KR101633444B1 - 광전자 소자 - Google Patents

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KR101633444B1 KR1020127002658A KR20127002658A KR101633444B1 KR 101633444 B1 KR101633444 B1 KR 101633444B1 KR 1020127002658 A KR1020127002658 A KR 1020127002658A KR 20127002658 A KR20127002658 A KR 20127002658A KR 101633444 B1 KR101633444 B1 KR 101633444B1
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insulating thin
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미하엘 치츨슈페어거
액하르트 디첼
외르크 에리히 조르크
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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
헤라우스 머티리얼즈 테크놀러지 게엠베하 ＆ 코. 카게
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Abstract

본 발명은 자신의 상부 면(1c)에 전기 절연 박막(3)을 포함하는 연결 캐리어(1), 상기 연결 캐리어(1)의 상부 면(1c)에 배치된 광전자 반도체 칩(8), 상기 광전자 반도체 칩(8)을 프레임 형태로 둘러싸는 전기 절연 박막(3) 안에 있는 리세스(5), 그리고 상기 광전자 반도체 칩(8)을 둘러싸는 캐스팅 몸체(10)를 구비한 광전자 소자와 관련이 있으며, 이 경우 상기 리세스(5)의 바닥 면(32)은 상기 전기 절연 박막(3)에 의해서 적어도 국부적으로 형성되었고, 상기 캐스팅 몸체(10)는 광전자 반도체 칩(8) 쪽을 향하는 상기 리세스(5)의 외부 에지(51)까지 적어도 국부적으로 도달하며, 그리고 상기 리세스(5)에는 적어도 국부적으로 캐스팅 몸체(5)가 없다.

Description

광전자 소자 {OPTOELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 광전자 소자에 관한 것이다.
본 발명의 과제는 특히 간단하고 경제적으로 제조될 수 있는 광전자 소자를 제공하는 것이다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 광전자 소자는 연결 캐리어를 포함한다. 연결 캐리어로서는 예를 들어 그 위에 또는 그 안에 전자 소자들을 연결 및 콘택팅 하기 위한 연결 장소 그리고 도체 트랙이 제공된 회로 기판이 사용된다. 상기 연결 캐리어는 자신의 한 상부 면에 전기 절연 박막을 포함한다. 전기 절연 박막으로서는 전기 절연 재료로 이루어진 층이 사용된다. 예를 들면 플라스틱 박막이 전기 절연 박막으로서 사용된다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 광전자 소자는 연결 캐리어 상에서 상기 연결 캐리어의 상부 면에 배치된 광전자 반도체 칩을 포함한다. 광전자 반도체 칩으로서는 예를 들어 발광 다이오드 칩 또는 레이저 다이오드 칩과 같은 방사선 방출 반도체 칩이 사용된다. 또한, 예를 들어 포토 다이오드 칩과 같은 방사선을 수신하는 반도체 칩도 광전자 반도체 칩으로서 사용될 수 있다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 광전자 소자는 상기 광전자 반도체 칩을 프레임 형태로 둘러싸는 전기 절연 박막 내부에 리세스를 포함한다. 다시 말해, 연결 캐리어의 상부 면에 있는 전기 절연 박막 내부에 리세스가 형성되었다. 상기 리세스는 예를 들어 재료 제거에 의해서, 다시 말해 전기 절연 박막의 한 부분을 제거함으로써 형성될 수 있다. 