KR101712204B1 - Display device and fabricating method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 링크 패드의 정전기성 불량을 개선한 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 표시장치는 데이터라인들; 상기 데이터라인들과 연결되는 링크라인들; 및 상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 곡선부를 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 7.5㎛ 내지 9.5㎛인 것을 특징으로 한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a display device which improves the electrostatic property of a link pad and a method of manufacturing the same. A display device of the present invention includes data lines; Link lines connected to the data lines; And link pads connecting the link lines and the data lines through a first contact hole formed in the link lines and a second contact hole formed in the data lines, And the distance between the end of the link lines and the end of the data lines is in the range of 7.5 to 9.5 mu m.
Description
본 발명은 링크 패드의 정전기성 불량을 개선한 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE
액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 액정표시장치는 노트북 PC와 같은 휴대용 컴퓨터, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기, 옥내외 광고 표시장치 등으로 이용되고 있다. 액정표시장치는 액정셀들에 인가되는 전계를 제어하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 변조함으로써 화상을 표시한다.BACKGROUND ART [0002] Liquid crystal display devices are becoming increasingly widespread due to features such as light weight, thinness, and low power consumption driving. The liquid crystal display device is used as a portable computer such as a notebook PC, an office automation device, an audio / video device, and an indoor / outdoor advertisement display device. A liquid crystal display controls an electric field applied to liquid crystal cells to modulate light incident from a backlight unit to display an image.
액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 화소마다 형성되어 화소전극에 공급되는 데이터전압을 스위칭하는 TFT(Thin Film Transistor)를 포함한 액정표시패널, 액정표시패널의 데이터라인들에 데이터전압을 공급하기 위한 데이터 구동회로, 액정표시패널의 게이트라인들에 게이트펄스(또는 스캔펄스)를 순차적으로 공급하기 위한 게이트 구동회로, 및 상기 구동회로들의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러 등을 구비한다.The active matrix type liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel including a TFT (Thin Film Transistor) formed for each pixel and switching a data voltage supplied to the pixel electrode, a data driving circuit for supplying a data voltage to the data lines of the liquid crystal display panel A gate driving circuit for sequentially supplying gate pulses (or scan pulses) to the gate lines of the liquid crystal display panel, and a timing controller for controlling the operation timing of the driving circuits.
액정표시장치에서, 데이터 구동회로는 소스 드라이브 IC에서 디지털 비디오 데이터를 데이터 전압으로 변환하여 액정표시패널로 공급한다. 소스 드라이브 IC의 출력 라인들은 액정표시패널의 데이터 패드들과 연결되고, 데이터 패드들은 링크라인들을 통해 데이터라인들과 연결된다.In a liquid crystal display device, a data drive circuit converts digital video data into a data voltage in a source drive IC and supplies the data voltage to a liquid crystal display panel. The output lines of the source drive IC are connected to the data pads of the liquid crystal display panel, and the data pads are connected to the data lines through the link lines.
도 1은 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들을 연결하는 링크 패드(4)를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들은 투명전극 패턴(1)을 통해 전기적으로 연결된다. 링크라인(LL)들은 게이트 금속패턴으로 형성되고, 데이터라인(DL)들은 소스-드레인 금속패턴으로 형성된다. 투명전극 패턴(1)은 링크라인(LL)들에 형성된 제1 콘택홀(2)과 데이터라인(DL)들에 형성된 제2 콘택홀(3)을 연결함으로써, 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들을 전기적으로 연결시킨다.1 is a plan view showing a
도 1과 같이, 링크라인(LL)들의 게이트 금속패턴과 데이터라인(DL)들의 소스-드레인 금속패턴 간의 이격거리(d1)는 대략 4.5㎛로 짧다. 이로 인하여, 외부로부터 유입된 정전기가 발생되면, 이격거리(d1)가 좁은 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들 사이에서 정전기가 터지는 현상이 발생한다.1, the distance d 1 between the gate metal pattern of the link lines LL and the source-drain metal pattern of the data lines DL is as short as about 4.5 mu m. Therefore, when static electricity flows from the outside, static electricity is generated between the link lines LL and the data lines DL having a small separation distance d 1 .
