KR101581303B1 - Apparatus For Analyzing Substrate Contamination And Method Thereof - Google Patents

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KR101581303B1
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전필권
구대환
박준호
박상현
성용익
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엔비스아나(주)
전필권
구대환
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Abstract

An apparatus for analyzing substrate contaminants according to the present invention is to receive a monitor wafer in a semiconductor manufacturing process to perform a gas phase decomposition thereon, and transfers a sample solution, which has scanned the monitor water with a scan nozzle, from the scan nozzle to an analyzer through a flow pat to have the analyzer analyze the same. The apparatus includes a recycling unit for processing the scan-completed monitor wafer with a solution including at least acidic or alkaline chemical, to recycle the scan-completed monitor wafer. According to the present invention, since an conventional wasted monitor wafer can be reused, a cost required for the monitor wafer can be greatly reduced.

Description

기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법{Apparatus For Analyzing Substrate Contamination And Method Thereof}[0001] The present invention relates to an apparatus for analyzing substrate contaminants,

본 발명은 In-Line으로 금속원자등의 오염물을 분석할 수 있는 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate contamination analyzing apparatus and a substrate contamination analyzing method capable of analyzing contaminants such as metal atoms in an in-line.

종래 반도체 웨이퍼에 대한 오염물 분석 장치로서, 대한민국 등록 특허 제3833264호(2003. 5. 9. 공고)가 공지되어 있으며, 상기 오염물 분석 장치에서는 웨이퍼 표면에 흡착된 금속성 오염원을 분석하기 위해 웨이퍼 표면을 자동으로 스캐닝하여 오염물을 포집하는 장치 구조 등이 개시되어 있다.Korean Patent Registration No. 3833264 (published on Apr. 9, 2003) discloses an apparatus for analyzing contaminants on a semiconductor wafer. In the contamination analyzer, the surface of the wafer is automatically cleaned in order to analyze metallic contaminants adsorbed on the wafer surface. And a device structure for collecting contaminants.

그런데, 상기한 기판 오염물 분석 장치에서는 스캔한 샘플을 샘플링컵에 담아서 작업자가 이를 분석기로 가져가 분석해야 하므로, 작업자의 수시 확인 및 작업 시간이 필요하고 이동 과정에서의 오염 및 안전성 문제가 있으며 실시간 또는 신속한 분석에 장애 요인이 된다.However, in the substrate contamination analyzer described above, the scanned sample is placed in the sampling cup and the operator must take it to the analyzer for analyzing. Therefore, it is necessary to check the operator's time and work time, It is a hindrance to rapid analysis.

또한, 종래의 오염물 분석 장치 및 방법에서는 스캔 및 에칭 등에 필요한 약액 제조상의 불편 및 오염물 제어 문제, 분석기의 캘리브레이션 문제 및 사용중 감도 저하 문제 등이 있으며, 분석을 위해 사용한 모니터 웨이퍼를 폐기해야 하는 문제 등이 있다. In addition, the conventional apparatus and method for analyzing contaminants have problems such as discomfort and contamination control problems in the chemical solution production required for scanning and etching, calibration problems of the analyzer, sensitivity problems during use, and the problem of discarding the monitor wafer used for analysis have.

상기한 종래 기술의 문제점 및 과제에 대한 인식은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이 아니므로 이러한 인식을 기반으로 선행기술들과 대비한 본 발명의 진보성을 판단하여서는 아니됨을 밝혀둔다.The recognition of the problems and problems of the prior art is not obvious to a person having ordinary skill in the art, so that the inventive step of the present invention should not be judged based on the recognition based on such recognition I will reveal.

대한민국 등록 특허 제383264호, 2003. 5. 9. 공고Korean Registered Patent No. 383264, September 9, 2003 Announcement

본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 적어도 하나 이상 해결하는 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것으로서,It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for analyzing a substrate contaminant that overcomes at least one of the problems of the prior art described above,

본 발명의 목적은 작업자의 수작업이 필요 없고 이동 과정에서의 오염 및 안전성 문제를 해결하며 실시간 또는 신속한 분석이 가능한 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate contamination analyzer and analysis method capable of real-time or quick analysis without requiring manual work by a worker, solving pollution and safety problems in a moving process, and real time or quick analysis.

또한, 본 발명의 목적은 약액 제조상의 불편 및 오염물 제어 문제, 분석기의 캘리브레이션 문제 및 사용중 감도 저하 문제 등을 해결한 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것이다. It is also an object of the present invention to provide a substrate contamination analyzer and analysis method that solves the problem of controlling inconveniences and contaminants in chemical liquid production, the calibration problem of the analyzer, and the problem of lowering sensitivity during use.

또한, 본 발명의 목적은 분석을 위해 사용한 모니터 웨이퍼를 재활용할 수 있는 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것이다.It is also an object of the present invention to provide an apparatus and method for analyzing a substrate contaminant capable of recycling a monitor wafer used for analysis.

또한, 본 발명의 목적은 In-Line으로 자동 분석할 수 있는 기판 오염물 분석 장치 및 분석 방법을 제공하기 위한 것이다.It is also an object of the present invention to provide an apparatus and method for analyzing a substrate contaminant that can be automatically analyzed in-line.

본 발명에서 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not restrictive of the invention, unless further departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It will be possible.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서,An apparatus for analyzing substrate contamination according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analyzer for transferring a sample solution scanned by using a scan nozzle on a substrate to be analyzed from the scan nozzle to an analyzer through a flow path,

상기 샘플 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브;를 포함하되, 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩됨에 있어서 상기 샘플 용액의 전·후에는 기체 구간을 포함하며, 상기 샘플 튜브에 설치되어 상기 기체 구간과 상기 샘플 용액을 구별하여 감지하는 감지 센서;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A sample tube having a space in which the sample solution is to be loaded; And a switching valve coupled to the sample tube and having at least a load position at which the sample solution is loaded into the sample tube and an injection position at which the loaded sample solution is injected toward the analyzer, And a detection sensor which is installed in the sample tube to distinguish between the gas section and the sample solution, and includes a gas section before and after the sample solution.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 감지 센서는 액체 감지 센서인 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzer, the detection sensor may be a liquid sensor.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 액체 감지 센서는 광센서 또는 근접센서인 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzer, the liquid sensor may be an optical sensor or a proximity sensor.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 로드 포지션에서 상기 감지 센서가 기체 및 액체의 순서로 감지하면 상기 샘플 용액이 상기 스캔 노즐로부터 상기 샘플 튜브에 도착하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the substrate contamination analyzer described above, it is determined that the sample solution arrives from the scan nozzle to the sample tube when the sensing sensor detects gas and liquid in the order of the load position.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 인젝션 포지션에서 상기 감지 센서가 액체 및 기체의 순서로 감지하면 상기 샘플 용액이 상기 분석기쪽으로 이동하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the substrate contamination analyzer described above, it is determined that the sample solution moves to the analyzer when the detection sensor detects the liquid and the gas in this order in the injection position.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서,An apparatus for analyzing substrate contamination according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analyzer for transferring a sample solution scanned by using a scan nozzle on a substrate to be analyzed from the scan nozzle to an analyzer through a flow path,

상기 샘플 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브;를 포함하되, 상기 인젝션 포지션에서 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 것과 병행하여, 적어도 상기 스캔 노즐부터 상기 스위칭 밸브까지의 유로를 세정하는 것을 특징으로 한다.A sample tube having a space in which the sample solution is to be loaded; And a switching valve coupled to the sample tube and having at least a load position at which the sample solution is loaded into the sample tube and an injection position at which the loaded sample solution is injected toward the analyzer, The flow path from at least the scan nozzle to the switching valve is cleaned.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 샘플 용액을 상기 샘플 튜브에 로딩하기 위하여 사용되는 제 1 정량 펌프와 상기 세정을 위하여 사용되는 제 1 펌프를 포함하되, 상기 제 1 정량 펌프와 상기 제 1 펌프는 상기 스위칭 밸브의 동일 포트에 연결되며, 상기 제 1 펌프는 상기 제 1 정량 펌프보다 용량이 큰 것을 특징으로 한다.The substrate contamination analyzer may further include a first metering pump used for loading the sample solution into the sample tube and a first pump used for the cleaning, wherein the first metering pump and the first pump Is connected to the same port of the switching valve, and the first pump has a larger capacity than the first metering pump.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 인젝션 포지션일 때 상기 로딩된 샘플 용액을 초순수로써 상기 분석기쪽으로 밀어주는 제 2 정량 펌프;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The substrate contamination analyzer may further include a second dosing pump for pushing the loaded sample solution to the analyzer with ultrapure water when the sample is in the injection position.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 샘플 튜브은 샘플 루프인 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzer, the sample tube is a sample loop.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 스위칭 밸브는 6 포트 인젝션 밸브인 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzer, the switching valve may be a six-port injection valve.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analyzing method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analyzing method performed in a substrate contamination analyzing apparatus for transferring a sample solution scanned by using a scan nozzle from an analyzing substrate through a flow path from the scan nozzle to an analyzer ,

