KR101589932B1 - Method for inspecting dies on wafer - Google Patents

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KR101589932B1
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타-웨이 후
춘-웨이 창
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예우 펭 트레딩 코. 엘티디
홍-밍 테크놀로지 코. 엘티디.
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Abstract

본 발명은 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법에 관한 것으로, 캐리어 링의 중공영역에 UV 다이싱 테이프를 접착하여 캐리어 디스크를 형성하는 단계; 다수 개의 다이가 설치된 웨이퍼를 UV 다이싱 테이프의 제1 표면에 접착하는 단계; 고분자 접착제를 UV 다이싱 테이프의 제2 표면에 도포함으로써 제2 표면 중의 측정 영역을 포괄하는 투과 필름을 형성하는 단계; 웨이퍼가 접착된 캐리어 디스크를 현미경에 맞춰서 배치하는 단계; 현미경을 이용하여 웨이퍼 중의 타겟 다이를 관측하여 캡쳐 이미지를 생성하는 단계; 캡쳐 이미지와 소정의 대조 이미지를 비교 대조하는 단계; 캡쳐 이미지와 소정의 대조 이미지가 부합하지 않으면 타겟 다이를 하자가 있는 다이로 판정하는 단계를 포함한다. 상술한 투과 필름을 설치함으로써 현미경이 웨이퍼 중의 다이 내의 집적회로 레이아웃을 뚜렷하게 관측할 수 있도록 한다.The present invention relates to a method of detecting a die on a wafer, comprising the steps of: attaching a UV dicing tape to a hollow region of a carrier ring to form a carrier disk; Bonding a wafer having a plurality of dies to a first surface of a UV dicing tape; Forming a transmissive film covering the measurement area in the second surface by applying a polymeric adhesive to the second surface of the UV dicing tape; Disposing a carrier disk on which a wafer is adhered with a microscope; Observing a target die in a wafer using a microscope to generate a captured image; Comparing the captured image with a predetermined contrast image; And determining that the target die is defective if the captured image does not match the predetermined contrast image. By providing the above-described transmissive film, the microscope allows the integrated circuit layout in the die to be clearly observed in the wafer.

Figure R1020140097210
Figure R1020140097210

Description

웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법{METHOD FOR INSPECTING DIES ON WAFER}[0001] METHOD FOR INSPECTING DIES ON WAFER [0002]

본 발명은 다이를 검측하는 방법에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 상의 다이(dies)를 검측하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of detecting a die, and more particularly to a method of detecting dies on a wafer.

종래의 집적회로 공정에서는 웨이퍼를 절단하기 전에 먼저 웨이퍼를 캐리어 링 중에 접착된 UV 다이싱 테이프(UV dicing tape)에 안치함으로써 웨이퍼 절단 시 다이가 비산하는 상황을 방지한다.In a conventional integrated circuit process, the wafer is placed on a UV dicing tape that is bonded during the carrier ring before cutting the wafer, thereby preventing the die from being scattered during wafer cutting.

그러나 통상적으로 사용되는 UV 다이싱 테이프의 표면에는 미세하고 평탄하지 않은 세세한 부분이 존재하고 또한 UV 다이싱 테이프의 광 굴절률이 대략 1.5로서 공기의 광 굴절률과의 사이에 차이가 너무 크다. 따라서, 광선이 UV 다이싱 테이프 표면의 평탄하지 않은 세세한 부분을 통과할 때 산란 현상이 발생하여 UV 다이싱 테이프를 사이에 두고 현미경을 이용하여 다이 내의 집적회로 레이아웃 이미지를 뚜렷하게 관측할 수 없게 된다. 이렇게 되면, 웨이퍼의 절단을 완료하기 전에는 웨이퍼 상의 다이 내의 집적회로 레이아웃(IC layout)에 하자가 존재하는 지에 대해 검측할 수 없게 되고, 또한 다이가 절단 과정에서 붕괴되어 손상되는 하자에 대해서도 검측할 수 없게 된다. 따라서, 하자가 있는 다이도 후속 와이어 본딩 및/또는 패키징 공정 처리를 진행하고 더욱 뒤에 있는 회로기능 테스트 단계에 접어들어서야 검측될 수 있다. 상술한 내용에서 명백하게 알 수 있듯이, 종래의 다이 검측 단계에서는 필요 없는 와이어 본딩 재료, 패키징 재료, 와이어 본딩 시간, 패키징 시간, 및/또는 테스트 시간이 하자가 있는 다이에 너무 많이 소모되고 있다. 웨이퍼의 절단이 완료되기 전에 웨이퍼 상의 다이에 대해 하자 검측을 먼저 실시하지 않으면 집적회로의 공정 효율의 제고 및 공정 비용의 절약을 효과적으로 구현할 수 없게 된다.However, the surface of a commonly used UV dicing tape has fine, unevenness in detail, and the refractive index of the UV dicing tape is about 1.5, so that the difference between the refractive index of the air and the refractive index of the air is too great. Thus, scattering occurs when the light beam passes through uneven, uneven portions of the UV dicing tape surface, making it impossible to use the microscope to observe the integrated circuit layout image in the die clearly across the UV dicing tape. This makes it impossible to detect whether defects exist in the integrated circuit layout (IC layout) on the wafer before the wafer is cut, and also to determine whether the die collapses and is damaged during the cutting process I will not. Thus, the defective die may be tested after proceeding with subsequent wire bonding and / or packaging process processing and entering the later circuit function testing stage. As is apparent from the above description, in the conventional die checking step, too much wire bonding material, packaging material, wire bonding time, packaging time, and / or test time, which are not needed, Unless the defect inspection is first performed on the die on the wafer before the completion of the cutting of the wafer, it is impossible to effectively improve the process efficiency and the process cost of the integrated circuit.

이로 인해, 웨이퍼의 절단이 완료되기 전에 웨이퍼 상의 다이 내의 집적회로 레이아웃에 대해 검측을 하고, 또한/또는 다이가 절단 과정에서 붕괴되어 손상되는 하자에 대해 검측함으로써 집적회로의 공정 효율의 제고 및 공정 비용의 절약을 효과적으로 구현하는 것이 당 업계에 시급히 해결해야 하는 과제가 되고 있다.This makes it possible to increase the process efficiency of the integrated circuit and increase the process cost of the integrated circuit by detecting the integrated circuit layout in the die on the wafer before the wafer is completely cut and / It is an urgent problem to be solved in the art.

본 명세서는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법에 따른 실시예를 제공하며, 상기 방법은, 캐리어 링의 중공영역에 UV 다이싱 테이프를 접착하여 캐리어 디스크를 형성하는 단계; 다수 개의 다이가 설치된 하나의 웨이퍼를 상기 UV 다이싱 테이프의 제1 표면에 접착하는 단계; 고분자 접착제를 상기 UV 다이싱 테이프의 제2 표면에 도포하여, 상기 제2 표면 중에서의 상기 웨이퍼의 경계선 및 상기 경계선 내의 전체 영역과 서로 대응되는 측정 영역을 포괄하는 투과 필름을 형성하는 단계; 상기 웨이퍼가 접착된 상기 캐리어 디스크를 현미경에 맞춰서 배치하는 단계; 상기 현미경을 이용해서 상기 웨이퍼 중의 한 타겟 다이를 관측하여 하나의 캡쳐 이미지를 생성하는 단계; 상기 캡쳐 이미지와 소정의 대조 이미지를 비교 대조하는 단계; 및 만약 상기 캡쳐 이미지와 상기 소정의 대조 이미지가 부합하지 않으면 상기 타겟 다이를 하자가 있는 다이로 판정하는 단계를 포함한다.The present disclosure provides an embodiment according to a method of detecting a die on a wafer, the method comprising: bonding a UV dicing tape to a hollow region of a carrier ring to form a carrier disk; Bonding one wafer having a plurality of dies to a first surface of the UV dicing tape; Applying a polymeric adhesive to a second surface of the UV dicing tape to form a transmissive film covering a boundary of the wafer in the second surface and a measurement area corresponding to the entire area within the boundary; Disposing the carrier disk on which the wafer is adhered in accordance with a microscope; Observing one target die in the wafer using the microscope to generate one captured image; Comparing the captured image with a predetermined contrast image; And determining the target die as a defective die if the captured image and the predetermined contrast image do not match.

