KR20130096209A - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR20130096209A
KR20130096209A KR1020130088148A KR20130088148A KR20130096209A KR 20130096209 A KR20130096209 A KR 20130096209A KR 1020130088148 A KR1020130088148 A KR 1020130088148A KR 20130088148 A KR20130088148 A KR 20130088148A KR 20130096209 A KR20130096209 A KR 20130096209A
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박은현
전수근
김종원
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주식회사 세미콘라이트
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Abstract

PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to improve external quantum efficiency by reducing a light absorption loss due to an electrode. CONSTITUTION: Multiple semiconductor layers include a first semiconductor layer (330), a second semiconductor layer (340), and an active layer (350). A first electrode is formed on the first semiconductor layer exposed by removing the multiple semiconductor layers and has a branch electrode part (381) and a bonding pad part (385) on which a wire is bonded. The bonding pad part has a first contact layer in contact with the first semiconductor layer and a first bonding layer which is formed on the first contact layer and on which the wire is bonded. The branch electrode part has a branch electrode part reflecting layer reflecting the light from the active layer.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 전극에 의한 광흡수 손실을 감소하여 외부양자효율이 향상된 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure generally relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device having an improved external quantum efficiency by reducing light absorption loss caused by an electrode.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판(10; 예; 사파이어 기판), 기판(10) 위에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20) 위에 성장되는 n형 3족 질화물 반도체층(30), n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 성장되는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 p형 3족 질화물 반도체층(50), p형 3족 질화물 반도체층(50) 위에 형성되는 전류확산 전도막(60), 전류확산 전도막(60) 위에 형성되는 p측 본딩패드(70), p형 3족 질화물 반도체층(50)과 활성층(40)이 메사 식각되어 노출된 n형 3족 질화물 반도체층(30) 위에 형성되는 n측 본딩패드(80), 그리고 보호막(90)을 포함한다.1 is a view showing an example of a conventional Group III nitride semiconductor light emitting device. The group III nitride semiconductor light emitting device includes a substrate 10 (eg, a sapphire substrate), a buffer layer 20 grown on the substrate 10, an n-type group III nitride semiconductor layer 30 grown on the buffer layer 20, and an n-type 3 Current diffusion conductive film formed on the active layer 40 grown on the group nitride semiconductor layer 30, the p-type group III nitride semiconductor layer 50 grown on the active layer 40, and the p-type group III nitride semiconductor layer 50. 60, the p-side bonding pad 70 formed on the current spreading conductive film 60, the n-type III-nitride semiconductor layer exposed by the mesa-etched p-type III-nitride semiconductor layer 50 and the active layer 40 And an n-side bonding pad 80 and a passivation layer 90 formed on the 30.

전류확산 전도막(60)은 p형 3족 질화물 반도체층(50) 전체로 전류가 잘 공급되도록 하기 위해 구비된다. 전류확산 전도막(60)은 p형 3족 질화물 반도체층(50)의 거의 전면에 걸쳐서 형성되며, 예를 들어, ITO, ZnO 또는 Ni 및 Au를 사용하여 투광성 전도막으로 형성되거나, Ag를 사용하여 반사형 전도막으로 형성될 수 있다.The current diffusion conductive film 60 is provided to supply current to the entire p-type III nitride semiconductor layer 50 well. The current diffusion conductive film 60 is formed over substantially the entire surface of the p-type III nitride semiconductor layer 50. For example, ITO, ZnO, or Ni and Au may be used to form the light-transmitting conductive film, or Ag may be used Thereby forming a reflective conductive film.

p측 본딩패드(70)와 n측 본딩패드(80)는 전류의 공급과 외부로의 와이어 본딩을 위한 메탈 전극으로서, 예를 들어, 니켈, 금, 은, 크롬, 티타늄, 백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 알루미늄, 주석, 인듐, 탄탈륨, 구리, 코발트, 철, 루테늄, 지르코늄, 텅스텐, 몰리브덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 또는 이들의 조합을 사용하여 형성될 수 있다.The p-side bonding pad 70 and the n-side bonding pad 80 are metal electrodes for supplying current and wire bonding to the outside, for example, nickel, gold, silver, chromium, titanium, platinum, palladium, and rhodium. And iridium, aluminum, tin, indium, tantalum, copper, cobalt, iron, ruthenium, zirconium, tungsten, molybdenum, or any combination thereof.

보호막(90)은 이산화규소와 같은 물질로 형성되며, 생략될 수도 있다.The protective film 90 is formed of a material such as silicon dioxide and may be omitted.

반도체 발광소자의 대면적화 및 고전력 소모에 따라, 반도체 발광소자 내에서 원활한 전류확산을 위해 가지전극과 복수의 본딩패드가 도입되고 있다. 예를 들어, 도 2는 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자가 대면적화됨에 따라 p측 본딩패드(710)와 n측 본딩패드(810) 사이에 등간격을 가지는 가지전극(910)을 구비하여 전류 확산을 개선하는 기술이 기재되어 있다. In accordance with the large area and high power consumption of the semiconductor light emitting device, branch electrodes and a plurality of bonding pads are introduced for smooth current diffusion in the semiconductor light emitting device. For example, FIG. 2 is a view showing an example of the electrode structure described in US Pat. No. 6,307,218. As the semiconductor light emitting device becomes larger in area, between the p-side bonding pad 710 and the n-side bonding pad 810, and the like. A technique for improving current spreading by having branch electrodes 910 having a gap is described.