도 2a 및 도 2b는 도 1의 링크 패드(4)에서 발생한 정전기성 불량을 보여주는 현미경 이미지이다. 도 3a 내지 도 3c는 도 2의 정전기성 불량을 FIB(Focused Ion Beam) 장비로 정밀 관찰한 이미지이다. 이러한 정전기성 불량으로 인하여, 링크 패드(4)들 뿐만 아니라, 데이터 패드들, 및 TFTs(Thin Film Transistors) 등이 손상되는 문제가 있다.
FIGS. 2A and 2B are microscope images showing electrostatic failures occurring in the
본 발명은 링크 패드의 정전기성 불량을 줄일 수 있는 표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
The present invention provides a display device capable of reducing the electrostatic property of a link pad and a manufacturing method thereof.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 표시장치는 데이터라인들; 상기 데이터라인들과 연결되는 링크라인들; 및 상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 곡선부를 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 7.5㎛ 내지 9.5㎛인 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a display device of the present invention includes data lines; Link lines connected to the data lines; And link pads connecting the link lines and the data lines through a first contact hole formed in the link lines and a second contact hole formed in the data lines, And the distance between the end of the link lines and the end of the data lines is in the range of 7.5 to 9.5 mu m.
본 발명의 표시장치의 제조방법은 데이터라인들; 상기 데이터라인들과 연결되는 링크라인들; 및 상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하는 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 링크라인들의 끝단이 오목하게 파여진 곡선부를 포함하도록 상기 링크라인들을 형성하는 단계; 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 곡선부를 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리가 7.5㎛ 내지 9.5㎛ 이격되도록 상기 데이터라인들을 형성하는 단계를 포함한다.
A manufacturing method of a display device of the present invention includes: data lines; Link lines connected to the data lines; And link pads connecting the link lines and the data lines through a first contact hole formed in the link lines and a second contact hole formed in the data lines, the method comprising: Forming the link lines such that the ends of the lines include concave corrugations; Forming the data lines such that a distance between the ends of the link lines and the end of the data lines is 7.5 占 퐉 to 9.5 占 퐉, the ends of the data lines facing the link lines include concave curved portions, .
본 발명은 링크 패드에서 링크라인들의 끝단과 데이터라인들의 끝단을 곡선으로 형성하여 링크라인들과 데이터라인들 간의 이격거리를 늘린다. 그 결과, 본 발명은 링크 패드의 정전기성 불량을 줄일 수 있고, 이로 인해 공정 수율을 높일 수 있다.
In the present invention, the ends of the link lines and the ends of the data lines in the link pad are curved to increase the separation distance between the link lines and the data lines. As a result, the present invention can reduce the electrostatic failure of the link pad, thereby increasing the process yield.
도 1은 링크라인들과 데이터라인들을 연결하는 링크 패드를 보여주는 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 링크 패드에서 발생한 정전기성 불량을 보여주는 현미경 이미지이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 정전기성 불량을 FIB 장비로 정밀 관찰한 이미지이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타내는 블록도이다.
도 5는 도 4의 A 부분을 상세히 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 I - I'의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.1 is a plan view showing a link pad connecting the link lines and the data lines.
2A and 2B are micrographs showing electrostatic failures occurring in the link pad of FIG.
3A to 3C are images obtained by observing the electrostatic failure of FIG. 2 with FIB equipment.
4 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing the detail of part A of FIG.
6 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'in Fig.
7 is a plan view showing a link pad according to the first embodiment of the present invention.
8 is a plan view showing a link pad according to a second embodiment of the present invention.
9 is a plan view showing a link pad according to a third embodiment of the present invention.
10 is a flowchart showing a manufacturing method of a display device according to an embodiment of the present invention.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.
