KR101627029B1 - Ibc 태양전지의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 n형 기판 후면에 후면 전계부(BSF, back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 상기 n형 기판 후면에 p형 에미터부 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; n형 기판 전면에 전면 전계부(FSF, front surface field) 형성용 제3 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 및 상기 제1 내지 제3 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 상기 n형 기판 내로 공-확산(co-diffusion)하는 단계를 포함하며, 상기 공-확산에 의하여 p형 에미터부(emitter) 및 후면 전계부(BSF, back surface field)를 동시에 형성하는 IBC 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 상기 태양전지 제조방법은 도핑 페이스트를 기판의 후면에 인쇄하여 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터부 및 후면 전계부를 동시에 형성함으로써 공정 효율성이 우수하고, 공정 단계를 줄여 비용을 감소시킬 수 있으며, 기존 설비의 교체 또는 추가없이 대량생산이 가능하다.
Description
본 발명은 IBC 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 공-확산(co-diffusion)에 의하여 기판 후면에 에미터부 및 후면 전계부를 동시에 형성하는 IBC 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다.
최근, 태양전지에 있어서 개방전압(Voc)을 향상시켜 변환효율 및 Fill Factor를 개선하기 위한 방안들이 대두되고 있다.
태양전지의 전극은 전지의 전면과 후면에 각각 형성되며, 전면에 형성되는 전극은 태양광에 대한 흡수율을 감소시키므로, 효율 향상을 위하여 전면 전극의 면적은 가능한 좁게 하는 것이 일반적인 경향이다.
또한, 최근에는 전면에서의 전극에 의한 흡수율 감소를 없애기 위하여, 전극 모두를 후면에 설치하는 IBC(Interdigitated Back Contact cell) 태양전지가 개발되었다.
도 1은 기상확산법을 이용하여 기판 후면에 에미터부와 후면 전계부를 형성하는 IBC 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 1을 참고하면, 상기 기상확산법에 의하여 불순물을 주입시, 기판 후면의 영역 중 에미터부 및 후면 전계부가 형성되는 영역에만 선택적으로 도핑 가스를 확산시키는 것이 불가하므로, 제조 공정이 복잡하고 제조에 고비용이 소요되므로, 현재로서는 상용화가 어려운 실정이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 도핑 페이스트를 기판 후면에 스크린 인쇄하여 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터부 및 후면 전계부를 동시에 형성함으로써 공정 효율성이 우수한 IBC 태양전지의 제조방법을 제공하기 위함이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 공정 단계를 줄여 비용을 감소시킬 수 있는 IBC 태양전지의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 기존 설비의 교체 또는 추가없이 대량생산이 가능한 IBC 태양전지의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 하나의 관점은 n형 기판 후면에 후면 전계부(BSF, back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 상기 n형 기판 후면에 p형 에미터부 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; n형 기판 전면에 전면 전계부(FSF, front surface field) 형성용 제3 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 및 상기 제1 내지 제3 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 상기 n형 기판 내로 공-확산(co-diffusion)하는 단계를 포함하며, 상기 공-확산에 의하여 p형 에미터부(emitter) 및 후면 전계부(BSF, back surface field)를 동시에 형성하는 IBC 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
상기 공-확산 후, 상기 p형 에미터부 하부 및 후면 전계부 하부에 형성된 부산물층을 에칭하는 단계; 상기 전면 전계층 상부에 반사방지막을 형성하는 단계; 상기 p형 에미터부 및 상기 후면 전계부가 형성된 기판 후면에 후면보호막(passivation)을 형성하는 단계; 상기 후면 전계부와 통전하는 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 p형 에미터부와 통전하는 제2 전극을 형성하는 단계; 소성 단계; 및 아이솔레이션 단계를 포함할 수 있다.
상기 n형 기판 후면에 상기 제1 도핑 페이스트를 인쇄하기 전, 상기 n형 기판 전면에 텍스쳐링(texturing)하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제3 도핑 페이스트는 불순물로 인(P)을 포함하고, 상기 제2 도핑 페이스트는 불순물로 보론(B)을 포함할 수 있다.
상기 부산물층은 상기 p형 에미터부 하부에 형성된 BSG(boronsilicate glass) 및 상기 후면 전계부 하부 또는 상기 전면 전계층 상부에 형성된 PSG(phosphersilicate glass)일 수 있다.