이 경우 상기 리세스는 이 리세스가 광전자 반도체 칩을 프레임 형태로 둘러싸도록 형성되었다. 이때 "프레임 형태로"라는 표현은 리세스의 형상 및 프로파일과 관련해서 상기 리세스를 제한하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 예를 들어 리세스는 원형, 타원형 또는 직사각형의 형상도 가질 수 있다. 상기 리세스는 예를 들어 광전자 반도체 칩을 완전히 둘러싸는, 전기 절연 박막 안에 있는 트렌치(trench)의 형태를 따라서 형성될 수 있다. 이 경우 상기 광전자 반도체 칩과 리세스 사이에는 전기 절연 박막의 구조화되지 않은 한 영역이 존재할 수 있다. 다시 말해, 상기 영역 안에서는 전기 절연 박막이 손상되지 않는다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 광전자 소자는 광전자 반도체 칩을 둘러싸는 캐스팅 몸체를 포함한다. 상기 광전자 반도체 칩은 상기 광전자 반도체 칩의 노출 면들, 다시 말해 연결 캐리어에 인접하지 않은 면들에서 상기 캐스팅 몸체에 의해서 덮여있다. 예를 들어 상기 캐스팅 몸체는 그곳에서 반도체 칩과 직접 접촉하고 있다. 상기 캐스팅 몸체는 바람직하게 광전자 반도체 칩에 의해서 발송될 또는 광전자 반도체 칩에 의해서 수신될 전자기 방사선을 투과시키도록 형성되었다. 예를 들어 캐스팅 몸체는 실리콘을 함유하거나 또는 실리콘으로 이루어진다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 전기 절연 박막 안에 있는 상기 리세스의 바닥 면은 적어도 국부적으로 상기 전기 절연 박막에 의해서 형성되었다. 다시 말해, 상기 리세스는 전기 절연 박막을 적어도 국부적으로 완전히 관통하지 않고, 오히려 리세스 영역에서 상기 전기 절연 박막이 단지 특정 깊이까지만 제거되며, 이때 상기 리세스의 바닥 면은 상기 전기 절연 박막의 제거되지 않은 영역들에 의해서 형성되었다. 이 경우에는 특히 리세스가 어떠한 장소에서도 전기 절연 박막을 관통하지 않을 수 있다. 다시 말해, 이 경우에는 전기 절연 플라스틱 층이 단지 부분적으로만 제거되고, 상기 층은 리세스에 의해서 끊어지지 않는다. 이와 같은 방식에 의해서는 예를 들어 재료 ― 예를 들어 캐스팅 몸체(10)의 재료 ― 가 연결 캐리어의 상부 면으로부터 출발하여 상기 상부 면으로부터 떨어져서 마주한 상기 연결 캐리어의 하부 면에 이르기까지 리세스를 관통하는 상황이 방지된다. 이와 같은 방식의 장점은, 예를 들어 광전자 소자를 콘택팅 하기 위한 전기 연결 장소가 존재할 수 있는 상기 연결 캐리어의 하부 면의 오염 가능성이 방지된다는 것이다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 캐스팅 몸체는 적어도 국부적으로 상기 광전자 반도체 칩 쪽을 향하는 상기 리세스의 한 외부 에지까지 도달한다. 다른 말로 표현하자면, 캐스팅 몸체는 광전자 반도체 칩 쪽을 향하고 있는 상기 리세스의 한 외부 에지와 적어도 국부적으로 접촉하고 있다. 이때 상기 리세스의 외부 에지는 캐스팅 몸체의 재료를 위한 스톱 에지로서 작용을 한다. 상기 리세스의 외부 에지가 스톱 에지로서의 기능을 충족하도록 하기 위하여, 상기 외부 에지는 바람직하게 라운딩 처리되지 않고, 오히려 예를 들어 90°의 각으로 또는 90° 이하의 각으로 진행하는 모서리를 갖는다. 다시 말해, 외부 에지는 날카롭게 규정되었고, 라운딩 처리된 부분을 갖지 않으며, 노치(notch) 또는 커프(kerf)도 갖지 않는다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 리세스에는 적어도 국부적으로 캐스팅 몸체가 없다. 다시 말해, 캐스팅 몸체는 적어도 리세스의 다수의 장소에서 상기 리세스 안으로 유입되지 않는다. 바람직하게 상기 리세스에는 캐스팅 몸체가 전혀 없거나 또는 대체로 없다. 