이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다. The names of components used in the following description are selected in consideration of ease of specification, and may be different from actual product names.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타내는 블록도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(10), 게이트 구동회로, 데이터 구동회로, 및 타이밍 콘트롤러(50) 등을 구비한다.4 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the display device of the present invention includes a
표시패널(10)은 서로 교차되는 데이터라인들 및 게이트라인들과, 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이(PIXEL ARRAY)를 구비한다. 표시패널(10)은 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드 표시장치(OLED), 전기영동 표시장치(EPD) 중 어느 하나의 표시패널로 구현될 수 있다. 본 발명의 표시패널(10)은 액정표시패널을 중심으로 예시하였지만, 액정표시패널에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다.The
데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(40)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC(40)들은 타이밍 콘트롤러(50)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력받는다. 소스 드라이브 IC(40)들은 타이밍 콘트롤러(50)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고, 그 데이터전압을 게이트펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(40)들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터라인들에 접속될 수 있다. The data driver circuit includes a plurality of
게이트 구동회로는 타이밍 콘트롤러(50)와 표시패널(10)의 게이트라인들 사이에 접속된 레벨 쉬프터(level shifter)(30)와, 쉬프트 레지스터(shift register)(20)를 구비한다. 레벨 쉬프터(30)는 타이밍 콘트롤러(50)와 함께 PCB(Printed Circuit Board)(60) 상에 실장된다. 레벨 쉬프터(30)는 타이밍 콘트롤러(50)로부터 입력되는 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC)들의 TTL(Transistor-Transistor-Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프팅한다. 쉬프트 레지스터(20)는 레벨 쉬프터(30)로부터 입력되는 게이트 쉬프트 클럭(GSC)들에 응답하여 타이밍 콘트롤러(50)로부터 입력되는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP)를 쉬프트시킴으로써 게이트라인들에 게이트펄스를 순차적으로 출력한다.The gate driving circuit includes a
타이밍 콘트롤러(50)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 컴퓨터로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력 받는다. 타이밍 콘트롤러(50)는 호스트 컴퓨터로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 소스 드라이브 IC들(40)로 전송한다.The
타이밍 콘트롤러(50)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 컴퓨터로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(50)는 호스트 컴퓨터로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC들(40)의 동작 타이밍과 데이터전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호를 포함한다.The
게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 쉬프트 클럭(GSC), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 쉬프트 레지스터에 입력되어 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭은 레벨 쉬프터에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터에 입력되며, 게이트 스타트 펄스(GSP)를 쉬프트시키기 위한 클럭신호로 이용된다. 게이트 출력 인에이블신호(GOE)는 쉬프트 레지스터의 출력 타이밍을 제어한다.The gate timing control signal includes a gate start pulse GSP, a gate shift clock GSC, a gate output enable signal GOE, and the like. The gate start pulse GSP is input to the shift register to control the shift start timing. The gate shift clock is input to the level shifter, level shifted, and then input to the shift register, and is used as a clock signal for shifting the gate start pulse (GSP). The gate output enable signal GOE controls the output timing of the shift register.
데이터 타이밍 제어신호는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 소스 드라이브 IC들(40)의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC들(40) 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호(POL)는 소스 드라이브 IC들로부터 출력되는 데이터전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(50)과 소스 드라이브 IC들(40) 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.The data timing control signal includes a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), a polarity control signal (POL), and a source output enable signal (SOE) . The source start pulse SSP controls the shift start timing of the
도 5는 도 4의 A 부분을 상세히 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5의 I - I'의 단면도이다. 도 4의 A 부분은 데이터 링크부(DATA LINK) 및 픽셀 어레이(PIXEL ARRAY)의 상부를 보여준다.5 is a plan view showing the detail of part A of FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'in Fig. Part A of FIG. 4 shows the top of the data link portion (DATA LINK) and the pixel array (PIXEL ARRAY).
