KR101676025B1 - Ultraviolet-curable adhesive sheet for grinding of back side after half-cut of a semiconductor wafer formed of circuit and Bumps - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼를 하프커팅(Half-cutting 또는 Half-Dicing) 후 최종 목적하는 반도체 웨이퍼 두께까지 이면 연삭 가공 시 웨이퍼의 두께를 얇게 연마하고, 범프의 요철 부분의 표면을 보호하면서 연마한 반도체 웨이퍼를 개개의 칩으로 용이하게 분할 가능한 것을 특징으로 하는 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트에 관한 것이다.The present invention relates to a method of polishing a semiconductor wafer on which a circuit and a bump are formed by half cutting (Half-cutting or Half-Dicing), polishing the thickness of the wafer thinly during back grinding to a final target semiconductor wafer thickness, The present invention relates to a circuit and a UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet for back grinding after half-cutting a semiconductor wafer on which bumps are formed.
반도체 웨이퍼는 박막화 추세로 인해 웨이퍼의 두께가 50~100㎛ 또는 50㎛이하로 얇아짐에 따라 반도체 웨이퍼의 가공방법도 기존의 DAG(Dicing After Grinding)공법에서 DBG(Dicing Before Grinding) 공법으로 전향되고 있다. DBG공법에서 범프(Bump)와 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 시 범프(Bump)와 회로가 형성된 면을 보호하는 점착시트가 사용되고 있고, 이를 DBG용 백그라인딩 테이프(Back Grinding Tape)라 한다.As the thickness of the wafer becomes thinner than 50 ~ 100 ㎛ or 50 ㎛ due to the trend of thinning of the semiconductor wafers, the processing method of the semiconductor wafers is changed to the DBG (Dicing Before Grinding) method in the existing DAG (Dicing After Grinding) method have. In the DBG method, a pressure-sensitive adhesive sheet for protecting a bump and a circuit-formed surface during back grinding after half cutting of a semiconductor wafer on which a bump and a circuit are formed is used, and this is used as a back grinding tape for DBG do.
DBG용 백그라인드 테이프(Back Grinding Tape)는 반도체 제조 공정 중 웨이퍼 뒷면의 불필요한 막을 제거하고 필요 이상으로 두꺼운 뒷면을 깎아내어 저항을 줄이고 열전도율을 향상시키기 위해 연마 가공하는 이면에 점착되어 회로와 범프를 보호하고 반도체 웨이퍼의 연삭을 통하여 최종 목적하는 개별화된 개개의 칩이 손상없이 일정하게 배열된 상태로 유지되게 하는 역할을 수행하는 테이프이다.Back Grinding Tape for DBG removes unnecessary film on the backside of the wafer during semiconductor manufacturing process. It cuts back thicker than necessary to reduce resistance and protects circuits and bumps by sticking to the back surface of polishing to improve thermal conductivity. And grinding the semiconductor wafer to keep the final individual individualized chips in a uniformly arranged state without damage.
그리고, DBG용 백그라인드 테이프(Back Grinding Tape)와 같이 반도체 공정 중에 사용되는 테이프는 점착제가 웨이퍼 상에 남지 말아야 하며, 오염이 되지 않는 물성이 요구되며, 사용 시에는 제품 그레이드별로 로트 넘버(LOT NO) 표시를 확실히 하고, 필름 외관에 송곳이나 뾰족한 것으로 손상시키지 말아야 하며, 절단 면, 권취 면, 외관 오염이 없는지 확인하여야 한다. The tape used in the semiconductor process, such as back grinding tape for DBG, should not remain on the wafer and should not be contaminated. In use, the lot number (LOT NO ) Mark is to be ensured and the outer surface of the film shall not be damaged by a pincer or sharp point, and it shall be checked whether there is any contamination on the cut surface, winding surface or outer surface.
한편, 본 출원인은 상기에서 설명한 바와 같은 물성이 요구되는 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 관한 기술들을 개발하여 이전에 특허문헌 1, 2로 특허 등록을 받은 바가 있다. On the other hand, Applicants have developed technologies relating to a pressure-sensitive adhesive sheet for processing semiconductor wafers requiring physical properties as described above, and have been previously patented as
본 출원인이 이전에 특허 등록받은 바 있는 특허문헌 1은 기재와, 그 위에 형성된 중간층 및 그 중간층 위에 형성된 자외선 경화형 점착제 조성물과 이를 이용한 반도체 웨이퍼 가공용 점착시트에 관한 것으로, 반도체 웨이퍼를 매우 얇게 연삭할 때에 적합하게 사용되며 반도체 웨이퍼의 연삭 가공 후 자외선의 조사에 의해 박리가 용이한 것이 특징이다.
그리고 본 출원인이 이전에 특허 등록받은 바 있는 다른 특허문헌인 특허문헌 2는 코로나 처리층과 다이싱 익스펜딩층의 이중 구조로 이루어진 반도체웨이퍼 다이싱용 필름에 있어서, 상기 반도체웨이퍼 다이싱용 필름 소재로서 초저밀도수지와 저밀도 수지의 혼합수지를 사용하고, 여기에 무기탈크를 첨가함으로서, 다이싱 공정 후 칩의 픽업이 용이하며 코로나 처리층의 점착제의 도포작업이 원활하고, 웨이퍼 절단 공정시 다이싱 칼날에 필름이 용융되어 달라붙지 않아 원활하게 절단 작업이 가능한 것을 특징으로 한다.
그리고 일본의 린텍사(LINTEC CORPORATION)에서 개발하여 국내에 특허출원한 특허문헌 3은 백 그라인드(BG) 시트에 관한 것으로, 도 1의 (a)의 BG 시트(1a)와 같이, 기재(11) 상에 요철 흡수층(12)을 갖는 구조이거나 또는 요철 흡수층(12) 상에 점착제층(13)을 더 갖는 BG 시트(1b)와 같은 구성이거나 또는 점착제층(13) 상에 박리재(14)를 더 갖는 BG 시트(1c)와 같은 구성으로, BG 시트(1b, 1c)와 같이 점착제층(13)을 설치한 구조이다.
또한, 일본의 후루카와사(FURUKAWA ELECTRIC CO.)에서 개발하여 국내에 특허출원한 특허문헌 4는 박막 연삭용 표면 보호 테이프에 관한 것으로, 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(1)의 표면(1A)에 점착시키는 박막 연삭용 표면 보호 테이프는 기재 필름(4) 상에 점착제층(5)을 가지는 점착 테이프(3)의 점착제층(3) 상에 접착 필름(6)이 적층되어서 이루어지는 구조이다.
또한, 일본의 린텍사(LINTEC CORPORATION)에서 개발하여 국내에 특허출원한 특허문헌 5는 표면보호용 시트에 관한 것으로, 도 3에 도시된 바와 같이 기재시트(1)의 한쪽 면에 첩부하는 반도체 웨이퍼의 외경보다도 작은 직경의 점착제층이 형성되어 있지 않은 개구부(3)과, 그의 바깥주위에 형성된 점착제층(2)가 형성되어 있는 부분이 마련되고, 상기 점착제층(2)은 점착제의 단층으로 형성되거나 또는 심재 필름(22)의 양면에 점착제층(21, 23)을 각각 마련한 양면 점착시트 구조로 이루어져 있다.
그런데 본 출원인이 특허 등록받은 바 있는 특허문헌 1, 2는 물론이고, 특허문헌 3 내지 5의 경우에도 자외선 조사 전에는 높은 접착강도를 유지하여야 하는 반면, 자외선 조사 후에는 반도체 칩의 박리가 용이하고 또한 박리과정에서 반도체 칩 표면에 점착제의 잔사가 남지 않는 장점이 있지만, 최근 반도체 웨이퍼의 두께가 매우 얇아지고 있는 추세에서 범프(Bump)와 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 시 범프(Bump)와 회로가 형성된 면을 보호해주는 기능을 보완하여야 필요성이 있었다. However, not only in
본 발명은 상기에서 설명드린 바와 같은 문제점들을 보완하기 위한 방안으로, UV 경화형 점착층에 의해 자외선 조사 전에는 높은 접착강도를 유지하여야 하는 반면, 자외선 조사 후에는 반도체 칩의 박리가 용이하고 또한 박리과정에서 반도체 칩 표면에 점착제의 잔사가 남지 않는 것을 특징으로 하는 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 제공하는 것을 과제로 한다.In order to solve the problems as described above, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a UV curable adhesive layer which is required to maintain high adhesive strength before ultraviolet irradiation, There is provided a circuit wherein a residue of an adhesive is not left on the surface of a semiconductor chip, and an ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet for back grinding after a half-cut of a semiconductor wafer on which bumps are formed.
그리고 본 발명은 연질층에 의해 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 시 범프(Bump) 및 회로의 매립성을 확보하고 그라인딩(Grinding) 공정 시 외부의 전단응력으로부터 범프(Bump)와 회로를 보호하여 범프(Bump) 또는 웨이퍼의 깨짐을 방지하는 것을 특징으로 하는 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 제공하는 것을 다른 과제로 한다.In the present invention, the soft layer secures the bump and circuitry in back grinding after half-cutting the semiconductor wafer, protects the bump and the circuit from external shear stress in the grinding process, The present invention provides a circuit for preventing bumps or wafers from being broken, and an ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet for back grinding after half-cutting a semiconductor wafer on which bumps are formed.
또한, 본 발명은 기재층을 기재 필름층, 경질층 및 표면조도 필름층의 순으로 적층된 3층 구조로 형성시킴으로써, 반도체 웨이퍼의 그라인딩(Grinding) 공정 시, 자외선 경화형 점착시트가 웨이퍼 연삭을 위한 설비인 척 테이블(Chuck table)에 밀착력과 고착력을 향상시켜 반도체 웨이퍼의 두께 편차를 최소화시킬 수 있는 것을 특징으로 하는 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 제공하는 것을 또 다른 과제로 한다.Further, according to the present invention, by forming the base layer in a three-layer structure in which the base film layer, the hard layer and the surface roughness film layer are laminated in this order, in the grinding process of the semiconductor wafer, the ultraviolet ray- And a thickness deviation of the semiconductor wafer can be minimized by improving the adhesion and fixing force to the chuck table as a facility to provide an ultraviolet curable adhesive sheet for back grinding after a half cut of a semiconductor wafer on which bumps are formed Another task is to do.
