KR101658054B1 - 발광 다이오드 구동부 - Google Patents

발광 다이오드 구동부 Download PDF

Info

Publication number
KR101658054B1
KR101658054B1 KR1020137016993A KR20137016993A KR101658054B1 KR 101658054 B1 KR101658054 B1 KR 101658054B1 KR 1020137016993 A KR1020137016993 A KR 1020137016993A KR 20137016993 A KR20137016993 A KR 20137016993A KR 101658054 B1 KR101658054 B1 KR 101658054B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
led
transistor
emitting diode
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020137016993A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130117826A (ko
Inventor
재홍 정
Original Assignee
재홍 정
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 재홍 정 filed Critical 재홍 정
Publication of KR20130117826A publication Critical patent/KR20130117826A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101658054B1 publication Critical patent/KR101658054B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/44—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix
    • H05B45/48—Details of LED load circuits with an active control inside an LED matrix having LEDs organised in strings and incorporating parallel shunting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/50—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED] responsive to malfunctions or undesirable behaviour of LEDs; responsive to LED life; Protective circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/20—Responsive to malfunctions or to light source life; for protection
    • H05B47/24—Circuit arrangements for protecting against overvoltage

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)

Abstract

본 발명은 발광다이오드 구동부 회로(10)에 관한 것으로서, 상기 발광다이오드 구동부 회로(10)는 n개의 그룹으로 나누어지는 LED스트링, 전기적으로 서로 직렬로 연결되는 상기 n개의 그룹의 LED, 그룹m의 상향 끝단에 전기적으로 연결되는 그룹m-1의 하향 끝단, m은 n보다 작거나 같은 양의 수; 그룹1의 상향 끝단과 결합하여 입력 전압을 제공하는 전원; 일단의 해당 그룹의 하향 끝단 및 타단의 그라운드와 결합하고, 감지증폭기 및 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 가지는 캐스코드를 포함하는 복수의 전류조절회로; 각각이 상기 제1 트랜지스터의 소스 전압을 감지하도록 적용되는 복수의 감지기를 포함한다.

