KR101673974B1 - 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 위한 프리-차지 시스템 - Google Patents

전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 위한 프리-차지 시스템 Download PDF

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Abstract

전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 위한 프리-차지 시스템이 제공된다. 본 시스템은 제1 제어 신호를 생성하는 마이크로프로세서, 및 마이크로프로세서에 연결된 프리-차지 회로를 포함한다. 프리-차지 회로는 카운터 회로, 전압 펄스 생성 회로, 및 구동 회로를 구비한다. 카운터 회로는 제1 제어 신호에 대응하여 복수의 제1 전압 펄스들을 생성한다. 전압 펄스 생성 회로는 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류가 임계값 보다 낮은 동안 각각의 시간 간격으로 복수의 제2 전압 펄스들의 각각의 전압 펄스를 생성한다. 구동 회로는 복수의 제2 전압 펄스들에 대응하여 복수의 제3 전압 펄스들을 출력하여 캐패시터의 전압을 증가시키는 트랜지스터를 구비한다.

Description

전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 위한 프리-차지 시스템{PRE-CHARGING SYSTEM FOR A CAPACITOR IN A VOLTAGE INVERTER FOR AN ELECTRIC MOTOR}
본 발명은 프리-차지 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전기 모터용 전압 인버터 내의 캐패시터를 위한 프리-차지 시스템에 관한 것이다.
본 출원은 2013년 12월 20일자로 출원된 미국 정규출원 번호 제14/135,899호를 우선권 주장하며, 그에 대한 모든 내용은 인용에 의해 본 출원에 원용된다.
본 출원의 발명자는 프리-차지 저항을 통과하여 캐패시터로 흐르는 순간 전류를 모니터하고 프리-차지 저항과 전압 인버터의 열화를 방지하도록 순간 전류의 레벨을 제한하는 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 위한 프리-차지 시스템에 대한 필요성을 인식하였다.
본 발명은, 상기와 같은 필요성으로부터 창안된 것으로서, 캐패시터에 전기적으로 연결된 저항에 공급되는 에너지의 량을 제한하면서 캐패시터를 충전할 수 있는 프리-차지 시스템을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 위한 프리-차지 시스템이 제공된다. 프리-차지 시스템은 제1 제어 신호를 생성하도록 프로그램된 마이크로프로세서를 포함한다. 프리-차지 시스템은 마이크로프로세서에 작동가능하게 연결된 프리-차지 회로를 더 포함한다. 프리-차지 회로는 카운터 회로, 전압 펄스 생성 회로, 및 구동 회로를 구비한다. 카운터 회로는 제1 제어 신호에 대응하여 복수의 제1 전압 펄스들을 생성하도록 구성된다. 전압 펄스 생성 회로는 캐패시터에 전기적으로 연결된 트랜지스터와 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일한 동안 각각의 시간 간격으로 복수의 제2 전압 펄스들의 각각의 전압 펄스를 생성하도록 구성된다. 구동 회로는 트랜지스터 및 트랜지스터에 전기적으로 연결된 프리-차지 저항을 구비한다. 트랜지스터는 배터리 팩의 고압 단자와 전압 인버터 내의 캐패시터 사이에 전기적으로 연결되도록 구성된다. 트랜지스터는 복수의 제2 전압 펄스들에 대응하여 복수의 제3 전압 펄스들을 출력하여 전압 인버터의 캐패시터의 전압을 증가시키도록 구성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 예비 충전하기 위한 방법이 제공된다. 본 방법은 마이크로프로세서 및 마이크로프로세서에 작동가능하게 연결된 프리-차지 회로를 구비한 프리-차지 시스템을 제공하는 것을 포함한다. 프리-차지 회로는 카운터 회로, 전압 펄스 생성 회로, 및 구동 회로를 구비한다. 구동 회로는 트랜지스터 및 트랜지스터에 전기적으로 연결된 프리-차지 저항을 구비한다. 트랜지스터는 배터리 팩의 고압 단자와 캐패시터 사이에 전기적으로 연결되도록 구성된다. 본 방법은 마이크로프로세서를 이용하여 제1 제어 신호를 생성하는 것을 더 포함한다. 본 방법은 제1 제어 신호에 대응하여, 카운터 회로를 이용하여, 복수의 제1 전압 펄스들을 생성하는 것을 더 포함한다. 본 방법은 트랜지스터와 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일한 동안 각각의 시간 간격으로, 전압 펄스 생성 회로를 이용하여, 복수의 제2 전압 펄스들의 각각의 전압 펄스를 생성하는 것을 더 포함한다. 본 방법은 복수의 제2 전압 펄스들에 대응하여, 트랜지스터를 이용하여, 복수의 제3 전압 펄스들을 출력하여 전압 인버터의 캐패시터의 전압을 증가시키는 것을 더 포함한다.
본 발명에 따른 프리-차지 시스템 및 방법은 다른 시스템들 및 방법들에 대한 실질적인 장점을 제공한다. 특히, 본 발명에 따른 프리-차지 시스템 및 방법은 캐패시터에 전기적으로 연결된 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류 레벨을 제한하면서 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 충전시키는 기술적 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 프리-차지 시스템을 구비한 전기 자동차의 블록도이다.
도 2는 도 1의 프리-차지 시스템에 채용된 프리-차지 회로의 블록도이다.
도 3은 전압 모니터링 회로, 카운터 회로, 전압 펄스 생성 회로, 구동 회로, 및 전류 모니터링 회로를 구비한 도 2의 프리-차지 회로의 회로도이다.
도 4(a)는 캐패시터를 충전하는 제1 기간 동안 도 1의 프리-차지 시스템의 마이크로프로세서에 의해 생성된 제1 제어 신호의 신호도이다.
도 4(b)는 제1 기간 동안 도 4(a)의 제1 제어 신호에 대응하여 도 3의 전압 모니터링 회로에 의해 생성된 작동 전압의 신호도이다.
도 4(c)는 제1 기간 동안 도 3의 카운터 회로의 카운터 마이크로칩을 리셋하기 위하여 도 3의 전압 모니터링 회로에 의해 생성된 리셋 신호의 신호도이다.
