KR101627028B1 - 양면형 태양전지의 제조방법 - Google Patents
양면형 태양전지의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 n형 기판 후면에 후면 전계층(BSF,back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 상기 n형 기판의 전면에 p형 에미터 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 상기 n형 기판 내로 공-확산(co-diffusion)하는 단계를 포함하여, 상기 공-확산에 의하여 p형 에미터층(emitter) 및 후면 전계층(BSF,back surface field)을 동시에 형성하는 양면형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 상기 태양전지 제조방법은 도핑 페이스트를 기판의 전·후면에 인쇄하여 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터층 및 후면 전계층을 동시에 형성함으로써 공정 효율성이 우수하고, 공정 단계를 줄여 비용을 감소시킬 수 있으며, 기존 설비의 교체 또는 추가없이 대량생산이 가능하다.
Description
본 발명은 양면형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로는, 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터층 및 후면 전계층을 동시에 형성하는 양면형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
태양전지는 태양광의 포톤(photon)을 전기로 변환시키는 pn 접합의 광전 효과를 이용하여 전기 에너지를 발생시킨다. 태양전지는 pn 접합이 구성되는 반도체 웨이퍼 또는 기판 상·하면에 각각 전면 전극과 후면 전극이 형성되어 있다. 태양전지는 반도체 웨이퍼에 입사되는 태양광에 의해 pn 접합의 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다.
최근, 태양전지에 있어서 개방전압(Voc)을 향상시켜 변환효율 및 Fill Factor를 개선하기 위한 방안들이 대두되고 있다.
예로서, 태양전지의 구조에서 전면에 고저항의 에미터(emitter)을 형성하여 개방전압(Voc)과 전류밀도(Jsc)를 높이고, 후면에 보론(B) 등을 이용하여 후면 전계층을 형성하고 반사방지막을 형성하여 개방전압을 향상시키는 방법이 있다. 일반적으로 상기 에미터 및 후면 전계층은 도핑가스로 POCl3이나 BBr3을 각각 이용하는 기상확산법에 의하여 형성될 수 있다. 도 1은 기상확산법을 이용하여 에미터 및 후면 전계층을 형성하는 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다. 도 1을 참고하면, 상기 기상확산법에 의하여 불순물을 주입시, 기판의 일면에만 선택적으로 도핑 가스를 확산시키는 것이 불가하므로, 후면 전계층 형성시에는 기판의 양면에 배리어층을 형성한 후, 후면 배리어층을 제거 후 BBr3 등의 도핑 가스를 주입하여 후면전계층을 형성하여야 한다. 또한, 기판 전면에 형성되는 n형 에미터층 역시 동일한 과정을 반복하여 도핑 가스를 주입하여야 한다.
따라서, 기상확산법으로 태양전지를 제조하는 경우 전체적으로 공정 단계가 많고 복잡하며, 특히, 후면 전계층 형성을 위하여 도핑 가스로 BBr3를 이용하는 경우 도핑이 균일하게 형성되지 않거나 후면 전계층을 에칭하는 것이 어렵다는 문제점이 존재한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 도핑 페이스트를 기판상 스크린 인쇄하여 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터 및 후면 전계층을 동시에 형성함으로써 공정 효율성이 우수한 양면형 태양전지의 제조방법을 제공하기 위함이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 공정 단계를 줄여 비용을 감소시킬 수 있는 양면형 태양전지의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 기존 설비의 교체 또는 추가없이 대량생산이 가능한 양면형 태양전지의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 상기 및 기타의 목적들은 하기 설명되는 본 발명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
본 발명의 하나의 관점은 n형 기판 후면에 후면 전계층(BSF,back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 상기 n형 기판의 전면에 p형 에미터 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 상기 n형 기판 내로 공-확산(co-diffusion)하는 단계를 포함하며, 상기 공-확산에 의하여 p형 에미터층(emitter) 및 후면 전계층(BSF,back surface field)을 동시에 형성하는 양면형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.
