KR101589599B1 - 웨이퍼의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 챔버 내의 서셉터 상에 웨이퍼를 배치하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 상부 영역와 하부 영역을 가열하는 단계를 포함하고, 상기 가열하는 단계에서, 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 증가하고 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 감소하는 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.

Description

웨이퍼의 제조 방법{Method for Manufacturing Wafer}
본 발명은 웨이퍼 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼에 에피택셜층을 성장시킬 때 챔버 내의 가열 공정에 관한 것이다.
연마 웨이퍼(polished wafer) 표면에 실리콘 단결정의 에피택셜 박막을 성장시킨 것을 에피택셜 실리콘 웨이퍼(epitaxial silicon wafer)(이하, '에피 웨이퍼'라 한다.)라고 한다.
이러한 에피 웨이퍼는 저저항률의 실리콘 웨이퍼 위에 고저항률의 실리콘 에피택셜층을 기상 성장시킨 것으로 게터링 능력과 낮은 래치업(latch-up) 특성, 그리고 고온에서 슬립(slip)에 강한 특징을 가지고 있어, 최근 MOS 디바이스 뿐만 아니라 LSI 디바이스용 웨이퍼로서 널리 이용되고 있다.
에피 웨이퍼는 챔버 내에서 서셉터(susceptor) 위에 연마 웨이퍼를 안착시키고 1050℃ 이상의 고온으로 가열시킨 뒤 챔버에 원료 가스를 공급하고, 공급되는 원료 가스와 연마 웨이퍼를 반응시켜 웨이퍼 표면에 에피택셜 박막을 성장시키는 공정을 거쳐 제조된다.
웨이퍼 제조 장치는, 챔버 내에 웨이퍼가 안착될 서셉터가 구비되고, 기둥형태로 형성되어 회전하는 바디와 바디의 상단 외주면을 따라 동일한 간격을 두고 복수 개가 형성되는 암을 포함하는 샤프트(shaft)가 서셉터를 지지하며 배치된다.
서셉터의 상부와 하부에는 각각 램프가 배치되어 서셉터의 상부 영역과 하부 영역에 빛을 방출하는데, 램프의 빛이 샤프트를 투과하면서 복사열이 웨이퍼로 전달된다.
이때, 웨이퍼의 상부 영역과 하부 영역 내에서 중앙 영역과 가장 자리 영역에 각각 복사열을 공급하는 램프가 따로 구분되고, 각각의 램프에서 방출되는 빛의 세기는 서로 다르게 설정된다.
그러나, 상술한 가열 공정에서 웨이퍼의 상부와 하부 영역, 그리고 각각의 중앙 영역과 가장 자리에 영역에 공급되는 빛의 세기에 따라, 웨이퍼의 에피택셜층에 결함(defect)이 발생할 수 있다.
특히, 웨이퍼의 상부와 하부의 중앙 영역과 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기가 일정하여, 특정 부위에 복사열이 집중될 수 있다.
실시예는 웨이퍼의 에피택셜층 성장 공정에서, 웨이퍼의 상부와 하부 영역, 그리고 각각의 중앙 영역과 가장 자리에 영역에 공급되는 빛의 세기를 조절하여 에피택셜층에 결함 발생을 방지하거나 줄이고자 한다.
본 발명은 챔버 내의 서셉터 상에 웨이퍼를 배치하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 상부 영역와 하부 영역을 가열하는 단계를 포함하고, 상기 가열하는 단계에서, 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 증가하고 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 감소하는 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.
가열하는 단계에서, 상기 웨이퍼의 상부 영역에 공급되는 빛과 하부 영역에 공급되는 빛의 비율을 일정할 수 있다.
가열하는 단계에서, 상기 웨이퍼의 상부 영역에 공급되는 빛과 하부 영역에 공급되는 빛의 비율은 35 대 65 내지 45 대 55일 수 있다.
가열 단계의 초기에, 상기 웨이퍼의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 작을 수 있다.
가열 단계의 종료시에, 상기 웨이퍼의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 클 수 있다.
가열 단계의 종료시에, 상기 웨이퍼의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 2배 내지 3배일 수 있다.
