JP7326248B2 - Adhesive tape and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Adhesive tape and method for manufacturing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP7326248B2
JP7326248B2 JP2020508291A JP2020508291A JP7326248B2 JP 7326248 B2 JP7326248 B2 JP 7326248B2 JP 2020508291 A JP2020508291 A JP 2020508291A JP 2020508291 A JP2020508291 A JP 2020508291A JP 7326248 B2 JP7326248 B2 JP 7326248B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base material
adhesive tape
meth
acrylate
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2020508291A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2019181730A1 (en
Inventor
康彦 垣内
淳 前田
卓生 西田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Publication of JPWO2019181730A1 publication Critical patent/JPWO2019181730A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7326248B2 publication Critical patent/JP7326248B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Description

本発明は粘着テープに関し、さらに詳しくはいわゆる先ダイシング法により半導体装置を製造する際に、半導体ウエハやチップを一時的に固定するために好ましく使用される粘着テープ、及びその粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an adhesive tape, and more specifically, an adhesive tape preferably used for temporarily fixing a semiconductor wafer or chip when manufacturing a semiconductor device by a so-called pre-dicing method, and a semiconductor using the adhesive tape. It relates to a method of manufacturing an apparatus.

各種電子機器の小型化、多機能化が進む中、それらに搭載される半導体チップも同様に、小型化、薄型化が求められている。チップの薄型化のために、半導体ウエハの裏面を研削して厚さ調整を行うことが一般的である。また、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削により溝の底部を除去してウエハを個片化し、チップを得る先ダイシング法と呼ばれる工法を利用することもある。先ダイシング法では、ウエハの裏面研削と、ウエハの個片化を同時に行うことができるので、薄型チップを効率よく製造できる。 As various electronic devices are becoming smaller and more multifunctional, semiconductor chips mounted on them are also required to be smaller and thinner. In order to make the chip thinner, it is common to grind the back surface of the semiconductor wafer to adjust the thickness. In addition, after forming grooves of a predetermined depth from the front side of the wafer, grinding is performed from the back side of the wafer, the bottom of the grooves is removed by grinding, the wafer is singulated, and chips are obtained by a method called a pre-dicing method. may also be used. In the pre-dicing method, since the back surface of the wafer can be ground and the wafer can be singulated at the same time, thin chips can be manufactured efficiently.

従来、半導体ウエハの裏面研削時や、先ダイシング法によるチップの製造時には、ウエハ表面の回路を保護し、また、半導体ウエハ及び半導体チップを固定しておくために、ウエハ表面にバックグラインドシートと呼ばれる粘着テープを貼付するのが一般的である。 Conventionally, when grinding the back surface of a semiconductor wafer or manufacturing chips by the pre-dicing method, in order to protect the circuits on the wafer surface and to fix the semiconductor wafer and semiconductor chips, a back grind sheet is placed on the wafer surface. Adhesive tape is commonly applied.

先ダイシング法において使用するバックグラインドシートとしては、基材と、基材の一方の面に設けた粘着剤層とを備える粘着テープが使用されている。このような粘着テープの一例として、特開2008-251934号公報(特許文献1)には、基材フィルム上に放射線硬化性粘着剤層を設けた半導体ウエハ加工用粘着テープが提案されている。 As the back grind sheet used in the pre-dicing method, an adhesive tape comprising a substrate and an adhesive layer provided on one surface of the substrate is used. As an example of such an adhesive tape, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-251934 (Patent Document 1) proposes an adhesive tape for semiconductor wafer processing, in which a radiation-curable adhesive layer is provided on a base film.

上記のような先ダイシング法によるウエハの個片化時には、裏面研削を行う際に、研削時に発生する熱や研削屑を除去するため、研削面に水を供給しながら裏面研削を行う。しかし、このような従来の裏面研削では、チップ裏面に研削痕が残り、またチップの端部には微小な欠け(チッピング)が発生するため、チップの抗折強度を損なう要因となることが判明した。特にチップの薄型化の結果、チップは破損しやすくなり、抗折強度の低下は問題視されている。 When the wafer is singulated by the pre-dicing method as described above, the back surface is ground while supplying water to the grinding surface in order to remove heat and grinding dust generated during grinding. However, it has been found that this conventional back-grinding leaves a grinding mark on the back surface of the chip and causes minute chipping at the edge of the chip, which impairs the chip's bending strength. did. In particular, as a result of the thinning of the chip, the chip becomes more susceptible to breakage, and a decrease in the bending strength is regarded as a problem.

特開2008-251934号公報JP 2008-251934 A

上記のような研削痕やチップの微小な欠け(以下、これらを総称して「ダメージ部」と呼ぶことがある)を除去するため、水を用いた裏面研削後に、さらに最終的に水を用いないドライポリッシュによりダメージ部を除去し、チップの抗折強度を向上させることが検討されている。しかし、ドライポリッシュ時には水は使用されないため、チップは熱を帯びる。チップの熱は粘着テープに伝搬する。この結果、ドライポリッシュ時には、粘着テープの基材温度が60℃以上になる場合がある。 In order to remove the above-mentioned grinding marks and small chips of chips (hereinafter collectively referred to as "damaged parts"), after back grinding using water, water is finally used. It is being considered to remove the damaged portion by dry polishing to improve the die strength of the chip. However, since no water is used during dry polishing, the chips get hot. The heat of the chip propagates to the adhesive tape. As a result, the substrate temperature of the adhesive tape may reach 60° C. or higher during dry polishing.

粘着テープの基材は、樹脂フィルムから形成されているため、熱により変形しやすい。裏面研削時には、粘着テープの基材面側から吸引を行い、粘着テープを固定しているが、粘着テープの端部においては吸引力が不足することがある。この際に粘着テープの基材が熱により僅かでも変形すると、端部において粘着テープの固定が不十分になり、粘着テープ端部がカールすることがある。この結果、粘着テープ上のチップが剥離する。チップの剥離は歩留りの低下を招くだけではなく、剥離したチップが、他のチップに接触して他のチップを破損し、また研削装置に損傷を与えたり、次工程への搬送不良原因となる。 Since the base material of the adhesive tape is formed from a resin film, it is easily deformed by heat. During back grinding, the adhesive tape is fixed by suction from the side of the base material of the adhesive tape, but the suction force may be insufficient at the ends of the adhesive tape. At this time, if the base material of the adhesive tape is deformed even slightly by heat, the adhesive tape may not be sufficiently fixed at the edge, and the edge of the adhesive tape may curl. As a result, the chips on the adhesive tape are peeled off. Chip detachment not only lowers the yield, but the detached chip may come into contact with other chips, damage other chips, damage the grinding equipment, and cause transport failures to the next process. .

したがって、本発明は、半導体ウエハ等の加工時にウエハやチップ等を安定して保持できる粘着テープを提供することを目的としている。特に、いわゆる先ダイシング法において、ドライポリッシュを行った場合であってもチップを安定して保持できる粘着テープを提供することを目的としている。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an adhesive tape capable of stably holding wafers, chips, and the like during processing of semiconductor wafers and the like. In particular, it is an object of the present invention to provide an adhesive tape capable of stably holding chips even when dry polishing is performed in the so-called pre-dicing method.

このような課題の解決を目的とした本発明の要旨は以下の通りである。
(1)基材と、その片面に設けられた粘着剤層とを含む粘着テープであって、
前記基材の60℃TMA値の絶対値が30μm以下である粘着テープ。
(2)前記基材を60℃で3分保持した後の寸法変化率の絶対値が0.8%以下である
(1)に記載の粘着テープ。
(3)前記基材の23℃における引張弾性率(E23)と60℃における引張弾性率(
60)とから求められる弾性率変化率E(23-60)が30%以下である(1)または(2)に記載の粘着テープ。
(4)半導体ウエハ表面に溝が形成された半導体ウエハの裏面を研削して、その研削に
より半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程において、半導体ウエハの表面に貼付されて使用される、(1)~(3)の何れかに記載の粘着テープ。
(5)前記半導体ウエハを半導体チップに個片化した後、ドライポリッシュを行う工程を含む、(4)に記載の粘着テープ。
(6)半導体ウエハの表面側から溝を形成する工程と、
上記(1)~(4)の何れか1項に記載の粘着テープを、前記半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝の底部を除去して複数のチップに個片化させる工程と、
前記複数のチップから粘着テープを剥離する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
(7)前記半導体ウエハを半導体チップに個片化した後、ドライポリッシュを行う工程を含む、(6)に記載の半導体装置の製造方法。
The gist of the present invention for the purpose of solving such problems is as follows.
(1) An adhesive tape comprising a substrate and an adhesive layer provided on one side thereof,
The pressure-sensitive adhesive tape, wherein the substrate has an absolute value of 60° C. TMA value of 30 μm or less.
(2) The pressure-sensitive adhesive tape according to (1), wherein the absolute value of the dimensional change after holding the substrate at 60° C. for 3 minutes is 0.8% or less.
(3) The tensile modulus of elasticity of the substrate at 23°C (E 23 ) and the tensile modulus of elasticity at 60°C (
E 60 ) and the elastic modulus change rate E (23-60) of 30% or less.
(4) Grinding the back surface of the semiconductor wafer with grooves formed on the surface of the semiconductor wafer, and in the process of singulating the semiconductor wafer into semiconductor chips by grinding, it is attached to the surface of the semiconductor wafer and used. The pressure-sensitive adhesive tape according to any one of 1) to (3).
(5) The pressure-sensitive adhesive tape according to (4), including a step of performing dry polishing after singulating the semiconductor wafer into semiconductor chips.
(6) forming grooves from the surface side of the semiconductor wafer;
A step of attaching the adhesive tape according to any one of (1) to (4) above to the surface of the semiconductor wafer;
a step of grinding the semiconductor wafer having the adhesive tape attached to the front surface and having the grooves formed therein from the rear surface side to remove the bottoms of the grooves and singulate into a plurality of chips;
peeling off the adhesive tape from the plurality of chips;
A method of manufacturing a semiconductor device comprising:
(7) The method of manufacturing a semiconductor device according to (6), including a step of performing dry polishing after singulating the semiconductor wafer into semiconductor chips.

本発明に係る粘着テープは、熱による基材の変形を極めて低いレベルに抑えることで、ドライポリッシュ時のカールを防止できる。このため、ドライポリッシュ工程を含む先ダイシング法でも高い歩留りで半導体チップを製造することができる。
また、本発明の粘着テープは、熱変形が極めて低いレベルに抑制されているため、通常の裏面研削工程においても使用することができる。
The pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention can prevent curling during dry polishing by suppressing deformation of the base material due to heat to an extremely low level. Therefore, semiconductor chips can be manufactured with a high yield even by a pre-dicing method including a dry polishing process.
Moreover, since the adhesive tape of the present invention is suppressed in thermal deformation to an extremely low level, it can be used even in a normal back grinding process.

以下、本発明に係る粘着テープについて、具体的に説明する。まず、本明細書で使用する主な用語を説明する。
本明細書において、例えば「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の双方を示す語として用いており、他の類似用語についても同様である。
The adhesive tape according to the present invention will be specifically described below. First, major terms used in this specification will be explained.
In this specification, for example, "(meth)acrylate" is used as a term indicating both "acrylate" and "methacrylate", and the same applies to other similar terms.

粘着テープとは、基材と、その片面に設けられた粘着剤層とを含む積層体を意味し、これら以外の他の構成層を含むことを妨げない。たとえば、粘着剤層側の基材表面には基材表面と粘着剤層界面での密着性向上や低分子量成分の移行防止等を目的としプライマー層が形成されていてもよく、粘着剤層の表面には、使用時まで粘着剤層を保護するための剥離シートが積層されていてもよい。また、基材は単層であってもよく、多層であってもよい。粘着剤層も同様である。
半導体ウエハの「表面」とは回路が形成された面を指し、「裏面」は回路が形成されていない面を指す。
半導体ウエハの個片化とは、半導体ウエハを回路毎に分割し、半導体チップを得ることを言う。
The adhesive tape means a laminate including a base material and an adhesive layer provided on one side thereof, and may include other constituent layers. For example, a primer layer may be formed on the substrate surface on the adhesive layer side for the purpose of improving adhesion at the interface between the substrate surface and the adhesive layer and preventing migration of low-molecular-weight components. A release sheet may be laminated on the surface to protect the pressure-sensitive adhesive layer until use. Moreover, the base material may be a single layer or may be a multilayer. The same applies to the adhesive layer.
The "front surface" of a semiconductor wafer refers to the surface on which circuits are formed, and the "back surface" refers to the surface on which no circuits are formed.
Separation of a semiconductor wafer means dividing the semiconductor wafer into individual circuits to obtain semiconductor chips.

ドライポリッシュとは、水や砥粒のスラリーを用いずに研磨パフにより研磨する工程を意味する。研磨パフとしては各種汎用の研磨パフが用いられ、市販品としては、ディスコ社の研磨ホイール「Gettering DP」や、「DP08 SERIES」が用いられるが、これらに限定されない。ドライポリッシュによりチップのダメージ部、すなわち研削痕やチップの微小な欠け(チッピング)を除去する。
先ダイシング法とは、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、研削によりウエハを個片化する方法を言う。
Dry polishing refers to a process of polishing with a polishing puff without using water or slurry of abrasive grains. As the polishing puff, various general-purpose polishing puffs are used, and commercially available polishing wheels such as Disco's "Gettering DP" and "DP08 SERIES" are used, but are not limited to these. Dry polishing removes the damaged portion of the chip, that is, the grinding marks and minute chips (chipping) of the chip.
The pre-dicing method refers to a method of forming grooves of a predetermined depth from the front surface of the wafer, grinding the back surface of the wafer, and dividing the wafer into individual pieces by grinding.

次に、本発明の粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。
[基材]
(基材物性)
粘着テープの基材としては、60℃TMA値の絶対値が30μm以下であるフィルムまたはシートが用いられる。
60℃TMA値の絶対値は、基材を構成するフィルムまたはシートと同一の材質からなる15mm(幅)×10mm(長さ)の測定用フィルムを用い、BRUKER社製4000SAにより、荷重2g、昇温速度5℃/分で測定用フィルムの伸びまたは縮みを測定し(TMA値)、60℃における値の絶対値をいう。上記以外の測定条件については、測定装置の操作マニュアルに準じて設定する。測定用フィルムが伸びた場合には、TMA値はプラスであり、縮んだ場合にはマイナスになる。本明細書では10個以上のサンプルについて測定し、得られたTMA値を平均し、絶対値により評価する。
Next, the configuration of each member of the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention will be described in more detail.
[Base material]
(Base material properties)
A film or sheet having an absolute value of 60° C. TMA value of 30 μm or less is used as the substrate of the adhesive tape.
The absolute value of the 60°C TMA value was measured using a measuring film of 15 mm (width) x 10 mm (length) made of the same material as the film or sheet composing the base material, using a BRUKER 4000SA, with a load of 2 g. The elongation or shrinkage of the film for measurement is measured at a temperature rate of 5°C/min (TMA value), and the absolute value at 60°C is referred to. Measurement conditions other than the above are set according to the operation manual of the measurement device. The TMA value is positive if the measuring film stretches and negative if it shrinks. In this specification, 10 or more samples are measured, the obtained TMA values are averaged, and evaluated as an absolute value.

60℃TMA値の絶対値は、60℃における基材の変形性の指標の1つであり、値が低いほど変形が抑制されていることを意味する。したがって60℃TMA値の絶対値が30μm以下の基材は、60℃における熱変形が極めて少ない。粘着テープの基材として汎用されているポリ塩化ビニルでは40μm程度であり、エチレン/メタクリル酸共重合体では220μm程度である。 The absolute value of the 60° C. TMA value is one index of the deformability of the base material at 60° C., and the lower the value, the more suppressed the deformation. Therefore, a base material having an absolute value of 60°C TMA value of 30 µm or less undergoes very little thermal deformation at 60°C. Polyvinyl chloride, which is widely used as a base material for adhesive tapes, has a thickness of about 40 μm, and ethylene/methacrylic acid copolymer has a thickness of about 220 μm.