상기 스캔한 샘플 용액을 상기 유로의 중간에 위치하는 샘플 튜브에 로딩하는 제 1 단계; 및 상기 샘플 튜브에 로딩된 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 제 2 단계;를 포함하되, 상기 샘플 용액의 전·후에는 기체 구간을 포함하며, 상기 제 1 단계 또는 상기 제 2 단계에 있어서, 상기 샘플 튜브에 설치되고 상기 기체 구간과 상기 샘플 용액을 구별하여 감지하는 감지 센서를 이용하여 상기 샘플 용액의 도착 또는 이동을 감지하는 것을 특징으로 한다.A first step of loading the sampled sample solution into a sample tube located in the middle of the flow path; And a second step of injecting the sample solution loaded into the sample tube toward the analyzer, wherein the sample solution includes a gas section before and after the sample solution, and in the first step or the second step, And the arrival or movement of the sample solution is detected by using a detection sensor installed in the sample tube and detecting the gas section and the sample solution separately.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 감지 센서는 액체 감지 센서인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the sensing sensor may be a liquid sensing sensor.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 액체 감지 센서는 광센서 또는 근접센서인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the liquid sensor may be an optical sensor or a proximity sensor.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계에서 상기 감지 센서가 기체 및 액체의 순서로 감지하면 상기 샘플 용액이 상기 스캔 노즐로부터 상기 샘플 튜브에 도착하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, it is determined that the sample solution arrives from the scan nozzle to the sample tube when the detection sensor senses in order of gas and liquid in the first step.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계에서 상기 감지 센서가 액체를 감지하지 못하면 상기 샘플 용액의 손실이 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, it is determined that there is a loss of the sample solution if the sensing sensor does not sense the liquid in the first step.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 감지 센서가 액체 및 기체의 순서로 감지하면 상기 샘플 용액이 상기 분석기쪽으로 이동하는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, it is determined that the sample solution moves to the analyzer when the sensing sensor senses the order of the liquid and the gas in the second step.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 감지 센서가 액체로부터 기체로 바뀌는 것을 감지하지 못하면 이상이 있는 것으로 판단하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, if it is not detected that the detection sensor is switched from a liquid to a gas in the second step, it is determined that there is an abnormality.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analyzing method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analyzing method performed in a substrate contamination analyzing apparatus for transferring a sample solution scanned by using a scan nozzle from an analyzing substrate through a flow path from the scan nozzle to an analyzer ,

상기 스캔한 샘플 용액을 상기 유로의 중간에 위치하는 샘플 튜브에 로딩하는 제 1 단계; 및 상기 샘플 튜브에 로딩된 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 제 2 단계;를 포함하되, 상기 제 2 단계와 병행하여, 적어도 상기 스캔 노즐부터 상기 샘플 튜브의 앞까지의 구간을 포함하여 세정하는 것을 특징으로 한다.A first step of loading the sampled sample solution into a sample tube located in the middle of the flow path; And a second step of injecting the sample solution loaded into the sample tube toward the analyzer, wherein, in parallel with the second step, at least the interval from the scan nozzle to the front of the sample tube is rinsed .

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 세정은 세정 용액 용기에 상기 스캔 노즐을 넣은 후 펌프를 이용하여 흡입함으로써 수행되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the cleaning is performed by inserting the scan nozzle into a cleaning solution container, and then sucking the cleaning nozzle with a pump.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 세정후 상기 제 1 단계가 다시 수행되기 전, 적어도 상기 스캔 노즐부터 상기 샘플 튜브의 앞까지의 구간을 포함하는 유로에 공기 또는 가스를 채우는 것을 특징으로 한다.The substrate contamination analyzing method is characterized in that air or gas is filled in the flow path including at least the section from the scan nozzle to the front of the sample tube before the first step is performed again after the cleaning.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계에서의 로딩과 상기 세정에서는 서로 다른 펌프가 사용되며 상기 세정에서 흡입 속도가 더 큰 펌프가 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, different pumps are used for the loading and cleaning in the first step, and a pump having a larger suction speed is used in the cleaning.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 로딩된 샘플 용액을 초순수로써 상기 분석기쪽으로 밀어주는 제 2 정량 펌프가 이용되는 것을 특징으로 한다.In the method of analyzing a substrate contaminant, a second dosing pump for pushing the loaded sample solution to ultra-pure water toward the analyzer is used in the second step.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 샘플 튜브은 샘플 루프인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the sample tube is characterized by being a sample loop.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 샘플 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브가 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, a switching valve, which is combined with the sample tube and has at least a load position at which the sample solution is loaded into the sample tube and an injection position at which the loaded sample solution is injected toward the analyzer, is used .

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 스위칭 밸브는 6 포트 인젝션 밸브인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the switching valve may be a six-port injection valve.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 노즐을 이용하여 흡입한 샘플 용액을 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서,An apparatus for analyzing a substrate contaminant according to an aspect of the present invention is an apparatus for analyzing a substrate contaminant that transfers a sample solution sucked by using a nozzle on a substrate to be analyzed from the nozzle to an analyzer through a channel,

상기 샘플 용액이 이송되는 상기 유로의 중간에 T자관을 이용하여 결합되어 상기 유로에 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하되, 상기 표준 용액 도입부는, 상기 표준 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 및 상기 샘플 튜브와 결합되며 상기 표준 용액이 상기 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 상기 로딩된 상기 표준 용액을 상기 T자관 쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 스위칭 밸브;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a standard solution introducing part coupled to the flow path through which the sample solution is transferred by using a T-shaped tube to introduce a standard solution for calibration into the flow path, wherein the standard solution introducing part comprises: A sample tube with space to be; And a switching valve coupled to the sample tube and having at least a load position at which the standard solution is loaded into the sample tube and an injection position at which the standard solution is injected toward the T-tube.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 로드 포지션에서는 정해진 시간마다 또는 캘리브레이션을 하기 전 상기 표준 용액을 흘려서 버리는 것을 특징으로 한다.In the substrate contamination analyzer described above, the standard solution is flowed out at predetermined time intervals or before calibrating in the load position.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 인젝션 포지션에서 정량 펌프를 이용하여 상기 로딩된 표준 용액을 초순수로써 밀어주는 것을 특징으로 한다.In the substrate contamination analyzer described above, the loaded standard solution is pushed by ultra pure water using a metering pump at the injection position.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 적어도 상기 샘플 용액이 상기 T자관을 통과하여 이송될 때, 적어도 상기 T자관부터 상기 스위칭 밸브 사이의 유로에는 상기 초순수로 채워져 있는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzer, when at least the sample solution is transferred through the T-shaped tube, at least the channel between the T-shaped tube and the switching valve is filled with the ultra pure water.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 샘플 튜브은 샘플 루프인 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzer, the sample tube is a sample loop.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 스위칭 밸브는 6 포트 인젝션 밸브인 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzer, the switching valve may be a six-port injection valve.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 노즐을 이용하여 흡입한 샘플 용액을 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서,An apparatus for analyzing a substrate contaminant according to an aspect of the present invention is an apparatus for analyzing a substrate contaminant that transfers a sample solution sucked by using a nozzle on a substrate to be analyzed from the nozzle to an analyzer through a channel,

