KR101666849B1 - 다공성 기판을 이용한 방사선 산란 방지용 그리드 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
다공성 기판을 이용한 방사선 산란 방지용 그리드 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법은 복수의 기공들을 가지는 다공성 기판을 구비하는 단계, 및 상기 다공성 기판에 특정 패턴의 복수의 방사선 차폐벽들을 형성하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 방사선 영상 장치용 그리드 및 상기 그리드의 제조 방법에 관한 것이다.
방사선(예컨대, 엑스선)을 이용한 영상 장치는 의료 분야에서 많이 활용되고 있다.
의료분야의 엑스선(X-ray) 촬영은 광범위한 의료 행위의 기본 요소 중 하나로, 엑스선 촬영은 검사하고자 하는 인체 부위에 엑스선을 조사하여 투과된 엑스선으로 상을 만들어 인체 내부의 상태 또는 병변을 알아내는 진단 방사선 검사방법이다. 이는 엑스선이 인체를 투과할 때 조직마다 흡수량이 다른 것을 이용한 것인데 엑스선은 인체를 통과하면서 일부가 흡수될 뿐만 아니라 일부는 산란되어 상을 흐리게 한다.
엑스레이 그리드(X-ray grid)는 산란된 엑스선에 의하여 상이 흐려지는 것을 방지하기 위하여 사용되며 피사체(인체)와 필름 사이에 배치된다.
그러나 피사체를 통과하여 피사체의 정보를 가진 엑스레이는 검출기에 도달하기 전에 자체 산란으로 인해 정보가 손실되는 문제가 발생하고 있다. 이러한 산란광을 차단하고, 산란되지 않은 엑스레이만을 선별하여 투과시키는 구조물로서 사용되는 것이 엑스레이 그리드이다.
종래 기술에 따른 엑스레이 그리드는 납 시트와 알루미늄 시트를 에폭시 등으로 접착시킨 것을 소정의 두께로 잘라서 일렬로 특정한 각도로 붙여서 만들어진다.
이와 같이 만들어지는 종래 기술에 따른 엑스레이 그리드는 제조공정이 지나치게 길고 만들려는 형상에 제한이 많다. 또 현재 가장 얇은 납 시트의 경우 20um정도에 불과하므로, 인치당 라인수가 증가됨에 따라, 대응할 수 있는 제품이 역시 제한되게 된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 제조 공정이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있는 방사선 산란 방지용 그리드 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
또한 본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 방사선의 투과율을 높이면서도 방사선의 산란은 효과적으로 차단할 수 있는 방사선 산란 방지용 그리드 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드 장치는 복수의 기공들을 가지는 다공성 기판; 및 상기 다공성 기판에 특정 패턴으로 형성된 복수의 방사선 차폐벽들을 포함한다.
상기 다공성 기판의 재질은 유리, 폴리머(polymer), 또는 세라믹(ceramics)일 수 있다.
상기 다공성 기판의 재질은 알루미늄, 마그네슘, 및 카본 중 어느 하나의 단일물질 또는 둘 이상을 포함하는 합금일 수 있다.
상기 방사선 차폐벽들의 재질은 납, 금, 구리, 니켈, 텅스텐, 및 비스무트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법은 복수의 기공들을 가지는 다공성 기판을 구비하는 단계; 및 상기 다공성 기판에 특정 패턴의 복수의 방사선 차폐벽들을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 복수의 기공들 각각의 크기는 100nm 내지 10um 사이일 수 있다.
상기 다공성 기판의 기공율은 30 내지 60 % 사이일 수 있다.
상기 방사선 차폐기둥들은 납, 금, 텅스텐, 구리, 니켈, 및 은 중 하나 이상을 포함하는 다층막 또는 합금일 수 있다.
