KR101583693B1 - Ito sputtering target material and method for producing same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, Sn의 함유량이 SnO2량 환산으로 2.5∼10.0질량%이며, In2O3 모상과 당해 In2O3 모상의 입계에 존재하는 In4Sn3O12상을 갖는 ITO 소결체로서, 상대 밀도가 98.0% 이상이며, 상기 In2O3 모상의 평균 입경이 17㎛ 이하이며, 당해 ITO 소결체의 단면이 있어서의 상기 In4Sn3O12상의 면적률이 0.4% 이상인 ITO 소결체, 및 당해 ITO 소결체로 이루어지는 ITO 스퍼터링 타깃재이다. 본 발명의 ITO 소결체는, 가공 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어렵다. 본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재는, 기재에의 접합 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어렵다. 이 때문에, 본 발명의 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재는, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to an ITO sintered body having an In 4 Sn 3 O 12 phase existing in a grain boundary of In 2 O 3 parent phase and the In 2 O 3 parent phase, wherein the content of Sn is 2.5 to 10.0 mass% in terms of SnO 2 , An ITO sintered body having a relative density of 98.0% or more, an average particle diameter of the In 2 O 3 parent phase of 17 μm or less and an area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase in the cross section of the ITO sintered body of 0.4% It is an ITO sputtering target material made of ITO sintered body. INDUSTRIAL APPLICABILITY The ITO sintered body of the present invention is less prone to breakage or deformation in the processing step. INDUSTRIAL APPLICABILITY The ITO sputtering target material of the present invention is less prone to breakage or deformation in the process of bonding to a substrate. Therefore, the ITO sintered body and the ITO sputtering target material of the present invention can improve the production yield.

Description

ITO 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법{ITO SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an ITO sputtering target material and an ITO sputtering target material,

본 발명은, ITO 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ITO sputtering target material and a manufacturing method thereof.

회전식 마그네트론 캐소드 스퍼터링 장치는, 원통형 타깃의 내측에 자장 발생 장치를 갖고, 타깃의 내측으로부터 냉각하면서, 타깃을 회전시키면서 스퍼터링을 행하는 장치이며, 타깃재의 전면이 이로전(erosion)이 되어 균일하게 깎인다. 이 때문에, 평판형 마그네트론 스퍼터링 장치로는 타깃재의 사용 효율이 통상 20∼30%인 것에 반해, 회전식 마그네트론 캐소드 스퍼터링 장치에서는 타깃재의 사용 효율을 70% 이상으로 할 수 있고, 현격하게 높은 사용 효율이 얻어진다. 또한, 회전식 마그네트론 캐소드 스퍼터링 장치에서는, 타깃을 회전시킴으로써, 종래의 평판형 마그네트론 스퍼터링 장치에 비하여 단위 면적당 큰 파워를 투입할 수 있으므로 높은 성막 속도가 얻어진다.A rotary magnetron cathode sputtering apparatus is a device that has a magnetic field generating device inside a cylindrical target and performs sputtering while rotating the target while cooling from the inside of the target. The front surface of the target material is erosioned and uniformly cut . Therefore, in the case of the flat plate type magnetron sputtering apparatus, the use efficiency of the target material is usually 20 to 30%, whereas in the rotary magnetron cathode sputtering apparatus, the use efficiency of the target material can be 70% or more, Loses. Further, in the rotary magnetron cathode sputtering apparatus, by rotating the target, a large power per unit area can be applied as compared with the conventional planar magnetron sputtering apparatus, thereby achieving a high deposition rate.

이러한 회전 캐소드 스퍼터링 방식은, 원통 형상으로 가공이 용이하며 기계적 강도가 강한 금속 타깃재에서는 널리 보급되고 있다. 그러나, 세라믹스는, 강도가 낮고 취약하므로, 원통 형상으로 가공하면 제조 중이나 기재에의 접합 시 등에 깨짐이나 변형 등이 발생하기 쉽다. 이 때문에, 세라믹 스퍼터링 타깃에 대해서는 회전 캐소드 스퍼터링 방식에의 보급은 충분하지 않은 것이 실정이다.Such a rotary cathode sputtering method is widely used in a metal target material having a cylindrical shape that is easy to process and has a high mechanical strength. However, since ceramics are low in strength and fragile, if processed into a cylindrical shape, breakage or deformation is liable to occur during manufacturing or bonding to a substrate. For this reason, the ceramic sputtering target has not been sufficiently supplied to the rotary cathode sputtering system.

ITO(Indium-Tin-Oxide)막은 높은 투과성과 전기 전도성을 가지므로, 플랫 패널 디스플레이의 투명 전극으로서 널리 이용되고 있다. ITO막은, 일반적으로 ITO 스퍼터링 타깃을 스퍼터링함에 의해 형성된다. ITO막은, 통상 SnO2를 10질량% 정도 함유하는 ITO 스퍼터링 타깃을 사용하여 성막되어 있지만, 터치 패널 용도 등에 있어서, 필름 기판 등의 각종 기판에 ITO막을 성막할 때에는 SnO2를 3질량% 정도 함유하는 ITO 스퍼터링 타깃이 사용되고 있다.ITO (Indium-Tin-Oxide) films are widely used as transparent electrodes of flat panel displays because they have high transparency and electrical conductivity. The ITO film is generally formed by sputtering an ITO sputtering target. The ITO film is usually formed by using an ITO sputtering target containing SnO 2 in an amount of about 10 mass%. When the ITO film is formed on various substrates such as a film substrate in a touch panel or the like, SnO 2 is contained in an amount of about 3 mass% ITO sputtering targets are being used.

SnO2의 함유량이 적은 ITO 재료, 예를 들면 SnO2의 함유량이 7질량% 이하인 ITO 재료는 취약하고, 깨지기 쉬운 것이 알려져 있다. 특히, SnO2의 함유량이 5질량% 이하인 ITO 재료는, 취약하고, 깨지기 쉽다. 이러한 SnO2의 함유량이 적은 ITO 재료를, 회전 캐소드 스퍼터링 방식의 타깃재에 이용하기 위해서 원통 형상으로 하면, 또한 깨짐이 생기기 쉽다. 또한, 상기와 같은 SnO2의 함유량이 적은 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재는 기재에 접합할 때에도 깨짐이 생기기 쉽다.It is known that an ITO material having a small SnO 2 content, for example, an ITO material having a SnO 2 content of 7 mass% or less, is fragile and fragile. In particular, an ITO material having a SnO 2 content of 5% by mass or less is fragile and fragile. If an ITO material having a small SnO 2 content is formed into a cylindrical shape for use in a target material of a rotary cathode sputtering method, cracks are likely to occur. Further, the ITO cylindrical sputtering target material having a small SnO 2 content tends to be cracked even when bonded to a substrate.

이 때문에, SnO2의 함유량이 적은 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재에 대해서는, 가공 등의 제조 시 및 접합 시에, 통상의 세라믹 스퍼터링 타깃재보다도 더 고도의 깨짐 방지 기술이 필요하다.Therefore, for ITO cylindrical sputtering target materials having a small SnO 2 content, it is necessary to further prevent breakage of the ceramic sputtering target material compared with a conventional ceramic sputtering target material during manufacturing and joining.

특허문헌 1에는, 밀도가 98% 이상의 세라믹스 원통형 타깃재의 편심을 0.2㎜ 이하로 함에 의해, 열팽창을 균일하게 하여 원통형 기재와 접합할 때의 깨짐을 억제하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 이 기술에 있어서는, 실시예1에도 있듯이, 밀도가 98% 이상으로서 원통형 타깃재의 편심이 0.2㎜ 이하여도 깨짐이 발생하여 있다. 이것은, 접합에 사용하는 저융점 솔더의 두께나 가열하는 히터와의 거리에 차가 생김에 의해 열팽창률이 바뀌기 때문이라고 생각된다.Patent Document 1 discloses a technique for suppressing cracking when joining a cylindrical base material with uniform thermal expansion by setting the eccentricity of a ceramic target having a density of 98% or more to 0.2 mm or less. However, in this technique, as in the first embodiment, cracking occurs even if the density is 98% or more and the eccentricity of the cylindrical target member is 0.2 mm or less. This is presumably because the difference in the thickness of the low melting point solder used for bonding and the distance from the heater for heating causes the thermal expansion rate to change.

특허문헌 2에는, SnO2 농도가 10% 미만이면 소성에 의한 이상(異常)한 입성장에 의해, 강도가 내려가고, 크랙이 발생하는 것이 기술되어 있으며, SnO2의 함유량이 2.5∼5.2질량%의 ITO 스퍼터링 타깃에 있어서 밀도를 7.1g/㎤ 이상으로 함에 의해, 소성체에 발생하는 크랙을 저감하고, 깨짐이나 노즐의 발생을 억제하는 기술이 개시되어 있다. 그러나, 이 기술에서는, 밀도가 7.1g/㎤ 이하의 ITO 타깃에 대해서는 깨짐을 방지할 수 없고, 7.1g/㎤ 이상이어도 사용 효율이 높은 원통 형상의 ITO 타깃에서는 깨짐이 발생하는 경우가 있다.In Patent Document 2, when the SnO 2 concentration is less than 10%, it is described that the strength is lowered and cracks are generated by abnormal grain growth due to firing, and the content of SnO 2 is 2.5 to 5.2 mass% Discloses a technology for reducing cracks generated in a fired body and suppressing generation of cracks and nozzles by setting the density to 7.1 g / cm 3 or more in the ITO sputtering target of the ITO sputtering target. However, in this technique, cracking can not be prevented for an ITO target having a density of 7.1 g / cm 3 or less, and cracking may occur in a cylindrical ITO target having a high use efficiency even if it is 7.1 g / cm 3 or more.

일본국 특개2005-281862호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-281862 일본국 특개2012-126937호 공보Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2012-126937

본 발명의 목적은, 깨짐 등이 발생하기 쉬운 원통 형상이어도, 가공 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어려운 ITO 소결체, 접합 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어려운 ITO 스퍼터링 타깃재, 및 ITO 스퍼터링 타깃, 및 상기 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재의 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an ITO sintered body which is easy to cause cracking or distortion even in a cylindrical shape which is prone to breakage, an ITO sputtering target material which is less prone to breakage or deformation in the joining step, A sputtering target, and a method of manufacturing the ITO sintered body and the ITO sputtering target material.

본 발명의 ITO 소결체는, Sn의 함유량이 SnO2량 환산으로 2.5∼10.0질량%이며, In2O3 모상과 당해 In2O3 모상의 입계에 존재하는 In4Sn3O12상을 갖는 ITO 소결체로서,ITO sintered body of the present invention, the content of Sn is 2.5~10.0% by weight of SnO 2 in terms of amount, In 2 O 3 matrix and ITO having In 4 Sn 3 O 12 phase existing in the grain boundary of that In 2 O 3 matrix As the sintered body,

상대 밀도가 98.0% 이상이며, 상기 In2O3 모상의 평균 입경이 17㎛ 이하이며, 당해 ITO 소결체의 단면에 있어서의 상기 In4Sn3O12상의 면적률이 0.4% 이상이다.The relative density is 98.0% or more, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase is 17 μm or less, and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase in the cross section of the ITO sintered product is 0.4% or more.

본 발명의 ITO 소결체는 원통형으로 할 수 있다.The ITO sintered body of the present invention can be formed into a cylindrical shape.

본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재는 상기 ITO 소결체로 이루어진다.The ITO sputtering target material of the present invention is made of the ITO sintered body.

본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃은, 상기 ITO 스퍼터링 타깃재를 기재에 접합재에 의해 접합하여 이루어진다.The ITO sputtering target of the present invention is formed by bonding the ITO sputtering target material to a base material with a bonding material.

