KR101633104B1 - Organic Light Emitting Display Device - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1기판의 일면에 위치하는 센싱전극들을 포함하는 터치스크린부; 터치스크린부의 일면에 위치하며 센싱전극들에 연결된 센서부를 포함하는 서브 픽셀들; 및 센서부의 센싱 동작에 의해 사용자가 터치한 위치를 감지하는 제어부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.The present invention provides a touch screen device comprising: a touch screen unit including sensing electrodes positioned on one side of a first substrate; Subpixels located on one side of the touch screen portion and including a sensor portion connected to the sensing electrodes; And a controller for sensing a position touched by a user by a sensing operation of the sensor unit.

유기전계발광표시장치, 센싱전극, 멀티 터치 Organic electroluminescence display device, sensing electrode, multi-touch

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display Device}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display device,

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자이다. 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.An organic electroluminescent device used in an organic electroluminescent display device is a self-luminous device in which a light emitting layer is formed between two electrodes located on a substrate. The organic light emitting display device may be a top emission type, a bottom emission type or a dual emission type depending on a direction in which light is emitted. It is divided into a passive matrix and an active matrix depending on the driving method.

유기전계발광표시장치에 배치된 서브 픽셀은 스위칭 트랜지스터, 구동 트랜지스터 및 커패시터를 포함하는 트랜지스터부와 트랜지스터부에 포함된 구동 트랜지스터에 연결된 하부전극, 유기 발광층 및 상부전극을 포함하는 유기 발광다이오드를 포함한다.The subpixel disposed in the organic light emitting display includes a transistor portion including a switching transistor, a driving transistor and a capacitor, and an organic light emitting diode including a lower electrode connected to the driving transistor included in the transistor portion, an organic light emitting layer, and an upper electrode .

유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다. 이는 박형 표시장치로 구현할 수 있다는 이점이 있는 데, 최근에는 유기전계발광표시장치와 같은 박형 표시장치에 터치스크린 기능을 부가시키기 위한 많은 연구가 진행되고 있다.In the organic light emitting display, when a scan signal, a data signal, a power supply, and the like are supplied to a plurality of subpixels arranged in a matrix form, the selected subpixel emits light, thereby displaying an image. This is advantageous in that it can be implemented as a thin display device. In recent years, much research has been conducted to add a touch screen function to a thin display device such as an organic light emitting display device.

그런데, 종래의 터치스크린 기능이 부가된 유기전계발광표시장치는 사용자가 두 개의 영역을 동시에 터치하였을 때, 실질적으로 터치한 영역이 아닌 다른 영역이 터치된 것으로 감지되는 이른바, 고스트 패턴(Ghost pattern) 현상이 발생하는 문제가 있어 멀티 터치 기능 구현에 어려움이 있었다.The conventional organic light emitting display device having a touch screen function has a so-called ghost pattern in which a region other than a touched region is sensed when a user touches two regions at the same time, There is a problem that the phenomenon occurs, and it is difficult to implement the multi-touch function.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 사용자의 멀티 터치(열 손가락 터치)를 모두 감지할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 사용자의 멀티 터치시 발생하는 고스트 패턴 현상 문제를 해결할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 노이즈에 강한 멀티 터치스크린을 갖는 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.In order to solve the above-described problems, the present invention provides an organic light emitting display capable of detecting all of multi-touch (ten finger touch) of a user. It is another object of the present invention to provide an organic electroluminescent display device capable of solving the ghost pattern phenomenon occurring when a user is multi-touching. It is another object of the present invention to provide an organic light emitting display having a noise-resistant multi-touch screen.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 제1기판의 일면에 위치하는 센싱전극들을 포함하는 터치스크린부; 터치스크린부의 일면에 위치하며 센싱전극들에 연결된 센서부를 포함하는 서브 픽셀들; 및 센서부의 센싱 동작에 의해 사용자가 터치한 위치를 감지하는 제어부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a touch screen device including: a touch screen unit including sensing electrodes positioned on one surface of a first substrate; Subpixels located on one side of the touch screen portion and including a sensor portion connected to the sensing electrodes; And a controller for sensing a position touched by a user by a sensing operation of the sensor unit.

센서부는, 사용자의 터치에 따라 센싱전극들에 생성된 제1전압과 외부로부터 공급된 제2전압을 기초로 센싱전압을 형성하는 차징 동작과 상기 센싱전압을 제어부에 공급하는 센싱 동작을 수행할 수 있다.The sensor unit may perform a charging operation for forming a sensing voltage based on a first voltage generated at the sensing electrodes and a second voltage supplied from the outside according to a touch of a user and a sensing operation for supplying the sensing voltage to the controller have.

센싱전압은, 제2전압과 제1전압 간의 변화량에 대응될 수 있다.The sensing voltage may correspond to the amount of change between the second voltage and the first voltage.

센서부는, 제1신호에 응답하여 외부로부터 공급된 제2전압과 사용자의 터치에 따라 센싱전극들에 생성된 제1전압 간의 변화량이 센싱전극들에 차징되도록 구동하는 제1센서트랜지스터와, 센싱전압이 제어부에 공급되도록 구동하는 제2센서트 랜지스터를 포함할 수 있다.The sensor unit includes a first sensor transistor for driving a sensing electrode to charge a sensing voltage between a second voltage supplied from the outside in response to the first signal and a first voltage generated at the sensing electrodes according to a user's touch, And a second sensor transistor which is driven to be supplied to the control unit.

센서부는, 제1신호가 공급되는 제1신호배선에 게이트가 연결되고 제2전압이 공급되는 참조전압배선에 제1전극이 연결되며 센싱전극들에 제2전극이 연결된 제1센서트랜지스터와, 제2신호가 공급되는 제2신호배선에 게이트가 연결되고 센싱전극들에 제1전극이 연결되며 제어부에 제2전극이 연결된 제2센서트랜지스터를 포함할 수 있다.The sensor unit includes a first sensor transistor having a gate connected to a first signal line to which a first signal is supplied and a first electrode connected to a reference voltage wiring to which a second voltage is supplied and a second electrode connected to the sensing electrodes, And a second sensor transistor having a gate connected to the second signal line to which the second signal is supplied, a first electrode connected to the sensing electrodes, and a second electrode connected to the control unit.

