KR101676670B1 - Light Emitting Diode - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 복수의 발광 칩이 패키지 몸체 내에서 일 열로 배열되도록 하며, 이를 통해 발광 소자에서 방출되는 빛의 균일성을 향상시키고, 각 발광 칩의 열에 의한 몸체와 봉지재의 열화를 최소화한다.The light emitting device according to the embodiment allows a plurality of light emitting chips to be arranged in one row in the package body, thereby improving the uniformity of light emitted from the light emitting device and minimizing deterioration of the body and the sealing material by heat of each light emitting chip do.

Description

발광 소자{Light Emitting Diode}[0002] Light emitting diodes

실시예는 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 발광 칩에서 발생하는 열에 의해 몸체나 형광체가 열화되는 것을 최소화하고, 빛의 균일도가 향상된 발광 소자에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting device, and more particularly, to a light emitting device in which deterioration of a body or a phosphor by heat generated from a light emitting chip is minimized and light uniformity is improved.

질화물 계열의 발광 칩을 구비하는 사이드 뷰 타입의 발광 소자는 크기가 작고 슬림한 몸체를 구비하며, 노트북, 모니터, TV, 및 기타 다양한 디스플레이장치에 적용되고 있다. 한편, 사이드 뷰 타입의 발광 소자는 슬림한 몸체에 의해, 장착 가능한 발광 칩의 크기와 수가 제한된다. 또한, 몸체의 크기가 작은 만큼 발광 칩에서 방출되는 빛과 열에 의해 몸체, 또는 몸체에 충진되는 봉지재가 그만큼 쉽게 열화될 수 있다.A side view type light emitting device having a nitride-based light emitting chip has a small and slim body and is applied to a notebook computer, a monitor, a TV, and various other display devices. On the other hand, the side view type light emitting device is limited in size and number of mountable light emitting chips by a slim body. In addition, as the size of the body is small, an encapsulating material filling the body or the body by heat and light emitted from the light emitting chip can be easily deteriorated.

발광 소자의 몸체가 작아질수록 발광 칩과 캐비티의 거리는 더욱 감소하므로 발광 칩에서 방출되는 열이 크지 않다 하더라도 근거리에 위치하는 몸체가 쉽게 가열되며, 발광 칩에서 방출되는 빛에 의해 여기되는 형광체, 및 형광체를 수용하는 수지재질의 봉지재 또한 쉽게 열화되는 특성이 있다. 현재의 디스플레이장치, 백라이트 유닛, 및 발광 소자를 응용하는 조명장치는 더욱 슬림한 몸체를 요구하지만, 이에 더하여 더 높은 광량도 함께 요구하고 있다. As the body of the light emitting device becomes smaller, the distance between the light emitting chip and the cavity is further reduced. Therefore, even if the heat emitted from the light emitting chip is not large, the body located in a short distance can be easily heated and excited by light emitted from the light emitting chip. A sealing material made of a resin material for accommodating the phosphor is also easily deteriorated. BACKGROUND ART [0002] Current display devices, backlight units, and lighting devices that employ light emitting devices require a slimmer body, but in addition require higher light quantities.

실시예는 복수의 발광 칩을 실장하는 발광 소자의 내부 전극이 밴딩될 때, 몸체에 손상이 가지 않도록 하며, 몸체에 형성되는 캐비티의 기밀성을 향상시키는 발광 소자를 제공한다. Embodiments provide a light emitting device that prevents damage to a body when inner electrodes of a light emitting device that mounts a plurality of light emitting chips are bent, and improves the airtightness of a cavity formed in the body.

실시예에 따른 발광 소자는 복수의 발광 칩을 일 열로 배열하고, 몸체와 발광 칩의 거리를 최대화하며, 이를 통해 몸체, 및 몸체에 충진되는 봉지재의 열화를 최소화하고 빛의 균일도를 최적화한다.The light emitting device according to the embodiment arranges a plurality of light emitting chips in one row to maximize the distance between the body and the light emitting chip, thereby minimizing deterioration of the sealing material filled in the body and the body, and optimizing the uniformity of light.

실시예에 따른 발광 소자는, 캐비티를 구비하는 몸체, 상기 몸체에 수납되며, 일 영역은 상기 캐비티의 바닥면을 따라 형성되는 제1패드와 제2패드, 및 상기 제2패드에 실장되는 발광 칩을 포함하며, 상기 제1패드와 상기 2패드 중 어느 하나는, 일 영역이 상기 몸체와 결합되는 몰딩부에 의해 매립되어 상기 몸체에 고정된다. The light emitting device according to the embodiment includes a body having a cavity, a first pad and a second pad which are housed in the body and one region is formed along a bottom surface of the cavity, and a light emitting chip Wherein one of the first pad and the second pad is fixed to the body by being embedded by a molding part where one area is coupled with the body.

여기서, 몰딩부는 상기 몸체와 동일 재질이거나 일체로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 몸체를 형성할 때 함께 사출될 수 있다. Here, the molding part may be formed of the same material as the body, or may be formed integrally with the body. Preferably, the molding part may be injected together when the body is formed.

여기서, 상기 적어도 하나의 발광 칩은 상기한 몸체의 길이방향 중심선을 따라 열지어 배열될 수 있다.Here, the at least one light emitting chip may be arrayed along the longitudinal center line of the body.

또한, 상기 몸체에 배열되는 적어도 하나의 발광 칩은 상기 제1패드와 상기 제2패드를 각각 애노드와 캐소드로 설정하여 접속될 수 있다.Also, at least one light emitting chip arranged on the body may be connected by setting the first pad and the second pad as an anode and a cathode, respectively.

상기한 발광 소자는 사이드 뷰 타입으로 형성되어 백라이트 유닛, 또는 조명장치에도 적용 가능하다.The light emitting device is formed in a side view type and is applicable to a backlight unit or a lighting device.

실시예는 발광 소자를 구성하는, 개별 발광 칩에서 발생하는 열에 의한 몸체, 또는 봉지재의 열화를 최소화함은 물론 발광 소자의 몸체를 따라 전극이 벤딩될 때, 몸체, 및 패드의 변형과 파손을 방지하고 캐비티의 기밀성을 향상시킨다.Embodiments can minimize the deterioration of the body or the sealing material due to heat generated in the individual light emitting chip, which constitute the light emitting element, and prevent deformation and breakage of the body and the pad when the electrode is bent along the body of the light emitting element. And improves the airtightness of the cavity.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 상측에서 바라본 사시도,
도 2는 발광 칩의 발열과 거리에 대한 참조도면,
도 3은 도 1에 도시된 전극의 구조를 설명하기 위한 참조도면,
도 4는 도 1의 발광 소자에 대한 배면도,
도 5와 도 6은 발광 칩과 ESD 소자의 결선 방식에 대한 참조도면,
도 7은 실시예에 따른 발광 소자에서 각 발광 칩의 배선 방식을 설명하기 위한 참조도면,
도 8은 실시 예에 따른 발광소자의 몸체에 몰딩부를 형성한 일 예에 대한 참조도면,
도 9는 도 8의 A - A'에 따른 단면도,
도 10은 제1몰딩부와 제2몰딩부에 대한 확대 사시도,
도 11은 실시 예에 따른 발광소자를 어레이(array) 배열하여 구성한 백라이트 유닛의 제1 실시예에 대한 사시도,
도 12는 실시 예에 따른 발광소자를 어레이(array) 배열하여 구성한 백라이트 유닛의 제2 실시예에 대한 사시도, 그리고
도 13은 실시예에 따른 발광 소자를 조명장치에 적용한 일 예에 따른 사시도를 나타낸다. 1 is a perspective view of a light emitting device according to an embodiment,
FIG. 2 is a drawing showing the heat generation and distance of the light emitting chip,
3 is a view for explaining the structure of the electrode shown in Fig. 1,
FIG. 4 is a rear view of the light emitting device of FIG. 1,
FIGS. 5 and 6 are reference drawings of a connection method of the light emitting chip and the ESD element,
7 is a view for explaining the wiring method of each light emitting chip in the light emitting device according to the embodiment,
8 is a view illustrating an example of forming a molding part in a body of a light emitting device according to an embodiment,
9 is a sectional view taken along line A-A 'in Fig. 8,
10 is an enlarged perspective view of the first molding part and the second molding part,
11 is a perspective view of a first embodiment of a backlight unit constructed by arraying light emitting devices according to an embodiment,
12 is a perspective view of a second embodiment of a backlight unit constructed by arraying light emitting devices according to an embodiment, and FIG.
13 is a perspective view illustrating an example in which the light emitting device according to the embodiment is applied to a lighting device.