상기 샘플 용액을 로딩한 다음 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 샘플 용액 도입부; 및 상기 샘플 용액 도입부와 상기 분석기 사이의 유로에 T자관을 이용하여 결합되어 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하며, 상기 샘플 용액 도입부는 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션할 때 초순수로써 상기 샘플 용액을 밀어주는 초순수 캐리어부를 포함하되, 캘리브레이션을 위하여 상기 표준 용액을 희석할 때에도 상기 초순수 캐리어부를 공통 이용하는 것을 특징으로 한다.A sample solution inlet for injecting the sample solution into the analyzer after loading the sample solution; And a standard solution introducing part coupled to the flow path between the sample solution introducing part and the analyzer using a T-shaped tube to introduce a standard solution for calibration, wherein the sample solution introducing part injects the sample solution into the analyzer And the ultra pure water carrier portion for pushing the sample solution as ultrapure water when diluting the standard solution for calibration.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판에서 노즐을 이용하여 흡입한 샘플 용액을 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서, 상기 샘플 용액을 로딩한 다음 상기 샘플 용액을 상기 분석기쪽으로 인젝션하는 샘플 용액 도입부; 및 상기 샘플 용액 도입부와 상기 분석기 사이의 유로에 T자관을 이용하여 결합되어 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부;를 포함하며, 상기 표준 용액으로써 상기 분석기에 대한 캘리브레이션을 수행할 때 상기 샘플 용액 도입부는 상기 샘플 용액 대신 스캔 용액을 도입하여 상기 표준 용액을 희석하는 것을 특징으로 한다.An apparatus for analyzing a substrate contaminant according to an aspect of the present invention is an apparatus for analyzing a substrate contaminant that transfers a sample solution sucked by using a nozzle on a substrate to be analyzed from the nozzle to an analyzer through a channel, A sample solution introducing portion for injecting the sample solution into the analyzer; And a standard solution introducing unit coupled to the flow path between the sample solution introducing unit and the analyzer by using a T-shaped tube to introduce a standard solution for calibration. When the calibration of the analyzer as the standard solution is performed And the sample solution introducing part dilutes the standard solution by introducing a scan solution instead of the sample solution.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 표준 용액 도입부는, 상기 표준 용액이 로딩될 공간을 가진 샘플 튜브; 상기 샘플 튜브와 결합되는 제 1 포트 및 제 4 포트, 상기 표준용액이 공급되는 유로에 결합되는 제 3 포트, 상기 표준 용액을 흡입하는 흡입 펌프에 결합되는 제 2 포트, 상기 T자관에 연결되는 제 5 포트, 상기 표준 용액을 밀어주는 초순수가 공급되는 제 6 포트를 포함하는 스위칭 밸브;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzer, the standard solution introducing portion may include: a sample tube having a space for loading the standard solution; A third port coupled to the flow path to which the standard solution is supplied, a second port coupled to the suction pump for sucking the standard solution, a second port coupled to the T- 5 port, and a sixth port to which ultra pure water for pushing the standard solution is supplied.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 표준 용액을 로딩할 때에는 상기 제 1 포트 및 상기 제 2 포트 사이, 상기 제 3 포트 및 상기 제 4 포트 사이, 및 상기 제 5 포트 및 제 6 포트 사이가 연결되며, 상기 표준 용액을 인젝션할 때에는 상기 제 6 포트 및 상기 제 1 포트 사이, 상기 제 2 포트 및 상기 제 3 포트 사이, 및 상기 제 4 포트 및 제 5 포트 사이가 연결되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzer, when loading the standard solution, between the first port and the second port, between the third port and the fourth port, and between the fifth port and the sixth port, And between the sixth port and the first port, between the second port and the third port, and between the fourth port and the fifth port when the standard solution is injected.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 용액을 사용하여 스캔한 샘플 용액을 분석기로 이송하여 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analyzing method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analyzing method performed in a substrate contamination analyzing apparatus for analyzing a sample solution scanned by using a scan solution on an analyzing substrate,

상기 분석기를 캘리브레이션하는 과정은, 적어도 한가지 이상의 표준 용액에 대하여 상기 초순수로써 상기 표준 용액을 실시간 희석하면서 상기 분석기로 이송하여 분석하는 제 1 단계; 상기 스캔을 위하여 사용되는 스캔 용액을 상기 분석기로 이송하여 분석하는 제 2 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The step of calibrating the analyzer may include: a first step of analyzing the at least one standard solution by transferring the standard solution to the analyzer while real-time dilution of the standard solution with the ultrapure water; And a second step of transferring and analyzing the scan solution used for the scan to the analyzer.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계에서 스캔 용액에 대한 분석 결과, 극미량 농도 설정값보다 낮으면, 상기 제 1 단계의 분석 결과를 그대로 상기 샘플 용액을 분석하데 이용하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, if the result of the analysis of the scan solution in the second step is less than the set value of the trace concentration, the analysis result of the first step is used as it is for analyzing the sample solution.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계의 분석 결과는 상기 제 2 단계의 분석 결과에 의해서 보정되어 상기 샘플 용액을 분석하데 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the analysis result of the first step is corrected by the analysis result of the second step, and the sample solution is analyzed.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계는 복수의 서로 다른 희석 농도에서 실행되어 캘리브레이션 커브를 획득하는 데 이용되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the first step is performed at a plurality of different dilution concentrations and is used to obtain a calibration curve.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 2 단계의 분석 결과에 의해서 상기 캘리브레이션 커브를 보정하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the calibration curve is corrected by the analysis result of the second step.

상기 샘플 용액을 분석함에 있어서, 상기 샘플 용액의 농도에서 상기 제 2 단계의 분석 결과에 따른 스캔 용액의 농도를 빼주는 것을 특징으로 한다.The concentration of the sample solution is subtracted from the concentration of the sample solution according to the analysis result of the second step.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계에서의 실시간 희석을 위하여 상기 초순수 및 상기 표준 용액은 각각 서로 다른 샘플 튜브에 로딩된 후 서로 다른 2개의 정량 펌프에 의해서 동시에 인젝션되어 T자관에서 혼합되는 것을 특징으로 한다.In order to perform the real-time dilution in the first step, the ultrapure water and the standard solution are respectively injected into different sample tubes, injected simultaneously by two different dosing pumps, and mixed in a T- .

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 초순수 및 상기 표준 용액의 희석비는 상기 서로 다른 2개의 정량 펌프의 토출 유량에 의해서 결정되는 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzing method, the dilution ratio of the ultrapure water and the standard solution is determined by the discharge flow rate of the two different metering pumps.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 용액을 사용하여 스캔한 샘플 용액을 분석기로 이송하여 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analyzing method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analyzing method performed in a substrate contamination analyzing apparatus for analyzing a sample solution scanned by using a scan solution on an analyzing substrate,

표준 용액에 대하여 복수의 서로 다른 희석 농도에서 상기 분석기로 분석하여 캘리브레이션 커브를 획득하고 상기 획득된 캘리브레이션 커브를 이용하여 일련의 상기 샘플 용액을 분석하되, 상기 표준 용액을 상기 분석기로 측정하여 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단하여 감도를 체크하는 감도 체크 단계를 설정된 주기 또는 설정된 시간에 자동으로 실행하는 것을 특징으로 한다.Analyzing the standard solution with the analyzer at a plurality of different dilution concentrations to obtain a calibration curve and analyzing the series of sample solutions using the obtained calibration curve, Value is within the set range, and the sensitivity check step of checking the sensitivity is automatically performed at the set period or the set time.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 감도 체크 단계에서 특정된 농도값이 설정 범위를 벗어나는 경우, 상기한 캘리브레이션 커브를 획득하는 과정을 다시 수행하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, when the concentration value specified in the sensitivity check step is out of the setting range, the process of acquiring the calibration curve is performed again.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐을 이용하여 스캔한 샘플 용액을 분석기로 이송하여 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A substrate contamination analyzing method according to an aspect of the present invention is a substrate contamination analyzing method performed in a substrate contamination analyzer for analyzing a sample solution scanned by using a scan nozzle on an analyzing substrate,

