KR101602300B1 - 전기분사에 의해 적층된 금속산화물 층을 포함하는 염료감응 태양전지의 광전극층 및 이의 제조방법 - Google Patents
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- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000007787 electrohydrodynamic spraying Methods 0.000 claims abstract description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910014031 strontium zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000001523 electrospinning Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Chemical compound [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISHFYECQSXFODS-UHFFFAOYSA-M 1,2-dimethyl-3-propylimidazol-1-ium;iodide Chemical compound [I-].CCCN1C=C[N+](C)=C1C ISHFYECQSXFODS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JJWJFWRFHDYQCN-UHFFFAOYSA-J 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylate;ruthenium(2+);tetrabutylazanium;dithiocyanate Chemical compound [Ru+2].[S-]C#N.[S-]C#N.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C([O-])=O)=C1.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C([O-])=O)=C1 JJWJFWRFHDYQCN-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- VMISXESAJBVFNH-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylic acid;ruthenium(2+);diisothiocyanate Chemical compound [Ru+2].[N-]=C=S.[N-]=C=S.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1.OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1 VMISXESAJBVFNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003182 Surlyn® Polymers 0.000 description 1
- KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N [Au]=O Chemical compound [Au]=O KZNMRPQBBZBTSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001810 isothiocyanato group Chemical group *N=C=S 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000011325 microbead Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011807 nanoball Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 titanium alkoxide Chemical class 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
본 발명은 전기분사에 의한 금속산화물 층을 포함하는 염료감응 태양전지의 광전극층 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 상기 제조방법은 금속산화물을 유기용매에 균일하게 분산시켜 분산액을 제조하는 단계; 습도 30% 이상의 조건 및 10 kv/10cm 내지 30 kv/10cm의 고전압이 부가된 전기장 내에서 분산액을 기판 위에 전기분사 하여 금속산화물 층을 적층하는 단계; 및 상기 금속산화물 층이 적층된 기판을 열처리하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 전기분사에 의해 적층된 금속산화물 층을 포함하는 염료감응 태양전지의 광전극층 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
염료감응 태양전지는 스위스의 그라첼(Gratzel) 연구팀에 의해 최초로 발표된 이후 [B. O'Regan, M.Gratzel, Nature, 1991, 737, 353], 이에 관한 많은 연구가 진행되고 있다. 그라첼에 의한 염료감응 태양전지는, 가시광선을 흡수하여 전자-홀 쌍 (electron-hole pair)을 생성할 수 있는 감광성 염료와, 생성된 전자를 전달하는 나노결정성 산화티타늄 입자로 이루어진 산화물 반도체 전극을 이용한다. 구체적으로, 가시광선을 받아 염료에서 여기된 전자를 n-형 반도체인 산화티타늄 입자로 전달하고, 액체 전해질에 포함되어 있는 "I-/I3 -"의 전기화학적인 산화-환원 반응을 통해 염료를 재생시킴으로써 전류를 생성하게 된다. 이러한 염료감응 태양전지는 기존의 단결정 실리콘 태양전지, 비결정 실리콘 태양전지, 화합물반도체 태양전지에 비해 저비용으로 제조할 수 있는 가능성이 있으므로 차세대 태양전지로 주목받고 있다. 그러나, 현재 염료감응 태양전지는 상기 실리콘 태양전지나 화합물반도체 태양전지보다 광전변환효율이 낮기 때문에 실용화를 위하여는 광전변환효율의 향상이 요구되고 있다.
이러한 방법으로는 금속산화물 층의 광흡수 효율을 크게 증대시켜 큰 단락전류밀도(Jsc)를 얻는 방법이 알려져 있다. 이를 위하여, 금속산화물 층에서 염료의 흡착량을 증대시키거나, 광경로를 증대시켜 효율적으로 입사광을 흡수시킬 필요가 있는데, 통상적인 염료감응 태양전지에서는 다공성 금속산화물을 형성시켜 그 표면적을 증대시키고 있다.
즉, 산화타타늄 전구체로 티타늄 알콕사이드를 이용하는 수열합성법(hydrothermal method) 등에 의해 제조되는 10 내지 50 ㎚ 크기의 아나타제 결정성 산화티타늄 미립자를 에탄올에 분산시키고, 고분자나 올리고머 등 유기 바인더를 첨가하여 페이스트를 제조하여 투명 기판에 코팅하고 이를 소결하여 다공성 산화티타늄층을 형성시키고 있다. 이러한 다공성 산화티타늄층의 형성은 롤러법(roller), 에어 나이프법(air knife), 블레이드법(blade), 와이어 바법(wire bar), 슬라이드 호퍼법(slide hopper), 압출법(extrusion), 커튼법(curtain), 스핀법(spin), 스프레이법(spray), 옵셋(offset), 그라비아(gravure), 스크린인쇄법, 습식인쇄법 등 범용의 다양한 박막 형성 방법을 사용하여 이루어지고 있으며 [일본 특허공개 제 2006-286528 호], 광 흡수경로를 증대시켜 광흡수를 극대화시키기 위하여, 계면활성제를 사용하여 산화티타늄 전구체를 졸-겔 반응시킨 후, 이 혼합물을 수열반응시켜 수십 내지 수백 ㎚ 크기의 다공성 산화티타늄 입자로 이루어진 산란층(scattering layer)을 더 쌓기도 한다 [Journal of Colloid and Interface Science, 2007, 316, 85-91]
한편, 기존에 광전극층을 제조하는 방법에서는 산화티타늄의 표면적을 증가시키기 위하여, 수 나노미터의 산화티타늄을 사용하여 표면적을 넓혔지만, 이 경우 입사되는 빛의 산란 특성이 좋지 않아, 광흡수율이 감소하는 문제가 있었다. 반면에, 산란 특성을 향상시키기 위하여 산화티타늄 입자 크기를 수백 나노미터로 증가시키는 경우에는 표면적이 작아지고 제조 공정도 복잡해 진다는 문제점이 있었다. 따라서, 보다 간단한 공정에 의해서 높은 표면적과 큰 기공크기를 가지는 동시에, 산란 특성 또한 우수하여 높은 광전변환효율 특성을 가질 수 있는 광전극층 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지의 제조방법에 관한 관심이 높아지고 있다.
본 발명자들은 상기 문제점을 해결하고자 금속산화물 나노입자를 사용하여 염료감응 태양전지용 광전극층을 제조하고, 이러한 광전극층이 높은 표면적 및 큰 기공 크기를 가지면서도, 동시에 광산란 특성이 우수한 메조포러스 특성을 가지도록함으로써, 궁극적으로는 광흡수율 및 광전변환효율이 우수한 염료감응 태양전지를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 금속산화물을 유기용매에 균일하게 분산시켜 분산액을 제조하는 단계; 습도 30% 이상의 조건 및 10 kv/10cm 내지 30 kv/10cm의 고전압이 부가된 전기장 내에서 분산액을 기판 위에 전기분사 하여 금속산화물 층을 적층하는 단계; 및 금속산화물 층이 적층된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 광전극층을 제조하는 방법을 제공하며, 상기 방법에 따라 제조된 금속산화물 층에는 디스크(disk)형의 금속산화물 입자가 포함된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 구현예에서, 열처리하는 단계는 200 내지 600℃의 온도에서 수행될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 상기 방법은 열처리된 금속산화물 층에 염료를 흡착시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 금속산화물은 산화티타늄, 산화아연, 산화주석, 산화니오븀, 산화텅스텐, 산화스트론튬 또는 산화지르코늄일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서, 금속산화물의 입자크기는 1nm 내지 50nm 일 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에서, 상기 방법에 따라 제조된 염료감응 태양전지용 광전극층을 제공한다.
본 발명에 따라 특정 조건 하의 전기분사의 방법에 의하여 기판 상에 적층되는 금속산화물 층은 높은 표면적, 및 큰 기공 크기를 가지므로, 광전극층 상에 염료가 흡착 될 수 있는 표면적이 증대되고, 전해질의 산화 환원 작용이 활발해지므로 전기 특성이 향상된다. 또한 메조기공성 구조로 인하여 추가적으로 금속산화물 층 위에 별도의 산란층을 적층하지 않아도, 광전극층의 산란 특성이 향상된다 궁극적으로는 광흡수율 및 광전변환효율이 향상된 염료감응 태양전지를 제공할 수 있다.
또한, 간단한 공정에 의하여 광전 특성이 우수한 전극층 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 전기분사시의 전압 및 습도 조건과 산화티타늄 입자의 형태의 관계를 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 1(b) 및 비교예 1(a)에 따라 제조된 광전극층의 SEM 사진을 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 광전극층을 이용하여 염료감응 태양전지의 반사도(광산란 특성)를 나타낸 것이다.
도 2는 실시예 1(b) 및 비교예 1(a)에 따라 제조된 광전극층의 SEM 사진을 나타낸 것이다.
도 3은 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 광전극층을 이용하여 염료감응 태양전지의 반사도(광산란 특성)를 나타낸 것이다.
본 발명은 산란 특성이 우수한 염료감응 태양전지용 광전극층의 제조방법을 제공한다. 이하에서는 본 발명의 광전극층을 제조하는 방법에 대해 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
본 발명의 일 구현예서, 금속산화물을 유기용매에 균일하게 분산시켜 분산액을 제조하는 단계; 습도 30% 이상의 조건 및 10 kV/10cm 내지 30 kV/10cm의 고전압이 부가된 전기장 내에서 상기 분산액을 기판 위에 전기분사 하여 금속산화물 층을 적층하는 단계; 및 상기 금속산화물 층이 적층된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극층을 제조하는 방법을 제공한다.
금속산화물 층이 적층되는 기판으로는 전도성 유리기판, 투명 전도성 플라스틱 기판 및 금속기판이 있다. 전도성 유리기판이나 투명 전도성 플라스틱 기판은 투명한 유리 또는 플라스틱 기판 위에 전도성 박막이 코팅된 것을 사용할 수 있다. 상기 전도성 박막으로는 ITO (indium tin oxide), FTO (F-doped SnO2), 또는 ITO 위에 ATO (antimony tin oxide)나 FTO가 코팅된 박막이 사용될 수 있다.
금속산화물로는 산화티타늄(TiO2), 산화아연, 산화주석, 산화니오븀, 산화텅스텐, 산화스트론튬 또는 산화지르코늄 등이 사용될 수 있으며, 이 중에서 산화티타늄을 사용하는 것이 바람직하다. 금속산화물의 직경은 1nm 내지 50nm인 경우가 바람직하다. 금속산화물 크기가 상기 범위에 내에 있는 경우, 높은 표면적을 지니면서 메노기공성을 지니는 금속산화물 층을 제조할 수 있다.
금속산화물이 분산된 분산액을 제조하기 위해서 에탄올, 메탄올 등 비점이 낮은 유기용매로 사용할 수 있다. 일 구현예로, 에탄올을 용매로 약 10wt%의 금속산화물이 균일하게 분산된 분산액을 제조 할 수 있다. 이러한 방법에 따라 제조된 분산액은 전기분사법을 통해 전도성 기판에 분사되어 금속산화물 층을 형성한다.
전기분사(electrospray)에 있어서, 상기 금속산화물의 균일 분산액을 스프레이 노즐에 정량적으로 공급하고 스프레이 노즐과 기판 사이에 고전압 전기장을 부여하게 되면, 균일 분산액이 극미세 방울로 분사되면서 기판으로 날아가게 된다. 분사된 극미세 방울이 기판으로 날아가는 과정에서 유기용매의 급격한 증발이 일어나고, 극미세 방울속에 분산된 금속산화물들은 전기기적 친화력으로 서로 매우 견고하게 응집되어, 금속산화물들로 구성된 수백 nm 크기 이상의 메조기공성 금속산화물 층이 기판 상에 적층된다. 한편 기판 상으로 전기 분사하는 경우, 습도는 30% 이상이며, 전기장에 부가되는 전압은 10 kV/10cm 내지 30 kV/10cm 이하이어야 한다. 여기서 습도는 가습기 등으로 조절이 되며 습도계로 측정된 값이다.
상기 조건 하에서, 전기분사법을 실시하는 경우 기판에 적층되는 금속산화물 층 내의 입자들은 디스크(disk) 형태를 가질 수 있다. 도 1은 본 발명에 따른 전기분사시의 전압 및 습도 조건과 산화티타늄 입자의 형태의 관계를 나타낸 것이다. 도 1에 개시된 바와 같이 습도가 30% 미만이 되게 되면, 구(sphere) 형태의 금속산화물이 생성된다. 이 경우 금속산화물 층 내에는, 구 및 디스크 형태의 산화물이 공존하게 되고, 습도가 더 낮아지면 종래 방법과 같이 나노볼 또는 구 형태의 금속산화물 입자가 적층되어 목적하는 넓은 표면적, 우수한 산란특성을 얻을 수 없다. 궁극적으로는 광전환변환효율이 낮아진다. 또한 부가되는 전기장의 전압이 10 kV/10cm 이하가 되면 종래의 나노 파티클 (non-structured) 산화물층이 적층된다.
반면에, 습도 30% 이상의 조건 및 10 kV/10cm 내지 30 kV/10cm의 고전압이 부가된 전기장 내에서 금속산화물 층을 증착하는 경우, 금속산화물 층의 표면적이 커서, 추후 염료의 증착이 용이해질 뿐 아니라, 금속산화물 층의 기공 크기 또한 증대되어 전해질의 산화, 환원 특성이 향상되는 효과를 가질 수 있다.
전기분사법에 의해 제조된 금속산화물 층은 적정 온도와 압력 하에서 열압착 되고, 고온에서 열처리하는 공정을 거쳐 기판에 압착된다. 금속산화물 층은 열압착은 50 내지 200℃에서 이루어지고 열 압착률은 100 ㎠ 당 0.1 내지 25 톤인 것이 바람직하다. 이러한 열 압착에 의해 금속산화물 층은 적정한 기공도를 지니게 되며, 입자간 계면 접촉특성 및 금속산화물들과 전도성 기판간의 접착성이 향상된다.
본 발명은 추가적으로 제조된 금속산화물 층에 염료를 흡착시킨다. 예를 들어 루테늄계 염료 분자 (3 x 10-4M 농도의 N719 염료 등)가 용해된 에탄올 용액에, 위에서 제조한 금속산화물 층이 형성된 전도성 기판을 12 시간 이상 함침시켜 염료를 흡착시킨 후 에탄올로 세척 및 건조시켜, 염료가 흡착된 반도체 전극을 완성한다. 이러한 금속산화물 층의 금속산화물 입자에 흡착되는 염료로는 루테늄(ruthenium)계 염료 또는 쿠마린(coumarin)계의 유기 염료가 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이상 설명한 반도체 전극 제조공정이 본 발명의 염료감응 태양전지 제조공정에 있어서 특징적인 부분이며, 그외의 상대전극 제조공정과 두 전극의 조립 및 전해질 주입 공정은 통상의 방법으로 실시할 수 있으므로, 본원에서는 이에 관한 상세한 설명을 생략하기로 한다.
본 발명의 다른 구현예는 전술한 제조방법에 의하여 염료감응 태양전지용 광전극층 및 이를 이용한 염료감응 태양전지를 제공한다. 상기 제조방법에 따라 제조된 광전극층의 금속산화물로는 산화티타늄이 바람직하다. 상기 금속산화물의 직경은 1nm 내지 50nm일 수 있다.
상기 금속산화물 층의 비표면적은 100 m2/g 이상이며, 바람직하게는 119__ m2/g 이상이다.
상기 금속산화물 층의 기공 크기는 평균 60nm 이상이며, 바람직하게는 62.5nm 이상이다.
이와 같이 본 발명에 따른 금산화물층은 높은 비표적과 큰 기공크기를 가짐으로, 광전 변환 효율이 우수하며, 메조기공성 산화물 구조 때문에 우수한 광산란 특성을 가질 수 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 이러한 실시예는 본 발명을 좀 더 명확하게 이해하기 위하여 제시되는 것일 뿐 본 발명의 범위를 제한하는 목적으로 제시하는 것은 아니며, 본 발명은 후술하는 특허 청구범위의 기술적 사상의 범위 내에서 정해질 것이다
산화티타늄 층의 제조
실시예 1: 직경 20 ㎚, 비표면적 45 ㎡/g의 산화티타늄 분말 (P-25, Degussa사, 독일)을 에탄올 용액에 10 중량%의 농도로 마이크로 비드밀을 사용하여 균일하게 분산시켰다. 이를 전도성 투명 유리기판에 전기분사법을 이용하여 분사하여 산화티타늄을 적층하였다. 이때 전기분사시 전기장 내의 전압은 15 kV/10cm 이고, 습도는 45 %이었다. 그 후, 산화티타늄 층을 열압착기를 이용하여 15 MPa, 100℃ 에서 10분간 기판에 열압착하고 약 500℃에서 약 30 분 동안 열처리 하였다.
비교예 1: 전기분사시의 전압 및 습도를 각각 15 kV/10cm 및 20%로 설정하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법에 따라 산화티타늄 층을 형성하였다.
비교예 2: 전기분사시의 전압 및 습도를 각각 8 kV/10cm 및 30 %으로 설정하는 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법에 따라 산화티타늄 층을 형성하였다.
도 2는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 산화티타늄 층의 SEM 이미지를 나타낸 것이다. 도 2b에 나타난 바와 같이, 실시예 1에서 제조된 산화티타늄 입자는 디스크 형태를 가졌지만, 도 2a의 비교예 1은 구형태의 산화티타늄 입자를 가짐을 알 수 있다.
반사도 측정
도 3은 실시예 1 및 비교예 1의 산화티타늄층에 대해 측정한 반사도(광산한 특성)를 나타내는 그래프이다. 도 3에 나타난 바와 같이, 실시예 1에서 제조된 디스크 형의 산화티타늄 층의 경우 광산란 특성이 우수함을 보여준다.
염료감응 태양전지의 제조
실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2를 통해 얻은 각각의 산화티타늄 층을 지닌 기판을 가지고, 하기의 방법에 따라 염료감응 태양전지를 제조하였다.
실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2를 통해 얻은 각각의 산화티타늄 층을 지닌 기판을 N3dye[cis-bis(isothiocyanato)bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylato)-ruthenium(II)]이 에탄올 용액에 약 3x10-4M로 용해된 용액에 약 12시간 동안 침지하여 산화티타늄 층에 염료를 흡착시켰다. 염료가 흡착된 제1 베이스 기판을 세정 및 건조하여 제1 기판을 준비하였다.
다음으로, 상기 제1 기판을 FTO 박막 및 백금층을 갖는 제2 기판과 결합시켰다. 구체적으로, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 Surlyn(제품명, 듀퐁, 미국)으로 이루어진 밀봉 부재를 게재한 후, 약 90℃로 가열하여 제1 기판과 제2 기판을 결합시켰다.
다음으로, 상기 제2 기판의 주입구를 통하여 약 0.1M의 요오드화리튬, 약 0.05M의 요오드, 약 0.5M의 1,2-디메틸-3프로필 이미다졸륨 아이오다이드 및 약 0.5M의 3차 부틸 피리딘이 아세토니트릴 용매에 용해된 전해액을 주입하였다. 상기 주입구를 매립하고 외부 회로를 연결하여 염료감응 태양전지 셀을 준비하였다.
비표면적
및 기공 부피 측정
실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에서 제조된 산화티타늄 층의 표면적은 액체 질소 흡착에 의한 BET 표면 분석기(Quantachrome Quadrawin: Quantachrome instruments)을 이용하여 측정하였으며, 그 결과를 하기 표 1에 기재하였다.
| 표면적 (m 2 /g) | 평균 기공 크기 ( nm ) | |
| 실시예 1 | 119 | 62.5 |
| 비교예 1 | 98 | 30 |
| 비교예 2 | 45 | 10 |
표 1에 기재된 바와 같이, 실시예 1에 따라 제조된 광전극층은 높은 비표면적을 가진 메조기공성 금속산화물 층을 형성 함을 알 수 있다. 본 발명에 따라 제조된 광전극층은 높은 비표면적과 큰 기공크기를 가짐으로, 염료의 흡착성, 전자 수송특성 및 전해질의 산화, 환원 특성을 향상시켜 높은 광전변환효율을 가지도록 한다. 이와 관련하여, 하기에서 염료감응 태양전지의 광전 특성에 대해 더욱 구체적으로 비교해 보도록 한다.
염료감응 태양전지의
광전
특성
상기 제조된 실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에 따른 염료감응 태양전지 셀의 광전 특성을 평가하였다. 장비는 미국 키슬리(Keithley)사의 광원 측정장비 (모델명: Keithley 2400 source measure unit)를 사용하였고, 광원은 일본 야마시타 덴조(Yamashita enso)사의 솔라 시뮬레이터 제논 램프 (모델명: Class A Solar Simulator Xe lamp, 1000 W)를 사용하였으며, 세기는 독일 프라운호퍼(Fraunhoffer Institute)사의 KG-5 필터를 장착한 실리콘 레퍼런스 태양 전지(Sireference solar cell)를 사용하여 AM-1.5선으로 조절하였으며, 모든 시료는 global AM-1.5에서 100 mW/㎠ 광세기로 측정하였다. 결과는 아래의 표 2에 정리하였다.
|
Voc
(V) |
Jsc
( mA / cm2 ) |
FF
(%) |
EFF
(%) |
|
| 실시예 1 | 0.775 | 14.81 | 67.91 | 7.80 |
| 비교예 1 | 0.783 | 11.21 | 69.62 | 6.11 |
| 비교예 2 | 0.74 | 11.1 | 68 | 5.6 |
이상을 종합하였을 때, 산화티타늄의 입자를 디스크 형태로 제조하는 경우, 염료감응 태양전지가 종래의 방식으로 제조된 태양전지(나노 파티클, 구형 및 나노볼의 형태를 가지는 금속산화물 층을 포함하는 태양전지) 광전류 밀도 면에서 훨씬 우수한 특성을 가짐을 알 수 있었다. 특히 실시예 1의 광전극층을 이용한 셀의 광전 변환 효율이 7.80%로 비교예의 광전극층을 이용한 셀 보다 우수함을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명을 상기 실시예를 중심으로 하여 설명하였으나 이는 예시에 지나지 아니하며, 본 발명은 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 다양한 변형 및 균등한 기타의 실시예를 수행할 수 있다는 사실을 이해하여야 한다.
Claims (12)
- 금속산화물을 유기용매에 균일하게 분산시켜 분산액을 제조하는 단계;
습도 30% 이상의 조건 및 10 kv/10cm 내지 30 kv/10cm의 고전압이 부가된 전기장 내에서, 상기 분산액을 기판 위에 전기분사 하여 금속산화물 층을 적층하는 단계; 및
금속산화물 층이 적층된 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극층을 제조하는 방법으로서,
상기 금속산화물 층에는 디스크(disk) 형의 금속산화물 입자가 포함된 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항에 있어서,
열처리하는 단계가 200 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항에 있어서,
열처리된 금속산화물 층에 염료를 흡착시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
금속산화물이 산화티타늄, 산화아연, 산화주석, 산화니오븀, 산화텅스텐, 산화스트론튬 또는 산화지르코늄인 것을 특징으로 하는, 방법. - 제4항에 있어서,
금속산화물이 산화티타늄인 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
금속산화물의 입자 크기가 1nm 내지 50nm 인 것을 특징으로 하는, 방법. - 제1항 또는 제2항의 방법에 따라 제조된 염료감응 태양전지용 광전극층.
- 제7항에 있어서,
금속산화물이 산화티타늄, 산화아연, 산화주석, 산화니오븀, 산화텅스텐, 산화스트론튬 또는 산화지르코늄인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극층. - 제8항에 있어서,
금속산화물이 산화티타늄인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극층. - 제7항에 있어서,
금속산화물의 직경이 1nm 내지 50nm인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극층. - 제7항에 있어서,
금속산화물 층의 평균 기공 크기가 60nm 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극층. - 제7항에 있어서,
금속산화물 층의 비표면적이 100 m2/g 이상인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지용 광전극층.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140122253A KR101602300B1 (ko) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | 전기분사에 의해 적층된 금속산화물 층을 포함하는 염료감응 태양전지의 광전극층 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140122253A KR101602300B1 (ko) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | 전기분사에 의해 적층된 금속산화물 층을 포함하는 염료감응 태양전지의 광전극층 및 이의 제조방법 |
Publications (1)
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|---|---|
| KR101602300B1 true KR101602300B1 (ko) | 2016-03-11 |
Family
ID=55583029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140122253A KR101602300B1 (ko) | 2014-09-15 | 2014-09-15 | 전기분사에 의해 적층된 금속산화물 층을 포함하는 염료감응 태양전지의 광전극층 및 이의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101602300B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101428450B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2014-08-13 | 재단법인대구경북과학기술원 | 다층 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 |
-
2014
- 2014-09-15 KR KR1020140122253A patent/KR101602300B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101428450B1 (ko) * | 2013-10-10 | 2014-08-13 | 재단법인대구경북과학기술원 | 다층 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
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