이때 "대체로 없다."라는 표현은 제조 조건에 따라서 소량의 캐스팅 몸체 재료가 리세스 안에 존재할 수 있다는 의미이지만, 상기 캐스팅 몸체의 재료는 리세스 용적의 최대 5%, 바람직하게는 최대 2.5%, 특히 바람직하게는 최대 1%를 차지한다. 특히 상기 리세스의 바닥 면에는 바람직하게 캐스팅 몸체가 없다. 다시 말해, 캐스팅 몸체의 재료는 상황에 따라서 리세스를 제한하는 상기 리세스의 측면에 존재할 수 있지만, 상기 리세스는 캐스팅 몸체 재료로 채워져 있지 않으며, 그로 인해 리세스에는 적어도 국부적으로, 바람직하게는 완전히 캐스팅 몸체가 없다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 광전자 소자는 자신의 한 상부 면에 전기 절연 박막을 갖는 연결 캐리어, 상기 연결 캐리어의 상부 면에 있는 광전자 반도체 칩, 상기 광전자 반도체 칩을 프레임 형태로 둘러싸고 상기 전기 절연 박막 안에 있는 리세스, 그리고 상기 광전자 반도체 칩을 둘러싸는 캐스팅 몸체를 포함한다. 이때 상기 리세스의 바닥 면은 상기 전기 절연 박막에 의해서 적어도 국부적으로 형성되었다. 상기 캐스팅 몸체는 광전자 반도체 칩 쪽을 향하는 상기 리세스의 외부 에지까지 적어도 국부적으로 도달하며, 그리고 상기 리세스에는 적어도 국부적으로 캐스팅 몸체가 없다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 캐스팅 몸체는 전체 리세스를 따라서 광전자 반도체 칩 쪽을 향하는 상기 리세스의 외부 에지에 도달한다. 다시 말해, 반도체 칩을 프레임 형태로 둘러싸는 상기 리세스는 캐스팅 몸체를 위한 스톱 에지로서 작용을 한다. 이와 같은 방식으로 전기 절연 박막의 주 연장 평면에서의 캐스팅 몸체의 형상은 리세스의 프로파일에 의해서 사전에 결정된다. 상기 방식에 의해서는 바람직하게 캐스팅 몸체의 높은 위치 설정 정확성에 도달할 수 있게 되는데, 그 이유는 상기 캐스팅 몸체가 리세스의 외부 에지에서 자동으로 위치 설정되기 때문이다. 리세스의 형상에 따라서 상기 캐스팅 몸체의 자유롭게 형성된 외부 윤곽들, 예를 들어 원형, 타원형, 직사각형 또는 다른 형상들이 형성될 수 있다. 캐스팅 몸체가 리세스 자체에 의해서 위치 설정된다는 사실로 인해, 광전자 소자의 매우 신속하고도 경제적인 제조 그리고 신속하고도 저렴한 설계 변경이 가능해진다. 광전자 소자의 설계는 예를 들어 리세스의 형상을 간단히 변경함으로써 개별적인 사용 요구 조건들에 적응될 수 있다. 마지막으로는, 결합체 내부에서 캐스팅 몸체들의 간격이 특히 작은 광전자 소자를 형성할 수 있게 되고, 캐스팅 몸체를 제공한 후에 비로소 상기 결합체를 개별 광전자 소자로 분리시키는 것이 가능해진다. 리세스를 이용한 캐스팅 몸체의 위치 설정에 의해서는, 결합체 내부에서 서로 이웃하고 있는 광전자 소자들을 예를 들어 캐스팅 몸체가 하나의 모울드에 의해 연결 캐리어 상에 형성되는 경우보다 더 가깝게 배치할 수 있게 된다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 연결 캐리어는 도전성 박막을 포함하고, 상기 도전성 박막은 전기 절연 박막에서 상기 연결 캐리어의 상부 면으로부터 떨어져서 마주한 상기 전기 절연 박막의 측에 고정되어 있다. 다시 말해, 연결 캐리어로서는 예를 들어 유연하게 형성될 수 있는, 두 개의 층으로 이루어진 캐리어가 사용된다. 도전성 박막으로서는 금속으로 이루어진 박막, 예컨대 전기 절연 박막에 고정된 알루미늄 박막 또는 구리 박막이 사용될 수 있다. 상기 도전성 박막은 연결 캐리어의 하부 면에 존재하고, 예를 들어 광전자 소자의 연결 장소들을 형성한다. 이 목적을 위하여 상기 도전성 박막은 전기적으로 상호 절연된 두 개의 영역 또는 두 개 이상의 영역으로 구조화된다. 상기 영역들은 전기 절연 박막에 의해서 결합 될 수 있다. 