KR101633404B1 - 공정 폐 가스 처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 개시는 과불화 화합물(PFCs)의 효과적인 처리가 가능한 구조를 가지는 공정 폐 가스 처리장치에 관한 것으로서, 본 개시의 일 태양에 따르면(According to one aspect of the present disclosure), 내부에 반응공간을 가지는 반응챔버; 상기 반응챔버의 일 측에 배치되고, 상기 반응공간을 향하는 플라스마 화염을 발생시키는 플라스마 발생기; 및 상기 반응챔버와 별도로 구비되는 공정챔버의 공정 진행에 사용된 프로세스가스와, 상기 공정챔버의 세정에 사용된 세정가스를 상기 반응공간으로 분리 공급하되, 상기 프로세스가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 낮은 저온 화염부를 향하여 공급하고, 상기 세정가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 높은 고온 화염부를 향하여 공급하는 분리공급유닛;을 포함하는 공정 폐 가스 처리장치가 제공된다.

Description

공정 폐 가스 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING WASTE GAS}
본 개시(Disclosure)는, 공정 폐 가스 처리장치에 관한 것으로서, 특히 과불화 화합물(PFCs)의 효과적인 처리가 가능한 구조를 가지는 공정 폐 가스 처리장치에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
반도체 제조 공정, LCD(Liquid Crystal Display) 또는 OLED(Organic Light Emitting Display)와 같은 평판 표시 장치의 제조 공정, 태양전지 제조 공정 및 LED(Light Emitting Diode) 제조 공정 등에는 다양한 종류의 가스가 사용되며 필연적으로 인체와 환경에 유해한 가스(이하 '공정 폐 가스'라 한다)가 발생 된다.
공정 폐 가스는, 사람과 환경에 대한 위험을 방지하기 위해, 외부 방출되기 전에 정화 처리가 반드시 요구된다.
이러한 기능을 위해, 공정 폐 가스 처리장치(예: 스크러버(Scrubber))가 구비된다.
공정 폐 가스 처리장치는, 고온의 열원을 이용하여 공정 폐 가스 내의 유해 물질들을 분해하거나 화학반응을 촉진하는 반응챔버와, 반응챔버를 통과한 공정 폐 가스를 냉각하거나 수처리 하여 고상 파우더로 처리하는 냉각 챔버를 주요 구성으로 한다.
이러한 공정 폐 가스 처리장치에 의하여 공정 폐 가스 내 유해 물질은 완전히 제거되어야 하는 것이 이상적이겠지만, 그 처리 효율을 극대화하기 위한 노력은 계속 발전하여 오고 있는 상황이다.
이러한 처리 효율 향상 노력은, 공정 폐 가스 처리장치를 구성하는 반응챔버와 냉각 챔버에서 각각 이루어지고 있고, 냉각 챔버를 통과한 공정 폐 가스를 처리하기 위한 구성이 추가되는 경우도 있다.
등록특허공보 제10-0737941호는, 반응챔버에 관련된 것으로서, 공정 폐 가스 중 지구 온난화의 주요원인으로 작용하는 PFCs(Per Fluoro Compounds)계열의 가스를 2단에 걸친 플라스마 처리를 통해 공정 폐 가스를 효율적으로 처리하는 기술을 개시하고 있다.
공개특허공보 제10-2009-0061834호는, 반응챔버에 관련된 것으로서, 고온의 열을 이용하여 공정 폐 가스를 정화 처리하는 열처리부 외에, 열처리부에 의해 공정 폐 가스의 처리가 이루어지는 처리 공간으로 제공되는 반응챔버의 외벽을 가열하는 보조 열처리부를 더 구비하여, 공정 폐 가스를 효율적으로 처리하는 기술을 개시하고 있다.
공개특허공보 제10-2011-0017126호는, 플라스마에 의해 가열 처리되는 제1 반응챔버와, 히터에 의해 가열 처리되는 제2 반응챔버를 구비하여, 히터 방식의 공정 폐 가스 처리장치와, 플라스마 방식의 공정 폐 가스 처리장치의 장점을 모두 얻고자하는 기술을 개시하고 있다.
그러나, 개시된 종래의 기술은, 공정 폐 가스 중 SiH4, NH3, Ar, O2 등으로 구성되는 프로세스가스(Process Gas)와, PFCs(예: CF4, SF6, NF3 등)로 구성되는 세정가스(Cleaning Gas)를 구분하여 공정 폐 가스의 처리효율을 향상시킬 수 있는 기술은 개시하지 못하고 있다.