그러나 본딩패드 및 가지전극 같은 금속재질의 전극은 두께가 두껍고, 광흡수 손실(Light Absorption Loss)이 크기 때문에 반도체 발광소자의 광추출효율을 저하하는 문제점이 있다.However, since metal electrodes such as bonding pads and branch electrodes have a thick thickness and have a large light absorption loss, there is a problem in that light extraction efficiency of the semiconductor light emitting device is reduced.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되며, 제1 반도체층으로 전류를 공급하기 위해 뻗어 있는 가지 전극부와 와이어가 본딩되는 본딩 패드부를 가지는 제1 전극;으로서, 본딩 패드부는 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층을 가지며, 가지 전극부는 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 가지 전극부 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the disclosure, a first semiconductor layer having a first conductivity type, a second semiconductor layer having a second conductivity type different from the first conductivity type, and a first semiconductor is provided. A plurality of semiconductor layers positioned between the layer and the second semiconductor layer and including an active layer that generates light by combining electrons and holes; And a first electrode formed on the first semiconductor layer from which the plurality of semiconductor layers are removed and exposed, the first electrode having a branch electrode portion extending to supply current to the first semiconductor layer and a bonding pad portion to which the wire is bonded. The portion has a first contact layer in contact with the first semiconductor layer, a first bonding layer formed on the first contact layer and to which the wire is bonded, and the branch electrode portion has light reflectance higher than that of the first bonding layer, and the light is emitted from the exposed active layer. Provided is a semiconductor light emitting device comprising a; first electrode having a branch electrode portion reflecting layer to reflect.

본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고 복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되는 제1 전극;으로서, 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층 및 제1접촉층과 제1 본딩층 사이에 형성되며 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to another aspect of the present disclosure (According to one aspect of the present disclosure), a first semiconductor layer having a first conductivity type, a second semiconductor layer having a second conductivity type different from the first conductivity type, and a first semiconductor A plurality of semiconductor layers positioned between the layer and the second semiconductor layer and including an active layer that generates light by combining electrons and holes; And a first electrode formed on the first semiconductor layer to which the plurality of semiconductor layers are removed and exposed, wherein the first electrode is in contact with the first semiconductor layer and the first bonding layer is formed on the first contact layer and the wires are bonded. And a first electrode formed between the first contact layer and the first bonding layer and having a first reflecting layer reflecting light from the exposed active layer with a higher reflectance than the first bonding layer. An element is provided.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국특허 제6,307,218호에 기재된 전극 구조의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 A-A 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면,
도 5는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 B-B 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면으로서 반도체 발광소자의 제조공정을 나타내는 도면,
도 6은 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 C-C 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면.FIG. 1 is a view showing an example of a conventional Group III nitride semiconductor light emitting device,
2 is a view showing an example of an electrode structure described in US Pat. No. 6,307,218;
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3 taken along line AA,
FIG. 5 is a diagram illustrating a cross section taken along line BB of the semiconductor light emitting device illustrated in FIG. 3, illustrating a manufacturing process of the semiconductor light emitting device;
6 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device illustrated in FIG. 3 taken along a line CC;
7 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자(300)의 일 예를 나타내는 도면이다. 도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광소자(300)를 A-A 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting device 300 according to the present disclosure. 4 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 300 illustrated in FIG. 3 taken along line A-A.

반도체 발광소자(300)는 기판(310), 복수의 반도체층, 제1 전극(380), 전류확산 전도막(360) 및 제2 전극(370)을 포함한다. 복수의 반도체층은 기판(310) 위에 적층된 버퍼층(320), 제1 반도체층(330), 활성층(340), 제2 반도체층(350)을 포함한다.The semiconductor light emitting device 300 includes a substrate 310, a plurality of semiconductor layers, a first electrode 380, a current spreading conductive film 360, and a second electrode 370. The plurality of semiconductor layers includes a buffer layer 320, a first semiconductor layer 330, an active layer 340, and a second semiconductor layer 350 stacked on the substrate 310.

이하에서는 제1 반도체층(330), 제2 반도체층(350) 및 활성층(340)이 III-V족 화합물 반도체로 형성된 경우로서, Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)으로 표현되는 3족 질화물 반도체로 형성된 경우를 예로 하여 설명한다.Hereinafter, when the first semiconductor layer 330, the second semiconductor layer 350, and the active layer 340 are formed of a III-V group compound semiconductor, Al (x) Ga (y) In (1-xy) N ( The case where it forms with the group III nitride semiconductor represented by 0 <= <= 1, 0 <= y <= 1, 0 <= x + y <= 1) is demonstrated to an example.

기판(310)은 동종기판으로 GaN계 기판, 이종기판으로 사파이어 기판, SiC 기판 또는 Si 기판 등이 이용되지만, 3족 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 기판이라면 어떠한 형태이어도 좋다.The substrate 310 may be a GaN-based substrate as a homogeneous substrate, a sapphire substrate, a SiC substrate, or a Si substrate as a heterogeneous substrate. Any substrate may be used as long as the group III nitride semiconductor layer can be grown.