도 4(d)는 제1 기간 동안 도 3의 카운터 회로에 의해 생성된 복수의 제1 전압 펄스들의 신호도이다.
도 4(e)는 제1 기간 동안 도 3의 카운터 회로에 의해 생성된 중지 신호의 신호도이다.
도 4(f)는 제1 기간 동안, 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨을 초과할 때 전류 모니터링 회로에 의해 생성된 복수의 전압 펄스들의 신호도이다.
도 4(g)는 제1 기간 동안 도 3의 전압 펄스 생성 회로에 의해 생성된 복수의 제2 전압 펄스들의 신호도이다.
도 4(h)는 제1 기간 동안, 도 4(d)의 복수의 제1 전압 펄스들의 전압 펄스 갯수가 소정의 전압 펄스 갯수를 초과할 때 도 1의 카운터 회로에 의해 생성된 고장 신호의 신호도이다.
도 5(a)는 캐패시터를 충전하는 제2 기간 동안 도 1의 프리-차지 시스템의 마이크로프로세서에 의해 생성된 제1 제어 신호의 신호도이다.
도 5(b)은 제2 기간 동안 도 5(a)의 제1 제어 신호에 대응하여 도 3의 전압 모니터링 회로에 의해 생성된 작동 전압의 신호도이다.
도 5(c)는 제2 기간 동안 도 3의 카운터 회로의 카운터 마이크로칩을 리셋하기 위하여, 그리고 전력(electrical power)이 초기 인가되거나 도 3의 프리-차지 회로로부터 제거될 때 도 3의 전압 펄스 생성 회로의 출력 토글링을 방지하기 위하여 도 3의 전압 모니터링 회로에 의해 생성된 리셋 신호의 신호도이다.
도 5(d)는 제2 기간 동안 도 3의 카운터 회로에 의해 생성된 복수의 제1 전압 펄스들의 신호도이다.
도 5(e)은 제2 기간 동안 도 3의 카운터 회로에 의해 생성된 중지 신호의 신호도이다.
도 5(f)은 제2 기간 동안, 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨을 초과하고 있을 때 전류 모니터링 회로에 의해 생성된 복수의 전압 펄스들의 신호도이다.
도 5(g)은 제2 기간 동안 도 3의 전압 펄스 생성 회로에 의해 생성된 복수의 제2 전압 펄스들의 신호도로, 전류 레벨이 소정의 시간 동안 순간 전류 레벨 임계를 초과한 이후, 프리-차지 회로의 작동 손상을 방지하기 위하여 복수의 제2 전압 펄스들의 생성이 중지된다.
도 5(h)는 제2 기간 동안 도 5(d)의 복수의 제1 전압 펄스들의 전압 펄스 갯수가 소정의 전압 펄스 갯수를 초과할 때 도 1의 카운터 회로에 의해 생성된 고장 신호의 신호도이다.
도 6 내지 도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 충전시키기 위한 방법의 흐름도이다.
도 8는 도 3의 전압 펄스 생성 회로와 연관된 논리진리표이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 전기 모터(70)용 전압 인버터(60)의 캐패시터(488)를 예비 충전(pre-charging)하기 위한 일 실시예에 따른 프리-차지 시스템(pre-charging system, 30)을 구비한 전기 자동차(10)가 도시된다. 전기 자동차(10)는 배터리 팩(20), 마이크로프로세서(25), 메인 컨택터(main contactor, 40), 접지 컨택터(50), 전압 인버터(60), 전기 모터(70), 및 전선들(100, 102, 104, 106, 108, 110, 112, 130, 132, 140, 142, 150, 152)을 더 포함한다. 프리-차지 시스템(30)의 장점은 캐패시터(488)에 전기적으로 연결된 프리-차지 저항(pre-charging resistor, 428)(도 3에 도시됨)을 통해 흐르는 순간 전류 레벨을 제한하면서 전압 인버터(60) 내의 캐패시터(488)를 충전하는 것이다. 그 뒤에 메인 컨택터(40)가 배터리 팩(20)으로부터 캐패시터(488)로 고전압(high voltage)을 공급할 때, 순간적인 돌입 전류(inrush current)의 양이 감소되도록 캐패시터(488)를 충전한다.
전기 자동차(10)의 구조 및 작동을 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어들 중 일부에 대한 간단한 설명이 제공된다.
"높은 논리 전압"이라는 용어는 "1"의 부울(Boolean) 논리값에 해당하는 전압을 말한다. "낮은 논리 전압"이라는 용어는 "0"의 부울 논리값에 해당하는 전압을 말한다. "출력 전압"이라는 용어는 높은 논리 전압 또는 낮은 논리 전압에 해당할 수 있다.
배터리 팩(20)은 전선들(112)을 통해 전기 모터(70)로 작동 전압을 출력하는 전압 인버터(60)로 작동 전압을 출력하도록 구성된다. 배터리 팩(20)은 서로 전기적으로 직렬 연결된 배터리 모듈들(170, 172)을 포함한다. 배터리 팩(20)은 고압 단자(high voltage terminal, 174) 및 접지 단자(ground terminal, 176)를 더 포함한다.
마이크로프로세서(25)는 메인 컨택터(main contactor, 40), 접지 컨택터(grounding contactor, 50), 및 프리-차지 회로(pre-charging circuit, 30)의 작동을 제어하는 제어 신호를 생성하도록 프로그램된다. 특히, 마이크로프로세서(25)는 접지 컨택터(50)가 폐쇄 작동 위치를 갖도록 유도하고, 접지 컨택터(50)가 폐쇄 작동 위치를 가질 때 프리-차지 회로(30)가 캐패시터(488)를 충전하도록 유도하는 제어 신호를 생성하도록 프로그램된다. 마이크로프로세서(25)는 또한 캐패시터(488)의 충전이 완료되면 메인 컨택터(40)가 폐쇄 작동 위치를 갖도록 유도하는 제어 신호를 생성하도록 프로그램된다.