도 5 및 도 6을 참조하면, 데이터 링크부는 데이터 패드(70)들, 및 데이터 패드(70)들과 연결된 링크라인(LL)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC들(40)의 출력 라인들은 데이터 패드(70)들과 연결되며, 링크라인(LL)들 각각은 링크 패드(80)를 통해 데이터라인(DL)과 연결된다. 소스 드라이브 IC들(40)이 출력하는 데이터 전압은 데이터 패드(70)들, 링크라인(LL)들, 및 링크 패드(80)들을 통해 데이터라인(DL)들로 공급된다.5 and 6, the data link unit includes
데이터 패드(70)들 및 링크라인(LL)들은 게이트 금속패턴(102)으로 형성된다. 이에 비하여, 데이터라인(DL)들은 소스-드레인 금속패턴(106)으로 형성된다. 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들을 전기적으로 연결하기 위하여, 링크라인(LL)들의 게이트 금속패턴(102)과 데이터라인(DL)들의 소스-드레인 금속패턴(106)은 링크 패드(80)에 형성된 제2 투명전극 패턴(81)을 통해 연결된다.The
데이터 패드(70)는 하부 기판(101) 상에 형성된 게이트 금속패턴(102)과, 게이트 금속패턴(102)을 덮는 게이트 절연막(103)과, 게이트 절연막(103) 상에 형성되는 보호막(107)으로 구성된다. 제1 투명전극 패턴(71)은 게이트 절연막(103)과 보호막(107)을 관통하는 제3 콘택홀(72)을 통해 게이트 금속패턴(102)에 연결된다.The
링크 패드(80)는 링크라인(LL)의 게이트 금속패턴(102)과, 게이트 금속패턴(102)을 덮는 게이트 절연막(103)과, 게이트 금속패턴(102)과 중첩되지 않도록 소정의 이격거리(d2)를 두고 게이트 절연막(103) 상에 형성된 액티브층(104)과, 액티브층(104) 상에 형성되는 오믹접촉층(105)과, 오믹접촉층(105) 상에 형성되고 데이터라인(DL)의 소스-드레인 금속패턴(106)과, 소스-드레인 금속패턴(106)을 덮는 보호막(107)로 구성된다. 제4 콘택홀(82)은 게이트 절연막(103)과 보호막(107)을 관통하고, 제5 콘택홀(83)은 보호막(107)을 관통한다. 제2 투명전극 패턴(81)은 제4 콘택홀(82)을 통해 게이트 금속패턴(102)과 연결되고, 제5 콘택홀(83)을 통해 소스-드레인 금속패턴(106)과 연결된다. 소정의 이격거리(d2)는 도 7을 결부하여 후술한다.The
픽셀 어레이(PIXEL ARRAY)에는 게이트라인(GL)들과 데이터라인(DL)들이 교차하여 형성되고, 게이트라인(GL)들과 데이터라인(DL)들이 교차하는 부분에는 TFT(90)가 형성된다. 단위 픽셀에는 TFT(90)와 연결되는 화소전극(91)이 형성되어 TFT(90)의 스위칭에 의해 화상이 표시된다.Gate lines GL and data lines DL are formed in a pixel array PIXEL ARRAY and
TFT(90)는 게이트라인(GL)으로부터 분기된 게이트 금속패턴(102)과, 게이트 금속패턴(102)을 덮는 게이트 절연막(103)과, 게이트 금속패턴(102) 상부의 게이트 절연막(103) 상에 형성된 액티브층(104)과, 액티브층(104) 양끝단에 각각 형성되는 오믹접촉층(105)과, 오믹접촉층(105) 상에 형성되고 데이터라인(DL)으로부터 분기된 소스-드레인 금속패턴(106)과, 소스-드레인 금속패턴(106)을 덮는 보호막(107)로 구성된다. 화소전극(91)은 보호막(107)을 관통하는 제6 콘택홀(92)을 통해 소스-드레인 금속패턴(106)에 연결된다.The
게이트 금속패턴(102)은 알루미늄(Al), AlNd, 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 그 합금 등의 금속으로 이루어진다. TFT(90)들의 게이트 라인들, 및 TFT(90)들의 게이트 전극들과 연결되는 게이트라인(GL)들은 게이트 금속패턴(102)으로 형성된다. 게이트 절연막(103)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 절연 물질을 포함한다. 반도체 패턴은 액티브층(104)과 오믹접촉층(105)을 포함한다. 소스-드레인 금속패턴(106)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), AlNd, 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 또는 그 합금 등의 금속으로 이루어지며, 반도체 패턴 상에 형성된다. 제1 투명전극 패턴(71), 제2 투명전극 패턴(81), 및 화소전극(91)은 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전성 물질을 포함한다. 제3 내지 제6 콘택홀(72, 82, 83, 92)은 식각공정을 통해 형성될 수 있다.The
