손장치의 또 다른 개략적인 평면도.
도5는 본 발명에 따른 다른 예시적인 반도체 저장장치의 훼손장치의 계략적인 부분 사시도.
도6은, 본 발명에 따른 다른 예시적인 반도체 저장장치의 훼손장치의 계략적인 평면도.
도7은 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치에 적용되는 예시적인 정전기유도지그의 사시도.
도8은 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치에 적용되는 예시적인 정전기유도지그의 평면도.
도9는 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치에 적용되는 예시적인 정전기유도지그의 부분 분해 사시도.
도10은 종래 반도체 저장장치의 훼손장치의 평면 개략도.
도11은 종래 반도체 저장장치의 훼손장치의 측면 개략도.
도12는 종래 반도체 저장장치의 훼손장치에 적용된 커넥터의 개략도.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 하는 반도체 저장장치의 훼손장치를 보다 상세히 설명한다. 이하의 구체예는 본 발명을 예시적으로 설명하는 것일 뿐, 본 발명의 범위를 제한하지 아니한다.

도1 내지 도9에 예시적으로 도시된 본 발명에 따른 장치(1)는, 반도체를 기반으로 하는 각종 반도체 저장장치(2)를 정전기를 가하여 훼손시킴으로써 기록된 데이터를 영구적으로 복구될 수 없게 처리하는 장치이다.

본 발명의 훼손장치(1)에 의해, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 처리할 수 있는 반도체 저장장치(2)로서는, 컴퓨터와 스마트폰을 포함한 각종 전자기기에서 데이터를 저장하기 위해 사용되는 반도체 기반의 저장장치이며, 예를 들어 컴퓨터의 보조저장장치로 널리 HDD(Hard Disk Drive)를 대체하여 사용되고 있는 SSD(Solid State Drive)와 USB 드라이브와 같이 (낸드)플래시메모리를 저장 공간의 기반으로 하는 저장장치 등이 포함되며, 이에 제한되지 아니한다.

본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 전술한 종래 특허 제10-1715215호와 마찬가지로, 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에, ‘고전압의 정전기’를 인입시키는 것에 의하여 반도체 저장장치를 훼손하는 장치이며, 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 고전압의 정전기가 인입되면, 인입된 정전기가 메모리셀의 전하 상태를 교란시켜 데이터를 손상시키거나 저장장치의 저장구조를 손상시켜 반도체 저장장치를 훼손시킴으로써, 결과적으로 저장되어 있던 데이터는 영구적으로 복구 불가능한 상태가 된다.

도1 내지 도9에 예시적으로 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 도10 내지 도12의 장치(100)와 마찬가지로, 정전기실(10), 좌대(20) 및 정전기 발생장치(30)를 포함함과 아울러, 본 발명의 특징적인 구성인 정전기유도지그(40)를 더 포함한다.

도시된 구체예에서 본 발명에 따른 훼손장치(1)는, 예를 들어 내부가 중공된 직육면체 형상으로 형성한 하우징(3)에 대해, 하우징(3)의 일측(좌측) 공간에는 정전기실(10), 좌대(20), 정전기 발생장치(30)의 정전기조사대(32) 및 정전기유도지그(40) 등을 형성(설치)하고, 타측(우측) 공간에는 정전기 발생장치(30)의 정전기 제너레이터(31)와 제어반(60) 등을 설치한 예이다.

상기 정전기실(10)은, 훼손 처리할 반도체 저장장치(2)를 수용하기 위한 밀폐된 공간이다.

정전기실(10)의 크기는 특히 제한되지 아니하며, 훼손 처리할 반도체 저장장치(2)의 크기와 1회의 작동으로 처리할 수 있는 반도체 저장장치(2)의 수량 등에 맞는 적절한 사이즈로 결정할 수 있다.

상기 좌대(20)는, 예를 들어 정전기실(10)의 저면에 평평하게 설치되는 판상의 부재로서, 좌대(20) 위에는 반도체 저장장치(2)가 직간접적으로 올려 지게 된다.

좌대(20)는, 하나의 반도체 저장장치(2)를 올려놓을 수 있는 정도의 크기로 형성할 수도 있고, 한 번의 작업으로 2개 이상 다수의 반도체 저장장치(2)를 처리할 수 있도록 다수개의 반도체 저장장치(2)를 올려놓을 수 있을 정도의 크기로 형성할 수도 있다.

좌대(20)는, 도2에 도시된 바와 같이, 도체판(21)과 절연판(22)을 포함한다.

상기 도체판(21)은, 예를 들어 철판이나 알루미늄판과 같이 방전된 정전기가 잘 통할 수 있는 소재로 이루어진 판상의 부재이며, 도체판(21)은 정전기가 그 위에 올려진 반도체 저장장치(2)를 통해 잘 흐를 수 있도록 하는 작용을 한다.

상기 절연판(22)은, 도체판(21) 위에 적층되는, 예를 들어 테플론과 같은 절연소재로 이루어진 판상의 부재이고, 반도체 저장장치(2)는 절연판(22) 위에 올려 진다. 절연판(22)에는, 바람직하게 그 위에 위치하는 반도체 저장장치(2)와 간섭되지 않는 위치에, 다수의 관통구(22a)들이 관통 형성되어 있다.