상술일 실시예의 장점 중의 하나는 다음과 같다: 상기 투과 필름을 설치함으로써 웨이퍼의 절단이 완료되기 전에 현미경을 이용하여 웨이퍼 상의 다이에 하자 존재 여부를 뚜렷하게 관측할 수 있게 되어 와이어 본딩 재료, 패키징 재료, 와이어 본딩 시간, 패키징 시간 및/또는 테스트 시간을 하자가 있는 다이에 낭비할 필요가 없게 된다.One of the advantages of the above-described embodiment is as follows: By providing the transparent film, it is possible to clearly observe defects in the die on the wafer by using a microscope before the cutting of the wafer is completed, so that the wire bonding material, The wire bonding time, the packaging time, and / or the test time need not be wasted on the defective die.

상술일 실시예의 다른 장점 중의 하나는 다음과 같다: 집적회로의 공정 효율을 효과적으로 제고하고 공정 비용의 절약을 대폭 절약한다.One of the other advantages of the embodiment described above is as follows: effectively improving the process efficiency of the integrated circuit and greatly saving the cost of the process.

여기서 언급되지 않은 본 발명의 기타 장점은 아래의 설명 및 첨부도면에 대한 상세한 설명으로부터 얻을 수 있다.Other advantages of the invention which are not mentioned here can be obtained from the following description and the detailed description of the attached drawings.

여기에서 설명하는 첨부도면은 본 출원을 더욱 자세히 이해하기 위한 것이며 본 출원의 일부분을 이룬다. 본 출원의 설명을 위한 실시예 및 그 설명은 본 출원을 해석하기 위한 것이며 본 출원에 대해 부당한 한정을 하지 않는다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법의 일 실시예를 간략화 한 후의 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐리어 링을 간략화 한 후의 도면이다평면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 캐리어 디스크를 간략화 한 후의 도면이다평면도이다.
도 4는 도 3의 캐리어 디스크에다 웨이퍼를 접착한 일 실시예를 간략화 한 후의 도면이다평면도이다.
도 5는 도 4의 캐리어 디스크를 간략화 한 후의 도면이다저면도이다.
도 6은 도 5의 캐리어 디스크에 제거 가능한 박판을 접착한 일 실시예를 간략화 한 후의 도면이다.
도 7은 도 6의 캐리어 디스크에 투과 필름을 형성한 일 실시예를 간략화 한 후의 도면이다.
도 8은 도 7의 캐리어 디스크, 웨이퍼 및 투과 필름의 조합이 A-A'방향을 따라 간략화 한 후의 단면 도면이다.
도 9는 캐리어 디스크에 투과 필름이 설치된 상황에서 현미경을 이용하여 관측한 다이와 절단선의 이미지 사진이다.
도 10은 도 7의 캐리어 디스크에 투과 필름을 설치하지 않았을 때 A-A'방향을 따라 간략화 한 후의 단면 도면이다.
도 11은 도 7 중의 투과 필름을 설치하지 않은 상황에서 현미경을 이용하여 관측한 다이와 절단선의 이미지 사진이다.
도 12는 도 7 중의 투과 필름이 워터 멤브레인에 의해 대체된 상황에서 현미경을 이용하여 관측한 다이와 절단선의 이미지 사진이다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are presented herein, are intended to provide a further understanding of the present application and are a part of this application. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments and the description thereof for the purpose of explaining the present application are intended to interpret the present application and do not unduly limit the present application.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a flow chart after simplifying an embodiment of a method for detecting a die on a wafer according to the present invention; FIG.
FIG. 2 is a plan view of a carrier ring after simplification in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.
3 is a plan view of a carrier disk according to an embodiment of the present invention after simplification.
FIG. 4 is a plan view after simplifying an embodiment in which a wafer is bonded to the carrier disk of FIG. 3. FIG.
Fig. 5 is a bottom view of the carrier disk of Fig. 4 after simplification; Fig.
FIG. 6 is a simplified view of an embodiment in which a removable thin plate is bonded to the carrier disk of FIG. 5; FIG.
FIG. 7 is a view after simplifying an embodiment in which a transparent film is formed on the carrier disk of FIG. 6;
8 is a cross-sectional view after the combination of the carrier disk, the wafer, and the transparent film of Fig. 7 is simplified along the A-A 'direction.
9 is an image photograph of a die and a cut line observed using a microscope in a state where a transparent film is provided on a carrier disk.
FIG. 10 is a cross-sectional view of the carrier disk of FIG. 7 after simplification along the direction A-A 'when no transparent film is provided.
11 is an image photograph of a die and a cut line observed using a microscope in a state in which a transparent film in Fig. 7 is not provided.
12 is an image photograph of a die and a cut line observed using a microscope in a situation where the permeable film in Fig. 7 is replaced by a water membrane.

이하, 첨부된 도면을 결합하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 첨부 도면에서 동일한 도면부호는 동일하거나 유사한 부품이나 방법 단계를 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in conjunction with the accompanying drawings. In the accompanying drawings, the same reference numerals denote the same or similar parts or method steps.

도 1을 참조하면, 도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법의 일 실시예를 간략화 한 후의 흐름도를 나타낸다. 이하, 이해의 편의를 위해 도 2 내지 도 8을 결합하여 도 1의 흐름도에 의해 기재된 방법을 설명하도록 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1, FIG. 1 shows a flow chart after simplifying an embodiment of a method of detecting a die on a wafer according to the present invention. Hereinafter, for convenience of understanding, the method described by the flowchart of Fig. 1 will be described by combining Fig. 2 to Fig.

전체 검측 과정에서 웨이퍼를 적절하게 보호하기 위해서는, 검측 및 절단할 웨이퍼를 통상적으로 캐리어 디스크에 접착하여 이송 동작을 함으로써 웨이퍼가 이동 과정에서 슬라이딩이나 바닥에 떨어지는 것에 의해 손상되는 것을 방지한다.In order to adequately protect the wafer during the entire inspection process, the wafer to be inspected and cut is usually adhered to the carrier disk to perform the transfer operation, thereby preventing the wafer from being damaged by falling on the slide or floor during the movement process.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 캐리어 디스크를 형성하기 위한 캐리어 링(200)을 간략화 한 후의 도면이다평면도이다. 도 2의 실시예에서 캐리어 링(200)은 중공영역(202)을 구비하고 또한 캐리어 링(200)과 중공영역(202)의 외형은 모두 원형을 나타낸다. 실제 작업에서, 캐리어 링(200)과 중공영역(202)의 형상은 반도체 공정 장비의 수요에 따라 조정될 수 있으며 상술한 원형 프레임에 국한되지 않는다.FIG. 2 is a plan view of a carrier ring 200 for simplicity of forming a carrier disk according to an embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 2, the carrier ring 200 has a hollow region 202, and both the outer shape of the carrier ring 200 and the hollow region 202 are circular. In actual operation, the shape of the carrier ring 200 and the hollow region 202 can be tailored to the needs of semiconductor processing equipment and is not limited to the circular frame described above.

도 1의 검측방법을 실시할 때 단계(102)를 먼저 실시하며, 캐리어 링(200)의 중공영역(202)에 UV 다이싱 테이프(320)를 접착하여 도 3에 나타내는 캐리어 디스크(300)을 형성한다. 도 3의 실시예에서 UV 다이싱 테이프(320)는 캐리어 디스크(300)의 캐리어 면으로 삼도록 점성 제1 표면(322)을 갖춘다. 실제 작업에서, UV 다이싱 테이프(320)의 광 굴절률은 통상적으로 1.5에 가깝다.1, a step 102 is first carried out and a UV dicing tape 320 is adhered to the hollow region 202 of the carrier ring 200 to form the carrier disk 300 shown in Fig. . In the embodiment of FIG. 3, the UV dicing tape 320 is equipped with a viscous first surface 322 to serve as the carrier surface of the carrier disk 300. In practical work, the optical refractive index of the UV dicing tape 320 is typically close to 1.5.