Description

발광 다이오드 구동부 {LIGHT EMITTING DIODE DRIVER}
본 발명은 발광 다이오드 구동부에 관한 것으로, 특히 발광 다이오드의 스트링을 구동하는 회로에 관한 것이다.
저 에너지 소비 개념으로 인해, 발광 다이오드(LED) 램프는 널리 보급되고 있으며 에너지 부족 시대의 조명에 있어서 실용적인 것으로 간주되고 있다. 일반적으로, LED 램프는 LED의 스트링을 포함하여 필요한 광 출력을 제공한다. 상기 LED의 스트링은 병렬 또는 직렬로 배열될 수 있으며 또는 직렬과 병렬의 조합으로 배열될 수 있다. 배열 형태와 무관하게, 적절한 전압 및/또는 전류의 공급은 LED의 효율적 작동에 필수적이다.
주기적인 전원의 응용에 있어서, LED구동부는 시간변환전압을 적절한 전압 및/또는 전류 단계로 변환할 수 있어야 한다. 일반적으로, 상기 전압변환은 AC/DC 변환기로 알려진 회로에 의하여 수행된다. 이러한 변환기는 유도자, 변압기, 축전기 및/또는 기타 구성 요소들을 이용하는 데, 크기가 크고 수명이 짧아서 램프 디자인에 있어서 바람직하지 못한 형태 인자, 높은 제작비 및 시스템 신뢰도의 저하를 가져온다. 따라서, 신뢰성이 있으면서 소형 형태 인자를 가짐으로써 제작비를 낮출 수 있는LED 구동부가 필요하게 되었다.
실시예는 신뢰성을 높이고, 제작비를 줄일 수 있는 발광 다이오드 구동부를 제공하는데 있다.
본 발명의 일실시의 예에 의하면, 발광다이오드(LED)를 구동하는 방법은 전기적으로 서로 직렬로 연결되는 그룹들로 나뉘어지는 LED 스트링을 제공하는 단계; 상기 LED 스트링에 전기적으로 연결되는 전원을 제공하는 단계; 전류조절회로들 중 해당하는 하나를 통해 상기 각 그룹과 그라운드를 결합하는 단계; 상기 전원으로부터의 입력 전압이 그라운드의 전압 준위일 경우, 상기 그룹들 중 최상향의 하나에 해당하는 전류조절회로를 제외한 전류조절회로들을 오프(off)시키는 단계; 및 상기 전원으로부터의 입력 전압을 증가시켜 하향 순서로 상기 그룹들을 온(on)시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시의 예에 의하면, 발광다이오드 구동부 회로는 n개의 그룹으로 나누어지는 LED스트링, 전기적으로 서로 직렬로 연결되는 상기 n개의 그룹의 LED, 그룹m의 상향 끝단에 전기적으로 연결되는 그룹m-1의 하향 끝단, m은 n보다 작거나 같은 양의 수; 그룹1의 상향 끝단과 결합하여 입력 전압을 제공하는 전원; 일단의 해당 그룹의 하향 끝단 및 타단의 그라운드와 결합하고, 감지증폭기 및 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 가지는 캐스코드를 포함하는 복수의 전류조절회로; 및 각각이 상기 제1 트랜지스터의 소스 전압을 감지하도록 적용되는 복수의 감지기를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시의 예에 의하면, 발광다이오드(LED) 구동부 회로는 n개의 그룹으로 나누어지는 LED스트링, 전기적으로 서로 직렬로 연결되는 상기 n개의 그룹의 LED, 그룹m의 상향 끝단에 전기적으로 연결되는 그룹m-1의 하향 끝단, m은 n보다 작거나 같은 양의 수; 그룹1의 상향 끝단과 결합하여 입력 전압을 제공하는 전원; 일단의 해당 그룹의 하향 끝단 및 타단의 그라운드와 결합하고, 감지증폭기 및 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 가지는 캐스코드를 포함하는 복수의 전류조절회로; 및 각각이 상기 제1 트랜지스터의 소스 전압을 감지하도록 적용되는 복수의 감지기를 포함한다.
본 실시예에 따른 발광 다이오드 구동부는 신뢰성 및 전류 구동능력을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 10a 내지 10c는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따라 트랜지스터를 흐르는 전류를 제어하는 회로의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 과전압 감지기의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 12a 내지 도 12b는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 입력전원 생성기의 개략적인 다이어그램을 나타낸다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(또는 간략히 구동부라 한다)(10)의 개략적인 다이어그램이 보여진다. 상술한 바와 같이, 상기 구동부(10)는 교류(AC) 전원과 같은 전원에 의하여 전원이 공급된다. 상기 AC 전원으로부터의 전류는 정류 회로에 의해 정류된다. 상기 정류 회로는 브리지 다이오드 정류기와 같이 상기 AC 전원으로부터의 교류 전력을 정류할 수 있는 적절한 정류회로일 수 있다. 상기 정류된 전압 Vrect은 LED의 스트링에 인가된다. 바람직하게는, 상기 AC 전원과 정류기는 직류(DC) 전원으로 대체될 수 있다.
여기에서 사용되는 LED는 전통적인 LED, 초광도 LED, 고광도 LED, 유기LED 등과 같은 많은 다른 종류의 LED들에 있어서 일반적인 용어이다. 본 발명에서의 상기 구동부는 모든 종류의 LED에 적용할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, LED의 스트링은 전기적으로 전원과 연결되고 4개의 그룹으로 나뉘어진다. 그러나, 상기 LED의 스트링은 어느 적당한 숫자의 그룹으로 나뉘어질 수 있음이 당업자에게 자명하다. 각 그룹의 LED들은 같거나 또는 다른 종류의, 이를 테면, 색상과 같은 조합으로 이루어질 수 있다. LED들은 직렬 또는 병렬로 연결되거나 또는 직렬과 병렬을 혼합하여 연결될 수 있다. 또한, 하나 이상의 저항들이 각 그룹에 포함될 수도 있다.
별도의 전류조절회로(또는 간략히 조절회로)는 집합적으로 전류의 흐름 i1을 조절하기 위한 구성 요소의 그룹으로서, LED 그룹 각각의 하향 끝단과 연결되고, 제1 트랜지스터(UHV1), 제2 트랜지스터(M1), 감지증폭기(SA1)를 포함한다. 이하에서는, 트랜지스터라는 용어는 N-채널 MOSFET, P-채널 MOSFET, NPN-양극성 트랜지스터, PNP-양극성 트랜지스터, 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated gate Bipolar Transistor), 아날로그 스위치 또는 계전기를 의미한다.
상기 제1 및 제2 트랜지스터는 전기적으로 직렬연결되어, 캐스코드(cascode) 구조를 이룬다. 상기 제1 트랜지스터는 높은 전압으로부터 상기 제2 트랜지스터를 보호할 수 있다. 이와 같이, 상기 제1 트랜지스터는 그 기능이 상기 제2 트랜지스터를 보호하는 것으로 한정하지 않을지라도 이하에서 보호 트랜지스터로 부른다. 상기 제2 트랜지스터의 주된 기능은 상기 전류i1을 조절하는 것을 포함하고, 그것으로써 상기 제2 트랜지스터는 이하에서 조절 트랜지스터로 부른다. 상기 보호 트랜지스터는, 예를 들면, 상기 조절 트랜지스터 M1이 저전압(LV)트랜지스터, 중전압(MV) 트랜지스터 또는 고전압(HV) 트랜지스터일 수 있으며 상기 보호 트랜지스터보다 낮은 파괴전압을 가지는 반면, 500V의 높은 파괴전압을 가지는 초고압 (UHV) 트랜지스터이다. N1 과 같은 노드는 상기 보호 트랜지스터의 소스가 상기 조절 트랜지스터의 드레인에 연결되는 지점이다.
상기 감지증폭기(SA1)는 연산증폭기일수 있으며, 전압V1과 기준전압 Vref을 비교하고 상기 조절 트랜지스터의 게이트에 입력되는 신호를 출력하여, 상기 캐스코드와 전류감지저항 R1, R2, R3, R4를 흐르는 전류 i1 의 피드백제어를 형성한다. 상기 보호 트랜지스터의 게이트 전압은 상시전압 Vcc2로 설정될 수 있다 (이하에서는, Vcc2는 상시전압을 의미한다). 상기 상시 게이트 전압 Vcc2를 생성하는 메커니즘은 당분야에서 잘 알려져 있으며, 그것으로써 상기 메커니즘에 대한 자세한 설명은 본 명세서에서 기술하지 않는다.