웨이퍼의 상부 영역에 공급되는 빛 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 48%에서 72%로 증가할 수 있다.
웨이퍼의 상부 영역에 공급되는 빛 중 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기는 52%에서 28%로 감소할 수 있다.
가열 단계의 초기와 종료시에, 상기 웨이퍼의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 작을 수 있다.
가열 단계의 초기에, 상기 웨이퍼의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 1/7 내지 1/8일 수 있다.
가열 단계의 종료시에, 상기 웨이퍼의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 1/4 내지 1/5일 수 있다.
웨이퍼의 하부 영역에 공급되는 빛 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 11.5에서 17%로 증가할 수 있다.
웨이퍼의 하부 영역에 공급되는 빛 중 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기는 88.5%에서 83%로 감소할 수 있다.
실시예에 따른 웨이퍼의 제조방법은, 챔버 내의 서셉터의 상부 및 하부 공간에 복사열을 공급할 때 램프로부터 중앙 영역에 공급되는 복사열의 세기를 점차 증가하여, 비교예에서 복사열의 세기가 급격히 변화하는 구간이 없으며, 따라서 에피택셜층 내에서 결함 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 제조 장치의 일실시예를 나타내는 단면도이고,
도 2는 도 1에서 램프의 배치를 상세히 나타낸 도면이고,
도 3a는 가열 초기에 램프에서 방출되는 빛의 세기를 나타낸 도면이고,
도 3b는 가열 종료시에 램프에서 방출되는 빛의 세기를 나타낸 도면이고,
도 4는 제1-1 램프에 공급되는 전력의 프로파일을 나타낸 도면이고,
도 5a와 도 5b는 표 2에서 실시예에 따른 방법으로 성장된 웨이퍼의 에피택셜층과 비교예에 따른 방법으로 성장된 웨이퍼의 에피택셜층을 나타낸 도면이고,
도 6a와 도 6b는 웨이퍼의 상부와 하부에 가해지는 열의 차이에 따른 웨이퍼의 결함 발생을 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 웨이퍼 제조 장치를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 제조 장치의 일실시예를 나타내는 단면도이다.
실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치는 서셉터(susceptor, 100), 샤프트(shaft, 200) 및 램프(300, 400)를 포함하여 이루어진다.
챔버에는 웨이퍼(W)의 표면에 에피텍셜(epitaxial)층과 같은 막을 형성하기 위해 가스 유입구(IN) 및 가스 배출구(OUT)가 형성될 수 있다.
웨이퍼(W) 위에 에피택셜층을 성장시키기 위해 필요한 수소 같은 캐리어(carrier) 가스 및/또는 SiHCl3 또는 SiH2Cl2 같은 실란 등의 원료 가스(또는, 반응 가스)가 가스 유입구(IN)를 통해 유입되어 웨이퍼(W)에 에피택셜층이 형성될 수 있고, 에피택셜층의 형성 후에 잔존 가스는 가스 배출구(OUT)를 통해 배출될 수 있다. 도시된 바와 같이, 가스 유입구(IN)와 가스 배출구(OUT)는 서로 대향하여 형성될 수 있다.
그리고, 가스 유입구(IN)와 가스 배출구(OUT) 사이에는 서셉터(100)가 구비되며, 서셉터(100)의 윗면과 거의 동일한 높이에 가스 유입구(IN)와 가스 배출구(OUT)가 위치하므로 가스 유입구(IN)를 통해 유입된 원료 가스가 웨이퍼(W)의 표면을 따라 상태로 흐를 수 있다.
서셉터(100)에는 외부로부터 반입되는 웨이퍼(W)가 안착된다. 서셉터(100)는 탄화 실리콘으로 커버되는 그래파이트(graphite) 재료로 이루어질 수 있으며, 원반 평면 형상을 가질 수 있다. 또한, 서셉터(100)는 다양한 단면 형상을 가질 수 있다.
웨이퍼(W)는 서셉터(100)에 안착된 후, 에피텍셜층이 웨이퍼(W)의 주면 위에 성장될 수 있다. 여기서, 웨이퍼(W)는 실리콘 웨이퍼일 수 있고, 실시예에 따른 웨이퍼(W)의 구경이 300mm일 수 있으나 반드시 이에 한정되지는 않는다.