절연판(22)은 반도체 저장장치(2)를 통한 정전기가 관통구(22a)를 통해서만 아래의 도체판(21)으로 흐르도록 한다.

도1 내지 도9에 예시된 구체예의 경우, 절연판(22) 위에 배치된 반도체 저장장치(2)를 중심으로 후술하는 정전기유도핀(42)들이 정전기실(10)의 상측 변을 따라 가로(좌우, 화살표 A 방향)로 배치되어 있음에 따라, 관통구(22a)는 정전기실(10)의 하측 변을 따라 정전기유도핀(42)들과 나란히 가로(좌우, 화살표 A 방향)로 배치되게 형성한 예이다.

본 발명을 설명함에 있어서, 화살표 A 및 화살표 B의 방향은 도면에서의 방향을 의미할 뿐, 가로, 좌우, 세로 및 상하의 방향은 상대적인 방향일 뿐 절대적인 것은 아니다.

도체판(21) 위에 관통구(22a)가 천공된 절연판(22)을 적층한 좌대(20)에 대해, 절연판(22) 위에 반도체 저장장치(2)를 배치하고, 그 상부에 정전기 발생장치(30)로 정전기를 방전하면, 방전된 정전기가 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)로 인입되어 반도체 저장장치(2)를 통하고, 관통구(22a)를 거쳐 도체판(21)으로 흘러감으로써, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없는 상태로 반도체 저장장치를 훼손시킨다.

상기 정전기 발생장치(30)는, 정전기를 발생시키는 장치로서, 좌대(20) 이에 올려진 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)로 정전기를 가할 수 있는 장치라면 특히 제한되지 아니한다.

정전기 발생장치(30)로서는, 예를 들어 대략 50KV 내외의 전압과 3mA 내외의 전류의 정전기를 발생시킬 수 있는 공지의 장치를 본 발명에 맞게 적용할 수 있다.

널리 알려진 바와 같이 정전기 발생장치는 전자제품의 정전기 내성을 테스트하는 등의 용도로 널리 사용되고 있는 바, 본 발명에 적용할 수 있는 정전기 발생장치(30)로서는 예를 들어 영국 소재의 Fraser Anti-Static Techniques Ltd. 제조의 상품명 '75150 Static Generator' 등을 본 발명에 맞게 적용할 수 있다.

정전기 발생장치(30)에 의해 방전되는 정전기는, 전압이 과도하게 낮을 경우 목적하는 반도체 저장장치의 훼손 성능이 저하될 수 있고, 반대로 전압이 과도하게 높을 경우 반도체 저장장치의 훼손 성능의 측면에서는 바람직할 수 있으나 정전기 발생에 소요되는 비용이 증가할 수 있고 정전기의 전류가 과도하여 안전사고를 유발할 수 있어 바람직하지 않다.

정전기 발생장치(30)는, 도1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 정전기 제너레이터(31)와 정전기조사대(32)를 포함한다.

상기 정전기 제너레이터(31)는, 직접적으로 정전기를 발생시키는 공지의 정전기 발생 모듈이다.

상기 정전기조사대(32)는, 정전기 제너레이터(31)에 전기적으로 연결되며, 정전기 제너레이터(31)에서 발생된 정전기가 목적하는 반도체 저장장치의 데이터 단자(2a)로 용이하게 인입될 수 있도록 하는 부재이다.

정전기조사대(32)는, 좌대(20)의 상부에 고정적으로 설치하는 것이 아니라, 예를 들어 좌대(20)의 일측(예, 상측)의 상부에 좌우(가로, 화살표 A 방향)로 이동 가능하게 설치하는 것과 같이, 좌대(20) 위에 올려진 반도체 저장장치(2)들의 데이터 단자(2a)들로 방전된 정전기가 용이하게 인입될 수 있도록, 좌우 이동 가능하게 설치한다.

정전기조사대(32)를 좌대(20)에서 좌우 이동 가능하게 설치하는 구성은 특히 제한되지 아니하며, 예를 들어, 도1에 예시된 바와 같이, 하우징(3)의 정전기실(10) 상측에 정전기조사대(32)의 좌우이동을 안내하는 가이드레일(33)을 설치하고, 모터(34)와 벨트(35)에 의해 정전기조사대(32)를 가이드레일(33)을 따라 좌우로 이동시키는 한편, 정전기 제너레이터(31)와 정전기조사대(32)를 예를 들어 캐터필러 방식의 전선(36)으로 연결함으로써, 정전기조사대(32)의 좌우이동을 캐터필러가 수용하도록 하면서, 정전기 제너레이터(31)에서 발생된 정전기가 정전기조사대(32)로 흘러가도록 구성할 수 있다.

널리 알려진 바와 같이, 반도체 저장장치(2)는 그 사용 용도와 목적에 따라 매우 다양한 형태와 규격으로 제조되고, 반도체 저장장치(2)를 회로기판 등에 연결하기 위한 단자(데이터단자, 전원단자 및 접지단자 등)들의 규격에도 차이가 있을 뿐만 아니라, 단자들이 외부로 노출된 형태도 있고, 케이싱 속에 가려진 형태도 있는 등, 매우 다양하다.