상기한 바와 같이, 각 전류조절회로는 전류 감지 저항기를 거쳐 일단의 해당 LED 그룹의 하향 끝단 및 타단의 그라운드와 전기적으로 연결되어 있다. 전압 V1, V2, V3, V4는 상기 조절 트랜지스터 M1, M2, M3, M4의 하향 끝단에서의 전위를 각각 나타낸다. 따라서, 예를 들면, 전압 V1은 다음의 식으로 나타낼 수 있다.
V1 = i1*(R1 + R2 + R3 + R4) + i2*(R2 + R3 + R4) + i3*(R3 + R4) + i4*R4
구동부(10)는 정류된 전압Vrect의 준위가 변함에 따라 연속적으로 각 LED그룹을 온/오프할 수 있다. 전원의 전압이 0에서부터 증가하기 시작하면, 정류된 전압 Vrect는 전류가 LED를 흐르게 할 만큼 충분히 높지 않을 수 있다. 감지기1, 감지기2, 감지기3은 노드 N1, N2, N3에서의 전압 준위를 연속적으로 모니터한다. 노드N1에서의 전압 준위가 미리 설정된 임계 준위보다 낮으면, 감지기1은 자신의 출력 신호를 감지증폭기SA2로 전송하여 상기 감지증폭기SA2는 비활성화되고, 그 결과, 상기 조절 트랜지스터M2는 오프(off)된다. V1이 상기 기준 전압Vref보다 낮으므로, 상기 감지증폭기SA1은 활성화된다. 또한, 상기 활성화된 감지증폭기SA1은 high상태에서 출력 신호를 출력하여 상기 조절 트랜지스터M1을 온(on)시킨다. 보다 구체적으로, 상기 감지증폭기SA1의 출력 핀(pin)은 상기 조절 트랜지스터M1의 게이트에 직접 연결되고, high상태의 출력 신호는 상기 조절 트랜지스터M1을 온(on)시킨다. 따라서, 이 초기 단계에서, 제1조절 트랜지스터M1만이 온(on)되고, 그리하여, 다른 전류조절회로들은 오프(off)되는 반면에, 제1 전류조절회로만이 전류를 전도시킨다.
Vrect가 증가함에 따라, 전류i1은 제1 그룹LED1을 흐르고, LED1으로 하여금 빛을 방출하게 한다. 그러면, 전류i1은 트랜지스터UHV1, M1 과 상기 전류감지 저항 R1, R2, R3, R4을 거쳐 그라운드로 흐른다. 노드N1에서의 전압 준위가 미리 설정된 준위에 도달하면, 감지기1은 출력 신호를 상기 감지증폭기SA2로 전송하여 상기 감지증폭기SA2는 조절 트랜지스터M2를 온(on)시키고, 전류i2는 LED2를 흐른다. 따라서, 본 단계에서, 두 전류 i1과i2는 LED1과 LED2를 각각 흐른다.
Vrect가 더욱 증가하여 전압V1이 Vref보다 높아지는 준위까지 증가하면, 상기 감지증폭기SA1은 low상태의 출력신호를 상기 조절 트랜지스터M1에 전송하여 조절 트랜지스터M1을 오프(off)시킨다. 이 단계에서는, 전류i2만이 LED1과LED2를 흐른다. 전류i1이 차단되는 경우(또는 최소 준위로 설정되는 경우), 상기 구동부(10)의 전체 효율은 높아진다. 이는 보다 많은 전류가 LED2를 흐르면 LED2가 더 많은 빛을 생산할 것이고, 전류i1의 차단(또는 감소)은 전류 i1이 LED2로 다시 향하게 하기 때문이다.
그룹 2~4에 대응되는 다른 전류조절회로들에 대해서 같은 유추법이 적용된다. 예를 들면, 감지기2가 high상태의 출력 신호를 감지증폭기SA3에 전송할 때까지 LED3에 대한 상기 전류조절회로는 오프(off)된다. 또한, V3이Vref보다 높을 때 LED3에 대한 상기 전류조절회로는 오프(off)된다.
상기 소스 전압(또는 정류된 전압Vrect)이 자신의 피크(peak)에 도달하면, LED1, LED2, LED3에 대한 전류조절회로들은 오프(off)된다. Vrect가 하강을 시작함에 따라 상기 과정은 반대로 진행되어 상기 제1 전류조절회로가 마지막으로 다시 온(on)된다. Vrect가 변함에 따라 상기 전류조절회로들의 비슷한 동작 순서(다시 말해서, 온/오프시키는 순서)는 본 명세서의 모든 실시의 예에 적용된다.
앞서 설명한 바와 같이, 각 조절회로는 직렬로 배열되어 캐스코드 구조를 형성하는 UHV1과 M1과 같은 두 개의 트랜지스터를 포함한다. 상기 캐스코드 구조는 전류 싱크(sink)로 구현되는데, 단일 트랜지스터 전류 싱크에 비해 다양한 장점을 가진다.
첫째, 전류구동능력을 향상시킨다. 전류 싱크에 대해 설계된 포화 영역에서 작동하는 경우, LV/MV/HV NMOS의 전류구동능력(Idrv)는 UHV NMOS보다 훨씬 우수하다. 예를 들면, 일반적인 UHV NMOS 의 전류구동능력(Idrv)이 10 ~ 20 ㎂/㎛인 반면, 일반적인 LV NMOS의 전류구동능력(Idrv)는 500 ㎂/㎛이다. 따라서, 동일한 양의 전류의 흐름을 조절하기 위하여, 칩상에서 UHV NMOS의 필요한 투사영역은 적어도 LV NMOS의 20배 이상이다. 또한, 일반적인 LV NMOS의 최소 채널 길이가 0.5 ㎛인 반면, 일반적인 UHV NMOS의 최소 채널 길이는 20㎛이다. 그러나, 일반적인 LV NMOS는 높은 전압으로부터의 보호를 제공하는 보호 메커니즘이 필요하다. 상기 캐스코드 구조에 있어서, 제2 트랜지스터, 바람직하게 LV/MV/HV NMOS는 전류조절기로 작용하는 반면, 제1 트랜지스터, 바람직하게 UHV NMOS는 보호 트랜지스터로 작용하여, 전류구동능력을 향상시킨다. 단일 UHV MNOS가 전류 싱크로 이용되고 선형 영역에서 작용되는 경우에서는 작용할 상기 보호 트랜지스터는 포화 영역에서는 작용하지 않는다. 이와 같이, 상기 전류구동능력 Idrv는 결정적 설계요소가 아니다. 오히려, 보호 트랜지스터의 저항Rdson이 캐스코드의 UHV NMOS를 설계하는 데 있어서 중요한 요소이다.
둘째, 캐스코드 구조의 직렬 구성에 의하여, 캐스코드 구조의 필요한 전압(전압 준수 또는 전압 여유라고도 알려진)은 단일 UHV NMOS 구성보다 높을 수 있다. 그러나, LED 구동부의 경우, 필요한 전압으로 인한 전력손실은 LED 구동 전압으로 인한 전력손실보다 훨씬 적다. 예를 들면, AC로 구동되는 LED구동부에 있어서, LED 구동 전압(LED의 양(陽)극에 걸리는 전압)은 100 Vmrs에서 250 Vrms의 범위에 이른다. 캐스코드 구조의 필요한 전압은 5V인 반면, 단일 UHV NMOS의 필요한 전압은 2V이라고 가정하자. 이 경우, 효율은 각각 98 ~ 99 % 과 95 ~ 98 %이다. 물론, Rdson 은 감소될 수 있어서 캐스코드 구조의 필요한 전압은 단일 UHV NMOS의 필요한 전압과 거의 동일할 수 있다. 주안점은 캐스코드 구조가 소비하는 추가적인 전력은 사소한 단점이라는 것이다. 만약 효율이 중요한 설계요소라고 하면, 두 개의 UHV NMOS트랜지스터를 이용하는 전류미러(mirror)구성은 트랜지스터의 칩상에서의 넓은 영역으로 인하여 실제로는 가능하지 않은 반면, 캐스코드 구조는 전류미러구성으로 설계될 수 있다.
셋째, 상기 UHV NMOS 와 LV/MV/HV NMOS는 개별적으로 제어되기 때문에, 전류 싱크를 온/오프시키는 것은 상기 캐스코드 구조에서 보다 더 수월하다. 단일 UHV NMOS전류 싱크에 있어서, 전류조절 및 온/오프 작용은 대형 커패시터의 특징을 가지고 있는 UHV NMOS의 게이트를 제어함으로써 이루어져야 한다. 이와 대조적으로, 캐스코드 구조에 있어서는, 전류조절은 LV/MV/HV NMOS을 제어함으로써 이루어질 수 있고 온/오프작용은 게이트에 적용되는 논리연산만을 필요로 하는 UHV NMOS를 제어함으로써 이루어질 수 있다.
넷째, 온/오프시키는 속도는 단일 UHV NMOS 구성보다 캐스코드 구조에서 보다 원활하게 제어된다. 단일 UHV NMOS 구성에 있어서, 전류는 게이트 전압의 제곱함수이므로 전류의 선형제어는 게이트 전압을 제어함으로써 수월하게 이루어질 수 없다. 이에 비해, 캐스코드 구조에서는, LV/MV/HV NMOS의 게이트가 제어되는 경우, 전류는 게이트 전압의 역함수인 저항장치로서 작용하므로, 전류 제어(slewing)는 보다 원활해진다.