본 개시는, 공정 폐 가스 중 프로세스가스와 세정가스를 분리하여 반응챔버 내에서 분리 처리함으로써, 그 처리 효율을 극대화할 수 있는 공정 폐 가스 처리장치의 제공을 일 목적으로 한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시의 일 태양에 따르면(According to one aspect of the present disclosure), 내부에 반응공간을 가지는 반응챔버; 상기 반응챔버의 일 측에 배치되고, 상기 반응공간을 향하는 플라스마 화염을 발생시키는 플라스마 발생기; 및 상기 반응챔버와 별도로 구비되는 공정챔버의 공정 진행에 사용된 프로세스가스와, 상기 공정챔버의 세정에 사용된 세정가스를 상기 반응공간으로 분리 공급하되, 상기 프로세스가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 낮은 저온 화염부를 향하여 공급하고, 상기 세정가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 높은 고온 화염부를 향하여 공급하는 분리공급유닛;을 포함하는 공정 폐 가스 처리장치가 제공된다.
이에 의하면, 프로세스가스와 세정가스를 분리하여 서로 다른 처리 환경에서 처리되도록 함으로써, 공정 폐 가스의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 세정가스는, 상기 고온 화염부로 공급되기 전에 상기 반응공간에서 예열 되는 것으로 제공될 수 있다.
이에 의하면, 프로세스가스에 비해 까다로운 처리조건을 가지는 세정가스를 예열하여 처리함으로써 그 처리효율의 향상 및 처리에 소모되는 에너지를 감소시킬 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 분리공급유닛은, 상기 반응공간에 위치되며, 상기 플라스마 화염이 개방된 일 면을 통하여 그 내부로 위치되도록 상기 플라스마 화염의 길이방향으로 배치되는 관 형상의 예열격벽; 상기 프로세스가스를 상기 반응챔버의 외부로부터 상기 예열격벽의 내부로 유입시키는 통로로 제공되는 제1 관로; 및 상기 세정가스를 상기 반응챔버와 상기 예열격벽 사이의 공간으로 유입시키는 통로로 제공되는 제2 관로;를 포함하는 것으로 제공될 수 있다.
이에 의하면, 프로세스가스 및 세정가스를 분리 유입시키기 위해 필수적으로 요구되는 제1,2 관로에 예열격벽을 추가하는 간단한 구조로, 프로세스가스 및 세정가스의 분리 처리 및 세정가스의 예열을 동시에 할 수 있게 된다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 예열격벽은, 상기 반응챔버의 내부 일 면에 결합 되는 제1 단; 및 상기 플라스마 화염이 내부에 위치되도록 상기 플라스마 발생기와 마주하도록 배치되는 제2 단;으로서, 상기 세정가스가 상기 반응챔버로부터 상기 예열격벽의 내부로 유입되는 유입구를 가지도록 배치되는 제2 단;을 포함하는 것으로 제공될 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 유입구는, 상기 제2 단과 상기 반응챔버의 내면과 사이에 형성된 간격에 의해 형성되는 것으로 제공될 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 유입구는, 상기 제2 단과 인접하게 배치되되, 상기 예열격벽을 두께방향으로 관통하여 형성되는 복수의 홀(hole)로 구비되는 것으로 제공될 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 제1 관로는, 상기 반응챔버의 외면으로부터 상기 반응챔버와 상기 예열격벽 사이의 공간을 경유하여 상기 예열격벽의 내부로 연통 되는 것으로 제공될 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 세정가스는, 상기 예열격벽의 외면을 따라 상기 제2 단을 향하는 방향으로 이동되면서 예열 되는 것으로 제공될 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 제2 관로는, 그 말단이 상기 반응챔버의 원주방향을 향하도록 구비되는 것으로 제공될 수 있다.
