KR101687096B1 - 부성 미분 저항 소자 기반 n-푸쉬 발진기 회로 - Google Patents

부성 미분 저항 소자 기반 n-푸쉬 발진기 회로 Download PDF

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Abstract

부성 미분 저항 소자 기반 N-푸쉬 발진기 회로가 개시된다. 일 실시예에 따른 N-푸쉬 발진기 회로는 복수의 단일 발진기들을 포함하고, 상기 복수의 단일 발진기들 각각은 부성 미분 저항 소자와, 적어도 하나의 발진 신호가 생성되는 발진 노드를 통해 상기 부성 미분 저항 소자와 접속하는 공진기를 포함하고, 상기 복수의 단일 발진기들 각각의 상기 공진기는 센터 노드를 통해 접속되고, 상기 복수의 단일 발진기들 각각의 상기 적어도 한나의 발진 신호는 상기 센터 노드를 통해 출력된다.

Description

부성 미분 저항 소자 기반 N-푸쉬 발진기 회로{N-PUSH OSCILLATOR CIRCUIT BASED ON NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICE }
아래 실시예들은 부성 미분 저항 소자 기반 N-푸쉬 발진기 회로에 관한 것이다.
공명 터널링 다이오드를 비롯한 부성 미분 저항 소자는 다양한 저전력 아날로그 회로에 있어서 매우 큰 장점을 가지고 있다. 특히, 소자 고유의 부성 미분 컨덕턴스 특성과 낮은 동작 전압 특성으로 인해, 전압 제어 발진기(Voltage Controlled Oscillator(VCO)) 회로에 사용될 경우 기존 트랜지스터 기반의 발진기 회로보다 극히 낮은 수준의 전력 소모로도 회로를 동작시킨다.
이러한 이유로, 지금까지 이러한 부성 미분 저항 소자를 이용한 다양한 발진기 회로들이 제안 및 개발되어왔다. 부성 미분 컨덕턴스 소자 기반의 발진기 회로는 외부 회로와의 결합을 위한 출력 버퍼(output buffer) 회로가 필수적으로 요구된다. 이 출력 버퍼 회로는 발진기 자체 코어 회로보다 많은 전력을 소모하기 때문에 부성 미분 저항 소자의 저전력 장점을 상쇄시킨다는 단점이 있다.
(특허문헌 1) KR10-0422505 B1
실시예들은 주파수를 n배로 증가시킬 수 있어서 수 THz 이상의 원하는 고주파 성분을 얻을 수 있는 N-푸쉬 발진기 회로를 제공할 수 있다.
일 실시예에 따른 N-푸쉬 발진기 회로는 복수의 단일 발진기들을 포함하고, 상기 복수의 단일 발진기들 각각은 부성 미분 저항 소자와, 적어도 하나의 발진 신호가 생성되는 발진 노드를 통해 상기 부성 미분 저항 소자와 접속하는 공진기를 포함하고, 상기 복수의 단일 발진기들 각각의 상기 공진기는 센터 노드를 통해 접속되고, 상기 복수의 단일 발진기들 각각의 상기 적어도 하나의 발진 신호는 상기 센터 노드를 통해 출력될 수 있다.
상기 공진기는 커패시터와 인덕터를 포함할 수 있다.
상기 공진기는 커패시터와 전송선을 포함할 수 있다.
상기 부성 미분 저항 소자는 부성 미분 저항 다이오드일 수 있다.
상기 부성 미분 저항 소자는 부성 미분 저항 트랜지스터일 수 있다.
상기 복수의 단일 발진기들의 개수는 2이상일 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 차등 발진기 회로의 개략적인 구조도이다.
도 2는 도 1에 도시된 부성 미분 저항 소자들의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1에 도시된 부성 미분 저항 소자들의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 N-푸쉬 발진기 회로의 개략적인 구조도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 N-푸쉬 발진기 회로의 개략적인 구조도이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만, 예를 들어 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 표현들, 예를 들어 "~사이에"와 "바로~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함으로 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 차등 발진기 회로의 개략적인 구조도이고, 도 2는 도 1에 도시된 부성 미분 저항 소자들의 일 실시예를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 1에 도시된 부성 미분 저항 소자들의 다른 실시예를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 차등 발진기 회로(10A)는 제1 단일 발진기(100)와 제2 단일 발진기(200)를 포함할 수 있다. 일 예에 따라, 차등 발진기 회로(10A)는 저항(R)을 더 포함할 수 있다. 저항(R)은 차등 발진기 회로(10A)의 공통 모드(common mode) 동작을 제거하고 차분 모드(differential mode) 동작을 유도하기 위함일 수 있다.