다섯째, 캐스코드 구조는 보다 나은 잡음여유도를 제공한다. 전원장치로부터의 잡음은 LED를 통하여 전파될 수 있으며, 이어서 전류조절회로와 결합할 수 있다. 보다 구체적으로, 잡음은 전류조절회로의 피드백루프로 유입된다. 단일 UHV NMOS 구성에 있어서, 이 잡음은 이 루프에 직접 결합된다. 반면에, 캐스코드 구조에 있어서는, 잡음은 LV/MV/HV NMOS의 유효한 저항에 대한 UHV NMOS의 Rdson의 비율에 따라 희석된다.
여섯째, 캐스코드 구조에 의해서 생성된 잡음은 단일 UHV NMOS구성에서의 잡음보다 낮다. 캐스코드 구조에서는 전류제어가 주로 조절 트랜지스터에 의하여 이루어지는 반면, 단일 UHV NMOS구성에서는 전류제어가 UHV NMOS에 의하여 이루어진다. LV/MV/HV NMOS의 게이트 커패시턴스는 UHV NMOS의 게이트 커패시턴스보다 낮기 때문에, 캐스코드 구조에 의해서 생성된 잡음은 단일 UHV NMOS 구성에 의해서 생성된 잡음보다 낮다.
보호 트랜지스터 UHV1 ~ UHV4는 서로 동일하거나 상이할 수 있음을 유의해야 한다. 마찬가지로, 조절 트랜지스터 M1 ~ M4는 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 보호 트랜지스터와 조절 트랜지스터에 대한 설명은 설계자의 목적을 충족시키도록 선택될 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(20)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 구동부 회로(20)는 구동부 회로(10)과 유사하고, 차이점은 감지기1 ~ 감지기3의 각 출력 신호는 상기 상향 그룹의 감지증폭기의 기준 전압 결정에 이용된다. 예를 들어, 제1 기준 전압Vref1은 제2 기준 전압Vref2보다 낮다. 노드N2에서의 전압 준위가 미리 설정된 준위에 도달하면, 감지기2는 스위치SW1으로 신호를 전송하여 기준 전압이 Vref2에서 Vref1으로 스위칭된다. 그러면, 감지증폭기SA1의 출력 신호가 high상태에서low상태로 변경되어 상기 조절트랜지스터 M1을 오프(off)시킨다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(30)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 구동부 회로(30)는 구동부 회로(20)과 유사하며, 차이점은 감지증폭기SA2의 출력 신호가 상향 그룹의 스위치SW1으로 입력된다는 점이다. 상기 스위치SW1은 두 개의 기준 전압Vref1과Vref2사이에서 플립되어 상기 감지증폭기SA2의 출력 신호에 따라서 상기 감지증폭기SA1으로 적절한 기준 전압을 제공한다. 예를 들면, Vref2가 Vref1보다 높다. 그러면, 전압V2가 미리 설정된 준위에 도달하고 /도달하거나 노드N2에서의 전압 준위가 미리 설정된 준위에 도달하는 경우, 상기 감지증폭기SA2는 스위치SW1으로 신호를 전송하고, 이어서, 상기 스위치SW1은 Vref2에서Vref1으로 스위칭하여, 상기 감지증폭기SA1은 조절 트랜지스터M1을 차단한다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(40)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 구동부 회로(40)는 도1의 구동부 회로(10)과 유사하며, 차이점은 각 감지기의 출력 핀이 다음 하향 전류조절회로의 보호 트랜지스터의 게이트에 직접 연결된다는 점이다. 각 감지기는 출력 신호를 다음 하향 LED그룹과 연결된 제1(또는 보호) 트랜지스터에 전송하여, 전류조절회로를 흐르는 전류를 제어한다. 예를 들어, Vrect가 그라운드 준위에 있을 경우, 보호 트랜지스터UHV2, UHV3, UHV4는 오프(off)되고 UHV1은 온(on)된다. Vrect가 증가하고 감지기1에 의해 모니터링되는 노드N1에서의 전압이 미리 설정된 준위에 도달함에 따라, 감지기1은 출력 신호를 보호 트랜지스터UHV2의 게이트에 전송하여 UHV2를 온(on)시킨다. 그러면, 본 단계에서, 두 전류i1과i2는 LED1과LED2를 각각 흐른다. 전압V1이 Vref보다 높은 준위까지 Vrect가 더 상승하면, 상기 감지증폭기SA1은 low상태의 출력 신호를 상기 조절 트랜지스터M1으로 전송하여 상기 조절 트랜지스터M1을 오프(off)시킨다. 본 단계에서, 오직 전류i2만이 LED1과 LED2를 흐른다. 동일한 유추법이 나머지 다른 전류조절회로들에 적용된다. UHV1의 게이트 전압이 상시 준위Vcc2에서 유지되어, Vrect가 그라운드 준위에 있을 경우 온(on)된다는 것을 유의해야 한다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(50)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 구동부 회로(50)는 도4의 구동부 회로(40)과 유사하며, 차이점은 각 감지기의 출력 핀 역시 상기 상향 전류조절회로의 감지증폭기에 직접 연결되어 상기 상향 전류조절회로를 흐르는 전류를 제어한다. 예를 들면, 감지기2에 의하여 모니터링되는 노드N2에서의 전압이 미리 설정된 준위에 도달하는 경우, 감지기2는 출력 신호를 감지증폭기SA1으로 전송한다. 그러면, 상기 감지증폭기SA1은 출력 신호를 조절 트랜지스터M1의 게이트로 전송하여 전류i1을 오프(off)시킨다. 동일한 유추법이 감지기3과 감지기4에 적용된다. 상기 제1 보호 트랜지스터UHV1의 게이트가 상시 준위에서 유지되어, Vrect가 그라운드 준위일 때 LED1의 전류조절회로가 온(on)되는 것을 유의해야 한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(60)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 구동부 회로(60)는 도4의 구동부 회로(40)과 유사하며, 차이점은 각 감지기의 출력 핀 역시 상기 상향 전류조절회로의 스위치에 직접 연결되어 상기 상향 전류조절회로를 흐르는 전류를 제어한다. 예를 들면, 감지기2에 의하여 모니터링되는 노드N2에서의 전압이 미리 설정된 준위에 도달하는 경우, 감지기2는 출력 신호를 스위치SW1으로 전송한다. 그러면, Vref2가 Vref1보다 높다고 가정하여, 상기 스위치SW1은 Vref2에서 Vref1으로 플립하여 Vref1은 감지증폭기SA1으로 입력된다. 이어서, 감지증폭기SA1은 출력 신호를 상기 조절 트랜지스터M1의 게이트로 전송하여 전류i1을 차단한다. 동일한 유추법이 다른 감지기들에도 적용된다. 상기 제1 보호 트랜지스터UHV1의 게이트가 상시 준위에서 유지되어, Vrect가 그라운드 준위일 때 LED1의 전류조절회로가 온(on)되는 것을 유의해야 한다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(70)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 구동부 회로(70)는 구동부 회로(10)와 유사하며, 차이점은 구동부(70)는 감지기를 포함하지 않으며 감지증폭기SA1의 출력 신호는 하향 감지증폭기SA2로 입력된다는 것이다. 예를 들면, Vrect가 그라운드 준위인 경우, LED2, LED3, LED4의 전류조절회로들은 오프(off)된다. 전압V1dl 미리 설정된 준위에 도달함에 따라, 상기 감지증폭기 SA1은 출력 신호를 감지증폭기SA2로 전송하여 상기 감지증폭기SA2는 상기 조절 트랜지스터M2를 온(on)시키어, 전류i2가 LED2를 흐르게 한다. 따라서, 본 단계에서, 전류i1과i2는 LED1과LED2를 각각 흐른다.
전압V1이 Vref보다 높은 준위까지 Vrect가 더 상승하면, 상기 감지증폭기SA1은 low상태의 출력 신호를 상기 조절 트랜지스터M1으로 전송하여 상기 조절 트랜지스터M1을 오프(off)시킨다. 본 단계에서, 전류i2만이 LED1과LED2를 흐른다.
