KR101693774B1 - 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
탄소 나노튜브 복합전극의 제조 방법에 있어서, 초정렬 탄소 나노튜브 박막(2)을 전도성 기판으로, 전도성 고분자를 캐리어로 삼아 하나 또는 여러 층의 층상 구조를 형성한다. 형성된 투명 CNT 복합 박막(3)은 우수한 전도성을 나타내기 때문에, 실온 조건 하에서 기계적 압출 공정을 이용하여 경제적이고 단순한 방식에 의해 큰 면적의 탄소 나노튜브 투명 CNT 복합전극을 제조할 수 있다. 상기 투명 CNT 복합전극은 플렉시블 OLED 디스플레이 부품, 태양전지, 액정 디스플레이, 터치스크린 디스플레이 등 부품에 응용할 수 있다.
Description
본 발명은 투명 복합전극의 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이, OLED 디스플레이, 터치패널, 전자 페이퍼, 태양전지 등 디스플레이 장치와 광발전 장치에 있어서 투명 전극은 없어서는 안 될 부분이다. 종래의 투명 전극 성능 기준에는 주로 투과율과 전기저항률이 포함되었으며, 구체적으로 투과율은 80% 이상, 전기저항률은 500Ω/sqm 이하가 요구되었다. 그러나 과학기술이 발전하고 수요가 늘어나면서, 투명 전극은 투과율과 전기저항률에 대한 요구 외에도 플렉시블, 커브드 측면에서의 니즈도 발생하게 되었다. 인듐 주석 산화물(ITO)은 유리기판에서 ITO 박막을 형성하여 우수한 투광성과 전도성을 나타내며, 현재 상업화된 ITO 전극은 투명 전극의 응용 분야에서 주도적 입지를 차지하고 있다. 그러나 투명 전극 응용 분야가 다원화됨에 따라 투명 전극은 반드시 면저항이 낮고 가시광 범위 내에서 우수한 투과율, 유연성을 갖추어야 하며, 또한 큰 면적 정밀 코팅 필름 형성의 간단한 조작이 가능한 공정 등의 기준을 만족시켜야 한다. 이것은 ITO 박막의 확장 응용에 있어서 기술적으로 극복하기 어려운 문제인데, 예를 들어 ITO 전극 고온의 제조 공정 조건(증착법 또는 스퍼터링(sputtering)법), 쉽게 파손되는 점, 면저항을 감소시키기 어려운 점, 균일성이 떨어지는 점, 황색화 현상이 일어나는 점, 청색광은 투사하기 어려운 점 등이 있다. 또한 만약 ITO 박막을 녹는점이 낮은 플렉시블 기판에 장착하려면 저온에서만 증착할 수 있기 때문에 제조한 ITO 전도 박막 전기저항률이 높고 투명도가 떨어지며, 플렉시블 기판과의 부착력이 떨어지고 구부렸을 때 부러지기 쉬워 부품의 기능을 구현할 수 없다. 자주 사용하는 고분자 플렉시블 기판 재료는 ITO의 열팽창 계수와 상반되어 부품 작업 중 열효과로 인하여 ITO 전도 박막이 탈락되어 기능을 상실할 수 있다. ITO 박막에 사용하는 인듐 자원이 부족하여 ITO 박막 제조 원가가 높은데, 이로 인하여 새로운 투명 전도 전극 재료 개발에 대한 시도가 늘어나고 있다.
탄소 나노튜브는 전형적인 층상 중공(hollow) 구조 특성을 가진 탄소 재료로서, 탄소 나노튜브의 관체는 육각형 탄소 고리 구조로 이루어져 있으며 일종의 특수한 구조(방사방향 사이즈는 나노급, 축방향 사이즈는 미크론급)의 일차원 양자 재료를 가지고 있다. 관벽 구조는 주로 몇 층에서 수십 층에 이르는 축이 같은 원통관으로 되어 있다. 층과 층 사이는 약 0.34nm의 고정된 거리를 유지하며 직경은 일반적으로 2 내지 20nm이다. 탄소 나노튜브 탄소 원자의 P 전자는 큰 범위의 비편재화 π사슬을 형성하고, 공액 효과(conjugation effect)가 뛰어나기 때문에 탄소 나노튜브가 일부 특수한 전기적 특성을 갖는다. 탄소 나노튜브의 구조는 흑연의 편층 구조와 비슷하기 때문에 아주 우수한 전기적 특성을 가지고 있다. 탄소 나노튜브 재료는 높은 전자이동도, 낮은 전기저항률 및 높은 투명도로 인하여 과학 연구계 및 업계에서 이미 ITO를 대체할 수 있는 투명 전극으로 인정받고 있다.
