KR101499333B1 - 폐가스 처리 시스템 및 처리방법 - Google Patents

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Abstract

폐가스 처리 시스템 및 방법이 제공된다. 이 시스템은 폐가스를 가열하는 가열부와, 가열부로부터 가열된 폐가스를 전달받아 플라즈마처리를 수행하는 플라즈마 처리부를 포함하고, 가열부는 가열을 위한 열원으로 플라즈마 처리부에서 처리되어 배출되는 고온상태의 가스를 이용한다. 또한 플라즈마 처리에서는 환원분위기를 조성한 상태에서 직접산화를 병행하여 수행한다. 이러한 시스템 및 방법은 저에너지 고효율의 폐처리 방식을 제공한다.

Description

폐가스 처리 시스템 및 처리방법{SYSTEM AND METHOD FOR PROCESSING WASTE GAS}
본 발명은 각종 제조 공정에서 발생되는 폐가스를 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
화학 공정이나 반도체 제조 공정 등에서 배출되는 배기가스는 유독성, 폭발성 및 부식성이 강하기 때문에 인체에 유해할 뿐만 아니라 그대로 대기 중으로 방출될 경우에는 환경오염을 유발하는 원인이 되기도 한다. 따라서, 이러한 배기 가스는 유해성분의 함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화처리 과정이 반드시 거쳐야 하며, 이러한 정화처리 과정에서 독성물질을 제거한 후 무해 가스만이 대기 중으로 배출하도록 법적으로 의무화되어 있다.
반도체 제조 공정 등에서 배출되는 유해성 가스를 처리하는 스크러버 시스템은 버닝(burning) 방식과 습식(Wetting) 방식이 있다. 버닝 방식은 주로 수소기 등을 함유한 발화성 가스를 고온의 연소실에서 분해, 반응 또는 연소시켜 배기가스를 처리하는 방식이다. 습식 방식은 주로 수용성 가스를 수조에 저장된 물을 통과시키면서 물에 용해하여 처리하는 방식이다.
각종 제조 산업에서 발생되는 프레온가스(불소화합물) 등의 유해가스는 화학적 특성상 분해를 위해서는 높은 이온화 에너지가 필요하다. 이러한 프레온 계열의 유해가스의 처리에는 직접산화시키는 기술과 플라즈마를 이용하여 분해하는 기술이 적용되고 있다. 직접산화 방식은 2차 발생물질로 온실가스(CO2)를 다량으로 배출할 뿐만 아니라 불소화합물의 분해효율 또는 높지 않다는 단점이 있다. 플라즈마처리 방식은 99% 이상의 높은 분해율을 가지고 있으나, 플라즈마를 발생시키기 위해 다량의 전기 에너지를 소모하여야 하며, 다소 고비용의 운영비용과 설치비용이 필요하다.
결국, 폐기가스의 높은 분해율을 유지하면서도 에너지 소모가 적은 처리 방식이 요구되고 있다.
한국특허 공개 10-2009-0095996
본 발명은 각종 제조 공정에서 발생되는 폐가스의 유해 성분의 처리에 있어서 저에너지로 높은 분해율을 달성할 수 있는 폐가스 처리 시스템을 제공한다.
본 발명은 또한 폐가스의 처리 중에 발생하는 열을 회수하여 재활용함으로써 에너지 효율이 높은 폐가스 처리 시스템을 제공한다.
본 발명은 플라즈마 처리에서 환원분위기를 조성한 상태에서 직접산화 처리를 병행함으로서 대용량의 불소화합물을 처리할 수 하고 또한 이차 오염물질의 발생이 감소된 폐가스 처리 시스템을 제공한다.
본 발명은 상술한 개선된 시스템에서 적용되는 폐가스 처리 방법을 제공한다.
본 발명은 폐가스 처리 시스템을 제공하며, 이 시스템은: 폐가스를 가열하는 가열부; 및 상기 가열부로부터 가열된 폐가스를 전달받아 플라즈마처리를 수행하는 플라즈마 처리부;를 포함하고, 상기 가열부는 가열을 위한 열원으로 상기 플라즈마 처리부에서 처리되어 배출되는 고온상태의 가스를 이용한다.