그리고, 서셉터(100)의 하부에는 서셉터(100)를 지지하는 샤프트(200)가 배치된다. 샤프트(200)는 기둥형태로 구비되는 바디(220)와 바디(220)와 연결되어 서셉터(100)를 지지하는 복수 개의 암(240)으로 구성된다. 웨이퍼(W)에 에피텍셜층을 형성할 때 웨이퍼(W)를 회전시켜야 하는데 웨이퍼(W)가 안착된 서셉터(100)를 샤프트(200)가 지지하면서 샤프트(200)가 회전함으로써 웨이퍼(W)가 회전된다. 여기서, 샤프트(200)의 바디(220) 하단에 회전 구동부(미도시)가 구동하여 샤프트(200)를 회전시킨다.
샤프트(200)는 서셉터(100)를 받치는 역할을 하는 부분으로서, 재질은 석영, 실리콘, 또는 탄화 규소일 수 있으며, 석영에 실리콘이나 탄화 규소의 피막을 입혀 구현될 수 있다.
그리고, 샤프트(200)의 암(240) 끝단에는 서셉터(100)를 지지하는 받침부(242)가 형성되는데, 받침부(242)는 SiC(Silicon carbide)을 포함한다. 이는 웨이퍼 제작 공정 중에 샤프트(200)가 석영 등의 재질로 구비되었을 때 에칭(etching)이 많이 되기 때문에 내구성을 향상시키기 위함이다.
서셉터(100)의 상부와 샤프트(200)의 하부에는 각각 제1 램프(300)와 제2 램프(400)가 설치될 수 있다. 그리고, 웨이퍼(W)에 에피텍셜층을 형성하는 공정에서 웨이퍼를 가열해 주어야 하는데 제1 램프(300)와 제2 램프(400)의 빛에너지가 열에너지로 전환되어 복사열로 웨이퍼를 가열해 주게 된다.
제1 램프(300)와 제2 램프(400)는 할로겐 램프(Halogen lamp)(적외선 램프 또는 원적외선 램프)로 구현될 수 있고 투명한 석영을 몸체로 할 수 있으나, 실시예는 이러한 램프의 형태에 국한되지 않는다.
제1 램프(300)와 제2 램프(400)는 서셉터의 상부와 하부의 온도를 균일하게 가열하는 것이 이상적이며, 램프 하나의 파워는 최대 2 킬로와트일 수 있다.
도 2는 도 1에서 램프의 배치를 상세히 나타낸 도면이다.
제1 램프(300)는 제1-1 램프(310)와 제1-2 램프(320)를 포함하여 이루어지고, 제2 램프(400)는 제2-1 램프(410)와 제4-2 램프(420)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 각각의 램프들은 동일한 전력이 공급될 때 동일한 빛을 방출할 수 있다.
제1-1 램프(310)는 서셉터의 상부에 배치되어 서셉터의 상부의 중앙 영역(Upper Inner) 방향으로 주로 복사열을 공급할 수 있고, 제1-2 램프(320)는 서셉터의 상부에 배치되어 서셉터의 상부의 가장 자리 영역(Upper Outer) 방향으로 주로 복사열을 공급할 수 있는데, 제1-1 램프(310)와 제1-2 램프(320)는 각각 20개와 12개가 구비될 수 있다.
제2-1 램프(410)는 서셉터의 하부 내지 샤프트의 하부에 배치되어 서셉터의 하부의 중앙 영역(Lower Inner) 방향으로 주로 복사열을 공급할 수 있고, 제2-2 램프(420)는 서셉터의 하부 내지 샤프트의 하부에 배치되어 서셉터의 하부의 가장 자리 영역(Lower Outer) 방향으로 주로 복사열을 공급할 수 있는데, 제2-1 램프(410)와 제2-2 램프(420)는 각각 12개와 32개가 구비될 수 있다.
상술한 제1-1 램프(310)와 제1-2 램프(1-2)는 동일한 높이에 배치될 수 있으나, 제2-1 램프(410)는 제2-2 램프(420)보다 아래에 배치될 수 있다.