현재 탄소 나노튜브 투명 전극을 제조하는 방법은 비교적 많으며, 이는 대략적으로 습식법과 건식법 제조로 나뉜다.
습식법 합성은 주로 탄소 나노튜브 분말을 용액에 균일하게 분산시켜 박막 제조를 진행하는 것으로서, 진공 여과 전이법[Green A A, Hersam M C. Colored Semitransparent Conductive Coatings Consisting of Monodisperse Metallic Single -Walled Carbon Nanotubes[J]. Nano Lett., 2008, 8(5): 1417-1422.], 분사 코팅법[Kang S J, Song Y, Yi Y, et al. Work-Function Engineering of Carbon Nanotube Transparent Conductive Films[J].Carbon, 2010, 48(2):520-524.], 스핀 코팅법[Meitl M A, Zhou Y X, Gaur A, et al. Solution Casting and Transfer Printing Single-Walled Carbon Nanotube Films [J]. Nano. Lett.,2004, 4(9):1643-1647.], 초크랄스키법(Czochralski method)[Ng M H A, Hartadi L T, Tan H , et al. Efficient Coating of Transparent and Conductive Carbon Nanotube Thin Films on Plastic Substrates[J]. Nanotechnology, 2008, 19: 205703.], LB법[Li X L, Zhang L, Wang X R, et al. Langmuir-Blodgett Assembly of Densely Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes from Bulk Materials[J]. J. Am. Chem. Soc., 2007, 129(16): 4890-4891.], 전기영동법[Pei S F, Du J H, Zeng Y, et al. The Fabrication of a Carbon Nanotube Transparent Conductive Film by Electrophoretic Deposition and Hot-Pressing Transfer[J]. Nanotechnology, 2009, 20:235707.] 등을 포함하고, 건식법 제조는 에어로졸 직접합성법[Fraser I S, Motta M S, Schmidt R K, et al. Continuous Production of Flexible Carbon Nanotube-Based Transparent Conductive Films[J]. Sci. Technol. Adv. Mater., 2010, 11(4), 045004.], 슈퍼 어레이 초크랄스키법(super array Czochralski method)[Feng C, Liu K, Wu J S, et al. Flexible, Stretchable, Transparent Conducting Films Made from Superaligned Carbon Nanotubes [J]. Adv. Funct. Mater., 2010, 20(6):885-891.] 등을 포함한다.
습식법으로 제조한 탄소 나노튜브 투명 전극은 탄소 나노튜브가 불균일하게 분산되는 문제가 있기 때문에, 제조한 전극이 국부적인 결함으로 인하여 전극 기능이 상실될 수 있으며, 종래의 연구가 실험실 연구로 국한되어 있어 큰 범위의 응용 측면에서는 아주 큰 기술적 도전이 필요한 상황이다.
건식법의 에어로졸 직접합성법을 이용한 탄소 나노튜브 투명 전극 공정은 기상증착로에서 생성된 탄소 나노튜브 에어로졸을 투명 중합 테이프에 증착시킨 후 주상(columnar)을 평탄한 막상(membranous)으로 와해시킨다. 상기 방법으로 제조한 탄소 나노튜브 투명 전극의 형상 및 질량은 반응 과정에서 화학 기상증착로의 온도, 기체 수소 운반 유속, 플렉시블 기판의 우회 속도 등과 같은 다양한 요소의 영향을 받기 때문에, 큰 면적의 탄소 나노튜브 투명 전극을 제조하는 데에 어려움이 있다.
