KR101712204B1 - Display device and fabricating method thereof - Google Patents

Display device and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101712204B1
KR101712204B1 KR1020100083835A KR20100083835A KR101712204B1 KR 101712204 B1 KR101712204 B1 KR 101712204B1 KR 1020100083835 A KR1020100083835 A KR 1020100083835A KR 20100083835 A KR20100083835 A KR 20100083835A KR 101712204 B1 KR101712204 B1 KR 101712204B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lines
link
contact hole
data lines
distance
Prior art date
Application number
KR1020100083835A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120020298A (en
Inventor
윤재호
강문수
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020100083835A priority Critical patent/KR101712204B1/en
Publication of KR20120020298A publication Critical patent/KR20120020298A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101712204B1 publication Critical patent/KR101712204B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458Terminal pads
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line

Abstract

본 발명은 링크 패드의 정전기성 불량을 개선한 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 표시장치는 데이터라인들; 상기 데이터라인들과 연결되는 링크라인들; 및 상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 곡선부를 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 7.5㎛ 내지 9.5㎛인 것을 특징으로 한다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a display device which improves the electrostatic property of a link pad and a method of manufacturing the same. A display device of the present invention includes data lines; Link lines connected to the data lines; And link pads connecting the link lines and the data lines through a first contact hole formed in the link lines and a second contact hole formed in the data lines, And the distance between the end of the link lines and the end of the data lines is in the range of 7.5 to 9.5 mu m.

Description

표시장치 및 그 제조방법{DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}DISPLAY APPARATUS AND FABRICATION METHOD THEREOF

본 발명은 링크 패드의 정전기성 불량을 개선한 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a display device which improves the electrostatic property of a link pad and a method of manufacturing the same.

액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 액정표시장치는 노트북 PC와 같은 휴대용 컴퓨터, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기, 옥내외 광고 표시장치 등으로 이용되고 있다. 액정표시장치는 액정셀들에 인가되는 전계를 제어하여 백라이트 유닛으로부터 입사되는 빛을 변조함으로써 화상을 표시한다.BACKGROUND ART [0002] Liquid crystal display devices are becoming increasingly widespread due to features such as light weight, thinness, and low power consumption driving. The liquid crystal display device is used as a portable computer such as a notebook PC, an office automation device, an audio / video device, and an indoor / outdoor advertisement display device. A liquid crystal display controls an electric field applied to liquid crystal cells to modulate light incident from a backlight unit to display an image.

액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 화소마다 형성되어 화소전극에 공급되는 데이터전압을 스위칭하는 TFT(Thin Film Transistor)를 포함한 액정표시패널, 액정표시패널의 데이터라인들에 데이터전압을 공급하기 위한 데이터 구동회로, 액정표시패널의 게이트라인들에 게이트펄스(또는 스캔펄스)를 순차적으로 공급하기 위한 게이트 구동회로, 및 상기 구동회로들의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 콘트롤러 등을 구비한다.The active matrix type liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel including a TFT (Thin Film Transistor) formed for each pixel and switching a data voltage supplied to the pixel electrode, a data driving circuit for supplying a data voltage to the data lines of the liquid crystal display panel A gate driving circuit for sequentially supplying gate pulses (or scan pulses) to the gate lines of the liquid crystal display panel, and a timing controller for controlling the operation timing of the driving circuits.

액정표시장치에서, 데이터 구동회로는 소스 드라이브 IC에서 디지털 비디오 데이터를 데이터 전압으로 변환하여 액정표시패널로 공급한다. 소스 드라이브 IC의 출력 라인들은 액정표시패널의 데이터 패드들과 연결되고, 데이터 패드들은 링크라인들을 통해 데이터라인들과 연결된다.In a liquid crystal display device, a data drive circuit converts digital video data into a data voltage in a source drive IC and supplies the data voltage to a liquid crystal display panel. The output lines of the source drive IC are connected to the data pads of the liquid crystal display panel, and the data pads are connected to the data lines through the link lines.

도 1은 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들을 연결하는 링크 패드(4)를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들은 투명전극 패턴(1)을 통해 전기적으로 연결된다. 링크라인(LL)들은 게이트 금속패턴으로 형성되고, 데이터라인(DL)들은 소스-드레인 금속패턴으로 형성된다. 투명전극 패턴(1)은 링크라인(LL)들에 형성된 제1 콘택홀(2)과 데이터라인(DL)들에 형성된 제2 콘택홀(3)을 연결함으로써, 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들을 전기적으로 연결시킨다.1 is a plan view showing a link pad 4 connecting the link lines LL and the data lines DL. Referring to FIG. 1, the link lines LL and the data lines DL are electrically connected through the transparent electrode pattern 1. The link lines LL are formed in a gate metal pattern, and the data lines DL are formed in a source-drain metal pattern. The transparent electrode pattern 1 connects the first contact hole 2 formed on the link lines LL and the second contact hole 3 formed on the data lines DL to form the data lines DL, Thereby electrically connecting the lines DL.

도 1과 같이, 링크라인(LL)들의 게이트 금속패턴과 데이터라인(DL)들의 소스-드레인 금속패턴 간의 이격거리(d1)는 대략 4.5㎛로 짧다. 이로 인하여, 외부로부터 유입된 정전기가 발생되면, 이격거리(d1)가 좁은 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들 사이에서 정전기가 터지는 현상이 발생한다.1, the distance d 1 between the gate metal pattern of the link lines LL and the source-drain metal pattern of the data lines DL is as short as about 4.5 mu m. Therefore, when static electricity flows from the outside, static electricity is generated between the link lines LL and the data lines DL having a small separation distance d 1 .

도 2a 및 도 2b는 도 1의 링크 패드(4)에서 발생한 정전기성 불량을 보여주는 현미경 이미지이다. 도 3a 내지 도 3c는 도 2의 정전기성 불량을 FIB(Focused Ion Beam) 장비로 정밀 관찰한 이미지이다. 이러한 정전기성 불량으로 인하여, 링크 패드(4)들 뿐만 아니라, 데이터 패드들, 및 TFTs(Thin Film Transistors) 등이 손상되는 문제가 있다.
FIGS. 2A and 2B are microscope images showing electrostatic failures occurring in the link pad 4 of FIG. 3A to 3C are images obtained by observing the electrostatic failure of FIG. 2 with a focused ion beam (FIB) apparatus. As a result of such electrostatic defects, not only the link pads 4 but also data pads and thin film transistors (TFTs) are damaged.