마이크로프로세서(25)는 전선들(140, 142)을 통해 접지 컨택터(50)에 전기적으로 연결된다. 접지 컨택터(50)는 접지 컨택터 코일(grounding contactor coil, 498) 및 접점(contact, 500)을 포함한다. 마이크로프로세서(25)는 전선들(140, 142) 상에 높은 논리 전압(high logic voltage)을 생성하여 접지 컨택터 코일(498)을 여기(energize)시킴으로써 접점(500)이 폐쇄 작동 위치로 이동하게끔 유도하도록 프로그램된다. 접점(500)이 폐쇄 작동 위치를 가질 때, 캐패시터(488)의 제2단이 배터리 팩(20)의 접지 단자(176)에 전기적으로 연결된다. 아래에 상세히 논의되는 바와 같이, 접지 컨택터(50)가 폐쇄 작동 위치를 가질 때 프리-차지 회로(30)는 캐패시터(488)를 충전한다. 캐패시터(488)가 충전된 후, 마이크로프로세서는 전선들(140, 142) 상에 높은 논리 전압의 생성을 중지하여 접지 컨택터 코일(488)을 비여기(de-energize)시킴으로써 접점(500)이 개방 작동 위치를 갖도록 프로그램된다.
마이크로프로세서(25)는 전선들(130, 132)을 통해 메인 컨택터(40)에 전기적으로 연결된다. 메인 컨택터(40)는 메인 컨택터 코일(main contactor coil, 492) 및 접점(contact, 494)을 포함한다. 마이크로프로세서(25)는 전선들(130, 132) 상에 높은 논리 전압(high logic voltage)을 생성하여 메인 컨택터 코일(492)을 여기(energize)시킴으로써 접점(494)이 폐쇄 작동 위치로 이동하게끔 유도하도록 프로그램된다. 접점(494)이 폐쇄 작동 위치를 가질 때, 캐패시터(488)의 제1단이 배터리 팩(20)의 고압 단자(174)에 전기적으로 연결된다. 접점들(494, 500)이 폐쇄 작동 위치들을 가질 때, 전압 인버터(60)는 배터리 팩(20)의 고압 단자(174)와 접지 단자(176) 사이에 전기적으로 연결되어 전기 모터(70)로 작동 전압을 공급한다.
이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 프리-차지 시스템(30)에 대해 더욱 상세하게 논의될 것이다. 프리-차지 시스템(30)은 프리-차지 저항(428)을 통해 캐패시터(488)로 흐르는 순간 전류의 양을 제한하면서 전압 인버터(60)의 캐패시터(488)를 충전하도록 구성된다. 프리-차지 시스템(30)은 마이크로프로세서(25) 및 프리-차지 회로(200)를 포함한다.
프리-차지 회로(200)는 전압 인버터(60)의 캐패시터(488)를 충전하도록 구비된다. 프리-차지 회로(200)는 전압 모니터링 회로(210), 카운터 회로(216), 전압 펄스 생성 회로(222), 구동 회로(228), 및 전류 모니터링 회로(234)를 포함한다.
전압 모니터링 회로
도 3 내지 도 4(c)를 참조하면, 전압 모니터링 회로(210)는 마이크로프로세서(25)가 높은 논리값을 갖는 제1 제어 신호(C1)(도 4(a)에 도시됨)를 생성할 때, 카운터 회로(216), 전압 펄스 생성 회로(222), 구동 회로(228), 및 전류 모니터링 회로(234)로 작동 전압(Vz)(도 4(b)에 도시됨)을 출력하도록 구성된다. 전압 모니터링 회로(210)는 또한 작동 전압(Vz)이 임계 작동 전압 보다 높거나 동일할 때, 시간(T2)(도 4(c)에 도시됨)에 높은 논리값에서 낮은 논리값으로 전이(transition)시키는 RESET 신호를 출력하도록 구성된다. 전압 모니터링 회로(210)는 광 아이솔레이터(optical isolator)(250), 저항들(254, 256), 제너 다이오드(260), 캐패시터들(264, 266), 부족 전압 검출기(under voltage detector)(270), 및 NAND 게이트(274)를 포함한다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 광 아이솔레이터(250)는 마이크로프로세서(25)의 제어 전압(C1)(도 4(a)에 도시됨)을 검출하도록 구비된다. 광 아이솔레이터(250)는 발광 다이오드(290) 및 트랜지스터(292)를 내부에 포함한다. 발광 다이오드(290)는 마이크로프로세서(25)에도 전기적으로 연결되어 있는 전선들(150, 152)에 전기적으로 연결된다. 트랜지스터(292)는 전선(104)(배터리 팩(20)의 고압 단자(174)에도 전기적으로 연결됨)과 저항(254) 사이에 전기적으로 연결된다.
저항(254)은 트랜지스터 (292)의 이미터(emitter)와 노드(278) 사이에 전기적으로 연결된다. 제너 다이오드(260)는 노드(278)와 전기적 접지 사이에 전기적으로 연결된다. 작동시, 제너 다이오드(260)는 작동 전압(Vz)의 전압 레벨을 소정의 전압 레벨로 제한한다. 또한, 캐패시터(264)는 노드(278)와 전기적 접지 사이에 전기적으로 연결된다.
도 3 및 도 4(b) 내지 도 4(c)를 참조하면, 부족 전압 검출기(270)는 작동 전압(Vz)이 소정의 작동 전압 레벨 보다 높을 때 높은 논리값을 갖는 출력 신호를 생성하고, 작동 전압(Vz)이 소정의 작동 전압 레벨 보다 낮을 때 출력 신호를 낮은 논리값으로 전이시키도록 구성된다. 부족 전압 검출기(270)는 노드(278)와 노드(280) 사이에 전기적으로 연결된다. 저항(256)은 노드(278)와 노드(280) 사이에 전기적으로 연결된다. 또한, 캐패시터(266)는 노드(280)와 전기적 접지 사이에 전기적으로 연결된다.
