KR101710358B1 - Light Emitting diode and Light Emitting diode Package - Google Patents

Light Emitting diode and Light Emitting diode Package Download PDF

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Abstract

실시예에 따른 발광소자는 교류용 발광 소자에 관한 것이다. 이 발광소자는 수직적으로 중첩되게 복수의 발광구조물을 형성시키고, 이에 따른 배선과, 절연층을 형성하여서 고광도의 발광소자를 구현하며, 발광소자의 부피가 크게 늘지 않아서 기존 패키지를 사용할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment relates to an alternating current light emitting device. This light emitting device forms a plurality of light emitting structures so as to vertically overlap with each other, and a wiring and an insulating layer are formed so as to realize a light emitting device of high light intensity, and the volume of the light emitting device is not greatly increased.

Description

발광 소자 및 발광소자 패키지{Light Emitting diode and Light Emitting diode Package}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device,

실시예는 발광소자 및 발광소자 패키지에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting device and a light emitting device package.

형광등은 흑점 현상, 짧은 수명 등으로 잦은 교체와 형광물질 사용으로 친환경을 지향하는 미래 조명시장의 흐름에 반하므로 점차 타 광원으로 대치되고 있는 추세이다.Fluorescent lamps are gradually replacing with other light sources because of the frequent replacement of black spots and short life span and the use of fluorescent materials, which is against the trend of the future lighting market which is aiming for environment friendly.

이에 타 광원으로 가장 주목받고 있는 것은 LED(Light Emitting Diode)로써, 반도체의 빠른 처리 속도와 낮은 전력 소모 등의 장점과 함께, 환경 친화적이면서도 에너지 절약 효과가 높아서 차세대 광원으로 꼽히고 있다. 따라서, 기존의 형광등을 대체하기 위한 LED의 활용은 활발히 진행 중에 있다.As the other light source, LED (Light Emitting Diode) is one of the next generation light sources because of its high processing speed and low power consumption of semiconductors, as well as environment friendly and energy saving effect. Therefore, utilization of LEDs to replace conventional fluorescent lamps is actively underway.

현재, LED와 같은 반도체 발광 소자는 텔레비전, 모니터, 노트북, 휴대폰, 및 기타 디스플레이장치를 구비하는 다양한 장치에 적용되고 있으며, 특히 기존의 CCFL을 대체하여 백 라이트 유닛으로도 널리 사용되고 있다.Currently, semiconductor light emitting devices such as LEDs are applied to various apparatuses including televisions, monitors, notebooks, mobile phones, and other display devices, and are widely used as backlight units in place of conventional CCFLs.

최근에는 발광소자를 조명광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위하여 전류를 균일하게 확산시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있는 발광소자를 제작하기 위한 연구가 진행 중에 있다.In recent years, in order to use a light emitting element as an illumination light source, a higher brightness has been required. In order to achieve such high brightness, research is underway to manufacture a light emitting element capable of increasing the light emitting efficiency by uniformly diffusing a current.

실시예는, 발광소자의 고휘도화 및 고광도화를 가능케 하고, 종래의 패키지를 사용할 수 있는 발광소자를 제공한다.The embodiment provides a light emitting device that enables high brightness and high light emission of a light emitting device and can use a conventional package.

실시예는, 하나의 발광소자에서 발광구조물을 복수로 형성하여 연색성 및 휘도를 향상시킬 수 있으며, 절연층을 사용하여 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.In an embodiment, a plurality of light emitting structures may be formed in one light emitting device to improve color rendering and brightness, and an electrical short can be prevented by using an insulating layer.

실시예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판상에 형성되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 제1 활성층을 포함하는 제1 발광구조물, 상기 제1 발광구조물 상에 상기 제1 발광구조물이 형성된 위치와 적어도 일부분이 수직적으로 중첩되도록 형성되고 제3 반도체층 제4 반도체층 및 상기 제3, 4 반도체층 사이에 형성된 제2 활성층을 포함하는 제2 발광구조물, 상기 제1 반도체층과 상기 제 3반도체층에 접속되도록 형성된 제 1전극, 적어도 상기 제1 전극이 형성된 영역을 제외한 상기 제1 발광구조물과 상기 제2 발광구조물의 사이에 형성되는 층간 절연층, 상기 제 2반도체층에 접속되도록 형성된 제 2전극, 상기 제 2전극과 접속되어 상기 제4 반도체층에 접속되는 배선 및 상기 제 2발광구조물과 상기 배선 사이에 형성되는 측면 절연층을 포함할 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a first light emitting structure formed on the substrate and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a first active layer formed between the first and second semiconductor layers, A second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and a second active layer formed between the third semiconductor layer and the third semiconductor layer so as to vertically overlap at least a portion of the first semiconductor layer and the first semiconductor layer, A first electrode formed to be connected to the first semiconductor layer and the third semiconductor layer, and an interlayer insulating film formed between the first light emitting structure and the second light emitting structure except at least a region where the first electrode is formed, A second electrode formed to be connected to the second semiconductor layer, a wiring connected to the fourth semiconductor layer and connected to the second electrode, and a wiring formed between the second light emitting structure and the wiring Surface can be an insulating layer.

여기서, 상기 제1 발광구조물은 상기 제2 발광구조물과 동일 파장의 빛을 방사할 수 있다.Here, the first light emitting structure may emit light having the same wavelength as the second light emitting structure.

또한, 실시예에 따른 발광소자는, 도전성 기판, 상기 기판상에 형성되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 제1 활성층을 포함하는 제1 발광구조물, 상기 제1 발광구조물 상에 제1 발광구조물이 형성된 위치와 적어도 일부분이 수직적으로 중첩되도록 형성되고 제3 반도체층 제4 반도체층 및 상기 제3, 4 반도체층 사이에 형성된 제2 활성층을 포함하는 제2 발광구조물, 상기 제2 반도체층과 상기 제3 반도체층에 접속되도록 형성된 제1 전극, 적어도 상기 제1 전극이 형성된 영역을 제외한 상기 제1 발광구조물과 상기 제2 발광구조물의 사이에 형성되는 층간 절연층, 상기 제 4반도체층에 접속되도록 형성된 제2 전극, 상기 도전성 기판에 접속되어 상기 제2 전극에 접속되는 배선 및 상기 제1 및 제2 발광구조물과 상기 배선 사이에 형성되는 측면 절연층을 포함할 수 있다.The light emitting device according to the embodiment includes a conductive substrate, a first light emitting structure formed on the substrate and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a first active layer formed between the first and second semiconductor layers, And a second active layer formed between the third semiconductor layer and the third semiconductor layer so as to vertically overlap at least a portion where the first light emitting structure is formed on the first light emitting structure and a second active layer formed between the third semiconductor layer and the third and fourth semiconductor layers A first electrode formed to be connected to the second semiconductor layer and the third semiconductor layer, and a second electrode formed between the first light emitting structure and the second light emitting structure except at least a region where the first electrode is formed An interlayer insulating layer, a second electrode formed to be connected to the fourth semiconductor layer, a wiring connected to the conductive substrate and connected to the second electrode, and a wiring connected between the first and second light emitting structures and the wiring And a side insulating layer formed on the insulating layer.

