KR101626905B1

KR101626905B1 - Semiconductor light emitting device

Info

Publication number: KR101626905B1
Application number: KR1020140153693A
Authority: KR
Inventors: 진근모; 전수근
Original assignee: 주식회사 세미콘라이트
Priority date: 2014-11-06
Filing date: 2014-11-06
Publication date: 2016-06-03
Also published as: KR20160054692A

Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 전극부; 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 제1 상부 전극; 제1 상부 전극 아래에서 제1 상부 전극 바깥으로 뻗는 제1 가지 전극; 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 제1 가지 전극을 연결하는 제1 전기적 연결; 그리고 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 복수의 반도체층을 전기적으로 연통하되, 제1 가지 전극의 연장선상에서 벗어나 있는 제2 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising: a plurality of semiconductor layers having a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, and an active layer; A first electrode portion; A second electrode portion; And an insulating reflection layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer, wherein at least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes: a first upper electrode formed on the insulating reflection layer; A first branched electrode extending from the first upper electrode to the outside of the first upper electrode; A first electrical connection that passes through the insulating reflective layer and connects the first upper electrode and the first branched electrode; And a second electrical connection electrically connecting the first upper electrode and the plurality of semiconductor layers through the insulating reflection layer, the second electrical connection being deviated from an extension line of the first branched electrode.

Description

Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 작은 사이즈의 소자에서 금속에 의한 광흡수 손실을 줄이고, 발광의 균일성을 확보한 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device that reduces light absorption loss caused by metal in a small-sized device and ensures uniformity of light emission.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다.FIG. 1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, electrodes 901, 902 and 903 functioning as reflective films formed on the p-type semiconductor layer 500, And an n-side bonding pad 800 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300.

이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 일 측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩(filp chip)이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.A chip having such a structure, that is, a chip in which both the electrodes 901, 902, 903 and the electrode 800 are formed on one side of the substrate 100 and the electrodes 901, 902, 903 function as a reflection film is called a flip chip . Electrodes 901,902 and 903 may be formed of a highly reflective electrode 901 (e.g., Ag), an electrode 903 (e.g., Au) for bonding, and an electrode 902 (not shown) to prevent diffusion between the electrode 901 material and the electrode 903 material. For example, Ni). Such a metal reflection film structure has a high reflectance and an advantage of current diffusion, but has a disadvantage of light absorption by a metal.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수를 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활치 못한 단점이 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, a buffer layer 200, a buffer layer 200 formed on the substrate 100, An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500 grown on the n- A p-side bonding pad 700 formed on the transparent conductive film 600, and an n-side bonding pad (not shown) formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching 800). A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600. According to this structure, although the absorption of light by the metal reflection film 904 is reduced, the current diffusion is less smooth than that using the electrodes 901, 902, and 903.

도 3은 미국 등록특허공보 제6,307,218호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자가 대면적화됨(예를 들어, 가로/세로가 1000um/1000um)에 따라, p측 본딩 패드(700)와 n측 본딩 패드로 기능하는 n측 전극(800)에 같은 간격을 가지는 가지 전극을 구비함으로써, 전류 확산을 개선하고 있으며, 더하여 충분한 전류 공급을 위해 p측 본딩 패드(700)와 n측 전극(800)이 각각 두 개씩 마련되어 있다. 복수의 가지 전극(710,810)과 복수의 본딩 패드가 도입되어 있지만, 이들의 도입은 발광 면적의 감소 등을 가져와 발광효율을 감소시키는 역기능을 포함한다.3 shows an example of the electrode structure disclosed in U.S. Patent No. 6,307,218, in which the light emitting element is made large (for example, 1000 μm / 1000 μm horizontally / vertically), the p-side bonding pad 700 Side bonding pad and the n-side electrode 800 functioning as the n-side bonding pad are provided with branch electrodes having the same interval to improve the current diffusion. In addition, the p-side bonding pad 700 and the n- (800) are provided in each case. Although a plurality of branch electrodes 710 and 810 and a plurality of bonding pads are introduced, their introduction involves a reduction in the light emitting area and the like, and thus includes an inverse function of reducing the luminous efficiency.

도 4는 미국 공개특허공보 제2007-0096115호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 직사각형 형상(예를 들어, 가로/세로가 600um/300um)의 발광소자에 있어서 전류 확산의 도모를 위해 p측 본딩 패드(700)와 n측 본딩 패드로 기능하는 n측 전극(800) 각각에 가지 전극(710)과 가지 전극(810)이 구비되어 있다.Fig. 4 is a view showing an example of the electrode structure disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2007-0096115. In order to diffuse current in a light emitting device having a rectangular shape (for example, 600 [mu] m / 300 [ a branched electrode 710 and a branch electrode 810 are provided on each of the p-side bonding pad 700 and the n-side electrode 800 functioning as an n-side bonding pad.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극부; 제2 반도체층과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 제1 상부 전극; 제1 상부 전극 아래에서 제1 상부 전극 바깥으로 뻗는 제1 가지 전극; 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 제1 가지 전극을 연결하는 제1 전기적 연결; 그리고 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 복수의 반도체층을 전기적으로 연통하되, 제1 가지 전극의 연장선상에서 벗어나 있는 제2 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, And a plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and having an active layer that generates light by recombination of electrons and holes; A first electrode portion that is in electrical communication with the first semiconductor layer and supplies one of electrons and holes; A second electrode portion that is in electrical communication with the second semiconductor layer and supplies the remaining one of electrons and holes; And an insulating reflection layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer, wherein at least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes: a first upper electrode formed on the insulating reflection layer; A first branched electrode extending from the first upper electrode to the outside of the first upper electrode; A first electrical connection that passes through the insulating reflective layer and connects the first upper electrode and the first branched electrode; And a second electrical connection electrically connecting the first upper electrode and the plurality of semiconductor layers through the insulating reflection layer, the second electrical connection being deviated from an extension line of the first branched electrode.

본 개시에 따른 다른 하나의 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층;으로서, 단변(short edge), 단변에 대향하는 타 단변, 장변(long edge), 및 장변에 대향하는 타 장변을 가지는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층; 절연성 반사층 위에 형성된 제1 상부 전극 및 제2 상부 전극;으로서, 단변 측에 구비된 제1 상부 전극, 타 단변 측에 구비된 제2 상부 전극; 각각 절연성 반사층을 관통하여 제1 반도체층과 제1 상부 전극을 전기적으로 연통하는 제1 전기적 연결 및 제2 전기적 연결;로서, 제2 전기적 연결이 제1 전기적 연결보다 장변으로부터 멀리 위치하는 제1 전기적 연결 및 제2 전기적 연결; 각각 절연성 반사층을 관통하여 제2 반도체층과 제2 상부 전극을 전기적으로 연통하는 제3 전기적 연결 및 제4 전기적 연결;로서, 제4 전기적 연결이 제3 전기적 연결보다 타 장변으로부터 멀리 위치하는 제3 전기적 연결 및 제4 전기적 연결; 제1 전기적 연결과 연결되며, 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 장변 측 제1 반도체층 위에서 제1 상부 전극의 아래로부터 제2 상부 전극의 아래로 뻗는 제1 가지 전극; 그리고 제3 전기적 연결과 연결되며, 타 장변 측 제2 반도체층과 광 반사층 사이에서 제2 상부 전극의 아래로부터 제1 상부 전극의 아래로 뻗는 제2 가지 전극;을 포함하며, 제2 전기적 연결과 제4 전기적 연결의 사이에는 단변으로부터 타 단변을 향하는 방향 및 타 단변으로부터 단변을 향하는 방향으로 형성된 가지 전극이 없는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and including an active layer which generates light by recombination of electrons and holes, the semiconductor layer comprising a short edge, A plurality of semiconductor layers having a short side, a long edge, and a long side opposite to the long side; An insulating reflective layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer; A first upper electrode and a second upper electrode formed on the insulating reflection layer, wherein the first upper electrode and the second upper electrode are formed on the short side and the second side, respectively; A first electrical connection and a second electrical connection for electrically connecting the first semiconductor layer and the first upper electrode, respectively, through the insulating reflective layer, wherein the second electrical connection comprises a first electrical connection A connection and a second electrical connection; A third electrical connection and a fourth electrical connection for electrically communicating the second semiconductor layer and the second upper electrode, respectively, through the insulating reflective layer, wherein the fourth electrical connection is a third electrical connection that is located farther from the third electrical connection than the third electrical connection, Electrical connection and fourth electrical connection; A first branched electrode connected to the first electrical connection and extending from the bottom of the first upper electrode to the bottom of the second upper electrode on the exposed long side semiconductor layer on the exposed side of the second semiconductor layer and the active layer; And a second branched electrode connected to the third electrical connection and extending from below the second upper electrode to below the first upper electrode between the other side semiconductor layer and the light reflection layer, And no branch electrode is formed between the short side and the other short side between the fourth electrical connection and the short side from the other short side.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 미국 등록특허공보 제6,307,218호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면
도 4는 미국공개특허공보 제2007-0096115호에 개시된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 도 5에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 13은 도 12에 제시된 반도체 발광소자의 발광 사진,
도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면,
도 15는 도 14에 제시된 반도체 발광소자의 발광 사진,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-20913,
3 is a view showing an example of the electrode structure disclosed in U.S. Patent No. 6,307,218
4 is a view showing an example of an electrode structure disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2007-0096115,
5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 6 is a view for explaining an example of a cross section cut along the line AA in FIG. 5,
7 is a view for explaining an example of a method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view for explaining other examples of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
11 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
12 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 13 is a photograph of light emission of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 12,
14 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 15 is a photograph of light emission of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 14,
16 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 6은 도 5에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하는 도면이다. 도 5b는 도 5a에 제시된 반도체 발광소자의 발광 테스트 사진이다.FIG. 5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 6 is a view for explaining an example of a cross section cut along the line A-A in FIG. 5B is a photograph of a light emission test of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 5A.

