KR101704856B1 - 도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체 - Google Patents

도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체 Download PDF

Info

Publication number
KR101704856B1
KR101704856B1 KR1020127023400A KR20127023400A KR101704856B1 KR 101704856 B1 KR101704856 B1 KR 101704856B1 KR 1020127023400 A KR1020127023400 A KR 1020127023400A KR 20127023400 A KR20127023400 A KR 20127023400A KR 101704856 B1 KR101704856 B1 KR 101704856B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
particles
palladium
nickel
conductive particles
resin
Prior art date
Application number
KR1020127023400A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130015268A (ko
Inventor
시아오게 왕
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Publication of KR20130015268A publication Critical patent/KR20130015268A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101704856B1 publication Critical patent/KR101704856B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/04—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/2939—Base material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29438—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29455—Nickel [Ni] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/294—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29463—Coating material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29464—Palladium [Pd] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29399—Coating material
    • H01L2224/2949—Coating material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29499—Shape or distribution of the fillers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0212—Resin particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0218—Composite particles, i.e. first metal coated with second metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0221—Insulating particles having an electrically conductive coating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

전극간을 접속하여 접속 구조체를 형성한 경우, 상기 접속 구조체가 고온 고습 하에 노출되더라도 전극간의 접속 저항이 높아지기 어려운 도전성 입자 및 상기 도전성 입자를 이용한 이방성 도전 재료 및 접속 구조체를 제공한다.
도전성 입자 (1)은 기재 입자 (2)와, 상기 기재 입자 (2)의 표면 (2a)에 형성된 니켈층 (3)과, 상기 니켈층 (3)의 표면 (3a)에 형성된 팔라듐층 (4)를 구비한다. 도전성 입자 (1)에서는 니켈층 (3)의 인의 함유율이 5 내지 15 중량％의 범위 내이며, 팔라듐층 (4)의 팔라듐의 함유율이 96 중량％ 이상이다.

Description

도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체{ELECTROCONDUCTIVE PARTICLE, ANISOTROPIC ELECTROCONDUCTIVE MATERIAL AND CONNECTING STRUCTURE}
본 발명은 전극간의 접속에 사용할 수 있는 도전성 입자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전극간의 접속에 이용된 경우에, 전극간의 접속 신뢰성을 높일 수 있는 도전성 입자, 상기 도전성 입자를 이용한 이방성 도전 재료 및 접속 구조체에 관한 것이다.
이방성 도전 페이스트, 이방성 도전 잉크, 이방성 도전 점접착제, 이방성 도전 필름 또는 이방성 도전 시트 등의 이방성 도전 재료가 널리 알려져 있다. 이들 이방성 도전 재료에서는 페이스트, 잉크 또는 수지 중에 도전성 입자가 분산되어 있다.
이방성 도전 재료는 IC 칩과 플렉시블 프린트 회로 기판의 접속 및 IC 칩과 ITO 전극을 갖는 회로 기판의 접속 등에 사용되고 있다. 예를 들면, IC 칩의 전극과 회로 기판의 전극의 사이에 이방성 도전 재료를 배치한 후, 가열 및 가압함으로써, 이들 전극끼리를 접속할 수 있다.
상기 이방성 도전 재료에 이용되는 도전성 입자의 일례로서, 하기의 특허문헌 1에는 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면에 형성된 니켈층과, 상기 니켈층의 표면에 형성된 팔라듐층을 구비하는 도전성 입자가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2007-305583호 공보
특허문헌 1에 기재된 도전성 입자를 전극간의 접속에 이용하여, 접속 구조체를 형성한 경우, 상기 접속 구조체가 고온 고습 하에 노출되었을 때에, 전극간의 접속 저항이 높아지는 경우가 있다.
본 발명의 목적은 전극간을 접속하여 접속 구조체를 형성한 경우, 상기 접속 구조체가 고온 고습 하에 노출되더라도 전극간의 접속 저항이 높아지기 어려운 도전성 입자 및 상기 도전성 입자를 이용한 이방성 도전 재료 및 접속 구조체를 제공하는 것이다.
본 발명의 넓은 국면에 따르면, 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면에 형성된 니켈층과, 상기 니켈층의 표면에 형성된 팔라듐층을 구비하고 있고, 상기 니켈층의 인의 함유율이 5 내지 15 중량％의 범위 내이며, 상기 팔라듐층의 팔라듐의 함유율이 96 중량％ 이상인 도전성 입자가 제공된다.
본 발명의 어떤 특정한 국면에서는 도전성 입자는 표면에 돌기를 갖는다. 본 발명의 다른 특정한 국면에서는 도전성 입자는 팔라듐층의 외측의 표면에 돌기를 갖는다.
본 발명에 따른 도전성 입자의 다른 특정한 국면에서는 상기 팔라듐층의 표면에 부착된 절연성 수지가 더 구비된다.
본 발명에 따른 도전성 입자의 다른 특정한 국면에서는 상기 절연성 수지는 절연 수지 입자이다.
본 발명에 따른 이방성 도전 재료는 본 발명에 따라 구성된 도전성 입자와 결합제 수지를 포함한다.
본 발명에 따른 접속 구조체는 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 구비하고 있고, 상기 접속부가 본 발명의 도전성 입자 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 이방성 도전 재료에 의해 형성되어 있다.
본 발명에 따른 도전성 입자는 기재 입자의 표면에 니켈층과 팔라듐층이 이 순으로 형성되어 있고, 니켈층의 인의 함유율이 5 내지 15 중량％의 범위 내이며, 팔라듐층의 팔라듐의 함유율이 96 중량％ 이상이기 때문에, 도전성 입자를 전극간의 접속에 이용한 접속 구조체가 고온 고습 하에 노출된 경우에, 접속 저항이 높아지는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 접속 구조체의 접속 신뢰성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전성 입자를 이용한 접속 구조체를 모식적으로 도시하는 정면 단면도이다.