본 발명은 링크 패드의 정전기성 불량을 줄일 수 있는 표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
The present invention provides a display device capable of reducing the electrostatic property of a link pad and a manufacturing method thereof.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 표시장치는 데이터라인들; 상기 데이터라인들과 연결되는 링크라인들; 및 상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 곡선부를 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 7.5㎛ 내지 9.5㎛인 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, a display device of the present invention includes data lines; Link lines connected to the data lines; And link pads connecting the link lines and the data lines through a first contact hole formed in the link lines and a second contact hole formed in the data lines, And the distance between the end of the link lines and the end of the data lines is in the range of 7.5 to 9.5 mu m.

본 발명의 표시장치의 제조방법은 데이터라인들; 상기 데이터라인들과 연결되는 링크라인들; 및 상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하는 표시장치의 제조방법에 있어서, 상기 링크라인들의 끝단이 오목하게 파여진 곡선부를 포함하도록 상기 링크라인들을 형성하는 단계; 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 곡선부를 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리가 7.5㎛ 내지 9.5㎛ 이격되도록 상기 데이터라인들을 형성하는 단계를 포함한다.
A manufacturing method of a display device of the present invention includes: data lines; Link lines connected to the data lines; And link pads connecting the link lines and the data lines through a first contact hole formed in the link lines and a second contact hole formed in the data lines, the method comprising: Forming the link lines such that the ends of the lines include concave corrugations; Forming the data lines such that a distance between the ends of the link lines and the end of the data lines is 7.5 占 퐉 to 9.5 占 퐉, the ends of the data lines facing the link lines include concave curved portions, .

본 발명은 링크 패드에서 링크라인들의 끝단과 데이터라인들의 끝단을 곡선으로 형성하여 링크라인들과 데이터라인들 간의 이격거리를 늘린다. 그 결과, 본 발명은 링크 패드의 정전기성 불량을 줄일 수 있고, 이로 인해 공정 수율을 높일 수 있다.
In the present invention, the ends of the link lines and the ends of the data lines in the link pad are curved to increase the separation distance between the link lines and the data lines. As a result, the present invention can reduce the electrostatic failure of the link pad, thereby increasing the process yield.

도 1은 링크라인들과 데이터라인들을 연결하는 링크 패드를 보여주는 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 링크 패드에서 발생한 정전기성 불량을 보여주는 현미경 이미지이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 2의 정전기성 불량을 FIB 장비로 정밀 관찰한 이미지이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타내는 블록도이다.
도 5는 도 4의 A 부분을 상세히 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 I - I'의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.
1 is a plan view showing a link pad connecting the link lines and the data lines.
2A and 2B are micrographs showing electrostatic failures occurring in the link pad of FIG.
3A to 3C are images obtained by observing the electrostatic failure of FIG. 2 with FIB equipment.
4 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view showing the detail of part A of FIG.
6 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'in Fig.
7 is a plan view showing a link pad according to the first embodiment of the present invention.
8 is a plan view showing a link pad according to a second embodiment of the present invention.
9 is a plan view showing a link pad according to a third embodiment of the present invention.
10 is a flowchart showing a manufacturing method of a display device according to an embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 실질적으로 동일한 구성요소들을 의미한다. 이하의 설명에서, 본 발명과 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우, 그 상세한 설명을 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. Like reference numerals throughout the specification denote substantially identical components. In the following description, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

이하의 설명에서 사용되는 구성요소들의 명칭은 명세서 작성의 용이함을 고려하여 선택된 것으로, 실제 제품의 명칭과는 상이할 수 있다. The names of components used in the following description are selected in consideration of ease of specification, and may be different from actual product names.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 표시장치를 나타내는 블록도이다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 표시장치는 표시패널(10), 게이트 구동회로, 데이터 구동회로, 및 타이밍 콘트롤러(50) 등을 구비한다.4 is a block diagram showing a display device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the display device of the present invention includes a display panel 10, a gate driving circuit, a data driving circuit, and a timing controller 50.

표시패널(10)은 서로 교차되는 데이터라인들 및 게이트라인들과, 매트릭스 형태로 배치된 픽셀들을 포함하는 픽셀 어레이(PIXEL ARRAY)를 구비한다. 표시패널(10)은 액정표시장치(LCD), 유기발광다이오드 표시장치(OLED), 전기영동 표시장치(EPD) 중 어느 하나의 표시패널로 구현될 수 있다. 본 발명의 표시패널(10)은 액정표시패널을 중심으로 예시하였지만, 액정표시패널에 한정되지 않는 것에 주의하여야 한다.The display panel 10 includes a pixel array (PIXEL ARRAY) including data lines and gate lines intersecting with each other and pixels arranged in a matrix form. The display panel 10 may be implemented as a display panel of any one of a liquid crystal display (LCD), an organic light emitting diode display (OLED), and an electrophoretic display (EPD). Although the display panel 10 of the present invention is exemplified by the liquid crystal display panel as a center, it should be noted that the present invention is not limited to the liquid crystal display panel.

데이터 구동회로는 다수의 소스 드라이브 IC(40)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC(40)들은 타이밍 콘트롤러(50)로부터 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 입력받는다. 소스 드라이브 IC(40)들은 타이밍 콘트롤러(50)로부터의 소스 타이밍 제어신호에 응답하여 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 감마보상전압으로 변환하여 데이터전압을 발생하고, 그 데이터전압을 게이트펄스에 동기되도록 표시패널(10)의 데이터라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(40)들은 COG(Chip On Glass) 공정이나 TAB(Tape Automated Bonding) 공정으로 표시패널(10)의 데이터라인들에 접속될 수 있다. The data driver circuit includes a plurality of source drive ICs 40. [ The source drive ICs 40 receive the digital video data RGB from the timing controller 50. The source driver ICs 40 convert the digital video data RGB to a gamma compensation voltage in response to a source timing control signal from the timing controller 50 to generate a data voltage and synchronize the data voltage with the gate pulse To the data lines of the display panel 10. The source drive ICs 40 may be connected to the data lines of the display panel 10 by a COG (Chip On Glass) process or a TAB (Tape Automated Bonding) process.

게이트 구동회로는 타이밍 콘트롤러(50)와 표시패널(10)의 게이트라인들 사이에 접속된 레벨 쉬프터(level shifter)(30)와, 쉬프트 레지스터(shift register)(20)를 구비한다. 레벨 쉬프터(30)는 타이밍 콘트롤러(50)와 함께 PCB(Printed Circuit Board)(60) 상에 실장된다. 레벨 쉬프터(30)는 타이밍 콘트롤러(50)로부터 입력되는 게이트 쉬프트 클럭(Gate Shift Clock, GSC)들의 TTL(Transistor-Transistor-Logic) 로직 레벨 전압을 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)으로 레벨 쉬프팅한다. 쉬프트 레지스터(20)는 레벨 쉬프터(30)로부터 입력되는 게이트 쉬프트 클럭(GSC)들에 응답하여 타이밍 콘트롤러(50)로부터 입력되는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse, GSP)를 쉬프트시킴으로써 게이트라인들에 게이트펄스를 순차적으로 출력한다.The gate driving circuit includes a level shifter 30 connected between the timing controller 50 and the gate lines of the display panel 10 and a shift register 20. The level shifter 30 is mounted on a PCB (Printed Circuit Board) 60 together with the timing controller 50. The level shifter 30 outputs a transistor-transistor-logic (TTL) logic level voltage of a gate shift clock (GSC) input from the timing controller 50 to a gate high voltage VGH and a gate low voltage VGL, Level shifting. The shift register 20 shifts gate start pulses (GSP) input from the timing controller 50 in response to gate shift clocks GSC input from the level shifter 30, And sequentially outputs pulses.