동일한 유추법이 그룹 2~4에 해당하는 다른 전류조절회로들에 적용된다. 예를 들면, LED3에 대한 전류조절회로는 상기 감지증폭기SA2가 high 상태의 출력 신호를 감지증폭기SA3에 전송할 때까지 비활성화 상태이다. 또한, LED3에 대한 전류조절회로는 V3이 Vref보다 높은 경우 오프(off)(또는 비활성화)된다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(80)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 구동부 회로(80)는 도7의 구동부 회로(70)과 유사하며, 차이점은 각 감지증폭기의 출력 핀이 하향 전류조절회로의 보호 트랜지스터의 게이트에 연결되어 상기 하향 전류조절회로를 흐르는 전류를 제어한다는 점이다. 예를 들어, Vrect가 그라운드 준위에 있을 때, 보호 트랜지스터 UHV2와 UHV3은 오프(off)되고 UHV1은 온(on)된다. 전압 V1이 미리 설정된 준위로 증가함에 따라, 상기 감지증폭기SA1은 출력 신호를 보호 트랜지스터 UHV2의 게이트로 전송하여 트랜지스터 UHV2를 온(on)시킨다. 동일한 유추법이 다른 전류조절회로들에 적용된다. 상기 제1 보호 트랜지스터UHV1의 게이트가 상시 준위에서 유지되어, Vrect가 그라운드 준위일 때 LED1의 전류조절회로가 온(on)되는 것을 유의해야 한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 LED 구동부 회로(90)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 구동부 회로(90)는 도8의 구동부 회로(80)과 유사하며, 차이점은 각 감지증폭기의 출력 핀 역시 상기 상향 전류조절회로의 스위치에 연결되어 상기 상향 전류조절회로를 흐르는 전류를 제어한다는 점이다. 예를 들어, 전압 V2가 미리 설정된 준위까지 증가함에 따라, 상기 감지증폭기SA2는 출력 신호를 스위치SW1으로 전송한다. 그러면, Vref2가 Vref1보다 높다고 가정하여, 상기 스위치SW1은 Vref2에서 Vref1으로 플립하여 Vref1은 감지증폭기SA1으로 입력된다. 이어서, 감지증폭기SA1은 출력 신호를 상기 조절 트랜지스터M1의 게이트로 전송하여 전류i1을 차단한다. 동일한 유추법이 다른 전류조절회로들에도 적용된다. 상기 제1 보호 트랜지스터UHV1의 게이트가 상시 준위Vcc2 에서 유지되어, Vrect가 그라운드 준위일 때 LED1의 전류조절회로가 온(on)되는 것을 유의해야 한다.
도 10a는 조절 트랜지스터M을 흐르는 전류i를 제어하기 위한 회로(100)의 개략적인 다이어그램을 보여준다. 회로(100)은 상기 구동부 회로들(10~90)에 포함된다. 도시된 바와 같이, 감지증폭기SA는 기준 전압Vref와 노드N에서의 전압 준위를 비교하여 조절 트랜지스터M의 게이트로 출력 신호를 전송하여 전류i를 제어한다. 상기 회로(100)의 구성 요소들의 유형과 작동 메커니즘은 도 1과 연계하여 상술한다. 예를 들면, 보호 트랜지스터가 UHV NMOS 인 반면, 조절 트랜지스터 M은 LV/MV/HV NMOS일 수 있다. 간결한 설명을 위해서 다른 구성 요소들의 설명은 반복하지 않는다.
도 10b는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따라 조절 트랜지스터M1을 흐르는 전류i를 제어하기 위한 회로(102)의 개략적인 다이어그램을 보여준다. 도시된 바와 같이, 또 다른 트랜지스터 M2는 조절 트랜지스터M1과 동일하고 조절 트랜지스터M1에 연결되어 전류미러구성을 형성한다. 보다 자세하게는, 두 트랜지스터M1과 M2의 게이트는 전기적으로 서로 연결되어 같은 게이트 전압을 갖는다. 제2 트랜지스터M2를 흐르는 전류Iref는 조절 트랜지스터M1을 흐르는 전류i를 조절하도록 제어된다. 상기 전류조절회로(102)는 도 10a의 전류조절회로(100)을 대신하여 사용될 수 있고, 이와 같이 전류조절회로(102)는 도 1 ~ 9의 구동부 회로들에 사용될 수 있다. 더욱이, 전류Iref는 하나의 준위에서 다른 준위로 변환하여 구동부 회로들(20, 30, 60, 90)에서의 Vref1에서 Vref2까지 기준 전압을 스위칭하는 효과를 가질 수 있다.
두 기준 전압Vref1과Vref2만이 구동부 회로들(20, 30, 60, 90) 의 각 스위치에 대해 이용됨을 유의해야 한다. 그러나, 두 개 이상의 기준 전압이 각 스위치에 이용될 수 있음은 당업자에게 자명하다.
도 10c는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따라 조절 트랜지스터M을 흐르는 전류i를 제어하기 위한 회로(104)의 개략적인 다이어그램을 보여준다. 도시된 바와 같이, 다음의 식으로 정해지는 비반전 입력 전압Vref가 감지증폭기SA에 공급된다.
Vref = Iref*R
여기서, Iref와 R은 전류와 저항을 각각 나타낸다.
전류조절회로(104)는 도 10a의 전류조절회로(100)을 대신하여 사용될 수 있다. 이와 같이, 전류조절회로(104)는 도 1 ~ 9의 구동부 회로들에 사용될 수 있다. 더욱이, 전류Iref는 하나의 준위에서 다른 준위로 변환하여 구동부 회로들(20, 30, 60, 90)에서의 Vref1에서 Vref2까지 기준 전압을 스위칭하는 효과를 가질 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 과전압 감지기(112)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 과전압 감지기(112)는 마지막LED그룹의 하향 끝단에 연결되는 제너(Zener) 다이오드; 전압을 감지하는 감지기(114); 및 감지저항R을 포함할 수 있다. 노드Z1에서의 전압 준위는 LED스트링에 의하여 Vrect와 전압 강하의 전압 차이와 같다. Z1에서의 전압 준위가 미리 설정된 준위, 바람직하게는 제너 다이오드의 파괴전압을 초과하는 경우, 전류는 감지저항R을 흐른다. 그러면, 감지기(114)는 저항R의 지점에서의 전압 준위를 감지하고 구동부 회로의 적절한 구성 요소에 신호를 전송하여 LED를 흐르는 전류를 제어 즉, LED를 흐르는 전류를 차단하거나 구동부 회로를 포함하는 칩에서의 과도한 전력소모를 방지한다. 예를 들면, 과전압 감지기(112)의 출력 신호가 도 1의 SA4에 입력되어 전류i4 가 차단된다. 다른 예로는, 상기 출력 신호가 기준 전압Vref를 생성하는 구성 요소(도 1에는 도시되지 않음)로 전송되어 상기 구성 요소는 도 1에서의 Vref를 감소시킬 수 있다. 또 다른 예로는, 상기 출력 신호가 보호 트랜지스터들 UHVs의 게이트 전압Vcc2를 낮추는 데 이용된다. 상기 과전압 감지기(112)는 또한 도 1 ~ 9의 구동부 회로들에도 사용 될 수 있음을 유의해야 한다.
도 1 ~ 9에 도시된 바와 같이, 각 구동부는 AC 전원으로부터 공급되는 전류를 정류하는 정류기를 포함할 수 있다. 고전력 LED 가로등과 같은 특정 응용분야에 있어서, LED 는 높은 전력 소비를 요구할 수 있다. 이러한 분야에서 구동부는 안전을 목적으로 변압기에 의해 교류 전원과 격리될 수 있다. 도 12a 내지 도 12b는 본 발명의 또 다른 실시의 예에 따른 입력전원 생성기(120 및 130)의 개략적인 다이어그램을 나타낸다. 도 12a에 도시된 바와 같이, 변압기(124)는 AC입력소스와 정류기(122) 사이에 배치될 수 있다. 아니면, 도 12b에 도시된 바와 같이, 정류기(132)는 AC입력소스와 변압기(134) 사이에 배치될 수 있다. 두 경우에 있어서, 전류i는 동작 중에 하나 또는 그 이상의 LED그룹을 흐른다. 입력 전원 생성기(120 및 130)는 도 1 ~ 9의 구동부에 적용될 수 있다.
물론, 상기 설명한 사항은 본 발명의 모범적인 실시의 예와 관련되어 있으며 그 변경은 다음의 청구범위에 명시된 바와 같이 본 발명의 기술적 사상과 범위에서 벗어나지 않고 실시될 수 있음이 이해되어야 할 것이다.

