KR101595049B1 - 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프 - Google Patents

임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프 Download PDF

Info

Publication number
KR101595049B1
KR101595049B1 KR1020140015671A KR20140015671A KR101595049B1 KR 101595049 B1 KR101595049 B1 KR 101595049B1 KR 1020140015671 A KR1020140015671 A KR 1020140015671A KR 20140015671 A KR20140015671 A KR 20140015671A KR 101595049 B1 KR101595049 B1 KR 101595049B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicone
tape
weight
adhesive layer
parts
Prior art date
Application number
KR1020140015671A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150094417A (ko
Inventor
김희정
최성환
전해상
Original Assignee
도레이첨단소재 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도레이첨단소재 주식회사 filed Critical 도레이첨단소재 주식회사
Priority to KR1020140015671A priority Critical patent/KR101595049B1/ko
Publication of KR20150094417A publication Critical patent/KR20150094417A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101595049B1 publication Critical patent/KR101595049B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J183/00—Adhesives based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

본 발명은 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인쇄회로 기판에 홀이 형성되어 칩을 기판 내부에 삽입하는 임베디드 패키지에 있어서 임베디드 패키지 공정용 테이프가 인쇄회로 기판의 한쪽면에 부착되어 인쇄회로 기판의 홀에 의해 노출된 테이프의 점착층에 칩을 실장한 후 절연층 라미네이션 공정 이후 칩 쉬프트와 잔사가 남지 않고 상온에서 쉽게 박리될 수 있고, 특히 고온, 고압 조건하에서 라미네이션을 하여야 하는 절연층 라미네이션 공정 이후 박리하여도 임베디드 인쇄 회로 기판에 잔사가 남지 않는 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프에 관한 것이다.

Description

임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프{TAPE COMPOSITION FOR EMBEDDED PACKAGE PROCESS AND TAPE FOR EMBEDDED PACKAGE PROCESS USING THE SAME}
본 발명은 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인쇄회로 기판에 홀이 형성되어 칩을 기판 내부에 삽입하는 임베디드 패키지에 있어서 임베디드 패키지 공정용 테이프가 인쇄회로 기판의 한쪽면에 부착되어 인쇄회로 기판의 홀에 의해 노출된 테이프의 점착층에 칩을 실장한 후 절연층 라미네이션 공정 이후 칩 쉬프트와 잔사가 남지 않고 상온에서 쉽게 박리될 수 있고, 특히 고온, 고압 조건하에서 라미네이션을 하여야 하는 절연층 라미네이션 공정 이후 박리하여도 임베디드 인쇄 회로 기판에 잔사가 남지 않는 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프에 관한 것이다.
전자산업의 발달에 따라 전자 부품의 소형화 및 고기능화 요구가 점차 늘어나는 추세이며, 이에 따라 반도체 패키지가 내장될 공간이 점차 감소하고 있는 추세이다. 따라서 단위 체적당 실장 효율을 높이기 위한 경박단소화된 패키지가 발달하고 있으며, 그 일환으로 칩을 기판 표면이 아닌 기판 내부에 배치하는 임베디드 패키지(embedded package)가 제안되고 있다.
임베디드 인쇄회로 기판을 중심으로 하는 임베디드 패키지는 기존의 실장 방식과 다른 방식의 소자 실장 방식으로 대두되고 있으며, 자세하게는 IC와 같은 능동 부품 또는 MLCC 형태의 수동 부품을 인쇄회로 기판의 내부에 실장하여 부품의 고밀도화 및 신뢰성 향상 및 이러한 유기적인 결합을 통한 패키지 자체의 성능 향상 등을 추구한다.
이와 같은 임베디드 패키지의 기본적인 구조는 일반적으로 임베디드 인쇄회로 기판의 비아에 능동소자 혹은 수동소자를 실장한 후, 임베디드 회로기판과 소자를 전기적으로 연결하기 위해 회로배선을 형성한다. 그 후 실장된 소자와 인쇄회로 기판과의 전기적, 기계적 본딩과 이후에 적층될 인쇄회로 기판 레이어와의 전기적 절연을 위하여 ACF(Anisotropic conductive film)와 NCF(Nonconductive film)등과 같은 절연층을 라미네이팅한다. 이때 절연층 라미네이션 공정의 경우 절연층의 종류에 기인한다.
이러한 공정 중 임베디드 인쇄회로 기판의 비아에 실장되는 능동소자 혹은 수동소자를 고정시키기 위하여 임베디드 패키지 공정용 테이프가 요구되는데, 종래의 임베디드 패키징 공정 순서를 도시한 도 2로부터, 종래의 임베디드 패키징 공정은 (1) 테이프 부착공정 (2) 칩 실장 공정 (3) 절연층 라미네이션 공정 (4) 테이프 탈착공정으로 이루어진다.
여기에 사용되는 임베디드 패키지 공정용 테이프(20)가 가져야 하는 가장 큰 특징은 다음과 같다.