단자 노출형인 반도체 저장장치(2)들은, 단자들의 상부에서 공기 중으로 적당히 정전기를 방전시켜도, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게, 반도체 저장장치를 훼손하는 것에 필요한 데이터 단자(2a)들에 정전기가 용이하게 인입될 수 있지만, 단자 내부형의 반도체 저장장치들은 케이싱 등의 간섭으로 인하여 방전된 정전기를 목적하는 데이터 단자로 인입시키는 것이 어려울 수 있다.

본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 반도체 저장장치(2)의 서로 다른 다양한 형태와 단자 규격들에도 불구하고, 정전기 발생장치(30)의 정전기조사대(32)에서 공기 중으로 방전된 정전기가, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게, 반도체 저장장치를 훼손하는 것에 필요한 데이터 단자(2a)들에, 보다 확실하게 인입될 수 있도록 하기 위해서, 정전기조사대(32)를 좌우 이동 가능하게 설치하는 것과 함께, 정전기가 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)에 보다 확실하게 유도되고 인입되게 하는 정전기유도지그(40)를 포함한다.

상기 정전기유도지그(40)는, 도1 내지 도9에 도시된 바와 같이, 좌대(20)에 설치되며, 정전기유도대(41), 정전기유도핀(42), 연결소켓(43) 및 케이블(44)을 포함한다.

상기 정전기유도대(41)는, 정전기조사대(32)의 이동방향(좌우 방향, 가로 방향, 화살표 A 방향)과 평행하게 정전기조사대(32)의 바로 아래에 일정 높이로 좌대(20)에 탈착 가능하게 설치된다. 정전기유도대(41)는, 예를 들어 플라스틱합성수지 등과 같은 절연소재로 형성되며, 이로써 정전기유도대(41) 위에서 방전된 정전기는 도체인 정전기유도핀(42)을 통해서만 흐른다.

본 발명에 따른 훼손장치(1)로 반도체 저장장치를 훼손시킬 때, 도3에 도시된 바와 같이, 반도체 저장장치(2)들은 좌대(20)의 가로방향(화살표 A 방향)으로 배열하고, 이때 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)들은 좌대(20)의 상측에 정전기유도대(41)에 인접하여 위치되게 하며, 이로써 반도체 저장장치(2)(들)의 데이터 단자(2a)들은 정전기유도대(41)에 인접하여 정정기조사대(32)의 좌우 이동방향(화살표 A 방향)과 동일(평행)한 방향으로 배열된다.

정전기유도대(41)는, 정전기유도핀(42)을 일정 높이로 설치할 수 있고, 연결소켓(43)과 케이블(44)을 설치 및 유지할 수 있는 형상이라면 특히 제한되지 아니하며, 예를 들어 도2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 일정 넓이의 상면(41a)과 일정 높이(41b)를 가지는 가로로 길게 신장 형성된 직육면체 형상으로 1개를 형성할 수도 있고(일체형), 도5에 예시적으로 도시된 바와 같이, 상대적으로 가로의 길이가 짧은 일정 넓이의 상면(41a)과 일정 높이(41b)를 가진 직육면체 형상으로 다수개로 분리 형성할 수도 있다(분리형).

정전기유도대(41)의 상면(41a)의 넓이는 정전기유도핀(42)을 설치할 수 있을 정도이면 족하고, 정전기유도대(41)의 높이(41b)는 그 직상방에 위치하는 정전기조사대(32)에서 방전된 정전기가 다른 곳으로 흐르지 않고 정전기유도핀(42)으로 유도될 수 있을 정도의 높이로서, 예를 들어 정전기조사대(32)와 정전기유도핀(42) 사이의 상하 간격이 대략 15-20mm 내외 정도가 되게 하는 높이로 형성할 수 있다.

정전기유도대(41)의 좌대(20)에 대한 탈착은, 도2에 도시된 바와 같이, 예를 들어 좌대(20)에 일정간격으로 다수의 고정핀(24)을 돌출 형성하고, 단일 또는 분리된 다수의 정전기유도대(41)의 저면에 형성한 고정구멍(41c)(들)에 고정핀(24)을 삽입하는 방식으로 구현할 수 있으며, 이에 제한되지 아니한다.

상기 정전기유도핀(42)은, 정전기가 흐를 수 있는 도체로 형성되며, 정전기유도대(41)의 상면(41a)에 가로방향(화살표 A 방향)으로 일정 간격을 두고 다수개가 노출 설치된다.

전술한 바와 같이, 정전기유도대(41)는 좌대(20)에 가로로 설치되고, 정전기조사대(32)는 좌대(20)에서 좌우로 이동하므로, 결과적으로 다수의 정전기유도핀(42)들은 정전기조사대(32)의 이동방향과 동일한 방향(화살표 A의 좌우/가로 방향)으로 일정 간격을 두고 배치된다.

단일형의 정전기유도대(41)가 적용된 도2에 예시된 구체예의 경우, 좌우 일정 간격을 두고 배치된 2개가 1쌍을 이루는 정전기유도핀(42)을 가로로 일정 간격을 두고 4쌍(8개)을 설치한 예이고, 분리형의 정전기유도대(41)가 적용된 도5에 예시된 구체예의 경우, 각각의 정전기유도대(41) 마다 좌우 일정 간격을 두고 2개(1쌍)의 정전기유도핀(42)을 설치한 예이며, 이에 제한되지 아니한다.