60℃TMA値の絶対値が30μm以下であると、ドライポリッシュ時に粘着テープが60℃前後に加熱されても変形が抑制され、粘着テープの端部におけるチップの剥離が低減される。何ら理論的に拘束されるものではないが、かかる効果の発現のメカニズムは以下のように推定される。半導体ウエハは直径が6インチあるいは8インチ、さらには12インチと大口径化しつつある。そして、ウエハの外周部には回路が形成されていない余剰領域が形成されている。裏面研削時あるいは先ダイシング時にウエハの回路面に貼付される粘着テープは、半導体ウエハと略同サイズである。60℃TMA値の絶対値が上記範囲にあり、粘着テープが比較的大面積であれば、基材の熱変形による影響は全体としては軽微であるため、粘着テープの端部が僅かにカールしても、その影響は余剰領域に留められ、製品チップの剥離、脱落を引き起こすことはない。また、余剰領域における粘着テープの変形も少なく、余剰領域の廃棄チップの脱落も低減される。一方、60℃TMA値の絶対値が30μmを超えると、基材の熱変形による粘着テープのカールが、回路形成領域にも及ぶため、製品チップや余剰領域のチップが多数剥離、脱落し、歩留りの低下を招くだけではなく、剥離したチップが、他のチップに接触して他のチップを破損したり、また研削装置に損傷を与えたり、次工程への搬送不良原因となる。 When the absolute value of the 60° C. TMA value is 30 μm or less, deformation is suppressed even if the adhesive tape is heated to around 60° C. during dry polishing, and peeling of chips at the edge of the adhesive tape is reduced. Although not bound by any theory, the mechanism of manifestation of such effects is presumed as follows. The diameter of semiconductor wafers is increasing to 6 inches, 8 inches, and even 12 inches. A surplus region in which no circuit is formed is formed in the outer peripheral portion of the wafer. The adhesive tape attached to the circuit surface of the wafer during back grinding or pre-dicing has approximately the same size as the semiconductor wafer. If the absolute value of the 60° C. TMA value is within the above range and the adhesive tape has a relatively large area, the effect of thermal deformation of the base material is slight overall, so the edges of the adhesive tape curl slightly. However, the influence is limited to the surplus area and does not cause peeling or falling off of the product chip. In addition, deformation of the adhesive tape in the surplus area is small, and drop-off of discarded chips in the surplus area is reduced. On the other hand, when the absolute value of the 60° C. TMA value exceeds 30 μm, the curling of the adhesive tape due to thermal deformation of the base material extends to the circuit forming area, so many product chips and chips in the surplus area peel off and fall off, resulting in a decrease in yield. In addition, the peeled chips may come into contact with other chips and damage the other chips, damage the grinding machine, or cause defective transportation to the next process.

基材の60℃TMA値の絶対値は、好ましくは5~25μmである。さらに好ましくは10~20μmである。 The absolute value of the 60° C. TMA value of the substrate is preferably between 5 and 25 μm. More preferably, it is 10 to 20 μm.

60℃TMA値の絶対値は低いほど好ましいが、低すぎる基材は、柔軟性に欠けることが多く、上記の範囲とすることが好ましい。基材が過度に硬い場合には、貼付性に劣り、また裏面研削時に回路面に圧力がかかり、チップの微小な欠け(チッピング)が発生したり回路やバンプ電極を傷つけることがある。ただし、フィルムが十分に柔軟な場合には、60℃TMA値の絶対値は5μm以下であってもよく、7μm以下であってもよい。 Although the absolute value of the 60° C. TMA value is preferably as low as possible, substrates with too low a TMA value tend to lack flexibility, so the above range is preferred. If the base material is excessively hard, the adhesiveness is poor, and pressure is applied to the circuit surface during back grinding, which may cause chipping or damage to the circuit or bump electrodes. However, if the film is sufficiently flexible, the absolute value of the 60° C. TMA value may be 5 μm or less, or may be 7 μm or less.

また、基材を60℃で3分保持した後の寸法変化率の絶対値は好ましくは0.8%以下である。寸法変化率の測定は、JIS C2151、ASTM D1204に準拠するが、測定温度は60℃、保持時間は3分とする。 Also, the absolute value of the dimensional change rate after holding the substrate at 60° C. for 3 minutes is preferably 0.8% or less. The dimensional change rate is measured according to JIS C2151 and ASTM D1204, and the measurement temperature is 60° C. and the holding time is 3 minutes.

寸法変化率は、基材を構成するフィルムまたはシートと同一の材質からなる10cm×10cmの測定用フィルムを用いて測定する。測定用フィルムの寸法は23℃での測定値である。測定用サンプルを熱風循環式恒温槽中に、所定温度で所定時間静置する。その後、室温(23℃)まで冷却した後、加熱前の23℃における一辺の長さ(10cm:L)と、加熱後の23℃における同じ辺の長さ(L)とから以下の式により寸法変化率を求める。本明細書では10個以上のサンプルについて測定し、得られた寸法変化率を平均し、絶対値により評価する。なお、測定値はMD方向の測定値を使用する。
寸法変化率(%)=100×(L-L)/L
The dimensional change rate is measured using a measuring film of 10 cm×10 cm made of the same material as the film or sheet constituting the substrate. The dimensions of the measuring film are measured at 23°C. A sample for measurement is placed in a hot air circulating constant temperature bath at a predetermined temperature for a predetermined period of time. Then, after cooling to room temperature (23 ° C.), the following formula is obtained from the length of one side at 23 ° C. before heating (10 cm: L 0 ) and the length of the same side at 23 ° C. after heating (L 1 ) Calculate the dimensional change rate. In this specification, 10 or more samples are measured, the resulting dimensional change rates are averaged, and evaluated as an absolute value. In addition, the measured value uses the measured value of MD direction.
Dimensional change rate (%) = 100 x (L 0 - L 1 )/L 0

60℃3分での寸法変化率の絶対値は、60℃における基材の変形性の指標の1つであり、値が低いほど変形が抑制されていることを意味する。したがって60℃3分での寸法変化率の絶対値が0.8%以下の基材は、60℃における熱変形が極めて少ない。粘着テープの基材として汎用されているポリ塩化ビニルでは0.9%程度であり、エチレン/メタクリル酸共重合体では1%程度である。 The absolute value of the dimensional change rate at 60°C for 3 minutes is one index of the deformability of the base material at 60°C, and the lower the value, the more suppressed the deformation. Therefore, a base material having an absolute value of 0.8% or less of a dimensional change rate at 60°C for 3 minutes has very little thermal deformation at 60°C. Polyvinyl chloride, which is widely used as a base material for adhesive tapes, has a content of about 0.9%, and ethylene/methacrylic acid copolymer has a content of about 1%.

60℃3分での寸法変化率の絶対値が0.8%以下であると、ドライポリッシュ時に粘着テープが60℃前後に加熱されても変形が抑制され、粘着テープの端部におけるチップの剥離が低減される。何ら理論的に拘束されるものではないが、かかる効果の発現のメカニズムは上記のTMA値と同様に、基材の熱変形による影響は全体としては軽微であるため、粘着テープの端部が僅かにカールしても、その影響は余剰領域に留められ、製品チップの剥離、脱落を引き起こすことはないためと考えられる。また、余剰領域における粘着テープの変形も少なく、余剰領域のチップの脱落も低減される。一方、60℃3分での寸法変化率の絶対値が0.8%を超えると、基材の熱変形による粘着テープのカールが、回路形成領域にも及ぶため、製品チップや余剰領域のチップが多数剥離、脱落し、歩留りの低下を招くだけではなく、剥離したチップが、他のチップに接触して他のチップを破損したり、また研削装置に損傷を与えたり、次工程への搬送不良原因となることがある。 When the absolute value of the dimensional change rate at 60° C. for 3 minutes is 0.8% or less, deformation is suppressed even when the adhesive tape is heated to around 60° C. during dry polishing, and the chip peels off at the end of the adhesive tape. is reduced. Although not bound by any theory, the mechanism of manifestation of such an effect is similar to the above TMA value, because the effect of thermal deformation of the base material is generally slight, so that the end of the adhesive tape is slightly It is considered that even if the curling is to 100 degrees, the influence is limited to the surplus area, and the peeling and dropping of the product chip are not caused. In addition, deformation of the adhesive tape in the surplus area is small, and falling off of chips in the surplus area is reduced. On the other hand, when the absolute value of the dimensional change rate at 60°C for 3 minutes exceeds 0.8%, the curling of the adhesive tape due to thermal deformation of the base material extends to the circuit forming area, so the product chips and chips in the surplus area Not only do many chips peel off and fall off, which not only causes a decrease in yield, but also the peeled chips may come into contact with other chips and damage other chips, damage the grinding equipment, or transfer to the next process. It may cause defects.

60℃3分での寸法変化率の絶対値は、低いほど良好な結果となり、さらに好ましくは0~0.5%である。また本発明の別の態様では、0.5~0.8%であってもよい。基材の60℃3分での寸法変化率の絶対値は、より好ましくは0~0.2%であり、最も好ましくは0%である。 The lower the absolute value of the dimensional change rate at 60° C. for 3 minutes, the better the results, and more preferably 0 to 0.5%. In another aspect of the invention, it may be 0.5 to 0.8%. The absolute value of the dimensional change rate of the substrate at 60° C. for 3 minutes is more preferably 0 to 0.2%, most preferably 0%.

また、基材の熱変形性を、常温での引張弾性率に対する所定温度における引張弾性率の変化率によって評価することもできる。常温(23℃)における引張弾性率(E23)と所定温度(n℃)での引張弾性率(E)とから、23℃からn℃までの温度変化における弾性率変化率E(23-n)(%)は、100×(E23-E)/E23で求められる。Also, the thermal deformability of the base material can be evaluated by the change rate of the tensile elastic modulus at a predetermined temperature with respect to the tensile elastic modulus at room temperature. E ( 23- n) (%) is obtained by 100×(E 23 −E n )/E 23 .

なお、引張弾性率は、基材を構成するフィルムまたはシートと同一の材質からなる15mm(幅)×10mm(長さ)の測定用フィルムを用いオリエンテック社製Rheovibron DDV-II-EP1により、測定周波数11Hzで測定した値をいう。本明細書では10個以上のサンプルについて測定し、得られた引張弾性率の平均値により評価する。 The tensile modulus is measured by Rheovibron DDV-II-EP1 manufactured by Orientec using a measuring film of 15 mm (width) x 10 mm (length) made of the same material as the film or sheet constituting the base material. A value measured at a frequency of 11 Hz. In this specification, measurements are made on 10 or more samples, and the average value of the obtained tensile elastic moduli is used for evaluation.

本発明の基材は、23℃における引張弾性率(E23)と60℃における引張弾性率(E60)とから求められる弾性率変化率E(23-60)が好ましくは30%以下である。In the substrate of the present invention, the elastic modulus change rate E (23-60) obtained from the tensile elastic modulus (E 23 ) at 23° C. and the tensile elastic modulus (E 60 ) at 60° C. is preferably 30% or less. .

弾性率変化率E(23-60)は、60℃における基材の変形性の指標の1つであり、値が低いほど変形が抑制されていることを意味する。したがって弾性率変化率E(23-60)が30%以下の基材は、60℃における熱変形が極めて少ない。粘着テープの基材として汎用されているポリ塩化ビニルでは弾性率変化率E(23-60)は95%程度であり、エチレン/メタクリル酸共重合体では70%程度である。The elastic modulus change rate E (23-60) is one of the indicators of the deformability of the base material at 60° C., and the lower the value, the more suppressed the deformation. Therefore, a substrate having a rate of change in elastic modulus E (23-60) of 30% or less undergoes very little thermal deformation at 60°C. Polyvinyl chloride, which is widely used as a base material for adhesive tapes, has an elastic modulus change E (23-60) of about 95%, and ethylene/methacrylic acid copolymer has about 70%.

弾性率変化率E(23-60)が30%以下であると、ドライポリッシュ時に粘着テープが60℃前後に加熱されても変形が抑制され、粘着テープの端部におけるチップの剥離が低減される。何ら理論的に拘束されるものではないが、かかる効果の発現のメカニズムは以下のように推定される。ドライポリッシュ時における基材の加熱および、研磨時にチップに加わる剪断力により基材が変形することがある。特に加熱により基材の弾性率が低下すると変形を受けやすくなり、予測できない変形を引き起こすことがある。しかし、弾性率変化率E(23-60)が30%以下であると、常温時の特性がほぼ維持されるため、温度変化による変形も抑制されると考えられる。一方、弾性率変化率E(23-60)が30%を超えると、基材の加熱により常温時の特性から大きく変化し、予想できない変形を引き起こすことがある。この結果、熱変形により粘着テープがカールし、製品チップや余剰領域のチップが多数剥離、脱落し、歩留りの低下を招くだけではなく、剥離したチップが、他のチップに接触して他のチップを破損したり、また研削装置に損傷を与えたり、次工程への搬送不良原因となることがある。When the elastic modulus change rate E (23-60) is 30% or less, deformation is suppressed even when the adhesive tape is heated to around 60 ° C. during dry polishing, and peeling of chips at the end of the adhesive tape is reduced. . Although not bound by any theory, the mechanism of manifestation of such effects is presumed as follows. Heating of the substrate during dry polishing and shearing force applied to the tip during polishing may deform the substrate. In particular, when the elastic modulus of the base material is lowered by heating, it becomes susceptible to deformation, which may cause unpredictable deformation. However, if the rate of change in elastic modulus E (23-60) is 30% or less, the characteristics at room temperature are substantially maintained, so it is considered that deformation due to temperature change is suppressed. On the other hand, if the rate of change in elastic modulus E (23-60) exceeds 30%, the heating of the base material may significantly change the properties from those at room temperature, resulting in unpredictable deformation. As a result, the adhesive tape curls due to thermal deformation, and many product chips and chips in the surplus area are peeled off and dropped off. or damage the grinding equipment, or cause a failure in transportation to the next process.

弾性率変化率E(23-60)は、低いほど良好な結果となり、さらに好ましくは25%以下であり、より好ましくは20%以下である。また、下限値は特に限定はされないが、材料の入手等の観点から、3%以上である。The lower the elastic modulus change rate E (23-60) , the better the results, and it is more preferably 25% or less, more preferably 20% or less. Although the lower limit is not particularly limited, it is 3% or more from the viewpoint of availability of materials.

さらに、基材の23℃における引張弾性率(E23)は、好ましくは200~2000MPa、さらに好ましくは350~1500MPaである。粘着テープの基材として汎用されているポリ塩化ビニルでは引張弾性率(E23)は450MPa程度であり、エチレン/メタクリル酸共重合体では110MPa程度である。Furthermore, the tensile modulus (E 23 ) of the substrate at 23° C. is preferably 200-2000 MPa, more preferably 350-1500 MPa. Polyvinyl chloride, which is widely used as a base material for adhesive tapes, has a tensile modulus (E 23 ) of about 450 MPa, and ethylene/methacrylic acid copolymer has a tensile modulus of about 110 MPa.

さらに、基材の60℃における引張弾性率(E60)は、好ましくは150~1400MPa、さらに好ましくは300~1200MPaである。粘着テープの基材として汎用されているポリ塩化ビニルでは引張弾性率(E60)は22MPa程度であり、エチレン/メタクリル酸共重合体では34MPa程度である。Furthermore, the tensile modulus (E 60 ) of the substrate at 60° C. is preferably 150-1400 MPa, more preferably 300-1200 MPa. Polyvinyl chloride, which is widely used as a base material for adhesive tapes, has a tensile modulus (E 60 ) of about 22 MPa, and ethylene/methacrylic acid copolymer has a tensile modulus of about 34 MPa.

(非限定的具体例)
本発明の基材は、上記の物性を満たす限り特に限定はされず、種々の材質の樹脂フィルムまたはシートであってもよい。このような基材は、各種の樹脂シートについてTMA測定、さらに必要に応じ寸法変化率、弾性率測定を行うことで、容易に所望の特性のシートを選択することができる。以下に本発明の基材の一例を詳述するが、これらは単に基材の入手を容易するための記載であって、何ら限定的に解釈されるべきではない。
(Non-limiting specific example)
The substrate of the present invention is not particularly limited as long as it satisfies the physical properties described above, and may be a resin film or sheet made of various materials. As for such a base material, a sheet having desired properties can be easily selected by subjecting various resin sheets to TMA measurement and, if necessary, dimensional change rate and elastic modulus measurement. Although one example of the base material of the present invention is described in detail below, these are merely descriptions for facilitating the availability of the base material and should not be construed as being limited in any way.

本発明の基材は、たとえば比較的硬質の樹脂フィルムからなる第1基材と、比較的軟質の樹脂フィルムからなる第2基材との積層体であってもよい。性質の異なる樹脂フィルムの積層体とすることで、特性の制御が容易になり、所望の特性の基材を簡便に得られる。また、本発明の基材は、第1基材と第2基材との2層からなる積層体であってもよく、さらに、第1基材の両面に、同一または異なる第2基材が積層された3層構造の積層体であってもよい。 The substrate of the present invention may be, for example, a laminate of a first substrate made of a relatively hard resin film and a second substrate made of a relatively soft resin film. By forming a laminate of resin films having different properties, the properties can be easily controlled, and a substrate having desired properties can be easily obtained. Further, the substrate of the present invention may be a laminate composed of two layers of a first substrate and a second substrate, and further, the same or different second substrates are provided on both sides of the first substrate. A laminated body having a laminated three-layer structure may also be used.