실시예에 대한 설명에서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴이나 타 구조물의 "위(on)"에, "아래(under)"에, 상측(upper)에, 또는 하측(lower)에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)", "아래(under)", 상측(upper), 및 하측(lower)은 "직접(directly)" 또는 "다른 층, 또는 구조물을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), region, pattern or structure may be referred to as being "on", "under", or "on" Quot; on ", " under ", " upper ", and lower " lower " directly "or" indirectly "through " another layer, or structure ".

또한 각 층, 또는 구조물들간의 위치관계에 대한 설명은 본 명세서, 또는 본 명세서에 첨부되는 도면을 참조하도록 한다. Further, the description of the positional relationship between the respective layers or structures is referred to the present specification or the drawings attached hereto.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.
The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. Also, the size and area of each component do not entirely reflect actual size or area.

이하, 첨부되는 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a light emitting device according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 상측에서 바라본 사시도를 나타내고, 도 2는 발광 칩의 발열특성을 설명하기 위한 참조도면을 나타내고, 도 3은 전극의 구조를 설명하기 위한 참조도면을 나타내며, 도 4는 도 1의 발광 소자에 대한 배면도를 나타낸다. FIG. 1 is a perspective view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention viewed from above, FIG. 2 is a reference drawing for explaining heat generation characteristics of a light emitting chip, FIG. 3 is a reference drawing for explaining the structure of an electrode, 4 is a rear view of the light emitting device of Fig.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자는 캐비티(20)를 구비하는 몸체(10), 발광 칩(30, 40, 50), ESD 소자(60), 상부 전극(70), 및 하부 전극(80)을 포함한다. 몸체(10)의 바닥면(11)에는 3개의 발광 칩(30, 40, 50)이 마운트되고, 각 발광 칩(30, 40, 50)은 바닥면(11)에서 몸체(10)의 길이방향 중심선(R)을 따라 배열된다. 1 to 4, the light emitting device according to the embodiment includes a body 10 having a cavity 20, light emitting chips 30, 40 and 50, an ESD element 60, an upper electrode 70, And a lower electrode (80). Three light emitting chips 30, 40 and 50 are mounted on the bottom surface 11 of the body 10 and the light emitting chips 30, 40 and 50 are mounted on the bottom surface 11 in the longitudinal direction of the body 10 Are arranged along the center line (R).

각 발광 칩(30, 40, 50)은 단일 ESD 소자(60)에 의해 ESD 충격에 저항한다. 즉, 각 발광 칩(30, 40, 50)의 애노드 단자들은 ESD 소자(60)의 전극(미도시) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되고, 캐소드 단자들은 ESD 소자(60)의 전극 중 다른 하나와 전기적으로 연결된다. 각 발광 칩(30, 40, 50)은 바닥면(11)에 단일 발광 칩을 마운트 하는데 비해 그 크기와 광량, 및 발열도 함께 저감할 수 있다. 도 2를 참조하면, 캐비티 면(21)과 발광 칩(30)의 외주면 사이의 거리(W)는 바닥면(11)에 단일 발광 칩을 마운트할 때와 비교하여 증가하게 된다. 예컨대, 0.3w의 출력을 갖는 단일 발광 칩을 이용할 때와 0.1w급 발광 칩을 3개 이용할 때를 비교하면, 0.3w급의 단일 발광 칩의 몸체의 크기와 출력 광량이 0.1w급 발광 칩들에 비해 커야 한다. 동일 제조사에서 동일한 기술을 적용하여 발광 칩을 만든다고 가정하면 이러한 사실은 자명하다. 0.3w급 단일 발광 칩의 크기가 커진다면 발광 칩의 외주면과 캐비티 면(21)과의 거리는 감소하고, 캐비티 면(21)은 쉽게 열화될 수 있다. Each light emitting chip 30, 40, 50 is resistant to ESD shock by a single ESD element 60. That is, the anode terminals of each light emitting chip 30, 40, and 50 are electrically connected to one of the electrodes (not shown) of the ESD element 60, and the cathode terminals are electrically connected to the other one of the electrodes of the ESD element 60 And is electrically connected. Each of the light emitting chips 30, 40, and 50 mounts a single light emitting chip on the bottom surface 11, but its size, amount of light, and heat can be reduced together. 2, the distance W between the cavity surface 21 and the outer peripheral surface of the light emitting chip 30 is increased as compared with mounting the single light emitting chip on the bottom surface 11. For example, when using a single light emitting chip having an output of 0.3 w and using three 0.1 w light emitting chips, the size and the output light amount of a single light emitting chip of the 0.3 w class can be reduced to 0.1 w . This fact is self-evident, assuming that the same manufacturer applies the same technique to produce light emitting chips. If the size of the 0.3-watt single light emitting chip is increased, the distance between the outer peripheral surface of the light emitting chip and the cavity surface 21 decreases, and the cavity surface 21 can easily deteriorate.

또한, 개별 발광 칩(30, 40, 50)에서 방출되는 빛의 광량은 단일 발광 칩을 사용할 때에 비하여 동일하거나 적다. 캐비티(20)를 구성하는 캐비티 면(21)을 향해 방출되는 빛(L)은 거리의 제곱에 반비례하여 에너지가 1/W2로 감소하므로, 빛(L)이 캐비티 면에 가하는 열은 면적과 부피가 큰 단일 발광 칩을 사용할 때에 비하여 복수의 발광 칩(30, 40, 50)을 사용하는 실시예의 발광 소자가 적다. Further, the light amount of the light emitted from the individual light emitting chips 30, 40, 50 is equal to or less than when using a single light emitting chip. The light L emitted toward the cavity surface 21 constituting the cavity 20 is reduced in energy to 1 / W 2 in inverse proportion to the square of the distance, The number of light emitting devices of the embodiment using a plurality of light emitting chips 30, 40, and 50 is smaller than that of using a bulky single light emitting chip.

한편, 각 발광 칩(30, 40, 50)은 중심선(R)을 따라 배열되므로 캐비티 면(21)과 최대한 이격될 수 있다. 이는, 발광 칩(30, 40, 50)이 캐비티 면(21)에 가하는 열이 최소화됨을 의미한다.On the other hand, the light emitting chips 30, 40, and 50 are arranged along the center line R, so that they can be separated from the cavity surface 21 as much as possible. This means that the heat applied to the cavity surface 21 by the light emitting chips 30, 40, 50 is minimized.

각 발광 칩(30, 40, 50)은 단일 ESD 소자(60)와 공통으로 접속된다. ESD 소자(60)는 실시예에 따른 발광 소자로 유입되는 과전압, 펄스, 정전기, 및 기타 노이즈에 저항한다. ESD 소자(60)는 제너 다이오드, 바리스터, 및 TVS와 같은 디바이스일 수 있으며, 본 실시예에서, ESD 소자(60)는 하나만이 바닥면(11)에 마운트된다. 각 발광 칩(30, 40, 50)의 애노드 단자는 상호 공통으로 접속되고, 캐소드 단자도 공통 접속 상태를 갖는다. 즉, 발광 칩(30)의 애노드 단자, 발광 칩(40)의 애노드 단자, 및 발광 칩(50)의 애노드 단자는 전기적으로 접속 상태를 갖는다.Each light emitting chip 30, 40, 50 is connected in common with a single ESD element 60. The ESD device 60 resists overvoltage, pulses, static electricity, and other noise introduced into the light emitting device according to the embodiment. The ESD element 60 may be a device such as a Zener diode, a varistor, and a TVS, and in this embodiment, only one ESD element 60 is mounted on the bottom surface 11. The anode terminals of the light emitting chips 30, 40, and 50 are commonly connected to each other, and the cathode terminals also have a common connection state. That is, the anode terminal of the light emitting chip 30, the anode terminal of the light emitting chip 40, and the anode terminal of the light emitting chip 50 have an electrically connected state.