상기 도핑 페이스트를 스크린 인쇄법으로 기판상 인쇄한 후, 80 내지 120℃에서 10 내지 30분 동안 건조할 수 있다.
상기 공-확산은 온도 800 내지 1,200℃의 퍼니스(furnace)에서 40 내지 120 분 동안 이루어질 수 있다.
상기 아이솔레이션 단계는 Cl2, SF6, CF4, CHF3, C2F6, C3F8 및 C2H4 중의 어느 하나와 O2를 포함하는 가스로 기판 에지(edge)를 식각하는 방법, HF, HNO3 및 H2SO4 중 어느 하나 이상을 이용하여 담금법으로 에지의 도핑된 부분을 식각하는 방법 및 레이저 (Laser)를 이용해서 도핑 부분을 제거하는 방법 중 어느 하나의 방법을 적용하는 것일 수 있다.
상기 반사방지막 및 후면 보호막은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)에 의해 질화규소(SiNx)로부터 형성되거나 ALD(atomic layer deposition)에 의해 산화알루미늄(Al2O3)으로부터 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 제조방법으로 제조된 IBC 태양전지에 관한 것이다.
본 발명의 IBC 태양전지 제조방법은 도핑 페이스트를 기판의 후면에 인쇄하여 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터부 및 후면 전계부를 동시에 형성함으로써 공정 효율성이 우수하고, 공정 단계를 줄여 비용을 감소시킬 수 있으며, 기존 설비의 교체 또는 추가없이 대량생산이 가능하다.
도 1은 기상확산법을 이용한 IBC 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 또한, 설명의 편의를 위하여 구성요소의 일부만을 도시하기도 하였으나, 당업자라면 구성요소의 나머지 부분에 대하여도 용이하게 파악할 수 있을 것이다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명에서 '상부' 및 '하부'는 설명을 용이하게 하기 위해 도면상 기준으로 한 것이며, 절대적인 것은 아니다.
IBC 태양전지의 제조방법
본 발명은 반도체 기판의 후면에 도핑 페이스트를 인쇄하고, 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터부(emitter) 및 후면 전계부(BSF, back surface field)를 동시에 형성하는 IBC 태양전지(Interdigit Back Contact cell)의 제조방법에 관한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지(100)의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
도 2를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지(100)는 n형 기판(110)의 전면에 형성된 전면 전계부(140) 및 전면 전계부(140) 상부에 형성된 반사방지막(150)을 포함하고, n형 기판(110)의 후면에 형성된 후면 전계부(120) 및 p형 에미터부(130)를 포함할 수 있다. 후면 전계부(120)와 p형 에미터부(130)는 이격되어 형성되며, 후면 전계부(120) 및 p형 에미터부(130)가 형성된 n형 기판(110)의 하부에는 후면보호막(155)이 형성될 수 있고, 후면 전계부(120)와 통전되는 제1 전극(160) 및 p형 에미터부(130)와 통전되는 제2 전극(170)이 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다. 도 2 및 3을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지의 제조방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일 실시예에 따른 IBC 태양전지의 제조방법은 n형 기판 전면에 텍스쳐링(texturing)하는 단계(S10); 상기 n형 기판 후면에 후면 전계부(BSF, back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S11); 상기 n형 기판 후면에 p형 에미터부 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S12); 상기 n형 기판 전면에 전면 전계층(FSF, front surface field) 형성용 제3 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S13); 상기 제1 내지 제3 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 상기 n형 기판 내로 공-확산하는 단계(S14); 상기 p형 에미터부 하부 및 후면 전계부 하부에 형성된 부산물층을 에칭하는 단계(S15); 상기 전면 전계층 상부에 반사방지막을 형성하는 단계(S16); 상기 p형 에미터부 및 상기 후면 전계부가 형성된 기판 후면에 후면보호막(passivation)을 형성하는 단계(S17); 상기 후면 전계부와 통전하는 제1 전극을 형성하는 단계(S18); 상기 p형 에미터부와 통전하는 제2 전극을 형성하는 단계(S19); 소성 단계(S20); 및 아이솔레이션 단계(S21)를 포함할 수 있다.