제1신호 및 상기 제2신호는, 서브 픽셀들에 스캔신호를 공급하는 스캔구동부에 의해 공급될 수 있다.The first signal and the second signal may be supplied by a scan driver for supplying a scan signal to the sub-pixels.

서브 픽셀들은 적어도 3개의 서브 픽셀들이 1개의 단위 픽셀로 정의되며, 센싱전극들은, 1개의 단위 픽셀마다 대응되는 면적을 갖도록 형성될 수 있다.At least three subpixels are defined as one unit pixel, and the sensing electrodes may be formed to have an area corresponding to one unit pixel.

서브 픽셀들은 적어도 3개의 서브 픽셀들이 1개의 단위 픽셀로 정의되며, 센싱전극들은, 4개의 단위 픽셀마다 대응되는 면적을 갖도록 형성될 수 있다.The subpixels may be defined such that at least three subpixels are defined as one unit pixel, and the sensing electrodes have areas corresponding to four unit pixels.

터치스크린부는, 제1기판의 일면에 분할되어 형성된 투명전극들과, 투명전극들의 일면을 덮도록 형성된 절연층을 포함할 수 있다.The touch screen unit may include transparent electrodes formed on one surface of the first substrate and an insulating layer formed to cover one surface of the transparent electrodes.

터치스크린부는, 제1기판의 일면에 분할되어 형성된 투명전극들과, 투명전극들의 일면을 덮도록 형성된 하부절연층과, 하부절연층의 일면에 공통으로 형성된 쉴드전극과, 쉴드전극의 일면을 덮도록 형성된 상부절연층을 포함할 수 있다.The touch screen unit includes transparent electrodes formed on one surface of the first substrate, a lower insulating layer formed to cover one surface of the transparent electrodes, a shield electrode formed in common on one surface of the lower insulating layer, And the upper insulating layer may be formed.

본 발명은, 센싱전극별로 센싱이 가능한 커패시티브 형태의 터치스크린부와 센서부를 표시패널 내에 구현함으로써 사용자의 멀티 터치(열 손가락 터치)를 모두 감지할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 사용자의 멀티 터치시 발생하는 고스트 패턴 현상 문제를 해결할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 노이즈에 강한 멀티 터치스크린을 갖는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.The present invention provides an organic electroluminescent display device capable of detecting all of a user's multi-touch (ten finger touch) by implementing a capacitive touch screen unit capable of sensing for each sensing electrode and a sensor unit in a display panel . The present invention also provides an organic electroluminescent display device capable of solving the ghost pattern phenomenon occurring when a user is multi-touching. The present invention also provides an organic electroluminescent display device having a multi-touch screen that is resistant to noise.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic block diagram of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 데이터구동부(DDRV), 스캔구동부(SDRV), 제어부(TDRV), 표시부(PNL) 및 터치스크린부(TPNL)를 포함한다.1, an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention includes a data driver DDRV, a scan driver SDRV, a controller TDRV, a display unit PNL, and a touch screen unit TPNL. do.

데이터구동부(DDRV)는 표시부(PNL)에 매트릭스형태로 형성된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀들의 데이터배선(DL1..DLn)을 통해 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)를 공급한다.The data driver DDRV receives data signals DATA (DATA) supplied from the outside via data lines DL1.DLn of red (R), green (G) and blue (B) subpixels formed in a matrix form on the display unit PNL ).

스캔구동부(SDRV)는 표시부(PNL)에 형성된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀들의 스캔배선(SL1..SLm)을 통해 스캔신호를 공급한다. 또한, 스캔구동부(SDRV)는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀들에 포함된 센서부의 신호배 선(CS1..CSm)을 통해 신호를 공급한다.The scan driver SDRV supplies scan signals through the scan lines SL1 to SLm of the red (R), green (G), and blue (B) subpixels formed on the display unit PNL. The scan driver SDRV supplies signals through the signal lines CS1 ... CSm of the sensor portion included in the red (R), green (G), and blue (B) subpixels.

제어부(TDRV)는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀들에 포함된 센서부의 센싱 동작에 의해 센싱전극들(Cp)에 형성된 센싱전압을 리드배선(SD1..SDn)을 통해 공급받으며, 공급된 센싱전압을 이용하여 사용자가 터치한 위치를 감지한다.The control unit TDRV supplies the sensing voltage formed on the sensing electrodes Cp to the lead wirings SD1 to SDn by the sensing operation of the sensor unit included in the red (R), green (G), and blue (B) And senses a position touched by the user using the supplied sensing voltage.

표시부(PNL)는 매트릭스형태로 형성된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀들을 포함한다. 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀들은 1개의 단위 픽셀(P)로 정의된다.The display portion PNL includes red (R), green (G), and blue (B) sub-pixels formed in a matrix form. The red (R), green (G) and blue (B) subpixels are defined as one unit pixel (P).

터치스크린부(TPNL)는 투명전극으로 구성되어 분할 형성된 센싱전극들(Cp)을 포함한다. 센싱전극들(Cp)은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브 픽셀들에 포함된 센서부와 연결된다.The touch screen unit TPNL includes sensing electrodes Cp formed of transparent electrodes and formed in a divided manner. The sensing electrodes Cp are connected to the sensor unit included in the red (R), green (G), and blue (B) subpixels.

이하, 센싱전극들(Cp)의 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, the configuration of the sensing electrodes Cp will be described.

도 2 및 도 3은 센싱전극들의 구성 예시도 이다.FIGS. 2 and 3 are views illustrating the configuration of sensing electrodes.