상기 연결소켓(43)은, 도2와 도3 등에 도시된 바와 같이, 정전기유도대(41)의 전방 측면 쪽에 위치되는 소켓으로서, 연결소켓(43)에는 연결단자(43a)들이 형성되어 있으며, 연결소켓(43)을 반도체 저장장치(2)의 단자소켓에 탈착식으로 결합하면, 도3 등에 도시된 바와 같이, 연결소켓(43)의 연결단자(43a)들은 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)들과 전기적으로 연결된다.

상기 케이블(44)은, 도3에 도시된 바와 같이, 정전기유도핀(42)과 연결소켓(43)의 대응하는 연결단자(43a)를 상호 연결하는 전선으로서, 정전기유도대(41)로부터 특정 정전기유도핀(42)으로 방전된 정전기는 대응하는 케이블(44)과 대응하는 연결단자(43a)를 통해 대응하는 데이터 단자(2a)를 통해 흘러서 반도체 저장장치(2)로 흐르게 된다.

반도체 저장장치(2)는 그 종류와 단자의 규격이 다양한 바, 정전기유도지그(40)는 반도체 저장장치(2)의 종류와 규격에 맞게 적절히 변형하여 적용할 수 있다.

도1 내지 도3은, 일체형 정전기유도대(41)를 구비하는 일체형 정전기유도지그(40)가 적용된 본 발명에 따른 훼손장치(1)로, 2.5 인치 케이스 형태의 SSD 등에 널리 사용되는 SATA(Serial Advanced Technology Attachment) 인터페이스 반도체 저장장치(2: 이하, ‘SATA 저장장치’로 약칭함)를 훼손 처리하는 경우를 예시적으로 도시한 것이다.

SATA 저장장치의 단자(핀) 규격은, 널리 알려진 바와 같이, 총 22핀으로서, 데이터 부분의 7핀과 전원 부분의 15핀을 포함하고 있고, 데이터 부분의 7핀은 4개의 데이터 단자(+T, -T, +R, -R: 2a)와 3개의 접지 핀으로 구성되어 있다.

도3의 구체예는, 후술하는 SAS(SA-SCSI) 인터페이스 반도체 저장장치와 공용으로 사용할 수 있도록, 1개의 SATA 저장장치(2)를 훼손처리 할 때, 정전기유도대(41)에 설치된 8개의 정전기유도핀(42) 중에 인접한 4개의 정전기유도핀(42)을 사용하고, 연결소켓(43)에 4개 연결단자(43a)의 2개 그룹을 형성하는 한편, 4개의 정전기유도핀(42) 각각에 2개씩의 케이블로 4개 연결단자(43a)의 2개 그룹 사이를 연결하여, 총 8개의 케이블(44) 중에 4개의 케이블이 사용되는 경우를 예시적으로 도시한 것이다.

도3의 구체예에서, SATA 저장장치(2)를 좌대(20)에 올리고, 정전기유도지그(40)의 연결소켓(43)을 SATA 저장장치(2)의 단자소켓에 결합하면, 4개의 정전기유도핀(42)이 연결소켓(43)의 대응하는 4개의 연결단자(43a) 2개 그룹 중 1개 그룹과 대응하는 8개의 케이블(44)중 4개의 케이블을 매개하여 SATA 저장장치(2)의 대응하는 4개의 데이터 단자(2a)에 각각 연결된다.

이런 상태에서 정전기 발생장치(30)를 구동하면, 정전기조사대(32)는 가장 우측에 위치하는 제1의 정전기유도핀(42)의 상부 위치로 이동한 상태에서 정전기를 방전하여 해당 정전기유도핀(42)에 정전기를 인가하게 되고, 이로써 해당 정전기유도핀(42)로 인입된 정전기는, 대응하는 1개의 케이블(44), 연결소켓(43)의 대응하는 1개의 연결단자(43a), 대응하는 1개의 데이터 단자(2a)를 통해 SATA 저장장치(2)를 통한 후에, 절연판(22)의 관통구(22a)를 거쳐 도체판(21)으로 흘러간다.

이어서 정전기조사대(32)는, 우측에서 두 번째에 위치하는 제2의 정전기유도핀(42)의 상부 위치로 이동한 상태에서 정전기를 방전하여, 해당 정전기유도핀(42)에 정전기를 인가하게 되고, 이로써 해당 정전기유도핀(42)에 인입된 정전기는, 대응하는 1개의 케이블(44), 대응하는 1개의 연결단자(43a), 및 대응하는 1개의 데이터 단자(2a)를 통해 SATA 저장장치(2)를 통한 후에, 절연판(22)의 관통구(22a)를 거쳐 도체판(21)으로 흘러가며, 이와 동일한 과정이 제3 및 제4의 정전기유도핀(42)에 대해서도 순차적으로 진행된다.