상기 텍스쳐링(texturing)하는 단계(S10)는 제공된 반도체 기판(110)의 전면에 피라미드 등의 형태의 요철을 형성하여 표면 거칠기를 증가시키고, 이로써 반도체 기판의 전면을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다.
반도체 기판(110)은 광이 입사되는 수광면인 전면 및 상기 전면과 대향하는 후면을 포함하고, 단결정 또는 다결정인 결정질 규소 또는 화합물 반도체로 만들어질 수 있으며, 결정질 규소의 경우 예컨대 실리콘 웨이퍼가 사용될 수 있다. 반도체 기판(110)으로는 n형 불순물(dopant)로 도핑된 n형 기판을 사용할 수 있다. 이 때 n형 불순물은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb)과 같은 V족 원소를 포함하는 물질일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 이하, 제공된 반도체 기판(110)이 n형 기판이라는 전제 하에 제조방법의 각 단계를 설명하기로 한다.
상기 반도체 기판인 n형 기판 후면에 형성된 후면 전계부(BSF, back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S11)는 후면 전계 효과를 유도할 수 있는 후면 전계부(120)를 형성하기 위한 것이다.
후면 전계부(120)는 n형 기판 후면에 n+ 도핑하여 형성된 영역을 말하며, 도핑된 농도에 의해 내부 전위차가 생기고 후면 쪽으로 전자의 이동이 어려워져 후면의 금속과 재결합을 막아주게 되어 개방전압(open-circuit voltage, Voc)의 상승과 함께 Fill Factor를 향상시킴으로써 태양전지의 효율 향상 시킬 수 있다.
상기 제1 도핑 페이스트는 제공된 반도체 기판과 동종의 불순물을 포함할 수 있다. 따라서 제공된 반도체 기판이 n형 기판인 경우, 상기 제1 도핑 페이스트는 n형 불순물로서 V족 원소인 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 도핑 페이스트는 인계 페이스트일 수 있다. 상기 인계 페이스트는 인, 알킬-인(alkyl-phosphorate), PSG(phosphersilicate glass) 등의 인계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 인계 페이스트는 예로서, 상기 인계 화합물, 실리콘계 폴리머 및 용매를 포함할 수 있다.
상기 n형 기판의 후면에 p형 에미터부 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S12)는 반도체 기판(110)의 후면에 p형 에미터부(130)를 형성하여 생성된 전자를 제2 전극(170)으로 용이하게 수집하기 위한 것이다.
상기 p형 에미터부는 상기 후면 전계부와 이격되도록 형성되므로, 상기 제2 도핑 페이스트는 상기 제1 도핑 페이스트와 인쇄 영역이 상호 중첩되지 않도록 인쇄되어야 한다.
상기 제2 도핑 페이스트는 p형 불순물로서 Ⅲ족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 등을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 보론계 페이스트는 보론, 알킬보론(alkyl borate), BSG(boronsilicate glass) 등의 보론계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 보론계 페이스트는 예로서, 상기 보론화합물, 실리콘계 폴리머 및 용매를 포함할 수 있다.
상기 n형 기판의 전면에 형성된 전면 전계층(FSF,front surface field) 형성용 제3 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S13)는 전면 전계층(FSF)(140)를 형성하기 위한 것이다. 전면 전계층(140)은 후면 전계부와 마찬가지로 n형 기판 전면에 n+ 도핑하여 형성된 층을 말하며, 도핑된 농도에 의해 내부 전위차가 생기고 전면 쪽으로 전자의 이동이 어려워져 개방전압(open-circuit voltage, Voc)의 상승 및 Fill Factor를 향상시킴으로써 태양전지의 효율 향상 시킬 수 있다. 상기 제3 도핑 페이스트는 상기 제1 도핑 페이스트와 마찬가지로 n형 불순물로서 V족 원소인 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등을 포함할 수 있다. 상기 제3 도핑페이스트는 상기 제1 도핑 페이스트와 동일하거나 상이할 수 있다.
(S11) 내지 (S13) 단계에서, 상기 제1 내지 제3 도핑 페이스트는 스크린 인쇄법에 의하여 기판상 인쇄할 수 있다. 상기 스크린 인쇄 후 80 내지 120℃에서 10 내지 30분 동안 방치하여 건조할 수 있다.