제1 반도체층(330)은 제1 도전형을 가지며, 제2 반도체층(350)은 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖도록 구비된다. 본 개시에서는 제1 반도체층(330)은 n형 질화물 반도체층(330; 예를 들어, n형 GaN층)으로, 제2 반도체층(350)은 p형 질화물 반도체층(350; 예를 들어, p형 GaN층)으로 사용하며, 제1 전극(380)을 n측 전극(380)으로, 제2 전극(370)을 p측 전극(370)으로 사용한다.The first semiconductor layer 330 has a first conductivity type, and the second semiconductor layer 350 is provided to have a second conductivity type different from the first conductivity type. In the present disclosure, the first semiconductor layer 330 is an n-type nitride semiconductor layer 330 (eg, an n-type GaN layer), and the second semiconductor layer 350 is a p-type nitride semiconductor layer 350 (eg, p-type GaN layer), the first electrode 380 is used as the n-side electrode 380, and the second electrode 370 is used as the p-side electrode 370.

미설명 번호(382, 383, 384, 386)는 후술된다.Unexplained numbers 382, 383, 384, and 386 are described later.

도 5는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 B-B 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면으로서 반도체 발광소자의 제조공정을 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device illustrated in FIG. 3 taken along the line B-B, illustrating a manufacturing process of the semiconductor light emitting device.

먼저, 기판(310) 위에 n형 질화물 반도체층(330), 활성층(340) 및 p형 질화물 반도체층(350)이 형성된다. 기판(310) 위에 에피성장되는 반도체층들은 주로 유기금속기상성장법(MOCVD)에 의해 성장되며, 필요에 따라서 각 층들은 다시 세부 층들을 포함할 수 있다.First, an n-type nitride semiconductor layer 330, an active layer 340, and a p-type nitride semiconductor layer 350 are formed on the substrate 310. The semiconductor layers epitaxially grown on the substrate 310 are mainly grown by organometallic vapor phase growth (MOCVD), and each layer may further include detailed layers as necessary.

기판(310) 위에 복수의 반도체층을 형성한 이후, 메사(mesa) 형태로 p형 질화물 반도체층(350) 및 활성층(340)을 식각하여, 도 5a에 도시된 것과 같이, n측 전극(380)에 대응하는 영역을 포함하여 n형 질화물 반도체층(330)의 일부를 노출한다. 여러 개의 반도체층을 제거하는 방법으로 건식식각 방법, 예를 들어 ICP(Inductively Coupled Plasma)이 사용될 수 있다.After the plurality of semiconductor layers are formed on the substrate 310, the p-type nitride semiconductor layer 350 and the active layer 340 are etched in the form of mesas, and as shown in FIG. 5A, the n-side electrode 380. A portion of the n-type nitride semiconductor layer 330 is exposed, including a region corresponding to the? As a method of removing a plurality of semiconductor layers, a dry etching method, for example, an inductively coupled plasma (ICP) may be used.

다음으로, 스퍼터링(Sputtering)법, 전자빔 증작법(E-beam Evaporation), 열증착법(Thermal Evaporation) 등을 이용하여, 도 5b에 도시된 것과 같이, p형 질화물 반도체층(350) 위에 전류확산 전도막(360)을 형성한다. 이와 다르게, 전류확산 전도막(360)을 형성한 후에 메사식각 공정을 할 수도 있다. 전류확산 전도막(360)은 p형 질화물 반도체층(350) 전체적으로 전류밀도 균일성을 향상하여 면발광이 되도록 한다. 전류확산 전도막(360)은 주로 ITO, ZnO 또는 Ni/Au로 형성된다. 전류확산 전도막(360)은 발광영역의 대부분에 형성되어 있으며, 전류확산 전도막(360)이 너무 얇으면 전류확산에 불리하여 구동전압이 높아지며, 너무 두꺼우면 광흡수로 인해 광추출효율이 저하될 수 있다.Next, current spreading conduction on the p-type nitride semiconductor layer 350, as shown in FIG. 5B, by using a sputtering method, an E-beam evaporation method, a thermal evaporation method, and the like. A film 360 is formed. Alternatively, the mesa etching process may be performed after the current diffusion conductive film 360 is formed. The current spreading conductive film 360 improves the current density uniformity of the p-type nitride semiconductor layer 350 as a whole so as to emit surface light. The current spreading conductive film 360 is mainly formed of ITO, ZnO, or Ni / Au. The current diffusion conductive film 360 is formed in a large portion of the light emitting region. If the current diffusion conductive film 360 is too thin, the current diffusion conductive film 360 is disadvantageous to current diffusion and the driving voltage is high. Can be.

계속해서, 스퍼터링(Sputtering)법, 전자빔 증착법(Ebeam Evaporation), 열증착법(Thermal Evaporation) 등의 방법을 이용하여, 도 5c에 도시된 것과 같이, n형 질화물 반도체층(330) 위에 n측 전극(380)과 전류확산 전도막(360) 위에 p측 전극(370)을 형성한다. Subsequently, by using a method such as a sputtering method, an electron beam evaporation method, a thermal evaporation method, or the like, as shown in FIG. 380 and the p-side electrode 370 are formed on the current spreading conductive film 360.