이상과 같은 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)들에 대한 일련의 정전기 방전과정을 통해, 정전기조사대(32)는 그 좌우이동 방향에 맞게 정전기유도대(41)에 적정 높이로 설치된 정전기유도핀(42)들에 대해 순차적으로 확실하게 정전기를 인입시킬 수 있고, 이렇게 정전기유도핀(42)들에 순차적으로 인입된 정전기는 케이블(44)과 연결소켓(43)을 통해, 데이터의 복구가 불가능하도록 SATA 저장장치(2)를 훼손하는 것에 필요한 모든 데이터 단자(2a)에 정전기가 확실하게 인입될 수 있음으로써, 정전기가 목적하는 데이터 단자에 불완전하게 인입되는 것으로 인하여 SATA 저장장치(2)가 불완전하게 훼손되는 것이 방지되고, 결과적으로 SATA 저장장치(2)에 저장된 데이터들은 보다 확실하게 영구적으로 복구 불가능한 상태가 된다.

도3에 예시된 2.5 인치 SATA와는 사이즈가 작을 뿐 다른 구성이 실질적으로 동일한 도4의 Half Slam SATA 인터페이스 반도체 저장장치(2)의 경우, 반도체 저장장치(2)와 관통구(22a) 사이가 상당한 거리(L) 이격될 수 있는 바, 이렇게 거리(L)가 큰 경우 반도체 저장장치(2)를 통과한 정전기가 관통구(22a)를 통해 도체판(21)으로 흘러 나가지 못하게 되는 경우가 발생할 수 있다.

이런 현상을 방지하기 위해, 반도체 저장장치(2)와 관통구(22a) 사이의 절연판(22) 위에는, 도시된 바와 같이, 도체로 형성된 확장도체판(23)을 부가적으로 설치할 수 있다. 확장도체판(23)을 적용하면 상기 거리(L)가 긴 경우에도 반도체 저장장치(2)를 통한 정전기가 확장도체판(23)을 경유하여 관통구(22a)를 통해 도체판(21)으로 잘 흘러 나가게 된다.

SATA와 유사한 구조인 SAS(SA-SCSI) 인터페이스 반도체 저장장치(2: 이하, ‘SAS 저장장치’로 약칭함)는, 단자의 규격이 총 29핀으로서, 데이터 부분의 14핀과 전원 부분의 15핀을 포함하고 있고, 데이터 부분의 14핀은 1개 그룹이 7핀으로 구성된 2개 그룹으로서 2개씩의 중복된 데이터 단자 4조가 포함되어 있다.

SAS 저장장치(2)를 훼손 처리할 때, 정전기유도지그(40)는 전술한 SATA 저장장치에 사용된 것과 동일한 것을 사용할 수 있으며, 전술한 SATA 저장장치와 동일한 과정으로, 제1 내지 제4의 정전기유도핀(42)에 순차적으로 정전기를 인가하면, 실질적으로 4개라 할 수 있는 SAS 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)들에 순차적으로 정전기가 확실하게 인입되어 데이터를 영구적으로 복구할 수 없는 상태로 SAS 저장장치가 훼손된다.

또 다른 반도체 저장장치로서 M.2(SATA) 인터페이스 반도체 저장장치(이하, ‘M.2(SATA) 저장장치’로 약칭함)와 mSATA 인터페이스 반도체 저장장치(이하, ‘mSATA 저장장치’로 약칭함)는, 노트북 등에 적용되는 슬림형 반도체 저장장치로서, 단자(핀)의 규격은 M.2(SATA) 저장장치는 75핀이고 mSATA 저장장치는 52핀이다. 본 반도체 저장장치들은, 그 외형 사이즈가 전술한 SATA 저장장치 보다 매우 작기 때문에 전술한 SATA 저장장치와 SAS 저장장치를 적용한 정전기유도지그(40)를 사용하기에는 적합하지 않을 수 있다.

도5 내지 도9는, 분리형 정전기유도대(41)를 구비하는 분리형 정전기유도지그(40)를 적용한 본 발명에 따른 훼손장치(1)로, M.2(SATA) 저장장치(2)를 훼손처리 하는 경우를 예시적으로 도시한 것이다(mSATA 저장장치도 실질적으로 동일함).

도5 내지 도9에 도시된 바와 같이, 분리형 정전기유도지그(40)는, 전술한 정전기유도대(41), 정전기유도핀(42), 연결소켓(43) 및 케이블(44)과 함께, 받침대(45), 변환부(46) 및 고정구(47)를 더 포함할 수 있다.

상기 받침대(45)는, 분리형 정전기유도대(41)의 저부로부터 세로방향(화살표 B 방향)으로 길게 신장된 절연소재의 판상의 부재로서, 좌대(20) 위에 올려진다.

즉, 본 구체예에서 M.2(SATA) 저장장치(2)는 좌대(20)에 바로 올려지는 것이 아니라 좌대 위에 설치된 받침대(45) 위에 올려짐으로써 좌대(20) 위에 놓인다.

상기 변환부(46)는, M.2(SATA) 저장장치(2)의 단자(핀)의 규격을 연결소켓(43)의 연결단자(43a)의 규격으로 변화시켜 주는 컨버터회로이다.

M.2(SATA) 저장장치(2)의 단자 규격은, 75핀으로서 핀 사이의 간격이 매우 좁고 핀의 크기도 작기 때문에, 본 발명의 장치(1)로 M.2(SATA) 저장장치(2)를 훼손 처리하기 위해서는, 연결소켓(43)의 연결단자(43a)를 M.2(SATA) 저장장치의 단자 규격에 맞게 정밀하게 별도로 제조할 필요가 있으나, 도5 내지 도9의 구체예는 M.2(SATA) 저장장치(2)의 단자 규격에 맞는 정밀한 연결소켓(43)을 별도로 마련하지 않고, 노트북 등에 저장장치를 호환하여 사용할 목적으로 이미 개발되어 있는 M.2(SATA) 저장장치의 단자 규격을 SATA 저장장치의 단자 규격으로 변환하는 기존의 컨버터를 변환부(46)로 적용한 예이다.