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 링크 패드(80)를 보여주는 평면도이다. 도 7을 참조하면, 링크라인(LL)과 데이터라인(DL)의 사이에서 정전기 터짐을 방지하기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)과 데이터라인(DL)의 끝단(85)은 소정의 이격거리(d3)만큼 이격되어야 한다. 소정의 이격거리(d3)만큼 이격되기 위하여, 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지의 최소거리(d5) 및 최대거리(d6)가 다르게 형성된다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 P지점부터 Q지점까지는 제4 콘택홀(82)로부터 최대거리(d6)를 갖도록 형성된다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 R지점부터 S지점까지는 제4 콘택홀(82)로부터 최소거리(d5)를 갖도록 형성된다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 Q지점부터 R지점까지는 완만한 곡선으로 형성된다.7 is a plan view showing a
데이터라인(DL)의 끝단(85)도 상기 링크라인(LL)의 끝단(84)과 같이 형성된다. 다만, 소정의 이격거리(d3)만큼 이격되기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지의 최소거리(d5)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최대거리(d6)를 가지는 지점들과 대향된다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리(d6)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최소거리(d5)를 가지는 지점들과 대향된다.The
소정의 이격거리(d3)는 7.5㎛ 내지 9.5㎛로 형성될 수 있다. 다만, 공정마진과 링크 패드(80)의 전기적 특성을 고려할 때, 8.5㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단까지 최소거리(d5)는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만으로 형성되고, 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단까지 최대거리(d6)는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하로 형성될 수 있다. 링크라인(LL)의 끝단(84)의 Q지점부터 데이터라인(DL)의 끝단(85)의 완만한 곡선패턴까지 최소거리(d4)는 8.85㎛ 이상으로 형성될 수 있다.A predetermined distance (d 3) may be formed of a 7.5㎛ to 9.5㎛. However, in consideration of the process margin and the electrical characteristics of the
또한, 제4 콘택홀(82)의 T지점부터 U지점까지의 거리(d7)는 공정마진 확보를 위해 제4 콘택홀(82)의 길이(d8)의 2/3 이하의 값을 가진다. 제4 콘택홀(82)은 2개 이상의 콘택홀로 형성될 수 있으며, 이 경우, 제4 콘택홀(82)의 길이(d8)는 일측 끝단의 콘택홀로부터 타측 끝단의 콘택홀까지의 거리를 의미한다. 제4 콘택홀(82)의 T지점은 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 거리가 최소거리(d5)인 제4 콘택홀(82)의 모서리 부분이다. 제4 콘택홀(82)의 U지점은 링크라인(LL)의 끝단(84)부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리(d5)를 가지는 지점으로, 링크라인(LL)의 끝단인 Q지점에 대응하는 지점이다. 링크라인(LL)의 끝단(84)에서 양 모서리 부분인 P지점 및 S지점은 모서리 쪽으로 전계가 치우치는 것을 방지하기 위해 모따기 구조로 형성된다.The distance d 7 from the T point to the U point of the
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에서, 링크라인(LL)의 끝단(84)은 다수의 오목한 패턴을 가지도록 형성된다. 정전기 터짐을 방지하기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)과 데이터라인(DL)의 끝단(85)은 소정의 이격거리(d9)만큼 이격되어야 한다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 오목한 패턴의 중앙인 V지점은 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최소거리(d10)를 가지는 지점이다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 오목한 패턴의 끝단인 W지점은 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최대거리(d11)를 가지는 지점이다. 8 is a plan view showing a link pad according to a second embodiment of the present invention. Referring to Fig. 8, in the second embodiment of the present invention, the
데이터라인(DL)의 끝단(85)도 상기 링크라인(LL)의 끝단(84)과 같이 형성된다. 다만, 소정의 이격거리(d9)만큼 이격되기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지의 최소거리(d10)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최대거리(d11)를 가지는 지점들과 대향된다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리(d11)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최소거리(d10)를 가지는 지점들과 대향된다.The