도 2를 참조하면, 적색(R1..R22), 녹색(G1..G22) 및 청색(B1..B22) 서브 픽셀들은 각각 1개의 단위 픽셀들(P1..P22)로 정의된다. 센싱전극들(Cp1..Cp22) 각각은 1개의 단위 픽셀들(P1..P22)마다 대응되는 면적을 갖도록 형성된다. 예컨대, 제1센싱전극(Cp1)은 제1단위 픽셀(P1)의 면적에 대응되도록 형성되고, 제2센싱전극(Cp2)은 제2단위 픽셀(P2)의 면적에 대응되도록 형성되고, 제21센싱전극(Cp21)은 제21단위 픽셀(P21)의 면적에 대응되도록 형성되고, 제22센싱전극(Cp22)은 제22단위 픽셀(P22)의 면적에 대응되도록 형성된다.Referring to FIG. 2, red (R1..R22), green (G1..G22) and blue (B1..B22) subpixels are defined as one unit pixel (P1..P22), respectively. Each of the sensing electrodes Cp1 to Cp22 is formed to have an area corresponding to one unit pixel P1 to P22. For example, the first sensing electrode Cp1 is formed to correspond to the area of the first unit pixel P1, the second sensing electrode Cp2 is formed to correspond to the area of the second unit pixel P2, The sensing electrode Cp21 is formed to correspond to the area of the twenty-first unit pixel P21 and the twenty-second sensing electrode Cp22 is formed to correspond to the area of the twenty-second unit pixel P22.

도 3을 참조하면, 적색(R1..R22), 녹색(G1..G22) 및 청색(B1..B22) 서브 픽셀들은 각각 1개의 단위 픽셀들(P1..P22)로 정의된다. 1개의 센싱전극(Cp1)은 4개의 단위 픽셀들(P1..P22)마다 대응되는 면적을 갖도록 형성된다. 예컨대, 제1센싱전극(Cp1)은 제1, 제2, 제21 및 제22단위 픽셀(P1, P2, P21, P22)의 면적에 대응되도록 형성된다.Referring to FIG. 3, red (R1..R22), green (G1..G22), and blue (B1..B22) subpixels are each defined as one unit pixel (P1..P22). One sensing electrode Cp1 is formed to have an area corresponding to each of the four unit pixels P1 to P22. For example, the first sensing electrode Cp1 is formed to correspond to the area of the first, second, 21st, and 22nd unit pixels P1, P2, P21, and P22.

도 2 및 도 3과 같은 형태로 센싱전극들(Cp1..Cp22)을 구성하면, 사용자의 터치스크린부(TPNL) 터치 시 접촉 면적을 증가시키고 서브 픽셀들에 포함된 센서부의 개수를 감소시킴과 아울러 센싱을 위해 마련해야 하는 배선의 개수를 감소시켜 회로 설계에 대한 부담을 줄일 수 있게 된다. 예컨대, 도 2와 같이 1개의 센싱전극(Cp1)이 1개의 단위 픽셀(P1)의 면적에 대응되도록 형성된다는 것은 1개의 센서부가 1개의 단위 픽셀(P1)에 형성된다는 것과 같다. 이 경우, 센서부는 3개의 서브 픽셀 중 하나에 형성된다. 이와 달리, 도 3과 같이 1개의 센싱전극(Cp1)이 4개의 단위 픽셀(P1..P22)의 면적에 대응되도록 형성된다는 것은 1개의 센서부가 4개의 단위 픽셀(P1..P22)에 형성된다는 것과 같다. 이 경우, 센서부는 4개의 단위 픽셀(P1..P22)에 포함된 서브 픽셀 중 하나에 형성된다.When the sensing electrodes Cp1 to Cp22 are formed as shown in FIGS. 2 and 3, the touch area of the touch screen unit TPNL of the user is increased and the number of sensor units included in the subpixels is reduced In addition, the number of wirings to be provided for sensing can be reduced, thereby reducing the burden on the circuit design. For example, as shown in FIG. 2, one sensing electrode Cp1 is formed so as to correspond to the area of one unit pixel P1, as in the case where one sensor unit is formed in one unit pixel P1. In this case, the sensor section is formed in one of the three subpixels. 3, one sensing electrode Cp1 is formed to correspond to the area of four unit pixels P1..P22, which means that one sensor unit is formed in four unit pixels P1 ... P22 The same. In this case, the sensor unit is formed in one of the subpixels included in the four unit pixels P1 ... P22.

이하, 터치스크린부와 표시부의 구성에 대해 설명한다.Hereinafter, the configuration of the touch screen unit and the display unit will be described.

도 4 및 도 5는 터치스크린부와 표시부의 구성 예시도 이고, 도 6은 서브 픽셀의 단면 예시도 이며, 도 7은 발광부의 계층도 이다.FIGS. 4 and 5 are diagrams illustrating exemplary configurations of a touch screen unit and a display unit, FIG. 6 is a cross-sectional view of a subpixel, and FIG. 7 is a hierarchical view of a light emitting unit.

도 4를 참조하면, 제1기판(110)의 일면에는 센싱전극들(Cp1)과 센싱전극 들(Cp1)의 일면을 덮도록 형성된 절연층(114)을 포함하는 터치스크린부(TPNL)가 형성된다. 터치스크린부(TPNL)의 일면에는 센싱전극들(Cp1)에 연결된 센서부를 포함하는 트랜지스터 어레이(TFT)와 발광부(OLED)를 포함하는 서브 픽셀들(SP)을 포함하는 표시부(PNL)가 형성된다. 도시된 바와 같이, 터치스크린부(TPNL)는 제1기판(110)의 일면에 형성되며 표시부(PNL)는 터치스크린부(TPNL)의 일면에 형성된다. 그리고 터치스크린부(TPNL)와 표시부(PNL)는 제1기판(110)과 이격 대향하는 제2기판(150)과 접착부재(160)에 의해 밀봉된다.4, a touch screen unit TPNL including sensing electrodes Cp1 and an insulating layer 114 covering one surface of the sensing electrodes Cp1 is formed on one surface of the first substrate 110 do. On one side of the touch screen unit TPNL, a display unit PNL including a transistor array including a sensor unit connected to the sensing electrodes Cp1 and subpixels SP including a light emitting unit OLED is formed do. As shown in the figure, the touch screen unit TPNL is formed on one side of the first substrate 110 and the display unit PNL is formed on one side of the touch screen unit TPNL. The touch screen unit TPNL and the display unit PNL are sealed by a second substrate 150 and an adhesive member 160 which are spaced apart from the first substrate 110.