챔버 내부의 공간, 특히 서셉터의 상부와 하부를 가열할 때, 가열이 시작되는 순간부터 가열이 완료되는 순간까지 제1-1 램프(310)와 제2-1 램프(410)에서 방출되는 빛의 세기가 강해질 수 있다.
도 3a는 가열 초기에 램프에서 방출되는 빛의 세기를 나타낸 도면이고, 도 3b는 가열 종료시에 램프에서 방출되는 빛의 세기를 나타낸 도면이다.
제1 램프와 제2 램프에 공급되는 전력은 각각 42%와 58%일 수 있는데, 즉 서셉터의 상부에 배치된 제1 램프로부터 공급되는 빛의 세기와 서셉터의 하부에 배치된 제2 램프로부터 공급되는 빛의 세기의 비가 일정하되 35 대 65 내지 45 대 55일 수 있는데, 예를 들면 도시된 바와 같이 42 대 58로 일정할 수 있다.
웨이퍼의 하부면은 서셉터에 의하여 지지되어 빛이 상부면보다 직접 전달되기 어려우므로, 상술한 제1 램프로부터 웨이퍼의 상부 영역에 공급되는 빛의 세기와 제2 램프로부터 웨이퍼의 하부 영역에 공급되는 빛의 세기를 고르게 하기 위하여, 제2 램프에 공급되는 전력을 더 크게 할 수 있되, 제1 램프로부터 공급되는 빛의 세기와 서셉터의 하부에 배치된 제2 램프로부터 공급되는 빛의 세기의 비가 35 대 65보다 작으면 웨이퍼의 하부가 지나치게 가열될 수 있고, 45 대 55보다 크면 웨이퍼의 하부 영역에 전달되는 빛의 세기가 작을 수 있다.
그리고, 제1 램프 내에서 제1-1 램프에 공급되는 전력과 제1-2 램프에 공급되는 전력의 비율과, 제2 램프 내에서 제2-1 램프에 공급되는 전력과 제2-2 램프에 공급되는 전력의 비율은 아래와 같이 변할 수 있다.
즉, 서셉터의 하부와 상부에 공급되는 빛의 세기는 일정하되, 각각의 중앙 영역과 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기는 일정하지 않으며, 보다 상세하게는 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 증가하고 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 감소할 수 있는데, 상세히 설명하면 아래와 같다.
도 3a의 가열 단계의 초기에, 웨이퍼 내지 서셉터의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 작을 수 있으나, 가열 단계의 종료시에, 웨이퍼 내지 서셉터의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 클 수 있고, 상세하게는 가열 단계의 종료시에, 웨이퍼 내지 서셉터의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 2배 내지 3배일 수 있다.
보다 상세하게는, 도 3a에서 서셉터의 가열 초반에는 제1-1 램프에서 서셉터의 상부의 중앙 영역에 공급하는 빛의 세기와 제1-2 램프에서 서셉터의 상부의 가장 자리 영역에 공급하는 빛의 세기의 비율은 48% 내 52%일 수 있으나, 제1-1 램프에 공급되는 전력이 증가하고 제1-2 램프에 공급되는 전력이 감소하여, 도 3b에서 서셉터의 가열 후반에는 제1-1 램프에서 서셉터의 상부의 중앙 영역에 공급하는 빛의 세기와 제1-2 램프에서 서셉터의 상부의 가장 자리 영역에 공급하는 빛의 세기의 비율은 72% 내 28%일 수 있다.
그리고, 가열 단계의 초기와 종료시에, 웨이퍼 내지 서셉터의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 작을 수 있다. 상세하게는 웨이퍼 내지 서셉터의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 1/7 내지 1/8일 수 있다. 그리고, 가열 단계의 종료시에, 웨이퍼 내지 서셉터의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 1/4 내지 1/5일 수 있다.