제1 단일 발진기(100)는 제1 발진 노드(N1), 제1 부성 미분 저항 소자(110), 및 제1 공진기(130)를 포함할 수 있다.
제1 단일 발진기(100)는 적어도 하나의 발진 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 제1 단일 발진기(100)는 적어도 하나의 발진 신호를 제1 발진 노드(N1)에서 생성할 수 있다.
제1 부성 미분 저항 소자(110)는 제1 단일 발진기(100)에 마이너스 저항 값을 제공하여 제1 단일발진기(100)가 발진하도록 할 수 있다.
제1 부성 미분 저항 소자(110) 및 제1 공진기(130)는 제1 발진 노드(N1)를 통해 서로 접속할 수 있다.
제1 공진기(130)는 제1 단일 발진기(100)의 주파수를 조정할 수 있다. 제1 공진기(130)는 제1 인덕터(133)와 제1 커패시터(135)를 포함할 수 있다.
제1 커패시터(135)는 베렉터(varactor)일 수 있다.
제2 단일 발진기(200)는 제2 발진 노드(N2), 제2 부성 미분 저항 소자(210), 및 제2 공진기(230)를 포함할 수 있다.
제2 단일 발진기(200)는 적어도 하나의 발진 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 제2 단일 발진기(200)는 적어도 하나의 발진 신호를 제2 발진 노드(N2)에서 생성할 수 있다.
제2 부성 미분 저항 소자(210)는 제2 단일 발진기(200)에 마이너스 저항 값을 제공하여 제2 단일 발진기(200)가 발진하도록 할 수 있다.
제2 부성 미분 저항 소자(210) 및 제2 공진기(230)는 제2 발진 노드(N2)를 통해 서로 접속할 수 있다.
제2 공진기(230)는 제2 단일 발진기(200)의 주파수를 조정할 수 있다. 제2 공진기(230)는 제2 인덕터(233)와 제2 커패시터(235)를 포함할 수 있다.
제2 커패시터(235)는 베렉터(varactor)일 수 있다.
일 예에 따라, 부성 미분 저항 소자(110 또는 210)는 공명 터널링 다이오드(RTD)와 같은 부성 미분 저항 다이오드로 구현될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 콜렉터 전극(C)과 이미터 전극(E)을 포함하는 공명 터널링 다이오드(RTD)는 넓은 부성 저항 영역(NRR) 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 공명 터널링 다이오드(RTD)가 부성 미분 저항 영역 내의 낮은 전압 구간에서 전류의 변화폭이 크면서 부성 미분 저항의 크기가 작으므로, 신호 결합기(200A)의 설계가 용이할 수 있다. 또한, 피크 전압(peak voltage; VP)에서의 피크 전류 대 밸리 전압(valley voltage; VV)에서의 밸리 전류의 비인 PVCR(peak-to-valley current ratio)이 상당히 높은 값을 가지므로, 차등 발진기 회로(10A)는 초저전력 특성을 가질 수 있다.