Claims (46)

  1. 전기적으로 서로 직렬로 연결되는 그룹들로 나뉘어지는 LED 스트링(string)을 제공하는 단계;
    상기 LED 스트링에 전기적으로 연결되는 전원을 제공하는 단계;
    전류조절회로들 중 해당하는 하나를 통해 상기 각 그룹과 그라운드를 결합하는 단계; 및
    상기 전원으로부터의 입력 전압을 증가시켜 하향 순서로 상기 그룹들을 온(on)시키는 단계를 포함하고,
    상향 그룹의 전류조절회로의 지점에서의 전압 준위는 상기 상향 그룹(upstream group)의 다음 하향 그룹(downstream group)의 전류조절회로를 온(on)시키는 데에 사용되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 각 전류조절회로는 감지증폭기와 제1 및 제2 트랜지스터를 가지는 캐스코드(cascode) 구조를 포함하며,
    상기 제1 트랜지스터의 게이트에 게이트 전압을 인가하는 단계;
    기준 전압을 상기 감지증폭기에 적용하는 단계; 및
    상기 감지증폭기로 하여금 출력 신호를 상기 제2 트랜지스터의 게이트로 전송하도록 하여 상기 제2 트랜지스터를 흐르는 전류를 조절하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    감지기로 하여금 상기 상향 그룹의 제1 트랜지스터의 소스 전압을 감지하게 하는 단계; 및
    상기 감지기의 출력 신호를 상기 상향 그룹의 다음 하향 그룹의 감지증폭기로 입력하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 게이트에 게이트 전압을 인가하는 단계는 상시 준위에서 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 인가된 게이트 전압을 유지하는 단계를 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 감지증폭기에 기준 전압을 적용하는 단계에 앞서, 상기 감지기의 출력 신호를 근거로, 제1 및 제2 상시 전압 중 하나를 상향 그룹의 다음 상향 그룹의 감지증폭기의 기준 전압으로 선택하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 감지증폭기에 기준 전압을 적용하는 단계에 앞서, 상기 상향 그룹의 감지증폭기의 출력 신호를 근거로, 제1 및 제2 상시 전압 중 하나를 상향 그룹의 다음 상향 그룹의 감지증폭기의 기준 전압으로 선택하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  7. 제 2항에 있어서,
    감지기로 하여금 상기 상향 그룹의 제1 트랜지스터의 소스 전압을 감지하게 하는 단계; 및
    상기 감지기의 출력 신호를 상기 상향 그룹의 다음 하향 그룹의 제1 트랜지스터의 게이트로 입력하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 감지기의 출력 신호를 상기 상향 그룹의 다음 상향 그룹의 감지증폭기로 입력하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 감지증폭기에 기준 전압을 적용하는 단계에 앞서, 상기 감지기의 출력 신호를 근거로, 제1 및 제2 상시 전압 중 하나를 상향 그룹의 다음 상향 그룹의 감지증폭기의 기준 전압으로 선택하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  10. 제 2항에 있어서,
    상기 상향 그룹의 감지증폭기의 출력 신호를 상기 상향 그룹의 다음 하향 그룹의 감지증폭기에 입력하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터의 게이트에 게이트 전압을 적용하는 단계는 상시 준위에서의 상기 제1 트랜지스터의 게이트에 적용되는 게이트 전압을 유지하는 단계를 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 상향 그룹의 감지증폭기의 출력 신호를 상기 상향 그룹의 다음 하향 그룹의 제1 트랜지스터의 게이트에 입력하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  13. 제 12항에 있어서,
    기준 전압을 상기 감지증폭기에 적용하는 단계에 앞서, 상기 상향 그룹의 감지증폭기의 출력 신호를 근거로, 상기 제1 및 제2 상시 전압 중 하나를 상기 상향 그룹의 다음 상향 그룹의 감지 트랜지스터의 기준 전압으로 선택하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  14. 제 2항에 있어서,
    기준 전압을 입력하는 단계에 앞서, 기준 전류로 하여금 저항을 흐르도록 하는 단계; 및 상기 저항에 걸친 전압 차이를 상기 기준 전압으로 취하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  15. 제 2항에 있어서,
    제너(Zener) 다이오드와 저항을 LED스트링의 하향 끝단과 그라운드 사이에 직렬로 배치하는 단계;
    감지기로 하여금 저항의 지점에서의 전압 준위를 모니터하도록 하는 단계;
    전류가 상기 제너 다이오드를 흐르는 경우, 상기 감지기로 하여금 신호를 전송하도록 하는 단계; 및
    상기 감지기의 출력 신호를 근거로, LED스트링을 흐르는 전류를 제어하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 전류를 제어하는 단계는
    상기 감지증폭기로 하여금 상기 감지기의 신호를 수신받도록 하는 단계; 및
    상기 감지증폭기로 하여금 상기 제2 트랜지스터의 게이트로 신호를 전송하도록 하는 단계를 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    기준 전압을 상기 감지증폭기에 적용하는 단계에 앞서,
    상기 감지기의 신호를 근거로 기준 전압을 변경하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 전류를 제어하는 단계는
    상기 감지기의 신호를 이용하여 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전압을 변경하는 단계를 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  19. 제 2항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 전류조절회로는 상기 제2 트랜지스터와 동일한 제3 트랜지스터를 포함하고, 상기 제2 트랜지스터의 게이트는 상기 제3 트랜지스터의 게이트와 직접 연결되어 전류미러를 형성하며, 상기 제2 트랜지스터를 흐르는 전류를 상기 제3 트랜지스터를 흐르는 전류로 변경함으로써 조절하는 단계를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 방법.
  20. n개의 그룹으로 나누어지는 LED스트링, 전기적으로 서로 직렬로 연결되는 상기 n개의 그룹의 LED, 그룹m의 상향 끝단에 전기적으로 연결되는 그룹m-1의 하향 끝단, m은 n보다 작거나 같은 양의 수;
    그룹1의 상향 끝단과 결합하여 입력 전압을 제공하는 전원;
    일단의 해당 그룹의 하향 끝단 및 타단의 그라운드와 결합하고, 감지증폭기 및 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 가지는 캐스코드를 포함하는 복수의 전류조절회로; 및
    각각이 상기 제1 트랜지스터의 소스 전압을 감지하도록 적용되는 복수의 감지기를 포함하고,
    상향 그룹의 상기 제1 트랜지스터의 소스 전압을 감지하는 상기 감지기의 출력이 상기 상향 그룹의 다음 하향 그룹의 전류조절회로를 온(On)시키는 데에 사용되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  21. 삭제
  22. 제 20항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터는 초고압 (UHV) 트랜지스터, N-채널 MOSFET, P-채널 MOSFET, NPN-양극성 트랜지스터, PNP-양극성 트랜지스터 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 중 하나인,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  23. 제 20항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는 저전압(LV)트랜지스터, 중전압(MV) 트랜지스터, 고전압(HV) 트랜지스터, N-채널 MOSFET, P-채널 MOSFET, NPN-양극성 트랜지스터, PNP-양극성 트랜지스터 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 중 하나인,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  24. 제 20항에 있어서,
    그룹m-1에 해당하는 감지기의 출력단은 그룹m에 해당하는 전류조절회로의 감지증폭기에 직접 연결되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  25. 제 24항에 있어서,
    각각이 두 개의 기준 전압 사이에서 스위치하도록 적용되고 전류조절회로들 중 해당하는 하나의 감지증폭기에 연결되는 복수의 스위치를 더 포함하고,
    그룹m-1에 해당하는 감지기의 출력단은 그룹m-2에 해당하는 스위치에 직접 연결되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  26. 제 24항에 있어서,
    각각이 두 개의 기준 전압 사이에서 스위치하도록 적용되고 전류조절회로들 중 해당하는 하나의 감지증폭기에 연결되는 복수의 스위치를 더 포함하고,
    그룹m에 해당하는 전류조절회로의 감지증폭기의 출력 핀은 그룹m-1에 해당하는 스위치에 직접 연결되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  27. 제 20항에 있어서,
    그룹m-1에 해당하는 감지기의 출력단은 그룹 m에 해당하는 전류조절회로의 제1 트랜지스터의 게이트에 직접 연결되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  28. 제 27항에 있어서,
    그룹m-1에 해당하는 감지기의 출력단은 그룹 m-2에 해당하는 전류조절회로의 감지증폭기에 직접 연결되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  29. 제 27항에 있어서,
    각각이 두 개의 기준 전압 사이에서 스위치하도록 적용되고 전류조절회로들 중 해당하는 하나의 감지증폭기에 연결되는 복수의 스위치를 더 포함하고,
    그룹m-1에 해당하는 감지기의 출력단은 그룹 m-2에 해당하는 스위치에 직접 연결되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  30. 제 20항에 있어서,
    상기 각 전류조절회로의 감지증폭기는 기준 전압 제공을 위한 전압 소스에 연결되고, 상기 전압 소스는 기준 전류 소스와 저항을 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  31. 제 20항에 있어서,
    LED스트링의 하향 끝단에 연결되는 과전압 감지기를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  32. 제 31항에 있어서,
    상기 과전압 감지기는 제너(Zener) 다이오드, 저항 및 상기 저항의 지점에서의 전압을 감지하도록 적용되는 감지기를 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  33. 제 20항에 있어서,
    각각이 그라운드와 전류조절회로들 중 해당하는 하나의 제2 트랜지스터의 소스 사이에 배치되는 복수의 저항을 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  34. 제 20항에 있어서,
    상기 전원은 정류기와 변압기를 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  35. n개의 그룹으로 나누어지는 LED스트링, 전기적으로 서로 직렬로 연결되는 상기 n개의 그룹의 LED, 그룹m의 상향 끝단에 전기적으로 연결되는 그룹m-1의 하향 끝단, m은 n보다 작거나 같은 양의 수;
    그룹1의 상향 끝단과 결합하여 입력 전압을 제공하는 전원; 및
    일단의 해당 그룹의 하향 끝단 및 타단의 그라운드와 결합하고, 감지증폭기 및 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터를 가지는 캐스코드를 포함하는 복수의 전류조절회로를 포함하고,
    그룹m-1에 해당하는 상기 전류조절회로의 전압을 그룹m에 해당하는 전류조절회로를 온(On)시키는 데에 사용하기 위해, 그룹m-1에 해당하는 상기 전류조절회로의 감지증폭기의 출력 핀은 그룹m에 해당하는 전류조절회로의 구성 요소에 직접 연결되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  36. 삭제
  37. 제 35항에 있어서,
    상기 제1 트랜지스터는 초고압 (UHV) 트랜지스터, N-채널 MOSFET, P-채널 MOSFET, NPN-양극성 트랜지스터, PNP-양극성 트랜지스터 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 중 하나인,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  38. 제 35항에 있어서,
    상기 제2 트랜지스터는 저전압(LV)트랜지스터, 중전압(MV) 트랜지스터 및 고전압(HV) 트랜지스터, N-채널 MOSFET, P-채널 MOSFET, NPN-양극성 트랜지스터, PNP-양극성 트랜지스터 및 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 중 하나인,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  39. 제 35항에 있어서,
    상기 구성 요소는 상기 감지증폭기인,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  40. 제35항에 있어서,
    상기 구성 요소는 상기 제1 트랜지스터의 게이트인,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  41. 제 40항에 있어서,
    각각이 두 개의 기준 전압 사이에서 스위치하고 해당 전류조절회로들 중의 하나의 감지증폭기에 연결되는 복수의 스위치를 더 포함하고,
    그룹m-1에 해당하는 상기 전류조절회로의 감지증폭기의 출력 핀은 그룹m-2에 해당하는 스위치에 직접 연결되는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  42. 제 35항에 있어서,
    상기 각 전류조절회로의 감지증폭기는 기준 전압 제공을 위한 전압 소스에 연결되고, 상기 전압 소스는 기준 전류 소스와 저항을 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  43. 제 35항에 있어서,
    LED스트링의 하향 끝단에 연결되는 과전압 감지기를 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  44. 제 43항에 있어서,
    상기 과전압 감지기는 제너(Zener) 다이오드, 저항 및 상기 저항의 지점에서의 전압을 감지하도록 적용되는 감지기를 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  45. 제 35항에 있어서,
    각각이 그라운드와 해당 그룹의 제2 트랜지스터의 소스 사이에 배치되는 복수의 저항을 더 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
  46. 제 35항에 있어서,
    상기 전원은 정류기와 변압기를 포함하는,
    발광다이오드(LED)를 구동하는 구동부 회로.
KR1020137016993A 2010-12-11 2011-11-21 발광 다이오드 구동부 KR101658054B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US42212810P 2010-12-11 2010-12-11
US61/422,128 2010-12-11
US13/244,892 2011-09-26
US13/244,892 US8890432B2 (en) 2010-12-11 2011-09-26 Light emitting diode driver
PCT/US2011/001927 WO2012078182A2 (en) 2010-12-11 2011-11-21 Light emitting diode driver