상기 가열부는: 상기 폐가스가 흐르는 가스 흐름라인; 및 상기 가스 흐름라인의 일부 또는 전부를 감싸도록 배치된 몸체를 포함하는 가열 하우징;를 포함하고, 상기 가열 하우징의 상기 몸체에는 가스가 유입되는 입구와 배출되는 출구가 구비되며, 상기 입구로 상기 플라즈마 처리부에서 처리되어 배출된 고온상태의 가스가 유입된다.
상기 시스템은 폐가스로부터 미세입자를 제거한 후 상기 가열부로 전달하는 집진부를 더 포함할 수 있다.
상기 시스템은 상기 가열 하우징의 몸체의 출구로부터 배출되는 폐가스를 전달받아 습식처리를 통해 적어도 수용성 물질을 제거하는 습식 처리부를 더 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 처리부에는 환원분위기 조성을 위한 메탄(CH4)가스가 공급될 수 있다.
상기 플라즈마 처리부에는 직접산화를 위한 산소가 공급될 수 있다.
본 발명은 폐가스 처리 방법을 제공하며, 이 방법은: 폐가스를 가열하는 가열 단계; 및 가열된 폐가스를 플라즈마처리하는 플라즈마처리 단계;를 포함하고, 상기 가열하는 단계에서는 플라즈마처리되어 배출되는 고온상태의 가스를 열원으로 이용한다.
상기 가열 단계 이전에 상기 폐가스로부터 미세입자를 제거하는 집진 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 플라즈마처리 단계에서, 플라즈마 챔버로 메탄가스를 공급하여 환원분위기를 조성할 수 있다.
상기 플라즈마처리 단계에서, 상기 플라즈마 챔버로 직접산화를 위한 산소를 더 공급할 수 있다.
상기 플라즈마처리 단계에서 처리된 폐가스를 습식 처리하여 적어도 수용성 물질을 제거하는 습식 처리 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 반도체 제조와 같은 산업 공정에서 발생된 폐가스를 저에너지 고효율로 처리할 수 있는 시스템 및 방법이 제공된다. 특히, 플라즈마 처리 후에 배출되는 고온상태의 가스로부터 열을 재회수하여 폐가스의 가열에 이용함으로써 폐가스 가열을 위한 에너지 소모를 획기적으로 줄일 수 있다. 또한 플라즈마 처리에서는 환원분위기를 조성한 상태에서 플라즈마 처리와 직접산화 처리를 복합적으로 수행함으로써 대용량의 불소화합물을 처리하고 또한 이차 오염 물질의 발생을 줄일 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 폐가스 처리 시스템에 채용되는 집진부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템에 채용되는 가열부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템에 채용되는 플라즈마 처리부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템에 채용되는 습식 처리부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 폐가스 처리 방법을 설명하기 위해 도시한 플로우챠트이다.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예를 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템(1)은 집진부(11), 가열부(13), 플라즈마 처리부(15) 및 습식 처리부(17)를 포함한다.
예를 들어 반도체 제조 공정에서 이용된 공정가스와 같은 폐가스가 집진부(11)로 유입되어 1차적으로 방전 집진을 거친 후, 가열부(13)를 통과하면서 가열되어 플라즈마 처리부(15)로 유입된다. 플라즈마 처리부(15)에서 플라즈마 분해 처리된 고온상태의 가스는 다시 가열부(13)를 통과하면서 열교환을 한 후 습식 처리부(30)에서 습식 처리되어 배출된다.
이와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템(1)은 플라즈마 처리부(15)에서 처리되면서 고온상태가 된 가스를 다시 가열부(13)를 통과하도록 하여 열을 회수한다. 이렇게 회수된 열은 가열부(13)에서 플라즈마 처리부(15)로 유입되기 전의 폐가스를 가열하는데 이용된다. 따라서, 폐가스를 가열하는데 필요한 에너지를 대폭 감소시킬 수 있게 된다.
