KR101623277B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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류헤이 다카하라
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Abstract

본 발명은 생산 속도의 향상 및 비용의 삭감, 또한, 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면에 접촉해서 상대 이동하여, 그 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식하는 와이프(wipe) 부재(11)를 구비한다. 이 와이프 부재(11)는, 기체(基體)가 되는 탄성체(11a)와, 그 탄성체(11a)의 표면에 설치되며, 상대 이동하는 대전 방지막(Wa)의 표면에 접촉하는 천(11b)을 구비한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of realizing an improvement in production speed, a reduction in cost, and a reliable removal of particles.
The substrate processing apparatus according to the embodiment has a wipe member 11 which is in contact with the surface of the antistatic film Wa on the substrate W and moves relative to the surface of the antistatic film Wa, . The wipe member 11 includes an elastic body 11a as a base and a cloth 11b provided on the surface of the elastic body 11a and in contact with the surface of the antistatic film Wa that moves relative to the elastic body 11a do.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}[0001] SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS [0002]

본 발명의 실시형태는 기판 처리 장치에 관한 것이다. An embodiment of the present invention relates to a substrate processing apparatus.

기판 처리 장치로서는, 터치 패널 등의 제조 공정에 있어서, 유리 등의 기판 표면을 처리액(예컨대 약액이나 기능수 등)에 의해 처리하고, 그 후, 기판 표면을 건조하는 기판 처리 장치가 개발되어 있다. 터치 패널 등에서 이용하는 유리 등의 기판 표면에는, 지문이나 그 외의 오물이 부착되는 것을 방지할 목적으로, 대전을 방지하는 대전 방지막(AS 코트)이 형성되어 있는 경우가 있다. 이 막 두께는, 예컨대 수 ㎚∼수백 ㎚ 이다. As a substrate processing apparatus, there has been developed a substrate processing apparatus for processing a surface of a substrate such as glass with a processing solution (such as a chemical solution or functional water) in the manufacturing process of a touch panel or the like, and then drying the substrate surface . An antistatic film (AS coat) for preventing electrification may be formed on the surface of a substrate such as a glass used in a touch panel or the like in order to prevent adhesion of fingerprints or other dirt. This film thickness is, for example, several nm to several hundred nm.

전술한 기판 처리 전에는, 기판 상의 대전 방지막으로부터 파티클(이물), 예컨대 불소 이온이 달라붙은 파티클을 제거하기 위해서, 사람에 의한 손 세정(일례로서, 액체를 포함하는 천에 의해 기판 상의 대전 방지막의 표면을 닦는 작업 등)이 행해지고 있다. 한편, 불소 이온이 달라붙은 파티클은, 전술한 기판 처리보다 이전의 공정[예컨대 성막(成膜) 공정]에서, 기판 표면에 대전 방지막을 형성할 때에 대전 방지막에 부착된 것이다. Prior to the above-described substrate processing, in order to remove particles (foreign substances), for example, particles adhered with fluorine ions, from the antistatic film on the substrate, the surface of the antistatic film on the substrate And the like) are performed. On the other hand, the particles adhering the fluorine ions adhere to the antistatic film when the antistatic film is formed on the surface of the substrate in a process (for example, a film forming process) prior to the above-mentioned substrate treatment.

[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-202960호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-202960

그러나, 전술한 바와 같이 기판 상의 대전 방지막으로부터 파티클을 제거하는 경우, 사람에 의한 손 세정이 필요해지기 때문에, 생산 속도가 저하되어 버리고, 게다가 비용도 상승해 버린다. 또한, 사람에 의한 손 세정으로도, 불소 이온이 달라붙은 파티클을 완전히 제거하는 것은 어려우며, 파티클이 연무(煙霧) 형상의 막이 되어 남아 버리는 경우가 있다. 이 때문에, 생산 속도의 향상 및 비용의 삭감, 또한, 확실한 파티클 제거의 실현이 요구되고 있다.However, in the case of removing particles from the antistatic film on the substrate as described above, since hand cleaning by a human is required, the production rate is lowered and the cost is also increased. In addition, even with hand cleaning by a person, it is difficult to completely remove the particles adhered to the fluorine ions, and the particles may remain as fog-like films. For this reason, it is demanded to improve the production speed, reduce the cost, and realize reliable particle removal.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 생산 속도의 향상 및 비용의 삭감, 또한, 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. A problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of realizing an improvement in production speed, a reduction in cost, and a reliable removal of particles.

실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판 상의 대전 방지막의 표면에 접촉해서 상대 이동하여, 그 대전 방지막의 표면을 불식(拂拭)하는 와이프(wipe) 부재를 구비하고, 와이프 부재는, 기체(基體)가 되는 탄성체와, 탄성체의 표면에 설치되며, 상대 이동하는 대전 방지막의 표면에 접촉하는 천을 구비한다. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a wipe member that moves in contact with a surface of an antistatic film on a substrate to move relative to the antistatic film and wipes the surface of the antistatic film, And a cloth which is provided on the surface of the elastic body and makes contact with the surface of the antistatic film which moves relative to the elastic body.

상기한 실시형태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 생산 속도의 향상 및 비용의 삭감, 또한, 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있다. According to the substrate processing apparatus according to the above embodiment, the production speed can be improved, the cost can be reduced, and reliable particle removal can be realized.

도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 와이프부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 3은 제2 실시형태에 따른 와이프부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 4는 제3 실시형태에 따른 와이프부의 개략 구성을 도시하는 도면이다.
도 5는 제1 및 제2 실시형태에 따른 와이프부에 있어서의 처리 조건과 결과를 도시하는 그래프이다. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the first embodiment.
Fig. 2 is a view showing a schematic configuration of a wipe portion according to the first embodiment. Fig.
Fig. 3 is a diagram showing a schematic configuration of the wipe portion according to the second embodiment. Fig.
4 is a diagram showing a schematic configuration of a wipe portion according to the third embodiment.
5 is a graph showing processing conditions and results in the wipe section according to the first and second embodiments.

제1 실시형태에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다.The first embodiment will be described with reference to Figs. 1 and 2. Fig.

도 1에 도시하는 바와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 반송하는 반송부(2)와, 반송부(2)에 의해 반송되는 기판(W)을 처리하는 처리부(3)와, 반송부(2)에 의해 반송되는 기판(W)을 세정하는 세정부(4)와, 반송부(2)에 의해 반송되는 기판(W)을 건조하는 건조부(5)를 구비하고 있다.1, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a transfer section 2 for transferring a substrate W, a transfer section 2 for transferring a substrate W to be transferred by the transfer section 2, A cleaning section 4 for cleaning the substrate W carried by the carry section 2 and a drying section 4 for drying the substrate W carried by the carry section 2 5).

반송부(2)는, 기판(W)을 지지하는 스테이지(2a)와, 그 스테이지(2a)를 소정의 반송 방향(A1)(도 1 중의 우측 방향)으로 반송하는 반송 기구(2b)에 의해 구성되어 있다. 기판(W)은 스테이지(2a)의 배치면 상에 놓여지고, 반송 기구(2b)에 의해 스테이지(2a)와 함께 수평면 내의 소정 방향으로 반송된다. 한편, 반송 기구(2b)로서는, 예컨대, 서보 모터를 구동원으로 하는 이송 나사식의 이동 기구나 리니어 모터를 구동원으로 하는 리니어 모터식의 이동 기구 등을 이용하는 것이 가능하다.The carrying section 2 includes a stage 2a for holding a substrate W and a carrying mechanism 2b for carrying the stage 2a in a predetermined carrying direction A1 Consists of. The substrate W is placed on the placement surface of the stage 2a and is conveyed together with the stage 2a in a predetermined direction in the horizontal plane by the conveying mechanism 2b. On the other hand, as the transport mechanism 2b, it is possible to use, for example, a feed screw type moving mechanism using a servo motor as a driving source and a linear motor type moving mechanism using a linear motor as a driving source.