본 발명의 ITO 소결체의 제조 방법은,In the method for producing an ITO sintered body of the present invention,

ITO 원료 분말로부터 제작되는 ITO 성형체를 소성하는 소성 공정, 및 상기 소성 공정에서 얻어진 소성물을 냉각하는 냉각 공정을 포함하고,And a cooling step of cooling the fired product obtained in the firing step, wherein the firing step comprises firing the ITO formed body produced from the ITO raw material powder,

상기 냉각 공정에 있어서, 1200∼1350℃의 범위이며, 또한 상기 ITO 성형체를 소성하는 소성 온도 이하의 온도 범위에 있어서의 냉각을 강온 속도 25℃/h 이하에서 행한다.The cooling in the cooling step is carried out at a cooling rate of 25 DEG C / h or lower in a temperature range of 1,200 to 1,350 DEG C and not more than a firing temperature for firing the ITO formed body.

본 발명의 다른 ITO 소결체의 제조 방법은,In another method of manufacturing an ITO sintered body of the present invention,

ITO 원료 분말로부터 제작되는 ITO 성형체를 소성하는 소성 공정, 및 상기 소성 공정에서 얻어진 소성물을 냉각하는 냉각 공정을 포함하고,And a cooling step of cooling the fired product obtained in the firing step, wherein the firing step comprises firing the ITO formed body produced from the ITO raw material powder,

상기 냉각 공정에 있어서, 1200∼1500℃의 범위이며, 또한 상기 소성 온도 이하의 온도 범위에 있어서의 냉각을 강온 속도 25℃/h 이하에서 행한다.In the cooling step, the cooling is carried out at a cooling rate of 25 ° C / h or lower in a temperature range of 1200 to 1500 ° C and a temperature not higher than the firing temperature.

상기 ITO 소결체의 제조 방법에 있어서, 상기 ITO 성형체 및 ITO 소결체는 원통형으로 할 수 있다.In the method of manufacturing the ITO sintered body, the ITO molded body and the ITO sintered body may be cylindrical.

본 발명의 ITO 타깃재의 제조 방법은, 상기의 제조 방법에 의해 ITO 소결체를 제조하고, 얻어진 ITO 소결체를 가공하여 타깃재를 제조한다.In the method for producing an ITO target material of the present invention, an ITO sintered body is manufactured by the above-described manufacturing method, and the obtained ITO sintered body is processed to produce a target material.

본 발명의 ITO 소결체는, 깨짐 등이 발생하기 쉬운 원통 형상이어도, 가공 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어렵다. 본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재는, 깨짐 등이 발생하기 쉬운 원통 형상이어도, 기재에의 접합 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어렵다. 이 때문에, 본 발명의 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재는, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY The ITO sintered body of the present invention is hardly cracked or deformed in the processing step even if it is in a cylindrical shape susceptible to breakage or the like. INDUSTRIAL APPLICABILITY Although the ITO sputtering target material of the present invention is in a cylindrical shape susceptible to cracking or the like, cracking or deformation does not easily occur in the bonding step with the substrate. Therefore, the ITO sintered body and the ITO sputtering target material of the present invention can improve the production yield.

본 발명의 ITO 소결체의 제조 방법은, 상기 ITO 소결체를 효율적으로 제조할 수 있다.The ITO sintered body of the present invention can efficiently produce the ITO sintered body.

도 1은, 본 발명의 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재의 조직 개략도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a structural schematic view of an ITO sintered body and an ITO sputtering target material of the present invention. FIG.

이하, 본 발명에 따른 ITO 소결체, ITO 스퍼터링 타깃재 및 ITO 스퍼터링 타깃 및 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재의 제조 방법에 대해서 상술한다. 본 발명에 포함되는 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재의 형상은, 평판형 및 원통형 등 특히 제한은 없지만, 특히 깨짐이나 변형이 발생하기 쉬운 원통형에 있어서 큰 효과가 얻어진다.Hereinafter, the ITO sintered body, ITO sputtering target material, ITO sputtering target, ITO sintered body and ITO sputtering target material according to the present invention will be described in detail. The shape of the ITO sintered body and the ITO sputtering target material included in the present invention is not particularly limited, such as a flat plate shape and a cylindrical shape, but a great effect is obtained especially in a cylindrical shape where breakage and deformation are likely to occur.

<ITO 소결체><ITO sintered body>

본 발명의 ITO 소결체는, Sn의 함유량이 SnO2량 환산으로 2.5∼10.0질량%이며, In2O3 모상과 In2O3 모상의 입계에 존재하는 In4Sn3O12상을 갖는 ITO 소결체로서, 상대 밀도가 98.0% 이상이며, 상기 In2O3 모상의 평균 입경이 17㎛ 이하이며, 당해 ITO 소결체의 단면에 있어서의 상기 In4Sn3O12상의 면적률이 0.4% 이상이다.ITO sintered body of the present invention, the content of Sn is 2.5~10.0% by weight of SnO 2 in terms of amount, ITO sintered body having an In 2 O 3 matrix and In 4 Sn 3 O 12 phase in the grain boundaries that exist in the In 2 O 3 matrix , The relative density is 98.0% or more, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase is 17 μm or less, and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase in the cross section of the ITO sintered product is 0.4% or more.

도 1에, 본 발명의 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재의 조직 개략도를 나타낸다. 도 1은, 본 발명의 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재의 단면을 주사형 전자현미경으로 관찰하여 얻어진 조직 화상을 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 있어서, 부호 1이 In2O3 모상이며, 부호 2가 In4Sn3O12상이다. In4Sn3O12상(2)은, In2O3 모상(1)의 입계에 존재하고 있다. 본 발명에 있어서 In2O3 모상이란, In2O3에 SnO2가 일부 고용(固溶)하여 형성된 In2O3상을 말한다.Fig. 1 is a schematic view of the structure of the ITO sintered body and the ITO sputtering target material of the present invention. BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a diagram schematically showing a tissue image obtained by observing a cross section of an ITO sintered body and an ITO sputtering target material of the present invention with a scanning electron microscope. In Fig. 1, reference numeral 1 denotes In 2 O 3 parent phase and reference numeral 2 denotes In 4 Sn 3 O 12 phase. The In 4 Sn 3 O 12 phase (2) is present at the grain boundaries of the In 2 O 3 parent phase (1). In 2 O 3 matrix is according to the invention, the SnO 2 In 2 O 3 refers to some employment (固溶) formed by In 2 O 3 phase.

본 발명의 ITO 소결체에 있어서는, In2O3 모상의 평균 입경이 17㎛ 이하이며, 바람직하게는 3∼15㎛, 보다 바람직하게는 5∼15㎛이다. 여기에서 In2O3 모상의 입경은, 상기 조직 화상 상에서 수평 페레경으로서 구해진다. 수평 페레경은, 상기 주사형 전자현미경 관찰에 있어서의 입자 해석에 의해 구해지는 값이다. In2O3 모상의 평균 입경은, 주사형 전자현미경을 사용하여 배율 1000배로 100㎛×130㎛의 시야를 무작위로 10 시야 관찰하고, 시야마다의 그 시야에 포함되는 모든 In2O3 모상에 대해서 구한 수평 페레경의 값을 평균하여 시야마다의 평균 수평 페레경을 산출하고, 또한 모든 시야에 있어서 얻어진 평균 수평 페레경을 평균한 것이다. 상기 In2O3 모상의 평균 입경이 17㎛ 이하이면, ITO 소결체가 가공 공정에서 깨지기 어려워지고, 또한 그 ITO 소결체로부터 얻어지는 ITO 스퍼터링 타깃재는, 기재에의 접합 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어려워진다. 한편, 평균 입경이 작으면 입계가 많아져 저항이 높아지는 경우가 있으므로 In2O3 모상의 평균 입경은 3㎛ 이상인 것이 바람직하다.In the ITO sintered body of the present invention, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase is 17 μm or less, preferably 3 to 15 μm, and more preferably 5 to 15 μm. Here, the particle size of the In 2 O 3 parent phase is obtained as the horizontal ferrite diameter on the above-mentioned tissue image. The horizontal ferrite diameter is a value obtained by particle analysis in the scanning electron microscope observation. The average particle size of the In 2 O 3 matrix is, every week In 2 O 3 matrix included in the visual field of the scanning electron microscopic observation using the 10 fields of view at a magnification of 1000 times the field of view of random 100㎛ × 130㎛, and each of the viewing The average horizontal perigee obtained for each field of view is averaged, and the average horizontal perigie obtained for all fields is averaged. If the average grain size of the In 2 O 3 parent phase is less than 17 탆, the ITO sintered body becomes difficult to break in the processing step, and the ITO sputtering target material obtained from the ITO sintered body is cracked or deformed in the joining step with the substrate It gets harder. On the other hand, if the average particle size is small, the grain size increases and the resistance may increase. Therefore, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase is preferably 3 μm or more.

본 발명의 ITO 소결체에 있어서는, 그 단면에 있어서의 In4Sn3O12상의 면적률이 0.4% 이상이며, 바람직하게는 0.5∼5%, 보다 바람직하게는 0.5∼2.5%이다. 여기에서 In4Sn3O12상의 면적률은, 본 ITO 소결체의 단면에 있어서, 주사형 전자현미경을 사용하여 배율 3000배로 33㎛×43㎛의 시야를 무작위로 10 시야 관찰하고, 각 시야에 있어서의 In4Sn3O12상의 총 면적의, 시야 면적(33×43μ㎡)에 대한 백분율의 값을 구하고, 또한 모든 시야에 있어서 얻어진 상기 백분율의 값을 평균하여 얻어진 수치이다.In the ITO sintered body of the present invention, the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase in the cross section is 0.4% or more, preferably 0.5 to 5%, and more preferably 0.5 to 2.5%. Here, the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase was observed at a cross section of the present ITO sintered body by using a scanning electron microscope at a magnification of 3000 times at a field of 33 탆 43 탆 randomly for 10 days, Of the total area of the In 4 Sn 3 O 12 phase is calculated by obtaining a percentage of the total area of the In 4 Sn 3 O 12 phase relative to the visual field area (33 x 43 mu m) and averaging the values of the above obtained percentages in all fields of view.

상기 In2O3 모상의 평균 입경이 17㎛ 이하이며, 또한 상기 면적률이 0.4% 이상이면, In4Sn3O12상이 입계에 광면적으로 존재함에 의해 인성(靭性)이 높아져 깨짐에 강해지므로, 보다 ITO 소결체가 가공 공정에서 깨지기 어려워지고, 또한 그 ITO 소결체로부터 얻어지는 ITO 스퍼터링 타깃재는, 기재에의 접합 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어려워진다. 한편, In4Sn3O12상이 스퍼터링 중의 아킹이나 노즐의 발생의 원인이 될 가능성이 낮아진다는 관점에서는 상기 면적률이 5% 이하인 것이 바람직하다.If the average grain size of the In 2 O 3 parent phase is not more than 17 μm and the area ratio is not less than 0.4%, since the In 4 Sn 3 O 12 phase exists in the grain boundary, the toughness is increased, , The ITO sintered body becomes more difficult to break in the processing step than the ITO sintered body and the ITO sputtering target material obtained from the ITO sintered body is less prone to breakage or deformation in the joining step with the substrate. On the other hand, it is preferable that the area ratio is 5% or less from the viewpoint that the possibility that the In 4 Sn 3 O 12 phase is the cause of arcing or nozzle generation during sputtering is reduced.