소정의 이격거리(d9)는 7.5㎛ 내지 9.5㎛로 형성될 수 있다. 다만, 공정마진과 링크 패드(80)의 전기적 특성을 고려할 때, 8.5㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최소거리(d10)는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만으로 형성되고, 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최대거리(d11)는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하로 형성될 수 있다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)에서 양 모서리 부분은 모서리 쪽으로 전계가 치우치는 것을 방지하기 위해 모따기 구조로 형성된다.The predetermined separation distance d 9 may be formed to be 7.5 mu m to 9.5 mu m. However, in consideration of the process margin and the electrical characteristics of the
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에서, 링크라인(LL)의 끝단(84)은 물결모양같이 도 8의 오목한 패턴보다 넓은 간격으로 형성된다. 정전기 터짐을 방지하기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)과 데이터라인(DL)의 끝단(85)은 소정의 이격거리(d12)만큼 이격되어야 한다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 오목한 패턴의 중앙인 X지점은 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최소거리(d13)를 가지는 지점이다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 오목한 패턴의 끝단인 Y지점은 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최대거리(d14)를 가지는 지점이다. 9 is a plan view showing a link pad according to a third embodiment of the present invention. Referring to Fig. 9, in the third embodiment of the present invention, the ends 84 of the link lines LL are formed wider than the concave pattern of Fig. 8 like a wavy pattern. The
데이터라인(DL)의 끝단(85)도 상기 링크라인(LL)의 끝단(84)과 같이 형성된다. 다만, 소정의 이격거리(d12)만큼 이격되기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지의 최소거리(d13)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최대거리(d14)를 가지는 지점들과 대향된다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리(d14)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최소거리(d13)를 가지는 지점들과 대향된다.The
소정의 이격거리(d12)는 7.5㎛ 내지 9.5㎛로 형성될 수 있다. 다만, 공정마진과 링크 패드(80)의 전기적 특성을 고려할 때, 8.5㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최소거리(d13)는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만으로 형성되고, 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최대거리(d14)는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하로 형성될 수 있다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)에서 양 모서리 부분은 모서리 쪽으로 전계가 치우치는 것을 방지하기 위해 모따기 구조로 형성된다.The predetermined separation distance d 12 may be formed to be 7.5 탆 to 9.5 탆. However, in consideration of the process margin and the electrical characteristics of the
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타내는 흐름도이다. 이에 대하여는 도 7 내지 도 9를 결부하여 설명한다.10 is a flowchart showing a manufacturing method of a display device according to an embodiment of the present invention. This will be described with reference to Figs. 7 to 9. Fig.