상기의 과제를 해결하기 위한 본 발명은 기재층과, 상기 기재층의 상부에 형성시킨 연질층과, 상기 연질층의 상부에 형성시킨 UV 경화형 점착층 및, 상기 UV 경화형 점착층의 상부에 형성시킨 이형 필름층의 순으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 과제의 해결 수단으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for producing a UV curable pressure-sensitive adhesive layer, comprising the steps of: providing a substrate layer, a soft layer formed on the substrate layer, a UV curable adhesive layer formed on the soft layer, And a releasing film layer in this order on the back surface side of the semiconductor wafer, and the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet for back grinding after the half-cutting of the semiconductor wafer on which the bumps are formed.
그리고 기재층은 3층 구조로서, 기재 필름층, 경질층 및 표면조도 필름층의 순으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하며, 상기 기재 필름층은 양면이 코로나 처리 또는 우리탄, 우레탄아크릴레이트, 아크릴레이트, 실리콘 아크릴레이트 등의 수지로 프라이머(Primer) 처리된 PET(Polyethylene terephthalate), LLDPE(Linear low-density polyethylene), EVA(Ethylene vinyl acetate), 폴리이미드(Polyimide), TPO(Thermoplastic olefinic elastomer), PU(Polyurethane) 또는 LDPE(Low density polyethylene) 소재의 필름 중에서 선택사용하고, 상기 경질층은 경질 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 경질 조성물은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 페놀-포름알데히드 수지 5~30 중량부, 경화제 0.1~3 중량부, 경화촉진제 0.01~1.0 중량부, 안료 0.1~2.0 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어지며, 표면조도 필름층은 표면조도처리된 PET(Polyethylene terephthalate), LLDPE(Linear low-density polyethylene), EVA(Ethylene vinyl acetate), 폴리이미드(Polyimide), TPO(Thermoplastic olefinic elastomer), PU(Polyurethane) 또는 LDPE(Low density polyethylene) 소재의 필름 중에서 선택사용하는 것을 특징으로 한다. The substrate layer has a three-layer structure, and is a structure in which a base film layer, a hard layer and a surface roughness film layer are laminated in this order, wherein the base film layer has a structure in which both surfaces are corona- (Ethylene terephthalate), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene vinyl acetate (EVA), polyimide, TPO (thermoplastic olefinic elastomer) PU (Polyurethane) or LDPE (Low Density Polyethylene), and the hard layer is a layer formed by using a hard composition. The hard composition is a layer comprising phenol-
또한, 연질층은 연질 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 연질 조성물은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 충진제 5~60 중량부, 경화제 0.1~3 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어지고, UV 경화형 점착층은 UV 경화형 점착 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 UV 경화형 점착 조성물은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 점착력 증진제 3~15 중량부, 경화제 1~10 중량부, 광개시제 1~5 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어지며, 상기 이형 필름층은 이형처리된 PET(Polyethylene terephthalate), LLDPE(Linear low-density polyethylene), EVA(Ethylene vinyl acetate), 폴리이미드(Polyimide), TPO(Thermoplastic olefinic elastomer), PU(Polyurethane) 또는 LDPE(Low density polyethylene) 소재의 필름 중에서 선택사용하는 것을 특징으로 한다.The soft layer is composed of 5 to 60 parts by weight of a filler, 0.1 to 3 parts by weight of a curing agent and 10 to 60 parts by weight of a solvent in 100 parts by weight of an acrylic copolymer resin, The curable adhesive layer is a layer formed by using a UV curable pressure sensitive adhesive composition. In the UV curable pressure sensitive adhesive composition, 3 to 15 parts by weight of an adhesion promoting agent, 1 to 10 parts by weight of a curing agent, 1 to 5 parts by weight of a photoinitiator And 10 to 60 parts by weight of a solvent. The release film layer may be formed of a polyethylene terephthalate (PET), a linear low-density polyethylene (LLDPE), an ethylene vinyl acetate (EVA), a polyimide, a thermoplastic olefinic elastomer, PU (polyurethane) or LDPE (low density polyethylene).
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트는 UV 경화형 점착층에 의해 자외선 조사 전에는 높은 접착강도를 유지하여야 하는 반면, 자외선 조사 후에는 반도체 칩의 박리가 용이하고 또한 박리과정에서 반도체 칩 표면에 점착제의 잔사가 남지 않고, 그리고 연질층에 의해 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 시 범프(Bump) 및 회로의 매립성을 확보하고 그라인딩(grinding) 공정 시 외부의 전단응력으로부터 범프(Bump)와 회로를 보호하여 범프(Bump) 또는 웨이퍼의 깨짐을 방지하며, 또한, 본 발명은 기재층을 기재 필름층, 경질층 및 표면조도 필름층의 순으로 적층된 3층 구조로 형성시킴으로써, 반도체 웨이퍼의 그라인딩(grinding) 공정 시, 자외선 경화형 점착시트가 웨이퍼 연삭을 위한 설비인 척 테이블(Chuck table)에 밀착력과 고착력을 향상시켜 반도체 웨이퍼의 두께 편차를 최소화시킬 수 있는 효과가 있다.The ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet for back-grinding after half-cutting a semiconductor wafer according to the present invention is required to maintain a high adhesive strength before ultraviolet irradiation by the UV curing type pressure sensitive adhesive layer. On the other hand, The bump and the circuit are satisfactorily buried during the back grinding after half cutting of the semiconductor wafer by the soft layer and the bump and the circuit are ensured in the grinding process, The present invention also relates to a method of forming a three-layer structure in which a base film layer, a hard layer and a surface roughness film layer are stacked in this order to prevent breakage of a bump or a wafer by protecting a bump and a circuit, , In the grinding process of the semiconductor wafer, the ultraviolet ray hardening type adhesive sheet is placed on a chuck table (Chuck ta ble adhesion strength and bonding strength can be improved and the thickness deviation of the semiconductor wafer can be minimized.
도 1은 종래의 특허문헌 3에 따른 백그라인드 시트의 단면을 나타낸 도면.
도 2는 종래의 특허문헌 4에 따른 반도체 웨이퍼의 가공공정에 적용한 박막 연삭용 표면 보호 테이프의 단면을 나타낸 도면.
도 3은 종래의 특허문헌 5에 따른 표면보호용 시트의 단면을 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 자외선 경화형 점착시트의 단면을 나타낸 도면.
도 5는 본 발명에 따른 실시 예 1의 자외선 경화형 점착시트를 사용하여 반도체 웨이퍼의 가공 후의 칩의 상태를 찍은 사진.(광학현미경 배율 100배)
도 6은 본 발명에 따른 실시 예 1의 자외선 경화형 점착시트를 사용하여 반도체 웨이퍼의 가공 후의 범프(Bump) 및 범프 패드(Pad)의 오염성을 찍은 사진.(광학현미경 배율 150배)
도 7은 본 발명과 대조되는 비교 예 1의 자외선 경화형 점착시트를 사용하여 반도체 웨이퍼의 가공 후의 칩의 상태를 찍은 사진.(광학현미경 배율 100배)
도 8은 본 발명과 대조되는 비교 예 1의 자외선 경화형 점착시트를 사용하여 반도체 웨이퍼의 가공 후의 범프(Bump) 및 범프 패드(Pad)의 오염성을 찍은 사진.(광학현미경 배율 50배, 100배)BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a cross-sectional view of a back grind sheet according to a
Fig. 2 is a cross-sectional view of a surface protective tape for thin-film grinding applied to a processing step of a semiconductor wafer according to a
3 is a cross-sectional view of a surface protecting sheet according to a
4 is a cross-sectional view of a UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention.
5 is a photograph (a magnification of optical microscope: 100 times) of a state of a chip after processing of a semiconductor wafer using the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet of Example 1 according to the present invention.
6 is a photograph (stain magnification of optical microscope: magnification: 150 times) of a bump and a bump pad after machining of a semiconductor wafer using the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet of Example 1 according to the present invention.
7 is a photograph of the state of a chip after processing of a semiconductor wafer using the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet of Comparative Example 1 in comparison with the present invention (optical microscope magnification: 100 times)
8 is a photograph (optical microscope magnification: 50 times, 100 times) showing the staining property of a bump and a bump pad after processing of a semiconductor wafer using the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet of Comparative Example 1,
본 발명에 따른 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트에 대해서 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 기술적 구성을 이해하는데 필요한 부분만 설명하되, 그 이외 부분의 설명은 본 발명의 요지를 흩트리지 않도록 생략될 것이라는 것을 유의하여야 한다.The present invention will now be described with reference to the accompanying drawings, in which only the parts necessary for understanding the technical structure of the present invention are explained, And will be omitted so as not to obscure the gist of the present invention.
참고로, 본 발명의 명세서에서 '반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트'란 용어에 대하여 상기 배경기술 및 도면의 설명과 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 있어서 DBG용 백그라인드 시트 또는 DBG용 라미네이션 테이프 또는 박막 연삭용 표면 보호 테이프 또는 DBG용 표면보호용 시트로 기재한 용어는 모두 동일한 의미를 갖는 용어임을 유의하여야 한다. For reference, the term "ultraviolet curing type adhesive sheet for back grinding after half cutting of a semiconductor wafer" in the specification of the present invention refers to a back grind sheet for DBG It should be noted that the terms described as lamination tape for DBG or surface protective tape for thin grinding or surface protective sheet for DBG are all terms having the same meaning.