본 발명의 ITO 소결체는, Sn의 함유량이 SnO2량 환산으로 2.5∼10.0질량%이다. Sn의 함유량이 상기 범위 내이면, 스퍼터링 타깃재로서 유효하게 이용할 수 있고, 또한 가공, 기재에의 접합에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어렵다. 특히 Sn의 함유량이 SnO2량 환산으로 2.5∼6.0질량%이면, 본 발명의 ITO 소결체로부터, 플랫 패널 디스플레이나 터치 패널의 투명 전극 등을 제작하기 위한 ITO 스퍼터링 타깃재를 제조할 수 있다. 또한, 상술과 같이, Sn의 함유량이 SnO2량 환산으로 2.5∼6.0질량%인 종래의 ITO 소결체는 취약하고, 깨지기 쉽지만, 본 발명의 ITO 소결체는, Sn의 함유량이 상기 범위여도 깨지기 어렵다. 또한, Sn의 함유량이 SnO2량 환산으로 3.0∼5.0질량%이면, 유용한 상기 ITO 스퍼터링 타깃재를 제조할 수 있고, 또한 가공, 기재에의 접합에 있어서의 깨짐이나 변형 등을 효과적으로 방지할 수 있다.The ITO sintered body of the present invention has a Sn content of 2.5 to 10.0 mass% in terms of SnO 2 . When the content of Sn is within the above range, it can be effectively used as a sputtering target material, and cracking, deformation, and the like are hardly caused in processing and bonding to a substrate. Especially when the content of Sn is 2.5 to 6.0 mass% in terms of SnO 2 , an ITO sputtering target material for manufacturing a flat panel display, a transparent electrode of a touch panel, or the like can be manufactured from the ITO sintered body of the present invention. As described above, the conventional ITO sintered body having a Sn content of 2.5 to 6.0 mass% in terms of SnO 2 amount is fragile and fragile, but the ITO sintered body of the present invention is hardly broken even if the content of Sn is within the above range. When the content of Sn is 3.0 to 5.0 mass% in terms of SnO 2 , the useful ITO sputtering target material can be produced, and cracking, deformation, and the like in bonding to the substrate can be effectively prevented .

본 발명의 ITO 소결체는, 상대 밀도가 98.0% 이상이며, 바람직하게는 98.5% 이상, 보다 바람직하게는 99.0% 이상이다. 상대 밀도가 98.0%보다 작으면, 강도가 불충분해지고, 깨지기 쉬워진다.The ITO sintered body of the present invention has a relative density of 98.0% or more, preferably 98.5% or more, and more preferably 99.0% or more. If the relative density is less than 98.0%, the strength becomes insufficient and fragile.

즉, 상기 In2O3 모상의 평균 입경, 상기 면적률 및 상대 밀도의 요건이 만족됨에 의해, 본 발명의 ITO 소결체는 가공 공정에서 깨짐이 충분히 억제되고, 또한 그 ITO 소결체로부터 얻어지는 ITO 스퍼터링 타깃재는 기재에의 접합 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 충분히 억제된다.That is, since the ITO sintered body of the present invention is sufficiently prevented from being broken by satisfying the requirements of the average particle size, the area ratio and the relative density of the In 2 O 3 parent phase, the ITO sputtering target material obtained from the ITO sintered body Cracking, deformation, and the like in the joining step to the base material are sufficiently suppressed.

종래의 원통 형상을 갖는 ITO 소결체는, 상술과 같이, 깨짐이나 변형이 생기기 쉬웠지만, 본 발명의 ITO 소결체는, 원통 형상이어도 가공 공정에 있어서 깨짐이나 변형 등이 발생하기 어렵다. 이 때문에, 원통 형상의 본 ITO 소결체로부터 원통 형상의 ITO 제품, 예를 들면 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재 등을 호적하게 제조할 수 있다.The ITO sintered body having a conventional cylindrical shape tends to be cracked or deformed as described above, but the ITO sintered body of the present invention is hardly broken or deformed in the processing step even in a cylindrical shape. Therefore, a cylindrical ITO product such as an ITO cylindrical sputtering target material can be produced suitably from the cylindrical ITO sintered body.

본 발명의 ITO 소결체는, 그 크기에는 특히 제한은 없다. ITO 원통형 소결체가 스퍼터링 타깃재로 가공되는 경우에는, 그 크기는, 대략 외경 140∼170㎜, 내경 110∼140㎜, 길이 50㎜ 이상이다. 길이는 용도에 따라 적의 결정된다.The sintered ITO of the present invention is not particularly limited in its size. When the ITO cylindrical sintered body is processed into a sputtering target material, its size is approximately 140 to 170 mm in outer diameter, 110 to 140 mm in inner diameter, and 50 mm or more in length. The length is determined by the enemy depending on the purpose.

<ITO 스퍼터링 타깃재><ITO sputtering target material>

본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재는, 상기 ITO 소결체로 이루어진다. 본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재는, 상기 ITO 소결체에 적의 가공, 예를 들면 절삭 가공 등을 실시함에 의해 제작된다.The ITO sputtering target material of the present invention comprises the ITO sintered body. The ITO sputtering target material of the present invention is produced by subjecting the ITO sintered body to an enemy process, for example, a cutting process.

따라서, 본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재는, 상기 ITO 소결체가 만족시키고 있는 Sn의 함유량, 상대 밀도, In2O3 모상의 평균 입경 및 In4Sn3O12상의 면적률에 관한 조건을 전부 만족하고 있다. 본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재에 있어서의 이들 조건에 대한 설명은, 상기 ITO 소결체에 있어서 설명한 이들 조건에 대한 설명과 같다.Therefore, the ITO sputtering target material of the present invention satisfies all the conditions regarding the content of Sn, the relative density, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase, and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 satisfied by the ITO sintered body . The description of these conditions in the ITO sputtering target material of the present invention is the same as the explanation of these conditions described in the ITO sintered body.

본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재는, 상기 조건을 만족시키므로 강도가 높고, 깨짐이나 변형을 발생하기 어렵고, 원통형이어도 깨짐이나 변형을 발생하기 어렵다.Since the ITO sputtering target material of the present invention satisfies the above conditions, it has a high strength and is less prone to cracking or deformation, and cracking or deformation does not easily occur even in a cylindrical shape.

ITO 스퍼터링 타깃재는, 스퍼터링에 제공되는 경우, 통상 티타늄제 등의 기재에 솔더를 사용하여 접합된다. ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 경우, 이 접합은 통상, 타깃재 및 원통형 기재를 가열하고, 타깃재의 내주면 및 원통형 기재의 외주면에 솔더를 도포하고, 타깃재의 공동(空洞) 내에 원통형 기재를 삽입하고, 양자의 솔더층을 맞춘 후, 냉각함에 의해 행해진다. 이 냉각 시, 타깃재와 기재와의 열팽창계수의 차에 기인하여 타깃재에 응력이 발생한다. 종래의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재는 상기 응력에 완전히 저항하지 못하여, 접합 공정에 있어서 깨지는 경우가 많았다. 이에 반해, 본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃재는, 상술과 같이 강도가 높으므로, 원통형이어도, 접합 공정에 있어서 상기 응력이 발생해도 깨짐이나 변형을 일으키기 어렵다.The ITO sputtering target material, when provided for sputtering, is usually bonded using a solder to a base material such as titanium. In the case of the ITO cylindrical sputtering target material, this bonding is usually performed by heating the target material and the cylindrical substrate, applying solder to the inner peripheral surface of the target material and the outer peripheral surface of the cylindrical substrate, inserting the cylindrical substrate in the cavity of the target material, The solder layer is aligned and then cooled. During this cooling, a stress is generated in the target material due to a difference in thermal expansion coefficient between the target material and the base material. The conventional ITO cylindrical sputtering target material is not completely resistant to the above stress and is often broken in the bonding process. On the other hand, the ITO sputtering target material of the present invention has a high strength as described above, so even if it is cylindrical, it is hard to cause cracking or deformation even when the stress is generated in the bonding step.

<ITO 스퍼터링 타깃><ITO sputtering target>

본 발명의 ITO 스퍼터링 타깃은, 상기 ITO 스퍼터링 타깃재를 기재에 접합재에 의해 접합하여 이루어진다.The ITO sputtering target of the present invention is formed by bonding the ITO sputtering target material to a base material with a bonding material.

상기 기재는, 통상, 스퍼터링 타깃재를 접합할 수 있는 평판상 또는 원통 형상을 갖는다. 기재의 종류에는 특히 제한은 없고, 종래 사용되고 있는 기재로부터 적의 선택하여 사용할 수 있다. 기재의 재료로서는, 예를 들면 스테인리스, 티타늄 등을 들 수 있다.The substrate usually has a flat plate or cylindrical shape to which a sputtering target material can be bonded. There is no particular limitation on the kind of the substrate, and the substrate may be selected from the materials conventionally used. As the material of the substrate, for example, stainless steel, titanium and the like can be given.

상기 접합재의 종류에도 특히 제한은 없고, 종래 사용되고 있는 접합재로부터 적의 선택하여 사용할 수 있다. 접합재로서는, 예를 들면 인듐제의 솔더 등을 들 수 있다.There is no particular limitation on the type of the bonding material, and the bonding material may be selected from the bonding materials conventionally used. As the bonding material, for example, indium solder and the like can be mentioned.

스퍼터링 타깃재는, 1개의 기재에 복수개 접합되어 있어도 된다. 예를 들면, ITO 원통형 스퍼터링 타깃재는, 1개의 기재의 외측에, 1개 접합되어도 되며, 2개 이상을 동일 축선 상에 나열하여 접합되어도 된다. 2개 이상을 나열하여 접합하는 경우, 각 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재 간의 극간, 즉 분할부의 길이는 통상 0.05∼0.5㎜이다. 분할부의 길이가 짧을수록 스퍼터링 시에 아킹이 발생하기 어렵지만, 0.05㎜ 미만이면 접합 공정이나 스퍼터링 중의 열팽창에 의해 타깃재끼리가 부딪쳐서, 깨지는 경우가 있다.A plurality of the sputtering target materials may be bonded to one base material. For example, the ITO cylindrical sputtering target material may be bonded to the outside of one base material, or two or more ITO cylindrical sputtering target materials may be bonded together on the same axis. When two or more of the ITO cylindrical sputtering target materials are joined together, the distance between the ITO cylindrical sputtering target members, that is, the length of the divided portion is usually 0.05 to 0.5 mm. Arching is less likely to occur at the time of sputtering as the length of the divided portion is shorter. However, if the length is less than 0.05 mm, the target materials may collide with each other due to thermal expansion during the joining process or sputtering, and may be broken.

접합 방법에도 특히 제한은 없고, 종래의 ITO 스퍼터링 타깃과 같은 방법을 채용할 수 있다.The bonding method is not particularly limited, and a method similar to that of the conventional ITO sputtering target can be employed.

<ITO 소결체의 제조 방법>&Lt; Manufacturing method of ITO sintered body >

본 발명의 상기 ITO 소결체의 제조 방법은, ITO 성형체를 소성하는 소성 공정, 및 상기 소성 공정에서 얻어진 소성물을 냉각하는 공정을 포함하고, 제1 태양은, 상기 냉각 공정에 있어서, 1200∼1500℃의 범위이며, 또한 상기 ITO 성형체를 소성하는 온도 이하의 온도 범위에 있어서의 냉각을 강온 속도 25℃/h 이하로 행하고, 제2 태양은, 상기 냉각 공정에 있어서, 1200∼1350℃의 범위이며, 또한 상기 ITO 성형체를 소성하는 온도 이하의 온도 범위에 있어서의 냉각을 강온 속도 25℃/h 이하에서 행한다.The method for producing an ITO sintered body according to the present invention includes a sintering step of sintering the ITO molded body and a step of cooling the sintered body obtained in the sintering step. The first aspect is characterized in that in the cooling step, And the cooling in the temperature range below the temperature at which the ITO formed body is baked is carried out at a temperature lowering rate of 25 DEG C / h or lower, and the second temperature is in the range of 1200 DEG C to 1350 DEG C in the cooling step, The cooling in the temperature range below the temperature at which the ITO molded body is baked is carried out at a cooling rate of 25 DEG C / h or lower.

구체적으로는, 이하의 제조 방법에 의해, 상기 본 발명의 ITO 소결체를, 깨짐이나 변형 등을 발생시키지 않고 효율적으로 제조할 수 있지만, 본 발명의 ITO 소결체의 제조 방법은, 상기 제조 조건을 제외하고는 제한되지 않고, 이하의 제조 방법에 한정되는 것은 아니다.Specifically, the ITO sintered body of the present invention can be efficiently produced without causing cracking or deformation by the following production method. However, the manufacturing method of the ITO sintered body of the present invention is not limited to the above- Is not limited to the following production methods.