타이밍 콘트롤러(50)는 LVDS(Low Voltage Differential Signaling) 인터페이스, TMDS(Transition Minimized Differential Signaling) 인터페이스 등의 인터페이스를 통해 외부의 호스트 컴퓨터로부터 디지털 비디오 데이터(RGB)를 입력 받는다. 타이밍 콘트롤러(50)는 호스트 컴퓨터로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터들(RGB)을 소스 드라이브 IC들(40)로 전송한다.The timing controller 50 receives digital video data RGB from an external host computer through an interface such as a Low Voltage Differential Signaling (LVDS) interface and a Transition Minimized Differential Signaling (TMDS) interface. The timing controller 50 transmits digital video data (RGB) input from the host computer to the source drive ICs 40.

타이밍 콘트롤러(50)는 LVDS 또는 TMDS 인터페이스 수신회로를 통해 호스트 컴퓨터로부터 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍신호를 입력받는다. 타이밍 콘트롤러(50)는 호스트 컴퓨터로부터의 타이밍 신호를 기준으로 데이터 구동회로와 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 타이밍 제어신호들을 발생한다. 타이밍 제어신호들은 게이트 구동회로의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호, 소스 드라이브 IC들(40)의 동작 타이밍과 데이터전압의 극성을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호를 포함한다.The timing controller 50 receives timing signals such as a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, a data enable signal DE and a main clock MCLK from the host computer through an LVDS or TMDS interface receiving circuit And receives a signal. The timing controller 50 generates timing control signals for controlling the operation timing of the data driving circuit and the gate driving circuit based on the timing signal from the host computer. The timing control signals include a gate timing control signal for controlling the operation timing of the gate drive circuit, a data timing control signal for controlling the operation timing of the source drive ICs 40 and the polarity of the data voltage.

게이트 타이밍 제어신호는 게이트 스타트 펄스(GSP), 게이트 쉬프트 클럭(GSC), 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable, GOE) 등을 포함한다. 게이트 스타트 펄스(GSP)는 쉬프트 레지스터에 입력되어 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 게이트 쉬프트 클럭은 레벨 쉬프터에 입력되어 레벨 쉬프팅된 후에 쉬프트 레지스터에 입력되며, 게이트 스타트 펄스(GSP)를 쉬프트시키기 위한 클럭신호로 이용된다. 게이트 출력 인에이블신호(GOE)는 쉬프트 레지스터의 출력 타이밍을 제어한다.The gate timing control signal includes a gate start pulse GSP, a gate shift clock GSC, a gate output enable signal GOE, and the like. The gate start pulse GSP is input to the shift register to control the shift start timing. The gate shift clock is input to the level shifter, level shifted, and then input to the shift register, and is used as a clock signal for shifting the gate start pulse (GSP). The gate output enable signal GOE controls the output timing of the shift register.

데이터 타이밍 제어신호는 소스 스타트 펄스(Source Start Pulse, SSP), 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock, SSC), 극성제어신호(Polarity, POL), 및 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable, SOE) 등을 포함한다. 소스 스타트 펄스(SSP)는 소스 드라이브 IC들(40)의 쉬프트 스타트 타이밍을 제어한다. 소스 샘플링 클럭(SSC)은 라이징 또는 폴링 에지에 기준하여 소스 드라이브 IC들(40) 내에서 데이터의 샘플링 타이밍을 제어하는 클럭신호이다. 극성제어신호(POL)는 소스 드라이브 IC들로부터 출력되는 데이터전압의 극성을 제어한다. 타이밍 콘트롤러(50)과 소스 드라이브 IC들(40) 사이의 데이터 전송 인터페이스가 mini LVDS 인터페이스라면, 소스 스타트 펄스(SSP)와 소스 샘플링 클럭(SSC)은 생략될 수 있다.The data timing control signal includes a source start pulse (SSP), a source sampling clock (SSC), a polarity control signal (POL), and a source output enable signal (SOE) . The source start pulse SSP controls the shift start timing of the source drive ICs 40. The source sampling clock SSC is a clock signal that controls the sampling timing of data in the source drive ICs 40 based on the rising or falling edge. The polarity control signal POL controls the polarity of the data voltage output from the source drive ICs. If the data transfer interface between the timing controller 50 and the source drive ICs 40 is a mini LVDS interface, the source start pulse SSP and the source sampling clock SSC may be omitted.

도 5는 도 4의 A 부분을 상세히 나타내는 평면도이다. 도 6은 도 5의 I - I'의 단면도이다. 도 4의 A 부분은 데이터 링크부(DATA LINK) 및 픽셀 어레이(PIXEL ARRAY)의 상부를 보여준다.5 is a plan view showing the detail of part A of FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line I-I 'in Fig. Part A of FIG. 4 shows the top of the data link portion (DATA LINK) and the pixel array (PIXEL ARRAY).

도 5 및 도 6을 참조하면, 데이터 링크부는 데이터 패드(70)들, 및 데이터 패드(70)들과 연결된 링크라인(LL)들을 포함한다. 소스 드라이브 IC들(40)의 출력 라인들은 데이터 패드(70)들과 연결되며, 링크라인(LL)들 각각은 링크 패드(80)를 통해 데이터라인(DL)과 연결된다. 소스 드라이브 IC들(40)이 출력하는 데이터 전압은 데이터 패드(70)들, 링크라인(LL)들, 및 링크 패드(80)들을 통해 데이터라인(DL)들로 공급된다.5 and 6, the data link unit includes data pads 70 and link lines LL connected to the data pads 70. [ The output lines of the source drive ICs 40 are connected to the data pads 70 and each of the link lines LL is connected to the data line DL through the link pad 80. The data voltages output from the source drive ICs 40 are supplied to the data lines DL through the data pads 70, the link lines LL, and the link pads 80. [