상하에 각각 단자부가 구비된 변환부(46)는, 연결소켓(43)과 M.2(SATA) 저장장치(2) 사이에 탈착식으로 결합되며, 변환부(46)의 하측에 있는 단자부는 M.2(SATA) 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)들과 연결되고, 변환부(46)의 상측에 있는 단자부는 연결소켓(43)의 연결단자(43a)와 연결됨으로써, 결과적으로 M.2(SATA) 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)는 변환부(46)를 매개하여 연결소켓(43)의 연결단자(43a)와 연결된다.

상기 고정구(47)는 변환부(46)를 매개하여 연결소켓(43)에 장착된 M.2(SATA) 저장장치(2)를 움직이지 않게 받침대(45)에 고정함과 동시에 M.2(SATA) 저장장치(2)의 길이에 따른 관통구(22a) 까지의 거리차로 정전기 방전이 이루지지 않을 수 있는 상황을 조절할 수 있는 기구이며, 이런 목적으로 반도체 저장장치(2)를 받침대(45)에 고정할 수 있는 구조라면 특히 제한되지 아니한다.

도5 내지 도9에 예시된 바와 같이, 고정구(47)는, 슬롯(47a), 가압편(47b), 체결편(47c) 및 체결부재(47d)를 포함할 수 있다.

상기 슬롯(47a)은, 받침대(45)에 세로방향(화살표 B 방향)으로 길게 관통 형성되어 있다.

상기 가압편(47b)은, 받침대(45)의 상면에 접한 상태에서 슬롯(47a)을 따라 이동 가능하게 설치되며, 절연소재로 형성되어 있다.

상기 체결편(47c)은, 받침대(45)의 하면에 접한 상태에서 슬롯(47a)을 따라 이동 가능하게 설치되며, 도체로 형성되어 있다.

상기 체결부재(47d)는 슬롯(47a)을 가로질러 가압편(47b)과 체결편(47c) 사이에 체결되는 예를 들어 나사부재이다.

받침대(45)와 가압편(47b)을 절연소재로 형성하는 것은, 이들이 방전된 정전기가 절연판(22)의 관통구(22a)를 거쳐 도체판(21)으로 흘러가는 것을 방해하지 않도록 하기 위한 것이다.

체결편(47c)을 도체로 형성하는 것은 반도체 저장장치(2)를 통과한 정전기가 관통구(22a)를 거쳐 도체판(21)으로 잘 유도되도록 하기 위한 것이다.

도7에서 도면부호 48은 변환부(46)의 회로를 보호하기 위한 케이스이다.

이상과 같은 분리형 정전기유도대(41)를 포함하는 분리형 정전기유도지그(40)에 의하면, 변환부(46)를 매개하여 연결소켓(43)의 연결단자(43a)와 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)를 연결한 상태로 반도체 저장장치(2)를 받침대(45) 위에 올린 다음에, 체결부재(47d)를 약간 풀어 아래로 이격한 다음에, 가압편(47b)과 받침대(45) 사이의 틈에 반도체 저장장치(2)의 하단을 삽입한 다음에, 가압편(47b), 체결편(47c) 및 체결부재(47d)의 조립체를 위로 가압 및 체결하여 반도체 저장장치(2)를 구속함으로써, 반도체 저장장치를 받침대(45)에 고정한 후에, 분리형 정전기유도대(41)의 고정구멍(41c)에 좌대(20)의 고정핀(24)을 삽입하고 받침대(45)를 세로방향으로 위치시킴으로써, 반도체 저장장치(2)의 좌대(20)에 대한 세팅을 완료한다.

도8에 도시된 구체예는, M.2(SATA) 저장장치(2)를 훼손 처리하는 것에 2개의 정전기유도핀(42)이 형성된 1개의 분리형 정전기유도대(41)를 적용하고, 각각의 정전기유도핀(42)에 2개씩의 케이블(44)을 연결하는 한편, 연결소켓(43)에 형성된 4개의 연결단자(43a)에 각각 1개씩의 케이블(44)을 연결함으로써, 연결소켓(43)의 4개의 연결단자(43a)가 반도체 저장장치(2)의 4개의 데이터 단자(2a)에 연결되는 경우를 예시적으로 도시한 것이다.

도5 내지 도9의 구체예에서, M.2(SATA) 저장장치(2)를 장착한 분리형 정전기유도지그(40)를 좌대(20)에 설치하고 정전기 발생장치(30)를 구동하면, 정전기조사대(32)는, 우측에 위치하는 제1의 정전기유도핀(42)의 상부 위치로 이동하여 정전기를 다수 방전함으로써 정전기가 제1의 정전기유도핀(42)에 인입되게 하며, 제1의 정전기유도핀(42)에 인입된 정전기는, 대응하는 2개의 케이블(44), 연결소켓(43)의 대응하는 2개의 연결단자(43a), 및 대응하는 2개의 데이터 단자(2a)를 통해 M.2(SATA) 저장장치(2)를 통한 후에, 절연판(22)의 관통구(22a)를 거쳐 도체판(21)으로 흘러간다.