NAND 게이트(274)는 제1 및 제2 입력 단자들 및 하나의 출력 단자를 갖는다. 제1 및 제2 입력 단자들은 부족 전압 검출기(270)의 출력 신호를 수신하는 노드(280)에 전기적으로 연결된다. 출력 단자는 카운터 마이크로칩(320)의 리셋 핀(RST)에 전기적으로 연결된다. 부족 전압 검출기(270)가 작동 전압(Vz)이 원하는 전압 레벨을 갖고 있음을 나타내는 높은 논리 전압을 출력하면, NAND 게이트(274)는 시간(T2)(도 4(c)에 도시됨)에 낮은 논리 전압을 출력하며, 이는 카운터 마이크로칩(320)의 리셋 핀(RST)에 의해 수신되어 카운터 마이크로칩(320)을 리셋시킴으로써, 마이크로칩(320)은 PULS1(도 4(d)에 도시됨)로 표시된 복수의 제1 펄스들의 출력을 시작하거나 계속한다.
카운터 회로
도 3 및 도 4(d)를 참조하면, 카운터 회로(216)는 복수의 제1 전압 펄스들(도 4(d)의 PULS1)을 생성하도록 구성된다. 카운터 회로(216)는 카운터 마이크로칩(320), NAND 게이트들(324, 326), 발진기(330), 저항들(334, 336), 트랜지스터(340), 및 광 아이솔레이터(344)를 포함한다.
마이크로칩(320)은 출력 핀(OUT), 리셋 핀(RST), 중지 핀(STP), 및 클록 핀(CLK)을 갖는다. 리셋 핀(RST)은 전압 모니터링 회로(210)의 NAND 게이트(274)의 출력 핀에 전기적으로 연결된다. OUT 핀은 전압 펄스 생성 회로(222)의 저항(370)에 전기적으로 연결된다. STP 핀은 노드(357)에 전기적으로 연결된다. 또한, CLK 핀은 NAND 게이트(326)의 출력 핀에 전기적으로 연결된다.
NAND 게이트(324)는 제1 및 제2 입력 단자들 및 하나의 출력 단자를 갖는다. NAND 게이트(324)의 제1 및 제2 입력 단자들은 노드(357)에 전기적으로 연결된다. NAND 게이트(324)의 출력 단자는 NAND 게이트(326)의 입력 단자에 전기적으로 연결된다.
NAND 게이트(326)는 제1 및 제2 입력 단자들 및 하나의 출력 단자를 갖는다. NAND 게이트(326)의 제1 입력 단자는 NAND 게이트(324)의 출력 단자에 전기적으로 연결된다. NAND 게이트(326)의 제2 입력 단자는 전압 발진기(330)에 전기적으로 연결된다.
전압 발진기(330)는 복수의 제1 전압 펄스들(도 4(d)의 PULS1)의 각각의 전압 펄스의 펄스폭을 결정하는 제1 클록킹 신호를 출력하도록 구성된다. NAND 게이트(324)가 높은 논리 전압을 출력하면, NAND 게이트(326)는 제1 클록킹 신호에 대응하여 제2 클록킹 신호를 CLK 핀으로 출력한다. 카운터 마이크로칩(320)은, 복수의 제1 전압 펄스들(도 4(d)의 PULS1)의 전압 펄스 갯수가 임계 전압 펄스 갯수 보다 많거나 동일한 것으로 결정하면, STP 핀의 신호(STOP)를 출력한다. 이에 대응하여, NAND 게이트(324)는 낮은 논리 레벨 전압을 출력한다. 또한, NAND 게이트(326)는 높은 논리 레벨 전압을 출력하고 높은 논리 전압을 유지함으로써 카운터 마이크로칩(320)으로 하여금 복수의 제1 전압 펄스들의 출력을 중지하도록 유도하여 캐패시터(288)의 충전을 간접적으로 중단시킨다. 이후, STP 핀이 낮은 논리 전압을 출력하면, NAND 게이트(326)는 낮은 논리 레벨 전압을 출력한다.
트랜지스터(340)는 베이스(B1), 이미터(E1), 및 콜렉터(C1)를 포함한다. 베이스(B1)는 노드(358)에 전기적으로 연결된다. 이미터(E1)는 전기적 접지에 전기적으로 연결된다. 저항(334)은 노드들(357, 358) 사이에 전기적으로 연결된다. 또한, 저항(336)은 노드(358)와 전기적 접지 사이에 전기적으로 연결된다.
광 아이솔레이터(344)는 광 다이오드(350) 및 광-제어된 트랜지스터(352)를 포함한다. 다이오드(350)는 트랜지스터(340)의 콜렉터(C1)와 노드(278) 사이에 전기적으로 연결되어 작동 전압(Vz)을 수신한다. 광-제어된 트랜지스터(352)는 마이크로프로세서(25)에 전기적으로 연결되어 있는 전선들(154, 156) 사이에 전기적으로 연결된다. 복수의 제1 전압 펄스들의 전압 펄스 갯수가 임계 전압 펄스 갯수를 초과한다는, 즉 캐패시터(488)가 성공적으로 충전되지 못했음을 나타내면서 카운터 마이크로칩(320)에서 높은 논리 전압을 STP 핀 상에 출력하면, 트랜지스터(340)는 발광 다이오드(350)가 빛을 내도록 전류를 도통시킨다. 그 빛에 대응하여, 광 제어 트랜지스터(352)는 그를 통해 전류를 도통시키며, FAULT 신호가 마이크로프로세서(25)에 의해 수신된다.
전압 펄스 생성 회로
전압 펄스 생성 회로(222)는 PULS2(도 4(g)에 도시됨)로 표시된 복수의 제2 전압 펄스들을 생성하도록 구성된다. 전압 펄스 생성 회로(222)는 저항들(370, 372), 캐패시터(374), 트랜지스터(378), 및 NAND 게이트들(382, 386, 390)을 포함한다.