다시 말해, 상기 전기 절연 박막은 광전자 소자에 반드시 필요한 기계적인 안정성을 제공해준다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 연결 캐리어는 도전성 박막, 전기 절연 박막 그리고 경우에 따라서는 상기 도전성 박막과 전기 절연 박막 사이에 배치될 수 있는 연결 수단으로 이루어진다. 연결 수단으로서는 예를 들어 접착제가 사용된다. 본 경우에 전기 절연 박막 및 도전성 박막은 연결 수단에 의해서 서로 접착되어 있다. 하지만, 상기 전기 절연 박막 및 도전성 박막이 연결 캐리어의 소수의 층이고 상기 연결 캐리어에 연결 수단이 없는 경우도 가능하다. 이 경우에 연결 캐리어는 라미네이트로 형성되었다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 캐스팅 몸체는 분사 또는 캐스팅에 의해서 제조되며, 이 경우 광전자 반도체 칩 쪽을 향하고 있는 상기 리세스의 외부 에지는 캐스팅 몸체를 위한 스톱 에지를 형성한다. 다른 말로 표현하자면, 캐스팅 몸체의 재료는 전기 절연 박막 안에 있는 리세스에 의해 프레임 형태로 제한된 영역 내에서 광전자 반도체 칩 및 연결 캐리어 상에 액체 또는 점성 상태로 제공된다. 광전자 반도체 칩 쪽을 향하고 있는 상기 리세스의 외부 에지가 캐스팅 몸체의 재료를 위한 스톱 에지를 형성함으로써, 결과적으로 전기 절연 박막의 평면에서의 상기 캐스팅 몸체의 형상은 리세스의 프로파일에 상응하게 형성된다. 캐스팅 몸체의 기하학적인 구조는 양으로부터 나타나는데, 더 상세하게 말하자면 예컨대 도포 된 재료의 용적 그리고 캐스팅 몸체 재료의 표면 응력, 박막 그리고 도포된 재료의 표면 에너지, 혹은 습윤 각으로부터 나타난다. 전기 절연 박막의 평면에 있는 캐스팅 몸체의 둘레 선은 반도체 칩 쪽을 향하는 상기 리세스의 외부 에지에 의해서 규정된다. 이때 상기 캐스팅 몸체는 ― 사용된 재료의 표면 응력에 따라서 ― 볼록하게, 다시 말해 돔(dome) 형태로 형성되고, 상기 캐스팅 몸체의 외부면은 구면 렌즈(spherical lens) 또는 비구면 렌즈(aspherical lens)의 형상을 갖는다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 리세스는 레이저 광선에 의해서 발생한다. 다시 말해, 광전자 소자를 제조하기 위한 한 가지 방법에서 제일 먼저 본 실시 예에 기술된 리세스가 레이저 광선에 의해 전기 절연 박막 내부에 형성되고, 그 다음에 이어서 분사에 의해 캐스팅 몸체가 제조될 수 있으며, 이 경우 레이저 광선에 의해서 발생하는 리세스의 외부 에지는 캐스팅 몸체를 위한 스톱 에지를 형성한다. 그 다음에 이어서 캐스팅 몸체의 재료가 경화됨으로써, 기계적으로 안정적인 캐스팅 몸체가 광전자 반도체 칩 둘레에 생성된다.
상기 광전자 소자의 적어도 하나의 실시 예에 따라, 상기 리세스는 직사각형의 횡단면을 갖는다. 다시 말해, 상기 리세스의 측면 그리고 바닥 면이 횡단면 상으로 볼 때 직사각형을 형성하지만, 바닥면으로부터 떨어져서 마주한 상기 직사각형의 측은 폐쇄되어 있지 않다. 더 상세하게 말해서 리세스는 예를 들어 전기 절연 박막 안에 횡단면 상으로 볼 때 직사각형의 트렌치로서 형성된다. 이때 드러나는 사실은, 특히 예리한 외부 에지들을 갖는 상기와 같은 리세스들은 레이저 광선을 이용하여 전기 절연 박막의 재료를 제거함으로써 특히 정확하고도 효율적으로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 광전자 소자는 실시 예들 및 상기 실시 예들에 속하는 도면을 참조하여 아래에서 상세하게 설명된다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 한 실시 예에 따른 광전자 소자의 개략도이며,
도 2a 내지 도 2f는 본 발명에 따른 광전자 소자에 사용될 수 있는 캐스팅 몸체의 현미경 사진을 보여주고 있다.