이어서 정전기조사대(32)는, 좌측에 위치하는 제2의 정전기유도핀(42)의 상부 위치로 이동하여 다시 정전기를 다수 방전하고, 이로써 제2의 정전기유도핀(42)에 인입된 정전기는, 대응하는 나머지 2개의 케이블(44), 연결소켓(43)의 대응하는 나머지 2개의 연결단자(43a), 및 대응하는 나머지 2개의 데이터 단자(2a)를 통해 M.2(SATA) 저장장치(2)를 통한 후에, 절연판(22)의 관통구(22a)를 거쳐 도체판(21)으로 흘러간다.

도5 내지 도9의 구체예의 경우도, 정전기조사대(32)의 좌우이동 방향에 맞게 정전기유도대(41)에 적정 높이로 설치된 정전기유도핀(42)들에 대해, 정전기조사대(32)가 순차적으로 확실하게 정전기를 인입하게 하고, 이렇게 정전기유도핀(42)들에 순차적으로 인입된 정전기는 케이블(44)과 연결소켓(43)과 변환부(46)를 통해, 데이터의 복구를 불가능하게 하는 것에 필요한 반도체 저장장치의 모든 데이터 단자(2a)에 확실하게 인입됨으로써, 정전기가 목적하는 데이터 단자에 불완전하게 인입되는 것으로 인하여 반도체 저장장치가 불완전하게 훼손되는 것을 방지할 수 있다.

도시하지 않았지만, 또 다른 반도체 저장장치의 예로서, M.2(PCIe NVMe) 인터페이스 반도체 저장장치(2)는, 데이터 단자(2a)로서 16개의 핀을 가지는 총 75핀의 단자(핀) 규격으로 되어 있는 바, 이 경우 이미 개발되어 있는 M.2(NVMe)의 단자 규격을 SFF-8639의 단자 규격으로 변환하는 기존의 컨버터를 변환부(46)로 적용할 수 있으며, 이때 4개의 정전기유도핀(42)에 각각 4개씩의 케이블(44)을 연결하고, 16개의 케이블(44)을 각각 연결소켓(43)에 형성된 16개의 연결단자(43a)에 연결하거나 SFF-8639의 16개의 연결단자에 직접 연결하는 한편, 변환부(46)를 매개하여 연결소켓(43)의 16개의 연결단자(43a)가 반도체 저장장치(2)의 16개의 데이터 단자(2a)에 각각 연결되게 한다.

M.2(PCIe NVMe) 반도체 저장장치(2)를 4개의 정전기유도핀(42)이 설치된 분리형 정전기유도지그에 장착하고 좌대에 올린 후, 정전기 발생장치를 구동하면, 정전기조사대(32)는 제1의 정정기유도핀(42)의 상부위치부터 제4의 정전기유도핀(42)의 상부 위치까지 순차적으로 이동하면서 각각의 정전기유도핀(42)에 수회씩의 정전기를 방전하게 되며, 각각의 정전기유도핀(42)에 인입된 정전기는, 대응하는 4개씩의 케이블(44), 연결소켓(43)의 대응하는 4개씩의 연결단자(43a), 및 대응하는 4개씩의 데이터 단자(2a)를 통해 M.2(PCIe NVMe) 저장장치(2)를 통한 후, 절연판(22)의 관통구(22a)를 거쳐 도체판(21)으로 흘러가며, 결과적으로 영구적으로 데이터의 복구를 불가능하게 하는 것에 필요한 데이터 단자(2a)들에 정전기를 확실하게 인입시킬 수 있게 된다.

본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)는, 정전기조사대(32)의 순차적인 이동과 정전기의 순차적인 방전 등, 정전기 발생장치(30)를 제어하기 위한 컨트롤러와 조작스위치 등을 구비하는 제어반(60)을 포함할 수 있고, 제어반(60)은 본 발명에 따른 훼손장치(1)의 목적에 부합하도록 관련 회로 기술을 이용하여 적절히 구축할 수 있으며, 제어반(60)의 구체적인 회로 구성은 본 발명과 직접적인 관련이 없으므로, 이에 관한 설명은 생략한다.

본 발명자는 본 발명에 따른 반도체 저장장치의 훼손장치(1)에 의해 정전기를 인입시킨 반도체 저장장치(2)들에 대해 통상의 방법으로 데이터의 복구를 시도하였으나 모두 복구되지 아니하였다.

또한, 본 발명자는 정상인 반도체 저장장치에 장착된 정상의 반도체 메모리를 제거하고 훼손 처리된 반도체 저장장치에서 탈거한 반도체 메모리를 정상인 반도체 저장장치에 장착한 후에, 훼손 처리된 반도체 저장장치에서 기원한 반도체 메모리에서 데이터가 인식되는지를 테스트(Swapping Test: 교차 테스트) 하였으나, 데이터를 전혀 인식할 수 없었다.