반도체 발광소자는 복수의 반도체층(30,40,50), 제1 전극부(80,85,81a,81b), 제2 전극부(70,75,71a,71b), 및 절연성 반사층(R)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50)은 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50), 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층(40)을 포함한다. 제1 전극부(80,85,81a,81b)는 제1 반도체층(30)과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 하나를 공급하며, 제2 전극부(70,75,71a,71b)는 제2 반도체층(50)과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급한다. 절연성 반사층(R)은 복수의 반도체층(30,40,50) 위에 형성되며, 활성층(40)으로부터의 빛을 반사한다.The semiconductor light emitting element includes a plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50, first electrode portions 80, 85, 81a and 81b, second electrode portions 70 and 75, 71a and 71b, . The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a first semiconductor layer 30 having a first conductivity, a second semiconductor layer 50 having a second conductivity different from the first conductivity, And an active layer 40 interposed between the first semiconductor layer 50 and the second semiconductor layer 50 and generating light by recombination of electrons and holes. The first electrode portions 80, 85, 81a, and 81b are in electrical communication with the first semiconductor layer 30 to supply electrons and holes. The second electrode portions 70, 75, 71a, 2 semiconductor layer 50 and supplies the remaining one of electrons and holes. The insulating reflection layer R is formed on the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 and reflects light from the active layer 40.

본 개시에서 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는 절연성 반사층(R) 위에 형성된 상부 전극, 위에서 볼 때, 상부 전극 아래에서 상부 전극 바깥으로 뻗는 가지 전극, 절연성 반사층(R)을 관통하며 상부 전극과 가지 전극을 연결하는 전기적 연결(an electrical connection), 절연성 반사층(R)을 관통하며 상부 전극과 복수의 반도체층(30,40,50)을 전기적으로 연통하되, 가지 전극의 연장선상에서 벗어나 있는 전기적 연결을 포함한다. 이와 같은, 가지 전극과 전기적 연결의 배치는 제1 전극부(80,85,81a,81b) 및 제2 전극부(70,75,71a,71b) 중 하나에만 적용될 수도 있지만, 본 예에서는 제1 전극부(80,85,81a,81b) 및 제2 전극부(70,75,71a,71b) 모두 이러한 방식의 구성을 가진다.At least one of the first electrode portion and the second electrode portion in the present disclosure includes an upper electrode formed on the insulating reflection layer R, a branched electrode extending from the upper electrode to the outside of the upper electrode, an insulating reflection layer R An electrical connection for connecting the upper electrode and the branch electrode is formed in the upper electrode and the upper electrode so as to electrically connect the upper electrode and the plurality of semiconductor layers (30, 40, 50) through the insulating reflection layer (R) Includes an electrical connection. The arrangement of the electrical connection with the branch electrode may be applied to only one of the first electrode unit 80, 85, 81a, 81b and the second electrode unit 70, 75, 71a, 71b, The electrode portions 80, 85, 81a, 81b and the second electrode portions 70, 75, 71a, 71b all have such a configuration.

본 예에서 반도체 발광소자는 상부 전극이 절연성 반사층(R)을 기준으로 복수의 반도체층(30,40,50)의 반대 측에 구비되는 플립칩(flip chip)이다. 제1 전극부(80,85,81a,81b)는 제1 상부 전극(80), 제1 가지 전극(85), 제1 전기적 연결(81a), 및 제2 전기적 연결(81b)을 포함하며, 제2 전극부(70,75,71a,71b)는 제2 상부 전극(70), 제2 가지 전극(75), 제3 전기적 연결(71a), 및 제4 전기적 연결(71b)을 포함한다. In this embodiment, the semiconductor light emitting device is a flip chip in which the upper electrode is provided on the opposite side of the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50 with respect to the insulating reflection layer R. The first electrode portions 80,85,81a and 81b include a first upper electrode 80, a first branched electrode 85, a first electrical connection 81a, and a second electrical connection 81b, The second electrode portions 70, 75, 71a and 71b include a second upper electrode 70, a second branched electrode 75, a third electrical connection 71a, and a fourth electrical connection 71b.

본 개시에 따른 반도체 발광소자는 가로 및 세로가 비슷하거나, 가로 및 세로 중 하나가 다른 하나보다 길거나 특별히 제한되지는 않는다. 본 예에 따른 반도체 발광소자는 광취출효율 향상을 위한 구조로서, 특히 사이즈가 작은 소자에서 효과적이다. 본 예에서, 복수의 반도체층(30,40,50)은 단변(110; a short edge), 단변(112)에 대향하는 타 단변(110), 장변(111; a long edge), 및 장변(111)에 대향하는 타 장변(113)을 가진다. 단변(112)은 도 4에서 설명된 사이즈 300㎛보다 작을 수 있다. 예를 들어, 단변(112)은 200㎛ 이하일 수 있으며, 이 이상의 사이즈를 배제하는 것은 아니다. The semiconductor light emitting device according to the present disclosure may have a width and a height similar to each other, or one of the width and the height may be longer than the other, and is not particularly limited. The semiconductor light emitting device according to this example is effective for improving the light extraction efficiency, and is particularly effective for a device having a small size. In this example, the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 have a short edge 110, a short side 110 opposite to the short side 112, a long edge 111, 111 at the other side. The short side 112 may be smaller than the size 300 [mu] m described in Fig. For example, the short side 112 may be 200 占 퐉 or less, and does not exclude a size larger than 200 占 퐉.