본 발명의 ITO 소결체의 제조 방법에 있어서의 호적한 태양은, 원료 분말 및 유기 첨가물을 함유하는 슬러리로부터 과립을 조제하는 공정1, 상기 과립을 CIP 성형하여 성형체를 제작하는 공정2, 상기 성형체를 탈지하는 공정3, 상기 탈지된 성형체를 소성하는 공정4, 및 상기 소성 공정에서 얻어진 소성물을 냉각하는 공정5를 포함한다.A preferred embodiment of the method for producing an ITO sintered body of the present invention is a step 1 for preparing granules from a slurry containing a raw material powder and an organic additive, a step 2 for producing a molded article by CIP molding the granules, A step 4 for firing the degreased molded body, and a step 5 for cooling the fired product obtained in the firing step.

(공정1)(Step 1)

공정1에서는, 원료 분말 및 유기 첨가물을 함유하는 슬러리로부터 과립을 조제한다.In Step 1, granules are prepared from a slurry containing a raw material powder and an organic additive.

원료 분말 및 유기 첨가물로부터 과립을 조제하고, 그 과립을 공정2의 CIP 성형에 제공함에 의해, 원료의 충전성이 향상하고, 고밀도의 성형체를 얻을 수 있다. 또한, 충전 불균일이 발생하기 어려워져, 균일한 충전이 가능해진다. 프레스 불균일도 발생하기 어려워진다.By providing the granules from the raw material powder and the organic additive and providing the granules to the CIP molding in the step 2, the filling property of the raw material is improved and a high-density molded article can be obtained. In addition, charging unevenness is less likely to occur, and uniform charging is enabled. So that it becomes difficult for the press unevenness to occur.

원료 분말로서, In2O3 분말 및 SnO2 분말의 혼합 분말을 사용할 수 있고, ITO 분말을 단독으로, 또는 In2O3 분말 및 SnO2 분말과 혼합하여 사용해도 된다. 본 발명에 있어서, 과립의 조제에 제공되는 이들 원료 분말의 혼합 분말, 및 ITO 분말이 단독으로 사용되는 경우에는 그 ITO 분말을 ITO 원료 분말이라고도 한다. In2O3 분말, SnO2 분말 및 ITO 분말은, BET(Brunauer-E㎜ett-Teller)법으로 측정한 비표면적이 각각 통상 1∼40㎡/g이다. In2O3 분말, SnO2 분말 및 ITO 분말의 혼합 비율은, 본 소결체에 있어서의 구성 원소의 함유량이 상술의 범위 내가 되도록 적의 결정된다. 예를 들면, 최종적으로 얻어지는 소결체에 있어서의 SnO2량 환산에서의 Sn의 함유량이 5.0질량%인 경우에는, 소결체에 있어서의 SnO2량 환산에서의 Sn의 함유량이 5.0질량%가 되도록, ITO 원료 분말에 포함되는 각 원료 분말의 비율이 결정된다.As the raw material powder, a mixed powder of In 2 O 3 powder and SnO 2 powder can be used, and the ITO powder may be used singly or in combination with In 2 O 3 powder and SnO 2 powder. In the present invention, when mixed powders of these raw material powders provided for preparation of granules and ITO powder alone are used, the ITO powder is also referred to as ITO raw material powder. The In 2 O 3 powder, the SnO 2 powder and the ITO powder have a specific surface area of usually 1 to 40 m 2 / g measured by a BET (Brunauer-Emmett-Teller) method. The mixing ratio of the In 2 O 3 powder, the SnO 2 powder and the ITO powder is determined so that the content of the constituent element in the sintered body is within the above-mentioned range. For example, when the content of Sn in the SnO 2 From the amount in terms of the sintered compact finally obtained is 5.0% by mass, the content of Sn in the amount of SnO 2 in terms of the sintered body such that 5.0 mass%, ITO material The ratio of each raw material powder contained in the powder is determined.

본 제조 방법에 있어서는, In2O3 분말 및 SnO2 분말의 혼합 분말을 ITO 원료 분말로서 사용하는 경우, ITO 원료 분말에 있어서의 SnO2 분말의 함유량(질량%)이, 최종적으로 얻어지는 소결체 및 타깃재에 있어서의 SnO2량 환산에서의 Sn의 함유량(질량%)과 동시(同視)할 수 있는 것이 확인되어 있다. 또한, ITO 원료 분말이 ITO 분말을 포함하는 경우에는, ITO 원료 분말에 있어서의 SnO2 분말의 함유량(질량%)과 ITO 분말에 있어서의 SnO2량 환산에서의 Sn의 함유량(질량%)과의 합계가, 최종적으로 얻어지는 소결체 및 타깃재에 있어서의 SnO2량 환산에서의 Sn의 함유량(질량%)과 동시할 수 있는 것이 확인되어 있다.In the present manufacturing method, when a mixed powder of In 2 O 3 powder and SnO 2 powder is used as the ITO raw material powder, the content (% by mass) of the SnO 2 powder in the ITO raw material powder is set so that the final sintered product and the target (Mass%) of Sn in terms of SnO 2 content in the ash. When the ITO raw material powder contains ITO powder, the content (% by mass) of SnO 2 powder in the ITO raw material powder and the content (% by mass) of Sn in terms of SnO 2 amount in the ITO powder It is confirmed that the total can be concurrently with the content (% by mass) of Sn in terms of SnO 2 in the final sintered body and the target material.

분말의 혼합 방법에는 특히 제한은 없고, 예를 들면, 각 분말 및 지르코니아 볼을 포트에 넣어, 볼밀 혼합할 수 있다.There are no particular restrictions on the mixing method of powders, and for example, each powder and zirconia balls can be put into a pot and mixed by a ball mill.

상기 유기 첨가물은, 슬러리나 성형체의 성상을 호적하게 조정하기 위해서 첨가되는 물질이다. 유기 첨가물로서는, 바인더, 분산제 및 가소제 등을 들 수 있다.The organic additive is a substance added in order to suitably adjust the properties of a slurry or a molded article. Examples of the organic additives include binders, dispersants, and plasticizers.

공정1에 있어서, 유기 첨가물의 양은 ITO 원료 분말의 양에 대하여 0.3∼2.0질량%가 바람직하다. 유기 첨가물의 상기 배합량이 2.0질량%보다 많으면, 탈매 중의 성형체의 강도 저하가 커지고, 탈지 깨짐이 쉬워지거나, 탈지 후에 성형체 중에 공공(空孔)이 많아지고, 고밀도화하기 어려워지거나 하는 경우가 있다. 유기 첨가물의 상기 배합량이 0.3질량%보다 적으면, 각 성분의 충분한 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다. 유기 첨가물의 배합량을 상기 범위 내로 하면, 상대 밀도가 98.0% 이상인 ITO 소결체를 제조할 수 있다.In Step 1, the amount of the organic additive is preferably 0.3 to 2.0 mass% with respect to the amount of the ITO raw material powder. If the blending amount of the organic additive is more than 2.0% by mass, the strength of the molded article during degreasing tends to be lowered, the degreasing cracking is likely to occur, or the vacancies in the molded article are increased in the molded article after degreasing. When the above-mentioned compounding amount of the organic additive is less than 0.3 mass%, sufficient effect of each component may not be obtained. When the blending amount of the organic additive is within the above range, an ITO sintered body having a relative density of 98.0% or more can be produced.

바인더는, 성형체에 있어서 ITO 원료 분말을 바인드하고, 성형체의 강도를 높이기 위해서 첨가된다. 바인더로서는, 공지의 분말 소결법에 있어서 성형체를 얻을 때에 통상 사용되는 바인더를 사용할 수 있다.The binder is added in order to bind the ITO raw material powder in the molded body and increase the strength of the molded body. As the binder, a binder usually used in obtaining a molded article in a known powder sintering method can be used.

분산제는, 슬러리 중의 원료 분말 및 바인더의 분산성을 높이기 위해서 첨가된다. 분산제로서는, 예를 들면 폴리카르복시산암모늄, 폴리아크릴산암모늄 등을 들 수 있다.The dispersant is added to increase the dispersibility of the raw material powder and the binder in the slurry. Examples of the dispersing agent include ammonium polycarboxylate and ammonium polyacrylate.

가소제는, 성형체의 가역성을 높이기 위해서 첨가된다. 가소제로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌글리콜(PEG), 에틸렌글리콜(EG) 등을 들 수 있다.The plasticizer is added to improve the reversibility of the molded article. Examples of the plasticizer include polyethylene glycol (PEG), ethylene glycol (EG), and the like.

원료 분말 및 유기 첨가물을 함유하는 슬러리를 조제할 때에 사용하는 분산매에는 특히 제한은 없고, 목적에 따라, 물, 알코올 등으로부터 적의 선택하여 사용할 수 있다.The dispersion medium to be used in preparing the slurry containing the raw material powder and the organic additive is not particularly limited and may be selected from water, alcohol or the like, depending on the purpose.

원료 분말 및 유기 첨가물을 함유하는 슬러리를 조제하는 방법에는 특히 제한은 없고, 예를 들면, 원료 분말, 유기 첨가물 및 분산매를 포트에 넣어, 볼밀 혼합하는 방법을 사용할 수 있다.A method for preparing the slurry containing the raw material powder and the organic additive is not particularly limited, and for example, a method of mixing the raw material powder, the organic additive and the dispersion medium into a pot and mixing them with a ball mill can be used.

슬러리로부터 과립을 조제하는 방법에는, 특히 제한은 없고, 예를 들면 스프레이 드라이법, 전동 조립법, 압출 조립법 등을 사용할 수 있다. 이들 중에서, 과립의 유동성이 높고, 성형 시에 부서지기 쉬운 과립을 제작하기 쉬운 등의 점에서, 스프레이 드라이법이 바람직하다. 스프레이 드라이법의 조건에는 특히 제한은 없고, ITO 원료 분말의 조립에 통상 사용되는 조건을 적의 선택하여 실시할 수 있다.A method for preparing the granules from the slurry is not particularly limited, and for example, a spray drying method, a power assembly method, an extrusion assembly method, or the like can be used. Among them, the spray drying method is preferable in that the granules have high fluidity and it is easy to produce granules that are liable to be broken at the time of molding. The conditions of the spray drying method are not particularly limited, and the conditions usually used for the assembly of the ITO raw material powder can be appropriately selected.

(공정2)(Step 2)

공정2에서는, 공정1에서 조제된 과립을 CIP 성형(Cold Isostatic Pressing(냉간 등방압 성형))하여 성형체를 제작한다. 성형체의 형상을 평판형으로 하면 ITO 평판형 소결체가 얻어지고, 원통형으로 하면 ITO 원통형 소결체가 얻어진다.In Step 2, the granules prepared in Step 1 are CIP-molded (Cold Isostatic Pressing) to prepare a molded article. An ITO flat sintered body is obtained when the shape of the molded body is flat, and an ITO cylindrical sintered body is obtained when it is cylindrical.

CIP 성형 시의 압력은, 통상 800kgf/㎠ 이상이다. 압력이 높을수록, 과립을 치밀하게 성형할 수 있고, 성형체를 고밀도화 및 고강도화할 수 있다.The pressure at the time of CIP molding is usually 800 kgf / cm 2 or more. The higher the pressure, the more compact granules can be formed, and the higher density and higher strength of the formed body can be achieved.

(공정3)(Step 3)

공정3에서는, 공정2에서 제작된 성형체를 탈지한다. 탈지는 성형체를 가열함에 의해 행해진다.In Step 3, the formed body produced in Step 2 is degreased. Degreasing is carried out by heating the molded body.

탈지 온도는, 통상 600∼800℃, 바람직하게는 700∼800℃, 보다 바람직하게는 750∼800℃이다. 탈지 온도가 높을수록 성형체의 강도가 높아지지만, 800℃를 초과하면 성형체의 수축이 일어나므로, 800℃ 이하로 탈지하는 것이 바람직하다.The degreasing temperature is usually 600 to 800 deg. C, preferably 700 to 800 deg. C, and more preferably 750 to 800 deg. The higher the degreasing temperature, the higher the strength of the formed body. However, if the degreasing temperature is higher than 800 ° C, the molded body shrinks, so it is preferable to degrease the molded body at 800 ° C or lower.