도 4는 실시예 및 비교예의 절연 저항의 평가 시에 이용한 기판 상의 빗살 전극 구리 패턴의 형상을 설명하기 위한 평면도이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 도전성 입자 (1)은 기재 입자 (2)와, 상기 기재 입자 (2)의 표면 (2a)에 형성된 니켈층 (3)과, 상기 니켈층 (3)의 표면 (3a)에 형성된 팔라듐층 (4)를 구비한다. 도전성 입자 (1)은 팔라듐층 (4)의 표면 (4a)에 부착된 절연성 수지를 더 구비하고 있을 수도 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 도전성 입자를 도시하는 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 도전성 입자 (21)은 기재 입자 (2)와, 상기 기재 입자 (2)의 표면 (2a)에 형성된 니켈층 (22)와, 상기 니켈층 (22)의 표면 (22a)에 형성된 팔라듐층 (23)을 구비한다. 니켈층 (22)와 팔라듐층 (23)은 금속층이다. 도전성 입자 (21)은 기재 입자 (2)의 표면 (2a)에 복수의 코어 물질 (24)를 구비한다. 금속층인 니켈층 (22) 및 팔라듐층 (23)은 코어 물질 (24)를 피복하고 있다. 코어 물질 (24)를 금속층이 피복하고 있음으로써, 도전성 입자 (21)은 표면 (21a)에 복수의 돌기 (25)를 갖는다. 도전성 입자 (21)은 팔라듐층 (23)의 외측의 표면 (23a)에 복수의 돌기 (25)를 갖는다. 돌기 (25)는 금속층의 외측의 팔라듐층 (23)의 표면 (23a)에 형성되어 있다. 코어 물질 (24)에 의해 팔라듐층 (23)의 표면 (23a)가 융기되어 있고, 돌기 (25)가 형성되어 있다.
도전성 입자 (21)은 팔라듐층 (23)의 표면 (23a)에 부착된 절연성 수지 (26)을 구비한다. 팔라듐층 (23)의 표면은 절연성 수지 (26)에 의해 피복되어 있다. 본 실시 형태에서는 절연성 수지 (26)은 절연 수지 입자이다. 이와 같이, 도전성 입자는 팔라듐층 (23)의 표면 (23a)를 피복하고 있는 절연성 수지 (26)을 구비하고 있을 수도 있다. 단, 절연성 수지 (26)은 반드시 구비되어 있지 않을 수도 있다.
기재 입자 (2)로는 수지 입자, 무기 입자, 유기 무기 혼성 입자 또는 금속 입자 등을 들 수 있다.
상기 수지 입자를 형성하기 위한 수지로는, 예를 들면 디비닐벤젠 수지, 스티렌 수지, 아크릴 수지, 요소 수지, 이미드 수지, 페놀 수지, 폴리에스테르 수지 또는 염화비닐 수지 등을 들 수 있다. 상기 무기 입자를 형성하기 위한 무기물로는 실리카 또는 카본 블랙 등을 들 수 있다. 상기 유기 무기 혼성 입자로는 예를 들면 가교한 알콕시실릴 중합체와 아크릴 수지에 의해 형성된 유기 무기 혼성 입자 등을 들 수 있다. 상기 금속 입자를 형성하기 위한 금속으로는 은, 구리, 니켈, 규소, 금 또는 티탄 등을 들 수 있다.
기재 입자 (2)의 평균 입경은 1 내지 100 ㎛의 범위 내인 것이 바람직하다. 기재 입자의 평균 입경이 1 ㎛보다도 작으면, 전극간의 접속 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. 기재 입자의 평균 입경이 100 ㎛보다도 크면, 전극간의 간격이 너무 커지는 경우가 있다.
기재 입자 (2)의 표면 (2a)에 형성되는 니켈층 (3, 22)의 인의 함유율은 5 내지 15 중량％의 범위 내이다. 인의 함유율이 5 중량％ 미만이면, 도전성 입자를 전극간의 접속에 이용한 접속 구조체가 고온 고습 하에 노출된 경우에, 접속 저항이 높아진다. 인의 함유율이 15 중량％를 초과하면, 도전성 입자를 전극간의 접속에 이용한 접속 구조체의 초기 접속 저항이 높아진다. 또한, 니켈층 (3, 22)의 인의 함유율이 5 내지 15 중량％인 것에 의해, 미세한 니켈 결정을 얻기 쉽게 되며, 팔라듐 도금의 에피택셜 성장에 의해 미세한 팔라듐 결정을 얻기 쉽게 된다. 이로 인해, 접속 구조체의 고온 고습 하에서의 접속 신뢰성을 높일 수 있다. 상기 니켈층 (3, 22)의 인의 함유율은 10 내지 15 중량％의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. 상기 니켈층 (3, 22)의 인의 함유율이 10 내지 15 중량％의 범위 내인 것에 의해, 접속 구조체의 고온 고습 하에서의 접속 신뢰성을 한층 더 높일 수 있다.
니켈층 (3, 22)의 인의 함유율을 상기 범위 내로 하는 방법으로는, 예를 들면 무전해 니켈 도금에 의해 니켈층을 형성할 때에 니켈 도금액의 pH를 제어하는 방법, 또는 무전해 니켈 도금에 의해 니켈층을 형성할 때에 인 함유 환원제의 농도를 제어하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 상기 니켈층의 인의 함유율의 측정 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 집속 이온 빔을 이용하여, 얻어진 도전성 입자의 박막 절편을 제작하고, 투과형 전자 현미경 FE-TEM(니혼 덴시사 제조 「JEM-2010FEF」)을 이용하여, 에너지 분산형 X선 분석 장치(EDS)에 의해, 니켈층의 인의 함유율을 측정하는 방법을 들 수 있다.
니켈층 (3, 22)의 표면 (3a, 22a)에 형성되는 팔라듐층 (4, 23)의 팔라듐의 함유율은 96 중량％ 이상이다. 팔라듐의 함유율이 96 중량％ 미만이면, 도전성 입자를 전극간의 접속에 이용한 접속 구조체가 고온 고습 하에 노출된 경우에 접속 저항이 높아진다. 팔라듐의 함유율은 98 중량％ 이상인 것이 바람직하다.
팔라듐층 (4, 23)의 팔라듐의 함유율을 96 중량％ 이상으로 하는 방법으로는, 예를 들면 무전해 팔라듐 도금에 의해 팔라듐층을 형성할 때에 팔라듐 도금액의 pH를 제어하는 방법, 또는 무전해 팔라듐 도금에 의해 팔라듐층을 형성할 때에 환원제의 농도를 제어하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 상기 팔라듐층의 팔라듐의 함유율의 측정 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 집속 이온 빔을 이용하여, 얻어진 도전성 입자의 박막 절편을 제작하고, 투과형 전자 현미경 FE-TEM(니혼 덴시사 제조 「JEM-2010FEF」)을 이용하여, 에너지 분산형 X선 분석 장치(EDS)에 의해, 팔라듐층의 팔라듐의 함유율을 측정하는 방법을 들 수 있다.