또한, 실시예에 따른 발광소자는, 기판, 상기 기판상에 형성되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 제1 활성층을 포함하는 제1 발광구조물, 상기 제1 발광구조물 상에 제1 발광구조물이 형성된 위치와 적어도 일부분이 수직적으로 중첩되도록 형성되고 제3 반도체층 제4 반도체층 및 상기 제3, 4 반도체층 사이에 형성된 제2 활성층을 포함하는 제2 발광구조물, 상기 제1 반도체층에 형성된 제 1전극, 상기 제1 발광구조물과 상기 제2 발광구조물의 사이에 형성되는 층간 절연층, 상기 제 2반도체층에 접속되도록 형성된 제 2전극, 상기 제 2전극과 접속되어 상기 제4 반도체층에 접속되는 배선, 상기 제 2발광구조물과 상기 배선 사이에 형성되는 측면 절연층; 및 상기 제1 발광구조물의 제1 반도체층에 접속되어 상기 제2 발광구조물의 제3 반도체층에 접속되고, 상기 층간 절연층을 관통하여 형성되는 중간 배선을 포함하고, 상기 층간 절연층은 상기 중간 배선의 외측면을 감싸도록 연장되어 형성될 수 있다.A light emitting device according to an embodiment includes a substrate, a first light emitting structure formed on the substrate and including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a first active layer formed between the first and second semiconductor layers, And a second active layer formed between the third semiconductor layer and the third and fourth semiconductor layers so as to vertically overlap at least a portion where the first light emitting structure is formed on the first light emitting structure, A first electrode formed on the first semiconductor layer, an interlayer insulating layer formed between the first light emitting structure and the second light emitting structure, a second electrode connected to the second semiconductor layer, A wiring connected to the second semiconductor layer and connected to the second electrode, a side insulating layer formed between the second light emitting structure and the wiring; And an intermediate wiring connected to the first semiconductor layer of the first light emitting structure and connected to the third semiconductor layer of the second light emitting structure and formed through the interlayer insulating layer, And may extend to cover the outer surface of the wiring.

복수개의 발광구조물을 수직적으로 중첩시키고 배선과 절연층을 사용하여 발광소자를 형성하여, 교류전원에 의해 구동될 수 있다.A plurality of light emitting structures may vertically overlap each other and a light emitting element may be formed by using wiring and an insulating layer, and may be driven by an AC power source.

또한, 발광구조물을 수직적으로 중첩시키므로 발광소자의 높이가 수 ㎛정도 높아지는 것에 불과해서 차후 패키지 공정을 변경시키지 않고 기존 패키지 공정을 이용할 수 있는 장점이 있다.In addition, since the light emitting structure is stacked vertically, the height of the light emitting device is merely increased by a few micrometers, so that the conventional package process can be used without changing the subsequent package process.

또한, 절연층 등을 사용하여 패키지 단계 또는 사용 단계에서 배선의 신뢰성 및 안정성이 향상되는 장점도 있다.Further, there is also an advantage that the reliability and stability of the wiring are improved at the package stage or the use stage by using an insulating layer or the like.

또한, 발광소자의 크기가 크게 증가하지 않으므로 작은 사이즈로 고광도의 발광소자 패키지의 제작이 가능한 장점도 있다.In addition, since the size of the light emitting device does not increase greatly, there is an advantage that a light emitting device package with a small size and high light intensity can be manufactured.

또한, 다양한 색상의 발광구조물을 사용하여 발광소자 패키지의 연색성 및 휘도를 향상시킬 수 있는 장점도 있다.Also, there is an advantage that the color rendering property and the luminance of the light emitting device package can be improved by using the light emitting structure of various colors.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광소자를 A-A′따라 절단한 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.
도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 나타내는 공정순서도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.1 is a plan view showing a light emitting device according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 cut along AA '. FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.
5 to 7 are process flow diagrams illustrating a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment.
8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention, and the manner of achieving them, will be apparent from and elucidated with reference to the embodiments described hereinafter in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims. Thus, in some embodiments, well known process steps, well known device structures, and well-known techniques are not specifically described to avoid an undesirable interpretation of the present invention. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" May be used to readily describe a device or a relationship of components to other devices or components. Spatially relative terms should be understood to include, in addition to the orientation shown in the drawings, terms that include different orientations of the device during use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element. Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The elements can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. It is noted that the terms "comprises" and / or "comprising" used in the specification are intended to be inclusive in a manner similar to the components, steps, operations, and / Or additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

또한, 실시 예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.Further, the angle and direction mentioned in the description of the structure of the light emitting device in the embodiment are based on those shown in the drawings. In the description of the structure of the light emitting device in the specification, reference points and positional relationship with respect to angles are not explicitly referred to, refer to the related drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광소자를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 발광소자를 A-A′따라 절단한 단면도이다.FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to an embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the light emitting device of FIG. 1 taken along line A-A '.

도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 크게 기판(110), 제1 발광구조물(120), 제2 발광구조물(130), 전극(141, 142), 절연층(150, 160) 및 배선(170)을 포함할 수 있다.1 and 2, a light emitting device 100 according to an embodiment includes a substrate 110, a first light emitting structure 120, a second light emitting structure 130, electrodes 141 and 142, (150, 160) and a wiring (170).

기판(110)은 열전도성이 우수한 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 또한 전도성 물질로 형성할 수 있는데, 금속 물질 또는 전도성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있다. 기판(110)은 단일층으로 형성될 수 있고, 이중 구조 또는 그 이상의 다중 구조로 형성될 수 있다.The substrate 110 may be formed using a material having excellent thermal conductivity, or may be formed of a conductive material, and may be formed using a metal material or a conductive ceramic. The substrate 110 may be formed of a single layer, and may be formed of a dual structure or a multiple structure.

실시 예에서, 기판(110)은 전도성을 갖질 수도 있고 전도성을 갖지 않을 수도 있으며, 이에 한정을 두지 않는다.In an embodiment, the substrate 110 may or may not be conductive.

즉, 기판(110)은 예를 들어, 금(Au), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 탄탈(Ta), 은(Ag), 백금(Pt), 크롬(Cr) , 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, ZnO, GaN, Ga2O3, SiC, SiGe 등) 중에서 선택된 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다.That is, the substrate 110 may be formed of, for example, Au, Ni, W, Mo, Cu, Al, Ta, Ag, (For example, Si, Ge, GaAs, ZnO, GaN, Ga 2 O 3 , SiC, SiGe and the like), platinum (Pt), chromium (Cr), copper-tungsten Or may be formed of two or more alloys, or may be formed by laminating two or more different materials.

이와 같은 기판(110)은 발광소자(100)에서 발생하는 열의 방출을 용이하게 하여 발광소자(100)의 열적 안정성을 향상시킬 수 있다.The substrate 110 facilitates the emission of heat generated in the light emitting device 100, thereby improving the thermal stability of the light emitting device 100.

기판(110) 상에는 도면에 도시하진 않았으나, 반사층(미도시)이 배치될 수 있다.Although not shown in the figure, a reflective layer (not shown) may be disposed on the substrate 110.

우선, 반사층은 제1 발광구조물(120)에서 발생한 광 중 일부가 기판(110)으로 향하는 경우, 발광소자(100)의 상부를 향하도록 이를 반사하여 발광소자(100)의 광 추출효율을 향상시킬 수 있다.First, when a part of light generated in the first light emitting structure 120 is directed to the substrate 110, the reflective layer reflects the light toward the top of the light emitting device 100 to improve the light extraction efficiency of the light emitting device 100 .

따라서 반사층은, 광반사도가 높은 재질로 형성될 수 있다. 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 또는 Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또는, 상기 금속 또는 합금과 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 구체적으로는, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, Ag/Cu, Ag/Pd/Cu로 형성될 수 있다. 즉, 굴절율이 다른 다수의 층을 적층하여 제1 발광구조물(120)에서 발생한 빛의 대부분을 발광소자(100)의 상부로 전반사 시키므로 광추출 효율을 증가시킬 수 있다.Therefore, the reflective layer may be formed of a material having high light reflectivity. For example, it may be formed of a metal or an alloy containing at least one of Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au or Hf. Alternatively, the metal or alloy can be formed into a multilayer using a transparent conductive material such as ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, or ATO. Specific examples thereof include IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, Ag / Cu, and Ag / Pd / Cu. That is, a plurality of layers having different refractive indexes are stacked, and most of the light generated in the first light emitting structure 120 is totally reflected to the upper portion of the light emitting device 100, so that light extraction efficiency can be increased.

기판(110) 상에는 제1 발광구조물(120)이 형성될 수 있고, 제1 발광구조물(120)은 제1 반도체층(121), 제2 반도체층(122) 및 제1, 2 반도체층(121, 122) 사이에 형성된 제1 활성층(123)을 포함할 수 있다.A first light emitting structure 120 may be formed on the substrate 110. The first light emitting structure 120 may include a first semiconductor layer 121, a second semiconductor layer 122, and first and second semiconductor layers 121 And a second active layer 123 formed between the first and second active layers 123 and 122.