(공정4)(Step 4)

공정4 즉 소성 공정에서는, 공정3에서 탈지된 성형체를 소성한다.In the step 4, that is, in the firing step, the degreased molded body is fired in the step 3.

소성로에는 특히 제한은 없고, ITO 소결체의 제조에 종래 사용되고 있는 소성로를 사용할 수 있다.There is no particular limitation on the firing furnace, and a firing furnace conventionally used for the production of the ITO sintered body can be used.

소성 온도는, 통상 1450∼1700℃, 바람직하게는 1500∼1650℃, 보다 바람직하게는 1500∼1600℃이다. 소성 온도가 높을수록 고밀도의 소결체가 얻어지지만, 너무 높으면 소결체의 소결 조직이 비대화하여 깨지기 쉬워진다. 소성 시간은, 통상 3∼30시간, 바람직하게는 5∼20시간, 보다 바람직하게는 8∼16시간이다. 소성 시간이 길수록 소결체가 고밀도화하기 쉽지만, 너무 길면 소결체의 소결 조직이 비대화하여 깨지기 쉬워진다.The firing temperature is usually 1450 to 1700 占 폚, preferably 1500 to 1650 占 폚, and more preferably 1500 to 1600 占 폚. The sintered body having a high density is obtained as the sintering temperature is higher, but if it is too high, the sintered body of the sintered body will become larger and more likely to break. The baking time is usually 3 to 30 hours, preferably 5 to 20 hours, and more preferably 8 to 16 hours. The longer the sintering time, the higher the density of the sintered body. However, if the sintered body is too long, the sintered body of the sintered body becomes larger and more likely to break.

승온 속도는 통상 100∼500℃/h이다.The temperature raising rate is usually 100 to 500 占 폚 / h.

소성의 분위기는 통상, 산소 분위기이다.The firing atmosphere is usually an oxygen atmosphere.

(공정5)(Step 5)

공정5에서는, 공정4에서 얻어진 소성물을 냉각한다. 공정5 즉 냉각 공정에 있어서는, 온도는 저하하거나, 또는 일정하게 유지된다.In Step 5, the fired product obtained in Step 4 is cooled. In step 5, that is, in the cooling step, the temperature is lowered or kept constant.

본 발명의 ITO 소결체의 제조 방법의 제1 태양에 있어서는, 얻어진 소성물을 냉각할 때의 강온 속도를, 1200℃∼1500℃의 범위이며, 또한 상기 소성 온도 이하의 온도 범위(이하, 특정 온도 범위라고도 함)에 있어서 25℃/h 이하, 바람직하게는 20℃/h 이하, 보다 바람직하게는 15℃/h 이하, 더 바람직하게는 10℃/h 이하로 한다. 즉, 성형체의 소성 온도가 1500℃ 이상인 경우에는, 1200℃∼1500℃의 온도 범위에 있어서의 강온 속도를 25℃/h 이하로 한다. 성형체의 소성 온도가 1500℃보다 낮은 경우에는, 1200℃로부터 그 소성 온도까지의 온도 범위에 있어서의 강온 속도를 25℃/h 이하로 한다. 예를 들면, 성형체의 소성 온도가 1450℃의 경우에는, 1200∼1450℃의 온도 범위에 있어서의 강온 속도를 25℃/h 이하로 한다.In the first aspect of the method for producing an ITO sintered body of the present invention, the cooling rate at the time of cooling the obtained fired body is set in the range of 1200 ° C to 1500 ° C and the temperature range below the firing temperature (hereinafter referred to as a specific temperature range H, preferably 20 deg. C / h or less, more preferably 15 deg. C / h or less, and further preferably 10 deg. C / h or less. That is, when the firing temperature of the compact is 1500 ° C or higher, the rate of temperature decrease in the temperature range of 1200 ° C to 1500 ° C is set to 25 ° C / h or lower. When the firing temperature of the molded article is lower than 1500 캜, the temperature decreasing rate in the temperature range from 1200 캜 to the firing temperature is set to 25 캜 / h or lower. For example, when the firing temperature of the compact is 1450 占 폚, the rate of temperature decrease in the temperature range of 1200 to 1450 占 폚 is set to 25 占 폚 / h or less.

소성에 의해 얻어진 소성물을 냉각하면, 어느 온도에서 In2O3 모상에 고용한 SnO2가 In4Sn3O12상으로서 석출한다. In4Sn3O12가 석출하는 온도 부근을 천천히 냉각함에 의해, In4Sn3O12상의 면적을 크게 할 수 있고, 상기 면적률이 얻을 수 있다. 또한 그 결과, In2O3 모상의 입경이 과대화하는 것을 억제할 수 있고, 상기 In2O3 모상의 평균 입경을 얻을 수 있다. In4Sn3O12가 석출하는 온도는 통상 상기 특정 온도 범위에 포함된다. 즉, 상기 특정 온도 범위에서 In2O3 모상에 고용한 SnO2가 In4Sn3O12상으로서 석출한다. 이 때문에, 상기 특정 온도 범위의 강온 속도를 25℃/h 이하로 함에 의해, In4Sn3O12상의 면적률, 및 In2O3 모상의 입경을 제어할 수 있다. 상기 특정 온도 범위에 있어서의 강온 속도는 작을수록, In4Sn3O12상의 면적을 크게 할 수 있고, In2O3 모상의 입경의 과대화를 억제할 수 있으므로 바람직하고, 그 하한값에 제한은 없다.When the fired product obtained by firing is cooled, the SnO 2 solidified in the In 2 O 3 parent phase at a certain temperature precipitates as an In 4 Sn 3 O 12 phase. By slowly cooling the vicinity of the temperature at which In 4 Sn 3 O 12 is precipitated, the area of the In 4 Sn 3 O 12 phase can be increased, and the above area ratio can be obtained. As a result, it is possible to suppress the particle size of the In 2 O 3 parent phase from becoming excessive, and to obtain the average particle size of the In 2 O 3 parent phase. The temperature at which In 4 Sn 3 O 12 precipitates is usually included in the above specific temperature range. That is, the SnO 2 solidified in the In 2 O 3 parent phase precipitates as the In 4 Sn 3 O 12 phase in the above specific temperature range. Therefore, the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase and the grain size of the In 2 O 3 parent phase can be controlled by setting the cooling rate of the specific temperature range to 25 ° C / h or lower. The lowering rate of the temperature in the specific temperature range is preferable because it is possible to increase the area of the In 4 Sn 3 O 12 phase and suppress the increase of the grain size of the In 2 O 3 phase. none.

특정 온도 범위에 있어서의 강온 속도는 일정할 필요는 없고, 25℃/h 이하의 범위 내에서 변동해도 되며, 또한 특정 온도 범위에 있어서 강온 속도가 0℃/h가 되는 시간이 있어도 상관없다.The rate of decline in temperature in a specific temperature range is not necessarily constant but may fluctuate within a range of 25 占 폚 / h or less, and there may be a time at which the rate of decline is 0 占 폚 / h in a specific temperature range.

상기 특정 온도 범위 이외의 온도 범위, 즉 성형체의 소성 온도가 1500℃보다 높은 경우에는 그 소성 온도로부터 1500℃까지의 온도 범위 및 1200℃보다 낮은 온도 범위, 성형체의 소성 온도가 1500℃ 이하인 경우에는, 1200℃보다 낮은 온도 범위에 있어서, 강온 속도는 통상 10∼100℃/h, 바람직하게는 20∼70℃/h, 보다 바람직하게는 20∼50℃/h이다. 강온 속도가 작을수록 열응력차에 의한 깨짐이 일어나기 어려워지지만, 10℃/h보다 작게 해도 열응력차는 통상 바뀌지 않는다.When the firing temperature of the green body is higher than 1500 ° C., the firing temperature of the green body is lower than 1500 ° C. and the firing temperature of the green body is lower than 1500 ° C., In the temperature range lower than 1200 deg. C, the temperature decreasing rate is usually 10 to 100 deg. C / h, preferably 20 to 70 deg. C / h, more preferably 20 to 50 deg. The smaller the cooling rate is, the more difficult it is to break due to the difference in thermal stress. However, even if the heating rate is lower than 10 占 폚 / h, the difference in thermal stress is not normally changed.

본 발명의 ITO 소결체의 제조 방법의 제2 태양에 있어서는, 얻어진 소성물을 냉각할 때의 강온 속도를, 1200℃∼1350℃의 범위이며, 또한 상기 소성 온도 이하의 온도 범위에 있어서 25℃/h 이하, 바람직하게는 20℃/h 이하, 보다 바람직하게는 15℃/h 이하, 더 바람직하게는 10℃/h 이하로 한다. 제2 태양은, 상기 제1 태양을 보다 효율적으로 실시하는 것이다. 즉, 제2 태양은, 공정에 걸리는 소요 시간을 보다 단축할 수 있고, 혹은 특히 조직 형성에 중요한 1200℃∼1350℃의 온도 범위에 있어서의 냉각 속도를 보다 정밀하게 제어하여, 소망의 조직을 얻을 수 있는 것이다. 제2 태양의 실시 조건은, 강온 속도를 규정하는 온도 범위 이외, 상기 제1 태양과 같다.In the second aspect of the method for producing an ITO sintered body according to the present invention, the rate of temperature reduction at the time of cooling the obtained fired body is set to a range of 1200 ° C. to 1350 ° C. and a temperature of 25 ° C./h Preferably not more than 20 占 폚 / h, more preferably not more than 15 占 폚 / h, more preferably not more than 10 占 폚 / h. The second aspect is to carry out the first aspect more efficiently. In other words, the second aspect can further shorten the time required for the process, or more precisely control the cooling rate in the temperature range of 1200 DEG C to 1350 DEG C, which is particularly important for formation of a structure, You can. The operating conditions of the second mode are the same as those of the first mode except for the temperature range that defines the cooling rate.

냉각의 분위기는 통상, 산소 분위기이다.The cooling atmosphere is usually an oxygen atmosphere.

상기 소성물을 냉각함에 의해 ITO 소결체가 얻어진다.The sintered body is cooled to obtain an ITO sintered body.

상기 ITO 소결체의 제조 방법에 의해, 상술의 본 발명의 ITO 소결체를 효율적으로 제조할 수 있다.The above-described ITO sintered body of the present invention can be efficiently produced by the above-mentioned production method of the ITO sintered body.

<ITO 원통형 타깃재의 제조 방법><Manufacturing Method of ITO Cylindrical Target Member>

본 발명의 ITO 타깃재의 제조 방법은, 상술의 ITO 소결체의 제조 방법에 의해 ITO 소결체를 제조하고, 얻어진 ITO 소결체를 가공하여 ITO 타깃재를 제조한다. 통상, 소결체의 형상이 평판형이면 ITO 평판형 타깃재가 제조되고, 원통형이면 ITO 원통형 타깃재가 제조된다.In the method for producing an ITO target material of the present invention, an ITO sintered body is manufactured by the above-described method for producing an ITO sintered body, and the obtained ITO sintered body is processed to produce an ITO target material. Normally, if the sintered body has a flat plate shape, an ITO flat plate type target material is manufactured, and if it is cylindrical, an ITO cylindrical target material is manufactured.

ITO 소결체의 가공 방법은, 목적으로 하는 ITO 타깃재에 따라 적의 선택된다. 상기 가공 방법으로서는, 예를 들면 절삭 가공 등을 들 수 있다.The processing method of the ITO sintered body is selected according to the target ITO target material. Examples of the processing method include a cutting process and the like.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 더 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described more specifically based on examples.

실시예 및 비교예에 있어서 얻어진 ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재의 평가 방법은 이하와 같다.The evaluation methods of the ITO sintered body and the ITO sputtering target material obtained in the examples and the comparative examples are as follows.