이에 의하면, 제2 관로로 유입되는 세정가스가 예열격벽의 외면을 나선형으로 돌아서 고온 화염부에 공급되므로, 세정가스와 예열격벽의 접촉면적이 증가하여 예열 효과가 향상된다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 있어서, 상기 프로세스가스는, SiH4 , NH3 및 Ar중 적어도 하나를 포함하고, 상기 세정가스는, 과불화 화합물(PFCs)을 포함하는 것으로 제공될 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 의하면, 프로세스가스와 세정가스를 분리하여 서로 다른 처리 환경에서 처리되도록 함으로써, 공정 폐 가스의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 의하면, 프로세스가스에 비해 까다로운 처리조건을 가지는 세정가스를 예열하여 처리함으로써, 그 처리효율의 향상 및 처리에 소모되는 에너지를 감소시킬 수 있다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치에 의하면, 프로세스가스 및 세정가스를 분리 유입시키기 위해 필수적으로 요구되는 제1,2 관로에 예열격벽을 추가하는 간단한 구조로, 프로세스가스 및 세정가스의 분리 처리 및 세정가스의 예열을 동시에 할 수 있게 된다.
도 1은 본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치를 개념적으로 보인 도면,
도 2는 도 1의 공정 폐 가스 처리장치의 일 실시형태를 보인 도면,
도 3은 도 2의 제1 변형 예를 설명하기 위한 도면,
도 4는 도 2의 제2 변형 예를 설명하기 위한 도면 및
도 5는 도 4에서 A-A의 단면을 보인 도면이다.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
다만, 이하에서 개시되는 기술적 사상의 명료한 이해를 위해 제한된 실시형태를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되지는 아니하고 특허청구범위에 개시된 기술적 사상으로부터 해당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 도출할 수 있는 실시형태도 본 명세서에 개시된 실시형태로 이해되어야 함을 밝혀둔다.
또한, 본 명세서 및 특허청구범위에서 사용된 용어는 본 발명자가 설명의 편의를 위하여 선택한 개념으로, 그 의미를 파악함에 있어서 사전적 의미에 한정되지 않고 본 개시의 기술적 사상에 부합되도록 적절히 해석되어야 할 것이다.
도 1은 본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치를 개념적으로 보인 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치(100)는, 반응챔버(110), 플라스마 발생기(120) 및 분리공급유닛(130)을 포함한다.
반응챔버(110)로 유입된 공정 폐 가스는 플라스마 발생기(120)로부터 생성된 플라스마 화염에 의해 분해되거나 화학반응이 촉진되어 처리된다.
반응챔버(110)에서 처리된 공정 폐 가스는 하류에 구비되는 냉각유닛 또는 수처리 유닛, 필터 유닛 등에 의해 정화되어 외부로 방출된다.
본 개시의 일 태양에 따른 공정 폐 가스 처리장치(100)는 반응챔버(110)에 특징을 가지는 것으로서, 냉각유닛 또는 수처리 유닛, 필터 유닛 등은 공지의 것 중 임의로 선택되어 적용되어도 무방하다.
반응챔버(110)는 내부에 반응공간(111)을 가지도록 속이 빈 통으로 구비된다.
반응챔버(110)는 상면과 하면을 가지는 원통으로 구비될 수 있으며, 반응공간(111)에서 효율적인 공정 폐 가스의 처리를 위해 내외부 사이에 충분한 단열이 이루어질 수 있는 재질로 구비되는 것이 바람직하다.
반응챔버(110)는 상면에 플라스마 발생기(120)가 구비되며, 플라스마 발생기(120)로부터 생성되는 플라스마 화염(121)이 반응공간에 위치될 수 있도록 상면 일부가 개방되어 구비된다.
또한 반응챔버(110)는 반응공간(111)에서 처리된 공정 폐 가스의 배출을 위해 하면 일부가 개방되어 구비되며, 그것을 통해 냉각유닛 또는 수처리 유닛 등과 연통 된다.
플라스마 발생기(120)는 반응공간(111)으로 플라스마 화염(121)을 생성하는 것으로서, 반응챔버(110)의 상부에 구비된다. 플라스마 발생 방식으로 아크 플라스마 방식을 예로 들 수 있으나 이에 한정되지 않음은 물론이다.
플라스마 발생 방식에 따라, 플라스마 발생기(120)는 플라스마 화염(121)의 생성을 위해 캐리어 가스의 유입을 위한 반응기(미도시)가 반응챔버(110)의 상부에 더 구비될 수도 있다.
반응챔버(110)와 플라스마 발생기(120)는, 플라스마 화염(121)의 대부분이 반응공간(111)에 위치되도록 결합 되는데, 플라스마 화염(121)은 전체적으로 동일한 온도를 가지는 것이 아니라, 고온 화염부(121a)와 저온 화염부(121b)를 가진다.