상기 n형 기판 후면(後面)에 제1 불순물을 주입하는 단계; 상기 제1 불순물이 주입된 n형 기판 후면에 선택적으로 제1 도핑 페이스트를 인쇄 후 건조하는 단계; 상기 n형 기판의 전면에 제2 불순물을 주입하는 단계; 상기 제2 불순물이 주입된 n형 기판 전면에 선택적으로 제2 도핑페이스트를 인쇄 후 건조하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 도핑 페이스트에 포함된 불순물을 상기 n형 기판 내로 공-확산시켜 선택적 에미터를 형성할 수 있다.
상기 공-확산 후, 상기 p형 에미터층 상부 및 상기 후면 전계층 하부에 형성된 부산물층을 에칭하는 단계; 상기 p형 에미터층 상부에 반사방지막을, 상기 후면 전계층 하부에 후면보호막(passivation)을 각각 형성하는 단계; 상기 p형 에미터층과 통전하는 전면 전극을 형성하는 단계; 상기 후면 전계층과 통전하는 후면 전극을 형성하는 단계; 소성하는 단계; 및 아이솔레이션 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 n형 기판 후면에 상기 제1 도핑 페이스트를 인쇄하기 전, 상기 n형 기판 전면에 텍스쳐링(texturing)하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 도핑 페이스트는 불순물로 인(P)을 포함하고, 상기 제2 도핑 페이스트는 불순물로 보론(B)을 포함할 수 있다.
상기 제1 불순물은 n형 불순물이고, V족 원소인 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)을 포함하고, 상기 제2 불순물은 p형 불순물이고, Ⅲ족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)을 포함할 수 있다.
상기 부산물층은 상기 p형 에미터층 상부에 형성된 BSG(boronsilicate glass) 및 상기 후면 전계층 하부에 형성된 PSG(phosphersilicate glass)일 수 있다.
상기 도핑 페이스트를 스크린 인쇄법으로 기판상 인쇄한 후, 80 내지 120℃에서 10 내지 30분 동안 건조할 수 있다.
상기 공-확산은 온도 800 내지 1,200℃의 퍼니스(furnace)에서 40 내지 120 분 동안 이루어질 수 있다.
상기 아이솔레이션 단계는 Cl2, SF6, CF4, CHF3, C2F6, C3F8 및 C2H4 중의 어느 하나와 O2를 포함하는 가스로 기판 에지(edge)를 식각하는 방법, HF, HNO3 및 H2SO4 중 어느 하나 이상을 이용하여 담금법으로 에지의 도핑된 부분을 식각하는 방법 및 레이저 (Laser)를 이용해서 도핑 부분을 제거하는 방법 중 어느 하나의 방법을 적용한 것일 수 있다.
상기 반사방지막 및 후면보호막은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)에 의해 질화규소(SiNx)로부터 형성되거나 또는 ALD(atomic layer deposition)에 의해 산화알루미늄(Al2O3)으로부터 형성된 것일 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 상기 제조방법으로 제조된 양면형 태양전지에 관한 것이다.
본 발명의 양면형 태양전지 제조방법은 도핑 페이스트를 기판의 전·후면에 인쇄하여 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터층 및 후면 전계층을 동시에 형성함으로써 공정 효율성이 우수하고, 공정 단계를 줄여 비용을 감소시킬 수 있으며, 기존 설비의 교체 또는 추가없이 대량생산이 가능하다.