예를 들어 n측 전극(380)은 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)을 포함하며, p측 전극(370)은 p측 본딩 패드부(371) 및 p측 가지 전극부(375)를 포함한다.For example, the n-side electrode 380 includes an n-side bonding pad portion 381 and an n-side branch electrode portion 385, and the p-side electrode 370 has a p-side bonding pad portion 371 and a p-side branch. The electrode part 375 is included.

도 3에 예시된 반도체 발광소자(300)는 사이즈 증가를 위해 일측으로 길게 형성되어 대략 직사각형의 평면 형상을 갖는다. 따라서 반도체 발광소자(300)는 장변 및 단변을 가진다.The semiconductor light emitting device 300 illustrated in FIG. 3 is formed to be long to one side to increase in size, and has a substantially rectangular planar shape. Therefore, the semiconductor light emitting device 300 has a long side and a short side.

n측 본딩 패드부(381) 및 p측 본딩 패드부(371)는 대향하는 단변측에 위치한다. n측 가지 전극부(385)은 n측 본딩 패드부(381)로부터 p측 본딩 패드부(371)를 향하여 반도체 발광소자(300)의 가운데를 따라 뻗어 있다. 2개의 p측 가지 전극부(375)은 p측 본딩 패드부(371)로부터 연장되어 n측 가지 전극부(385) 양측으로 뻗어 있다.The n-side bonding pad portion 381 and the p-side bonding pad portion 371 are located on opposite short sides. The n-side branch electrode portion 385 extends from the n-side bonding pad portion 381 toward the p-side bonding pad portion 371 along the center of the semiconductor light emitting device 300. The two p-side branch electrode portions 375 extend from the p-side bonding pad portion 371 and extend to both sides of the n-side branch electrode portion 385.

전극의 형상 및 배치는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 도 3에 도시된 것과 다르게 n측 본딩 패드부(381) 및 p측 본딩 패드부(371) 중 적어도 하나는 복수의 반도체층 바깥의 기판(310) 위에 형성될 수 있으며, n측 가지 전극부(385) 및 p측 가지 전극부(375)의 개수 및 배치는 반도체 발광소자(300)의 사이즈 및 형상 등에 따라 변경될 수 있다. 또한, n형 질화물 반도체층(330)이 활성층(340) 위에 형성되고, p형 질화물 반도체층(350)이 활성층(340) 아래에 형성되는 것도 가능하며, 이 경우 p측 전극(370) 및 n측 전극(380)의 상하 위치도 변경된다.The shape and arrangement of the electrodes can be variously changed. For example, unlike the example illustrated in FIG. 3, at least one of the n-side bonding pad portion 381 and the p-side bonding pad portion 371 may be formed on the substrate 310 outside the plurality of semiconductor layers. The number and arrangement of the branch electrode part 385 and the p-side branch electrode part 375 may be changed according to the size and shape of the semiconductor light emitting device 300. In addition, an n-type nitride semiconductor layer 330 may be formed on the active layer 340, and a p-type nitride semiconductor layer 350 may be formed below the active layer 340, in which case the p-side electrode 370 and n The vertical position of the side electrode 380 is also changed.

한편, 활성층(340)에서 생성된 빛은 복수의 반도체층의 상하 및 측면으로 방출된다. 상당한 양의 빛이 메사식각되어 노출된 복수의 반도체층의 측면으로 방출된다. 또한, 기판(310)에 의해 일부의 빛이 상측으로 반사된다.On the other hand, the light generated in the active layer 340 is emitted to the top and bottom and side surfaces of the plurality of semiconductor layers. A significant amount of light is mesaetched and emitted to the side of the exposed plurality of semiconductor layers. In addition, a part of light is reflected upward by the substrate 310.

n측 전극(380) 및 p측 전극(380)은 박리 방지를 위해 접합성이 좋고, 전기적 특성이 좋은 금속으로 이루어지며 복수의 금속층으로 이루어진다. 전극의 높이는 메사식각 되어 노출된 복수의 반도체층의 높이에 비해 작지 않으며 따라서 메사식각된 복수의 반도체층의 단면을 통해 방출된 광은 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)의 옆면에 의해서 광흡수 손실이 발생될 수 있게 된다.The n-side electrode 380 and the p-side electrode 380 are made of a metal having good bonding properties, good electrical properties, and made of a plurality of metal layers to prevent peeling. The height of the electrode is not small compared to the height of the plurality of semiconductor layers exposed by mesa etching, and thus the light emitted through the cross-sections of the plurality of mesa-etched semiconductor layers is n-side bonding pad portion 381 and n-side branch electrode portion 385. The light absorbing loss can be caused by the side of the.