상기 방사선 차폐벽을 형성하는 단계는 상기 다공성 기판 상에 금속 박막을 형성하는 단계; 상기 금속 박막의 상부면에 상기 방사선 차폐벽들이 형성될 영역과 나머지 영역을 구분하는 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성하는 단계; 상기 방사선 차폐벽들이 형성될 영역에 방사선 차폐물질을 충진하는 단계; 상기 금속 박막 위의 포토레지스트를 제거하는 단계; 및 상기 방사선 차폐벽들을 제외한 나머지 영역의 금속 박막을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 공정이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 공정이 간단하여 다양한 제품에 적용 가능하도록 구현될 수 있어, 대응할 수 있는 제품에 제한이 없다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 영상장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 방사선 산란 방지용 그리드를 나타내는 도면이다.
도 3a는 도 2에 도시된 그리드의 제1 부분의 일 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 3b는 도 2에 도시된 그리드의 제1 부분의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 장치의 제조 방법을 좀 더 구체적으로 나타내는 흐름도이다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드를 제조하는 방법의 일 실시예를 순차적으로 나타낸 수직 단면도들이다.
도 2는 도 1에 도시된 방사선 산란 방지용 그리드를 나타내는 도면이다.
도 3a는 도 2에 도시된 그리드의 제1 부분의 일 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 3b는 도 2에 도시된 그리드의 제1 부분의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 장치의 제조 방법을 좀 더 구체적으로 나타내는 흐름도이다.
도 6 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드를 제조하는 방법의 일 실시예를 순차적으로 나타낸 수직 단면도들이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1구성요소는 제2구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2구성요소는 제1구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장된 것이다. 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되거나, 층이 다른 층 또는 기판과 결합 또는 접착된다고 언급되는 경우에, 그것은 다른 층 또는 기판상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 의미한다.
상단, 하단, 상면, 하면, 전면, 후면, 또는 상부, 하부 등의 용어는 구성요소에 있어 상대적인 위치를 구별하기 위해 사용되는 것이다. 예를 들어, 편의상 도면상의 위쪽을 상부, 도면상의 아래쪽을 하부로 명명하는 경우, 실제에 있어서는 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 상부는 하부로 명명될 수 있고, 하부는 상부로 명명될 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 방사선 영상장치를 개략적으로 나타내는 도면이다. 이를 참조하면, 방사선 영상장치는 방사선 조사기(1), 방사선 산란 방지용 그리드(이하, '그리드'라 축약함)(10) 및 방사선 검출기(3)를 포함한다.
방사선 조사기(1)는 검사하고자 하는 대상(피사체, 예컨대, 인체 부위)(2)에 방사선(예컨대, 엑스선, 알파선, 베타선, 감마선 등)을 조사하기 위한 장치이다. 실시예에 따라, 방사선 조사기(1)는 엑스선(X-ray)을 조사할 수 있는 엑스선 조사기일 수 있다.
방사선 산란 방지용 그리드(10)는 피사체(예컨대, 인체)(2)를 통과하여 피사체의 정보를 가진 방사선의 산란을 차단하고 산란되지 않은 방사선만을 선별적으로 투과시키는 장치로서, 피사체(2)와 방사선 검출기(3) 사이에 배치된다. 즉, 방사선 산란 방지용 그리드(10)는 산란된 방사선에 의하여 상이 흐려지는 것을 방지하기 위하여 사용된다.
방사선 검출기(3)는 피사체(2) 및 방사선 산란 방지용 그리드(10)를 통과하여 수신되는 방사선을 검출하는 장치이다.
도 1의 실시예에서는, 방사선 산란 방지용 그리드(10)는 방사선 검출기(3)와 피사체(2) 사이에 방사선 검출기(3)와 별도로 배치되도록 구현된다. 그러나, 다른 실시예에서는, 방사선 산란 방지용 그리드(10)가 방사선 검출기(3)와 일체형으로 구현될 수도 있다.
도 2는 도 1에 도시된 방사선 산란 방지용 그리드를 나타내는 평면도이다. 이를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 방사선 산란 방지용 그리드(10)는 다공성 기판(200)에 복수의 방사선 차폐벽들(250)이 일정 패턴으로 형성된다.
