KR101653698B1 - 다중금속막 식각 방법 및 식각액 - Google Patents

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Abstract

다중금속막 식각 방법이 개시되며, 상기 다중금속막 식각 방법은, 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제2층을 포함하는 다중금속막을 식각하는 방법에 있어서, 상기 다중금속막 상에 소정의 패턴을 갖는 포토레지스트막을 형성하는 단계; 식각액을 사용하여 상기 다중금속막을 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 다중금속막을 식각하는 단계에서, 상기 식각액은 황산암모늄(ammonium sulfite) 및 하이드록실암모늄 황산염(hydroxylammonium sulfate) 중 하나 이상을 포함한다.

Description

다중금속막 식각 방법 및 식각액{METHOD FOR ETCHING A MULTI-LAYERED METAL FILM AND ETCHANT}
본원은 다중금속막 식각 방법 및 식각액에 관한 것이다.
일반적으로, 박막 트랜지스터는, 구리/티타늄의 이중막 형태의 전극이 식각되어 형성되는 배선을 포함한다.
이러한 구리/티타늄의 이중막을 식각하기 위한 식각액이 한국 공개특허 제10-2011-0037458호 및 중국 공개특허 제103668206호에 개시되어 있다.
그런데, 한국 공개특허 제10-2011-0037458호에 개시된 식각액을 식각에 이용하는 경우, 불소가 구리/티타늄의 이중막 상에 다공성의 부동태피막(산화피막)을 형성하는바, 단락 형상이 발생하였다. 또한, 이를 막기 위해 중국 공개특허 제103668206호에 개시된 바와 같이, 식각액에 클로린(chlorine) 계열의 방식제를 첨가하는 경우, 식각후 형성되는 배선에 잔사(residue)가 발생되었다.
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 식각후 형성되는 배선에서 잔사가 발생하는 것을 최소화하고 단락이 발생하는 것을 막을 수 있는 식각액을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본원의 제1 측면에 따른 다중금속막 식각 방법은, 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제2층을 포함하는 다중금속막을 식각하는 방법에 있어서, 상기 다중금속막 상에 소정의 패턴을 갖는 포토레지스트막을 형성하는 단계; 식각액을 사용하여 상기 다중금속막을 식각하는 단계; 및 상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하되, 상기 식각액은 황산암모늄(ammonium sulfite) 및 하이드록실암모늄 황산염(hydroxylammonium sulfate) 중 하나 이상을 포함하는 것인 계열의 화합물을 포함할 수 있다.
또한, 본원의 제2 측면에 따른 식각액은, 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제2층을 포함하는 다중금속막을 식각하기 위한 식각액으로서, 황산암모늄(ammonium sulfite) 및 하이드록실암모늄 황산염(hydroxylammonium sulfate) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염이 다중금속막의 표면에 치밀한 부동태피막을 형성하는바, 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염 중 하나 이상을 포함하는 식각액을 이용해 식각을 함으로써, 다중금속막의 국부 부식에 대한 저항성을 향상시키고, 배선 단락 및 잔사 발생을 방지할 수 있다. 또한, 식각 속도(Etch rate), 식각 손실(CD skew), 단차폭(Step length), 및 경사각(Taper angle) 등의 식각 특성을 동시에 개선할 수 있다.
또한, 전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 식각액의 수명 (life-time) 및 보존성이 향상되어, 식각액의 경제성을 확보할 수 있고, 식각액을 상업적으로 용이하게 적용할 수 있다.
도 1은 본원의 일 실시예에 따른 식각 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이다.
도 2는 도 3에 도시된 표에 기재된 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3, 비교예 4 및 비교예 5의 성분 표이다.
도 3은 도 2에 기재된 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3, 비교예 4 및 비교예 5의 식각 결과를 평가한 표이다.
도 4a는 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 각각에 따른 식각액을 이용하여 구리 단일막(5000A) 및 티타늄 단일막(3000A) 각각을 식각했을 때 나타난 식각 속도를 도시한 그래프이다.
도 4b는 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 따른 식각액 각각에 구리 이온 3000ppm을 추가로 첨가한 후, 구리 단일막 및 티타늄 단일막 각각을 식각했을 때 나타난 식각 속도를 도시한 그래프이다.
도 5a는 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 각각에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각했을 때 나타난 식각 손실(SKEW) 및 테일(step length)를 도시한 그래프이다.
도 5b는 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 따른 식각액 각각에 구리 이온 3000ppm을 추가로 첨가한 후, 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각했을 때 나타난 식각 손실(SKEW) 및 테일(step length)를 도시한 그래프이다.
도 6은 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 각각에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각한 후, 식각된 이중막의 배선 단락을 비교하기 위한 그래프이다.
도 7은 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 각각에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각한 후, 식각된 이중막에 의해 형성된 배선의 잔사 유무를 주사 전자 현미경(SEM)으로 측정하여 도시한 그래프이다.
도 8a는 은 도 2에 도시된 성분표의 비교예 2에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각한 후, 촬영한 이중막의 단면 사진이다.
도 8b는 도 2에 도시된 성분표의 실시예 2에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각한 후, 촬영한 이중막의 단면 사진이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원은 다중금속막 식각 방법 및 식각액에 관한 것이다.