또한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템(1)은 플라즈마 처리부(15)의 전단계와 후단계에 각각 집진부(11)와 습식 처리부(17)를 배치함으로써 플라즈마 분해 외에 습식 처리를 포함하는 처리가 이루어져서 완벽하게 유해 성분이 제거될 수 있다.
이하에서는 도면을 참조하여, 본 발명의 폐가스 처리 시스템(1)의 각 요소에 대하여 상세하게 설명한다.
< 집진부 >
도 2는 본 발명의 폐가스 처리 시스템(1)에 채용되는 집진부(11)를 개략적으로 도시한 도면이다.
본 발명의 폐가스 처리 시스템(1)에 채용되는 집진부(11)는 습식의 방전 집진을 수행하여 폐가스에 포함된 미세입자(파티클)을 제거한다.
집진부(11)는 방전극(111), 집진극(112) 및 방전극(111)과 집진극(112)에 전원을 인가하는 하전유닛(113)을 포함한다. 도시한 바와 같이 방전극(111)은 봉 또는 침 형상을 가질 수 있고, 집진극(112)은 판 형상을 가질 수 있다. 또한 방전극(111)을 사이에 두고 집진극(112)과 대면하는 접지판(114)이 구비하여 한 쌍의 집진판 구조를 이룰 수 있다. 바람직하게는 집진부(11)는 제1 및 제2분사유닛(115, 116)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2분사유닛(115, 116)은 미스트를 분사하여 미세입자에 부착되어 하전됨으로써 많은 미세입자들이 집진극(112)으로 포집될 수 있도록 한다. 또한 제1 및 제2분사유닛(115, 116)은 집진극(112) 표면으로 물을 분사하여 집진극(112) 표면에 붙은 미세입자들을 아래로 흘러내리도록 한다. 도시하지 않았지만, 상술한 구성요소들의 일부 또는 전부는 집진실을 형성하는 케이스 내부에 설치될 수 있으며, 케이스의 하부에는 탱크(117)가 구비되어 포집된 미세입자를 포함하는 물을 수용하게 된다. 또한 집진실에는 유입구와 유출구가 각각 구비되어 폐가스가 유입구로 유입되어 집진실을 통과한 후 유출구로 배출된다.
바람직하게는 처리용량에 따라 방전극과 집진판 쌍은 다수가 포함될 수도 있다. 또한, 제1분사유닛(115)와 제2분사유닛(116)은 미세입자에 부착되어 하전되기 위한 미스트를 분사하는 것과 집진판면의 세정을 위한 물을 분사하는 것으로 각각 역할을 분담할 수 있다. 또한 폐가스가 아래에서 위로 흐르도록 유입구가 하부에 배치되고 유출구가 상부에 배치되도록 할 수 있다.
이상과 같은 집진부(11)에서 미세입자가 제거된 폐가스는 하기의 가열부(13)로 전달된다.
<가열부>
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템(1)에 채용되는 가열부를 개략적으로 도시한 도면이다.
가열부(13)는 상술한 바와 같이 집진부(11)에서 미세입자가 제거된 폐가스를 전달받아서 가열한 후 플라즈마 처리부(15)로 전달하는 역할을 수행한다. 특히, 본 발명의 폐가스 처리 시스템(1)에서는 가열부(13)가 폐가스의 가열에 플라즈마 처리부(15)에서 처리되면서 고온상태가 가스의 열을 이용하는 것이다.
이를 위해, 가열부(13)는 일단이 집진부(11)와 연결되고 타단이 플라즈마 처리부(15)와 연결된 가스 흐름라인(131)과 가스 흐름라인(131)의 일부 또는 전부를 수용하는 가열 하우징(132)을 포함한다. 가열 하우징(132)은 가스 흐름라인(131)을 수용한 상태로 가스가 흐를 수 있는 공간을 제공하는 몸체(1321)를 포함하며, 몸체(1321)에는 입구(1322)와 출구(1323)가 구비된다. 입구(1322)는 플라즈마 처리부(15)의 배출구로 연결되고 출구(1323)는 습식 처리부(17)로 연결된다. 따라서 가열부(13)는 가열 하우징(132)의 입구(1322)를 통해 플라즈마 처리부(15)에서 처리된 고온의 가스를 전달받아서 출구(1323)를 통해 습식 처리부(17)로 전달하는 과정에서 고온의 가스를 이용하여 가스 흐름라인(131) 내의 폐가스를 가열하게 된다.