마찬가지로, 발광 칩(30, 40, 50)의 캐소드 단자들도 전기적으로 접속 상태를 이룬다. ESD 소자(60)는 각 발광 칩(30, 40, 50)이 공통으로 접속되는 애노드 단자와 캐소드 단자에 연결되도록 함으로써 바닥면(11)에서 실장되는 영역을 최소화한다.Likewise, the cathode terminals of the light emitting chips 30, 40, and 50 are also electrically connected. The ESD element 60 is connected to the anode terminal and the cathode terminal, to which the respective light emitting chips 30, 40, and 50 are commonly connected, thereby minimizing the area to be mounted on the bottom surface 11.

예컨대, 각 발광 칩(30, 40, 50)의 애노드 단자들이 제1패드(91)에 공통으로 접속되고, 각 발광 칩(30, 40, 50)의 캐소드 단자들이 제2패드(92)에 공통으로 접속되며, 이때, ESD 소자(60)는 제1패드(91)와 제2패드(92)에 접속될 수 있다.For example, the anode terminals of the light emitting chips 30, 40 and 50 are commonly connected to the first pads 91, and the cathode terminals of the light emitting chips 30, 40 and 50 are common to the second pads 92 And the ESD element 60 may be connected to the first pad 91 and the second pad 92. In this case,

물론, 각 발광 칩(30, 40, 50)의 애노드 단자들과 캐소드 단자들이 각각 제2패드(92)와 제1패드(91)에 접속될 수도 있다. Of course, the anode terminals and the cathode terminals of each light emitting chip 30, 40, and 50 may be connected to the second pad 92 and the first pad 91, respectively.

상기한 바에 따라, 실시예에 따른 발광 소자는 바닥면(11)에 3개의 발광 칩(30, 40, 50)과 단일 ESD 소자(60)를 마운트하는 반면, 몸체(10)의 외부로는 애노드와 캐소드에 대한 상부 전극(70)과 하부 전극(80) 만을 노출한다.The light emitting device according to the embodiment mounts three light emitting chips 30, 40 and 50 and a single ESD device 60 on the bottom surface 11, And only the upper electrode 70 and the lower electrode 80 are exposed to the cathode.

상부 전극(70)은 몸체(10)의 길이방향 측면 중 상측에 노출되어 발광 칩(30, 40, 50)에서 생성되는 열의 일부를 대기중으로 발산하며, 하부 전극(80)은 실시예에 따른 발광 소자가 기판에 솔더링 될 때, 기판을 통해 열을 발산한다. The upper electrode 70 is exposed on the upper side of the longitudinal side of the body 10 to partly dissipate heat generated in the light emitting chips 30, 40 and 50 into the atmosphere, When an element is soldered to a substrate, it dissipates heat through the substrate.

한편, 상부 전극(70)은, 일 영역은 캐비티(20) 내에 매설되어 각 발광 칩(30, 40, 50)들의 애노드 단자, 또는 캐소드 단자 중 하나와 결선되고 몸체(10)의 외부로 노출되는 영역은 몸체(10)의 길이방향 바깥면을 향해 밴딩 처리된다. 이때, 상부 전극(70)의 밴딩 영역(BD)은 몸체(10)를 지렛대로 하여 밴딩되므로 밴딩 영역(BD)과 접하는 몸체(10)의 재질은 상부 전극(70)이 밴딩될 때, 상부 전극(70)이 밴딩되는 방향에 따라 함몰되거나, 크랙이 발생할 수 있다.One region of the upper electrode 70 is buried in the cavity 20 and is connected to one of the anode terminal and the cathode terminal of each of the light emitting chips 30 and 40 and 50 and is exposed to the outside of the body 10 The region is banded toward the longitudinal outer surface of the body 10. Since the banding region BD of the upper electrode 70 is bent with the body 10 as a lever, the material of the body 10 in contact with the banding region BD is such that when the upper electrode 70 is bent, (70) may be depressed or cracked depending on the direction in which it is bent.

상부 전극(70)의 밴딩 영역(BD)에 의해 몸체(10)의 재질이 함몰되거나 크랙이 발생하지 않도록 하기 위해서, 상부 전극(70)의 길이는 몸체(10)의 바깥면 방향으로 연장된 후, 밴딩되고 있다. 이는 도 3을 함께 참조하여 상술하도록 한다.The length of the upper electrode 70 is extended toward the outer surface of the body 10 so that the material of the body 10 is not depressed or cracked by the banding region BD of the upper electrode 70 , And is being bent. This will be described in detail with reference to FIG.

도 3을 참조하면, 상부 전극(70)은 두께(t)의 75% ∼ 85%범위에서 몸체(10)와 접촉된 상태로 몸체(10)의 바깥면으로 연장된다. 도 3에서, 상부 전극(70)은 t1만큼 몸체(10)의 바깥면으로 연장된 후, 밴딩되고, 이에 따라, 밴딩 영역(BD)이 몸체(10)의 바깥면과 이격되어 형성된다.3, the upper electrode 70 extends to the outer surface of the body 10 in contact with the body 10 in a range of 75% to 85% of the thickness t. 3, the upper electrode 70 extends to the outer surface of the body 10 by t1 and is then bent so that the banding region BD is formed apart from the outer surface of the body 10. [

상부 전극(70)이 몸체(10)의 바깥면으로 연장되는 길이는 상부 전극(70)의 두께(t)를 기준으로 설정된다. 예컨대, 상부 전극(70)의 두께가 0.5mm 라고 가정하면, 0.5mm의 75%인 0.375mm 에서 0.5mm의 85%인 0.425, 즉 0.375mm ∼ 0.425mm 정도가 몸체(10)의 바깥면으로 연장될 수 있다.The length of the upper electrode 70 extending to the outer surface of the body 10 is set based on the thickness t of the upper electrode 70. For example, assuming that the thickness of the upper electrode 70 is 0.5 mm, about 0.425, that is, 0.375 mm to 0.425 mm, which is 85% of 0.3 mm to 75 mm of 0.5 mm is extended to the outer surface of the body 10 .

이때, 제시된 상부 전극(70)의 두께는 발광 소자의 모델이나, 크기에 따라 가변될 수 있으나, 상부 전극(70)이 몸체(10)에서 연장되는 길이는 상기 언급된 비율에 따라 결정됨이 바람직하다.At this time, the thickness of the upper electrode 70 may vary depending on the model or the size of the light emitting device, but the length of the upper electrode 70 extending from the body 10 is preferably determined according to the above-mentioned ratio .

한편, 상부 전극(70)이 밴딩 영역(BD)이 몸체(10)를 따라 밴딩될 때, 상부 전극(70)과 접속되는 제1패드(91), 및 제1패드(91)를 고정하는 몸체(10)는 상부 전극(70)의 밴딩에 따른 압력을 받을 수 있다.When the upper electrode 70 is bent along the body 10 in the banding region BD, the first pad 91 connected to the upper electrode 70 and the first pad 91 connected to the body (10) may be subjected to a pressure due to the banding of the upper electrode (70).

또한, 상부 전극(70)이 밴딩될 때, 몸체(10)에는 크랙이 발생하거나 상부 전극(70)이 밴딩되는 방향으로 함몰될 수 있으며, 상부 전극(70)과 전기적으로 연결된 제1패드(91)는 뒤틀릴 수 있다. 상부 전극(70)을 밴딩할 때, 몸체(10)에 크랙이 발생하거나 함몰될 경우, 캐비티(21) 내부의 기밀성은 저하되고 외부 이물질, 또는 습기가 캐비티(21) 내로 침투할 수 있다. 마찬가지로, 제1패드(91)가 뒤틀리거나 상부 전극(70)과의 결선이 끊어질 경우에도 캐비티(21) 내부의 기밀성이 저하될 수 있다. 기밀성의 저하는 발광 소자의 신뢰성, 및 수명을 저하시킬 수 있다.When the upper electrode 70 is bent, a crack may be generated in the body 10 or may be recessed in a direction in which the upper electrode 70 is bent, and a first pad 91 ) Can be distorted. When the upper electrode 70 is bent, when the body 10 cracks or sinks, the airtightness of the inside of the cavity 21 is lowered and external foreign matter or moisture can penetrate into the cavity 21. [ Similarly, when the first pad 91 is warped or the connection with the upper electrode 70 is broken, the airtightness inside the cavity 21 may be lowered. A decrease in the airtightness may lower the reliability and lifetime of the light emitting element.