일반적으로, 고온 화염부(121a)는 플라스마 화염(121)의 중심부로서, 플라스마 발생기(120)에 인접한 위치이며, 저온 화염부(121b)는 플라스마 화염(121)의 끝단으로서 플라스마 발생기(120)에서 가장 먼 위치이다.
본 개시는, 공정 폐 가스의 종류에 따라 분리하여 고온 화염부(121a) 및 저온 화염부(121b)에 의해 분리 처리함으로써 공정 폐 가스의 처리 효율을 높이고자 하는 것이다.
공정 폐 가스는, 반응챔버(110)와 별도로 구비되는 공정챔버(P)에서 사용된 가스로서, 공정챔버(P)의 공정 진행에 사용된 프로세스가스(SiH4, NH3, Ar, O2 등을 포함하는 가스)와, 공정챔버(P)의 세정에 사용된 세정가스(CF4, SF6, NF3 등과 같은 PFCs를 포함하는 가스)로 구분할 수 있다.
프로세스가스는, 상대적으로 낮은 온도에서도 처리가 가능하며, 낮은 온도에서 처리효율을 높이기 위해 처리조건 즉 연소조건을 설정하는 것이 비교적 용이하다.
그러나, 세정가스는, 고온에서의 처리가 필요하며, 그 농도가 높거나 유량이 증가하는 경우 그 필요성이 더욱 증가한다.
반응챔버(110)의 하류에 처리되지 않는 공정 폐 가스의 처리구조를 추가 배치하는 것이 이러한 이유 때문에 개시된 기술이다.
본 개시는, 공정챔버(P)에서 배출되는 프로세스가스와 세정가스가 반응공간(111)의 서로 다른 위치로 유입되도록 함으로서, 세정가스, 구체적으로 PFCs의 처리효율을 높인 것이다.
분리공급유닛(130)은, 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 높은 고온 화염부(121a)를 향하여 세정가스가 유입되도록 하며, 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 낮은 저온 화염부(121b)를 향하여 프로세스가스가 유입되도록 한다.
이에 의해, 저온 화염부(121b)에서도 효율적인 처리가 가능한 프로세스가스를 분리하여 처리하므로, 고온 화염부(121a)에 의한 세정가스의 처리효율을 향상시킬 수 있게 된다.
여기서, 세정가스는, 고온 화염부(121a)로 유입되기 전에 반응공간(111)에서 예열 되는 과정을 거치도록 하는 것이 바람직하다.
이에 의하면, 프로세스가스에 비해 까다로운 처리조건을 가지는 세정가스를 예열하여 처리함으로써 그 처리효율을 향상시킬 수 있다.
도 2는 도 1의 공정 폐 가스 처리장치의 일 실시형태를 보인 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 실시형태에 따른 공정 폐 가스 처리장치(100)는, 도 1과 같이 반응챔버(110), 플라스마 발생기(120) 및 분리공급유닛(130)을 포함하되, 분리공급유닛(130)은, 예열격벽(131), 제1 관로(132) 및 제2 관로(133)를 포함한다.
예열격벽(131)은, 반응공간(111)에 위치되며, 내부에 플라스마 화염(121)이 위치되어 공정 폐 가스의 처리가 행해지는 구성이다.
예열격벽(131)은, 플라스마 발생기(120)로부터 생성된 플라스마 화염(121)이 통과하는 개방된 일 면을 가지는 속이 빈 기둥(예: 원통)으로 구비된다.
플라스마 화염(121)은 예열격벽(131)의 길이방향으로 향하도록 배치된다.
예열격벽(131)은, 길이방향으로 양측에 제1 단(131a)과 제2 단(131b)을 가지며, 제1 단(131a)은 반응챔버(110)의 내부 일 면에 결합 되고, 제2 단(131b)은 플라스마 화염(121)이 내부에 위치되도록 플라스마 발생기(120)와 마주하도록 배치되되, 세정가스가 반응챔버(110)로부터 예열격벽(131)의 내부로 유입되는 유입구(135)를 가지도록 배치될 수 있다.
일 예로, 유입구(135)는, 제2 단(131b)과 반응챔버(110)의 내면과 사이에 형성된 간격으로 마련된다.
제1 관로(132)는, 프로세스가스가 유입되는 통로로 마련되며, 프로세스가스는 제1 관로(132)를 통해 예열격벽(131)의 내부로 유입된다.