1. 상대 밀도1. Relative density

ITO 소결체의 상대 밀도는 아르키메데스법에 의거하여 측정했다. 구체적으로는, ITO 소결체의 공중 중량을 체적(ITO 소결체의 수중 중량/계측 온도에 있어서의 물 비중)으로 나누고, 하기 식(X)에 의거하는 이론 밀도ρ(g/㎤)에 대한 백분율의 값을 상대 밀도(단위 : %)로 했다.The relative density of the ITO sintered bodies was measured according to the Archimedes method. Specifically, the weight of the ITO sintered body is divided by the volume (the weight of water in the ITO sintered body / the specific gravity of water at the measurement temperature), and the value of the percentage of the theoretical density? (G / cm3) Relative density (unit:%).

Figure 112015114944216-pct00001
Figure 112015114944216-pct00001

식(X) 중, C1∼Ci는 각각 소결체의 구성 물질의 함유량(중량%)을 나타내고, ρ1∼ρi는 C1∼Ci에 대응하는 각 구성 물질의 밀도(g/㎤)를 나타낸다.In the formula (X), C 1 to C i each represent the content (wt%) of the constituent material of the sintered body, ρ 1 to ρ i denote the density (g / cm 3) of each constituent material corresponding to C 1 to C i , .

2. ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재의 깨짐2. Breaking of ITO sintered body and ITO sputtering target material

ITO 소결체 및 ITO 스퍼터링 타깃재를 목시로 관찰하고, ITO 소결체를 가공했을 때의 당해 소결체의 깨짐(이하, 가공 깨짐이라고도 함) 및 ITO 스퍼터링 타깃재를 접합했을 때의 당해 타깃재의 깨짐(이하, 접합 깨짐이라고도 함)의 유무를 확인했다.The ITO sintered body and the ITO sputtering target material are observed with the naked eye and the breakage of the sintered body when the ITO sintered body is processed (hereinafter also referred to as machining breakage) and the breaking of the target material when the ITO sputtering target material is bonded Broken).

3. In2O3 모상의 평균 입경3. Average particle size of In 2 O 3 parent phase

In2O3 모상의 평균 입경 즉 수평 페레경의 평균값은, 이하와 같이 하여 구했다. ITO 소결체를 다이아몬드 커터에 의해 절단하여 얻어진 절단면을, 에머리지 #170, #320, #800, #1500, #2000을 사용하여 단계적으로 연마하고, 최후에 버프연마하여 경면(鏡面)으로 마무리한 후, 40℃의 에칭액(질산(60∼61% 수용액, 간토가가쿠(주)제, 질산 1.38 Cica 1급 제품 번호 28161-03), 염산(35.0∼37.0% 수용액, 간토가가쿠(주)제, 염산 Cica 1급 제품 번호 18078-01) 및 순수를 체적비로 HCl:H2O:HNO3=1:1:0.08의 비율로 혼합)에 9분간 침지하여 에칭을 행하고, 나타난 면을 주사형 전자현미경(JXA-8800-R, JEOL샤제)을 사용하여 관찰했다. 무작위로 선택한 10 시야에서 배율 1000배로 사진 촬영을 행하여, 100㎛×130㎛의 조직 화상을 얻었다.The average particle size of the In 2 O 3 parent phase, that is, the average value of the horizontal ferrite phase was obtained as follows. The cut surface obtained by cutting the ITO sintered body with a diamond cutter was polished stepwise using emery papers # 170, # 320, # 800, # 1500 and # 2000, and finally buffed and finished with a mirror finish (35.0 to 37.0% aqueous solution, manufactured by Kanto Kagaku Co., Ltd.), 40 占 폚 of an etching solution (nitric acid (60 to 61% aqueous solution, manufactured by Kanto Kagaku Co., 1: 1: 0.08) at a volume ratio of HCl: H 2 O: HNO 3 = 1: 1: 0.08) at a volume ratio of 1: 1: 0.08) for etching for 9 minutes and the resulting surface was observed with a scanning electron microscope (JXA-8800-R, JEOL Co., Ltd.). Photographing was performed at a magnification of 1000 times at 10 randomly selected fields of view to obtain a tissue image of 100 mu m x 130 mu m.

입자 해석 소프트웨어(입자 해석 Version3.0, 스미토모긴조쿠테크놀로지 가부시키가이샤제)를 사용하여, 우선 각상의 SEM상을 트레이스하여 스캐너로 화상 인식시켜, 이 화상을 이치화했다. 이때, 1화소가 ㎛ 단위로 표시되도록 환산값을 설정했다. 이어서, 계측 항목으로서 수평 페레경을 선택함에 의해, In2O3 모상의 수평 방향의 전체 화소수로부터 수평 페레경(㎛)을 산출했다. 10 시야에 있어서 산출된 수평 페레경의 평균값을 본 발명에 있어서의 In2O3 모상의 평균 입경으로 했다.The SEM image of each phase was first traced using particle analysis software (Particle Analysis Version 3.0, manufactured by Sumitomo Ginkgo Technology Co., Ltd.), image recognition was performed with a scanner, and this image was binarized. At this time, a conversion value is set so that one pixel is displayed in units of 탆. Then, by selecting the horizontal ferrules as measurement items, the horizontal ferrules (占 퐉) were calculated from the total number of pixels in the horizontal direction of the In 2 O 3 parent phase. The average value of the horizontal ferrules calculated in the 10 field of view was regarded as the average grain size of the In 2 O 3 parent phase in the present invention.

4. In4Sn3O12상의 면적률4. Area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase

ITO 소결체에 대하여 상기 「3. In2O3 모상의 평균 입경」과 같은 처리를 행하여, 절단면을 주사형 전자현미경(JXA-8800-R, JEOL샤제)으로 관찰했다. 무작위로 선택한 10 시야에서 배율 3000배로 사진 촬영을 행하여, 33㎛×43㎛의 조직 화상을 얻었다.For the ITO sintered body, Average particle diameter of In 2 O 3 parent phase &quot;, and the cut surface was observed with a scanning electron microscope (JXA-8800-R, JEOL Shafer). Photographing was performed at a magnification of 3000 times at 10 randomly selected fields of view to obtain a tissue image of 33 mu m x 43 mu m.

입자 해석 소프트웨어(입자 해석 Version3.0, 스미토모긴조쿠테크놀로지 가부시키가이샤제)를 사용하여, 우선 결정립의 SEM상을 트레이스하고 스캐너로 화상 인식시켜, 이 화상을 이치화했다. 이때, 1화소가 ㎛ 단위로 표시되도록 환산값을 설정했다. In4Sn3O12상의 면적을 구하여, 시야 면적(33×43μ㎡)에 대한 백분율의 값을 면적률로서 구했다. 10 시야에 있어서 얻어진 면적률의 평균값을 ITO 소결체에 있어서의 In4Sn3O12상의 면적률로 했다.Using a particle analysis software (Particle Analysis Version 3.0, manufactured by Sumitomo Ginkgo Technology Co., Ltd.), an SEM image of a crystal grain was first traced and image recognition was performed with a scanner, and this image was binarized. At this time, a conversion value is set so that one pixel is displayed in units of 탆. The area of the In 4 Sn 3 O 12 phase was determined, and the value of the percentage with respect to the visual field area (33 × 43 μm 2) was obtained as the area ratio. The average value of the area ratios obtained in the 10 field of view was defined as the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase in the ITO sintered body.

[실시예1][Example 1]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 2.5질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder was 2.5% And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 포트에, 바인더로서, ITO 원료 분말에 대하여 0.3질량%의 폴리비닐알코올, 분산제로서, ITO 원료 분말에 대하여 0.2질량%의 폴리카르복시산암모늄, 가소제로서, ITO 원료 분말에 대하여 0.5질량%의 폴리에틸렌글리콜, 및 분산매로서, ITO 원료 분말에 대하여 50질량%의 물을 더해, 볼밀 혼합하여 슬러리를 조제했다.To this pot, 0.3 mass% of polyvinyl alcohol as a binder, 0.2 mass% of ammonium polycarboxylate with respect to the ITO raw material powder, 0.5 mass% of polyethylene glycol as a plasticizer as a plasticizer, , And 50% by mass of water was added to the ITO raw material powder as a dispersion medium, followed by ball milling to prepare a slurry.

이 슬러리를 스프레이 드라이 장치에 공급하고, 애터마이즈 회전수 14,000rpm, 입구 온도 200℃, 출구 온도 80℃의 조건에서 스프레이 드라이를 행하여, 과립을 조제했다.This slurry was supplied to a spray dryer, and spray dried at conditions of an atmospheric rotational speed of 14,000 rpm, an inlet temperature of 200 캜 and an outlet temperature of 80 캜 to prepare granules.

상기 과립을 300㎜×500㎜의 금형에 충전하고, 200kgf/㎠의 압력으로 콜드 프레스법에 의해 성형하여, 평판상의 가성형체를 제작했다.The granules were filled in a mold of 300 mm x 500 mm and molded by a cold press method at a pressure of 200 kgf / cm 2 to prepare a planar false-shape body.

상기 가성형체를 진공 패킹하고, 800kgf/㎠의 압력으로 CIP 성형하여, 평판상의 성형체를 제작했다.The above false-shaped body was vacuum packed and subjected to CIP molding at a pressure of 800 kgf / cm 2 to produce a flat plate-shaped molded body.

이 성형체를 가열 탈지했다. 탈지 온도는 600℃, 탈지 시간은 10시간, 승온 속도는, 400℃까지의 온도 범위에서는 20℃/h, 400℃보다 높은 온도 범위에서는 50℃/h로 했다.This molded article was heated and degreased. The degreasing temperature was 600 ° C., the degreasing time was 10 hours, the heating rate was 20 ° C./h in the temperature range up to 400 ° C., and 50 ° C./h in the temperature range higher than 400 ° C.

탈지된 성형체를, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1500℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h의 조건에서 소성했다. 1500℃∼1200℃의 온도 범위에 있어서의 강온 속도를 10℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 하여, 얻어진 소성물을 냉각했다. 얻어진 소결체의 상대 밀도는 98.6%, In2O3 모상의 평균 입경은 7.0㎛, In4Sn3O12상의 면적률은 0.8%였다.The degreased compact was fired in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1500 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The fired product was cooled by setting the temperature decreasing rate in the temperature range of 1500 占 폚 to 1200 占 폚 to 10 占 폚 / h and the temperature decreasing rate outside the above temperature range to 50 占 폚 / h. The relative density of the obtained sintered body was 98.6%, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase was 7.0 μm, and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase was 0.8%.

얻어진 소결체를 절삭 가공하여, 단변 200㎜, 장변 350㎜, 두께 9㎜의 ITO 평판 스퍼터링 타깃재를 30매 제조했다. 상기 가공에 의해 30매 중 1매도 깨짐은 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut to produce 30 ITO flat plate sputtering target materials having a short side of 200 mm, a long side of 350 mm and a thickness of 9 mm. No breakage occurred in one of the 30 sheets by the above processing.

구리제 백킹 플레이트에 상기 타깃재 9매를, 인접하는 타깃재의 장변부가 대향하도록 일렬로 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합은, 타깃재 및 백킹 플레이트를 150℃로 가열하고, 타깃재 및 백킹 플레이트의 접합면에 인듐 솔더를 도포하여, 양자의 솔더층을 맞춘 후, 냉각함에 의해 실시했다.9 pieces of the target material were bonded to a copper backing plate by In solder in a line so that the long side portions of the adjacent target materials were opposed to each other to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. The bonding was performed by heating the target material and the backing plate to 150 캜, applying indium solder to the bonding surfaces of the target material and the backing plate, aligning the solder layers of both, and cooling.

접합 후의 타깃재를 확인한 바, 1매도 깨짐은 발생하여 있지 않았다.When the target material after the bonding was confirmed, no cracks were found in one piece.