따라서, 실시예에 따른 발광 소자는 몸체(70)를 따라 밴딩되어 몸체(10)의 바깥면을 따라 형성되는 상부 전극(70)과 연결되는 제1패드(91)의 일 영역을 몰딩부(111, 112)로 매립하여 발광 소자의 신뢰성, 및 수명을 개선한다. 도 1에서, 제1패드(91)의 상측에는 제1몰딩부(111), 및 제2몰딩부(112)가 몸체(10)와 결합되어 제1패드(91)가 몸체(10)에 견고히 고정되도록 하고 있다. 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 몸체(10)를 형성할 때, 함께 사출되거나, 또는 별도의 구조물로서 몸체(10)에 결합될 수 있다. 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)가 몸체(10)와 함께 사출될 때, 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 몸체(10)와 일체로 형성되어 제1패드(91)를 더욱 견고하게 고정시킬 수 있다. 만일, 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)가 본딩 접합될 경우, 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 몸체(10)와 제1패드(91)에 본딩하여 제1패드(91)를 고정함이 바람직하다. 이때, 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 100㎛ ∼ 400㎛ 정도 이격되어 형성될 수 있다. 이는 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112) 사이에 전극(미도시)을 배열하기 위한 것으로, 추후 전극 구조가 도시된 도면을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.The light emitting device according to the embodiment includes one portion of the first pad 91 connected to the upper electrode 70 formed along the outer surface of the body 10 by bending the body 70 along the body 70, , 112) to improve the reliability and lifetime of the light emitting device. 1, the first molding part 111 and the second molding part 112 are coupled to the body 10 on the upper side of the first pad 91 so that the first pad 91 is firmly attached to the body 10 . The first molding part 111 and the second molding part 112 may be injected together or may be coupled to the body 10 as a separate structure when the body 10 is formed. The first molding part 111 and the second molding part 112 are integrally formed with the body 10 when the first molding part 111 and the second molding part 112 are injected together with the body 10, So that the first pad 91 can be more firmly fixed. When the first molding part 111 and the second molding part 112 are bonded to each other, the first molding part 111 and the second molding part 112 are connected to the body 10 and the first pad 91, So that the first pad 91 is fixed. At this time, the first molding part 111 and the second molding part 112 may be formed with a distance of about 100 탆 to 400 탆. This is for arranging an electrode (not shown) between the first molding part 111 and the second molding part 112, and the electrode structure will be described in detail with reference to the drawings.

한편, 도 1에 도시된 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 각각 발광 칩(50)과 발광 칩(30) 방향으로 더 신장되어 몸체(10)의 기밀성을 향상하도록 형성될 수 있다. The first molding part 111 and the second molding part 112 shown in FIG. 1 are further extended in the direction of the light emitting chip 50 and the light emitting chip 30 so as to improve the airtightness of the body 10 .

캐비티(20)는 발광 칩(30, 40, 50)에서 방출되는 빛이 외부로 향하는 방향으로 개구부를 형성하며, 발광 칩(30, 40, 50)을 외부와 격리하거나, 발광 칩(30, 40, 50)에서 방출되는 빛의 특성을 변경하기 위한 봉지재가 충진될 수 있다. 봉지재는 발광 칩(30, 40, 50)에서 방출되는 빛의 파장에 따라 단일 형광체를 포함하거나, 또는 둘 이상의 형광체를 포함할 수 있다. 또는 형광체를 포함하는 봉지재와 형광체를 포함하지 않는 봉지재가 층을 이루어 캐비티(20)에 충진될 수도 있다. 예컨대, 발광 칩(30, 40, 50)이 청색 파장의 빛을 방출하고, 실시예에 따른 발광 소자가 백색광을 필요로 한다면 황색 형광체가 봉지재에 포함될 수 있다. 물론, 봉지재에 포함되는 형광체는 실시예에 따른 발광 소자에서 출력되기를 원하는 빛의 파장에 따라 결정될 수 있다.The cavity 20 forms an opening in a direction in which the light emitted from the light emitting chips 30, 40 and 50 is directed to the outside, isolates the light emitting chips 30, 40 and 50 from the outside, , 50 may be filled with an encapsulant material to change the characteristics of the light emitted. The encapsulant may include a single phosphor or may include two or more phosphors depending on the wavelength of the light emitted from the light emitting chips (30, 40, 50). Or an encapsulant containing no fluorescent material and an encapsulant containing no fluorescent material may be filled in the cavity 20 as a layer. For example, if the light emitting chip 30, 40, 50 emits blue wavelength light and the light emitting device according to the embodiment requires white light, the yellow phosphor may be included in the encapsulant. Of course, the phosphor included in the encapsulant may be determined according to the wavelength of light desired to be output from the light emitting device according to the embodiment.

도 5와 도 6은 발광 칩과 ESD 소자의 결선 방식에 대한 참조도면을 도시한다.Figs. 5 and 6 show reference drawings of the connection method of the light emitting chip and the ESD element.

먼저, 도 5는 통상적인 발광 소자에 복수의 발광 칩을 적용하는 경우를 예시한다. 도 5를 참조하면, 통상적인 발광 소자에 복수 개의 발광 칩(A1, A2, A3)을 실장하는 경우, 각 발광 칩(A1, A2, A3)은 3개의 ESD 소자(Z1, Z2, Z3)를 필요로 한다. 즉, 발광 소자의 몸체에는 3개의 발광 칩(A1, A2, A3)이 실장되고, 또한, 3개의 ESD 소자(Z1, Z2, Z3)가 실장되어 모두 6개의 소자가 배치될 수 있다.First, FIG. 5 illustrates a case where a plurality of light emitting chips are applied to a typical light emitting device. 5, when a plurality of light emitting chips A1, A2, and A3 are mounted on a typical light emitting device, each of the light emitting chips A1, A2, and A3 includes three ESD devices Z1, Z2, and Z3 in need. That is, three light emitting chips A1, A2, and A3 are mounted on the body of the light emitting device, and three ESD elements Z1, Z2, and Z3 are mounted on the body of the light emitting device.

각 발광 칩(A1, A2, A3)은 개별적으로 구동 가능하므로 캐소드 단자만이 공통으로 연결되고, 애노드 단자는 독립적으로 사용된다. 이러한 구조의 발광 소자는 몸체의 외부로 4개의 전극을 노출시켜야 한다. Since each of the light emitting chips A1, A2, and A3 can be driven separately, only the cathode terminal is commonly connected, and the anode terminal is used independently. The light emitting device having such a structure must expose four electrodes to the outside of the body.

4개의 전극이 외부로 노출되면 발광 소자의 크기가 작아질수록 몸체에 부착하기가 어려워지므로 전극의 크기가 작아져야 하고, 전극 간 간격도 줄어들어 솔더링 작업이 어려워지며, 이는 발광 소자에 대한 신뢰성 저하로 이어진다. When the four electrodes are exposed to the outside, the smaller the size of the light emitting element, the more difficult it is to attach the body to the body. Therefore, the size of the electrode must be reduced and the interval between the electrodes is also reduced, thereby making the soldering operation difficult. Lt; / RTI >

다만, 3개의 발광 칩(A1, A2, A3)이 독립될 경우, 3개의 발광 칩(A1, A2, A#)을 선택적으로 온-오프 제어하여 발광 소자에서 출력되는 빛의 량을 디밍(dimming) 가능한 장점은 있다. However, if the three light emitting chips A1, A2, and A3 are independent, the three light emitting chips A1, A2, and A # may be selectively turned on and off to dim the amount of light output from the light emitting device. Possible advantages.

다음으로, 도 6은 실시예에 따른 발광 소자의 발광 칩과 ESD 소자의 결선 방식을 도시한다. 도 6에 대한 설명은 실시예에 따른 발광 소자의 정면 사시도를 나타내는 도 1을 함께 참조하도록 한다. Next, Fig. 6 shows a wiring method of the light emitting chip and the ESD element of the light emitting device according to the embodiment. 6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자는 각 발광 칩(30, 40, 50)의 애노드 단자와 캐소드 단자가 공통으로 형성되어 몸체(10)의 외부로는 두 개의 단자만이 노출되도록 하고 있다. Referring to FIG. 6, in the light emitting device according to the embodiment, the anode terminal and the cathode terminal of each light emitting chip 30, 40, and 50 are formed in common so that only two terminals are exposed to the outside of the body 10 have.

