KR101596076B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 Download PDF

Info

Publication number
KR101596076B1
KR101596076B1 KR1020120032157A KR20120032157A KR101596076B1 KR 101596076 B1 KR101596076 B1 KR 101596076B1 KR 1020120032157 A KR1020120032157 A KR 1020120032157A KR 20120032157 A KR20120032157 A KR 20120032157A KR 101596076 B1 KR101596076 B1 KR 101596076B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluid
processing
line
processing vessel
circulation
Prior art date
Application number
KR1020120032157A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120127203A (ko
Inventor
겐타로 고시
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20120127203A publication Critical patent/KR20120127203A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101596076B1 publication Critical patent/KR101596076B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 처리 유체에 의한 액체의 제거 능력의 저하를 억제하면서, 기판의 표면에 부착된 액체를 제거하는 것이 가능한 기판 처리 장치 등을 제공하는 것을 과제로 한다.
처리 용기(1)에서는 기판(W) 표면의 건조 방지용 액체에, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태의 처리 유체를 접촉시켜, 상기 건조 방지용 액체를 제거하는 처리를 행하는데 있어서, 승압 펌프(2)는 공급 라인(51)을 통해 처리 용기(1)에 처리 유체를 공급하여 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하고, 계속해서, 이 승압 펌프(2)보다 토출 유량이 큰 순환 펌프(3)로, 처리 용기(1) 내의 유체를 순환 라인(53)에 순환시킨 후, 처리 용기(1) 내의 유체를 배출 라인(52)으로부터 배출한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM}
본 발명은 초임계 상태 또는 아임계 상태의 처리 유체를 이용하여 기판의 표면에 부착된 액체를 제거하는 기술에 관한 것이다.
기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함) 등의 표면에 집적 회로의 적층 구조를 형성하는 반도체 장치의 제조 공정 등에 있어서는, 약액 등의 세정액에 의해 웨이퍼 표면의 미소한 먼지나 자연 산화막을 제거하는 등, 액체를 이용하여 웨이퍼 표면을 처리하는 액처리 공정이 마련되어 있다.
그런데 반도체 장치의 고집적화에 따라, 이러한 액처리 공정에서 웨이퍼의 표면에 부착된 액체 등을 제거할 때에, 소위 패턴 붕괴라고 불리는 현상이 문제가 되고 있다. 패턴 붕괴는, 예컨대 웨이퍼 표면에 남은 액체를 건조시킬 때에, 패턴을 형성하는 요철의 예컨대 볼록부의 좌우에 남아 있는 액체가 불균일하게 건조됨으로써, 이 볼록부를 좌우로 인장하는 표면 장력의 밸런스가 무너져 액체가 많이 남아 있는 방향으로 볼록부가 쓰러지는 현상이다.
이러한 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서 웨이퍼 표면에 부착된 액체를 제거하는 방법으로서 초임계 상태나 아임계 상태(이하, 이들을 통합하여 고압 상태라고 함)의 처리 유체를 이용하는 방법이 알려져 있다. 고압 유체는 액체와 비교하여 점도가 작고, 또한 액체를 추출하는 능력도 높은데 더하여, 고압 유체와 평형 상태에 있는 액체나 기체와의 사이에서 계면이 존재하지 않는다. 그래서, 웨이퍼 표면에 부착된 액체를 처리 유체로 치환하고, 그런 다음, 처리 유체를 기체로 상태 변화시키면, 표면 장력의 영향을 받는 일없이 액체를 건조시킬 수 있다.
발명자는 이러한 처리 유체를 이용하여 웨이퍼 표면의 액체를 제거하는 기술의 실용화를 개발하고 있지만, 웨이퍼 표면의 액체와 처리 유체를 접촉시켜도, 처리 유체 중의 액체 농도가 포화 상태가 되면, 액체의 제거 능력이 저하하여 버리는 것을 발견하였다.
여기서 특허문헌 1에는, 기판 상에 형성된 패턴에 부착된 린스액을 액체 이산화탄소로 치환하고, 이 이산화탄소를 초임계 상태로 하고 나서 기화시킴으로써 기판을 건조시키는 방법이 기재되어 있다. 이 방법에서는, 이산화탄소를 액체 상태로 유지하면서, 기판이 배치된 반응실 내의 압력을 변동시키고, 반응실 내의 이산화탄소를 교반함으로써 린스액과 이산화탄소의 치환을 촉진시킨다. 그러나, 일반적으로 토출 압력이 높은 펌프는 유량이 작고(예컨대, 특허문헌 1의 압송 펌프의 토출 유량은 약 100 밀리리터/분), 압력 변동 등을 이용하여도 린스액과 이산화탄소의 치환을 충분히 단축할 수 없을 우려가 높다.
일본 특허 공개 제2004-158591호 공보: 청구항 1, 단락 0030∼0036, 도 1
본 발명은 이러한 배경 하에 이루어진 것으로, 비교적 짧은 시간에, 기판의 표면에 부착된 액체를 처리 유체로 제거하는 것이 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 이 방법을 기억한 기억 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판 표면의 건조 방지용 액체에, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태의 처리 유체를 접촉시켜, 상기 건조 방지용 액체를 제거하는 처리가 행해지는 처리 용기와,
이 처리 용기에 처리 유체를 공급하는 공급 라인에 설치되며, 상기 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하기 위한 승압 펌프와,
상기 처리 용기 내의 유체를 순환시키기 위한 순환 라인과,
이 순환 라인에 설치되며, 상기 승압 펌프보다 토출 유량이 큰 순환 펌프와,
상기 처리 용기 내의 압력을 감압하기 위한 감압 밸브가 설치되며, 그 처리 용기 내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인과,
상기 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하며, 계속해서, 상기 처리 용기 내의 유체를 순환 라인에 순환시킨 후, 상기 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 기판 처리 장치는 이하의 특징을 갖고 있어도 좋다.
(a) 상기 순환 라인에는 개폐 밸브가 설치되며, 상기 제어부는, 상기 처리 용기 내의 유체를 순환 라인에 순환시킨 후, 상기 개폐 밸브를 폐쇄하며, 계속해서, 상기 공급 라인으로부터 처리 유체를 공급하여 그 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 유지하면서 배출 라인으로부터 유체를 발출(拔出)한 후, 그 공급 라인으로부터의 처리 유체의 공급을 정지하여 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하도록 제어 신호를 출력하는 것.
(b) 상기 순환 펌프는 원심 펌프, 축류 펌프 또는 터빈 펌프인 것.
(c) 상기 순환 펌프는, 회전축 둘레로 회전하여 유체를 송출하는 임펠러와, 상기 회전축을 회전시키는 회전 구동부를 구비하는 것.
(d) 상기 순환 펌프는, 상기 회전 구동부에 마련되고, 상기 회전축을 유지하는 볼 베어링과, 이들 회전축 및 볼 베어링을 수용하며, 상기 임펠러를 수용하는 펌프 케이싱에 연통하는 베어링 케이싱을 구비하고, 이 베어링 케이싱에는, 상기 펌프 케이싱으로부터 베어링 케이싱에 유입된 유체의 일부를 발출하기 위한 발출 라인이 접속되는 것.
(e) 상기 공급 라인으로부터 분기되어 상기 순환 펌프에 접속된 분기 라인을 구비하고, 상기 분기 라인으로부터 순환 펌프에 처리 유체를 공급하면서, 상기 발출 라인으로부터 유체가 발출되는 것.
(f) 상기 공급 라인으로부터 처리 용기에 처리 유체를 공급하면서, 상기 발출 라인으로부터 유체가 발출되는 것.
(g) 상기 승압 펌프는 시린지 펌프 또는 다이어프램 펌프인 것.
(h) 상기 처리 용기 내로부터 배출되는 유체를, 상기 건조 방지용 액체의 비점 이상의 온도로 가열하는 가열부를 구비한 것.
(i) 상기 처리 용기 또는 순환 라인 내의 유체의 밀도를 측정하는 밀도계를 구비하고, 상기 제어부는, 상기 유체의 밀도가, 처리 용기 내의 건조 방지용 액체가 처리 유체로 치환된 것을 나타내는 미리 정한 밀도로 된 후, 상기 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하는 것.
본 발명은 처리 용기에 처리 유체를 공급하는 승압 펌프보다 토출 유량이 큰 순환 펌프를 이용하여 그 처리 용기 내의 유체를 순환시키기 때문에, 처리 용기 내의 유체의 흐름을 어지럽혀 처리 유체와 기판 표면의 액체와의 혼합을 촉진시킬 수 있다. 이 결과, 처리 유체가 교반되며, 처리 유체에 추출된 액체가 포화하기 어려워져, 비교적 짧은 시간에 기판 표면의 액체를 제거하는 것이 가능해진다.
도 1은 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치의 구성을 나타내는 설명도이다.
도 2는 상기 웨이퍼 처리 장치에 설치되어 있는 처리 용기의 외관 사시도이다.
도 3은 상기 웨이퍼 처리 장치의 동작의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 4는 상기 웨이퍼 처리 장치의 제1 작용 설명도이다.
도 5는 상기 웨이퍼 처리 장치의 제2 작용 설명도이다.
도 6은 상기 웨이퍼 처리 장치의 제3 작용 설명도이다.
도 7은 다른 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치의 동작의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 8은 상기 다른 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치의 작용 설명도이다.
도 9는 순환 펌프를 작동시켰을 때의 처리 용기 내의 유체의 밀도 변화를 나타내는 설명도이다.
본 발명의 실시형태로서, 웨이퍼(W) 표면에 부착된 건조 방지용 액체를 제거하는 웨이퍼 처리 장치(기판 처리 장치)의 구성에 대해서 도 1을 참조하면서 설명한다. 웨이퍼 처리 장치는, 고압 상태의 처리 유체를 이용하여 웨이퍼(W) 표면에 부착된 건조 방지용 액체를 제거하는 처리가 행해지는 처리 용기(1)와, 이 처리 용기(1)에 처리 유체를 공급하기 위한 승압 펌프(2)가 설치된 공급 라인(51)과, 처리 용기(1) 내의 유체를 발출하여, 재차 처리 용기(1)에 복귀시키기 위한 순환 펌프(3)가 설치된 순환 라인(53)과, 처리 용기(1) 내의 유체를 배출하며, 처리 용기(1) 내의 압력을 감압하는 감압 밸브(521)가 설치된 배출 라인(52)을 구비하고 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이 처리 용기(1)는 웨이퍼(W)의 반입 반출용의 개구부(12)가 형성된 케이스형의 용기 본체(11)와, 처리 대상인 웨이퍼(W)를 횡방향으로 유지하는 유지판(16)과, 이 유지판(16)을 지지하며, 웨이퍼(W)를 용기 본체(11) 내에 반입하였을 때 상기 개구부(12)를 밀폐하는 덮개 부재(15)를 구비하고 있다.
용기 본체(11)는, 예컨대 직경 300 ㎜의 웨이퍼(W)를 수용할 수 있는, 200∼10000 ㎤ 정도의 처리 공간이 형성된 용기이며, 그 벽부에는, 공급 라인(51) 및 순환 라인(53)의 재공급측[순환 펌프(3)의 토출측]에 접속된 공급 포트(13)와, 배출 라인(52) 및 순환 라인(53)의 발출측[순환 펌프(3)의 흡입측]에 접속된 배출 포트(14)를 구비하고 있다. 또한, 처리 용기(1)에는 처리 공간 내에 공급된 고압 상태의 처리 유체로부터 받는 내압에 저항하여, 용기 본체(11)를 향해 덮개 부재(15)를 압박하여, 처리 공간을 밀폐하기 위한 도시하지 않는 압박 기구가 설치되어 있다. 또한, 처리 공간 내에 공급된 처리 유체가 초임계 상태나 아임계 상태의 온도를 유지할 수 있도록, 용기 본체(11)의 표면에 단열재나 테이프 히터 등을 마련하여도 좋다.
처리 용기(1)[용기 본체(11)]의 공급 포트(13)에 접속된 공급 라인(51)은 도 1에 나타내는 바와 같이, 개폐 밸브(511)와, 필터(512)와, 승압 펌프(2)를 설치하여 처리 유체 공급부(4)에 접속되어 있다. 개폐 밸브(511)는 처리 용기(1)에의 처리 유체의 공급, 정지에 맞추어 개폐하고, 필터(512)는 처리 용기(1)에 공급되는 처리 유체에 포함되는 파티클을 제거한다.
승압 펌프(2)는 처리 유체 공급부(4)로부터 공급되는 처리 유체가 가스인 경우 등에는, 고압 상태(초임계 상태나 아임계 상태)가 되는 압력까지 처리 유체를 승압한다. 또한, 처리 유체 공급부(4)로부터 고압 상태의 처리 유체가 공급되는 경우에는, 처리 용기(1) 내에서 그 고압 상태가 유지되도록 처리 유체를 송출할 수 있다. 이러한 능력을 구비한 승압 펌프(2)로서는, 일반적으로 토출 압력이 높은 시린지 펌프나 다이어프램 펌프 등이 채용되지만, 그 토출 유량은 0.01∼1 L/분의 범위의 예컨대 0.1 L/분 정도이며, 후술하는 순환 펌프(3)에 비하여 토출 유량은 작다.
처리 유체 공급부(4)로부터는, 웨이퍼(W) 표면의 액체와 접촉시켜, 그 액체를 제거하기 위한 처리 유체가 공급된다. 본 예의 처리 유체 공급부(4)는, 예컨대 이산화탄소[CO2: 임계 온도 31℃, 임계 압력 7.4 ㎫(절대압)]를 고압 가스의 상태 또는 고압 상태(초임계 상태나 아임계 상태)로 저장하는 봄베나 탱크 등으로서 구성된다. 그리고 처리 유체 공급부(4)로부터 공급되는 CO2가 고압 가스인 경우에는, 승압 펌프(2)로 CO2가 단열적으로 압축됨으로써, 압력, 온도가 상승해서, 고압 상태로 되어 처리 용기(1)에 공급된다. 또한, CO2가 고압 상태인 경우에는, 처리 용기(1) 내에서도 이 압력이 유지되도록 처리 유체가 처리 용기(1)에 공급된다.
한편, 처리 용기(1)[용기 본체(11)]의 배출 포트(14)에 접속된 배출 라인(52)은 도시하지 않는 처리 유체 회수부에 접속되어 있고, 처리 용기(1) 내의 유체[처리 유체나 웨이퍼(W) 표면으로부터 제거된 액체]가 배출된다. 배출 라인(52)에는 감압 밸브(521)가 설치되어 있고, 감압 밸브(521)는 처리 용기(1)의 압력을 감압하며, 예컨대 처리 용기(1)에 설치된 도시하지 않는 압력계의 검출값에 기초하여 개방도를 조정하여, 처리 용기(1) 내의 압력을 고압 상태의 압력(처리 유체의 임계 압력이나 아임계 상태의 압력)으로 유지할 수 있다.
전술한 구성을 구비한 웨이퍼 처리 장치에 대해서, 공급 라인(51)에 설치되어 있는 승압 펌프(2)는 전술한 바와 같이 0.01∼1 L/분 정도로, 토출 유량이 비교적 작다. 이 때문에, 배출 라인(52)으로부터 처리 용기(1) 내의 유체를 배출하면서, 공급 라인(51)으로부터 처리 용기(1)에 연속적으로 처리 유체를 공급한다고 해도, 예컨대 직경 300 ㎜ 정도의 웨이퍼(W)의 표면에서는 처리 유체의 흐름은 층류 상태가 될 가능성이 높다.
웨이퍼(W)의 표면에서 처리 유체의 흐름이 층류 상태가 되면, 웨이퍼(W)의 표면과 직교하는 방향으로 유체가 흐르기 어렵기 때문에, 처리 유체는 거의 교반되지 않아, 웨이퍼(W) 표면의 근방을 흐르는 처리 유체밖에 액체의 제거에 기여할 수 없다. 이 결과, 액체를 발출한 웨이퍼(W)의 표면 근방의 처리 유체가 포화 상태가 되어 버리면, 액체를 제거하는 처리 유체의 능력이 저하해 버리는 것으로 생각된다. 따라서 이 경우에는, 처리 용기(1)에 공급되는 처리 유체의 일부밖에, 웨이퍼(W) 표면의 액체를 제거하는 처리에 관여하지 않게 된다.
그래서 본 실시형태의 웨이퍼 처리 장치는 처리 용기(1) 내의 유체의 흐름을 어지럽혀, 그 유체의 혼합을 촉진시킴으로써, 많은 처리 유체를 웨이퍼(W) 표면의 액체와 접촉시켜, 액체의 제거 능력의 저하를 억제하는 것이 가능한 구성을 구비한다. 이하, 그 구성의 내용에 대해서 설명한다.
처리 용기(1) 내의 유체의 혼합을 촉진하기 위한 구성으로서, 본 예의 웨이퍼 처리 장치는, 처리 용기(1) 내의 유체를 발출하고 나서 재차 처리 용기(1)에 복귀시키기 위한 순환 라인(53)이 설치되고, 이 순환 라인(53)에는, 전술한 승압 펌프(2)보다 토출 유량이 큰 순환 펌프(3)가 설치된다. 도 1에 나타내는 바와 같이 본 예의 순환 라인(53)은 발출측에서는 배출 라인(52)으로부터 분기되는 한편, 복귀측은 공급 라인(51)과 합류하며, 그 순환 라인(53)에는, 발출측으로부터 순서대로, 개폐 밸브(531), 순환 펌프(3), 라인 믹서(533), 개폐 밸브(532)가 설치되어 있다.
개폐 밸브(531, 532)는 처리 용기(1)에 대하여 순환 라인(53)을 분리하거나, 접속하는 역할을 하며, 접속 시에는 처리 용기(1) 내의 유체의 순환이 행해지는 한편, 분리 시에는 그 순환이 정지된다.
순환 펌프(3)에는 예컨대 원심 펌프가 이용되고, 이 원심 펌프는, 회전함으로써 순환 라인(53) 내의 유체를 처리 용기(1)를 향해 송출하는 임펠러(31)와, 이 임펠러(31)를 회전시키는 회전축(32)과, 그 회전축(32)을 회전 구동하는 회전 구동부(36)를 구비하고 있다. 임펠러(31)는 펌프 케이싱(33) 내에 수용되고, 펌프 케이싱(33)의 흡입구는 순환 라인(53)의 발출측의 배관에 접속되는 한편, 펌프 케이싱(33)의 토출구는 순환 라인(53)의 복귀측의 배관에 접속되어 있다.
회전축(32)은 좁은 간극을 통해 상기 펌프 케이싱(33)에 연통하는 베어링 케이싱(34) 내에 수용되며, 그 베어링 케이싱(34) 내에서 회전축 둘레로 회전 가능하도록, 볼 베어링(35)을 개재시켜 유지된다. 회전 구동부(36)는 회전축(32)을 수용하는 공간의 외측으로부터 베어링 케이싱(34)을 회전시키는 것이 가능하고, 회전축(32)과 회전 구동부(36)에 의해 캔드 모터를 구성한다.
임펠러(31)를 회전시켜 유체를 송출하는 원심식의 펌프는 시린지 펌프나 다이어프램 펌프를 포함하는 승압 펌프(2)에 비하여, 양정(揚程)은 작지만, 토출 유량이 크다. 이 때문에, 공급 라인(51)으로부터의 공급에 비하여 대유량의 유체를 순환 라인(53)에 순환시키는 것이 가능하고, 이에 따라 처리 용기(1) 내의 흐름을 어지럽혀 처리 유체와 액체의 혼합을 촉진시킬 수 있다. 본 예에서는 순환 펌프(3)의 토출 유량은 5∼60 L/분의 범위의 예컨대 20 L/분이 된다.
여기서, 회전축(32)을 유지하는 볼 베어링(35)은 회전하는 회전축(32)과 직접 접촉하기 때문에 이들 부재가 서로 스쳐 파티클이 발생할 우려가 있다. 전술한 바와 같이 베어링 케이싱(34) 및 펌프 케이싱(33)의 내부 공간은 연통해 있기 때문에, 파티클을 포함한 유체가 펌프 케이싱(33) 내에 유입되면, 그 파티클이 처리 용기(1)로 송출되어 웨이퍼(W)에 부착되어 버릴 우려가 있다.
그래서 본 예의 베어링 케이싱(34)에는, 베어링 케이싱(34) 내의 유체를 파티클과 함께 외부로 발출하기 위한 발출 라인(55)이 접속되어 있다. 이에 따라, 펌프 케이싱(33)에 유입된 유체의 일부가 베어링 케이싱(34) 내의 공간을 통해 발출 라인(55)에 흐르기 때문에, 베어링 케이싱(34) 내에서 발생한 파티클의 펌프 케이싱(33) 내에의 유입을 억제할 수 있다. 도 1에 나타낸 도면 부호 551은 베어링 케이싱(34)으로부터 발출되는 유체의 유량을 조절하는 유량 조절 밸브이다.
순환 펌프(3)의 토출측의 순환 라인(53)에 설치된 도면 부호 533은 순환 라인(53) 내를 흐르는 유체[처리 유체와 웨이퍼(W)로부터 제거된 액체]의 혼합을 촉진시키기 위한 라인 믹서이다.
또한 순환 펌프(3)에는, 승압 펌프(2)로부터 처리 용기(1)에 흐르는 처리 유체의 일부를 발출하여, 펌프 케이싱(33) 내에 공급함으로써, 파티클을 포함하는 베어링 케이싱(34) 내의 유체가 펌프 케이싱(33)측에 역류하지 않도록 하기 위한 분기 라인(54)이 접속되어 있다. 분기 라인(54)은 펌프 케이싱(33)과 베어링 케이싱(34)의 연통부의 근방에 공급된다. 도면에 있어서, 도면 부호 541은 분기 라인(54)에 흐르는 처리 유체의 유량을 조절하는 유량 조절 밸브이고, 예컨대 0.1∼1 L/분의 범위의 0.5 L/분 정도의 처리 유체가 공급 라인(51)으로부터 발출되어 순환 펌프(3)에 공급된다. 순환 펌프로서는, 원심 펌프 외에, 축류 펌프, 터빈 펌프 등의 비교적 저양정, 대유량의 펌프가 이용된다.
이상에서 설명한 구성을 구비한 웨이퍼 처리 장치는 제어부(6)를 구비한다. 제어부(6)는 도시하지 않는 CPU와 기억부를 구비한 컴퓨터를 포함하고, 처리 용기(1), 승압 펌프(2), 순환 펌프(3)나 각종 밸브(511, 521, 531, 532, 541, 551)에 접속되어 있다. 제어부(6)의 기억부에는 웨이퍼 처리 장치의 작용, 즉 표면이 건조 방지용 액체로 젖은 웨이퍼(W)를 처리 용기(1)에 반입하고 나서, 처리 유체에 의해 상기 액체를 제거하고, 웨이퍼(W)를 추출하기까지의 동작에 관한 제어에 대한 단계(명령)군이 구성된 프로그램이 기록되어 있다. 이 프로그램은, 예컨대 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 광디스크, 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되며, 그것으로부터 컴퓨터에 인스톨된다.
이하, 도 3의 흐름도, 및 도 4∼도 6의 작용도를 참조하면서 웨이퍼 처리 장치의 동작에 대해서 설명한다. 상류 프로세스의 액처리 장치로 웨이퍼(W) 표면의 미소한 먼지나 자연 산화막을 제거하는 액처리가 종료되면, 웨이퍼(W)의 표면에는 예컨대 IPA(IsoPropyl Alcohol) 등의 건조 방지용 액체가 공급되고, 웨이퍼 반송 아암에 전달되어, 웨이퍼(W)는 본 웨이퍼 처리 장치에 반송된다(시작).
계속해서, 도시하지 않는 승강핀 등에 웨이퍼(W)를 전달해서, 처리 용기(1)의 유지판(16) 상에 배치한 후, 개구부(12)를 통해 웨이퍼(W)를 용기 본체(11) 내에 반입하며(단계 S101), 처리 용기(1)를 밀폐한다(단계 S102). 그런 다음, 도 4에 나타내는 바와 같이 공급 라인(51)의 개폐 밸브(511)를 개방하며 승압 펌프(2)를 가동시켜 처리 용기(1)에 처리 유체를 공급하고, 처리 용기(1)의 내부가 고압 상태(초임계 상태나 아임계 상태)의 압력이 될 때까지 승압시킨다(단계 S103). 또한, 도 6∼도 8에서는 각 밸브(511, 521, 531, 532, 541, 551)가 개방되어 있는 경우에 「O」, 폐쇄되어 있는 경우에는 「S」의 부호를 붙인다.
이렇게 하여 처리 용기(1)의 내부가 고압 상태의 처리 유체 분위기가 되면, 순환 라인(53)의 개폐 밸브(531, 532)를 개방하며, 순환 펌프(3)를 가동시켜 처리 용기(1) 내의 유체를 순환시킨다(도 5). 이때, 분기 라인(54)의 유량 조정 밸브(541)를 개방하여 펌프 케이싱(33)에 사용 전의 처리 유체를 공급하며, 발출 라인(55)으로부터는, 공급 라인(51) 및 분기 라인(54)으로부터 공급되는 처리 유체와 밸런스를 맞춘 양의 유체를 발출한다.
이 결과, 승압 펌프(2)로부터의 처리 유체의 공급을 계속하면서, 순환 펌프(3)에 의해 처리 용기(1) 내의 유체를 순환시키는 동작이 실행된다(단계 S105). 토출량이 큰 순환 펌프(3)에 의해 처리 용기(1) 내의 유체를 순환시킴으로써, 처리 용기(1) 내의 유체의 흐름을 어지럽혀 처리 유체와 건조 방지용 액체의 혼합을 촉진시킬 수 있다. 이 결과, 웨이퍼(W) 표면 부근의 처리 유체가 건조 방지용 액체로 포화한 상태로 되는 것을 막아, 그 액체를 제거하는 능력의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 발출 라인(55)으로부터 정해진 양의 처리 유체[고압 상태의 CO2와 건조 방지용 액체(IPA)의 혼합 유체]를 발출하면서, 공급 라인(51) 및 분기 라인(54)으로부터 처리 유체(고압 상태의 CO2)를 공급하기 때문에, 순환 라인(53)을 순환하는 처리 유체 중의 IPA의 농도는 후술하는 실험 결과(도 9)에 나타내는 바와 같이 서서히 내려간다. 후술하는 바와 같이 도 9는, 처리 용기(1)에 고압 상태의 CO2를 공급하면서 순환 펌프(3)를 가동시켜, 처리 용기(1)에 접속된 순환 라인(53)에 그 CO2를 순환시키고, 여기에 IPA를 펄스 공급하여 순환 라인(53)을 흐르는 유체의 밀도 변화를 계측한 결과이다.
순환 라인(53)을 흐르는 유체의 밀도 변화는 도 9에 나타내는 바와 같이, 초기 단계에서 크게 변동(진폭)한 후, 이 변동이 진정되고, 이윽고 서서히 저하한다. 이 변동이 진정되는 시점[도 9에서 점(T)으로 표시]은 실제 처리에서는, 웨이퍼(W) 표면의 건조 방지용 액체가 처리 유체로 치환된 시점인 것을 실험적으로 확인하였다. 이 시점에서 순환 라인(53)을 분리하고, 처리 용기(1)를 감압하여 유체를 배출하며, 건조된 웨이퍼(W)를 발출하는 조작을 실행하여도 좋지만, 이 경우는 처리 유체 중에 발출된 IPA가 응축하여 웨이퍼(W)에 재부착될 우려가 있다. 따라서, 순환 라인(53)을 순환하는 처리 유체에 포함되는 IPA의 총량이 충분히 낮은 값이 될 때까지 순환을 계속하는 것이 바람직하다. 전술한 바와 같이 순환 펌프(3)는 승압 펌프(2)보다 토출 유량이 크기 때문에, 치환 후에 처리 유체의 순환을 계속하는 시간을 더한다고 해도, 순환하지 않는 경우에 비하여 처리 유체의 치환, 배출(감압)까지 요하는 시간을 짧게 할 수 있는 것을 확인하였다.
이렇게 하여 웨이퍼(W) 표면의 건조 방지용 액체를 제거하기에 충분한 미리 설정된 시간이 경과하면, 승압 펌프(2) 및 순환 펌프(3)를 정지하고, 처리 유체의 공급 및 순환을 정지한다(단계 S106). 그리고 도 6에 나타내는 바와 같이 공급 라인(51)이나 순환 라인(53)측의 개폐 밸브(511, 531, 532)를 폐쇄하는 한편, 배출 라인(52)의 감압 밸브(521)를 개방해서 처리 용기(1) 내의 유체를 배출하여, 대기압까지 감압시킨다(단계 S107). 이 결과, 처리 유체 중에 발출된 액체는 처리 유체와 함께 처리 용기(1)의 밖으로 배출되고, 표면의 액체가 제거되어, 건조한 상태의 웨이퍼(W)를 얻을 수 있다.
이때, 예컨대 처리 용기(1)에 테이프 히터 등의 가열부를 마련하고, 처리 용기(1)나 순환 라인(53)을 흐르는 유체(처리 유체와 건조 방지용의 혼합 유체)의 온도를, 건조 방지용 액체의 비점(IPA의 경우는 82.4℃) 이상으로 가열해 두어도 좋다. 이에 따라, 처리 유체의 배출 시의 건조 방지용 액체의 응축, 웨이퍼(W)에의 재부착을 방지하여, 재부착에 따른 패턴 붕괴의 발생을 방지할 수 있다.
처리 용기(1) 내의 압력이 대기압까지 내려가면, 유지판(16)을 이동시켜 웨이퍼(W)를 반출하고(단계 S108), 외부의 반송 아암에 웨이퍼(W)를 전달하여 처리를 종료한다(끝).
본 실시형태에 따른 웨이퍼 처리 장치에 의하면 이하의 효과가 있다. 처리 용기(1)에 처리 유체를 공급하는 승압 펌프(2)보다 토출 유량이 큰 순환 펌프(3)를 이용하여 그 처리 용기(1) 내의 유체를 순환시키기 때문에, 처리 용기(1) 내의 유체의 흐름을 어지럽혀 처리 유체와 웨이퍼(W) 표면의 액체와의 혼합을 촉진시킬 수 있다. 이 결과, 처리 유체가 교반되고, 처리 유체에 추출된 액체가 포화하기 어려워져, 비교적 짧은 시간에 웨이퍼(W) 표면의 액체를 제거하는 것이 가능해진다.
도 7 및 도 8은 도 3 및 도 4∼도 6을 이용하여 설명한 웨이퍼 처리 장치의 동작의 다른 예를 나타낸다. 이 예에서는, 순환 라인(53)에 처리 용기(1) 내의 유체를 흐르게 하여 처리 유체와 액체의 혼합을 촉진하는 동작을 실행한 후, 이 순환을 정지하여 순환 라인(53)을 처리 용기(1)로부터 분리하고(도 7의 단계 S106A), 계속해서 공급 라인(51)으로부터의 처리 유체의 공급을 계속하면서, 처리 용기(1)의 내부가 고압 상태의 처리 분위기로 유지되도록 감압 밸브(521)의 개방도를 조절하여 처리 용기(1) 내의 유체를 발출하는 동작(도 7의 단계 S106B, 도 8)이 추가된다.
처리 용기(1) 내의 처리 유체와 웨이퍼(W) 표면의 액체를 충분히 혼합한 후에는, 그 혼합 유체와 공급 라인(51)으로부터 공급되는 처리 유체를 그다지 혼합시키지 않고, 층류의 상태로 처리 용기(1)로부터 압출하는 것이, 처리 용기(1) 내에부터 상기 액체를 효율적으로 발출할 수 있다. 그래서, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W) 상의 건조 방지용 액체가 처리 유체로 치환되는 타이밍을 미리 파악해 두고, 이 타이밍에 맞추어 순환 라인(53)을 분리하며, 배출 라인(52)으로부터 유체를 발출함으로써, 순환 라인(53)을 순환시키면서 처리 용기(1) 내의 유체를 발출하는 경우에 비하여, 비교적 단시간에 처리 용기(1) 내의 건조 방지용 액체의 농도를 저감할 수 있다.
또한 이와 같이 층류의 상태로 처리 용기(1) 내의 혼합 유체를 압출하는 편이, 그 혼합 유체를 압출하기 위해 소비되는 처리 유체의 양이 적어도 된다. 또한, 처리 용기(1)로부터 순환 라인(53)이 분리되어 있기 때문에, 순환 라인(53)이나 순환 펌프(3)의 펌프 케이싱(33) 내의 공간까지, 공급 라인(51)으로부터 공급한 처리 유체로 치환할 필요가 없어, 이 점에서도 처리 유체의 사용량을 저감할 수 있다. 단, 순환 라인(53)을 처리 용기(1)로부터 분리하는 것은 필수적인 조건이 아니며, 예컨대 순환 펌프(3)만 정지시키고 나서 배출 라인(52)의 감압 밸브(521)를 개방하여 처리 용기(1)의 내부를 처리 유체로 치환하여도 좋다.
이렇게 하여, 도 8에 나타낸 상태로 미리 설정된 시간만큼 처리 용기(1)의 내부를 처리 유체로 치환하는 동작을 행하면, 공급 라인(51)으로부터의 처리 유체의 공급을 정지하고(도 7의 단계 S106C), 처리 용기(1) 내의 유체를 배출하여 대기압까지 감압한 후(단계 S107), 웨이퍼(W)를 반출하는 동작(단계 S108)에 대해서는, 도 3의 흐름도와 동일하다.
여기서, 순환 라인(53)에 처리 용기(1) 내의 유체를 순환시키는 시간은 처리 용기(1) 내의 처리 유체와 건조 방지용 액체가 충분히 혼합되는 타이밍이나, 처리 용기(1) 내의 유체가 공급 라인(51)으로부터 공급되는 새로운 처리 유체로 치환되는 타이밍을 예비 실험 등으로 미리 파악해 두면 좋다. 또한, 예컨대 처리 용기(1)나 순환 라인(53)에 밀도계(534)(도 1에 병기)를 마련하고, 제어부(6) 등을 통해 이들 영역에 흐르는 유체의 밀도 변화를 감시하면서 상기 타이밍을 파악하여도 좋다.
여기서, 예컨대 순환 펌프(3)의 펌프 케이싱(33)과 베어링 케이싱(34) 사이를 고압 분위기 하에서도 분리할 수 있는 자성 유체 시일 등이 있으면, 발출 라인(55)을 설치하지 않아도 좋다. 분기 라인(54)을 설치하는 것도 필수적인 요건이 아니며, 베어링 케이싱(34)으로부터의 파티클의 혼입량 등에 따라 채용하면 좋다.
또한 전술한 각 실시형태에서는, 공급 라인(51)으로부터 계속적으로 처리 유체를 공급하면서, 순환 라인(53)에 유체를 순환시키거나, 배출 라인(52)으로부터 유체를 발출하여, 처리 용기(1)의 내부를 처리 유체로 혼합, 치환하고, 웨이퍼(W)에 부착되어 있던 액체를 배출하고 나서, 대기압으로 감압하는 예를 설명하였다. 그러나, 예컨대 처리 용기(1)에 충분량의 처리 유체가 공급되고, 처리 용기(1)를 대기압으로 복귀시켜도, 그 처리 유체에 추출된 액체가 웨이퍼(W) 표면에 재응축하지 않는 조건이 되면, 공급 라인(51)으로부터의 처리 유체의 공급 및 발출 라인(55)이나 배출 라인(52)으로부터의 유체의 발출 계속은 필수적인 요건이 아니다.
예컨대, 공급 라인(51)으로부터 처리 유체를 공급한 후, 그 공급을 정지하고, 계속해서 순환 펌프(3)를 가동하여 순환 라인(53)에 의한 순환만을 행하고 나서, 처리 용기(1)를 대기압까지 감압하여, 액체를 제거한 웨이퍼(W)를 얻어도 좋다. 이때, 액체의 재응축을 방지하기 위해 처리 용기(1) 내의 분위기를 가열하여도 좋다.
이 외에, 처리 용기(1)에 공급되는 처리 유체는 CO2 등, 가스 상태나 고압 상태(초임계 상태나 아임계 상태)의 유체에 한정되지 않는다. 예컨대, IPA나 HFE(Hydro Fluoro Ether)와 같이, 액체의 처리 유체를 공급하여도 좋다. 이때, 승압 펌프(2)에 의해 승압하는 것만으로는 처리 유체가 고압 상태가 되지 않을 경우에는, 처리 용기(1)를 가열하여도 좋다.
또한, 웨이퍼(W) 표면의 건조 방지용 액체에 대해서도 IPA에 한정되는 것이 아니며, HFE나 물이어도 좋다.
[실시예]
(실험)
도 1에 나타낸 웨이퍼 처리 장치에, 승압 펌프(2)로부터 0.5 L/분으로 CO2를 공급하면서, 순환 펌프(3)를 가동시켜, 처리 용기(1) 내의 유체를 20 L/분으로 순환 라인(53)에 순환시켰다. 이 처리 용기(1) 내에 20 mL의 IPA를 펄스 공급하여 순환 라인(53)을 흐르는 유체의 밀도 변화를 계측하였다. 처리 용기(1) 내의 처리 공간의 용적은 1000 ㎤이며, 처리 용기(1)의 온도는 58℃, 압력은 15 ㎫(게이지압)이다.
실험 결과를 도 9에 나타낸다. 이 도면에 따르면, IPA를 공급한 당초에는 유체 밀도가 크게 변동했지만, 이 밀도 변동은 서서히 감쇠하여, 1분 정도에서 완만한 밀도 변화가 되었다. 그래서, 이 타이밍에 유체의 순환을 정지하고, 배출 라인(52)으로부터의 배출로 전환하면, 처리 용기(1) 내의 흐름이 층류로 되며, IPA와 혼합된 처리 유체가 압출됨으로써, 배출 라인(52)을 흐르는 유체의 밀도 변화는 파선으로 나타내는 바와 같이 급속히 저하한다고 생각된다.
W: 웨이퍼 1: 처리 용기
2: 승압 펌프 3: 순환 펌프
31: 임펠러 32: 회전축
33: 펌프 케이싱 34: 베어링 케이싱
35: 볼 베어링 36: 회전 구동부
4: 처리 유체 공급부 51: 공급 라인
52: 배출 라인 521: 감압 밸브
53: 순환 라인 54: 분기 라인
55: 발출 라인 6: 제어부

Claims (15)

  1. 기판 표면의 건조 방지용 액체에, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태의 처리 유체를 접촉시켜, 상기 건조 방지용 액체를 제거하는 처리가 행해지는 처리 용기와,
    이 처리 용기에 처리 유체를 공급하는 공급 라인에 설치되며, 상기 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하기 위한 승압 펌프와,
    상기 공급 라인과는 별도로 설치되며, 상기 처리 용기 내의 유체를 순환시키기 위한 순환 라인과,
    이 순환 라인에 설치되며, 상기 승압 펌프보다 토출 유량이 큰 순환 펌프와,
    상기 순환 라인을 흐르는 유체를 발출(拔出)하기 위한 발출 라인과,
    상기 처리 용기 내의 압력을 감압하기 위한 감압 밸브가 설치되며, 그 처리 용기 내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인과,
    상기 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하며, 이어서, 상기 공급 라인으로부터의 처리 유체의 공급을 계속하면서, 상기 처리 용기 내의 유체를 순환 라인에 순환시켜, 처리 용기 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 유지하면서 상기 발출 라인으로부터 유체를 발출하여, 상기 처리 용기 내의 유체의 치환을 행한 후, 상기 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하도록 제어 신호를 출력하는 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 순환 라인에는 개폐 밸브가 설치되며,
    상기 제어부는, 상기 처리 용기 내의 유체를 순환 라인에 순환시킨 후, 상기 개폐 밸브를 폐쇄하며, 계속해서, 상기 공급 라인으로부터 처리 유체를 공급하여 그 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 유지하면서 배출 라인으로부터 유체를 발출한 후, 그 공급 라인으로부터의 처리 유체의 공급을 정지하여 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하도록 제어 신호를 출력하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 기판 표면의 건조 방지용 액체에, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태의 처리 유체를 접촉시켜, 상기 건조 방지용 액체를 제거하는 처리가 행해지는 처리 용기와,
    이 처리 용기에 처리 유체를 공급하는 공급 라인에 설치되며, 상기 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하기 위한 승압 펌프와,
    개폐 밸브가 설치되며, 상기 처리 용기 내의 유체를 순환시키기 위한 순환 라인과,
    이 순환 라인에 설치되며, 상기 승압 펌프보다 토출 유량이 큰 순환 펌프와,
    상기 처리 용기 내의 압력을 감압하기 위한 감압 밸브가 설치되며, 그 처리 용기 내의 유체를 배출하기 위한 배출 라인과,
    상기 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하며, 이어서, 상기 처리 용기 내의 유체를 순환 라인에 순환시킨 후, 상기 개폐 밸브를 폐쇄하며, 그런 후, 상기 공급 라인으로부터 처리 가스를 공급하여, 그 처리 용기 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 유지하면서 배출 라인으로부터 유체를 발출한 후, 그 공급 라인으로부터의 처리 유체의 공급을 정지하여 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하도록 제어 신호를 출력하는 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 순환 펌프는 원심 펌프, 축류 펌프 또는 터빈 펌프인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 순환 펌프는,
    회전축 둘레로 회전하여 유체를 송출하는 임펠러와, 상기 회전축을 회전시키는 회전 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 순환 펌프는,
    상기 회전 구동부에 마련되고, 상기 회전축을 유지하는 볼 베어링과,
    이들 회전축 및 볼 베어링을 수용하며, 상기 임펠러를 수용하는 펌프 케이싱에 연통하는 베어링 케이싱을 구비하고,
    이 베어링 케이싱에는, 상기 펌프 케이싱으로부터 베어링 케이싱에 유입된 유체의 일부를 발출하기 위한 상기 발출 라인이 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 공급 라인으로부터 분기해서 상기 순환 펌프에 접속된 분기 라인을 구비하고,
    상기 분기 라인으로부터 순환 펌프에 처리 유체를 공급하면서, 상기 발출 라인으로부터 유체가 발출되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 승압 펌프는 시린지 펌프 또는 다이어프램 펌프인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 용기 내로부터 배출되는 유체를, 상기 건조 방지용 액체의 비점 이상의 온도로 가열하는 가열부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 용기 또는 순환 라인 내의 유체의 밀도를 측정하는 밀도계를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 유체의 밀도가, 처리 용기 내의 건조 방지용 액체가 처리 유체로 치환된 것을 나타내는 미리 정한 밀도가 된 후, 상기 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 처리 용기 내에서, 기판 표면의 건조 방지용 액체에, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태의 처리 유체를 접촉시켜, 상기 건조 방지용 액체를 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
    승압 펌프가 설치된 공급 라인으로부터 처리 용기에 처리 유체를 공급하여, 상기 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하는 공정과,
    이어서, 상기 공급 라인으로부터의 처리 유체의 공급을 계속하면서, 상기 공급 라인과는 별도로 설치되며, 상기 승압 펌프보다 토출 유량이 큰 순환 펌프가 설치된 순환 라인에 상기 처리 용기 내의 유체를 순환시켜, 처리 용기 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 유지하면서, 상기 순환 라인을 흐르는 유체를 발출하기 위한 발출 라인으로부터 유체를 발출하여, 상기 처리 용기 내의 유체를 치환하는 공정과,
    계속해서, 상기 처리 용기에 접속되며, 그 처리 용기 내의 압력을 감압하기 위한 감압 밸브가 설치된 배출 라인으로부터 그 처리 용기 내의 유체를 배출하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 처리 용기 내의 유체를 순환 라인에 순환시킨 후, 이 순환을 정지하는 공정과,
    계속해서, 상기 공급 라인으로부터 처리 유체를 공급하여 그 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 유지하면서 배출 라인으로부터 유체를 발출하는 공정과,
    그 후, 그 공급 라인으로부터의 처리 유체의 공급을 정지하여 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 처리 용기 내에서, 기판 표면의 건조 방지용 액체에, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태의 처리 유체를 접촉시켜, 상기 건조 방지용 액체를 제거하는 기판 처리 방법에 있어서,
    승압 펌프가 설치된 공급 라인으로부터 처리 용기에 처리 유체를 공급하여, 상기 처리 용기의 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 하는 공정과,
    계속해서, 상기 승압 펌프보다 토출 유량이 큰 순환 펌프가 설치된 순환 라인에 상기 처리 용기 내의 유체를 순환시키는 공정과,
    상기 처리 용기 내의 유체를 순환 라인에 순환시킨 후, 이 순환을 정지하는 공정과,
    그런 후, 상기 공급 라인으로부터 처리 유체를 공급하여 그 처리 용기 내부를 고압 상태의 처리 유체 분위기로 유지하면서 배출 라인으로부터 유체를 발출하는 공정과,
    그 후, 그 공급 라인으로부터의 처리 가스의 공급을 정지하여, 상기 처리 용기에 접속되며, 그 처리 용기 내의 압력을 감압하기 위한 감압 밸브가 설치된 배출 라인으로부터 처리 용기 내의 유체를 배출하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유체를 배출하는 공정에서, 처리 용기로부터 배출되는 유체를, 상기 건조 방지용 액체의 비점 이상의 온도로 가열하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 기판 표면의 건조 방지용 액체에, 초임계 상태 또는 아임계 상태인 고압 상태의 처리 유체를 접촉시켜, 상기 건조 방지용 액체를 제거하는 처리가 행해지는 기판 처리 장치에 이용되는 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 프로그램은 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 방법을 실행하기 위해 단계가 짜여져 있는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
KR1020120032157A 2011-05-13 2012-03-29 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 KR101596076B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2011-108653 2011-05-13
JP2011108653A JP5703952B2 (ja) 2011-05-13 2011-05-13 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120127203A KR20120127203A (ko) 2012-11-21
KR101596076B1 true KR101596076B1 (ko) 2016-02-19

Family

ID=47465201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120032157A KR101596076B1 (ko) 2011-05-13 2012-03-29 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5703952B2 (ko)
KR (1) KR101596076B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6259589B2 (ja) * 2013-06-07 2018-01-10 昭和電工ガスプロダクツ株式会社 超臨界処理装置
JP6189650B2 (ja) * 2013-06-07 2017-08-30 昭和電工ガスプロダクツ株式会社 超臨界処理装置
JP6563351B2 (ja) * 2016-03-03 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR102378329B1 (ko) * 2019-10-07 2022-03-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2022115405A (ja) * 2021-01-28 2022-08-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 置換終了時の判定方法、基板処理方法および基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002336675A (ja) 2001-05-17 2002-11-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置及び方法
JP2003347261A (ja) 2002-05-30 2003-12-05 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、および洗浄方法
JP2004158591A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界乾燥方法及び装置
JP2006140505A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Tokyo Electron Ltd ポンプを冷却する方法及びシステム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003117510A (ja) * 2001-10-16 2003-04-22 Mitsubishi Materials Corp 洗浄装置
JP4372590B2 (ja) * 2004-03-26 2009-11-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造乾燥処理方法及びその装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002336675A (ja) 2001-05-17 2002-11-26 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 高圧処理装置及び方法
JP2003347261A (ja) 2002-05-30 2003-12-05 Tokyo Electron Ltd 洗浄装置、および洗浄方法
JP2004158591A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 超臨界乾燥方法及び装置
JP2006140505A (ja) 2004-11-12 2006-06-01 Tokyo Electron Ltd ポンプを冷却する方法及びシステム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012243776A (ja) 2012-12-10
JP5703952B2 (ja) 2015-04-22
KR20120127203A (ko) 2012-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101596076B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR101824809B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
US10199240B2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP5712902B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2013033817A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20180050236A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
TW200300974A (en) Method of high pressure treatment
CN108025335B (zh) 处理液供给装置、基板处理系统及处理液供给方法
JP2018082099A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2008066495A (ja) 高圧処理装置および高圧処理方法
JP2008084890A (ja) 超臨界流体処理方法及び処理装置
JP5252918B2 (ja) 超臨界流体に化学物質を注入する方法及びシステム
JP2008182034A (ja) 基体処理方法及び基体処理装置
TWI721284B (zh) 藥液供給裝置、基板處理裝置、藥液供給方法以及基板處理方法
US7033089B2 (en) Method of developing a resist film and a resist development processor
US20190063415A1 (en) Pumping apparatus, treatment solution supplying device, substrate treating apparatus, liquid draining method, and liquid replacing method
KR20170103653A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
CN114695181A (zh) 基板处理方法和基板处理装置
TW202135914A (zh) 過濾器洗淨系統及過濾器洗淨方法
JP2002346312A (ja) 送液流路における濾材処理方法
CN112103208A (zh) 基板处理装置
JP2002367943A (ja) 高圧処理方法および高圧処理装置
JP2005142301A (ja) 高圧処理方法、及び高圧処理装置
JP2007087986A (ja) 高圧処理装置および高圧処理方法
JP2006247563A (ja) 洗浄方法及び洗浄装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190130

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200205

Year of fee payment: 5