데이터 패드(70)들 및 링크라인(LL)들은 게이트 금속패턴(102)으로 형성된다. 이에 비하여, 데이터라인(DL)들은 소스-드레인 금속패턴(106)으로 형성된다. 링크라인(LL)들과 데이터라인(DL)들을 전기적으로 연결하기 위하여, 링크라인(LL)들의 게이트 금속패턴(102)과 데이터라인(DL)들의 소스-드레인 금속패턴(106)은 링크 패드(80)에 형성된 제2 투명전극 패턴(81)을 통해 연결된다.The data pads 70 and the link lines LL are formed with the gate metal pattern 102. [ On the other hand, the data lines DL are formed of the source-drain metal pattern 106. [ The source-drain metal pattern 106 of the gate metal pattern 102 and the data lines DL of the link lines LL is electrically connected to the link pad LL 80 via the second transparent electrode pattern 81. [

데이터 패드(70)는 하부 기판(101) 상에 형성된 게이트 금속패턴(102)과, 게이트 금속패턴(102)을 덮는 게이트 절연막(103)과, 게이트 절연막(103) 상에 형성되는 보호막(107)으로 구성된다. 제1 투명전극 패턴(71)은 게이트 절연막(103)과 보호막(107)을 관통하는 제3 콘택홀(72)을 통해 게이트 금속패턴(102)에 연결된다.The data pad 70 includes a gate metal pattern 102 formed on the lower substrate 101, a gate insulating film 103 covering the gate metal pattern 102, a protective film 107 formed on the gate insulating film 103, . The first transparent electrode pattern 71 is connected to the gate metal pattern 102 through the third contact hole 72 passing through the gate insulating film 103 and the protective film 107.

링크 패드(80)는 링크라인(LL)의 게이트 금속패턴(102)과, 게이트 금속패턴(102)을 덮는 게이트 절연막(103)과, 게이트 금속패턴(102)과 중첩되지 않도록 소정의 이격거리(d2)를 두고 게이트 절연막(103) 상에 형성된 액티브층(104)과, 액티브층(104) 상에 형성되는 오믹접촉층(105)과, 오믹접촉층(105) 상에 형성되고 데이터라인(DL)의 소스-드레인 금속패턴(106)과, 소스-드레인 금속패턴(106)을 덮는 보호막(107)로 구성된다. 제4 콘택홀(82)은 게이트 절연막(103)과 보호막(107)을 관통하고, 제5 콘택홀(83)은 보호막(107)을 관통한다. 제2 투명전극 패턴(81)은 제4 콘택홀(82)을 통해 게이트 금속패턴(102)과 연결되고, 제5 콘택홀(83)을 통해 소스-드레인 금속패턴(106)과 연결된다. 소정의 이격거리(d2)는 도 7을 결부하여 후술한다.The link pad 80 includes a gate metal pattern 102 of the link line LL, a gate insulating film 103 covering the gate metal pattern 102, and a predetermined distance d 2) is formed to leave on the active layer 104 formed on the gate insulating film 103, the ohmic contact layer 105 and the ohmic contact layer 105 is formed on the active layer 104, a data line ( And a protective film 107 covering the source-drain metal pattern 106 and the source-drain metal pattern 106. The source- The fourth contact hole 82 penetrates the gate insulating film 103 and the protective film 107 and the fifth contact hole 83 penetrates the protective film 107. The second transparent electrode pattern 81 is connected to the gate metal pattern 102 through the fourth contact hole 82 and to the source-drain metal pattern 106 through the fifth contact hole 83. A predetermined distance (d 2) will be described below in conjunction to Fig.

픽셀 어레이(PIXEL ARRAY)에는 게이트라인(GL)들과 데이터라인(DL)들이 교차하여 형성되고, 게이트라인(GL)들과 데이터라인(DL)들이 교차하는 부분에는 TFT(90)가 형성된다. 단위 픽셀에는 TFT(90)와 연결되는 화소전극(91)이 형성되어 TFT(90)의 스위칭에 의해 화상이 표시된다.Gate lines GL and data lines DL are formed in a pixel array PIXEL ARRAY and TFTs 90 are formed in a portion where gate lines GL and data lines DL intersect each other. A pixel electrode 91 connected to the TFT 90 is formed in the unit pixel, and an image is displayed by switching of the TFT 90. [

TFT(90)는 게이트라인(GL)으로부터 분기된 게이트 금속패턴(102)과, 게이트 금속패턴(102)을 덮는 게이트 절연막(103)과, 게이트 금속패턴(102) 상부의 게이트 절연막(103) 상에 형성된 액티브층(104)과, 액티브층(104) 양끝단에 각각 형성되는 오믹접촉층(105)과, 오믹접촉층(105) 상에 형성되고 데이터라인(DL)으로부터 분기된 소스-드레인 금속패턴(106)과, 소스-드레인 금속패턴(106)을 덮는 보호막(107)로 구성된다. 화소전극(91)은 보호막(107)을 관통하는 제6 콘택홀(92)을 통해 소스-드레인 금속패턴(106)에 연결된다.The TFT 90 includes a gate metal pattern 102 branched from the gate line GL, a gate insulating film 103 covering the gate metal pattern 102 and a gate insulating film 103 on the gate metal pattern 102 An active layer 104 formed on the ohmic contact layer 105 and an ohmic contact layer 105 formed on both ends of the active layer 104 and a source-drain metal layer 104 formed on the ohmic contact layer 105, A pattern 106, and a protective film 107 covering the source-drain metal pattern 106. As shown in Fig. The pixel electrode 91 is connected to the source-drain metal pattern 106 through a sixth contact hole 92 penetrating the protective film 107.

게이트 금속패턴(102)은 알루미늄(Al), AlNd, 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 그 합금 등의 금속으로 이루어진다. TFT(90)들의 게이트 라인들, 및 TFT(90)들의 게이트 전극들과 연결되는 게이트라인(GL)들은 게이트 금속패턴(102)으로 형성된다. 게이트 절연막(103)은 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 절연 물질을 포함한다. 반도체 패턴은 액티브층(104)과 오믹접촉층(105)을 포함한다. 소스-드레인 금속패턴(106)은 구리(Cu), 알루미늄(Al), AlNd, 몰리브덴(Mo) 중 어느 하나 또는 그 합금 등의 금속으로 이루어지며, 반도체 패턴 상에 형성된다. 제1 투명전극 패턴(71), 제2 투명전극 패턴(81), 및 화소전극(91)은 ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), 및 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전성 물질을 포함한다. 제3 내지 제6 콘택홀(72, 82, 83, 92)은 식각공정을 통해 형성될 수 있다.The gate metal pattern 102 is made of a metal such as any one of aluminum (Al), AlNd, and copper (Cu) or an alloy thereof. The gate lines GL of the TFTs 90 and the gate lines GL connected to the gate electrodes of the TFTs 90 are formed of the gate metal pattern 102. [ The gate insulating film 103 includes an insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx). The semiconductor pattern includes an active layer 104 and an ohmic contact layer 105. The source-drain metal pattern 106 is formed of a metal such as copper (Cu), aluminum (Al), AlNd, or molybdenum (Mo) or an alloy thereof, and is formed on the semiconductor pattern. The first transparent electrode pattern 71, the second transparent electrode pattern 81 and the pixel electrode 91 are formed of a transparent conductive material such as ITO (indium tin oxide), TO (tin oxide), and IZO (indium zinc oxide) . The third to sixth contact holes 72, 82, 83, and 92 may be formed through an etching process.