제2 전기적 연결(81b)은 제1 전기적 연결(81a)보다 장변(111)으로부터 멀리, 단변(112)에 가까이 위치한다. 다시 말해 장변(111)과 제2 전기적 연결(81b) 간의 거리는 장변(111)과 제1 전기적 연결(81a) 간의 거리보다 길고, 단변(112)과 제2 전기적 연결(81b) 간의 거리는 단변(112)과 제1 전기적 연결(81a) 간의 거리보다 짧다. 제4 전기적 연결(71b)은 제3 전기적 연결(71a)보다 타 장변(113)으로부터 멀리, 타 단변(110)에 가까이 위치한다. 다시 말해 타 장변(113)과 제4 전기적 연결(71b) 간의 거리는 타 장변(113)과 제3 전기적 연결(71a) 간의 거리보다 길고, 타 단변(110)과 제4 전기적 연결(71b) 간의 거리는 타 단변(110)과 제3 전기적 연결(71a) 간의 거리보다 짧다. The second electrical connection 81b is located closer to the short side 112 than to the first electrical connection 81a. In other words, the distance between the long side 111 and the second electrical connection 81b is longer than the distance between the long side 111 and the first electrical connection 81a, and the distance between the short side 112 and the second electrical connection 81b is shorter than the short side 112 ) And the first electrical connection 81a. The fourth electrical connection 71b is located closer to the other short side 110 than the third electrical connection 71a and farther from the other side 113. [ In other words, the distance between the other side 113 and the fourth electrical connection 71b is longer than the distance between the other side 113 and the third electrical connection 71a, and the distance between the other side 110 and the fourth electrical connection 71b is Is shorter than the distance between the other short side 110 and the third electrical connection 71a.

이하, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 하여 설명한다.Hereinafter, a group III nitride semiconductor light emitting device will be described as an example.

복수의 반도체층(30,405,80)은 기판(10) 위에 형성되며, 기판(10)으로는 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있다. 제1 반도체층(30)(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. A plurality of semiconductor layers 30, 405 and 80 are formed on the substrate 10. The substrate 10 is mainly made of sapphire, SiC, Si, GaN or the like, and the substrate 10 can be finally removed. The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device.

복수의 반도체층(30,40,50)은 기판(10) 위에 형성된 버퍼층(20), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층(30; 예: Si 도핑된 GaN), 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층(50; 예: Mg 도핑된 GaN) 및 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50) 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 다중양자우물구조)을 포함한다. 복수의 반도체층(30,40,50) 각각은 다층으로 이루어질 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. The plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may include a buffer layer 20 formed on the substrate 10, a first semiconductor layer 30 having a first conductivity (e.g., Si-doped GaN) A second semiconductor layer 50 (e.g., Mg-doped GaN) having conductivity, and an active layer interposed between the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 and generating light through recombination of electrons and holes 40, e.g., InGaN / (In) GaN multiple quantum well structure). Each of the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50 may have a multi-layer structure, and the buffer layer 20 may be omitted.

바람직하게는 제2 반도체층(50) 위에 전류 확산 도전막(60; 예: ITO,Ni/Au)이 구비된다. Preferably, a current diffusion conductive layer 60 (e.g., ITO, Ni / Au) is provided on the second semiconductor layer 50.

절연성 반사층(R)은 전류 확산 도전막(60), 제1 가지 전극(85), 및 제2 가지 전극(75)을 덮도록 형성되며, 활성층(40)으로부터의 빛을 기판(10) 측으로 반사한다. 본 예에서 절연성 반사층(R)은 금속 반사막에 의한 광흡수 감소를 위해 절연성 물질로 형성되며, 바람직하게는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 도 6에 제시된 바와 같이, 절연성 반사층(R)은 순차로 적층된 유전체막(91b), DBR(91a), 및 클래드막(91c)을 포함한다.The insulating reflection layer R is formed to cover the current diffusion conductive film 60, the first branched electrode 85 and the second branched electrode 75 and reflects light from the active layer 40 toward the substrate 10 side do. In this embodiment, the insulating reflective layer R is formed of an insulating material to reduce light absorption by the metal reflective layer, and may preferably be a multi-layer structure including DBR (Distributed Bragg Reflector) or ODR (Omni-Directional Reflector). For example, as shown in Fig. 6, the insulating reflection layer R includes a dielectric film 91b, a DBR 91a, and a clad film 91c which are sequentially stacked.

제1 상부 전극(80) 및 제2 상부 전극(70)은 절연성 반사층(R) 위에 떨어져 각각 단변(112) 측 및 타 단변(110) 측에 구비된다. 제1 상부 전극(80) 및 제2 상부 전극(70)은 외부와 직접 접합되거나, 와이어 본딩될 수 있다. The first upper electrode 80 and the second upper electrode 70 are provided on the side of the short side 112 and the side of the other short side 110 on the insulating reflection layer R, respectively. The first upper electrode 80 and the second upper electrode 70 may be directly bonded to the outside or may be wire-bonded.

제1 가지 전극(85)은 제2 반도체층(50) 및 활성층(40)이 식각되어 노출된 장변(111) 측 제1 반도체층(30) 위에 구비되며, 본 예에서는 장변(111)을 따라 뻗어 있다. 제1 전기적 연결(81a)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제1 상부 전극(80)과 제1 가지 전극(85)의 일 측 끝을 연결한다. 이와 다르게, 제1 전기적 연결(81a)이 제1 가지 전극(85)의 끝이 아닌 부분에 연결되는 것도 고려할 수 있다. 제2 전기적 연결(81b)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제1 상부 전극(80)과 식각되어 노출된 제1 반도체층(30)을 연결한다. 제1 반도체층(30)과 제2 전기적 연결(81b) 사이에 접촉저항을 감소하고 연결의 안정성 향상을 위해 제1 오믹 전극(82)이 개재될 수 있다. 제2 전기적 연결(81b)은 제1 가지 전극(85)의 연장선상에서 벗어나 있다. 여기서, 연장선은 가지 전극의 형상을 따라 연장한 가상의 선을 의미하며, 본 예에서 제1 가지 전극(85)은 직선형이므로 연장선도 이 직선과 일치하는 선으로서 대략 반도체 발광소자의 코너를 향하는 가상의 선이 될 것이다.The first branched electrode 85 is provided on the first semiconductor layer 30 on the side of the long side 111 exposed by etching the second semiconductor layer 50 and the active layer 40. In this example, It stretches. The first electrical connection 81a penetrates the insulating reflection layer R and connects one end of the first upper electrode 80 and the first branched electrode 85. [ Alternatively, it is also conceivable that the first electrical connection 81a is connected to a non-end portion of the first branch electrode 85. [ The second electrical connection 81b penetrates the insulating reflection layer R to etch the first upper electrode 80 to connect the first semiconductor layer 30 exposed. The first ohmic electrode 82 may be interposed between the first semiconductor layer 30 and the second electrical connection 81b to reduce the contact resistance and improve the stability of the connection. The second electrical connection 81b is out of line with the extension of the first branch electrode 85. Since the first branched electrode 85 is a straight line in this example, the extended line is a line that coincides with the straight line. The extended line substantially corresponds to a virtual line extending toward the corner of the semiconductor light emitting element. Will be the line of.

제2 가지 전극(75)은 전류 확산 도전막(60)과 절연성 반사층(R) 사이에 구비되며, 본 예에서는 타 장변(113)을 따라 뻗어 있다. 제3 전기적 연결(71a)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제2 상부 전극(70)과 제2 가지 전극(75)의 일 측 끝을 연결한다. 이와 다르게, 제3 전기적 연결(71a)이 제2 가지 전극(75)의 끝이 아닌 부분에 연결되는 것도 고려할 수 있다. 제4 전기적 연결(71b)은 절연성 반사층(R)을 관통하여 제2 상부 전극(70)과 전류 확산 도전막(60)을 연결한다. 전류 확산 도전막(60)과 제4 전기적 연결(71b) 사이에 접촉저항을 감소하고 연결의 안정성 향상을 위해 제2 오믹 전극(72)이 개재될 수 있다. 제4 전기적 연결(71b)은 제2 가지 전극(75)의 연장선상에서 벗어나 있다. The second branched electrode 75 is provided between the current diffusion conductive film 60 and the insulating reflection layer R and extends along the other side 113 in this example. The third electrical connection 71a penetrates the insulating reflection layer R and connects one end of the second upper electrode 70 and one end of the second branched electrode 75. [ Alternatively, the third electrical connection 71a may be connected to a non-end portion of the second branched electrode 75. [ The fourth electrical connection 71b connects the second upper electrode 70 and the current diffusion conductive film 60 through the insulating reflection layer R. The second ohmic electrode 72 may be interposed between the current diffusion conductive film 60 and the fourth electrical connection 71b to reduce the contact resistance and improve the stability of the connection. The fourth electrical connection 71b is out of line with the extension of the second branched electrode 75.