니켈층 (3, 22)와 팔라듐층 (4, 23)의 금속층의 합계 두께는 5 내지 500 nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 10 내지 400 nm의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 금속층의 두께가 5 nm 미만이면, 도전성 입자의 도전성이 부족한 경우가 있다. 금속층의 두께가 500 nm를 초과하면, 기재 입자와 금속층의 열팽창율의 차가 커져, 기재 입자로부터 금속층이 박리하기 쉽게 되는 경우가 있다.
기재 입자 (2)의 표면 (2a)에 니켈층 (3, 22)를 형성하는 방법으로는 무전해 도금에 의해 니켈층을 형성하는 방법 또는 전기 도금에 의해 니켈층을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
또한, 니켈층 (3, 22)의 표면 (3a, 22a)에 팔라듐층 (4, 23)을 형성하는 방법으로는 무전해 도금에 의해 팔라듐층을 형성하는 방법 또는 전기 도금에 의해 팔라듐층을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
도전성 입자 (21)과 같이, 도전성 입자는 표면에 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 도전성 입자는 금속층의 표면에 돌기를 갖는 것이 바람직하고, 팔라듐층 (4, 23)의 표면 (4a, 23a)에 돌기를 더 갖는 것이 바람직하다. 도전성 입자는 표면에 복수의 돌기를 갖는 것이 바람직하다. 도전성 입자는 금속층의 표면에 복수의 돌기를 갖는 것이 바람직하고, 팔라듐층 (4, 23)의 표면 (4a, 23a)에 복수의 돌기를 더 갖는 것이 바람직하다. 이들 경우에는 도전성 입자와 전극의 사이의 수지를 효과적으로 배제할 수 있기 때문에, 도전성 입자를 전극간의 접속에 이용한 접속 구조체의 접속 신뢰성을 높일 수 있다.
도전성 입자의 표면에 돌기를 형성하는 방법으로는 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시킨 후 무전해 도금에 의해 금속층을 형성하는 방법, 또는 기재 입자의 표면에 무전해 도금에 의해 금속층을 형성한 후 코어 물질을 부착시키고 무전해 도금에 의해 금속층을 더 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시키는 방법으로는, 예를 들면 기재 입자의 분산액 중에 코어 물질이 되는 도전성 물질을 첨가하고, 기재 입자의 표면에 코어 물질을, 예를 들면 반데르발스힘에 의해 집적시켜 부착시키는 방법, 또는 기재 입자를 넣은 용기에 코어 물질이 되는 도전성 물질을 첨가하고, 용기의 회전 등에 의한 기계적인 작용에 의해 기재 입자의 표면에 코어 물질을 부착시키는 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도 부착시키는 코어 물질의 양을 제어하기 쉽기 때문에, 분산액 중의 기재 입자의 표면에 코어 물질을 집적시켜 부착시키는 방법이 바람직하다.
상기 코어 물질을 구성하는 도전성 물질로는, 예를 들면 금속, 금속의 산화물, 흑연 등의 도전성 비금속 또는 도전성 중합체 등을 들 수 있다. 도전성 중합체로는 폴리아세틸렌 등을 들 수 있다. 그 중에서도 도전성을 높일 수 있기 때문에, 금속이 바람직하다.
상기 금속으로는 예를 들면 금, 은, 구리, 백금, 아연, 철, 납, 주석, 알루미늄, 코발트, 인듐, 니켈, 크롬, 티탄, 안티몬, 비스무스, 게르마늄 및 카드뮴 등의 금속, 및 주석-납 합금, 주석-구리 합금, 주석-은 합금 및 주석-납-은 합금 등의 2종 이상의 금속으로 구성되는 합금 등을 들 수 있다. 그 중에서도 니켈, 구리, 은 또는 금 등이 바람직하다. 상기 코어 물질을 구성하는 금속은 상기 금속층을 구성하는 금속과 동일할 수도 있고, 상이할 수도 있다.
상기 코어 물질의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 코어 물질의 형상은 괴상(塊狀)인 것이 바람직하다. 코어 물질로는 예를 들면 입자상의 덩어리, 복수의 미소 입자가 응집한 응집 덩어리, 부정형의 덩어리 등을 들 수 있다.
도전성 입자 (21)과 같이, 본 발명에 따른 도전성 입자는 상기 팔라듐층의 표면에 부착된 절연성 수지를 더 구비하는 것이 바람직하다. 이 경우에는 도전성 입자를 전극간의 접속에 이용하면, 인접하는 전극간의 단락을 방지할 수 있다. 구체적으로는 복수의 도전성 입자가 접촉했을 때에, 복수의 전극간에 절연성 수지가 존재하기 때문에, 상하의 전극간이 아닌 가로 방향으로 인접하는 전극간의 단락을 방지할 수 있다. 또한, 전극간의 접속 시에, 2개의 전극으로 도전성 입자를 가압함으로써, 도전성 입자의 금속층과 전극의 사이의 절연성 수지를 용이하게 배제할 수 있다. 도전성 입자가 팔라듐층의 표면에 돌기를 갖는 경우에는 도전성 입자의 금속층과 전극의 사이의 절연성 수지를 한층 더 용이하게 배제할 수 있다.
상기 절연성 수지의 구체예로는 폴리올레핀류, (메트)아크릴레이트 중합체, (메트)아크릴레이트 공중합체, 블록 중합체, 열가소성 수지, 열가소성 수지의 가교물, 열경화성 수지 또는 수용성 수지 등을 들 수 있다.
상기 폴리올레핀류로는 폴리에틸렌, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 또는 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 (메트)아크릴레이트 중합체로는 폴리메틸(메트)아크릴레이트, 폴리에틸(메트)아크릴레이트 또는 폴리부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 상기 블록 중합체로는 폴리스티렌, 스티렌-아크릴산에스테르 공중합체, SB형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체 또는 SBS형 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 및 이들의 수소 첨가 화합물 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로는 비닐 중합체 또는 비닐 공중합체 등을 들 수 있다. 상기 열경화성 수지로는 에폭시 수지, 페놀 수지 또는 멜라민 수지 등을 들 수 있다. 상기 수용성 수지로는 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥시드 또는 메틸셀룰로오스 등을 들 수 있다. 그 중에서도 수용성 수지가 바람직하고, 폴리비닐알코올이 보다 바람직하다.