본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트(이하, '자외선 경화형 점착시트'라 한다)는 도 4에 도시된 바와 같은 구조로서, 기재층(10)과, 상기 기재층의 상부에 형성시킨 연질층(20)과, 상기 연질층의 상부에 형성시킨 UV 경화형 점착층(30) 및, 상기 UV 경화형 점착층의 상부에 형성시킨 이형 필름층(40)의 순으로 적층된 구조인 것을 특징으로 한다.[0030] The circuit according to the preferred embodiment of the present invention and the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet (hereinafter, referred to as 'ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet') for back grinding after half cutting of a semiconductor wafer having bumps formed therein have the structure as shown in FIG. Curable pressure sensitive adhesive layer (30) formed on the soft layer; and a releasing film formed on the UV curable pressure sensitive
본 발명에 따른 자외선 경화형 점착시트는 DBG공법에서 범프(Bump)와 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 시 범프(Bump)와 회로가 형성된 면을 보호하면서 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 위한 DBG용 백그라인딩 테이프(Back Grinding Tape)로서, 자외선 조사 전에는 높은 접착강도를 유지하여야 하는 반면, 자외선 조사 후에는 반도체 칩의 박리가 용이하도록 접착강도가 매우 낮아야 하고 또한 박리과정에서 반도체 칩 표면에 점착제의 잔사가 남지 않는 특성이 있다. The ultraviolet curable pressure sensitive adhesive sheet according to the present invention can be used for DBG for back grinding of semiconductor wafers while protecting the bump and the circuit formed surface during back grinding after half cutting of a semiconductor wafer in which a bump and a circuit are formed in the DBG method, As back grinding tape, it is necessary to maintain a high adhesive strength before irradiation with ultraviolet rays. On the other hand, the adhesive strength must be very low so that the semiconductor chip can be easily peeled off after ultraviolet ray irradiation. In addition, There is a characteristic that no residual is left.
이하, 본 발명에 따른 자외선 경화형 점착시트를 구성하는 적층 구조에서 각 적층체 별로 상세히 설명하면 아래의 내용과 같다. Hereinafter, the laminated structures constituting the ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention will be described in detail as follows.
(1) 기재층(Base film layer)(1) Base film layer
기재층(10)은 기재 필름층(10a), 경질층(10b) 및 표면조도 필름층(10c)의 순으로 적층된 3층 구조로서, 반도체 웨이퍼의 그라인딩(grinding) 공정 시, 자외선 경화형 점착시트가 웨이퍼 연삭 설비인 척 테이블(Chuck table)에 밀착력과 고착력을 향상시켜 반도체 웨이퍼의 두께 편차를 최소화시키는 역할을 하는 층이다. The
상기 기재 필름층(10a)은 필름 표면의 젖음성을 증가시켜 경질층(10b)과의 접착력을 향상시키기 위해 양면이 코로나 처리 또는 우리탄, 우레탄아크릴레이트, 아크릴레이트, 실리콘 아크릴레이트 등의 수지로 프라이머 처리된 PET(Polyethylene terephthalate), LLDPE(Linear low-density polyethylene), EVA(Ethylene vinyl acetate), 폴리이미드(Polyimide), TPO(Thermoplastic olefinic elastomer), PU(Polyurethane) 또는 LDPE(Low density polyethylene) 소재의 필름 중에서 선택사용할 수 있다. 코로나 처리층은 표면장력이 40 내지 46 dyne/cm인 것이 바람직하다. 상기 범위 내에서 코로나 처리층에 코로나 처리를 하면 젖음성을 향상시켜 점착제와 필름간의 접착력을 증가시킬 수 있다.The
상기 경질층(Hard layer)(10b)은 기재 필름층(10a)과 표면조도 필름층(10c) 간의 고접착력과 전단응력을 부여하기 위한 역할을 하는 층이다.The hard layer 10b serves to impart high adhesive force and shear stress between the
상기 경질층(10b)은 경질 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 경질 조성물은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 페놀-포름알데히드 수지 5~30 중량부, 경화제 0.1~3 중량부, 경화촉진제 0.01~1.0 중량부, 안료 0.1~2.0 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어진다.Wherein the hard layer is formed by using a hard composition, wherein the hard composition comprises 5 to 30 parts by weight of a phenol-formaldehyde resin, 0.1 to 3 parts by weight of a curing agent, 0.01 to 3 parts by weight of a curing accelerator, 1.0 to 2.0 parts by weight of a pigment, and 10 to 60 parts by weight of a solvent.
상기 아크릴 공중합 수지는 부틸아크릴레이트 단량체 10~30 중량부, 2-에틸헥실아크릴레이트 단량체 5~15 중량부, 메틸메타아크릴레이트 단량체 1~10 중량부, 비닐아크릴레이트 단량체 1~10 중량부, 2-헥실에틸메타아크릴레이트 단량체 0.5~5 중량부, 글리시딜메타아크릴레이트 단량체 0.5~5 중량부, 아크릴산 단량체 0.5~5 중량부의 단량체를 유기과산화물 반응개시제 0.01~2 중량부로 합성하는 것이 바람직하다. The acrylic copolymer resin is prepared by mixing 10 to 30 parts by weight of a butyl acrylate monomer, 5 to 15 parts by weight of a 2-ethylhexyl acrylate monomer, 1 to 10 parts by weight of a methyl methacrylate monomer, 1 to 10 parts by weight of a vinyl acrylate monomer, 0.5 to 5 parts by weight of hexylethylmethacrylate monomer, 0.5 to 5 parts by weight of glycidylmethacrylate monomer, and 0.5 to 5 parts by weight of acrylic acid monomer is preferably synthesized with 0.01 to 2 parts by weight of an organic peroxide reaction initiator.
상기 페놀-포름알데히드 수지는 경질층의 접착력 및 내구성 향상의 역할을 하며, 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 5~30 중량부를 혼합하는 것이 바람직하다. 페놀-포름알데히드 수지의 혼합량이 상기에서 한정한 범위 미만이 될 경우에는 접착력 부족 및 전단박리력 저하로 인해 표면처리된 상기 기재 필름층(Base film layer)(10a)과 쉽게 박리될 우려가 있고, 페놀-포름알데히드 수지의 혼합량이 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 경질층의 도막이 과도하게 딱딱해져(Brittle) 쉽게 부러질 우려가 있다.The phenol-formaldehyde resin serves to improve the adhesion and durability of the hard layer and is preferably mixed with 5 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. If the mixing amount of the phenol-formaldehyde resin is less than the range defined above, there is a fear that the
상기 경화제는 경질층(10b)을 3차원 망상구조로 부분 가교시키는 역할을 하며, 경화제는 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 0.1~3 중량부를 첨가하는 것이 바람직하다. 경화제의 혼합량이 상기에서 한정한 범위 미만이 될 경우에는 아크릴 공중합체들을 부분 가교가 제대로 이루어지지 않을 우려가 있고, 경화제의 첨가량이 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 경질층(10b)의 접착력 및 전단박리력 저하의 우려가 있다. The curing agent is used to form the hard layer 10b in a three- And the curing agent is preferably added in an amount of 0.1 to 3 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. If the mixing amount of the hardening agent is less than the above defined range, there is a possibility that the partial crosslinking of the acrylic copolymers may not be performed properly. If the addition amount of the hardening agent exceeds the range defined above, the adhesion of the hard layer 10b And there is a fear of deterioration of shear peeling force.
본 발명에서 사용하는 경화제는 이소시아네이트계 가교제로서, 구체적으로는 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌 디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌 디이소시아네이트 또는 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트 중에서 1종 또는 그 이상의 화합물을 혼합하여 사용할 수 있다.The curing agent used in the present invention is an isocyanate-based crosslinking agent, specifically, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, Diisocyanate or diphenylmethane-4,4'-diisocyanate may be mixed and used.
상기 경화촉진제는 경화제의 경화작용을 보조하여 경화반응의 활성화에너지를 낮추어 반응속도를 빠르게 하고 부분 가교를 촉진시키는 역할을 하며, 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 0.01~1.0 중량부를 첨가하는 것이 바람직하다. 경화촉진제의 첨가량이 상기에서 한정한 범위 미만이 될 경우에는 경화반응시간이 길어질 우려가 있고, 경화촉진제의 첨가량이 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 경화반응이 매우 빨라지며 가사시간이 짧아질 우려가 있다.The curing accelerator accelerates the reaction rate by promoting the curing reaction of the curing agent by lowering the activation energy of the curing reaction and promotes partial crosslinking. It is preferable to add 0.01 to 1.0 part by weight to 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin . If the addition amount of the curing accelerator is less than the above-specified range, the curing reaction time may be prolonged. If the addition amount of the curing accelerator is more than the above-specified range, the curing reaction becomes very fast and the pot life is shortened There is a concern.
본 발명에서 사용하는 경화촉진제는 구체적으로 디메틸시클로헥실아민(Dimethylcyclohexylamine), 트리에틸아민(Triethylamine), 디부틸주석 디라우레이트(Dibutyltin dilaurate), 초산칼륨(Potassium acetate) 중에서 1종 또는 그 이상을 선택하여 사용할 수 있다. The curing accelerator to be used in the present invention is specifically selected from among dimethylcyclohexylamine, triethylamine, dibutyltin dilaurate and potassium acetate. Can be used.
그리고 본 발명에서 사용하는 안료는 반도체웨이퍼의 취급시 눈의 피로도와 주위 안정감을 위하여 청색 안료를 사용하는 것이 바람직하나 필요에 따라서는 청색 안료 이외의 연청색 안료 또는 기타 색상의 안료를 다양하게 사용할 수 있다. 본 발명에서 사용 가능한 청색 안료로는 프탈로시아닌블루, 코발트블루, 군청 등 특별히 한정하지는 않는다.The pigment used in the present invention is preferably a blue pigment for the purpose of relieving eye fatigue and environmental stability when handling a semiconductor wafer. However, it may be variously used as a light blue pigment or other color pigment other than a blue pigment . Examples of the blue pigment usable in the present invention include phthalocyanine blue, cobalt blue, and group blue.