ESD 소자(60)의 두 단자는 캐소드 단자와 애노드 단자에 접속되도록 함으로서 발광 칩(30, 40, 50) 전체에 대한 ESD 방지를 담당하도록 하고 있다. ESD 소자(60)는 제너 다이오드를 예시하고 있으나, 이 외에 바리스터, 또는 TVS와 같은 소자가 적용되어도 무방하다.The two terminals of the ESD element 60 are connected to the cathode terminal and the anode terminal so as to prevent ESD of the light emitting chips 30, 40, and 50 as a whole. Although the ESD element 60 exemplifies a zener diode, other elements such as a varistor or a TVS may be applied.

발광 칩(30, 40, 50) 3개와 ESD 소자(60) 하나, 즉 4개의 소자가 바닥면(11)에 마운트 되므로 발광 칩(30, 40, 50) 사이의 간격은 도 5에 도시된 발광 칩(A1, A2, A3) 사이의 간격보다 크게 설정되며, 이는 발광 칩(30, 40, 50) 상호 간의 열 간섭을 감소시키는 효과를 얻는다. Since the three light emitting chips 30, 40 and 50 and one ESD device 60 are mounted on the bottom surface 11, the gap between the light emitting chips 30, 40, Is set to be larger than the interval between the chips (A1, A2, A3), which achieves the effect of reducing thermal interference between the light emitting chips (30, 40, 50).

도 7은 실시예에 따른 발광 소자에서 각 발광 칩의 배선 방식을 설명하기 위한 참조도면을 도시한다. 도 7에 대한 설명은 도 1을 함께 참조하여 설명하도록 하며, 설명과 이해의 편의를 위해 도 1에 도시된 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)에 대한 도시는 생략하도록 한다. 7 is a reference view for explaining a wiring method of each light emitting chip in the light emitting device according to the embodiment. 7 will be described with reference to FIG. 1, and for convenience of explanation and understanding, illustration of the first molding part 111 and the second molding part 112 shown in FIG. 1 will be omitted .

도 7을 참조하면, 바닥면(11)에는 제1패드(91), 제2패드(92), 및 제1패드(91)와 제2패드(92)를 전기적으로 절연하는 절연 패드(100)를 구비한다.7, the bottom surface 11 is provided with a first pad 91, a second pad 92 and an insulating pad 100 for electrically insulating the first pad 91 and the second pad 92. [ Respectively.

제1패드(91)와 제2패드(92)는 바닥면(11)에 적층 형성되며, 금속, 또는 도전성 재질로 형성되어 발광 칩(30, 40, 50), 및 ESD 소자(60)를 전기적으로 결선하는데 이용된다. The first pad 91 and the second pad 92 are stacked on the bottom surface 11 and are formed of a metal or an electrically conductive material so that the light emitting chips 30, 40, 50 and the ESD device 60 are electrically Respectively.

제1패드(91)와 제2패드(92)는 절연 패드(100)에 의해 구획된다. 제1패드(91)가 상부 전극(70)에 연결될 때, 제2패드(92)는 하부 전극(80)에 연결된다.The first pad 91 and the second pad 92 are partitioned by the insulating pad 100. When the first pad 91 is connected to the upper electrode 70, the second pad 92 is connected to the lower electrode 80.

제1패드(91)와 제2패드(92)에는 발광 칩(30, 40, 50), 및 ESD 소자(60)와 솔더링 하기 위한 복수의 솔더링 패드(102 ∼ 108)가 형성된다. 솔더링 패드(102, 105, 및 107)는 제1패드(91)에 전기적인 연결 상태를 이루고, 솔더링 패드(103, 104, 106, 및 108)는 제2패드(92)와 전기적인 연결 상태를 이룬다. 제1패드(91)와 제2패드(92)는 ESD 소자(60)에 의해 결선되어 발광 칩(30, 40, 50) 전체에 대한 ESD 보호를 담당한다.The first pad 91 and the second pad 92 are formed with light emitting chips 30, 40 and 50 and a plurality of soldering pads 102 to 108 for soldering with the ESD device 60. The soldering pads 102, 105 and 107 are electrically connected to the first pad 91 and the soldering pads 103, 104, 106 and 108 are electrically connected to the second pad 92 It accomplishes. The first pad 91 and the second pad 92 are connected by the ESD element 60 to protect ESD of the light emitting chips 30, 40 and 50 as a whole.

솔더링 패드(102)는 발광 칩(50)의 단자(51)와 연결되고, 단자(52)는 솔더링 패드(104)에 연결되어 발광 칩(50)의 애노드 단자와 캐소드 단자에 전원이 제공되도록 하고,The soldering pad 102 is connected to the terminal 51 of the light emitting chip 50 and the terminal 52 is connected to the soldering pad 104 so that power is supplied to the anode terminal and the cathode terminal of the light emitting chip 50 ,

솔더링 패드(105)는 발광 칩(40)의 단자(41)와 연결되고, 단자(42)는 솔더링 패드(106)에 연결되어 발광 칩(40)의 애노드 단자와 캐소드 단자에 전원이 제공되도록 하며,The soldering pad 105 is connected to the terminal 41 of the light emitting chip 40 and the terminal 42 is connected to the soldering pad 106 so that power is supplied to the anode terminal and the cathode terminal of the light emitting chip 40 ,

솔더링 패드(107)는 발광 칩(30)의 단자(31)와 연결되고, 단자(32)는 솔더링 패드(108)에 연결되어 발광 칩(30)의 애노드 단자와 캐소드 단자에 전원이 제공되도록 한다.The soldering pad 107 is connected to the terminal 31 of the light emitting chip 30 and the terminal 32 is connected to the soldering pad 108 to supply power to the anode terminal and the cathode terminal of the light emitting chip 30 .

여기서, 제1패드(91)와 제2패드(92)에는 각각 양(+) 전압과 음(-) 전압이 인가될 수 있으나, 반대로 제1패드(91)와 제2패드(92)에 각각 음(-) 전압과 양(+) 전압이 인가될 수도 있으며, 제1패드(91)와 제2패드(92)에 인가되는 전압의 극성에 따라 발광 칩(30, 40, 50)의 극성이 변경될 수 있다.Here, positive and negative voltages may be applied to the first pad 91 and the second pad 92, respectively. Conversely, the first pad 91 and the second pad 92 The polarity of the light emitting chips 30, 40 and 50 may be changed depending on the polarity of the voltage applied to the first pad 91 and the second pad 92 can be changed.

예컨대, 제1패드(91)에 양(+) 전압이 인가되고, 제2패드(92)에 음(-) 전압이 인가되는 경우, 발광 칩(50)의 단자(51)는 애노드 단자가 되고, 단자(52)는 캐소드 단자가 된다. 마찬가지로, 발광 칩(40)의 단자 "41", "42"도 각각 애노드 단자와 캐소드 단자가 되도록 배열된다. For example, when positive (+) voltage is applied to the first pad 91 and negative (-) voltage is applied to the second pad 92, the terminal 51 of the light emitting chip 50 becomes the anode terminal And the terminal 52 becomes a cathode terminal. Likewise, the terminals 41 and 42 of the light emitting chip 40 are also arranged to be the anode terminal and the cathode terminal, respectively.

절연 패드(100)는 실리콘, 에폭시, 및 기타 비 전도성 재질로 형성되나, 제1패드(91)와 제2패드(92)가 금속으로 형성되는 경우, 바닥면(11)이 노출되어 제1패드(91)와 제2패드(92) 사이를 절연할 수도 있으며, 이때, 바닥면(11)은 비 도전성 재질이어야 한다. When the first pad 91 and the second pad 92 are formed of a metal, the bottom surface 11 is exposed, and the first pad 91 and the second pad 92 are exposed to each other. In this case, the insulating pad 100 is formed of silicon, epoxy, The first pad 91 and the second pad 92 may be insulated. In this case, the bottom surface 11 should be made of a nonconductive material.