상기 팔라듐층의 표면에 절연성 수지를 부착시키는 방법으로는 화학적 방법, 또는 물리적 또는 기계적 방법 등을 들 수 있다. 상기 화학적 방법으로는 예를 들면 계면 중합법, 입자 존재 하에서의 현탁 중합법 또는 유화 중합법 등을 들 수 있다. 상기 물리적 또는 기계적 방법으로는 스프레이 드라이, 하이브리다이제이션, 정전 부착법, 분무법, 디핑 또는 진공 증착에 의한 방법 등을 들 수 있다.
상기 절연성 수지는 절연 수지 입자인 것이 바람직하다. 이 경우에는 도전성 입자를 전극간의 접속에 이용하면, 인접하는 전극간의 단락을 방지하는 것이 가능할 뿐만 아니라, 대향하는 전극간의 접속 저항을 감소할 수 있다.
상기 팔라듐층의 표면에 절연 수지 입자를 부착시키는 방법으로는 화학적 방법, 또는 물리적 또는 기계적 방법 등을 들 수 있다. 상기 화학적 방법으로는 예를 들면 팔라듐층의 표면에, 화학 결합을 통해 절연 수지 입자를 부착시키는 방법 등을 들 수 있다. 상기 물리적 또는 기계적 방법으로는 하이브리다이제이션 또는 정전 부착법에 의한 방법 등을 들 수 있다. 그 중에서도 절연 수지 입자가 박리되기 어렵다는 점에서, 팔라듐층의 표면에 화학 결합을 통해 절연 수지 입자를 부착시키는 방법이 바람직하다.
(이방성 도전 재료)
본 발명에 따른 이방성 도전 재료는 본 발명의 도전성 입자와 결합제 수지를 함유한다.
상기 결합제 수지는 특별히 한정되지 않는다. 결합제 수지로서, 일반적으로는 절연성의 수지가 이용된다. 결합제 수지로는 예를 들면 비닐 수지, 열가소성 수지, 경화성 수지, 열가소성 블록 공중합체 또는 엘라스토머 등을 들 수 있다. 결합제 수지는 1종만이 이용될 수도 있고, 2종 이상이 병용될 수도 있다.
상기 비닐 수지로는 예를 들면 아세트산비닐 수지, 아크릴 수지 또는 스티렌 수지 등을 들 수 있다. 상기 열가소성 수지로는 예를 들면 폴리올레핀 수지, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 또는 폴리아미드 수지 등을 들 수 있다. 상기 경화성 수지로는 예를 들면 에폭시 수지, 우레탄 수지, 폴리이미드 수지 또는 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 또한, 상기 경화성 수지는 상온 경화형 수지, 열 경화형 수지, 광 경화형 수지 또는 습기 경화형 수지일 수도 있다. 상기 경화성 수지는 경화제와 병용될 수도 있다. 상기 열가소성 블록 공중합체로는 예를 들면 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물, 또는 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체의 수소 첨가물 등을 들 수 있다. 상기 엘라스토머로는 예를 들면 스티렌-부타디엔 공중합 고무, 또는 아크릴로니트릴-스티렌 블록 공중합 고무 등을 들 수 있다.
이방성 도전 재료는 도전성 입자 및 결합제 수지 외에, 예를 들면 충전제, 증량제, 연화제, 가소제, 중합 촉매, 경화 촉매, 착색제, 산화 방지제, 열 안정제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 윤활제, 대전 방지제 또는 난연제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있을 수도 있다.
상기 결합제 수지 중에 도전성 입자를 분산시키는 방법은 종래 공지된 분산 방법을 이용할 수 있고 특별히 한정되지 않는다. 상기 결합제 수지 중에 도전성 입자를 분산시키는 방법으로는, 예를 들면 결합제 수지 중에 도전성 입자를 첨가한 후, 플라네터리 믹서 등으로 혼련하여 분산시키는 방법, 도전성 입자를 물 또는 유기 용제 중에 균질기 등을 이용하여 균일하게 분산시킨 후, 결합제 수지 중에 첨가하고, 플라네터리 믹서 등으로 혼련하여 분산시키는 방법, 또는 결합제 수지를 물 또는 유기 용제 등으로 희석한 후, 도전성 입자를 첨가하고, 플라네터리 믹서 등으로 혼련하여 분산시키는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 이방성 도전 재료는 이방성 도전 페이스트, 이방성 도전 잉크, 이방성 도전 점접착제, 이방성 도전 필름 또는 이방성 도전 시트 등으로서 사용될 수 있다. 본 발명의 도전성 입자를 포함하는 이방성 도전 재료가 이방성 도전 필름 또는 이방성 도전 시트 등의 필름상의 접착제로서 사용되는 경우에는 상기 도전성 입자를 포함하는 필름상의 접착제에, 도전성 입자를 포함하지 않는 필름상의 접착제가 적층되어 있을 수도 있다.
(접속 구조체)
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도전성 입자를 이용한 접속 구조체를 도시한 정면 단면도이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 접속 구조체 (11)은 제1 접속 대상 부재로서의 회로 기판 (12)와, 제2 접속 대상 부재로서의 반도체 칩 (14)와, 상기 회로 기판 (12)와 반도체 칩 (14)의 전극 (12a, 14a) 사이를 전기적으로 접속하고 있는 접속부 (13)을 구비한다. 접속부 (13)은 이방성 도전 필름에 의해 형성되어 있다.
회로 기판 (12)의 상면에 복수의 전극 (12a)가 설치되어 있다. 반도체 칩 (14)의 하면에 복수의 전극 (14a)가 설치되어 있다. 회로 기판 (12)의 상면에 도전성 입자 (1)을 포함하는 이방성 도전 필름을 통해 반도체 칩 (14)가 적층되어 있다. 전극 (12a)와 전극 (14a)의 사이에 도전성 입자 (1)을 포함하는 이방성 도전 필름에 의해 형성된 접속부 (13)이 배치되어 있다. 도전성 입자 (1) 대신에 도전성 입자 (21)을 이용할 수도 있다. 도 3에서는 도전성 입자 (1)은 개략도적으로 도시되어 있다.
상기 접속 구조체로는 구체적으로는 회로 기판 상에, 반도체 칩, 컨덴서 칩 또는 다이오드 칩 등의 전자 부품 칩이 탑재되어 있고, 상기 전자 부품 칩의 전극이 회로 기판 상의 전극과 전기적으로 접속되어 있는 접속 구조체 등을 들 수 있다. 회로 기판으로는 플렉시블 프린트 기판 등의 여러 가지 프린트 기판, 유리 기판, 또는 금속박이 적층된 기판 등의 여러 가지 회로 기판을 들 수 있다.