다공성 기판(200)은 기공이 많은 재료로 만든 기판, 또는 일정 범위 내의 크기를 가지는 기공들이 형성되도록 금속, 비금속 또는 무기질 재료를 가공 및/또는 성형하여 만든 기판이다.
다공성 기판(200)의 재질은 금속, 세라믹(ceramics), 폴리머(polymer), 또는 유리일 수 있다. 또한, 다공성 기판(200)의 재질은 알루미늄, 마그네슘, 카본의 단일물질 또는 합금일 수 있다. 이러한 재질을 갖는 기판에 일정 범위 내의 기공들이 형성되도록 가공, 성형함으로써 다공성 기판(200)이 마련될 수 있다.
다공성 기판(200)의 기공들 각각의 크기는 100nm 내지 10um 일 수 있고, 기공율은 30 내지 80 % 사이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
기공의 크기는 기공의 직경을 의미할 수 있다. 기공율은 다공성 기판(200)의 단위 면적당 기공이 차지하는 면적을 의미할 수 있다.
기공율이 높아질수록, 다공성 기판(100)의 밀도는 낮아질 수 있고, 방사선의 투과율은 높아질 수 있다.
방사선 차폐벽들(250)의 상부의 모양 혹은 수평 단면 모양은 다양할 수 있다. 예컨대, 방사선 차폐벽들(도 3a 및 도 3b의 250)의 각각의 모양은 원형 또는 임의의 다각형(예컨대, 삼각형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형 등) 모양일 수도 있고, 방사선 차폐벽들(도 3a 및 도 3b의 250)이 모여 일정 패턴을 형성할 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 다공성 기판(200)은 그리드(10)을 지지해주는 지지대 역할을 한다. 다공성 기판(200)을 지지대로 하여 기판(200)의 상부에 방사선 차폐벽들(250)이 일정 패턴으로 형성된다.
그리드(10)는 매우 미세한 장치므로, 이를 적절하게 지지해 주는 것이 중요하다. 그러나, 지지대 자체가 밀도가 높으면 방사선을 차단하게 된다. 그리드에 의하여 방사선이 많이 차단되면, 사용되는 방사선량이 증가될 수 밖에 없다.
따라서, 본 발명의 실시예에서는 저밀도의 다공성 기판(200)을 그리드(10)의 지지대로 사용함으로써 그리드(10)의 견고성을 높이고, 방사선 투과율 높이면서도 방사선의 산란을 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 3a는 도 2에 도시된 그리드(10)의 제1 부분(11)의 일 실시예를 나타내는 확대도이고, 도 3b는 도 2에 도시된 그리드(10)의 제1 부분(11)의 다른 실시예를 나타내는 확대도이다.
방사선 차폐벽들(250)을 형성하는 차폐 물질은 납, 금, 텅스텐, 비스무트, 구리, 니켈, 및 은 중 하나일 수도 있고, 또는 둘 이상을 포함하는 다층막이나 합금일 수 있다.
방사선 차폐벽들(250)의 높이는 100~1000um 사이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드의 제조 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드 장치의 제조 방법을 좀 더 구체적으로 나타내는 흐름도이다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 그리드를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 수직 단면도들이다.
도 4 내지 도 9를 참조하면, 먼저 일정 범위 내의 기공들을 가지는 다공성 기판(200)이 마련된다(S30). 도 6에는 복수의 기공들을 가지는 다공성 기판(200)이 도시되어 있다.
다음으로, 다공성 기판(200)에 복수의 방사선 차폐벽들(250)을 형성한다(S40).
다공성 기판(200)에 복수의 방사선 차폐벽들(250)을 형성하는 방법은 다양할 수 있다.
일 실시예에서, 다공성 기판(200)에 복수의 방사선 차폐벽들(250)을 형성하는 과정(S40)은 도 5에 도시된 S210 내지 S250 단계를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5에 도시된 실시예에 따르면, 다공성 기판(200) 상에 금속 박막을 형성한다(S210). 금속 박막은 하나 이상의 금속 박막으로 형성될 수 있다(S210). 도 7을 참조하면 다공성 기판(200) 상에 제1 금속 박막(210)이 형성되고, 제1 금속 박막(220) 위에 제2 금속 박막(220)이 형성된다. 제1 금속 박막(210) 및 제2 금속 박막(220)은 각각 티타늄 및 구리로 구현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
금속 박막(210, 220)은 물리 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)에 의해 형성될 수 있다.