도 1은 기상확산법을 이용한 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양면형 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 양면형 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양면형 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양면형 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 양면형 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양면형 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 출원의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 본 출원에 개시된 기술은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 출원의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면에서 각 장치의 구성요소를 명확하게 표현하기 위하여 상기 구성요소의 폭이나 두께 등의 크기를 다소 확대하여 나타내었다. 또한, 설명의 편의를 위하여 구성요소의 일부만을 도시하기도 하였으나, 당업자라면 구성요소의 나머지 부분에 대하여도 용이하게 파악할 수 있을 것이다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 이는 상기 일 요소가 다른 요소 위 또는 아래에 바로 위치하거나 또는 그들 요소들 사이에 추가적인 요소가 개재될 수 있다는 의미를 모두 포함한다. 또한, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 출원의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 출원의 사상을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 그리고, 복수의 도면들 상에서 동일 부호는 실질적으로 서로 동일한 요소를 지칭한다.
본 발명에서 '상부' 및 '하부'는 설명을 용이하게 하기 위해 도면상 기준으로 한 것이며, 절대적인 것은 아니다.
양면형 태양전지의 제조방법
본 발명은 반도체 기판의 전면과 후면에 도핑 페이스트를 인쇄하고, 공-확산(co-diffusion)에 의하여 에미터층(emitter) 및 후면 전계층(BSF,back surface field)을 동시에 형성하는 양면형 태양전지(Bifacial Solar Cell)의 제조방법에 관한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양면형 태양전지(100)의 구조를 간략히 도시한 개략도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 양면형 태양전지의 제조방법을 도시한 흐름도이다. 도 2 및 3을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 양면형 태양전지의 제조방법을 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 일 실시예에 따른 양면형 태양전지의 제조방법은 n형 기판 전면에 텍스쳐링(texturing)하는 단계(S10); 상기 n형 기판 후면에 후면 전계층(BSF,back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S11); 상기 n형 기판의 전면에 p형 에미터 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S12); 상기 제1 및 제2 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 상기 n형 기판 내로 공-확산하는 단계(S13); 상기 p형 에미터층 상부 및 상기 후면 전계층 하부에 형성된 부산물층을 에칭하는 단계(S14); 상기 p형 에미터층 상부에 반사방지막을, 상기 후면 전계층 하부에 후면보호막(passivation)을 각각 형성하는 단계(S15); 상기 p형 에미터층과 통전하는 전면 전극을 형성하는 단계(S16); 상기 후면 전계층과 통전하는 후면 전극을 형성하는 단계(S17); 소성하는 단계(S18); 및 아이솔레이션 단계(S19)를 포함할 수 있다.
상기 텍스쳐링(texturing)하는 단계(S10)는 제공된 반도체 기판(110)의 전면에 피라미드 등의 형태의 요철을 형성하여 표면 거칠기를 증가시키고, 이로써 반도체 기판의 전면을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 반도체 기판과 에미터층의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있으며 광 손실을 최소화할 수 있다.
반도체 기판(110)은 광이 입사되는 수광면인 전면 및 상기 전면과 대향하는 후면을 포함하고, 단결정 또는 다결정인 결정질 규소 또는 화합물 반도체로 만들어질 수 있으며, 결정질 규소의 경우 예컨대 실리콘 웨이퍼가 사용될 수 있다. 반도체 기판(110)으로는 n형 불순물(dopant)로 도핑된 n형 기판을 사용할 수 있다. 이 때 n형 불순물은 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb)과 같은 V족 원소를 포함하는 물질일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 이하, 제공된 반도체 기판(110)이 n형 기판이라는 전제 하에 제조방법의 각 단계를 설명하기로 한다.
상기 반도체 기판인 n형 기판 후면에 후면 전계층(BSF,back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S11)는 후면 전계 효과를 유도할 수 있는 후면 전계층(140)을 형성하기 위한 것이다.
후면 전계층(140)은 n형 기판 후면에 n+ 도핑하여 형성된 층을 말하며, 도핑된 농도에 의해 내부 전위차가 생기고 후면 쪽으로 전자의 이동이 어려워져 후면의 금속과 재결합을 막아주게 되어 개방전압(open-circuit voltage, Voc)의 상승과 함께 Fill Factor를 향상시킴으로써 태양전지의 효율 향상 시킬 수 있다.