각 도면에서 동일한, 동일한 형태의 또는 동일한 작용을 하는 소자들에는 동일한 도면 부호가 제공되었다. 도면들 그리고 도면들에 도시된 소자들의 상호 크기 비율은 척도에 맞지 않는 것으로 간주 될 수 있다. 오히려 개별 소자들은 개관을 명확하게 할 목적으로 그리고/또는 이해를 도울 목적으로 과도하게 크게 도시될 수 있다.
도 1a는 본 발명에 따른 광전자 소자의 한 실시 예를 캐스팅 몸체가 없는 상태에서 도시한 개략적인 사시도이다.
상기 광전자 소자는 연결 캐리어(1)를 포함한다. 연결 캐리어(1)는 예를 들어 정확하게 두 개의 층으로 이루어진다. 이때 연결 캐리어(1)는 예컨대 구리 박막으로서 형성된 도전성 층(2)으로 이루어진다. 또한, 연결 캐리어(1)는 예를 들어 플라스틱 박막으로서 형성된 전기 절연 박막(3)을 포함한다. 전기 절연 박막(3)과 도전성 박막(2) 사이에는 상기 두 개 박막(2, 3) 간의 기계적인 연결을 중개하는 연결 수단(12)이 존재할 수 있다. 이 경우 상기 전기 절연 박막은 예컨대 다음과 같은 재료들을 함유하거나 또는 이와 같은 재료들로 이루어진다: 폴리이미드, 유리 섬유 보강된 에폭시드, 실리콘, 폴리메타크릴이미드. 박막(3)은 폴리테트라플루오르에틸렌 또는 폴리에테르이미드로 이루어진 커버 층을 갖춘 유리 섬유 보강된 에폭시드로 이루어진 박막 결합체로서도 형성될 수 있다. 또한, 예컨대 전술된 재료들 중에 한 가지 재료와 같은 재료가 압착 공정에 의해서 상기 유리 섬유 보강된 에폭시드 상에 제공될 수도 있다.
도전성 박막(2)은 전기적으로 상호 절연된 두 개의 영역을 갖는다(이와 관련해서는 도 1a, 도 1b, 도 1c에 표시된 분리선을 참조할 것). 상기 도전성 박막(2)의 영역들은 전기 절연 박막(3)에 의해서 기계적으로 결합된다. 연결 캐리어(1)는 이와 같은 방식에 의해 가로 방향으로 제 1 부분 영역(1a) 및 제 2 부분 영역(1b)으로 세분되며, 상기 부분 영역들에서 연결 캐리어의 하부 면(1d)에는 상기 도전성 박막(2)에 의해 형성된 상기 광전자 소자의 연결 장소들이 존재한다.
연결 캐리어(1)는 상부 면(1c)에 제 1 연결 영역(6)을 가지며, 상기 제 1 연결 영역에서는 전기 절연 박막(3)이 제거되어 있다. 상기 제 1 연결 영역(6)에는 광전자 반도체 칩(8)이 배치되어 있다. 또한, 연결 캐리어(1)는 자신의 상부 면(1c)에 제 2 연결 영역(7)을 가지며, 상기 제 2 연결 영역에서도 마찬가지로 전기 절연 박막(3)이 제거되어 있다. 제 2 연결 영역(7)은 예를 들어 본딩 와이어(9)를 이용해서 반도체 칩(8)을 전기적으로 접속할 목적으로 이용된다. 광전자 반도체 칩(8) 그리고 제 1 연결 영역(6) 및 제 2 연결 영역(7) 둘레에서는 전기 절연 박막(3) 내부에 리세스(5)가 형성되며, 상기 리세스는 횡단면 상으로 볼 때 직사각형으로 형성되었고, 상기 리세스의 바닥 면(32) 그리고 측면(31)은 전기 절연 박막(3)에 의해서 형성되었다. 다시 말해, 상기 리세스는 제 1 및 제 2 연결 영역(6, 7)에서와 달리 전기 절연 박막을 완전히 관통하지 않고, 오히려 리세스의 바닥 면(32)에 전기 절연 박막(3)의 잔류물이 남게 된다. 이와 같은 상황의 장점은, 예를 들어 캐스팅 몸체(10)의 재료가 (이와 관련해서는 도 1c를 참조할 것) 리세스(5)를 관통하여 예를 들어 연결 장소들, 즉 도전성 박막(2)이 오염될 수 있는 장소인 연결 캐리어(1)의 하부 면(1d)에까지 도달할 수 없다는 것이다.