슈퍼 어레이 초크랄스키법은 탄소 나노튜브의 연장가능성을 이용하여 탄소 나노튜브를 무한정 긴 박막으로 연장할 수 있다. 초정렬 탄소 나노튜브 어레이는 열처리를 거친 후, CNT의 어레이 방향이 수직에서 수평으로 변한다. 연장할 때 이를 플렉시블 기판과 연장막 사이에 위치시키고, 두 개의 롤러를 통하여 이를 압축한다. 상기 슈퍼 어레이 초크랄스키법은 습식 합성법과 비교할 때, 공정이 간단하고 CNT 이용률이 높고 비용이 저렴하며 필름 형성 질량이 높기 때문에 대량생산에 이용할 수 있다. 그러나 탄소 나노튜브와 플렉시블 기판의 구조는 기계적 압출 방법을 통해서만 플렉시블 기판의 표면에 부착할 수 있기 때문에, 상대적으로 상기 공정 조작 과정에서 탄소 나노튜브 막층의 견고하지 못한 특성이 전극 품질을 떨어뜨릴 수 있다. 또한 상기 공정 방법은 동일한 기판에서 여러 차례 조작하기 쉽지 않다.
본 발명은 새로운 투명 탄소 나노튜브 복합전극의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 초정렬 탄소 나노튜브 박막[Feng C, Liu K, Wu J S, et al. Flexible, Stretchable, Transparent Conducting Films Made from Superaligned Carbon Nanotubes [J]. Adv. Funct. Mater., 2010, 20(6):885-891.]을 전도성 기판으로, 전도성 고분자를 캐리어로 삼아 일종의 한 층 또는 여러 층의 층상 구조를 형성하고, 형성된 투명 CNT 복합전극 박막은 우수한 전도성을 나타내기 때문에, 실온 조건 하에서 기계적 압출 공정을 이용하여 큰 면적의 탄소 나노튜브 투명 복합전극을 제조할 수 있다. 상기 투명 CNT 복합전극은 플렉시블 OLED 디스플레이 부품, 태양전지, 액정 디스플레이, 터치스크린 디스플레이 등 부품에 응용할 수 있다.
탄소 나노튜브 투명 복합전극은 투명 고분자 기판과 투명 기판 표면에 형성된 CNT 복합 박막을 포함하고, 상기 CNT 복합 박막은 CNT 박막과 전도성 고분자 막으로 구성되고, 그 제조 방법은 아래와 같은 단계를 포함한다.
(1) 투명 고분자 기판에 초정렬 탄소 나노튜브 박막을 안착시키고, 필름 리드 파트에 의하여 Si편(slice)에 생장한 초정렬 탄소 나노튜브의 가장자리에서 일정한 폭의 탄소 나노튜브 막층을 추출한 후, 상기 막층을 상기 투명 고분자 기판 표면에 필요한 모든 구역에 가득할 때까지 평평하게 펴고, 레이저 절단 방법 또는 에탄올 수축 방법을 이용하여 상기 초정렬 탄소 나노튜브 박막을 절단하고; (2) 상기 초정렬 탄소 나노튜브 박막이 안착되어 있는 기판은 한 쌍의 상대적으로 회전하는 롤러 사이를 통과하여, 상기 초정렬 탄소 나노튜브 박막의 표면에 한 층의 전도성 고분자 막이 부착되도록 한다. 상기 하나 또는 두 개의 롤러 표면에 전도성 고분자 용액이 코팅되어 있다.
상기 롤러 표면 조도는 Ra0.02 내지 0.01μm이다.
상기 롤러 사이의 틈새 최소 간격이 기판 두께이다.
상기 전도성 고분자 용액의 점도는 1-10×10-3PaS이다.
상기 전도성 고분자 수용액의 주요 구성성분은 1) 폴리아닐린(polyaniline), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리아세틸렌(polyacetylene) 또는/ 및 폴리피롤(polypyrrole), 2) 공용매는 폴리(소듐-p-스티렌술포네이트)(Poly(sodium-p-styrenesulfonate), PSS), 캄포르를술폰산(camphorsulfonic acid), 도데실-벤젠술폰산(dodecyl-benzenesulfonic acid) 및 염, 헥사데실-벤젠술폰산(hexadecyl-benzenesulfonic acid) 및 염 또는/ 및 나프탈렌술폰산(naphthalenesulfonic acid) 및 염, 3) 개질 첨가제는 프로필렌글리콜(propylene glycol), 소르비톨(sorbitol), 디메틸술폭시드(dimethyl sulfoxide) 또는/ 및 N, N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 4) 나머지는 물이다.