제1 반도체층(121)은 n형 반도체층을 포함하여 형성될 수있으며, 제1 활성층(123)에 캐리어(Carrier)를 제공할 수 있으며, 제1 반도체층(121)은 제1 도전형 반도체층으로만 형성되거나, 제1 도전형 반도체층 아래에 언도프트 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 121 may include an n-type semiconductor layer and may provide a carrier to the first active layer 123. The first semiconductor layer 121 may include a first conductive semiconductor Layer or an undoped semiconductor layer (not shown) under the first conductive type semiconductor layer, but the present invention is not limited thereto.

제1 도전형 반도체층은 n형 반도체층으로 구현될 수 있는데, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.The first conductive semiconductor layer may be formed of an n-type semiconductor layer, and may be formed of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + For example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN or the like and may be doped with an n-type dopant such as Si, Ge or Sn.

언도프트 반도체층은 제1 도전형 반도체층의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 도전형 반도체층에 비해 현저히 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 제1 도전형 반도체층과 같다.The un-doped semiconductor layer is a layer formed for improving the crystallinity of the first conductivity type semiconductor layer, and has a conductivity lower than that of the first conductivity type semiconductor layer because the n-type dopant is not doped. Type semiconductor layer.

또한, 제1 반도체층(121)은 NH3, TMGa, Si와 같은 제1 도펀트를 포함한 사일렌(SiH4) 가스를 공급하여 형성할 수 있으며, 다층막으로 형성할 수 있고, 클래드층이 더 포함될 수 있다.The first semiconductor layer 121 may be formed by supplying a SiH 4 gas including a first dopant such as NH 3 , TMGa, and Si, and may be formed as a multilayer film. Further, the first semiconductor layer 121 may include a cladding layer .

제1 반도체층(121)상에는 제1 활성층(123)이 형성될 수 있다. 제1 활성층(123)은 전자와 정공이 재결합되는 영역을 포함하고, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다.The first active layer 123 may be formed on the first semiconductor layer 121. The first active layer 123 includes a region where electrons and holes are recombined. As the electrons and the holes are recombined, the first active layer 123 transits to a low energy level, and light having a wavelength corresponding thereto can be generated.

제1 활성층(123)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다. The first active layer 123 may be formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + And may be formed of a single quantum well structure or a multi quantum well (MQW) structure. It may also include a quantum wire structure or a quantum dot structure.

제2 반도체층(122)은 상술한 제1 활성층(123)에 캐리어(Carrier)를 주입하며, 제2 반도체층(122)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.The second semiconductor layer 122 may inject a carrier into the first active layer 123 and the second semiconductor layer 122 may be formed of a p-type semiconductor layer, for example, Layer is a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? 1), for example, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN and the like, and p-type dopants such as Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba can be doped.

상술한 제1 반도체층(121), 제1 활성층(123) 및 제2 반도체층(122)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The first semiconductor layer 121, the first active layer 123 and the second semiconductor layer 122 may be formed using a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), a chemical vapor deposition (CVD) (PECVD), molecular beam epitaxy (MBE), and hydride vapor phase epitaxy (HVPE), which can be used to form And is not limited thereto.

또한, 제1 반도체층(121) 및 제2 반도체층(122) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층의 구조는 다양하게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.In addition, the doping concentrations of the conductive dopants in the first semiconductor layer 121 and the second semiconductor layer 122 can be uniformly or nonuniformly formed. That is, the structure of the plurality of semiconductor layers may be variously formed, but the structure is not limited thereto.

또한, 상술한 바와는 달리 제1 반도체층(121)이 p형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(122)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다. 즉, 제1 반도체층(121)과 제2 반도체층(122)은 제1 활성층(123)을 중심으로 서로 형성되는 위치가 바뀌어도 무방하다.In addition, unlike the above, the first semiconductor layer 121 may include a p-type semiconductor layer, and the second semiconductor layer 122 may include an n-type semiconductor layer. That is, the positions of the first semiconductor layer 121 and the second semiconductor layer 122 formed around the first active layer 123 may be changed.

제1 발광구조물(120) 상에는 제1 발광구조물(120)이 형성된 위치와 적어도 일부분이 수직적으로 중첩되도록 제2 발광구조물(130)이 형성될 수 있다.The second light emitting structure 130 may be formed on the first light emitting structure 120 such that at least a portion of the first light emitting structure 120 is vertically overlapped with the first light emitting structure 120.

제2 발광구조물(130)은 제3 반도체층(131), 제4 반도체층(132) 및 제3 반도체층(131)과 제4 반도체층(132)사이에 형성된 제2 활성층(133)을 포함할 수 있다. 제3 반도체층(131), 제4 반도체층(132) 및 제2 활성층(133)에 대한 설명은 상술한 제1 발광구조물(120)에서 설명한 제1 반도체층(121), 제2 반도체층(122) 및 제1 활성층(123)에 대한 설명과 동일하다.The second light emitting structure 130 includes a third active layer 133 formed between the third semiconductor layer 131 and the fourth semiconductor layer 132 and the third semiconductor layer 131 and the fourth semiconductor layer 132 can do. The description of the third semiconductor layer 131, the fourth semiconductor layer 132 and the second active layer 133 will be omitted in the description of the first semiconductor layer 121 and the second semiconductor layer 122 and the first active layer 123 are the same as those described above.

제1 발광구조물(120)과 제2 발광구조물(130)의 크기는 요구되는 광도 등을 고려하여 다양하게 구성될 수 있으나, 바람직하게는 제1 발광구조물(120)의 폭이 제2 발광구조물(130)의 폭보다 크게 형성될 것이다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.The first light emitting structure 120 and the second light emitting structure 130 may have various sizes in consideration of the required light intensity and the like. Preferably, the width of the first light emitting structure 120 is greater than the width of the second light emitting structure 120 130, respectively. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 제1 발광구조물(120)과 제2 발광구조물(130)에 방출되는 빛은 동일 파장의 빛일 수도 있고, 다른 파장의 빛일 수도 있다. 예를 들어 제1 발광구조물(120)은 청색 계열의 빛을 방출하고, 제2 발광구조물(130)은 적색 계열의 빛을 방출할 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the light emitted to the first light emitting structure 120 and the second light emitting structure 130 may be light having the same wavelength or light having a different wavelength. For example, the first light emitting structure 120 may emit blue light and the second light emitting structure 130 may emit red light. However, the present invention is not limited thereto.

따라서, 다양한 색상의 발광구조물을 사용하여 발광소자 패키지의 연색성 및 휘도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, the color rendering property and the luminance of the light emitting device package can be improved by using the light emitting structure of various colors.

또한, 제1 발광구조물(120) 및/또는 제2 발광구조물(130)의 상면에는 일부 영역 또는 전체 영역에 대해 소정의 식각 방법으로 광 추출효율을 향상시키기 위한 요철 패턴이 형성될 수 있다. 도 2에서는 제2 발광구조물(130)의 상면, 즉 제4 반도체층(132)의 상면에 요철패턴이 형성될 수 있다. 이에 한정되는 것은 아니다.The top surface of the first light emitting structure 120 and / or the second light emitting structure 130 may have a concavo-convex pattern for improving the light extraction efficiency by a predetermined etching method for a part of the region or the entire region. 2, an irregular pattern may be formed on the upper surface of the second light emitting structure 130, that is, on the upper surface of the fourth semiconductor layer 132. But is not limited thereto.

전극은 제1 전극(141)과 제2 전극(142)을 포함할 수 있다. 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 반도체층과 오믹 접촉되어 발광구조물(120, 130)에 전원이 원활히 공급되도록 한다. 제1 전극(141)과 제2 전극(142)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO , 탄소나노튜브을 중 적어도 하나를 이용하여 단층 또는 다층으로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The electrode may include a first electrode 141 and a second electrode 142. The first electrode 141 and the second electrode 142 are in ohmic contact with the semiconductor layer so that power is smoothly supplied to the light emitting structures 120 and 130. The first electrode 141 and the second electrode 142 may be made of a transparent conductive layer and a metal. For example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide ), IAZO (indium aluminum zinc oxide ), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), gallium zinc oxide (GZO), IrO x, (Ru) x , RuO x / ITO, nickel (Ni), platinum (Pt), ruthenium (Ru), iridium (Ir), rhodium (Rh), tantalum (Ta), molybdenum Ag, tungsten, copper, chromium, palladium, vanadium, cobalt, niobium, zirconium, Ni / IrO x / Au, Or Ni / IrO x / Au / ITO or carbon nanotubes. However, the present invention is not limited thereto.