다른 예에 따라, 부성 미분 저항 소자(110 또는 210)는 공명 터널링 트랜지스터(RTT)와 같은 부성 미분 저항 트랜지스터로 구현될 수 있다. 도 3의 콜렉터 전극(C), 이미터 전극(E)과 가변 전극(VE)을 포함하는 공명 터널링 트랜지스터(RTT)는 입력되는 전압에 따라 공명 터널링 다이오드(RTD)의 채널 영역의 공핍 영역을 조절하기 위한 가변 전극(VE)이 형성된 반도체 소자일 수 있다. 보다 구체적으로, 도 3에 도시된 바와 같이, 가변 전극(VE)에 입력되는 전압이 순방향 전압(예를 들어, VVE=0V)인 경우, 채널 영역 내에 형성되는 공핍 영역이 감소하여 공명 터널링 트랜지스터(RTT)의 콜렉터 전극(C)으로 전송되는 전류는 증가할 수 있다. 가변 전극(VE)에 입력되는 전압이 낮은 역방향 전압(예를 들어, VVE < 0V)인 경우, 채널 영역 내에 형성되는 공핍 영역이 증가하여 공명 터널링 트랜지스터(RTT)의 콜렉터 전극(C)으로 전송되는 전류는 감소할 수 있다. 가변 전극(VE)에 입력되는 전압이 높은 역방향 전압(예를 들어, VVE << 0V)인 경우, 채널 영역 내에 형성되는 공핍 영역이 더욱 증가하여 공명 터널링 트랜지스터(RTT)의 콜렉터 전극(C)으로 전송되는 전류는 더욱 감소할 수 있다. 예를 들어, 공명 터널링 트랜지스터(RTT)는 가변 전극(VE)으로 입력되는 전압에 따라 상기 채널 영역의 상기 공핍 영역을 조절함으로써 공명 터널링 트랜지스터(RTT) 내의 전송 전류를 조절, 예를 들어 공명 터널링 트랜지스터(RTT)를 바라본 임피던스(ZD)를 조절할 수 있다.
각 공진기(130 및 230)는 센터 노드(CN)를 통해 서로 접속될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 단일 발진기(100)와 제2 단일 발진기(200)는 센터 노드(CN)를 통해 서로 접속될 수 있다. 즉, 차등 발진기 회로(10A)는 푸쉬-푸쉬 타입의 발진기 회로일 수 있다.
각 노드(N1 및 N2)에서는 서로 180도의 위상 차이가 나는 적어도 하나의 발진 신호가 생성될 수 있다. 이때, 차등 발진기 회로(10A)는 서로 180도의 위상 차이가 나는 적어도 하나의 발진 신호를 센터 노드(CN)로 출력할 수 있다. 즉, 각 노드(N1 및 N2)에서 생성된 적어도 하나의 발진 신호는 센터 노드(CN)를 통해 출력될 수 있다.
각 노드(N1 및 N2)에서 생성된 적어도 하나의 발진 신호는 센터 노드(CN)에서 합쳐질 수 있다. 발진 신호의 첫 번째 고조파 성분(fundamental harmonic)은 180도의 위상차에 의하여 서로 상쇄된다. 발진 신호의 두 번째 고조파 성분(2nd harmonic)은 서로 중첩되게 되고, 센터 노드(CN)에서는 두 번째 고조파 성분이 출력된다. 이에, 차등 발진기 회로(10A)는 공진기(130 또는 230)의 공진 주파수의 2배에 해당하는 주파수를 동작 주파수로 가질 수 있다.
또한, 센터 노드(CN)가 가상 접지(virtual ground) 상태로 존재하게 되므로, 센터 노드(CN)에 어떠한 외부 회로가 존재하여도 차등 발진기 회로(10A)의 내부 회로에는 영향을 주지 않게 된다. 따라서, 차등 발진기 회로(10A)는 출력 버퍼 회로가 필요하지 않게 되고, 출력 버퍼 회로로 인한 추가적인 전력 소모가 없으므로 부성 미분 저항 소자 기반 차등 출력 발진기의 저전력 효과를 극대화할 수 있다.
도 4는 다른 실시예에 따른 N-푸쉬 발진기 회로의 개략적인 구조도이다.
도 4를 참조하면, N-푸쉬 발진기 회로(20A)는 제3 단일 발진기(300), 제4 단일 발진기(400), 및 제5 단일 회로(400)를 포함할 수 있다.
제3 단일 발진기(400)는 제3 발진 노드(N3), 제3 부성 미분 저항 소자(310), 및 제3 공진기(330)를 포함할 수 있다.
제3 단일 발진기(300)는 적어도 하나의 발진 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 제3 단일 발진기(300)는 적어도 하나의 발진 신호를 제3 발진 노드(N3)에서 생성할 수 있다.
제3 부성 미분 저항 소자(310)는 제3 단일 발진기(300)에 마이너스 저항 값을 제공하여 제3 단일 발진기(300)가 발진하도록 할 수 있다.
제3 부성 미분 저항 소자(310) 및 제3 공진기(330)는 제3 발진 노드(N3)를 통해 서로 접속할 수 있다.