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 샘플 용액을 분석하고 나서 상기 스캔 노즐부터 상기 분석기까지의 유로를 세정한 후, 초순수를 상기 분석기로 이송하여 측정하고 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단함으로써, 상기 샘플 용액의 이송에 따른 오염 여부를 검증하는 자기 검증 단계를 자동 실행하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, after analyzing the sample solution, the flow path from the scan nozzle to the analyzer is cleaned, ultrapure water is transferred to the analyzer, and it is determined whether the measured concentration value is within the set range Thereby automatically performing a self-verification step of verifying whether the sample solution is contaminated by the transfer of the sample solution.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 자기 검증 단계는, 상기 이송된 샘플 용액이 설정된 농도값 이상의 고농도이었던 경우에 실행되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the self-verification step is performed when the transferred sample solution has a concentration higher than a predetermined concentration value.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 자기 검증 단계의 실행 결과, 설정된 범위를 정해진 횟수만큼 벗어나는 경우 알람을 발생시키는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, an alarm is generated when the set range is out of a predetermined number of times as a result of the self-verification step.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 반도체 제조 공정 중에 있는 모니터 웨이퍼를 도입받아 기상분해한 후 스캔 노즐을 이용하여 상기 모니터 웨이퍼를 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치로서,A substrate contamination analyzing apparatus according to an aspect of the present invention includes a monitor wafer introduced in a semiconductor manufacturing process, gas-phase decomposed, and then a sample solution of the monitor wafer is scanned using a scan nozzle from the scan nozzle to an analyzer And analyzing the analyzed substrate contamination with the analyzer,

상기 스캔이 종료된 상기 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 적어도 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하는 리사이클링 유닛;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a recycling unit for treating the monitor wafer with the solution containing at least acid series or base series chemical in order to recycle the monitor wafer having completed the scan.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 산 계열의 케미컬은 불산 및 과산화수소를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate contamination analyzer described above, the acid-based chemical is characterized by containing hydrofluoric acid and hydrogen peroxide.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 염기 계열의 케미컬은 수산화암노늄 및 과산화수소를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the substrate contamination analyzer described above, the base-based chemical is characterized by comprising ammonium hydroxide and hydrogen peroxide.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 리사이클링 유닛은, 상기 용액을 상기 더미 웨이퍼의 상부면로 분사하는 상부 노즐; 및 상기 용액을 상기 더미 웨이퍼의 하부면으로 분사하는 하부 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above substrate contamination analyzer, the recycling unit may include: an upper nozzle for spraying the solution onto an upper surface of the dummy wafer; And a lower nozzle for spraying the solution onto the lower surface of the dummy wafer.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 리사이클링 유닛은 챔버를 포함하며, 상기 챔버의 내측 바닥은 일측으로 경사진 구조인 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzer, the recycling unit may include a chamber, and an inner bottom of the chamber may be inclined to one side.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 반도체 제조 공정 중에 있는 모니터 웨이퍼를 도입받아 기상분해한 후 스캔 노즐을 이용하여 상기 모니터 웨이퍼를 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,A method of analyzing a substrate contaminant according to an aspect of the present invention is a method of analyzing a substrate contaminant in a semiconductor manufacturing process, comprising: introducing a monitor wafer in a semiconductor manufacturing process to vapor phase decompose the sample wafer; A method for analyzing a substrate contaminant, the method comprising:

상기 스캔이 종료된 상기 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 챔버에서 적어도 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하는 리사이클링 처리 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.And a recycling processing step of treating the monitor wafer with the solution including at least acid-based or base-based chemical in the chamber in order to recycle the monitor wafer that has been scanned.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 리사이클링 처리 단계는,In the substrate contamination analyzing method, the recycling process may include:

상기 모니터 웨이퍼의 양면에 대하여 상기 용액을 분사하여 실행되는 것을 특징으로 한다.And spraying the solution onto both surfaces of the monitor wafer.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 분석 대상 기판을 도입받아 기상분해한 후 스캔 용액을 이용하여 상기 분석 대상 기판을 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통해 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치로서,The apparatus for analyzing substrate contaminants according to an embodiment of the present invention includes a substrate to be analyzed, a gas phase decomposition step of introducing the substrate to be analyzed, and a sample solution, which has been scanned with the scan solution using the scan solution, An apparatus for analyzing substrate contaminants, comprising:

초순수 및 중앙 공급 케미컬을 자동 혼합하여 상기 스캔 용액을 제조하는 스캔 용액 자동 제조부;를 포함하며, 유로를 통해 상기 제조된 스캔 용액을 상기 분석기로 이송하여 적어도 상기 제조된 스캔 용액의 오염 여부를 검증하는 것을 특징으로 한다.And an automatic control unit for automatically mixing the ultrapure water and the central supply chemical to produce the scan solution, wherein the prepared scan solution is transferred to the analyzer through the flow path to verify at least the contamination of the prepared scan solution .

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 스캔 용액 자동 제조부는, 제조된 스캔 용액이 임시 저장되는 스캔 용액 베슬; 상기 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 공급하는 라인들과 상기 스캔 용액 베슬 사이에 각각 위치하는 밸브 및 유량조절계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzer, the scan solution automatic manufacturing unit may include: a scan solution bath in which the manufactured scan solution is temporarily stored; And a valve and a flow rate controller located between the lines for supplying the ultrapure water and the central supply chemical and the scan solution vessel, respectively.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 중앙 공급 케미컬을 공급하는 라인들과 드레인 사이에서 위치하여 상기 중앙 공급 케미컬을 상시 배출하거나 주기적으로 배출하여 정체에 따른 오염을 방지하는 밸브;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The substrate contamination analyzer may further include a valve positioned between the lines supplying the central supply chemical and discharging the central supply chemical at all times or periodically discharging the chemical to prevent contamination due to stagnation .

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 분석 대상 기판을 도입받아 기상분해한 후 스캔 용액을 이용하여 상기 분석 대상 기판을 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통해 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,According to an aspect of the present invention, there is provided a method for analyzing a substrate contaminant, comprising the steps of: introducing a substrate to be analyzed and subjecting the substrate to vapor phase decomposition, transferring a sample solution of the substrate to be analyzed using the scan solution from the scan nozzle to the analyzer 1. A method for analyzing substrate contaminants, the method comprising:

초순수 및 중앙 공급 케미컬을 자동 혼합하여 상기 스캔 용액을 제조하고 베슬에 저장하는 제 1 단계; 유로를 통해 상기 제조된 스캔 용액을 상기 베슬로부터 상기 분석기로 이송하여 적어도 상기 제조된 스캔 용액의 오염 여부를 검증하는 제 2 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.A first step of automatically mixing the ultrapure water and the central supply chemical to prepare and store the scan solution in a vessel; And a second step of transferring the prepared scan solution through the flow path from the vessel to the analyzer to verify at least whether the produced scan solution is contaminated.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기 제 1 단계를 수행하기 전, 상기 스캔 용액을 제조하기 위한 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 동일하게 이용하여 상기 베슬을 세정한 후 드레인으로 배출하는 제 3 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The third step of the substrate contamination analyzing method may further include washing the vessel with the ultrapure water and the central supply chemical for preparing the scan solution before performing the first step and discharging the vessel to the drain, And further comprising:

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 적어도 상기 중앙 공급 케미컬을 드레인으로 상시 배출하거나 주기적으로 배출하여 상기 중앙 공급 케미컬의 정체에 따른 오염을 방지하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, at least the central supply chemical is always discharged to the drain or periodically discharged to prevent contamination due to the stagnation of the central supply chemical.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 반도체 기판에서 노즐을 이용해 오염물을 포함하는 샘플 용액을 흡입하여 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통해 상기 샘플 용액을 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치로서,According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for analyzing a substrate contaminant, comprising: a nozzle for sucking a sample solution containing a contaminant in a semiconductor substrate, transferring the sample solution from the nozzle to the analyzer through a flow path, As an apparatus,

상기 반도체 기판의 벌크를 글로벌 에칭하거나 포인트 에칭하기 위한 에칭 용액을 자동 제조하는 에칭 용액 제조부;를 포함하며, 상기 에칭 용액 제조부는,And an etching solution manufacturing section for automatically manufacturing an etching solution for global etching or point etching the bulk of the semiconductor substrate,

제조된 에칭 용액을 저장하는 에칭 용액 베슬; 상기 에칭 용액을 제조하기 위한 2이상의 케미컬 및 초순수를 순차 흡입한 후 상기 에칭 용액 베슬로 배출하는 정량 펌프;를 포함하며, 상기 에칭 용액 베슬로부터 상기 글로벌 에칭을 위한 챔버나 상기 포인트 에칭을 위한 노즐로 유로를 통해 공급되는 것을 특징으로 한다.An etching solution bath storing an etching solution prepared; And a metering pump for sequentially sucking at least two kinds of chemicals and ultrapure water to produce the etching solution, and discharging the etching solution into the etching solution vessel, wherein the chamber for the global etching or the nozzle for the point etching And is supplied through a flow path.