도 5를 참조하면, 터치스크린부(TPNL)의 경우 제1기판(110)의 일면에 형성된 센싱전극들(Cp1)의 일면을 덮는 하부절연층(112)과 하부절연층(112)의 일면에 공통으로 형성된 쉴드전극(113)과 쉴드전극(113)의 일면을 덮는 상부절연층(114)을 포함할 수도 있다. 쉴드전극(113)은 제어부가 센싱전극들(Cp1)에 형성된 센싱전압을 센서부에 의해 공급받을 때, 발광부(OLED)의 구동에 따른 노이즈(noise)를 차폐하는 역할을 한다. 이를 위해 쉴드전극(113)은 하부절연층(112)의 일면 전체를 덮는 형태로 형성되고 저전압 배선(예컨대, GND)에 연결될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.5, in the case of the touch screen unit TPNL, the lower insulating layer 112 covering one surface of the sensing electrodes Cp1 formed on one surface of the first substrate 110 and the lower insulating layer 112 And an upper insulating layer 114 covering one side of the shield electrode 113 and the shield electrode 113 formed in common. The shield electrode 113 shields the noise due to the driving of the light emitting unit OLED when the control unit is supplied with the sensing voltage formed on the sensing electrodes Cp1 by the sensor unit. For this, the shield electrode 113 may be formed to cover the entire one surface of the lower insulating layer 112 and may be connected to a low voltage wiring (for example, GND), but is not limited thereto.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 터치스크린부(TPNL)와 표시부(PNL)는 하나의 표시패널에 구성된다.As shown in FIGS. 4 and 5, the touch screen unit TPNL and the display unit PNL are formed in one display panel.

표시부(PNL)에 형성된 서브 픽셀들(SP)은 스캔신호에 의해 구동하는 제1트랜지스터, 데이터신호를 데이터전압으로 저장하는 커패시터, 커패시터에 저장된 데이터전압에 의해 구동하는 제2트랜지스터 및 센싱전극에 연결된 센서부를 포함하는 트랜지스터 어레이(TFT)와 제2트랜지스터의 구동에 의해 발광하는 발광부(OLED)가 각각 포함된다. 이하, 서브 픽셀의 구조에 대해 설명하되, 제2트랜지스터와 제2트랜지스터에 의해 구동하는 발광부(OLED)를 중심으로 설명한다.The subpixels SP formed in the display unit PNL are connected to a first electrode of the first transistor driven by the scan signal, a capacitor for storing the data signal as the data voltage, a second transistor driven by the data voltage stored in the capacitor, And includes a transistor array (TFT) including a sensor portion and a light emitting portion (OLED) emitting light by driving the second transistor. Hereinafter, the structure of the sub-pixel will be described, but the light emitting unit (OLED) driven by the second transistor and the second transistor will be mainly described.

도 6 및 도 7을 참조하면, 절연층(또는 상부절연층)(114)의 일면에 게이트(120)가 위치한다. 게이트(120)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트(120)는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 게이트(120)는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.Referring to FIGS. 6 and 7, a gate 120 is located on one side of an insulating layer (or upper insulating layer) 114. The gate 120 may be formed of any one selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper Or an alloy thereof. The gate 120 may be formed of a material selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, And may be a multilayer composed of any one selected or an alloy thereof. In addition, the gate 120 may be a double layer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

게이트(120) 상에는 제1절연막(121)이 위치한다. 제1절연막(121)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A first insulating layer 121 is located on the gate 120. The first insulating film 121 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

제1절연막(121) 상에는 액티브층(122)이 위치한다. 액티브층(122)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 액티브층(122)은 소오스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 아울러, 액티브층(122) 상에는 오믹콘택층(123)이 위치할 수도 있다.An active layer 122 is located on the first insulating film 121. The active layer 122 may comprise amorphous silicon or polycrystalline silicon crystallized therefrom. The active layer 122 may include a source region, a channel region, and a drain region. In addition, the ohmic contact layer 123 may be located on the active layer 122.

액티브층(122) 및 오믹콘택층(123) 상에는 소오스 영역 및 드레인 영역에 각각 연결되는 소오스(124a) 및 드레인(124b)이 위치한다. 소오스(124a) 및 드레 인(124b)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다. 소오스(124a) 및 드레인(124b)이 단일층일 경우, 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 소오스(124a) 및 드레인(124b)이 다중층일 경우, 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.On the active layer 122 and the ohmic contact layer 123, a source 124a and a drain 124b which are respectively connected to the source region and the drain region are located. The source 124a and drain 124b may be a single layer or multiple layers. When the source 124a and the drain 124b are a single layer, a single layer of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, (Cu), or an alloy thereof. Alternatively, when the source 124a and the drain 124b are multilayered, they may be formed of a triple layer of molybdenum / aluminum-neodymium, molybdenum / aluminum / molybdenum, or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum.

소오스(124a) 및 드레인(124b) 상에는 제2절연막(125)이 위치한다. 제2절연막(125)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A second insulating film 125 is located on the source 124a and the drain 124b. The second insulating layer 125 may be a silicon oxide layer (SiOx), a silicon nitride layer (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

제2절연막(125) 상에는 제3절연막(127)이 위치한다. 제3절연막(127)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A third insulating film 127 is located on the second insulating film 125. The third insulating film 127 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof, but is not limited thereto.

제3절연막(127) 상에는 소오스(124a) 또는 드레인(124b)에 연결된 하부전극(129)이 위치한다. 하부전극(129)은 캐소드 또는 애노드로 선택될 수 있다. 애노드로 선택된 하부전극(129)의 재료로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), AZO(ZnO doped Al2O3) 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.A lower electrode 129 connected to the source 124a or the drain 124b is located on the third insulating film 127. [ The lower electrode 129 may be selected as a cathode or an anode. The material of the lower electrode 129 selected as the anode may be any one of ITO (Indium Tin Oxide), IZO (indium zinc oxide), ITZO (indium tin zinc oxide), and AZO (ZnO doped Al2O3) Do not.

하부전극(129) 상에는 하부전극(129)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는 뱅크층(132)이 위치한다. 뱅크층(132)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수 지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.On the lower electrode 129, a bank layer 132 having an opening exposing a part of the lower electrode 129 is located. The bank layer 132 may include organic materials such as benzocyclobutene (BCB) -based resin, acrylic resin or polyimide resin, but is not limited thereto.