도 8은 실시예에 따른 발광 소자의 몸체에 몰딩부를 형성한 일 예에 대한 참조도면을 도시한다.FIG. 8 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도 8은 실시예에 따른 발광 소자에서 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)의 형태와 위치를 설명하기 위한 것으로, 설명과 이해의 편의를 위해, 도 1, 및 도 7의 전극 구조의 도시는 생략하도록 한다.FIG. 8 is a view for explaining the shapes and positions of the first molding part 111 and the second molding part 112 in the light emitting device according to the embodiment. For convenience of explanation and understanding, FIGS. 1 and 7 The illustration of the electrode structure is omitted.

도 8을 참조하면, 제1패드(91)에 마련되는 솔더링 패드(105)의 좌측과 우측에는 각각 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)가 d3만큼의 거리로 이격되어 배치된다. 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112) 사이에는 전극(105)이 배치되며, 전극(105)의 배치를 위해, d3는 전극의 폭 만큼, 예컨대 300㎛ 정도로 설정될 수 있다. 물론, 전극의 크기에 따라 d3 값은 이보다 더 크거나 작을 수 있으며, 제안된 수치에 한정되지 않는다. Referring to FIG. 8, the first molding part 111 and the second molding part 112 are spaced apart by a distance d3 on the left and right sides of the soldering pad 105 provided on the first pad 91, do. An electrode 105 is disposed between the first molding part 111 and the second molding part 112. For the arrangement of the electrode 105, d3 may be set to about 300 m or so by the width of the electrode. Of course, the value of d3 may be larger or smaller depending on the size of the electrode, and is not limited to the proposed value.

전극(105)을 중심으로 좌우에 배치되는 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 바닥면(11)에 형성되는 제1패드(91)를 몸체(10)에 견고히 밀착시킨다. 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)에 의해 제1패드(91)는 뒤틀리지 않고 몸체에 고정될 수 있다. 이때, 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 몸체(10)와 일체로 사출되어 형성되거나, 또는 몸체(10)에 본딩되어 형성될 수 있다. 또한, 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 제1패드(91)의 상측 영역만을 매립하고 있으나, 도시된 제1패드(91)의 하측으로 신장되어 제1패드(91)의 하측 종단까지 매립할 수도 있다. 다만, 바닥면(11)에서 발광 칩(생략됨) 실장되는데 방해되지 않는 한도에서 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)가 제1패드(91)의 하측 종단까지 신장될 수 있다. The first molding part 111 and the second molding part 112 disposed on the left and right sides of the electrode 105 firmly adhere the first pad 91 formed on the bottom surface 11 to the body 10 . The first pad 91 may be fixed to the body without being distorted by the first molding part 111 and the second molding part 112. The first molding part 111 and the second molding part 112 may be formed integrally with the body 10 or bonded to the body 10. The first molding part 111 and the second molding part 112 are buried only on the upper side of the first pad 91. The first molding part 111 and the second molding part 112 extend to the lower side of the first pad 91, May be buried up to the lower end of the frame. However, the first molding part 111 and the second molding part 112 can be extended to the lower end of the first pad 91, as long as they do not interfere with mounting of the light emitting chip (omitted) on the bottom surface 11 have.

제1패드(91)의 일 영역을 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)가 매립한 후, 캐비티(20)에는 봉지재가 충진되어 제1패드(91), 제2패드(92), 및 절연 패드(100)를 외부와 격리할 수 있다. 캐비티(20)에 충진되는 봉지재에는 형광체가 포함될 수 있다.After the first molding part 111 and the second molding part 112 are filled with one region of the first pad 91, the cavity 20 is filled with the sealing material and the first pad 91 and the second pad 92, and the insulating pad 100 from the outside. The sealing material to be filled in the cavity 20 may include a phosphor.

도 9는 도 8의 A - A'에 따른 단면도를 도시한다.Fig. 9 shows a cross-sectional view taken along line A-A 'in Fig.

도 9를 참조하면, 제1몰딩부(111)는 몸체(10)와 일체로 형성되고, 캐비티(20)를 형성하는 캐비티 면(21)을 따라 외주면을 형성하며, 제1패드(91)의 일 영역을 매립하고 있다. 도 9에는 제1몰딩부(111)의 종단부, 즉 1몰딩부(111)가 제1패드(91)를 향해 돌출하는 영역은 제1패드(91)의 바닥면(11)을 향해 수직하게 형성되는 것을 도시하고 있으나, 제1몰딩부(111)의 종단부는 바닥면(11)과 경사를 이루거나, 또는 단차를 두고 형성될 수도 있다.9, the first molding part 111 is integrally formed with the body 10 and forms an outer peripheral surface along the cavity surface 21 forming the cavity 20, One area is buried. 9, the end portion of the first molding part 111, that is, a region where the first molding part 111 protrudes toward the first pad 91 is perpendicular to the bottom surface 11 of the first pad 91 The end portion of the first molding part 111 may be inclined with respect to the bottom surface 11 or may be formed with a step difference.

제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 발광 칩(30, 40, 50)을 연결하기 위한 솔더링 패드(예컨대 참조부호 105)의 폭에 비해서는 더 넓게 설정되어야 한다. 솔더링 패드(105)는 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)에 배치될 수 있어야 한다. The first molding part 111 and the second molding part 112 should be set wider than the width of the soldering pad 105 for connecting the light emitting chips 30, The soldering pad 105 should be disposed in the first molding part 111 and the second molding part 112.

제1패드(91)의 폭(d1)과 제1패드(91)가 제1몰딩부(111)에 매립되는 폭(d2) 사이의 비율, 즉 d2/d1의 값이 커질수록 제1패드(91)가 몸체(10)에 더욱 견고히 고정될 수 있다. 그러나, d2/d1의 값이 커질 때, 바닥면(11) 위에 전극들이 배치되는 영역이 제한될 수 있으므로, d2//d1의 비는 적정선에서 설정됨이 바람직하다. 만일 전극의 배치에 제한이 없을 경우, d2/d1 = 1로 설정될 수도 있다. The ratio between the width d1 of the first pad 91 and the width d2 of the first pad 91 embedded in the first molding portion 111, that is, the larger the value of d2 / d1, 91 can be more firmly fixed to the body 10. However, when the value of d2 / d1 is large, the region where the electrodes are arranged on the bottom surface 11 may be restricted, so that the ratio of d2 // d1 is preferably set in the appropriate line. If the arrangement of the electrodes is not limited, d2 / d1 = 1 may be set.

도 10은 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)에 대한 확대 사시도를 나타낸다.10 is an enlarged perspective view of the first molding part 111 and the second molding part 112. FIG.

도 10은 몸체에 형성되는 제1몰딩부(111), 및 제2몰딩부(112)를 도시하므로, 도 8을 함께 참조하여 설명하도록 한다. FIG. 10 shows the first molding part 111 and the second molding part 112 formed on the body, and therefore, the description will be made with reference to FIG. 8 together.

도 10을 참조하면, 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 각각 t11, t13의 폭으로 형성되며, 솔더링 패드(105)를 배치하기 위해 t12 만큼 이격되어 바닥면(11)에 배치될 수 있다.10, the first molding part 111 and the second molding part 112 are formed to have the widths t11 and t13, respectively, and are spaced apart from each other by t12 to dispose the soldering pad 105, As shown in FIG.

제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 몸체에서 d2만큼 돌출 형성될 수 있다. d2의 길이는 10㎛ ∼ 100㎛의 범위를 가질 수 있으며, 발광 칩(30, 40, 50)의 실장 영역만 확보 가능할 경우, 제시된 수치보다 더 돌출되어 형성될 수도 있다. The first molding part 111 and the second molding part 112 may protrude from the body by d2. d2 may have a length in the range of 10 mu m to 100 mu m and may be formed so as to protrude more than the indicated value when only the mounting area of the light emitting chips 30,

또한, 제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 솔더링 패드(105)의 배치를 고려하여 d3만큼 이격된다. 솔더링 패드(105)가 원형인 경우, d3는 솔더링 패드(105)의 지름보다는 큰 값을 가져야 하고, 솔더링 패드(105)가 사각 형상인 경우, d3는 솔더링 패드(105)의 장축 길이보다는 더 크게 설정됨이 바람직하다.Also, the first molding part 111 and the second molding part 112 are spaced apart by d3 in consideration of the arrangement of the soldering pad 105. [ When the soldering pad 105 is circular, d3 should have a larger value than the diameter of the soldering pad 105, and when the soldering pad 105 is rectangular, d3 is larger than the long axis length of the soldering pad 105 Preferably set.