여기서, 기판(W)은, 예컨대 유리 등의 직사각형 형상의 기판이며, 그 기판(W)의 표면에는, 대전을 방지하는 대전 방지막(AS 코트)(Wa)이 형성되어 있다. 이 대전 방지막(Wa)에는, 불소 이온이 달라붙은 파티클(이물)이 부착되어 있는 경우가 있다. 이 파티클은, 예컨대, 기판(W)의 표면에 대전 방지막(Wa)을 형성하는 공정(예컨대 성막 공정)에서 불소 이온이 달라붙어 부착된 것이다.Here, the substrate W is, for example, a rectangular substrate such as glass, and an antistatic film (AS coat) Wa for preventing electrification is formed on the surface of the substrate W. Particles (foreign matters) adhering fluorine ions may adhere to the antistatic film Wa. This particle is, for example, adhered with fluorine ions attached in a process (for example, a film forming process) for forming an antistatic film Wa on the surface of the substrate W.

처리부(3)는, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식(와이프)하는 와이프부(3a)와, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 린스액을 공급하는 린스부(3b)와, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 브러싱하는 브러시부(3c)와, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 린스액을 공급하는 린스부(3d)를 구비하고 있다. The processing section 3 includes a wipe section 3a for wiping the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a to be transported and a wiping section 3a for wiping the surface of the substrate W on the stage 2a to be transported A rinsing portion 3b for supplying a rinsing liquid to the surface of the antistatic film Wa, a brush portion 3c for brushing the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a to be transported, And a rinsing portion 3d for supplying a rinsing liquid to the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a.

와이프부(3a)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식하는 와이프 부재(11)와, 그 와이프 부재(11)를 유지하는 유지 부재(12)와, 그 유지 부재(12)를 지지하는 지지 아암(13)을 갖고 있다.2, the wipe portion 3a includes a wipe member 11 for smoothing the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a to be transported, And a support arm 13 for supporting the holding member 12. The holding member 12 is provided with a holding member 12 for holding the holding member 12,

와이프 부재(11)는, 기체가 되는 탄성체(11a)와, 그 탄성체(11a)의 표면, 즉 기판(W)의 반송 방향(A1)(도 2 중의 우측 방향)의 상류측[이하, 간단히 기판(W)의 반송 방향 상류측이라고 함]의 표면에 설치된 천(11b)에 의해 구성되어 있다.The wipe member 11 is composed of an elastic body 11a to be a base and an upstream side of the surface of the elastic body 11a of the substrate W in the carrying direction A1 (Referred to as " upstream side in the conveying direction of the wafers W).

탄성체(11a)는, 예컨대 직사각형의 판 형상으로 형성되어 있고, 그 긴 변은 기판(W)의 폭[반송 방향(A1)과 직교하는 폭] 이상으로 되어 있다. 이 탄성체(11a)는, 그 긴 변이 기판(W)의 반송 방향(A1)과 직교하도록, 또한, 기판(W)의 반송 방향 상류측으로 쓰러뜨려져 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 소정 각도로 경사지도록 설치되어 있다. 탄성체(11a)로서는, 예컨대 고무 등의 각종 탄성체를 이용하는 것이 가능하다. The elastic body 11a is formed, for example, in the shape of a rectangular plate, and its long side is equal to or larger than the width of the substrate W (width orthogonal to the carrying direction A1). The elastic body 11a is arranged such that the long side thereof is perpendicular to the carrying direction A1 of the substrate W and is also collapsed toward the upstream side in the carrying direction of the substrate W to be transferred to the surface of the substrate W on the stage 2a As shown in Fig. As the elastic body 11a, for example, various elastic bodies such as rubber can be used.

천(11b)은, 탄성체(11a)에 있어서의 기판(W)의 반송 방향 상류측의 표면 전체를 덮도록 설치되어 있다. 이 천(11b)으로서는, 예컨대 면 등의 액체를 빨아들일 수 있는 각종 천을 이용하는 것이 가능하다.The cloth 11b is provided so as to cover the entire surface of the elastic body 11a on the upstream side in the carrying direction of the substrate W. [ As this cloth 11b, for example, various cloths capable of sucking liquid such as cotton can be used.

유지 부재(12)는, 탄성체(11a)와 동일한 판 형상으로 형성되어 있고, 그 유지 부재(12)의 표면, 즉 기판(W)의 반송 방향 상류측의 표면에 탄성체(11a)가 부착되어 있다. 이 유지 부재(12)는, 탄성체(11a)와 마찬가지로 기울어진 상태로 지지 아암(13)에 의해 지지되어 있다. 유지 부재(12)의 재료로서는, 예컨대 스테인리스 등의 금속 재료를 이용하는 것이 가능하다.The holding member 12 is formed in the same plate shape as the elastic body 11a and an elastic body 11a is attached to the surface of the holding member 12, that is, the surface on the upstream side in the carrying direction of the substrate W . The holding member 12 is supported by the supporting arm 13 in an inclined state like the elastic body 11a. As the material of the holding member 12, for example, a metal material such as stainless steel can be used.

지지 아암(13)은, 예컨대 직사각형의 판 형상으로 형성되어 있고, 그 지지 아암(13)의 단부(端部)에 유지 부재(12)가 부착되어 있다. 이 지지 아암(13)은, 스테이지(2a)의 이동을 방해하지 않는 위치에 설치된 칼럼 등의 지주에 고정되어 있다. 지지 아암(13)의 재료로서는, 예컨대 스테인리스 등의 금속 재료를 이용하는 것이 가능하다.The supporting arm 13 is formed, for example, in the shape of a rectangular plate, and the holding member 12 is attached to an end of the supporting arm 13. [ The support arm 13 is fixed to a column or the like provided at a position not obstructing the movement of the stage 2a. As the material of the support arm 13, for example, a metal material such as stainless steel can be used.

또한, 와이프부(3a)에는, 전술한 와이프 부재(11)의 천(11b)의 일부분에 처리액을 공급하는 액 공급부(14)가 설치되어 있다. 이 액 공급 대상이 되는 천(11b)의 일부분으로서는, 예컨대 상단부를 들 수 있으나, 이것에 한하는 것은 아니다. 처리액이 액 공급부(14)에 의해 천(11b)에 공급되어, 천(11b)은 처리액에 의해 젖은 상태(처리액을 포함한 상태)로 유지되어 있다.The wipe portion 3a is provided with a liquid supply portion 14 for supplying a treatment liquid to a part of the cloth 11b of the wipe member 11 described above. As a part of the cloth 11b to be supplied with this liquid, for example, the upper end portion may be mentioned, but this is not limitative. The treatment liquid is supplied to the cloth 11b by the liquid supply unit 14 and the cloth 11b is maintained in a wet state (state including the treatment liquid) by the treatment liquid.

액 공급부(14)의 처리액으로서는, 예컨대, 불소 이온이 달라붙은 파티클을 제거하는 것이 가능한 약액이나 기능수(일례로서 알코올을 포함하는 액체) 등을 이용한다. 이 처리액 온도는, 예컨대 40℃∼80℃의 범위 내(범위 이내)로 유지되어 있는 것이 바람직하다. As the treatment liquid of the liquid supply portion 14, for example, a chemical solution or a functional water (a liquid including an alcohol, for example) capable of removing particles adhering fluorine ions is used. It is preferable that the temperature of the treatment liquid is maintained within a range (within a range) of 40 占 폚 to 80 占 폚, for example.