바람직하게는 가열 하우징(132) 내에서 효율적인 열교환이 이루어질 수 있도록 도시한 바와 같이 가스 흐름라인(131)의 외표면적을 넓힐 필요가 있다.
상술한 바와 같이 가스 흐름라인(131)의 일단은 집진부(11)로 연결되어 미세입자가 제거된 폐가스를 전달받는다. 이렇게 전달된 폐가스는 가열 하우징(132) 내의 가스 흐름라인(131) 속에서 플라즈마 처리부(15)로부터 배출된 고온상태의 가스에 의해 가열된 후 타단을 통해 플라즈마 처리부(15)로 전달된다.
가열부(13)에는 별도의 가열수단(미도시)가 더 구비될 수 있고, 폐가스 처리 시스템(1)이 최초로 구동되거나 필요에 따라서 가열수단을 가동하여 폐가스를 가열할 수 있다.
예를 들어, 집진부(11)에서 가스 흐름라인(131)으로 유입되는 폐가스의 온도는 대략 50℃일 수 있다. 또한 플라즈마 처리부(15)로부터 배출되어 가열 하우징(132)으로 유입되는 고온상태의 가스는 대략 800℃일 수 있다. 가열 하우징(132) 내에서 열교환의 결과로, 가스 흐름라인(131)에서 배출되는 폐가스는 대략 500℃까지 상승하게 되며 가열 하우징(132) 내에서 고온상태의 가스는 50 내지 350℃로 온도가 하강한 후 습식 처리부(17)로 전달된다.
따라서, 가열부(13)은 플라즈마 처리부(15)를 통해 회수한 열에너지를 재활용함으로써, 폐가스를 가열하는데 필요한 에너지 소모를 최소화할 수 있다.
<플라즈마 처리부>
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템(1)에 채용되는 플라즈마 처리부(15)를 개략적으로 도시한 도면이다.
플라즈마 처리부(15)는 가열부(13)를 통해 가열된 폐가스를 전달받아서 플라즈마처리를 수행한다. 플라즈마 처리부(15)는 예를 들어 반도체 제조 공정에 발생되는 폐가스를 플라즈마처리 및 직접 산화처리 방식을 통하여 폐가스에 포함된 유해 성분을 제거한 후 배출한다.
플라즈마 처리부(15)는 유입부와 배출부가 구비된 챔버몸체(151)를 포함한다. 챔버몸체(151)에 의해 내부에는 상부의 플라즈마 발생부와 하부의 챔버부가 형성되며, 플라즈마 발생부 부위에 음전극과 제1 및 제2양전극이 설치된다. 또한 챔버몸체(151) 내부의 플라즈마 발생부 측으로 플라즈마 발생용 가스 공급라인이 연결된다. 또한 플라즈마 처리부(15)에는 음전극과 제1 및 제2양전극에 전원을 인가하는 파워서플라이(152)가 포함된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템(1)은 상술한 플라즈마 발생용 가스 외에 환원분위기 조성용 가스와 산화처리용 가스가 공급될 수 있다.
플라즈마 발생용 가스는 플라즈마 반응을 위해 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)와 같은 불활성 가스를 포함할 수 있다. 환원 분위기용 가스는 메탄(CH4)을 포함할 수 있다. 플라즈마 발생용 가스와 환원 분위기용 가스는 혼합된 형태로 플라즈마 처리부(15)에 공급될 수 있다. 직접 산화처리를 위한 산화 에너지는 산소(O2)를 포함할 수 있다.
또한, 플라즈마 처리부(15)는, 메탄(CH4)을 이용한 환원 분위기를 조성 상태에서 질소(N2)를 이용한 플라즈마처리와, 산소(O2) 공급을 통한 직접 산화처리를 실시할 수 있다.