상기 접속 구조체의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다. 접속 구조체의 제조 방법의 일례로는 전자 부품 또는 회로 기판 등의 제1 접속 대상 부재와 전자 부품 또는 회로 기판 등의 제2 접속 대상 부재의 사이에 상기 이방성 도전 재료를 배치하여, 적층체를 얻은 후, 상기 적층체를 가열, 가압하는 방법을 들 수 있다.
이하, 본 발명에 대해서, 실시예 및 비교예를 들어 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예만으로 한정되지 않는다.
(실시예 1)
(1) 무전해 니켈 도금 공정
평균 입경 4 ㎛의 디비닐벤젠 수지 입자를 이온 흡착제의 10 중량％ 용액에 의해 5분간 처리하고, 이어서 황산팔라듐 0.01 중량％ 수용액에 의해 5분간 처리하였다. 그 후, 디메틸아민보란을 첨가하여 환원 처리하고, 여과하고, 세정함으로써, 팔라듐이 부착된 수지 입자를 얻었다.
다음으로, 이온 교환수 500 mL에 숙신산나트륨을 용해시킨 숙신산나트륨 1 중량％ 용액을 제조하였다. 이 용액에 팔라듐이 부착된 수지 입자 10 g을 첨가하고 혼합하여 슬러리를 제조하였다. 슬러리의 pH를 6.5로 조정하였다. 니켈 도금액으로서, 황산니켈 10 중량％, 차아인산나트륨 10 중량％, 수산화나트륨 4 중량％ 및 숙신산나트륨 20 중량％를 포함하는 전기 니켈 용액을 제조하였다. pH 6.5로 조정된 상기 슬러리를 80 ℃로 가온한 후, 슬러리에 전기 니켈 용액을 연속적으로 적하하고, 20분간 교반함으로써 도금 반응을 진행시켰다. 수소가 발생하지 않게 된 것을 확인하고, 도금 반응을 종료하였다.
다음으로, 황산니켈 20 중량％, 차아인산나트륨 20 중량％ 및 수산화나트륨 5 중량％를 포함하는 후기 니켈 용액을 제조하였다. 전기 니켈 용액에 의한 도금 반응을 끝낸 용액에, 후기 니켈 용액을 연속적으로 적하하고, 1시간 교반함으로써 도금 반응을 진행시켰다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면에 니켈층을 형성하여, 니켈 도금 입자를 얻었다. 또한, 니켈층의 두께는 0.1 ㎛였다.
(2) 무전해 팔라듐 도금 공정
얻어진 니켈 도금 입자 10 g을 초음파 처리기에 의해, 이온 교환수 500 mL에 분산시켜, 입자 현탁액을 얻었다. 이 현탁액을 50 ℃에서 교반하면서, 황산팔라듐 0.02 mol/L, 착화제로서 에틸렌디아민 0.04 mol/L, 환원제로서 포름산나트륨 0.06 mol/L 및 결정 조정제를 포함하는 pH 10.0의 무전해 도금액을 서서히 첨가하여, 무전해 팔라듐 도금을 행하였다. 팔라듐층의 두께가 0.03 ㎛가 된 시점에서 무전해 팔라듐 도금을 종료하였다. 다음으로, 세정하고, 진공 건조함으로써, 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성된 도전성 입자를 얻었다.
(실시예 2)
(1) 무전해 니켈 도금 공정
평균 입경 4 ㎛의 디비닐벤젠 수지 입자를 이온 흡착제의 10 중량％ 용액에 의해 5분간 처리하고, 이어서 황산팔라듐 0.01 중량％ 수용액에 의해 5분간 처리하였다. 그 후, 디메틸아민보란을 첨가하여 환원 처리하고, 여과하고, 세정함으로써, 팔라듐이 부착된 수지 입자를 얻었다.
다음으로, 이온 교환수 500 mL에 숙신산나트륨을 용해시킨 숙신산나트륨 1 중량％ 용액을 제조하였다. 이 용액에 팔라듐이 부착된 수지 입자 10 g을 첨가하고 혼합하여 슬러리를 제조하였다. 슬러리의 pH를 9.0으로 조정하였다. 니켈 도금액으로서, 황산니켈 10 중량％, 차아인산나트륨 10 중량％, 수산화나트륨 4 중량％ 및 숙신산나트륨 20 중량％를 포함하는 전기 니켈 용액을 제조하였다. pH 9.0으로 조정된 상기 슬러리를 80 ℃로 가온한 후, 슬러리에 전기 니켈 용액을 연속적으로 적하하고, 20분간 교반함으로써 도금 반응을 진행시켰다. 수소가 발생하지 않게 된 것을 확인하고, 도금 반응을 종료하였다.
다음으로, 황산니켈 20 중량％, 차아인산나트륨 20 중량％ 및 수산화나트륨 15 중량％를 포함하는 후기 니켈 용액을 제조하였다. 전기 니켈 용액에 의한 도금 반응을 끝낸 용액에, 후기 니켈 용액을 연속적으로 적하하고, 1시간 교반함으로써 도금 반응을 진행시켰다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면에 니켈층을 형성하여, 니켈 도금 입자를 얻었다. 또한, 니켈층의 두께는 0.1 ㎛였다.
(2) 무전해 팔라듐 도금 공정
실시예 1과 마찬가지로 하여 팔라듐 도금 처리함으로써, 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성된 도전성 입자를 얻었다.
(실시예 3)
(1) 무전해 니켈 도금 공정
평균 입경 4 ㎛의 디비닐벤젠 수지 입자를 이온 흡착제의 10 중량％ 용액에 의해 5분간 처리하고, 이어서 황산팔라듐 0.01 중량％ 수용액에 의해 5분간 처리하였다. 그 후, 디메틸아민보란을 첨가하여 환원 처리하고, 여과하고, 세정함으로써, 팔라듐이 부착된 수지 입자를 얻었다.