안료의 첨가량은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 안료 0.1~2.0 중량부인 것이 바람직하지만, 안료의 첨가량은 상기에서 한정한 범위에만 반드시 제한되지 아니하고 제조자의 필요에 의하거나 또는 수요자의 요구에 의해 적절히 조정되어 질 수 있다.The amount of the pigment to be added is preferably from 0.1 to 2.0 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. However, the amount of the pigment to be added is not limited to the range limited to the above and may be suitably adjusted according to the needs of the manufacturer, .
그리고 본 발명에서 사용하는 용매는 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 10~60 중량부인 것이 바람직하다. 용매의 혼합량이 상기에서 한정한 범위 미만일 경우에는 유동성 저하로 필름화 시 표면레벨링, 핀홀 등 코팅성의 문제를 야기할 우려가 있고, 용매의 혼합량이 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 유동성이 크고, 고형분 함량이 낮아져 필름화 시 건조효율이 떨어질 우려가 있다.The solvent used in the present invention is preferably 10 to 60 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. When the mixing amount of the solvent is less than the above range, there is a fear of causing problems such as surface leveling and pinholes in the film during film formation due to a decrease in fluidity. When the mixing amount of the solvent exceeds the range defined above, , The solid content may be lowered, and the drying efficiency may be lowered during film formation.
상기 용매는 톨루엔, 시클로헥산, 살리실산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산아밀, 이소프로필알코올, 메틸이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 디부틸프탈레이트, 크실렌, 벤젠 또는 디메틸포름아마이드 중에서 1종 또는 그 이상을 선택사용할 수 있다.The solvent may be one or more of toluene, cyclohexane, methyl salicylate, butyl acetate, ethyl acetate, amyl acetate, isopropyl alcohol, methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, dibutyl phthalate, xylene, benzene or dimethyl formamide Can be selected.
상기 표면조도 필름층(Rough surface film)(10c)은 표면조도 필름층(10c)의 도입으로 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 공정 시의 얻을 수 있는 효과로는, 연삭할 반도체 웨이퍼의 범프(Bump)가 포함된 회로가 형성되어 있는 측면과 점착시트의 UV경화형 점착층(30)이 서로 맞닿아 점착된 상태에서 점착시트의 표면조도 필름층(10c) 측면과 웨이퍼 연삭을 위한 설비인 척 테이블(Chuck table)의 측면이 서로 맞닿을 때, 계면에는 연삭수(물)가 존재하고 척 테이블(Chuck table)의 측면에서는 흡착을 하여 점착시트를 고정하게 된다. 이때, 고정된 점착시트의 표면조도 형성을 통하여 연삭수 및 기포의 맺힘(머무름) 현상이 발생하지 않으면서 점착시트의 척 테이블(Chuck table)에서의 고정력이 향상되며, 이로 인해 연삭 공정의 안정성과 연삭되는 웨이퍼의 두께 편차가 없거나 최소화가 가능해진다.The surface
본 발명에서 표면조도 필름층(10c)에 사용하는 필름은 표면조도처리된 PET(Polyethylene terephthalate), LLDPE(Linear low-density polyethylene), EVA(Ethylene vinyl acetate), 폴리이미드(Polyimide), TPO(Thermoplastic olefinic elastomer), PU(Polyurethane) 또는 LDPE(Low density polyethylene) 소재의 필름 중에서 선택사용할 수 있다. The film used for the surface
본 발명에서 표면조도 처리된 필름은 표면조도 Ra값이 1~10㎛인 것이 바람직하며, 표면조도가 상기에서 한정한 범위 미만이 될 경우에는 연삭수 및 기포의 맺힘(머무름)현상으로 연삭 시 반도체 웨이퍼의 깨짐이나 파손 또는 연삭 후 개개의 칩으로 분리된 반도체 웨이퍼의 두께 편차가 발생할 우려가 있고, 표면조도가 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 점착시트의 척 테이블(Chuck table)에서의 고정 및 고착력이 저하되어 연삭 공정의 안정성이 떨어질 우려가 있다. In the present invention, it is preferable that the surface roughness Ra of the film subjected to the surface roughness is in the range of 1 to 10 μm. When the surface roughness is less than the above-defined range, the grinding water and the air bubbles (retention) There is a possibility that the wafer may be cracked or broken or the thickness deviation of the semiconductor wafer separated by individual chips after grinding may occur. If the surface roughness exceeds the range defined above, the fixing of the adhesive sheet to the chuck table And the bonding strength is lowered, which may lower the stability of the grinding process.
그리고 필름의 표면 조도 처리는 상기 소재의 필름 생산 시 조도처리하거나 또는 상기 소재의 일반 필름에 조도처리를 위한 코팅공법을 사용하거나 또는 상기 소재의 일반 필름에 브러시(Brush) 등을 사용한 물리적인 방법에 의해 조도처리를 하는 등의 다양한 방법에 의해 필름의 표면을 조도 처리할 수 있다.The surface roughness of the film may be determined by roughing the film of the material or by using a coating method for roughing the general film of the material or by a physical method using a brush or the like on the general film of the material The surface of the film can be roughened by various methods such as a roughing treatment.
(2) 연질층(Soft layer)(2) Soft layer
상기 연질층(20)은 연질 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 연질 조성물은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 무기필러(충진제) 5~60 중량부, 경화제 0.1~3 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어지는 것을 특징으로 한다. The
상기 연질 조성물에 사용하는 조성 성분인 아크릴 공중합 수지, 경화제 및 용매에 대해서는 상기 경질 조성물의 설명 시 상세히 설명한 바 있으므로 여기서는 그 설명을 생략하고 무기필러(충진제)에 대해서만 설명하기로 한다.The acrylic copolymer resin, the curing agent and the solvent, which are the components used in the above soft composition, have been described in detail in the description of the hard composition, and therefore only the inorganic filler (filler) will be described here.
상기 무기필러는 범프(Bump)의 매립성, 범프(Bump) 및 웨이퍼의 깨짐 방지 등의 물성을 확보하는 역할을 하며, 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 5~60 중량부를 혼합하는 것이 바람직하다. 무기필러의 혼합량이 상기에서 한정한 범위를 벗어날 경우에는 점착제 도포작업 시 필름이 말리는 현상과 반도체웨이퍼 절단 공정 시 칼날에 필름이 달라붙는 현상이 제어되지 않을 우려가 있다. The inorganic filler serves to secure physical properties such as bump filling, bump, and prevention of breakage of the wafer, and it is preferable to mix 5 to 60 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. If the mixing amount of the inorganic filler is out of the range defined above, there is a fear that the film is dried during the application of the pressure-sensitive adhesive and that the film sticks to the blade during the semiconductor wafer cutting process.
본 발명에서 사용하는 무기필러는 구체적으로 직경이 3~15㎛인 크기의 실리카, 알루미나, 황산바륨, 탈크, 탄산칼슘, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산마그네슘, 산화마그네슘, 질화붕소, 붕산알루미늄, 티탄산바륨, 티탄산칼슘, 티탄산마그네슘, 티탄산비스무스, 산화티탄, 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘 중에서 1종 또는 그 이상을 선택하여 사용할 수 있다.The inorganic filler to be used in the present invention is preferably an inorganic filler having a particle size of 3 to 15 탆 in diameter, such as silica, alumina, barium sulfate, talc, calcium carbonate, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, Barium, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, barium zirconate, and calcium zirconate.
그리고, 연질층(Soft layer)(20)은 높이가 50㎛ 전후인 범프(Bump)와 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 시 범프(Bump) 및 회로의 매립성을 확보하고 그라인딩(grinding) 공정 시 외부의 전단응력으로부터 범프(Bump)와 회로를 보호하여 범프(Bump) 또는 웨이퍼의 깨짐을 방지하고, UV조사 후 반도체 웨이퍼로부터 점착시트의 박리 시 잔사방지 역할을 하며, 연삭된 웨이퍼의 두께편차를 최소화하는 역할을 수행하는 층이다. 이러한 기능을 수행하기 위해서 구조적으로 연질층(Soft layer)의 도입이 필수적이며, 연질층(Soft layer)은 범프(Bump)의 매립성, 범프(Bump) 및 웨이퍼의 깨짐 방지, 박리 후 잔사 방지 및 연삭된 반도체 웨이퍼의 두께 편차방지를 확보하기 위해 무기필러를 도입하여 최적의 물성을 구현하는 것이 특징이다.The
(3) UV 경화형 점착층(UV adhesive layer)(3) UV curable adhesive layer (UV adhesive layer)
그리고 UV 경화형 점착층(30)은 자외선 경화형 점착시트가 반도체 웨이퍼의 범프(Bump)와 회로가 형성되어 하프커팅된 면에 접착되어 이면 연삭 시 개개의 칩으로 분리된 상태의 칩이 밀림현상이나 이탈 없이 그대로 일정하게 배열되어 있도록 유지하는 역할을 하는 층이다.The UV curing type
즉, 상기 UV 경화형 점착층(30)은 접착력에 의해 반도체 웨이퍼 이면 연삭 시 칩의 밀림이나 이탈이 없고, 연삭 후 자외선 경화 박리성의 물성이 요구되고, 또한 점착제 성분이 반도체 웨이퍼 상에 남지 않도록 하여 오염성이 없어야 한다. That is, the UV-
따라서, 상기 UV 경화형 점착층(30)은 UV 경화형 점착 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 UV 경화형 점착 조성물은 상기에서 설명한 바와 같은 물성을 만족할 수 있도록 하기 위하여 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 점착력 증진제 3~15 중량부, 경화제 1~10 중량부, 광개시제 1~5 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어진다.Thus, the UV-curable pressure-
상기 아크릴 공중합 수지는 아크릴계 점착제와 자외선 중합성 화합물을 주성분으로 한다.The acrylic copolymer resin mainly contains an acrylic pressure-sensitive adhesive and an ultraviolet-polymerizable compound.