보다 상세하게는, 도 3a에서 서셉터의 가열 초반에는 제2-1 램프에서 서셉터의 하부의 중앙 영역에 공급하는 빛의 세기와 제2-2 램프에서 서셉터의 하부의 가장 자리 영역에 공급하는 빛의 세기의 비율은 11.5% 내 88.5%일 수 있으나, 제2-1 램프에 공급되는 전력이 증가하고 제2-2 램프에 공급되는 전력이 감소하여, 도 3b에서 서셉터의 가열 후반에는 제2-1 램프에서 서셉터의 하부의 중앙 영역에 공급하는 빛의 세기와 제2-2 램프에서 서셉터의 하부의 가장 자리 영역에 공급하는 빛의 세기의 비율은 17% 내 83%일 수 있다.
웨이퍼에서 에피택셜 박막의 성장 공정에서 공정 챔버의 온도는 점차 상승하는데, 아래의 표 1은 각각 650℃와 1050℃에서 웨이퍼의 상부면과 하부면의 중앙 영역과 가장 자리 온도가 가장 균일할 때의 램프의 전력 비율을 나타낸다.
하부의 전력 비율 상부 중앙영역의 전력 비율 하부 중앙영역의 전력 비율
650℃ 58% 52% 12.5%
1050℃ 58% 64% 15.5%
표 1에서 공정 챔버의 내부 온도가 증가할 때, 상부 램프와 하부 램프에 공급되는 전력 비는 일정하되, 상부 중앙 영역과 하부 중앙 영역에 공급되는 전력의 비율이 점차 증가하여야, 웨이퍼의 상부와 하부에서 중앙 영역과 가장 자리 영역의 온도가 일정함을 알 수 있다.
도 4는 제1-1 램프에 공급되는 전력의 프로파일을 나타낸 도면이다.
아래의 표 1에 도시된 바와 같이 상술한 실시예에 따른 웨이퍼의 제조방법에서는, 챔버 내의 서셉터의 상부 및 하부 공간에 복사열을 공급할 때, 램프로부터 중앙 영역에 공급되는 복사열의 세기를 점차 증가하여, 비교예에서 복사열의 세기가 급격히 변화하는 구간이 없다.
즉, 하부 램프의 전력 비율을 일정하여, 상부 램프에 대비하여 하부 램프에서 웨이퍼에 전달되는 복사열은 일정하나, 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 복사열의 세기를 종래의 실시예에서는 일정하게 하였으나 본 실시예에서는 점차 증가시키고 있다.
특히, 종래의 비교예에서는 90초 부근에서 램프로부터 중앙 영역에 공급되는 복사열의 세기가 급격히 변할 수 있으나, 본 실시예에서는 그러하지 아니하다.
비교예 실시예
시점 시작 완료 시작 완료
하부의 전력 비율 58% 58% 58% 58%
상부 중앙 영역의 전력 비율 48% 48% 48% 72%
하부 중앙 영역의 전력 비율 11.5% 11.5% 11.5% 17.5%
도 5a와 도 5b는 표 2에서 실시예에 따른 방법으로 성장된 웨이퍼의 에피택셜층과 비교예에 따른 방법으로 성장된 웨이퍼의 에피택셜층을 나타낸 도면이다.
도 5a는 서셉터의 하부에 58%의 빛을 공급하고 상부에 42%의 빛을 가하되, 제1-1 램프에서 서셉터의 상부에 공급되는 빛을 72%까지 증가시키고 제2-1 램프에서 서셉터의 하부에 공급되는 빛 중 17.5%까지 증가시키켜 성장시킨 웨이퍼의 에피택셜층을 나타낸다.
도 5a에서 웨이퍼에 공급되는 복사열이 완만히 변화하여 에피택셜층 내에서 결함(defect)이 관찰되는 영역이 겨의 없다.
도 5b는 서셉터의 하부에 58%의 빛을 공급하고 하부에 42%의 빛을 가하되, 제1-1 램프에서 서셉터의 상부에 공급되는 빛 중 48%를 지속적으로 가하고 제2-1 램프에서 서셉터의 하부에 공급되는 빛 중 11.5%를 지속적으로 가하여 성장시킨 웨이퍼의 에피택셜층을 나타낸다.