다음으로, 이온 교환수 500 mL에 숙신산나트륨을 용해시킨 숙신산나트륨 1 중량％ 용액을 제조하였다. 이 용액에 팔라듐이 부착된 수지 입자 10 g을 첨가하고 혼합하여 슬러리를 제조하였다. 슬러리의 pH를 4.5로 조정하였다. 니켈 도금액으로서, 황산니켈 10 중량％, 차아인산나트륨 10 중량％, 수산화나트륨 4 중량％ 및 숙신산나트륨 20 중량％를 포함하는 전기 니켈 용액을 제조하였다. pH 4.5로 조정된 상기 슬러리를 80 ℃로 가온한 후, 슬러리에 전기 니켈 용액을 연속적으로 적하하고, 20분간 교반함으로써 도금 반응을 진행시켰다. 수소가 발생하지 않게 된 것을 확인하고, 도금 반응을 종료하였다.
다음으로, 황산니켈 20 중량％, 차아인산나트륨 30 중량％ 및 수산화나트륨 5 중량％를 포함하는 후기 니켈 용액을 제조하였다. 전기 니켈 용액에 의한 도금 반응을 끝낸 용액에, 후기 니켈 용액을 연속적으로 적하하고, 1시간 교반함으로써 도금 반응을 진행시켰다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면에 니켈층을 형성하여, 니켈 도금 입자를 얻었다. 또한, 니켈층의 두께는 0.1 ㎛였다.
(2) 무전해 팔라듐 도금 공정
실시예 1과 마찬가지로 하여 팔라듐 도금 처리함으로써, 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성된 도전성 입자를 얻었다.
(실시예 4)
(1) 무전해 니켈 도금 공정(니켈층의 표면에 돌기를 형성하는 공정)
1-1) 팔라듐 부착 공정
평균 입경 4 ㎛의 디비닐벤젠 수지 입자 10 g을 준비하였다. 이 수지 입자를 에칭하고 수세하였다. 이어서, 팔라듐 촉매를 8 중량％ 포함하는 팔라듐 촉매화액 100 mL 중에 수지 입자를 첨가하고 교반하였다. 그 후, 여과하고, 세정하였다. pH 6의 0.5 중량％ 디메틸아민보란액에 수지 입자를 첨가하여, 팔라듐이 부착된 수지 입자를 얻었다.
1-2) 코어 물질 부착 공정
팔라듐이 부착된 수지 입자를 이온 교환수 300 mL 중에서 3분간 교반하고 분산시켜, 분산액을 얻었다. 이어서, 금속 니켈 입자 슬러리(미쓰이 금속사 제조 「2020SUS」, 평균 입경 200 nm) 1 g을 3분간에 걸쳐 상기 분산액에 첨가하여, 코어 물질이 부착된 수지 입자를 얻었다.
1-3) 무전해 니켈 도금 공정
코어 물질이 부착된 수지 입자에 이온 교환수 500 mL를 첨가하고, 수지 입자를 충분히 분산시켜 현탁액을 얻었다. 이 현탁액을 교반하면서, 황산니켈 6수화물50 g/L, 차아인산나트륨 1수화물 40 g/L 및 시트르산 50 g/L를 포함하는 pH 5.0의 무전해 니켈 도금액을 서서히 첨가하여, 무전해 니켈 도금을 행하였다. 이와 같이 하여, 수지 입자의 표면에 니켈층을 형성하여, 표면에 돌기를 갖는 니켈 도금 입자를 얻었다. 또한, 니켈층의 두께는 0.1 ㎛였다.
(2) 무전해 팔라듐 도금 공정
얻어진 니켈 도금 입자 10 g을 이용하여, 실시예 1과 마찬가지의 무전해 팔라듐 도금 공정을 행함으로써, 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성된 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자는 표면에 돌기를 갖고 있었다.
(실시예 5)
디비닐벤젠 수지 입자를 1,4-부탄디올디아크릴레이트와 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트의 공중합 수지 입자(1,4-부탄디올디아크릴레이트:테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트=95 중량％:5 중량％)로 변경한 것 이외에는 실시예 4와 마찬가지로 하여 도전성 입자를 얻었다. 얻어진 도전성 입자는 표면에 돌기를 갖고 있었다.
(실시예 6)
(1) 절연 수지 입자의 제작
4구 세퍼러블 커버, 교반 날개, 삼방 코크, 냉각관 및 온도 프로브가 부착된 1000 mL의 세퍼러블 플라스크에, 메타크릴산메틸 100 mmol과, N,N,N-트리메틸-N-2-메타크릴로일옥시에틸암모늄클로라이드 1 mmol과, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판)이염산염 1 mmol을 포함하는 단량체 조성물을 고형분율이 5 중량％가 되도록 이온 교환수에 칭취한 후, 200 rpm으로 교반하여, 질소 분위기 하 70 ℃에서 24시간 중합을 행하였다. 반응 종료 후, 동결 건조하여, 표면에 암모늄기를 갖고, 평균 입경 220 nm 및 CV값 10 ％의 절연 수지 입자를 얻었다.
절연 수지 입자를 초음파 조사 하에서 이온 교환수에 분산시켜, 절연 수지 입자의 10 중량％ 수분산액을 얻었다.
실시예 5에서 얻어진 도전성 입자 10 g을 이온 교환수 500 mL에 분산시키고, 절연 수지 입자의 수분산액 4 g을 첨가하고, 실온에서 6시간 교반하였다. 3 ㎛의 메쉬 필터로 여과한 후, 메탄올로 더 세정하고, 건조하여, 절연 수지 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.
주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰한 바, 도전성 입자의 표면에 절연 수지 입자에 의한 피복층이 1층만 형성되어 있었다. 화상 해석에 의해 도전성 입자의 중심으로부터 2.5 ㎛의 면적에 대한 절연 수지 입자의 피복 면적(즉 절연 수지 입자의 입경의 투영 면적)을 산출한 바, 피복율은 30 ％였다.
(실시예 7)
디비닐벤젠 수지 입자를 1,4-부탄디올디아크릴레이트와 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트의 공중합 수지 입자(1,4-부탄디올디아크릴레이트:테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트=95 중량％:5 중량％)로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 도전성 입자를 얻었다.
(실시예 8)
실시예 5에서 얻어진 도전성 입자를 실시예 1에서 얻어진 도전성 입자로 변경한 것 이외에는 실시예 6과 마찬가지로 하여 절연 수지 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.
(실시예 9)
실시예 5에서 얻어진 도전성 입자를 실시예 4에서 얻어진 도전성 입자로 변경한 것 이외에는 실시예 6과 마찬가지로 하여 절연 수지 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.