상기 전도성 고분자 수용액은 1.8% PEDOT:PSS 수용액이고, 구체적인 조성은 아래와 같다
폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) PEDOT 0.5 ~ 1%
폴리(소듐-p-스티렌술포네이트) PSS 0.8 ~ 1.3%
도데실-벤젠술폰산 0.01 ~ 0.05%
에틸렌글리콜 0.37 ~ 0.44%
물 100%까지 첨가
상기 롤러 내부에는 가열 부품이 설치되어 있다.
본 발명은 탄소 나노튜브(CNT) 박막을 이용하여 투명 전도 복합전극의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 투명 CNT 박막 전극은 투명 고분자 기판과 투명 기판의 표면에 형성한 CNT 복합 박막을 포함하고, 여기에서 상기 CNT 전도성 박막은 CNT 박막과 전도성 고분자 막으로 구성된다. 본 발명에서는 기판과의 부착력이 우수한 탄소 나노튜브 어레이 박막을 이용하여 액체상의 전도성 고분자와 기계적 압출을 진행할 때 하나의 CNT 복합 박막을 형성한다. 상기 투명 CNT 복합전극은 우수한 전도성을 나타내기 때문에, 실온에서 기계적 압출을 이용한 습식법 공정을 이용하여 투명한 CNT 복합전극을 제조할 수 있다. 상기 고분자 전도막은 용액 상태로 탄소 나노튜브 박막 표면에 부착하는데, 상기 고분자 전도막과 탄소 나노튜브 연장막 및 기판 사이의 결합력이 우수하기 때문에 여러 층의 공정 작업에 적합하다. 본 발명에서 형성되는 막은 한 층 또는 여러 층의 박막이다. CNT 막층은 비교적 얇으며 단일 층 CNT 막층 두께가 몇 또는 수십 나노미터에 불과하기 때문에, 상기와 같은 막층은 안착시키는 과정에서 국부적으로 훼손될 수 있으므로, CNT 전도층의 평면 또는 3차원 전도성을 보장하기 위하여 여러 층을 설치될 수 있다. 상기 공정 방법은 제조원가가 비교적 저렴하기 때문에 큰 면적의 투명 전극을 제조하는 데에 적합하다. 상기 투명 CNT 전극은 플렉시블 유기발광다이오드(OLED), 태양전지, 액정 디스플레이 부품, 플라즈마 디스플레이 부품(PDP), 이미지 센서, 터치스크린 패널 등과 같은 투명성과 전도성을 갖추어야 하는 각종 장치를 제조하는 데에 활용할 수 있다.
상기 투명 CNT 복합전극은 플렉시블 OLED, 태양전지, 액정 디스플레이 부품, PDP, 이미지 센서, 터치스크린 패널 등과 같은 전극 재료를 제조하는 데에 활용할 수 있다.
도 1은 Si편(slice)의 탄소 나노튜브 박막의 제조에 관한 설명도;
도 2는 투명 기판의 탄소 나노튜브 박막에 관한 설명도;
도 3은 탄소 나노튜브 고분자 복합 박막의 제조에 관한 설명도;
도 4는 탄소 나노튜브 고분자 복합 박막에 관한 설명도;
도 5는 여러 층 탄소 나노튜브 고분자 복합 박막에 관한 설명도.
도 2는 투명 기판의 탄소 나노튜브 박막에 관한 설명도;
도 3은 탄소 나노튜브 고분자 복합 박막의 제조에 관한 설명도;
도 4는 탄소 나노튜브 고분자 복합 박막에 관한 설명도;
도 5는 여러 층 탄소 나노튜브 고분자 복합 박막에 관한 설명도.