제조 조건, 소결체의 상대 밀도, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률, 가공 깨짐 및 접합 깨짐의 결과를 표 1에 나타냈다.Table 1 shows the manufacturing conditions, the relative density of the sintered body, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase, the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase, the processing breakage and the joint breaking.

이하의 실시예2∼12, 비교예1∼5에 대해서도 제조 조건, 소결체의 상대 밀도, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률, 가공 깨짐 및 접합 깨짐의 결과를 표 1에 나타냈다. 또, 표 1에 있어서, 가공 깨짐 및 접합 깨짐에 대한 「X/Y」라고 하는 표기는, 시험에 제공한 시험체 Y개 중 X개에 깨짐이 생긴 것을 나타낸다. 예를 들면, 가공 깨짐에 대한 「1/30」이라는 표기는, 시험에 제공한 소결체 30개 중 1개에 깨짐이 생긴 것을 나타낸다.For the following Examples 2 to 12 and Comparative Examples 1 to 5, the manufacturing conditions, the relative density of the sintered body, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase, the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase, Table 1 shows the results. In Table 1, the notation "X / Y" for machining breakage and joint breakage indicates that X out of the Y test pieces provided for the test is broken. For example, the notation &quot; 1/30 &quot; for machining breakage indicates that one of the 30 sintered bodies provided for the test is cracked.

[실시예2][Example 2]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예1과 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 1.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1500℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1500℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 20℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.8%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 9.5㎛, 0.5%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1500 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The cooling rate was 20 ° C / h from the temperature of 1500 ° C to 1200 ° C, and the cooling rate was 50 ° C / h outside the temperature range. The density of the obtained fired body was 98.8%, and the average particle size of the In 2 O 3 parent phase and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase were 9.5 μm and 0.5%, respectively.

얻어진 소결체를 절삭 가공하여, 단변 200㎜, 장변 350㎜, 두께 9㎜의 ITO 평판 스퍼터링 타깃재를 30매 제조했다. 상기 가공에 의해 30매 중 1매도 깨짐은 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut to produce 30 ITO flat plate sputtering target materials having a short side of 200 mm, a long side of 350 mm and a thickness of 9 mm. No breakage occurred in one of the 30 sheets by the above processing.

실시예1과 마찬가지로 구리제 백킹 플레이트에, 상기 타깃재 9매를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 1매도 깨짐은 발생하여 있지 않았다.Similarly to Example 1, 9 pieces of the target material were bonded to a copper backing plate by In solder to produce an ITO target. When the target material after the bonding was confirmed, no cracks were found in one piece.

[실시예3][Example 3]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 5질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder was 5 mass% And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예1과 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 1.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1500℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1500℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 15℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 99.2%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 11.5㎛, 0.7%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1500 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The cooling rate was set at 15 deg. C / h from 1500 deg. C to 1200 deg. C, and the cooling rate was set at 50 deg. C / h outside the temperature range. The density of the obtained fired body was 99.2%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 11.5 μm and 0.7%, respectively.

얻어진 소결체를 절삭 가공하여, 단변 200㎜, 장변 350㎜, 두께 9㎜의 ITO 평판 스퍼터링 타깃재를 30매 제조했다. 상기 가공에 의해 30매 중 1매도 깨짐은 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut to produce 30 ITO flat plate sputtering target materials having a short side of 200 mm, a long side of 350 mm and a thickness of 9 mm. No breakage occurred in one of the 30 sheets by the above processing.

실시예1과 마찬가지로 구리제 백킹 플레이트에, 상기 타깃재 9매를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 1매도 깨짐은 발생하여 있지 않았다.Similarly to Example 1, 9 pieces of the target material were bonded to a copper backing plate by In solder to produce an ITO target. When the target material after the bonding was confirmed, no cracks were found in one piece.

[실시예4][Example 4]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 2.5질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder was 2.5% And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 포트에, 바인더로서, ITO 원료 분말에 대하여 0.3질량%의 폴리비닐알코올, 분산제로서, ITO 원료 분말에 대하여 0.2질량%의 폴리카르복시산암모늄, 가소제로서, ITO 원료 분말에 대하여 0.5질량%의 폴리에틸렌글리콜, 및 분산매로서, ITO 원료 분말에 대하여 50질량%의 물을 더해, 볼밀 혼합하여 슬러리를 조제했다.To this pot, 0.3 mass% of polyvinyl alcohol as a binder, 0.2 mass% of ammonium polycarboxylate with respect to the ITO raw material powder, 0.5 mass% of polyethylene glycol as a plasticizer as a plasticizer, , And 50% by mass of water was added to the ITO raw material powder as a dispersion medium, followed by ball milling to prepare a slurry.

이 슬러리를 스프레이 드라이 장치에 공급하고, 애터마이즈 회전수 14,000rpm, 입구 온도 200℃, 출구 온도 80℃의 조건에서 스프레이 드라이를 행하여, 과립을 조제했다.This slurry was supplied to a spray dryer, and spray dried at conditions of an atmospheric rotational speed of 14,000 rpm, an inlet temperature of 200 캜 and an outlet temperature of 80 캜 to prepare granules.

외경 150㎜의 원주상의 중자(심봉)를 갖는 내경 220㎜(두께 10㎜), 길이 450㎜의 원통 형상의 우레탄 고무형에, 상기 과립을 태핑시키면서 충전하고, 고무형을 밀폐 후, 800kgf/㎠의 압력으로 CIP 성형하여, 원통형의 성형체를 제작했다.The granules were filled while being tapped on a cylinder-shaped urethane rubber mold having an inner diameter of 220 mm (thickness 10 mm) and a length of 450 mm and having a cylindrical inner diameter of 150 mm in outer diameter, and the rubber mold was sealed at 800 kgf / Cm &lt; 2 &gt; to produce a cylindrical molded body.

이 성형체를 가열 탈지했다. 탈지 온도는 600℃, 탈지 시간은 10시간, 승온 속도는, 400℃까지의 온도 범위에서는 20℃/h, 400℃보다 높은 온도 범위에서는 50℃/h로 했다.This molded article was heated and degreased. The degreasing temperature was 600 ° C., the degreasing time was 10 hours, the heating rate was 20 ° C./h in the temperature range up to 400 ° C., and 50 ° C./h in the temperature range higher than 400 ° C.

탈지된 성형체를, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1500℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h의 조건에서 소성했다. 1500℃∼1200℃의 온도 범위에 있어서의 강온 속도를 10℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 하여, 얻어진 소성물을 냉각했다.The degreased compact was fired in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1500 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The fired product was cooled by setting the temperature decreasing rate in the temperature range of 1500 占 폚 to 1200 占 폚 to 10 占 폚 / h and the temperature decreasing rate outside the above temperature range to 50 占 폚 / h.

얻어진 소결체의 상대 밀도는 98.8%, In2O3 모상의 평균 입경은 6.6㎛, In4Sn3O12상의 면적률은 0.9%였다.The relative density of the obtained sintered body was 98.8%, the average particle size of the In 2 O 3 parent phase was 6.6 μm, and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase was 0.9%.

얻어진 소결체를 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 절삭 가공은, 지석(砥石)을 사용하여 외경을 가공하고, 외경을 지그로 유지하여 내경을 가공한 후, 내경을 지그로 유지하여 외경의 마무리 가공을 함에 의해 행했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 1개도 깨짐은 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. The cutting was performed by machining the outer diameter using a grinding stone, machining the inner diameter while keeping the outer diameter of the jig, and then finishing the outer diameter by keeping the inner diameter of the jig. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. No cracking occurred in any of the 30 pieces by the above processing.

외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합은, 타깃재 및 원통형 기재를 150℃로 가열하고, 타깃재의 내주면 및 원통형 기재의 외주면에 인듐 솔더를 도포하고, 타깃재의 공동 내에 원통형 기재를 삽입하고, 양자의 솔더층을 맞춘 후, 냉각함에 의해 실시했다.An indium tin oxide (ITO) target was prepared by joining the above target materials with In solder on a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm and a length of 3200 mm. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. The joining was performed by heating the target material and the cylindrical base material to 150 DEG C, applying indium solder to the inner peripheral surface of the target material and the outer peripheral surface of the cylindrical base material, inserting the cylindrical base material in the cavity of the target material, aligning the both of the solder layers, .

접합 후의 타깃재를 확인한 바, 1개도 깨짐은 발생하여 있지 않았다.When the target material after the bonding was confirmed, none of the cracks occurred.

[실시예5][Example 5]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1470℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1470℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 10℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.1%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 4.2㎛, 0.8%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1470 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The cooling rate was 10 ° C / h from 1470 ° C to 1200 ° C, and the cooling rate was 50 ° C / h outside the above temperature range. The density of the obtained fired body was 98.1%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 4.2 μm and 0.8%, respectively.

얻어진 소결체를 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 1개에 깨짐이 발생했다.The obtained sintered body was cut to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. Cracking occurred in one of the thirty pieces by the above processing.

외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 깨짐은 1개도 발생하여 있지 않았다.An indium tin oxide (ITO) target was prepared by joining the above target materials with In solder on a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm and a length of 3200 mm. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, no cracking occurred.

[실시예6][Example 6]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1520℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1500℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 10℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.5%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 10.8㎛, 0.9%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1520 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. In the temperature lowering, the temperature lowering rate from 1500 ° C to 1200 ° C was set to 10 ° C / h, and the temperature lowering rate outside the above temperature range was set to 50 ° C / h. The density of the obtained fired body was 98.5%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 10.8 μm and 0.9%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 깨짐은 1개도 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. No fracture occurred among the 30 pieces by the above-mentioned machining.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 깨짐은 1개도 발생하여 있지 않았다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, no cracking occurred.

[실시예7][Example 7]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1500℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1500℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 20℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.4%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 9.2㎛, 0.4%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1500 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The cooling rate was 20 ° C / h from the temperature of 1500 ° C to 1200 ° C, and the cooling rate was 50 ° C / h outside the temperature range. The density of the obtained fired body was 98.4%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 9.2 μm and 0.4%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 2개에 깨짐이 발생했다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. Two of the 30 pieces were cracked due to the above processing.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 1개에 깨짐이 발생하여 있었다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was checked, one piece was cracked.

[실시예8][Example 8]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1550℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1500℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 10℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 99.2%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 13.1㎛, 1.0%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1550 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. In the temperature lowering, the temperature lowering rate from 1500 ° C to 1200 ° C was set to 10 ° C / h, and the temperature lowering rate outside the above temperature range was set to 50 ° C / h. The density of the obtained fired body was 99.2%, and the average particle size of the In 2 O 3 parent phase and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase were 13.1 μm and 1.0%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 깨짐은 1개도 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. No fracture occurred among the 30 pieces by the above-mentioned machining.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 깨짐은 1개도 발생하여 있지 않았다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, no cracking occurred.

[실시예9][Example 9]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 5질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder was 5 mass% And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1470℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1470℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 10℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.2%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 5.3㎛, 2.2%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1470 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The cooling rate was 10 ° C / h from 1470 ° C to 1200 ° C, and the cooling rate was 50 ° C / h outside the above temperature range. The density of the obtained fired body was 98.2%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 5.3 μm and 2.2%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 깨짐은 1개도 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. No fracture occurred among the 30 pieces by the above-mentioned machining.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 깨짐은 1개도 발생하여 있지 않았다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, no cracking occurred.

[실시예10][Example 10]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 5질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder was 5 mass% And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1520℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1500℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 10℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 99.2%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 11.3㎛, 1.8%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1520 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. In the temperature lowering, the temperature lowering rate from 1500 ° C to 1200 ° C was set to 10 ° C / h, and the temperature lowering rate outside the above temperature range was set to 50 ° C / h. The density of the obtained fired body was 99.2%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 11.3 μm and 1.8%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 깨짐은 1개도 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. No fracture occurred among the 30 pieces by the above-mentioned machining.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 깨짐은 1개도 발생하여 있지 않았다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, no cracking occurred.