도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따른 링크 패드(80)를 보여주는 평면도이다. 도 7을 참조하면, 링크라인(LL)과 데이터라인(DL)의 사이에서 정전기 터짐을 방지하기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)과 데이터라인(DL)의 끝단(85)은 소정의 이격거리(d3)만큼 이격되어야 한다. 소정의 이격거리(d3)만큼 이격되기 위하여, 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지의 최소거리(d5) 및 최대거리(d6)가 다르게 형성된다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 P지점부터 Q지점까지는 제4 콘택홀(82)로부터 최대거리(d6)를 갖도록 형성된다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 R지점부터 S지점까지는 제4 콘택홀(82)로부터 최소거리(d5)를 갖도록 형성된다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 Q지점부터 R지점까지는 완만한 곡선으로 형성된다.7 is a plan view showing a link pad 80 according to the first embodiment of the present invention. 7, the end 84 of the link line LL and the end 85 of the data line DL are connected in parallel to each other to prevent electrostatic discharge between the link line LL and the data line DL. (D 3 ) of the distance from the center. The minimum distance d 5 and the maximum distance d 6 from the fourth contact hole 82 to the end 84 of the link line LL are formed differently so as to be spaced apart from the predetermined distance d 3 . The point P from the point P of the end 84 of the link line LL is formed to have a maximum distance d 6 from the fourth contact hole 82. The distance from the R point to the S point of the end 84 of the link line LL is formed to have a minimum distance d 5 from the fourth contact hole 82. The curve from the point Q to the point R of the end 84 of the link line LL is formed as a gentle curve.

데이터라인(DL)의 끝단(85)도 상기 링크라인(LL)의 끝단(84)과 같이 형성된다. 다만, 소정의 이격거리(d3)만큼 이격되기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지의 최소거리(d5)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최대거리(d6)를 가지는 지점들과 대향된다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리(d6)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최소거리(d5)를 가지는 지점들과 대향된다.The end 85 of the data line DL is also formed as the end 84 of the link line LL. However, to be spaced a predetermined distance (d 3), the point having the minimum distance (d 5) to the fourth contact hole 82 from the end 84 of the link line (LL) are the data line (DL (D 6 ) from the end 85 of the second contact hole 83 to the fifth contact hole 83. The points having the maximum distance d 6 from the end 84 of the link line LL to the fourth contact hole 82 extend from the end 85 of the data line DL to the fifth contact hole 83 (D 5 ).

소정의 이격거리(d3)는 7.5㎛ 내지 9.5㎛로 형성될 수 있다. 다만, 공정마진과 링크 패드(80)의 전기적 특성을 고려할 때, 8.5㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단까지 최소거리(d5)는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만으로 형성되고, 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단까지 최대거리(d6)는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하로 형성될 수 있다. 링크라인(LL)의 끝단(84)의 Q지점부터 데이터라인(DL)의 끝단(85)의 완만한 곡선패턴까지 최소거리(d4)는 8.85㎛ 이상으로 형성될 수 있다.A predetermined distance (d 3) may be formed of a 7.5㎛ to 9.5㎛. However, in consideration of the process margin and the electrical characteristics of the link pad 80, it is preferable to be formed to be 8.5 탆. The minimum distance d 5 from the fourth contact hole 82 to the end of the link line LL is formed to be not less than 3 μm and less than 5 μm and the distance from the fourth contact hole 82 to the end of the link line LL The maximum distance d 6 may be formed to be not less than 5 탆 and not more than 7 탆. The minimum distance d 4 from the Q point of the end 84 of the link line LL to the gentle curve pattern of the end 85 of the data line DL may be 8.85 μm or more.

또한, 제4 콘택홀(82)의 T지점부터 U지점까지의 거리(d7)는 공정마진 확보를 위해 제4 콘택홀(82)의 길이(d8)의 2/3 이하의 값을 가진다. 제4 콘택홀(82)은 2개 이상의 콘택홀로 형성될 수 있으며, 이 경우, 제4 콘택홀(82)의 길이(d8)는 일측 끝단의 콘택홀로부터 타측 끝단의 콘택홀까지의 거리를 의미한다. 제4 콘택홀(82)의 T지점은 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 거리가 최소거리(d5)인 제4 콘택홀(82)의 모서리 부분이다. 제4 콘택홀(82)의 U지점은 링크라인(LL)의 끝단(84)부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리(d5)를 가지는 지점으로, 링크라인(LL)의 끝단인 Q지점에 대응하는 지점이다. 링크라인(LL)의 끝단(84)에서 양 모서리 부분인 P지점 및 S지점은 모서리 쪽으로 전계가 치우치는 것을 방지하기 위해 모따기 구조로 형성된다.The distance d 7 from the T point to the U point of the fourth contact hole 82 is 2/3 or less of the length d 8 of the fourth contact hole 82 for securing the process margin . The fourth contact hole 82 may be formed of two or more contact holes. In this case, the length d 8 of the fourth contact hole 82 is a distance from the contact hole at one end to the contact hole at the other end it means. The T point of the fourth contact hole 82 is the edge portion of the fourth contact hole 82 having the minimum distance d 5 from the end 84 of the link line LL to the fourth contact hole 82 . The U point of the fourth contact hole 82 is a point having a maximum distance d 5 from the end 84 of the link line LL to the fourth contact hole 82, Point corresponding to the point. At the end 84 of the link line LL, both the corner portions P and S are chamfered to prevent the electric field from being biased toward the corner.

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다. 도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에서, 링크라인(LL)의 끝단(84)은 다수의 오목한 패턴을 가지도록 형성된다. 정전기 터짐을 방지하기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)과 데이터라인(DL)의 끝단(85)은 소정의 이격거리(d9)만큼 이격되어야 한다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 오목한 패턴의 중앙인 V지점은 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최소거리(d10)를 가지는 지점이다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 오목한 패턴의 끝단인 W지점은 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최대거리(d11)를 가지는 지점이다. 8 is a plan view showing a link pad according to a second embodiment of the present invention. Referring to Fig. 8, in the second embodiment of the present invention, the end 84 of the link line LL is formed to have a plurality of concave patterns. In order to avoid static fires, the end 85 of the tip 84 and the data line (DL) of the link line (LL) is to be spaced by a predetermined distance (d 9). The point V which is the center of the concave pattern in the end 84 of the link line LL is a point having a minimum distance d 10 from the fourth contact hole 82 to the end 84 of the link line LL. The W point which is the end of the concave pattern in the end 84 of the link line LL is a point having the maximum distance d 11 from the fourth contact hole 82 to the end 84 of the link line LL.