플라즈마처리 기술은 폐가스에 포함된 불소 화합물의 분해율이 매우 높지만, 플라즈마 발생을 위해 다량의 전기 에너지를 소모해야 하며 다소 고비용의 운영비용과 설치비용이 요구된다.
따라서, 본 발명의 시스템에 채용된 플라즈마 처리부(15)는 플라즈마처리와 직접 산화처리를 복합적으로 실시하는 하이브리드 방식을 통하여, 플라즈마를 발생시키기 위한 전기 에너지 소모를 줄일 수 있으며, 그에 따른 운영비용을 절감할 수 있다. 이러한 하이브리드 처리 방식의 경우, 직접 산화처리만을 실시하여 폐가스를 처리하는 경우보다 2차 오염물질(CO2)생성 량을 감소시킬 수 있다.
또한, 메탄(CH4)의 환원 분위기 조성을 통해 폐가스의 플라즈마 반응 및 산화반응의 믹싱(mixing) 효과가 극대화될 수 있으며, 폐가스에 포함된 불소 화합물의 분해 반응이 촉진될 수 있다. 일반적으로 반도체 제조 공정에서 발생된 폐가스는 CF4, C2F6, CHF3, C3F8, C4F8, NF3 및 SF6 중 하나를 포함할 수 있다. 폐가스가 CF4인 경우 CH4에 의한 불소 화합물 분해 반응식을 하기와 같이 나타낼 수 있다.
[반응식 1]
CF4+CH4+2O2→4HF+2CO2
또한, 메탄(CH4)의 환원 분위기 조성을 통한 산화 처리용 가스(O2)의 변환 제어로 질소 산화물(NOX) 생성을 억제할 수 있다.
이상과 같은 플라즈마 처리부(15)에서 수행되는 플라즈마처리, 환원분위기 조성, 및 직접 산화처리를 수행하기 위한 가스들을 공급하기 위한 가스공급부(155)가 구비될 수 있다.
한편, 플라즈마 처리부(15)를 통해 처리된 고온상태의 가스의 열은 가열부(13)에서 집진부(11)에서 플라즈마 처리부(15)로 공급되기 위해 이송되는 폐가스를 가열하는데 이용될 수 있다. 따라서, 폐가스의 열에너지를 다시 폐가스를 가열하는데 재활용함으로써 플라즈마처리 및 산화 처리 시 필요로 하는 에너지를 대폭 절감할 수 있다.
<습식 처리부>
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 폐가스 처리 시스템(1)에 채용되는 습식 처리부(17)를 개략적으로 도시한 도면이다.
플라즈마 처리부(15)에서 처리되어 가열부(13)로 회수되었던 폐가스는 이제 도시한 바와 같은 습식 처리부(17)로 전달되어 습식 처리를 거치게 된다. 습식 처리부(17)는 수조탱크(171), 수조탱크(171) 상에 배치된 습식타워부(173), 및 물분사구조(172)를 포함한다. 이러한 습식 처리부(17)에서는 수용성 유해가스가 제거되는 것으로, 습식타워부(173) 측의 유입구로 유입된 폐가스에 물분사구조(172)가 물을 분사하여 수용성 유해물질이 물과 함께 수조탱크(171)로 낙하한다. 또한, 습식 처리부(17)에는 집진부(미도시)가 더 포함되어 추가적으로 집진 처리를 수행할 수 있다.
이렇게 습식 처리부(17)를 통과하면 폐가스는 청정 가스가 되어 배출되게 된다.
이하에서는 본 발명의 폐가스 처리 방법을 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 폐가스 처리 방법을 설명하기 위해 도시한 플로우챠트이다.
본 발명의 폐가스 처리 방법은 순차적으로 진행되는 집진 단계(S110), 가열단계(S120), 플라즈마처리 단계(S130), 및 습식처리 단계(S140)를 포함한다.
<집진 단계>
집진 단계(S110)에서는 반도체 제조 공정과 같은 제반 공정에서 발생되는 폐가스에 포함된 미세입자를 제거한다. 이러한 집진 단계(S110)는 도 2에 도시한 바와 같은 집진부(11)를 이용하여 수행할 수 있다. 이를테면 집진 단계(S110)는 방전 코로나를 이용하는 습식 전기집진 방식을 적용할 수 있다.