이런 관점에서 광흡수 감소를 위해서는 전극의 높이를 낮추는 것을 일응 고려할 수 있지만, 전극의 사이즈가 반도체 발광소자(300)에서 상당한 부분을 차지하는 반면, 금속이 광흡수뿐만 아니라 광반사성도 가짐에 착안하여 본 개시에서는 전극의 높이를 낮추는 것과는 반대로 반사율이 우수한 금속으로 이루어진 반사층을 전극에 도입하고 광반사를 충분히 하도록 반사층을 전극의 다른 층보다 높게 형성한다.In view of this, lowering the height of the electrode may be considered to reduce light absorption. However, while the size of the electrode occupies a considerable portion in the semiconductor light emitting device 300, the metal has not only light absorption but also light reflectivity. In the present disclosure, as opposed to lowering the height of the electrode, a reflective layer made of a metal having excellent reflectance is introduced into the electrode, and the reflective layer is formed higher than other layers of the electrode to sufficiently reflect light.

이와 같이 본 개시에 따른 반도체 발광소자(300)는 n측 전극(380)이나 p측 전극(380)에 요구되는 상기 접합성 및 전기적 특성을 만족하면서도 광반사를 향상하는 구성을 구비하여 광추출효율이 향상된다.As described above, the semiconductor light emitting device 300 according to the present disclosure has a configuration that satisfies the bonding properties and electrical characteristics required for the n-side electrode 380 or the p-side electrode 380, and improves light reflection, thereby improving light extraction efficiency. Is improved.

n측 전극(385)은 메사식각되어 노출된 p형 질화물 반도체층(350)의 측면, 활성층(340)의 측면 및 n형 질화물 반도체층(330)의 측면과 대면하므로 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)은 기판(310)에서 반사된 빛뿐만 아니라 식각되어 노출된 복수의 반도체층의 측면으로부터의 빛도 흡수한다. 따라서 전극에 의한 광흡수를 줄이기 위해서는 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)에 의한 광흡수를 감소시키는 것이 효과적이다.The n-side electrode 385 faces the side of the p-type nitride semiconductor layer 350 exposed by mesa etching, the side of the active layer 340, and the side of the n-type nitride semiconductor layer 330, and thus the n-side bonding pad portion 381. ) And the n-side branch electrode part 385 absorb not only the light reflected from the substrate 310 but also light from the side surfaces of the plurality of etched and exposed semiconductor layers. Therefore, in order to reduce light absorption by the electrode, it is effective to reduce the light absorption by the n-side bonding pad portion 381 and the n-side branch electrode portion 385.

도 6은 도 3에 도시된 반도체 발광소자(300)를 C-C 선을 따라 절단한 단면을 나타내는 도면이다.6 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 300 illustrated in FIG. 3 taken along the line C-C.

예를 들어, n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)는 순차적으로 적층된 제1 접촉층(382), 제1 반사층(383), 추가의 층(384) 및 제1 본딩층(386)을 포함한다.For example, the n-side bonding pad portion 381 and the n-side branch electrode portion 385 may be sequentially stacked on the first contact layer 382, the first reflective layer 383, the additional layer 384, and the first layer. Bonding layer 386.

제1 접촉층(382)은 n형 질화물 반도체층(330)과의 접합성 및 전기적 접촉 특성이 좋은 금속으로 선택되며, 제1 반사층(383)은 반사율이 우수한 금속으로 선택되며 식각되어 노출된 복수의 반도체층의 측면으로부터의 빛을 충분히 반사하기 위해 제1 본딩층(386), 제1 접촉층(382) 및 추가의 층(384) 각각에 대해 보다 높게 형성된다. 제1 본딩층(386)은 n측 본딩 패드부(381)의 와이어 본딩을 위해 본딩특성이 좋은 금속으로 선택된다. 추가의 층(384)의 제1 반사층(383)과 제1 본딩층(386) 간의 접합성 또는 제1 본딩층(386)과 제1 반사층(383)의 특성의 보호를 위해 구비된다.The first contact layer 382 is selected as a metal having good bonding and electrical contact properties with the n-type nitride semiconductor layer 330, and the first reflective layer 383 is selected as a metal having excellent reflectance and is etched and exposed. Higher for each of the first bonding layer 386, the first contact layer 382, and the additional layer 384 to sufficiently reflect light from the sides of the semiconductor layer. The first bonding layer 386 is selected as a metal having good bonding properties for wire bonding of the n-side bonding pad portion 381. It is provided for the protection of the bonding between the first reflective layer 383 and the first bonding layer 386 of the additional layer 384 or the properties of the first bonding layer 386 and the first reflective layer 383.

예를 들어, n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)는 도 4, 도 5c 및 도 6에 도시된 것과 같이 Cr(382)/Al(383)/Ti(384)/Au(386)로 구성될 수 있으며, 이외에도 Cr/Ag/Ti/Au, Cr/Al/Ni/Au, Cr/Ag/Ni/Au, Ti/Al/Ti/Au, Ti/Ag/Ti/Au, Ti/Al/Ni/Au, Ti/Ag/Ni/Au 등 다양한 조합으로 구성될 수가 있으며, 이러한 층구성에서 중요한 점은 반사층인 Al 또는 Ag층을 다른 층 보다 가장 두껍게 구성하고 다른 층들은 가능한 한 얇게 구성하여 메사 식각면으로부터 방출된 빛의 반사를 많이 향상하는 데 있다.For example, the n-side bonding pad portion 381 and the n-side branch electrode portion 385 are Cr (382) / Al (383) / Ti (384) / as shown in FIGS. 4, 5C, and 6. It can be composed of Au (386), in addition to Cr / Ag / Ti / Au, Cr / Al / Ni / Au, Cr / Ag / Ni / Au, Ti / Al / Ti / Au, Ti / Ag / Ti / Au , Ti / Al / Ni / Au, Ti / Ag / Ni / Au, etc., and it can be composed of various combinations.The important point in this layer composition is that the Al or Ag layer, which is the reflective layer, is made thicker than other layers, and other layers are possible. The thinner design improves the reflection of the light emitted from the mesa etching surface.