(실시예 10)
실시예 5에서 얻어진 도전성 입자를 실시예 7에서 얻어진 도전성 입자로 변경한 것 이외에는 실시예 6과 마찬가지로 하여 절연 수지 입자가 부착된 도전성 입자를 얻었다.
(실시예 11)
(1) 무전해 니켈 도금 공정
실시예 1의 무전해 니켈 도금 공정과 마찬가지로 하여 수지 입자의 표면에 니켈층이 형성된 니켈 도금 입자를 얻었다.
(2) 무전해 팔라듐 도금 공정
착화제로서 에틸렌디아민 0.035 mol/L, 환원제로서 포름산나트륨 0.05 mol/L 및 결정 조정제를 포함하는 pH 9.0의 무전해 도금액으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성된 도전성 입자를 얻었다.
(비교예 1)
무전해 팔라듐 도금 공정에 있어서, 황산팔라듐 0.02 mol/L, 착화제로서 에틸렌디아민 0.04 mol/L, 환원제로서 포름산나트륨 0.06 mol/L 및 결정 조정제를 포함하는 pH 10.0의 무전해 도금액을, 황산팔라듐 0.02 mol/L, 착화제로서 에틸렌디아민 0.04 mol/L, 환원제로서 차아인산나트륨 0.09 mol/L 및 결정 조정제를 포함하는 pH 6.5의 무전해 도금액으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 수지 입자의 표면에 니켈층이 형성되어 있으며, 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성되어 있는 도전성 입자를 얻었다.
(비교예 2)
무전해 니켈 도금 공정에 있어서, pH를 제조할 때에 pH를 7.5로 조정한 것 및 황산니켈 10 중량％, 차아인산나트륨 10 중량％, 수산화나트륨 4 중량％ 및 숙신산나트륨 20 중량％를 포함하는 전기 니켈 용액을, 황산니켈 10 중량％, 차아인산나트륨 6 중량％, 수산화나트륨 4 중량％ 및 숙신산나트륨 20 중량％를 포함하는 전기 니켈 용액으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 수지 입자의 표면에 니켈층이 형성되어 있으며, 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성되어 있는 도전성 입자를 얻었다.
(비교예 3)
무전해 니켈 도금 공정에 있어서, 슬러리의 pH를 4.5로 조정한 것 및 황산니켈 10 중량％, 차아인산나트륨 10 중량％, 수산화나트륨 4 중량％ 및 숙신산나트륨 20 중량％를 포함하는 전기 니켈 용액을, 황산니켈 10 중량％, 차아인산나트륨 30 중량％, 수산화나트륨 4 중량％ 및 숙신산나트륨 20 중량％를 포함하는 전기 니켈 용액으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 수지 입자의 표면에 니켈층이 형성되어 있으며, 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성되어 있는 도전성 입자를 얻었다.
(비교예 4)
(1) 무전해 니켈 도금 공정
실시예 1의 무전해 니켈 도금 공정과 마찬가지로 하여 수지 입자의 표면에 니켈층이 형성된 니켈 도금 입자를 얻었다.
(2) 무전해 팔라듐 도금 공정
착화제로서 에틸렌디아민 0.030 mol/L, 환원제로서 포름산나트륨 0.04 mol/L 및 결정 조정제를 포함하는 pH 8.5의 무전해 도금액으로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 니켈층의 표면에 팔라듐층이 형성된 도전성 입자를 얻었다.
(평가)
(1) 니켈층의 인의 함유율
집속 이온 빔을 이용하여, 얻어진 도전성 입자의 박막 절편을 제작하였다. 투과형 전자 현미경 FE-TEM(니혼 덴시사 제조 「JEM-2010FEF」)을 이용하여, 에너지 분산형 X선 분석 장치(EDS)에 의해, 니켈층의 인의 함유율을 측정하였다. 마찬가지로, 임의의 도전성 입자 10개의 니켈층의 인의 함유율을 측정하여, 평균값을 산출하였다.
(2) 팔라듐층의 팔라듐의 함유율
집속 이온 빔을 이용하여, 얻어진 도전성 입자의 박막 절편을 제작하였다. 투과형 전자 현미경 FE-TEM(니혼 덴시사 제조 「JEM-2010FEF」)을 이용하여, 에너지 분산형 X선 분석 장치(EDS)에 의해, 팔라듐층의 팔라듐의 함유율을 측정하였다. 마찬가지로, 임의의 도전성 입자 10개의 팔라듐층의 팔라듐의 함유율을 측정하여, 평균값을 산출하였다.
(3) 접속 저항
L/S가 100 ㎛/100 ㎛인 구리 전극이 형성된 2매의 기판을 준비하였다. 또한, 실시예 및 비교예에서 얻어진 도전성 입자 10 중량부와, 결합제 수지로서의 에폭시 수지(미쓰이 가가꾸사 제조 「스트락트본드 XN-5A」) 85 중량부와 이미다졸형 경화제 5 중량부를 포함하는 이방성 도전 페이스트를 준비하였다.
기판의 상면에 이방성 도전 페이스트를 도전성 입자가 구리 전극에 접촉하도록 도포한 후, 다른 기판을 구리 전극이 도전성 입자에 접촉하도록 적층하고, 압착하여 적층체를 얻었다. 그 후, 적층체를 180 ℃에서 1분간 가열함으로써, 이방성 도전 페이스트를 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.
얻어진 접속 구조체의 대향하는 전극간의 접속 저항을 사단자법에 의해 측정하고, 얻어진 측정값을 초기 접속 저항으로 하였다.
다음으로, 얻어진 접속 구조체를 85 ℃ 및 습도 85 ％의 조건에서 100시간 방치하였다. 방치 후의 접속 구조체의 전극간의 접속 저항을 사단자법에 의해 측정하고, 얻어진 측정값을 고온 고습 시험 후의 접속 저항으로 하였다.
(4) 절연 저항
도 4에 도시한 바와 같이, 구리 전극의 표면에, 니켈 도금층 및 금 도금층이 순차 형성된, L/S가 20 ㎛/20 ㎛인 빗살 전극 구리 패턴 (31, 32)가 형성된 기판을 준비하였다. 또한, 실시예 및 비교예에서 얻어진 도전성 입자 10 중량부와, 결합제 수지로서의 에폭시 수지(미쓰이 가가꾸사 제조 「스트락트본드 XN-5A」) 85 중량부와, 이미다졸형 경화제 5 중량부를 포함하는 이방성 도전 페이스트를 준비하였다.