상기 제1 도핑 페이스트는 제공된 반도체 기판과 동종의 불순물을 포함할 수 있다. 따라서 제공된 반도체 기판이 n형 기판인 경우, 상기 제1 도핑 페이스트는 n형 불순물로서 V족 원소인 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 제1 도핑 페이스트는 인계 페이스트일 수 있다. 상기 인계 페이스트는 인, 알킬-인(alkyl-phosphorate), PSG(phosphersilicate glass) 등의 인계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 인계 페이스트는 예로서, 상기 인계 화합물, 실리콘계 폴리머 및 용매를 포함할 수 있다.
상기 n형 기판의 전면에 p형 에미터 형성용 제2 도핑 페이스트를 인쇄 및 건조하는 단계(S12)는 반도체 기판(110)의 전면에 p형 에미터층(120)이 형성하여 생성된 전자를 전면 전극(160)으로 용이하게 수집하기 위한 것이다.
상기 제2 도핑 페이스트는 p형 불순물로서 Ⅲ족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 등을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 보론계 페이스트는 보론, 알킬보론(alkyl borate), BSG(boronsilicate glass) 등의 보론계 화합물을 포함할 수 있다. 상기 보론계 페이스트는 예로서, 상기 보론화합물, 실리콘계 폴리머 및 용매를 포함할 수 있다.
(S11) 및 (S12) 단계에서, 상기 제1 및 제2 도핑 페이스트는 스크린 인쇄법에 의하여 기판상 인쇄할 수 있다. 상기 스크린 인쇄 후 80 내지 120℃에서 10 내지 30분 동안 방치하여 건조할 수 있다.
상기 스크린 인쇄는 SUS 마스크나 Poly 마스크를 이용하여 기판에 인쇄할 수 있으나, 반드시 이에 제한 되는 것은 아니다.
본 실시예에서 후면 전계층 형성용 제1 도핑페이스트를 p형 에미터 형성용 제2 도핑페이스트 보다 먼저 인쇄하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며 제2 도핑페이스트가 제1 도핑페이스트보다 먼저 인쇄되어도 무방하다.
공-확산(co-diffusion)하는 단계(S13)는 제1 및 제2 도핑 페이스트가 인쇄 및 건조 완료된 기판을 확산로(diffusion furnace)에 장입 후 열처리하여 제1 및 제2 도핑 페이스트에 포함된 불순물이 기판 내로 주입되어 기판 후면의 후면 전계층과 기판 전면의 p형 에미터를 동시에 형성하는 단계를 의미한다. 상기 열처리는 800 내지 1,200℃에서 40 내지 120분 동안 이루어질 수 있다.
상기 공-확산 후 기판의 전면 또는 후면에는 각각 의도하지 않은 부산물층, 예를 들어, 상기 후면 전계층 하부에 형성된 PSG(phosphersilicate glass), 상기 p 형 에미터 상부에 형성된 BSG(boronsilicate glass) 등이 형성될 수 있다. 상기 부산물층은 태양전지 내에서 전류 흐름을 차폐시킬 수 있다.
따라서, 상기 형성된 p형 에미터층(120) 상부 및 상기 후면 전계층(140) 하부에 형성된 부산물층을 에칭하는 단계(S14)를 수행하여야 한다.
상기 에칭은 HF를 포함하는 용액을 이용하여 상기 부산물층을 제거할 수 있다.
다음으로, 상기 p형 에미터층 상부에 반사방지막(130)을 상기 후면 전계층 하부에 후면보호막(passivation)(150)을 각각 형성하는 단계(S15)를 수행할 수 있다.