제1 관로(132)는 그 일단이 공정챔버(P)에 연통 되는 관으로 구비되며, 반응챔버(110)의 둘레 벽과 예열격벽(131)을 관통하여 예열격벽(131)의 내부에 연통 된다.
이때, 제1 관로(132)는 반응챔버(110)의 둘레 벽과 예열격벽(131) 사이의 공간을 지나게 된다.
이에 의해, 제1 관로(132)의 내부를 지나는 프로세스가스가 제1 관로(132)의 외부로서 반응챔버(110)의 내부와 열 교환에 의해 예열 되는 이점을 가지게 된다.
효율적인 예열을 위해, 열전달 촉진 수단이 부가될 수 있는데, 반응챔버(110)의 둘레 벽과 예열격벽(131) 사이의 공간에서 제1 관로(132)가 절곡되거나 곡선으로 구비될 수 있다.
제2 관로(133)는, 세정가스가 반응챔버(110)의 둘레 벽과 예열격벽(131) 사이의 공간으로 유입되는 통로로 마련된다.
반응챔버(110)로 유입된 세정가스는 예열격벽(131)의 상부에 형성된 유입구(135)를 통해 예열격벽(131)의 내부로 유입된다.
이 과정에서, 세정가스는 예열격벽(131)의 외면과 열 교환을 통해 예열이 이루어지게 된다. 즉 세정가스는 예열격벽(131)의 외면을 따라 제2 단(131b)을 향하는 방향으로 이동되면서 예열 된다.
효율적인 예열을 위해, 세정가스와 예열격벽(131)의 접촉시간을 늘리기 위해, 제2 관로(133)는 세정가스가 반응챔버(110)의 둘레 벽의 하부에서 연통 되도록 구비될 수 있다.
이에 의하면, 프로세스가스 및 세정가스를 분리 유입시키기 위해 필수적으로 요구되는 제1,2 관로(132,133)에 예열격벽(131)을 추가하는 간단한 구조로, 프로세스가스 및 세정가스의 분리 처리 및 세정가스의 예열을 동시에 할 수 있게 된다.
도 3은 도 2의 제1 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 실시형태에 따른 공정 폐 가스 처리장치(100)는, 도 1 및 조 2와 같이 반응챔버(110), 플라스마 발생기(120) 및 분리공급유닛(130)을 포함하고, 분리공급유닛(130)은, 예열격벽(131), 제1 관로(132) 및 제2 관로(133)를 포함한다.
또한, 예열격벽(131)은, 길이방향으로 양측에 제1 단(131a)과 제2 단(131b)을 가지며, 제1 단(131a)은 반응챔버(110)의 내부 일 면에 결합 되고, 제2 단(131b)은 플라스마 화염(121)이 내부에 위치되도록 플라스마 발생기(120)와 마주하도록 배치되되, 세정가스가 반응챔버(110)로부터 예열격벽(131)의 내부로 유입되는 유입구(135)를 가지도록 배치된다.
이때, 제2 단(131b)은 반응챔버(110)의 상면에 결합되고, 유입구(135)는, 예열격벽(131)을 두께방향으로 관통하여 형성되는 복수의 홀(hole)로 구비되되, 제2 단(131b)과 인접하게 배치된다.
한편, 복수의 홀의 통하여 유입되는 세정가스가 고온 화염부(121a)를 향할 수 있도록 복수의 홀은 예열격벽(131)의 내측으로 향하는 유동가이드가 더 구비될 수 있다.
유동가이드는 세정가스가 고온 화염부(121a)를 중심으로 회전하는 유동이 형성될 수 있도록 구비될 수 있다. 유동가이드는 도 5와 같은 원리로 형성될 수 있다.
도 4는 도 2의 제2 변형 예를 설명하기 위한 도면이고, 도 5는 도 4에서 A-A의 단면을 보인 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 실시형태에 따른 공정 폐 가스 처리장치(100)는, 도 1 및 조 2와 같이 반응챔버(110), 플라스마 발생기(120) 및 분리공급유닛(130)을 포함하고, 분리공급유닛(130)은, 예열격벽(131), 제1 관로(132) 및 제2 관로(133)를 포함한다.
이때, 제2 관로(133)는, 그 말단이 반응챔버(110)의 원주방향을 향하도록 마련된다.
이에 의해, 세정가스는 예열격벽(131)을 중심으로 회전하면서 상승하여 고온 화염부(121a)로 유입된다.