상기한 기판 오염물 분석 장치에 있어서, 상기 2 이상의 케미컬은 불산 및 질산을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzer, the at least two chemicals include hydrofluoric acid and nitric acid.

본 발명의 일 양상에 따른 기판 오염물 분석 방법은, 반도체 기판에서 노즐을 이용해 오염물을 포함하는 샘플 용액을 흡입하여 상기 노즐로부터 분석기까지 유로를 통해 상기 샘플 용액을 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,According to an aspect of the present invention, there is provided a method for analyzing a substrate contaminant, comprising: sampling a sample solution containing a contaminant using a nozzle in a semiconductor substrate, transferring the sample solution from the nozzle to the analyzer through a flow path, A method for analyzing substrate contamination performed in an apparatus,

상기 반도체 기판의 벌크를 글로벌 에칭하거나 포인트 에칭하기 위한 에칭 용액을 자동 제조하는 에칭 용액 자동 제조 과정을 포함하며, 상기 에칭 용액 자동 제조 과정은, 상기 에칭 용액을 제조하기 위한 2이상의 케미컬 및 초순수를 순차 흡입한 후 에칭 용액 베슬로 배출하는 과정을 반복 수행하며, 상기 제조된 애칭 용액은 상기 에칭 용액 베슬로부터 상기 글로벌 에칭을 위한 챔버나 상기 포인트 에칭을 위한 노즐로 유로를 통해 공급되는 것을 특징으로 한다.And an etching solution automatic manufacturing process for automatically producing an etching solution for global etching or point etching of the bulk of the semiconductor substrate, wherein the automatic etching solution manufacturing process comprises sequentially preparing two or more chemical and ultra pure water for producing the etching solution The etching solution is supplied from the etching solution vessel through the channel to the chamber for the global etching or the nozzle for the point etching from the etching solution bath.

상기한 기판 오염물 분석 방법에 있어서, 상기한 흡입 및 배출의 반복 사이에 상기한 흡입 및 배출에 사용된 유로의 부분 또는 전체를 비반응성 가스로 퍼지하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate contamination analyzing method, the part or the entirety of the flow path used for the suction and discharge is repeatedly purged with the non-reactive gas between the above-described repeated inhalation and discharge.

본 발명의 일 양상에 따르면 샘플 용액이 샘플 튜브에 도착하는 것에 맞추어서 감지하여 로딩할 수 있으므로, 샘플 용액의 정확한 로딩이 가능하고 샘플 용액의 손실을 방지하며, 보다 적은 샘플 용액을 사용해도 되고 스캔 노즐로부터 샘플 튜브까지 고속으로 이동해도 되는 효과가 있다.According to one aspect of the present invention, the sample solution can be sensed and loaded according to arrival at the sample tube, so that accurate loading of the sample solution is possible, loss of the sample solution can be prevented, less sample solution can be used, The sample tube can be moved at a high speed.

본 발명의 일 양상에 따르면 샘플 용액이 분석기로 도입이 안 되는 경우가 있어도 액체 감지 센서의 감지를 이용하여 샘플 용액의 이동을 체크할 수 있는 효과가 있다.According to one aspect of the present invention, there is an effect that the movement of the sample solution can be checked using the detection of the liquid detection sensor even when the sample solution is not introduced into the analyzer.

본 발명의 일 양상에 따르면 샘플 튜브 상에 간단히 센서를 추가함으로써, 샘플 튜브를 중심으로 시료의 손실 과정을 확인할 수 있는 효과가 있으며, 사람의 수시 확인 없이 시료 손실을 체크하여 분석 결과의 신뢰성 향상 및 안전성을 개선할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, a simple sensor is added on a sample tube, thereby confirming the loss process of the sample around the sample tube, and it is possible to check the sample loss without checking the human being anytime, The safety can be improved.

본 발명의 일 양상에 따르면 샘플 용액의 이송시 액체 감지 센서를 이용함으로써 스캔 노즐의 샘플 용액을 샘플 튜브에 고속으로 로딩할 수 있으므로 이송 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, since the sample solution of the scan nozzle can be loaded into the sample tube at a high speed by using the liquid detection sensor during the transfer of the sample solution, the transfer time can be shortened.

본 발명의 양상에 따르면 스캔 용액에서 오염물의 농도가 흔들리더라도 그 만큼을 일괄 보정할 수 있게 되므로 캘리브레이션에 있어서 스캔 용액의 흔들림을 배제하기 쉬운 효과가 있다.According to aspects of the present invention, even if the concentration of the contaminant in the scanning solution fluctuates, it is possible to correct the concentration of the contaminant in a batch, so that the shaking of the scanning solution can be easily eliminated in the calibration.

본 발명의 일 양상에 따르면 간단한 절차로 수행될 수 있는 감도 체크 과정을 도입함으로써, 시간이 많이 소요되는 캘리브레이션 과정을 자주 실행하지 않아도 되는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, there is an effect that a time-consuming calibration process is not performed frequently by introducing a sensitivity check process that can be performed by a simple procedure.

본 발명의 일 양상에 따르면 자기 검증(self validation) 기능을 자동으로 수행함으로써, 기판 오염물 분석 장치 및 방법에서 메모리 효과(memory effect)를 손쉽게 배제하며 기판 오염물 분석 결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, by automatically performing a self-validation function, it is possible to easily eliminate the memory effect in the apparatus and method for analyzing substrate contaminants and to improve the reliability of the results of analyzing substrate contaminants have.

본 발명의 일 양상에 따르면 종래 폐기되었던 모니터 웨이퍼를 재사용할 수 있으므로 모니터 웨이퍼의 비용을 대폭 절감할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, since the monitor wafer that has been discarded in the past can be reused, the cost of the monitor wafer can be greatly reduced.

본 발명의 일 양상에 따르면 기판 오염물 분석 장치 및 방법에서 안전 사고 및 약액 오염을 방지하고 제조된 스캔 용액의 품질을 보장할 수 있는 효과가 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus and method for analyzing substrate contaminants, which can prevent safety accidents and contamination of chemical liquids and ensure the quality of a manufactured scan solution.