첫째 상온에서 5~20㎛의 높은 조도의 패턴이 형성되어 있는 인쇄회로 기판에 쉽게 가접되어야 하고, 둘째 절연층 라미네이션 공정 이후 실장된 칩을 쉬프트 없이 고정시킬 수 있어야 하며, 셋째 임베디드 패키지 공정용 테이프 박리 후 인쇄회로 기판에 잔사가 남지 않아야 한다는 것이다.
특히, 절연층 라미네이션 공정은 절연층의 종류와 작업성 확보를 위하여 다양한 온도, 압력, 시간범위를 가지게 되며, 가혹하게는 100~150℃의 고온, 10~14Mpa의 고압 조건하에서 라미네이션하는 제품도 있다.
종래의 에폭시계나 아크릴계 점착제로는 위와 같은 물성을 가지는 것에는 한계가 있다. 에폭시계 점착제의 경우 일반적으로 상온 이상의 높은 유리전이온도를 가지므로 온도를 승온시켜 가접해야 하는 한계가 있으며, 또한 열경화성 아크릴계 점착제의 경우 우수한 택(tack) 특성을 가지나, 고온과 고압의 절연층 라미네이션 공정 이후 잔사가 발생하는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 인쇄회로 기판에 홀이 형성되어 칩을 기판 내부에 삽입하는 임베디드 패키지에 있어서 임베디드 패키지 공정용 테이프가 인쇄회로 기판의 한쪽면에 부착되어 인쇄회로 기판의 홀에 의해 노출된 테이프의 점착층에 칩을 실장한 후 절연층 라미네이션 공정 이후 칩 쉬프트와 잔사가 남지 않고 상온에서 쉽게 박리될 수 있고, 특히 고온, 고압 조건하에서 라미네이션을 하여야 하는 절연층 라미네이션 공정 이후 박리하여도 임베디드 인쇄 회로 기판에 잔사가 남지 않는 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명의 상기 및 다른 목적과 이점은 바람직한 실시예를 설명한 하기의 설명으로부터 보다 분명해 질 것이다.
상기 목적은, 실리콘 폴리머, 실리콘 레진, 실리콘 가교제 및 경화 촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물에 의해 달성된다.
여기서, 상기 실리콘 폴리머는 폴리오르가노 실록산으로서,
Figure 112014013441574-pat00001
단위체(M단위)와
Figure 112014013441574-pat00002
단위체(D단위)의 연속된 결합을 가지는 선형 폴리머이다. 여기서 R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 히드록실기, 메틸기, 비닐기, 페닐기 또는 알킬기인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 실리콘 폴리머는 폴리오르가노실록산 혼합물로서, 점도가 10,000 ~ 70,000mPa·s 인 직쇄형 폴리오르가노실록산(a)과 점도가 200 ~ 500mPa·s 인 폴리오르가노실록산(b)의 혼합물인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 폴리오르가노실록산(a)와 상기 폴리오르가노실록산(b)의 혼합비율은 (a): (b) = 99.5:0.5 ~ 98:2 인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 실리콘 레진은
Figure 112014013441574-pat00003
단위체(M단위)와
Figure 112014013441574-pat00004
단위체(Q단위)의 결합을 가지는 망상형이되, 상기 R1은 메틸기 또는 비닐기인 MQ 레진인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 실리콘 폴리머와 상기 실리콘 레진의 혼합비는 95:5 ~ 70:30 인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 실리콘 가교제는 SiH 기를 포함하는 폴리오르가노실록산인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 실리콘 가교제는 상기 실리콘 폴리머와 상기 실리콘 레진의 혼합물인 실리콘 주재 100 중량부 대비 5 ~ 15 중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 경화 촉매는 백금촉매로서, 상기 실리콘 주재 100 중량 대비 0.01 ~ 5 중량부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한 상기 목적은, 기재필름과 상기 기재필름의 적어도 일면에 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물을 도포하여 형성된 점착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 임베디드 패키지 공정용 테이프에 의해 달성된다.
여기서, 상기 점착층의 점착력은 1gf/inch ~ 30gf/inch인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 점착층의 두께는 3 ~ 10㎛인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 점착층의 인덴테이션 모듈러스는 1 X 103 N/mm2 이상이고, 1㎛ 깊이에서의 상기 점착층의 경도는 0.5gf 이상인 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 임베디드 패키지 공정용 테이프는 인쇄회로 기판의 한쪽 면에 부착되어 인쇄회로 기판에 형성된 홀에 의해 노출된 상기 임베디드 패키지 공정용 테이프의 점착층에 칩을 실장한 후 절연층 라미네이션 공정 이후 박리되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 인쇄회로 기판에 홀이 형성되어 칩을 기판 내부에 삽입하는 임베디드 패키지에 있어서 임베디드 패키지 공정용 테이프가 인쇄회로 기판의 한쪽 면에 부착되어 인쇄회로 기판의 홀에 의해 노출된 테이프의 점착층에 칩을 실장한 후 절연층 라미네이션 공정 이후 칩 쉬프트와 잔사가 남지 않고 상온에서 쉽게 박리될 수 있고 또한 100~150℃의 고온, 10~14Mpa의 고압 조건하에서 라미네이션을 하여야 하는 절연층 라미네이션 공정 이후 박리하여도 임베디드 인쇄 회로 기판에 잔사가 남지 않는 등의 효과를 가진다.
이로 인해 본 발명은 임베디드 패키지 공정용 테이프가 가져야 할 기술적 특징을 모두 충족할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 임베디드 패키지 공정용 테이프의 단면도.
도 2는 종래의 임베디드 패키징 공정을 나타낸 도면.
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.
달리 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 상충되는 경우, 정의를 포함하는 본 명세서가 우선할 것이다.
본 명세서에서 설명되는 것과 유사하거나 동등한 방법 및 재료가 본 발명의 실시 또는 시험에 사용될 수 있지만, 적합한 방법 및 재료가 본 명세서에 기재된다.
달리 기술되지 않는다면, 모든 백분율, 부, 비 등은 중량 기준이다. 또한 양, 농도, 또는 다른 값 또는 파라미터가 범위, 바람직한 범위 또는 바람직한 상한치와 바람직한 하한치의 목록 중 어느 하나로 주어질 경우, 이것은 범위가 별도로 개시되는 지에 관계없이 임의의 상한 범위 한계치 또는 바람직한 값과 임의의 하한 범위 한계치 또는 바람직한 값의 임의의 쌍으로부터 형성된 모든 범위를 구체적으로 개시하는 것으로 이해되어야 한다. 수치 값의 범위가 본 명세서에서 언급될 경우, 달리 기술되지 않는다면, 그 범위는 그 종점 및 그 범위 내의 모든 정수와 분수를 포함하는 것으로 의도된다. 본 발명의 범주는 범위를 정의할 때 언급되는 특정 값으로 한정되지 않는 것으로 의도된다.
용어 "약"이라는 용어가 값 또는 범위의 종점을 기술하는 데 사용될 때, 본 개시 내용은 언급된 특정의 값 또는 종점을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에 사용된 바와 같이, "포함하다(comprise)", "포함하는(comprising)", "구비하다(include)", "구비하는(including) ", "함유하는(containing)", "~을 특징으로 하는(characterized by)", "갖는다(has)", "갖는(having)"이라는 용어들 또는 이들의 임의의 기타 변형은 배타적이지 않은 포함을 커버하고자 한다. 예를 들어, 요소들의 목록을 포함하는 공정, 방법, 용품, 또는 기구는 반드시 그러한 요소만으로 제한되지는 않고, 명확하게 열거되지 않거나 그러한 공정, 방법, 용품, 또는 기구에 내재적인 다른 요소를 포함할 수도 있다. 또한, 명백히 반대로 기술되지 않는다면, "또는"은 포괄적인 '또는'을 말하며 배타적인 '또는'을 말하는 것은 아니다.
출원인이 "포함하는"과 같은 개방형 용어로 발명 또는 그 일부를 정의한 경우, 달리 명시되지 않는다면 그 설명이 "본질적으로 이루어진"이라는 용어를 이용하여 그러한 발명을 설명하는 것으로도 해석되어야 함이 쉽게 이해되어야 한다.
본 발명에 따른 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물은 실리콘 폴리머, 실리콘 레진, 실리콘 가교제 및 경화 촉매를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 조성물은 열경화를 통한 실리콘 경화 반응에서 래디컬 반응형과 부가 반응형 등으로 달성할 수 있으며, 바람직하게는 백금과 같은 귀금속 촉매로 반응시켜 경화시키는 부가 반응형 점착제로 구성할 수 있다.
실리콘 폴리머는 폴리오르가노실록산으로서,
Figure 112014013441574-pat00005
단위체(M단위)와
Figure 112014013441574-pat00006
단위체(D단위)의 연속된 결합을 가지는 선형 폴리머이다. 여기서 R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 히드록실기, 메틸기, 비닐기, 페닐기 또는 알킬기인 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명에서 실리콘 폴리머는 점도가 다른 두 종류 이상의 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머의 혼합물인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 25℃ 에 있어서 점도가 10,000 ~ 70,000mPa·s 인 직쇄형 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(a)와 점도가 200 ~ 500mPa·s 인 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(b)를 혼합하는 것을 특징으로 한다.
점도가 높은 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(a)는 실리콘 가교제에 의하여 가교구조가 형성되어 실리콘 점착층의 메인 체인을 구성하는 역할을 하며, 더욱 바람직하게는 20,000mPa·s ~ 60,000mPa·s 의 점도를 가지는 것을 특징으로 한다. 점도가 70,000mPa·s 초과일 경우 폴리머의 가교밀도가 낮아져 점착층의 경도가 낮아지기 때문에 10Mpa 이상의 고압 공정을 거치게 될 경우 점착층의 변형으로 인하여 박리 이후 잔사가 남을 수 있어 바람직 하지 못하다.
점도가 낮은 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(b)는 실리콘 가교제에 의하여 가교 구조를 형성하며, 실리콘 폴리머(a)에 비하여 분자구조가 짧고 관능기가 많아 실리콘 폴리머(a)의 가교 구조 형성 시 함께 반응하여 점착층의 가교밀도를 더욱 조밀하게 구성할 수 있게 되어 점착층의 경도를 향상시킨다. 실리콘 폴리머(b)의 점도는 더욱 바람직하게는 300 ~ 400mPa·s 인 것을 특징으로 한다.
또한 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(a)와 (b)의 혼합비율 (a) : (b) = 99.5:0.5 ~ 98:2 인 것이 바람직하다. 실리콘 폴리머(a)와 (b)의 혼합비율이 99.5:0.5 보다 실리콘 폴리머(b)의 함량이 적게 첨가될 경우 점착층의 가교 밀도 향상에 실리콘 폴리머(b)의 영향이 적게 되어 실리콘 폴리머의 가교밀도 증가에 영향을 주지 못해 바람직하지 않으며, 98:2 보다 실리콘 폴리머(b)가 과량 첨가될 경우 가교밀도가 너무 높아져 충분한 점착력과 표면 젖음성을 얻지 못하게 되며, 실리콘 폴리머와 가교반응을 이루고 남은 가교첨가제가 독립적으로 가교반응을 이루어 형성된 분자량이 작은 실리콘 화합물이 고압의 절연층 라미네이션 공정 이후 잔사로 남게 되어 바람직하지 못하다.
실리콘 레진은 실리콘 점착제 조성물에 점착력 특성을 부여하며
Figure 112014013441574-pat00007
단위체(M단위)와
Figure 112014013441574-pat00008
단위체(Q단위)의 결합을 가지는 망상형이되, 상기 R1은 메틸기 또는 비닐기인 MQ 레진인 것을 특징으로 한다. 또한 실리콘 레진은 실리콘 레진 공급사에 따라
Figure 112014013441574-pat00009
단위체(M단위)와
Figure 112014013441574-pat00010
단위체(D단위)의 연속된 결합을 가지는 선형 폴리머와 함께 배합된 혼합물일 수 있다.
또한 실리콘 폴리머(혼합물)과 실리콘 레진의 배합비는 실리콘 폴리머(혼합물) : 실리콘 레진 = 95:5 ~ 70:30 것이 바람직하다. 실리콘 폴리머 혼합물 : 실리콘 레진의 배합비가 95:5 에서보다 실리콘 레진의 함유량이 적을 경우 점착력이 낮아 표면 조도가 높게 회로가 형성된 임베디드 인쇄회로 기판에 가접이 어려워 작업성 문제가 있으며, 70:30 에서 보다 실리콘 레진의 함유량이 많을 경우 점착력이 높아 고온 고압의 절연층 라미네이션 공정 이후에 박리 작업에 문제가 있으며, 잔사가 남게 되어 바람직하지 못하다.
실리콘 가교제는 SiH 기를 포함한 폴리오르가노실록산이며, 가교 촉매에의하여 실리콘 폴리머의 반응기와 반응하여 실리콘 폴리머가 가교구조를 형성하게 하는 역할을 한다. 실리콘 가교제는 실리콘 폴리머 혼합물과 실리콘 레진의 혼합물인 실리콘 주재 100 중량 대비 5 ~ 15 중량부를 포함하는 것이 바람직하다. 또한 더욱 바람직하게는 5 ~ 12 중량부를 포함하는 것이 바람직하다. 실리콘 가교제의 함량이 5 중량부 미만일 경우 실리콘 폴리머의 가교가 충분히 이루어 지지 않게 되어 박리 이후 잔사가 남게 되어 바람직하지 못하다. 또한 15 중량부를 초과할 경우 실리콘 점착층의 가교밀도가 높아져 충분한 점착력과 표면 젖음성을 얻지 못하게 되어 바람직하지 못하다.
경화 촉매는 백금, 로듐 등의 귀금속 촉매를 사용하여 부가 반응형 경화를 발생시키며, 백금촉매가 가장 바람직하다. 로듐 촉매의 경우 경화 속도가 보다 느리고, 고온에서 경화하기 때문에 온도에 민감한 기질에는 부적합하다. 백금촉매는 실리콘 주재 100 중량 대비 0.01 ~ 5 중량부를 포함하는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 ~ 2 중량부를 포함하는 것이 바람직하다. 0.01 중량부 미만이 첨가될 경우 경화 속도가 매우 느려 바람직하지 못하며, 5 중량부를 초과할 경우 오히려 경화가 진행되지 않아 바람직하지 못하기 때문이다.
다음으로, 본 발명에 따른 임베디드 패키지공정용 테이프의 단면도인 도 1로부터, 본 발명에 따른 임베디드 패키지공정용 테이프는 상술한 임베디드 패키지공정용 테이프 조성물을 기재필름(1)의 적어도 일면에 도포하여 형성된 점착층(2)을 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한 비실리콘계 이형필름(3)이 점착층(2)에 형성될 수 있다.
기재필름(1)의 재질로는 점착층의 코팅 및 건조 공정에서 견딜 수 있고, 또한 임베디드 패키지 공정에서 변형이 없는 내열성 소재이면 어느 것이나 사용될 수 있다. 구체적으로, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리우레탄(PU), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리염화비닐(PVC), 폴리스티렌(PS), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 에틸렌-비닐알콜 공중합체(EVA), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI) 등을 예로 들 수 있다.
점착층(2)은 기재 필름(1)에 상술한 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물을 일정 두께로 도포하여 열경화시킴으로써 형성할 수 있으며, 도포되어 경화되었을 때 최종 점착층의 두께는 3㎛ ~ 10㎛인 것이 바람직하다. 최종 점착제층의 두께가 3㎛ 미만일 경우 칩이 부착되었을 때 칩이 제대로 고정되지 않아 쉬프트가 발생할 수 있으며, 점착력이 낮아 높은 표면조도로 회로가 형성되어 있는 임베디드 인쇄회로 기판에 가접이 되지 않아 바람직하지 못하다. 점착제 층의 두께가 10㎛를 초과할 경우 고온 및 고압의 절연층 라미네이션 공정 이후 임베디드 인쇄회로 기판에 형성된 조도에 점착층이 박히게 되어 잔사가 남기 때문에 바람직하지 못하다.
또한 임베디드 패키지 공정용 테이프 점착층의 인덴테이션 모듈러스는 1X103N/mm2 이상이고, 1㎛m 깊이에서의 점착층의 경도가 0.5gf 이상인 것이 바람직하다. 인덴테이션 기법은 압자를 수mN 크기의 하중으로 박막에 압입하여 박막을 나노메터 스케일로 변형시켜 박막의 경도와 탄성계수 등 기계적 특성을 평가하는 방법으로 시료의 압입하중, 깊이, 시간 등을 통해 탄성계수와 경도를 측정한다. 임베디드 패키지 공정의 이미 회로가 형성되어 있는 임베디드 회로 기판 위에 임베디드 패키징 공정용 테이프가 부착된 후 100~150℃의 고온, 10~14Mpa 고압조건의 절연층 라미네이션 공정 후 박리되기 때문에 점착층의 경도가 낮게 되면, 고압 공정에서 회로 배선의 조도 사이에 점착층이 박혀 이후 박리 공정에서 잔사로 남게 된다. 따라서 점착층의 인덴테이션 모듈러스가 1X103N/mm2 미만이고, 경도가 0.5gf 미만일 경우 잔사가 남을 수 있으므로 바람직하지 못하다.
또한 임베디드 패키지 공정용 테이프의 점착층의 점착력은 SUS 기재에 1gf/inch~30gf/inch인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 2gf/inch~15gf/inch 인 것을 특징으로 한다. 점착력이 1 gf/inch 미만일 경우 이미 회로 배선이 형성되어 조도가 있는 임베디드 회로 기판에 상온 가접되기 어렵기 때문에 바람직하지 못하며, 30gf/inch 초과인 경우 가접 공정에선 용이하나, 고온 고압의 절연층 라미네이션 공정 이후 박리 할 때 점착력이 너무 높게 되어 박리 작업성이 좋지 않으며, 잔사가 남게 되어 바람직하지 못하다.
또한 본 발명에 따른 임베디드 패키지 공정용 테이프는 인쇄회로 기판의 한쪽 면에 부착되어 인쇄회로 기판에 형성된 홀에 의해 노출된 상기 임베디드 패키지 공정용 테이프의 점착층에 칩을 실장한 후 절연층 라미네이션 공정 이후 박리되는 임베디드 패키지 공정에 사용되는 것이 바람직할 수 있다. 그러나 이러한 용도로 한정되는 것은 아니고 그 외의 마스크 시트로도 활용할 수 있음은 물론이다.
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명의 구성 및 그에 따른 효과를 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 99.5:0.5 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 90:10으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[실시예 2]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 99:1 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 90:10으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[실시예 3]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 99:1 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 70:30으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[실시예 4]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 98.5:1.5 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 70:30으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[비교예 1]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 90:10으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[비교예 2]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 95:5 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 90:10으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[비교예 3]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 99:1 혼합비로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[비교예 4]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 98.5:1.5 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 50:50으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[비교예 5]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 99:1 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 70:30으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 3 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[비교예 6]
25℃에서 100,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 99:1 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 90:10으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 6㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
[비교예 7]
25℃에서 55,000mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)와 350mPa·s 점도를 가지는 폴리오르가노실록산 실리콘 폴리머(한국다우코닝실리콘사 제품)를 각각 99:1 혼합비로 혼합하였다. 이후 실리콘 폴리머 혼합물과 MQ 실리콘 레진(한국다우코닝실리콘사 제품)의 함량비가 90:10으로 혼합한 실리콘 주재 100중량에 대하여, 실리콘 가교제(한국다우코닝실리콘사 제품) 10 중량부, 톨루엔 100 중량부, 메틸에틸켑톤(MEK) 100중량부를 투입하고 1시간 교반하였다. 이후 백금 경화촉매(한국다우코닝실리콘사 제품)을 교반된 실리콘 주재 100중량 대비 1 중량부를 투입하여 1시간 교반하여 점착제 조성물을 수득하였다.
상기 점착제 조성물을 25㎛의 PI 필름(SKC 코오롱사, LN100)에 균일하게 도포하여, 170℃에서 3분간 건조한 후의 점착층의 두께가 15㎛인 점착테이프를 형성하여, 75㎛의 비실리콘계 이형필름(율촌화학, P75 10YU-R)을 합지하였다.
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 7에 따른 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물을 사용하여 다음과 같은 실험예를 통해 물성을 측정하고 그 결과를 다음 표 1 및 2에 나타내었다.
[실험예]
1. 인쇄회로 기판에 대한 가접성
CZ 처리로 조도가 높은 구리 회선이 형성되어 있는 임베디드 인쇄회로 기판에 수득한 점착테이프를 2kg roller를 이용하여 1회 왕복한 후 가접 유무를 확인하였다.
하기 표 1, 2에서 인쇄회로 기판 가접성은 "X"의 경우 인쇄회로 기판에 가접되지 않음을 나타내고, "O"의 경우 인쇄회로 기판에 가접이 잘 되어 있음을 나타낸다.
2. SUS 상온 점착력
SUS plate에 수득한 점착테이프를 2kg roller를 이용하여 1회 왕복한 후 Peel tester 기기를 이용하여 90°로 박리하였을 때의 점착력을 측정하였다.
3. 칩 가접성 및 칩 쉬프트
수득한 점착테이프의 점착제 표면에 MLCC 칩을 점착시킨 후 점착테이프를 3회 회전시킨 이후 점착테이프에서 MLCC가 탈락되는지의 유무 및 MLCC 칩의 위치를 확인하였다.
하기 표 1, 2에서 칩 가접성 및 쉬프트는 "X"의 경우 소자가 탈락됨을 나타내고, "O"은 소자가 탈락되지 않고 쉬프트 되지 않음을 나타낸다.
4. 잔사 여부
Blast 처리된 Cu foil에 수득한 점착테이프를 2kg roller를 이용하여 1회 왕복하여 가접한 후 130℃, 14Mpa에서 30분 동안 hot-press에서 라미네이션한 후 Peel tester 기기를 이용하여 180°로 박리한 후 표면을 광학현미경으로 확인하여 잔사 유무를 확인하였다.
하기 표 1, 2에서 박리 후 잔사 여부는 "X"의 경우 잔사 없음을, "O"의 경우 잔사 있음을 각각 나타낸다.
5. 인덴테이션 모듈러스 & 1㎛ depth에서의 경도
점착층을 다이나믹 울트라 마이크로 경도 시험기(DUH-211S)를 사용하여 preset depth load-unload 모드로 loading speed 0.0149gf/sec, preset depth 2um, hold time 10sec 조건으로 측정하여 인덴테이션 모듈러스를 측정하였다. 또한 1㎛에서의 경도값을 추출하여 점착층 표면의 경도를 확인하였다.
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4
인쇄회로 기판 가접성 O O O O
SUS 상온 점착력[gf/inch] 3 2.5 12 11
칩 가접성 및 쉬프트 O O O O
인덴테이션 모듈러스[N/mm2] 1.3X103 1.5X103 1.2X103 1.2X103
1um depth 에서의 점착층 경도 0.83 1 0.7 0.65
Tape 박리 작업성 양호 양호 양호 양호
박리 후 잔사 여부 X X X X
상기 표 1에서 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물의 경우 실리콘 폴리머(a), (b) 및 실리콘 레진의 적절한 배합비를 가지며 가교첨가제의 적절한 함량 조절을 통하여 임베디드 패키지용 인쇄회로 기판에의 가접과 칩 가접성 및 쉬프트 특성 및 이후 절연층 라미네이션 후 박리 후 잔사가 남지 않는 임베디드 패키지 공정용 테이프의 요구 물성을 모두 충족하였다. 특히 실리콘 폴리머(a)와 (b)의 적절한 배합비를 통하여 점착층의 모듈러스를 높게 설계할 수 있었으며, 이로 인하여 고온 고압의 절연층 라미네이션 공정 이후 잔사가 남지 않는 것을 확인할 수 있었다.
비교예1 비교예2 비교예3 비교예4 비교예5 비교예6 비교예7
인쇄회로 기판
가접성		 O X X O O O O
SUS 상온 점착력
[gf/inch]		 3.5 0.8 0.5 40 15 8 6
칩 가접성 및 쉬프트 O - - O O O O
인덴테이션 모듈러스
[N/mm2]		 6X102 - - 2X102 1.4X102 6.9X102 1.3X102
1um depth 에서의
점착층 경도		 0.1 - - 0.08 0.2 0.2 0.1
Tape 박리 작업성 양호 - - 불량 양호 양호 양호
박리 후 잔사 여부 O - - O O O O
상기 표 2에서 확인할 수 있는 바와 같이, 실리콘 폴리머(b)가 함유되지 않은 비교예 1의 경우 점착력 수준은 양호하였으나, 실리콘 점착층의 가교 밀도가 낮아 점착층의 moldulus 및 경도가 낮고, 그 결과 고온 고압 공정 이후 잔사가 발생하였으며, 실리콘 폴리머(b)의 함량이 과량 함유된 비교예 2의 경우 가교 밀도의 지나친 증가로 인하여 점착력이 낮아져 조도가 높은 인쇄회로 기판에 가접이 되지 않는 문제가 발생하였다. 두 비교예를 통하여 실리콘 폴리머(b)의 함에 따라 실리콘 점착층의 가교밀도에 영향을 미침을 확인할 수 있다.
또한 실리콘 폴리머 만으로 점착층의 구성한 비교예 3의 경우 점착력이 너무 낮아 가접성에 문제가 발생하였고, 실리콘 레진이 과량 함유된 비교예 4의 경우 점착력이 너무 높게 되어 이후 테이프 박리 공정에서 문제가 발생하였다. 또한 실리콘 레진이 많이 함유될수록 점착층의 모듈러스 및 경도가 낮아지게 되어 고온 고압 공정 이후 잔사가 남음을 확인하였다.
또한 비교예 5에서는 실리콘 가교제 함량이 적게 첨가될 경우 실리콘의 가교가 완벽하게 일어나지 못하게 되어 점착층의 모듈러스 및 경도가 낮아 고온 고압 공정 이후 잔사가 남으며, 비교예 6에서와 같이 실리콘 폴리머의 점도가 더 높은 폴리머를 적용할 경우 같은 실리콘 폴리머 혼합물과 레진의 함유량이 같더라도 점착력이 증가하는 것을 확인할 수 있었으며, 점착층의 모듈러스와 경도는 낮아져 잔사가 남는 것을 확인하였다.
또한 비교예 7에서는 점착층의 조성물의 조성이 같다 하더라도 점착층의 두께가 두꺼워지면 고온 고압 공정 이후 잔사가 남게 됨을 확인하였으며, 점착층의 모듈러스와 경도 역시 낮아짐을 확인하였다. 이는 점착층의 두께가 두꺼우면, 고압의 공정에서 점착층이 이미 형성되어 있는 인쇄회로의 회선간극에 깊이 박히게 되어 이후 박리될 때, 완전히 빠져 나오지 못해 잔사가 남게 됨을 확인할 수 있다.
본 명세서에서는 본 발명자들이 수행한 다양한 실시예 가운데 몇 개의 예만을 들어 설명하는 것이나 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고, 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.
1: 기재필름
2: 점착층
3: 비실리콘계 이형필름
10: 인쇄회로 기판
20: 테이프
30: 절연층

Claims (18)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 기재필름과,
    상기 기재필름의 적어도 일면에 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물을 도포하여 형성된 점착층을 포함하 되,
    상기 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물은 실리콘 폴리머, 실리콘 레진, 실리콘 가교제 및 경화 촉매를 포함하고,
    상기 실리콘 폴리머는 점도가 10,000~70,000mPa·s인 직쇄형 폴리오르가노실록산(a)과 점도가 200~500mPa·s인 폴리오르가노실록산(b)의 혼합물로서, 상기 폴리오르가노실록산(a)과 상기 폴리오르가노실록산(b)의 중량비는 (a) : (b) = 99.5:0.5 ~ 98:2이며,
    상기 실리콘 폴리머와 상기 실리콘 레진의 중량비는 95:5 ~ 70:30 이고,
    상기 실리콘 가교제는 상기 실리콘 폴리머와 상기 실리콘 레진의 혼합물인 실리콘 주재 100 중량부 대비 5 ~ 15 중량부이며,
    상기 점착층의 두께는 3 ~ 10㎛인 것을 특징으로 하는, 임베디드 패키지 공정용 테이프.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 점착층의 점착력은 1gf/inch ~ 30gf/inch인 것을 특징으로 하는, 임베디드 패키지 공정용 테이프.
  12. 삭제
  13. 제10항에 있어서,
    상기 점착층의 인덴테이션 모듈러스는 1 X 103 N/mm2 이상이고, 1㎛ 깊이에서의 상기 점착층의 경도는 0.5gf 이상인 것을 특징으로 하는, 임베디드 패키지 공정용 테이프.
  14. 제10항에서 있어서,
    상기 임베디드 패키지 공정용 테이프는 인쇄회로 기판의 한쪽 면에 부착되어 인쇄회로 기판에 형성된 홀에 의해 노출된 상기 임베디드 패키지 공정용 테이프의 점착층에 칩을 실장한 후 절연층 라미네이션 공정 이후 박리되는 것을 특징으로 하는, 임베디드 패키지 공정용 테이프.
  15. 제10항에서 있어서,
    상기 실리콘 폴리머는 폴리오르가노 실록산으로서,
    Figure 112015092478167-pat00017
    단위체(M단위)와
    Figure 112015092478167-pat00018
    단위체(D단위)의 연속된 결합을 가지는 선형 폴리머이되, R1, R2 및 R3는 각각 독립적으로 히드록실기, 메틸기, 비닐기, 페닐기 또는 알킬기인 것을 특징으로 하는, 임베디드 패키지 공정용 테이프.
  16. 제10항에서 있어서,
    상기 실리콘 레진은
    Figure 112015092478167-pat00019
    단위체(M단위)와
    Figure 112015092478167-pat00020
    단위체(Q단위)의 결합을 가지는 망상형이되, 상기 R1은 메틸기 또는 비닐기인 MQ 레진인 것을 특징으로 하는, 임베디드 패키지 공정용 테이프.
  17. 제10항에서 있어서,
    상기 실리콘 가교제는 SiH 기를 포함하는 폴리오르가노실록산인 것을 특징으로 하는, 임베디드 패키지 공정용 테이프.
  18. 제10항에서 있어서,
    상기 경화 촉매는 백금촉매로서, 상기 실리콘 주재 100 중량부 대비 0.01 ~ 5 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 임베디드 패키지 공정용 테이프.
KR1020140015671A 2014-02-11 2014-02-11 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프 KR101595049B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140015671A KR101595049B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140015671A KR101595049B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150094417A KR20150094417A (ko) 2015-08-19
KR101595049B1 true KR101595049B1 (ko) 2016-02-17

Family

ID=54057911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140015671A KR101595049B1 (ko) 2014-02-11 2014-02-11 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101595049B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10115613B2 (en) 2016-06-13 2018-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a fan-out panel level package and a carrier tape film therefor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013220543A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Oji Holdings Corp 両面剥離シート

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697980B1 (ko) * 2005-09-12 2007-03-23 삼성전기주식회사 전자부품을 내장하는 인쇄회로기판의 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013220543A (ja) * 2012-04-13 2013-10-28 Oji Holdings Corp 両面剥離シート

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10115613B2 (en) 2016-06-13 2018-10-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a fan-out panel level package and a carrier tape film therefor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150094417A (ko) 2015-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101822197B1 (ko) 무용제형 부가형 실리콘 점착제 조성물 및 점착성 물품
TWI386473B (zh) 熱熔型矽酮系黏著劑
JP4784720B2 (ja) 粘着テープ
KR102466593B1 (ko) 적층체 및 전자 부품 제조 방법
KR20080089268A (ko) 무용제형 실리콘 감압 접착제 조성물
JP5441954B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
KR20200051665A (ko) 라디칼 반응성을 가지는 실리콘 엘라스토머 경화물 및 그 용도
EP2876673A1 (en) Production method for sealing layer-coated semiconductor element and semiconductor device
JP2004043814A (ja) シリコーン系接着性シート、半導体チップと該チップ取付部の接着方法、および半導体装置
KR20170013386A (ko) 필름상 접착제, 필름상 접착제를 사용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법
KR102581574B1 (ko) 실리콘계 접착시트, 이를 포함하는 적층체, 반도체 장치의 제조방법
CN111378188A (zh) 硅酮系粘合性保护膜及包括其的光学构件
JP2012021140A (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
KR101557841B1 (ko) 이방 전도성 필름
KR20190111911A (ko) 반도체 장치 제조용 접착 시트 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법
KR101844051B1 (ko) 보호필름
KR101675054B1 (ko) 소자삽입형 인쇄회로기판용 점착 테이프 및 이의 제조방법
WO2020026844A1 (ja) シリコーン粘着剤組成物及びこれを用いた粘着テープ又は粘着フィルム
KR101595049B1 (ko) 임베디드 패키지 공정용 테이프 조성물과 이를 포함하는 임베디드 패키지 공정용 테이프
KR101872562B1 (ko) 회로 접속 재료 및 그것을 사용한 접속 방법 및 접속 구조체
JP5485222B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
JP5206840B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法
KR20150057164A (ko) 임베디드 패키지용 캐리어테이프 조성물과 임베디드 패키지용 캐리어테이프
CN115362218B (zh) 树脂组合物及粘合带
JP5223946B2 (ja) 回路接続用接着フィルム、これを用いた回路接続構造体及び回路部材の接続方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190201

Year of fee payment: 4