트랜지스터(378)는 베이스(B2), 이미터(E2), 및 콜렉터(C2)를 포함한다. 베이스(B2)는 노드(375)에 전기적으로 연결된다. 이미터(E2)는 전기적 접지에 전기적으로 연결된다. 콜렉터(C2)는 전압 모니터링 회로(210)의 노드(278)에 전기적으로 연결되어 작동 전압(Vz)을 수신한다. 저항(372)은 노드(375)와 전기적 접지 사이에 전기적으로 연결된다. 캐패시터(374)는 노드(375)와 노드(377) 사이에 전기적으로 연결된다. 저항(370)은 카운터 회로(216)의 OUT 핀과 노드(377) 사이에 전기적으로 연결된다. 복수의 제2 전압 펄스들(PULS2)이 높은 논리값을 가질 때, 트랜지스터(378)는 NAND 게이트(382)의 입력 단자들(S1, S2)에 낮은 논리 전압을 인가한다. 이와 달리, 복수의 제2 전압 펄스들(PULS2)이 낮은 논리값을 가질 때, 트랜지스터(378)는 NAND 게이트(382)의 입력 단자들(S1, S2)에 높은 논리 전압을 인가한다.
NAND 게이트(382)는 입력 단자들(S1, S2) 및 출력 단자(SOUT)를 갖는다. 입력 단자(S1)는 트랜지스터(378)의 콜렉터(C2)에 전기적으로 연결된다. 입력 단자(S2)는 NAND 게이트(386)의 출력 단자(ROUT)에 전기적으로 연결된다. NAND 게이트(382)의 출력 단자(SOUT)는 복수의 제2 펄스들(도 4(g)의 PULS2)을 출력한다.
NAND 게이트(386)는 입력 단자들(R1, R2, R3) 및 출력 단자(ROUT)를 갖는다. 입력 단자(R1)는 NAND 게이트(382)의 출력 단자(SOUT)에 전기적으로 연결된다. 입력 단자(R2)는 NAND 게이트(390)의 출력 단자에 전기적으로 연결된다. 입력 단자(R3)는 NAND 게이트(472)의 출력 단자에 전기적으로 연결된다.
NAND 게이트(390)는 제1 및 제2 입력 단자들 및 하나의 출력 단자를 갖는다. NAND 게이트(390)의 제1 및 제2 입력 단자들은 전압 모니터링 회로(210)의 NAND 게이트(274)의 출력 단자에 전기적으로 연결된다. NAND 게이트(274)의 출력 핀이 낮은 논리 전압을 출력하면, NAND 게이트(390)의 출력 단자는 높은 논리 전압을 출력하며, 이는 NAND 게이트(386)의 입력 단자(R2)에 의해 수신된다. 이와 달리, NAND 게이트(274)의 출력 핀이 높은 논리 전압을 출력하면, NAND 게이트(390)의 출력 단자는 낮은 논리 전압을 출력하며, 이는 NAND 게이트(386)의 입력 단자(R2)에 의해 수신된다.
이하, 도 3 및 도 4(f) 및 도 4(g)를 참조하여, 캐패시터(288)가 성공적으로 충전될 경우 임의의 기간 동안의 전압 펄스 생성 회로(222)와 전류 모니터링 회로(234)의 작동에 대해 설명된다. 시간(T3)에, 카운터 마이크로칩(320)은 높은 논리 전압을 출력하고, 이에 대응하여, 트랜지스터(378)는 입력 단자(S1)로 낮은 논리 전압을 출력한다. 이에 대응하여, 시간(T3)에, NAND 게이트(382)는 전류 모니터링 회로(234)가 캐패시터(488)를 충전하도록 유도하기 위하여 PULS2 신호에 대한 높은 논리 전압을 출력한다.
시간(T4)에, 프리-차지 저항(428)을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨을 초과하고, 따라서 트랜지스터(460)가 턴온되고 높은 논리 전압이 전류 모니터링 회로(234)의 NAND 게이트(472)의 입력 단자에 인가된다. 이에 대응하여, NAND 게이트(472)는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 높거나 동일함을 나타내면서 IMAX 신호(도 4(f)에 도시됨)에 대한 낮은 논리 전압을 출력하며, 이는 NAND 게이트(386)의 입력 단자(R3)에 의해 수신된다. 이에 대응하여, NAND 게이트(386)의 출력 단자(ROUT)는 높은 논리 전압을 출력하는데, 이는 NAND 게이트(382)가 출력 단자(SOUT)에서 낮은 논리 전압을 출력하도록 유도하여 PULS2 신호를 시간(T4)에 낮은 논리 전압으로 전이시킨다. 시간(T5)에, IMAX 신호가 낮은 논리 전압으로 전이된다.
시간(T5)부터 시간(T22)까지, 전술한 단계들이 IMAX 신호와 PULS2 신호에 대해 반복된다. 시간(T23)에, 프리-차지 저항(428)을 통해 흐르는 순간 전류의 양이 임계 순간 전류 레벨을 초과하지 않으며 IMAX 신호는 낮은 논리 전압에서 유지되고, 트랜지스터(420)가 캐패시터(488)를 계속 충전하게끔 유도하도록 PULS2 신호는 높은 논리 전압에서 유지되는데, 이는 마이크로프로세서(25)가 제1 제어 신호(C1)를 낮은 논리 전압으로 전이시키기 전, 시간(T30)까지 유지된다.
도 3 및 도 8을 참조하면, 전압 펄스 생성 회로(22)의 NAND 게이트들(382, 386)의 논리적 동작이 논리진리표에 의해 기술되어 있다. "1"로 지정된 값은 높은 논리 전압을, "0"으로 지정된 값은 낮은 논리 전압을, 그리고 "X"로 지정된 값은 무관값(don't care value)을 나타낸다. NAND 게이트(382)의 입력 단자들은 S1, S2로 표시된다. NAND 게이트(382)의 출력 단자는 SOUT로 표시된다. NAND 게이트(386)의 입력 단자들은 R1, R2, R3로 표시된다. NAND 게이트(386)의 출력 단자는 ROUT로 표시된다. 낮은 논리 전압이 입력 단자들(R1, R2, R3) 중 임의의 입력 단자에 인가되면, 출력 단자(SOUT)에서 낮은 논리 전압을 출력하는 것을 알 수 있다.