먼저, 본원의 일 실시예에 따른 다중금속막 식각 방법(이하 '본 식각 방법'이라 함)에 대해 설명한다.
본 식각 방법은 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제2층을 포함하는 다중금속막을 식각하는데 적용된다. 다중금속막에 대해서는 후술하기로 한다.
도 1은 본 식각 방법을 설명하기 위한 개략적인 순서도이다.
도 1을 참조하면, 본 식각 방법은 다중금속막 상에 소정의 패턴을 갖는 포토레지스트막을 형성하는 단계(510), 식각액을 사용하여 다중금속막을 식각하는 단계(S530) 및 포토레지스트막을 제거하는 단계(S550)를 포함한다.
다중금속막을 식각하는 단계(S530)에서, 식각액은 황산암모늄(ammonium sulfite) 및 하이드록실암모늄 황산염(hydroxylammonium sulfate) 중 하나 이상을 포함한다.
황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염은 금속 이온과 착화물을 형성할 수 있고, 이를 통해, 다중금속막의 표면에 치밀한 부동태막을 형성할 수 있다.
예시적으로, 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염은 다중금속막의 구리 또는 티타늄과 반응하여, 다중금속막의 표면에 CuO 또는 TiO2를 형성할 수 있다. 다중금속막의 표면에 형성되는 CuO 또는 TiO2는 부동태막 역할을 하여 다중금속막의 국부 부식에 대한 저항성을 향상시킬 수 있고, 다중금속막이 식각됨으로써 형성되는 배선에 단락이 발생하는 것을 막을 수 있다. 또한, 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염은 식각이 진행되는 속도를 조절하여 식각이 안정적으로 진행되게 할 수 있다.
종래의 식각 방법에 의하면, 식각시, 다중금속막의 표면에 다공성 구조의 부동태막이 형성되었다. 부동태막이 다공성 구조를 가지고 식각액에 노출된 다중금속막의 표면을 온전히 덮지 못하는바, 식각 후, 형성되는 배선에 단락이 발생되었다.
그러나, 본 식각 방법에 의하면, 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염 중 하나 이상을 포함하는 식각액이 식각액에 노출되는 다중금속막의 표면에 치밀한 부동태막을 형성하는바, 배선 단락의 발생이 방지될 수 있다.
또한, 다중금속막을 식각하는 단계(S530)에서, 식각액은 황산암모늄을 포함하는 경우, 그의 총 중량에 대해 황산암모늄을 0.1 내지 8 중량% 포함할 수 있다.
만약, 식각액이 그의 총 중량에 대해 황산암모늄을 0.1 중량% 미만으로 포함하는 경우, 황산암모늄의 작용이 미미할 수 있다. 또한, 만약, 식각액이 그의 총 중량에 대해 황산암모늄을 0.8 중량% 이상으로 포함하는 경우, 다중금속막의 식각 속도가 저하될 수 있다. 특히, 다중금속막의 구리 부분에 대한 식각 속도가 저하될 수 있다. 따라서, 식각액이 황산암모늄을 포함하는 경우, 식각액은 그의 총 중량에 대해 황산암모늄을 0.1 내지 8 중량% 포함함이 바람직하다.
또한, 다중금속막을 식각하는 단계(S530)에서, 식각액은 하이드록실암모늄 황산염을 포함하는 경우, 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염을 0.1 내지 8 중량% 포함할 수 있다.
만약, 식각액이 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염을 0.1 중량% 미만으로 포함하는 경우, 하이드록실암모늄 황산염의 작용이 미미할 수 있다. 또한, 만약, 식각액이 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염을 0.8 중량% 이상으로 포함하는 경우, 다중금속막의 식각 속도가 저하될 수 있다. 특히, 다중금속막의 구리 부분에 대한 식각 속도가 저하될 수 있다. 따라서, 식각액은 하이드록실암모늄 황산염을 포함하는 경우, 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염을 0.1 내지 8 중량% 포함함이 바람직하다.
또한, 다중금속막을 식각하는 단계(S530)에서, 식각액의 일 구현예로서, 식각액은 과황산염 계열의 화합물, 플루오린 계열의 화합물 및 무기산 계열의 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
구리 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 다중금속막의 식각에 과황산염 계열의 화합물이 사용될 경우, 식각 효율이 향상될 수 있다. 만약, 식각액이 과황산염 계열의 화합물을 포함하지 않은 경우, 다중금속막의 제1층에 과식각 현상이 발생하고, 식각 후의 결과물인 제1층의 패턴이 심각하게 손상될 수 있다. 그러나, 본 식각 방법에 의하면, 식각액이 과황산염 계열의 화합물을 포함하는바, 이러한 문제가 발생하는 것을 막을 수 있다. 또한, 과황산염 계열의 화합물의 첨가에 따라, 식각 손실(CD skew) 및 경사각(Taper angle) 등의 식각 특성이 개선될 수 있다. 즉, 과황산염 계열의 화합물은 제1층의 식각 속도를 조절하는 역할을 할 수 있다. 그러나, 그 작용이 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적으로, 식각액은, 과황산염 계열의 화합물로서, 암모늄 퍼설페이트(ammonium persulfate), 포타슘 퍼설페이트(Potassium persulfate), 소듐 퍼설페이트 (Sodium persulfate), 옥손(Oxone) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 예시적으로, 식각액은, 그의 총 중량에 대해, 과황산염 계열의 화합물을 5 - 20 중량% 포함할 수 있다.