구체적인 예를 들면 자외선 경화형 점착제로 사용되는 아크릴레이트 화합물로서는, 광조사에 의하여 중합할 수 있는 분자 내에 광중합성 불포화탄소결합을 갖고 있는 저분자량 화합물들이 사용된다. 이들의 구체적인 예로서는 부틸아크릴레이트, 2-에칠헥실아크릴레이트, 메칠메타아크릴레이트, 스테아릴메타아크릴레이트, 트리메틸롤프로판 트리아크릴레이트, 테트라메틸롤메탄 테트라아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리아크릴레이트, 펜탄에리쓰리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜탄에리쓰리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트, 아크릴아마이드, 글리시딜메타아크릴레이트, 및 올리고에스테르 아크릴레이트 중에서 1종 또는 그 이상을 선택하여 사용할 수 있다.Specific examples of the acrylate compound used as the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive include low molecular weight compounds having a photopolymerizable unsaturated carbon bond in molecules capable of being polymerized by light irradiation. Specific examples thereof include butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, methyl methacrylate, stearyl methacrylate, trimethylol propane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentane Hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene terephthalate, Glycol diacrylate, acrylamide, glycidyl methacrylate, and oligoester acrylate may be selected and used.
또한, 상기 아크릴레이트 화합물 이외에 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 자외선 중합성 화합물로서 사용될 수 있다.In addition to the acrylate compounds, urethane acrylate oligomers may be used as ultraviolet polymerizable compounds.
우레탄 아크릴레이트 올리고머는 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 폴리올 화합물과, 폴리이소시아네이트 화합물, 예컨데 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌 디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌디이소시아네이트 또는 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트 등을 반응시켜 얻은 말단 이소시아네이트 우레탄 프리폴리머에, 히드록실기를 포함하는 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트, 예컨데 2-히드록시에틸 아클릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시 부틸 아크릴레이트, 2-히드록시부틸 메타크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 아크릴레이트 및 폴리에틸렌 글리콜 메타크릴레이트 등을 반응시켜 그 중 1종 또는 그 이상을 선택하여 사용할 수 있다. The urethane acrylate oligomer is obtained by reacting a polyester type or polyether type polyol compound with a polyisocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1 , 4-xylylene diisocyanate or diphenylmethane-4,4'-diisocyanate or the like is reacted with an acrylate or methacrylate containing a hydroxyl group, for example, 2-hydroxyethyl acrylate Hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxybutyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, and polyethylene glycol methacrylate, and then reacting with one or more of them Can be selected and used.
그리고 점착력 증진제는 아크릴 공중합 수지 점착 조성물의 점착력을 증진시키기 위해 첨가하며, 점착력 증진제는 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 3~15 중량부를 첨가하는 것이 바람직하다. 점착력 증진제의 혼합량이 상기에서 한정한 범위 미만이 될 경우에는 아크릴 공중합 수지 점착 조성물의 점착력 증진이 저하할 우려가 있고, 점착력 증진제의 첨가량이 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 UV 경화박리성 저하 및 피착제에 UV점착제의 잔사가 발생할 우려가 있다. The adhesive strength enhancer is added to improve the adhesive strength of the acrylic copolymer resin adhesive composition, and the adhesive strength enhancer is preferably added in an amount of 3 to 15 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. When the mixing amount of the adhesion promoting agent is less than the above-defined range, there is a fear that the adhesion strength of the acrylic copolymer resin adhesive composition is lowered. When the addition amount of the adhesion promoting agent is more than the above-specified range, And there is a possibility that residues of the UV adhesive are generated in the adherend.
상기 점착력 증진제는 관능성 모노마중 경화성이 우수한 하이드록시 에틸 아크릴레이트 화합물, 로진계 수지, 테르펜 수지, 테르펜 페놀수지, 쿠마론인덴 수지, 페놀계 수지 중 1종 또는 그 이상을 선택하여 사용할 수 있다. The adhesion promoter may be selected from one or more of hydroxyethyl acrylate compounds, rosin resins, terpene resins, terpene phenol resins, coumarone-indene resins, and phenol resins excellent in hardenability among the functional monomers.
그리고 경화제는 아크릴 공중합 수지 및 점착력 증진제를 부분 가교시키는 역할을 하며, 경화제는 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 1~10 중량부를 첨가하는 것이 바람직하다. 경화제의 혼합량이 상기에서 한정한 범위 미만이 될 경우에는 아크릴 공중합체들을 부분 가교가 제대로 이루어지지 않을 우려가 있고, 경화제의 첨가량이 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 점착력의 급격한 감소의 우려가 있다.The curing agent partially crosslinks the acrylic copolymer resin and the adhesion promoter, and the curing agent is preferably added in an amount of 1 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. If the mixing amount of the curing agent is less than the above defined range, the acrylic copolymers may not be partially crosslinked. If the addition amount of the curing agent exceeds the range defined above, there is a fear of a sharp decrease in the adhesive strength have.
본 발명에서 사용하는 경화제는 이소시아네이트계 가교제로서, 구체적으로는 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌 디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌 디이소시아네이트 또는 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트 중에서 1종 또는 그 이상의 화합물을 혼합하여 사용할 수 있다.The curing agent used in the present invention is an isocyanate-based crosslinking agent, specifically, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, Diisocyanate or diphenylmethane-4,4'-diisocyanate may be mixed and used.
그리고, 광개시제는 자외선(UV) 조사에 의하여 분해되어 라디칼을 형성하는 물질로서, 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 1~5 중량부인 것이 바람직하다. 광개시제의 첨가량이 상기에서 한정한 범위 미만일 경우에는 UV 조사 시 반응이 정상적으로 개시되지 않을 우려가 있고, 광개시제의 첨가량이 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 반응속도가 매우 빠른 순간적인 경화에 의해 균일한 성능을 확보하기가 어려울 수 있다.The photoinitiator is a substance which is decomposed by ultraviolet (UV) irradiation to form a radical, and is preferably 1 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. When the addition amount of the photoinitiator is less than the above-defined range, there is a fear that the reaction will not normally start upon UV irradiation. When the addition amount of the photoinitiator exceeds the range defined above, It may be difficult to achieve one performance.
상기 광개시제는 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀 옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티옥산톤 화합물 또는 퍼옥사이드 화합물과 같은 광개시제 또는 아민이나 퀴논과 같은 광증감제 중에서 1종 또는 그 이상을 선택사용할 수 있다. 구체적으로는 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤질 디페닐 술피드, 테트라메틸티우람 모노술피드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸 및 β-클로로안트라퀴논 등이다.The photoinitiator may be selected from a photoinitiator such as a benzoin compound, an acetophenone compound, an acylphosphine oxide compound, a titanocene compound, a thioxanthone compound or a peroxide compound, or a photosensitizer such as an amine or a quinone . Specific examples thereof include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyl Nitrile, dibenzyl, diacetyl, and? -Chloroanthraquinone.
그리고 본 발명에서 사용하는 용매는 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 대하여 10~60 중량부인 것이 바람직하다. 용매의 혼합량이 상기에서 한정한 범위 미만일 경우에는 유동성 저하로 필름화 시 표면레벨링, 핀홀 등 코팅성의 문제를 야기할 우려가 있고, 용매의 혼합량이 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 유동성이 크고, 고형분 함량이 낮아져 필름화 시 건조효율이 떨어질 우려가 있다.The solvent used in the present invention is preferably 10 to 60 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin. When the mixing amount of the solvent is less than the above range, there is a fear of causing problems such as surface leveling and pinholes in the film during film formation due to a decrease in fluidity. When the mixing amount of the solvent exceeds the range defined above, , The solid content may be lowered, and the drying efficiency may be lowered during film formation.
상기 용매는 톨루엔, 시클로헥산, 살리실산메틸, 아세트산부틸, 아세트산에틸, 아세트산아밀, 이소프로필알코올, 메틸이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 디부틸프탈레이트, 크실렌, 벤젠 또는 디메틸포름아마이드 중에서 1종 또는 그 이상을 선택사용할 수 있다.The solvent may be one or more of toluene, cyclohexane, methyl salicylate, butyl acetate, ethyl acetate, amyl acetate, isopropyl alcohol, methyl isobutyl ketone, methyl ethyl ketone, dibutyl phthalate, xylene, benzene or dimethyl formamide Can be selected.
(4) 이형필름층(Release film layer)(4) Release film layer
이형 필름층(40)은 자외선 경화형 점착시트를 보호하기 위한 보호 필름의 역할을 하는 층으로, 구체적으로는 일면이 이형처리된 PET(Polyethylene terephthalate), LLDPE(Linear low-density polyethylene), EVA(Ethylene vinyl acetate), 폴리이미드(Polyimide), TPO(Thermoplastic olefinic elastomer), PU(Polyurethane) 또는 LDPE(Low density polyethylene) 소재의 필름 중에서 선택사용할 수 있다. The
상기에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트는 기재층(10)은 3층 구조로서, 기재 필름층(10a)이 40~60㎛, 경질층(10b)이 10~30㎛, 표면조도 필름층(10c)이 20~30㎛이고, 연질층(20)의 두께가 80~120㎛, UV 경화형 점착층(30)의 두께가 20~50㎛ 및 이형 필름층(40)의 두께가 30~50㎛인 것이 바람직하지만, 상기 각 적층체의 두께는 상기에서 한정한 범위에만 반드시 제한되지 아니하고 제조자의 필요에 의하거나 또는 수요자의 요구에 의해 적절히 조정되어질 수 있다. The
이하, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 아래 실시 예를 통해 더욱 상세히 설명하고자 한다. 다만, 하기 실시 예는 본 발명을 더욱 상세히 설명하기 위한 하나의 예시일 뿐, 본 발명이 하기 실시 예에 의해 제한되는 것은 아니다. Hereinafter, the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive sheet for back-grinding the semiconductor wafer according to the present invention will be described in further detail with reference to the following examples. However, the following examples are only illustrative of the present invention in more detail, and the present invention is not limited by the following examples.