(第1基材)
第1基材は、ヤング率が1000MPa以上である剛性フィルムが好ましく、より好ましくは1800~30000MPa、さらに好ましくは2500~6000MPaである。
基材の構成層としてヤング率が高い剛性フィルムを使用すると、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が高まり、裏面研削時の振動等を抑制することで、半導体チップの欠けや破損を防止しやすくなる。また、ヤング率が上記範囲であることで、粘着テープを半導体チップから剥離する際の応力を小さくすることが可能になり、テープ剥離時に生じるチップ欠けや破損を防止しやすくなる。さらに、粘着テープを半導体ウエハに貼付する際の作業性も良好とすることが可能である。
(First base material)
The first substrate is preferably a rigid film having a Young's modulus of 1000 MPa or more, more preferably 1800 to 30000 MPa, still more preferably 2500 to 6000 MPa.
When a rigid film with a high Young's modulus is used as a constituent layer of the base material, the holding performance of the adhesive tape on the semiconductor wafer or semiconductor chip is enhanced, and by suppressing vibration during back grinding, chipping and damage to the semiconductor chip is prevented. easier to do. In addition, when the Young's modulus is within the above range, it is possible to reduce the stress when the adhesive tape is peeled off from the semiconductor chip, making it easier to prevent chip chipping and breakage that occur when the tape is peeled off. Furthermore, it is possible to improve the workability when attaching the adhesive tape to the semiconductor wafer.

ここで、ヤング率が1000MPa以上の剛性フィルムとしては、たとえばポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等のフィルムが挙げられる。
これら樹脂フィルムの中でも、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムから選ばれる1種以上を含むフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムを含むことがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含むことがさらに好ましい。
Examples of rigid films having a Young's modulus of 1000 MPa or more include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, wholly aromatic polyesters, polyimides, polyamides, polycarbonates, polyacetals, modified polyphenylene oxides, polyphenylene sulfides, and polysulfones. , polyether ketone, and biaxially oriented polypropylene.
Among these resin films, a film containing one or more selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, more preferably a polyester film, and further preferably a polyethylene terephthalate film. .

第1基材の厚さ(D1)は、500μm以下であることが好ましく、15~350μmであることがより好ましく、20~160μmであることがさらに好ましい。第1基材の厚さを500μm以下とすることで、粘着テープの剥離力を上記した所定の値に調整しやすくなる。また、15μm以上とすることで、基材が粘着テープの支持体としての機能を果たしやすくなる。 The thickness (D1) of the first base material is preferably 500 μm or less, more preferably 15 to 350 μm, even more preferably 20 to 160 μm. By setting the thickness of the first base material to 500 μm or less, it becomes easier to adjust the peel force of the adhesive tape to the predetermined value described above. In addition, when the thickness is 15 μm or more, the base material can easily function as a support for the adhesive tape.

また、第1基材には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、第1基材は、透明なものであっても、不透明なものであってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
また、第1基材の少なくとも一方の表面には、第2基材及び粘着剤層の少なくとも一方との密着性を向上させるために、コロナ処理等の接着処理を施してもよい。また、第1基材は、上記した樹脂フィルムと、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面に被膜された易接着層とを有しているものでもよい。
In addition, the first base material contains a plasticizer, a lubricant, an infrared absorbent, an ultraviolet absorbent, a filler, a coloring agent, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, etc. within a range that does not impair the effects of the present invention. may Moreover, the first base material may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
At least one surface of the first substrate may be subjected to an adhesion treatment such as corona treatment in order to improve adhesion to at least one of the second substrate and the pressure-sensitive adhesive layer. Further, the first substrate may have the resin film described above and an easy-adhesion layer coated on at least one surface of the resin film.

易接着層を形成する易接着層形成用組成物としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等を含む組成物が挙げられる。易接着層形成用組成物には、必要に応じて、架橋剤、光重合開始剤、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、充填剤、防錆剤、顔料、染料等を含有してもよい。
易接着層の厚さとしては、好ましくは0.01~10μm、より好ましくは0.03~5μmである。なお、易接着層の厚さは、第1基材の厚さに対して小さく、材質も柔らかいため、ヤング率に与える影響は小さく、第1基材のヤング率は、易接着層を有する場合でも、樹脂フィルムのヤング率と実質的に同一である。
The easy-adhesion layer-forming composition for forming the easy-adhesion layer is not particularly limited, but examples thereof include compositions containing polyester-based resins, urethane-based resins, polyester-urethane-based resins, acrylic-based resins, and the like. The easily adhesive layer-forming composition may optionally contain a cross-linking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softening agent (plasticizer), a filler, an antirust agent, a pigment, a dye, and the like. good.
The thickness of the easy-adhesion layer is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.03 to 5 μm. In addition, since the thickness of the easy-adhesion layer is smaller than the thickness of the first base material and the material is soft, the effect on Young's modulus is small, and the Young's modulus of the first base material is However, it is substantially the same as the Young's modulus of the resin film.

(第2基材)
第2基材は、比較的軟質の樹脂フィルムからなり、半導体ウエハの研削による振動を緩和して、半導体ウエハに割れ及び欠けが生じることを防止する。また、粘着テープを貼付した半導体ウエハは、裏面研削時に、吸着テーブル上に配置されるが、粘着テープは第2基材を設けたことで、吸着テーブルへの保持性が向上するとともに裏面研削後の吸着テーブルからの剥離性が付与される。
第2基材は、23℃における貯蔵弾性率が100~1500MPaであることが好ましく、200~1200MPaであることがより好ましい。また、第2基材の応力緩和率は、70~100%が好ましく、78~98%であることがより好ましい。
(Second base material)
The second base material is made of a relatively soft resin film, which reduces the vibration caused by grinding the semiconductor wafer and prevents the semiconductor wafer from cracking and chipping. In addition, the semiconductor wafer to which the adhesive tape is attached is placed on the suction table during backgrinding. of the adsorption table.
The second base material preferably has a storage modulus at 23° C. of 100 to 1500 MPa, more preferably 200 to 1200 MPa. Moreover, the stress relaxation rate of the second base material is preferably 70 to 100%, more preferably 78 to 98%.

第2基材が、上記範囲内の弾性率及び応力緩和率を有することで、粘着テープと吸着テーブルとの間に挟み込んでしまった微細異物の凹凸や、裏面研削時に生じる砥石の振動や衝撃を第2基材が吸収する効果が高くなる。
第2基材の厚さ(D2)の第1基材の厚さ(D1)に対する比(D2/D1)は0.7以下であることが好ましい。厚さ比(D2/D1)が、0.7より大きいと、粘着テープにおいて、剛性の高い部分の割合が少なくなるため、半導体ウエハや半導体チップは、基材により適切に保持されにくくなり、研削時の振動が低減しにくくなる。したがって、先ダイシング法により、小型かつ薄型の半導体チップに個片化するような場合に、第2基材の材料に適切なものを選択しても、裏面研削により個片化する際に生じる半導体チップの欠けが防止されにくくなる。
チップ欠けを低減させつつ、第2基材を適切な厚さとして粘着テープの緩衝性能を良好にするために、厚さ比(D2/D1)は、0.10~0.70であることが好ましい。
The second base material has an elastic modulus and a stress relaxation rate within the above ranges, so that unevenness of fine foreign matter caught between the adhesive tape and the suction table and vibration and impact of the grindstone generated during back grinding are reduced. The effect of absorption by the second base material is enhanced.
The ratio (D2/D1) of the thickness (D2) of the second substrate to the thickness (D1) of the first substrate is preferably 0.7 or less. If the thickness ratio (D2/D1) is greater than 0.7, the proportion of the highly rigid portion of the adhesive tape decreases, making it difficult for the semiconductor wafer or semiconductor chip to be properly held by the base material. It becomes difficult to reduce time vibration. Therefore, when singulating into small and thin semiconductor chips by the pre-dicing method, even if an appropriate material for the second base material is selected, the semiconductor chips generated when singulating by back grinding It becomes difficult to prevent chips from chipping.
The thickness ratio (D2/D1) is preferably 0.10 to 0.70 in order to reduce chip chipping and make the second base material have an appropriate thickness to improve the cushioning performance of the adhesive tape. preferable.

第2基材の-5~120℃における動的粘弾性のtanδの最大値(以下、単に「tanδの最大値」ともいう)は、好ましくは0.7以上、より好ましくは0.8以上、更に好ましくは1.0以上である。なお、tanδの最大値の上限は、特に限定されないが、通常、2.0である。
第2基材のtanδの最大値が0.7以上であれば、裏面研削時に生じる砥石の振動や衝撃を第2基材が吸収する効果が高くなる。そのため、先ダイシング法において、半導体ウエハ又は個片化された半導体チップを、極薄になるまで研削しても、チップの角等において欠けが生じたりすることを防止しやすくなる。
なお、tanδは損失正接と呼ばれ、「損失弾性率/貯蔵弾性率」で定義され、動的粘弾性測定装置により対象物に与えた引張り応力やねじり応力等の応力に対する応答によって測定される値である。
The maximum value of tan δ of the dynamic viscoelasticity of the second base material at −5 to 120° C. (hereinafter also simply referred to as “maximum value of tan δ”) is preferably 0.7 or more, more preferably 0.8 or more, It is more preferably 1.0 or more. Although the upper limit of the maximum value of tan δ is not particularly limited, it is usually 2.0.
If the maximum value of tan δ of the second base material is 0.7 or more, the second base material is more effective in absorbing the vibration and impact of the grindstone that occur during back grinding. Therefore, in the pre-dicing method, even if a semiconductor wafer or individualized semiconductor chips are ground to an extremely thin thickness, chipping at the corners of the chips can be easily prevented.
Note that tan δ is called the loss tangent, defined as "loss modulus/storage modulus", and is a value measured by the response to stress such as tensile stress and torsional stress applied to the object by a dynamic viscoelasticity measuring device. is.

第2基材の厚さ(D2)は、8~80μmであることが好ましく、10~60μmであることがさらに好ましい。第2基材の厚さを8μm以上とすることで、第2基材が裏面研削時の振動を適切に緩衝できるようになる。また、80μm以下であることで、厚さ比(D2/D1)を上記した値に調整しやすくなる。また基材が、第1基材の両面に、同一または異なる第2基材が積層された3層構造の積層体である場合には、第2基材の厚さ(D2)は好ましくは35μm以下であり、さらに好ましくは30μm以下とする。3層構造の積層体では、比較的軟質な第2基材の物性が支配的になることがあるが、第2基材の厚みを上記の範囲とすることで、所望の60℃TMA値、寸法変化率等に調整しやすくなる。 The thickness (D2) of the second substrate is preferably 8-80 μm, more preferably 10-60 μm. By setting the thickness of the second base material to 8 μm or more, the second base material can appropriately absorb vibrations during back grinding. Further, when the thickness is 80 μm or less, it becomes easier to adjust the thickness ratio (D2/D1) to the above value. Further, when the base material is a laminate having a three-layer structure in which the same or different second base material is laminated on both sides of the first base material, the thickness (D2) of the second base material is preferably 35 μm. or less, more preferably 30 μm or less. In the three-layer structure laminate, the physical properties of the relatively soft second substrate may be dominant, but by setting the thickness of the second substrate in the above range, the desired 60 ° C. TMA value, It becomes easier to adjust the dimensional change rate.

第2基材は、低密度ポリエチレンのような軟質フィルムから形成されていてもよいが、エネルギー線重合性化合物を含む第2基材形成用組成物から形成される層であることが好ましい。第2基材は、エネルギー線重合性化合物を含むことで、エネルギー線が照射されることで硬化することが可能になる。なお、「エネルギー線」とは、紫外線、電子線等を指し、好ましくは紫外線を使用する。
また、第2基材形成用組成物は、より具体的には、ウレタン(メタ)アクリレート(a1)、環形成原子数6~20の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物(a2)を含むことが好ましい。第2基材形成用組成物は、これら2成分を含有することで、第2基材の弾性率、第2基材の応力緩和率、及びtanδの最大値を上記した範囲内としやすくなる。また、第2基材形成用組成物は、これら観点から、上記(a1)及び(a2)成分に加えて、官能基を有する重合性化合物(a3)を含有することがより好ましい。
また、第2基材形成用組成物は、上記(a1)及び(a2)又は(a1)~(a3)成分に加えて、光重合開始剤を含有することがさらに好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤や樹脂成分を含有してもよい。
以下、第2基材形成用組成物中に含まれる各成分について詳細に説明する。
The second substrate may be formed from a soft film such as low-density polyethylene, but is preferably a layer formed from a second substrate-forming composition containing an energy ray-polymerizable compound. Since the second base material contains the energy ray polymerizable compound, it can be cured by being irradiated with the energy ray. The term "energy ray" refers to ultraviolet rays, electron beams, etc., and preferably ultraviolet rays are used.
Further, more specifically, the composition for forming the second base material includes a urethane (meth)acrylate (a1) and a polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms. is preferably included. By containing these two components, the composition for forming the second base material can easily set the elastic modulus of the second base material, the stress relaxation rate of the second base material, and the maximum value of tan δ within the ranges described above. From these points of view, the second base material-forming composition more preferably contains a polymerizable compound (a3) having a functional group in addition to the components (a1) and (a2).
In addition, the composition for forming the second base material further preferably contains a photopolymerization initiator in addition to the above components (a1) and (a2) or (a1) to (a3), and the effect of the present invention is obtained. Other additives and resin components may be contained as long as they do not impair the composition.
Each component contained in the composition for forming the second base material will be described in detail below.

(ウレタン(メタ)アクリレート(a1))
ウレタン(メタ)アクリレート(a1)としては、少なくとも(メタ)アクリロイル基及びウレタン結合を有する化合物であり、エネルギー線照射により重合硬化する性質を有するものである。ウレタン(メタ)アクリレート(a1)は、オリゴマーまたはポリマーである。
(Urethane (meth)acrylate (a1))
The urethane (meth)acrylate (a1) is a compound having at least a (meth)acryloyl group and a urethane bond, and has the property of being polymerized and cured by energy ray irradiation. Urethane (meth)acrylates (a1) are oligomers or polymers.

成分(a1)の質量平均分子量(Mw)は、好ましくは1,000~100,000、より好ましくは2,000~60,000、更に好ましくは3,000~20,000である。なお、質量平均分子量(Mw)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法で測定されるポリスチレン換算の値であり、具体的には以下の条件で測定される。
(測定条件)
・カラム:「TSK guard column HXL-H」「TSK gel GMHXL(×2)」「TSK gel G2000HXL」(いずれも東ソー株式会社製)
・カラム温度:40℃
・展開溶媒:テトラヒドロフラン
・流速:1.0mL/min
また、成分(a1)中の(メタ)アクリロイル基数(以下、「官能基数」ともいう)としては、単官能、2官能、もしくは3官能以上でもよいが、単官能又は2官能であることが好ましい。
成分(a1)は、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する(メタ)アクリレートを反応させて得ることができる。なお、成分(a1)は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The weight average molecular weight (Mw) of component (a1) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, still more preferably 3,000 to 20,000. The mass average molecular weight (Mw) is a polystyrene-equivalent value measured by a gel permeation chromatography (GPC) method, and specifically measured under the following conditions.
(Measurement condition)
・ Column: "TSK guard column HXL-H""TSK gel GMHXL (x 2)""TSK gel G2000HXL" (both manufactured by Tosoh Corporation)
・Column temperature: 40°C
・Developing solvent: tetrahydrofuran ・Flow rate: 1.0 mL/min
The number of (meth)acryloyl groups (hereinafter also referred to as "number of functional groups") in component (a1) may be monofunctional, difunctional, or trifunctional or more, but monofunctional or difunctional is preferred. .
Component (a1) can be obtained, for example, by reacting a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound and a polyvalent isocyanate compound with a (meth)acrylate having a hydroxyl group. In addition, you may use a component (a1) individually or in combination of 2 or more types.

成分(a1)の原料となるポリオール化合物は、ヒドロキシ基を2つ以上有する化合物であれば特に限定されない。具体的なポリオール化合物としては、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオール等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル型ポリオールが好ましい。
なお、ポリオール化合物としては、2官能のジオール、3官能のトリオール、4官能以上のポリオールのいずれであってもよいが、2官能のジオールが好ましく、ポリエステル型ジオールがより好ましい。
The polyol compound used as the raw material of component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups. Specific polyol compounds include, for example, alkylene diols, polyether polyols, polyester polyols, and polycarbonate polyols. Among these, polyester type polyols are preferred.
The polyol compound may be a bifunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher polyol, preferably a bifunctional diol, and more preferably a polyester type diol.