본 발명의 일 양상에 따르면 기판 제조 공정에서 In-Line 모니터링이 가능하게 되고, Closed Sampling System으로 운영되어 케미컬 취급 상의 안전 문제 및 Cross Contamination 문제가 없으며, 실시간 또는 신속한 대응이 가능하게 되는 효과가 있다.According to one aspect of the present invention, in-line monitoring is possible in a substrate manufacturing process, and a closed sampling system is operated, so there is no chemical handling safety problem and cross contamination problem, and real time or quick response is possible.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치의 전체 구성을 도시한 평명도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치에서 스캔 용액, 샘플 용액, 표준 용액 및 에칭액 등을 공급 및 이송하기 위한 유로 및 밸브 등을 모식적으로 표시한 도면이다.
도 3은 샘플 튜브 및 액체 감지 센서가 설치되는 예를 도시한 도면으로서, 도 3(A)는 막대 모양의 샘플 튜브에 액체 감지 센서가 설치된 예이며, 도 3(B)는 루프 모양의 샘플 튜브에 액체 감지 센서가 설치된 예이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감도 체크 과정을 도시한 플로우차트이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 검증 과정을 설명하기 위한 플로우차트이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리사이클 유닛의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 용액 제조부를 도시한 모식도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 용액 제조부를 도시한 모식도이다.
FIG. 1 is an explanatory view showing an overall configuration of a substrate contaminant analyzing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a flow path and a valve for supplying and transferring a scan solution, a sample solution, a standard solution, an etchant, and the like in the apparatus for analyzing substrate contaminants according to an embodiment of the present invention.
Fig. 3 shows an example in which a sample tube and a liquid detection sensor are installed. Fig. 3 (A) shows an example in which a liquid detection sensor is installed in a rod-shaped sample tube, In which the liquid detection sensor is installed.
4 is a flowchart illustrating a sensitivity check process according to an embodiment of the present invention.
5 is a flowchart illustrating a self-verification process according to an embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a recycle unit according to an embodiment of the present invention.
7 is a schematic diagram showing a scan solution producing unit according to an embodiment of the present invention.
8 is a schematic diagram showing an etching solution producing unit according to an embodiment of the present invention.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 명칭 및 도면 부호를 사용한다.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent by describing in detail exemplary embodiments thereof with reference to the attached drawings in which: FIG. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. In order to clearly illustrate the present invention in the drawings, parts not related to the description are omitted, and similar names and reference numerals are used for similar parts throughout the specification.

용어의 의미Meaning of Terms

본 명세서에서 '기판'은 반도체 웨이퍼, LCD 기판, OLED 기판 등을 포함하며, 특별히 한정하지 않은 이상 '기판'은 제조 공정 중의 스타트 상태만을 의미하는 것이 아니라, 산화막, 폴리실리콘층, 금속층, 층간막 또는 소자 등이 하나 이상 형성된 상태일 수도 있다.In this specification, the term "substrate" refers to a semiconductor wafer, an LCD substrate, an OLED substrate, and the like. The term "substrate" refers not only to a start state during the manufacturing process, but also includes an oxide film, Or an element or the like may be formed.

본 명세서에서 '스캔'은 기판의 전체 또는 일부 영역에 대한 스캔과 함께, 경우에 따라 기판의 특정 포인트에서 포인트 깊이 프로파일(Point Depth Profile)을 얻기 위하여 깊이 방향으로 스캔하는 것을 포함한다.As used herein, a "scan" involves scanning in depth direction to obtain a point depth profile at a particular point on the substrate, optionally with a scan for all or a portion of the substrate.

본 명세서에서 다른 기재와 상충되지 않는 한 '스캔 용액'은 기판을 스캔하기 위하여 노즐에 공급되거나 공급되기 위한 용액을 말하며, '샘플 용액'은 스캔 용액으로 또는 스캔 용액 및 포인트 에칭 용액 등으로 기판을 스캔한 한 후 오염물 등이 포집된 용액을 말한다.
As used herein, the term " scan solution " refers to a solution to be supplied to or supplied to a nozzle for scanning a substrate, and the " sample solution " is used as a scan solution or as a scan solution and a point etching solution It refers to a solution in which contaminants are collected after being scanned.

기판 오염물 분석 장치의 전체 구성 및 동작Overall Configuration and Operation of Substrate Contaminant Analysis Apparatus

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치의 전체 구성을 도시한 평명도이다.FIG. 1 is an explanatory view showing an overall configuration of a substrate contaminant analyzing apparatus according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 기판 오염물 분석 장치는 로드 포트(10), 로봇(20), 얼라이너 유닛(30), VPD 유닛(40), 스캔 유닛(50), 리사이클링 유닛(60) 및 분석기(70)를 포함하여 구성된다.The substrate contaminant analyzing apparatus of the present invention includes a load port 10, a robot 20, an aligner unit 30, a VPD unit 40, a scan unit 50, a recycling unit 60 and an analyzer 70 .

로드 포트(10)는 기판 오염물 분석 장치의 일측에 위치하고 기판이 수납된 카셋트를 개방하여 기판을 기판 오염물 분석 장치의 내부로 도입하는 통로를 제공한다. 로봇(20)은 기판을 파지하여 기판 오염물 분석 장치의 각 구성요소 사이에서 기판을 자동 이송하며, 구체적으로 로드 포트(10)의 카셋트, 얼라인 유닛(30), VPD 유닛(40), 스캔 유닛(50) 및 리사이클링 유닛(60) 사이에서 기판을 이송한다. 얼라이너 유닛(30)은 기판을 정렬시켜주는 기능을 수행하며, 특히 스캔 스테이지(51)에 기판을 재치하기 전 기판의 중심을 정렬시키기 위하여 사용된다.The load port 10 is located at one side of the substrate contaminant analysis apparatus and provides a path for opening the cassette containing the substrate to introduce the substrate into the interior of the substrate contaminant analysis apparatus. The robot 20 grasps the substrate to automatically transfer the substrate between the respective components of the substrate contaminant analysis apparatus. Specifically, the robot 20 aligns the cassette of the load port 10, the alignment unit 30, the VPD unit 40, (50) and the recycling unit (60). The aligner unit 30 performs the function of aligning the substrate, in particular, to align the center of the substrate before placing the substrate on the scan stage 51.

VPD 유닛(40)은 기판에 대하여 기상 분해(VPD : Vapor Phase Decomposition)가 수행되는 유닛으로서, 기판 도입을 위한 도입구 및 도어, 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 구비되는 로드 플레이트, 진공척 및 식각 가스 분사구 등을 포함하며, 가스 상태의 에천트에 의해 기판의 표면 또는 벌크까지를 식각한다.The VPD unit 40 is a unit in which vapor phase decomposition (VPD) is performed on a substrate. The VPD unit 40 includes an introduction port and a door for introducing the substrate, a process chamber, a rod plate provided inside the process chamber, And etches the surface or the bulk of the substrate by a gaseous etchant.

스캔 유닛(50)은 스캔 스테이지(51) 및 스캔 모듈(52)을 포함하며, 스캔 스테이지(51)은 VPD 유닛(40)에서 기상분해가 수행된 기판 등이 안착되며, 기판이 안착된 상태에서 스캔모듈(52)을 사용하여 기판을 스캔하는 과정에서 기판을 회전시키는 기능을 수행한다. 스캔 모듈(52)은 스캔 스테이지(51)의 일측에 구비되며, 기판에 근접하여 스캔 용액을 머금은 상태에서 기판을 스캔하는 스캔 노즐(53 : 도 2 참조)과 일단에 스캔 노즐을 탑재한 상태로 스캔 노즐의 위치를 예를 들면 3축 방향으로 이동시킬 수 있는 스캔 모듈 암을 포함한다. 스캔 노즐 및 스캔 모듈은 하나 또는 복수개 구비될 수 있다. 스캔 유닛(50)의 스캔 노즐에는 유로를 통하여 스캔 용액이 공급되며 공급된 스캔 용액으로 기판을 스캔한 샘플 용액은 유로를 통하여 분석기(70)로 이송된다.The scan unit 50 includes a scan stage 51 and a scan module 52. The scan stage 51 is mounted with a substrate or the like on which gas phase decomposition has been performed in the VPD unit 40, And performs a function of rotating the substrate in a process of scanning the substrate using the scan module 52. The scan module 52 is provided on one side of the scan stage 51 and includes a scan nozzle 53 (see FIG. 2) for scanning the substrate while the scan solution is in the vicinity of the substrate, and a scan nozzle And a scan module arm capable of moving the position of the scan nozzle, for example, in three axial directions. One or a plurality of scan nozzles and scan modules may be provided. The scan solution is supplied to the scan nozzles of the scan unit 50 through the flow path, and the sample solution is transferred to the analyzer 70 through the flow path.

리사이클링 유닛(60)은 스캔이 종료된 기판을 재활용하기 위하여, 기판을 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하며, 기판 도입을 위한 도입구 및 도어, 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 구비되는 로드 플레이트, 진공척 및 에칭액을 분사하는 노즐 등을 포함하며, 구체적인 사항은 후술한다.The recycling unit 60 processes the substrate with a solution containing an acid series or a base series of chemicals in order to recycle the substrate after the scan is completed, and includes an introduction port and a door for introducing the substrate, a processing chamber, and a processing chamber A vacuum chuck, and a nozzle for spraying an etchant, and the like will be described later in detail.