만약, 과황산염 계열의 함유량이 5 중량% 미만인 경우, 과황산염 계열의 화합물의 작용을 기대하기 힘들 수 있으며, 식각액의 제조 과정에서 퓸 (fume)이 발생할 수 있고, 에칭 속도가 지나치게 저하될 수 있다. 또한, 과황산염 계열의 함유량이 20 중량% 이상인 경우, 에칭 속도가 지나치게 높아 다중금속막을 식각하는 단계(S530)의 수행에 있어서, 식각 공정의 제어가 어려워질 수 있다. 따라서, 과황산염 계열의 화합물의 함유량은 5 - 20 중량%가 바람직하다.
플루오린 계열의 화합물은 식각 속도를 조절하고 식각 효율을 향상시키는 작용을 할 수 있다. 특히, 티타늄 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 다중금속막의 식각에 플루오린 계열의 화합물이 사용되는 것이 바람직하다.
일반적으로, 티타늄은 표면에 치밀한 부동태피막을 가지고 있는바, 대부분의 수용액에서 잘 녹지 않는 부동태 현상을 보이며, 이에 따라, 플루오린 계열의 화합물을 포함하지 않는 식각액으로 식각 처리할 경우, 티타늄 부분의 식각이 저활성화될 수 있다.
그러나, 본 식각 방법은, 식각액에 플루오린 계열의 화합물을 첨가함으로써, 플루오린 이온을 이용해 티타늄의 산화피막을 파괴하여, 티타늄 부분을 효율적으로 식각할 수 있다.
또한, 플루오린 계열의 화합물은 잔사를 제거하는 작용을 할 수 있다. 이에 따라, 본 식각 방법에 의해 식각된 다중금속막이 박막 트랜지스터 등에 적용될 때, 픽셀 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
예시적으로, 식각액은, 플루오린 계열의 화합물로서, 불화 수소(HF), 불화 암모늄(NH4F), 불화 암모늄(NH4HF2), 붕소 (NH4BF4), 불화 칼륨(KF), 칼륨중불화물(KHF2), 테트라 플루오로 붕산 칼륨(KBF4), 불화 나트륨(NaF), 불화 수소 나트륨(NaHF2), 불화 알루미늄 (AlF3와), 불화 산 (HBF4), 불화 리튬(LiF) 및 칼슘 불화물(CaF2) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 식각액은 그의 총 중량에 대해, 플루오린 계열의 화합물을 0.001 - 2 중량% 포함할 수 있다. 만약, 플루오린 계열의 화합물이 0.01 중량% 미만인 경우 티타늄의 에칭 속도 저하로 잔사가 발생할 수 있다. 또한, 플루오린 계열의 화합물이 2 중량% 이상인 경우 식각 도중 다중금속막이 형성된 하부 유리기판(SiNx, SiO2) 등이 과식각되어, 언더컷(undercut)이 발생되거나 배선 단락이 발생될 수 있다. 따라서, 플루오린 계열의 화합물은 0.001 - 2 중량% 첨가됨이 바람직하다.
또한, 무기산 계열의 화합물은 기본적인 산화제 역할을 할 수 있다. 또한, 무기산 계열의 화합물은 다중금속막에 포함된 구리 및 티타늄의 표면에 부동태막을 형성할 수 있다.
또한, 식각액은 그의 총 중량에 대해, 무기산 계열의 화합물을 1-10 중량% 포함할 수 있다. 만약, 무기산 계열의 화합물이 1 중량% 미만인 경우, 식각 프로파일이 나빠질 수 있다. 또한, 만약 무기산 계열의 화합물이 10 중량% 첨가되는 경우, 포토레지스트막의 균열이 발생하여 다중금속막의 식각 후, 국부 부식이 발생될 수 있다.
예시적으로, 식각액은, 무기산 계열의 화합물로서, 질산 계열의 화합물(이를테면, 질산, 질산철(III)(Fe(NO3)3), 질산칼륨, 질산암모늄, 질산리튬 등), 황산 계열의 화합물(이를테면, 황산, 황산수소암모늄(NH4HSO4), 황산수소칼륨(KHSO4), 황산칼륨(K2SO4) 등) 및 인산 계열의 화합물(이를테면, 인산, 인산암모늄((NH4)3PO4), 인산일수소암모늄((NH4)2HPO4), 인산이수소암모늄(NH4H2PO4), 인산칼륨(K3PO4), 인산일수소칼륨(K2HPO4), 인산이수소칼륨(KH2PO4), 인산나트륨(Na3PO4), 인산일수소나트륨(Na2HPO4) 과 인산이수소나트륨(NaH2PO4) 등) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
이와 같 식각액은 과황산염 계열을 베이스(base)로 하는 식각액으로 볼 수 있다. 다시 말해, 식각액은 과황산염 계열의 식각액에 황산암모늄 계열의 화합물을 첨가함으로써 구현될 수 있다. 또한, 이러한 식각액에 있어서, 상술한 황산암모늄 계열의 화합물은 다중금속막을 식각하는데 있어서, 과황산염 계열의 화합물, 플루오린 계열의 화합물 및 무기산 계열의 화합물과 경쟁하는 공동 산화제 역할을 할 수 있다.