캐스팅 몸체(10)는 분사 방식에 의해서, 다시 말해 액체 또는 점성 상태에서, 상기 리세스(5)에 의해 구조화된 연결 캐리어(1)의 영역 내부로 상기 연결 캐리어의 표면(1c)에 제공된 후에 경화된다.
도 2a 내지 도 2e의 현미경 사진들은 예컨대 실리콘으로부터 형성된 그리고 전기 절연 층(3) 상에 배치된 캐스팅 몸체(10)의 단면을 보여주고 있다. 본 도면들로부터 알 수 있는 바와 같이, 광전자 반도체 칩(8) 쪽을 향하고 있는 상기 리세스(5)의 외부 에지(51)는 캐스팅 몸체(10)의 재료를 위한 스톱 에지로서 작용을 한다. 캐스팅 몸체(10)는 다음의 재료들 중에 한 가지 재료를 함유할 수 있거나 또는 다음의 재료들 중에 한 가지 재료로 이루어질 수 있다: 실리콘, 폴리우레탄.
본 실시 예에서 전기 절연 층(3)의 재료 및 캐스팅 몸체(10)의 재료는 접촉 각(α)이 적어도 10°가 되도록 선택되었다. 드러난 사실은, 상기와 같은 크기의 접촉 각을 위해서는 외부 에지(51)의 품질에 대한 요구 수준, 다시 말해 특히 외부 에지의 날카로움에 대한 요구 수준이 예를 들어 레이저 광선을 이용한 리세스의 경제적인 제조가 가능할 정도로 낮다는 것이다.
캐스팅 몸체(10)를 위한 재료로서는 바람직하게 UV-경화 재료가 사용된다. 열-경화 재료의 사용에 대한 UV-경화 재료 사용의 장점은, 재료 경화시의 온도 작용으로 인해 캐스팅 몸체(10) 재료의 점도가 전혀 저하되지 않는다는 것이다. UV-경화 재료들은 실온에서 또는 실온보다 약간 더 상승한 온도에서 완전히 또는 부분적으로 중합 반응한다. 따라서, 캐스팅 몸체(10)의 재료가 리세스(5) 안으로 유입되어 상기 캐스팅 몸체(10)의 형상이 부정적인 영향을 받을 위험은 줄어든다.
분사된 캐스팅 몸체(10)의 안정성을 개선하기 위한 한 가지 추가의 가능성은, 캐스팅 몸체(10)의 경화 전에 유동 상태(rheology)를 의도한 바대로 변경시키는 것이다. 예를 들면 입자 또는 대안적으로 매우 심하게 분기된 분자들을 삽입함으로써 캐스팅 몸체(10) 재료의 점도가 상승할 수 있고 그리고/또는 유동 한계가 설정될 수 있다. 이와 같은 조치들은 경화 전에 발생할 수 있는 캐스팅 몸체(10)의 흐름에 의한 분산(dispersion by flowing)을 저지한다. 점탄성 조절제(thixotropic agent)로서는 예컨대 다음과 같은 재료들 중에 적어도 한 가지 재료가 사용된다: SiO2, 예컨대 발열성 규산으로서, Al2O3, 제올라이트, Al(OH)3.