多価イソシアネート化合物としては、例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類;イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート、ω,ω’-ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類;4,4’-ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン-1,5-ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類等が挙げられる。
これらの中でも、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートが好ましい。
Examples of polyvalent isocyanate compounds include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate and trimethylhexamethylene diisocyanate; Alicyclic diisocyanates such as ,4'-diisocyanate, ω,ω'-diisocyanatedimethylcyclohexane;4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, naphthalene- aromatic diisocyanates such as 1,5-diisocyanate;
Among these, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are preferred.

上述のポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートを反応させてウレタン(メタ)アクリレート(a1)を得ることができる。ヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートとしては、少なくとも1分子中にヒドロキシ基及び(メタ)アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されない。 A urethane (meth)acrylate (a1) can be obtained by reacting a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the above polyol compound with a polyvalent isocyanate compound with a (meth)acrylate having a hydroxyl group. The (meth)acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth)acryloyl group in at least one molecule.

具体的なヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートとしては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシシクロヘキシル(メタ)アクリレート、5-ヒドロキシシクロオクチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェニルオキシプロピル(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;N-メチロール(メタ)アクリルアミド等のヒドロキシ基含有(メタ)アクリルアミド;ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールAのジグリシジルエステルに(メタ)アクリル酸を反応させて得られる反応物等が挙げられる。
これらの中でも、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートが好ましく、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートがより好ましい。
Specific (meth)acrylates having a hydroxy group include, for example, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 4-hydroxycyclohexyl (meth) Acrylate, 5-hydroxycyclooctyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, polyethylene glycol mono(meth)acrylate, polypropylene glycol mono(meth)acrylate, etc. hydroxyalkyl (meth)acrylate; hydroxy group-containing (meth)acrylamide such as N-methylol (meth)acrylamide; vinyl alcohol, vinylphenol, reaction obtained by reacting diglycidyl ester of bisphenol A with (meth)acrylic acid things, etc.
Among these, hydroxyalkyl (meth)acrylates are preferred, and 2-hydroxyethyl (meth)acrylate is more preferred.

末端イソシアネートウレタンプレポリマー及びヒドロキシ基を有する(メタ)アクリレートを反応させる条件としては、必要に応じて添加される溶剤、触媒の存在下、60~100℃で、1~4時間反応させる条件が好ましい。
第2基材形成用組成物中の成分(a1)の含有量は、第2基材形成用組成物の全量(100質量%)に対して、好ましくは10~70質量%、より好ましくは20~60質量%、更に好ましくは25~55質量%、より更に好ましくは30~50質量%である。
The conditions for reacting the isocyanate-terminated urethane prepolymer and the (meth)acrylate having a hydroxy group are preferably conditions for reacting at 60 to 100° C. for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst added as necessary. .
The content of the component (a1) in the composition for forming the second substrate is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the composition for forming the second substrate. ~60% by mass, more preferably 25 to 55% by mass, even more preferably 30 to 50% by mass.

(環形成原子数6~20の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物(a2))
成分(a2)は、環形成原子数6~20の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物であり、少なくとも1つの(メタ)アクリロイル基を有する化合物であることが好ましい。この成分(a2)を用いることで、得られる第2基材形成用組成物の成膜性を向上させることができる。
(Polymerizable compound (a2) having an alicyclic or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms)
Component (a2) is a polymerizable compound having an alicyclic or heterocyclic group with 6 to 20 ring atoms, preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group. By using this component (a2), the film formability of the obtained composition for forming the second substrate can be improved.

成分(a2)が有する脂環基又は複素環基の環形成原子数は、好ましくは6~20であるが、より好ましくは6~18、更に好ましくは6~16、特に好ましくは7~12である。当該複素環基の環構造を形成する原子としては、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
なお、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造の化合物の当該環自体を構成する原子の数を表し、環を構成しない原子(例えば、環を構成する原子に結合した水素原子)や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。
The number of ring-forming atoms in the alicyclic group or heterocyclic group of component (a2) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 16, and particularly preferably 7 to 12. be. Atoms forming the ring structure of the heterocyclic group include, for example, a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom and the like.
The number of ring-forming atoms refers to the number of atoms constituting the ring itself of a compound having a structure in which atoms are cyclically bonded, and atoms that do not constitute a ring (for example, hydrogen atoms bonded to atoms that constitute a ring). Also, when the ring is substituted with a substituent, the atoms included in the substituent are not included in the number of ring-forming atoms.

具体的な成分(a2)としては、例えば、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、アダマンタン(メタ)アクリレート等の脂環基含有(メタ)アクリレート;テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、モルホリン(メタ)アクリレート等の複素環基含有(メタ)アクリレート;等が挙げられる。
なお、成分(a2)は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、脂環基含有(メタ)アクリレートが好ましく、イソボルニル(メタ)アクリレートがより好ましい。
Examples of specific component (a2) include isobornyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyloxy (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, alicyclic group-containing (meth)acrylates such as adamantane (meth)acrylate; heterocyclic group-containing (meth)acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate and morpholine (meth)acrylate; and the like.
In addition, you may use a component (a2) individually or in combination of 2 or more types.
Among these, alicyclic group-containing (meth)acrylates are preferred, and isobornyl (meth)acrylates are more preferred.

第2基材形成用組成物中の成分(a2)の含有量は、第2基材形成用組成物の全量(100質量%)に対して、好ましくは10~70質量%、より好ましくは20~60質量%、更に好ましくは25~55質量%、特に好ましくは30~50質量%である。 The content of the component (a2) in the composition for forming the second substrate is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 20% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the composition for forming the second substrate. to 60% by mass, more preferably 25 to 55% by mass, particularly preferably 30 to 50% by mass.

(官能基を有する重合性化合物(a3))
成分(a3)は、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも1つの(メタ)アクリロイル基を有する化合物であることが好ましい。
成分(a3)は、成分(a1)との相溶性が良好であり、第2基材形成用組成物の粘度を適度な範囲に調整しやすくする。また、成分(a3)を含有すると、当該組成物から形成される第2基材の弾性率やtanδの値を上記した範囲としやすくなり、第2基材を比較的薄くしても緩衝性能が良好になる。
成分(a3)としては、例えば、水酸基含有(メタ)アクリレート、エポキシ基含有化合物、アミド基含有化合物、アミノ基含有(メタ)アクリレート等が挙げられる。
(Polymerizable compound (a3) having a functional group)
Component (a3) is a polymerizable compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group, and further preferably a compound having at least one (meth)acryloyl group.
Component (a3) has good compatibility with component (a1), and facilitates adjustment of the viscosity of the composition for forming the second base material within an appropriate range. In addition, when the component (a3) is contained, the elastic modulus and tan δ values of the second substrate formed from the composition can be easily set within the above ranges, and the cushioning performance can be maintained even if the second substrate is relatively thin. get better.
Examples of component (a3) include hydroxyl group-containing (meth)acrylates, epoxy group-containing compounds, amide group-containing compounds, and amino group-containing (meth)acrylates.

水酸基含有(メタ)アクリレートとしては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、フェニルヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
エポキシ基含有化合物としては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート、メチルグリシジル(メタ)アクリレート、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらの中では、グリシジル(メタ)アクリレート、メチルグリシジル(メタ)アクリレート等のエポキシ基含有(メタ)アクリレートが好ましい。
アミド基含有化合物としては、例えば、(メタ)アクリルアミド、N,N-ジメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブチル(メタ)アクリルアミド、N-メチロール(メタ)アクリルアミド、N-メチロールプロパン(メタ)アクリルアミド、N-メトキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-ブトキシメチル(メタ)アクリルアミド等が挙げられる。
アミノ基含有(メタ)アクリレートとしては、例えば、第1級アミノ基含有(メタ)アクリレート、第2級アミノ基含有(メタ)アクリレート、第3級アミノ基含有(メタ)アクリレート等が挙げられる。
Examples of hydroxyl group-containing (meth)acrylates include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxy Butyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, phenylhydroxypropyl (meth)acrylate and the like.
Examples of epoxy group-containing compounds include glycidyl (meth)acrylate, methylglycidyl (meth)acrylate, allyl glycidyl ether, and the like. Among these, epoxy groups such as glycidyl (meth)acrylate and methylglycidyl (meth)acrylate Group-containing (meth)acrylates are preferred.
Examples of amide group-containing compounds include (meth)acrylamide, N,N-dimethyl(meth)acrylamide, N-butyl(meth)acrylamide, N-methylol(meth)acrylamide, N-methylolpropane(meth)acrylamide, N -Methoxymethyl(meth)acrylamide, N-butoxymethyl(meth)acrylamide and the like.
Examples of amino group-containing (meth)acrylates include primary amino group-containing (meth)acrylates, secondary amino group-containing (meth)acrylates, and tertiary amino group-containing (meth)acrylates.

これらの中でも、水酸基含有(メタ)アクリレートが好ましく、フェニルヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート等の芳香環を有する水酸基含有(メタ)アクリレートがより好ましい。
なお、成分(a3)は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
Among these, hydroxyl group-containing (meth)acrylates are preferable, and hydroxyl group-containing (meth)acrylates having an aromatic ring such as phenylhydroxypropyl (meth)acrylate are more preferable.
In addition, you may use a component (a3) individually or in combination of 2 or more types.

第2基材形成用組成物中の成分(a3)の含有量は、第2基材の弾性率及び応力緩和率を上述の範囲としやすくし、かつ、第2基材形成用組成物の成膜性を向上させるために、第2基材形成用組成物の全量(100質量%)に対して、好ましくは5~40質量%、より好ましくは7~35質量%、更に好ましくは10~30質量%、特に好ましくは13~25質量%である。
また、第2基材形成用組成物中の成分(a2)と成分(a3)との含有量比〔(a2)/(a3)〕は、好ましくは0.5~3.0、より好ましくは1.0~3.0、更に好ましくは1.3~3.0、特に好ましくは1.5~2.8である。
The content of the component (a3) in the composition for forming the second base material makes it easy to set the elastic modulus and the stress relaxation rate of the second base material within the ranges described above, and the content of the composition for forming the second base material is In order to improve film properties, it is preferably 5 to 40% by mass, more preferably 7 to 35% by mass, still more preferably 10 to 30% by mass, based on the total amount (100% by mass) of the composition for forming the second substrate. % by weight, particularly preferably 13 to 25% by weight.
In addition, the content ratio [(a2)/(a3)] of the component (a2) and the component (a3) in the composition for forming the second base material is preferably 0.5 to 3.0, more preferably 1.0 to 3.0, more preferably 1.3 to 3.0, particularly preferably 1.5 to 2.8.

(成分(a1)~(a3)以外の重合性化合物)
第2基材形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、上記の成分(a1)~(a3)以外のその他の重合性化合物を含有してもよい。
その他の重合性化合物としては、例えば、炭素数1~20のアルキル基を有するアルキル(メタ)アクリレート;スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、N-ビニルホルムアミド、N-ビニルピロリドン、N-ビニルカプロラクタム等のビニル化合物:等が挙げられる。なお、これらのその他の重合性化合物は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(Polymerizable compounds other than components (a1) to (a3))
The composition for forming the second substrate may contain polymerizable compounds other than the components (a1) to (a3) as long as the effects of the present invention are not impaired.
Other polymerizable compounds include, for example, alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam Vinyl compounds such as: and the like. In addition, you may use these other polymerizable compounds individually or in combination of 2 or more types.

第2基材形成用組成物中のその他の重合性化合物の含有量は、好ましくは0~20質量%、より好ましくは0~10質量%、更に好ましくは0~5質量%、特に好ましくは0~2質量%である。 The content of the other polymerizable compound in the composition for forming the second substrate is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, still more preferably 0 to 5% by mass, particularly preferably 0 ~2% by mass.

(光重合開始剤)
第2基材形成用組成物には、第2基材を形成する際、光照射による重合時間を短縮させ、また、光照射量を低減させる観点から、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、8-クロールアンスラキノン、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
これらの光重合開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
第2基材形成用組成物中の光重合開始剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量100質量部に対して、好ましくは0.05~15質量部、より好ましくは0.1~10質量部、更に好ましくは0.3~5質量部である。
(Photoinitiator)
The composition for forming the second base material may further contain a photopolymerization initiator from the viewpoint of shortening the polymerization time by light irradiation and reducing the amount of light irradiation when forming the second base material. preferable.
Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyrolnitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and the like.
These photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
The content of the photopolymerization initiator in the composition for forming the second base material is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy ray-polymerizable compounds. to 10 parts by mass, more preferably 0.3 to 5 parts by mass.

(その他の添加剤)
第2基材形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤(可塑剤)、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、第2基材形成用組成物中の各添加剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量100質量部に対して、好ましくは0.01~6質量部、より好ましくは0.1~3質量部である。
(Other additives)
The composition for forming the second base material may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, and the like. When these additives are blended, the content of each additive in the composition for forming the second base material is preferably 0.01 to 6 mass parts with respect to 100 mass parts of the total amount of the energy ray-polymerizable compounds. parts, more preferably 0.1 to 3 parts by mass.

(樹脂成分)
第2基材形成用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、樹脂成分を含有してもよい。樹脂成分としては、例えば、ポリエン・チオール系樹脂や、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、及びスチレン系共重合体等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。
第2基材形成用組成物中のこれらの樹脂成分の含有量は、好ましくは0~20質量%、より好ましくは0~10質量%、更に好ましくは0~5質量%、特に好ましくは0~2質量%である。
(基材の調製)
本発明の粘着テープの基材の非限定的一例は、上記第1基材と第2基材との積層体である。製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造することができる。
例えば、剥離シート上に第2基材形成用組成物を塗工、硬化して設けた第2基材と、第1基材とを直接貼り合わせ、剥離シートを除去することで、積層基材が得られる。
剥離シート上に第2基材を形成する方法としては、剥離シート上に第2基材形成用組成物を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜にエネルギー線を照射することで、第2基材を形成することができる。また、第1基材の片面に、第2基材形成用組成物を直接塗布して、加熱乾燥あるいは塗布膜にエネルギー線を照射することで、第2基材を形成してもよい。
(resin component)
The composition for forming the second base material may contain a resin component as long as the effects of the present invention are not impaired. Examples of the resin component include polyene-thiol resins, polyolefin resins such as polybutene, polybutadiene and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene copolymers.
The content of these resin components in the composition for forming the second substrate is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, even more preferably 0 to 5% by mass, and particularly preferably 0 to 5% by mass. It is 2% by mass.
(Preparation of base material)
A non-limiting example of the base material of the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is a laminate of the first base material and the second base material. The production method is not particularly limited and can be produced by a known method.
For example, the second base material provided by coating and curing the composition for forming the second base material on the release sheet is directly bonded to the first base material, and the release sheet is removed to obtain the laminated base material. is obtained.
As a method for forming the second substrate on the release sheet, the composition for forming the second substrate is directly applied on the release sheet by a known coating method to form a coating film, and the coating film is coated with The second base material can be formed by irradiating the energy beam. Alternatively, the second base material may be formed by directly applying the composition for forming the second base material on one side of the first base material, and drying it by heating or irradiating the coating film with energy rays.

第2基材形成用組成物の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布性を向上させるために、第2基材形成用組成物に対して有機溶媒を配合し、溶液の形態として、剥離シート上に塗布してもよい。 Examples of the method of applying the composition for forming the second substrate include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating. . Moreover, in order to improve coating properties, an organic solvent may be added to the composition for forming the second base material, and the composition may be applied in the form of a solution onto the release sheet.

第2基材形成用組成物がエネルギー線重合性化合物を含む場合、第2基材形成用組成物の塗布膜に対して、エネルギー線を照射することで硬化させ、第2基材を形成することが好ましい。第2基材の硬化は、一度の硬化処理で行ってもよいし、複数回に分けて行ってもよい。例えば、剥離シート上の塗布膜を完全に硬化させて第2基材を形成した後に第1基材に貼り合わせてもよく、当該塗布膜を完全に硬化させずに半硬化の状態の第2基材形成膜を形成し、当該第2基材形成膜を第1基材に貼り合わせた後、再度エネルギー線を照射して完全に硬化させて第2基材を形成してもよい。当該硬化処理で照射するエネルギー線としては、紫外線が好ましい。なお、硬化する際は、第2基材形成用組成物の塗布膜が暴露された状態でもよいが、剥離シートや第1基材で塗布膜が覆われ、塗布膜が暴露されない状態でエネルギー線を照射して硬化することが好ましい。 When the composition for forming the second base material contains an energy ray-polymerizable compound, the coating film of the composition for forming the second base material is cured by irradiation with an energy ray to form the second base material. is preferred. Curing of the second base material may be performed in a single curing process, or may be performed in a plurality of times. For example, the coating film on the release sheet may be completely cured to form the second base material, and then the second base material may be attached to the first base material. After forming a base material forming film and bonding the second base material forming film to the first base material, the second base material may be formed by irradiating energy rays again to completely cure the film. Ultraviolet rays are preferable as the energy rays to be irradiated in the curing treatment. When curing, the coating film of the composition for forming the second substrate may be exposed, but the coating film is covered with a release sheet or the first substrate, and the energy beam is applied in a state where the coating film is not exposed. It is preferable to irradiate and cure.