제1 전극(141)은 제1 반도체층(121)과 제3 반도체층(131)에 접속되어 형성될 수 있다. 도 2를 참조하여 설명하면, 제1 전극(141)은 제1 반도체층(121)의 일부 영역과 제3 반도체층(131)의 일부 영역에 연결된다.The first electrode 141 may be connected to the first semiconductor layer 121 and the third semiconductor layer 131. Referring to FIG. 2, the first electrode 141 is connected to a part of the first semiconductor layer 121 and a part of the third semiconductor layer 131.

제1 전극(141)의 위치는 제한이 없으나, 바람직하게는 제1 발광구조물(120)의 일측을 소정의 식각방법으로 식각하여 제1 반도체층(121)을 노출시키고, 제1 반도체층(121)의 노출면 상에 제1 전극(141)을 배치하고, 제2 발광구조물(130)의 제3 반도체층(131)의 일측의 하면에 제1 전극(141)을 접속시킬 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.Although the first electrode 141 is not limited in position, it is preferable that the first semiconductor layer 121 is exposed by etching one side of the first light emitting structure 120 by a predetermined etching method, The first electrode 141 may be disposed on the exposed surface of the third semiconductor layer 131 of the second light emitting structure 130 and the first electrode 141 may be connected to the lower surface of the third semiconductor layer 131 of the second light emitting structure 130. However, the present invention is not limited thereto.

제2 전극(142)은 제2 반도체층(122)에 접속되도록 형성될 수 있다. 바람직하게는 제2 반도체층(122)상의 일측에 배치될 수 있다.The second electrode 142 may be formed to be connected to the second semiconductor layer 122. Preferably on one side of the second semiconductor layer 122.

층간 절연층(150)은 제1 발광구조물(120)과 제2 발광구조물(130)의 사이에 형성될 수 있다. 바람직하게는 적어도 제1 전극(141)이 형성된 영역을 제외한 제1 발광구조물(120)과 제2 발광구조물(130)의 사이에 형성될 수 있다.The interlayer insulating layer 150 may be formed between the first light emitting structure 120 and the second light emitting structure 130. And may be formed between the first light emitting structure 120 and the second light emitting structure 130 except at least the region where the first electrode 141 is formed.

또한, 층간 절연층(150)은 제1 발광구조물(120)이 전극 배치를 위해 식각되는 경우 제2 반도체층(122)의 상면에서 제2 반도체층(122)의 측면 및 제1 활성층(123)의 측면 및 제1 반도체층(121)의 하면까지 연결되어 형성될 수 있다.The interlayer insulating layer 150 may be formed on the side of the second semiconductor layer 122 and on the side of the first active layer 123 on the upper surface of the second semiconductor layer 122 when the first light emitting structure 120 is etched for electrode arrangement, And the bottom surface of the first semiconductor layer 121.

층간, 절연층(150)은 절연성 경화물질, 비전도성의 유기물질 또는 무기물질을 포함하며, 바람직하게는 유기물질로써 예를 들면, 우레탄, 폴리에스터 또는 아크릴 중 어느 하나로 형성될 수 있고, 또한 단층, 다층 구조로도 형성될 수 있으며, 빈 공간일 수 있다. 다만 이에 한정되지 않는 것은 당연하다.The interlayer insulating layer 150 includes an insulating hardening material, a nonconductive organic material, or an inorganic material, and may be formed of any organic material, for example, urethane, polyester, or acrylic, , A multi-layered structure, and may be an empty space. But it is natural that it is not limited thereto.

이때, 층간 절연층(150)의 상면 및 하면에는 접착력을 향상시킬 수 있는 접착층(미도시)이 더 포함될 수 있다.At this time, the upper and lower surfaces of the interlayer insulating layer 150 may further include an adhesive layer (not shown) capable of improving the adhesion.

접착층은 접착력이 우수한 금속 물질이 사용될 수 있는데, 예를 들어 인듐(In), 주석(Sn), 은(Ag), 니오브(Nb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 중 적어도 하나이며, 접착층은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.The adhesive layer may be made of a metal material having excellent adhesive strength, for example, indium (In), tin (Sn), silver (Ag), niobium (Nb), nickel (Ni), aluminum (Al) And the adhesive layer may be formed as a single layer or a multilayer structure. However, the present invention is not limited thereto.

제1 발광구조물(120)의 상면의 적어도 일부 영역에는 제2 전극(142)과 연결된 제1 투광성전극층(181)이 형성될 수 있다.A first transparent electrode layer 181 connected to the second electrode 142 may be formed on at least a portion of the upper surface of the first light emitting structure 120.

제2 발광구조물(130)의 하면의 적어도 일부 영역에는 제1 전극(141)과 연결된 제2 투광성전극층(182)이 형성될 수 있다.A second transparent electrode layer 182 connected to the first electrode 141 may be formed on at least a part of the lower surface of the second light emitting structure 130.

제1 투광성전극층(181) 및 제1 투광성전극층(182)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 전류군집현상을 방지할 수 있다.The first transparent electrode layer 181 and the first transparent electrode layer 182 are made of ITO, IZO (In-ZnO), GZO (Ga-ZnO), AZO (Al-ZnO), AGZO -Ga ZnO), IrO x , RuO x , RuO x / ITO, Ni / IrO x / Au, and Ni / IrO x / Au / ITO, .

배선(170)은 제2 전극(142)과 접속되어 제4 반도체층(132)에 접속될 수 있다.The wiring 170 may be connected to the second electrode 142 and connected to the fourth semiconductor layer 132.

배선(170)은 도전성 재질로 형성될 수 있는데 예를 들어 금속성 재질일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 배선(170)은 제2 전극(142)과 제4 반도체층(132)을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다.The wiring 170 may be formed of a conductive material such as, but not limited to, a metallic material. That is, the wiring 170 serves to electrically connect the second electrode 142 and the fourth semiconductor layer 132.

배선(170)을 형성하기 전, 배선(170)의 접착력 또는 오믹 콘택 특성을 향상시키기 위해 패드들(미도시)이 제4 반도체층(132) 및/또는 제2 전극(142) 상에 형성될 수 있다.Pads (not shown) are formed on the fourth semiconductor layer 132 and / or the second electrode 142 to improve the adhesion of the wiring 170 or the ohmic contact characteristics before the wiring 170 is formed .

측면 절연층(160)은 제2 발광구조물(130)과 배선(170) 사이에 형성될 수 있다. 즉, 측면 절연층(160)은 제2 발광구조물(130)과 배선(170) 사이에 형성되어 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.The side insulating layer 160 may be formed between the second light emitting structure 130 and the wiring 170. That is, the side insulating layer 160 may be formed between the second light emitting structure 130 and the wiring 170 to prevent electrical short-circuiting.

측면 절연층(160)의 배치형상은 제한이 없으나, 바람직하게는 제2 발광구조물(130)의 상면 일부 영역에서 제2 발광구조물(130)의 측면까지 연장되어 형성될 수 있다. 이때, 배선(170)은 제4 반도체층(132)의 상면에 접속되고 측면 절연층(160)의 외주면을 따라 제2 전극(142)에 접속될 수 있다. 이는 후속 패키지 공정에서 배선의 신뢰성 및 안정성을 고려한 것이다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.The side surface insulating layer 160 may be arranged in any desired shape, but may extend from a portion of the top surface of the second light emitting structure 130 to a side surface of the second light emitting structure 130. The wiring 170 may be connected to the upper surface of the fourth semiconductor layer 132 and may be connected to the second electrode 142 along the outer peripheral surface of the side insulating layer 160. This takes into account the reliability and stability of the wiring in the subsequent package process. However, the present invention is not limited thereto.