분석기(70)는 스캔 유닛(50)의 스캔 노즐로부터 유로를 통하여 샘플 용액을 이송받아 분석하며, 샘플 용액속에 포함된 오염물의 존재유무, 오염물의 함량 또는 오염물의 농도 등을 분석한다. 분석기(70)로서는 유도결합 플라즈마 질량분석기(ICP-MS : Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)가 선호된다.The analyzer 70 analyzes and analyzes the sample solution through the flow path from the scan nozzle of the scan unit 50 and analyzes the presence or absence of contaminants contained in the sample solution, the content of contaminants, or the concentration of contaminants. As the analyzer 70, an inductively coupled plasma mass spectrometry (ICP-MS) is preferred.

아울러, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치는, 스캔 용액 및 에칭 용액의 자동 제조, 샘플 용액의 이송, 분석기의 오토 캘리브레이션, 센서티버티 체크(Sensitivity Check), 셀프 밸리데이션(Self Validation) 등을 위한 부분을 포함하며 이러한 부분은 주로 기판 오염물 분석 장치의 측면 또는 내부에 구성될 수 있으며, 이에 대해서는 후술한다.In addition, the apparatus for analyzing substrate contaminants according to an embodiment of the present invention may be used for automatically preparing scan solutions and etching solutions, transferring sample solutions, auto-calibration of analyzers, sensitivity check, self- Etc., and such portions can be configured mainly on the side or inside of the substrate contaminant analysis apparatus, which will be described later.

이하, 기판 오염물 분석 장치의 전체 구성이 동작하는 방법과 관련하여 기판 표면의 오염물을 스캔하여 분석하는 경우를 기준으로 개괄하여 설명한다.In the following, a description will be made on the basis of a case where the contaminants on the surface of the substrate are scanned and analyzed in relation to a method of operating the entire configuration of the substrate contaminant analyzing apparatus.

로봇(20)은 로드 포트(10)로부터 분석하고자 하는 기판을 VPD 유닛(40)의 공정 챔버로 인입하며, VPD 유닛(40)에서는 식각 가스를 이용하여 기판의 표면을 기상분해한다. 이에 따라 기판 표면의 산화막은 식각 가스와 결합하여 가스 상태로 배출되며, 표면 및 산화막 등에 포함되어 있던 금속 원자 등의 불순물은 기판의 표면에서 포집 가능한 상태로 남는다.The robot 20 draws the substrate to be analyzed from the load port 10 into the process chamber of the VPD unit 40 and the VPD unit 40 vaporizes the surface of the substrate by using the etching gas. As a result, the oxide film on the surface of the substrate is bonded with the etching gas and is discharged in a gaseous state, and impurities such as metal atoms contained in the surface and the oxide film remain in a state capable of trapping on the surface of the substrate.

이어서 로봇(20)을 이용하여 기판을 VPD 유닛(40)으로부터 인출한 다음 스캔 스테이지(51)상에 안착시킨다. 유로를 통하여 스캔 용액 베슬(Vessel)(121 : 도 2 참조)로부터 스캔 노즐의 선단까지 스캔 용액을 이송하여, 스캔 용액의 선단과 기판 표면 사이에 스캔 용액의 액적을 머금은 상태로 한다.Subsequently, the substrate is taken out of the VPD unit 40 by using the robot 20, and is then placed on the scan stage 51. The scan solution is transferred from the scan solution vessel 121 (see FIG. 2) to the tip of the scan nozzle through the flow path so that the droplet of the scan solution is put between the tip of the scan solution and the substrate surface.

그리고 이 상태에서 스캔 스테이지(51)의 회전과 스캔 모듈 암의 위치 컨트롤을 병행하여 기판을 스캔하되, 스캔 노즐이 기판상에서 나선형의 궤적으로 이동토록 하거나, 기판이 1회전을 완료할 때마다 스캔 노즐의 위치를 이동하도록 하여 스캔 노즐이 복수의 동심원 궤적으로 이동토록 하여 기판을 스캔할 수도 있다. 스캔 노즐을 이용하여 기판을 스캔하면 스캔 용액은 금속 원자등의 오염 물질을 흡수한 샘플 용액이 되며, 스캔을 마친 후 스캔 노즐은 샘플 용액을 흡입하고 샘플 용액은 스캔 노즐로부터 분석기(70)까지 유로를 통하여 이송되며, ICP-MS등의 분석기(70)에서는 이송받은 샘플 용액을 분석한다. 스캔 용액은 예를 들면 불산(HF), 과산화수소(H2O2) 및 초순수를 포함하는 용액이다.In this state, the substrate is scanned in parallel with the rotation of the scan stage 51 and the position control of the scan module arm, so that the scan nozzle is moved on the substrate in a spiral trajectory, So that the scan nozzle can be moved to a plurality of concentric loci to scan the substrate. When the substrate is scanned using the scan nozzles, the scan solution becomes a sample solution that absorbs contaminants such as metal atoms. After the scan, the scan nozzles suck the sample solution, and the sample solution flows from the scan nozzle to the analyzer 70 And the analyzed sample solution is analyzed in the analyzer 70 such as ICP-MS. The scan solution is, for example, a solution containing hydrofluoric acid (HF), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and ultrapure water.

스캔을 마친 기판은 로봇(20)에 의해 스캔 스테이지(51)로부터 리사이클링 유닛(60)의 공정 챔버내로 인입되며, 리사이클링 유닛(60)에 의해서 기판을 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리함으로써, 기판을 재사용할 수 있도록 하며, 이어서 로봇(20)은 리사이클링 유닛(60)의 공정 챔버로부터 기판을 인출하여 다시 로드 포트(10)의 카셋트에 탑재한다.The scanned substrate is transferred from the scan stage 51 into the process chamber of the recycling unit 60 by the robot 20 and is transferred by the recycling unit 60 into a solution containing an acid series or a base series of chemicals Thereby allowing the substrate to be reused, and then the robot 20 withdraws the substrate from the process chamber of the recycling unit 60 and mounts it again onto the cassette of the load port 10. [

한편, VPD 유닛(40)에 인입하기전, VPD 유닛(40)에서 인출된 후 스캔 스테이지(51)로 이송하기 전, 또는 스캔 스테이지(51)에서 인출된 후 리사이클링 유닛(60)으로 이송하기 전, 얼라이너 유닛(30)을 사용하여 기판을 얼라인 할 수 있다.On the other hand, before being transferred to the VPD unit 40, before being transferred from the VPD unit 40 to the scan stage 51, or before being transferred from the scan stage 51 to the recycling unit 60 , The aligner unit 30 can be used to align the substrate.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치 및 기판 오염물 분석 방법을 구성하는 세부 특징을 중심으로 상세히 살펴본다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a substrate contamination analyzing apparatus and a substrate contamination analyzing method according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the detailed features.

유로를 통한 스캔 용액 및 샘플 용액의 이송과 센서 감지Transfer of scanning solution and sample solution through the flow path and sensor detection

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치에서 스캔 용액, 샘플 용액, 표준 용액 및 에칭액 등을 공급 및 이송하기 위한 유로 및 밸브 등을 모식적으로 표시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a flow path and a valve for supplying and transferring a scan solution, a sample solution, a standard solution, an etchant, and the like in the apparatus for analyzing substrate contaminants according to an embodiment of the present invention.

샘플 튜브(82,92, 112)는 미량의 용액이 로딩될 공간을 가지는 튜브로서, 샘플 튜브는 막대 모양, 나선형 모양 또는 루프 모양 등 다양한 형상일 수 있으며, 샘플 튜브는 예를 들면 샘플 루프일 수 있다.The sample tubes 82, 92, and 112 may be various shapes such as a bar shape, a spiral shape, or a loop shape, and the sample tube may be, for example, a sample loop have.