또한, 식각액은 고리형 아민 계열의 화합물, 유기산 계열의 화합물, 파라-톨루엔설포산(p-toluenesulfonic acid) 계열의 화합물을 포함할 수 있다.
예시적으로, 식각액은 그의 총 중량에 대해, 고리형 아민 계열의 화합물을 0.1 - 5 중량% 포함할 수 있다.
만약, 고리형 아민 계열의 화합물이 0.1 중량% 이하 첨가될 경우, 제1층의 과식각이 발생할 수 있과, 제1층과 제2층의 단차(tail)가 두드러질 수 있다. 또한, 만약, 고리형 아민 계열의 화합물이 5 중량%이상인 경우, 제1층의 식각이 과도하게 억제되어 식각 시간이 길어지고 다중금속막의 성능이 저하될 수 있다.
고리형 아민 계열의 화합물은 식각 속도 및 식각 프로파일을 제어하기 위해 사용된다. 예시적으로, 고리형 아민 계열의 화합물로, 5 - 아미노 테트라 졸 (5 - 아미노 테트라 졸), 메틸 벤조 트리아 졸, 벤조 트리아 졸, 메틸 벤조 트리아 졸, 이미 다졸 화합물, 인돌 화합물, 퓨린 화합물을 포함 할 수있다 피라 졸 화합물, 피리딘 화합물, 피리 미딘 화합물, 피롤 화합물, 피 롤리 딘 화합물, 피 롤린 화합물 등 및 이러한 성분들의 부산물이 이용될 수 있다.
또한, 예시적으로, 식각액은 그의 총 중량에 대해, 유기산 계열의 화합물을 1-10 중량% 포함할 수 있다.
예시적으로, 식각액은, 유기산 계열의 화합물로서, 아세트산 계열의 화합물(아세트산, 아세트산암모늄, 아세트산칼륨, 아세트산나트륨, 이미노디아세트산(HN(CH2COOH)2iminodiacetic acid, IDA) 등), 술폰산 계열의 화합물(벤젠술폰산(Benzenesulfonic acid), p-톨루엔술폰산(para-Toluenesulfonic), 메탄술폰산화합물(Methanesulfonic acid), 아미도술폰산(Amidosulnic acid) 등) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 식각액은 그의 총 중량에 대해, 파라-톨루엔 설포산(p-toluenesulfonic acid) 계열의 화합물을 0.1 - 5 중량% 포함할 수 있다.
만약, 파라-톨루엔 설포산이 0.1 중량% 이하 첨가되었다면, 파라-톨루엔 설포산의 첨가에 따른 식각의 특성 변화가 거의 없을 수 있다. 또한, 만약, 파라-톨루엔 설포산 이 5 중량% 이상이면 식각 프로파일이 저하될 수 있다.
또한, 식각액은 물을 포함할 수 있다. 물은 탈 이온화된 증류수 또는, 탈 이온수일 수 있다. 바람직하게는, 물은 18 M/cm 이상인 탈 이온화 된 증류수, 탈 이온수일 수 있다.
또한, 예시적으로, 물은 식각액의 100 중량%로 첨가될 수 있다. 물은, 식각액에 첨가된 다른 성분 간의 균형(balance)을 맞출 수 있다.
또한, 본 식각 방법에 있어서, 식각액은, 식각 특성을 개선하기 위하여, 본원에 기재되지 않은 통상의 첨가제들을 추가적으로 포함할 수 있다. 상기 통상의 첨가제로는, 예를 들어, 산화막 안정제, 계면 활성제, 식각 조절제 등이 있을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
이하에서는, 실시예를 통해 본 식각 방법의 효과를 구체적으로 확인한다. 다만, 본원이 이하의 실시예에 의하여 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
실시예 1은 샘플 상에 포토레지스트 막을형성하는 단계(S510), 식각액을 사용하여 샘플을 식각하는 단계(S530)를 포함한다. 식각액은, 도 2에 도시된 성분표의 실시예 1란에 기재된 바와 같이, 과류산 암모늄(APS(Ammonium persulfate)) 10중량%, 플루오르화수소 암모늄(ABF(Ammonium bifluoride)) 1.3 중량%, 황산암모늄(Ammonium sulfate) 1 중량%, 질산(HNO3) 3 중량%, 아미노테트라졸(ATZ(aminotetrazole)) 1중량%, 아세트산암모늄(AA(Ammonium acetate)) 3중량%, 아세트산(AceOH) 5 중량%, 파라-톨루엔설포산(PTA) 2중량% 및 물 100 중량%를 포함한다.
[실시예 2]
실시예 2는 실시예 1과 동일한 과정으로 수행되며, 다만, 도 2에 도시된 성분표의 실시예 2란에 기재된 바와 같이, 식각액이 과류산 암모늄(APS(Ammonium persulfate)) 5중량%, 플루오르화수소 암모늄(ABF(Ammonium bifluoride)) 1.3 중량%, 하이드록실암모늄 황산염(Hydroxyl amine sulfate) 0.5 중량%, 질산(HNO3) 5 중량%, 아미노테트라졸(ATZ(aminotetrazole)) 1중량%, 아세트산암모늄(AA(Ammonium acetate)) 3중량%, 아세트산(AceOH) 5 중량%, 파라-톨루엔설포산(PTA) 2중량% 및 물 100 중량%를 포함한다.
또한, 실시예 1 및 2에서, S530 단계는 하기 [실험예]를 따라 수행되었다.
[실험예]
식각액은 30 ℃로 가온되었으며, 그 후, 30 ℃± 0.1 ℃ 로 관리 되었다. 총 식각 시간은 식각 종료 시간(EPD(End point detection))을 기준으로 하여 오버 에치(Over etch)를 50% 부가하여 실시하였다.
또한, 식각(S530) 후, 식각 특성 등을 평가하기 위해, 식각이 완료된 샘플은 샘플은 순수 증류수로 세정되고, 에어건에 의해 건조되었다. 또한, 단면 테이퍼 각을 측정하기 위해서 포토 레지스트 막을 제거하지 않은 경우도 있으나, 대부분의 샘플에 대해서는 식각 특성 측정을 위하여 포토 레지스트막 제거가 수행되었다. 포토 레지스트막 제거(S550)는, 포토 레지스트 박리제를 이용한 PR strip공정에 의해 진행되였다. 식각 특성은, 전자 현미경(SEM)을 이용하여 측정하였다.
또한, 실시예 1 및 2를 종래의 식각 방법과 비교하기 위해, 비교예 1 내지 5를 수행하였다. 비교예 1 내지 5는 실시예 1 및 2와 동일한 과정으로 수행되나, 다만, S530 단계에서, 사용되는 식각액이 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1 내지 5 각각에 기재된 성분을 갖는다.
도 3은 도 2에 기재된 실시예 1, 실시예 2, 비교예 1, 비교예 2, 비교예 3, 비교예 4 및 비교예 5의 식각 결과를 평가한 표이다.
참고로, 도 3의 식각 손실(skew)의 평가 기준은 다음과 같다.
O: 우수 (식각 손실(skew) ≤ 1 μm)
Δ: 좋은 (1 μm ≤ 식각 손실(skew) ≤의 2 μm)
X: 나쁨 (금속막 잔류)
또한, 경사각(taper angle)의 평가 기준은 다음과 같다.
O: 우수 (경사각(taper angle): 60 ° ~ 40 °)
Δ: 좋은 (경사각(taper angle): 70 ° ~ 30 °)
X: 나쁨 (경사각(taper angle): ≥80 °)
또한, 도 3의 표에서, 보관 경시 변화란, 제조된 후 25℃의 상온에서 3일간 보관된 식각액에 의한 식각 결과를 의미한다. 평가 기준은 다음과 같다.
O: 우수 (삼일 후 에칭 특성 우수함)
X: 나쁨 (삼일 후 에칭 특성 떨어짐)
또한, 도 3의 표에서, 기판 식각란, 식각되는 다중금속막이 형성된 기판의 식각액에 의한 식각 유무를 기재한 것이다.
또한, 도 3의 표에서, 처리 매수 경시 변화란은 식각액의 구리이온 의존도를 파악하기 위한 것으로서, 다중금속막에 대한 첫 식각 후, 5000ppm의 구리 분말을 완전 용해시키고, 그 후, 재차 식각하여 측정한 식각 특성들(식각 손실(skew), tail 유무, 잔사 유무, 경사각(taper angle) 등)이 기준 테스트에 비해 10%이상 차이가 나면 빈약한 것으로 판정하였다. 보다 구체적으로, 평가 기준은 이하와 같다.
O: 뛰어남 (에칭 성능이 기준 테스트와 동일하거나 변화 정도가 10%미만이다.).
X: 나쁨 (변화정도가10 % 이상이다)
도 2 및 도 3을 함께 참조하면, 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염 중 하나 이상을 포함하는 본 식각 방법에 따른 식각액의 경우, 식각 특성(식각 손실(skew), tail 유무, 잔사 유무, 경사각(taper angle) 등)에서 매우 우수하고, 보관 경시 변화 및 구리 의존도면에서 매우 안정적인 특성을 보임을 알 수 있으며, 배선 단락 방지 효과 및 잔사가 발생하는 것을 방지하는 효과가 비교예 1 내지 5에 비해 우수함을 확인할 수 있다.
특히, 비교예 1을 참조하면, 우수한 식각 특성을 확보하더라도, 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염 중 하나 이상이 포함되지 않는다면, 배선 단락 방지 효과가 확보될 수 없음을 알 수 있다.
또한, 비교예 2를 참조하면, 극소량의 암모니아 클롤라이드(NH4Cl)의 첨가는 배선 단락 방지에 큰 영향을 주지 않는다는 것을 알 수 있다. 또한, 본 출원인의 실험 결과에 의하면, 비교예 3의 경우에, 가장 큰 배선단락이 검출되었다.
또한, 실시예 1 및 2와 비교예 2를 비교하여 보면, 염소 이온이 첨가되는 경우보다 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염 중 하나 이상 첨가된 식각액을 이용하는 본 식각 방법에 따른 식각이 다중금속막의 배선 단락 빈도수를 낮추고, 잔사 발생률을 저하시킨다는 점을 알 수 있다.
즉, 본 식각 방법에서 적용되는 식각액은 배선 단락을 방지하는 효과를 확보하면서, 동시에, 식각 특성(식각 손실(skew), tail 유무, 잔사 유무, 경사각(taper angle) 등)에서 매우 우수하고, 보관성까지 확보할 수 있다.
도 4a는 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 각각에 따른 식각액을 이용하여 구리 단일막(5000A) 및 티타늄 단일막(3000A) 각각을 식각했을 때 나타난 식각 속도를 도시한 그래프이고, 도 4b는 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 따른 식각액 각각에 구리 이온 3000ppm을 추가로 첨가한 후, 구리 단일막 및 티타늄 단일막 각각을 식각했을 때 나타난 식각 속도를 도시한 그래프이다.
도 4a 및 도 4b를 비교하여보면, 비교예 1 및 2는 구리 이온 3000ppm 첨가된 후의 식각 속도가 구리 이온 3000ppm이 첨가되기 전의 식각 속도에 비해 현저하게 감소함을 확인할 수 있다. 반면에, 실시예 1 및 2는 구리 이온 3000ppm 첨가된 후의 식각 속도와 구리 이온 3000 ppm이 첨가되기 전의 식각 속도와 비슷함을 알 수 있다. 이러한 결과는 본 식각 방법에서 사용하는 식각액이 비교예 1 및 2에 비해 더 나은 에칭 수명을 가지고 있음을 보여준다.
도 5a는 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 각각에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각했을 때 나타난 식각 손실(SKEW) 및 테일(step length)를 도시한 그래프이고, 도 5b는 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 따른 식각액 각각에 구리 이온 3000ppm을 추가로 첨가한 후, 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각했을 때 나타난 식각 손실(SKEW) 및 테일(step length)를 도시한 그래프이다.
도 5a 및 도 5b를 비교하여 보면, 실시예 1 및 2가 비교예 1 및 2에 비해 우수한 에칭 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
도 6은 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 각각에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각한 후, 식각된 이중막의 배선 단락을 비교하기 위한 그래프이다.
도 6에 나타난 바와 같이, 실시예 1 및 2의 배선 단락량이 비교예 1 및 2에 비해 현저히 낮음을 확인할 수 있으며, 특히, 비교예 1에 비하면 1/3 수준으로 낮아졌음을 확인할 수 있다.
이는, 비교예 1이 티타늄을 에칭하기 위해 포함하는 플루오린이 다중금속막의 표면상에 다공성 산화막(Cu(OH)3)을 형성하는 반면, 실시예 1 및 2의 경우에는, 암모늄설파이트 및 하이드록실암모늄 설페이트가 다중금속막의 표면상에 치밀한 부동태피막(CuO)을 형성하기 때문이다.
또한, 도 7은 도 2에 도시된 성분표의 비교예 1, 비교예 2, 실시예 1 및 실시예 2 각각에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각한 후, 식각된 이중막에 의해 형성된 배선의 잔사 유무를 SEM으로 측정하여 도시한 그래프이다.
도 7을 보면, 실시예 1 및 2의 잔사가 비교예 1 및 2의 1/5 수준으로 저감됨을 확인할 수 있다.
이는, 비교예 1 및 2에 첨가된 클로린이 다중금속막의 표면에 잘녹지 않는 염화구리막(CuCl)을 국부적으로 두껍게 형성하기 때문이다. 반면에, 실시예 1 및 2는 암모늄설파이트 및 하이드록실암모늄 설페이트가 다중금속막의 표면에 산화구리막(CuO)을 균일하게 형성하기 때문이다.
도 8a는 은 도 2에 도시된 성분표의 비교예 2에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각한 후, 촬영한 이중막의 단면 사진이고, 도 8b는 도 2에 도시된 성분표의 실시예 2에 따른 식각액을 이용하여 구리 층(5000A) 및 티타늄 층(3000A)을 포함하는 이중막을 식각한 후, 촬영한 이중막의 단면 사진이다.
도 8a를 보면, 염소 이온이 첨가된 비교예 2에 따른 식각액을 이용한 식각에 의하면 구리 층과 티타늄 층의 패턴의 단차(tail)가 두드러지게 발생하는 반면, 도 8 b를 보면, 실시예 2에 따른 식각액을 이용한 식각에 의하면, 구리 층과 티타늄 층의 패턴의 단차가 거의 없음을 확인할 수 있다.
이는, 비교예 2는 염소 이온이 첨가된 반면, 실시예 2에는 하이드록실암모늄 설페이트가 첨가되었기 때문이다.
한편, 상술한바와 같이, 다중금속막은, 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 재질로 하는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 재질로 하는 제2층을 포함한다.
예시적으로, 구리 합금은, 구리 외에, 알루미늄, 마그네슘, 망간, 베릴륨, 하프늄, 니오븀, 텅스텐 및 바나듐 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 다중금속막에 있어서, 제1층 및 제2층은 순차적으로 적층될 수 있고, 또는, 역순서로 적층될 수 있다. 또한, 다중금속막은 제1층, 제2층 및 제1층이 순차적으로 형성되는 3층 형태일 수 있다. 또는, 제2층, 제1층 및 제2층이 순차적으로 형성되는 3층 형태 일 수 있다.
또한, 다중금속막은 제3층을 포함할 수 있다. 제3층은 금속 재질로 이루어질 수 있다. 예시적으로, 다중금속막은 제3층, 제1층, 제2층, 제1층, 제2층 및 제1층이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다.
참고로, 다중금속막에 있어서, 제1층 및 제2층 각각의 두께는 본원에 한정되지 않는다.