상술한 대로 복수개의 발광구조물을 수직적으로 중첩시키고 배선과 절연층을 사용하여 발광소자를 형성하여, 교류전원에 의해 구동될 수 있어서 별도의 다이오드가 필요하지 않은 장점이 있다.There is an advantage that a plurality of light emitting structures are stacked vertically and a light emitting device is formed by using wires and an insulating layer and can be driven by an AC power source as described above, so that a separate diode is not required.

또한, 발광구조물을 수직적으로 중첩시키므로 발광소자의 높이가 수 ㎛정도 높아지는 것에 불과해서 차후 패키지 공정을 변경시키지 않고 기존 패키지 공정을 이용할 수 있는 장점이 있다.In addition, since the light emitting structure is stacked vertically, the height of the light emitting device is merely increased by a few micrometers, so that the conventional package process can be used without changing the subsequent package process.

절연층 등을 사용하여 패키지 또는 사용 단계에서 배선의 신뢰성 및 안정성이 향상되는 장점과 전기적 쇼트를 방지할 수 있는 장점이 있다.An insulating layer or the like can be used to improve the reliability and stability of the wiring in the package or the use stage and to prevent an electrical short.

또한, 발광소자의 크기가 크게 증가하지 않으므로 작은 사이즈로 고광도의 발광소자 패키지의 제작이 가능한 장점이 있다.In addition, since the size of the light emitting device does not greatly increase, it is possible to manufacture a light emitting device package having a small size and high light intensity.

도 3은 다른 실시예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.

도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(200)는 크게 도전성 기판(210), 제1 발광구조물(220), 제2 발광구조물(230), 절연층(250, 260), 전극(241, 242) 및 배선(270)을 포함할 수 있다.3, a light emitting device 200 according to an embodiment includes a conductive substrate 210, a first light emitting structure 220, a second light emitting structure 230, insulating layers 250 and 260, electrodes 241 , 242, and a wiring 270.

도전성 기판(210)은 상술한 기판(110) 중에 도전성 재질로 된 기판을 의미하고 예를 들어, Cu, Au, W, Al, Ni, Mo, Si, Ge, GaAs, ZnO, GaN, Ga2O3 또는 SiC, SiGe, CuW 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 어느 하나로 형성하거나 둘 이상의 합금으로 형성할 수 있으며, 서로 다른 둘 이상의 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.The conductive substrate 210 refers to a substrate on which a conductive material in the above-mentioned substrate 110 and, for example, Cu, Au, W, Al , Ni, Mo, Si, Ge, GaAs, ZnO, GaN, Ga 2 O 3 or at least one of SiC, SiGe, and CuW, and may be formed of any one or two or more alloys, or two or more different materials may be laminated. However, the present invention is not limited thereto.

도전성 기판(210) 상에는 제1 발광구조물(220) 및 제1 발광구조물(220)상에 제1 발광구조물(220)이 형성된 위치와 적어도 일부분이 수직적으로 중첩되도록 형성되는 제2 발광구조물(230)이 형성될 수 있다.A second light emitting structure 230 formed on the conductive substrate 210 such that the first light emitting structure 220 is formed on the first light emitting structure 220 and the first light emitting structure 220 is vertically overlapped with the first light emitting structure 220, Can be formed.

제1 발광구조물(220)과 제2 발광구조물(230)에 대한 설명은 위에서 설명한 것과 동일하여 생략한다.The description of the first light emitting structure 220 and the second light emitting structure 230 is the same as that described above and is omitted.

제1 발광구조물(220) 및/또는 제2 발광구조물(230)의 상면에는 요철패턴이 형성될 수 있다. 요철패턴은 발광구조물의 내부에서 방출되는 빛의 전반사를 방지하여 광추출 효율을 향상시킨다. 도 3에서는 제2 발광구조물(230)의 상면, 즉 제4 반도체층(232)의 상면에 일부 영역 또는 전체 영역에 대해 소정의 식각 방법으로 광 추출효율을 향상시키기 위한 요철패턴이 형성되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.A concave-convex pattern may be formed on the upper surface of the first light emitting structure 220 and / or the second light emitting structure 230. The concavo-convex pattern prevents total reflection of light emitted from inside the light emitting structure, thereby improving light extraction efficiency. 3, an irregular pattern is formed on the upper surface of the second light emitting structure 230, that is, on the upper surface of the fourth semiconductor layer 232 to improve the light extraction efficiency by a predetermined etching method with respect to a partial region or an entire region But is not limited thereto.

제1 발광구조물(220)과 제2 발광구조물(230)의 크기는 요구되는 광도 등을 고려하여 다양하게 구성될 수 있으나, 바람직하게는 제1 발광구조물(220)의 폭이 제2 발광구조물(230)의 폭보다 크게 형성될 것이다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.The first light emitting structure 220 and the second light emitting structure 230 may have various sizes in consideration of the required light intensity and the like. Preferably, the width of the first light emitting structure 220 is greater than the width of the second light emitting structure 220 230, respectively. However, the present invention is not limited thereto.

또한, 제1 발광구조물(220)과 제2 발광구조물(230)에 방출되는 빛은 동일 파장의 빛일 수도 있고, 다른 파장의 빛일 수도 있다. 예를 들어 제1 발광구조물(220)은 청색 계열의 빛을 방출하고, 제2 발광구조물(230)은 적색 계열의 빛을 방출할 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, light emitted to the first light emitting structure 220 and the second light emitting structure 230 may be light having the same wavelength or light having a different wavelength. For example, the first light emitting structure 220 may emit blue light and the second light emitting structure 230 may emit red light. However, the present invention is not limited thereto.

따라서, 다양한 색상의 발광구조물을 사용하여 발광소자 패키지의 연색성 및 휘도를 향상시킬 수 있다.Accordingly, the color rendering property and the luminance of the light emitting device package can be improved by using the light emitting structure of various colors.

전극들은 제1 전극(241) 및 제2 전극(242)를 포함할 수 있다. . 제1 전극(241)과 제2 전극(242)은 도전성 재질로 The electrodes may include a first electrode 241 and a second electrode 242. . The first electrode 241 and the second electrode 242 are made of a conductive material

제1 전극(241)과 제2 전극(242)은 반도체층과 오믹 접촉되어 발광구조물(220, 230)에 전원이 원활히 공급되도록 한다. 제1 전극(241)과 제2 전극(242)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, 예를 들어, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO , 탄소나노튜브을 중 적어도 하나를 이용하여 단층 또는 다층으로 형성할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The first electrode 241 and the second electrode 242 are in ohmic contact with the semiconductor layer so that power is smoothly supplied to the light emitting structures 220 and 230. The first electrode 241 and the second electrode 242 may be made of a transparent conductive layer and a metal. For example, ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IZTO (indium zinc tin oxide ), IAZO (indium aluminum zinc oxide ), IGZO (indium gallium zinc oxide), IGTO (indium gallium tin oxide), AZO (aluminum zinc oxide), ATO (antimony tin oxide), gallium zinc oxide (GZO), IrO x, (Ru) x , RuO x / ITO, nickel (Ni), platinum (Pt), ruthenium (Ru), iridium (Ir), rhodium (Rh), tantalum (Ta), molybdenum Ag, tungsten, copper, chromium, palladium, vanadium, cobalt, niobium, zirconium, Ni / IrO x / Au, Or Ni / IrO x / Au / ITO or carbon nanotubes. However, the present invention is not limited thereto.

제1 전극(241)은 제2 반도체층(222)과 제3 반도체층(231)에 접속되어 형성될 수 있다. 도 3를 참조하여 설명하면, 제1 전극(241)은 제2 반도체층(222)의 일부 영역과 제3 반도체층(231)의 일부 영역에 연결된다. 즉, 제1 발광구조물(220)의 상면에 배치된 제1 전극(241)이 제2 발광구조물(230)의 하면과 접속된다.The first electrode 241 may be connected to the second semiconductor layer 222 and the third semiconductor layer 231. Referring to FIG. 3, the first electrode 241 is connected to a portion of the second semiconductor layer 222 and a portion of the third semiconductor layer 231. That is, the first electrode 241 disposed on the upper surface of the first light emitting structure 220 is connected to the lower surface of the second light emitting structure 230.