광흡수 방지막(41)이 제2 반도체층(50)과 전류 확산 도전막(60) 사이에 제2 가지 전극(75) 및 제2 오믹 전극(72)에 각각 대응하게 구비될 수 있다. 광흡수 방지막(41)은 SiO₂, TiO₂등으로 형성될 수 있으며, 활성층(40)에서 발생된 빛의 일부 또는 전부를 반사하는 기능만을 가져도 좋고, 제2 가지 전극(75) 및 제2 오믹 전극(72)으로부터 바로 아래로 전류가 흐르지 못하도록 하는 기능만을 가져도 좋고, 양자의 기능을 모두 가져도 좋다. A light absorption prevention film 41 may be provided between the second semiconductor layer 50 and the current diffusion conductive film 60 so as to correspond to the second branched electrode 75 and the second ohmic electrode 72, The light absorption preventing film 41 may be formed of SiO ₂ or TiO ₂ and may have a function of reflecting a part or all of the light generated in the active layer 40. But may have only the function of preventing the current from flowing directly down from the ohmic electrode 72, or may have both functions.

제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75)은 복수의 금속층으로 이루어질 수 있으며, 제1 반도체층(30) 또는 전류 확산 도전막(60)과의 전기적 접촉이 좋은 접촉층과 광반사성이 좋은 반사층 등을 구비할 수 있다.The first branched electrode 85 and the second branched electrode 75 may be formed of a plurality of metal layers and may have a contact layer having good electrical contact with the first semiconductor layer 30 or the current diffusion conductive layer 60, A good reflective layer and the like can be provided.

본 예에 따른 반도체 발광소자는 금속 반사막 대신 절연성 반사층(R)을 사용하여 도 1 및 도 2에 제시된 플립칩보다 금속에 의한 광흡수 손실 감소에 유리하며, 가지 전극을 불필요하게 연장하지 않고, 전류 공급 또는 발광의 균일성 향상에 필요한 위치에 섬 형태의 전기적 연결(81b,71b)을 적절히 구비한다.The semiconductor light emitting device according to this example is advantageous in reducing the light absorption loss by the metal than the flip chip shown in Figs. 1 and 2 by using the insulating reflection layer R instead of the metal reflection film, and does not unnecessarily extend branch electrodes, And the island-shaped electrical connections 81b and 71b are appropriately provided at positions necessary for improvement in uniformity of supply or light emission.

한편, 도 3 및 도 4에 설명된 반도체 발광소자에서 통상적으로 전류 공급 또는 발광의 균일성을 위해, 여러 개의 가지 전극을 형성하고, 가지 전극을 코너나 자장자리를 따라 길게 연장하는 방법이 사용된다. 그러나 본 예의 반도체 발광소자에서는 상기 통상적인 방식과는 다르게 가지 전극의 개수 및 길이를 줄여 금속에 의한 광흡수 손실을 많이 감소하되, 전류 공급 또는 발광의 균일성을 달성하도록 가지 전극과 전기적 연결의 형태, 위치, 개수 등의 좋은 구성을 만들어 내었다. 본 예에 제시되는 구성은 사이즈가 작고, 저전류로 동작하는 소자에 더욱 효과적이다.Meanwhile, in the semiconductor light emitting device shown in FIGS. 3 and 4, a method of forming a plurality of branched electrodes and extending the branched electrodes along corners or magnetic field lengths is used for uniform current supply or uniformity of light emission . However, in the semiconductor light emitting device of this embodiment, unlike the conventional method, the number and length of the branch electrodes are reduced so that the light absorption loss due to the metal is greatly reduced. However, in order to achieve uniformity of current supply or light emission, , Location, and number. The configuration shown in this example is small in size and is more effective for a device operating at low current.

이를 위해 본 예에 따른 반도체 발광소자는 제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75)을 1개씩만 구비하며, 그 길이가 단변(112)이나 타 단변(110)까지 연장되지 않고, 비교적 짧다. 여기서, 1개씩만 구비한다는 것은 가지 전극의 개수를 가능하면 적게 하는 구성의 좋은 예로서 제시되는 것이며, 2개 이상의 제1 가지 전극(85) 및/또는 2개 이상의 제2 가지 전극(75)과 같은 구성을 배제한다는 의미는 아니다. 또한, 본 예에서 제1 반도체층(예: Si 도핑된 GaN)은 제2 반도체층(예: Mg 도핑된 GaN)보다 전류 확산이 잘되므로 이를 고려하여 설계된다.For this, the semiconductor light emitting device according to the present embodiment has only one first branched electrode 85 and one second branched electrode 75, and the length thereof does not extend to the short side 112 or the other short side 110, It is relatively short. Here, only one electrode is provided as a good example of the configuration in which the number of the branched electrodes is made as small as possible, and two or more first branched electrodes 85 and / or two or more second branched electrodes 75 It does not mean to exclude the same structure. Further, in this example, the first semiconductor layer (for example, Si-doped GaN) is designed in consideration of the fact that current diffusion is better than that of the second semiconductor layer (for example, Mg-doped GaN).

도 5 및 도 6을 참조하면, 단변(112)은 길지 않으므로 제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75)을 각각 장변(111) 측 및 타 장변(113) 측에 구비하여 제1 가지 전극(85)과 제2 가지 전극(75)의 간격을 확보한다. 제1 가지 전극(85)은 장변(111) 측에서 제1 상부 전극(80)의 아래에서 제1 전기적 연결(81a)과 연결되며, 제1 상부 전극(80)에 인접한 제2 상부 전극(70)의 아래에까지 짧게 뻗어 있다. 제2 가지 전극(75)은 타 장변(113) 측에서 제2 상부 전극(70)의 아래에서 제3 전기적 연결(71a)과 연결되며, 제1 상부 전극(80)의 아래로 제1 가지 전극(85)보다는 길게 뻗지만 단변(112)까지 뻗지 않고, 대략 제1 상부 전극(80)의 중간 정도까지 뻗어서 불필요한 연장을 억제한다. 물론, p-GaN과 같은 제2 반도체층(50)의 전류 확산 정도가 향상된다면, 제2 가지 전극(75)도 제1 가지 전극(85)만큼 짧게 형성할 수 있을 것이다. 이렇게, 제1 가지 전극(85) 및 제2 가지 전극(75)을 코너나 변을 따라 길게 연장하지 않아서 금속에 의한 광흡수 손실이 감소한다. 또한, 제2 반도체층(50) 및 활성층(40)을 메사식각하는 것이 필요한 제1 가지 전극(85)의 경우, 소자의 내측보다는 장변(111) 측에 구비하여 메사식각으로 인한 활성층 면적 감소의 정도를 줄인다. 5 and 6, since the short side 112 is not long, the first branched electrode 85 and the second branched electrode 75 are provided on the long side 111 side and the other long side 113 side, respectively, The gap between the branched electrode 85 and the second branched electrode 75 is secured. The first branched electrode 85 is connected to the first electrical connection 81a below the first upper electrode 80 at the long side 111 side and the second upper electrode 70 adjacent to the first upper electrode 80, ). The second branched electrode 75 is connected to the third electrical connection 71a below the second upper electrode 70 on the side of the other side 113. The second branched electrode 75 is connected to the first branched electrode 71 below the first upper electrode 80, Extends to the middle of the first upper electrode 80, but does not extend to the short side 112, but suppresses an unnecessary extension. Of course, if the degree of current diffusion of the second semiconductor layer 50 such as p-GaN is improved, the second branched electrode 75 may be formed as short as the first branched electrode 85. In this way, the first branched electrode 85 and the second branched electrode 75 are not elongated along the corners or sides, and the light absorption loss due to the metal is reduced. In the case of the first branched electrode 85, which is required to perform the mesa etching of the second semiconductor layer 50 and the active layer 40, the first branched electrode 85 is provided on the long side 111 side of the device, Decrease.