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130117826A KR20130117826A (ko) 2013-10-28
KR101658054B1 true KR101658054B1 (ko) 2016-09-22

Family

ID=46198654

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137016993A KR101658054B1 (ko) 2010-12-11 2011-11-21 발광 다이오드 구동부
KR1020137016996A KR101658059B1 (ko) 2010-12-11 2011-11-21 위상 제어 메커니즘을 가지는 발광 다이오드
KR1020137016991A KR101658052B1 (ko) 2010-12-11 2011-11-21 캐스코드 구조의 발광 다이오드 구동부

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137016996A KR101658059B1 (ko) 2010-12-11 2011-11-21 위상 제어 메커니즘을 가지는 발광 다이오드
KR1020137016991A KR101658052B1 (ko) 2010-12-11 2011-11-21 캐스코드 구조의 발광 다이오드 구동부

Country Status (3)

Country Link
US (5) US9144123B2 (ko)
KR (3) KR101658054B1 (ko)
WO (3) WO2012078183A2 (ko)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2510749B1 (en) * 2009-12-11 2013-09-25 Koninklijke Philips N.V. Driving modes for light circuits
KR102011068B1 (ko) * 2011-05-06 2019-08-14 이동일 Ｌｅｄ 구동 장치 및 이를 이용한 ｌｅｄ 구동 방법
EP2597931B1 (de) * 2011-09-01 2015-05-27 Silicon Touch Technology, Inc. Treiberschaltung und zugehörige Fehlererkennungsschaltung und Verfahren hierfür
KR101940780B1 (ko) * 2011-09-16 2019-01-22 서울반도체 주식회사 반도체 발광 소자를 적용한 조명 장치
KR20130078500A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 매그나칩 반도체 유한회사 Ｌｅｄ 구동 회로 및 이를 이용한 조명 장치
KR20130110410A (ko) * 2012-03-29 2013-10-10 엘지전자 주식회사 전력 보상 기능을 갖는 발광 다이오드 조명 장치
TW201352055A (zh) * 2012-06-01 2013-12-16 Jinone Inc Ｌｅｄ小串之控制裝置
KR101353254B1 (ko) * 2012-06-28 2014-01-17 삼성전기주식회사 엘이디 직구동 회로, 엘이디 직구동 장치 및 방법
KR101357916B1 (ko) * 2012-08-06 2014-02-03 메를로랩 주식회사 발광소자를 이용한 조명장치의 디밍 시스템
CN102937254A (zh) * 2012-08-21 2013-02-20 易美芯光（北京）科技有限公司 一种白光led集成光源
US8797699B2 (en) * 2012-08-30 2014-08-05 Nxp B.V. Medium-voltage drivers in a safety application
KR102061318B1 (ko) * 2012-10-08 2019-12-31 서울반도체 주식회사 Led 연속구동을 위한 led 구동장치 및 구동방법
CN102892238B (zh) * 2012-10-30 2015-02-04 四川新力光源股份有限公司 交流电直接驱动led模块的调光驱动电路
CN103796373B (zh) * 2012-11-02 2016-05-11 安恩国际公司 具有箝位装置的发光二极管照明系统的控制方法
US20140159603A1 (en) * 2012-12-07 2014-06-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Led driving apparatus and method
CN103025018B (zh) * 2012-12-14 2014-11-12 西安吉成光电有限公司 利用并联高压mos管控制的led驱动电路
CN103025017B (zh) * 2012-12-14 2014-11-12 西安吉成光电有限公司 基于并联开关控制的led驱动电路
KR101552823B1 (ko) * 2013-02-28 2015-09-14 주식회사 실리콘웍스 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로
CN103152894A (zh) * 2013-03-13 2013-06-12 深圳贝特莱电子科技有限公司 一种基于ac电源的分段式led驱动电路
TWM465514U (zh) * 2013-04-18 2013-11-11 Sun Power Lighting Corp 具線性式led串列群組驅動裝置之光源模組
US8847501B1 (en) * 2013-04-23 2014-09-30 Vastview Technology Inc. Apparatus for driving LEDs using high voltage
TWI477194B (zh) * 2013-05-29 2015-03-11 Richtek Technology Corp Light emitting diode drive device
EP3011805B1 (en) * 2013-09-19 2018-07-11 Philips Lighting Holding B.V. Light emitting diode driver with differential voltage supply
CN103796382A (zh) * 2014-01-16 2014-05-14 郭万里 一种可适应不同串联led个数的驱动电源电路
KR101555775B1 (ko) * 2014-02-13 2015-09-30 메를로랩 주식회사 교류 led 구동회로
CN103796395B (zh) * 2014-02-19 2016-04-06 中达电通股份有限公司 一种自适应恒功率led灯具及其控制方法
US9113517B1 (en) * 2014-04-01 2015-08-18 Rosen Lite Inc. Dimmable and blink-suppressible light emitting diode driving apparatus
KR20150116246A (ko) * 2014-04-07 2015-10-15 주식회사 동부하이텍 발광 소자 구동 장치 및 이를 포함하는 조명 장치
US9572212B2 (en) 2014-05-21 2017-02-14 Lumens Co., Ltd. LED lighting device using AC power supply
US20150351170A1 (en) * 2014-05-28 2015-12-03 Screen Labs America, Inc. Methods systems and devices for minimizing power losses in light emitting diode drivers
CN104039047A (zh) * 2014-06-05 2014-09-10 常州顶芯半导体技术有限公司 适于自动调节led工作电压的控制模块及其控制方法
CN104039046A (zh) * 2014-06-05 2014-09-10 常州顶芯半导体技术有限公司 一种高度集成的led线性控制模块及其控制方法
JP6262082B2 (ja) * 2014-06-09 2018-01-17 株式会社東芝 Ｄｃ−ｄｃ変換器
CN105208709A (zh) * 2014-06-19 2015-12-30 立锜科技股份有限公司 维持电路及具有维持电路的发光元件驱动电路
KR102277126B1 (ko) 2014-06-24 2021-07-15 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 조명 장치
KR20160014379A (ko) * 2014-07-29 2016-02-11 주식회사 실리콘웍스 조명 장치
KR102206282B1 (ko) * 2014-09-05 2021-01-22 서울반도체 주식회사 발광소자 구동회로 및 조명장치
KR102335464B1 (ko) * 2014-12-10 2021-12-07 주식회사 엘엑스세미콘 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로
WO2016108397A1 (en) * 2014-12-29 2016-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Display apparatus, and method of controlling the same
CN104918384A (zh) * 2015-06-18 2015-09-16 常州顶芯半导体技术有限公司 一种恒流源前置驱动电路及其控制方法
TWM515620U (zh) * 2015-09-11 2016-01-11 Luxmill Electronic Co Ltd 可消除電流欠量的多階led驅動電路
EP3145277B1 (en) 2015-09-17 2020-11-11 Nxp B.V. Circuits, controllers and methods for controlling led strings or circuits
US20180255614A1 (en) * 2015-09-28 2018-09-06 Kelsey-Hayes Company Programmable led driver
US9883554B2 (en) * 2015-09-29 2018-01-30 Microchip Technology Inc. Commutation circuit for sequential linear LED drivers
US9603213B1 (en) 2016-02-05 2017-03-21 Abl Ip Holding Llc Controlling multiple groups of LEDs
KR20170100916A (ko) * 2016-02-26 2017-09-05 주식회사 실리콘웍스 조명 장치의 제어 회로
US10874006B1 (en) 2019-03-08 2020-12-22 Abl Ip Holding Llc Lighting fixture controller for controlling color temperature and intensity
US20210014948A1 (en) * 2019-07-12 2021-01-14 Goodrich Corporation Led and display apparatus with variable input voltage and constant current drive