제1몰딩부(111)와 제2몰딩부(112)는 제1패드(91)의 상단부를 매립하여 제1패드(91)를 몸체(10)에 고정한다. 도면에는 도시되지 않았으나, 제1몰딩부(111), 및 제2몰딩부(112)는 제2패드(92)에도 형성될 수 있으며, 이 경우, 제2패드(92)의 하단에 형성될 수 있다.The first molding part 111 and the second molding part 112 fill the upper end of the first pad 91 and fix the first pad 91 to the body 10. Although not shown in the figure, the first molding part 111 and the second molding part 112 may also be formed on the second pad 92. In this case, the first molding part 111 and the second molding part 112 may be formed on the lower side of the second pad 92 have.

도 11은 실시 예에 따른 발광소자를 어레이(array) 배열하여 구성한 백라이트 유닛의 제1 실시예에 따른 사시도를 나타낸다. 11 is a perspective view illustrating a backlight unit according to a first embodiment of the present invention, in which the light emitting devices according to the embodiment are arranged in an array.

도 11을 참조하면, 백라이트 유닛은 하부 수납 부재(300), 빛을 출력하는 발광소자모듈(310), 발광소자모듈(310)에 인접 배치된 도광판(320) 및 다수의 광학 시트(미도시)를 포함할 수 있다. 다수의 광학 시트(미도시)는 도광판(320) 상에 위치할 수 있다.11, the backlight unit includes a lower receiving member 300, a light emitting device module 310 for emitting light, a light guide plate 320 disposed adjacent to the light emitting device module 310, and a plurality of optical sheets (not shown) . ≪ / RTI > A plurality of optical sheets (not shown) may be placed on the light guide plate 320.

발광소자모듈(310)은 복수의 발광소자(314)가 인쇄회로기판(312)상에 실장되어 어레이를 이룰 수 있다. 이러한 인쇄회로기판(312)으로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB를 사용할 수 있으며, 이 외에도 다양한 종류가 적용될 수도 있다. 또한 인쇄회로기판(312)은 사각 판 형태뿐만 아니라 백라이트 어셈블리의 구조에 따라 다양한 형태로의 제작이 가능하다.In the light emitting device module 310, a plurality of light emitting devices 314 may be mounted on the printed circuit board 312 to form an array. As the printed circuit board 312, MCPCB (Metal Core PCB) or FR4 PCB may be used, and various kinds of PCBs may be applied. In addition, the printed circuit board 312 can be manufactured in various shapes according to the structure of the backlight assembly as well as the rectangular plate shape.

도광판(320)은 발광소자(314)에서 출력한 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(미도시)로 제공하며, 도광판(320)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 만들고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 광학 필름(미도시) 및 도광판(320)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(320)으로 반사시키는 반사 시트(미도시)가 도광판(320)의 배면에 위치할 수 있다.The light guide plate 320 changes the light output from the light emitting element 314 into a planar light source to provide the light to the liquid crystal display panel (not shown), uniformizes the luminance distribution of the light provided from the light guide plate 320, And a reflective sheet (not shown) for reflecting the light emitted to the rear of the light guide plate 320 by the light guide plate 320 may be positioned on the back surface of the light guide plate 320.

도 12는 실시 예에 따른 발광소자를 어레이(array) 배열하여 구성한 백라이트 유닛의 제2 실시예에 대한 사시도를 도시한다.12 shows a perspective view of a second embodiment of a backlight unit constructed by arranging the light emitting elements according to the embodiment in an array.

도 12는 수직형 백라이트 유닛을 나타내며, 도 12를 참조하면 백라이트 유닛은 하부 수납 부재(450), 반사판(420), 복수의 발광소자모듈(440) 및 다수의 광학 시트(430)를 포함할 수 있다.12, the backlight unit may include a lower receiving member 450, a reflector 420, a plurality of light emitting device modules 440, and a plurality of optical sheets 430. Referring to FIG. have.

이때, 발광소자모듈(440)은 복수의 발광소자(444)가 어레이 배열되기 용이하도록 인쇄회로 기판(442)에 실장될 수 있다. At this time, the light emitting element module 440 may be mounted on the printed circuit board 442 such that a plurality of light emitting elements 444 are arrayed easily.

한편, 발광소자(444)의 바닥면에는 다수의 돌기 등이 형성되고, 발광소자(444)들이 R, G, B 색상의 빛을 방출하는 것들로 구성되어 백색광을 형성할 경우, 적색 광, 녹색 광 및 청색 광의 색 혼합효과를 향상시킬 수도 있다. 물론, 발광소자(444)가 백색광만 방출하는 경우에도, 바닥면의 돌기에 의해 백색광이 고루 퍼지면서 방출되도록 할 수 있다.On the other hand, when a plurality of projections and the like are formed on the bottom surface of the light emitting element 444 and the light emitting elements 444 are formed of those emitting light of R, G, B colors to form white light, The color mixing effect of light and blue light may be improved. Of course, even when the light emitting element 444 emits only white light, the white light can be uniformly emitted and emitted by the projections on the bottom surface.

반사판(420)은 높은 광 반사율을 갖는 플레이트를 사용하여 광손실을 줄일 수 있다. 광학 시트(430)는 휘도 향상 시트(432), 프리즘 시트(434) 및 확산시트(436) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.The reflector 420 can reduce light loss by using a plate having a high light reflectivity. The optical sheet 430 may include at least one of a brightness enhancement sheet 432, a prism sheet 434, and a diffusion sheet 436.

확산 시트(436)는 발광소자(440)로부터 입사된 광을 액정 표시 패널(미도시)의 정면으로 향하게 하고, 넓은 범위에서 균일한 분포를 가지도록 광을 확산시켜 액정 표시 패널(미도시)에 조사할 수 있다. 프리즘 시트(434)는 프리즘 시트(434)로 입사되는 광들 중에서 경사지게 입사되는 광을 수직으로 출사되게 변화시키는 역할을 한다. 즉, 확산 시트(436)로부터 출사되는 광을 수직으로 변환시키기 위해 적어도 하나의 프리즘 시트(434)를 액정 표시 패널(미도시) 하부에 배치시킬 수 있다. 휘도 향상 시트(432)는 자신의 투과축과 나란한 광은 투과시키고 투과축에 수직한 광은 반사시킨다.The diffusion sheet 436 directs the light incident from the light emitting element 440 toward the front of the liquid crystal display panel (not shown), diffuses the light so as to have a uniform distribution over a wide range, You can investigate. The prism sheet 434 serves to vertically emit light obliquely incident on the prism sheet 434. That is, at least one prism sheet 434 may be disposed below the liquid crystal display panel (not shown) to vertically convert the light emitted from the diffusion sheet 436. The brightness enhancement sheet 432 transmits light parallel to its transmission axis and reflects light perpendicular to the transmission axis.

또한, 본 실시예에 따른 발광 소자는 조명 장치에 적용될 수 있다. Further, the light emitting device according to this embodiment can be applied to a lighting apparatus.

본 실시예에 따른 발광 소자가 조명 장치에 적용되는 일 예는 도 13을 참조하여 설명하도록 한다.An example in which the light emitting device according to the present embodiment is applied to the illumination device will be described with reference to FIG.

도 13을 참조하면, 조명 장치(500)는 등갓(502), 및 등갓(502)의 일 측면에 배열되는 발광 소자(501a ∼ 501n)로 구성되며, 도면에는 도시되지 않았으나, 각 발광 소자(501a ∼ 501n)에 전원을 공급하기 위한 전원장치가 마련될 수 있다.13, the lighting apparatus 500 is composed of light-emitting elements 501a to 501n arranged on one side of the light-emitting element 502 and light-emitting element 502. Although not shown in the figure, each light-emitting element 501a To 501n may be provided.