데이터라인(DL)의 끝단(85)도 상기 링크라인(LL)의 끝단(84)과 같이 형성된다. 다만, 소정의 이격거리(d9)만큼 이격되기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지의 최소거리(d10)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최대거리(d11)를 가지는 지점들과 대향된다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리(d11)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최소거리(d10)를 가지는 지점들과 대향된다.The end 85 of the data line DL is also formed as the end 84 of the link line LL. However, to be spaced a predetermined distance (d 9), the point having the minimum distance (d 10) to the fourth contact hole 82 from the end 84 of the link line (LL) are the data line (DL (D 11 ) from the end 85 of the first contact hole 83 to the fifth contact hole 83. The points having the maximum distance d 11 from the end 84 of the link line LL to the fourth contact hole 82 extend from the end 85 of the data line DL to the fifth contact hole 83 (D 10 ).

소정의 이격거리(d9)는 7.5㎛ 내지 9.5㎛로 형성될 수 있다. 다만, 공정마진과 링크 패드(80)의 전기적 특성을 고려할 때, 8.5㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최소거리(d10)는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만으로 형성되고, 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최대거리(d11)는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하로 형성될 수 있다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)에서 양 모서리 부분은 모서리 쪽으로 전계가 치우치는 것을 방지하기 위해 모따기 구조로 형성된다.The predetermined separation distance d 9 may be formed to be 7.5 mu m to 9.5 mu m. However, in consideration of the process margin and the electrical characteristics of the link pad 80, it is preferable to be formed to be 8.5 탆. The minimum distance d 10 from the fourth contact hole 82 to the end 84 of the link line LL is formed to be 3 탆 or more and less than 5 탆 and the distance from the fourth contact hole 82 to the link line LL The maximum distance d 11 to the end 84 of the first electrode 12 may be 5 탆 or more and 7 탆 or less. Further, at the end 84 of the link line LL, both corner portions are formed in a chamfered structure to prevent the electric field from being biased toward the corner.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 링크 패드를 보여주는 평면도이다. 도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에서, 링크라인(LL)의 끝단(84)은 물결모양같이 도 8의 오목한 패턴보다 넓은 간격으로 형성된다. 정전기 터짐을 방지하기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)과 데이터라인(DL)의 끝단(85)은 소정의 이격거리(d12)만큼 이격되어야 한다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 오목한 패턴의 중앙인 X지점은 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최소거리(d13)를 가지는 지점이다. 링크라인(LL)의 끝단(84) 중 오목한 패턴의 끝단인 Y지점은 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최대거리(d14)를 가지는 지점이다. 9 is a plan view showing a link pad according to a third embodiment of the present invention. Referring to Fig. 9, in the third embodiment of the present invention, the ends 84 of the link lines LL are formed wider than the concave pattern of Fig. 8 like a wavy pattern. The end 84 of the link line LL and the end 85 of the data line DL should be separated by a predetermined distance d 12 in order to prevent electrostatic discharge. The X point which is the center of the concave pattern in the end 84 of the link line LL is a point having the minimum distance d 13 from the fourth contact hole 82 to the end 84 of the link line LL. The Y point which is the end of the concave pattern in the end 84 of the link line LL is a point having the maximum distance d 14 from the fourth contact hole 82 to the end 84 of the link line LL.

데이터라인(DL)의 끝단(85)도 상기 링크라인(LL)의 끝단(84)과 같이 형성된다. 다만, 소정의 이격거리(d12)만큼 이격되기 위하여, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지의 최소거리(d13)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최대거리(d14)를 가지는 지점들과 대향된다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리(d14)를 가지는 지점들은 상기 데이터라인(DL)의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최소거리(d13)를 가지는 지점들과 대향된다.The end 85 of the data line DL is also formed as the end 84 of the link line LL. However, to be spaced a predetermined distance (d 12), the point having the minimum distance (d 13) to the fourth contact hole 82 from the end 84 of the link line (LL) are the data line (DL And a maximum distance d 14 from the end 85 of the second contact hole 83 to the fifth contact hole 83. The points having the maximum distance d 14 from the end 84 of the link line LL to the fourth contact hole 82 extend from the end 85 of the data line DL to the fifth contact hole 83 (D 13 ).

소정의 이격거리(d12)는 7.5㎛ 내지 9.5㎛로 형성될 수 있다. 다만, 공정마진과 링크 패드(80)의 전기적 특성을 고려할 때, 8.5㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최소거리(d13)는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만으로 형성되고, 제4 콘택홀(82)로부터 링크라인(LL)의 끝단(84)까지 최대거리(d14)는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하로 형성될 수 있다. 또한, 링크라인(LL)의 끝단(84)에서 양 모서리 부분은 모서리 쪽으로 전계가 치우치는 것을 방지하기 위해 모따기 구조로 형성된다.The predetermined separation distance d 12 may be formed to be 7.5 탆 to 9.5 탆. However, in consideration of the process margin and the electrical characteristics of the link pad 80, it is preferable to be formed to be 8.5 탆. The minimum distance d 13 from the fourth contact hole 82 to the end 84 of the link line LL is formed to be not less than 3 탆 and less than 5 탆 and from the fourth contact hole 82 to the link line LL, The maximum distance d 14 to the end 84 of the first semiconductor layer 12 may be formed to be not less than 5 탆 and not more than 7 탆. Further, at the end 84 of the link line LL, both corner portions are formed in a chamfered structure to prevent the electric field from being biased toward the corner.

도 10은 본 발명의 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 나타내는 흐름도이다. 이에 대하여는 도 7 내지 도 9를 결부하여 설명한다.10 is a flowchart showing a manufacturing method of a display device according to an embodiment of the present invention. This will be described with reference to Figs. 7 to 9. Fig.