1. 자외선 경화형 점착시트의 제조1. Preparation of UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet
(실시 예 1)(Example 1)
두께가 30㎛인 PET(Polyethylene terephthalate) 소재의 이형 필름층(40)과 상기 이형 필름층의 하부에 형성시킨 두께가 50㎛인 UV 경화형 점착층(30)과 상기 UV 경화형 점착층의 하부에 형성시킨 두께가 80㎛인 연질층(20) 및 상기 연질층의 하부에 형성시킨 기재층(10)의 순으로 적층된 구조를 갖는 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 제조하였다.A
상기 기재층(10)은 3층 구조로서, 두께가 40㎛인 PET(Polyethylene terephthalate) 소재의 기재 필름층(10a), 두께가 10㎛인 경질층(10b) 및 두께가 30㎛인 PET 필름의 양면의 표면을 조도처리한 표면조도 필름층(10c)의 순으로 적층된 구조이다. The
그리고 상기 UV 경화형 점착층(30)은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 점착력 증진제인 페놀계 수지(강남화성(주)社 제품) 3 중량부, 경화제인 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트 1 중량부, 광개시제인 포스핀옥사이드(BASF社 제품) 1 중량부 및 용매인 아세트산에틸 10 중량부로 이루어진 조성물을 사용하여 점착층을 형성시켰다. The UV curable pressure-sensitive adhesive layer (30) was prepared by blending 3 parts by weight of a phenolic resin (manufactured by KANJUNG HIRASUNG CO., LTD.) As an adhesion promoting agent, 1 part by weight of a curing agent, 2,6-tolylene diisocyanate, 1 part by weight of a photoinitiator (manufactured by BASF) and 10 parts by weight of ethyl acetate as a solvent were used to form an adhesive layer.
그리고 상기 연질층(20)은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 직경이 3~15㎛인 크기의 무기필러인 수산화알루미늄 5 중량부, 경화제인 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트 0.1 중량부 및 용매인 아세트산에틸 10 중량부로 이루어진 조성물을 사용하여 연질층을 형성시켰다.5 parts by weight of aluminum hydroxide which is an inorganic filler having a size of 3 to 15 mu m in diameter, 0.1 part by weight of 2,6-tolylene diisocyanate as a curing agent and 0.1 part by weight of acetic acid as a solvent are added to 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin, And
그리고 상기 경질층(10b)은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 페놀-포름알데히드 수지 5 중량부, 경화제인 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트 0.1 중량부, 경화촉진제인 디부틸주석 디라우레이트(시그마알드리치社 제품) 0.01 중량부, 안료인 프탈로시아닌블루(강남제비스코(주)社 제품) 0.1 중량부 및 용매인 아세트산에틸 10 중량부로 이루어진 조성물을 사용하여 경질층을 형성시켰다.To 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin, 5 parts by weight of phenol-formaldehyde resin, 0.1 part by weight of 2,6-tolylene diisocyanate as a curing agent, 0.1 part by weight of dibutyltin dilaurate (Sigma Aldrich) , 0.1 part by weight of phthalocyanine blue (manufactured by KANJI NISSUKO CO., LTD.) And 10 parts by weight of ethyl acetate as a solvent were used to form a hard layer.
한편, 본 실시 예 1에서 UV 경화형 점착층(30), 연질층(20) 및 경질층(10b)을 형성시키기 위하여 사용한 아크릴 공중합 수지는 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸메타아크릴레이트, 비닐아크릴레이트, 2-헥실에틸메타아크릴레이트, 글리시딜메타아크릴레이트, 아크릴산 단량체를 유기과산화물을 반응시켜 합성한 것을 사용하였다. 또한, 상기 표면조도 필름층(10c)은 PET 필름의 양면의 표면면조도 Ra값이 1~10㎛이 되도록 브러시(Brush)조도처리하였다.On the other hand, the acrylic copolymer resin used for forming the UV curing type pressure-
(실시 예 2)(Example 2)
두께가 50㎛인 PET(Polyethylene terephthalate) 소재의 이형 필름층(40)과 상기 이형 필름층의 하부에 형성시킨 두께가 20㎛인 UV 경화형 점착층(30)과 상기 UV 경화형 점착층의 하부에 형성시킨 두께가 120㎛인 연질층(20) 및 상기 연질층의 하부에 형성시킨 기재층(10)의 순으로 적층된 구조를 갖는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 제조하였다.A
상기 기재층(10)은 3층 구조로서, 두께가 60㎛인 PET(Polyethylene terephthalate) 소재의 기재 필름층(10a), 두께가 30㎛인 경질층(10b) 및 두께가 20㎛인 PET 필름의 양면의 표면을 조도처리한 표면조도 필름층(10c)의 순으로 적층된 구조이다. The
그리고 상기 UV 경화형 점착층(30)은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 점착력 증진제 15 중량부, 경화제인 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트 10 중량부, 광개시제인 포스핀옥사이드(BASF社 제품) 5 중량부 및 용매인 크실렌 60 중량부로 이루어진 조성물을 사용하여 점착층을 형성시켰다. The UV
그리고 상기 연질층(20)은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 직경이 3~15㎛인 크기의 무기필러인 수산화알루미늄 60 중량부, 경화제인 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트 3 중량부 및 용매인 아세트산에틸 60 중량부로 이루어진 조성물을 사용하여 연질층을 형성시켰다.The
그리고 상기 경질층(10b)은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 페놀-포름알데히드 수지 30 중량부, 경화제인 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트 3 중량부, 경화촉진제인 디부틸주석 디라우레이트(시그마알드리치社 제품) 1.0 중량부, 안료인 프탈로시아닌블루(강남제비스코(주)社 제품) 2.0 중량부 및 용매인 아세트산에틸 60 중량부로 이루어진 조성물을 사용하여 경질층을 형성시켰다.To 100 parts by weight of the acrylic copolymer resin, 30 parts by weight of a phenol-formaldehyde resin, 3 parts by weight of a curing agent, 2,6-tolylene diisocyanate, and a hardening accelerator, dibutyltin dilaurate (Sigma Aldrich Ltd.), 2.0 parts by weight of phthalocyanine blue (manufactured by KANJI NISSUKO CO., LTD.) And 60 parts by weight of ethyl acetate as a solvent were used to form a hard layer.
한편, 본 실시 예 1에서 UV 경화형 점착층(30), 연질층(20) 및 경질층(10b)을 형성시키기 위하여 사용한 아크릴 공중합 수지는 부틸아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 메틸메타아크릴레이트, 비닐아크릴레이트, 2-헥실에틸메타아크릴레이트, 글리시딜메타아크릴레이트, 아크릴산 단량체를 유기과산화물을 반응시켜 합성한 것을 사용하였다. On the other hand, the acrylic copolymer resin used for forming the UV curing type pressure-
또한, 상기 표면조도 필름층(10c)은 PET(Polyethylene terephthalate) 필름의 양면의 표면면조도 Ra값이 1~10㎛이 되도록 브러시(Brush)조도처리하였다.In addition, the surface
(비교 예 1)(Comparative Example 1)
도 1의 (c) 도면에 도시된 바와 같은 구조로서, 두께가 30㎛인 PET(Polyethylene terephthalate) 소재의 이형 필름으로 이루어진 박리제층(14)과 상기 박리제층의 하부에 형성시킨 두께가 40㎛인 UV 경화형 점착제층(13)과 상기 UV 경화형 점착제층의 하부에 형성시킨 두께가 100㎛인 요철흡수층(12) 및 상기 요철흡수층의 하부에 형성시킨 두께가 30㎛인 PET(Polyethylene terephthalate) 필름의 기재층(11)의 순으로 적층된 구조를 갖는 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 제조하였다.As shown in Fig. 1 (c), there are provided a
본 비교 예 1에서 UV 경화형 점착제층(13)과 요철흡수층(12)은 상기 실시 예 1에서 사용한 UV 경화형 점착 조성물 및 연질 조성물과 동일한 조성물을 사용하였다.In Comparative Example 1, the UV curable pressure sensitive
(비교 예 2)(Comparative Example 2)
도 2의 도면에 도시된 바와 같은 구조로서, 두께가 50㎛인 UV 경화형 점착제층(6)과 두께가 120㎛인 점착제층(5) 및 두께가 60㎛인 PET(Polyethylene terephthalate) 필름의 기재필름층(4)으로 적층된 구조의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 제조하였다.2, a UV-curing pressure-
본 비교 예 2에서 UV 경화형 점착제층(6)과 점착제층(5)은 상기 실시 예 2에서 사용한 UV 경화형 점착 조성물 및 연질 조성물과 동일한 조성물을 사용하였다.In Comparative Example 2, the UV-curable pressure sensitive adhesive layer (6) and the pressure sensitive adhesive layer (5) were the same compositions as the UV curable pressure sensitive adhesive composition and the soft composition used in Example 2.
2. 자외선 경화형 점착시트의 평가2. Evaluation of UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet
상기 1의 방법에 의해 제조한 실시 예 1, 2 및 비교 예 1, 2의 (1) 자외선 경화형 점착시트에 대한 UV점착층 조사 전후 점착력, (2) UV점착층 전단박리력, (3) 연질층의 전단탄성률, (4) 연질층의 압축변형률, (5) 연질층에 따른 범프(Bump)의 매립성, (6) 반도체 웨이퍼의 파손율, (7) 표면조도 필름의 표면조도에 따른 척 테이블(Chuck table) 밀착력, (8) 표면조도 필름의 표면조도에 따른 연삭후 웨이퍼의 두께 편차, (9) 범프(Bump) 및 범프 패드(Pad)의 오염성에 대하여 평가한 결과는 아래 [표 1]의 내용과 같다. (1) the UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet before and after the UV adhesive layer irradiation, (2) the UV adhesive layer shear peeling force, (3) the softening point of the UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 prepared by the above- (4) the compressive strain of the soft layer, (5) the bump fillability according to the soft layer, (6) the fracture rate of the semiconductor wafer, (7) the surface roughness, (8) Surface roughness The thickness variation of the wafer after grinding according to the surface roughness of the film, and (9) the stain resistance of the bump and the pad were evaluated according to the following Table 1 ].