제2 전기적 연결(81b) 및 제4 전기적 연결(71b)은 위에서 볼 때, 섬(island) 형태를 가지는 데, 적은 개수를 사용하며, 본 예에서는 각 1개씩 구비된다. 여기서 섬 형태란 가지 전극과 같이 일 측으로 뻗는 형태가 아니라 원형, 다각형 등의 형상을 가지는 것을 의미한다. 이렇게, 제한적인 개수의 제2 전기적 연결(81b) 및 제4 전기적 연결(71b)의 위치는 전류 공급의 균일성 향상에 더 바람직한 위치에 구비되며, 그 결과 상기 연장선상에서 벗어나게 위치한다.The second electrical connection 81b and the fourth electrical connection 71b have an island shape as viewed from above and use a small number, one in each case in this example. Here, the island shape means not having a shape extending to one side like a branch electrode, but having a shape such as a circle or a polygon. Thus, the positions of the limited number of the second electrical connection 81b and the fourth electrical connection 71b are provided at a more preferable position for improving the uniformity of the current supply, and as a result, they are located on the extension line.

본 예에서, 제2 전기적 연결(81b)은 단변(112) 측 대략 중간 정도에 위치하며, 제4 전기적 연결(71b)은 타 단변(110)으로부터 약간 떨어져 위치한다. 그 결과, 제2 전기적 연결(81b)을 제1 가지 전극(85)의 연장선상에서 벗어나 위치하며, 제4 전기적 연결(71b)은 제2 가지 전극(75)의 연장선상에서 벗어나 위치한다. 또한, 본 예의 경우, 제2 전기적 연결(81b)은 제2 가지 전극(75)의 연장선상에서도 벗어나 있고, 제4 전기적 연결(71b)은 제1 가지 전극(85)의 연장선상에서도 벗어나 있다. In this example, the second electrical connection 81b is located approximately halfway to the short side 112 side, and the fourth electrical connection 71b is slightly spaced from the other short side 110. As a result, the second electrical connection 81b is located on the extension of the first branched electrode 85, and the fourth electrical connection 71b is located on the extension of the second branched electrode 75. [ In the case of this example, the second electrical connection 81b is also on the extension of the second branch electrode 75, and the fourth electrical connection 71b is also on the extension of the first branch electrode 85. [

이를 전기적 연결의 관점에서 보면, 제2 전기적 연결(81b)은 제1 전기적 연결(81a)보다 장변(111)으로부터 더 멀리, 단변(112)에 더 가까이 위치하며, 제4 전기적 연결(71b)은 제3 전기적 연결(71a)보다 타 장변(113)으로부터 더 멀리, 타 단변(110)에 더 가까이 위치한다. 또한, 제2 전기적 연결(81b)과 제4 전기적 연결(71b) 사이에는 가지 전극이 없다. In view of the electrical connection, the second electrical connection 81b is located farther from the long side 111 than the first electrical connection 81a and is located closer to the short side 112, and the fourth electrical connection 71b Are located farther from the other side 113 than the third electrical connection 71a and closer to the other side 110. [ There is no branch electrode between the second electrical connection 81b and the fourth electrical connection 71b.

도 5b를 참조하면, 단변(112) 200㎛, 장변(111) 800㎛ 사이즈, 20mA와 같은 조건의 반도체 발광소자에서 전체적으로 발광의 정도가 전체적으로 큰 편차 없는 것을 확인할 수 있다. 이와 같이, 2개의 가지 전극(85,75)과 2개의 섬형 전기적 연결(81b,71b)로 심플하게 구성하면서도 전류 공급의 균일성을 확보하고, 금속에 의한 광흡수 손실도 많이 감소한다. 특히 비교적 저전류로 동작하는 작은 사이즈의 소자에서 효과적인 구조가 된다. Referring to FIG. 5B, it can be seen that the degree of light emission as a whole does not greatly vary in the overall semiconductor light emitting device having the conditions of the short side 112, the long side (111) and the long side (800) In this manner, uniformity of current supply is ensured while the two branched electrodes 85 and 75 and the two island-shaped electrical connections 81b and 71b are simply constituted, and the light absorption loss by the metal is also greatly reduced. In particular, it is effective in a small-sized device that operates at a relatively low current.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조 방법의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 5 내지 도 7을 참조하면, 먼저, 도 6에 제시된 바와 같이, 기판(10) 상에 제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50)을 형성하고, 광흡수 방지막(41)을 형성한 후, 그 위에 전류 확산 도전막(60; 예: ITO)을 형성하고, 도 7a에 제시된 바와 같이, 메사식각하여 제1 반도체층(30)의 일부를 노출시킨다. 메사식각은 전류 확산 도전막(60) 형성 전에 수행될 수도 있다. 전류 확산 도전막(60)은 생략될 수 있다. Referring to FIGS. 5 to 7, first, as shown in FIG. 6, a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention is illustrated. FIG. 7 is a cross- A current diffusion conductive film 60 (e.g., ITO) is formed on the light absorption prevention film 41 after the layer 30, the active layer 40, and the second semiconductor layer 50 are formed, 7a, a part of the first semiconductor layer 30 is exposed by mesa etching. The mesa etching may be performed before the current diffusion conductive film 60 is formed. The current diffusion conductive film 60 may be omitted.

이후, 도 6 및 도 7b에 제시된 바와 같이, 노출된 제1 반도체층(30) 및 전류 확산 도전막(60) 위에 각각 제1 가지 전극(85), 제2 가지 전극(75), 및 오믹 전극(72,82)을 형성한다. 오믹 전극(72,82)은 생략될 수 있지만 동작전압 상승을 억제하고 안정적인 전기적 접촉을 위해 구비되는 것이 바람직하다. 이후, 전류 확산 도전막(60) 위에 반사층(R)을 형성한다. 본 예에서 반사층(R)은 금속 반사막에 의한 광흡수 감소를 위해 절연성 물질로 형성되며, 바람직하게는 DBR(Distributed Bragg Reflector) 또는 ODR(Omni-Directional Reflector)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 예를 들어, 유전체 막(91b), 분포 브래그 리플렉터(91a) 및 클래드 막(91f)을 형성하여 절연성 반사층(R)이 형성된다. 유전체 막(91b) 또는 클래드 막(91f)은 생략될 수 있다. 분포 브래그 리플렉터(91a)는, 예를 들어, SiO₂와 TiO₂의 쌍이 복수 회 적층되어 이루어진다. 이 외에도 분포 브래그 리플렉터(91a)는 Ta₂O₅, HfO, ZrO, SiN 등 고 굴절률 물질과 이보다 굴절률이 낮은 유전체 박막(대표적으로 SiO₂)등의 조합으로 이루어질 수 있다. 절연성 반사층(R)은 그 두께가 수 ㎛(예: 1 ~ 8㎛)정도 일 수 있다.6 and 7B, the first branched electrode 85, the second branched electrode 75, and the ohmic electrode 70 are formed on the exposed first semiconductor layer 30 and the current diffusion conductive film 60, respectively, (72, 82). The ohmic electrodes 72 and 82 may be omitted but are preferably provided for stable electrical contact while suppressing an increase in operating voltage. Thereafter, a reflective layer R is formed on the current diffusion conductive film 60. In this embodiment, the reflective layer R is formed of an insulating material to reduce light absorption by the metal reflective layer, and may preferably be a multi-layer structure including a DBR (Distributed Bragg Reflector) or an ODR (Omni-Directional Reflector). For example, a dielectric film 91b, a distributed Bragg reflector 91a, and a clad film 91f are formed to form an insulating reflection layer R. [ The dielectric film 91b or the clad film 91f may be omitted. Distributed Bragg reflector (91a) is, for example, pairs of SiO ₂ and TiO ₂ are laminated is made a plurality of times. In addition, distributed Bragg reflector (91a) can be configured with a combination, such as _{_{Ta 2 O 5, HfO, ZrO}} , SiN , such as high refractive index material than the low dielectric thin film (typically, SiO ₂₎ refractive index. The insulating reflection layer R may have a thickness of several micrometers (e.g., 1 to 8 占 퐉).