하부전극(129) 상에는 유기 발광층(134)이 위치한다. 유기 발광층(134)은 도 7과 같이 정공주입층(134a), 정공수송층(134b), 발광층(134c), 전자수송층(134d) 및 전자주입층(134e)을 포함할 수 있다. 정공주입층(134a)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 정공수송층(134b)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(134c)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. 발광층(134c)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(134c)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(134c)이 청색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자수송층(134d)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자주입층(134e)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 여기서, 본 발명은 도 7에 한정되는 것은 아니며, 정공주입층(134a), 정공수송층(134b), 전자수송층(134d) 및 전자주입층(134e) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다.An organic light emitting layer 134 is disposed on the lower electrode 129. The organic light emitting layer 134 may include a hole injection layer 134a, a hole transport layer 134b, a light emitting layer 134c, an electron transport layer 134d, and an electron injection layer 134e as shown in FIG. The hole injection layer 134a may function to smooth the injection of holes and may be formed of a material such as cupper phthalocyanine (CuPc), poly (3,4) -ethylenedioxythiophene (PEDOT), polyaniline (PANI), and N- -N, N'-diphenyl benzidine), but the present invention is not limited thereto. The hole transport layer 134b plays a role of facilitating the transport of holes and is formed by using NPD (N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'- , N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) The light emitting layer 134c may include a material that emits red, green, blue, and white light, and may be formed using a phosphorescent or fluorescent material. The light emitting layer 134c may include, In the case of emitting red light, a host material containing CBP (carbazole biphenyl) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl)), PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium) A dopant comprising at least one selected from the group consisting of PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) (DBM) 3 (Phen) or perylene. Alternatively, when the light emitting layer 134c emits green light, the light emitting layer 134c may be formed of CBP or mPCP and may comprise a phosphorescent material comprising a dopant material comprising Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium), alternatively Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino ) aluminum, but is not limited thereto. When the light emitting layer 134c emits blue light, it includes a host material including CBP or mCP, and includes (4,6-F2ppy) 2Irpic Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > dopant material. Alternatively, the fluorescent material may include any one selected from the group consisting of spiro-DPVBi, spiro-6P, distyrylbenzene (DSB), distyrylarylene (DSA), PFO polymer, and PPV polymer. It is not limited. The electron transport layer 134d serves to smooth the transport of electrons and may be made of any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq, But are not limited thereto. The electron injecting layer 134 e serves to smoothly inject electrons and may use Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq. Here, the present invention is not limited to FIG. 7, and at least one of the hole injection layer 134a, the hole transport layer 134b, the electron transport layer 134d, and the electron injection layer 134e may be omitted.

유기 발광층(134) 상에는 상부전극(136)이 위치한다. 상부전극(136)은 캐소드 또는 애노드로 선택될 수 있다. 캐소드로 선택된 상부전극(136)의 재료로는 알 루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 알미네리윰(AlNd) 중 어느 하나로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 또한, 상부전극(136)이 캐소드로 선택된 경우, 캐소드의 재료로는 반사도가 높은 재료로 형성하는 것이 유리하다. 한편, 트랜지스터 어레이(TFT)에 포함된 트랜지스터들의 경우 앞서 설명된 제2트랜지스터의 구조와 동일하게 형성될 수 있다.An upper electrode 136 is located on the organic light emitting layer 134. The upper electrode 136 may be selected as a cathode or an anode. The material of the upper electrode 136 selected as the cathode may be any one of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy) and aluminum nitride (AlNd), but is not limited thereto. Further, when the upper electrode 136 is selected as a cathode, it is advantageous to form the material of the cathode from a material having high reflectivity. On the other hand, the transistors included in the transistor array (TFT) can be formed in the same manner as the structure of the second transistor described above.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 구동방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a driving method of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention will be described.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 센싱 동작에 대해 설명하기 위한 서브 픽셀들의 개략적인 회로 구성도이고, 도 9는 도 8에 도시된 서브 픽셀의 상세 회로 구성도이며, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 구동방법을 설명하기 위한 도면이다.8 is a schematic circuit configuration diagram of subpixels for explaining a sensing operation of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, FIG. 9 is a detailed circuit diagram of the subpixel shown in FIG. 8 And FIG. 10 is a diagram for explaining a driving method of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 터치스크린부에 포함된 센싱전극들(CP1..CP33)과 표시부의 서브 픽셀들에 포함된 트랜지스터 어레이들(TFT1..TFT33)이 도시된다. 여기서, 트랜지스터 어레이들(TFT1..TFT33)은 센서부에 포함된 트랜지스터만 간략 도시한 것이다.Referring to FIG. 8, the sensing electrodes CP1... CP33 included in the touch screen unit and the transistor arrays TFT1... TFT 33 included in the subpixels of the display unit are shown. Here, the transistor arrays (TFT1 to TFT33) are only a simplified illustration of the transistors included in the sensor section.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 사용자의 터치에 의해 터치스크린부에 포함된 센싱전극들(CP1..CP33)에 센싱전압이 형성된다. 센서부에 포함된 트랜지스터들(TFT1..TFT33)은 신호배선(CS1..CS3)을 통해 신호가 공급되면 센싱전극들(CP1..CP33)에 형성된 센싱전압을 리드배선(SD1..SDn)을 통해 제어부에 공급한다.In the organic light emitting display according to an embodiment of the present invention, a sensing voltage is formed in the sensing electrodes CP1, CP33 included in the touch screen unit by a user's touch. The transistors (TFT1 to TFT33) included in the sensor section are connected to the readout lines SD1 to SDn when a signal is supplied through the signal lines CS1 to CS3 to the sensing electrodes CP1 to CP33, To the control unit.

도 9를 참조하면, 터치스크린부에 포함된 센싱전극(CP1)과 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터 어레이(S1, D1, T_S1, T_S2) 및 발광부(OLED1)의 회로 구성도가 도시된다. 트랜지스터 어레이(S1, D1, Cst, T_S1, T_S2)는 발광구동부(S1, D1, Cst)와 센서부(T_S1, T_S2)를 포함한다.Referring to FIG. 9, circuit diagrams of the sensing electrode CP1 included in the touch screen unit, the transistor array S1, D1, T_S1, and T_S2 included in the subpixel, and the light emitting unit OLED1 are illustrated. The transistor array S1, D1, Cst, T_S1, T_S2 includes the light emitting drivers S1, D1, Cst and the sensor units T_S1, T_S2.