이어서, 단계(104)를 실시하여 다수 개의 다이(432)가 설치된 웨이퍼(430)를 도 4에 나타낸 바와 같이 UV 다이싱 테이프(320)의 제1 표면(322)에 접착한다. 상술한 웨이퍼(430)는 절단이 아직 완료되지 않은 웨이퍼다. 실제 작업에서, 웨이퍼(430)는 절단을 전혀 하지 않은 웨이퍼(즉, 웨이퍼에 절단선이 존재하지 않음)일 수 있고 초기 절단만 진행하였지만 완전히 절단되지 않은 웨이퍼(즉, 웨이퍼에 다수 개의 절단선이 존재하지만 다이 사이에는 여전히 서로 연결되어 있음)일 수도 있다. 예를 들면, 도 4에 나타낸 실시예에서 웨이퍼(430)는 초기 절단만 진행하였지만 완전히 절단되지 않은 웨이퍼다. 따라서, 다수 개의 다이(432) 외에 웨이퍼(430)에는 다수 개의 절단선(434)이 존재한다. UV 다이싱 테이프(320)의 제1 표면(322)은 점성을 지니고 있어서 웨이퍼(430)를 캐리어 디스크(300)에 고정 시킬 수 있다. 웨이퍼(430) 중의 다이(432)를 검측하는 과정에서 웨이퍼(430)는 캐리어 디스크(300)을 따라 소정 위치로 이동한다. 웨이퍼(430) 중의 다이(432)를 검측 완료한 후 상술한 절단선(434)을 따라 웨이퍼(430)를 절단하는 동작을 할 수 있다. 이 때, 제1 표면(322)의 점성으로 인해 웨이퍼(430) 중의 다수 개의 다이(432)가 캐리어 디스크(300)에 고정되기 때문에 웨이퍼(430)를 절단할 때 다이(432)가 비산하는 상황을 방지할 수 있다.Step 104 is then performed to bond the wafer 430 with the plurality of dies 432 to the first surface 322 of the UV dicing tape 320 as shown in FIG. The above-described wafer 430 is a wafer that has not yet been cut. In actual operation, the wafer 430 may be a wafer that has not been cut (i.e., there is no cut line on the wafer) and only the initial cut has been performed but is not completely cut (i.e., But still connected to each other). For example, in the embodiment shown in FIG. 4, the wafer 430 is a wafer that has undergone only initial cutting but is not completely cut. Accordingly, a plurality of cutting lines 434 exist in the wafer 430 in addition to the plurality of dies 432. The first surface 322 of the UV dicing tape 320 is viscous and can secure the wafer 430 to the carrier disk 300. The wafer 430 moves to a predetermined position along the carrier disk 300 in the process of detecting the die 432 in the wafer 430. [ It is possible to perform the operation of cutting the wafer 430 along the cutting line 434 after the completion of the detection of the die 432 in the wafer 430. [ At this time, because of the viscosity of the first surface 322, a plurality of dies 432 in the wafer 430 are fixed to the carrier disk 300, so that when the wafer 430 is cut, Can be prevented.

도 5는 도 4의 캐리어 디스크(300)을 간략화 한 후의 도면이다저면도이다. 도 5에서 도면부호 (524)는 UV 다이싱 테이프(320)의 다른 표면을 가리키며, 이하 제2 표면(524)으로 호칭한다. 제2 표면(524) 중에는 웨이퍼(430)의 경계선 및 상기 경계선 내의 전체 영역에 대응되는 측정 영역(536)이 포함된다. 다시 말해서, 본 실시예에서의 측정 영역(536)은 제2 표면(524)에서의 웨이퍼(430) 투영 영역에 해당한다.FIG. 5 is a bottom view after the carrier disk 300 of FIG. 4 is simplified. In FIG. 5, reference numeral 524 denotes another surface of the UV dicing tape 320 and is hereinafter referred to as a second surface 524. In the second surface 524, a measurement area 536 corresponding to the boundary line of the wafer 430 and the entire area within the boundary line is included. In other words, the measurement area 536 in this embodiment corresponds to the projection area of the wafer 430 at the second surface 524.

단계(106)에서는, 제거 가능한 박판(640)을 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524) 상에 접착함으로써 제거 가능한 박판(640)이 도 6에 나타낸 바와 같이 측정 영역(536) 외에 위치하도록 한다. 일 실시예에서, 제거 가능한 박판(640)은 자체 점성을 지니는 물체(예를 들면, 테이프)를 사용하여 구현할 수 있고, 다른 실시예에서 제거 가능한 박판(640)은 자체 점성을 지니지 않는 물체(예를 들면, 플라스틱 시트, 종이 시트, 금속시트)를 사용하여 구현할 수 있다. 제거 가능한 박판(640)이 자체 점성을 지니지 않는 물체로 구현될 때 단계(106)에서 적절한 접착제를 사용하여 제거 가능한 박판(640)을 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 접착할 수 있다.In step 106, the removable laminate 640 is adhered onto the second surface 524 of the UV dicing tape 320 so that the removable laminate 640 can be placed outside of the measurement area 536, . In one embodiment, the removable lamina 640 may be implemented using an object (e. G., Tape) having self-viscosity, and in another embodiment the removable lamina 640 may be an object For example, a plastic sheet, a paper sheet, or a metal sheet). When the removable laminate 640 is embodied in an article having no self-tackiness, the removable laminate 640 is adhered to the second surface 524 of the UV dicing tape 320 using an appropriate adhesive, can do.

이어서, 단계(108)를 진행한다. 고분자 접착제를 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 도포하여 도 7에 나타낸 바와 같이 제2 표면(524) 중의 측정 영역(536)을 포괄하는 투과 필름(750)을 형성한다. 앞서 설명한 바와 같이, UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에는 미세하고 평탄하지 않은 세세한 부분이 존재한다. 단계(108)에서 사용하는 고분자 접착제는 액체 형식이기 때문에 고분자 접착제를 제2 표면(524)에 도포하면 제2 표면(524) 상의 평탄하지 않은 세세한 부분을 효과적으로 채울 수 있다. 이 외에도, 고분자 접착제는 액체 형식이 휘발하여 고체 형식의 투과 필름(750)을 형성한다. 고분자 접착제가 액체 형식에서 투과 필름(750)으로 고체화되는 과정에서 표면장력의 작용에 의해 투과 필름(750)의 외표면(754)이 비교적 평탄하게 된다.Then, step 108 is performed. The polymeric adhesive is applied to the second surface 524 of the UV dicing tape 320 to form a transmissive film 750 covering the measurement area 536 in the second surface 524 as shown in Fig. As described above, the second surface 524 of the UV dicing tape 320 has fine and uneven portions. Because the polymeric adhesive used in step 108 is a liquid type, application of the polymeric adhesive to the second surface 524 can effectively fill the uneven portions on the second surface 524. In addition, the polymer adhesive is volatilized in liquid form to form a solid-state transmission film 750. The outer surface 754 of the transparent film 750 is relatively flat due to the action of the surface tension in the process of solidifying the polymer adhesive in the liquid form into the transparent film 750.

본 실시예에서, 고분자 접착제의 광 굴절률이 1.3 내지 1.7 사이다. 따라서, 고분자 접착제로 구성된 투과 필름(750)의 광 굴절률도 1.3 내지 1.7 사이(예: 1.45 내지 1.55 사이에 속함)에 속하여 UV 다이싱 테이프(320)의 광 굴절률에 매우 근접하거나 UV 다이싱 테이프(320)의 광 굴절률과 같다. 실제 작업에서, 투과 필름(750)은 측정 영역(536)의 범위만 포괄할 수도 있고 측정 영역(536)을 초월하는 범위를 포괄할 수도 있으며, 투과 필름(750)의 외형은 특정 형상에 국한되지 않는다.In this embodiment, the polymeric adhesive has a refractive index of 1.3 to 1.7. Thus, the refractive index of the transmissive film 750 comprised of the polymeric adhesive also falls within the range of 1.3 to 1.7 (e.g. between 1.45 and 1.55) and is very close to the optical index of refraction of the UV dicing tape 320, 320). In actual practice, the transmissive film 750 may encompass only a range of measurement areas 536 and may encompass a range beyond the measurement areas 536, and the contour of the transmissive film 750 is not limited to any particular shape Do not.