2)척테이블 밀착력 : Good 5>4>3>2>1 Poor
3)범프 오염성 : Good 5>4>3>2>1 Poor 1) Bump fillability:
2) Chuck table adhesion:
3) Bump stain:
3. 시험방법3. Test method
(1) 점착력 평가(1) Evaluation of cohesion
JIS Z 0237 (KSA-1107) 표준규격에 의거하여, 시험장소의 온도 23±2℃, 습도 50±5%의 환경에서, 시험판 SUS304 (T2mm × W50mm × L125mm) 전용 세척 용제인 알코올, 톨루엔 등을 사용하여 표면을 깨끗이 세척하여 준비하고, 시험편(W25mm × L250mm)을 준비하여 점착면을 아래로 해서 2kg 롤러(Roller)를 이용하여 300mm/min의 속도로 왕복 3회 압착하여 부착시킨다. 부착 후 30분이 경과한 뒤에 인장력 시험기(Adhesion, Release tester, INSTRON MODEL 3343)를 사용하여 시험편과 시험판의 각 끝을 측정기 척(Chuck)으로 고정하고 시험편을 180°당겨 벗김법으로 헤드속도 300±30mm/min.로 당겨 점착력을 평가하였다.(T2 mm x W50 mm x L125 mm), which is a cleaning solvent for test plates SUS304 (T2 mm x W50 mm x L125 mm), in an environment of a temperature of 23 2 deg. C and a humidity of 50 5% according to JIS Z 0237 (KSA- The specimen (W25mm x L250mm) was prepared. The specimen (W25mm x L250mm) was pressed down three times with a pressure of 300mm / min using a 2kg roller with the adhesive side down. After 30 minutes of attachment, each end of the test piece and the test plate is fixed with a measuring chuck by using a tensile tester (Adhesion, Release tester, INSTRON MODEL 3343), and the test piece is pulled by 180 ° to remove the head speed 300 ± 30 mm / min. < / RTI > to evaluate the adhesion.
(2) 전단박리력 평가(2) Evaluation of shear peeling force
점착 시트를 25mm × 250mm × 50㎛의 크기로 재단하여, 이형필름을 박리하고 점착제층을 시험판 SUS304 일면에 부착면적 25mm x 25mm되도록 부착시켰다. 이 때, 점착제의 부착은 JIS Z 0237(KSA-1107) 표준규격에 근거하여, 2kg의 롤러를 이용하여 300mm/min의 속도로 왕복 3회 압착하여 부착시켰다. 부착 후 30분이 경과한 뒤에 인장력 시험기(Adhesion, Release tester, INSTRON MODEL 3343)를 사용하여 시험편과 시험판의 각 끝을 측정기 척(Chuck)으로 고정하고 수직방향(전단방향)으로 헤드속도 300±30mm/min.로 하여 분리되는 시점에서의 전단박리력을 평가하였다.The pressure-sensitive adhesive sheet was cut into a size of 25 mm x 250 mm x 50 m, the release film was peeled off, and the pressure-sensitive adhesive layer was adhered to the test sheet SUS304 so that the adhesion area was 25 mm x 25 mm. At this time, the adhesion of the pressure-sensitive adhesive was carried out using a 2-kg roller at a speed of 300 mm / min three times, reciprocating three times, according to JIS Z 0237 (KSA-1107) standard. After 30 minutes of attachment, each end of the test piece and the test plate was fixed with a measuring chuck by using a tensile tester (Adhesion, Release tester, INSTRON MODEL 3343), and the head speed was 300 ± 30 mm / min. The shear peel force at the time of separation was evaluated.
(3) 전단탄성률 평가(3) Evaluation of shear modulus
기재 및 박리필름을 포함하지 않은 해당 점착제로만 이루어진 점착시트를 0.5~1mm 두께로 제작하여 시편을 준비하여, 써모 피셔 사이언티픽사(ThermoFisher scientific社)의 HAAKE MARS 60 Rheometer를 이용하여 측정조건 50~130℃, 1Hz에서의 전단탄성률을 측정하여, 상온(25℃)의 값으로 평가하였다.The pressure-sensitive adhesive sheet consisting of the pressure-sensitive adhesive without the base material and the release film was prepared to have a thickness of 0.5 to 1 mm, and a specimen was prepared and measured under a measurement condition of 50 to 130 mm using a HAAKE MARS 60 Rheometer from ThermoFisher Scientific Co. Shear elastic modulus at 1 Hz was measured and evaluated at room temperature (25 DEG C).
(4) 압축변형률 평가(4) Evaluation of compressive strain
압축변형율(compression set)을 ASTM D395 방법 B의 표준규격에 의거하여, W10mm × L10mm의 시험편을 제작 및 준비하고, 측정기인 INSTRON MODEL 3343를 사용하여 시험편 두께 방향으로 5mm/min.의 시험속도로 시료에 하중 가하여 측정하였고, 실온 (RT, 본 실시예에서 약 72℉) 및 157℉의 두 조건에서 측정하여 압축변형률을 평가하였다. A compression set of W10 mm × L10 mm was prepared and prepared according to ASTM D395 Method B standard specification, and the sample was measured at a test speed of 5 mm / min in the thickness direction of the test piece using INSTRON MODEL 3343 , And the compressive strain was measured by measuring at two conditions: room temperature (RT, about 72 본 in this example) and 157 캜.
(5) 범프매립성 평가(5) Evaluation of Bump Fillability
UV경화형 점착시트를 하프커팅이 이루어진 Bump와 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(Bump 높이 30㎛ 또는 50㎛)에 롤라미네이터(Roll Laminator)를 이용하여 라미네이션(온도: 50℃, 속도 300mm/min.)을 실시한 후 UV경화형 점착시트 측면에서 광학현미경을 통하여 범프(Bump)와 회로의 매립성을 관찰하였다. The UV-curing type pressure-sensitive adhesive sheet was subjected to lamination (temperature: 50 占 폚, speed 300 mm / min.) Using a roll laminator on a bump half-cut and a semiconductor wafer (bump
(6) 웨이퍼 파손율 평가(6) Evaluation of wafer breakage rate
범프매립성 평가에서와 같이, 하프커팅이 이루어진 범프(Bump)와 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(Bump 높이 30㎛ 또는 50㎛)의 회로가 형성된 측면에 UV경화형 점착시트를 롤라미네이터(Roll Laminator)를 이용하여 라미네이션(온도: 50℃, 속도 300mm/min.)을 실시하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 위한 척테이블에 UV경화형 점착시트면을 접촉하여 고정시켜, 반도체 웨이퍼 이면 연삭(Back Grinding)을 실행하였다. 연삭 후 UV 조사를 하여 UV경화형 점착시트를 박리하고 광학 현미경을 통하여 아래 식에 의해 웨이퍼의 파손율을 평가하였다. A UV curable pressure sensitive adhesive sheet was applied to a side surface of a semiconductor wafer (30 μm or 50 μm high in bump height) on which a half-cut bump and a circuit were formed by using a roll laminator (Temperature: 50 占 폚, speed: 300 mm / min.), And a UV curable pressure sensitive adhesive sheet surface was contacted and fixed to a chuck table for back grinding of a semiconductor wafer, and back grinding of the semiconductor wafer was carried out . After the grinding, the wafer was subjected to UV irradiation to peel off the UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet, and the breakage rate of the wafer was evaluated by the following formula through an optical microscope.
(7) 척 테이블 밀착력 평가(7) Chuck table adhesion evaluation
850 ㎛으로 두께가 균일한 반도체 웨이퍼의 한쪽 측면에 UV경화형 점착시트를 롤라미네이터(Roll Laminator)를 이용하여 라미네이션(온도: 50℃, 속도 300mm/min.)을 실시하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 위한 척 테이블에 UV경화형 점착시트면을 접촉하여 고정시켜, 반도체 웨이퍼 이면 연삭(Back Grinding)을 실행하였다. 연삭 후 척 테이블 상에서 UV경화형 점착시트의 초기 밀착위치로부터 위치이동 정도를 평가하였다. A UV curable pressure sensitive adhesive sheet was laminated on one side of a semiconductor wafer having a uniform thickness of 850 占 퐉 by using a roll laminator (temperature: 50 占 폚, speed 300 mm / min.), The UV curable adhesive sheet was brought into contact with the chuck table for fixation, and back grinding of the semiconductor wafer was carried out. After the grinding, the degree of positional shift from the initial adhesion position of the UV-curable adhesive sheet on the chuck table was evaluated.
(8) 웨이퍼 두께편차 평가(8) Evaluation of wafer thickness variation
척테이블 밀착력 평가에서와 같이, 850㎛으로 두께가 균일한 반도체 웨이퍼의 한쪽 측면에 UV경화형 점착시트를 롤라미네이터(Roll Laminator)를 이용하여 라미네이션(온도: 50℃, 속도 300mm/min.)을 실시하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 위한 척 테이블에 UV경화형 점착시트면을 접촉하여 고정시켜, 반도체 웨이퍼 이면 연삭(Back Grinding)을 실행하였다. 연삭 후 UV 조사를 하여 UV경화형 점착시트를 박리하고 비접촉 마이크로 두께측정기를 이용하여 반도체 웨이퍼의 두께 편차를 평가하였다. As in the evaluation of the chuck table adhesion, a UV curable pressure sensitive adhesive sheet was laminated on one side of a semiconductor wafer having a uniform thickness of 850 mu m using a roll laminator (temperature: 50 DEG C, speed 300 mm / min.) The UV curable adhesive sheet was brought into contact with and fixed to a chuck table for back grinding the semiconductor wafer, and back grinding of the semiconductor wafer was performed. After the grinding, the UV curable adhesive sheet was peeled off by UV irradiation, and the thickness deviation of the semiconductor wafer was evaluated using a non-contact micro thickness measuring machine.