<가열 단계>
가열 단계(S120)에서는 집진 단계(S110)로부터 전달받은 폐가스를 가열하여 플라즈마처리 단계(130)가 수행되는 플라즈마 처리부(15)로 전달한다. 특히, 본 발명의 폐가스 처리 방법에서는 가열 단계(S120)에서 이용되는 열원으로 플라즈마처리 후 배출된 고온상태의 가스를 활용한다. 플라즈마 처리되어 배출되는 고온상태의 가스는 대략 800℃이며, 이를 재회수하여 활용한다. 이때 상술한 본 발명의 시스템에 채용되는 가열부(13)를 이용할 수 있으며, 폐가스를 약 50℃에서 약 500℃까지 승온시킬 수 있다.
<플라즈마처리 단계>
플라즈마처리 단계(130)에서는 가열 단계(S120)에서 가열되어 전달된 폐가스에 대한 플라즈마처리를 수행한다. 본 발명의 플라즈마처리는 챔버 내에 메탄가스를 더 투입하여 환원분위기를 조성한 상태로 진행된다. 또한 산소를 챔버 내로 투입하여 직접산화 처리를 병행한다.
이러한 하이브리드 복합 처리방식은 직접산화 처리를 하는 방식 보다 CO2 와 같은 이차 오염물질의 발생을 감소시킬 수 있다.
또한 상술한 바와 같이 메탄(CH4)을 이용한 환원 분위기 조성을 통해 플라즈마 반응 및 산화반응의 믹싱효과가 극대화될 수 있다.
<습식처리 단계>
습식처리 단계(S140)에서는 플라즈마 처리된 가스를 전달받아서 가스 내 수용성 유해성분을 제거한다. 이는 도 5에 도시된 습식 처리부(17)를 이용하여 수행될 수 있고, 추가적으로 전기 집진을 더 수행할 수 있다. 습식처리 단계(S140)는 실질적으로 가열 단계(S120)에서 폐가스를 가열하면서 열교환을 마친 가스가 처리된다.
이상, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해서 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명하다 할 것이다.
1: 폐가스 처리 시스템 11: 집진부
13: 가열부 15: 플라즈마 처리부
17: 습식 처리부 111: 방전극
112: 집진극 113: 하전유닛
114: 접지판 115: 제1분사유닛
116: 제2분사유닛 131: 가스 흐름라인
132: 가열 하우징 151: 챔버몸체
152: 파워서플라이 171: 수조탱크
172: 물분사구조 173: 습식타워부
1321: 가열 하우징 몸체 1322: 입구
1323: 출구

Claims (11)

  1. 봉형상의 방전극, 방전극의 양측에 대면하며 배치되는 집진극과 집진판, 폐가스에 미스트를 분사하는 제1분사유닛과 상기 집진판면의 세정을 위한 물을 분사하는 제2분사유닛을 포함하며, 폐가스로부터 미세입자를 제거하는 집진부;
    상기 집진부로부터 폐가스를 전달받아서 가열하는 가열부;
    상기 가열부로부터 가열된 폐가스를 전달받아 플라즈마처리를 수행하고 처리된 폐가스를 가열부로 전달하며, 환원분위기 조성을 위한 메탄(CH4)가스가 공급되고, 직접산화를 위한 산소가 공급되는, 플라즈마 처리부; 및
    상기 가열부로부터 배출되는 폐가스를 전달받아 습식처리를 통해 적어도 수용성 물질을 제거하는 습식 처리부;를 포함하고,
    상기 가열부는: 상기 폐가스가 흐르는 가스 흐름라인; 및 상기 가스 흐름라인의 일부 또는 전부를 감싸도록 배치된 몸체를 포함하는 가열 하우징;을 포함하고, 상기 가열 하우징의 상기 몸체에는 가스가 유입되는 입구와 배출되는 출구가 구비되며, 상기 입구로 상기 플라즈마 처리부에서 처리되어 배출된 고온상태의 가스가 유입되는 것인,
    폐가스 처리 시스템.
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