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173813A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Lg Phillips Lcd Co Ltd 発光ダイオード駆動装置
KR100973014B1 (ko) * 2008-12-11 2010-07-30 삼성전기주식회사 백라이트 유닛용 발광 다이오드 구동 장치
US20100194298A1 (en) * 2008-10-30 2010-08-05 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Led drive device, led drive method and lighting system

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5674762A (en) * 1995-08-28 1997-10-07 Motorola, Inc. Method of fabricating an EPROM with high voltage transistors
JP3214371B2 (ja) * 1996-10-09 2001-10-02 株式会社日立製作所 同期発電機制御システムおよびハイブリッド電気自動車
US6989807B2 (en) 2003-05-19 2006-01-24 Add Microtech Corp. LED driving device
WO2006023149A2 (en) * 2004-07-08 2006-03-02 Color Kinetics Incorporated Led package methods and systems
JP4581646B2 (ja) * 2004-11-22 2010-11-17 パナソニック電工株式会社 発光ダイオード点灯装置
US7081722B1 (en) 2005-02-04 2006-07-25 Kimlong Huynh Light emitting diode multiphase driver circuit and method
EP1935073A4 (en) * 2005-09-20 2009-05-20 Analog Devices Inc CIRCUIT FOR ATTACKING PARALLEL LED CHAINS CONNECTED IN SERIES
JP5099661B2 (ja) 2005-10-28 2012-12-19 株式会社寺田電機製作所 Ｌｅｄ駆動回路およびｌｅｄ駆動方法
KR101288593B1 (ko) 2006-10-16 2013-07-22 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 구동 장치 및 이를 이용한 액정 표시 장치
TWI349902B (en) 2006-11-16 2011-10-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Controlling apparatuses for controlling a plurality of led strings and related light modules
KR100905844B1 (ko) 2007-11-15 2009-07-02 삼성전기주식회사 발광소자 구동장치
US20090187925A1 (en) * 2008-01-17 2009-07-23 Delta Electronic Inc. Driver that efficiently regulates current in a plurality of LED strings
US8106604B2 (en) * 2008-03-12 2012-01-31 Freescale Semiconductor, Inc. LED driver with dynamic power management
US8365198B2 (en) * 2008-12-09 2013-01-29 Microsoft Corporation Handling exceptions in a data parallel system
KR101018114B1 (ko) * 2008-12-22 2011-02-25 삼성전기주식회사 액정 표시 장치의 전원 공급 장치
JP2010225742A (ja) 2009-03-23 2010-10-07 Sharp Corp Ｌｅｄ駆動回路、ｌｅｄ照明装置、及びｌｅｄ駆動方法
TWI410172B (zh) * 2009-04-16 2013-09-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 背光模組的驅動電路
US8324840B2 (en) 2009-06-04 2012-12-04 Point Somee Limited Liability Company Apparatus, method and system for providing AC line power to lighting devices
US8410717B2 (en) 2009-06-04 2013-04-02 Point Somee Limited Liability Company Apparatus, method and system for providing AC line power to lighting devices
US8569956B2 (en) 2009-06-04 2013-10-29 Point Somee Limited Liability Company Apparatus, method and system for providing AC line power to lighting devices
US8222832B2 (en) * 2009-07-14 2012-07-17 Iwatt Inc. Adaptive dimmer detection and control for LED lamp
US8334662B2 (en) * 2009-09-11 2012-12-18 Iwatt Inc. Adaptive switch mode LED driver
TWI425861B (zh) * 2010-04-13 2014-02-01 Leadtrend Tech Corp 校準裝置、方法及其多通道驅動電路及電流平衡方法
KR100997050B1 (ko) 2010-05-06 2010-11-29 주식회사 티엘아이 광량을 향상시키는 엘이디 조명 장치
US8476836B2 (en) * 2010-05-07 2013-07-02 Cree, Inc. AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments
JP6002670B2 (ja) 2010-09-10 2016-10-05 オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド Ｌｅｄを駆動するシステム及び方法
US8901835B2 (en) * 2010-09-15 2014-12-02 Analog Integrations Corporation LED lighting systems, LED controllers and LED control methods for a string of LEDS
WO2012061999A1 (en) 2010-11-12 2012-05-18 Shan C Sun Reactance led (light-emitting diode) lighting current control scheme
US8901849B2 (en) * 2010-12-11 2014-12-02 Jae Hong Jeong Light emitting diode driver
US8901853B2 (en) * 2012-07-11 2014-12-02 Analog Devices, Inc. Multi-string LED drive system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173813A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Lg Phillips Lcd Co Ltd 発光ダイオード駆動装置
US20100194298A1 (en) * 2008-10-30 2010-08-05 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Led drive device, led drive method and lighting system
KR100973014B1 (ko) * 2008-12-11 2010-07-30 삼성전기주식회사 백라이트 유닛용 발광 다이오드 구동 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US9018856B2 (en) 2015-04-28
US8598796B2 (en) 2013-12-03
KR20130135878A (ko) 2013-12-11
US8928251B2 (en) 2015-01-06
US20140333220A1 (en) 2014-11-13
WO2012078181A3 (en) 2012-09-13
KR20130117825A (ko) 2013-10-28
KR101658052B1 (ko) 2016-09-22
US8890432B2 (en) 2014-11-18
US20120146523A1 (en) 2012-06-14
WO2012078183A2 (en) 2012-06-14
US20120146522A1 (en) 2012-06-14
KR20130117826A (ko) 2013-10-28
KR101658059B1 (ko) 2016-09-22
WO2012078182A2 (en) 2012-06-14
US20120146514A1 (en) 2012-06-14
US20120146524A1 (en) 2012-06-14
WO2012078181A2 (en) 2012-06-14
WO2012078182A3 (en) 2012-09-27
US9144123B2 (en) 2015-09-22
WO2012078183A3 (en) 2012-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101658054B1 (ko) 발광 다이오드 구동부
US8901849B2 (en) Light emitting diode driver
KR100951258B1 (ko) 발광 소자의 구동 회로
US8638043B2 (en) Two-terminal current controller and related LED lighting device
US8638047B2 (en) Two-terminal current controller and related LED lighting device
KR100967172B1 (ko) 정전류 구동형의 발광다이오드 신호등 구동회로
KR101676585B1 (ko) 발광다이오드 구동기 회로
KR20160070925A (ko) 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로
TWI524812B (zh) 驅動應用高電壓之發光二極體串的裝置
TWI517747B (zh) 使用發光二極體之開啓電壓的發光二極體驅動器
JP5739834B2 (ja) Ｌｅｄ照明装置及び二端子電流コントローラ
KR101408027B1 (ko) 2-단자 전류 제어기 및 관련 ｌｅｄ 조명 장치
US8674609B2 (en) Two-terminal current controller and related LED lighting device
TWI516163B (zh) 具有相位控制機制之發光二極體驅動器
KR101397614B1 (ko) Ｌｅｄ 구동회로
WO2015139153A1 (zh) 驱动应用高电压的发光二极管的装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190801

Year of fee payment: 4