1: 본 발명에 데이터 삭제장치 2: 반도체 저장장치
2a: 반도체 저장장치의 데이터 단자 3: 하우징
10: 정전기실 20: 좌대
21: 도체판 22: 절연판
22a: 관통구 23: 확장도체판
24: 고정핀 30: 정전기 발생장치
31: 정전기 제너레이터 32: 정전기조사대
40: 정전기유도지그 41: 정전기유도대
41a: 정전기유도대 상면 41b: 정전기유도대 높이
41c: 고정구멍 42: 정전기유도핀
43: 연결소켓 43a: 연결단자
44: 케이블 45: 받침대
46: 변환부 47: 고정구
47a: 슬롯 47b: 가압편
47c: 체결편 47d: 체결부재

Claims (4)

1. 훼손 처리할 반도체 저장장치(2)가 수용되는 정전기실(10);
   상기 정전기실(10)의 저면에 설치되고, 하층의 도체판(21) 및 상기 도체판(21) 위에 적층되고 상기 반도체 저장장치(2)가 올려지는 절연판(22)을 포함하며, 상기 절연판(22)에는 올려진 상기 반도체 저장장치(2)와 간섭되지 않는 위치에 관통구(22a)가 관통 형성되어 있는 좌대(20);
   정전기를 발생시키는 정전기 제너레이터(31), 및 상기 정전기 제너레이터(31)에 전기적으로 연결되고 상기 좌대(20)의 일측 상부에 좌우로 이동 가능하게 설치되며 상기 좌대(20)에 올려진 상기 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)로 정전기가 인입되게 하는 정전기조사대(32)를 구비하는 정전기 발생장치(30); 및
   상기 좌대(20)에 설치되고, 상기 정전기조사대(32)의 이동방향과 동일한 방향으로 상기 정전기조사대(32)의 아래에 설치되는 절연소재의 탈착 가능한 정전기유도대(41), 상기 정전기조사대(32)의 이동방향과 동일한 방향으로 상기 정전기유도대(41)의 상면(41a)에 간격을 두고 노출 설치된 도체의 다수의 정전기유도핀(42), 상기 정전기유도대(41)의 측면 쪽에 위치되고 상기 반도체 저장장치(2)의 데이터 단자(2a)들에 착탈식으로 연결되는 연결단자(43a)들이 구비된 연결소켓(43), 상기 정전기유도핀(42)과 이에 대응하는 상기 연결단자(43a)를 연결하는 다수의 케이블(44), 상기 정전기유도대(41)의 저부로부터 세로로 길게 신장되어 상기 좌대(20)에 올려지는 절연소재의 받침대(45), 상기 받침대(45)에 설치되고 상기 연결단자(43a)와 상기 데이터 단자(2a) 사이에 탈착식으로 결합되어 상기 데이터 단자(2a)들을 상기 연결단자(43a)에 맞게 변화시키는 변환부(46), 및 상기 반도체 저장장치(2)를 상기 받침대(45)에 고정하는 고정구(47)를 포함하고, 상기 정전기조사대(32)에서 방전된 정전기가 상기 정전기유도핀(42)으로 인입되게 하여 대응하는 상기 케이블(44)과 상기 연결단자(43a)와 상기 데이터 단자(2a)를 통해 상기 반도체 저장장치(2)로 흐르게 하는 정전기유도지그(40); 를 포함하고,
   상기 좌대(20)에 상기 반도체 저장장치(2)를 배치하고, 상기 연결단자(43a)가 대응하는 상기 데이터 단자(2a)에 각각 연결되게 한 상태에서, 상기 정전기조사대(32)를 좌우로 이동시키면서, 상기 정전기조사대(32)에서 상기 정전기유도핀(42)들에 순차적으로 정전기를 방전시키면, 방전된 정전기가 대응하는 상기 정전기유도핀(42)에 인입되어서, 대응하는 상기 케이블(44)과 대응하는 상기 연결단자(43a)과 대응하는 상기 데이터 단자(2a)를 통한 후에, 상기 반도체 저장장치(2)를 거쳐, 상기 관통구(22a)를 통해 상기 도체판(21)으로 방전됨으로써, 영구적으로 데이터를 복구할 수 없도록 하는 것에 필요한 상기 반도체 저장장치(2)의 상기 데이터 단자(2a)로 정전기를 인입시킬 수 있게 되는 것을 특징으로 하는, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 하는 반도체 저장장치의 훼손장치.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 고정구(47)는, 상기 받침대(45)에 세로방향으로 형성된 슬롯(47a), 상기 받침대(45)의 상면에 접한 상태에서 상기 슬롯(47a)을 따라 이동 가능하게 설치되는 절연소재의 가압편(47b), 상기 받침대(45)의 하면에 접한 상태에서 상기 슬롯(47a)을 따라 이동 가능하게 설치되는 도체의 체결편(47c), 및 상기 슬롯(47a)을 가로질러 상기 가압편(47b)과 상기 체결편(47c) 사이에 체결되는 체결부재(47d)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 하는 반도체 저장장치의 훼손장치.
4. 제1항 또는 제3항에 있어서,
   상기 좌대(20)는, 상기 반도체 저장장치(2)와 상기 관통구(22a) 사이의 상기 절연판(22) 위에 설치되는 확장도체판(23)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는. 데이터를 영구적으로 복구할 수 없게 하는 반도체 저장장치의 훼손장치.

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