즉, 도 5b에서는 웨이퍼에 공급되는 빛의 세기가 시간의 경과에 따라 동일하게 일정하여, 웨이퍼의 가장 자리 영역에서 결함이 관찰되고 있는데, 이러한 결함은 에피택셜 박막의 성장시에 웨이퍼의 상부면과 하부면의 온도 차이에 기인할 것일 수 있다.
도 5a와 도 5b로부터, 웨이퍼의 성장시에 가해지는 열 특히 웨이퍼의 하부면의 중앙 영역에 가해지는 빛의 세기가 증가할 때 웨이퍼에 발생하는 열위가 감소하는 것을 알 수 있다.
웨이퍼의 상부면과 하부면의 온도 차이에 기인한 결함의 예를 아래에 도시한다.
도 6a와 도 6b는 웨이퍼의 상부와 하부에 가해지는 열의 차이에 따른 웨이퍼의 결함 발생을 나타낸 도면이다.
도 6a는 웨이퍼에 가해지는 열이 서셉터에 가해지는 열보다 많을 때 웨이퍼의 형상을 나타내며, 웨이퍼의 중앙(center) 영역이 서셉터와 충돌하여 피트(pit) 등의 결함이 발생할 수 있다. 그리고, 도 6b는 웨이퍼에 가해지는 열보다 서셉터에 가해지는 열비 많을 때 웨이퍼의 형상을 나타내면, 웨이퍼의 가장 자리(edge) 영역에서 슬립(slip) 등의 결함이 발생할 수 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 서셉터 200 : 샤프트
220 : 바디 240 : 암
242: 받침부 300, 400: 램프
310: 제1-1 램프 320: 제1-2 램프
410: 제2-1 램프 420: 제2-2 램프
W : 웨이퍼

Claims (11)

  1. 챔버 내의 서셉터 상에 웨이퍼를 배치하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 상부 영역와 하부 영역을 가열하는 단계를 포함하고,
    상기 가열하는 단계에서, 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 증가하고 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 감소하고, 상기 웨이퍼의 상부 영역에 공급되는 빛과 하부 영역에 공급되는 빛의 비율은 35 대 65 내지 45 대 55인 웨이퍼의 제조 방법.
  2. 챔버 내의 서셉터 상에 웨이퍼를 배치하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 상부 영역와 하부 영역을 가열하는 단계를 포함하고,
    상기 가열하는 단계에서, 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 증가하고 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 감소하고,
    상기 가열 단계의 초기에 상기 웨이퍼의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 작고, 상기 가열 단계의 종료시에 상기 웨이퍼의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 큰 웨이퍼의 제조 방법.
  3. 챔버 내의 서셉터 상에 웨이퍼를 배치하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 상부 영역와 하부 영역을 가열하는 단계를 포함하고,
    상기 가열하는 단계에서, 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 증가하고 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기가 점차 감소하고,
    상기 가열 단계의 초기와 종료시에 상기 웨이퍼의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 작은 웨이퍼의 제조 방법.
  4. 제1 항 또는 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 단계의 초기에, 상기 웨이퍼의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 작은 웨이퍼의 제조 방법.
  5. 제1 항 또는 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 단계의 종료시에, 상기 웨이퍼의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 큰 웨이퍼의 제조 방법.
  6. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 단계의 종료시에, 상기 웨이퍼의 상부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 2배 내지 3배인 웨이퍼의 제조 방법.
  7. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 상부 영역에 공급되는 빛 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 48%에서 72%로 증가하는 웨이퍼의 제조 방법.
  8. 제1 항 또는 제2 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 단계의 초기와 종료시에, 상기 웨이퍼의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기보다 작은 웨이퍼의 제조 방법.
  9. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 단계의 초기에, 상기 웨이퍼의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 1/7 내지 1/8인 웨이퍼의 제조 방법.
  10. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가열 단계의 종료시에, 상기 웨이퍼의 하부 영역 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 가장 자리 영역에 공급되는 빛의 세기의 1/4 내지 1/5인 웨이퍼의 제조 방법.
  11. 제1 항 내지 제3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 하부 영역에 공급되는 빛 중 중앙 영역에 공급되는 빛의 세기는 11.5에서 17%로 증가하는 웨이퍼의 제조 방법.
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