n형 질화물 반도체층(330)과의 접촉성이 좋은 Cr(382)또는 Ti를 제1 접촉층(382)으로 하고 본딩 특성이 좋은 Au(386)를 제1 본딩층(386)으로 하며, 광반사율이 우수한 Al(383) 또는 Ag를 증착하여 제1 반사층(383)을 형성한다. Al(383) 및 Au(386)와 접합성이 좋고 베리어(barrier)가 되는 Ti 또는 Ni를 추가의 층(384)으로 사용한다.Cr 382 or Ti having good contact with the n-type nitride semiconductor layer 330 is used as the first contact layer 382, and Au 386 having good bonding characteristics is used as the first bonding layer 386. The first reflecting layer 383 is formed by depositing Al (383) or Ag having excellent reflectance. An additional layer 384 is used as Ti or Ni, which bonds well with Al 383 and Au 386 and becomes a barrier.

도 5c에서 n측 본딩 패드부(381) 및 n측 가지 전극부(385)의 높이는 편의상 도시한 것이다. 예를 들어, Cr(20A)/Al(2um)/Ti(500A)/Au(2000A)로 형성된다. 전술한 것과 같이 제1 반사층(383)은 제1 본딩층(386) 및 추가의 층(384) 각각보다 높은 높이(또는 두께)를 가지는 것이 광추출효율 향상을 위해 좋다. 상기 예의 경우 제1 반사층(383)은 5000A 이상의 높이를 가지는 것이 좋고, 반사효과 및 전기전도성을 고려하면 제1 반사층(383)은 1um 이상의 높이를 가지는 것이 바람직하다.In FIG. 5C, the heights of the n-side bonding pad portion 381 and the n-side branch electrode portion 385 are illustrated for convenience. For example, it is formed of Cr (20A) / Al (2um) / Ti (500A) / Au (2000A). As described above, it is preferable that the first reflective layer 383 have a height (or thickness) higher than that of each of the first bonding layer 386 and the additional layer 384. In the above example, the first reflective layer 383 preferably has a height of 5000 A or more, and in consideration of the reflection effect and electrical conductivity, the first reflective layer 383 preferably has a height of 1 μm or more.

도 3 내지 도 6에서는 n측 본딩 패드부(381)와 n측 가지 전극부(385)가 동일한 층구성을 가지는 예를 들었지만, n측 본딩 패드부(381)와 n측 가지 전극부(385)의 층구성이 반드시 동일할 필요는 없으며 광흡수 손실이 문제되는 것에 반사층을 본딩층 등 다른 층보다 높게 형성하면 된다. 예를 들어, n측 본딩 패드부(381)에 의한 광흡수보다 n측 가지 전극부(385)에 의한 광흡수가 특히 문제되는 경우에는 n측 본딩 패드부(381)가 Cr/Al/Ti/Au로 형성되더라도 n측 가지 전극부(385)는 Cr/Al 또는 Cr/Ag로 이루어질 수 있고, n측 가지 전극부(385)의 Al층(가지전극부 반사층)을 n측 본딩 패드부(381)의 다른 층들 각각보다 높게 형성할 수도 있다.3 to 6 illustrate an example in which the n-side bonding pad portion 381 and the n-side branch electrode portion 385 have the same layer structure, the n-side bonding pad portion 381 and the n-side branch electrode portion 385 are illustrated. The layer structure of is not necessarily the same, and the reflection layer may be formed higher than other layers such as a bonding layer because light absorption loss is a problem. For example, when light absorption by the n-side branch electrode portion 385 is particularly problematic than light absorption by the n-side bonding pad portion 381, the n-side bonding pad portion 381 is Cr / Al / Ti /. Although formed of Au, the n-side branch electrode portion 385 may be made of Cr / Al or Cr / Ag, and the n-side bonding pad portion 381 may be formed of the Al layer (branch electrode portion reflection layer) of the n-side branch electrode portion 385. It may be formed higher than each of the other layers of).

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자(700)의 다른 예를 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating another example of the semiconductor light emitting device 700 according to the present disclosure.

반도체 발광소자(700)는 n측 가지 전극부(785) 및 n측 본딩 패드부의 측면이 기판(705)에 수직한 방향에 대해 기울기를 가지도록 형성된 것을 제외하고는 도 3 내지 도 6에서 설명된 반도체 발광소자(300)와 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.The semiconductor light emitting device 700 is described with reference to FIGS. 3 to 6 except that the side surfaces of the n-side branch electrode portion 785 and the n-side bonding pad portion are formed to have an inclination with respect to the direction perpendicular to the substrate 705. It is substantially the same as the semiconductor light emitting device 300. Therefore, redundant description is omitted.