전기 절연층(3)과 캐스팅 몸체(10)의 재료를 상호 매칭시키는 경우에는, 사용된 재료들의 표면 습윤 특성들을 의도한 바대로 조정하는 것이 바람직할 수 있다. 이와 같은 바람직한 조정 과정은 화학 첨가제에 의해서 이루어질 수 있다. 접촉 각(습윤 각)을 확대시키는 동시에 캐스팅 몸체(10) 재료의 경화 특성 및 재료 특성들에 부정적인 영향을 미치지 않는 첨가제가 적합하다.
본 발명은 실시 예들을 참조한 설명으로 인해 상기 실시 예들에만 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 그리고 상기 특징들의 각각의 조합을 포함하며, 이와 같은 특징 또는 상기 특징 조합 자체가 특허청구범위 및 실시 예들에 명시적으로 기재되어 있지 않더라도, 특히 각각의 특징 조합은 특허청구범위에 포함된 것으로 간주된다.
본 출원은 독일 특허 출원서 102009031008.8호를 우선권으로 주장하며, 상기 우선권 서류의 공개 내용은 본 출원서에 인용 방식에 의해서 수용된다.

Claims (11)

  1. 광전자 소자로서,
    자신의 상부 면(1c)에 전기 절연 박막(3)을 포함하는 연결 캐리어(1),
    상기 연결 캐리어(1)의 상부 면(1c)에 배치된 광전자 반도체 칩(8),
    상기 전기 절연 박막(3) 내에 있는 리세스(5) ― 상기 리세스(5)는 상기 광전자 반도체 칩(8)을 프레임 형태로 둘러쌈 ―, 및
    상기 광전자 반도체 칩(8)을 둘러싸는 캐스팅 몸체(10)를 구비하며, 이때
    상기 리세스(5)의 바닥 면(32)은 상기 전기 절연 박막(3)에 의해서 적어도 국부적으로 형성되고,
    상기 캐스팅 몸체(10)는 광전자 반도체 칩(8) 쪽을 향하는 상기 리세스(5)의 외부 에지(51)까지 적어도 국부적으로 도달하며, 그리고
    상기 리세스(5)에는 적어도 국부적으로 캐스팅 몸체(10)가 없는,
    광전자 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리세스(5)에 캐스팅 몸체(10)가 없는,
    광전자 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 캐스팅 몸체(10)는 전체 리세스(5)를 따라 광전자 반도체 칩(8) 쪽을 향하는 상기 리세스(5)의 외부 에지(51)에 도달하는,
    광전자 소자.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 리세스(5)는 전기 절연 박막(3)을 관통하지 않는,
    광전자 소자.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 연결 캐리어(1)는 도전성 박막(2)을 포함하며,
    상기 도전성 박막(2)은 전기 절연 박막(3)에서 상기 연결 캐리어(1)의 상부 면(1c)으로부터 떨어져서 마주하는, 상기 전기 절연 박막(3)의 측에 고정된,
    광전자 소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 연결 캐리어는 도전성 박막(2), 전기 절연 박막(3) 그리고 연결 수단(12)으로 이루어지며, 이때 상기 연결 수단(12)은 도전성 박막(2)과 전기 절연 박막(3) 사이에 배치될 수 있는,
    광전자 소자.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 캐스팅 몸체(10)는 분사에 의해서 제조되며, 이때 상기 리세스(5)의 외부 에지(51)가 캐스팅 몸체(10)를 위한 스톱 에지를 형성하는,
    광전자 소자.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 리세스(5)는 레이저 광선에 의해서 생성되는,
    광전자 소자.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 리세스(5)는 직사각형의 횡단면을 갖는,
    광전자 소자.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전기 절연 박막(3)은,
    폴리이미드, 유리 섬유 보강된 에폭시드, 실리콘, 폴리메타크릴이미드
    중 하나의 재료를 함유하거나 또는 상기 재료들 중 하나의 재료로 이루어지는,
    광전자 소자.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전기 절연 박막(3)은 폴리테트라플루오르에틸렌 또는 폴리에테르이미드로 이루어진 커버 층을 갖춘 유리 섬유 보강된 에폭시드로 이루어진 박막 결합체로서 형성된,
    광전자 소자.
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