제2 발광구조물(230)의 하면의 적어도 일부 영역에는 제1 전극(241)과 연결된 투광성전극층(280)이 형성될 수 있다.A light transmitting electrode layer 280 connected to the first electrode 241 may be formed on at least a part of the lower surface of the second light emitting structure 230. [

투광성전극층(280)은 제3 반도체층(231)의 하면에 형성되어 제1 전극(241)과 연결되는데 이때, 제1 전극(241)과 제3 반도체층(231)은 직접 연결되거나 투광성전극층(280)을 통해 연결될 수 있다. 투광성전극층(280)의 재질은 상술한 바와 같다.The transparent electrode layer 280 is formed on the lower surface of the third semiconductor layer 231 and is connected to the first electrode 241. The first electrode 241 and the third semiconductor layer 231 are directly connected to each other, 280, respectively. The material of the transparent electrode layer 280 is as described above.

제2 전극(242)은 제4 반도체층(232)에 접속되어 형성될 수 있다.The second electrode 242 may be formed to be connected to the fourth semiconductor layer 232.

제2 전극(242)의 위치는 제한이 없으나, 바람직하게는 제2 발광구조물(230)의 일측을 소정의 식각방법으로 식각하여 제4 반도체층(232)을 노출시키고, 제4 반도체층(232)의 노출되는 면 상에 제2 전극(242)을 배치할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.The position of the second electrode 242 is not limited. Preferably, one side of the second light emitting structure 230 is etched by a predetermined etching method to expose the fourth semiconductor layer 232, and the fourth semiconductor layer 232 The second electrode 242 may be disposed on the exposed surface of the second electrode 242. However, the present invention is not limited thereto.

절연층들은 층간 절연층(250)과 측면 절연층(260)을 포함할 수 있다.The insulating layers may include an interlayer insulating layer 250 and a side insulating layer 260.

층간 절연층(250)은 제1 발광구조물(220)과 제2 발광구조물(230)의 사이에 형성될 수 있다. 바람직하게는 적어도 제1 전극(241)이 형성된 영역을 제외한 제1 발광구조물(220)과 제2 발광구조물(230)의 사이에 형성될 수 있다.The interlayer insulating layer 250 may be formed between the first light emitting structure 220 and the second light emitting structure 230. May be formed between the first light emitting structure 220 and the second light emitting structure 230 except at least the region where the first electrode 241 is formed.

이때, 층간 절연층(250)의 상면 및 하면에는 접착력을 향상시킬 수 있는 접착층(미도시)이 더 포함될 수 있다.At this time, the upper and lower surfaces of the interlayer insulating layer 250 may further include an adhesive layer (not shown) capable of improving the adhesion.

접착층은 접착력이 우수한 금속 물질이 사용될 수 있는데, 예를 들어 인듐(In), 주석(Sn), 은(Ag), 니오브(Nb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 중 적어도 하나이며, 접착층은 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.The adhesive layer may be made of a metal material having excellent adhesive strength, for example, indium (In), tin (Sn), silver (Ag), niobium (Nb), nickel (Ni), aluminum (Al) And the adhesive layer may be formed as a single layer or a multilayer structure. However, the present invention is not limited thereto.

배선(270)은 도전성 기판(210)에 접속되어 제2 전극(242)에 접속될 수 있다.The wiring 270 may be connected to the conductive substrate 210 and connected to the second electrode 242.

배선(270)은 도전성 재질로 형성될 수 있는데 예를 들어 금속성 재질일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 즉, 배선(270)은 제2 전극(242)과 도전성 기판(210)을 전기적으로 연결시키는 역할을 한다.The wiring 270 may be formed of a conductive material such as, but not limited to, a metallic material. That is, the wiring 270 serves to electrically connect the second electrode 242 and the conductive substrate 210.

배선(270)을 형성하기 전, 배선(270)의 접착력 또는 오믹 콘택 특성을 향상시키기 위해 패드들(미도시)이 도전성 기판(210)) 및/또는 제2 전극(242) 상에 형성될 수 있다.Pads (not shown) may be formed on the conductive substrate 210) and / or the second electrode 242 to improve the adhesion of the wiring 270 or the ohmic contact characteristics before forming the wiring 270 have.

측면 절연층(260)은 제1 및 제2 발광구조물(220, 230)과 배선(170) 사이에 형성될 수 있다. 즉, 측면 절연층(260)은 제1 및 제2 발광구조물(220, 230)과 배선(270) 사이에 형성되어 전기적 쇼트를 방지할 수 있다.The side insulating layer 260 may be formed between the first and second light emitting structures 220 and 230 and the wiring 170. That is, the side insulating layer 260 may be formed between the first and second light emitting structures 220 and 230 and the wiring 270 to prevent electrical short-circuiting.

도면에는 도시하지 않았으나 또 다른 실시예는 제2 발광구조물(130) 상에 적어도 하나의 발광구조물이 제1 발광구조물(120)과 제2 발광구조물(130)의 연결구조와 동일하게 더 형성될 수도 있다. 즉, 다수 개의 발광소자가 수직으로 중첩될 수 있다.Although not shown in the drawing, in another embodiment, at least one light emitting structure may be formed on the second light emitting structure 130 in the same manner as the connection structure of the first light emitting structure 120 and the second light emitting structure 130 have. That is, a plurality of light emitting devices may vertically overlap.

도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광소자를 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device according to another embodiment.

도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(300)는 크게 기판(310), 제1 발광구조물(320), 제2 발광구조물(330), 절연층(350, 360), 전극(341, 342) 및 배선(370, 372)을 포함할 수 있다. 도 2의 실시예의 발광소자(100)와 제1 전극(341), 층간절연층(350), 배선(370) 및 중간배선(372)의 차이가 있다. 나머지 구성요소에 대한 설명은 생략한다.Referring to FIG. 4, the light emitting device 300 includes a substrate 310, a first light emitting structure 320, a second light emitting structure 330, insulating layers 350 and 360, 342 and wirings 370, 372, respectively. There is a difference between the first electrode 341, the interlayer insulating layer 350, the wiring 370 and the intermediate wiring 372 in the light emitting device 100 of the embodiment of Fig. Descriptions of the remaining components are omitted.

발광소자(300)는 제1 전극(341)이 제1 발광구조물(320)의 제1 반도체층(321)에 형성된다. 형성되는 위치는 제한이 없으나 와이어 본딩을 위해 소정의 식각방법으로 노출된 제1 발광구조물(320)의 제1 반도체층(321) 상에 제1 전극(341)이 형성될 수 있다.In the light emitting device 300, the first electrode 341 is formed in the first semiconductor layer 321 of the first light emitting structure 320. The first electrode 341 may be formed on the first semiconductor layer 321 of the first light emitting structure 320 exposed by a predetermined etching method for wire bonding.

또한, 중간배선(372)은 제1 발광구조물(320)의 제1 반도체층(321)에 접속되어 제2 발광구조물(330)의 제3 반도체층(331)에 접속된다. The intermediate wiring 372 is connected to the first semiconductor layer 321 of the first light emitting structure 320 and is connected to the third semiconductor layer 331 of the second light emitting structure 330.

다시 설명하면, 제1 발광구조물(320)중 중간배선(372)에 대응되는 영역이 소정의 식각방법에 의해 식각된다. 즉, 제1 발광구조물(320)의 제1 반도체층(321)이 노출될 수 있도록 적어도 제1 발광구조물(320)의 제2 반도체층(322) 및 제1 활성층(323)을 식각한다. 상기 식각영역의 폭과 형상은 제한이 없으나, 중간배선(372)의 폭과 형상에 대응되면서, 중간배선(372) 보다 큰 폭을 가지도록 형성되고, 바람직하게는 원통 형상이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 중간배선(372)이 제1 발광구조물(320)의 노출된 제1 반도체층(321)에 접속되어 제2 발광구조물(330)의 제3 반도체층(331)에 접속되도록 형성될 수 있다.In other words, a region of the first light emitting structure 320 corresponding to the intermediate wiring 372 is etched by a predetermined etching method. That is, at least the second semiconductor layer 322 and the first active layer 323 of the first light emitting structure 320 are etched so that the first semiconductor layer 321 of the first light emitting structure 320 can be exposed. Although the width and shape of the etching region are not limited, they are formed so as to have a width larger than that of the intermediate wiring 372 corresponding to the width and shape of the intermediate wiring 372, preferably a cylindrical shape, It is not. The intermediate wiring 372 may be formed so as to be connected to the exposed first semiconductor layer 321 of the first light emitting structure 320 and to be connected to the third semiconductor layer 331 of the second light emitting structure 330 .