さらに、基材は第1基材の片面もしくは両面に第2基材をラミネートして得ることもできる。また、本発明の基材は、前記第1基材および第2基材の他に、所定の60℃TMA値を満足する限りにおいて、他の構成層を有していても良い。 Furthermore, the base material can be obtained by laminating the second base material on one side or both sides of the first base material. In addition to the first and second base materials, the base material of the present invention may have other constituent layers as long as the predetermined 60° C. TMA value is satisfied.

基材の総厚は上記第1基材、第2基材および必要に応じ用いられてもよい他の構成層の合計厚みであり、好ましくは23~150μm、さらに好ましくは30~140μmである。
本発明の基材の一例である上記積層基材は、第1基材と第2基材との積層体であり、その物性は、第1基材、第2基材の材質や厚みにより制御できる。したがって、所望の特性の基材を得る上では、下記の指針に沿って、第1基材、第2基材のそれぞれの特性のバランスを図ることが重要である。
The total thickness of the base material is the total thickness of the first base material, the second base material and other constituent layers that may be used as necessary, and is preferably 23 to 150 μm, more preferably 30 to 140 μm.
The laminated base material, which is an example of the base material of the present invention, is a laminate of a first base material and a second base material, and its physical properties are controlled by the materials and thicknesses of the first base material and the second base material. can. Therefore, in order to obtain a base material with desired properties, it is important to balance the properties of the first base material and the second base material according to the following guidelines.

基材の60℃TMA値、寸法変化率、弾性率変化率は、基材を構成するフィルムを適宜に選択することで制御できる。たとえば構成フィルムとして、比較的高いTgを有するフィルムや、基材の製膜時にアニール処理することで、これらの値を低くすることができる。また、基材が第1基材と第2基材との積層基材の場合も同様に、第1基材あるいは第2基材、もしくはこの両者を、高Tgのフィルムやアニール処理されたフィルムで構成することで、60℃TMA値、寸法変化率、弾性率変化率を低い範囲に制御できる。さらに、積層基材の場合には、高Tgのフィルムやアニール処理されたフィルムの相対的な厚みを厚くすることで、60℃TMA値、寸法変化率、弾性率変化率を低い範囲に制御できる。また、他の構成層を用いる場合には、比較的剛性の高いフィルムを用いると、60℃TMA値、寸法変化率、弾性率変化率を低い範囲に制御できる。 The 60° C. TMA value, dimensional change rate, and elastic modulus change rate of the substrate can be controlled by appropriately selecting the film constituting the substrate. For example, these values can be lowered by using a film having a relatively high Tg as the constituent film or by performing an annealing treatment during film formation of the substrate. Similarly, when the base material is a laminated base material of the first base material and the second base material, the first base material or the second base material, or both of them may be a high Tg film or an annealed film. By configuring with, the 60° C. TMA value, the dimensional change rate, and the elastic modulus change rate can be controlled within a low range. Furthermore, in the case of a laminated substrate, by increasing the relative thickness of the high Tg film or the annealed film, the 60 ° C. TMA value, the dimensional change rate, and the elastic modulus change rate can be controlled within a low range. . When other constituent layers are used, the 60° C. TMA value, dimensional change rate, and elastic modulus change rate can be controlled within a low range by using a film with relatively high rigidity.

[粘着剤層]
粘着剤は、常温において適度な感圧接着性を有する限り特に限定はされないが、23℃における貯蔵弾性率が0.05~0.50MPaであるものが好ましい。半導体ウエハの表面には、回路等が形成され通常凹凸がある。粘着テープは、貯蔵弾性率が上記範囲内となることで、凹凸があるウエハ表面に貼付される際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。これらの観点から、粘着剤の貯蔵弾性率は、0.10~0.35MPaであることがより好ましい。なお、粘着剤の貯蔵弾性率とは、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線照射による硬化前の貯蔵弾性率を意味する。
[Adhesive layer]
The pressure-sensitive adhesive is not particularly limited as long as it has appropriate pressure-sensitive adhesiveness at room temperature, but preferably has a storage modulus of 0.05 to 0.50 MPa at 23°C. Circuits and the like are formed on the surface of a semiconductor wafer, and the surface is usually uneven. When the adhesive tape has a storage elastic modulus within the above range, when it is attached to an uneven wafer surface, the unevenness of the wafer surface and the adhesive layer are sufficiently contacted, and the adhesiveness of the adhesive layer is improved. It is possible to make it work properly. Therefore, it is possible to reliably fix the adhesive tape to the semiconductor wafer and to appropriately protect the wafer surface during back grinding. From these points of view, the storage elastic modulus of the adhesive is more preferably 0.10 to 0.35 MPa. The storage elastic modulus of the adhesive means the storage elastic modulus before curing by energy ray irradiation when the adhesive layer is formed from an energy ray-curable adhesive.

粘着剤層の厚さ(D3)は、200μm未満であることが好ましく、5~55μmがより好ましく、10~50μmがさらに好ましい。粘着剤層をこのように薄くすると、粘着テープにおいて、剛性の低い部分の割合を少なくすることができるため、裏面研削時に生じる半導体チップの欠けを一層防止しやすくなる。 The thickness (D3) of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably less than 200 μm, more preferably 5-55 μm, even more preferably 10-50 μm. When the pressure-sensitive adhesive layer is made thin in this way, the proportion of the low-rigidity portion of the pressure-sensitive adhesive tape can be reduced, so chipping of the semiconductor chip that occurs during back-grinding can be more easily prevented.

粘着剤層は、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等から形成されるが、アクリル系粘着剤が好ましい。
また、粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることが好ましい。粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることで、エネルギー線照射による硬化前には、23℃における弾性率を上記範囲に設定しつつ、硬化後においては剥離力を1000mN/50mm以下に容易に設定することが可能になる。
The adhesive layer is formed of, for example, an acrylic adhesive, a urethane adhesive, a rubber adhesive, a silicone adhesive, or the like, with the acrylic adhesive being preferred.
Moreover, the adhesive layer is preferably formed from an energy ray-curable adhesive. By forming the pressure-sensitive adhesive layer from an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the elastic modulus at 23° C. is set within the above range before curing by energy ray irradiation, while the peel force after curing is 1000 mN/50 mm. You can easily set the following.

以下、粘着剤の具体例について詳述するが、これらは非限定的例示であり、本発明における粘着剤層はこれらに限定的に解釈されるべきではない。
エネルギー線硬化性粘着剤としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂(「粘着性樹脂I」ともいう)に加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物(以下、「X型の粘着剤組成物」ともいう)が使用可能である。また、エネルギー線硬化性粘着剤として、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂の側鎖に不飽和基を導入したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂(以下、「粘着性樹脂II」ともいう)を主成分として含み、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含まない粘着剤組成物(以下、「Y型の粘着剤組成物」ともいう)も使用してもよい。
Specific examples of the adhesive are described in detail below, but these are non-limiting examples, and the adhesive layer in the present invention should not be construed as being limited to these.
As the energy ray-curable adhesive, for example, in addition to a non-energy ray-curable adhesive resin (also referred to as "adhesive resin I"), an energy ray-curable adhesive containing an energy ray-curable compound other than the adhesive resin agent composition (hereinafter also referred to as "X-type adhesive composition") can be used. As the energy ray-curable adhesive, an energy ray-curable adhesive resin (hereinafter also referred to as "adhesive resin II") obtained by introducing an unsaturated group into the side chain of a non-energy ray-curable adhesive resin is used. A pressure-sensitive adhesive composition (hereinafter, also referred to as "Y-type pressure-sensitive adhesive composition") containing as a main component and not containing an energy ray-curable compound other than the pressure-sensitive adhesive resin may also be used.

さらに、エネルギー線硬化性粘着剤としては、X型とY型の併用型、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着性樹脂IIに加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物も含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物(以下、「XY型の粘着剤組成物」ともいう)を使用してもよい。
これらの中では、XY型の粘着剤組成物を使用することが好ましい。XY型のものを使用することで、硬化前においては十分な粘着特性を有する一方で、硬化後においては、半導体ウエハに対する剥離力を十分に低くすることが可能である。
Furthermore, as the energy ray-curable adhesive, a combined type of X-type and Y-type, that is, in addition to the energy ray-curable adhesive resin II, an energy ray-curable adhesive containing an energy ray-curable compound other than the adhesive resin is used. An adhesive composition (hereinafter also referred to as "XY type adhesive composition") may be used.
Among these, it is preferable to use the XY type adhesive composition. By using the XY type, it is possible to have sufficient adhesive properties before curing, while sufficiently reducing the peeling force to the semiconductor wafer after curing.

ただし、粘着剤としては、エネルギー性を照射しても硬化しない非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物から形成してもよい。非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、少なくとも非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Iを含有する一方、上記したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂II及びエネルギー線硬化性化合物を含有しないものである。 However, the adhesive may be formed from a non-energy ray-curable adhesive composition that does not cure even when irradiated with energy. The non-energy ray-curable adhesive composition contains at least the non-energy ray-curable adhesive resin I, but does not contain the energy ray-curable adhesive resin II and the energy ray-curable compound. be.

なお、以下の説明において“粘着性樹脂”は、上記した粘着性樹脂I及び粘着性樹脂IIの一方又は両方を指す用語として使用する。具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
以下、粘着性樹脂として、アクリル系樹脂が使用されるアクリル系粘着剤についてより詳述に説明する。
In the following description, the term "adhesive resin" is used as a term indicating one or both of the above-described adhesive resin I and adhesive resin II. Examples of specific adhesive resins include acrylic resins, urethane resins, rubber resins, and silicone resins, with acrylic resins being preferred.
The acrylic pressure-sensitive adhesive in which an acrylic resin is used as the pressure-sensitive adhesive resin will be described in more detail below.

アクリル系樹脂には、アクリル系重合体(b)が使用される。アクリル系重合体(b)は、少なくともアルキル(メタ)アクリレートを含むモノマーを重合して得たものであり、アルキル(メタ)アクリレート由来の構成単位を含む。アルキル(メタ)アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が1~20のものが挙げられ、アルキル基は直鎖であってもよいし、分岐であってもよい。アルキル(メタ)アクリレートの具体例としては、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n-プロピル(メタ)アクリレート、n-ブチル(メタ)メタクリレート、2-エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n-オクチル(メタ)アクリレート、イソオクチル(メタ)アクリレート、ノニル(メタ)アクリレート、デシル(メタ)アクリレート、ウンデシル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。アルキル(メタ)アクリレートは、単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。 An acrylic polymer (b) is used as the acrylic resin. The acrylic polymer (b) is obtained by polymerizing a monomer containing at least an alkyl (meth)acrylate, and contains structural units derived from the alkyl (meth)acrylate. Alkyl (meth)acrylates include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, and the alkyl group may be linear or branched. Specific examples of alkyl (meth) acrylates include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) methacrylate, 2-ethylhexyl (meth) ) acrylate, n-octyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate and the like. You may use an alkyl (meth)acrylate individually or in combination of 2 or more types.

また、アクリル系重合体(b)は、粘着剤層の粘着力を向上させる観点から、アルキル基の炭素数が4以上であるアルキル(メタ)アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。該アルキル(メタ)アクリレートの炭素数としては、好ましくは4~12、更に好ましくは4~6である。また、アルキル基の炭素数が4以上であるアルキル(メタ)アクリレートは、アルキルアクリレートであることが好ましい。 Moreover, from the viewpoint of improving the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer, the acrylic polymer (b) preferably contains structural units derived from alkyl (meth)acrylates in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms. The number of carbon atoms in the alkyl (meth)acrylate is preferably 4-12, more preferably 4-6. In addition, the alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is preferably an alkyl acrylate.

アクリル系重合体(b)において、アルキル基の炭素数が4以上であるアルキル(メタ)アクリレートは、アクリル系重合体(b)を構成するモノマー全量(以下単に“モノマー全量”ともいう)に対して、好ましくは40~98質量%、より好ましくは45~95質量%、更に好ましくは50~90質量%である。 In the acrylic polymer (b), the alkyl (meth)acrylate whose alkyl group has 4 or more carbon atoms is the total amount of the monomers constituting the acrylic polymer (b) (hereinafter simply referred to as "monomer total amount"). , preferably 40 to 98% by mass, more preferably 45 to 95% by mass, still more preferably 50 to 90% by mass.

アクリル系重合体(b)は、アルキル基の炭素数が4以上であるアルキル(メタ)アクレート由来の構成単位に加えて、粘着剤層の弾性率や粘着特性を調整するために、アルキル基の炭素数が1~3であるアルキル(メタ)アクリレート由来の構成単位を含む共重合体であることが好ましい。なお、該アルキル(メタ)アクリレートは、炭素数1又は2のアルキル(メタ)アクリレートであることが好ましく、メチル(メタ)アクリレートがより好ましく、メチルメタクリレートが最も好ましい。アクリル系重合体(b)において、アルキル基の炭素数が1~3であるアルキル(メタ)アクリレートは、モノマー全量に対して、好ましくは1~30質量%、より好ましくは3~26質量%、更に好ましくは6~22質量%である。 In the acrylic polymer (b), in addition to structural units derived from an alkyl (meth)acrylate in which the alkyl group has 4 or more carbon atoms, an alkyl group is added to adjust the elastic modulus and adhesive properties of the pressure-sensitive adhesive layer. A copolymer containing a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate having 1 to 3 carbon atoms is preferred. The alkyl (meth)acrylate is preferably an alkyl (meth)acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth)acrylate, and most preferably methyl methacrylate. In the acrylic polymer (b), the alkyl (meth)acrylate having 1 to 3 carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 3 to 26% by mass, based on the total amount of the monomer, More preferably, it is 6 to 22% by mass.

アクリル系重合体(b)は、上記したアルキル(メタ)アクリレート由来の構成単位に加えて、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。官能基含有モノマーの官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。官能基含有モノマーは、後述の架橋剤と反応し、架橋起点となったり、不飽和基含有化合物と反応して、アクリル系重合体(b)の側鎖に不飽和基を導入させたりすることが可能である。 The acrylic polymer (b) preferably has structural units derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural units derived from the alkyl (meth)acrylate described above. The functional group of the functional group-containing monomer includes a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, an epoxy group and the like. The functional group-containing monomer reacts with a cross-linking agent described later to become a cross-linking starting point, or reacts with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer (b). is possible.

官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。これらのモノマーは、単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。 Functional group-containing monomers include hydroxyl group-containing monomers, carboxy group-containing monomers, amino group-containing monomers, epoxy group-containing monomers, and the like. These monomers may be used alone or in combination of two or more. Among these, hydroxyl group-containing monomers and carboxy group-containing monomers are preferable, and hydroxyl group-containing monomers are more preferable.

水酸基含有モノマーとしては、例えば、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等のヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート;ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール等が挙げられる。 Examples of hydroxyl group-containing monomers include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, ) hydroxyalkyl (meth)acrylates such as acrylate and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; and unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol.

カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸;フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、2-カルボキシエチルメタクリレート等が挙げられる。 Carboxy group-containing monomers include, for example, ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and their anhydrides. , 2-carboxyethyl methacrylate and the like.

官能基モノマーは、アクリル系重合体(b)を構成するモノマー全量に対して、好ましくは1~35質量%、より好ましくは3~32質量%、更に好ましくは6~30質量%である。
また、アクリル系重合体(b)は、上記以外にも、スチレン、α-メチルスチレン、ビニルトルエン、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の上記のアクリル系モノマーと共重合可能なモノマー由来の構成単位を含んでもよい。
The functional group monomer is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 3 to 32% by mass, still more preferably 6 to 30% by mass, based on the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b).
In addition to the above, the acrylic polymer (b) may be derived from monomers copolymerizable with the above acrylic monomers, such as styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide. It may contain structural units.