투명 탄소 나노튜브 복합전극의 제조에 있어서 주요 기술은 다음 두 가지 부분으로 나뉜다. (1) 탄소 나노튜브 박막과 기판 사이의 부착은 탄소 나노튜브 박막(2) 표면과 투명 기판(1) 사이의 표면 분자 간 결합을 이용한다. 구체적인 막 형성은 도 1에서 도시하는 바와 같다. 탄소 나노튜브 박막(2)과 투명 기판(1) 사이의 부착력을 보장하기 위하여, 도 2에서 도시하는 바와 같이 탄소 나노튜브 박막(2)을 에탄올을 분무한 환경 속에 평평하게 놓고 수축을 진행시킬 수 있다. 1회 막 연장 후 형성되는 탄소 나노튜브 박막(2)은 에탄올의 증기 환경 속에서 자동으로 수축되어 안정된 선형의 탄소 나노튜브 묶음으로 조성된 구조를 형성한다. 에탄올 분자가 상기 표면에 부착되면서 상기 표면 극성을 향상시키고, 동시에 탄소 나노튜브 박막(2)와 투명 기판(1) 사이의 결합력도 강화시키기 때문에 탄소 나노튜브 박막(2)이 운송 및 방치되는 과정에서 쉽게 훼손되지 않는다. 도 2에서 도시하는 바와 같이 안착되어 있는 탄소 나노튜브 박막의 투명 기판(4)은 한 쌍의 상대적으로 회전하는 롤러(5)를 통과한다. 롤러(5) 표면 조도 기준은 Ra0.02 내지 0.01μm이다. 롤러(5) 사이의 틈새 최소 거리는 투명 기판(1)의 두께와 같다. 롤러(5) 표면에는 점도 1-10×10-3PaS의 고분자 수용액을 도포한다. 필요한 경우 일정한 가열 부착물을 첨가하여 롤러 온도를 제어하면 고분자체의 점도를 확보할 수 있다. 롤러(5) 상부에서 기판 표면 방향으로 탄소 나노튜브의 전도성 고분자 복합 박막(3)이 형성되는데, 도 3은 복합 박막(3)의 제조에 관한 설명도이다. 형성된 박막 구조는 도 4에서 도시하는 바와 같다. 필요에 따라 도 4의 탄소 나노튜브 고분자 박막을 다시 1회 탄소 나노튜브 막을 안착시킨 후 전도성 고분자 층을 부착할 수 있으며, 이는 여러 차례 진행할 수도 있다.
도전성 고분자 수용액 성분은 1) 폴리아닐린(polyaniline), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리아세틸렌(polyacetylene) 또는/ 및 폴리피롤(polypyrrole), 2) 공용매는 폴리(소듐-p-스티렌술포네이트)(Poly(sodium-p-styrenesulfonate), PSS), 캄포르를술폰산(camphorsulfonic acid), 도데실-벤젠술폰산(dodecyl-benzenesulfonic acid) 및 염, 헥사데실-벤젠술폰산(hexadecyl-benzenesulfonic acid) 및 염 또는/ 및 나프탈렌술폰산(naphthalenesulfonic acid) 및 염, 3) 개질 첨가제는 프로필렌글리콜(propylene glycol), 소르비톨(sorbitol), 디메틸술폭시드(dimethyl sulfoxide) 또는/ 및 N, N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 4) 나머지는 물이다.
제조 방법에 있어서, 모든 구성성분을 비율에 따라 일정한 용매에 혼합 용해하고, 상기 농도는 물 또는 상응하는 용매를 첨가하여 조절할 수 있다.
예를 들어 전도성 고분자 수용액은 1.8% PEDOT:PSS 수용액이다.
폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) PEDOT 0.5 ~ 1%
폴리(소듐-p-스티렌술포네이트) PSS 0.8 ~ 1.3%
도데실-벤젠술폰산 0.01 ~ 0.05%
에틸렌글리콜 0.37 ~ 0.44%
물 100%까지 첨가
제조하여 획득한 투명 탄소 나노튜브 복합전극에 있어서, 고분자 투명 기판(1)에 초정렬 탄소 나노튜브 박막(2)을 안착시키고, 필름 리드 파트(7)에 의하여 Si편(6)에 생장한 초정렬 탄소 나노튜브의 가장자리에서 일정한 폭의 탄소 나노튜브 막층을 추출한 후, 상기 막층을 투명 고분자 기판(1) 표면에 필요한 모든 구역에 가득할 때까지 평평하게 펴고, 레이저 절단 방법 또는 에탄올 수축 방법을 이용하여 초정렬 탄소 나노튜브 박막(2)을 절단하고, 초정렬 탄소 나노튜브 박막(2)이 장착된 기판(4)은 한 쌍의 상대적으로 회전하는 롤러(전도성 고분자 수용액을 롤러에 도포함)(5) 사이를 통과하여, 초정렬 탄소 나노튜브 박막(2)의 표면에 한 층의 전도성 고분자 막이 부착되도록 함으로써 복합 박막(3)을 형성한다.