(9) 범프오염성 평가(9) Bump stain evaluation
웨이퍼 파손율 평가에서와 같이, 하프커팅이 이루어진 범프(Bump)와 회로가 형성된 반도체 웨이퍼(Bump 높이 30㎛ 또는 50㎛)의 회로가 형성된 측면에 UV경화형 점착시트를 롤라미네이터(Roll Laminator)를 이용하여 라미네이션(온도: 50℃, 속도 300mm/min.)을 실시하고, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭을 위한 척테이블에 UV경화형 점착시트면을 접촉하여 고정시켜, 반도체 웨이퍼 이면 연삭(Back Grinding)을 실행하였다. 연삭 후 UV 조사를 하여 UV경화형 점착시트를 박리하고 광학 현미경을 통하여 범프오염성을 평가하였다. As in the evaluation of the wafer breakage rate, a UV-curable pressure sensitive adhesive sheet was applied to a side where a half-cut bump and a semiconductor wafer (
상기 [표 1]에서 나타나는 바와 같이 실시 예 1, 2는 비교 예 1, 2에 비해 아래 (1) 내지 (8)의 물성평가 항목이 모두 우수한 것으로 나타났다. As shown in the above Table 1, Examples 1 and 2 were superior to the Comparative Examples 1 and 2 in the evaluation of the following items (1) to (8).
그리고, 비교 예 1의 경우에는 범프(Bump)의 크렉(Crack)과 치핑(Chipping)과 같은 반도체 웨이퍼의 파손율이 높게 나타났으며, 비교 예 2의 경우에는 반도체 웨이퍼의 파손과 연삭수의 침투로 반도체 웨이퍼의 오염도 함께 발생한 것으로 나타났다. In Comparative Example 1, breakage rates of semiconductor wafers such as cracks and chipping of bumps were high. In Comparative Example 2, breakage of semiconductor wafers and penetration of grinding water The contamination of semiconductor wafers was also occurred.
참고로, 본 명세서에 첨부된 도면인 도 5 내지 도 8은 실시 예 1 및 비교 예 1에 대한 반도체 웨이퍼의 칩 가공 상태 및 범프(Bump) 및 범프 패드(Pad)의 오염성에 대한 사진을 찍은 것이다. 5 to 8, which are drawings attached to the present specification, are photographs of a chip processing state of a semiconductor wafer and a stain property of a bump and a bump pad according to Example 1 and Comparative Example 1 .
본 발명에 따른 실시 예 1의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 사용하여 반도체 웨이퍼의 가공 후, 도 5(광학현미경 배율 100배)에 도시된 사진과 같이 칩의 깨어짐 현상이 없으며, 도 6(광학현미경 배율 150배)에 도시된 바와 같이 범프(Bump)(도 6a) 및 범프 패드(Pad)(도 6b)가 오염되지 않은데 반해 비교 예 1의 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트는 반도체 웨이퍼의 가공 후, 도 7(광학현미경 배율 100배)에 도시된 사진과 같이 칩의 깨어짐 현상이 나타났으며, 도 8(광학현미경 배율 50배, 100배)에 도시된 바와 같이 범프(Bump)(도 8a) 및 범프 패드(Pad)(도 8b)가 오염된 것이 확인되었다. After the processing of the semiconductor wafer using the ultraviolet curing type pressure-sensitive adhesive sheet for back-grinding processing of the semiconductor wafer of Example 1 according to the present invention, there was no chip breaking phenomenon as shown in Fig. 5 (optical microscope magnification 100 times) The bump (Fig. 6A) and the bump pad (Fig. 6B) were not contaminated as shown in Fig. 6 (optical microscope magnification: 150 times) After the processing of the semiconductor wafer, the chips were cracked as shown in Fig. 7 (optical microscope magnification 100 times), and as shown in Fig. 8 (optical microscope magnification 50 times, 100 times) Bump (FIG. 8A) and bump pad (FIG. 8B) were found to be contaminated.
상술한 바와 같은, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트를 설명하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다는 것을 이 분야의 통상적인 기술자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. Although the above-described ultraviolet curable adhesive sheet for back grinding of a semiconductor wafer on which a circuit and a bump are formed according to the preferred embodiment of the present invention has been described, this is merely an illustrative example, and the present invention is not limited thereto It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention.
10 : 기재층 10a : 기재 필름층
10b : 경질층 10c : 표면조도 필름층
20 : 연질층 30 : UV 경화형 점착층
40 : 이형 필름층10:
10b:
20: soft layer 30: UV curing type adhesive layer
40: release film layer
Claims (8)
상기 기재층의 상부에 형성시킨 연질층과,
상기 연질층의 상부에 형성시킨 UV 경화형 점착층 및,
상기 UV 경화형 점착층의 상부에 형성시킨 이형처리된 필름으로 이루어진 이형 필름층의 순으로 적층된 구조이되,
상기 기재필름과 표면조도 처리된 필름 및 이형처리된 필름은 각각 PET(Polyethylene terephthalate), LLDPE(Linear low-density polyethylene), EVA(Ethylene vinyl acetate), 폴리이미드(Polyimide), TPO(Thermoplastic olefinic elastomer), PU(Polyurethane) 또는 LDPE(Low density polyethylene) 소재의 필름 중에서 선택사용하고,
상기 경질층은 경질 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 경질 조성물은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 페놀-포름알데히드 수지 5~30 중량부, 경화제 0.1~3 중량부, 경화촉진제 0.01~1.0 중량부, 안료 0.1~2.0 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어지며,
상기 연질층은 연질 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 연질 조성물은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 충진제 5~60 중량부, 경화제 0.1~3 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어지며,
상기 UV 경화형 점착층은 UV 경화형 점착 조성물을 사용하여 형성시킨 층으로, 상기 UV 경화형 점착 조성물은 아크릴 공중합 수지 100 중량부에 점착력 증진제 3~15 중량부, 경화제 1~10 중량부, 광개시제 1~5 중량부 및 용매 10~60 중량부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로와 범프가 형성된 반도체 웨이퍼의 하프커팅 후 이면 연삭 가공용 자외선 경화형 점착시트.A substrate layer laminated in the order of a base film layer made of a corona-treated film on both sides, a hard layer and a surface roughness film layer made of a surface-roughened film,
A soft layer formed on the base layer,
A UV curable pressure sensitive adhesive layer formed on the soft layer,
And a release film layer formed of a release-treated film formed on the UV curable pressure-sensitive adhesive layer in this order,
The base film, the surface-roughened film and the release-treated film are made of polyethylene terephthalate (PET), linear low-density polyethylene (LLDPE), ethylene vinyl acetate (EVA), polyimide, thermoplastic olefinic elastomer (TPO) , Polyurethane (PU), or low density polyethylene (LDPE)
Wherein the hard layer is a layer formed by using a hard composition, wherein the hard composition comprises 5 to 30 parts by weight of a phenol-formaldehyde resin, 0.1 to 3 parts by weight of a curing agent, 0.01 to 1.0 part by weight of a curing accelerator, 0.1 to 2.0 parts by weight of a pigment and 10 to 60 parts by weight of a solvent,
Wherein the soft layer is composed of 5 to 60 parts by weight of a filler, 0.1 to 3 parts by weight of a curing agent and 10 to 60 parts by weight of a solvent in 100 parts by weight of an acrylic copolymer resin,
The UV curable pressure sensitive adhesive composition is a layer formed by using a UV curable pressure sensitive adhesive composition, wherein the UV curable pressure sensitive adhesive composition comprises 3 to 15 parts by weight of an adhesion promoting agent, 1 to 10 parts by weight of a curing agent, And 10 to 60 parts by weight of a solvent. The adhesive sheet for ultraviolet curing is subjected to half-cutting of a semiconductor wafer on which a bump is formed and a bump is formed.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160083002A KR101676025B1 (en) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | Ultraviolet-curable adhesive sheet for grinding of back side after half-cut of a semiconductor wafer formed of circuit and Bumps |
| CN201680005445.6A CN107924864B (en) | 2016-06-30 | 2016-07-15 | Ultraviolet-curable adhesive sheet for back grinding after semiconductor wafer half-dicing |
| PCT/KR2016/007755 WO2018004050A1 (en) | 2016-06-30 | 2016-07-15 | Ultraviolet-curable adhesive sheet for backside grinding after half-cutting semiconductor wafer |
| TW106121864A TWI634190B (en) | 2016-06-30 | 2017-06-29 | Ultraviolet hardening adhesive sheet for back grinding after semi-cutting of semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160083002A KR101676025B1 (en) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | Ultraviolet-curable adhesive sheet for grinding of back side after half-cut of a semiconductor wafer formed of circuit and Bumps |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101676025B1 true KR101676025B1 (en) | 2016-11-15 |
Family
ID=57525453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160083002A KR101676025B1 (en) | 2016-06-30 | 2016-06-30 | Ultraviolet-curable adhesive sheet for grinding of back side after half-cut of a semiconductor wafer formed of circuit and Bumps |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101676025B1 (en) |
| CN (1) | CN107924864B (en) |
| TW (1) | TWI634190B (en) |
| WO (1) | WO2018004050A1 (en) |
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|---|---|
| TW201811954A (en) | 2018-04-01 |
| WO2018004050A1 (en) | 2018-01-04 |
| CN107924864B (en) | 2021-08-27 |
| CN107924864A (en) | 2018-04-17 |
| TWI634190B (en) | 2018-09-01 |
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