구동 회로
도 1 및 도 3을 참조하면, 구동 회로(228)는 프리-차지 저항(428)을 통해 캐패시터(488)로 전류를 선택적으로 공급하여 캐패시터(488)를 충전하도록 구성된다. 구동 회로(288)는 트랜지스터(420), 저항들(424, 426, 428), 및 다이오드(432)를 포함한다.
트랜지스터(420)는 게이트(G), 드레인(D), 및 소스(S)를 포함한다. 게이트(G)는 노드(436)에서 저항(424)에 전기적으로 연결된다. 저항(424)은 노드(436)와 전압 펄스 생성 회로(222)의 NAND 게이트(382)의 출력 단자 사이에 전기적으로 연결된다. 소스(S)는 노드(438)에 전기적으로 연결된다. 저항(426)은 노드(436)와 노드(438) 사이에 전기적으로 연결된다. 다이오드(432)는 캐패시터(488)에도 전기적으로 연결되어 있는 전선(106)과 노드(438) 사이에 전기적으로 연결된다. 다이오드(432)는 프리-차지 회로(200)가 작동이 가능하지 않을 때 전류가 바람직하지 않게 배터리 모듈들(170, 172)로 유입되는 것을 방지하는 차단(blocking) 다이오드이다. 저항(428)은 배터리 팩(20)의 고압 단자(174)와 트랜지스터(420)의 드레인(D) 사이에 전기적으로 연결된다. 복수의 제2 전압 펄스들(도 4(g)에 도시됨)의 전압 펄스가 높은 논리값을 가질 때, 트랜지스터(420)는 저항(428), 트랜지스터(420), 및 다이오드(432)를 통해 전압 인버터(60)의 캐패시터(488)로 흐르는 전류를 도통시켜 캐패시터(488)를 충전한다. 이와 달리, 복수의 제2 전압 펄스들의 전압 펄스가 낮은 논리값을 가질 때, 트랜지스터(420)는 저항(428), 트랜지스터(420), 및 다이오드(432)를 통해 전압 인버터(60)의 캐패시터(488)로 흐르는 전류의 도통을 중지한다.
전류 모니터링 회로
도 3 및 도 4(f)를 참조하면, 전류 모니터링 회로(234)는 트랜지스터(420)와 프리-차지 저항(428)을 통해 흐르는 순간 전류를 모니터하고, 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 높을 때 높은 논리값을 갖는 IMAX 신호(도 4(f)에 도시됨)를 생성하도록 구비된다. 또한, 전류 모니터링 회로(234)는 순간 전류 레벨이 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일할 때 IMAX 신호(도 4(f)에 도시됨)를 낮은 논리값으로 전이시킨다.
전류 모니터링 회로(234)는 저항들(450, 452, 454, 456), 트랜지스터(460), 제너 다이오드(464), 캐패시터(468), 및 NAND 게이트(472)를 포함한다. 트랜지스터(460)는 베이스(B3), 이미터(E3), 및 콜렉터(C3)를 포함한다. 베이스(B3)는 노드(476)에 전기적으로 연결된다. 이미터(E3)는 배터리 팩(20)의 고압 단자(174)에 전기적으로 연결된다. 콜렉터(C3)는 저항(454)에 전기적으로 연결된다. 저항(452)은 배터리 팩(20)의 고압 단자(174)와 노드(476) 사이에 전기적으로 연결된다. 저항(450)은 노드(440)와 노드(476) 사이에 전기적으로 연결된다. 저항(454)은 콜렉터(C3)와 노드(478) 사이에 전기적으로 연결된다. 제너 다이오드(464)는 노드(478)와 노드(438) 사이에 전기적으로 연결된다. 캐패시터(468)는 노드(478)와 노드(438) 사이에 전기적으로 연결된다. 저항(456)은 노드(478)와 노드(438) 사이에 전기적으로 연결된다.
NAND 게이트(472)는 제1 및 제2 입력 단자들 및 하나의 출력 단자를 갖는다. NAND 게이트(472)의 제1 및 제2 입력 단자들은 노드(478)에 전기적으로 연결된다. NAND 게이트(472)의 출력 단자는 전압 펄스 생성 회로(222)의 NAND 게이트(386)의 제1 입력 단자에 전기적으로 연결된다.
작동시, 저항(428)을 통해 흐르는 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 높으면, 이에 트랜지스터(460)는 턴온되어 저항(454)을 통해 제너 다이오드(464), 캐패시터(468), 및 저항(456)의 병렬 조합으로 전류를 도통시킬 것이다. 그 결과, 높은 논리 전압이 NAND 게이트(472)의 제1 및 제2 입력 단자들에 인가되고, NAND 게이트(472)의 출력 단자가 낮은 논리 전압을 출력할 것이며 이는 전압 펄스 생성 회로(222)의 NAND 게이트(386)에 의해 수신된다. 이와 달리, 저항(428)을 통해 흐르는 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 낮으면, 이에 트랜지스터(460)는 턴오프될 것이다. 그 결과, 낮은 논리 전압이 NAND 게이트(472)의 제1 및 제2 입력 단자들에 인가되고 NAND 게이트(472)의 출력 단자가 높은 논리 전압을 출력할 것이며 이는 전압 펄스 생성 회로(222)의 NAND 게이트(386)에 의해 수신된다.
도 4(a) 내지 도 4(h)을 참조하면, 프리-차지 회로(200)가 캐패시터(488)를 성공적으로 충전하는 것을 보여주는 예시적인 신호들(C1, Vz, RESET, PULS1, STOP, IMAX, PULS2, 및 FAULT)에 대한 신호도들이 도시된다.