반사방지막(130)은 태양 에너지를 받는 반도체 기판(110)의 전면에 형성되어 빛의 반사율을 줄이고 특정한 파장 영역의 선택성을 증가시킬 수 있다. 또한 반도체 기판(110)의 전면에 존재하는 실리콘과의 접촉 특성을 개선하여 태양 전지의 효율을 높일 수 있다. 따라서, 반사방지막(130)은 빛을 적게 반사하고 절연성이 있는 물질을 포함할 수 있으며, 예컨대 산화알루미늄(Al2O3), 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2 또는 TiO4), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2) 또는 이들의 조합을 포함하는 산화물, 질화알루미늄(AlN), 질화규소(SiNx), 질화티타늄(TiN) 또는 이들의 조합을 포함하는 질화물, 산질화알루미늄(AlON), 산질화규소(SiON), 산질화티타늄(TiON) 또는 이들의 조합을 포함하는 산질화물을 포함할 수 있으며, 단일 층 또는 복수 층으로 형성될 수 있다.
또한, 알루미늄 페이스트를 이용하여 후면 전계층을 형성하는 종래기술과 달리, 후면 전계층 형성을 위하여 보론(B)이 도핑된 경우에는 후면보호막(150)이 더 형성될 수 있다. 후면보호막(150)의 형성에 의하여 개방전압을 보다 향상시킬 수 있다.
상기 반사방지막(130) 및 후면보호막(150)은 질화규소(SiNx) 등을 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)에 의해 질화규소(SiNx)로부터 형성되거나 또는 ALD(atomic layer deposition)에 의해 산화알루미늄(Al2O3)으로부터 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 p형 에미터층과 통전하는 전면 전극(160)을 형성하는 단계(S16) 및 상기 n형 기판과 통전하는 후면 전극(170)을 형성하는 단계(S17)를 수행할 수 있다. 전면 전극(160)은 상기 p형 에미터층과 통전하며 p형 에미터에서 수집된 전자가 이동하게 되며, 후면 전극(170)은 n형 기판과 통전하며 전류가 흐르는 통로가 된다.
예로서, 상기 전면 전극(160)은 은(Ag) 분말을 포함하는 페이스트 조성물을, 상기 후면 전극(170)은 은(Ag) 및 알루미늄 분말(Al)을 포함하는 페이스트 조성물을 기판에 인쇄한 후 400℃ 내지 950℃, 바람직하게는 600℃ 내지 850℃에서 30초 내지 180초 정도 소성하는 단계(S18)를 진행하여 제조될 수 있다.
또한, 일반적으로 p-n 접합 형성을 위한 공정에서 기판의 에지 부분에도 불순물이 도핑될 수 있기 때문에, 태양전지의 전면과 후면 전극이 전기적으로 연결되어 전지효율을 감소시키게 된다. 따라서, 소성 단계(S18) 이후, 아이솔레이션(isolation) 단계(S19)를 별도 진행하여 기판 에지의 도핑된 부분을 식각함으로서 전면 전극과 후면 전극을 서로 전기적으로 분리되도록 하여야 한다.
예로서, 상기 에지 아이솔레이션은 에칭 가스를 이용하여 에지의 도핑된 부분을 식각할 수 있다. 상기 에칭 가스는 Cl2, SF6, CF4, CHF3, C2F6, C3F8 및 C2H4 중의 어느 하나와 O2를 사용할 수 있다. 다른 예로서, 상기 에지 아이솔레이션은 HF, HNO3 및 H2SO4 중 어느 하나 이상을 이용하여 담금법으로 에지의 도핑된 부분을 식각하거나, 또는 레이저 (Laser)를 이용해서 도핑 부분을 제거할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 양면형 태양전지의 구조를 간략히 도시한 개략도이다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 양면형 태양전지(200)는 p형 에미터층(120)과 후면 전계층(140)에 고농도 도핑부(180, 190)와 저농도 도핑부(125, 145)각 각각 형성된 선택적 에미터(selective emitter)인 것을 제외하고 전술한 도 1의 실시예와 동일한 구성으로 제조될 수 있다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 설명을 생략한다.