예를 들어, n측 본딩 패드부 및 n측 가지 전극부(785)는 Cr/Al/Ti/Au로 이루어지고, 측면을 도 7에 도시된 것과 같이 기판(705)에 수직방향에 대해 기울기를 가지도록 형성하여 단면이 사다리꼴 형상을 가진다. 따라서 복수의 반도체층으로부터 나온 빛이 n측 본딩 패드부 및 n측 가지 전극부(785)에 의해 더 많이 반사된다.For example, the n-side bonding pad portion and the n-side branch electrode portion 785 are made of Cr / Al / Ti / Au, and the side surface thereof is inclined with respect to the perpendicular direction to the substrate 705 as shown in FIG. It is formed to have a cross-section has a trapezoidal shape. Therefore, light emitted from the plurality of semiconductor layers is more reflected by the n-side bonding pad portion and the n-side branch electrode portion 785.

이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 가지 전극부 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
(1) A semiconductor light emitting element, wherein the branch electrode portion reflecting layer is made of at least one of Al or Ag.

*(2) 가지 전극부 반사층이 Al로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) A semiconductor light emitting element, wherein the branch electrode portion reflective layer is made of Al.

(3) 가지 전극부 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting element, wherein the branch electrode portion reflective layer has a height of 5000 A or more.

(4) 가지 전극부 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) A semiconductor light emitting element, wherein the branch electrode portion reflective layer has a height of 1 μm or more.

(5) 가지 전극부 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) A semiconductor light emitting element, wherein the branch electrode portion reflective layer has a height higher than that of the first bonding layer.

(6) 본딩 패드부는 제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 가지 전극부 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층 각각보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) The bonding pad portion has an additional layer between the first reflective layer and the first bonding layer, wherein the branch electrode portion reflective layer has a height higher than that of each of the additional layer and the first bonding layer.

(7) 복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) A semiconductor light emitting element, characterized in that the plurality of semiconductor layers are made of a group III nitride semiconductor.

(8) 본딩 패드부가 제1접촉층과 제1 본딩층 사이에 형성되며 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 반사층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) A semiconductor light emitting element, characterized in that the bonding pad portion is formed between the first contact layer and the first bonding layer and has a first reflecting layer that reflects light from the exposed active layer with a higher reflectance than the first bonding layer.

(9) 제1 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) A semiconductor light emitting element, wherein the first reflective layer is made of at least one of Al or Ag.

(10) 제1 반사층이 Al으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) A semiconductor light emitting element, wherein the first reflective layer is made of Al.

(11) 제1 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(11) A semiconductor light emitting element, wherein the first reflective layer has a height of 5000 A or more.

(12) 제1 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(12) A semiconductor light emitting element, wherein the first reflective layer has a height of 1 μm or more.

(13) 제1 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(13) A semiconductor light emitting element, wherein the first reflective layer has a height higher than that of the first bonding layer.

(14) 제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 제1 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(14) A semiconductor light emitting element having an additional layer between the first reflective layer and the first bonding layer, wherein the first reflective layer has a higher height than the additional layer and the first bonding layer.

본 개시에 따른 반도체 발광소자에 의하면, 전극에 의한 광흡수가 감소하여 외부양자효율이 향상된다.According to the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the light absorption by the electrode is reduced and the external quantum efficiency is improved.

300 : 반도체 발광소자 370 : p측 전극
380 : n측 전극 381 : n측 본딩 패드부
382 : Cr 383 : Al
384 : Ti 385 : n측 가지 전극부
386 : Au300: semiconductor light emitting element 370: p-side electrode
380: n-side electrode 381: n-side bonding pad portion
382: Cr 383: Al
384 Ti 385 n-side branch electrode portion
386: Au

Claims (24)