발광구동부(S1, D1, Cst)는 스캔배선(SL1)을 통해 공급된 스캔신호에 의해 구동하는 제1트랜지스터(S1)와 발광부(OLED1)를 구동하는 제2트랜지스터(D1)와 데이터신호를 저장하는 커패시터(Cst)를 포함한다.The light emitting drivers S1, D1 and Cst include a first transistor S1 driven by a scan signal supplied through a scan line SL1, a second transistor D1 driving a light emitting unit OLED1, And a capacitor Cst for storing the input signal.

제1트랜지스터(S1)는 스캔배선(SL1)에 게이트가 연결되고 데이터배선(DL1)에 소오스가 연결되고 제2트랜지스터(D1)의 게이트에 드레인이 연결된다. 제2트랜지스터(D1)는 커패시터(Cst)의 일단에 게이트가 연결되고 고 전위 전압이 공급되는 제1전원배선(VDD)에 소오스가 연결되고 발광부(OLED1)의 애노드에 드레인이 연결된다. 커패시터(Cst)는 제2트랜지스터(D1)의 게이트에 일단이 연결되고 제1전원배선(VDD)에 타단이 연결된다. 발광부(OLED1)는 제2트랜지스터(D1)의 드레인에 애노드가 연결되고 저 전위 전압이 공급되는 제2전원배선(VSS)에 캐소드가 연결된다.In the first transistor S1, a gate is connected to the scan line SL1, a source is connected to the data line DL1, and a drain is connected to the gate of the second transistor D1. The source of the second transistor D1 is connected to the first power supply line VDD through which a gate is connected to one end of the capacitor Cst and a high potential voltage is supplied thereto, and a drain is connected to the anode of the light emitting unit OLED1. One end of the capacitor Cst is connected to the gate of the second transistor D1 and the other end is connected to the first power supply line VDD. The cathode of the light emitting unit OLED1 is connected to a second power supply line VSS to which an anode is connected to a drain of the second transistor D1 and a low potential voltage is supplied.

서브 픽셀에 포함된 발광구동부(S1, D1, Cst) 및 발광부(OLED1)는 다음과 같이 동작할 수 있다. 스캔배선(SL1)을 통해 공급된 스캔신호에 응답하여 제1트랜지스터(S1)가 턴온된다. 데이터배선(DL1)을 통해 공급된 데이터신호가 턴온된 제1트랜지스터(S1)를 통해 공급되면 데이터신호는 커패시터(Cst)에 데이터전압으로 저장된다. 스캔신호가 차단되고 제1트랜지스터(S1)가 턴오프되면 제2트랜지스터(D1)는 커패시터(Cst)에 저장된 데이터전압에 대응하여 구동된다. 제1전원 배선(VDD)을 통해 공급된 고 전위의 전원이 제2전원 배선(VSS)을 통해 흐르게 되면 발광부(OLED1)는 빛을 발광하게 된다.The light emitting drivers (S1, D1, Cst) and the light emitting units (OLED1) included in the subpixel can operate as follows. The first transistor S1 is turned on in response to the scan signal supplied through the scan line SL1. When the data signal supplied through the data line DL1 is supplied through the turned-on first transistor S1, the data signal is stored as a data voltage in the capacitor Cst. When the scan signal is interrupted and the first transistor S1 is turned off, the second transistor D1 is driven in response to the data voltage stored in the capacitor Cst. When the power source of high potential supplied through the first power source line VDD flows through the second power source line VSS, the light emitting unit OLED1 emits light.

전술한 발광구동부(S1, D1, Cst) 및 발광부(OLED1)의 회로 구성 및 구동방법은 실시예의 이해를 돕기 위한 것일 뿐 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 일례로, 본 발명의 실시예에서는 발광구동부(S1, D1, Cst)가 2T(Transistor)1C(Capacitor)로 구성된 것을 일례로 하였지만 이는 3T1C, 4T1C, 5T1C, 5T2C 등으로 구성될 수도 있다.The circuit configuration and driving method of the above-described light emitting drivers (S1, D1, Cst) and the light emitting unit (OLED1) are intended to facilitate understanding of the embodiments, but the present invention is not limited thereto. For example, in the exemplary embodiment of the present invention, the light emitting drivers S1, D1, and Cst include a 2T transistor (Capacitor), but may include 3T1C, 4T1C, 5T1C, and 5T2C.

센서부(T_S1, T_S2)는 제1신호배선(CH1)을 통해 공급된 제1신호에 의해 구동하는 제1센서트랜지스터(T_S1)와 제2신호배선(SN1)을 통해 공급된 제2신호에 의해 구동하는 제2센서트랜지스터(T_S2)를 포함한다. 제1신호배선(CH1)과 제2신호배선(SN1)은 도 1의 신호배선(CS1..CSm) 또는 도 8의 신호배선(CS1..CS3)에 포함된다.The sensor units T_S1 and T_S2 are connected to the first signal transistor T_S1 driven by the first signal supplied through the first signal wiring CH1 and the second signal supplied through the second signal wiring SN1 And a second sensor transistor T_S2 for driving. The first signal line CH1 and the second signal line SN1 are included in the signal lines CS1 ... CSm of FIG. 1 or the signal lines CS1 ... CS3 of FIG.

제1센서트랜지스터(T_S1)는 제1신호배선(CH1)에 게이트가 연결되고 참조전압이 공급되는 참조전압배선(Vref)에 드레인이 연결되고 센싱전극(CP1)에 소오스가 연결된다. 제2센서트랜지스터(T_S2)는 제2신호배선(SN1)에 게이트가 연결되고 센싱전극(CP1)에 소오스가 연결되고 리드배선(SD1)에 드레인이 연결된다.In the first sensor transistor T_S1, a gate is connected to the first signal line CH1, a drain is connected to a reference voltage line Vref to which a reference voltage is supplied, and a source is connected to the sensing electrode CP1. The second sensor transistor T_S2 has a gate connected to the second signal wiring SN1, a source connected to the sensing electrode CP1, and a drain connected to the read wiring SD1.