일반적으로, 태양전지의 효율은 에미터에 도핑된 불순물의 농도에 영향을 받는다. 예를 들면 에미터에 도핑된 불순물의 농도가 낮은 경우, 즉 에미터가 저농도 도핑부로 형성된 경우에는 전자와 정공의 재결합(recombination)이 감소하여 단락전류밀도(Jsc) 및 개방전압(Voc)이 증가하는 효과를 얻을 수 있지만, 접촉저항이 증가하여 Fill Factor가 감소하는 단점이 발생할 수 있다.
그리고 도핑된 불순물의 농도가 높은 경우, 즉 에미터가 고농도 도핑부로 형성된 경우에는 접촉저항이 감소하여 Fill Factor가 증가하는 효과를 얻을 수 있지만, 단락전류밀도(Jsc) 및 개방전압(Voc)이 감소하는 단점이 발생할 수 있다.
선택적 에미터는 저농도 도핑부와 고농도 도핑부의 장점을 모두 얻기 위해 개발된 것으로, 상술한 바와 같이 에미터부가 고농도 도핑부와 저농도 도핑부를 포함하며, 상기 고농도 도핑부와 저농도 도핑부는 서로 상이한 불순물 농도로 형성될 수 있다.
예를 들면, 고농도 도핑부(180, 190)는 저농도 도핑부(125, 145)에 비해 높은 농도로 불순물을 도핑하여 형성된다. 이와 같이, 본 실시예의 p형 에미터층(120)과 후면 전계층(140)은 전술한 도 1의 실시예와는 달리 불순물의 도핑 농도가 불균일하게 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 n형 기판 전면(前面)에 텍스쳐링(texturing)하는 단계(S20); 상기 n형 기판 후면(後面)에 제1 불순물을 주입하는 단계(S21); 상기 제1 불순물이 주입된 n형 기판 후면에 선택적으로 제1 도핑 페이스트를 인쇄 후 건조하는 단계(S22); 상기 n형 기판의 전면에 제2 불순물을 주입하는 단계(S23); 상기 제2 불순물이 주입된 n형 기판 전면에 선택적으로 제2 도핑페이스트를 인쇄 후 건조하는 단계(S24); 상기 제1 및 제2 도핑 페이스트에 포함된 불순물을 상기 n형 기판 내로 공-확산시켜 p형 에미터층과 후면 전계층을 형성하는 단계(S25); 상기 p형 에미터층 상부 및 상기 후면 전계층 하부에 형성된 부산물층을 에칭하는 단계(S26); 상기 p형 에미터층 상부에 반사방지막을, 상기 후면 전계층 하부에 후면보호막(passivation)을 각각 형성하는 단계(S27); 상기 p형 에미터층과 통전하는 전면 전극을 형성하는 단계(S28); 상기 후면 전계층과 통전하는 후면 전극을 형성하는 단계(S29); 소성하는 단계(S30); 및 아이솔레이션 단계(S31)를 포함할 수 있다.
상기 제1 불순물은 제1 도핑페이스트와 마찬가지로 n형 불순물로서 V족 원소인 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 등을 포함할 수 있다.
상기 제2 불순물은 제2 도핑 페이스트와 마찬가지로 p형 불순물로서 Ⅲ족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 등을 포함할 수 있다.
(S21) 및 (S23) 단계에서, 상기 제1 불순물과 제2 불순물은 기판 내로 주입시 공지의 이온 주입법(ion implantation) 또는 APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition System)법에 의하여 주입될 수 있으며, 기판의 전면(全面)에 저농도의 불순물을 균일하게 주입할 수 있으나 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
(S22) 단계 및 (S24) 단계는 고농도 도핑부를 형성하기 위한 것으로, 도 4를 참고하면, 제1 도핑페이스트 및 제2 도핑페이스트를 전면 전극(160)과 후면 전극(170)이 형성되는 영역에만 각각 선택적으로 인쇄한 후 공확산 단계를 거쳐 고농도 도핑부(180, 190)를 각각 형성할 수 있다. 본 발명에서 '선택적으로 인쇄'하는 것은 기판의 전(全)영역 중 특정 영역에만 선택적으로 인쇄하는 것을 의미한다.