제3 공진기(330)는 제3 단일 발진기(300)의 주파수를 조정할 수 있다. 제3 공진기(330)는 제3 전송선(333)와 제3 커패시터(335)를 포함할 수 있다.
제3 커패시터(335)는 베렉터(varactor)일 수 있다.
제4 단일 발진기(400)는 제4 발진 노드(N4), 제4 부성 미분 저항 소자(410), 및 제4 공진기(430)를 포함할 수 있다.
제4 단일 발진기(400)는 적어도 하나의 발진 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 제4 단일 발진기(400)는 적어도 하나의 발진 신호를 제4 발진 노드(N4)에서 생성할 수 있다.
제4 부성 미분 저항 소자(410)는 제4 단일 발진기(400)에 마이너스 저항 값을 제공하여 제4 단일 발진기(400)가 발진하도록 할 수 있다.
제4 부성 미분 저항 소자(410) 및 제4 공진기(430)는 제4 발진 노드(N4)를 통해 서로 접속할 수 있다.
제4 공진기(430)는 제4 단일 발진기(400)의 주파수를 조정할 수 있다. 제4 공진기(430)는 제4 전송선(433)와 제4 커패시터(435)를 포함할 수 있다.
제4 커패시터(435)는 베렉터(varactor)일 수 있다.
제5 단일 발진기(500)는 제5 발진 노드(N5), 제5 부성 미분 저항 소자(510), 및 제5 공진기(530)를 포함할 수 있다.
제5 단일 발진기(500)는 적어도 하나의 발진 신호를 생성할 수 있다. 예를 들어, 제5 단일 발진기(500)는 적어도 하나의 발진 신호를 제5 발진 노드(N5)에서 생성할 수 있다.
제5 부성 미분 저항 소자(510)는 제5 단일 발진기(500)에 마이너스 저항 값을 제공하여 제5 단일 발진기(500)가 발진하도록 할 수 있다.
제5 부성 미분 저항 소자(510) 및 제5 공진기(530)는 제5 발진 노드(N5)를 통해 서로 접속할 수 있다.
제5 공진기(530)는 제5 단일 발진기(500)의 주파수를 조정할 수 있다. 제5 공진기(530)는 제5 전송선(533)와 제5 커패시터(535)를 포함할 수 있다.
제5 커패시터(535)는 베렉터(varactor)일 수 있다.
일 예에 따라, 부성 미분 저항 소자(310, 410 또는 510)는 도 2에 도시된 공명 터널링 다이오드(RTD)와 같은 부성 미분 저항 다이오드로 구현될 수 있다.
다른 일 예에 따라, 부성 미분 저항 소자(310, 410 또는 510)는 도 3에 도시된 공명 터널링 트랜지스터(RTT)와 같은 부성 미분 저항 트랜지스터로 구현될 수 있다.
각 공진기(330, 430 및 530)는 센터 노드(CN)를 통해 서로 접속될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 제3 단일 발진기(300), 제4 단일 발진기(400), 및 제5 단일 발진기(500)는 는 센터 노드(CN)를 통해 서로 접속될 수 있다. 즉, N-푸쉬 발진기 회로(20A)는 트리플-푸쉬 타입의 발진기 회로일 수 있다.
각 노드(N3, N4 및 N5)에서는 서로 120도의 위상 차이가 나는 적어도 하나의 발진 신호가 생성될 수 있다. 이때, 차등 발진기 회로(20A)는 서로 120도의 위상 차이가 나는 적어도 하나의 발진 신호를 센터 노드(CN)로 출력할 수 있다. 즉, 각 노드(N3, N4 및 N5)에서 생성된 적어도 하나의 발진 신호는 센터 노드(CN)를 통해 출력될 수 있다.
각 노드(N3, N4 및 N5)에서 생성된 적어도 하나의 발진 신호는 센터 노드(CN)에서 합쳐질 수 있다. 발진 신호의 첫 번째 고조파 성분(fundamental harmonic)와 두 번째 고조파 성분(2nd harmonic)은 위상차에 의하여 서로 상쇄된다. 발진 신호의 세 번째 고조파 성분(3rd harmonic)은 서로 중첩되게 되고, 센터 노드(CN)에서는 세 번째 고조파 성분이 출력된다. 이에, N-푸쉬 발진기 회로(20A)는 공진기(330, 430 또는 530)의 공진 주파수의 3배에 해당하는 주파수를 동작 주파수로 가질 수 있다.