기판의 구리 패턴 (31, 32)의 상면에 이방성 도전 페이스트를 도포한 후, 알칼리 프리 유리판을 적층하고 압착하여 도전성 입자를 구리 패턴 (31, 32)에 접촉시켰다. 알칼리 프리 유리판을 적층한 상태에서, 180 ℃에서 1분간 가열함으로써, 이방성 도전 페이스트를 경화시켜, 접속 구조체를 얻었다.
얻어진 접속 구조체의 인접하는 전극간의 절연 저항을 사단자법에 의해 측정하고, 얻어진 측정값을 초기 절연 저항으로 하였다.
다음으로, 얻어진 접속 구조체를 전극간에 50 V의 바이어스 전압을 인가하면서, 85 ℃ 및 습도 85 ％의 조건에서 1000시간 방치하였다. 방치 후의 접속 구조체의 인접하는 전극간의 절연 저항을 사단자법에 의해 측정하고, 얻어진 측정값을 고온 고습 시험 후의 절연 저항으로 하였다.
결과를 하기의 표 1에 나타내었다.
Figure 112012072283166-pct00001
1… 도전성 입자
2… 기재 입자
2a… 표면
3… 니켈층
3a… 표면
4… 팔라듐층
4a… 표면
11… 접속 구조체
12… 회로 기판
12a… 전극
13… 접속부
14… 반도체 칩
14a… 전극
21… 도전성 입자
21a… 표면
22… 니켈층
22a… 표면
23… 팔라듐층
23a… 표면
24… 코어 물질
25… 돌기
26… 절연성 수지
31, 32… 빗살 전극 구리 패턴

Claims (7)

  1. 기재 입자와, 상기 기재 입자의 표면에 형성된 니켈층과, 상기 니켈층의 표면에 형성된 팔라듐층을 구비하고,
    상기 니켈층의 인의 함유율이 5 내지 15 중량％의 범위 내이며, 상기 팔라듐층의 팔라듐의 함유율이 96 중량％ 이상인 도전성 입자.
  2. 제1항에 있어서, 표면에 돌기를 갖는 도전성 입자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 팔라듐층의 외측의 표면에 돌기를 갖는 도전성 입자.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 팔라듐층의 표면에 부착된 절연성 수지를 더 구비하는 도전성 입자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 절연성 수지가 절연 수지 입자인 도전성 입자.
  6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 이방성 도전 재료.
  7. 제1 접속 대상 부재와, 제2 접속 대상 부재와, 상기 제1, 제2 접속 대상 부재를 전기적으로 접속하고 있는 접속부를 구비하고,
    상기 접속부가 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 입자 또는 상기 도전성 입자와 결합제 수지를 포함하는 이방성 도전 재료에 의해 형성되어 있는 접속 구조체.
KR1020127023400A 2010-03-08 2010-03-08 도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체 KR101704856B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2010/053786 WO2011111152A1 (ja) 2010-03-08 2010-03-08 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130015268A KR20130015268A (ko) 2013-02-13
KR101704856B1 true KR101704856B1 (ko) 2017-02-08

Family

ID=44563000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127023400A KR101704856B1 (ko) 2010-03-08 2010-03-08 도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101704856B1 (ko)
WO (1) WO2011111152A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013108842A1 (ja) * 2012-01-20 2013-07-25 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
WO2013108843A1 (ja) * 2012-01-20 2013-07-25 積水化学工業株式会社 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044677A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Nisshin Steel Co Ltd 微細粒径の導電性粒子
JP2007324138A (ja) 2004-01-30 2007-12-13 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び異方性導電材料

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07118866A (ja) * 1993-10-21 1995-05-09 Nippon Chem Ind Co Ltd 分散性に優れた球状無電解めっき粉末、導電性材料およびその製造方法
JP4844461B2 (ja) 2002-02-28 2011-12-28 日立化成工業株式会社 回路接続材料及びそれを用いた回路端子の接続構造
JP4563110B2 (ja) * 2004-08-20 2010-10-13 積水化学工業株式会社 導電性微粒子の製造方法
JP4936678B2 (ja) * 2005-04-21 2012-05-23 積水化学工業株式会社 導電性粒子及び異方性導電材料
JP2007242307A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び異方性導電材料
JP5235305B2 (ja) * 2007-01-09 2013-07-10 早川ゴム株式会社 突起導電微粒子、異方性導電材料及び突起導電微粒子の製造方法
JP5406544B2 (ja) * 2008-01-29 2014-02-05 積水化学工業株式会社 導電性微粒子の製造方法、及び、導電性微粒子
KR20100114879A (ko) * 2008-02-04 2010-10-26 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 도금 구조체
JP5151920B2 (ja) * 2008-02-05 2013-02-27 日立化成工業株式会社 導電粒子及び導電粒子の製造方法
JP4991666B2 (ja) * 2008-09-19 2012-08-01 積水化学工業株式会社 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005044677A (ja) 2003-07-23 2005-02-17 Nisshin Steel Co Ltd 微細粒径の導電性粒子
JP2007324138A (ja) 2004-01-30 2007-12-13 Sekisui Chem Co Ltd 導電性微粒子及び異方性導電材料

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011111152A1 (ja) 2011-09-15
KR20130015268A (ko) 2013-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4991666B2 (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP6470810B2 (ja) 絶縁性粒子付き導電性粒子、導電材料及び接続構造体
KR101222375B1 (ko) 절연 입자 부착 도전성 입자, 절연 입자 부착 도전성 입자의 제조 방법, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체
JP6165626B2 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP5719483B1 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
KR20130122730A (ko) 도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체
WO2013108740A1 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP5476221B2 (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP6165625B2 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP5940760B2 (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP2019140116A (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP6151990B2 (ja) 絶縁性粒子付き導電性粒子、導電材料及び接続構造体
KR101704856B1 (ko) 도전성 입자, 이방성 도전 재료 및 접속 구조체
JP2014026971A (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP5534891B2 (ja) 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、異方性導電材料及び接続構造体
JP6478308B2 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2012004033A (ja) 導電性粒子、異方性導電材料及び接続構造体
JP5837738B2 (ja) 導電性粒子、異方性導電材料、接続構造体及び導電性粒子の製造方法
JP6200318B2 (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2020113545A (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2015109269A (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2015195217A (ja) 異方性導電材料及び接続構造体
JP2015109267A (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体
JP2013168359A (ja) 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant