KR101639630B1

KR101639630B1 - A vacuum arc deposition device comprising plasma duct

Info

Publication number: KR101639630B1
Application number: KR1020140178364A
Authority: KR
Inventors: 김종국; 이승훈; 이성훈; 김기택; 강용진
Original assignee: 한국기계연구원
Priority date: 2014-12-11
Filing date: 2014-12-11
Publication date: 2016-07-15
Also published as: KR20160071085A

Abstract

본 발명은 아크 증발부 및 상기 아크 증발부로부터 발생된 하전입자를 기판으로 유도하기 위한 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치에 있어서, 상기 아크 증발부는, 제1타겟부재 및 상기 제1타겟부재와 인접하여 위치하는 제2타겟부재를 포함하고, 상기 제1타겟부재를 커버하는 제1커버부재 및 상기 제2타겟부재를 커버하는 제2커버부재를 포함하는 진공 아크 증착 장치에 관한 것으로, 상기 아크 증발부는 적어도 2개 이상의 타겟부재를 포함하고 있기 때문에, 진공아크를 이용한 박막을 증착함에 있어서, 하전입자가 발생되는 부분이 복수개에 해당하므로, 공정 시간이 감소할 뿐만 아니라, 대면적의 박막을 증착하는 데에 유리한 장점이 있다.The arc evaporator includes an arc evaporator and a plasma duct for guiding a charged particle generated from the arc evaporator to a substrate. The arc evaporator includes a first target member and a first target member, And a second cover member covering the first target member and the second target member, the vacuum arc evaporation apparatus including a second target member positioned adjacent to the first target member, the first cover member covering the first target member, Since the evaporation portion includes at least two target members, in the vapor deposition of the thin film using the vacuum arc, a plurality of portions in which charged particles are generated not only reduce the process time but also deposit a large- There are advantages to advantage.

Description

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a vacuum arc evaporation apparatus,

본 발명은 음극 아크 방전에 의해 증착물질의 하전입자가 발생되는 아크증발부와, 상기 하전입자가 증착되는 기판 및 상기 아크증발부를 수용하여 대기와 차단시키며 굴곡부를 가지는 플라즈마 덕트와, 자장 형성에 의해 상기 하전입자를 상기 기판으로 이동시키기 위하여 상기 플라즈마 덕트 외주에 설치되는 자기장발생수단을 포함하는 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an arc evaporation unit in which a charged particle of a deposition material is generated by cathodic arc discharge, a substrate on which the charged particle is deposited, a plasma duct which receives the arc evaporation unit and cuts off the atmosphere and has a bent part, And a plasma duct part including magnetic field generating means provided on the outer circumference of the plasma duct to move the charged particles to the substrate.

일반적으로 진공 코팅 방법 중 물리적 증발 증착법의 한가지인 아크 증착방법은 타겟 전단에 플라즈마 덕트를 부착하여 타겟으로부터 아크 방전에 의해 발생된 하전입자, 다시 말하면 플라즈마를 코팅 대상 기판까지 수송하여, 이 기판 상에 박막을 증착하는 방법이다. In general, an arc evaporation method, which is one of physical vapor deposition methods in vacuum coating methods, is a method in which a plasma duct is attached to a front end of a target to transport a charged particle generated by arc discharge from the target, that is, a plasma to a coating target substrate, This is a method of depositing a thin film.

이러한 아크 증착방법을 단순한 절삭공구 및 일반금형 뿐만 아니라, 정밀금형의 코팅 및 반도체소자 개발에도 응용될 수 있도록 하기 위하여, 아크 증착방법에 의해 생성된 막의 질을 저하시키는 원인이 되는 대형 미립자(Macroparticle)가 코팅 대상 기판에 증착되지 않도록 할 수 있는 진공아크를 이용한 박막 증착장치를 만들기 위한 여러 방안이 모색되고 있다.In order to make such an arc deposition method applicable not only to simple cutting tools and general molds but also to coating of precision molds and development of semiconductor devices, large-sized fine particles (macroparticles), which cause deterioration of the quality of films produced by arc- There has been proposed a variety of methods for forming a thin film deposition apparatus using a vacuum arc that can prevent deposition on a substrate to be coated.

도 1은 일반적인 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.1 is a schematic view for explaining a vacuum arc vapor deposition apparatus including a general plasma duct.

도 1을 참조하면, 일반적인 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치(1)는 아크를 발생시키기 위한 아크 발생부(2) 및 상기 아크 발생부(2)로부터 발생된 아크가 공급되는 진공 챔버부(3)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a vacuum arc vapor deposition apparatus 1 including a general plasma duct includes an arc generating unit 2 for generating an arc and a vacuum chamber unit (not shown) for supplying an arc generated from the arc generating unit 2 3).

상기 아크 발생부(2)는 카본 아크 타겟(2b)을 포함하는 아크 증발부(2a)를 포함하며, 상기 아크 증발부(2a)로 발생된 아크를 여과하기 위한 필터부(2c)을 포함하고 있다. The arc generating unit 2 includes an arc evaporator 2a including a carbon arc target 2b and a filter unit 2c for filtering an arc generated in the arc evaporator 2a have.

이때, 상기 필터부(2c)는 자장 여과 필터일 수 있으며, 이는 아크 방전 분야에서 자명한 사항이므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.At this time, the filter unit 2c may be a magnetic field filtering filter, which is obvious in the field of arc discharge, and thus a detailed description thereof will be omitted.

즉, 일반적인 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치는 상기 아크 증발부(2a)로 부터 발생된 증발물 중 전기를 띤 하전입자인 플라즈마는 잘 통과하게 만들면서 불순물인 미립자(macro-particle)는 상기 필터부(2c)를 통해 여과함으로써, 상기 진공 챔버부(3)에 불순물이 포함되지 않는 코팅막을 증착할 수 있게 하는 자장 여과 아크 소스에 해당한다.That is, in a vacuum arc vapor deposition apparatus including a general plasma duct, a plasma, which is an electrically charged charged particle among evaporated substances generated from the arc evaporation unit 2a, is allowed to pass through, and macro-particles, which are impurities, And filtering through the filter section 2c to deposit a coating film containing no impurities in the vacuum chamber section 3. [

한편, 상기 아크 발생부(2)는 상기 아크 증발부에 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 공급부를 더 포함할 수 있다.The arc generating unit 2 may further include an inert gas supplying unit for supplying an inert gas to the arc evaporator.

계속해서, 도 1을 참조하면, 상기 진공 챔버부(3)는 반응챔버(3a) 및 상기 반응 챔버의 내부에 위치하고, 모재(또는, 기판)(4)를 안착시키기 위한 지그부(3b)를 포함하며, 상기 반응 챔버(3a)에 전원을 인가하기 위한 전원 인가부(7) 및 상기 반응 챔버(3)의 진공을 제어하기 위한 진공 펌프부(6)를 포함할 수 있다. 1, the vacuum chamber part 3 includes a reaction chamber 3a and a jig part 3b positioned inside the reaction chamber for seating the base material 4 A power supply unit 7 for applying power to the reaction chamber 3a and a vacuum pump unit 6 for controlling the vacuum of the reaction chamber 3.

한편, 상기 지그부(3b)는 회전이 가능한 회전 지그일 수 있다.Meanwhile, the jig 3b may be a rotary jig capable of rotating.

이때, 일반적인 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치(1)에서의 상기 아크 증발부(3a)는 단일의 카본 아크 타겟(2b)을 포함하고 있어, 진공아크를 이용한 박막을 증착함에 있어서, 공정 시간이 증가할 뿐만 아니라, 대면적의 박막을 증착하는 데에 한계가 있는 문제점이 있다.At this time, the arc evaporation unit 3a in the vacuum arc evaporation apparatus 1 including a general plasma duct includes a single carbon arc target 2b. In vapor deposition of a thin film using a vacuum arc, And there is a limitation in depositing a thin film of a large area.

한국공개특허 10-2010-0095204Korean Patent Publication No. 10-2010-0095204

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 진공 아크를 이용한 박막의 증착에 있어서, 공정시간을 감소시키고, 대면적의 막을 증착할 수 있는 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a vacuum arc evaporation apparatus including a plasma duct capable of reducing a processing time and depositing a large-area film in vapor deposition of a thin film using a vacuum arc.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 지적된 문제점을 해결하기 위해서 본 발명은 아크 증발부 및 상기 아크 증발부로부터 발생된 하전입자를 기판으로 유도하기 위한 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치에 있어서, 상기 아크 증발부는, 제1타겟부재 및 상기 제1타겟부재와 인접하여 위치하는 제2타겟부재를 포함하고, 상기 제1타겟부재를 커버하는 제1커버부재 및 상기 제2타겟부재를 커버하는 제2커버부재를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a vacuum arc evaporation apparatus including a arc evaporator and a plasma duct for guiding a charged particle generated from the arc evaporator to a substrate, And a second target member positioned adjacent to the first target member, wherein the first target member, the second target member, and the second target member, Thereby providing a deposition apparatus.

또한, 본 발명은 상기 제1타겟부재를 지지하기 위한 제1음극체 및 상기 제2타겟부재를 지지하기 위한 제2음극체를 더 포함하고, 상기 아크 증발부는 몸체부를 더 포함하며, 상기 몸체부는 상기 제1음극체 및 제2음극체를 지지하는 진공 아크 증착 장치를 제공한다.Further, the present invention may further comprise a first negative electrode for supporting the first target member and a second negative electrode for supporting the second target member, wherein the arc evaporator further comprises a body portion, And supports the first negative electrode and the second negative electrode.

또한, 본 발명은 상기 아크 증발부는 상기 제1타겟부재 및 상기 제2타겟부재의 외측에 위치하여, 상기 제1타겟부재 및 상기 제2타겟부재의 각각의 아크발생면에서 아크의 운동을 조절하는 아크조절 자장원을 더 포함하는 진공 아크 증착 장치를 제공한다.Further, the present invention is characterized in that the arc evaporator is located outside the first target member and the second target member, and adjusts the movement of the arc on the arc generating surface of each of the first target member and the second target member And further comprising an arc control magnetic field source.

또한, 본 발명은 상기 플라즈마 덕트부는 상기 제1타겟부재의 끝단과 인접하여 위치하는 제1배플부재 및 상기 제2타겟부재의 끝단과 인접하여 위치하는 제2배플부재를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 제공한다.The plasma duct may include a first baffle member positioned adjacent to an end of the first target member and a second baffle member positioned adjacent to an end of the second target member, to provide.

또한, 본 발명은 상기 플라즈마 덕트부는 상기 제1배플부재를 지지하기 위한 제1배플부재 지지부 및 상기 제2배플부재를 지지하기 위한 제2배플부재 지지부를 더 포함하는 진공 아크 증착 장치를 제공한다.The plasma duct portion may further include a first baffle member support portion for supporting the first baffle member and a second baffle member support portion for supporting the second baffle member.

또한, 본 발명은 상기 제1배플부재 지지부는 상기 제1커버부재와 일체로 형성되고, 상기 제2배플부재 지지부는 상기 제2커버부재와 일체로 형성되는 진공 아크 증착 장치를 제공한다.Further, the present invention provides a vacuum arc vapor deposition apparatus wherein the first baffle member support is integrally formed with the first cover member, and the second baffle member support is integrally formed with the second cover member.

또한, 본 발명은 상기 플라즈마 덕트부는, 상기 아크 증발부와 동일 선상에 위치하는 직선부 및 상기 직선부로부터 휘어진 굴곡부를 포함하는 플라즈마 덕트를 포함하며, 상기 플라즈마 덕트의 굴곡부의 내측에 위치하고, 아크 증발물질의 일부를 흡착 제거하기 위한 배플을 더 포함하는 진공 아크 증착 장치를 제공한다.Further, the plasma duct part may include a plasma duct including a rectilinear part positioned on the same line as the arc evaporation part and a bent part bent from the rectilinear part, the plasma duct being located inside the bent part of the plasma duct, A vacuum arc vapor deposition apparatus further comprising a baffle for adsorbing and removing a portion of the material.

또한, 본 발명은 상기 제1배플부재 및 상기 제2배플부재는 상기 플라즈마 덕트의 직선부의 내측에 위치하는 진공 아크 장치를 제공한다.The present invention also provides a vacuum arc device wherein the first baffle member and the second baffle member are located inside a straight portion of the plasma duct.

또한, 본 발명은 상기 제1배플부재와 연속적으로 배치되고, 상기 플라즈마 덕트의 굴곡부의 내측에 위치하는 제1보조배플부재 및 상기 제2배플부재와 연속적으로 배치되고, 상기 플라즈마 덕트의 굴곡부의 내측에 위치하는 제2보조배플부재를 더 포함하는 진공 아크 장치를 제공한다.Further, the present invention provides a plasma processing apparatus including a first auxiliary baffle member disposed continuously with the first baffle member and positioned inside a bent portion of the plasma duct, and a second auxiliary baffle member disposed continuously with the second baffle member, And a second auxiliary baffle member located in the second auxiliary baffle member.

또한, 본 발명은 상기 제1보조배플부재를 지지하기 위한 제1보조배플부재 지지부 및 상기 제2보조배플부재를 지지하기 위한 제2보조배플부재 지지부를 더 포함하는 진공 아크 장치를 제공한다.The present invention further provides a vacuum arc device, further comprising a first auxiliary baffle member support for supporting the first auxiliary baffle member and a second auxiliary baffle member support for supporting the second auxiliary baffle member.

또한, 본 발명은 아크 증발부 및 상기 아크 증발부로부터 발생된 하전입자를 기판으로 유도하기 위한 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치에 있어서, 상기 아크 증발부는, 제1타겟부재 및 상기 제1타겟부재와 인접하여 위치하는 제2타겟부재를 포함하고, 상기 제1타겟부재와 상기 제2타겟부재의 사이에 위치하는 커버부재를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 제공한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a vacuum arc evaporation apparatus including a arc evaporator and a plasma duct for guiding a charged particle generated from the arc evaporator to a substrate, wherein the arc evaporator comprises a first target member, And a cover member located between the first target member and the second target member, wherein the cover member includes a second target member positioned adjacent to the first target member and the second target member.

또한, 본 발명은 상기 커버부재는 원통형, 반원통형 또는 플레이트 형태인 것을 특징으로 하는 진공 아크 장치를 제공한다.Further, the present invention provides a vacuum arc device characterized in that the cover member is cylindrical, semi-cylindrical or plate-shaped.

상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 상기 아크 증발부는 적어도 2개 이상의 타겟부재를 포함하고 있기 때문에, 진공아크를 이용한 박막을 증착함에 있어서, 하전입자가 발생되는 부분이 복수개에 해당하므로, 공정 시간이 감소할 뿐만 아니라, 대면적의 박막을 증착하는 데에 유리한 장점이 있다.According to the present invention as described above, since the arc evaporator includes at least two target members, when depositing a thin film using a vacuum arc, a plurality of portions where charged particles are generated, But also advantageous for depositing a thin film of a large area.

또한, 본 발명에서는 상기 타겟부재를 커버하는 커버부재를 포함함으로써, 어느 하나의 타겟부재의 부산물이 축적되거나 비산되지 않도록 할 수 있다.Further, in the present invention, by including the cover member covering the target member, by-products of any one of the target members can be prevented from accumulating or scattering.

또한, 본 발명에서는 제1타겟부재 내지 제3타겟부재의 끝단과 각각 인접하여 위치하는 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재를 통하여, 플라즈마 덕트의 내측 공간이 증가함에 따른 미소입자 및 중성입자의 기판 도달 가능성을 감소시킬 수 있다.In addition, in the present invention, fine particles and neutral particles that increase in the inner space of the plasma duct through the first baffle member and the third baffle member, which are positioned adjacent to the ends of the first to third target members, Can be reduced.

도 1은 일반적인 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 설명하기 위한 개략적인 도면이다.
도 2는 일반적인 구조의 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 도시하는 개략적인 도면이고, 도 3c는 도 3a의 수직 단면을 도시하는 개략적인 도면이다.
도 4a는 본 발명의 제1실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 분리사시도이고, 도 4b는 본 발명의 제1실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 결합사시도이다.
도 5a는 본 발명의 제2실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 분리사시도이고, 도 5b는 본 발명의 제2실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 결합사시도이다.
도 6a는 본 발명의 제3실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 분리사시도이고, 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 결합사시도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 도시하는 개략적인 도면이고, 도 7c는 도 7a의 수직 단면을 도시하는 개략적인 도면이다.
도 8a는 복수의 타겟부재를 포함하는 진공 아크 장치를 도시한 개략적인 모식도이다.
도 8b는 본 발명의 제2실시예에 따른 복수의 타겟부재를 포함하는 진공 아크 장치를 도시한 개략적인 모식도이다.
도 9는 본 발명에 따른 플라즈마 덕트부를 도시하는 개략적인 사시도이다.
도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 도시하는 개략적인 도면이다.1 is a schematic view for explaining a vacuum arc vapor deposition apparatus including a general plasma duct.
FIG. 2 is a view schematically showing a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct having a general structure. FIG.
FIGS. 3A and 3B are schematic views showing a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct portion according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3C is a schematic view showing a vertical section of FIG. 3A.
FIG. 4A is an exploded perspective view illustrating an arc evaporator including a cover member according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4B is a perspective view of an arc evaporator showing an arc evaporator including a cover member according to the first embodiment of the present invention, to be.
FIG. 5A is an exploded perspective view showing an arc evaporator including a cover member according to a second embodiment of the present invention, FIG. 5B is a perspective view of an arc evaporator showing an arc evaporator including a cover member according to a second embodiment of the present invention, to be.
FIG. 6A is an exploded perspective view showing an arc evaporator including a cover member according to a third embodiment of the present invention, FIG. 6B is a perspective view of an arc evaporator showing an arc evaporator including a cover member according to a third embodiment of the present invention, to be.
FIGS. 7A and 7B are schematic views showing a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct part according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7C is a schematic view showing a vertical section of FIG. 7A.
8A is a schematic diagram showing a vacuum arc device including a plurality of target members.
8B is a schematic diagram showing a vacuum arc device including a plurality of target members according to a second embodiment of the present invention.
9 is a schematic perspective view showing a plasma duct part according to the present invention.
10 is a schematic view showing a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

아래 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 상세히 설명한다. 도면에 관계없이 동일한 부재번호는 동일한 구성요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. &Quot; and / or "include each and every combination of one or more of the mentioned items. &Lt; RTI ID = 0.0 >

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various components, it goes without saying that these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, it goes without saying that the first component mentioned below may be the second component within the technical scope of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of illustrating embodiments and is not intended to be limiting of the present invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. The terms " comprises "and / or" comprising "used in the specification do not exclude the presence or addition of one or more other elements in addition to the stated element.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms (including technical and scientific terms) used herein may be used in a sense commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Also, commonly used predefined terms are not ideally or excessively interpreted unless explicitly defined otherwise.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소와 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 구성요소들의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 구성요소를 뒤집을 경우, 다른 구성요소의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 구성요소는 다른 구성요소의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 구성요소는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다. The terms spatially relative, "below", "beneath", "lower", "above", "upper" And can be used to easily describe a correlation between an element and other elements. Spatially relative terms should be understood in terms of the directions shown in the drawings, including the different directions of components at the time of use or operation. For example, when inverting an element shown in the figures, an element described as "below" or "beneath" of another element may be placed "above" another element . Thus, the exemplary term "below" can include both downward and upward directions. The components can also be oriented in different directions, so that spatially relative terms can be interpreted according to orientation.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 일반적인 구조의 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다. 이때, 도 2에 도시된 진공 아크 증착 장치는 특허등록 제230279호에 개시되어 있는 박막 증착장치의 일부를 도시하였다.FIG. 2 is a view schematically showing a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct having a general structure. FIG. At this time, the vacuum arc vapor deposition apparatus shown in FIG. 2 shows a part of the thin film deposition apparatus disclosed in Patent Registration No. 230279. FIG.

도 2를 참조하면, 일반적인 구조의 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치는 음극 아크 방전에 의해 증착 물질의 하전입자가 발생되는 아크증발부(10) 및 상기 아크 증발부(10)로부터 발생된 하전입자를 기판(미도시)으로 유도하기 위한 플라즈마 덕트부(20)를 포함한다.Referring to FIG. 2, a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct having a general structure includes an arc evaporator 10 in which charged particles of a deposition material are generated by cathodic arc discharge, And a plasma duct part 20 for guiding the charged particles to a substrate (not shown).

상기 아크 증발부(10)는 아크 증발물질을 방출하는 타겟부재(12) 및 상기 타겟부재(12)를 지지하기 위한 음극체(11)를 포함하며, 또한, 상기 타겟부재(12)와 접촉하여 아크를 발생시키기 위한 촉발전극, 상기 타겟부재(12)의 외주에 설치되어 방전 아크를 구속하는 아크방전 구속링(14) 및 상기 타겟부재(12)의 아크발생면에서 아크의 운동을 조절하는 아크조절 자장원(13)을 포함할 수 있다.The arc evaporator 10 includes a target member 12 for discharging an arc evaporation material and a negative electrode 11 for supporting the target member 12. The arc evaporator 10 is also in contact with the target member 12 An arc discharge restricting ring 14 provided on the outer periphery of the target member 12 for restricting the discharge arc and an arc for adjusting the movement of the arc on the arc generating surface of the target member 12, And an adjustment magnetic field source 13.

이때, 상기 타겟부재(12)를 지지하는 상기 음극체(11)는 대략 0∼-100V의 음전압(0∼300A의 전류)이 출력되는 아크전원공급부(40)의 음전극에 연결되어 있으며, 상기 타겟부재(12)는 상기 음극체(11)와 통전된다.At this time, the anode body 11 supporting the target member 12 is connected to the negative electrode of the arc power supply unit 40 which outputs a negative voltage (a current of 0 to 300 A) of approximately 0 to -100 V, The target member (12) is energized with the negative electrode (11).

상기 타겟부재(12)에 음전압이 걸려 있는 상태에서 상기 플라즈마 덕트부(20)의 일측에 회동 가능하게 마련된 상기 촉발전극이 접촉되었다가 떨어지면서 아크 방전이 일어나게 되고, 이에 따라 상기 타겟부재(12)의 표면 즉, 아크발생면에서 아크 증발물질 예컨대, 하전입자가 발생하게 된다.An arc discharge is generated as the triggering electrode provided on one side of the plasma duct section 20 is contacted and dropped while a negative voltage is applied to the target member 12, An arc evaporation material, such as a charged particle, is generated on the arc generating surface.

또한, 상기 아크 방전 구속링(14)은 타겟부재(12)의 아크발생면에서 발생되는 아크 방전에 의한 아크와 상호작용할 수 있도록 링형의 자성체로 구비될 수 있다.The arc discharge confining ring 14 may be formed of a ring-shaped magnetic material so as to interact with an arc caused by an arc discharge generated on an arc generating surface of the target member 12. [

상기 아크조절 자장원(13)은 상기 음극체(11) 내측의 상기 타겟부재(12)의 배면에 설치되어 상기 타겟부재(12)의 아크발생면에서 발생되는 아크의 운동을 조절할 수 있다.The arc adjustment magnetic field source 13 is installed on the backside of the target member 12 inside the negative electrode body 11 to control the movement of the arc generated from the arc generation surface of the target member 12. [

계속해서 도 2를 참조하면, 상기 플라즈마 덕트부(20)는 상기 아크 증발부(10)와 연속되며, 직선부(21a) 및 상기 직선부(21a)로부터 휘어지는 굴곡부(21b)를 포함하는 플라즈마 덕트(21)를 포함할 수 있다.2, the plasma duct portion 20 is connected to the arc evaporator 10 and includes a straight portion 21a and a curved portion 21b bent from the straight portion 21a. (21).

상기 굴곡부(21b)는 상기 아크 증발물질 중 미소입자 및 중성입자 등이 진공 챔버부(미도시) 내의 모재 또는 기판(미도시)에 도달되지 못하도록 이 플라즈마 덕트(21)의 중심축을 따라 대략 30도 내지 120도 사이의 각도로 휘어진 통형으로 형성될 수 있다.The curved portion 21b is formed to have a diameter of about 30 degrees along the center axis of the plasma duct 21 so that minute particles and neutral particles in the arc evaporation material can not reach the base material or the substrate (not shown) in the vacuum chamber portion Lt; RTI ID = 0.0 > 120 C. < / RTI >

예를 들어, 상기 굴곡부가 대략 60도 구부러지게 구비되어, 자기장발생수단(31, 32, 33)에 의해 가이드된 하전입자만이 기판(미도시)에 도달될 수 있도록 구비된다. For example, the bent portion is provided to be bent by approximately 60 degrees so that only the charged particles guided by the magnetic field generating means (31, 32, 33) can reach the substrate (not shown).

이때 상기 플라즈마 덕트(21)의 직선부(21a)는 상기 타겟부재(12)에서 기판쪽으로 진행하는 중성입자 및 미소입자가 직선으로 진행했을 때, 상기 기판에 도달될 수 없도록 소정 길이 이상으로 만들어 질 수 있다.At this time, the linear portion 21a of the plasma duct 21 is made to be longer than a predetermined length so that when the neutral particles and the fine particles progressing toward the substrate from the target member 12 proceed straight, .

즉, 상기 자기장발생수단에 의해 상기 플라즈마 덕트(21) 내에 형성된 자기장에 영향을 받지 않는 미소입자 및 중성입자 등이 상기 플라즈마 덕트(21)의 직선부(21a)에서 직진했을 때, 플라즈마 덕트(21)의 내벽에 흡착될 수 있도록, 소정 길이 이상으로 구비될 수 있다.That is, when fine particles and neutral particles which are not affected by the magnetic field generated in the plasma duct 21 by the magnetic field generating means go straight on the linear portion 21a of the plasma duct 21, the plasma duct 21 So that it can be adsorbed on the inner wall of the housing.

계속해서 도 2를 참조하면, 상기 플라즈마 덕트부(20)는 상기 플라즈마 덕트(21)의 내측에 위치하고, 상기 아크 증발물질의 일부를 흡착 제거하기 위한 배플(22)을 포함할 수 있다.2, the plasma duct 20 may be located inside the plasma duct 21 and may include a baffle 22 for adsorbing and removing a part of the arc evaporation material.

즉, 상기 배플(22)은 상기 플라즈마 덕트(21)의 내측벽에 위치하여, 상기 아크 증발물질 중 상기 플라즈마 덕트(21) 내로 진행하는 미소입자 및 중성입자를 흡착 제거하여, 상기 미소입자 및 상기 중성입자가 상기 기판에 도달되지 않도록 차단할 수 있다.That is, the baffle 22 is located on the inner wall of the plasma duct 21 to adsorb and remove fine particles and neutral particles that proceed into the plasma duct 21 of the arc evaporation material, So that neutral particles can be prevented from reaching the substrate.

이때, 상기 배플(22)은 상기 플라즈마 덕트(21)의 내벽으로부터 중심축으로 돌출되게 설치된 다수의 플레이트가 연속적으로 구비된 형태에 해당할 수 있으며, 당업계에서 상기 배플은 자명한 것이므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.In this case, the baffle 22 may correspond to a shape in which a plurality of plates are continuously provided so as to protrude from the inner wall of the plasma duct 21 to the central axis. In the art, the baffle is self- A description thereof will be omitted.

또한, 상기 플라즈마 덕트부(20)는 상기 플라즈마 덕트(21)의 외측에 위치하는 자기장 발생수단(31, 32, 33)을 포함할 수 있으며, 상기 자기장 발생수단은 상기 플라즈마 덕트(21)를 둘러싸고, 상기 아크 증발부(10) 주위에 배치되는 제1자장원(31) 및 상기 플라즈마 덕트(21)를 둘러싸고, 상기 기판의 주위에 배치되는 제2자장원(33)을 포함할 수 있으며, 상기 제1자장원(31) 및 상기 제2자장원(33)의 사이에 배치되는 유도자장원(32)을 포함할 수 있다.The plasma duct 20 may include magnetic field generating means 31, 32 and 33 located outside the plasma duct 21 and the magnetic field generating means may surround the plasma duct 21 A first magnetic field source 31 disposed around the arc evaporator 10 and a second magnetic field source 33 surrounding the plasma duct 21 and disposed around the substrate, And an inductor magnet 32 disposed between the first magnetic field source 31 and the second magnetic field source 33.

상기 제1자장원(31)은 아크발생면에서 발생된 하전입자가 플라즈마 덕트(21)의 직선부(21a)를 진행하도록 유도하며, 상기 유도자장원(32)은 직선부(21a)에서 굴곡부(21b)로 진입하는 하전입자가 플라즈마 덕트(21)의 내벽에 부딪히지 않도록 하전입자의 방향을 바꾸어 줄 수 있다.The first magnetic field source 31 induces a charged particle generated on the arc generating surface to proceed in the linear portion 21a of the plasma duct 21 and the inductor magnetic field source 32 causes the linear portion 21a to be bent The direction of the charged particles can be changed so that the charged particles entering the plasma duct 21b do not hit the inner wall of the plasma duct 21. [

또한, 상기 제2자장원(33)은 제1자장원(31)과 유도자장원(32)에 의해 방향이 바뀐 하전입자의 기판에서의 분포 및 방향을 조절할 수 있다.In addition, the second magnetic field source 33 can control the distribution and direction of the charged particles whose direction is changed by the first magnetic field source 31 and the inductive magnetic field source 32 on the substrate.

이러한, 자기장 발생수단은 당업계에서 자명한 것이므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Since such a magnetic field generating means is self-evident in the art, a detailed description thereof will be omitted below.

한편, 상기 제1자장원(31), 상기 제2자장원(33), 상기 유도자장원(32) 및 아크조절 자장원(13)은 각각 코일전원공급기(50)로부터 전류를 공급받을 수 있다.The first magnetic field source 31, the second magnetic field source 33, the inductive magnetic field source 32 and the arc adjustment magnetic field source 13 may be supplied with current from the coil power supply 50, respectively.

또한, 일반적인 구조의 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치는 상기 기판에 화합물의 증착 즉, 코팅이 가능하도록 N₂, Ar, O₂ 등의 기체를 공급하는 기체 공급기(42)를 더 포함할 수 있다.Further, the vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct of a general structure may further include a gas supplier 42 for supplying a gas such as N ₂ , Ar, O _2, etc., have.

이와 같은, 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치는 타겟부재(12)에 음전압이 가해진 상태에서 촉발전극이 상기 타겟부재(12)에 접촉되었다가 떨어지면 아크 방전이 일어나게 되고, 이에 따른 아크는 상기 아크 방전 구속링(14), 상기 아크조절 자장원(13)에서 발생된 자기장에 의해 상기 타겟부재(12)의 아크발생면 상에서 구속되어 이동되면서, 하전입자를 발생시킨다.In the vacuum arc vapor deposition apparatus including the plasma duct, when a negative voltage is applied to the target member 12, when the trigger electrode contacts the target member 12 and then falls, an arc discharge occurs. The arc discharge confining ring 14 is restrained and moved on the arc generating surface of the target member 12 by the magnetic field generated from the arc adjusting magnetic field source 13 to generate charged particles.

상기 하전입자(타겟부재(12)의 이온, 전자, 대전된 하전입자)는 제1자장원(31)에 의해 유도되어 플라즈마 덕트(21)의 직선부(21a)을 진행하고, 유도자장원(32)에 의해 플라즈마 덕트(21)의 직선부(21a)에서 굴곡부(21b)로 방향이 바뀌어 기판쪽을 향하여 진행하게 되며, 제2자장원(33)에 의해 조절되어 기판 상에 증착되게 된다.The charged particles (ions, electrons and charged charged particles of the target member 12) are guided by the first magnetic field source 31 to travel on the linear portion 21a of the plasma duct 21, The direction is changed from the linear portion 21a of the plasma duct 21 to the bent portion 21b to proceed toward the substrate and is controlled by the second magnetic field source 33 to be deposited on the substrate.

이때, 상기 아크발생면에서 상기 하전입자와 함께 발생되는 미소입자 및 중성입자 중 일부는 플라즈마 덕트(21) 내부에서 일부 하전입자와의 충돌에 의해 이온화되어 상기 하전 입자와 마찬가지로 기판 상에 증착되게 된다.At this time, some of the fine particles and neutral particles generated together with the charged particles on the arc generating surface are ionized by collision with some charged particles in the plasma duct 21 and deposited on the substrate like the charged particles .

그리고 전하를 띄지 않은 중성입자 및 미소입자는 자기장에 영향을 받지 않으므로, 직선 이동을 하면서 굴곡부를 가지는 플라즈마 덕트(21)의 내벽 및 배플(21)에 부착되어 제거된다. Since the neutral particles and the minute particles which are not charged are not affected by the magnetic field, they are attached and removed to the inner wall of the plasma duct 21 having the bent portion and the baffle 21 while linearly moving.

따라서, 상기 중성입자 및 상기 미소입자는 상기 기판쪽으로 거의 도달되지 않게 될 수 있다.Therefore, the neutral particles and the fine particles can be hardly reached toward the substrate.

하지만, 상술한 바와 같이, 일반적인 플라즈마 덕트를 포함하는 진공 아크 증착 장치에서의 상기 아크 증발부(10)는 타겟부재(12)를 포함하고 있으며, 진공아크를 이용한 박막을 증착함에 있어서, 하전입자가 발생되는 부분이 단일에 해당하므로, 공정 시간이 증가할 뿐만 아니라, 대면적의 박막을 증착하는 데에 한계가 있는 문제점이 있다.However, as described above, the arc evaporation unit 10 in the vacuum arc evaporation apparatus including a general plasma duct includes the target member 12, and in depositing the thin film using the vacuum arc, There is a problem in that not only the process time is increased but also there is a limitation in depositing a thin film of a large area.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 도시하는 개략적인 도면이고, 도 3c는 도 3a의 수직 단면을 도시하는 개략적인 도면이다. 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치는 후술하는 바를 제외하고는 상술한 도 2의 일반적인 구조의 진공 아크 증착 장치와 동일할 수 있다.FIGS. 3A and 3B are schematic views showing a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct portion according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 3C is a schematic view showing a vertical section of FIG. 3A. The vacuum arc vapor deposition apparatus including the plasma duct unit according to the first embodiment of the present invention may be the same as the vacuum arc vapor deposition apparatus having the general structure of FIG. 2 except for the following.

도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치(100)는 음극 아크 방전에 의해 증착 물질의 하전입자가 발생되는 아크 증발부(110) 및 상기 아크 증발부(110)로부터 발생된 하전입자를 기판(미도시)으로 유도하기 위한 플라즈마 덕트부(120)를 포함한다.3A to 3C, a vacuum arc vapor deposition apparatus 100 including a plasma duct according to a first embodiment of the present invention includes an arc evaporator 110 in which a charged particle of a deposition material is generated by cathodic arc discharge, And a plasma duct part 120 for guiding the charged particles generated from the arc evaporator 110 to a substrate (not shown).

한편, 본 발명에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치에서 상기 아크 증발부(110)는 상기 플라즈마 덕트부(120)를 개폐하기 위한 도어의 형태로 구성될 수 있으며, 도 3a는 상기 아크 증발부가 상기 플라즈마 덕트부를 개구한 상태를 도시하고 있으며, 도 3b는 상기 아크 증발부가 상기 플라즈마 덕트부를 폐구한 상태를 도시하고 있다.In the vacuum arc evaporation apparatus including the plasma duct according to the present invention, the arc evaporator 110 may be formed as a door for opening and closing the plasma duct 120, FIG. 3B shows a state in which the arc evaporation part closes the plasma duct part. FIG. 3B shows a state in which the plasma duct part is opened.

다만, 본 발명에서, 상기 아크 증발부는 도어의 형태로 구성되지 않을 수도 있으며, 따라서, 본 발명은 아크 증발부가 도어 형태인지 여부에 제한되지 않는다.However, in the present invention, the arc evaporator may not be configured in the form of a door, and therefore, the present invention is not limited to whether the arc evaporator is in the form of a door.

상기 아크 증발부(110)는 아크 증발물질을 방출하는 적어도 2개 이상의 타겟부재(113a, 113b, 113c) 및 상기 적어도 2개 이상의 타겟부재(113a, 113b, 113c)를 각각 지지하기 위한 적어도 2개 이상의 음극체(112a, 112b, 112c)를 포함한다.The arc evaporator 110 includes at least two target members 113a, 113b, and 113c that emit arc evaporation materials and at least two target members 113a, 113b, and 113c for supporting the at least two target members 113a, 113b, The negative electrode bodies 112a, 112b, and 112c.

즉, 상기 아크 증발부(110)는 제1타겟부재(113a), 상기 제1타겟부재(113a)와 인접하여 위치하는 제2타겟부재(113b) 및 상기 제2타겟부재(113b)와 인접하여 위치하는 제3타겟부재(113c)를 포함하며, 상기 제1타겟부재(113a)를 지지하기 위한 제1음극체(112a), 상기 제2타겟부재(113b)를 지지하기 위한 제2음극체(112b) 및 상기 제3타겟부재(113c)를 지지하기 위한 제3음극체(112c)를 포함할 수 있다.That is, the arc evaporator 110 includes a first target member 113a, a second target member 113b positioned adjacent to the first target member 113a, and a second target member 113b adjacent to the second target member 113b And a second target member 113b for supporting the second target member 113b. The first target member 113a includes a first target member 113a and a third target member 113c. The first target member 113a includes a first negative electrode body 112a, 112b for supporting the third target member 113c and a third negative electrode 112c for supporting the third target member 113c.

한편, 도면에서는 상기 타겟부재 및 상기 음극체가 각각 3개인 것으로 도시하고 있으나, 이와는 달리, 상기 타겟부재 및 상기 음극체는 적어도 2개 이상일 수 있다.Although the target member and the negative electrode are shown as three in the figure, the target member and the negative electrode may be two or more.

또한, 상기 아크 증발부(110)는 몸체부(111)를 포함하며, 상기 몸체부(111)는 상기 제1음극체 내지 제3음극체를 지지할 수 있다. The arc evaporator 110 may include a body 111 and the body 111 may support the first to third cathodes.

또한, 상기 아크 증발부(110)는 상기 제1타겟부재 내지 상기 제3타겟부재의 외측에 위치하여, 상기 제1타겟부재 내지 상기 제3타겟부재의 아크발생면에서 아크의 운동을 조절하는 아크조절 자장원(117)을 포함할 수 있으며, 이때, 상기 아크조절 자장원(117)는 상기 몸체부(111)에 체결될 수 있다. The arc evaporator 110 is disposed outside the first target member to the third target member, and generates an arc that controls the movement of the arc on the arc generating surface of the first target member to the third target member. The arc adjustment magnetic field source 117 may be fastened to the body portion 111. [

이때, 상기 제1음극체 내지 상기 제3음극체는 대략 0∼-100V의 음전압(0∼300A의 전류)이 출력되는 아크전원공급부(미도시)의 음전극에 연결되어 있으며, 상기 각각의 타겟부재는 상기 각각의 음극체와 통전될 수 있다.At this time, the first negative electrode to the third negative electrode are connected to a negative electrode of an arc power supply unit (not shown) in which a negative voltage of about 0 to -100 V (a current of 0 to 300 A) is output, The member may be energized with each of the cathode bodies.

계속해서 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 상기 플라즈마 덕트부(120)는 상기 아크 증발부(110)와 연속되는 플라즈마 덕트(121)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 3A to 3C, the plasma duct 120 may include a plasma duct 121 continuous with the arc evaporator 110.

이때, 상기 플라즈마 덕트(121)는 상기 아크 증발부와 동일 선상에 위치하는 직선부(121a)와 상기 직선부(121a)로부터 휘어진 굴곡부(121b)를 포함할 수 있다.At this time, the plasma duct 121 may include a straight line portion 121a located on the same line as the arc evaporation portion and a bent portion 121b bent from the straight line portion 121a.

상기 굴곡부(121b)는 상기 아크 증발물질 중 미소입자 및 중성입자 등이 진공 챔버부(미도시) 내의 모재 또는 기판(미도시)에 도달되지 못하도록 이 플라즈마 덕트(121)의 중심축을 따라 대략 30도 내지 120도 사이의 각도로 휘어진 통형으로 형성될 수 있다.The curved portion 121b is formed at an angle of about 30 degrees along the central axis of the plasma duct 121 to prevent minute particles and neutral particles from the arc evaporation material from reaching the base material (not shown) Lt; RTI ID = 0.0 > 120 C. < / RTI >

예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이, 상기 직선부(121a)로부터 상기 굴곡부(121b)가 대략 60도 구부러지게 구비되어, 자기장발생수단(131, 132, 133)에 의해 가이드된 하전입자만이 기판(미도시)에 도달될 수 있도록 구비된다. For example, as shown in the figure, the bent portion 121b is bent from the straight portion 121a by about 60 degrees so that only the charged particles guided by the magnetic field generating means 131, 132, So as to reach a substrate (not shown).

이는 상술한 도 2와 동일하므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.Since this is the same as that of FIG. 2 described above, a detailed description will be omitted.

계속해서 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 상기 플라즈마 덕트부(120)는 상기 플라즈마 덕트(121)의 굴곡부의 내측에 위치하고, 상기 아크 증발물질의 일부를 흡착 제거하기 위한 배플(122)을 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 3A to 3C, the plasma duct 120 includes a baffle 122 located inside the curved portion of the plasma duct 121 for adsorbing and removing a part of the arc evaporation material .

상기 배플(122)은 상기 플라즈마 덕트(121)의 직선부(121a)의 내측벽에 위치하는 제1배플(122a) 및 상기 플라즈마 덕트(121)의 굴복부(121b)의 내측벽에 위치하는 제2배플(122b)을 포함할 수 있다.The baffle 122 includes a first baffle 122a located on an inner wall of a straight portion 121a of the plasma duct 121 and a second baffle 122b located on an inner wall of the yielding portion 121b of the plasma duct 121. [ 2 baffle 122b.

즉, 상기 배플(122)은 상기 플라즈마 덕트(121)의 직선부(121a) 및 굴곡부(121b)의 내측벽에 위치하여, 상기 아크 증발물질 중 상기 플라즈마 덕트(121) 내로 진행하는 미소입자 및 중성입자를 흡착 제거하여, 상기 미소입자 및 상기 중성입자가 상기 기판에 도달되지 않도록 차단할 수 있다.That is, the baffle 122 is located on the inner wall of the straight portion 121a and the bent portion 121b of the plasma duct 121, and the microparticles and neutrality of the arc evaporation material, which proceed into the plasma duct 121, The particles can be adsorbed and removed to block the fine particles and the neutral particles from reaching the substrate.

이때, 상기 배플(122)은 상기 플라즈마 덕트(121)의 내벽으로부터 중심축으로 돌출되게 설치된 다수의 플레이트가 연속적으로 구비된 형태에 해당할 수 있으며, 이는 상술한 도 2와 동일하므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 한다.In this case, the baffle 122 may correspond to a shape in which a plurality of plates protruding from the inner wall of the plasma duct 121 to the central axis are continuously provided. Since this is the same as that of FIG. 2, Is omitted.

또한, 상기 플라즈마 덕트부(120)는 상기 플라즈마 덕트(121)의 외측에 위치하는 자기장 발생수단(131, 132, 133)을 포함할 수 있으며, 상기 자기장 발생수단은 상기 플라즈마 덕트(121)의 직선부를 둘러싸고, 상기 아크 증발부(110) 주위에 배치되는 제1자장원(131) 및 상기 플라즈마 덕트(121)의 굴곡부를 둘러싸고, 상기 기판의 주위에 배치되는 제2자장원(133)을 포함할 수 있으며, 상기 제1자장원(131) 및 상기 제2자장원(133)의 사이에 배치되는 유도자장원(132)을 포함할 수 있다.The plasma duct section 120 may include magnetic field generating means 131, 132 and 133 located outside the plasma duct 121. The magnetic field generating means may be a straight line A first magnetic field source 131 surrounding the arc evaporator 110 and a second magnetic field source 133 surrounding the curved portion of the plasma duct 121 and disposed around the substrate And may include an inductor magnet 132 disposed between the first magnetic field source 131 and the second magnetic field source 133.

상기 제1자장원(131)은 아크발생면에서 발생된 하전입자가 플라즈마 덕트(121)의 직선부를 진행하도록 유도하며, 상기 유도자장원(132)은 하전입자가 플라즈마 덕트(121)의 굴곡부의 내벽에 부딪히지 않도록 하전입자의 방향을 바꾸어 줄 수 있다.The first magnetic field source 131 induces a charged particle generated on an arc generating surface to proceed in a linear portion of the plasma duct 121. The inductive magnet 132 is disposed on the inner wall of the bent portion of the plasma duct 121, The direction of the charged particle can be changed.

이상과 같은 본 발명에서는 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치에서의 상기 아크 증발부(110)는 적어도 2개 이상의 타겟부재를 포함하고 있기 때문에, 진공아크를 이용한 박막을 증착함에 있어서, 하전입자가 발생되는 부분이 복수개에 해당하므로, 공정 시간이 감소할 뿐만 아니라, 대면적의 박막을 증착하는 데에 유리한 장점이 있다.According to the present invention, since the arc evaporation unit 110 in the vacuum arc evaporation apparatus including the plasma duct part includes at least two target members, when depositing a thin film using a vacuum arc, Since a plurality of portions are generated, not only the process time is reduced but also advantageous in depositing a large-area thin film.

한편, 상술한 바와 같이, 본 발명에서는 상기 아크 증발부(110)가 적어도 2개 이상의 타겟부재를 포함하며, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 적어도 2개 이상의 타겟부재는 수직방향으로 배치될 수 있다.As described above, in the present invention, the arc evaporator 110 includes at least two target members. As shown in FIG. 3C, the at least two target members may be arranged in a vertical direction have.

이때, 상기 적어도 2개 이상의 타겟부재는 아크 방전에 의한 부산물이 상기 각각의 타겟부재의 주변에 분포될 수 있다.At this time, the at least two target members may be distributed around the target member by-products of arc discharge.

예를 들어, 도 3c에 도시된 바와 같이, 제1타겟부재(113a)가 가장 상부에 위치하고, 제2타겟부재(113b)가 중앙에 위치하며, 제3타겟부재(113c)가 가장 하부에 위치하는 경우, 상기 제1타겟부재(113a)의 가벼운 덩어리 상태의 부산물이 제2타겟부재(113b) 및 제3타겟부재(113c)에 축적되거나 비산하여 플라즈마 덕트 전체로 퍼질 수 있다.For example, as shown in FIG. 3C, the first target member 113a is located at the uppermost position, the second target member 113b is located at the center, and the third target member 113c is located at the lowermost position By-product of the first target member 113a may be accumulated or scattered in the second target member 113b and the third target member 113c and spread to the entire plasma duct.

즉, 본 발명에서는 복수개의 타겟부재를 포함하기 때문에, 어느 하나의 타겟부재의 부산물이 다른 하나의 타겟부재에 흘러내려 축적되거나 비산됨으로써, 증착 공정에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있다.That is, since the present invention includes a plurality of target members, by-products of one target member may flow into the other target member and accumulate or scatter, thereby adversely affecting the deposition process.

따라서, 본 발명에서는 어느 하나의 타겟부재의 부산물이 축적되거나 비산되지 않도록, 상기 타겟부재를 커버하는 커버부재를 포함할 수 있다.Therefore, the present invention may include a cover member covering the target member so that by-products of any one target member are not accumulated or scattered.

이를 도 4 내지 도 6을 통해 설명하면 다음과 같다.This will be described with reference to FIGS. 4 to 6 as follows.

도 4a는 본 발명의 제1실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 분리사시도이고, 도 4b는 본 발명의 제1실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 결합사시도이다.FIG. 4A is an exploded perspective view illustrating an arc evaporator including a cover member according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4B is a perspective view of an arc evaporator showing an arc evaporator including a cover member according to the first embodiment of the present invention, to be.

도 5a는 본 발명의 제2실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 분리사시도이고, 도 5b는 본 발명의 제2실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 결합사시도이다.FIG. 5A is an exploded perspective view showing an arc evaporator including a cover member according to a second embodiment of the present invention, FIG. 5B is a perspective view of an arc evaporator showing an arc evaporator including a cover member according to a second embodiment of the present invention, to be.

도 6a는 본 발명의 제3실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 분리사시도이고, 도 6b는 본 발명의 제3 실시예에 따른 커버부재를 포함하는 아크 증발부를 도시하는 결합사시도이다.FIG. 6A is an exploded perspective view showing an arc evaporator including a cover member according to a third embodiment of the present invention, FIG. 6B is a perspective view of an arc evaporator showing an arc evaporator including a cover member according to a third embodiment of the present invention, to be.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 아크증발부(110)는 상기 제1타겟부재(113a)를 커버하는 제1커버부재(114a), 상기 제2타겟부재(113b)를 커버하는 제2커버부재(114b) 및 상기 제3타겟부재(113c)를 커버하는 제3커버부재(114c)를 포함할 수 있다.4A and 4B, the arc evaporator 110 according to the first embodiment of the present invention includes a first cover member 114a covering the first target member 113a, a second cover member 114b covering the first target member 113a, A second cover member 114b covering the third target member 113c and a third cover member 114c covering the third target member 113c.

이때, 상기 제1커버부재(113a) 내지 상기 제3커버부재(113c)는 각각의 타겟부재의 전부를 커버할 수 있으며, 상기 타겟부재의 단면이 원형인 경우, 상기 커버부재의 단면도 원형일 수 있으며, 보다 구체적으로, 상기 커버부재는 원통형일 수 있다.In this case, the first cover member 113a to the third cover member 113c may cover all of the target members, and when the cross section of the target member is circular, the cross- And more specifically, the cover member may be cylindrical.

또한, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 아크증발부(110')는 상기 제1타겟부재(113a)를 커버하는 제1커버부재(114a'), 상기 제2타겟부재(113b)를 커버하는 제2커버부재(114b') 및 상기 제3타겟부재(113c)를 커버하는 제3커버부재(114c')를 포함할 수 있다.5A and 5B, the arc evaporator 110 'according to the second embodiment of the present invention includes a first cover member 114a' covering the first target member 113a, A second cover member 114b 'covering the second target member 113b and a third cover member 114c' covering the third target member 113c.

이때, 상기 제1커버부재(113a') 내지 상기 제3커버부재(113c')는 각각의 타겟부재의 일부를 커버할 수 있으며, 상기 타겟부재의 단면이 원형인 경우, 상기 커버부재의 단면은 반원형일 수 있으며, 보다 구체적으로, 상기 커버부재는 반원통형일 수 있다.At this time, the first cover member 113a 'to the third cover member 113c' may cover a part of each target member, and when the target member has a circular section, And may be semicircular. More specifically, the cover member may be semi-cylindrical.

또한, 도 6a 및 도 6b를 참조하면, 본 발명의 제3실시예에 따른 아크증발부(110'')는 상기 제1타겟부재(113a)를 커버하는 제1커버부재(114a''), 상기 제2타겟부재(113b)를 커버하는 제2커버부재(114b'') 및 상기 제3타겟부재(113c)를 커버하는 제3커버부재(114c'')를 포함할 수 있다.6A and 6B, the arc evaporator 110 '' according to the third embodiment of the present invention includes a first cover member 114a '' covering the first target member 113a, A second cover member 114b '' covering the second target member 113b and a third cover member 114c '' covering the third target member 113c.

이때, 상기 제1커버부재(113a'') 내지 상기 제3커버부재(113c'')는 각각의 타겟부재의 일부를 커버할 수 있으며, 상기 커버부재는 플레이트 형태일 수 있으며, 상기 플레이트 형태의 커버부재의 폭은 상기 타겟부재의 지름보다 큰 것이 바람직하다.At this time, the first cover member 113a '' to the third cover member 113c '' may cover a part of each target member, and the cover member may be in the form of a plate, The width of the cover member is preferably larger than the diameter of the target member.

이와 같이, 본 발명에서는 복수개의 타겟부재를 포함하기 때문에, 어느 하나의 타겟부재의 부산물이 다른 하나의 타겟부재에 흘러내려 축적되거나 비산됨으로써, 증착 공정에 좋지 않은 영향을 미칠 수 있으며, 본 발명에서는 상기 타겟부재를 커버하는 커버부재를 포함함으로써, 어느 하나의 타겟부재의 부산물이 축적되거나 비산되지 않도록 할 수 있다.As described above, since the present invention includes a plurality of target members, the by-product of one target member flows down to the other target member and is accumulated or scattered, thereby adversely affecting the deposition process. By including the cover member covering the target member, by-products of any one of the target members can be prevented from accumulating or scattering.

한편 도면에는 도시하지 않았으나, 제1타겟부재(113a)가 가장 상부에 위치하고, 제2타겟부재(113b)가 중앙에 위치하며, 제3타겟부재(113c)가 가장 하부에 위치하는 경우, 가장 하부에 위치하는 상기 제3타겟부재는 커버부재를 포함하지 않을 수 있다.On the other hand, in the case where the first target member 113a is located at the uppermost position, the second target member 113b is located at the center, and the third target member 113c is located at the lowest position, The third target member positioned at the third target member may not include the cover member.

즉, 가장 하부에 위치하는 제3타겟부재는, 그 하부에 더 이상의 타겟부재가 없으므로, 제3타겟부재의 부산물은 다른 타겟부재에 영향을 미치지 않을 수 있다.That is, since the third target member positioned at the lowermost portion has no further target member at the lower portion thereof, the by-product of the third target member may not affect other target members.

따라서, 본 발명에서는 상기 제1타겟부재와 상기 제2타겟부재의 사이에 커버부재가 위치하고, 또한, 상기 제2타겟부재와 상기 제3타겟부재의 사이에 커버부재가 위치하는 것으로 정의할 수도 있다. Therefore, in the present invention, it may be defined that a cover member is positioned between the first target member and the second target member, and a cover member is positioned between the second target member and the third target member .

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 도시하는 개략적인 도면이고, 도 7c는 도 7a의 수직 단면을 도시하는 개략적인 도면이다. 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치는 후술하는 바를 제외하고는 상술한 제1실시예의 진공 아크 증착 장치와 동일할 수 있다.FIGS. 7A and 7B are schematic views showing a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct part according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 7C is a schematic view showing a vertical section of FIG. 7A. The vacuum arc vapor deposition apparatus including the plasma duct portion according to the second embodiment of the present invention may be the same as the vacuum arc vapor deposition apparatus of the first embodiment except for the following.

도 7a 내지 도 7c를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치(100)는 음극 아크 방전에 의해 증착 물질의 하전입자가 발생되는 아크 증발부(110) 및 상기 아크 증발부(110)로부터 발생된 하전입자를 기판(미도시)으로 유도하기 위한 플라즈마 덕트부(120)를 포함한다.7A to 7C, a vacuum arc vapor deposition apparatus 100 including a plasma duct according to a second embodiment of the present invention includes an arc evaporator 110 in which a charged particle of a deposition material is generated by cathodic arc discharge, And a plasma duct part 120 for guiding the charged particles generated from the arc evaporator 110 to a substrate (not shown).

이는 상술한 제1실시예와 동일하므로, 이하 구체적인 설명은 생략하기로 하며, 이하에서는 제1실시예와의 차이점인 플라즈마 덕트부의 구성에 대해 상술하기로 한다.This is the same as that of the first embodiment described above, so a detailed description thereof will be omitted. Hereinafter, the configuration of the plasma duct portion, which is different from the first embodiment, will be described in detail.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치에서의 상기 아크 증발부(110)는 적어도 2개 이상의 타겟부재를 포함하고 있기 때문에, 진공아크를 이용한 박막을 증착함에 있어서, 하전입자가 발생되는 부분이 복수개에 해당하므로, 공정 시간이 감소할 뿐만 아니라, 대면적의 박막을 증착하는 데에 유리한 장점이 있다.As described above, in the present invention, the arc evaporation unit 110 in the vacuum arc evaporation apparatus including the plasma duct part includes at least two target members. Therefore, in depositing the thin film using the vacuum arc, There are a plurality of portions where the charged particles are generated, which not only reduces the process time but also has an advantage in depositing a thin film of a large area.

다만, 상기 아크 증발부(110)가 적어도 2개 이상의 타겟부재를 포함함에 따라, 상기 아크 증발부(110)로부터 발생된 하전입자를 기판(미도시)으로 유도하기 위한 플라즈마 덕트부(120)의 크기도 증대되어야 한다.However, since the arc evaporator 110 includes at least two target members, the plasma duct part 120 for guiding the charged particles generated from the arc evaporator 110 to a substrate (not shown) The size should also be increased.

이를 도 8a를 통해 설명하면 다음과 같다.This will be described with reference to FIG.

도 8a는 복수의 타겟부재를 포함하는 진공 아크 장치를 도시한 개략적인 모식도이다.8A is a schematic diagram showing a vacuum arc device including a plurality of target members.

도 8a에 도시된 바와 같이, 진공 아크 장치에서 복수의 타겟부재(13a, 13b, 13c)를 포함한다고 가정시, 상기 복수의 타겟부재의 면적과 대응되어 플라즈마 덕트부의 크기도 증대되어야 한다.Assuming that the vacuum arc device includes a plurality of target members 13a, 13b, and 13c as shown in FIG. 8A, the size of the plasma duct portion must be increased corresponding to the area of the plurality of target members.

상기 플라즈마 덕트부의 크기의 증대는 결국 플라즈마 덕트(21)의 내측 공간의 증대를 의미하며, 이는 상기 배플(21)에 의해 커버되지 않는 플라즈마 덕트의 내측 공간이 증가함을 의미한다.The increase in the size of the plasma duct means the increase in the inner space of the plasma duct 21, which means that the inner space of the plasma duct not covered by the baffle 21 increases.

즉, 상술한 바와 같이, 상기 배플(22)은 상기 플라즈마 덕트(21)의 내측벽에 위치하여, 상기 아크 증발물질 중 상기 플라즈마 덕트(121) 내로 진행하는 미소입자 및 중성입자를 흡착 제거하여, 상기 미소입자 및 상기 중성입자가 상기 기판에 도달되지 않도록 차단하여야 한다.That is, as described above, the baffle 22 is located on the inner wall of the plasma duct 21 to adsorb and remove fine particles and neutral particles, which flow into the plasma duct 121, of the arc evaporation material, The fine particles and the neutral particles should be blocked from reaching the substrate.

하지만, 상기 배플(22)이 플라즈마 덕트(21)의 내측벽에 위치하는 경우, 상기 배플(22)에 의해 커버되지 않는 플라즈마 덕트의 내측 공간이 증가하기 때문에, 그만큼 미소입자 및 중성입자가 흡착 제거되지 않고 기판에 도달될 수 있는 가능성이 증가함을 의미한다.However, when the baffle 22 is located on the inner wall of the plasma duct 21, since the inner space of the plasma duct not covered by the baffle 22 is increased, And the possibility of reaching the substrate is increased.

도 8a에서는 화살표를 통하여 제1타겟부재(13a)에서의 미소입자 및 중성입자의 진행방향을 도시하고 있으나, 이는 제2타겟부재(13b) 및 제3타겟부재(13c)에서도 동일하다.In Fig. 8A, the direction of movement of the fine particles and the neutral particles in the first target member 13a is indicated by an arrow, but this is also the same in the second target member 13b and the third target member 13c.

한편, 미설명부호 12a, 12b, 12c는 음극체에 해당한다.On the other hand, the reference numerals 12a, 12b, and 12c correspond to the negative electrode.

따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치는 상기 제1타겟부재 내지 상기 제3타겟부재의 각각의 끝단과 인접하여 위치하는 배플부재를 포함한다.Accordingly, the vacuum arc vapor deposition apparatus including the plasma duct unit according to the second embodiment of the present invention includes baffle members positioned adjacent to the respective ends of the first target member to the third target member.

이에 대해서는 도 7c 및 도 9를 통해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.This will be described in more detail with reference to FIG. 7C and FIG.

도 9는 본 발명에 따른 플라즈마 덕트부를 도시하는 개략적인 사시도이다.9 is a schematic perspective view showing a plasma duct part according to the present invention.

도 7c 및 도 9를 참조하면, 상술한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 아크 증발부는 제1타겟부재(113a), 상기 제1타겟부재(113a)와 인접하여 위치하는 제2타겟부재(113b) 및 상기 제2타겟부재(113b)와 인접하여 위치하는 제3타겟부재(113c)를 포함하며, 상기 제1타겟부재(113a)를 지지하기 위한 제1음극체(112a), 상기 제2타겟부재(113b)를 지지하기 위한 제2음극체(112b) 및 상기 제3타겟부재(113c)를 지지하기 위한 제3음극체(112c)를 포함할 수 있다.Referring to FIGS. 7C and 9, as described above, the arc evaporator according to the second embodiment of the present invention includes a first target member 113a, a second target 113a positioned adjacent to the first target member 113a, And a third target member 113c positioned adjacent to the first target member 113a and the second target member 113b and includes a first negative electrode body 112a for supporting the first target member 113a, A second negative electrode body 112b for supporting the second target member 113b and a third negative electrode body 112c for supporting the third target member 113c.

이때, 본 발명에서, 상기 플라즈마 덕트부(120)는, 상기 제1타겟부재(113a)의 끝단과 인접하여 위치하는 제1배플부재(116a), 상기 제2타겟부재(113b)의 끝단과 인접하여 위치하는 제2배플부재(116b) 및 상기 제3타겟부재(113c)의 끝단과 인접하여 위치하는 제3배플부재(116c)를 포함한다.The plasma duct part 120 may include a first baffle member 116a positioned adjacent to an end of the first target member 113a and a second baffle member 116b adjacent to an end of the second target member 113b, And a third baffle member 116c positioned adjacent to an end of the third target member 113c.

보다 구체적으로, 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재는 각각의 일측 끝단이 각각 상기 제1타겟부재 내지 상기 제3타겟부재의 끝단과 인접하여 위치하며, 이때, 본 발명에서 끝단과 인접하여 위치한다 함은, 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재는 각각의 일측 끝단이 각각 제1타겟부재 내지 상기 제3타겟부재의 끝단과 일정 간격 이격되어 있거나, 또는, 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재는 각각의 일측 끝단이 각각 제1타겟부재 내지 상기 제3타겟부재의 끝단의 일부를 커버하고 있음을 포함하는 의미이다.More specifically, one end of each of the first baffle member to the third baffle member is located adjacent to the end of the first target member to the third target member, respectively. Here, in the present invention, The first baffle member and the third baffle member are spaced apart from the ends of the first target member to the third target member by a predetermined distance, And the third baffle member includes one end of each of the third baffle members covering a part of the ends of the first target member and the third target member, respectively.

도 7c에서는 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재는 각각의 일측 끝단이 각각 제1타겟부재 내지 상기 제3타겟부재의 끝단과 일정 간격 이격되어 있는 상태를 도시하고 있다.In FIG. 7C, the first baffle member to the third baffle member are respectively spaced apart from the ends of the first target member to the third target member, respectively.

즉, 본 발명에서는 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재가 각각 제1타겟부재 내지 제3타겟부재의 끝단과 인접하여 위치함으로써, 상술한 플라즈마 덕트의 내측에 위치하는 배플에 의해 커버되지 않는 영역의 아크 증발물질 중 상기 플라즈마 덕트(121) 내로 진행하는 미소입자 및 중성입자를 1차적으로 흡착 제거할 수 있다.That is, in the present invention, since the first baffle member to the third baffle member are positioned adjacent to the ends of the first target member to the third target member, respectively, the baffle is not covered by the baffle located inside the above- It is possible to primarily adsorb and remove the fine particles and the neutral particles that proceed into the plasma duct 121 among the arc evaporation materials in the region.

이를 도 8b를 통해 설명하면 다음과 같다.This will be described with reference to FIG. 8B.

도 8b는 본 발명의 제2실시예에 따른 복수의 타겟부재를 포함하는 진공 아크 장치를 도시한 개략적인 모식도이다.8B is a schematic diagram showing a vacuum arc device including a plurality of target members according to a second embodiment of the present invention.

도 8b에 도시된 바와 같이, 진공 아크 장치에서 복수의 타겟부재(113a, 113b, 113c)를 포함한다고 가정시, 상기 복수의 타겟부재의 면적과 대응되어 플라즈마 덕트부의 크기도 증대되어야 한다.Assuming that the vacuum arc device includes a plurality of target members 113a, 113b, and 113c as shown in FIG. 8b, the size of the plasma duct portion must be increased corresponding to the area of the plurality of target members.

이때, 도 8a에서와 같이, 상기 배플이 플라즈마 덕트의 내측벽에 위치하는 경우, 상기 배플에 의해 커버되지 않는 플라즈마 덕트의 내측 공간이 증가하기 때문에, 그만큼 미소입자 및 중성입자가 흡착 제거되지 않고 기판에 도달될 수 있는 가능성이 증가함을 의미한다.8A, when the baffle is positioned on the inner wall of the plasma duct, since the inner space of the plasma duct not covered by the baffle is increased, the minute particles and the neutral particles are not adsorbed and removed, The possibility of reaching the < / RTI >

하지만, 본 발명에서는 제1타겟부재 내지 제3타겟부재의 끝단과 각각 인접하여 위치하는 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재를 통하여, 각각의 타켓부재에서 발생되는 미소입자 및 중성입자를 흡착 제거함으로써, 플라즈마 덕트의 내측 공간이 증가함에 따른 미소입자 및 중성입자의 기판 도달 가능성을 감소시킬 수 있다.However, in the present invention, the fine particles and the neutral particles generated in the respective target members are adsorbed through the first baffle member to the third baffle member which are positioned adjacent to the ends of the first to third target members, respectively The possibility of reaching the substrate of fine particles and neutral particles as the inner space of the plasma duct is increased can be reduced.

한편, 도 8b에서는 화살표를 통하여 제1타겟부재(113a)에서의 미소입자 및 중성입자의 진행방향을 도시하고 있으나, 이는 제2타겟부재(113b) 및 제3타겟부재(113c)에서도 동일하다.On the other hand, in FIG. 8B, the progress direction of the fine particles and the neutral particles in the first target member 113a is shown through the arrows, but this is also the same in the second target member 113b and the third target member 113c.

이때, 상기 배플부재의 크기(예를 들면, 직경)는 상기 타겟부재의 크기의 80 내지 250% 일 수 있다.At this time, the size (for example, diameter) of the baffle member may be 80 to 250% of the size of the target member.

상기 배플부재의 크기가 상기 타겟부재의 크기의 80% 미만인 경우는 증착에 필요한 플라즈마의 양도 감소하는 경향이 있으며, 상기 배플부재의 크기가 상기 타겟부재의 크기의 250%를 초과하는 경우, 상기 배플부재를 통과하는 미소입자의 양이 증가하며, 전체적인 장치의 크기도 증대할 수 있으므로, 따라서, 본 발명에서 상기 배플부재의 크기(예를 들면, 직경)는 상기 타겟부재의 크기의 80 내지 250% 일 수 있다.If the size of the baffle member is less than 80% of the size of the target member, the amount of plasma required for deposition also tends to decrease, and if the size of the baffle member exceeds 250% of the size of the target member, The size (e.g., diameter) of the baffle member in the present invention is 80 to 250% of the size of the target member, as the amount of microparticles passing through the member increases, Lt; / RTI >

계속해서, 도 7c 및 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 덕트부(120)는 상기 제1배플부재(116a)를 지지하기 위한 제1배플부재 지지부(115a), 상기 제2배플부재(116b)를 지지하기 위한 제2배플부재 지지부(115b) 및 상기 제3배플부재(116c)를 지지하기 위한 제3배플부재 지지부(115c)를 포함한다.7C and 9, the plasma duct part 120 according to the present invention includes a first baffle member support part 115a for supporting the first baffle member 116a, A second baffle member support portion 115b for supporting the third baffle member 116b and a third baffle member support portion 115c for supporting the third baffle member 116c.

즉, 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재는 각각 상기 제1배플부재 지지부 내지 상기 제3배플부재 지지부에 의해 지지될 수 있다.That is, the first baffle member to the third baffle member may be supported by the first baffle member support portion and the third baffle member support portion, respectively.

도 10은 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 덕트부를 포함하는 진공 아크 증착 장치를 도시하는 개략적인 도면이다. 본 발명의 제3실시예에 따른 플라즈마 덕트부는 후술할 바를 제외하고는 상술한 제2실시예를 참조할 수 있다.10 is a schematic view showing a vacuum arc vapor deposition apparatus including a plasma duct according to a third embodiment of the present invention. The plasma duct portion according to the third embodiment of the present invention can be referred to the second embodiment described above except for the following.

상술한 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에서, 상기 플라즈마 덕트부(120)는, 상기 제1타겟부재(113a)의 끝단과 인접하여 위치하는 제1배플부재(116a), 상기 제2타겟부재(113b)의 끝단과 인접하여 위치하는 제2배플부재(116b) 및 상기 제3타겟부재(113c)의 끝단과 인접하여 위치하는 제3배플부재(116c)를 포함한다.As described above, in the second embodiment of the present invention, the plasma duct part 120 includes a first baffle member 116a positioned adjacent to an end of the first target member 113a, A second baffle member 116b positioned adjacent to an end of the member 113b and a third baffle member 116c positioned adjacent to an end of the third target member 113c.

즉, 상기 플라즈마 덕트부(120)에 위치하고, 제1타겟부재 내지 제3타겟부재의 끝단과 각각 인접하여 위치하는 상기 제1배플부재 내지 상기 제3배플부재를 통하여, 각각의 타겟부재에서 발생되는 미소입자 및 중성입자를 흡착 제거할 수 있다.That is, the plasma is generated in each of the target members through the first baffle member and the third baffle member located in the plasma duct portion 120 and located adjacent to the ends of the first target member to the third target member, respectively It is possible to adsorb and remove fine particles and neutral particles.

이때, 본 발명의 제3실시예에서는 상기 플라즈마 덕트부(120) 뿐만 아니라, 아크 증발부(110)에도 별도의 배플부재(219a)를 포함할 수 있다.In the third embodiment of the present invention, not only the plasma duct 120 but also the arc evaporator 110 may include a separate baffle member 219a.

상기 아크 증발부에 포함되는 배플부재 역시 상기 플라즈마 덕트부에 포함되는 배플부재와 동일한 역할을 수행할 수 있다.The baffle member included in the arc evaporation portion may also perform the same function as the baffle member included in the plasma duct portion.

다만, 도면에서는 아크 증발부에 포함되는 배플부재와 플라즈마 덕트부에 포함되는 배플부재가 별도의 구성으로 배치되어 있으나, 이와는 달리, 아크 증발부에 포함되는 배플부재와 플라즈마 덕트부에 포함되는 배플부재가 일체화되어 연속적으로 배치될 수 있다.In the drawings, the baffle member included in the arc evaporation unit and the baffle member included in the plasma duct unit are separately arranged. Alternatively, the baffle member included in the arc evaporation unit and the baffle member included in the plasma duct unit, Can be integrated and arranged continuously.

한편, 본 발명의 제3실시예에서는 상기 아크 증발부(110)의 배플부재(219a)를 지지하기 위한 배플부재 지지부(218a)를 더 포함할 수 있으며, 이때, 상기 배플부재 지지부(218a)는 상술한 커버부재(114a)의 내측에 위치할 수 있다.The baffle member support portion 218a may further include a baffle member support portion 218a for supporting the baffle member 219a of the arc evaporator 110 in the third embodiment of the present invention, And may be located inside the cover member 114a.

이때, 도면에서는 상기 커버부재(114a)가 상기 배플부재 지지부(218a)와 별도의 구성으로 배치되는 것을 도시하고 있으나, 이와는 달리, 상기 배플부재 지지부(218a)가 상기 타겟부재(113a)의 전부를 커버하도록 함으로써, 상기 커버부재(114a)와 상기 배플부재 지지부(218a)가 일체화될 수 있다.Although the cover member 114a is illustrated as being separate from the baffle member support 218a in the figure, the baffle member support 218a may be disposed on the entire surface of the target member 113a The cover member 114a and the baffle member support 218a can be integrated.

이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

Claims

And a plasma duct part for guiding the charged particles generated from the arc evaporation part to the substrate, the vacuum arc evaporation device comprising:
Wherein the arc evaporator comprises:
And a second target member positioned adjacent the first target member and the first target member,
A first cover member covering the first target member, and a second cover member covering the second target member.

The method according to claim 1,
Further comprising a first negative electrode body for supporting the first target member and a second negative electrode body for supporting the second target member, wherein the arc evaporator further comprises a body portion,
And the body part supports the first negative electrode and the second negative electrode.

The method according to claim 1,
Wherein the arc evaporator is located outside the first target member and the second target member and includes an arc adjustment magnetic field source for adjusting the movement of the arc on each arc generation surface of the first target member and the second target member Further comprising a vacuum arc deposition apparatus.

The method according to claim 1,
Wherein the plasma duct portion includes a first baffle member positioned adjacent to an end of the first target member and a second baffle member positioned adjacent to an end of the second target member.

5. The method of claim 4,
Wherein the plasma duct portion comprises:
Further comprising a first baffle member support for supporting the first baffle member and a second baffle member support for supporting the second baffle member.

6. The method of claim 5,
Wherein the first baffle member support portion is integrally formed with the first cover member, and the second baffle member support portion is formed integrally with the second cover member.

5. The method of claim 4,
Wherein the plasma duct portion comprises:
And a plasma duct including a rectilinear portion located on the same line as the arc evaporation portion and a bent portion bent from the rectilinear portion,
Further comprising a baffle positioned inside the bend of the plasma duct to adsorb and remove a portion of the arc evaporation material.

8. The method of claim 7,
Wherein the first baffle member and the second baffle member are located inside a straight portion of the plasma duct.

9. The method of claim 8,
A first auxiliary baffle member disposed continuously with the first baffle member and positioned inside the bent portion of the plasma duct and a second auxiliary baffle member disposed continuously with the second baffle member and disposed inwardly of the bent portion of the plasma duct, Further comprising an auxiliary baffle member.

10. The method of claim 9,
Further comprising a first auxiliary baffle member support for supporting the first auxiliary baffle member and a second auxiliary baffle member support for supporting the second auxiliary baffle member.

The method according to claim 1,
Wherein the first cover member and the second cover member are cylindrical.

The method according to claim 1,
Wherein the first cover member and the second cover member are semi-cylindrical.

The method according to claim 1,
Wherein the first cover member and the second cover member are plate-shaped.

And a plasma duct part for guiding the charged particles generated from the arc evaporation part to the substrate, the vacuum arc evaporation device comprising:
Wherein the arc evaporator comprises:
And a second target member positioned adjacent the first target member and the first target member,
And a cover member positioned between the first target member and the second target member.

15. The method of claim 14,
Wherein the cover member is cylindrical, semi-cylindrical or plate-shaped.