본 발명의 실시예에 따른 링크 패드(80)를 포함한 표시장치의 제조방법은 먼저, 링크라인(LL)의 끝단이 오목하게 파여진 곡선부를 포함하도록 링크라인(LL)들을 형성한다. 이때, 데이터라인(DL)들과의 이격거리를 고려하여 링크라인(LL)들의 끝단(84)을 형성한다. 링크라인(LL)들은 링크라인(LL)들의 끝단(84)이 링크라인(LL)들의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최소거리를 가지는 지점들, 상기 링크라인(LL)들의 끝단(84)으로부터 상기 제4 콘택홀(82)까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하도록 형성된다. (S1)The manufacturing method of the display device including the link pad 80 according to the embodiment of the present invention first forms the link lines LL so that the ends of the link lines LL include concave curved portions. At this time, the ends 84 of the link lines LL are formed in consideration of the distance from the data lines DL. The link lines LL are located at points where the end 84 of the link lines LL has a minimum distance from the end 84 of the link lines LL to the fourth contact hole 82, And a point having a maximum distance from the end (84) to the fourth contact hole (82). (S1)

두번째로, 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 곡선부를 포함하고, 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리가 7.5㎛ 내지 9.5㎛ 이격되도록 상기 데이터라인들을 형성한다. 상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 공정마진이나, 링크 패드(80)의 전기적 특성을 고려할 때, 8.5㎛로 형성되는 것이 바람직하다. 데이터라인(DL)들은 데이터라인(DL)들의 끝단(85)이 데이터라인(DL)들의 끝단(85)으로부터 제5 콘택홀(83)까지 최소거리를 가지는 지점들, 데이터라인(DL)들의 끝단(85)으로부터 제5 콘택홀(83)까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하도록 형성된다. 이때, 링크라인(LL)들의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최소거리를 가지는 지점들은 데이터라인(DL)들의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최대거리를 가지는 지점들과 대향되고, 링크라인(LL)들의 끝단(84)으로부터 제4 콘택홀(82)까지 최대거리를 가지는 지점들은 데이터라인(DL)들의 끝단(85)으로부터 상기 제5 콘택홀(83)까지 최소거리를 가지는 지점들과 대향된다. 상기 최소거리는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만으로, 상기 최대거리는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하로 형성될 수 있다. (S2)The second end of the data lines opposite to the link lines includes a concave curved portion and the distance between the end of the link lines and the end of the data lines is 7.5 占 퐉 to 9.5 占 퐉. . The distance between the end of the link lines and the end of the data lines is preferably 8.5 탆 in consideration of the process margin or the electrical characteristics of the link pad 80. The data lines DL are formed at positions where the ends 85 of the data lines DL have a minimum distance from the end 85 of the data lines DL to the fifth contact holes 83, And a point having a maximum distance from the first contact hole 85 to the fifth contact hole 83. At this time, the points having the minimum distance from the end 84 of the link lines LL to the fourth contact hole 82 have a maximum distance from the end 85 of the data line DL to the fifth contact hole 83 And the points having the maximum distance from the end 84 of the link lines LL to the fourth contact hole 82 extend from the end 85 of the data line DL to the fifth contact hole 83 ) With a minimum distance. The minimum distance may be not less than 3 mu m and less than 5 mu m, and the maximum distance may be not less than 5 mu m and not more than 7 mu m. (S2)

상기 제3 내지 제6 콘택홀(72, 82, 83, 92)들 각각은 복수 개의 콘택홀로 형성될 수 있다.Each of the third to sixth contact holes 72, 82, 83, and 92 may be formed of a plurality of contact holes.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위 내에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명은 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention. Therefore, the present invention should not be limited to the details described in the detailed description, but should be defined by the claims.

1: 투명전극 패턴 2: 제1 콘택홀
3: 제2 콘택홀 4: 링크 패드
10: 표시패널 20: 쉬프트 레지스터
30: 레벨 쉬프터 40: 소스 드라이브 IC
50: 타이밍 콘트롤러 60: PCB
70: 데이터 패드 71: 제1 투명전극 패턴
72: 제3 콘택홀 80: 링크 패드
81: 제2 투명전극 패턴 82: 제4 콘택홀
83: 제5 콘택홀 84: 링크라인의 끝단
85: 데이터라인의 끝단 90: TFT
91: 화소전극 92: 제6 콘택홀
101: 하부 기판 102: 게이트 금속패턴
103: 게이트 절연막 104: 액티브층
105: 오믹접촉층 106: 소스-드레인 금속패턴
107: 보호막 LL: 링크라인
DL: 데이터라인 GL: 게이트라인
1: transparent electrode pattern 2: first contact hole
3: second contact hole 4: link pad
10: display panel 20: shift register
30: Level shifter 40: Source drive IC
50: Timing controller 60: PCB
70: Data pad 71: First transparent electrode pattern
72: third contact hole 80: link pad
81: second transparent electrode pattern 82: fourth contact hole
83: fifth contact hole 84: end of the link line
85: end of data line 90: TFT
91: pixel electrode 92: sixth contact hole
101: lower substrate 102: gate metal pattern
103: gate insulating film 104: active layer
105: ohmic contact layer 106: source-drain metal pattern
107: Protective film LL: Link line
DL: Data line GL: Gate line

Claims (18)

