KR101610381B1 - 발광 소자 제조장치 및 발광 소자 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 발광 다이오드칩의 하면에 접합금속층을 형성하는 단계; 상면에 칩 패드를 형성하는 단계; 상기 발광 다이오드칩의 접합금속층을 상기 칩 패드에 대향하여 배치하는 단계; 및 상기 칩 패드에 열을 가하고 상기 발광 다이오드칩에 압력 및 진동을 가하면서, 상기 발광 다이오드칩을 상기 칩 패드에 접합하는 단계를 포함한다.
발광 소자

Description

발광 소자 제조장치 및 발광 소자 제조방법{FABRICATING DEVICE FOR A LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE}
실시예는 발광 소자 제조장치 및 발광 소자 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광 소자이다. 최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있으며, 형광 물질을 이용하거나 다양한 색의 발광 다이오드를 조합함으로써 효율이 우수한 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.
발광 다이오드의 휘도 및 성능을 더욱 향상시키기 위해 광 추출 구조를 개선하는 방법, 활성층의 구조를 개선하는 방법, 전류 퍼짐을 향상하는 방법, 전극의 구조를 개선하는 방법, 발광 다이오드 패키지의 구조를 개선하는 방법 등 다양한 방법들이 시도되고 있다.
실시예는 발광 다이오드칩을 용이하게 패키지 몸체에 부착할 수 있는 발광 소자 제조장치 및 이를 이용한 발광 소자 제조방법을 제공한다.
실시예는 방열 효율이 향상된 발광 소자 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 발광 다이오드칩의 하면에 접합금속층을 형성하는 단계; 상면에 칩 패드를 형성하는 단계; 상기 발광 다이오드칩의 접합금속층을 상기 칩 패드에 대향하여 배치하는 단계; 및 상기 칩 패드에 열을 가하고 상기 발광 다이오드칩에 압력 및 진동을 가하면서, 상기 발광 다이오드칩을 상기 칩 패드에 접합하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조장치는 하면에 접합금속층을 포함하는 발광 다이오드칩을 패키지 몸체의 칩 패드로 이동시키는 이동수단; 상기 이동수단에 부착된 진동기; 상기 진동기와 연결되어 상기 발광 다이오드칩에 압력 및 진동을 가함으로써 상기 발광 다이오드칩을 상기 칩 패드에 접합시키는 칩홀더; 및 상기 칩 패드에 열을 전달하는 로딩 플레이트를 포함한다.
실시예는 발광 다이오드칩을 용이하게 패키지 몸체에 부착할 수 있는 발광 소자 제조장치 및 이를 이용한 발광 소자 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 방열 효율이 향상된 발광 소자 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들에 따른 발광 소자 제조장치 및 발광 소자 제조방법에 대해 설명한다.
<발광 소자 제조장치>
도 1은 실시예에 따른 발광 소자 제조장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광 소자 제조장치는 하면에 접합금속층(215)이 형성된 발광 다이오드칩(100)을 패키지 몸체(200)의 칩 패드(210)로 이동시키는 이동수단(300)과, 상기 이동수단(300)에 부착된 진동기(350)와, 상기 진동기(350)에 연결되어 상기 발광 다이오드칩(100)에 압력 및 진동을 가함으로써 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 칩 패드(210)에 접합시키는 칩홀더(360)와, 상면에 배치된 상기 패키지 몸체(200)에 열을 전달하는 로딩 플레이트(380)를 포함할 수 있다.
상기 발광 다이오드칩(100) 하면에 형성된 접합금속층(215)은 높은 점성을 가지는 금속 재질, 바람직하게는 금(Au)을 포함할 수 있으며, 상기 패키지 몸체(200)의 칩 패드(210)도 높은 점성을 가지는 금속 재질, 바람직하게는 금(Au)을 포함할 수 있다.
금속 재질 중 일부, 예를 들어, 금(Au)은 높은 점성을 가지므로, 소정의 온도 조건에서 압력 및 진동을 가하는 경우, 상기 접합금속층(215) 및 상기 칩 패드(210)는 용이하게 접합될 수 있다. 따라서, 별도의 솔더링(Soldering)을 실시하거나, 플럭스(Flux)를 사용할 필요없이 용이하게 상기 접합금속층(215) 및 상기 칩 패드(210)를 접합할 수 있다.
이하, 상기 발광 소자 제조장치에 대해 구성 요소를 중심으로 상세히 설명한다.
상기 이동수단(300)은 웨이퍼(Wafer)에서 들어올린 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 패키지 몸체(200)의 칩 패드(210)로 이동시킬 수 있다.
상기 이동수단(300)은 바닥몸체(310)와, 상기 바닥몸체(310) 상에 형성되며 수평방향으로 이동 가능하도록 설계된 지지몸체(320)와, 상기 지지몸체(320)의 측면부에 형성되며 수직방향으로 이동 가능하도록 설계된 지지암(arm)(330)을 포함할 수 있다.
이처럼, 상기 이동수단(300)은 수직 및 수평 방향으로 자유롭게 이동 가능하도록 설계된 상기 바닥몸체(310), 지지몸체(320) 및 지지암(330)에 의해 상기 발광 다이오드칩(100)을 용이하게 이동시킬 수 있다. 다만, 상기 이동수단(300)은 다양 하게 설계될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 이동수단(300)에는 상기 진동기(350)가 부착될 수 있다. 도시된 것처럼, 상기 이동수단(300)의 상기 지지암(330)에 상기 진동기(350)가 부착될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 진동기(350)는 예를 들어, 초음파 진동 소자일 수 있다. 이때, 상기 초음파는 예를 들어, 10,000Hz 내지 50,000Hz 의 진동수를 가지도록 진동할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 상기 초음파 진동 소자는 상하 및 좌우 방향으로 진동하도록 설계될 수 있다.
상기 진동기(350)에 의한 진동은 상기 진동기(350)에 연결된 상기 칩홀더(360)를 거쳐 상기 발광 다이오드칩(100)에 전달된다. 그리고, 상기 진동에 의해 상기 발광 다이오드칩(100)은 상기 패키지 몸체(200)의 칩 패드(210)에 용이하게 접합할 수 있다.
상기 칩홀더(360)는 상기 진동기(350)의 진동을 상기 발광 다이오드칩(100)으로 효과적으로 전달할 수 있도록 설계될 수 있다. 예를 들어, 도시된 것처럼, 상기 칩홀더(360)는 상기 진동기(350)의 하측에 연결될 수 있다. 또는, 상기 칩홀더(360)의 측면부에 상기 진동기(350)가 부착될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 칩홀더(360)는 상기 이동수단(300)의 지지암(330)이 아래 방향으로 이동함에 따라 상기 발광 다이오드칩(100)에 압력을 가할 수 있어, 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 칩 패드(210)에 효과적으로 접합할 수 있다.
도 2는 상기 칩홀더(360)의 확대도이고, 도 3은 상기 칩홀더(360)를 이용해 상기 발광 다이오드칩(100)을 웨이퍼(101)로부터 들어올리는 과정을 설명하는 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 칩홀더(360)는 흡입구(362)을 포함하는 홀딩몸체(361)와, 상기 홀딩몸체(361)의 말단에 상기 흡입구(362) 주위로 형성된 완충부재(363)를 포함할 수 있다.
상기 흡입구(362)는 상기 발광 다이오드칩(100)을 진공 흡입함으로써, 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 웨이퍼(101)로부터 분리하여 들어올릴 수 있다.
비록 상세히 도시되지는 않았지만, 상기 진공 흡입만으로 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 웨이퍼(101)로부터 분리하기 어려운 경우에는 상기 웨이퍼(101) 아래로부터 분리핀(미도시)이 상기 발광 다이오드칩(100)을 밀어냄으로써 상기 분리 과정을 도울 수 있다.
상기 완충부재(363)는 상기 홀딩몸체(361) 말단에 상기 흡입구(362) 주위로 형성될 수 있다. 상기 완충부재(363)는 상기 발광 다이오드칩(100)에 진동 및 압력을 가할 때, 이를 완충해주는 역할을 함으로써, 상기 발광 다이오드칩(100)의 손상을 최소화할 수 있다.
상기 완충부재(363)는 예를 들어, 고무(rubber) 재질, 다공질의 수지 재질 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 1을 참조하면, 상기 패키지 몸체(200)는 상기 로딩 플레이트(380) 상에 로딩되어 배치되게 된다. 상기 로딩 플레이트(380)는 히터(Heater) 등의 열 발생 수단과 열적(Thermally)으로 연결되어 상기 패키지 몸체(200)의 칩 패드(210)를 가열할 수 있다.
이때, 상기 칩 패드(210)는 예를 들어, 100℃ 내지 200℃의 온도 범위를 가지도록 가열될 수 있다. 이와 같이 가열된 칩 패드(210)에는 상기 발광 다이오드칩(100)이 효과적으로 접합될 수 있다.
<발광 소자 제조방법>
이하, 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 패키지 몸체(200)의 칩 패드(210)에 접합하는 과정을 상세히 설명한다.
도 4는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 먼저, 상기 발광 다이오드칩(100)의 하면에 접합금속층(215)을 형성한다(S101).
상기 접합금속층(215)은 높은 점성을 가지는 금속 재질, 예를 들어 금(Au)을 포함하도록 형성될 수 있다.
상기 접합금속층(215)은 상기 발광 다이오드칩(100) 하면에 증착 또는 도금 방식에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 접합금속층(215)은 효과적인 접합을 위해 소정의 패턴을 가지도록 형성될 수도 있다. 이에 대해서는 후술한다.
다음으로, 상기 패키지 몸체(200) 상에 칩 패드(210)를 형성한다(S102).
상기 칩 패드(210)는 높은 점성을 가지는 금속 재질, 예를 들어 금(Au)을 포 함하도록 형성될 수 있다.
상기 칩 패드(210)는 상기 발광 다이오드칩(100)이 부착될 위치에 증착 또는 도금 방식에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
다음으로, 상기 발광 다이오드칩(100)의 접합금속층(215)을 상기 칩 패드(210)에 대향하여 접촉시킨다(S103).
이때, 상기 칩 패드(210)는 상기 로딩 플레이트(380)에 의해 전달받은 열에 의해 가열될 수 있다. 예를 들어, 상기 칩 패드(210)는 100℃ 내지 200℃의 온도 범위를 갖도록 가열될 수 있다.
다음으로, 상기 발광 다이오드칩(100)에 압력 및 진동을 가하여, 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 칩 패드(210)에 접합시킨다.
상기 압력은 예를 들어, 1MPa 내지 100Mpa의 압력값을 가질 수 있다.
또한, 상기 진동은 상기 진동기(350)에 의한 초음파 진동일 수 있으며, 예를 들어, 10,000Hz 내지 50,000Hz의 진동수를 가지도록 실시될 수 있다.
이처럼, 상기 접합금속층(215) 및 상기 칩 패드(210)를 열, 압력 및 진동을 가하여 접합함으로써, 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 패키지 몸체(200)에 용이하게 부착하여, 실시예에 따른 발광 소자를 제공할 수 있다.
즉, 실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 별도의 접착 재료 또는 솔더(Solder) 물질을 사용하거나, 플럭스(Flux)를 사용할 필요없이 용이하게 상기 접합금속층(215) 및 상기 칩 패드(210)를 접합할 수 있다.
또한, 상기 접합금속층(215) 및 상기 칩 패드(210)가 서로 접합됨으로써 효 과적인 열 전달이 가능하므로, 실시예에 따른 발광 소자의 방열 효율이 향상될 수 있다.
<발광 다이오드칩 및 이를 이용한 발광 소자>
이하, 실시예에 따른 발광 다이오드칩 및 이를 이용한 발광 소자에 대해 설명한다.
도 5는 실시예에 따른 발광 다이오드칩(100)의 단면도이고, 도 6은 상기 발광 다이오드칩(100)을 포함하는 발광 소자의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 발광 다이오드칩(100)은 제1 도전형 반도체층(130)과, 상기 제1 도전형 반도체층(130) 아래에 활성층(140)과, 상기 활성층(140) 아래에 제2 도전형 반도체층(150)과, 상기 제2 도전형 반도체층(150) 아래에 전도성 지지부재(160)와, 상기 제1 도전형 반도체층(130) 상에 제1 전극(170)을 포함한다. 또한, 상기 전도성 지지부재(160) 아래에는 상기 접합금속층(215)이 형성될 수 있다.
상기 전도성 지지부재(160)와 상기 제1 전극(170)은 상기 발광 다이오드칩(100)에 전원을 제공하며, 서로 수직 방향으로 적어도 일부가 오버랩 되도록 배치되므로, 상기 발광 다이오드칩(100)은 수직형 전극 구조를 가진다.
상기 제1 도전형 반도체층(130), 활성층(140) 및 제2 도전형 반도체층(150)은 질화물 반도체층으로써, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
예를 들어, 상기 발광 다이오드칩(100)은 기판(미도시) 상에 차례로 상기 제1 도전형 반도체층(130), 활성층(140) 및 제2 도전형 반도체층(150)을 상기 방법들을 이용해 성장한 후, 상기 제2 도전형 반도체층(150) 아래에 상기 전도성 지지부재(160)를 형성하고 상기 기판(미도시)을 제거함으로써 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(130)은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(140)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 접합금속층(215)은 높은 점성을 가지는 금속 재질, 예를 들어 금(Au)을 포함하도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 접합금속층(215)은 증착 또는 도금 방식에 의해 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 발광 다이오드칩(100)의 형태에 대해 한정하지는 않으며, 예를 들어, 상기 발광 다이오드칩(100)은 전극이 수평 방향으로 배치되는 수평형(Lateral) 발광 다이오드칩일 수도 있다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 상기 발광 다이오드칩(100)을 상기 패키지 몸체(200)에 부착하여 탑재함으로써, 실시예에 따른 발광 소자가 제공될 수 있다.
상기 패키지 몸체(200)는 몸체부(201)와, 상기 몸체부(201)에 설치된 제1 전극(202) 및 제2 전극(203)과, 상기 몸체부(201), 제1 전극(202) 및 제2 전극(203) 중 어느 하나 상에 형성되는 칩 패드(210)와, 상기 칩 패드(210)를 포함한다.
상기 몸체부(201)는 실리콘 재질, 세라믹 재질 또는 수지 재질 중 어느 하나 로 형성될 수 있다.
상기 몸체부(201)는 상부가 개방되도록 캐비티(204)가 형성될 수 있다.
상기 제1 전극(202) 및 제2 전극(203)은 일단이 상기 몸체부(201) 내에 배치되고, 타단이 상기 몸체부(201)의 외측으로 노출되어 외부의 전원과 전기적으로 연결될 수 있도록 형성될 수 있다.
상기 칩 패드(210)는 상기 제1 전극(202) 및 제2 전극(203) 중 어느 하나에 형성될 수 있는데, 이는 상기 발광 다이오드칩(100)의 설계에 따라 다양하게 변형될 수 있다.
상기 발광 다이오드칩(100) 하면의 접합금속층(215)은 상기 칩 패드(210)에 대향하여 접촉되고, 열, 압력 및 진동에 의해 상기 접합금속층(215)과 상기 칩 패드(210)는 서로 접합된다.
상기 발광 다이오드칩(100)은 상기 칩 패드(210)에 접합되어 상기 제1 전극(202) 및 제2 전극(203) 중 어느 하나로부터 전원을 제공받을 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드칩(100)은 와이어에 의해 상기 제1 전극(202) 및 제2 전극(203) 중 다른 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 상기 접합금속층(215)은 상기 칩 패드(210)와 더욱 효과적으로 접합될 수 있도록, 소정의 패턴을 가질 수 있다.
도 7은 패턴을 가지는 접합금속층(215a)이 형성된 발광 다이오드칩(100A)의 단면도이고, 도 8은 상기 발광 다이오드칩(100A)의 하면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 접합금속층(215a)은 러프니스 패턴을 가지도록 형성될 수 있다. 도시된 것처럼, 상기 접합금속층(215a)은 다수의 사각형을 포함하는 격자 패턴을 가질 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
이처럼, 상기 접합금속층(215a)이 러프니스 패턴을 가지는 경우, 상기 접합금속층(215a)에 수직 또는 수평 방향으로 진동을 가할 때, 상기 접합금속층(215a)이 효과적으로 퍼짐으로써 상기 칩 패드(210)에 용이하게 접합될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지 식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자 제조장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 실시예에 따른 발광 소자 제조장치의 칩홀더의 확대도이다.
도 3은 도 2의 칩홀더를 이용해 발광 다이오드칩을 웨이퍼로부터 들어올리는 과정을 설명하는 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 실시예에 따른 발광 소자에 포함되는 발광 다이오드칩의 단면도이다.
도 6은 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 7은 패턴을 가지는 접합금속층이 형성된 발광 다이오드칩의 단면도이다.
도 8은 도 7의 발광 다이오드칩의 하면도이다.

Claims (17)

  1. 발광 다이오드칩의 하면에 접합금속층을 형성하는 단계;
    패키지몸체 상면에 칩 패드를 형성하는 단계;
    상기 발광 다이오드칩의 접합금속층의 상부면을 상기 칩 패드의 하부면에 대향하여 면접촉시키는 단계; 및
    상기 칩 패드에 열을 가하고 상기 발광 다이오드칩에 압력 및 진동을 가하면서, 상기 발광 다이오드칩을 상기 칩 패드에 접합하는 단계를 포함하고,
    상기 칩 패드는 상기 패키지 몸체에 배치되며,
    상기 패키지 몸체는 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 몸체부와, 일단이 상기 몸체부내에 배치되고 타단이 상기 몸체부의 외측으로 노출되는 제 1 전극 및 제 2 전극과, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 어느 하나에 배치되는 상기 칩 패드를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 접합금속층 및 상기 칩 패드는 점성을 가지는 금속 재질을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 접합금속층 및 상기 칩 패드는 금(Au)을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 칩 패드는 100℃ 내지 200℃의 온도 범위를 가지도록 가열되는 발광 소자 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 압력은 1MPa 내지 100MPa의 크기를 갖는 발광 소자 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 진동은 10,000Hz 내지 50,000Hz의 진동수를 갖는 발광 소자 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 다이오드칩은 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 질화물 반도체층은 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 아래에 활성층과, 상기 활성층 아래에 제2 도전형 반도체층과, 상기 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy) 및 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 중 적어도 하나의 방법에 의해 형성되는 발광 소자 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층 아래에 전도성 지지부재를 포함하며, 상기 접합금속층은 상기 전도성 지지부재 하면에 형성되는 발광 소자 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 접합금속층은 러프니스 패턴을 포함하는 발광 소자 제조방법
  11. 삭제
  12. 하면에 접합금속층을 포함하는 발광 다이오드칩을 패키지 몸체의 칩 패드로 이동시키는 이동수단;
    상기 이동수단에 부착된 진동기;
    상기 진동기와 연결되어 상기 발광 다이오드칩에 압력 및 진동을 가함으로써 상기 발광 다이오드칩을 상기 칩 패드에 접합시키는 칩홀더; 및
    상기 칩 패드에 열을 전달하는 로딩 플레이트를 포함하고,
    상기 칩 패드는 상기 패키지 몸체에 배치되며,
    상기 패키지 몸체는 상부가 개방된 캐비티를 포함하는 몸체부와, 일단이 상기 몸체부내에 배치되고 타단이 상기 몸체부의 외측으로 노출되는 제 1 전극 및 제 2 전극과, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 어느 하나에 배치되는 상기 칩 패드를 포함하는 발광 소자 제조장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 접합금속층 및 상기 칩 패드는 적어도 금(Au)을 포함하는 발광 소자 제조장치.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 이동수단은 바닥몸체와, 상기 바닥몸체 상에 형성되며 수평 방향으로 이동 가능하도록 설계된 지지몸체와, 상기 지지몸체에 형성되며 수직 방향으로 이동 가능하도록 설계된 지지암을 포함하는 발광 소자 제조장치.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 진동기는 초음파 진동기를 포함하며, 상기 초음파 진동기는 10,000Hz 내지 50,000Hz 의 진동수를 가지도록 진동하는 발광 소자 제조장치.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 칩홀더는 상기 발광 다이오드칩을 진공 흡입하는 흡입구가 형성된 홀딩몸체 및 상기 홀딩몸체의 말단에 상기 흡입구 주위로 형성된 완충부재를 포함하는 발광 소자 제조장치.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 로딩 플레이트는 열 발생 수단과 열적으로 연결되어 상기 칩 패드에 열을 전달하는 발광 소자 제조장치.
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