[실시예11][Example 11]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 5질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder was 5 mass% And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1500℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1500℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 15℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 99.0%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 12.1㎛, 0.5%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1500 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The cooling rate was set at 15 deg. C / h from 1500 deg. C to 1200 deg. C, and the cooling rate was set at 50 deg. C / h outside the temperature range. The density of the obtained fired body was 99.0%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 12.1 μm and 0.5%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 깨짐은 1개도 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. No fracture occurred among the 30 pieces by the above-mentioned machining.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 깨짐은 1개도 발생하여 있지 않았다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, no cracking occurred.

[실시예12][Example 12]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 5질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder was 5 mass% And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1600℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온은 1500℃부터 1200℃까지의 강온 속도를 10℃/h, 상기 온도 범위 이외에서의 강온 속도를 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 99.5%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 14.9㎛, 1.3%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1600 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. In the temperature lowering, the temperature lowering rate from 1500 ° C to 1200 ° C was set to 10 ° C / h, and the temperature lowering rate outside the above temperature range was set to 50 ° C / h. The density of the obtained fired body was 99.5%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 14.9 μm and 1.3%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 깨짐은 1개도 발생하지 않았다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. No fracture occurred among the 30 pieces by the above-mentioned machining.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 깨짐은 1개도 발생하여 있지 않았다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, no cracking occurred.

[비교예1][Comparative Example 1]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예1과 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 1.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1500℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온 속도는 모든 온도 범위에서 강온 속도 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.5%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 15.1㎛, 0.1%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1500 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The rate of decline was set at a rate of deceleration of 50 ° C / h in all temperature ranges. The density of the obtained fired body was 98.5%, and the average particle size of the In 2 O 3 parent phase and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase were 15.1 μm and 0.1%, respectively.

얻어진 소결체를 절삭 가공하여, 단변 200㎜, 장변 350㎜, 두께 9㎜의 ITO 평판 스퍼터링 타깃재를 30매 제조했다. 상기 가공에 의해 30매 중, 9매에 깨짐이 발생했다.The obtained sintered body was cut to produce 30 ITO flat plate sputtering target materials having a short side of 200 mm, a long side of 350 mm and a thickness of 9 mm. By the above processing, 9 out of 30 sheets were broken.

실시예1과 마찬가지로 구리제 백킹 플레이트에, 상기 타깃재 9매를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 3매에 깨짐이 발생하여 있었다.Similarly to Example 1, 9 pieces of the target material were bonded to a copper backing plate by In solder to produce an ITO target. When the target material after the bonding was confirmed, it was found that three pieces were cracked.

[비교예2][Comparative Example 2]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1550℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온 속도는 모든 온도 범위에서 강온 속도 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.6%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 17.7㎛, 0.1%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1550 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The rate of decline was set at a rate of deceleration of 50 ° C / h in all temperature ranges. The density of the obtained fired body was 98.6%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 17.7 μm and 0.1%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 12개에 깨짐이 발생했다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. Twelve out of the 30 cracks occurred due to the above process.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 4개에 깨짐이 발생하여 있었다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, four cracks were observed.

[비교예3][Comparative Example 3]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1400℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온 속도는 모든 온도 범위에서 강온 속도 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 97.6%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 11.6㎛, 0.2%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1400 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The rate of decline was set at a rate of deceleration of 50 ° C / h in all temperature ranges. The density of the obtained fired body was 97.6%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 11.6 μm and 0.2%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중, 8개에 깨짐이 발생했다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. Cracking occurred in 8 out of 30 pieces by the above processing.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 2개에 깨짐이 발생하여 있었다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, cracks were observed in two pieces.

[비교예4][Comparative Example 4]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1400℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온 속도는 모든 온도 범위에서 강온 속도 20℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 97.7%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 6.3㎛, 0.5%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1400 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The rate of deceleration was 20 ° C / h at all temperatures. The density of the obtained fired body was 97.7%, and the average particle size of the In 2 O 3 parent phase and the area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase were 6.3 μm and 0.5%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중, 4개에 깨짐이 발생했다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. Cracking occurred in 4 out of 30 pieces by the above processing.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 1개에 깨짐이 발생하여 있었다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was checked, one piece was cracked.

[비교예5][Comparative Example 5]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 3질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder became 3% by mass And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1520℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온 속도는 모든 온도 범위에서 강온 속도 30℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.6%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 18.1㎛, 0.3%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1520 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The rate of deceleration was set at a rate of temperature decrease of 30 ° C / h in all temperature ranges. The density of the obtained fired body was 98.6%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 18.1 μm and 0.3%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중, 6개에 깨짐이 발생했다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. Six pieces out of 30 pieces were cracked due to the above processing.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 2개에 깨짐이 발생하여 있었다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was confirmed, cracks were observed in two pieces.

[비교예6][Comparative Example 6]

BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 SnO2 분말과 BET법에 의해 측정된 비표면적이 5㎡/g인 In2O3 분말을, SnO2 분말의 함유량이 5질량%가 되도록 배합하고, 포트 중에서 지르코니아 볼에 의해 볼밀 혼합하여, ITO 원료 분말을 조제했다.SnO 2 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method and an In 2 O 3 powder having a specific surface area of 5 m 2 / g as measured by the BET method were mixed so that the content of the SnO 2 powder was 5 mass% And the mixture was ball milled by a zirconia ball in a pot to prepare an ITO raw material powder.

이 ITO 원료 분말을 사용하여 실시예4와 같은 방법으로, 탈지된 성형체를 제작했다.Using this ITO raw material powder, a degreased molded body was produced in the same manner as in Example 4.

탈지된 성형체를 소성하여, 소결체를 제작했다. 소성은, 산소 분위기 중에서, 소성 온도 1550℃, 소성 시간 12시간, 승온 속도 300℃/h로 했다. 강온 속도는 모든 온도 범위에서 강온 속도 50℃/h로 했다. 얻어진 소성체의 밀도는 98.6%이며, In2O3 모상의 평균 입경, In4Sn3O12상의 면적률은 각각 18.3㎛, 0.3%였다.The degreased compact was fired to produce a sintered compact. The firing was carried out in an oxygen atmosphere at a firing temperature of 1550 캜, a firing time of 12 hours, and a temperature raising rate of 300 캜 / h. The rate of decline was set at a rate of deceleration of 50 ° C / h in all temperature ranges. The density of the obtained fired body was 98.6%, and the average particle size of In 2 O 3 parent phase and the area ratio of In 4 Sn 3 O 12 phase were 18.3 μm and 0.3%, respectively.

얻어진 소결체를 실시예4와 마찬가지로 절삭 가공하여, 외경 153㎜, 내경 135㎜, 길이 300㎜의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재를 제조했다. 같은 조작에 의해, 30개의 ITO 원통형 스퍼터링 타깃재의 제조를 실시했다. 상기 가공에 의해 30개 중 9개에 깨짐이 발생했다.The obtained sintered body was cut in the same manner as in Example 4 to produce an ITO cylindrical sputtering target material having an outer diameter of 153 mm, an inner diameter of 135 mm, and a length of 300 mm. Thirty ITO cylindrical sputtering target materials were produced by the same operation. Cracking occurred in 9 out of 30 pieces by the above processing.

실시예4와 마찬가지로 외경 133㎜, 내경 123㎜, 길이 3200㎜의 티타늄제 백킹 튜브에, 상기 타깃재 9개를 In 솔더에 의해 접합하여, ITO 타깃을 제작했다. 각 타깃재 간의 간격(분할부의 길이)은 0.5㎜로 했다. 접합 후의 타깃재를 확인한 바, 3개에 깨짐이 발생했다.Similarly to Example 4, 9 targets were bonded to a titanium backing tube having an outer diameter of 133 mm, an inner diameter of 123 mm, and a length of 3200 mm by In solder to produce an ITO target. The distance between the target members (the length of the divided portion) was 0.5 mm. When the target material after the bonding was checked, three pieces were broken.

[표 1][Table 1]

Figure 112015114944216-pct00002
Figure 112015114944216-pct00002

1 In2O3 모상
2 In4Sn3O12상1 In 2 O 3 phase
2 In 4 Sn 3 O 12 phase

Claims (8)

Sn의 함유량이 SnO2량 환산으로 2.5∼10.0질량%이며, In2O3 모상과 당해 In2O3 모상의 입계에 존재하는 In4Sn3O12상을 갖는 ITO 소결체로서,
상대 밀도가 98.0% 이상이며, 상기 In2O3 모상의 평균 입경이 3㎛ 이상 17㎛ 이하이며, 당해 ITO 소결체의 단면에 있어서의 상기 In4Sn3O12상의 면적률이 0.4% 이상 5% 이하인 ITO 소결체.An ITO sintered body having an In 4 Sn 3 O 12 phase existing in a grain boundary of In 2 O 3 parent phase and the In 2 O 3 parent phase, wherein the content of Sn is 2.5 to 10.0 mass% in terms of SnO 2 ,
And a relative density of 98.0% or more, an average particle size of the In 2 O 3 parent phase is 3 μm or more and 17 μm or less, and an area ratio of the In 4 Sn 3 O 12 phase in the cross section of the ITO sintered product is 0.4% Lt; / RTI &gt; 제1항에 있어서,
원통형인 ITO 소결체.The method according to claim 1,
Cylindrical ITO sintered body. 제1항 또는 제2항에 기재된 ITO 소결체로 이루어지는 ITO 스퍼터링 타깃재.An ITO sputtering target material comprising the ITO sintered body according to claim 1 or 2. 제3항에 기재된 ITO 스퍼터링 타깃재를 기재에 접합재에 의해 접합하여 이루어지는 ITO 스퍼터링 타깃.An ITO sputtering target obtained by bonding the ITO sputtering target material according to claim 3 to a substrate using a bonding material. ITO 원료 분말로부터 제작되는 ITO 성형체를 소성하는 소성 공정, 및 상기 소성 공정에서 얻어진 소성물을 냉각하는 냉각 공정을 포함하고,
상기 냉각 공정에 있어서, 1200∼1350℃의 범위이며, 또한 상기 ITO 성형체를 소성하는 소성 온도 이하의 온도 범위에 있어서의 냉각을 강온 속도 25℃/h 이하로 행하는, 제1항에 기재된 ITO 소결체의 제조 방법.And a cooling step of cooling the fired product obtained in the firing step, wherein the firing step comprises firing the ITO formed body produced from the ITO raw material powder,
The ITO sintered body according to claim 1, wherein the cooling step is performed at a cooling rate of 25 ° C / h or lower in a temperature range of 1200 to 1350 ° C and a sintering temperature of not more than a sintering temperature for sintering the ITO molded body Gt; ITO 원료 분말로부터 제작되는 ITO 성형체를 소성하는 소성 공정, 및 상기 소성 공정에서 얻어진 소성물을 냉각하는 냉각 공정을 포함하고,
상기 냉각 공정에 있어서, 1200∼1500℃의 범위이며, 또한 상기 ITO 성형체를 소성하는 소성 온도 이하의 온도 범위에 있어서의 냉각을 강온 속도 25℃/h 이하로 행하는, 제1항에 기재된 ITO 소결체의 제조 방법.And a cooling step of cooling the fired product obtained in the firing step, wherein the firing step comprises firing the ITO formed body produced from the ITO raw material powder,
The ITO sintered body according to claim 1, wherein the cooling step is performed at a temperature lowering rate of 25 占 폚 / h or less in a temperature range of 1200 to 1500 占 폚 and in a temperature range not higher than a firing temperature for firing the ITO molded body Gt; 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 ITO 성형체 및 ITO 소결체가 원통형인 ITO 소결체의 제조 방법.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the ITO molded body and the ITO sintered body are cylindrical. 제5항 또는 제6항에 기재된 제조 방법에 의해 ITO 소결체를 제조하고, 얻어진 ITO 소결체를 가공하여 타깃재를 제조하는 ITO 타깃재의 제조 방법.A method for producing an ITO target material by manufacturing an ITO sintered body by the manufacturing method according to claim 5 or 6, and processing the obtained ITO sintered body to produce a target material.
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