상기 스크린 인쇄는 SUS 마스크나 Poly 마스크를 이용하여 기판에 인쇄할 수 있으나, 반드시 이에 제한 되는 것은 아니다.
본 실시예에서 후면 전계부 형성용 제1 도핑 페이스트를 p형 에미터 형성용 제2 도핑 페이스트 보다 먼저 인쇄하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며 제2 도핑 페이스트가 제1 도핑 페이스트보다 먼저 인쇄되어도 무방하다.
공-확산(co-diffusion)하는 단계(S14)는 제1 내지 제3 도핑 페이스트가 인쇄 및 건조 완료된 기판을 확산로(diffusion furnace)에 장입 후 열처리하여 제1 내지 제3 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 기판 내로 주입되어 기판 후면의 후면 전계부와 p형 에미터부 그리고 기판 전면의 전면 전계부를 동시에 형성하는 단계를 의미한다. 상기 열처리는 800 내지 1,200℃에서 40 내지 120분 동안 이루어질 수 있다.
상기 공-확산 후 기판의 전면 또는 후면에는 각각 의도하지 않은 부산물층, 예를 들어, 상기 후면 전계부 하부 또는 전면 전계부 상부에는 PSG(phosphersilicate glass), 상기 p형 에미터부 하부에는 BSG(boronsilicate glass) 등이 형성될 수 있다. 상기 부산물층은 태양전지 내에서 전류 흐름을 차폐시킬 수 있다. 따라서, 상기 형성된 부산물층을 에칭하는 단계(S15)를 수행하여야 한다. 상기 에칭은 HF를 포함하는 용액을 이용하여 상기 부산물층을 제거할 수 있다.
다음으로, 상기 전면 전계부 상부에 반사방지막(150)을 형성하는 단계(S16), 상기 p형 에미터부 및 상기 후면 전계부가 형성된 기판 하부에 후면보호막(155)을 형성하는 단계(S17)를 수행할 수 있다.
반사방지막(150)은 태양 에너지를 받는 반도체 기판(110)의 전면에 형성되어 빛의 반사율을 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시킬 수 있다. 또한 반도체 기판(110)의 전면에 존재하는 실리콘과의 접촉 특성을 개선하여 태양 전지의 효율을 높일 수 있다. 따라서, 반사방지막(150)은 빛을 적게 반사하고 절연성이 있는 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대 산화알루미늄(Al2O3), 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2 또는 TiO4), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2) 또는 이들의 조합을 포함하는 산화물, 질화알루미늄(AlN), 질화규소(SiNx), 질화티타늄(TiN) 또는 이들의 조합을 포함하는 질화물, 산질화알루미늄(AlON), 산질화규소(SiON), 산질화티타늄(TiON) 또는 이들의 조합을 포함하는 산질화물을 포함할 수 있으며, 단일 층 또는 복수 층으로 형성될 수 있다.
또한, 알루미늄 페이스트를 이용하여 후면 전계부를 형성하는 종래기술과 달리, 후면 전계부 형성을 위하여 보론(B)이 도핑된 경우에는 후면보호막(155)이 더 형성될 수 있다. 후면보호막(155)의 형성에 의하여 개방전압을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 반사방지막(150) 및 후면보호막(155)은 질화규소(SiNx) 등을 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)에 의해 질화규소(SiNx)로부터 형성되거나 또는 ALD(atomic layer deposition)에 의해 산화알루미늄(Al2O3)으로부터 형성될 수 있으며, 단일층 또는 복수층으로 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 상기 후면 전계부(120)와 통전하는 제1 전극(160)을 형성하는 단계(S18) 및 상기 p형 에미터부(130)와 통전하는 제2 전극(170)을 형성하는 단계(S19)를 수행할 수 있다. 제1 전극(160)은 n형 기판과 통전하여 전자 가 이동하는 통로가 되며, 제2 전극(170)은 상기 p형 에미터부와 통전하여 p형 에미터에서 수집된 정공이 이동하는 통로가 된다.