단계(110)에서는, 웨이퍼(430)가 접착된 캐리어 디스크(300)을 도 8에 나타낸 바와 같이 현미경(860)에 맞춰서 배치한다. 도 8의 실시예에서는 캐리어 디스크(300)를 이동 시키는 방식 또는 현미경(860)을 이동 시키는 방식으로 투과 필름(750)과 UV 다이싱 테이프(320)를 웨이퍼(430)와 현미경(860) 사이에 위치 시킬 수 있다.In step 110, the carrier disk 300 to which the wafer 430 is adhered is disposed in accordance with the microscope 860 as shown in Fig. 8, the transmission film 750 and the UV dicing tape 320 are sandwiched between the wafer 430 and the microscope 860 in such a manner that the carrier disk 300 is moved or the microscope 860 is moved .

단계(112)에서는, 현미경(860)을 이용하여 웨이퍼(430) 중의 한 타겟 다이를 관측해서 하나의 캡쳐 이미지를 생성한다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 입사광(Lin)은 투과 필름(750)과 UV 다이싱 테이프(320)를 투과하여 웨이퍼(430) 내부에 조사되고, 반사광은 웨이퍼(430) 내부에서 UV 다이싱 테이프(320)와 투과 필름(750)을 투과하여 출사광(Lout)을 형성하고 또한 현미경(860)에 입사된다. 투과 필름(750)의 외표면(754)이 비교적 평탄하기 때문에 현미경(860)에서 관측된 마이크로 범위로 볼 때 거의 평면 모양을 하고 있다. 따라서, 입사광(Lin)이 공기와 투과 필름(750)의 외표면(754)의 경계 부분을 통과할 때 광 산란 현상이 거의 발생하지 않는다. 이 외에도, UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524) 상의 평탄하지 않은 세세한 부분이 이미 고분자 접착제에 의해 평탄하게 채워졌고 투과 필름(750)과 UV 다이싱 테이프(320)의 광 굴절률이 매우 근접하기 때문에 입사광(Lin)이 투과 필름(750)과 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)의 경계 부분을 통과할 때 광 산란 현상이 거의 발생하지 않는다. 마찬가지로, 반사광이 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)과 투과 필름(750)의 경계 부분을 통과할 때에도 광 산란 현상이 거의 발생하지 않는다. 또한, 반사광이 투과 필름(750)의 외표면(754)과 공기의 경계 부분을 통광하여 출사광(Lout)을 형성할 때에도 광 산란 현상이 거의 발생하지 않는다.In step 112, one of the wafers 430 is observed using a microscope 860 to generate a single captured image. 8, the incident light Lin is transmitted through the transmission film 750 and the UV dicing tape 320 to be irradiated inside the wafer 430, and the reflected light is transmitted through the UV dicing tape 320 and the transmissive film 750 to form outgoing light Lout and is incident on the microscope 860. Because the outer surface 754 of the transmissive film 750 is relatively flat, it has a substantially planar shape when viewed in the micro-range observed by the microscope 860. Therefore, when the incident light Lin passes through the boundary portion between the air and the outer surface 754 of the transparent film 750, the light scattering phenomenon hardly occurs. In addition to this, the unevenness of the unevenness on the second surface 524 of the UV dicing tape 320 has already been filled evenly by the polymeric adhesive and the optical refractive index of the transmissive film 750 and the UV dicing tape 320 The light scattering phenomenon hardly occurs when the incident light Lin passes through the boundary portion between the transmissive film 750 and the second surface 524 of the UV dicing tape 320 because it is very close. Similarly, even when the reflected light passes through the boundary portion between the second surface 524 of the UV dicing tape 320 and the transmissive film 750, the light scattering phenomenon hardly occurs. Further, even when the reflected light passes through the outer surface 754 of the transparent film 750 and the boundary portion of the air to form the outgoing light Lout, the light scattering phenomenon hardly occurs.

따라서, 현미경(860)이 단계(112)에서 투과 필름(750)과 UV 다이싱 테이프(320)를 사이에 두고 웨이퍼(430) 중의 타겟 다이의 이미지, 즉, 타겟 다이 내의 집적회로 레이아웃의 이미지 및/또는 타겟 다이의 경계선(즉, 타겟 다이 옆의 절단선(434)) 근처 영역의 이미지를 뚜렷하게 얻을 수 있다.Thus, the microscope 860 moves the image of the target die in the wafer 430, i. E., The image of the integrated circuit layout in the target die, and the image of the target die < / RTI > and / or the boundary of the target die (i. E., The cut line 434 next to the target die).

예를 들면, 도 9는 캐리어 디스크(300)에 투과 필름(750)이 설치된 상황에서 현미경(860)을 이용하여 관측한 다이(432)와 절단선(434)의 이미지 사진이다. 도 9에 나타낸 바와 같이, UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524) 상에서 상술한 방식으로 투과 필름(750)을 형성하는 방식에 의해, 현미경(860)은 타겟 다이 내의 집적회로 레이아웃의 이미지 및 타겟 다이 옆의 절단선(434) 근처 영역의 이미지를 뚜렷하게 관측할 수 있다.이어서, 단계(114)를 실시한다. 현미경(860)에서 생성한 캡쳐 이미지와 하나의 소정의 대조 이미지와 비교 대조한다. 예를 들면, 현미경(860)에서 생성한 캡쳐 이미지를 이미지 비교 대조 회로(미도시)에 전송하고 상기 이미지 비교 대조 회로를 이용하여 상기 캡쳐 이미지와 상기 소정의 대조 이미지를 비교 대조함으로써 타겟 다이 내의 집적회로 레이아웃에 하자가 존재하는지의 여부 및 절단선(434)의 붕괴로 인해 타겟 다이이 손상되는 하자가 존재하는지의 여부를 분석한다.9 is an image photograph of the die 432 and the cutting line 434 observed using the microscope 860 in a situation where the transparent film 750 is provided on the carrier disk 300. [ 9, the microscope 860 can be used to form an integrated circuit layout within the target die, by way of forming the transmissive film 750 on the second surface 524 of the UV dicing tape 320 in the manner described above. The image and the image of the area near the cut line 434 next to the target die can be observed clearly. Next, step 114 is performed. And compares the captured image generated by the microscope 860 with one predetermined contrast image. For example, the captured image generated by the microscope 860 may be transferred to an image comparison verification circuit (not shown), and the captured image may be compared with the predetermined contrast image using the image comparison verification circuit, It is analyzed whether or not defects exist in the circuit layout and whether there is a defect that the target die is damaged due to the collapse of the cut line 434. [

만약 상기 캡쳐 이미지와 상기 소정의 대조 이미지가 부합하지 않으면 단계(116)를 실시하여 상기 타겟 다이를 하자가 있는 다이로 판정한다.If the captured image does not match the predetermined contrast image, step 116 is performed to determine the target die as defective.

실제 작업에서, 현미경(860)이 상술한 단계(112)에서 생성한 캡쳐 이미지는 웨이퍼(430) 중의 단일 타겟 다이에 서로 대응되는 이미지일 수 있고 웨이퍼(430) 중의 다수 개의 타겟 다이에 서로 대응되는 이미지일 수도 있다.In actual operation, the captured image produced by the microscope 860 in step 112 described above may be an image corresponding to a single target die in the wafer 430 and may be an image corresponding to a plurality of target dies in the wafer 430 It may be an image.

일부 집적회로의 공정이나 제조 장비에서는 투과 필름(750)이 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 계속 남게 되는 것을 바라지 않는다. 이러한 상황에서는 단계(118)를 실시해서 하나의 클램프를 이용하여 제거 가능한 박판(640)을 협지하고 상기 클램프를 이동 시킴으로써 제거 가능한 박판(640) 및 제거 가능한 박판(640)에 접착된 투과 필름(750)을 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)으로부터 제거한다. 실제 작업에서, 단계(118)는 현미경(860)에서 상기 타겟 다이의 캡쳐 이미지를 생성한 후 실시하거나 현미경(860)이 웨이퍼(430)의 모든 다이(432)에 대응되는 캡쳐 이미지를 생성한 후 실시할 수도 있다.In some integrated circuit process or manufacturing equipment, it is not desirable that the transmissive film 750 remain on the second surface 524 of the UV dicing tape 320. In this situation, step 118 is performed to clamp the removable lamina 640 with one clamp and move the clamp to remove the removable lamina 640 and the transmissive film 750 adhered to the removable lamina 640 Is removed from the second surface 524 of the UV dicing tape 320. In an actual operation, step 118 may be performed after creating a captured image of the target die in microscope 860 or after generating a captured image corresponding to all dies 432 of the microscope 860 .

도 10를 참조하면, 도 10은 캐리어 디스크(300)에 투과 필름(750)을 설치하지 않았을 때 도 7의 A-A'방향을 따라 간략화 한 후의 단면 도면이다. 도 10에 나타낸 바와 같이, UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 미세하고 평탄하지 않은 세세한 부분이 존재하고 UV 다이싱 테이프(320)의 광 굴절률과 공기의 광 굴절률 사이에 현저한 차이가 있기 때문에 입사광(Lin)이 공기와 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)의 경계 부분을 통과할 때 현저한 광 산란 현상이 발생할 수 있다. 마찬가지로, 반사광이 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)과 공기의 경계 부분을 통과하여 출사광(Lout')을 형성할 때에도 현저한 광 산란 현상이 발생할 수 있다. 이러한 상황에서, 현미경(860)은 웨이퍼(430) 중의 타겟 다이 내의 집적회로 레이아웃의 이미지 및 타겟 다이 옆의 절단선 근처 영역의 이미지를 뚜렷하게 얻을 수 없다.10 is a cross-sectional view of the carrier disk 300 taken along the line A-A 'in FIG. 7 when the carrier film 300 is not provided with the transmission film 750. As shown in Fig. 10, there is fine and non-flat detail on the second surface 524 of the UV dicing tape 320, and a remarkable difference between the optical refractive index of the UV dicing tape 320 and the optical refractive index of air A significant light scattering phenomenon may occur when the incident light Lin passes through the boundary portion of the air and the second surface 524 of the UV dicing tape 320 because of the difference. Similarly, when the reflected light passes through the second surface 524 of the UV dicing tape 320 and the boundary portion of the air to form the outgoing light Lout ', a remarkable light scattering phenomenon may occur. In this situation, the microscope 860 can not obtain an image of the integrated circuit layout within the target die in the wafer 430 and an image of the area near the cut line next to the target die.

예를 들면, 도 11은 상술한 투과 필름(750)을 설치하지 않은 상황에서 현미경(860)을 이용하여 관측한 다이(432)와 절단선(434)의 이미지 사진이다. 도 11에 나타낸 바와 같이, UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)의 평탄하지 않은 세세한 부분이 심각한 광 산란 현상을 야기하기 때문에, 이 때 현미경(860)은 웨이퍼(430) 중의 절단선(434)의 대략적인 위치만 흐릿하게 관측할 수 있지만 타겟 다이 내의 집적회로 레이아웃의 뚜렷한 이미지 및 타겟 다이 옆의 절단선 근처 영역의 뚜렷한 이미지는 전혀 얻을 수 없다.11 is an image photograph of the die 432 and the cutting line 434 observed using the microscope 860 in a situation where the above-described transmissive film 750 is not provided. 11, the microscope 860 can then be used to cut a portion of the wafer 430 in the wafer 430, as the unevenness of the second surface 524 of the UV dicing tape 320 causes a significant light scattering phenomenon, Only a rough position of the line 434 can be obscured, but no clear image of the integrated circuit layout in the target die and a clear image of the area near the cut line next to the target die is obtained at all.

이 외에도, 실험 결과에 따르면, 임의의 투명한 액체로 상술한 투과 필름(750)을 대체하기만 해도 동일한 효과를 얻을 수 있는 것이 아니다. 예를 들면, 도 12는 상술한 투과 필름(750이 워터 멤브레인에 의해 대체된 상황에서 현미경(860)을 이용하여 관측한 다이(432)와 절단선(434)의 이미지 사진이다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 물과 UV 다이싱 테이프(320) 간의 광 굴절률 차이가 상술한 투과 필름(750)과 UV 다이싱 테이프(320) 간의 광 굴절률의 차이보다 크기 때문에 입사광(Lin)이 상기 워터 멤브레인과 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)의 경계 부분을 통과할 때에는 현저한 광 산란 현상이 여전히 발생한다. 이 외에도, 반사광이 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)과 상기 워터 멤브레인의 경계 부분을 통과하여 출사광을 형성할 때에도 현저한 광 산란 현상이 여전히 발생한다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 이 때 현미경(860)이 다이(432) 내의 집적회로 레이아웃의 이미지 및 다이(432) 옆의 절단선(434) 근처 영역의 이미지를 흐릿하게 관측할 수 있지만, 이미지의 뚜럿함이 도 9의 실시예보다 훨씬 못하다. 따라서, 워터 멤브레인으로 상술한 투과 필름(750)을 대체할 때에는 상술한 단계(114) 중의 이미지 비교 대조 절차의 에러율이 대폭 증가할 수 있다.In addition, according to the experimental results, it is not possible to obtain the same effect by replacing the transparent film 750 with any transparent liquid. 12 is an image photograph of the die 432 and the cutting line 434 observed using the microscope 860 in the situation where the above-described transmissive film 750 is replaced by a water membrane. Since the difference in optical refraction index between the water and the UV dicing tape 320 is larger than the difference in the optical refraction index between the transmission film 750 and the UV dicing tape 320 as described above, A significant light scattering phenomenon still occurs when passing through the boundary portion of the second surface 524 of the dicing tape 320. In addition to this, the reflected light is reflected by the second surface 524 of the UV dicing tape 320, A significant light scattering phenomenon still occurs when the light is passed through the boundary portion of the water membrane to form the outgoing light. As shown in Fig. 12, at this point, the microscope 860 moves the image of the integrated circuit layout in the die 432 and the die 432) near the cutting line (434) The image of the region to be fuzzy can be obscured, but the sharpness of the image is much less than that of the embodiment of Figure 9. Therefore, when replacing the above-mentioned transmissive film 750 with the water membrane, The error rate of the comparison control procedure can be greatly increased.

이 외에도, 워터 멤브레인으로 본 출원에서 제시한 투과 필름(750)을 대체할 때는 반드시 별도의 장비를 추가해야 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 안정된 워터 멤브레인을 형성할 수 있다. 예를 들면, 별도의 유리 시트를 이용하여 워터 멤브레인을 고정할 필요가 있고 또한 유리 시트를 지지하기 위한 별도의 장비 및 물기를 건조시키기 위한 건조 장비도 필요하다. 주지하다 싶이, 웨이퍼 공정의 정밀성 요건이 매우 엄격하기 때문에 반드시 청정실에서 진행해야 하고 또한 습도를 엄격하게 제어해야 다이(432)가 습기 때문에 손상되는 것을 확실히 방지할 수 있다. 여기에서 명백하게 알 수 있는 것은, 워터 멤브레인으로 상술한 투과 필름(750)을 대체하는 방식은 웨이퍼 공장 중의 습도 제어설비로 인한 별도의 부담이 늘 것이고 다이(432)가 습기로 인해 손상되는 리스크도 증가한다. 상술한 내용에서 알 수 있듯이, 워터 멤브레인으로 상술한 투과 필름(750)을 대체하는 방식을 상술한 절단되지 않은 다이에 대한 검측 과정에 응용하기에는 적합하지 않다.In addition, when replacing the transmissive film 750 proposed in this application with a water membrane, additional equipment must be added to form a stable water membrane on the second surface 524 of the UV dicing tape 320 . For example, there is a need to fix the water membrane using a separate glass sheet, and additional equipment for supporting the glass sheet and drying equipment for drying the water are also needed. It is important to note that since the precision requirements of the wafer process are very stringent, it must always be done in the clean room and the humidity must be tightly controlled to ensure that the die 432 is protected from moisture damage. It will be appreciated that the manner in which the permeable film 750 is replaced with a water membrane will increase the additional burden due to the humidity control facility in the wafer plant and the risk that the die 432 will be damaged by moisture do. As can be seen from the above description, the method of replacing the above-described transmission film 750 with a water membrane is not suitable for application to the above-described inspection process for the uncut die.

만약에 글리세롤 필름으로 상술한 투과 필름(750)을 대체할 경우, 글리세롤과 UV 다이싱 테이프(320) 간의 광 굴절률 차이도 상술한 투과 필름(750)과 UV 다이싱 테이프(320) 간의 광 굴절률 차이보다 크기 때문에 입사광(Lin)이 글리세롤 필름과 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)의 경계 부분을 통과할 때 역시 현저한 광 산란 현상이 발생한다. 마찬가지로, 반사광이 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)과 상기 글리세롤 필름의 경계 부분을 통과하여 출사광을 형성할 때에도 현저한 광 산란 현상이 발생한다. 이러한 상황에서, 현미경(860) 역시 다이(432) 내의 집적회로 레이아웃의 이미지 및 다이(432) 옆의 절단선(434) 근처 영역의 이미지를 뚜렷하게 얻을 수 없다. 따라서, 글리세롤 필름으로 상술한 투과 필름(750)을 대체할 때도 역시 상술한 단계(114) 중의 이미지 비교 대조 절차의 에러율이 크게 늘어난다.The refractive index difference between the glycerol and the UV dicing tape 320 may be different from the refractive index difference between the transmissive film 750 and the UV dicing tape 320 A significant light scattering phenomenon also occurs when the incident light (Lin) passes through the boundary portion between the glycerol film and the second surface 524 of the UV dicing tape 320. Similarly, when the reflected light passes through the second surface 524 of the UV dicing tape 320 and the boundary portion of the glycerol film to form the outgoing light, remarkable light scattering phenomenon occurs. In this situation, the microscope 860 also can not obtain an image of the integrated circuit layout within the die 432 and an image of the area near the cut line 434 next to the die 432. Thus, replacing the above-described transmissive film 750 with a glycerol film also greatly increases the error rate of the image comparison and contrast procedure during step 114 described above.

이 외에도, 글리세롤을 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 도포하면 완전히 제거하기 어렵다. 글리세롤 필름을 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)으로부터 제거할 때는 반드시 별도의 기름 제거 설비 및 제거 절차가 필요하게 되며, 이러한 방식은 웨이퍼 공장의 설비 제어가 복잡하게 되고 공정도 복잡하게 되기 때문에 절단되지 않은 다이에 대한 검측 과정에 응용하는 것은 역시 적합하지 않다.In addition, when glycerol is applied to the second surface 524 of the UV dicing tape 320, it is difficult to completely remove it. Removal of the glycerol film from the second surface 524 of the UV dicing tape 320 necessarily requires a separate degassing facility and removal procedure, which complicates facility control of the wafer fab and complicates the process It is also not suitable to apply to the inspection process for uncut die.

상술한 설명 내용에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법은 상술한 방식으로 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 투과 필름(750)을 형성하기만 하면 현미경(860)이 UV 다이싱 테이프(320)와 투과 필름(750)을 사이에 두고 웨이퍼(430) 상의 다이(432)의 집적회로 레이아웃 및 다이(432) 옆의 절단선(434) 근처 영역의 이미지를 뚜렷하게 관측할 수 있도록 한다 이렇게 함으로써 웨이퍼(430)의 절단이 완료되기 전에 웨이퍼(430) 상의 다이(432) 내의 집적회로 레이아웃에 하자가 존재하는지의 여부 및 절단선(434) 붕괴로 인해 다이(432)가 손상되는 하자가 존재하는지의 여부를 검측할 수 있게 되어 와이어 본딩 재료, 패키징 재료, 와이어 본딩 시간, 패키징 시간 및/또는 테스트 시간을 하자가 있는 다이에 낭비할 필요가 없게 된다. 따라서, 본 발명에서 제시한 검측방법은 집적회로의 공정 효율의 제고 및 공정 비용의 절약을 효과적으로 구현할 수 있다.As can be seen from the above description, the method of detecting a die on a wafer according to the present invention is only as simple as forming the transmissive film 750 on the second surface 524 of the UV dicing tape 320 in the manner described above The microscope 860 is positioned between the UV dicing tape 320 and the transmissive film 750 and the integrated circuit layout of the die 432 on the wafer 430 and the area of the area near the cut line 434 beside the die 432 Thereby ensuring that the defect is present in the integrated circuit layout within the die 432 on the wafer 430 prior to the completion of the cutting of the wafer 430 and by the disruption of the cut line 434, It is possible to detect whether or not there is a defect in which the wire bonding material 432 is damaged, so that the wire bonding material, the packaging material, the wire bonding time, the packaging time and / or the test time need not be wasted on the defective die. Therefore, the inspection method proposed in the present invention can effectively improve the process efficiency of the integrated circuit and reduce the process cost.

이 외에도, 상술한 검측 과정에서 사용되는 고분자 접착제로 인해 청정실의 공기 습도가 상승하지는 않기 때문에 웨이퍼(430) 상의 다이(432)가 습기로 인해 손상되는 리스크가 증가하지 않는다.In addition, since the polymer adhesive used in the above-described inspection process does not increase the air humidity of the clean room, the risk that the die 432 on the wafer 430 is damaged by moisture does not increase.

그리고, 후속 공정이나 제조설비에서 투과 필름(750)이 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 계속 남게 되는 것을 바라지 않을 경우 UV 다이싱 테이프(320)으로부터 투과 필름(750)을 매우 쉽게 떼어낼 수 있어서 제거 문제를 야기하거나 후속 공정에게 어려움을 남겨두지 않는다.If the permeable film 750 is not desired to remain on the second surface 524 of the UV dicing tape 320 in a subsequent process or manufacturing facility, the transparent film 750 may be removed from the UV dicing tape 320 It is very easy to peel off and does not cause removal problems or leave difficulties for subsequent processes.

주의할 점은, 상술한 도 1 중의 단계의 실행 순서는 단지 시범적인 실시예이며 본 발명의 실제 실시형태를 한정하지 않는다. 예를 들면, 단계(106)는 단계(102)와 단계(104) 사이에서 실시되도록 변경할 수 있고 단계(102) 이전에 실시하도록 변경할 수도 있다. 이 외에도, 단계(118)는 단계(112)와 단계(114) 사이에서 실시되도록 변경할 수 있고 단계(114)와 단계(116) 사이에서 실시되도록 변경할 수 있다.Note that the above-described execution order of the steps in Fig. 1 is merely a demonstration example and does not limit the actual embodiment of the present invention. For example, step 106 may be changed to be performed between step 102 and step 104 and may be changed to be performed before step 102. [ In addition to this, step 118 may be modified to be implemented between step 112 and step 114 and may be changed to be implemented between step 114 and step 116.

이 외에도, 상술한 실시예의 단계(106)에서는 제거 가능한 박판(640)을 하나만 사용했지만 이것은 단지 시범적인 실시예이며 본 발명의 실제 실시형태를 한정하지 않는다. 실제 작업에서, 단계(106)에서는 다수 개의 제거 가능한 박판(640)을 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)에 접착할 수도 있다. 이러한 상황에서, 단계(118)는 다수 개의 클램프로 다수 개의 제거 가능한 박판(640) 및 다수 개의 제거 가능한 박판(640)에 접착된 투과 필름(750)을 UV 다이싱 테이프(320)의 제2 표면(524)으로부터 떼어낼 수 있다.In addition, in step 106 of the above-described embodiment, only one removable thin plate 640 is used, but this is only a demonstration example and does not limit the actual embodiment of the present invention. In actual operation, at step 106, a plurality of removable laminae 640 may be bonded to the second surface 524 of the UV dicing tape 320. In such a situation, step 118 may include attaching a plurality of removable laminations 640 with a plurality of clamps and a transmissive film 750 adhered to the plurality of removable laminations 640 to the second surface < RTI ID = 0.0 > (Not shown).

일부 응용에서는 상술한 단계(106)와 단계(118)를 생략할 수도 있다.In some applications, steps 106 and 118 described above may be omitted.

상술한 단계(110)에서, 현미경(860), 웨이퍼(430), UV 다이싱 테이프(320) 및 투과 필름(750) 4자 간의 상대적인 위치는 투과 필름(750)과 UV 다이싱 테이프(320)가 웨이퍼(430)와 현미경(860) 사이에 위치하지만, 이것은 단지 시범적인 실시예이며 본 발명의 실제 실시형태를 한정하지 않는다. 실제 작업에서는, 상술한 단계(110)에서 캐리어 디스크(300)를 이동 시키는 방식이나 현미경(860)을 이동 시키는 방식으로 웨이퍼(430)와 UV 다이싱 테이프(320)를 투과 필름(750)과 현미경(860) 사이에 위치시켜서 도 8 중의 현미경(860)이 웨이퍼(430) 상방에 이동하여 웨이퍼(430)를 향하는 배치 방식을 형성할 수 있다. 이렇게 함으로써 입사 광선(Lin)은 웨이퍼(430), UV 다이싱 테이프(320) 및 투과 필름(750)을 투과하여 투과 필름(750) 후방에 위치한 반사면(미도시)에 조사되고, 반사광은 상기 반사면으로부터 투과 필름(750), UV 다이싱 테이프(320) 및 웨이퍼(430)를 투과하여 출사광을 형성하고 현미경(860)에 입사된다. 이러한 상황에서, 상술한 단계(112)에서는 현미경(860)을 웨이퍼(430)에 직접 향하게 하여 웨이퍼(430) 중의 타겟 다이 내의 이미지 및 타겟 다이의 경계선(즉, 상술한 절단선(434)) 부근의 이미지를 얻게 된다.The relative position between the microscope 860, the wafer 430, the UV dicing tape 320 and the transparent film 750 is determined by the relative positions of the transmission film 750 and the UV dicing tape 320, Is located between the wafer 430 and the microscope 860, but this is only an exemplary embodiment and does not limit the actual embodiment of the present invention. The wafer 430 and the UV dicing tape 320 are transferred to the transparent film 750 and the microscope 860 in such a manner that the carrier disk 300 is moved or the microscope 860 is moved in the above- The microscope 860 in Fig. 8 moves to above the wafer 430 and forms an arrangement manner in which it faces the wafer 430. As shown in Fig. As a result, the incident light beam Lin is transmitted through the wafer 430, the UV dicing tape 320, and the transmission film 750 to the reflection surface (not shown) located behind the transmission film 750, The transmission film 750, the UV dicing tape 320, and the wafer 430 from the reflective surface to form outgoing light and is incident on the microscope 860. In this situation, in the above-described step 112, the microscope 860 is directed directly onto the wafer 430 so that the image within the target die in the wafer 430 and the boundary of the target die (i.e., above the cut line 434) .

명세서 및 특허청구범위에서는 일부 용어를 사용하여 특정 부품을 지칭했다. 그러나 당 업계의 기술자는 동일한 부품에 대해 다른 명사를 이용하여 지칭할 수 있다는 것을 잘 알고 있다. 명세서 및 특허청구범위는 명칭의 차이를 갖고 부품을 구별하는 방식을 취하지 않고 부품의 기능 상의 차이를 구별의 기준으로 삼는다. 명세서 및 특허청구범위에 언급된 '포함'은 개방적인 용어로서 '포함하지만 여기에 국한되지 않음'으로 해석되어야 할 것이다.In the specification and claims, certain terms are used to refer to specific components. However, those skilled in the art are aware that the same parts may be referred to using different nouns. The specifications and claims do not take the form of distinguishing parts with different names and use the functional differences of the parts as a reference for discrimination. It is to be understood that the term "including" in the specification and claims is to be interpreted as including, but not limited to, an open term.

여기에서 사용되는 '및/또는'이라는 기재 방식은 열거된 것 중의 하나 또는 다수 항목의 임의 조합을 포함한다. 이 외에도, 명세서에서 특히 지명하지 않을 경우 임의의 단수(single) 용어는 복수의 의미를 포함한다.As used herein, " and / or " include any combination of one or more of the listed items. In addition, any singular terms, when not explicitly stated in the specification, include a plurality of meanings.

명세서 및 특허청구범위에 언급된 '부품'(element)이라는 용어는 부재(component), 층 구조(layer) 또는 영역(region)의 개념을 포함한다.The term " element " referred to in the specification and claims includes the concept of a component, a layer or a region.

실시예의 내용을 더욱 명확하게 나타내기 위해, 첨부도면의 일부 부품의 사이즈 및 상대적인 크기가 확대 되어 표시될 수 있고, 일부 부품의 형상이 간략화 되어 있을 수 있다. 따라서, 출원인이 특별히 지적하지 않을 경우 첨부 도면 중 각 부품의 형상, 사이즈, 상대적인 크기 및 상대적인 위치 등은 단지 설명용이고 이로 인해 본 발명의 특허 범위를 축소할 수 없다. 이 외에도, 본 발명은 여러 가지 다른 형태로 구현될 수 있으며, 본 발명을 해석할 때에는 본 명세서에서 제시한 실시예 형태에만 국한되어서는 안 된다.In order to more clearly illustrate the contents of the embodiment, the size and relative size of some parts of the attached drawings may be enlarged and displayed, and some parts may be simplified in shape. Accordingly, unless the applicant specifically indicates otherwise, the shape, size, relative size and relative position of each part in the accompanying drawings are merely illustrative and as such can not reduce the scope of the patent of the present invention. In addition, the invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the form of the embodiments set forth herein.

설명의 편의를 위해, 명세서에서는 공간 중의 상대적인 위치에 관련된 기술을 하여 첨부 도면 중 어느 부품의 기능 또는 상기 부품과 기타 부품 간의 상대적인 공간 관계를 설명할 수 있다. 예를 들면, '... 상에', '... 상방에서', '... 밑에', '...의 하방에서', '...보다 높음', '...보다 낮음', '위를 향해', '아래를 향해' 등등이다. 당 업계의 기술자는 공간 중의 상대적인 위치에 관련된 이러한 기술은 설명하는 부품의 첨부 도면에서의 지향관계(orientation)를 포함할 뿐만 아니라 설명하는 부품이 사용, 동작 또는 조립 시의 여러 가지 다른 지향관계도 포함하는 것을 잘 알고 있다. 예를 들면, 첨부 도면을 상하 뒤집어서 보면, 기존에 '... 상에'로 설명한 부품은 '...의 밑에'로가 된다. 따라서, 명세서에서 사용하는 '... 상에'라는 설명 방식은 해석할 때 '... 상에' 및 '... 밑에'라는 두 가지 서로 다른 지향관계를 포함한다. 마찬가지로, 여기에서 사용되는 '위를 향해'라는 용어도 해석할 때에는 '위를 향해' 및 '아래를 향해'라는 두 가지 서로 다른 지향관계를 포함한다.For convenience of description, in the specification, the relative positional relationship between the parts and other parts can be described by describing the relative position of the parts in the accompanying drawings. For example, 'on top of ...', 'above ...', 'below', 'below', 'higher than', 'lower than ...' ',' Upward ',' downward ', and so on. Those skilled in the art will appreciate that this technique relating to the relative position of the space includes orientations in the accompanying drawings of the components described, as well as that the described components include various other oriented relationships in use, operation, or assembly I know well. For example, when the attached drawings are turned upside down, the parts previously described as "on ..." become "under ...". Therefore, in the specification, the expression "on ..." includes two different directivity relations, "on" and "under" when interpreting. Likewise, the term 'upward', as used herein, also includes two distinct orientations, 'upward' and 'downward'.

명세서 및 특허청구범위에서, 제1 부품이 제2 부품 상에 위치하거나, 제2 부품 상방에 위치하거나, 제2 부품에 연결, 결합, 커플링되거나 제2 부품과 서로 연결된다고 기술하는 것은 제1 부품이 제2 부품 상에 직접 위치하거나 제2 부품에 직접 연결돠거나 직접 결합되거나 직접 커플링된다는 것을 가리킬 수 있고, 또한 제1 부품과 제2 부품 사이에 기타 부품이 존재한다는 것을 가리킬 수도 있다. 이에 비해, 만약 제1 부품이 제2 부품 상에 직접 위치하거나 제2 부품에 직접 연결된거나 직접 결합되거나 직접 커플링 또는 직접 상호 연결된다고 기술하면 제1 부품과 제2 부품 사이에 기타 부품이 존재하지 않다는 것을 가리킨다.In the specification and claims, it is described that the first part is located on the second part, is located above the second part, is connected to, coupled to, couples with, or is connected to the second part, May indicate that the part is located directly on the second part, directly connected to the second part, directly coupled or directly coupled, and may also indicate that other parts exist between the first part and the second part. By contrast, if it is stated that the first part is located directly on the second part, directly connected to the second part, directly coupled, or directly coupled or directly interconnected, there is no other part between the first part and the second part .

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였을 뿐이고 본 발명의 특허청구범위에 의한 동등한 변화 및 수정은 모두 본 발명의 범위에 속한다고 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

200 : 캐리어 링
202 : 중공영역
300 : 캐리어 디스크
320 : UV 다이싱 테이프
322 : UV 다이싱 테이프의 제1 표면
430 : 웨이퍼
432 : 다이
434 : 절단선
524 : UV 다이싱 테이프의 제2 표면
536 : 측정 영역
640 : 제거 가능한 박판
750 : 투과 필름
754 : 투과 필름의 외표면
860 : 현미경
200: Carrier ring
202: hollow region
300: carrier disk
320: UV dicing tape
322: first surface of UV dicing tape
430: wafer
432: Die
434: Cutting line
524: second surface of UV dicing tape
536: Measurement area
640: Removable laminate
750: Transparent film
754: outer surface of the transparent film
860: Microscope

Claims (11)

캐리어 링의 중공영역에 UV 다이싱 테이프를 접착하여 캐리어 디스크를 형성하는 단계; 다수 개의 다이가 설치된 하나의 웨이퍼를 상기 UV 다이싱 테이프의 제1 표면에 접착하는 단계;
고분자 접착제를 상기 UV 다이싱 테이프의 제2 표면에 도포하여, 상기 제2 표면 중에서의 상기 웨이퍼의 경계선 및 상기 경계선 내의 전체 영역과 서로 대응되는 측정 영역을 포괄하는 투과 필름을 형성하는 단계;
상기 웨이퍼가 접착된 상기 캐리어 디스크를 현미경에 맞춰서 배치하는 단계;
상기 현미경을 이용해서 상기 웨이퍼 중의 한 타겟 다이를 관측하여 하나의 캡쳐 이미지를 생성하는 단계;
상기 캡쳐 이미지와 소정의 대조 이미지를 비교 대조하는 단계; 및
만약 상기 캡쳐 이미지와 상기 소정의 대조 이미지가 부합하지 않으면 상기 타겟 다이를 하자가 있는 다이로 판정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
Attaching a UV dicing tape to a hollow region of the carrier ring to form a carrier disk; Bonding one wafer having a plurality of dies to a first surface of the UV dicing tape;
Applying a polymeric adhesive to a second surface of the UV dicing tape to form a transmissive film covering a boundary of the wafer in the second surface and a measurement area corresponding to the entire area within the boundary;
Disposing the carrier disk on which the wafer is adhered in accordance with a microscope;
Observing one target die in the wafer using the microscope to generate one captured image;
Comparing the captured image with a predetermined contrast image; And
And determining the target die as defective if the captured image does not match the predetermined contrast image. ≪ Desc / Clms Page number 21 >
제1항에 있어서,
상기 투과 필름을 형성하기 전에 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판을 상기 UV 다이싱 테이프의 상기 제2 표면에 접착함으로써 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판이 상기 측정 영역 외에 위치하도록 하는 단계를 더 포함하고;
상기 투과 필름을 형성하는 단계는,
상기 고분자 접착제를 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판 중의 각각의 제거 가능한 박판의 국부 영역에 도포함으로써 상기 투과 필름이 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판의 국부 영역을 덮고 접착하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of bonding said one or more removable laminae to said second surface of said UV dicing tape prior to forming said transmissive film so that said one or more removable laminae are located outside said measurement region;
The step of forming the transmissive film comprises:
Further comprising the step of applying the polymeric adhesive to a localized area of each of the removable laminae of the one or more removable laminae so that the transmissive film covers and adheres to the localized areas of the one or more removable laminae Wherein the die on the wafer is detected.
제2항에 있어서,
상기 캡쳐 이미지를 생성한 후 하나 또는 다수 개의 클램프를 이용해서 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판을 협지하고 상기 하나 또는 다수 개의 클램프를 이동함으로써 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판 및 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판에 접착된 상기 투과 필름을 상기 UV 다이싱 테이프의 상기 제2 표면으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
3. The method of claim 2,
The one or more removable laminae and the one or more removable laminae and the one or more removable laminae and the one or more removable laminae by clamping the one or more removable laminae using one or more clamps after creating the captured image, Further comprising the step of removing said transmissive film adhered to a possible foil from said second surface of said UV dicing tape.
제2항에 있어서,
상기 현미경에서 상기 웨이퍼의 모든 다이와 대응되는 다수 개의 캡쳐 이미지를 생성한 후 하나 또는 다수 개의 클램프를 이용해서 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판을 협지하고 상기 하나 또는 다수 개의 클램프를 이동함으로써 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판 및 상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판에 접착된 상기 투과 필름을 상기 UV 다이싱 테이프의 상기 제2 표면으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
3. The method of claim 2,
Generating a plurality of captured images corresponding to all the dies of the wafer in the microscope and then clamping the one or more removable laminae using one or more clamps and moving the one or more clamps, Removing the removable laminae and the permeable film adhered to the one or more removable laminae from the second surface of the UV dicing tape. ≪ Desc / Clms Page number 13 >
제2항에 있어서,
상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판을 상기 UV 다이싱 테이프의 상기 제2 표면에 접착하는 단계는 상기 UV 다이싱 테이프를 상기 캐리어 링의 상기 중공영역에 접착하기 전에 진행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein bonding the one or more removable laminae to the second surface of the UV dicing tape progresses prior to bonding the UV dicing tape to the hollow region of the carrier ring. .
제2항에 있어서,
상기 하나 또는 다수 개의 제거 가능한 박판을 상기 UV 다이싱 테이프의 상기 제2 표면에 접착하는 단계는 상기 웨이퍼를 상기 UV 다이싱 테이프의 상기 제1 표면에 접착하기 전에 진행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
3. The method of claim 2,
Wherein the step of adhering the one or more removable laminae to the second surface of the UV dicing tape proceeds prior to adhering the wafer to the first surface of the UV dicing tape. .
제1항에 있어서,
상기 캡쳐 이미지를 생성한 후 상기 투과 필름을 상기 UV 다이싱 테이프의 상기 제2 표면으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising removing the transmissive film from the second surface of the UV dicing tape after generating the captured image. ≪ Desc / Clms Page number 21 >
제1항에 있어서,
상기 현미경에서 상기 웨이퍼의 모든 다이에 대응되는 캡쳐 이미지를 생성한 후 상기 투과 필름을 상기 UV 다이싱 테이프의 상기 제2 표면으로부터 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
The method according to claim 1,
Further comprising the step of removing the transmissive film from the second surface of the UV dicing tape after creating a captured image corresponding to all of the dies of the wafer in the microscope .
제1항에 있어서,
상기 웨이퍼가 접착된 상기 캐리어 디스크를 상기 현미경에 맞춰서 배치하는 단계는,
상기 투과 필름과 상기 UV 다이싱 테이프를 상기 웨이퍼와 상기 현미경 사이에 위치시키는 단계를 포함하고,
상기 캡쳐 이미지를 생성하는 단계는,
상기 현미경을 이용해서 상기 투과 필름과 상기 UV 다이싱 테이프를 사이에 두고 상기 웨이퍼 중의 상기 타겟 다이를 관측하여 상기 캡쳐 이미지를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
The method according to claim 1,
The step of disposing the carrier disk on which the wafer is adhered in alignment with the microscope,
Positioning the transmissive film and the UV dicing tape between the wafer and the microscope,
Wherein the generating the captured image comprises:
And observing the target die in the wafer between the transparent film and the UV dicing tape using the microscope to generate the captured image.
제1항에 있어서,
상기 웨이퍼가 접착된 상기 캐리어 디스크를 상기 현미경에 맞춰서 배치하는 단계는,
상기 웨이퍼와 상기 UV 다이싱 테이프를 상기 투과 필름과 상기 현미경 사이에 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
The method according to claim 1,
The step of disposing the carrier disk on which the wafer is adhered in alignment with the microscope,
Positioning the wafer and the UV dicing tape between the transmissive film and the microscope. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투과 필름의 광 굴절률이 1.3 내지 1.7 사이인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 상의 다이를 검측하는 방법.
11. The method according to any one of claims 1 to 10,
Wherein the refractive index of the transmissive film is between 1.3 and 1.7.
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