도 3 및 도 5(a) 내지 도 5(h)를 참조하면, 프리-차지 회로(200)가 캐패시터(488)를 성공적으로 충전하지 못한 고장(fault) 조건(예를 들면, 단락 조건)을 보여주는 신호들(C1, Vz, RESET, PULS1, STOP, IMAX, PULS2, 및 FAULT)에 대한 신호도들이 도시된다. 특히, 시간(T51)에, 카운터 마이크로칩(320)은, 임계 전압 펄스 갯수 보다 많거나 동일한 전압 펄스 갯수의 복수의 제1 전압 펄스들(도 5(d)의 PULS1)을 생성하였음을 나타내는, 즉 캐패시터(488)의 충전이 성공하지 못했음을 나타내는 높은 논리 전압을 갖는 STOP 신호를 생성한다. 이에 대응하여, 시간(T51)에, 카운터 회로(216)는 높은 논리값을 갖는 고장 신호를 생성하며, 이는 마이크로프로세서(25)에 의해 수신된다.
이하, 도 6을 참조하여, 전압 인버터(60)의 캐패시터(488)를 충전하기 위한 방법의 흐름도가 설명될 것이다.
650 단계에서, 마이크로프로세서(25)는 높은 논리 전압을 갖는 제1 제어 신호(C1)(도 4(a)에 도시됨)를 생성한다. 650 단계 이후, 본 방법은 654 단계로 진행한다.
654 단계에서, 전압 모니터링 회로(210)는 제1 제어 신호(C1)에 의해 유도된 작동 전압 레벨(Vz)(도 1에 도시됨)을 측정한다. 654 단계 이후, 본 방법은 658 단계로 진행한다.
658 단계에서, 전압 모니터링 회로(210)는 작동 전압 레벨(Vz)이 임계 작동 전압 레벨 보다 높은지 결정한다. 작동 전압 레벨(Vz)이 임계 작동 전압 레벨 보다 높으면, 본 방법은 662 단계로 진행한다. 이와 달리, 본 방법은 658 단계로 돌아간다.
662 단계에서, 전압 모니터링 회로(210)는 리셋 신호(RESET)(도 4(c)에 도시됨)를 생성하며, 이는 카운터 회로(216)에 의해 수신된다. 662 단계 이후, 본 방법은 666 단계로 진행한다.
666 단계에서, 카운터 회로(216)는 리셋 신호(RESET)(도 4(c)에 도시됨) 및 제1 제어 신호(C1)(도 1에 도시됨)에 대응하여 복수의 제1 전압 펄스들(PULS1)을 생성한다. 666 단계 이후, 본 방법은 670 단계로 진행한다.
670 단계에서, 트랜지스터(420)와 프리-차지 저항(428)을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일할 때, 전류 모니터링 회로(234)는 제1 출력 전압을 반복적으로 생성한다.
674 단계에서, 전압 펄스 생성 회로(22)는 복수의 제1 전압 펄스들 및 제1 출력 전압에 대응하여, 트랜지스터(420)와 프리-차지 저항(428)을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일한 동안 각각의 시간 간격으로 복수의 제2 전압 펄스들(도 4(g)에 도시됨)의 각각의 전압 펄스를 생성한다.
678 단계에서, 구동 회로(228)의 트랜지스터(420)는 복수의 제2 전압 펄스들에 대응하여 복수의 제3 전압 펄스들을 출력하여 전압 인버터(60)의 캐패시터(488)의 전압을 상승시킨다.
이하, 도 7을 참조하여, 도 6의 방법과 함께 실행되는 또 다른 방법의 흐름도가 설명될 것이다.
682 단계에서, 카운터 회로(216)는 복수의 제1 전압 펄스들(PULS1)(도 4(d)에 도시됨)의 생성된 전압 펄스 갯수를 카운트(count, 계수)한다. 682 단계 이후, 본 방법은 686 단계로 진행한다.
686 단계에서, 카운터 회로(216)는 전압 펄스 갯수가 소정의 전압 펄스 갯수 보다 많은지 결정한다. 전압 펄스 갯수가 소정의 전압 펄스 갯수 보다 많으면, 본 방법은 690 단계로 진행한다. 이와 달리, 본 방법은 682 단계로 진행한다.
690 단계에서, 카운터 회로(216)는 복수의 제1 전압 펄스들의 생성을 중지한다. 690 단계 이후, 본 방법은 694 단계로 진행한다.
694 단계에서, 카운터 회로(216)는 고장 신호(FAULT)를 생성하고, 이는 마이크로프로세서(25)에 의해 수신된다.
프리-차지 시스템 및 방법은 다른 시스템들 및 방법들에 대한 실질적인 장점을 제공한다. 특히, 프리-차지 시스템 및 방법은 캐패시터에 전기적으로 연결된 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류 레벨을 제한하면서 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 충전시키는 기술적 효과를 제공한다.
전술한 방법은 상기 방법들을 실시하기 위한 컴퓨터로 실행가능한 명령어들을 구비한 하나 또는 그 이상의 컴퓨터로 판독가능한 매체의 형태로 적어도 부분적으로 실시될 수 있다. 컴퓨터로 판독가능한 매체는 아래 중 하나 또는 그 이상을 포함할 수 있다: 하드 드라이브, RAM 메모리, 플래시 메모리, 및 당업자에게 알려진 기타 컴퓨터로 판독가능한 매체; 이때, 컴퓨터로 실행가능한 명령어가 하나 또는 그 이상의 마이크로프로세서에 로딩되어 실행될 때, 하나 또는 그 이상의 마이크로프로세서는 상기 방법들 중 적어도 일부를 실시하기 위한 장치가 된다.
본 청구된 발명이 비록 제한된 실시예들과 관련하여 상세하게 설명되었으나, 본 발명은 이러한 개시된 실시예들로 제한되지 않음을 손쉽게 이해하여야 한다. 다만, 본 청구된 발명은 이전까지 설명되지 않았으나 본 발명의 사상과 범위에 부합하는 어떠한 수의 변이, 변화, 대체 또는 이와 동등한 변동을 포함한 변형이 이루어질 수 있다. 덧붙여, 본 청구된 발명의 다양한 실시예들이 설명되었으나, 본 발명의 양상들은 전술된 실시예들의 일부만을 포함할 수 있음을 이해하여야 한다. 따라서, 본 청구된 발명은 전술한 설명에 의해 제한되지 않는다.