결국, 제2 관로(133)로 유입되는 세정가스는 예열격벽(131)과의 접촉면적이 증가하여 예열 효과가 향상된다. 또한 세정가스의 처리에 소모되는 전력이 감소 되는 이점을 가진다.

Claims (10)

  1. 내부에 반응공간을 가지는 반응챔버;
    상기 반응챔버의 일 측에 배치되고, 상기 반응공간을 향하는 플라스마 화염을 발생시키는 플라스마 발생기; 및
    상기 반응챔버와 별도로 구비되는 공정챔버의 공정 진행에 사용된 프로세스가스와, 상기 공정챔버의 세정에 사용된 세정가스를 상기 반응공간으로 분리 공급하되, 상기 프로세스가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 낮은 영역으로서 상기 플라스마 화염의 길이방향으로 상기 플라스마 발생기로부터 거리가 가장 먼 끝인 단부로 정의되는 저온 화염부를 향하여 공급하고, 상기 세정가스는 상기 플라스마 화염 중 상대적으로 온도가 높은 영역으로서 상기 플라스마 발생기에 인접한 상기 플라스마 화염의 중심부로 정의되는 고온 화염부를 향하여 공급하는 분리공급유닛;을 포함하며,
    상기 프로세스가스는, SiH4 , NH3 및 Ar중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 세정가스는, 과불화 화합물(PFCs)을 포함하며,
    상기 세정가스는, 상기 고온 화염부로 공급되기 전에 상기 반응공간에서 예열 되는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 분리공급유닛은,
    상기 반응공간에 위치되며, 상기 플라스마 화염이 개방된 일 면을 통하여 그 내부로 위치되도록 상기 플라스마 화염의 길이방향으로 배치되는 관 형상의 예열격벽;
    상기 프로세스가스를 상기 반응챔버의 외부로부터 상기 예열격벽의 내부로 유입시키는 통로로 제공되는 제1 관로; 및
    상기 세정가스를 상기 반응챔버와 상기 예열격벽 사이의 공간으로 유입시키는 통로로 제공되는 제2 관로;를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 예열격벽은,
    상기 반응챔버의 내부 일 면에 결합 되는 제1 단; 및
    상기 플라스마 화염이 내부에 위치되도록 상기 플라스마 발생기와 마주하도록 배치되는 제2 단;으로서, 상기 세정가스가 상기 반응챔버로부터 상기 예열격벽의 내부로 유입되는 유입구를 가지도록 배치되는 제2 단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 유입구는, 상기 제2 단과 상기 반응챔버의 내면과 사이에 형성된 간격에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 유입구는, 상기 제2 단과 인접하게 배치되되, 상기 예열격벽을 두께방향으로 관통하여 형성되는 복수의 홀(hole)로 구비되는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.
  7. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 관로는, 상기 반응챔버의 외면으로부터 상기 반응챔버와 상기 예열격벽 사이의 공간을 경유하여 상기 예열격벽의 내부로 연통 되는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 세정가스는, 상기 예열격벽의 외면을 따라 상기 제2 단을 향하는 방향으로 이동되면서 예열 되는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.
  9. 청구항 3에 있어서,
    상기 제2 관로는, 그 말단이 상기 반응챔버의 원주방향을 향하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 공정 폐 가스 처리장치.
  10. 삭제
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CN113713588B (zh) * 2020-05-26 2024-02-09 台州国聪环保设备有限公司 一种注入式等离子废气处理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000334294A (ja) 1999-05-31 2000-12-05 Shinmeiwa Auto Engineering Ltd 代替フロンのプラズマアーク分解方法及び装置
JP2008194674A (ja) * 2007-01-15 2008-08-28 Kanken Techno Co Ltd ガス処理装置およびガス処理方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008093442A1 (ja) * 2007-01-30 2008-08-07 Kanken Techno Co., Ltd. ガス処理装置
KR101159227B1 (ko) * 2009-08-13 2012-07-24 엠에이티플러스 주식회사 하이브리드 스크러버용 반응기 조립체

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000334294A (ja) 1999-05-31 2000-12-05 Shinmeiwa Auto Engineering Ltd 代替フロンのプラズマアーク分解方法及び装置
JP2008194674A (ja) * 2007-01-15 2008-08-28 Kanken Techno Co Ltd ガス処理装置およびガス処理方法

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