또한, 센터 노드(CN)가 가상 접지(virtual ground) 상태로 존재하게 되므로, 센터 노드(CN)에 어떠한 외부 회로가 존재하여도 N-푸쉬 발진기 회로(20A)의 내부 회로에는 영향을 주지 않게 된다. 따라서, N-푸쉬 발진기 회로(20A)는 출력 버퍼 회로가 필요하지 않게 되고, 출력 버퍼 회로로 인한 추가적인 전력 소모가 없으므로 부성 미분 저항 소자 기반 N-푸쉬 출력 발진기의 저전력 효과를 극대화할 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 N-푸쉬 발진기 회로의 개략적인 구조도이다.
도 5를 참조하면, N-푸쉬 발진기 회로(30A)는 복수의 단일 발진기(600-1~600-n; n은 2이상의 자연수)를 포함할 수 있다.
도 5의 각 단일 발진기(600-1~600-n)의 구조 및 동작은 도 4의 단일 발진기(300, 400 또는 500)의 구조 및 동작과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, N-푸쉬 발진기 회로(30A)는 n-푸쉬 발진기로 구현될 수 있다. 이때, N-푸쉬 발진기 회로(30A)의 주파수를 n배로 증가시킬 수 있어서 수 THz 이상의 원하는 고주파 성분을 얻을 수 있다.
N-푸쉬 발진기 회로(30A)의 성능은 단일 발진기 하나를 포함하는 기본 단일 발진기 회로와 비교할 때 표 1과 같을 수 있다.
Figure 112015016701094-pat00001
도 1, 도 4, 또는 도 5의 발진기 회로(10A, 20A 또는 30A)는 부성 미분 저항 소자를 이용하여 매우 간단한 구조로 회로를 구성할 수 있다. 주파수가 높아질수록, 발진기 회로(10A, 20A 또는 30A)는 증가되는 인터커넥션에 인한 손실을 줄일 수 있어 THz 이상의 높은 주파수 회로에서 유리할 수 있다. 뿐만 아니라, 부성 미분 저항 소자가 일반적으로 낮은 동작 전압을 가지기 때문에 발진기 회로(10A, 20A 또는 30A)의 동작 전압과 전력 소모를 줄일 수 있다.
이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPGA(field programmable gate array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.
소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치, 또는 전송되는 신호 파(signal wave)에 영구적으로, 또는 일시적으로 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.
실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims (6)

  1. 복수의 단일 발진기들을 포함하고,
    상기 복수의 단일 발진기들 각각은,
    부성 미분 저항 소자; 및
    적어도 하나의 발진 신호가 생성되는 발진 노드를 통해 상기 부성 미분 저항 소자와 접속하는 공진기
    를 포함하고,
    상기 복수의 단일 발진기들 각각의 상기 공진기는 센터 노드를 통해 접속되고,
    상기 복수의 단일 발진기들 각각의 상기 적어도 하나의 발진 신호는 서로 위상이 상이하며, 상기 센터 노드로 전송되고,
    상기 복수의 단일 발진기들 각각의 상기 적어도 하나의 발진 신호를 합하여 생성되는 상기 복수의 단일 발진기들 각각의 주파수보다 상기 복수의 단일 발진기들의 개수 배 높은 주파수의 출력 신호는 상기 센터 노드를 통해 출력되는 N-푸쉬 발진기 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공진기는,
    커패시터; 및
    인덕터
    를 포함하는 N-푸쉬 발진기 회로.

  3. 제1항에 있어서,
    상기 공진기는,
    커패시터; 및
    전송선
    을 포함하는 N-푸쉬 발진기 회로.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 부성 미분 저항 소자는 부성 미분 저항 다이오드인 N-푸쉬 발진기 회로.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 부성 미분 저항 소자는 부성 미분 저항 트랜지스터인 N-푸쉬 발진기 회로.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 단일 발진기들의 개수는 2이상의 자연수인 N-푸쉬 발진기 회로.
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