예로서, 상기 제1 전극(160)은 은(Ag) 및 알루미늄 분말(Al)을 포함하는 페이스트 조성물을, 상기 제2 전극(170)은 은(Ag) 분말을 포함하는 페이스트 조성물을 기판에 각각 인쇄한 후 400℃ 내지 950℃, 바람직하게는 600℃ 내지 850℃에서 30초 내지 180초 정도 소성하는 단계(S20)를 진행하여 제조될 수 있다.
또한, 일반적으로 p-n 접합 형성을 위한 공정에서 기판의 에지 부분에도 불순물이 도핑될 수 있기 때문에, 태양전지의 제1 전극와 제2 전극이 전기적으로 연결되어 전지효율을 감소시키게 된다. 따라서, 소성 단계(S20) 이후, 아이솔레이션(isolation) 단계(S21)를 별도 진행하여 기판 에지의 도핑된 부분을 식각함으로서 전면 전극과 후면 전극을 서로 전기적으로 분리되도록 하여야 한다.
예로서, 상기 에지 아이솔레이션은 에칭 가스를 이용하여 에지의 도핑된 부분을 식각할 수 있다. 상기 에칭 가스는 Cl2, SF6, CF4, CHF3, C2F6, C3F8 및 C2H4 중의 어느 하나와 O2를 사용할 수 있다. 다른 예로서, 상기 에지 아이솔레이션은 HF, HNO3 또는 H2SO4 등을 이용하여 담금법으로 에지의 도핑된 부분을 식각하거나, 또는 레이저 (Laser)를 이용해서 도핑 부분을 제거할 수 있다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (10)
- n형 기판 후면에 후면 전계부(BSF, back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계;
상기 n형 기판 후면에 p형 에미터부 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계;
n형 기판 전면에 전면 전계부(FSF, front surface field) 형성용 제3 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 및
상기 제1 내지 제3 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 상기 n형 기판 내로 공-확산(co-diffusion)하는 단계를 포함하며,
상기 공-확산에 의하여 p형 에미터부 및 후면 전계부를 동시에 형성하는 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 공-확산 후,
상기 p형 에미터부 하부 및 후면 전계부 하부에 형성된 부산물층을 에칭하는 단계;
상기 전면 전계층 상부에 반사방지막을 형성하는 단계;
상기 p형 에미터부 및 상기 후면 전계부가 형성된 기판 후면에 후면보호막을 형성하는 단계;
상기 후면 전계부와 통전하는 제1 전극을 형성하는 단계;
상기 p형 에미터부와 통전하는 제2 전극을 형성하는 단계;
소성 단계; 및
아이솔레이션 단계를 포함하는 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 n형 기판 후면에 상기 제1 도핑 페이스트를 인쇄하기 전,
상기 n형 기판 전면에 텍스쳐링(texturing)하는 단계를 포함하는 IBC태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 및 제3 도핑 페이스트는 불순물로 인(P)을 포함하고,
상기 제2 도핑 페이스트는 불순물로 보론(B)을 포함하는 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제2항에 있어서,
상기 부산물층은 상기 p형 에미터부 하부에 형성된 BSG(boronsilicate glass) 및 상기 후면 전계부 하부 또는 상기 전면 전계층 상부에 형성된 PSG(phosphersilicate glass)인 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 도핑 페이스트를 스크린 인쇄법으로 기판상 인쇄한 후,
80 내지 120℃에서 10 내지 30분 동안 건조하는 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 공-확산은 온도 800 내지 1,200℃의 퍼니스(furnace)에서 40 내지 120 분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제2항에 있어서,
상기 아이솔레이션 단계는 Cl2, SF6, CF4, CHF3, C2F6, C3F8 및 C2H4 중의 어느 하나와 O2를 포함하는 가스로 기판 에지(edge)를 식각하는 방법, HF, HNO3 및 H2SO4 중 어느 하나 이상을 이용하여 담금법으로 에지의 도핑된 부분을 식각하는 방법 및 레이저 (Laser)를 이용해서 도핑 부분을 제거하는 방법 중 어느 하나의 방법을 적용하는 것을 특징으로 하는 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제2항에 있어서,
상기 반사방지막 및 후면 보호막은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)에 의해 질화규소(SiNx)로부터 형성되거나 ALD(atomic layer deposition)에 의해 산화알루미늄(Al2O3)으로부터 형성된 것인 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 IBC 태양전지.
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