이후, 절연성 반사층(R)에 건식식각 등의 방법으로 개구를 형성하고, 개구를 통하도록 제1 전기적 연결(81a), 제2 전기적 연결(81b), 제3 전기적 연결(71a), 및 제4 전기적 연결(71b)을 형성한다. 절연성 반사층(R) 위에 제1 상부 전극(80) 및 제2 상부 전극(70)을 형성한다. 전기적 연결(71,81)과 상부 전극(70,80)은 별개로 형성될 수도 있지만, 하나의 과정에서 일체로 형성될 수도 있다.Thereafter, an opening is formed in the insulating reflection layer R by a method such as dry etching and the first electrical connection 81a, the second electrical connection 81b, the third electrical connection 71a, and the fourth Thereby forming an electrical connection 71b. A first upper electrode 80 and a second upper electrode 70 are formed on the insulating reflection layer R. The electrical connections 71 and 81 and the upper electrodes 70 and 80 may be formed separately or may be integrally formed in one process.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 도 8a를 참조하면, 반도체 발광소자에서 제2 전기적 연결(81b,81c) 및 제4 전기적 연결(71b,71c)이 복수 개가 구비될 수 있다. 복수의 제2 전기적 연결(81b,81c)은 제1 가지 전극(85)의 연장선상에서 벗어나 있다. 본 예에서는 2개의 제2 전기적 연결(81b,81c)이 제1 전기적 연결(81a)로부터 멀어지는 순으로 장변(111)으로부터 거리가 증가하며, 단변(112)에 가까워진다. 복수의 제4 전기적 연결(71b,71c)은 제2 가지 전극(75)의 연장선상에서 벗어나 있다. 본 예에서는 2개의 제4 전기적 연결(71b,71c)이 제3 전기적 연결(71a)로부터 멀어지는 순으로 타 장변(113)으로부터 거리가 증가하며, 타 단변(110)에 가까워진다. FIG. 8 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. Referring to FIG. 8A, a second electrical connection 81b, 81c and a fourth electrical connection 71b, 71c in the semiconductor light emitting device And a plurality of units may be provided. The plurality of second electrical connections 81b and 81c are out of the extended line of the first branch electrode 85. [ The two second electrical connections 81b and 81c increase in distance from the long side 111 in the descending order of the first electrical connection 81a and approach the short side 112 in this example. The plurality of fourth electrical connections 71b and 71c are out of the extended line of the second branch electrode 75. [ In this example, the two fourth electrical connections 71b and 71c increase in distance from the other side 113 in the descending order of the third electrical connection 71a, and approach the other short side 110.

도 8b를 참조하면, 반도체 발광소자는 제2 반도체층(50)의 전류 확산 정도가 제1 반도체층(30)보다 못하기 때문에, 제4 전기적 연결(71b,71c)의 개수를 제2 전기적 연결(81b)의 개수보다 많게 구비할 수 있다. 본 예에서, 2개의 제4 전기적 연결(71b,71c)은 제2 가지 전극(75)의 연장선상에서 벗어나 있다. 하나의 제4 전기적 연결(71b)이 타 단변(110) 측에 위치하고, 다른 하나의 제4 전기적 연결(71c)이 장변(111) 측에 위치한다.Referring to FIG. 8B, since the degree of current diffusion of the second semiconductor layer 50 is less than that of the first semiconductor layer 30, the number of the fourth electrical connections 71b, (81b). In this example, the two fourth electrical connections 71b and 71c are out of line with the extension of the second branched electrode 75. [ One fourth electrical connection 71b is located on the other side 110 side and the other fourth electrical connection 71c is located on the long side 111 side.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면으로서, 도 9a를 참조하면, 반도체 발광소자는 제1 가지 전극(85)의 끝이 제2 상부 전극(70) 아래에서 제4 전기적 연결(71b)을 향하여 휘어져 있고, 제2 가지 전극(75)의 끝이 제1 상부 전극(80) 아래에서 제2 전기적 연결(81b)을 향하여 휘어져 있다. 9A, the semiconductor light emitting device has a structure in which the end of the first branched electrode 85 is located below the second upper electrode 70, And the end of the second branch electrode 75 is bent below the first upper electrode 80 toward the second electrical connection 81b.

도 9b를 참조하면, 제4 전기적 연결(71b,71c)이 제2 전기적 연결(81b)의 개수보다 많고, 제1 가지 전극(85)의 끝이 휘어져 있고, 제2 가지 전극(75)의 끝이 제1 상부 전극(80) 아래에서 장변(111) 측 코너를 향하여 휘어져 있다. 이에 따라 제1 전기적 연결(81a)과 제2 전기적 연결(81b)은 제2 가지 전극(75)을 기준으로 서로 반대 측에 위치한다.9B, when the number of the fourth electrical connections 71b and 71c is greater than the number of the second electrical connections 81b and the end of the first branched electrode 85 is bent and the end of the second branched electrode 75 Is bent toward the long side (111) side corner under the first upper electrode (80). Accordingly, the first electrical connection 81a and the second electrical connection 81b are located on opposite sides of the second branched electrode 75 with respect to each other.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 전술된 예들에 비하여 단변(112)과 장변(111)의 길이 차이가 작은 경우, 제4 전기적 연결(71b)은 타 단변(110)으로부터 제3 전기적 연결(71a)과 비슷한 거리에 위치하며, 제2 가지 전극(75)의 연장선상에서 벗어나 있다.10 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention. In the case where the difference in length between the short side 112 and the long side 111 is small compared to the above examples, the fourth electrical connection 71b Is located at a distance similar to the third electrical connection 71a from the other short side 110 and deviates from the extension line of the second branched electrode 75. [

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 5에서 제시된 실시예에 비하여, 제2 전기적 연결(81b)이 삭제되고, 제1 가지 전극(85)이 제1 상부 전극(80) 아래에만 형성되어 있고, 제1 전기적 연결(81a)은 단변 측 코너에 구비되어 잇다. FIG. 11 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. In comparison with the embodiment shown in FIG. 5, the second electrical connection 81b is eliminated, 1 upper electrode 80, and the first electrical connection 81a is provided at the short side corner.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면이고, 도 13은 도 12에 제시된 반도체 발광소자의 발광 사진이다. 도 5에 제시된 실시예에 비하여, 도 12a에 제시된 실시예의 경우, 제1 가지 전극(85)이 삭제되어 있고, 도 12b에 제시된 실시예의 경우, 제1 가지 전극(85)이 삭제되어 있고, 제4 전기적 연결(71c)이 추가되어 있다.FIG. 12 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 13 is a light emitting photograph of the semiconductor light emitting device shown in FIG. In contrast to the embodiment shown in Fig. 5, in the case of the embodiment shown in Fig. 12A, the first branch electrode 85 is omitted, and in the embodiment shown in Fig. 12B, 4 electrical connection 71c is added.

도 14는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예들을 설명하기 위한 도면이고, 도 15는 도 14에 제시된 반도체 발광소자의 발광 사진이다. 도 5에 제시된 실시예에 비하여, 도 14a에 제시된 실시예의 경우, 제1 가지 전극(85)이 삭제되어 있고, 제2 가지 전극(75)이 발광면의 중앙에서 뻗으며, 제2 전기적 연결(81b)이 추가되어 있다. 도 14b에 제시된 실시예의 경우, 제1 가지 전극(85)이 삭제되어 있고, 제2 가지 전극(75)이 발광면의 중앙에서 뻗으며, 제1 가지 전극(85)이 단변을 따라 뻗으며, 제2 전기적 연결(81b)이 삭제되어 있다.FIG. 14 is a view for explaining still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 15 is a photograph of light emitted from the semiconductor light emitting device shown in FIG. In contrast to the embodiment shown in Fig. 5, in the case of the embodiment shown in Fig. 14A, the first branched electrode 85 is omitted, the second branched electrode 75 extends from the center of the light emitting surface, 81b are added. 14B, the first branched electrode 85 is removed, the second branched electrode 75 extends from the center of the light emitting surface, the first branched electrode 85 extends along the short side, The second electrical connection 81b is removed.