10: 전기 자동차
20: 배터리 팩
25: 마이크로프로세서
30: 프리-차지 시스템
40: 메인 컨택터
50: 접지 컨택터
60: 전압 인버터
70: 전기 모터
200: 프리-차지 회로
210: 전압 모니터링 회로
216: 카운터 회로
222: 전압 펄스 생성 회로
228: 구동 회로
234: 전류 모니터링 회로

Claims (12)

  1. 제1 제어 신호를 생성하도록 프로그램된 마이크로프로세서; 및
    상기 마이크로프로세서에 작동가능하게 연결되고, 카운터 회로, 전류 모니터링 회로, 전압 펄스 생성 회로, 및 구동 회로를 구비한 프리-차지 회로를 포함하는, 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 위한 프리-차지 시스템에 있어서,
    상기 카운터 회로는 상기 제1 제어 신호에 대응하여 복수의 제1 전압 펄스들을 생성하도록 구성되며,
    상기 전류 모니터링 회로는 상기 캐패시터에 전기적으로 연결된 트랜지스터와 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일하면, 제1 출력 전압을 생성하도록 구성되며,
    상기 전압 펄스 생성 회로는 상기 복수의 제1 전압 펄스들 및 상기 제1 출력 전압에 대응하여, 상기 캐패시터에 전기적으로 연결된 상기 트랜지스터와 상기 프리-차지 저항을 통해 흐르는 상기 순간 전류가 상기 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일한 동안 각각의 시간 간격으로 복수의 제2 전압 펄스들의 각각의 전압 펄스를 생성하도록 구성되며,
    상기 구동 회로는 상기 트랜지스터 및 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결된 상기 프리-차지 저항을 구비하며, 상기 트랜지스터는 배터리 팩의 고압 단자와 상기 전압 인버터의 상기 캐패시터 사이에 전기적으로 연결되도록 구성되고 상기 복수의 제2 전압 펄스들에 대응하여 복수의 제3 전압 펄스들을 출력하여 상기 전압 인버터의 상기 캐패시터의 전압을 증가시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 프리-차지 시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 카운터 회로는 상기 복수의 제1 전압 펄스들의 전압 펄스 갯수를 카운트하도록 더욱 구성되고,
    상기 카운터 회로는, 상기 전압 펄스 갯수가 소정의 전압 펄스 갯수 보다 많으면, 상기 복수의 제1 전압 펄스들의 생성을 중지하도록 유도하는 중지 신호를 생성하도록 더욱 구성되는 것을 특징으로 하는 프리-차지 시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 카운터 회로는, 상기 중지 신호에 대응하여, 상기 캐패시터가 성공적으로 예비 충전되지 않았음을 나타내는 고장 신호를 생성하도록 더욱 구성되며, 이는 상기 마이크로프로세서에 의해 수신되는 것을 특징으로 하는 프리-차지 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 마이크로프로세서는 상기 제1 제어 신호의 생성을 중지하도록 더욱 프로그램되고,
    상기 카운터 회로는, 상기 제1 제어 신호의 생성 중단에 대응하여, 상기 복수의 제1 전압 펄스들의 생성을 중단하도록 더욱 구성되는 것을 특징으로 하는 프리-차지 시스템.
  7. 전기 모터용 전압 인버터의 캐패시터를 예비 충전하기 위한 방법에 있어서,
    마이크로프로세서 및 상기 마이크로프로세서에 작동가능하게 연결된 프리-차지 회로를 구비한 프리-차지 시스템을 제공하는 단계로, 상기 프리-차지 회로는 카운터 회로, 전류 모니터링 회로, 전압 펄스 생성 회로 및 구동 회로를 구비하고, 상기 구동 회로는 트랜지스터 및 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결된 프리-차지 저항을 구비하고, 상기 트랜지스터는 배터리 팩의 고압 단자와 상기 캐패시터 사이에 전기적으로 연결되도록 구성되며;
    상기 마이크로프로세서를 이용하여, 제1 제어 신호를 생성하는 단계;
    상기 제1 제어 신호에 대응하여, 상기 카운터 회로를 이용하여, 복수의 제1 전압 펄스들을 생성하는 단계;
    상기 전류 모니터링 회로를 이용하여, 상기 트랜지스터와 상기 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일하면, 제1 출력 전압을 생성하는 단계;
    상기 복수의 제1 전압 펄스들 및 상기 제1 출력 전압에 대응하여, 상기 전압 펄스 생성 회로를 이용하여, 상기 트랜지스터와 상기 프리-차지 저항을 통해 흐르는 순간 전류가 임계 순간 전류 레벨 보다 낮거나 동일한 동안 각각의 시간 간격으로 복수의 제2 전압 펄스들의 각각의 전압 펄스를 생성하는 단계;
    상기 복수의 제2 전압 펄스들에 대응하여, 상기 트랜지스터를 이용하여, 복수의 제3 전압 펄스들을 출력하여 상기 전압 인버터의 상기 캐패시터의 전압을 증가시키는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제7항에 있어서,
    상기 카운터 회로를 이용하여, 상기 복수의 제1 전압 펄스들의 전압 펄스 갯수를 카운트하는 단계; 및
    상기 전압 펄스 갯수가 소정의 전압 펄스 갯수 보다 많으면, 상기 카운터 회로를 이용하여, 상기 카운터 회로가 상기 복수의 제1 전압 펄스들의 생성을 중지하도록 유도하는 중지 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 중지 신호에 대응하여, 상기 카운터 회로를 이용하여, 상기 캐패시터가 성공적으로 예비 충전되지 않았음을 나타내는 고장 신호를 생성하는 단계를 더 포함하며, 상기 고장 신호는 상기 마이크로프로세서에 의해 수신되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 마이크로프로세서를 이용하여, 상기 제1 제어 신호의 생성을 중지하는 단계; 및
    상기 카운터 회로를 이용하여, 상기 제1 제어 신호의 생성 중단에 대응하여, 상기 복수의 제1 전압 펄스들의 생성을 중단하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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