이때, 층간 절연층(350)은 중간배선(372)이 배치될 위치에 대응되게 관통되어 형성될 수 있다. 즉, 중간배선(372)이 층간 절연층(350)을 관통하여 제1 발광구조물(320)의 제1 반도체층(321)과 제2 발광구조물(330)의 제3 반도체층(331)을 전기적으로 연결하는 것이다.At this time, the interlayer insulating layer 350 may be formed so as to correspond to the position where the intermediate wiring 372 is to be disposed. That is, the intermediate wiring 372 penetrates the interlayer insulating layer 350 to electrically connect the first semiconductor layer 321 of the first light emitting structure 320 and the third semiconductor layer 331 of the second light emitting structure 330 .

그리고, 중간배선(372)과 제1 발광구조물(320)의 식각된 영역은 빈 공간을 가질 수 있다. 빈 공간은 절연층의 역할을 하는 것이다. 다시 설명하면, 빈 공간은 중간배선(372)과 제1 발광구조물(320)의 제1 활성층(323) 및 제2 반도체층(322)의 측면 사이의 공간을 의미한다.The etched region of the intermediate wiring 372 and the first light emitting structure 320 may have a vacant space. The empty space serves as an insulating layer. The empty space means a space between the intermediate wiring 372 and the side surfaces of the first active layer 323 and the second semiconductor layer 322 of the first light emitting structure 320. [

또한, 층간 절연층(350)은 중간배선(372)의 외측면을 둘러싸게 연장되어 형성될 수 있다. 즉, 층간 절연층(350)이 제1 발광구조물(320)과 제2 발광구조물(330)의 사이에서 중간배선(372)과 제1 발광구조물(320)의 제1 활성층(323) 및 제2 반도체층(322)의 측면 사이의 공간까지 형성되는 것이다.In addition, the interlayer insulating layer 350 may be formed to extend around the outer surface of the intermediate wiring 372. That is, the interlayer insulating layer 350 is formed between the first light emitting structure 320 and the second light emitting structure 330, the intermediate wiring 372, the first active layer 323 of the first light emitting structure 320, And the space between the side surfaces of the semiconductor layer 322 is formed.

층간 절연층(350)과 제1 발광구조물(320)의 제2 반도체층(322) 사이에는 제1 투광성전극층(381)이 형성될 수 있다. 제1 투광성전극층(381)은 중간배선(372)이 형성되는 영역 또는 중간배선(372)과 층간 절연층(350)이 연장되어 형성되는 영역을 제외하고 형성될 수 있다. 다시 설명하면, 제1 투광성전극층(381)은 중간배선(372)이 관통할 수 있도록 일부 영역에 홈이 형성될 수 있는 것이다.A first transparent electrode layer 381 may be formed between the interlayer insulating layer 350 and the second semiconductor layer 322 of the first light emitting structure 320. The first light transmitting electrode layer 381 may be formed except for a region where the intermediate wiring 372 is formed or a region where the intermediate wiring 372 and the interlayer insulating layer 350 are extended. In other words, the first transparent electrode layer 381 may have a groove formed in a part of the area so that the intermediate wiring 372 can pass through.

또한, 층간 절연층(350)과 제2 발광구조물(330)의 제1 반도체층(331) 사이에는 제2 투광성전극층(382)이 형성될 수 있다. 이때에, 중간배선(372)은 제2 투광성전극층(382)을 관통하여 제2 발광구조물(330)의 제3 반도체층(331)에 연결될 수도 있고, 제2 투광성전극층(382)에 연결되어 형성될 수도 있다. 이에 한정되지는 않는다.A second transparent electrode layer 382 may be formed between the interlayer insulating layer 350 and the first semiconductor layer 331 of the second light emitting structure 330. The intermediate wiring 372 may be connected to the third semiconductor layer 331 of the second light emitting structure 330 through the second light transmitting electrode layer 382 and may be connected to the second light transmitting electrode layer 382, . But is not limited thereto.

도 5 내지 도 7은 실시예에 따른 발광소자의 제조공정을 나타내는 공정순서도이다.5 to 7 are process flow diagrams illustrating a manufacturing process of a light emitting device according to an embodiment.

도 5를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자에 제조방법은 먼저 제1 발광구조물(120)을 제조한다. 즉, 기판(110)상에 제1 반도체층(121), 제1 활성층(123), 제2 반도체층(122)을 성장시킬 수 있다. 또한, 제2 반도체층(122) 상에는 전류확산을 위해 제1 투광성전극층(181)이 더 형성될 수도 있다.Referring to FIG. 5, a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention first fabricates a first light emitting structure 120. That is, the first semiconductor layer 121, the first active layer 123, and the second semiconductor layer 122 may be grown on the substrate 110. Further, a first light-transmitting electrode layer 181 may be further formed on the second semiconductor layer 122 for current diffusion.

이후, 제2 반도체층(122) 상의 일측을 식각하여 제1 반도체층(121)을 노출시키고 제1 반도체층(121)의 노출된 면에 제1 전극(141)이 배치되고, 제2 반도체층(122) 상의 타측에 제2 전극(142)이 배치된다.Thereafter, one side of the second semiconductor layer 122 is etched to expose the first semiconductor layer 121, the first electrode 141 is disposed on the exposed surface of the first semiconductor layer 121, And the second electrode 142 is disposed on the other side of the second electrode 122.

이후, 층간 절연층(150)이 제1 발광구조물(120) 상면 중에 적어도 제1 전극(141) 또는 제2 전극(142)을 제외하고 형성될 수 있다.The interlayer insulating layer 150 may be formed on the upper surface of the first light emitting structure 120 except for at least the first electrode 141 or the second electrode 142. [

이후, 도 6를 참조하면, 별도의 성장기판(101)상에 순차적으로 제4 반도체층(132), 제2 활성층(133) 제3 반도체층(131)이 형성된다. 또한, 제3 반도체층(131) 상에 제2 투광성전극층(182)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 6, a fourth semiconductor layer 132, a second active layer 133, and a third semiconductor layer 131 are sequentially formed on a separate growth substrate 101. Also, a second transparent electrode layer 182 may be formed on the third semiconductor layer 131.

이후, 상술한 바 대로 형성된 제2 발광구조물(130)에서 성장기판(101)이 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 또는 에칭 중 적어도 하나의 방법에 의해 제거될 수 있다. 그리고, 상술한 바대로 형성된 제1 발광구조물(120)의 층간 절연층(150)이 형성된 면과 제2 발광구조물(130)의 제3 반도체층(131)이 접하도록 본딩을 시킨다.Thereafter, in the second light emitting structure 130 formed as described above, the growth substrate 101 may be removed by at least one of laser lift off or etching. The surface of the first light emitting structure 120 formed with the interlayer insulating layer 150 and the third semiconductor layer 131 of the second light emitting structure 130 are bonded so as to be in contact with each other.

이후, 도 7을 참조하면, 측면 절연층(160)을 형성시킨다.Referring to FIG. 7, a side insulating layer 160 is formed.

마지막으로, 측면 절연층(160)의 외주면을 따라 배선(170)이 배치된다, 즉 배선은 제4 반도체층(132)의 상면에 접속되어 측면 절연층(160)의 외주면을 따라 제2 전극(142)에 접속된다.The wiring is connected to the upper surface of the fourth semiconductor layer 132 and is electrically connected to the second electrode (not shown) along the outer peripheral surface of the side insulating layer 160. That is, 142).

도 8은 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package including the light emitting device according to the embodiment.