이러한 와이프부(3a)에서는, 와이프 부재(11)가, 스테이지(2a)의 이동에 따라, 그 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 소정 압력으로 접촉해서 상대적으로 이동(상대 이동)하여, 처리액을 포함하는 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식한다. 이때, 와이프 부재(11)는, 천(11b)이 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 접촉하고 있는 상태에서, 스테이지(2a)의 이동[스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 상대 이동]에 따라 탄성체(11a)가 변형한다. In this wipe section 3a, the wipe member 11 is brought into contact with the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a with a predetermined pressure in accordance with the movement of the stage 2a, The surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a is smoothened by the cloth 11b containing the treatment liquid. At this time, the wipe member 11 moves the stage 2a (on the stage 2a) while the cloth 11b is in contact with the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a The relative movement of the antistatic film Wa of the substrate W).

여기서, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 대한 와이프 부재(11)의 하중은, 와이프 부재(11)가 기판(W)으로부터 대전 방지막(Wa)을 박리하지 않고 대전 방지막(Wa)의 표면 상의 파티클을 제거하는 것이 가능해지는 하중이며, 일례로서, 5 ㎏∼30 ㎏의 범위 내이다. 또한, 예컨대, 탄성체(11a)의 경도는 10°∼50°(JIS 규격 K6253 타입 A듀로미터에 의한 측정)의 범위 내이며, 유지 부재(12)의 하단과 대전 방지막(Wa)의 표면의 수직 이격 거리(a)는 3 ㎜이고, 유지 부재(12)의 하단과 와이프 부재(11)의 하단의 수직 이격 거리(b)는 10 ㎜이며, 대전 방지막(Wa)의 표면에 대한 유지 부재(12)의 각도(c)는 10°∼80°의 범위 내이다.The load of the wipe member 11 on the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a is set such that the wipe member 11 does not peel the antistatic film Wa from the substrate W It is a load capable of removing particles on the surface of the antistatic film Wa, for example, within a range of 5 kg to 30 kg. The hardness of the elastic body 11a is within the range of 10 占 to 50 占 (measured by JIS K6253 type A durometer) The vertical distance b between the lower end of the holding member 12 and the lower end of the wipe member 11 is 10 mm and the distance between the lower end of the holding member 12 and the lower end of the holding member 12 ) Is in the range of 10 DEG to 80 DEG.

도 1로 되돌아가서, 린스부(3b)는, 하방을 향해 린스액(예컨대 초순수 등)을 방출하는 샤워 노즐(21)을 갖고 있고, 그 샤워 노즐(21)로부터 린스액을 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 공급한다.1, the rinsing section 3b has a shower nozzle 21 for discharging a rinsing liquid (for example, ultra-pure water) downward. The rinsing liquid is supplied from the shower nozzle 21 to the transporting mechanism 2b, To the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a that is transported by the transporting mechanism (not shown).

브러시부(3c)는, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)을 브러싱하는 회전 브러시(31)와, 그 회전 브러시(31)에 처리액을 공급하는 샤워 노즐(32)을 갖고 있다. 이 브러시부(3c)는, 샤워 노즐(32)로부터 회전 브러시(31)에 처리액을 공급하면서, 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 회전 브러시(31)에 의해 브러싱한다.The brush portion 3c has a rotary brush 31 for brushing the substrate W on the stage 2a to be conveyed and a shower nozzle 32 for supplying a treatment liquid to the rotary brush 31. [ The brush portion 3c is a brush portion for supplying the treatment liquid from the shower nozzle 32 to the rotary brush 31 while allowing the wafer W on the stage 2a to be transported by the transport mechanism 2b, ) Is brushed by the rotary brush 31. The surface of the brush

샤워 노즐(32)의 처리액으로서는, 예컨대, 불소 이온이 달라붙은 파티클을 제거하는 것이 가능한 약액이나 기능수(일례로서 알코올을 포함하는 액체) 등을 이용한다. 이 처리액 온도는, 예컨대 40℃∼80℃의 범위 내로 유지되어 있는 것이 바람직하다. As the treatment liquid for the shower nozzle 32, for example, a chemical liquid or functional water (liquid containing alcohol, for example) capable of removing particles adhering fluorine ions is used. It is preferable that the temperature of the treatment liquid is maintained within a range of 40 占 폚 to 80 占 폚, for example.

린스부(3d)는, 전술한 린스부(3b)와 동일한 구조이며, 하방을 향해 린스액(예컨대 초순수 등)을 방출하는 샤워 노즐(41)을 갖고 있고, 그 샤워 노즐(41)로부터 린스액을 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 공급한다. The rinsing section 3d has the same structure as the rinsing section 3b and has a shower nozzle 41 for discharging a rinsing liquid (for example, ultrapure water or the like) downward. Is supplied to the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a transported by the transport mechanism 2b.

세정부(4)는, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 세정액을 고압으로 공급하는 고압부(4a)와, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 세정액을 공급하는 샤워부(4b)에 의해 구성되어 있다.The cleaning section 4 includes a high pressure section 4a for supplying a cleaning liquid at a high pressure to the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a to be transported, And a shower part 4b for supplying a cleaning liquid to the surface of the antistatic film Wa of the wafer W.

고압부(4a)는, 하방을 향해 세정액(예컨대 초순수 등)을 고압으로 분사하는 고압 샤워 노즐(51)과, 기체와 액체를 혼합하여 하방을 향해 분사하는 이류체(二流體) 슬릿 노즐(52)을 갖고 있다. 이 고압부(4a)는, 고압 샤워 노즐(51)로부터 세정액(일류체)을, 또한, 이류체 슬릿 노즐(52)로부터 기액 혼합체(이류체)를 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 분사한다. The high-pressure portion 4a includes a high-pressure shower nozzle 51 for spraying a cleaning liquid (for example, ultra-pure water or the like) at a high pressure downward, a dual-fluid slit nozzle 52 for spraying the gas and liquid in a downward direction, Lt; / RTI > The high-pressure section 4a is provided with a cleaning liquid (first-flow body) from the high-pressure shower nozzle 51 and a gas-liquid mixture (second-flow body) from the air flow slit nozzle 52 onto the stage 2a toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W. [

고압 샤워 노즐(51) 및 이류체 슬릿 노즐(52)은, 처리부(3)에 의한 처리 후, 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 부상(석출)한 파티클을 제거하기 위한 부재이다. 이 고압 샤워 노즐(51) 및 이류체 슬릿 노즐(52)은, 이들의 선단의 분사구가 하방으로 향해지고, 반송되는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 수직이 되도록 설치되어 있다. 고압 샤워 노즐(51)로부터 세정액을 분사하기 위한 펌프압은 10 Mpa 이상이다. The high pressure shower nozzle 51 and the aliquot slit nozzle 52 are members for removing particles that have floated on the surface of the antistatic film Wa of the substrate W after the treatment by the treatment section 3 . The high-pressure shower nozzle 51 and the air current slit nozzle 52 are provided so that the injection port at the tip of the high-pressure shower nozzle 51 and the air slit nozzle 52 are directed downward and perpendicular to the surface of the substrate W on the stage 2a. The pump pressure for spraying the cleaning liquid from the high-pressure shower nozzle 51 is 10 Mpa or more.

이류체 슬릿 노즐(52)의 기체로서는, 예컨대 공기, 산소 또는 질소, 헬륨, 수소 등을 이용하는 것이 가능하고, 이류체 슬릿 노즐(52)의 액체로서는, 예컨대 탄산수나, 암모니아 수용액 또는 순수 등을 이용하는 것이 가능하며, 기체 및 액체를 자유롭게 조합할 수 있다. For example, air, oxygen or nitrogen, helium, hydrogen, or the like can be used as the gas of the air current slit nozzle 52. As the liquid of the air current slit nozzle 52, for example, carbonated water, aqueous ammonia solution, And it is possible to freely combine the gas and the liquid.

샤워부(4b)는, 하방을 향해 세정액(예컨대 초순수 등)을 방출하는 샤워 노즐(61)을 갖고 있고, 그 샤워 노즐(61)로부터 세정액을 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 공급한다. The shower part 4b has a shower nozzle 61 for discharging a cleaning liquid (for example, ultra-pure water or the like) downward. The cleaning liquid is supplied from the shower nozzle 61 to the stage 2a To the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the substrate W.