본 발명의 실시예에 따른 링크 패드(80)를 포함한 표시장치의 제조방법은 먼저, 링크라인(LL)의 끝단이 오목하게 파여진 곡선부를 포함하도록 링크라인(LL)들을 형성한다. 이때, 데이터라인(DL)들과의 이격거리를 고려하여 링크라인(LL)들의 끝단(84)을 형성한다. 링크라인(LL)들은 링크라인(LL)들의 끝단(84)이 링크라인(LL)들의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최소거리를 가지는 지점들, 상기 링크라인(LL)들의 끝단(84)으로부터 상기 제4 콘택홀(82)까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하도록 형성된다. (S1)The manufacturing method of the display device including the
두번째로, 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 곡선부를 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리가 7.5㎛ 내지 9.5㎛ 이격되도록 상기 데이터라인들을 형성한다. 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 공정마진이나, 링크 패드(80)의 전기적 특성을 고려할 때, 8.5㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 데이터라인(DL)들은 데이터라인(DL)들의 끝단(85)이 데이터라인(DL)들의 끝단(85)으로부터 제5 콘택홀(83)까지 최소거리를 가지는 지점들, 데이터라인(DL)들의 끝단(85)으로부터 제5 콘택홀(83)까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하도록 형성된다. 이때, 링크라인(LL)들의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최소거리를 가지는 지점들은 데이터라인(DL)들의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최대거리를 가지는 지점들과 대향되고, 링크라인(LL)들의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리를 가지는 지점들은 데이터라인(DL)들의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최소거리를 가지는 지점들과 대향된다. 상기 최소거리는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만으로, 상기 최대거리는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하로 형성될 수 있다. (S2)The second end of the data lines opposite to the link lines includes a concave curved portion and the distance between the end of the link lines and the end of the data lines is 7.5 占 퐉 to 9.5 占 퐉. . The distance between the end of the link lines and the end of the data lines is preferably 8.5 탆 in consideration of the process margin or the electrical characteristics of the
상기 제3 내지 제6 콘택홀(72, 82, 83, 92)들 각각은 복수 개의 콘택홀로 형성될 수 있다.Each of the third to sixth contact holes 72, 82, 83, and 92 may be formed of a plurality of contact holes.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.
1: 투명전극 패턴 2: 제1 콘택홀
3: 제2 콘택홀 4: 링크 패드
10: 표시패널 20: 쉬프트 레지스터
30: 레벨 쉬프터 40: 소스 드라이브 IC
50: 타이밍 콘트롤러 60: PCB
70: 데이터 패드 71: 제1 투명전극 패턴
72: 제3 콘택홀 80: 링크 패드
81: 제2 투명전극 패턴 82: 제4 콘택홀
83: 제5 콘택홀 84: 링크라인의 끝단
85: 데이터라인의 끝단 90: TFT
91: 화소전극 92: 제6 콘택홀
101: 하부 기판 102: 게이트 금속패턴
103: 게이트 절연막 104: 액티브층
105: 오믹접촉층 106: 소스-드레인 금속패턴
107: 보호막 LL: 링크라인
DL: 데이터라인 GL: 게이트라인1: transparent electrode pattern 2: first contact hole
3: second contact hole 4: link pad
10: display panel 20: shift register
30: Level shifter 40: Source drive IC
50: Timing controller 60: PCB
70: Data pad 71: First transparent electrode pattern
72: third contact hole 80: link pad
81: second transparent electrode pattern 82: fourth contact hole
83: fifth contact hole 84: end of the link line
85: end of data line 90: TFT
91: pixel electrode 92: sixth contact hole
101: lower substrate 102: gate metal pattern
103: gate insulating film 104: active layer
105: ohmic contact layer 106: source-drain metal pattern
107: Protective film LL: Link line
DL: Data line GL: Gate line
Claims (18)
상기 데이터라인들과 서로 중첩되지 않도록 소정 간격 이격된 링크라인들; 및
상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하고,
상기 링크라인들의 끝단은 상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들, 및 상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하고,
상기 데이터라인들의 끝단은 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들, 및 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하며,
상기 링크라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들은 상기 데이터라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들과 대향되고,
상기 링크라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들은 상기 데이터라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들과 대향되는 표시장치.Data lines;
Link lines spaced apart from each other by a predetermined distance so as not to overlap with the data lines; And
And a second contact hole formed in the data lines and connecting the data lines to the link lines,
The ends of the link lines include points having a minimum distance from the end of the link lines to the first contact hole and points having a maximum distance from the end of the link lines to the first contact hole,
The ends of the data lines include points having a minimum distance from the end of the data lines to the second contact hole and points having a maximum distance from the end of the data lines to the second contact hole,
The points having the minimum distance of the link lines are opposed to the points having the maximum distance of the data lines,
Wherein points having the maximum distance of the link lines are opposed to points having the minimum distance of the data lines.
상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 8.5㎛ 인 것을 특징으로 하는 표시장치.The method according to claim 1,
And a distance between an end of the link lines and an end of the data lines is 8.5 m.