물리 증착법은 진공 속에서 가스화한 물질을 기판의 표면에 피복하는 방법으로서, 진공 증착과 스퍼터링(sputtering) 방법으로 나뉜다. 진공 증착은 고진공하에서 금속을 가열한 후 증발되는 금속 입자를 기판에 부착시켜 박막을 만드는 방식이다. 스퍼터링이란 물질에 이온 충격을 가하면 상기 물질을 구성하는 원자나 분자가 튀어나와 상기 물질 주위의 물체면에 부착하는 현상을 이용하여 물체면에 박막을 형성하는 공정을 의미한다.
화학 증착법은 제조공정에서 피복하는 기판 위에 원료가스를 흐르게 하여 외부 에너지를 가하여 화학결합, 원료가스 분해 등의 반응으로 박막을 형성하는 방법이다.
금속 박막(210, 220)의 상부면에 두꺼운 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성한다(S220). 포토레지스트 패턴은 금속 박막(210, 220)의 상부면에 방사선 차폐벽들이 형성될 영역(240)과 나머지 영역을 구분하기 위한 패턴이다.
포토레지스트 패턴을 형성하기 위하여, 자세히 도시되지는 않았지만 금속 박막(210, 220)의 상부면 전체에 포토레지스트(230)를 도포한다.
포토레지스트는 빛을 조사하면 약품에 대한 내성이 변화하는 고분자 재료이다. 빛에 노출함으로써 약품에 대하여 불용성이 되는 네거티브(혹은 네거형) 포토레지스트와 반대로 가용성으로 되는 포지티브(positive) 포토레지스트가 있다. 포토레지스트(230) 위에 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)과 나머지 영역(230)을 구분하여 선택적으로 마스킹하기 위한 마스크 패턴(미도시)이 형성된다.
마스크 패턴에 따라 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240) 상의 포토 레지스트만을 제거함으로써, 도 8에 도시된 바와 같은 포토레지스트 패턴이 형성된다(S220)
다음으로, 포토레지스트가 제거된 영역, 즉 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)에 방사선 차폐물질을 충진한다(S230). 예를 들어, 방사선 차폐물질인 금속재를 전기 도금에 의해 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)에 충진할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전기 도금은 무전해 도금 또는 전해 도금 방법이 사용될 수 있다.
그러나, 실시예에 따라, 전기 도금(S150)이 아닌 다른 방법으로 방사선 차폐 물질을 충진할 수 있다.
예를 들어, 상술한 물리 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하여 방사선 차폐 물질을 충진할 수 있다.
또 다른 실시예에서는, 은 도전 페이스트(silver electrical conductive pastes) 또는 솔더 페이스트(solder paste)와 같은 금속재(243)를 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)에 충진할 수 있다.
방사선 차폐 물질 충진 공정(S230)이 완료된 후의 수직 단면도는 도 9와 같을 수 있다.
상기와 같이, 방사선 차폐벽들(250)이 형성될 영역(240)에만 방사선 차폐 물질을 채운 다음, 금속 박막(220) 위의 포토레지스트(230)를 제거한다(S240). 그러면, 도 10에 도시된 바와 같이, 방사선 차폐 물질로 구성된 방사선 차폐벽들(250)이 형성된다.
그리고, 방사선 차폐벽들(250)을 제외한 나머지 영역의 금속 박막(210, 220)도 제거한다(250). 그러면, 도 11에 도시된 바와 같이, 다공성 기판(200)을 지지대로 한 다수의 방사선 차폐벽들(250)이 형성된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 저밀도(low density)의 다공성 기판(200)을 그리드의 지지대로 사용함으로써 방사선의 투과율을 높이면서도 그리드를 견고하게 지지할 수 있다. 또한, 다공성 기판2100) 위에 격자 형태의 방사선 차폐벽(250)을 형성함으로써, 방사선의 산란을 효과적으로 차단할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 그리드 장치는 종래의 그리드 제품에 비하여 제조 공정이 간단하여 제조 비용을 절감할 수 있다.