데이터라인들;
상기 데이터라인들과 서로 중첩되지 않도록 소정 간격 이격된 링크라인들; 및
상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하고,
상기 링크라인들의 끝단은 상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들, 및 상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하고,
상기 데이터라인들의 끝단은 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들, 및 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하며,
상기 링크라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들은 상기 데이터라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들과 대향되고,
상기 링크라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들은 상기 데이터라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들과 대향되는 표시장치.
Data lines;
Link lines spaced apart from each other by a predetermined distance so as not to overlap with the data lines; And
And a second contact hole formed in the data lines and connecting the data lines to the link lines,
The ends of the link lines include points having a minimum distance from the end of the link lines to the first contact hole and points having a maximum distance from the end of the link lines to the first contact hole,
The ends of the data lines include points having a minimum distance from the end of the data lines to the second contact hole and points having a maximum distance from the end of the data lines to the second contact hole,
The points having the minimum distance of the link lines are opposed to the points having the maximum distance of the data lines,
Wherein points having the maximum distance of the link lines are opposed to points having the minimum distance of the data lines.
제 1 항에 있어서,
상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 8.5㎛ 인 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
And a distance between an end of the link lines and an end of the data lines is 8.5 m.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 최소거리는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만이고, 상기 최대거리는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the minimum distance is not less than 3 占 퐉 and less than 5 占 퐉, and the maximum distance is not less than 5 占 퐉 and not more than 7 占 퐉.
제 1 항에 있어서,
상기 링크라인들은 게이트 금속패턴으로 형성되고, 상기 데이터라인들은 소스-드레인 금속패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the link lines are formed in a gate metal pattern, and the data lines are formed in a source-drain metal pattern.
제 1 항에 있어서,
상기 링크라인들의 끝단의 양 모서리, 및 상기 데이터라인들의 끝단의 양 모서리는 모따기 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein both edges of the ends of the link lines and both edges of the ends of the data lines are formed by a chamfer structure.
데이터라인들; 상기 데이터라인들과 서로 중첩되지 않도록 소정 간격 이격된 링크라인들; 및 상기 링크라인들에 형성된 제1 콘택홀과 상기 데이터라인들에 형성된 제2 콘택홀을 통해 상기 링크라인들과 상기 데이터라인들을 연결하는 링크 패드들을 포함하는 표시장치의 제조방법에 있어서,
상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들, 상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들을 포함하는 상기 링크라인들을 형성하는 단계; 및
상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들, 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들을 포함하는 상기 데이터라인들을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들은 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들과 대향되며,
상기 링크라인들의 끝단으로부터 상기 제1 콘택홀까지 최대거리를 가지는 지점들은 상기 데이터라인들의 끝단으로부터 상기 제2 콘택홀까지 최소거리를 가지는 지점들과 대향되는 표시장치의 제조방법.
Data lines; Link lines spaced apart from each other by a predetermined distance so as not to overlap with the data lines; And link pads connecting the link lines and the data lines through a first contact hole formed in the link lines and a second contact hole formed in the data lines,
Forming the link lines including points having a minimum distance from an end of the link lines to the first contact hole and points having a maximum distance from an end of the link lines to the first contact hole; And
Forming the data lines including points having a maximum distance from an end of the data lines to the second contact hole and a point having a minimum distance from an end of the data lines to the second contact hole ,
The points having the minimum distance from the end of the link lines to the first contact hole are opposed to the points having the maximum distance from the end of the data lines to the second contact hole,
Wherein points having a maximum distance from an end of the link lines to the first contact hole are opposed to points having a minimum distance from an end of the data lines to the second contact hole.
제 7 항에 있어서,
상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 8.5㎛ 인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein a distance between an end of the link lines and an end of the data lines is 8.5 占 퐉.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 7 항에 있어서,
상기 최소거리는 3㎛ 이상, 5㎛ 미만이고, 상기 최대거리는 5㎛ 이상, 7㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the minimum distance is 3 占 퐉 or more and less than 5 占 퐉, and the maximum distance is 5 占 퐉 or more and 7 占 퐉 or less.
제 1 항에 있어서,
상기 링크라인들의 끝단과 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 적어도 하나의 곡선부를 각각 포함하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the ends of the link lines and the end of the data lines opposite to the link lines each include at least one curved portion concavely waved.
제 1 항에 있어서,
상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 7.5㎛ 내지 9.5㎛인 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein a distance between an end of the link lines and an end of the data lines is 7.5 mu m to 9.5 mu m.
제 1 항에 있어서,
상기 링크라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들과, 이와 대향하는 상기 데이터라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들 사이의 이격 거리는,
상기 링크라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들과, 이와 대향하는 상기 데이터라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들 사이의 이격 거리와 동일한 표시장치.
The method according to claim 1,
The distance between the points having the minimum distance of the link lines and the points having the maximum distance of the opposite data lines,
And a distance between the points having the maximum distance of the link lines and the points having the minimum distance of the data lines facing the same.
제 7 항에 있어서,
상기 링크라인들의 끝단과 상기 링크라인들과 대향하는 상기 데이터라인들의 끝단은 오목하게 파여진 적어도 하나의 곡선부를 각각 포함하는 표시장치의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein the ends of the link lines and the ends of the data lines facing the link lines each include at least one curved portion concavely waved.
제 7 항에 있어서,
상기 링크라인들의 끝단과 상기 데이터라인들의 끝단 간의 거리는 7.5㎛ 내지 9.5㎛인 표시장치의 제조방법.
8. The method of claim 7,
Wherein a distance between an end of the link lines and an end of the data lines is 7.5 占 퐉 to 9.5 占 퐉.
제 7 항에 있어서,
상기 링크라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들과, 이와 대향하는 상기 데이터라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들 사이의 이격 거리는,
상기 링크라인들의 상기 최대거리를 가지는 지점들과, 이와 대향하는 상기 데이터라인들의 상기 최소거리를 가지는 지점들 사이의 이격 거리와 동일한 표시장치 제조방법.
8. The method of claim 7,
The distance between the points having the minimum distance of the link lines and the points having the maximum distance of the opposite data lines,
And a distance between the points having the maximum distance of the link lines and the points having the minimum distance of the data lines facing the same.
KR1020100083835A 2010-08-30 2010-08-30 Display device and fabricating method thereof KR101712204B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100083835A KR101712204B1 (en) 2010-08-30 2010-08-30 Display device and fabricating method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100083835A KR101712204B1 (en) 2010-08-30 2010-08-30 Display device and fabricating method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120020298A KR20120020298A (en) 2012-03-08
KR101712204B1 true KR101712204B1 (en) 2017-03-03

Family

ID=46128906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100083835A KR101712204B1 (en) 2010-08-30 2010-08-30 Display device and fabricating method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101712204B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI575756B (en) 2015-01-13 2017-03-21 群創光電股份有限公司 Display panel
KR102420079B1 (en) 2017-06-16 2022-07-13 삼성디스플레이 주식회사 Display apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002131766A (en) * 2000-10-20 2002-05-09 Kyocera Corp Liquid crystal display device
JP2006301407A (en) 2005-04-22 2006-11-02 Optrex Corp Display panel

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070071380A (en) * 2005-12-30 2007-07-04 삼성전자주식회사 Thin film transistor substrate
KR101159399B1 (en) * 2009-02-18 2012-06-28 엘지디스플레이 주식회사 Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002131766A (en) * 2000-10-20 2002-05-09 Kyocera Corp Liquid crystal display device
JP2006301407A (en) 2005-04-22 2006-11-02 Optrex Corp Display panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120020298A (en) 2012-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9398687B2 (en) Display device including line on glass
US9373299B2 (en) Display device and method of forming a display device
JP4593904B2 (en) Liquid crystal display
KR102020938B1 (en) Liquid crystal display
EP3040770B1 (en) Pad structure and display device having the same
KR20110107659A (en) Liquid crystal display
KR20100134290A (en) Liquid crystal display device
KR102118153B1 (en) Display device having narrow bezel and fabricating method thereof
KR101604492B1 (en) Liquid Crystal Display device
US11852930B2 (en) Display device
JP2014085661A (en) Display device
KR101712204B1 (en) Display device and fabricating method thereof
KR102496175B1 (en) Display device and driving method thereof
JP2005227675A (en) Electrooptical apparatus and electronic equipment
KR20180003703A (en) Display panel and display device using the same
KR20120030724A (en) Display device and method of cutting off static electricity and noise thereof
US8242675B2 (en) Display device
KR20140081482A (en) Flexibel liquid crystal display device
KR101720337B1 (en) Display device including pad for measuring gate pulse, and gate pulse measure method using the pad
KR102222144B1 (en) Display device
KR102075355B1 (en) Liquid crystal display device
KR20120113500A (en) Liquid crystal display panel including photo sensor and display device using the same
US11876100B2 (en) Array substrate and method of manufacturing the same, pixel driving method, and display panel
KR20220155498A (en) Display device
KR102662960B1 (en) Flexible film having small size and display device including thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant