KR101589753B1

KR101589753B1 - 표시장치

Info

Publication number: KR101589753B1
Application number: KR1020090095812A
Authority: KR
Inventors: 김동환; 김형철; 이준호
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2009-10-08
Filing date: 2009-10-08
Publication date: 2016-01-28
Also published as: KR20110038497A

Abstract

본 발명은, 기판; 기판 상에 형성된 전극층; 전극층 상에 형성된 버퍼층; 및 버퍼층 상에 형성된 표시소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.

표시장치, 분산, 트랜지스터

Description

표시장치{Display Device}

본 발명은 표시장치에 관한 것이다.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD) 및 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.

이와 같은 표시장치는 텔레비전(TV)이나 비디오 등의 가전분야에서 노트북(Note book)과 같은 컴퓨터나 핸드폰과 등과 같은 산업분야 등에서 다양한 용도로 사용되고 있다.

이들 중 일부 표시장치 예컨대, 액정표시장치 및 유기전계발광표시장치는 증착 방법, 식각 방법 등을 통해 기판 상에 표시소자와 표시소자에 연결된 배선을 박막 형태로 형성한다. 위와 같은 형태의 표시장치를 제조할 때에는 통상 커다란 원장 기판을 사용한다. 원장 기판 상에는 표시소자를 셀별로 형성하기 위한 증착 공정과 식각 공정 등을 진행하고 셀별로 형성된 표시소자를 각각 절단하는 절단 공정을 실시한다.

전술한 방법으로 표시소자를 제조할 때, 표시소자에 포함된 트랜지스터를 형성하는 공정, 진공 챔버 내를 이동하는 과정, 셀별로 절단하는 공정 등에서 정전기가 유입되면 유입된 정전기에 의해 패널에 형성된 트랜지스터 등과 같은 소자들이 손상되므로 이를 해결하기 위한 방안이 마련되어야 한다.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은, 외부로부터 유입된 정전기에 의해 패널에 형성된 소자들이 손상되는 문제를 방지하고, 더불어 패널의 신뢰성과 생산수율을 향상시킬 수 있는 표시장치를 제공하는 것이다.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 기판; 기판 상에 형성된 전극층; 전극층 상에 형성된 버퍼층; 및 버퍼층 상에 형성된 표시소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.

전극층은, 투명산화물 또는 금속일 수 있다.

전극층은, 기판의 전 영역에 형성될 수 있다.

전극층은, 기판 상에 정의된 표시영역에 대응되어 형성될 수 있다.

전극층은, 기판 상에 정의된 표시영역의 외곽 영역에 대응되어 형성될 수 있다.

전극층은, 기판 상에 다수로 분할되어 일 방향으로 형성될 수 있다.

표시소자에 연결된 스캔배선 및 데이터배선을 포함하며, 전극층은, 스캔배선 및 데이터배선 중 어느 하나에 대응되어 형성될 수 있다.

표시소자는, 매트릭스형태로 배치된 복수의 서브 픽셀을 포함하며, 서브 픽셀은, 버퍼층 상에 형성된 액티브층과, 액티브층 상에 형성된 제1절연막과, 제1절 연막 상에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극 상에 형성된 제2절연막과, 제2절연막 상에 형성되며 액티브층에 접촉된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터를 포함할 수 있다.

트랜지스터는, 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 형성된 제3절연막과, 제3절연막 상에 형성된 제4절연막을 포함할 수 있다.

표시소자는, 유기전계발광표시소자 또는 액정표시소자일 수 있다.

본 발명은, 외부로부터 유입된 정전기를 분산시킬 수 있는 전극층을 기판 상에 형성하여 패널에 형성된 소자들이 손상되는 문제를 방지하고, 더불어 패널의 신뢰성과 생산 수율을 향상시킬 수 있는 표시장치를 제공하는 효과가 있다.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 I-II 영역의 단면도이며, 도 3은 서브 픽셀의 단면 예시도 이고, 도 4는 유기 발광층의 계층도 이다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판(110), 표시소자(AA), 전극층(130), 밀봉기판(140), 구동부(160), 패드부(170) 및 접착부재(180)를 포함한다.

기판(110)은 표시소자(AA)가 위치하는 영역으로 정의된 표시영역과 표시소자(AA)가 위치하지 않는 영역으로 정의된 비표시영역(NA)을 포함한다. 기판(110)은 비표시영역(NA)에 형성된 접착부재(180)에 의해 밀봉기판(140)과 함께 합착 밀봉된다.

비표시영역(NA)의 외곽 기판(110) 상에는 구동부(160)가 위치하고 구동부(160)와 인접하는 영역에는 패드부(170)가 위치한다. 패드부(170)는 외부로부터 각종 신호나 전원을 공급받도록 외부기판과 연결되는 영역이다.

구동부(160)는 패드부(170)를 통해 각종 신호나 전원을 공급받고 이에 대응하여 표시소자(AA)를 구동하는 장치이다. 구동부(160)는 표시소자(AA)에 스캔신호와 데이터신호를 공급하는 스캔구동부와 데이터구동부를 포함할 수 있다. 스캔구동부의 경우 구동부(160)로부터 분리되어 기판(110)의 비표시영역(NA) 상에 형성될 수도 있다.

기판(110) 상에는 전극층(130)이 형성된다. 전극층(130)은 외부로부터 유입된 정전기(Es)를 분산시키는 역할을 한다. 전극층(130)은 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명산화물이나 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 구리(Cu)와 같은 금속으로 선택될 수 있다. 전극층(130)의 경우 표시소자(AA)가 기판(110) 방향으로 빛을 발광하는 경우 투명산화물로 선택되는 반면 밀봉기판(140) 방향으로 빛을 발광하는 경우 투명산화물이나 금속으로 선택된다. 전극층(130)의 경우, 버퍼층(112)과 버퍼층(112) 상에 형성된 표시소자(AA)에 의한 커패시턴스(기생 커패시턴스) 발생을 고려하여 300Å ~ 500Å 범위로 형성한다. 전극층(130)을 300Å 이상으로 형성하면 외부로부터 유입되는 정전기를 분산 및 방전시킬 수 있는 기능을 수행할 수 있다. 그리고 전극층(130)을 500Å 이하로 형성하면 전극층(130), 버퍼층(112) 및 표시소자(AA)에 포함된 구성물들과의 커패시턴스 발생을 방지함과 더불어 외부로부터 유입되는 정전기를 분산 및 방전시킬 수 있는 기능을 수행할 수 있다.

전극층(130) 상에는 버퍼층(112)이 형성된다. 버퍼층(112)은 기판(110) 상에 형성된 전극층(130)과 표시소자(AA)를 전기적으로 분리 및 절연하는 역할을 한다. 버퍼층(112)은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 절연재료로 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

표시소자(AA)는 유기전계발광표시소자 또는 액정표시소자로 형성된다. 이하 실시예에서는 표시소자(AA)가 유기전계발광표시소자인 것을 일례로 설명한다. 표시소자(AA)는 수동매트릭스형(Passive Matrix) 또는 능동매트릭스형(Active Matrix)으로 배치된 복수의 서브 픽셀을 포함한다. 서브 픽셀이 능동매트릭스형으로 형성된 경우, 이는 스위칭 트랜지스터(S1), 구동 트랜지스터(T1), 커패시터(Cst) 및 유기 발광다이오드(D)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되거나 트랜지스터 및 커패시터가 더 추가된 구조로 구성될 수도 있다. 이하, 서브 픽셀의 구조에 대해 설명한다.

버퍼층(112) 상에는 액티브층(113a~113g)이 형성된다. 액티브층(113a~113g)은 비정질 실리콘 또는 이를 결정화한 다결정 실리콘을 포함할 수 있다. 액티브 층(113a~113g)은 채널 영역, 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역에는 P형 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 액티브층(113a~113g)에는 구동 트랜지스터(T1)의 액티브층(113a, 113b, 113c)과 스위칭 트랜지스터(S1)의 액티브층(113d, 113e, 113f)과 커패시터(Cst)의 하부전극이 되는 액티브층(113g)이 포함된다.

액티브층(113a~113g) 상에는 제1절연막(114)이 형성된다. 제1절연막(114)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

제1절연막(114) 상에는 게이트전극(115a~115c)이 형성된다. 게이트전극(115a~115c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중충으로 형성될 수 있다. 게이트전극(115a~115c)에는 구동 트랜지스터(T1)의 게이트전극(115a)과 스위칭 트랜지스터(S1)의 게이트전극(115b)과 커패시터(Cst)의 상부전극이 되는 게이트전극(115c)이 포함된다.

게이트전극(115a~115c) 상에는 제2절연막(116)이 형성된다. 제2절연막(116)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

제2절연막(116) 상에는 소오스/드레인전극(117a~117d)이 형성된다. 소오스/드레인전극(117a~117d)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타 늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중충으로 형성될 수 있다. 소오스/드레인전극(117a~117d)에는 구동 트랜지스터(T1)의 소오스/드레인전극(117a, 117b)과 스위칭 트랜지스터(S1)의 소오스/드레인전극(117c, 117d)이 포함된다. 구동 트랜지스터(T1)의 소오스/드레인전극(117a, 117b)은 액티브층(113a, 113c)에 연결되고 스위칭 트랜지스터(S1)의 소오스/드레인전극(117c, 117d) 액티브층(113d, 113f)에 연결된다.

소오스/드레인전극(117a~117d) 상에는 제3절연막(118)이 형성된다. 제3절연막(118)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

제3절연막(118) 상에는 제4절연막(119)이 형성된다. 제4절연막(119)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 제4절연막(119)은 평탄화막일 수 있다.

제4절연막(119) 상에는 구동 트랜지스터(T1)의 소오스/드레인전극(117a, 117b)에 연결된 제1전극(120)이 형성된다. 제1전극(120)은 애노드 또는 캐소드로 선택된다. 제1전극(120)이 애노드로 선택된 경우, 이는 투명한 재료 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

제1전극(120) 상에는 제1전극(120)의 일부를 노출하는 개구부를 갖는 뱅크층(121)이 형성된다. 뱅크층(121)은 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene,BCB)계 수 지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지 등의 유기물을 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

뱅크층(121) 상에는 유기 발광층(122)을 형성하는 공정 중에 사용되는 섀도마스크와의 간격을 유지하거나 밀봉기판(140)과의 간격을 유지하는 등과 같이 다양한 역할을 수행하는 스페이서(124)가 형성될 수 있다.

뱅크층(121)의 개구부 내에는 유기 발광층(122)이 형성된다. 유기 발광층(122)은 정공주입층(122a), 정공수송층(122b), 발광층(122c), 전자수송층(122d) 및 전자주입층(122e)을 포함한다. 정공주입층(121a)은 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 정공수송층(121b)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)은 호스트와 도펀트를 포함한다. 발광층(121c)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질을 포함할 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. 발광층(121c)이 적색을 발광하는 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1- phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)이 녹색을 발광하는 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 발광층(121c)이 청색을 발광하는 경우, CBP, 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic 를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. 이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자수송층(121d)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 전자주입층(121e)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, LiF, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 다만, 본 발명의 실시 예는 도 4에 한정되는 것은 아니며, 정공주입층(121a), 정공수송층(121b), 전자수송층(121d) 및 전자주입층(121e) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있고 기타 다른 기능층 들이 더 포함될 수도 있다.

유기 발광층(122) 상에는 제2전극(123)이 형성된다. 제2전극(123)은 캐소드 또는 애노드로 선택될 수 있다. 제2전극(123)이 캐소드로 선택된 경우, 이는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금(AlNd) 등으로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.

한편, 앞서 설명한 바와 같은 구조를 갖는 유기전계발광표시패널이나 액정표시패널을 포함하는 표시장치를 제조할 때에는 통상 커다란 원장 기판을 사용한다. 원장 기판 상에는 표시소자를 셀별로 형성하기 위한 증착 공정과 식각 공정 등을 진행하고 셀별로 형성된 표시소자를 각각 절단하는 절단 공정을 실시한다.

위와 같은 방법으로 표시소자를 제조할 때, 표시소자에 포함된 트랜지스터를 형성하는 공정, 진공 챔버 내를 이동하는 과정, 셀별로 절단하는 공정 등에서 정전기가 유입된다. 이때, 유입된 정전기는 전극층(130)에 의해 분산 및 방전(또는 흡수)될 수 있게 된다. 패널에 형성된 트랜지스터 등과 같은 소자들을 정전기로부터 보호할 수 있는 확률은 유입된 정전기를 분산하는 전극층(130)의 구조에 따라 좌우될 수 있다.

이하, 기판 상에 형성된 전극층의 구조에 대해 더욱 자세히 설명한다.

도 5 내지 도 10은 전극층의 구조 예시도 이다.

도 1 및 도 5와 같이, 전극층(130)은 기판(110)의 전 영역에 형성된다. 이 경우, 외부로부터 유입된 정전기를 기판(110)의 전방위에서 분산 및 방전시킬 수 있으므로 표시장치를 제조하는 모든 공정에서 정전기에 의한 소자 손상 방지효과를 높일 수 있게 된다.

도 1 및 도 6과 같이, 전극층(130)은 기판(110) 상에 정의된 표시영역 즉, 표시소자(AA)가 형성된 영역에 대응되어 형성된다. 이 경우, 외부로부터 유입된 정전기를 표시소자(AA)의 전방위에서 분산 및 방전시킬 수 있으므로 표시장치를 제조하는 일부 공정 예컨대, 유기물 증착 공정 등에서 정전기에 의한 소자 손상 방지효과를 높일 수 있게 된다.

도 1 및 도 7과 같이, 전극층(130)은 기판(110)의 외곽 영역에 대응되어 형성된다. 이 경우, 외부로부터 유입된 정전기를 기판(110)의 외곽에서 분산 및 방전시킬 수 있으므로 표시장치를 제조하는 일부 공정 예컨대, 절단 공정 등에서 정전기에 의한 소자 손상 방지효과를 높일 수 있게 된다.

도 1 및 도 8과 같이, 전극층(130)은 기판(110) 상에 정의된 표시영역의 외곽 영역 즉, 접착부재(180)가 형성되는 영역에 대응되어 형성된다. 이 경우, 외부로부터 유입된 정전기를 표시소자(AA)의 외곽에서 분산 및 방전시킬 수 있으므로 표시장치를 제조하는 일부 공정 예컨대, 절단 공정 등에서 정전기에 의한 소자 손상 방지효과를 높일 수 있게 된다.

도 1 및 도 9와 같이, 전극층(130)은 기판(110)의 전 영역 상에 다수로 분할되어 일 방향으로 형성된다. 이 경우, 외부로부터 유입된 정전기를 전방위에서 분산 및 방전시킴과 더불어 특정 영역에서 유입된 정전기의 전이를 방지할 수 있으므 로 표시장치를 제조하는 모든 공정에서 정전기에 의한 소자 손상 방지효과를 높일 수 있게 된다.

도 1 및 도 10과 같이, 전극층(130)은 기판(110) 상에 정의된 표시영역 즉, 표시소자(AA)가 형성된 영역에 대응되고 다수로 분할되어 일 방향으로 형성된다. 이 경우, 외부로부터 유입된 정전기를 표시소자(AA)의 전방위에서 분산 및 방전시킴과 더불어 특정 영역에서 유입된 정전기의 전이를 방지할 수 있으므로 표시장치를 제조하는 일부 공정 예컨대, 유기물 증착 공정 등에서 정전기에 의한 소자의 손상을 방지할 수 있는 효과를 높일 수 있게 된다.

한편, 도 9 또는 도 10과 같은 구조와 같이 전극층(130)을 다수로 분할하여 형성할 때에는 표시소자(AA)에 연결된 스캔배선 및 데이터배선 중 어느 하나에 대응되도록 형성할 수도 있다. 이 밖에, 전극층(130)은 적어도 하나의 메인 전극층과 메인 전극층으로부터 연장되고 메인 전극층 대비 좁은 선 폭을 차지하는 복수의 서브 전극층을 포함하는 구조로 형성할 수도 있다.

덧붙여, 실시예의 구조를 갖는 전극층(130)은 표시소자(AA)에 포함된 제1절연막(114)의 두께가 얇게 형성된 구조(예컨대 1000Å이하)에서 외부로부터 유입된 정전기에 의한 소자의 손상(예컨대 액티브층과 게이트전극이 쇼트되는 문제)을 방지할 수 있는 효과를 높일 수 있다.

이상 본 발명은 외부로부터 유입된 정전기를 분산시킬 수 있는 전극층을 기판 상에 형성하여 패널에 형성된 소자들이 손상되는 문제를 방지하고, 더불어 패널 의 신뢰성과 생산 수율을 향상시킬 수 있는 표시장치를 제공하는 효과가 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 평면도.

도 2는 도 1에 도시된 I-II 영역의 단면도.

도 3은 서브 픽셀의 단면 예시도.

도 4는 유기 발광층의 계층도.

도 5 내지 도 10은 전극층의 구조 예시도.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>

110: 기판 130: 전극층

140: 밀봉기판 160: 구동부

170: 패드부 180: 접착부재

Claims

기판;

상기 기판 상에 형성된 전극층;

상기 전극층 상에 형성된 버퍼층; 및

상기 버퍼층 상에 형성된 표시소자를 포함하고,

상기 전극층은,

상기 기판 상에 다수로 분할되어 일 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 전극층은,

투명산화물 또는 금속인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 전극층은,

상기 기판의 전 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 전극층은,

상기 기판 상에 정의된 표시영역에 대응되어 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
제1항에 있어서,

상기 전극층은,

상기 기판 상에 정의된 표시영역의 외곽 영역에 대응되어 형성된 것을 특징으로 하는 표시장치.
삭제
기판;

상기 기판 상에 배치된 전극층;

상기 전극층 상에 배치된 버퍼층; 및

상기 버퍼층 상에 배치되면서 스캔배선 및 데이터배선과 연결되는 표시소자를 포함하고,

상기 전극층은,

상기 스캔배선 및 상기 데이터배선 중 어느 하나에 대응되어 배치된 것을 특징으로 하는 표시장치.
제1항 또는 제7항에 있어서,

상기 표시소자는 매트릭스형태로 배치된 복수의 서브 픽셀을 포함하며,

상기 서브 픽셀은,

상기 버퍼층 상에 형성된 액티브층과, 상기 액티브층 상에 형성된 제1절연막과, 상기 제1절연막 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성된 제2절연막과, 상기 제2절연막 상에 형성되며 상기 액티브층에 접촉된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터를 포함하는 표시장치.
제8항에 있어서,

상기 트랜지스터는,

상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 형성된 제3절연막과,

상기 제3절연막 상에 형성된 제4절연막을 포함하는 표시장치.
제1항 또는 제7항에 있어서,

상기 표시소자는,

유기전계발광표시소자 또는 액정표시소자인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제7항에 있어서,

상기 전극층은,

투명산화물 또는 금속인 것을 특징으로 하는 표시장치.
제1항 또는 제7항에 있어서,

상기 전극층은,

적어도 하나의 메인 전극층과 상기 메인 전극층으로부터 연장되고, 상기 메인 전극층 대비 좁은 선 폭을 차지하는 복수의 서브 전극층을 포함하는 표시장치.