서브 픽셀에 포함된 센서부(T_S1, T_S2)는 다음과 같이 동작할 수 있다.The sensor units T_S1 and T_S2 included in the subpixel can operate as follows.

도 10을 함께 참조하면, 제1신호배선(CH1)을 통해 공급된 제1신호에 응답하여 제1센서트랜지스터(T_S1)이 턴온된다. 그러면, 참조전압배선(Vref)으로부터 공 급된 제2전압과 사용자의 터치에 따라 센싱전극(Cp1)에 생성된 제1전압 간의 변화량이 센싱전극(Cp1)에 차징된다. 센싱전압은 참조전압배선(Vref)에 의해 센싱전극(Cp1)에 차지(Charge)된 제2전압과 사용자의 터치에 의해 발생한 전하(Cf)에 해당되는 제1전압 간의 변화량에 대응된다. 제1신호가 차단되고 제1센서트랜지스터(T_S1)가 턴오프되면 제2신호배선(SN1)을 통해 공급된 제2신호에 응답하여 제2센서트랜지스터(T_S2)가 턴온된다. 그러면, 센싱전극(Cp1)에 전하 형태로 차징된 센싱전압은 리드배선(SD1)을 통해 방전(Discharge) 됨으로써 제어부(TDRV)에 공급된다. 이때, 제어부(TDRV)는 리드배선(SD1)을 통해 공급된 센싱전압을 읽음으로써 사용자가 터치한 위치를 감지하게 된다.10, the first sensor transistor T_S1 is turned on in response to the first signal supplied through the first signal line CH1. Then, the sensing electrode Cp1 is charged with the second voltage supplied from the reference voltage wiring Vref and the first voltage generated in the sensing electrode Cp1 according to the touch of the user. The sensing voltage corresponds to the amount of change between the second voltage charged in the sensing electrode Cp1 by the reference voltage wiring Vref and the first voltage corresponding to the charge Cf generated by the touch of the user. When the first signal is interrupted and the first sensor transistor T_S1 is turned off, the second sensor transistor T_S2 is turned on in response to the second signal supplied via the second signal line SN1. Then, the sensing voltage charged in the charge form on the sensing electrode Cp1 is discharged to the control unit TDRV through the lead line SD1. At this time, the controller TDRV senses the position touched by the user by reading the sensing voltage supplied through the lead interconnection SD1.

전술한 센서부(T_S1, T_S2)는 사용자의 터치에 따라 센싱전극(Cp1)에 생성된 제1전압과 참조전압배선(Vref)로부터 공급된 제2전압을 기초로 센싱전압을 형성하는 차징 동작과 센싱전압을 제어부(TDRV)에 공급하는 센싱 동작을 수행한다. 본 발명의 실시예는 사용자의 터치를 감지할 수 있는 터치스크린부와 터치스크린부에 차징된 센싱전압을 제어부(TDRV)에 전달하는 센서부를 포함하는 표시부가 하나의 표시패널로 구성된다. 본 발명의 실시예는 사용자의 터치에 의해 센싱전극에 차지된 전압과 참조전압배선(Vref)로부터 공급된 전압을 기초로 센싱전압을 형성하기 때문에 사용자가 여러 영역을 터치하더라도 터치된 영역의 위치를 감지하는데 용이하다.The sensor units T_S1 and T_S2 may perform a charging operation to form a sensing voltage based on a first voltage generated in the sensing electrode Cp1 and a second voltage supplied from the reference voltage wiring Vref in accordance with a user's touch, And performs a sensing operation of supplying the sensing voltage to the control unit TDRV. In an embodiment of the present invention, a display unit including a touch screen unit capable of sensing a touch of a user and a sensor unit transmitting a sensed voltage charged to the touch screen unit to a control unit (TDRV) is constituted by one display panel. Since the sensing voltage is formed based on the voltage applied to the sensing electrode and the voltage supplied from the reference voltage line Vref by the touch of the user, the position of the touched area It is easy to detect.

한편, 본 발명의 실시예에서는 제1신호배선(CH1) 및 제2신호배선(SN1)을 통해 공급되는 제1신호 및 제2신호가 서브 픽셀들에 스캔신호를 공급하는 스캔구동부 에 의해 공급되는 것을 일례로 하였지만 이에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 리드배선(SD1)을 통해 센싱전압을 공급받는 제어부가 별도로 구성된 것을 일례로 하였지만 제어부는 데이터구동부에 포함될 수도 있다.Meanwhile, in the embodiment of the present invention, the first signal and the second signal supplied through the first signal line CH1 and the second signal line SN1 are supplied by the scan driver for supplying the scan signals to the sub-pixels But the present invention is not limited thereto. In addition, in the embodiment of the present invention, the control unit receiving the sensing voltage through the lead wire SD1 is separately configured. However, the control unit may be included in the data driver.

이상 본 발명은 센싱전극별로 센싱이 가능한 커패시티브 형태의 터치스크린부와 센서부를 표시패널 내에 구현함으로써 사용자의 멀티 터치(열 손가락 터치)를 모두 감지할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 사용자의 멀티 터치시 발생하는 고스트 패턴 현상 문제를 해결할 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 노이즈에 강한 멀티 터치스크린을 갖는 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다.As described above, the present invention provides an organic electroluminescent display device capable of detecting all the multi-touch (ten finger touch) of a user by implementing a capacitive touch screen unit and a sensor unit within the display panel, . The present invention also provides an organic electroluminescent display device capable of solving the ghost pattern phenomenon occurring when a user is multi-touching. The present invention also provides an organic electroluminescent display device having a multi-touch screen that is resistant to noise.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It will be understood that the invention may be practiced. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 구성도.1 is a schematic view of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention;

도 2 및 도 3은 센싱전극들의 구성 예시도.FIG. 2 and FIG. 3 are diagrams showing examples of the configuration of sensing electrodes. FIG.

도 4 및 도 5는 터치스크린부와 표시부의 구성 예시도.FIG. 4 and FIG. 5 are diagrams showing examples of the configuration of a touch screen unit and a display unit; FIG.