제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고
복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되며, 제1 반도체층으로 전류를 공급하기 위해 뻗어 있는 가지 전극부와 와이어가 본딩되는 본딩 패드부를 가지는 제1 전극;으로서, 본딩 패드부는 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층을 가지며, 가지 전극부는 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 가지 전극부 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A first semiconductor layer having a first conductivity type, a second semiconductor layer having a second conductivity type different from the first conductivity type, and positioned between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layer including an active layer for generating a; And
A first electrode formed on the first semiconductor layer from which the plurality of semiconductor layers are removed and exposed, the first electrode having a branch electrode portion extending to supply current to the first semiconductor layer and a bonding pad portion to which the wire is bonded; A first contact layer in contact with the first semiconductor layer, a first bonding layer formed on the first contact layer, and having a wire bonded thereto, wherein the branch electrode part has a higher reflectance than the first bonding layer and reflects light from the exposed active layer And a first electrode having a branch electrode portion reflecting layer. 청구항 1에 있어서,
가지 전극부 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The branch electrode part reflective layer is made of at least one of Al and Ag. 청구항 1에 있어서,
가지 전극부 반사층이 Al로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the branch electrode reflecting layer is made of Al. 청구항 1에 있어서,
가지 전극부 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
A branch light emitting unit has a height of 5000 A or more. 청구항 1에 있어서,
가지 전극부 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the branch electrode reflection layer has a height of 1 μm or more. 청구항 1에 있어서,
가지 전극부 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The branch electrode reflecting layer has a height higher than that of the first bonding layer. 청구항 1에 있어서,
본딩 패드부는 제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 가지 전극부 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층 각각보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The bonding pad portion has an additional layer between the first reflective layer and the first bonding layer, wherein the branch electrode portion reflective layer has a height higher than that of each of the additional layer and the first bonding layer. 청구항 1에 있어서,
복수의 반도체층은 3족 질화물 반도체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device, characterized in that the plurality of semiconductor layers are made of a group III nitride semiconductor. 청구항 1에 있어서,
본딩 패드부가 제1접촉층과 제1 본딩층 사이에 형성되며 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 반사층을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a bonding pad portion formed between the first contact layer and the first bonding layer and having a first reflecting layer reflecting light from the exposed active layer with a higher reflectance than the first bonding layer. 청구항 9에 있어서,
제1 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 9,
A semiconductor light emitting element, characterized in that the first reflective layer is made of at least one of Al or Ag. 청구항 9에 있어서,
제1 반사층이 Al으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 9,
A semiconductor light emitting element, characterized in that the first reflective layer is made of Al. 청구항 9에 있어서,
제1 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 9,
A semiconductor light emitting element, wherein the first reflecting layer has a height of 5000 A or more. 청구항 9에 있어서,
제1 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 9,
A semiconductor light emitting device, characterized in that the first reflective layer has a height of 1um or more. 청구항 9에 있어서,
제1 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 9,
A semiconductor light emitting device, characterized in that the first reflecting layer has a higher height than the first bonding layer. 청구항 9에 있어서,
제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 제1 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층 각각보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 9,
And an additional layer between the first reflective layer and the first bonding layer, wherein the first reflective layer has a height higher than that of each of the additional layer and the first bonding layer. 제1 도전형을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 위치하며 전자와 정공의 결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 그리고
복수의 반도체층이 제거되어 노출되는 제1 반도체층 위에 형성되는 제1 전극;으로서, 제1 반도체층과 접촉하는 제1 접촉층, 제1 접촉층 위에 형성되며 와이어가 본딩되는 제1 본딩층 및 제1접촉층과 제1 본딩층 사이에 형성되며 제1 본딩층보다 높은 반사율을 가지고 노출된 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 반사층을 가지는 제1 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A first semiconductor layer having a first conductivity type, a second semiconductor layer having a second conductivity type different from the first conductivity type, and positioned between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layer including an active layer for generating a; And
A first electrode formed on the first semiconductor layer to which the plurality of semiconductor layers are removed and exposed; a first contact layer contacting the first semiconductor layer, a first bonding layer formed on the first contact layer and bonded with a wire; And a first electrode formed between the first contact layer and the first bonding layer and having a first reflecting layer reflecting light from the exposed active layer with a higher reflectance than the first bonding layer. . 청구항 16에 있어서,
제1 전극은 제1 반도체층으로 전류를 공급하기 위해 뻗어 있는 가지 전극부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.18. The method of claim 16,
The first electrode further comprises a branch electrode portion extending to supply a current to the first semiconductor layer. 청구항 16에 있어서,
제1 반사층이 Al 또는 Ag 중의 적어도 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.18. The method of claim 16,
A semiconductor light emitting element, characterized in that the first reflective layer is made of at least one of Al or Ag. 청구항 16에 있어서,
제1 반사층이 Al으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.18. The method of claim 16,
A semiconductor light emitting element, characterized in that the first reflective layer is made of Al. 청구항 16에 있어서,
제1 반사층이 5000A이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.18. The method of claim 16,
A semiconductor light emitting element, wherein the first reflecting layer has a height of 5000 A or more. 청구항 16에 있어서,
제1 반사층이 1um 이상의 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.18. The method of claim 16,
A semiconductor light emitting device, characterized in that the first reflective layer has a height of 1um or more. 청구항 16에 있어서,
제1 반사층이 제1 본딩층보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.18. The method of claim 16,
A semiconductor light emitting device, characterized in that the first reflecting layer has a higher height than the first bonding layer. 청구항 16에 있어서,
제1 반사층과 제1 본딩층 사이에 추가의 층을 가지며, 제1 반사층이 추가의 층 및 제1 본딩층 각각보다 높은 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.18. The method of claim 16,
And an additional layer between the first reflective layer and the first bonding layer, wherein the first reflective layer has a height higher than that of each of the additional layer and the first bonding layer. 청구항 23에 있어서,
제1 접촉층, 제1 반사층, 추가의 층 및 제1 본딩층은 각각 Cr(또는 Ti)/Al/Ti(또는 Ni)/Au 또는 Cr(또는 Ti)/Ag/Ti(또는 Ni)/Au로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.24. The method of claim 23,
The first contact layer, the first reflective layer, the additional layer and the first bonding layer are Cr (or Ti) / Al / Ti (or Ni) / Au or Cr (or Ti) / Ag / Ti (or Ni) / Au, respectively. A semiconductor light emitting device, characterized in that consisting of.
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CN109326700A (en) * 2017-07-31 2019-02-12 山东浪潮华光光电子股份有限公司 A kind of GaN base LED electrode structure and preparation method thereof

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