본 발명의 단순한 변형 또는 변경은 모두 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (13)
- n형 기판 후면(後面)에 제1 불순물을 주입하는 단계;
상기 제1 불순물이 주입된 n형 기판 후면에 선택적으로 후면 전계층(BSF,back surface field) 형성용 제1 도핑 페이스트를 인쇄 후 건조하는 단계;
상기 n형 기판의 전면에 제2 불순물을 주입하는 단계;
상기 제2 불순물이 주입된 n형 기판 전면에 선택적으로 p형 에미터 형성용 제2 도핑페이스트를 인쇄 후 건조하는 단계; 및
상기 제1 및 제2 도핑 페이스트에 포함된 불순물을 상기 n형 기판 내로 공-확산(co-diffusion)시켜 선택적 에미터를 형성하는 단계를 포함하며,
상기 공-확산에 의하여 p형 에미터층(emitter) 및 후면 전계층을 동시에 형성하는 양면형 태양전지의 제조방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 공-확산 후,
상기 p형 에미터층 상부 및 상기 후면 전계층 하부에 형성된 부산물층을 에칭하는 단계;
상기 p형 에미터층 상부에 반사방지막을, 상기 후면 전계층 하부에 후면보호막(passivation)을 각각 형성하는 단계;
상기 p형 에미터층과 통전하는 전면 전극을 형성하는 단계;
상기 후면 전계층과 통전하는 후면 전극을 형성하는 단계;
소성하는 단계; 및
아이솔레이션 단계를 포함하는 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 n형 기판 후면에 상기 제1 도핑 페이스트를 인쇄하기 전,
상기 n형 기판 전면에 텍스쳐링(texturing)하는 단계를 포함하는 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 도핑 페이스트는 불순물로 인(P)을 포함하고,
상기 제2 도핑 페이스트는 불순물로 보론(B)을 포함하는 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 불순물은 n형 불순물이고, V족 원소인 인(P), 비소(As) 또는 안티몬(Sb)을 포함하고,
상기 제2 불순물은 p형 불순물이고, Ⅲ족 원소인 보론(B), 알루미늄(Al) 또는 갈륨(Ga)을 포함하는 것인 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 부산물층은 상기 p형 에미터층 상부에 형성된 BSG(boronsilicate glass) 및 상기 후면 전계층 하부에 형성된 PSG(phosphersilicate glass)인 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 도핑 페이스트를 스크린 인쇄법으로 기판상 인쇄한 후, 80 내지 120℃에서 10 내지 30분 동안 건조하는 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 공-확산은 온도 800 내지 1,200℃의 퍼니스(furnace)에서 40 내지 120 분 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 아이솔레이션 단계는 Cl2, SF6, CF4, CHF3, C2F6, C3F8 및 C2H4 중의 어느 하나와 O2를 포함하는 가스로 기판 에지(edge)를 식각하는 방법, HF, HNO3 및 H2SO4 중 어느 하나 이상을 이용하여 담금법으로 에지의 도핑된 부분을 식각하는 방법 및 레이저 (Laser)를 이용해서 도핑 부분을 제거하는 방법 중 어느 하나의 방법을 적용하는 것을 특징으로 하는 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제3항에 있어서,
상기 반사방지막 및 상기 후면보호막은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)에 의해 질화규소(SiNx)로부터 형성되거나 ALD(atomic layer deposition)에 의해 산화알루미늄(Al2O3)으로부터 형성된 것인 IBC 태양전지의 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 제1 불순물 및 상기 제2 불순물은 이온 주입법(ion implantation) 또는 APCVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition System)법에 의하여 기판 내로 주입되는 것인 양면형 태양전지의 제조방법.
- 제1항, 제3항 내지 제12항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 양면형 태양전지.
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