도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지(400)는 몸체(420)와, 몸체(420)에 설치된 제1 전극층(431) 및 제2 전극층(432)과, 몸체(420)에 설치되어 제1 전극층(431) 및 제2 전극층(432)과 전기적으로 연결되는 실시예에 따른 발광소자(100)와, 발광소자(100)를 밀봉하는 몰딩부재(440)를 포함한다.Referring to FIG. 8, the light emitting device package 400 includes a body 420, a first electrode layer 431 and a second electrode layer 432 provided on the body 420, A light emitting device 100 according to an embodiment electrically connected to the first electrode layer 431 and the second electrode layer 432 and a molding member 440 sealing the light emitting device 100.

몸체(420)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 발광소자(100)의 주위에 경사면이 형성될 수 있다.The body 420 may be formed of a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material, and an inclined surface may be formed around the light emitting device 100.

제1 전극층(431) 및 제2 전극층(432)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 제1 전극층(431) 및 제2 전극층(432)은 발광소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first electrode layer 431 and the second electrode layer 432 are electrically isolated from each other and provide power to the light emitting device 100. [ The first electrode layer 431 and the second electrode layer 432 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 100 and may be configured to discharge the heat generated from the light emitting device 100 to the outside It can also play a role.

발광소자(100)는 몸체(420) 상에 설치되거나 제1 전극층(431) 또는 제2 전극층(432) 상에 설치될 수 있다.The light emitting device 100 may be mounted on the body 420 or on the first electrode layer 431 or the second electrode layer 432.

발광소자(100)는 제1 전극층(431) 및 제2 전극층(432)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting device 100 may be electrically connected to the first electrode layer 431 and the second electrode layer 432 by a wire, flip chip, or die bonding method.

몰딩부재(440)는 발광소자(100)를 밀봉하여 보호할 수 있다. 또한, 몰딩부재(440)에는 형광체가 포함되어 발광소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.The molding member 440 can protect the light emitting device 100 by sealing. In addition, the molding member 440 may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting device 100.

발광 소자 패키지(400)는 상기에 개시된 실시 예들의 발광 소자 중 적어도 하나 또는 복수 개로 탑재할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The light emitting device package 400 may be mounted with at least one or more than one of the light emitting devices of the above-described embodiments, but the present invention is not limited thereto.

발광 소자 패키지(400)는 복수의 발광구조물을 가지는 발광소자라도 기존 패키지 공정을 이용할 수 있어서 제조가 간단하고, 고광도 패키지의 제조가 용이하다.The light emitting device package 400 can be manufactured using a conventional package process even for a light emitting device having a plurality of light emitting structures, and it is easy to manufacture a high light emitting package.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100: 발광소자 110: 기판
121: 제1 반도체층 122: 제2 반도체층
123: 제1 활성층 131: 3 반도체층
132: 제4 반도체층 133: 제2 활성층
141: 제1 전극 142: 제2 전극
150: 층간 절연층 160: 측면 절연층100: light emitting device 110: substrate
121: first semiconductor layer 122: second semiconductor layer
123: first active layer 131: third semiconductor layer
132: fourth semiconductor layer 133: second active layer
141: first electrode 142: second electrode
150: interlayer insulating layer 160: side insulating layer

Claims (21)

기판;
상기 기판상에 형성되고, 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 상기 제1, 2 반도체층 사이에 형성된 제1 활성층을 포함하는 제1 발광구조물;
상기 제1 발광구조물 상에 상기 제1 발광구조물이 형성된 위치와 적어도 일부분이 수직적으로 중첩되도록 형성되고 제3 반도체층 제4 반도체층 및 상기 제3, 4 반도체층 사이에 형성된 제2 활성층을 포함하는 제2 발광구조물;
상기 제1 반도체층 상에 형성된 제 1전극;
상기 제1 발광구조물과 상기 제2 발광구조물의 사이에 형성되는 층간 절연층;
상기 제 2반도체층에 접속되도록 형성된 제 2전극;
상기 제 2전극과 접속되어 상기 제4 반도체층에 접속되는 배선;
상기 제 2발광구조물과 상기 배선 사이에 형성되는 측면 절연층; 및
상기 제1 발광구조물의 제1 반도체층에 접속되어 상기 제2 발광구조물의 제3 반도체층에 접속되고, 상기 층간 절연층을 관통하여 형성되는 중간배선을 포함하고,
상기 층간 절연층은 상기 중간 배선의 외측면을 감싸도록 연장되어 형성되는발광소자.Board;
A first light emitting structure formed on the substrate, the first light emitting structure including a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and a first active layer formed between the first and second semiconductor layers;
And a second active layer formed between the third semiconductor layer and the third and fourth semiconductor layers so as to vertically overlap at least a portion of the first light emitting structure where the first light emitting structure is formed, A second light emitting structure;
A first electrode formed on the first semiconductor layer;
An interlayer insulating layer formed between the first light emitting structure and the second light emitting structure;
A second electrode formed to be connected to the second semiconductor layer;
A wiring connected to the second electrode and connected to the fourth semiconductor layer;
A side insulating layer formed between the second light emitting structure and the wiring; And
An intermediate wiring connected to the first semiconductor layer of the first light emitting structure and connected to the third semiconductor layer of the second light emitting structure and formed through the interlayer insulating layer,
Wherein the interlayer insulating layer extends to surround the outer surface of the intermediate wiring. 제1항에 있어서,
상기 제1 발광구조물의 상면의 적어도 일부 영역에는 상기 제 2전극과 연결된 제1 투광성전극층이 형성되는 발광소자.The method according to claim 1,
And a first light-transmitting electrode layer connected to the second electrode is formed on at least a part of an upper surface of the first light-emitting structure. 제1항에 있어서,
상기 제2 발광구조물의 하면의 적어도 일부 영역에는 상기 제1 전극과 연결된 제2 투광성전극층이 형성되는 발광소자.The method according to claim 1,
And a second light-transmitting electrode layer connected to the first electrode is formed in at least a part of the lower surface of the second light-emitting structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 발광구조물 및 제2 발광구조물 중 적어도 하나의 상면에는 요철패턴이 형성되는 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein at least one of the first light emitting structure and the second light emitting structure has an uneven pattern formed on an upper surface thereof. 제1항에 있어서,
상기 배선은 상기 제4 반도체층 상에 형성된 패드에 연결되는 발광소자.The method according to claim 1,
And the wiring is connected to a pad formed on the fourth semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 측면 절연층은 상기 제2 발광구조물의 상면 일부 영역에서 제2 발광구조물의 측면까지 연장되어 형성되고,
상기 배선은 제4 반도체층의 상면에 접속되고 상기 측면 절연층의 외주면을 따라 상기 제2 전극에 접속되는 발광소자.The method according to claim 1,
The side insulating layer is formed to extend from a portion of the upper surface of the second light emitting structure to a side surface of the second light emitting structure,
Wherein the wiring is connected to the upper surface of the fourth semiconductor layer and is connected to the second electrode along an outer peripheral surface of the side insulating layer. 제1항에 있어서,
상기 기판과 상기 제1 발광구조물 사이에는 반사층이 포함되는 발광소자.The method according to claim 1,
And a reflective layer is disposed between the substrate and the first light emitting structure. 제7항에 있어서,
상기 반사층은 굴절율이 다른 층들을 적층한 다층막 형태인 것을 특징으로 하는 발광소자.8. The method of claim 7,
Wherein the reflective layer is in the form of a multi-layered film in which layers having different refractive indexes are laminated. 제1항에 있어서,
상기 층간 절연층은 상면 및 하면에 접착층을 더 포함하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the interlayer insulating layer further comprises an adhesive layer on an upper surface and a lower surface. 제1항에 있어서,
상기 제1 발광구조물의 폭은 상기 제2 발광구조물 폭보다 크게 형성되는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein a width of the first light emitting structure is greater than a width of the second light emitting structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 발광구조물은 상기 제2 발광구조물과 동일 파장의 빛을 방사하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting structure emits light having the same wavelength as that of the second light emitting structure. 제1항에 있어서,
상기 제1 발광구조물은 청색 계열의 빛을 방사하고, 상기 제2 발광구조물은 적색 계열의 빛을 방사하는 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the first light emitting structure emits blue light and the second light emitting structure emits red light. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 상기 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.
A light emitting device package comprising the light emitting device according to any one of claims 1 to 12.
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