上記アクリル系重合体(b)は、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂I(アクリル系樹脂)として使用することができる。また、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂としては、上記アクリル系重合体(b)の官能基に、光重合性不飽和基を有する化合物(不飽和基含有化合物ともいう)を反応させたものが挙げられる。 The acrylic polymer (b) can be used as a non-energy ray-curable adhesive resin I (acrylic resin). The energy ray-curable acrylic resin is obtained by reacting the functional group of the acrylic polymer (b) with a compound having a photopolymerizable unsaturated group (also referred to as an unsaturated group-containing compound). mentioned.

不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体(b)の官能基と結合可能な置換基、及び光重合性不飽和基の双方を有する化合物である。光重合性不飽和基としては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられるが、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
また、不飽和基含有化合物が有する、官能基と結合可能な置換基としては、イソシアネート基やグリシジル基等が挙げられる。したがって、不飽和基含有化合物としては、例えば、(メタ)アクリロイルオキシエチルイソシアネート、(メタ)アクリロイルイソシアネート、グリシジル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
The unsaturated group-containing compound is a compound having both a substituent bondable to the functional group of the acrylic polymer (b) and a photopolymerizable unsaturated group. Examples of the photopolymerizable unsaturated group include a (meth)acryloyl group, a vinyl group, and an allyl group, with the (meth)acryloyl group being preferred.
Moreover, an isocyanate group, a glycidyl group, etc. are mentioned as a functional group and a bondable substituent which the unsaturated group containing compound has. Accordingly, examples of unsaturated group-containing compounds include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloylisocyanate, glycidyl (meth)acrylate, and the like.

また、不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体(b)の官能基の一部に反応することが好ましく、具体的には、アクリル系重合体(b)が有する官能基の50~98モル%に、不飽和基含有化合物を反応させることが好ましく、55~93モル%反応させることがより好ましい。このように、エネルギー線硬化性アクリル系樹脂において、官能基の一部が不飽和基含有化合物と反応せずに残存することで、架橋剤によって架橋されやすくなる。
なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量(Mw)は、好ましくは30万~160万、より好ましくは40万~140万、更に好ましくは50万~120万である。
Further, the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional groups of the acrylic polymer (b). %, more preferably 55 to 93 mol %, of the unsaturated group-containing compound. Thus, in the energy ray-curable acrylic resin, part of the functional groups remain without reacting with the unsaturated group-containing compound, thereby facilitating cross-linking with a cross-linking agent.
The weight average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1,600,000, more preferably 400,000 to 1,400,000, and still more preferably 500,000 to 1,200,000.

(エネルギー線硬化性化合物)
X型又はXY型の粘着剤組成物に含有されるエネルギー線硬化性化合物としては、分子内に不飽和基を有し、エネルギー線照射により重合硬化可能なモノマー又はオリゴマーが好ましい。
このようなエネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトール(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4-ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-へキサンジオール(メタ)アクリレート等の多価(メタ)アクリレートモノマー、ウレタン(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート,ポリエーテル(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート等のオリゴマーが挙げられる。
(Energy ray-curable compound)
As the energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type pressure-sensitive adhesive composition, a monomer or oligomer having an unsaturated group in the molecule and capable of being polymerized and cured by energy ray irradiation is preferable.
Examples of such energy ray-curable compounds include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4- Polyvalent (meth)acrylate monomers such as butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, polyester (meth)acrylate, polyether (meth)acrylate, epoxy ( Oligomers such as meth)acrylates can be mentioned.

これらの中でも、比較的分子量が高く、粘着剤層の弾性率を低下させにくい観点から、ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマーが好ましい。
エネルギー線硬化性化合物の分子量(オリゴマーの場合は重量平均分子量)は、好ましくは100~12000、より好ましくは200~10000、更に好ましくは400~8000、特に好ましくは600~6000である。
Among these, urethane (meth)acrylate oligomers are preferable because they have relatively high molecular weights and are less likely to lower the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
The energy ray-curable compound has a molecular weight (weight average molecular weight in the case of an oligomer) of preferably 100 to 12,000, more preferably 200 to 10,000, even more preferably 400 to 8,000, and particularly preferably 600 to 6,000.

X型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは40~200質量部、より好ましくは50~150質量部、更に好ましくは60~90質量部である。
一方で、XY型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは1~30質量部、より好ましくは2~20質量部、更に好ましくは3~15質量部である。XY型の粘着剤組成物では、粘着性樹脂が、エネルギー線硬化性であるため、エネルギー線硬化性化合物の含有量が少なくても、エネルギー線照射後、十分に剥離力を低下させることが可能である。
The content of the energy ray-curable compound in the X-type adhesive composition is preferably 40 to 200 parts by mass, more preferably 50 to 150 parts by mass, still more preferably 60 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. 90 parts by mass.
On the other hand, the content of the energy ray-curable compound in the XY-type adhesive composition is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 2 to 20 parts by mass, and even more preferably 100 parts by mass of the adhesive resin. is 3 to 15 parts by mass. In the XY-type adhesive composition, since the adhesive resin is energy ray-curable, even if the content of the energy ray-curable compound is small, it is possible to sufficiently reduce the peel strength after energy ray irradiation. is.

(架橋剤)
粘着剤組成物は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤は、例えば粘着性樹脂が有する官能基モノマー由来の官能基に反応して、粘着性樹脂同士を架橋するものである。架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等、及びそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤;エチレングリコールグリシジルエーテル、1,3-ビス(N,N’-ジグリシジルアミノメチル)シクロヘキサン等のエポキシ系架橋剤;ヘキサ〔1-(2-メチル)-アジリジニル〕トリフォスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤;アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤;等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(crosslinking agent)
The pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a cross-linking agent. The cross-linking agent cross-links the adhesive resins by reacting, for example, with the functional groups derived from the functional group monomers of the adhesive resins. Examples of cross-linking agents include isocyanate-based cross-linking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and adducts thereof; ethylene glycol glycidyl ether, 1,3-bis(N,N'-diglycidylaminomethyl)cyclohexane. epoxy-based cross-linking agents such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; aziridine-based cross-linking agents such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more.

これらの中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
架橋剤の配合量は、架橋反応を促進させる観点から、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、より好ましくは0.03~7質量部、更に好ましくは0.05~4質量部である。
Among these, isocyanate-based cross-linking agents are preferable from the viewpoints of increasing cohesive strength and improving adhesive strength, and from the viewpoints of availability and the like.
From the viewpoint of promoting the cross-linking reaction, the amount of the cross-linking agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and still more preferably 0 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. 0.05 to 4 parts by mass.

(光重合開始剤)
また、粘着剤組成物がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤組成物は、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤を含有することで、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線でも、粘着剤組成物の硬化反応を十分に進行させることができる。
(Photoinitiator)
Moreover, when the pressure-sensitive adhesive composition is energy ray-curable, the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a photopolymerization initiator. By including a photopolymerization initiator, the curing reaction of the pressure-sensitive adhesive composition can sufficiently proceed even with relatively low-energy energy rays such as ultraviolet rays.

光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、1-ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニル-プロパン-1-オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、8-クロールアンスラキノン、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。 Examples of photopolymerization initiators include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, for example, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzylphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyrolnitrile, dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and the like.

これらの光重合開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
光重合開始剤の配合量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.01~10質量部、より好ましくは0.03~5質量部、更に好ましくは0.05~5質量部である。
You may use these photoinitiators individually or in combination of 2 or more types.
The amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 5 parts by mass, and still more preferably 0.05 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. is.

(その他の添加剤)
粘着剤組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、粘着付与剤、軟化剤(可塑剤)、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、添加剤の配合量は、粘着性樹脂100質量部に対して、好ましくは0.01~6質量部である。
(Other additives)
The pressure-sensitive adhesive composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired. Other additives include, for example, antistatic agents, antioxidants, tackifiers, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, and the like. When these additives are blended, the blending amount of the additives is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.

また、粘着剤組成物は、基材や剥離シートへの塗布性を向上させる観点から、更に有機溶媒で希釈して、粘着剤組成物の溶液の形態としてもよい。
有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサン、n-ヘキサン、トルエン、キシレン、n-プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
なお、これらの有機溶媒は、粘着性樹脂の合成時に使用された有機溶媒をそのまま用いてもよいし、該粘着剤組成物の溶液を均一に塗布できるように、合成時に使用された有機溶媒以外の1種以上の有機溶媒を加えてもよい。
In addition, from the viewpoint of improving the applicability to the base material or the release sheet, the pressure-sensitive adhesive composition may be further diluted with an organic solvent to form a solution of the pressure-sensitive adhesive composition.
Examples of organic solvents include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol and isopropanol.
As these organic solvents, the organic solvent used in the synthesis of the adhesive resin may be used as it is, or the organic solvent other than the organic solvent used in the synthesis may be used so that the solution of the adhesive composition can be uniformly applied. may be added with one or more organic solvents.

[剥離シート]
粘着テープの表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、粘着テープの粘着剤層の表面に貼付される。剥離シートは、粘着剤層表面に貼付されることで輸送時、保管時に粘着剤層を保護する。剥離シートは、剥離可能に粘着テープに貼付されており、粘着テープが使用される前(すなわち、ウエハ裏面研削前)には、粘着テープから剥離されて取り除かれる。
剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられ、具体的には、剥離シート用基材の表面上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
[Release sheet]
A release sheet may be attached to the surface of the adhesive tape. Specifically, the release sheet is attached to the surface of the adhesive layer of the adhesive tape. The release sheet is attached to the surface of the adhesive layer to protect the adhesive layer during transportation and storage. The release sheet is releasably attached to the adhesive tape, and is peeled off and removed from the adhesive tape before the adhesive tape is used (that is, before wafer backgrinding).
As the release sheet, a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used, and specific examples include a release sheet base material coated with a release agent on the surface thereof.

剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましく、当該樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
剥離シートの厚さは、特に制限ないが、好ましくは10~200μm、より好ましくは20~150μmである。
As the substrate for the release sheet, a resin film is preferable, and as the resin constituting the resin film, for example, polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, polyethylene resin, etc. and the like polyolefin resins. Examples of release agents include rubber-based elastomers such as silicone-based resins, olefin-based resins, isoprene-based resins and butadiene-based resins, long-chain alkyl-based resins, alkyd-based resins, fluorine-based resins, and the like.
The thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10-200 μm, more preferably 20-150 μm.

(粘着テープの製造方法)
本発明の粘着テープの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造することができる。
例えば、剥離シート上に設けた粘着剤層を、基材の片面に貼り合わせ、粘着剤層の表面に剥離シートが貼付された粘着テープを製造することができる。粘着剤層の表面に貼付される剥離シートは、粘着テープの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
剥離シート上に粘着剤層を形成する方法としては、剥離シート上に粘着剤組成物を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜から溶媒を揮発させるため加熱乾燥することで、粘着剤層を形成することができる。
(Method for producing adhesive tape)
The method for producing the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is not particularly limited, and it can be produced by a known method.
For example, a pressure-sensitive adhesive layer provided on a release sheet can be adhered to one side of a substrate to produce an adhesive tape in which the release sheet is adhered to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. The release sheet attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer may be peeled off and removed before use of the pressure-sensitive adhesive tape.
As a method for forming the adhesive layer on the release sheet, the adhesive composition is directly coated on the release sheet by a known coating method, and then heated and dried to volatilize the solvent from the coating film. agent layer can be formed.

また、基材の片面に、粘着剤(粘着剤組成物)を直接塗布して、粘着剤層を形成してもよい。粘着剤の塗布方法としては、第2基材の製造法で示した、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。 Alternatively, the pressure-sensitive adhesive layer may be formed by directly applying the pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive composition) to one side of the substrate. As the method of applying the adhesive, the spin coating method, the spray coating method, the bar coating method, the knife coating method, the roll coating method, the blade coating method, the die coating method, the gravure coating method, etc. shown in the manufacturing method of the second base material. is mentioned.

粘着剤層は、基材を構成する第1基材の表面に設けられても良く、第2基材の表面に設けられても良いが、基材が2層からなる積層体の場合は、第1基材の表面に設けることが好ましい。第1基材表面に粘着剤層を設けると、第2基材側が、裏面研削時に使用する吸着テーブル上に配置される。第2基材は比較的軟質であるため、吸着テーブルに密着しやすく、粘着テープのカールを防止できる。 The pressure-sensitive adhesive layer may be provided on the surface of the first base material constituting the base material, or may be provided on the surface of the second base material. It is preferably provided on the surface of the first base material. When the pressure-sensitive adhesive layer is provided on the surface of the first base material, the second base material side is placed on a suction table used during back grinding. Since the second base material is relatively soft, it can easily adhere to the suction table and prevent the adhesive tape from curling.

[半導体装置の製造方法]
本発明の粘着テープは、先ダイシング法において、半導体ウエハの表面に貼付してウエハの裏面研削が行われる際に特に好ましく使用される。粘着テープの非限定的な使用例として、以下に半導体装置の製造方法をさらに具体的に説明する。
[Method for manufacturing a semiconductor device]
The pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is particularly preferably used in the pre-dicing method, when it is attached to the front surface of a semiconductor wafer and the back surface of the wafer is ground. As a non-limiting example of use of the adhesive tape, a method for manufacturing a semiconductor device will be described in more detail below.

半導体装置の製造方法は、具体的には、以下の工程1~工程4を少なくとも備える。
工程1:半導体ウエハの表面側から溝を形成する工程
工程2:上記の粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程
工程3:粘着テープが表面に貼付され、かつ上記溝が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、溝の底部を除去して、複数のチップに個片化させる工程
工程4:個片化された半導体ウエハ(すなわち、複数の半導体チップ)から、粘着テープを剥離する工程
Specifically, the method for manufacturing a semiconductor device includes at least steps 1 to 4 below.
Step 1: Step of forming grooves from the surface side of the semiconductor wafer Step 2: Step of sticking the adhesive tape to the surface of the semiconductor wafer Step 3: The semiconductor with the adhesive tape stuck on the surface and the grooves formed above The wafer is ground from the back side to remove the bottom of the groove and singulated into a plurality of chips Step 4: From the singulated semiconductor wafer (that is, a plurality of semiconductor chips), the adhesive tape is removed. peeling process

以下、上記半導体装置の製造方法の各工程を詳細に説明する。
(工程1)
工程1では、半導体ウエハの表面側から溝を形成する。
本工程で形成される溝は、半導体ウエハの厚さより浅い深さの溝である。溝の形成は、従来公知のウエハダイシング装置等を用いてダイシングにより行うことが可能である。また、半導体ウエハは、後述する工程3において、溝の底部を除去することで、溝に沿って複数の半導体チップに分割される。
(工程2)
工程2では、溝が形成された半導体ウエハ表面に、本発明の粘着テープを粘着剤層を介して貼付する。
Hereinafter, each step of the method for manufacturing the semiconductor device will be described in detail.
(Step 1)
In step 1, grooves are formed from the surface side of the semiconductor wafer.
The grooves formed in this process are shallower than the thickness of the semiconductor wafer. The grooves can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing device or the like. The semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the grooves by removing the bottoms of the grooves in step 3, which will be described later.
(Step 2)
In step 2, the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is attached via the pressure-sensitive adhesive layer to the surface of the semiconductor wafer on which the grooves are formed.

本製造方法で用いられる半導体ウエハはシリコンウエハであってもよいし、またガリウム・砒素などのウエハや、ガラスウエハ、サファイアウエハであってもよい。半導体ウエハの研削前の厚さは特に限定されないが、通常は500~1000μm程度である。また、半導体ウエハは、通常、その表面に回路が形成されている。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法、ブレード法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。 The semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, a gallium/arsenic wafer, a glass wafer, or a sapphire wafer. Although the thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, it is usually about 500 to 1000 μm. A semiconductor wafer usually has a circuit formed on its surface. Formation of circuits on the wafer surface can be carried out by various methods including conventionally used methods such as etching, lift-off and blade methods.

粘着テープが貼付され、かつ溝を形成した半導体ウエハは、吸着テーブル上に載せられ、吸着テーブルに吸着されて保持される。この際、半導体ウエハは、表面側がテーブル側に配置されて吸着される。 The semiconductor wafer to which the adhesive tape is applied and the grooves are formed is placed on the suction table, and is held by the suction table by suction. At this time, the semiconductor wafer is sucked with its surface side arranged on the table side.

(工程3)
工程1及び工程2の後、吸着テーブル上の半導体ウエハの裏面を研削して、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する。
ここで、裏面研削は、半導体ウエハに溝が形成される場合には、少なくとも溝の底部に至る位置まで半導体ウエハを薄くするように行う。この裏面研削により、溝は、ウエハを貫通する切り込みとなり、半導体ウエハは切り込みにより分割されて、個々の半導体チップに個片化される。
(Step 3)
After steps 1 and 2, the back surface of the semiconductor wafer on the suction table is ground to singulate the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
Here, when grooves are formed in the semiconductor wafer, the back surface grinding is performed so as to thin the semiconductor wafer at least to the position reaching the bottom of the groove. By this back-grinding, the grooves become cuts penetrating the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the cuts into individual semiconductor chips.