이상에서는 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
방사선 조사기(1), 방사선 산란 방지용 그리드(10)
방사선 검출기(3), 다공성 기판(200)
금속 박막(210, 220), 포토레지스트(230)
방사선 차폐벽들(250)
방사선 검출기(3), 다공성 기판(200)
금속 박막(210, 220), 포토레지스트(230)
방사선 차폐벽들(250)
Claims (12)
- 복수의 기공들을 가지며, 상기 복수의 기공들 각각의 크기는 100nm 내지 10um 사이이고, 다공성 기판의 기공율은 30 내지 80 % 사이가 되도록 가공된 다공성 기판; 및
다공성 기판을 지지대로 하여 다공성 기판의 상부에 특정 패턴으로 형성된 복수의 방사선 차폐벽들을 포함하며,
상기 방사선 차폐벽들의 높이는 100 내지 1000um 사이이고,
상기 방사선 차폐벽들은
다공성 기판 위에 형성된 제1 금속 박막;
상기 제1 금속 박막 위에 형성되고, 상기 제1 금속과 다른 제2 금속 박막; 및
상기 제2 금속 박막의 상부면에 형성된 방사선 차폐물질을 포함하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치. - 제1항에 있어서, 상기 다공성 기판의 재질은
유리, 폴리머(polymer), 또는 세라믹(ceramics)인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치. - 제1항에 있어서, 상기 다공성 기판의 재질은
알루미늄, 마그네슘, 및 카본 중 어느 하나의 단일물질 또는 둘 이상을 포함하는 합금인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치. - 제 1항에 있어서, 상기 방사선 차폐벽들의 재질은
납, 금, 구리, 니켈, 텅스텐, 및 비스무트 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드 장치. - 복수의 기공들을 가지며, 상기 복수의 기공들 각각의 크기는 100nm 내지 10um 사이이고, 다공성 기판의 기공율은 30 내지 80 % 사이가 되도록 다공성 기판을 가공 및 성형하는 단계; 및
다공성 기판을 지지대로 하여 다공성 기판의 상부에 특정 패턴의 복수의 방사선 차폐벽들을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 방사선 차폐벽을 형성하는 단계는
다공성 기판 위에 제1 금속 박막을 형성하는 단계;
상기 제1 금속 박막 위에 제2 금속 박막을 형성하는 단계;
상기 제2 금속 박막의 상부면에 상기 방사선 차폐벽들이 형성될 영역과 나머지 영역을 구분하는 포토레지스트(photoresist) 패턴을 형성하는 단계;
상기 방사선 차폐벽들이 형성될 영역에 방사선 차폐물질을 충진하는 단계;
상기 제2 금속 박막 위의 포토레지스트를 제거하는 단계; 및
상기 방사선 차폐벽들을 제외한 나머지 영역의 제1 및 제2 금속 박막을 제거하는 단계를 포함하며,
상기 복수의 방사선 차폐벽들의 높이는 100 내지 1000um인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 제 5 항에 있어서, 상기 방사선 차폐벽들은
납, 금, 텅스텐, 비스무트, 구리, 니켈, 및 은 중 하나 이상을 포함하는 다층막 또는 합금인 것을 특징으로 하는 방사선 산란 방지용 그리드의 제조 방법. - 삭제
- 제 5 항에 있어서, 상기 제1 금속 박막 및 제2 금속 박막은
물리 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하여 형성되는 방사선 산란방지용 그리드의 제조 방법. - 제 5 항에 있어서, 상기 방사선 차폐물질을 충진하는 단계는
전기 도금을 이용하는 방사선 산란방지용 그리드의 제조 방법. - 제5항, 제8항, 제10항 및 제11항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의해 제조된 방사선 산란 방지용 그리드 장치.
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