도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 설명하기 위한 도면으로서, 도 5에 제시된 실시예에 비하여, 제2 가지 전극(75)이 삭제되어 있고, 제4 전기적 연결(71c)이 추가되어 있다.FIG. 16 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure. In comparison with the embodiment shown in FIG. 5, the second branch electrode 75 is omitted, and the fourth electrical connection 71c Has been added.

상기 설명된 예들과 다르게 다양한 변경이 가능할 것이다.Various modifications may be made to the examples described above.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극부; 제2 반도체층과 전기적으로 연통하며 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극부; 그리고 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층;을 포함하며, 제1 전극부와 제2 전극부 중 적어도 하나는: 절연성 반사층 위에 형성된 제1 상부 전극; 제1 상부 전극 아래에서 제1 상부 전극 바깥으로 뻗는 제1 가지 전극; 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 제1 가지 전극을 연결하는 제1 전기적 연결; 그리고 절연성 반사층을 관통하며 제1 상부 전극과 복수의 반도체층을 전기적으로 연통하되, 제1 가지 전극의 연장선상에서 벗어나 있는 제2 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, A plurality of semiconductor layers each having an active layer that generates light by recombination of holes; A first electrode portion that is in electrical communication with the first semiconductor layer and supplies one of electrons and holes; A second electrode portion that is in electrical communication with the second semiconductor layer and supplies the remaining one of electrons and holes; And an insulating reflection layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer, wherein at least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes: a first upper electrode formed on the insulating reflection layer; A first branched electrode extending from the first upper electrode to the outside of the first upper electrode; A first electrical connection that passes through the insulating reflective layer and connects the first upper electrode and the first branched electrode; And a second electrical connection electrically connecting the first upper electrode and the plurality of semiconductor layers through the insulating reflection layer, the second electrical connection being deviated from an extension line of the first branched electrode.

(2) 제1 전극부는: 제1 상부 전극; 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 제1 반도체층 위에 형성된 제1 가지 전극; 제1 상부 전극과 제1 가지 전극을 전기적으로 연결하는 제1 전기적 연결; 그리고 제1 상부 전극과 제1 반도체층을 전기적으로 연결하는 제2 전기적 연결;을 포함하며, 제2 전극부는: 절연성 반사층 위에서 제1 상부 전극으로부터 떨어져 형성된 제2 상부 전극; 제2 상부 전극 아래 제2 반도체층과 절연성 반사층 사이에서 제2 상부 전극 바깥으로 뻗는 제2 가지 전극; 절연성 반사층을 관통하며 제2 상부 전극과 제2 가지 전극을 연결하는 제3 전기적 연결; 그리고 절연성 반사층을 관통하며 제2 상부 전극과 제2 반도체층을 전기적으로 연통하되, 제2 가지 전극의 연장선상에서 벗어나 있는 제4 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) the first electrode portion includes: a first upper electrode; A first branched electrode formed on the exposed first semiconductor layer of the second semiconductor layer and the active layer; A first electrical connection for electrically connecting the first upper electrode and the first branched electrode; And a second electrical connection electrically connecting the first upper electrode and the first semiconductor layer, the second electrode portion comprising: a second upper electrode formed on the insulating reflective layer and spaced apart from the first upper electrode; A second branched electrode extending outside the second upper electrode between the second semiconductor layer under the second upper electrode and the insulating reflective layer; A third electrical connection that passes through the insulating reflective layer and connects the second upper electrode and the second branched electrode; And a fourth electrical connection that passes through the insulating reflection layer and electrically connects the second upper electrode and the second semiconductor layer, and is out of the extension of the second branched electrode.

(3) 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극을 1개씩만 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein the first branched electrode and the second branched electrode are provided only one at a time.

(4) 복수의 반도체층은 단변(a short edge), 단변에 대향하는 타 단변, 장변(a long edge), 및 장변에 대향하는 타 장변을 가지며, 제1 상부 전극은 단변 측에 구비되고, 제2 상부 전극은 타 단변 측에 구비되며, 제1 가지 전극은 제1 상부 전극 아래에서 제2 상부 전극 아래로 뻗고, 제2 가지 전극은 제2 상부 전극 아래에서 제1 상부 전극 아래로 뻗으며, 제2 전기적 연결은 제1 전기적 연결보다 장변으로부터 멀리, 단변에 가까이 위치하며, 제4 전기적 연결은 제3 전기적 연결보다 타 장변으로부터 멀리, 타 단변에 가까이 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The plurality of semiconductor layers may have a short edge, a short edge opposite to the short edge, a long edge, The second upper electrode is provided on the other short side, the first branched electrode extends below the second upper electrode under the first upper electrode, and the second branched electrode extends below the first upper electrode below the second upper electrode , The second electrical connection is located closer to the short side than the first electrical connection, and the fourth electrical connection is located closer to the other short side than the other electrical connection than the third electrical connection.

(5) 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극 중 적어도 하나는 제1 전기적 연결 및 제3 전기적 연결과 연결되는 측의 반대 측 끝이 휘어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein at least one of the first branched electrode and the second branched electrode is bent at an opposite side of a side connected to the first electrical connection and the third electrical connection.

(6) 제1 가지 전극은 제2 상부 전극에 인접한 제1 상부 전극의 아래에서 제1 상부 전극에 인접한 제2 상부 전극의 아래까지만 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The semiconductor light emitting device according to (6), wherein the first branched electrode is formed only below the first upper electrode adjacent to the second upper electrode and below the second upper electrode adjacent to the first upper electrode.

(7) 제4 전기적 연결의 개수는 제2 전기적 연결의 개수보다 많은 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) A semiconductor light emitting device according to any one of the preceding claims, wherein the number of the fourth electrical connections is greater than the number of the second electrical connections.

(8) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층;으로서, 단변(short edge), 단변에 대향하는 타 단변, 장변(long edge), 및 장변에 대향하는 타 장변을 가지는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층 위에 형성되며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 절연성 반사층; 절연성 반사층 위에 형성된 제1 상부 전극 및 제2 상부 전극;으로서, 단변 측에 구비된 제1 상부 전극, 타 단변 측에 구비된 제2 상부 전극; 각각 절연성 반사층을 관통하여 제1 반도체층과 제1 상부 전극을 전기적으로 연통하는 제1 전기적 연결 및 제2 전기적 연결;로서, 제2 전기적 연결이 제1 전기적 연결보다 장변으로부터 멀리 위치하는 제1 전기적 연결 및 제2 전기적 연결; 각각 절연성 반사층을 관통하여 제2 반도체층과 제2 상부 전극을 전기적으로 연통하는 제3 전기적 연결 및 제4 전기적 연결;로서, 제4 전기적 연결이 제3 전기적 연결보다 타 장변으로부터 멀리 위치하는 제3 전기적 연결 및 제4 전기적 연결; 제1 전기적 연결과 연결되며, 제2 반도체층 및 활성층이 식각되어 노출된 장변 측 제1 반도체층 위에서 제1 상부 전극의 아래로부터 제2 상부 전극의 아래로 뻗는 제1 가지 전극; 그리고 제3 전기적 연결과 연결되며, 타 장변 측 제2 반도체층과 광 반사층 사이에서 제2 상부 전극의 아래로부터 제1 상부 전극의 아래로 뻗는 제2 가지 전극;을 포함하며, 제2 전기적 연결과 제4 전기적 연결의 사이에는 단변으로부터 타 단변을 향하는 방향 및 타 단변으로부터 단변을 향하는 방향으로 형성된 가지 전극이 없는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light by recombination of holes and a plurality of semiconductor layers including a short edge, another short side opposite to the short side, a long edge, and a plurality of long sides opposite to the long side A semiconductor layer; An insulating reflective layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer; A first upper electrode and a second upper electrode formed on the insulating reflection layer, wherein the first upper electrode and the second upper electrode are formed on the short side and the second side, respectively; A first electrical connection and a second electrical connection for electrically connecting the first semiconductor layer and the first upper electrode, respectively, through the insulating reflective layer, wherein the second electrical connection comprises a first electrical connection A connection and a second electrical connection; A third electrical connection and a fourth electrical connection for electrically communicating the second semiconductor layer and the second upper electrode, respectively, through the insulating reflective layer, wherein the fourth electrical connection is a third electrical connection that is located farther from the third electrical connection than the third electrical connection, Electrical connection and fourth electrical connection; A first branched electrode connected to the first electrical connection and extending from the bottom of the first upper electrode to the bottom of the second upper electrode on the exposed long side semiconductor layer on the exposed side of the second semiconductor layer and the active layer; And a second branched electrode connected to the third electrical connection and extending from below the second upper electrode to below the first upper electrode between the other side semiconductor layer and the light reflection layer, Wherein no branch electrode is formed between the short side and the other short side between the fourth electrical connection and the short side from the other short side.