건조부(5)는, 하방을 향해 건조용의 기체(예컨대 공기나 질소 가스 등)를 분사하는 에어 나이프(5a)를 갖고 있고, 그 에어 나이프(5a)로부터 건조용의 기체를 반송 기구(2b)에 의해 반송되고 있는 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 방출한다. 한편, 에어 나이프(5a)는, 그 선단의 분사구가 하방으로 향해져 기판(W)의 반송 방향 하류측으로 쓰러뜨려지며, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 소정 각도로 경사지도록 설치되어 있다. The drying section 5 has an air knife 5a for spraying a drying gas (for example, air or nitrogen gas) downward and the drying gas is supplied from the air knife 5a to the transport mechanism 2b Toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a which is transported by the stage 2a. On the other hand, the air knife 5a is disposed such that the injection port of the tip of the air knife 5a is downwardly directed to the downstream side in the carrying direction of the substrate W and is inclined at a predetermined angle with respect to the surface of the substrate W on the stage 2a .

다음으로, 전술한 기판 처리 장치(1)가 행하는 기판 처리에 대해서 설명한다.Next, substrate processing performed by the above-described substrate processing apparatus 1 will be described.

기판(W)이 놓여진 스테이지(2a)가 반송 기구(2b)에 의해 소정의 반송 방향(A1)을 따라 반송된다. 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 와이프부(3a)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 와이프 부재(11)의 천(11b)에 접촉한다. 그 후, 스테이지(2a)의 이동에 따라, 와이프 부재(11)의 탄성체(11a)의 선단부는 서서히 구부러져 기판(W)의 반송 방향을 따르도록 변형해 간다. 이 탄성체(11a)에 의해 천(11b)은, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 대하여 소정 하중으로 밀어붙여지게 되고, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식한다. 이때, 천(11b)은, 액 공급부(14)에 의한 처리액의 공급에 의해 젖은 상태로 되어 있다. 이 처리액을 포함하는 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 불식되어, 그 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클이 제거된다. 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 와이프 부재(11)를 통과하면, 와이프 부재(11)는 원래의 형상으로 되돌아간다.The stage 2a on which the substrate W is placed is transported by the transport mechanism 2b along the predetermined transport direction A1. The surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a contacts the cloth 11b of the wipe member 11 when the substrate W on the stage 2a reaches the wipe portion 3a . The distal end portion of the elastic body 11a of the wipe member 11 is gradually bent and deformed along the conveying direction of the substrate W. As a result, This elastic body 11a pushes the cloth 11b against the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a under a predetermined load and moves the anti- (Wa) surface. At this time, the cloth 11b is in a wet state by the supply of the processing liquid by the liquid supply portion 14. [ The surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a is smoothened by the cloth 11b containing the treatment liquid and particles adhered with fluorine ions are removed from the antistatic film Wa. When the substrate W on the stage 2a passes the wipe member 11, the wipe member 11 returns to its original shape.

스테이지(2a) 상의 기판(W)이 린스부(3b)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 샤워 노즐(21)로부터 린스액이 방출되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 세정되어 간다. 계속해서, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 브러시부(3c)에 도달하면, 회전하고 있는 회전 브러시(31)에 샤워 노즐(32)로부터 처리액이 공급되어, 처리액에 의해 젖은 상태의 회전 브러시(31)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 브러싱되어 간다. 이것에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클이 제거된다. 그리고, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 린스부(3d)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 샤워 노즐(41)로부터 린스액이 방출되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 세정되어 간다. The rinsing liquid is discharged from the shower nozzle 21 toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a when the substrate W on the stage 2a reaches the rinsing portion 3b, As the stage 2a moves, the surface of the antistatic film Wa is cleaned. Subsequently, when the substrate W on the stage 2a reaches the brush portion 3c, the treatment liquid is supplied to the rotating brush 31 from the shower nozzle 32, The surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a is brushed by the rotary brush 31. [ As a result, particles adhered to the fluorine ions are removed from the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a. When the substrate W on the stage 2a reaches the rinsing unit 3d, the rinsing liquid is discharged from the shower nozzle 41 toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a And the surface of the antistatic film Wa is cleaned in accordance with the movement of the stage 2a.

이와 같이, 와이프부(3a)보다도 하류측에 린스부(3b)와 브러시부(3c)를 설치함으로써, 와이프부(3a)에서 발생한 대전 방지막(Wa)의 표면의 파티클을 제거할 수 있도록 되어 있다.As described above, by providing the rinsing portion 3b and the brush portion 3c on the downstream side of the wipe portion 3a, the particles on the surface of the antistatic film Wa generated in the wipe portion 3a can be removed .

스테이지(2a) 상의 기판(W)이 고압부(4a)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 고압 샤워 노즐(51)로부터 소정 압력(예컨대 10 Mpa 이상의 고압)으로 세정액이 방출되고, 계속해서, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 이류체 슬릿 노즐(52)로부터 소정 압력으로 기액 혼합체(이류체)가 분사되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 세정되어 간다. 이것에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터, 그 대전 방지막(Wa)의 표면에 부상(석출)한 파티클이 제거된다. Pressure shower nozzle 51 toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a when the substrate W on the stage 2a reaches the high pressure portion 4a at a predetermined pressure Liquid mixture (air) is jetted from the adiabatic slit nozzle 52 toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a at a predetermined pressure, And the surface of the antistatic film Wa is cleaned in accordance with the movement of the stage 2a. As a result, the particles floating on the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a are removed.

스테이지(2a) 상의 기판(W)이 샤워부(4b)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 샤워 노즐(61)로부터 세정액이 방출되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 세정되어 간다. 그리고, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 건조부(5)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 에어 나이프(5a)로부터 건조용의 기체가 방출되어, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면이 건조되어 간다.When the substrate W on the stage 2a reaches the shower part 4b, the cleaning liquid is discharged from the shower nozzle 61 toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a, The surface of the antistatic film Wa is cleaned by the movement of the antistatic film Wa. When the substrate W on the stage 2a reaches the drying section 5, the air is blown from the air knife 5a toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a, And the surface of the antistatic film Wa is dried by the movement of the stage 2a.

이러한 기판 처리 공정에 의하면, 처리액을 포함하는 천(11b)이 스테이지(2a)의 이동에 따라 탄성체(11a)에 의해 스테이지(2a) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면에 밀어붙여지면서, 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식한다. 이것에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클을 제거할 수 있다. 또한, 처리액에 의해 젖은 상태의 회전 브러시는 회전하면서 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면을 브러싱하기 때문에, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클을 확실하게 제거할 수 있다. 또한, 스테이지(2a)의 이동에 따라 고압 샤워 노즐(51)이 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 세정액을 방출하고, 계속해서, 이류체 슬릿 노즐(52)이 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 향해 기액 혼합체를 분사한다. 이것에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터, 그 대전 방지막(Wa)의 표면에 부상(석출)한 파티클을 제거할 수 있다. According to this substrate processing step, the cloth 11b containing the processing solution is pressed against the surface of the antistatic film Wa on the stage 2a by the elastic body 11a in accordance with the movement of the stage 2a, W on the surface of the antistatic film Wa. As a result, particles adhering fluorine ions can be removed from the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a. The rotating brush in a wet state by the treatment liquid brushes the surface of the antistatic film Wa on the substrate W while rotating so that fluorine ions from the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a It is possible to reliably remove the sticky particles. The high-pressure shower nozzle 51 discharges the cleaning liquid toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a in accordance with the movement of the stage 2a. Subsequently, the airflow slit nozzle 52 ) Is sprayed toward the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a. This makes it possible to remove particles floating on the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a from the surface of the antistatic film Wa.

이상 설명한 바와 같이, 제1 실시형태에 의하면, 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)의 표면에 접촉해서 상대 이동하여, 그 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식하는 와이프 부재(11)를 설치함으로써, 기판(W) 상의 대전 방지막(Wa)으로부터 파티클을 제거하는 것이 가능해진다. 이것에 의해, 사람에 의한 손 세정이 불필요해지기 때문에, 생산 속도를 향상시킬 수 있고, 게다가 비용도 억제할 수 있다. 또한, 불소 이온이 달라붙은 파티클이 연무 형상의 막이 되어 남아 버리는 것을 억제하는 것이 가능해지기 때문에, 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있다. As described above, according to the first embodiment, by providing the wipe member 11 which is in contact with the surface of the antistatic film Wa on the substrate W so as to move relative to the surface of the antistatic film Wa, , It is possible to remove the particles from the antistatic film Wa on the substrate W. This eliminates the need for hand washing by a person, so that the production speed can be improved and the cost can be reduced. In addition, it is possible to inhibit the particles adhering the fluorine ions from remaining as a film in the form of a mist, so that it is possible to reliably remove the particles.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

제2 실시형태에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다.The second embodiment will be described with reference to Fig.

제2 실시형태는 기본적으로 제1 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제2 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 상위점[와이프부(3a1)]에 대해서 설명하고, 제1 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.The second embodiment is basically the same as the first embodiment. Therefore, the second embodiment differs from the first embodiment (the wipe portion 3a1), and the same portions as those described in the first embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted .

도 3에 도시하는 바와 같이, 제2 실시형태에 따른 와이프부(3a1)에 있어서, 와이프 부재(11)의 탄성체(11a)는, 기판(W)의 반송 방향(A1)(도 3 중의 우측 방향)의 상류측으로 쓰러뜨려져 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 표면에 대하여 소정 각도로 경사지는 경사부(B1)와, 그 경사부(B1)에 이어지며 기판(W)의 반송 방향(A1)을 따라 소정 거리[예컨대 기판(W)의 반송 방향(A1)의 길이 이상의 거리]만큼 연장되는 연신부(B2)를 갖고 있다. 또한, 천(11b)은, 경사부(B1) 및 연신부(B2)에 있어서의 반송 기구(2b)측의 표면(도 3 중의 하측의 면)에 설치되어 있다.3, the elastic body 11a of the wipe member 11 in the wipe portion 3a1 according to the second embodiment is configured to be movable in the feeding direction A1 of the substrate W An inclined portion B1 which is inclined toward the upstream side of the substrate W and inclined at a predetermined angle with respect to the surface of the substrate W on the stage 2a and an inclined portion B1 which is continuous with the inclined portion B1, For example, a distance longer than the length of the substrate W in the carrying direction A1). The cloth 11b is provided on the surface of the inclined portion B1 and the extending portion B2 on the transport mechanism 2b side (the lower surface in Fig. 3).

이 와이프 부재(11)를 유지하기 위해서, 유지 부재(12)와 협력하여 와이프 부재(11)를 유지하는 유지 프레임(15)이 설치되어 있다. 이 유지 프레임(15)은 유지 부재(12)와 함께 지지 아암(13)에 의해 지지되어 있다.In order to hold the wipe member 11, a holding frame 15 for holding the wipe member 11 in cooperation with the holding member 12 is provided. The holding frame 15 is supported by the supporting arm 13 together with the holding member 12.

도 3에 도시하는 바와 같이, 연신부(B2)의 기판(W)의 반송 방향(A1)의 길이는, 기판(W)의 반송 방향(A1)의 길이[기판(W)의 길이 방향 길이] 이상이 아니어도 좋으나, 기판(W)의 길이 방향 길이 이상인 것이 바람직하다. 이 경우, 기판이 연신부(B2) 아래를 통과할 때에, 기판(W)의 길이 방향 길이 전체가 연신부(B2)에 덮이게 된다. 이것에 의해 연신부(B2)에 균등하게 힘이 가해지게 되기 때문에, 기판(W)의 표면 전체가 와이프 부재(11)에 균일한 힘으로 밀어붙여져, 균등한 와이핑이 행해진다. 3, the length of the substrate W in the carrying direction A1 of the extending portion B2 is equal to the length of the substrate W in the carrying direction A1 (length in the longitudinal direction of the substrate W) But it is preferable that the length is equal to or greater than the length of the substrate W in the longitudinal direction. In this case, when the substrate passes under the extending portion B2, the entire length in the longitudinal direction of the substrate W is covered by the extending portion B2. The entire surface of the substrate W is pressed against the wipe member 11 with a uniform force and uniform wiping is performed.

이 와이프 부재(11)의 천(11b)에는, 액 공급부(14)에 의해 처리액이 공급되어 있는데, 제2 실시형태에서는, 천(11b)의 일부분만이 처리액을 포함하여 젖은 상태로 유지되어 있다. 상세히 서술하면, 천(11b)은, 대전 방지막(Wa)의 표면과 접촉하는 부분을 포함하여 기판(W)의 반송 방향 상류측의 영역(상류 영역)이 처리액에 의해 젖어 있고, 그 기판(W)의 반송 방향 하류측의 영역(하류 영역)이 건조한 상태이다. 이 상태를 얻기 위해서, 액 공급부(14)로부터 천(11b)에 공급되는 처리액은, 예컨대 알코올이면 그것이 휘발성인 것도 고려하여, 탄성체(11a)의 연신부(B2)를 덮는 천(11b)의, 예컨대 기판(W)의 반송 방향 하류측 절반의 영역이 건조한 상태로 유지되도록 그 양이 조정된다.The treatment liquid is supplied to the cloth 11b of the wipe member 11 by the liquid supply unit 14. In the second embodiment, only a part of the cloth 11b is kept wet . More specifically, the cloth 11b includes a portion that comes into contact with the surface of the antistatic film Wa and the region (upstream region) on the upstream side in the carrying direction of the substrate W is wet by the processing liquid, W) downstream in the conveying direction is in a dry state. In order to obtain this state, the treatment liquid to be supplied from the liquid supply unit 14 to the cloth 11b is, for example, a volatile material of the cloth 11b covering the extending portion B2 of the elastic body 11a , For example, the area on the downstream side in the conveying direction of the substrate W is maintained in a dry state.

이러한 와이프부(3a1)에서는, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 와이프부(3a1)에 도달하면, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 와이프 부재(11)의 천(11b)에 접촉한다. 그 후, 스테이지(2a)의 이동에 따라, 와이프 부재(11)의 탄성체(11a)는 기판(W)의 반송 방향 상류측으로부터 서서히 두께가 얇아지도록 변형해 간다. 이 탄성체(11a)에 의해 천(11b)은 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 대하여 소정 하중으로 밀어붙여지고, 스테이지(2a)의 이동에 따라 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식한다. 이때, 천(11b)은, 그 상류 영역이 액 공급부(14)에 의한 처리액의 공급에 의해 처리액을 포함한 상태로 되고, 그 하류 영역이 건조한 상태로 되어 있다.In this wipe portion 3a1, when the substrate W on the stage 2a reaches the wipe portion 3a1, the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a contacts the wipe member 11, And contacts the cloth 11b. Thereafter, as the stage 2a is moved, the elastic body 11a of the wipe member 11 is deformed so as to gradually decrease in thickness from the upstream side in the carrying direction of the substrate W. [ The elastic material 11a causes the cloth 11b to be pressed against the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a under a predetermined load and the antistatic film Wa ). At this time, the upstream region of the cloth 11b is in a state including the treatment liquid by the supply of the treatment liquid by the liquid supply unit 14, and the downstream region thereof is in the dry state.

이 처리액을 포함하는 상류 영역의 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 불식되고, 또한 그 후, 건조한 하류 영역의 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면이 불식된다. 이것에 의해, 처리액에 의해 젖은 상태의 천에 의한 1단째의 와이프와, 건조한 상태의 천에 의한 2단째의 와이프가 실행된다. 2단째의 와이프에서는, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 존재하는 처리액이 닦여지게 된다. 이러한 연속한 와이프에 의해, 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)으로부터 불소 이온이 달라붙은 파티클이 확실하게 제거된다. 한편, 스테이지(2a) 상의 기판(W)이 와이프 부재(11)를 통과하면, 와이프 부재(11)는 원래의 형상으로 되돌아간다. The surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a is smoothened by the cloth 11b in the upstream region including the treatment liquid and then the cloth 11b in the downstream region is dried The surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a is smoldered. Thereby, the first-stage wipe by the wet cloth and the second-stage wipe by the dry cloth are executed by the treatment liquid. In the second-stage wipe, the processing solution existing on the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a is wiped. This continuous wipe reliably removes particles adhering fluorine ions from the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a. On the other hand, when the substrate W on the stage 2a passes the wipe member 11, the wipe member 11 returns to its original shape.

이상 설명한 바와 같이, 제2 실시형태에 의하면, 제1 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 처리액을 포함하는 상류 영역의 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식하고, 그 후, 건조한 하류 영역의 천(11b)에 의해 스테이지(2a) 상의 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식함으로써, 불소 이온이 달라붙은 파티클을 보다 확실하게 제거하는 것이 가능해지기 때문에, 보다 확실한 파티클 제거를 실현할 수 있다. As described above, according to the second embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. The surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a is smoothened by the cloth 11b in the upstream region including the treatment liquid and is then smoothened by the cloth 11b in the dried downstream region Since the surface of the antistatic film Wa of the substrate W on the stage 2a can be smoothed out, it is possible to more reliably remove the particles adhered to the fluorine ions, so that more reliable particle removal can be realized.

(제3 실시형태)(Third Embodiment)

제3 실시형태에 대해서 도 4를 참조하여 설명한다. The third embodiment will be described with reference to Fig.

제3 실시형태는 기본적으로 제2 실시형태와 동일하다. 이 때문에, 제3 실시형태에서는, 제2 실시형태와의 상위점[와이프부(3a2)]에 대해서 설명하고, 제2 실시형태에서 설명한 부분과 동일 부분은 동일 부호로 나타내며, 그 설명도 생략한다.The third embodiment is basically the same as the second embodiment. Therefore, the third embodiment differs from the second embodiment (the wipe portion 3a2), and the same parts as those described in the second embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted .

도 4에 도시하는 바와 같이, 제3 실시형태에 따른 와이프부(3a2)는, 제2 실시형태와 마찬가지로, 와이프 부재(11)의 탄성체(11a1)가, 경사부(B1)와 연신부(B2)를 가지며, 천(11b)은 경사부(B1) 및 연신부(B2)에 있어서의 반송 기구(2b)측의 표면에 설치되어 있다. 또한, 앞서 서술한 하류 영역에 대응하는 연신부(B2)의 상면에 접하도록, 제1 에어 공급 기구(20)가 설치된다. 또한 탄성체(11a1)의 연신부(B2)에는, 그 두께 방향으로 연장되며, 또한 두께 방향 양단부에 개구하는 도시하지 않은 복수의 미세 구멍이 형성되어 있어, 제1 에어 공급 기구(20)로부터의 에어가 미세 구멍을 통해 천(11b)에 공급되도록 되어 있다. 또한, 와이프부(3a2)의 하류측에는, 제2 에어 공급 기구(30)가 설치되고, 이 제2 에어 공급 기구(30)는, 와이프부(3a2)의 연신부(B2)의 천(11b) 표면에 대하여 에어를 공급하는 것이 가능하도록 설치되어 있다. 제2 실시형태와 마찬가지로, 천(11b)은 그 상류 영역이 액 공급부(14)에 의한 처리액의 공급에 의해 처리액을 포함한 상태로 되고, 그 하류 영역이 건조한 상태로 되어 있다. 천(11b)에는, 대전 방지막(Wa)의 표면을 불식함으로써, 대전 방지막(Wa)의 표면에 부착되어 있던 파티클이 부착된다. 특히, 하류측일수록 상류측에서 불식된 파티클이 밀려와, 다수의 파티클이 부착되기 쉬워진다. 제1 에어 공급 기구(20) 및 제2 에어 공급 기구(30)는, 이 파티클을 불어 날려 버리기 위한 기구로서, 기판(W)이 반송되고 있지 않을 때에, 천(11b)을 향해 에어를 내뿜음으로써 천(11b)의 표면에 부착된 파티클이 제거된다. 또한, 천(11b)의 하류측을 항상 건조시킬 수 있기 때문에, 처리액에 젖은 상태의 천(11b)에 의한 1단째 와이프와, 건조한 상태의 천(11b)으로의 2단째의 와이프를 연속해서 실행할 수 있다. 또한, 이와 같이, 젖은 상태의 천(11b)으로의 와이프와, 건조한 상태의 천(11b)으로의 와이프 사이의 시간이 적은 것이, 파티클의 제거를 효과적으로 행할 수 있다. 이것은, 젖은 상태의 천(11b)으로 와이프됨으로써 천(11b)에 공급된 처리액이 기판(W)의 표면에 부착되어 기판(W)의 표면이 젖은 상태가 되고, 또한 이 처리액 중에 기판(W) 표면에 부착되어 있는 파티클이 떠오른 상태가 되며, 기판(W)의 표면이 건조해 버리기 전에, 건조한 상태의 천(11b)으로 2단째의 와이프를 연속적으로 행함으로써, 떠오른 파티클을 제거할 수 있기 때문이다. 4, the wiped portion 3a2 according to the third embodiment is similar to the second embodiment in that the elastic body 11a1 of the wipe member 11 is composed of the inclined portion B1 and the extending portion B2 And the cloth 11b is provided on the surface of the inclined portion B1 and the extending portion B2 on the side of the transport mechanism 2b. The first air supply mechanism 20 is provided so as to abut the upper surface of the extending portion B2 corresponding to the aforementioned downstream region. A plurality of micropores (not shown) extending in the thickness direction and opening at both ends in the thickness direction are formed in the extending portion B2 of the elastic body 11a1, and the air from the first air supply mechanism 20 Is supplied to the cloth 11b through the fine holes. A second air supply mechanism 30 is provided on the downstream side of the wipe portion 3a2 and the second air supply mechanism 30 is provided on the cloth 11b of the extending portion B2 of the wipe portion 3a2, So that air can be supplied to the surface. As in the second embodiment, the upstream region of the cloth 11b is in a state including the process liquid by the supply of the process liquid by the liquid supply unit 14, and the downstream region thereof is dry. Particles adhering to the surface of the antistatic film Wa are adhered to the cloth 11b by removing the surface of the antistatic film Wa. Particularly, the more downstream the particles are pushed away from the upstream side, the more particles are likely to adhere. The first air supply mechanism 20 and the second air supply mechanism 30 are mechanisms for blowing out the particles and blow air toward the cloth 11b when the substrate W is not being transported The particles attached to the surface of the cloth 11b are removed. In addition, since the downstream side of the cloth 11b can always be dried, the first-stage wipes by the cloth 11b wetted with the treatment liquid and the second-stage wipes by the cloth 11b in a dry state are continuously Can be executed. In addition, since the time between the wiping to the wet cloth 11b and the wipe to the cloth 11b in a dry state is small in this way, the particles can be effectively removed. This is because the processing liquid supplied to the cloth 11b is adhered to the surface of the substrate W by wiping with the cloth 11b in the wet state and the surface of the substrate W becomes wet, The particles adhering to the surface of the substrate W are lifted and the wafers in the second stage are continuously subjected to drying in the dry cloth 11b before the surface of the substrate W is dried to remove the floating particles It is because.

(다른 실시형태)(Other Embodiments)

전술한 제1 내지 제3 실시형태에 있어서는, 반송부(2)로서, 스테이지(2a) 및 반송 기구(2b)를 이용하고 있으나, 이것에 한하는 것은 아니며, 예컨대, 복수의 반송 롤러를 소정 간격으로 평행하게 배열하여 이용하도록 해도 좋다.In the first to third embodiments described above, the stage 2a and the conveying mechanism 2b are used as the conveying unit 2, but the present invention is not limited to this. For example, May be arranged in parallel.

또한, 전술한 제1 내지 제3 실시형태에 있어서는, 기판(W)의 상면(도 1 중)에 대하여 처리, 세정 및 건조를 행하고 있으나(한쪽 면 처리), 이것에 한하는 것은 아니며, 예컨대, 기판(W)의 상하면(도 1 중)의 양면에 대하여 처리, 세정 및 건조를 행하도록 해도 좋고(양면 처리), 기판(W)의 상면측에 더하여, 기판(W)의 하면측에 샤워 노즐(21)이나 회전 브러시(31), 각 샤워 노즐(32, 41 및 61), 에어 나이프(5a) 등을 설치하도록 해도 좋다. 이 경우에는, 반송부(2)로서, 예컨대, 전술한 복수의 반송 롤러를 이용함으로써, 기판(W)의 하면에의 처리를 가능하게 할 수 있다. In the first to third embodiments described above, the upper surface (in Fig. 1) of the substrate W is subjected to treatment, cleaning and drying (one surface treatment), but the present invention is not limited to this. (Two-side processing) may be performed on both surfaces of the upper and lower surfaces (Fig. 1) of the substrate W. In addition to the upper surface side of the substrate W, The shower head 21, the rotary brush 31, the shower nozzles 32, 41 and 61, the air knife 5a, and the like may be provided. In this case, for example, by using the above-described plurality of conveying rollers as the carry section 2, the lower surface of the substrate W can be processed.

또한, 전술한 제1 또는 제2 실시형태에 있어서는, 기판(W)의 대전 방지막(Wa)의 표면에 부상(석출)한 파티클을 제거하기 위해서, 고압 샤워 노즐(51) 및 이류체 슬릿 노즐(52)의 양방을 설치하고 있으나, 이것에 한하는 것은 아니며, 어느 한쪽만이어도 좋다. 또한, 린스부(3b), 브러시부(3c), 린스부(3d), 세정부(4)는, 기판(W)을 액체에 침지시켜 초음파를 인가하는 초음파 세정 등, 그 외의 공지의 세정 방법을 채용하거나, 또한 이들을 조합하도록 해도 좋다.In the first or second embodiment described above, in order to remove particles that have been deposited on the surface of the antistatic film Wa of the substrate W, a high-pressure shower nozzle 51 and an adiabatic slit nozzle 52 are provided, but it is not limited to this, and either one of them may be used. The rinse portion 3b, the brush portion 3c, the rinsing portion 3d and the cleaning portion 4 may be formed by a known cleaning method such as ultrasonic cleaning in which the substrate W is immersed in liquid to apply ultrasonic waves Or a combination of these may be employed.

또한, 상기 실시형태에 있어서, 와이프부[3a(3a1, 3a2)]에 있어서의 액 공급부(14)는, 도 3에 도시하는 바와 같은, 두 갈래로 갈라진 노즐(N)을 채용하는 것이 바람직하고, 이 두 갈래로 갈라진 노즐(N)을 여러 개 연결시킨 형상이 바람직하다. 이 연결된 노즐(N)이, 와이프 부재(11)[제2 실시형태, 제3 실시형태에 있어서는 경사부(B1)]의 기판(W)의 반송 방향(A1)과 직교하는 방향을 따라 복수 설치되어 있다. 복수의 노즐(N) 각각의 배치 위치는, 천(11b)의 반송 방향(A1)과 직교하는 방향에 있어서, 간극 없이 처리액이 공급되도록 배치되며, 각각의 노즐(N)로부터 동시에 토출된다. 노즐(N)로부터의 공급압과 노즐 내경(內徑)은, 도 5에 도시하는 바와 같이 최적의 조건이 있으며, 공급압과 노즐 내경을 조정함으로써, 천(11b)에 공급되는 처리액의 양을 제어하고 있다. 한편, 전술한 바와 같이, 액 공급부(14)로부터 공급되는 처리액은 알코올을 포함하는 액체인 것이 바람직하다. 알코올을 포함하는 처리액은 휘발성을 갖기 때문에, 천(11b)에 공급된 직후부터 증발이 시작된다. 이 증발의 속도와의 균형으로부터 노즐(N)로부터의 처리액 토출량, 나아가서는 노즐(N)로부터의 공급압과 노즐 내경이 결정된다. 또한, 제2 실시형태 및 제3 실시형태에 있어서는, 프레임(15)의 기판(W) 반송 방향(A1)의 상류측 일단의 바로 아래까지, 천(11b)에 처리액을 포함시키도록 처리액을 공급하는 것이 바람직하다.In the above embodiment, it is preferable that the liquid supply portion 14 in the wipe portions 3a (3a1, 3a2) employs a bifurcated nozzle N as shown in Fig. 3 , And a shape in which a plurality of these two divided nozzles (N) are connected is preferable. The nozzles N to be connected are arranged in plural along the direction orthogonal to the transport direction A1 of the wiping member 11 (the inclined portion B1 in the second and third embodiments) . The arrangement positions of the plurality of nozzles N are arranged such that the process liquid is supplied without gaps in the direction perpendicular to the transfer direction A1 of the cloth 11b and are simultaneously discharged from the respective nozzles N. [ The supply pressure from the nozzle N and the nozzle inner diameter are optimum conditions as shown in Fig. 5, and by adjusting the supply pressure and the nozzle inner diameter, the amount of the processing liquid supplied to the cloth 11b Respectively. On the other hand, as described above, the treatment liquid supplied from the liquid supply unit 14 is preferably a liquid containing alcohol. Since the treatment liquid containing alcohol has volatility, evaporation starts immediately after being supplied to the cloth 11b. From the balance with the rate of evaporation, the amount of process liquid discharged from the nozzles N, that is, the supply pressure from the nozzles N and the nozzle inner diameter are determined. In the second embodiment and the third embodiment, the treatment liquid is added to the cloth 11b to just below the upstream end of the frame 15 in the transport direction A1 of the substrate W Is preferably supplied.

도 5는 와이프부[3a(3a1, 3a2)]에 있어서의 액 공급부(14)로부터의 공급압과, 액 공급부(14)의 액 토출구의 내경과, 그 처리 결과를 나타내고 있다. ○는 처리가 양호한(청정한 기판이 얻어지는) 것을 나타내고, △는 어느 정도 처리가 양호, ×는 처리가 불량인 것을 나타낸다(육안으로 확인). 또한, 이 측정의 조건은, 액 공급부(14)로부터 공급되는 액체가 알코올을 포함하는 액체이고, 액 공급부(14)의 액 토출구로부터 천(11b)까지의 거리가 0.3 ㎜∼3.0 ㎜이며, 천(11b)에 있어서의 도포 영역은, 폭[기판(W)의 반송 방향(A1)과 직교하는 방향의 길이]이 15 ㎜∼40 ㎜, 높이(폭 방향과 직교하는 방향의 길이)가 15 ㎜∼70 ㎜이며, 액 공급부(14)로부터의 액 토출 타이밍이 와이프 부재(11)에 기판(W)의 표면이 접촉하기 0.3초∼5초 전에 행해지는 경우이다.5 shows the supply pressure from the liquid supply portion 14 in the wipe portions 3a (3a1, 3a2), the inner diameter of the liquid discharge portion of the liquid supply portion 14, and the processing result thereof. Indicates that the treatment is satisfactory (a clean substrate can be obtained),? Indicates that the treatment is good to some extent, and X shows that the treatment is poor (confirmed with naked eyes). The condition of this measurement is that the liquid supplied from the liquid supply unit 14 is a liquid containing alcohol and the distance from the liquid discharge port of the liquid supply unit 14 to the cloth 11b is 0.3 mm to 3.0 mm, (The length in the direction orthogonal to the width direction) of 15 mm to 40 mm and the width (length in the direction perpendicular to the width direction) of the substrate W is 15 mm To 70 mm and the liquid discharge timing from the liquid supply unit 14 is performed 0.3 to 5 seconds before the surface of the substrate W contacts the wipe member 11.

와이프부[3a(3a1, 3a2)]에 있어서의 액 공급부(14)로부터의 액 공급의 압력은, 0.05 ㎫∼0.8 ㎫인 것이 바람직하고, 0.5 ㎫인 것이 가장 바람직하다. 액 공급부(14)의 액 토출구의 내경은, 0.5 ㎜∼1.0 ㎜까지인 것이 바람직하고, 또한, 0.8 ㎜인 것이 가장 바람직하다. The liquid supply pressure from the liquid supply portion 14 in the wipe portions 3a (3a1, 3a2) is preferably 0.05 MPa to 0.8 MPa, and most preferably 0.5 MPa. The inner diameter of the liquid discharge port of the liquid supply portion 14 is preferably 0.5 mm to 1.0 mm, and most preferably 0.8 mm.

또한, 상기 실시형태에 있어서는, 스테이지(2a)에 기판(W)을 지지하여, 반송함으로써 처리를 행하지만, 이것에 한하지 않고, 고정 설치된 기판(W)에 대하여 와이프부[3a(3a1, 3a2)]측이 이동해도 좋으며, 기판(W)과 와이프부[3a(3a1, 3a2)]가 상대적으로 이동 가능하면 된다.In the above-described embodiment, the substrate W is supported by the stage 2a and is transported. However, the substrate W is not limited to the substrate W, but the wipes 3a (3a1, 3a2 ) Side may move and the substrate W and the wipe portions 3a (3a1, 3a2) may be relatively movable.

이상, 본 발명의 몇 가지 실시형태를 설명하였으나, 이들 실시형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시형태는, 그 외의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지의 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되며, 특허청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.While the present invention has been described in detail with reference to certain embodiments thereof, these embodiments are provided by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These new embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, substitutions, and alterations can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications are included in the scope and spirit of the invention and are included in the scope of equivalents to the invention described in the claims.

1: 기판 처리 장치 11: 와이프 부재
11a: 탄성체 11b: 천
14: 액 공급부 4: 세정부
5: 건조부 B1: 경사부
B2: 연신부 W: 기판
Wa: 대전 방지막1: substrate processing apparatus 11: wipe member
11a: elastic body 11b: cloth
14: liquid supply part 4:
5: drying section B1: inclined section
B2: extending portion W: substrate
Wa: Antistatic film

Claims (10)

기판 상의 대전 방지막의 표면에 접촉하여 상대 이동하여, 그 대전 방지막의 표면을 불식(拂拭)시키는 와이프(wipe) 부재를 구비하고,
상기 와이프 부재는,
기체(基體)가 되는 탄성체와,
상기 탄성체의 표면에 설치되며, 상대 이동하는 상기 대전 방지막의 표면에 접촉하는 천
을 구비하며
상기 탄성체는,
상기 대전 방지막의 상대 이동 방향의 상류측으로 쓰러뜨려져 상기 대전 방지막의 표면에 대하여 경사지는 경사부와,
상기 대전 방지막의 상대 이동 방향을 따라 연장되는 연신부
를 갖고,
상기 천은, 상대 이동하는 상기 대전 방지막 측에 위치하는 상기 경사부의 표면 및 상기 연신부의 표면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And a wipe member which moves in contact with the surface of the antistatic film on the substrate and moves relative to the antistatic film, thereby wiping the surface of the antistatic film,
The wipe member
An elastic body to be a base,
A cloth provided on the surface of the elastic body and contacting the surface of the antistatic film moving relatively
It includes a
The elastic body may be,
An inclined portion which is tilted toward the upstream side in the relative movement direction of the antistatic film and inclined with respect to the surface of the antistatic film,
And an elongated portion extending along the relative movement direction of the antistatic film
Lt; / RTI &
Wherein the cloth is provided on a surface of the inclined portion and a surface of the elongated portion located on the side of the antistatic film that moves relative to each other. 제1항에 있어서, 상기 와이프 부재는, 상기 천이 상기 대전 방지막의 표면에 접촉하고 있는 상태에 있어서, 상기 대전 방지막의 상대 이동에 따라 상기 탄성체가 변형하도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the wipe member is provided so that the elastic body deforms in accordance with a relative movement of the antistatic film in a state where the cloth is in contact with the surface of the antistatic film. 제1항에 있어서, 상기 대전 방지막의 표면에 대한 상기 와이프 부재의 하중은, 상기 와이프 부재가 상기 기판으로부터 상기 대전 방지막을 박리하지 않고 상기 대전 방지막의 표면 상의 파티클을 제거하는 것이 가능해지는 하중인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to claim 1, wherein the load of the wipe member against the surface of the antistatic film is a load capable of removing particles on the surface of the antistatic film without peeling off the antistatic film from the substrate And the substrate processing apparatus. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 천은, 상기 대전 방지막의 표면과 접촉하는 부분을 포함하여 상기 대전 방지막의 상대 이동 방향의 상류측의 영역은 처리액에 의해 젖어 있고, 상기 대전 방지막의 상대 이동 방향의 하류측의 영역은 건조한 상태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The antistatic film according to claim 1, wherein the cloth includes a portion in contact with the surface of the antistatic film, the region on the upstream side of the antistatic film in the relative movement direction is wet by the treatment liquid, Is in a dry state. 제1항에 있어서, 상기 천에 처리액을 공급하는 액 공급부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a liquid supply unit for supplying the processing liquid to the cloth. 제6항에 있어서, 상기 처리액은 알코올인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the processing liquid is an alcohol. 제1항에 있어서, 상기 탄성체의 적어도 상기 연신부에, 그 두께 방향으로 연장되며, 또한 두께 방향 양단부에 개구하는 복수의 미세 구멍이 형성되고,
상기 연신부에 있어서의 상기 천이 설치되는 표면과 반대의 표면에 설치되며, 상기 천에 상기 복수의 미세 구멍을 통해 에어를 공급하는 에어 공급 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The elastic member according to claim 1, wherein at least the extending portion of the elastic body is provided with a plurality of fine holes extending in the thickness direction thereof and opening at both end portions in the thickness direction,
Further comprising an air supply mechanism which is provided on a surface of the elongating portion opposite to the surface on which the cloth is provided and supplies air to the cloth through the plurality of fine holes. 제1항에 있어서, 상기 기판의 반송 방향에 있어서 상기 대전 방지막의 상대 이동 방향의 하류측에 설치되며, 상기 천의 상기 대전 방지막의 표면과 접하는 부분에 대하여 에어를 공급함으로써 상기 천의 표면에 부착된 파티클을 제거하는 에어 공급 기구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The antistatic film according to any one of claims 1 to 3, further comprising an antistatic film provided on the downstream side of the antistatic film in the direction of transport of the antistatic film in contact with the surface of the antistatic film, Further comprising an air supply mechanism for removing the particles from the substrate. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대전 방지막의 표면을 액체의 일류체(一流體), 또는, 액체 및 기체의 이류체(二流體)에 의해 세정하는 세정부와,
상기 대전 방지막의 표면을 향해 기체를 방출하는 건조부
를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The method according to any one of claims 1 to 3 and 5 to 9, wherein the surface of the antistatic film is coated with a liquid first fluid or a liquid and gas second fluid A washing machine,
A drying unit for discharging gas toward the surface of the antistatic film;
And the substrate processing apparatus further comprises:
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