또한, 다중금속막은 산화물층을 포함할 수 있다. 예시적으로, 산화물층은 ITO, IZO 및 IGZO 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 다중금속막이 산화물층을 포함하는 경우, 본 식각 방법은 상술한 제1층 및 제2층외에 산화물층까지 일괄 식각하는데 적용될 수 있다. 또한, 다중금속막은 유리 기판 상에 형성된 것일 수 있다. 이러한 다중금속막은 예시적으로, 박막트랜지스터(Thin Film Transisto)일 수 있다.
또한, 다중금속막은 기판 상에 형성된 것일 수 있다. 다시 말해, 본 식각 방법은 기판 상에 형성된 다중금속막의 식각에 적용될 수 있다. 기판은 예시적으로, TFT(Thin Film Transistor) LCD 용 유리 기판, 플렉시블 디스플레이용금속 박막 기판, 또는 플라스틱 기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
한편, 이하에서는, 본원의 일 실시예에 따른 식각액(이하 '본 식각액'이라 함)에 대해 설명한다. 다만, 앞서 살핀 본원의 일 실시예에 따른 본 식각 방법에서 설명한 구성과 동일 또는 유사한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고, 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.
본 식각액은 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제2층을 포함하는 다중금속막을 식각하는데 사용될 수 있다. 다중금속막에 대해서는 후술하기로 한다.
본 식각액은 황산암모늄 및 하이드록실암모늄 황산염 중 하나 이상을 포함한다.
또한, 본 식각액은 황산암모늄을 포함하는 경우, 그의 총 중량에 대해 황산암모늄을 0.1 내지 8 중량% 포함할 수 있다.
만약, 본 식각액이 그의 총 중량에 대해 황산암모늄을 0.1 중량% 미만으로 포함하는 경우, 황산암모늄의 작용이 미미할 수 있다. 또한, 만약, 본 식각액이 그의 총 중량에 대해 황산암모늄을 0.8 중량% 이상으로 포함하는 경우, 다중금속막의 식각 속도가 저하될 수 있다. 특히, 다중금속막의 구리 부분에 대한 식각 속도가 저하될 수 있다. 따라서, 본 식각액이 황산암모늄을 포함하는 경우, 본 식각액은 그의 총 중량에 대해 황산암모늄을 0.1 내지 8 중량% 포함함이 바람직하다.
또한, 본 식각액은 하이드록실암모늄 황산염을 포함하는 경우, 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염을 0.1 내지 8 중량% 포함할 수 있다.
만약, 본 식각액이 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염을 0.1 중량% 미만으로 포함하는 경우, 하이드록실암모늄 황산염의 작용이 미미할 수 있다. 또한, 만약, 본 식각액이 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염을 0.8 중량% 이상으로 포함하는 경우, 다중금속막의 식각 속도가 저하될 수 있다. 특히, 다중금속막의 구리 부분에 대한 식각 속도가 저하될 수 있다. 따라서, 본 식각액은 하이드록실암모늄 황산염을 포함하는 경우, 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염을 0.1 내지 8 중량% 포함함이 바람직하다.
또한, 본 식각액은 과황산염 계열의 화합물, 플루오린 계열의 화합물 및 무기산 계열의 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
예시적으로, 본 식각액은, 과황산염 계열의 화합물 5 - 20 중량%, 플루오린 계열의 화합물 0.001 - 2 중량%, 무기산 계열의 화합물 1- 10 중량%, 고리형 아민 계열 화합물 0.31 - 5 중량%, 유기산 계열의 화합물 1-10 중량%, 파라-톨루엔설포산(p-toluenesulfonic acid) 화합물 0.1 - 5 중량%를 포함할 수 있다.
또한, 본 식각액은 물을 포함할 수 있다. 물은 탈 이온화된 증류수 또는, 탈 이온수일 수 있다. 바람직하게는, 물은 18 M/cm 이상인 탈 이온화 된 증류수, 탈 이온수일 수 있다. 또한, 예시적으로, 물은 본 식각액의 100 중량%로 첨가될 수 있다. 물은, 본 식각액에 첨가된 다른 성분 간의 균형(balance)을 맞출 수 있다.
또한, 상술한바와 같이, 다중금속막은, 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 재질로 하는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 재질로 하는 제2층을 포함한다.
예시적으로, 구리 합금은, 구리 외에, 알루미늄, 마그네슘, 망간, 베릴륨, 하프늄, 니오븀, 텅스텐 및 바나듐 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
또한, 다중금속막에 있어서, 제1층 및 제2층은 순차적으로 적층될 수 있고, 또는, 역순서로 적층될 수 있다. 또한, 다중금속막은 제1층, 제2층 및 제1층이 순차적으로 형성되는 3층 형태일 수 있다. 또는, 제2층, 제1층 및 제2층이 순차적으로 형성되는 3층 형태 일 수 있다.
또한, 다중금속막은 제3층을 포함할 수 있다. 제3층은 금속 재질로 이루어질 수 있다. 예시적으로, 다중금속막은 제3층, 제1층, 제2층, 제1층, 제2층 및 제1층이 순차적으로 형성된 형태일 수 있다.
참고로, 다중금속막에 있어서, 제1층 및 제2층 각각의 두께는 본원에 한정되지 않는다.