여기에서
1: 투명 기판
2: 초정렬 탄소 나노튜브 박막
3: 탄소 나노튜브 복합 박막
4: 탄소 나노튜브 박막이 안착되어 있는 투명 기판
5: 롤러
6: Si편
7: 필름 리드 파트
1: 투명 기판
2: 초정렬 탄소 나노튜브 박막
3: 탄소 나노튜브 복합 박막
4: 탄소 나노튜브 박막이 안착되어 있는 투명 기판
5: 롤러
6: Si편
7: 필름 리드 파트
Claims (7)
- 투명 고분자 기판과 상기 투명 고분자 기판 표면에 형성된 CNT 복합 박막을 포함하고, 상기 CNT 복합 박막은 CNT 박막과 전도성 고분자 막으로 구성되는 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법에 있어서,
(1) 투명 고분자 기판에 초정렬 탄소 나노튜브 박막을 안착시키고, 필름 리드 파트에 의하여 Si편(slice)에 생장한 상기 초정렬 탄소 나노튜브 박막의 가장자리에서 일정한 폭의 탄소 나노튜브 막층을 추출한 후, 상기 막층을 상기 투명 고분자 기판 표면에 필요한 모든 구역에 가득할 때까지 평평하게 펴고, 레이저 절단 방법 또는 에탄올 수축 방법을 이용하여 상기 초정렬 탄소 나노튜브 박막을 절단하고; (2) 상기 초정렬 탄소 나노튜브 박막이 안착되어 있는 기판은 한 쌍의 상대적으로 회전하는 롤러 사이를 통과하여, 상기 초정렬 탄소 나노튜브 박막의 표면에 한 층의 전도성 고분자 막이 부착되도록 하고, 상기 하나 또는 두 개의 롤러 표면에 전도성 고분자 수용액이 코팅되어 있는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 롤러 표면 조도가 Ra0.02 내지 0.01μm인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 롤러 사이의 틈새 최소 간격이 기판 두께인 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 전도성 고분자 수용액의 점도가 1-10×10-3PaS인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 전도성 고분자 수용액의 주요 구성성분은 1) 폴리아닐린(polyaniline), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리아세틸렌(polyacetylene) 또는/ 및 폴리피롤(polypyrrole), 2) 공용매는 폴리(소듐-p-스티렌술포네이트)(Poly(sodium-p-styrenesulfonate), PSS), 캄포르를술폰산(camphorsulfonic acid), 도데실-벤젠술폰산(dodecyl-benzenesulfonic acid) 및 염, 헥사데실-벤젠술폰산(hexadecyl-benzenesulfonic acid) 및 염 또는/ 및 나프탈렌술폰산(naphthalenesulfonic acid) 및 염, 3) 개질 첨가제는 프로필렌글리콜(propylene glycol), 소르비톨(sorbitol), 디메틸술폭시드(dimethyl sulfoxide) 또는/ 및 N, N-디메틸포름아미드(N,N-dimethylformamide), 에틸렌글리콜(ethylene glycol), 4) 나머지는 물인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법. - 제 5항에 있어서,
상기 전도성 고분자 수용액은 1.8% PEDOT:PSS 수용액이고, 구체적인 조성에 있어서,
폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) PEDOT 0.5 ~ 1%
폴리(소듐-p-스티렌술포네이트) PSS 0.8 ~ 1.3%
도데실-벤젠술폰산 0.01 ~ 0.05%
에틸렌글리콜 0.37 ~ 0.44%
물 100%까지 첨가
인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법. - 제 1항에 있어서,
상기 롤러 내부에 가열 부품이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 투명 복합전극의 제조 방법.
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