(9) 제2 전기적 연결은 제1 가지 전극의 연장선상에서 벗어나 있고, 제4 전기적 연결은 제2 가지 전극의 연장선상에서 벗어나 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) The semiconductor light emitting device according to (9), wherein the second electrical connection is deviated from the extension line of the first branch electrode, and the fourth electrical connection is deviated from the extension line of the second branch electrode.

(10) 가지 전극으로는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극을 1개씩만 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the first branched electrode and the second branched electrode are provided only as one branch electrode.

(11) 단변과의 거리는 제2 전기적 연결이 제1 전기적 연결보다 가깝고, 타 단변과의 거리는 제4 전기적 연결이 제3 전기적 연결보다 가까운 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(11) is shorter than the first electrical connection, and the distance from the other short side is closer to the fourth electrical connection than the third electrical connection.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 금속에 의한 광흡수 손실이 감소한다.According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the light absorption loss by the metal is reduced.

또한, 작은 사이즈의 소자에서 적은 수의 가지 전극과 전기적 연결을 사용하여 전류 공급 및/또는 발광의 균일성을 달성한다.Also, electrical connection with a small number of branch electrodes in a small-sized device is used to achieve uniformity of current supply and / or light emission.

제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50), 제1 상부 전극(80), 제2 상부 전극(70), 제1 가지 전극(85), 제2 가지 전극(75), 제1 전기적 연결(81a), 제2 전기적 연결(81b), 제3 전기적 연결(71a), 제4 전기적 연결(71b)The first semiconductor layer 30, the active layer 40, the second semiconductor layer 50, the first upper electrode 80, the second upper electrode 70, the first branch electrode 85, 75, a first electrical connection 81a, a second electrical connection 81b, a third electrical connection 71a, a fourth electrical connection 71b,

Claims

In the semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, wherein light is generated by recombination of electrons and holes A plurality of semiconductor layers having active layers formed thereon;
A first electrode portion that is in electrical communication with the first semiconductor layer and supplies one of electrons and holes;
A second electrode portion that is in electrical communication with the second semiconductor layer and supplies the remaining one of electrons and holes; And
And an insulating reflection layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer,
At least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes:
A first upper electrode formed on the insulating reflection layer;
A first branched electrode extending from the first upper electrode to the outside of the first upper electrode;
A first electrical connection that passes through the insulating reflective layer and connects the first upper electrode and the first branched electrode; And
And a second electrical connection that passes through the insulating reflection layer and electrically connects the first upper electrode and the plurality of semiconductor layers without departing from an extension of the first branched electrode and not contacting the first branched electrode. .

In the semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, wherein light is generated by recombination of electrons and holes A plurality of semiconductor layers having active layers formed thereon;
A first electrode portion that is in electrical communication with the first semiconductor layer and supplies one of electrons and holes;
A second electrode portion that is in electrical communication with the second semiconductor layer and supplies the remaining one of electrons and holes; And
And an insulating reflection layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer,
At least one of the first electrode portion and the second electrode portion includes:
A first upper electrode formed on the insulating reflection layer;
A first branched electrode extending from the first upper electrode to the outside of the first upper electrode;
A first electrical connection that passes through the insulating reflective layer and connects the first upper electrode and the first branched electrode; And
And a second electrical connection through the insulating reflective layer and electrically connected to the first upper electrode and the plurality of semiconductor layers, the second electrical connection deviating from an extension of the first branched electrode,
The first electrode portion includes:
A first upper electrode;
A first branched electrode formed on the exposed first semiconductor layer of the second semiconductor layer and the active layer;
A first electrical connection for electrically connecting the first upper electrode and the first branched electrode; And
And a second electrical connection for electrically connecting the first upper electrode and the first semiconductor layer,
The second electrode portion includes:
A second upper electrode formed on the insulating reflection layer and separated from the first upper electrode;
A second branched electrode extending outside the second upper electrode between the second semiconductor layer under the second upper electrode and the insulating reflective layer;
A third electrical connection that passes through the insulating reflective layer and connects the second upper electrode and the second branched electrode; And
And a fourth electrical connection through the insulating reflective layer and electrically connected to the second upper electrode and the second semiconductor layer, the fourth electrical connection being deviated from an extension of the second branched electrode.

The method of claim 2,
Wherein each of the first branched electrode and the second branched electrode has only one electrode.

The method of claim 3,
The plurality of semiconductor layers may have a short edge, a short edge opposite to the short edge, a long edge, and a long edge opposite to the long edge,
The first upper electrode is provided on the short side, the second upper electrode is provided on the other short side,
The first branched electrode extends below the first upper electrode and below the second upper electrode,
The second branched electrode extends below the second upper electrode and below the first upper electrode,
The second electrical connection is located closer to the short side, farther from the long side than the first electrical connection,
And the fourth electrical connection is located closer to the other side than the other electrical connection.

The method of claim 4,
Wherein at least one of the first branched electrode and the second branched electrode is bent at an opposite side opposite to a side connected to the first electrical connection and the third electrical connection.

The method of claim 4,
Wherein the first branched electrode is formed only below the first upper electrode adjacent to the second upper electrode and below the second upper electrode adjacent to the first upper electrode.

The method of claim 4,
Wherein the number of the fourth electrical connections is greater than the number of the second electrical connections.

In the semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, wherein light is generated by recombination of electrons and holes A plurality of semiconductor layers each having a short edge, another short side opposite to the short side, a long edge, and another long side opposite to the long side;
An insulating reflective layer formed on the plurality of semiconductor layers and reflecting light from the active layer;
A first upper electrode and a second upper electrode formed on the insulating reflection layer, wherein the first upper electrode and the second upper electrode are formed on the short side and the second side, respectively;
A first electrical connection and a second electrical connection for electrically connecting the first semiconductor layer and the first upper electrode, respectively, through the insulating reflective layer, wherein the second electrical connection comprises a first electrical connection A connection and a second electrical connection;
A third electrical connection and a fourth electrical connection for electrically communicating the second semiconductor layer and the second upper electrode, respectively, through the insulating reflective layer, wherein the fourth electrical connection is a third electrical connection that is located farther from the third electrical connection than the third electrical connection, Electrical connection and fourth electrical connection;
A first branched electrode connected to the first electrical connection and extending from the bottom of the first upper electrode to the bottom of the second upper electrode on the exposed long side semiconductor layer on the exposed side of the second semiconductor layer and the active layer; And
And a second branched electrode connected to the third electrical connection and extending from below the second upper electrode between the other second semiconductor layer and the light reflecting layer to below the first upper electrode. .

The method of claim 8,
The second electrical connection deviates from the extension of the first branched electrode,
And the fourth electrical connection is deviated from an extension of the second branched electrode.

The method of claim 8,
Wherein the branch electrode comprises only one first branched electrode and one second branched electrode.

The method of claim 8,
The distance from the short side is such that the second electrical connection is closer to the first electrical connection,
And the distance from the other short side is closer to the fourth electrical connection than the third electrical connection.