상기 최소거리는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만이고, 상기 최대거리는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the minimum distance is not less than 3 占 퐉 and less than 5 占 퐉, and the maximum distance is not less than 5 占 퐉 and not more than 7 占 퐉.
상기 링크라인들은 게이트 금속패턴으로 형성되고, 상기 데이터라인들은 소스-드레인 금속패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the link lines are formed in a gate metal pattern, and the data lines are formed in a source-drain metal pattern.
상기 링크라인들의 끝단의 양 모서리, 및 상기 데이터라인들의 끝단의 양 모서리는 모따기 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein both edges of the ends of the link lines and both edges of the ends of the data lines are formed by a chamfer structure.
상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들, 상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하는 상기 링크라인들을 형성하는 단계; 및
상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들, 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들을 포함하는 상기 데이터라인들을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들은 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들과 대향되며,
상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들은 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들과 대향되는 표시장치의 제조방법. Data lines; Link lines spaced apart from each other by a predetermined distance so as not to overlap with the data lines; And link pads connecting the link lines and the data lines through a first contact hole formed in the link lines and a second contact hole formed in the data lines,
Forming the link lines including points having a minimum distance from an end of the link lines to the first contact hole and points having a maximum distance from an end of the link lines to the first contact hole; And
Forming the data lines including points having a maximum distance from an end of the data lines to the second contact hole and a point having a minimum distance from an end of the data lines to the second contact hole ,
The points having the minimum distance from the end of the link lines to the first contact hole are opposed to the points having the maximum distance from the end of the data lines to the second contact hole,
Wherein points having a maximum distance from an end of the link lines to the first contact hole are opposed to points having a minimum distance from an end of the data lines to the second contact hole.
상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 8.5㎛ 인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein a distance between an end of the link lines and an end of the data lines is 8.5 占 퐉.
상기 최소거리는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만이고, 상기 최대거리는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the minimum distance is 3 占 퐉 or more and less than 5 占 퐉, and the maximum distance is 5 占 퐉 or more and 7 占 퐉 or less.
상기 링크라인들의 끝단과 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 적어도 하나의 곡선부를 각각 포함하는 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein the ends of the link lines and the end of the data lines opposite to the link lines each include at least one curved portion concavely waved.
상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 7.5㎛ 내지 9.5㎛인 표시장치.The method according to claim 1,
Wherein a distance between an end of the link lines and an end of the data lines is 7.5 mu m to 9.5 mu m.
상기 링크라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들과, 이와 대향하는 상기 데이터라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들 사이의 이격 거리는,
상기 링크라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들과, 이와 대향하는 상기 데이터라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들 사이의 이격 거리와 동일한 표시장치.The method according to claim 1,
The distance between the points having the minimum distance of the link lines and the points having the maximum distance of the opposite data lines,
And a distance between the points having the maximum distance of the link lines and the points having the minimum distance of the data lines facing the same.
상기 링크라인들의 끝단과 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 적어도 하나의 곡선부를 각각 포함하는 표시장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein the ends of the link lines and the ends of the data lines facing the link lines each include at least one curved portion concavely waved.
상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 7.5㎛ 내지 9.5㎛인 표시장치의 제조방법.8. The method of claim 7,
Wherein a distance between an end of the link lines and an end of the data lines is 7.5 占 퐉 to 9.5 占 퐉.
상기 링크라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들과, 이와 대향하는 상기 데이터라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들 사이의 이격 거리는,
상기 링크라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들과, 이와 대향하는 상기 데이터라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들 사이의 이격 거리와 동일한 표시장치 제조방법.8. The method of claim 7,
The distance between the points having the minimum distance of the link lines and the points having the maximum distance of the opposite data lines,
And a distance between the points having the maximum distance of the link lines and the points having the minimum distance of the data lines facing the same.
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KR1020100083835A KR101712204B1 (en) | 2010-08-30 | 2010-08-30 | Display device and fabricating method thereof |
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