도 13은 형광등 타입의 등갓을 예시하고 있다. 그러나, 본 실시예에 따른 발광 소자는 일반 장미전구 타입, FPL 타입, 형광등 타입, 할로겐 램프 타입, 메탈램프 타입, 및 기타 다양한 타입과 소켓 규격에 적용될 수 있음은 물론이며, 이에 한정하지 않는다.Fig. 13 illustrates a fluorescent lamp type light bulb. However, the light emitting device according to the present exemplary embodiment is not limited to the general bulb type, FPL type, fluorescent lamp type, halogen lamp type, metal lamp type, and various other types and socket standards.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

10 : 몸체 11 : 바닥면
20 : 캐비티 21 : 캐비티 면
30, 40, 50 : 발광 칩 60 : ESD 소자
70 : 상부 전극10: body 11: bottom surface
20: cavity 21: cavity face
30, 40, 50: light emitting chip 60: ESD element
70: upper electrode

Claims (14)

캐비티를 구비하는 몸체;
상기 몸체에 수납되며, 일 영역은 상기 캐비티의 바닥면을 따라 형성되는 제1패드와 제2패드;
상기 제2패드에 실장되는 발광 칩;
상기 제1패드에 배치되어 상기 발광 칩과 솔더링 하기 위한 솔더링 패드; 및
상기 몸체의 캐비티를 형성하는 캐비티 면을 따라 소정의 폭과 소정의 길이로 돌출되게 형성되며, 상기 솔더링 패드의 양측에 각각 배치되어, 상기 제1패드와 상기 2패드 중 어느 하나의 일영역이 매립되게 하여 상기 제1패드 또는 제2패드를 상기 몸체에 고정되게 하는 제1몰딩부 및 제2몰딩부;를 포함하며,
상기 제1몰딩부와 상기 제2몰딩부는 상기 발광 칩의 솔더링 패드의 폭에 비해 더 크게 이격되며, 상기 제1몰딩부와 상기 제2몰딩부는 100㎛ ∼ 400㎛ 이격되는 발광 소자.
A body having a cavity;
A first pad and a second pad housed in the body, the first pad being formed along a bottom surface of the cavity;
A light emitting chip mounted on the second pad;
A soldering pad disposed on the first pad for soldering to the light emitting chip; And
And a plurality of solder pads formed on the first and second pads, respectively, and protruding along a cavity surface forming a cavity of the body at a predetermined width and a predetermined length, And a first molding part and a second molding part for fixing the first pad or the second pad to the body,
Wherein the first molding portion and the second molding portion are spaced apart from the soldering pad of the light emitting chip by more than a width of the soldering pad, and the first molding portion and the second molding portion are spaced apart by 100 占 퐉 to 400 占 퐉.
제1항에 있어서,
상기 제1몰딩부 및 제2몰딩부는,
상기 몸체와 동일 재질인 발광 소자. The method according to claim 1,
The first molding part and the second molding part may be formed of a resin,
Wherein the light emitting element is made of the same material as the body. 제1항에 있어서,
상기 제1몰딩부 및 제2몰딩부는,
상기 몸체와 일체로 형성되는 발광 소자.The method according to claim 1,
The first molding part and the second molding part may be formed of a resin,
And a light emitting element formed integrally with the body. 제1항에 있어서,
상기 제1몰딩부 또는 제2몰딩부 중 어느 하나는 상기 제1패드 또는 제2패드를 향해 돌출되는 영역의 종단부가 단차를 갖는 발광 소자. The method according to claim 1,
Wherein one of the first molding portion and the second molding portion has a stepped portion at the end portion of the region protruding toward the first pad or the second pad. 제1항에 있어서,
상기 제1패드는 복수개의 상기 발광 칩에 대응되는 부분과, 상기 복수개의 발광 칩 사이에 배치되도록 돌출 형성되어 상기 복수개의 발광 칩의 단자와 연결되는 복수개의 상기 솔더링 패드가 배치되는 부분을 포함하며,
상기 제1패드의 돌출 형성된 부분의 폭이 상기 복수개의 솔더링 패드의 폭보다 넓은 발광 소자.The method according to claim 1,
Wherein the first pad includes a portion corresponding to the plurality of light emitting chips and a portion protruding from the plurality of light emitting chips and disposed to be connected to the terminals of the plurality of light emitting chips, ,
Wherein a width of the protruded portion of the first pad is larger than a width of the plurality of soldering pads. 제1항에 있어서,
상기 제1패드와 상기 제2패드는,
상기 발광 칩들에게 구동전원을 공급하기 위한 제1전극, 및 제2전극과 접속되는 발광 소자.The method according to claim 1,
The first pad and the second pad may be formed of a metal,
A first electrode for supplying driving power to the light emitting chips, and a light emitting element connected to the second electrode. 제6항에 있어서,
상기 제1전극과 상기 제2전극은,
상기 몸체의 길이 방향의 일 측면에 노출되는 발광 소자. The method according to claim 6,
Wherein the first electrode and the second electrode are connected to each other,
Wherein the light emitting element is exposed at one side in the longitudinal direction of the body. 제6항에 있어서,
상기 제1전극과 상기 제2전극은,
각각의 일 측은 상기 제1패드와 상기 제2패드에 전기적으로 연결되고, 각각의 타 측은 상기 몸체의 모서리에서 벤딩되어 상기 몸체의 바깥면 일 측에 접촉하는 발광 소자. The method according to claim 6,
Wherein the first electrode and the second electrode are connected to each other,
Wherein each of the first and second pads is electrically connected to the first pad and the second pad, and each of the other sides is bent at an edge of the body to contact one side of the outer surface of the body. 제6항에 있어서,
상기 제1전극과 상기 제2전극은,
두께의 75 ∼ 85% 에 대응하는 길이만큼 상기 몸체의 바깥면으로 연장된 후, 상기 바깥면 일 측으로 밴딩되는 발광 소자. The method according to claim 6,
Wherein the first electrode and the second electrode are connected to each other,
Extending to the outer surface of the body by a length corresponding to 75 to 85% of the thickness, and then bent to one side of the outer surface. 제1항에 있어서,
상기 제1패드와 상기 제2패드 중 어느 하나는,
상기 제1패드의 폭과 상기 제2패드의 폭 중 어느 하나가 상기 제1몰딩부 및 제2몰딩부 중의 어느 하나에 의해 매립되는 폭에 비해 더 크게 설정되는 발광 소자. The method according to claim 1,
Wherein one of the first pad and the second pad comprises:
Wherein a width of the first pad and a width of the second pad are set larger than a width of one of the first molding portion and the second molding portion. 제1항에 있어서,
상기 제1몰딩부 및 2제몰딩부 중의 적어도 어느 하나는,
10㎛ ∼ 100㎛의 폭인 발광 소자. The method according to claim 1,
Wherein at least one of the first molding portion and the second molding portion comprises:
And a width of 10 mu m to 100 mu m. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 발광 소자를 구비하는 백 라이트 유닛.A backlight unit comprising the light-emitting element according to any one of claims 1 to 11. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 발광 소자를 구비하는 조명장치.A lighting device comprising the light emitting element according to any one of claims 1 to 11. 캐비티를 구비하는 몸체;
상기 몸체에 수납되며, 일 영역은 상기 캐비티의 바닥면을 따라 형성되는 제1패드와 제2패드;
상기 제2패드에 실장되는 복수개의 발광 칩; 및
상기 제1패드에 배치되어 상기 복수개의 발광 칩과 솔더링 하기 위한 복수개의 솔더링 패드;를 포함하며,
상기 제1패드는 상기 복수개의 발광 칩에 대응되는 부분과, 상기 복수개의 발광 칩 사이에 배치되도록 돌출 형성되어 상기 복수개의 발광 칩의 단자와 연결되는 복수개의 상기 솔더링 패드가 배치되는 부분을 포함하며,
상기 제1패드의 돌출 형성된 부분의 폭이 상기 복수개의 솔더링 패드의 폭보다 넓은 발광소자.A body having a cavity;
A first pad and a second pad housed in the body, the first pad being formed along a bottom surface of the cavity;
A plurality of light emitting chips mounted on the second pad; And
And a plurality of soldering pads disposed on the first pads for soldering to the plurality of light emitting chips,
The first pad includes a portion corresponding to the plurality of light emitting chips and a portion protruding to be disposed between the plurality of light emitting chips and disposed with a plurality of soldering pads connected to the terminals of the plurality of light emitting chips ,
Wherein a width of the protruded portion of the first pad is larger than a width of the plurality of soldering pads.
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