個片化された半導体チップの形状は、方形でもよいし、矩形等の細長形状となっていてもよい。また、個片化された半導体チップの厚さは特に限定されないが、好ましくは5~100μm程度であるが、より好ましくは10~45μmである。また、個片化された半導体チップの大きさは、特に限定されないが、チップサイズが好ましくは50mm未満、より好ましくは30mm未満、さらに好ましくは10mm未満である。The shape of the individualized semiconductor chips may be a square or an elongated shape such as a rectangle. Although the thickness of the individualized semiconductor chips is not particularly limited, it is preferably about 5 to 100 μm, more preferably 10 to 45 μm. The size of the individualized semiconductor chips is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 50 mm 2 , more preferably less than 30 mm 2 , and even more preferably less than 10 mm 2 .

本発明の粘着テープを使用すると、このように薄型及び/又は小型の半導体チップであっても、裏面研削時(工程3)、及び粘着テープ剥離時(工程4)に半導体チップに欠けが生じることが防止される。
裏面研削の終了後、チップのピックアップに先立ち、ドライポリッシュを行うことが好ましい。
When the adhesive tape of the present invention is used, even with such a thin and/or small semiconductor chip, chipping occurs in the semiconductor chip during back grinding (step 3) and during peeling of the adhesive tape (step 4). is prevented.
After the backside grinding is finished, dry polishing is preferably performed prior to picking up the chip.

裏面研削では、チップ裏面に研削痕が残り、またチップの端部には微小な欠け(チッピング)が発生するため、チップの抗折強度を損なう要因となっている。チップの薄型化・小型化の結果、チップは破損しやすくなり、抗折強度の低下が問題視されている。上記のような研削痕やチップの微小な欠け(ダメージ部)を除去するため、裏面研削後に、さらに最終的に水を用いないドライポリッシュによりダメージ部を除去し、チップの抗折強度を向上させることが好ましい。ドライポリッシュ時には水は使用されないため、チップは熱を帯びる。チップの熱は粘着テープに伝搬する。この結果、ドライポリッシュ時には、基材の温度が60℃以上になり、粘着テープの端部がカールし、チップが剥離することがある。しかし、本発明の粘着テープを使用することで、粘着テープの変形が抑制され、チップの剥離を低減できる。したがって、本発明の粘着テープは、ドライポリッシュ工程を含む先ダイシング法において、半導体ウエハやチップを保持するために特に好適に用いられる。 Grinding the back surface of the chip leaves a grinding mark on the back surface of the chip, and small chips (chipping) occur at the edge of the chip. As a result of thinning and miniaturization of the chip, the chip is easily damaged, and a decrease in the bending strength is regarded as a problem. In order to remove the above-mentioned grinding marks and minute chips (damaged parts) of the chip, after back grinding, the damaged parts are finally removed by dry polishing without using water to improve the chip's bending strength. is preferred. Since no water is used during dry polishing, the chips get hot. The heat of the chip propagates to the adhesive tape. As a result, during dry polishing, the temperature of the substrate reaches 60° C. or higher, and the end of the adhesive tape may curl and the chip may peel off. However, by using the adhesive tape of the present invention, the deformation of the adhesive tape can be suppressed and the peeling of the chip can be reduced. Therefore, the adhesive tape of the present invention is particularly suitable for holding semiconductor wafers and chips in a pre-dicing method including a dry polishing process.

(工程4)
次に、個片化された半導体ウエハ(すなわち、複数の半導体チップ)から、半導体加工用粘着テープを剥離する。本工程は、例えば、以下の方法により行う。
まず、粘着テープの粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化する。次いで、個片化された半導体ウエハの裏面側に、ピックアップテープを貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行う。この際、ウエハの外周側に配置したリングフレームもピックアープテープに貼り合わせ、ピックアップテープの外周縁部をリングフレームに固定する。ピックアップテープには、ウエハとリングフレームを同時に貼り合わせてもよいし、別々のタイミングで貼り合わせてもよい。次いで、ピックアップテープ上に固定された複数の半導体チップから粘着テープを剥離する。
(Step 4)
Next, the adhesive tape for semiconductor processing is peeled off from the individualized semiconductor wafer (that is, a plurality of semiconductor chips). This step is performed, for example, by the following method.
First, when the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape is formed from an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, the pressure-sensitive adhesive layer is cured by irradiation with energy rays. Next, a pick-up tape is attached to the rear surface side of the separated semiconductor wafer, and the position and direction are aligned so that pick-up is possible. At this time, the ring frame arranged on the outer peripheral side of the wafer is also adhered to the pick-up tape, and the outer peripheral edge of the pick-up tape is fixed to the ring frame. The wafer and the ring frame may be attached to the pickup tape at the same time, or may be attached at separate timings. Next, the adhesive tape is peeled off from the plurality of semiconductor chips fixed on the pickup tape.

その後、ピックアップテープ上にある複数の半導体チップをピックアップし基板等の上に固定化して、半導体装置を製造する。
なお、ピックアップテープは、特に限定されないが、例えば、基材と、基材の一方の面に設けられた粘着剤層を備える粘着シートによって構成される。
After that, a plurality of semiconductor chips on the pickup tape are picked up and fixed on a substrate or the like to manufacture a semiconductor device.
The pickup tape is not particularly limited, but is composed of, for example, a base material and an adhesive sheet having an adhesive layer provided on one surface of the base material.

また、ピックアップテープの代わりに、接着テープを用いることもできる。接着テープとは、フィルム状接着剤と剥離シートとの積層体、ダイシングテープとフィルム状接着剤との積層体や、ダイシングテープとダイボンディングテープの両方の機能を有する接着剤層と剥離シートとからなるダイシング・ダイボンディングテープ等が挙げられる。また、ピックアップテープを貼付する前に、個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせてもよい。フィルム状接着剤を用いる場合、フィルム状接着剤はウエハと同形状としてもよい。 Adhesive tape can also be used instead of the pickup tape. The adhesive tape includes a laminate of a film-like adhesive and a release sheet, a laminate of a dicing tape and a film-like adhesive, and an adhesive layer and a release sheet that function as both a dicing tape and a die bonding tape. A dicing die bonding tape and the like can be mentioned. Also, before applying the pickup tape, a film-like adhesive may be applied to the back side of the semiconductor wafer that has been divided into individual pieces. When a film adhesive is used, the film adhesive may have the same shape as the wafer.

接着テープを用いる場合やピックアップテープを貼付する前に個片化された半導体ウエハの裏面側にフィルム状接着剤を貼り合わせる場合には、接着テープやピックアップテープ上にある複数の半導体チップは、半導体チップと同形状に分割された接着剤層と共にピックアップされる。そして、半導体チップは接着剤層を介して基板等の上に固定化され、半導体装置が製造される。接着剤層の分割は、レーザーやエキスパンドによって行われる。 In the case of using an adhesive tape or in the case of attaching a film adhesive to the back side of the semiconductor wafer that has been singulated before attaching the pick-up tape, the plurality of semiconductor chips on the adhesive tape or the pick-up tape is a semiconductor. It is picked up together with the adhesive layer divided into the same shape as the chip. Then, the semiconductor chip is fixed on a substrate or the like via an adhesive layer to manufacture a semiconductor device. The division of the adhesive layer is performed by laser or expansion.

以上、本発明の粘着テープについて、主に先ダイシング法により半導体ウエハを個片化する方法に使用する例について説明したが、本発明の粘着テープは、通常の裏面研削に使用することも可能であり、また、ガラス、セラミック等の加工時にも被加工物を一時的に固定するために使用することもできる。また、各種の再剥離粘着テープとしても使用できる。 As described above, the adhesive tape of the present invention is mainly used in a method for singulating semiconductor wafers by the pre-dicing method, but the adhesive tape of the present invention can also be used for normal back grinding. It can also be used to temporarily fix a workpiece during processing of glass, ceramics, etc. It can also be used as various removable adhesive tapes.

以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail below based on examples, but the present invention is not limited to these examples.

本発明における測定方法、評価方法は以下のとおりである。
[TMA値]
基材を構成するフィルムまたはシートと同一の材質からなる15mm(幅)×10mm(長さ)の測定用フィルムを準備する。BRUKER社製4000SAにより、荷重2g、昇温速度5℃/分で測定用フィルムの伸びまたは縮みを測定し(TMA値)、60℃における値を60℃TMA値とする。上記以外の測定条件については、測定装置の操作マニュアルに準じて設定する。10個のサンプルについて測定し、得られたTMA値の平均値を算出する。
[寸法変化率]
基材を構成するフィルムまたはシートと同一の材質からなる10cm×10cmの測定用フィルムを準備する。測定用フィルムの寸法は23℃での測定値である。測定用サンプルを加熱テーブルに、60℃で3分静置する。その後、室温(23℃)まで冷却した後、加熱前の23℃における一辺の長さ(10cm:L)と、加熱後の23℃における同じ辺の長さ(L)とから以下の式により寸法変化率を求める。10個のサンプルについて測定し、得られた寸法変化率の平均値を算出する。なお、測定値はMD方向の測定値を使用する。
寸法変化率(%)=100×(L-L)/L
The measuring method and evaluation method in the present invention are as follows.
[TMA value]
A measuring film of 15 mm (width)×10 mm (length) made of the same material as the film or sheet constituting the substrate is prepared. Measure the elongation or shrinkage of the film for measurement (TMA value) with a BRUKER 4000SA under a load of 2 g and a heating rate of 5°C/min. Measurement conditions other than the above are set according to the operation manual of the measurement device. Ten samples are measured, and the average value of the obtained TMA values is calculated.
[Dimensional change rate]
A 10 cm×10 cm measurement film made of the same material as the film or sheet constituting the substrate is prepared. The dimensions of the measuring film are measured at 23°C. A sample for measurement is placed on a heating table at 60° C. for 3 minutes. Then, after cooling to room temperature (23 ° C.), the following formula is obtained from the length of one side at 23 ° C. before heating (10 cm: L 0 ) and the length of the same side at 23 ° C. after heating (L 1 ) Calculate the dimensional change rate. The average value of the dimensional change rate obtained by measuring 10 samples is calculated. In addition, the measured value uses the measured value of MD direction.
Dimensional change rate (%) = 100 x (L 0 - L 1 )/L 0

[引張弾性率]
基材を構成するフィルムまたはシートと同一の材質からなる15mm(幅)×10mm(長さ)の測定用フィルムを準備する。動的粘弾性装置(オリエンテック社製、商品名「Rheovibron DDV-II-EP1」)により、周波数11Hzで、温度範囲-20~150℃における、測定用フィルムの引張弾性率を10個のサンプルについて測定した。
23℃における引張弾性率の平均値をE23、60℃における引張弾性率の平均値をE60とし、23℃から60℃に至るまでの引張弾性率の変化率E(23-60)(%)を求めた。
[Tensile modulus]
A measuring film of 15 mm (width)×10 mm (length) made of the same material as the film or sheet constituting the substrate is prepared. Using a dynamic viscoelasticity device (manufactured by Orientec, trade name "Rheovibron DDV-II-EP1"), the tensile modulus of the film for measurement was measured at a frequency of 11 Hz and in a temperature range of -20 to 150 ° C. for 10 samples. It was measured.
The average value of the tensile elastic modulus at 23 ° C. is E 23 , the average value of the tensile elastic modulus at 60 ° C. is E 60 , and the change rate of the tensile elastic modulus from 23 ° C. to 60 ° C. E (23-60) (% ).

[第1基材のヤング率]
試験速度200mm/分でJISK-7127(1999)に準拠して、第1基材のヤング率を測定した。
[Young's modulus of first base material]
The Young's modulus of the first substrate was measured according to JISK-7127 (1999) at a test speed of 200 mm/min.

[第2基材の弾性率、及びtanδの最大値]
第1基材の代わりに、剥離シート(リンテック株式会社製、商品名「SP-PET381031」、厚さ:38μm)を用い、かつ、得られる第2基材の厚さを200μmとした以外は、後述する実施例、比較例の第2基材と同様の方法で、試験用第2基材を作製した。試験用第2基材上の剥離シートを除去した後、所定の大きさに切断した試験片を用いて、動的粘弾性装置(オリエンテック社製、商品名「Rheovibron DDV-II-EP1」)により、周波数11Hzで、温度範囲-20~150℃における、損失弾性率及び貯蔵弾性率を測定した。各温度の「損失弾性率/貯蔵弾性率」の値を、その温度のtanδとして算出し、-5~120℃の範囲におけるtanδの最大値を、「第2基材のtanδの最大値」とした。
[Elastic modulus of second base material and maximum value of tan δ]
Instead of the first substrate, a release sheet (manufactured by Lintec Corporation, trade name “SP-PET381031”, thickness: 38 μm) was used, and the thickness of the second substrate obtained was 200 μm. A second substrate for testing was produced in the same manner as the second substrates of Examples and Comparative Examples, which will be described later. After removing the release sheet on the second substrate for testing, using a test piece cut into a predetermined size, a dynamic viscoelasticity device (manufactured by Orientec, trade name "Rheovibron DDV-II-EP1") At a frequency of 11 Hz, the loss modulus and storage modulus were measured in a temperature range of -20 to 150°C. The value of "loss modulus/storage modulus" at each temperature is calculated as tan δ at that temperature, and the maximum value of tan δ in the range of -5 to 120°C is referred to as the "maximum value of tan δ of the second substrate". did.

[第2基材の応力緩和率]
上記と同様に試験用第2基材を剥離シート上に作製し、15mm×140mmにカットしてサンプルを形成した。万能引張試験機(SHIMADZU社製オートグラフAG-10kNIS)を用いて、このサンプルの両端20mmを掴み、毎分200mmの速度で引っ張り、10%伸張したときの応力A(N/m)と、テープの伸張停止から1分後の応力B(N/m)とを測定した。これらの応力A、Bの値から、(A-B)/A×100(%)を応力緩和率として算出した。
[Stress relaxation rate of the second base material]
A second substrate for testing was prepared on a release sheet in the same manner as described above, and cut into a size of 15 mm×140 mm to form a sample. Using a universal tensile tester (Autograph AG-10kNIS manufactured by SHIMADZU), both ends of this sample were grabbed at 20 mm and pulled at a speed of 200 mm per minute, and the stress A (N/m 2 ) when stretched 10%, The stress B (N/m 2 ) was measured one minute after the tape stopped stretching. From the values of these stresses A and B, (AB)/A×100 (%) was calculated as the stress relaxation rate.

[剥離評価]
実施例、比較例で得られた剥離シート付粘着テープを、剥離シートを剥がしつつテープラミネーター(リンテック株式会社製、商品名「RAD-3510」)にセットし、先ダイシング法によりウエハ表面に溝を形成した12インチのシリコンウエハ(厚み760μm)に次の条件で貼付した。
ロール高さ:0mm ロール温度:23℃(室温)
テーブル温度:23℃(室温)
得られた粘着テープ付シリコンウエハは、裏面研削(先ダイシング法)により厚さ30μm、チップサイズ1mm角に個片化した。
裏面研削終了後、研削面をディスコ社製DPG8760により研磨した。研磨ホイールには、ディスコ社製「Gettering DP」を用いた。この研磨により、チップのダメージ部(研削痕、チッピング)を除去した。
ドライポリッシュ終了後、粘着テープの端部の変形の有無および粘着テープ端部に保持されているチップ数を確認した。粘着テープ端部の変形は、粘着テープと吸着テーブルとの間隔により評価し、粘着テープと吸着テーブルとの間に間隔がある箇所が存在する場合には、不良とした。また、粘着テープ上に保持されているチップ群を観察し、剥離したチップが確認された場合には不良とした。
[Peeling evaluation]
The adhesive tapes with release sheets obtained in Examples and Comparative Examples are set in a tape laminator (manufactured by Lintec Co., Ltd., trade name "RAD-3510") while peeling off the release sheet, and grooves are formed on the wafer surface by a pre-dicing method. It was attached to the formed 12-inch silicon wafer (thickness: 760 μm) under the following conditions.
Roll height: 0 mm Roll temperature: 23°C (room temperature)
Table temperature: 23°C (room temperature)
The obtained silicon wafer with the adhesive tape was cut into pieces having a thickness of 30 μm and a chip size of 1 mm square by back grinding (pre-dicing method).
After finishing the back grinding, the ground surface was polished with DPG8760 manufactured by Disco. As the polishing wheel, "Gettering DP" manufactured by Disco was used. Damaged portions (grinding marks, chipping) of the chips were removed by this polishing.
After completion of dry polishing, the presence or absence of deformation at the end of the adhesive tape and the number of chips held at the end of the adhesive tape were checked. Deformation of the adhesive tape end was evaluated based on the distance between the adhesive tape and the suction table. If there was a gap between the adhesive tape and the suction table, it was judged as defective. In addition, the group of chips held on the adhesive tape was observed, and if a peeled chip was found, it was regarded as defective.