도 6은 서브 픽셀의 단면 예시도.6 is an exemplary cross-sectional view of a subpixel.

도 7은 발광부의 계층도.7 is a hierarchical view of a light emitting portion.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 센싱 동작에 대해 설명하기 위한 서브 픽셀들의 개략적인 회로 구성도.8 is a schematic circuit configuration diagram of subpixels for explaining a sensing operation of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 9는 도 8에 도시된 서브 픽셀의 상세 회로 구성도.9 is a detailed circuit diagram of the subpixel shown in FIG.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 구동방법을 설명하기 위한 도면.10 is a view for explaining a driving method of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

DDRV: 데이터구동부 TDRV: 제어부DDRV: Data driver TDRV:

SDRV: 스캔구동부 PNL: 표시부SDRV: scan driver PNL: display

TPNL: 터치스크린부 Cp: 센싱전극TPNL: Touch screen part Cp: Sensing electrode

Claims (10)

제1기판의 일면에 위치하는 센싱전극들을 가지는 터치스크린부;A touch screen unit having sensing electrodes positioned on one surface of a first substrate; 상기 터치스크린부의 일면에 위치하며 상기 센싱전극들에 연결되고 사용자의 터치에 따라 상기 센싱전극들에 생성된 제1전압과 외부로부터 공급된 제2전압간의 변화량에 대응되는 센싱전압을 제어부에 공급하는 센싱 동작을 수행하는 센서부를 가지는 트랜지스터 어레이와 발광부를 가지는 서브 픽셀들; 및And a sensing voltage connected to the sensing electrodes and corresponding to a change amount between a first voltage generated in the sensing electrodes and a second voltage supplied from the outside in response to a touch of the user, Pixels having a transistor array having a sensor section for performing a sensing operation and a light emitting section; And 상기 센서부의 센싱 동작에 의해 사용자가 터치한 위치를 감지하는 제어부를 포함하는 유기전계발광표시장치.And a controller for sensing a position touched by the user by a sensing operation of the sensor unit. 삭제delete 삭제delete 제1기판의 일면에 위치하는 센싱전극들을 가지는 터치스크린부;A touch screen unit having sensing electrodes positioned on one surface of a first substrate; 상기 터치스크린부의 일면에 위치하며 상기 센싱전극들에 연결되고 제1신호에 응답하여 외부로부터 공급된 제2전압과 사용자의 터치에 따라 상기 센싱전극들에 생성된 제1전압 간의 변화량이 상기 센싱전극들에 차징되도록 구동하는 제1센서트랜지스터와;A second voltage supplied from the outside in response to the first signal and a first voltage generated in the sensing electrodes in response to a user's touch, the sensing voltage being applied to the sensing electrodes, A first sensor transistor which is driven to be charged to the first sensor transistor; 상기 변화량에 대응되는 센싱전압이 제어부에 공급되도록 구동하는 제2센서트랜지스터를 가지는 센서부를 가지는 트랜지스터 어레이와 발광부를 가지는 서브 픽셀들; 및Pixels having a transistor array having a sensor section having a second sensor transistor for driving the control section to supply a sensing voltage corresponding to the change amount, and a light emitting section; And 상기 센서부의 센싱 동작에 의해 사용자가 터치한 위치를 감지하는 제어부를 포함하는 유기전계발광표시장치.And a controller for sensing a position touched by the user by a sensing operation of the sensor unit. 제4항에 있어서,5. The method of claim 4, 상기 센서부는,The sensor unit includes: 제1신호가 공급되는 제1신호배선에 게이트가 연결되고 상기 제2전압이 공급되는 참조전압배선에 제1전극이 연결되며 상기 센싱전극들에 제2전극이 연결된 상기 제1센서트랜지스터와,The first sensor transistor having a gate connected to a first signal line to which a first signal is supplied and a first electrode connected to a reference voltage wiring to which the second voltage is supplied and a second electrode connected to the sensing electrodes, 제2신호가 공급되는 제2신호배선에 게이트가 연결되고 상기 센싱전극들에 제1전극이 연결되며 상기 제어부에 제2전극이 연결된 상기 제2센서트랜지스터를 포함하는 유기전계발광표시장치.And the second sensor transistor has a gate connected to a second signal line to which a second signal is supplied, a first electrode connected to the sensing electrodes, and a second electrode connected to the control unit. 제5항에 있어서,6. The method of claim 5, 상기 제1신호 및 상기 제2신호는,Wherein the first signal and the second signal comprise: 상기 서브 픽셀들에 스캔신호를 공급하는 스캔구동부에 의해 공급되는 유기전계발광표시장치.And a scan driver for supplying a scan signal to the sub-pixels. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 서브 픽셀들은 적어도 3개의 서브 픽셀들이 1개의 단위 픽셀로 정의되며,Wherein the subpixels are defined by at least three subpixels as one unit pixel, 상기 센싱전극들은,The sensing electrodes, 1개의 단위 픽셀마다 대응되는 면적을 갖는 유기전계발광표시장치.Wherein the organic electroluminescent display device has an area corresponding to one unit pixel. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 서브 픽셀들은 적어도 3개의 서브 픽셀들이 1개의 단위 픽셀로 정의되며,Wherein the subpixels are defined by at least three subpixels as one unit pixel, 상기 센싱전극들은,The sensing electrodes, 4개의 단위 픽셀마다 대응되는 면적을 갖는 유기전계발광표시장치.Wherein the organic electroluminescent display device has an area corresponding to each of four unit pixels. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 터치스크린부는,The touch- 상기 센싱전극들의 일면을 덮는 절연층을 포함하는 유기전계발광표시장치.And an insulating layer covering one surface of the sensing electrodes. 제1항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 터치스크린부는,The touch- 상기 센싱전극들의 일면을 덮는 하부절연층과,A lower insulating layer covering one surface of the sensing electrodes, 상기 하부절연층의 일면에 위치하는 쉴드전극과,A shield electrode positioned on one surface of the lower insulating layer, 상기 쉴드전극의 일면을 덮는 상부절연층을 포함하는 유기전계발광표시장치.And an upper insulating layer covering one surface of the shield electrode.
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