또한, 다중금속막은 산화물층을 포함할 수 있다. 예시적으로, 산화물층은 ITO, IZO 및 IGZO 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 다중금속막이 산화물층을 포함하는 경우, 본 식각 방법은 상술한 제1층 및 제2층외에 산화물층까지 일괄 식각하는데 적용될 수 있다.
또한, 다중금속막은 기판 상에 형성된 것일 수 있다. 다시 말해, 본 식각 방법은 기판 상에 형성된 다중금속막의 식각에 적용될 수 있다. 기판은 예시적으로, TFT(Thin Film Transistor) LCD 용 유리 기판, 플렉시블 디스플레이용금속 박막 기판, 또는 플라스틱 기판일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
즉, 본 식각액은, 평판디스플레이의 TFT(ThinFilm Transistor), 액티브 매트릭스 OLED, 또는 터치 센서 패널에 사용되는 도전막을 패터닝하는 과정에서 사용될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상술한 바와 같이, 본 식각액은 배선 단락을 방지하는 효과를 확보하면서, 동시에, 종래의 식각액에 비해, 식각 특성(식각 손실(skew), tail 유무, 잔사 유무, 경사각(taper angle) 등)이 매우 우수하다.
또한, 상술한 바와 같이, 본 식각액은 보관성까지 확보할 수 있는바, 상용화 및 대량 생산이 용이할 수 있으며, 경제성이 높고 상업적으로 이용되기에 유리하다.
상술한, 본 식각 방법 및 본 식각액은 예를 들어, 평판디스플레이의 TFT(Thin Film Transistor), 액티브 매트릭스 OLED, 또는 터치 센서 패널에 사용되는 도전막을 패터닝하는 과정에서 유용하게 사용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 식각이 요구되는 다양한 산업 분야에서 널리 이용될 수 있다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제2층을 포함하는 다중금속막을 식각하는 방법에 있어서,
    상기 다중금속막 상에 소정의 패턴을 갖는 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    과황산염 계열의 식각액을 사용하여 상기 다중금속막을 식각하는 단계; 및
    상기 포토레지스트막을 제거하는 단계를 포함하되,
    상기 다중금속막을 식각하는 단계에서,
    상기 과황산염 계열의 식각액은 그의 총 중량에 대해 과황산염 계열의 화합물을 5 - 20 중량% 포함하는 것이며,
    상기 과황산염 계열의 식각액은 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염(hydroxylammonium sulfate)을 0.1 - 8 중량% 포함하는 것인 다중금속막 식각 방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 다중금속막을 식각하는 단계에서,
    상기 과황산염 계열의 식각액은 플루오린 계열의 화합물 및 무기산 계열의 화합물 중 하나 이상을 더 포함하는 것인 다중금속막 식각 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 다중금속막을 식각하는 단계에서,
    상기 과황산염 계열의 식각액은,
    그의 총 중량에 대해,
    플루오린 계열의 화합물 0.001 - 2 중량%; 및
    무기산 계열의 화합물 1- 10 중량%를 포함하는 것인 다중금속막 식각 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 다중금속막을 식각하는 단계에서,
    상기 과황산염 계열의 식각액은,
    그의 총 중량에 대해,
    고리형 아민 계열의 화합물 0.1 - 5 중량%;
    유기산 계열의 화합물 1 - 10 중량%; 및
    파라-톨루엔설포산(p-toluenesulfonic acid) 계열의 화합물 0.1 - 5 중량%를 더 포함하는 것인 다중금속막 식각 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다중금속막을 식각하는 단계에서,
    상기 과황산염 계열의 식각액은, 물을 더 포함하되,
    상기 물은 탈 이온화된 증류수 또는, 탈 이온수인 것인 다중금속막 식각 방법.
  7. 구리(Cu) 및 구리 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제1층 및 티타늄(Ti) 및 티타늄 합금 중 하나 이상을 포함하는 재질로 이루어지는 제2층을 포함하는 다중금속막을 식각하기 위한 과황산염 계열의 식각액으로서,
    상기 과황산염 계열의 식각액은 그의 총 중량에 대해 과황산염 계열의 화합물을 5 - 20 중량% 포함하는 것이며,
    상기 과황산염 계열의 식각액은 그의 총 중량에 대해 하이드록실암모늄 황산염(hydroxylammonium sulfate)을 0.1 - 8 중량% 포함하는 과황산염 계열의 식각액.
  8. 삭제
  9. 제7항에 있어서,
    플루오린 계열의 화합물 및 무기산 계열의 화합물 중 하나 이상을 더 포함하는 과황산염 계열의 식각액.
  10. 제9항에 있어서,
    총 중량에 대해,
    플루오린 계열의 화합물 0.001 - 2 중량%; 및
    무기산 계열의 화합물 1- 10 중량%를 포함하는 과황산염 계열의 식각액.
  11. 제7항에 있어서,
    고리형 아민 계열 화합물 0.1 - 5 중량%;
    유기산 계열의 화합물 1-10 중량%;
    파라-톨루엔설포산(p-toluenesulfonic acid) 화합물 0.1 - 5 중량%를 더 포함하는 과황산염 계열의 식각액.
  12. 제7항에 있어서,
    물을 더 포함하되,
    상기 물은 탈 이온화된 증류수 또는, 탈 이온수인 것인 과황산염 계열의 식각액.
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