なお、以下の実施例、及び比較例の質量部は全て固形分値である。 All parts by mass in the following examples and comparative examples are solid content values.

[実施例1]
(1)第1基材
第1基材としての厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィルム(ヤング率:2500MPa)を準備した。
[Example 1]
(1) First Substrate A 50 μm-thick polyethylene terephthalate film (Young's modulus: 2500 MPa) was prepared as the first substrate.

(2)第2基材
(ウレタンアクリレート系オリゴマーの合成)
ポリエステルジオールと、イソホロンジイソシアネートを反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、2-ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、質量平均分子量(Mw)5000の2官能のウレタンアクリレート系オリゴマー(UA-1)を得た。
(2) Second substrate (synthesis of urethane acrylate oligomer)
A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyester diol and isophorone diisocyanate is reacted with 2-hydroxyethyl acrylate to obtain a bifunctional urethane acrylate oligomer (UA-1) having a mass average molecular weight (Mw) of 5000. got

(第2基材形成用組成物の調製)
上記で合成したウレタンアクリレート系オリゴマー(UA-1)40質量部、イソボルニルアクリレート(IBXA)40質量部、及びフェニルヒドロキシプロピルアクリレート(HPPA)20質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(BASF社製、製品名「イルガキュア184」)2.0質量部、及びフタロシアニン系顔料0.2質量部を配合し、第2基材形成用組成物を調製した。
(Preparation of composition for forming second base material)
40 parts by mass of the urethane acrylate oligomer (UA-1) synthesized above, 40 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), and 20 parts by mass of phenylhydroxypropyl acrylate (HPPA) are blended, and further a photopolymerization initiator. 2.0 parts by mass of 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone (manufactured by BASF, product name “Irgacure 184”) and 0.2 parts by mass of a phthalocyanine pigment were blended to prepare a composition for forming the second substrate.

(3)積層基材
第1基材の一方の面に、上記で得た第2基材形成用組成物を塗工し、かつ照度160mW/cm、照射量500mJ/cmの条件で紫外線照射をすることで第2基材形成用組成物を硬化させて、第1基材上に厚さ30μmの第2基材を有する積層基材を得た。
(3) Laminated base material The composition for forming the second base material obtained above is applied to one surface of the first base material, and ultraviolet light is applied under the conditions of an illuminance of 160 mW/cm 2 and a dose of 500 mJ/cm 2 . The composition for forming the second substrate was cured by irradiation to obtain a laminated substrate having a second substrate having a thickness of 30 μm on the first substrate.

(4)粘着剤組成物の調製
ブチルアクリレート(BA)65質量部、メチルメタクリレート(MMA)20質量部、及び2-ヒドロキシエチルアクリレート(2HEA)15質量部を共重合して得たアクリル系重合体(b)に、アクリル系重合体(b)の全水酸基のうち80モル%の水酸基に付加するように、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(MOI)を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂(Mw:50万)を得た。
(4) Preparation of adhesive composition Acrylic polymer obtained by copolymerizing 65 parts by mass of butyl acrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA) (b) is reacted with 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) so as to be added to 80 mol% of all hydroxyl groups of the acrylic polymer (b) to obtain an energy ray-curable acrylic resin. (Mw: 500,000).

このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂100質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレート(商品名.シコウUT-4332、日本合成化学工業株式会社製)6重量部、イソシアネート系架橋剤(東ソー株式会社製、商品名:コロネートL)を固形分基準で0.375質量部、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)フェニルフォスフィンオキシドからなる光重合開始剤1重量部を添加し、溶剤で希釈することにより粘着剤組成物の塗工液を調製した。 To 100 parts by mass of this energy ray-curable acrylic resin, 6 parts by weight of polyfunctional urethane acrylate (trade name: Shikoh UT-4332, manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.), which is an energy ray-curable compound, and an isocyanate-based cross-linking agent. (manufactured by Tosoh Corporation, product name: Coronate L) was added in an amount of 0.375 parts by mass based on the solid content, and 1 part by weight of a photopolymerization initiator composed of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide was added. , to prepare a coating solution of the pressure-sensitive adhesive composition by diluting with a solvent.

(5)粘着テープの作製
剥離シート(リンテック株式会社製、商品名:SP-PET381031)の剥離処理面に、上記で得た粘着剤組成物の塗工液を乾燥後の厚さが20μmとなるように塗工し、加熱乾燥させて、剥離シート上に粘着剤層を形成した。この粘着剤層を、積層基材の第1基材表面に貼付して、剥離シート付き粘着テープを得た。
なお、粘着剤層の23℃における貯蔵弾性率は、0.15MPaであった。また、第2基材の23℃における貯蔵弾性率は250MPa、応力緩和率は90%、tanδの最大値は1.24であった。
(5) Preparation of adhesive tape On the release-treated surface of a release sheet (manufactured by Lintec Corporation, trade name: SP-PET381031), the coating liquid of the adhesive composition obtained above is dried to a thickness of 20 μm. and dried by heating to form an adhesive layer on the release sheet. This pressure-sensitive adhesive layer was attached to the surface of the first base material of the laminated base material to obtain a pressure-sensitive adhesive tape with a release sheet.
The storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer at 23°C was 0.15 MPa. The second substrate had a storage modulus of 250 MPa at 23° C., a stress relaxation rate of 90%, and a maximum value of tan δ of 1.24.

[実施例2]
積層基材に代えて、低密度ポリエチレン27.5μm/ポリエチレンテレフタレート25μm/低密度ポリエチレン27.5μmの複合フィルム(厚さ80μm)を基材として用いた他は、実施例1と同様にして粘着テープを得た。
[Example 2]
A pressure-sensitive adhesive tape was prepared in the same manner as in Example 1, except that a composite film (thickness: 80 μm) of 27.5 μm low-density polyethylene/25 μm polyethylene terephthalate/27.5 μm low-density polyethylene was used as the substrate instead of the laminated substrate. got

[比較例1]
積層基材に代えて、市販のポリ塩化ビニルフィルム(厚さ80μm)を基材として用いた他は、実施例1と同様にして粘着テープを得た。
[Comparative Example 1]
A pressure-sensitive adhesive tape was obtained in the same manner as in Example 1, except that a commercially available polyvinyl chloride film (thickness: 80 µm) was used as the base material instead of the laminated base material.

[比較例2]
積層基材に代えて、エチレン/メタクリル酸共重合体フィルム(厚さ80μm)である、ニュクレル(登録商標:三井・デュポンポリケミカル)を基材として用いた他は、実施例1と同様にして粘着テープを得た。
[Comparative Example 2]
In the same manner as in Example 1, except that an ethylene/methacrylic acid copolymer film (thickness: 80 μm), Nucrel (registered trademark: Mitsui DuPont Polychemical), was used as the base material instead of the laminated base material. Got the sticky tape.

実施例および比較例で用いた基材の特性評価を行い、またそれぞれの粘着テープを使用して剥離評価を行った。結果を表1に示す。 The properties of the substrates used in Examples and Comparative Examples were evaluated, and the respective adhesive tapes were used to evaluate peeling. Table 1 shows the results.

Figure 0007326248000001
Figure 0007326248000001

以上の結果から、60℃TMA値の絶対値が30μm以下であれば、ドライポリッシュを行っても粘着テープの変形はなく、チップを良好に保持できることが分かる。また、実施例、比較例に詳細に記載した粘着テープの他、各種の粘着テープを用いた試験により60℃TMA値の絶対値が30μm以下であれば、良好な結果が得られることを確認した。同様に、60℃3分の寸法変化率の絶対値、弾性率変化率E(23-60)(%)についても、各種粘着テープを用いた試験により、それぞれ0.8%以下、30%以下であればより良好な結果が得られることを確認した。From the above results, it can be seen that when the absolute value of the 60° C. TMA value is 30 μm or less, the adhesive tape does not deform even when dry polishing is performed, and the chip can be held well. In addition, in addition to the adhesive tapes described in detail in the examples and comparative examples, tests using various adhesive tapes confirmed that good results can be obtained if the absolute value of the 60 ° C. TMA value is 30 μm or less. . Similarly, the absolute value of the dimensional change rate at 60 ° C. for 3 minutes and the elastic modulus change rate E (23-60) (%) were 0.8% or less and 30% or less, respectively, by tests using various adhesive tapes. It was confirmed that better results could be obtained if

Claims (6)

半導体ウエハ表面に溝が形成された半導体ウエハの裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程において、半導体ウエハの表面に貼付されて使用される粘着テープであって、
基材と、その片面に設けられた粘着剤層とを含み
前記基材は、第1基材と第2基材との2層からなる積層体であり、
前記第1基材は、ヤング率が1000MPa以上であり、
前記基材の60℃TMA値の絶対値が30μm以下である粘着テープ。
An adhesive tape used by being attached to the surface of a semiconductor wafer in a process of grinding the back surface of a semiconductor wafer having grooves formed on the surface of the semiconductor wafer and singulating the semiconductor wafer into semiconductor chips by grinding. ,
Including a base material and an adhesive layer provided on one side thereof,
The base material is a laminate composed of two layers of a first base material and a second base material,
The first base material has a Young's modulus of 1000 MPa or more,
The pressure-sensitive adhesive tape, wherein the substrate has an absolute value of 60° C. TMA value of 30 μm or less.
前記基材を60℃で3分保持した後の寸法変化率の絶対値が0.8%以下である請求項1に記載の粘着テープ。 2. The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1, wherein the absolute value of the dimensional change after holding the substrate at 60[deg.] C. for 3 minutes is 0.8% or less. 前記基材の23℃における引張弾性率(E23)と60℃における引張弾性率(E60)とから求められる弾性率変化率E(23-60)が30%以下である請求項1または2に記載の粘着テープ。 3. The elastic modulus change rate E (23-60) obtained from the tensile elastic modulus (E 23 ) at 23° C. and the tensile elastic modulus (E 60 ) at 60° C. of the base material is 30% or less. The adhesive tape described in . 前記半導体ウエハを半導体チップに個片化した後、ドライポリッシュを行う工程を含む、請求項に記載の粘着テープ。 2. The pressure-sensitive adhesive tape according to claim 1 , further comprising a step of performing dry polishing after singulating the semiconductor wafer into semiconductor chips. 半導体ウエハの表面側から溝を形成する工程と、
請求項1~の何れか1項に記載の粘着テープを、前記半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝の底部を除去して複数のチップに個片化させる工程と、
前記複数のチップから粘着テープを剥離する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
a step of forming grooves from the surface side of the semiconductor wafer;
A step of attaching the adhesive tape according to any one of claims 1 to 3 to the surface of the semiconductor wafer;
a step of grinding the semiconductor wafer having the adhesive tape attached to the surface and having the grooves formed thereon from the rear surface side to remove the bottoms of the grooves and singulate into a plurality of chips;
peeling off the adhesive tape from the plurality of chips;
A method of manufacturing a semiconductor device comprising:
前記半導体ウエハを半導体チップに個片化した後、ドライポリッシュを行う工程を含む、請求項に記載の半導体装置の製造方法。 6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5 , further comprising the step of performing dry polishing after singulating said semiconductor wafer into semiconductor chips.
JP2020508291A 2018-03-20 2019-03-14 Adhesive tape and method for manufacturing semiconductor device Active JP7326248B2 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018053325 2018-03-20
JP2018053325A JP2018115331A (en) 2018-03-20 2018-03-20 Pressure-sensitive adhesive tape and production method of semiconductor device
PCT/JP2019/010549 WO2019181730A1 (en) 2018-03-20 2019-03-14 Adhesive tape and production method for semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2019181730A1 JPWO2019181730A1 (en) 2021-04-15
JP7326248B2 true JP7326248B2 (en) 2023-08-15

Family

ID=62983801

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018053325A Pending JP2018115331A (en) 2018-03-20 2018-03-20 Pressure-sensitive adhesive tape and production method of semiconductor device
JP2020508291A Active JP7326248B2 (en) 2018-03-20 2019-03-14 Adhesive tape and method for manufacturing semiconductor device

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018053325A Pending JP2018115331A (en) 2018-03-20 2018-03-20 Pressure-sensitive adhesive tape and production method of semiconductor device

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP2018115331A (en)
TW (1) TWI794450B (en)
WO (1) WO2019181730A1 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018115331A (en) * 2018-03-20 2018-07-26 リンテック株式会社 Pressure-sensitive adhesive tape and production method of semiconductor device
JP7400263B2 (en) * 2018-08-23 2023-12-19 東レ株式会社 Film and film manufacturing method
WO2020179899A1 (en) * 2019-03-07 2020-09-10 リンテック株式会社 Die bonding sheet, and method for manufacturing semiconductor chip provided with film-form adhesive
WO2021065071A1 (en) * 2019-10-04 2021-04-08 リンテック株式会社 Pressure-sensitive-adhesive sheet

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004256595A (en) 2003-02-24 2004-09-16 Lintec Corp Adhesive sheet and method for using the same
JP2008047558A (en) 2006-08-10 2008-02-28 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for grinding warpage suppression wafer
JP2010100715A (en) 2008-10-23 2010-05-06 Lintec Corp Adhesive sheet for screen printing, screen-printed adhesive sheet and method for producing screen-printed adhesive sheet
WO2013172328A1 (en) 2012-05-14 2013-11-21 リンテック株式会社 Sheet having adhesive resin layer attached thereto, and method for producing semiconductor device
JP2018140508A (en) 2017-02-27 2018-09-13 東レ株式会社 Film
WO2018198864A1 (en) 2017-04-24 2018-11-01 東レ株式会社 Film and method for producing film

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018115331A (en) * 2018-03-20 2018-07-26 リンテック株式会社 Pressure-sensitive adhesive tape and production method of semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004256595A (en) 2003-02-24 2004-09-16 Lintec Corp Adhesive sheet and method for using the same
JP2008047558A (en) 2006-08-10 2008-02-28 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for grinding warpage suppression wafer
JP2010100715A (en) 2008-10-23 2010-05-06 Lintec Corp Adhesive sheet for screen printing, screen-printed adhesive sheet and method for producing screen-printed adhesive sheet
WO2013172328A1 (en) 2012-05-14 2013-11-21 リンテック株式会社 Sheet having adhesive resin layer attached thereto, and method for producing semiconductor device
JP2018140508A (en) 2017-02-27 2018-09-13 東レ株式会社 Film
WO2018198864A1 (en) 2017-04-24 2018-11-01 東レ株式会社 Film and method for producing film

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018115331A (en) 2018-07-26
TWI794450B (en) 2023-03-01
JPWO2019181730A1 (en) 2021-04-15
WO2019181730A1 (en) 2019-09-26
TW202003737A (en) 2020-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7207778B2 (en) Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
JP7326248B2 (en) Adhesive tape and method for manufacturing semiconductor device
JP7326270B2 (en) Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
WO2017150675A1 (en) Adhesive tape for semiconductor processing and method for producing semiconductor device
TW202016234A (en) Semiconductor processing adhesive tape and method of manufacturing semiconductor device
WO2019181731A1 (en) Adhesive tape, and method for producing semiconductor device
JP7381448B2 (en) Adhesive tape and semiconductor device manufacturing method
JP7326249B2 (en) Adhesive tape and method for manufacturing semiconductor device
KR102642081B1 (en) Manufacturing method of adhesive tape and semiconductor device
WO2022209119A1 (en) Semiconductor processing adhesive tape, and method for manufacturing semiconductor device
WO2022209118A1 (en) Semiconductor processing adhesive tape, and method for manufacturing semiconductor device
WO2023188272A1 (en) Adhesive tape for semiconductor processing
JP7339941B2 (en) Adhesive tape and method for manufacturing semiconductor device
JP7069116B2 (en) Base material for back grind tape
WO2022201789A1 (en) Semiconductor processing adhesive tape, and method for manufacturing semiconductor device
WO2022201788A1 (en) Semiconductor processing adhesive tape, and method for manufacturing semiconductor device
WO2022201790A1 (en) Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device fabrication method
JP2023132215A (en) Workpiece processing protective sheet, and manufacturing method for workpiece individualized piece
JP2023118530A (en) Protection sheet for workpiece processing and method for manufacturing singulated workpiece

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230301

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230704

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230802

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7326248

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150