정량 펌프(85,86, 95)는 주사기펌프, 다이아프램 펌프, 기어 펌프, 피스톤 펌프 등일 수 있고 정밀도가 높은 형태의 펌프가 선호될 수 있으며, 펌프(87, 96, 116)는 정량 펌프이거나 다른 형태의 펌프일수도 있고 용량이 큰 형태의 펌프가 선호될 수 있다.The metering pumps 85, 86 and 95 may be syringe pumps, diaphragm pumps, gear pumps, piston pumps, etc., and pumps of a high precision type may be preferred and the pumps 87, 96 and 116 may be metering pumps, Type pump or a pump of a large capacity type may be preferred.

스캔 용액 베슬(121)의 스캔 용액이나 포인트 에칭액 베슬(131)의 에칭 용액은 후술할 자동 제조 장치를 통해 제조되어 저장된 것이다. 각 용액은 제 3 펌프(116)와 제 3 밸브(113), 제 4 밸브(114) 및 제 5 밸브(115)를 포함하는 밸브 시스템을 통해 스캔 노즐(53)로 전달된다.The scan solution of the scan solution vessel 121 or the etching solution of the point etchant solution 131 is manufactured and stored through an automatic manufacturing apparatus described later. Each solution is transferred to the scan nozzle 53 through a valve system including a third pump 116 and a third valve 113, a fourth valve 114 and a fifth valve 115.

스캔 노들(53)로 스캔 용액을 이송하는 과정을 살펴보면, 스캔 용액 베슬(121)과 제 3 펌프(116) 사이의 밸브를 열고 제 3 펌프(116)를 이용하여 정해진 부피를 뽑아낸다. 스캔 용액이 제 3 펌프(116)의 앞단에 있는 제 3 샘플 튜브(112)에 도착하는 것은 제 3 액체 감지 센서(111)에 의해서 감지된다.The procedure for transferring the scan solution to the scan nods 53 is as follows. The valve between the scan solution vessel 121 and the third pump 116 is opened and the predetermined volume is extracted using the third pump 116. It is sensed by the third liquid detection sensor 111 that the scan liquid arrives at the third sample tube 112 at the front end of the third pump 116.

그리고, 상기한 밸브를 닫고 제 3 밸브(113)을 연 다음, 제 3 펌프(116)를 이용하여 스캔 용액을 정해진 양만큼 스캔 노즐(53)로 공급한다. 한편, 포인트 벌크 에칭을 위해서는 에칭 용액이 스캔 용액과 함께 사용될 수 있으며, 에칭 용액과 스캔 용액이 교대로 또는 일정한 순서대로 스캔 노즐(53)로 제공될 수 있다.Then, the valve is closed, the third valve 113 is opened, and the third pump 116 is used to supply the scan solution to the scan nozzle 53 by a predetermined amount. On the other hand, for point bulk etching, an etching solution may be used together with the scan solution, and the etching solution and the scan solution may be provided to the scan nozzle 53 alternately or in a predetermined order.

정량적 용액 전달을 완료하기 위해 공기 또는 가스 등을 이용해 펌프 배출 중 또는 배출 이후 추가로 밀어줄 수 있다. 시료 이동거리는 통상 2~4m 범위에서 주로 사용하나 그 이외도 가능하다.Additional pressure can be applied during or after discharge of the pump using air or gas to complete the quantitative solution transfer. The sample travel distance is usually in the range of 2 to 4 m, but other than that, it is possible.

한편, 시료 도입부(100)은 분석기(70)로 샘플 용액, 표준 용액, 스캔 용액 또는 초순수 등을 시료로서 도입하기 위한 장치로서, 샘플 용액 도입부(80) 및 표준 용액 도입부(90)를 포함하여 구성된다.The sample introducing portion 100 is a device for introducing a sample solution, a standard solution, a scan solution, or ultrapure water into the analyzer 70 as a sample. The sample introducing portion 100 includes a sample solution introducing portion 80 and a standard solution introducing portion 90 do.

스위칭 밸브(81,91)는 2개의 포트에 샘플 튜브(82,92)가 결합되며 용액이 샘플 튜브에 로딩되는 로드 포지션과 로딩된 용액을 인젝션하는 인젝션 포지션을 가지며, 제어에 의해서 로드 포지션 및 인젝션 포지션 사이에서 전환될 수 있다. 스위칭 밸브(81,91)는 인젝션 밸브(Injection Valve)이거나 여러개의 밸브와 유로를 조합하여 형성되는 것일 수도 있다. 선호되기로 스위칭 밸브(81,91)는 6 포트 인젝션 밸브이다.The switching valves 81 and 91 are connected to two ports of the sample tubes 82 and 92 and have a loading position at which the solution is loaded into the sample tube and an injection position at which the loaded solution is injected, Position. The switching valves 81 and 91 may be an injection valve or a combination of a plurality of valves and a flow path. The switching valves 81 and 91 are preferably six-port injection valves.

액체 감지 센서(83,93,111)는 액체를 감지하는 감지 센서로서, 액체 감지 센서는 액체의 존재 유무를 파악할 수 있는 광센서 또는 커플링되는 커패시턴스의 변화를 감지하는 근접 센서 등일 수 있다. 특히 액체 감지 센서(83,93,111)는 샘플 튜브(82,92,112)에 근접하거나 부착하여 설치되어 샘플 튜브내의 액체를 감지한다.The liquid sensing sensors 83, 93, and 111 may be liquid sensing sensors, such as an optical sensor capable of detecting the presence or absence of a liquid, or a proximity sensor for sensing a change in capacitance to be coupled. In particular, the liquid detection sensors 83, 93, 111 are installed close to or attached to the sample tubes 82, 92, 112 to sense liquid in the sample tubes.

도 3은 샘플 튜브 및 액체 감지 센서가 설치되는 예를 도시한 도면으로서, 도 3(A)는 막대 모양의 샘플 튜브에 액체 감지 센서가 설치된 예이며, 도 3(B)는 루프 모양의 샘플 튜브에 액체 감지 센서가 설치된 예이다.Fig. 3 shows an example in which a sample tube and a liquid detection sensor are installed. Fig. 3 (A) shows an example in which a liquid detection sensor is installed in a rod-shaped sample tube, In which the liquid detection sensor is installed.

액체 감지 센서(83, 93, 111)는 샘플 튜브(82, 92, 112)의 중앙 또는 일측에 설치될 수 있으며, 또한 2개 이상의 액체 감지 센서를 설치할 수도 있다.The liquid detection sensors 83, 93, and 111 may be installed at the center or one side of the sample tubes 82, 92, and 112, or may include two or more liquid detection sensors.

샘플 용액 도입부(80)는 샘플 용액 또는 스캔 용액 등을 선택적으로 도입하며, 제 1 스위칭 밸브(81), 제 1 샘플 튜브(82), 제 1 액체 감지 센서(83), 제 1 정량 펌프(85), 제 2 정량 펌프(86), 제 1 밸브(88) 및 제 2 밸브(89) 등을 포함하여 구성된다.The sample solution introducing portion 80 selectively introduces a sample solution or a scan solution and supplies the sample solution or the scan solution to the sample solution introducing portion 80. The sample solution introducing portion 80 includes a first switching valve 81, a first sample tube 82, a first liquid detection sensor 83, A second metering pump 86, a first valve 88, a second valve 89, and the like.

제 1 샘플 튜브(82)는 스캔 노즐에 의해서 스캔한 샘플 용액이 로딩될 공간을 가지는 튜브이며, 제 1 액체 감지 센서(83)가 설치된다.The first sample tube 82 is a tube having a space for loading a sample solution scanned by the scan nozzle, and a first liquid detection sensor 83 is installed.

제 1 스위칭 밸브(81)는 1번 포트 및 4번 포트가 제 1 샘플 튜브(82)와 결합되며, 샘플 용액 또는 스캔 용액 중에서 주로 샘플 용액이 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩되는 로드 포지션과 로딩된 샘플 용액을 분석기(70) 쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가진다.The first switching valve 81 is connected to the first sample tube 82 and the port 1 and port 4 are connected to the first sample tube 82 and the load position in which the sample solution is mainly loaded in the first sample tube 82, And an injection position for injecting the loaded sample solution to the analyzer 70 side.

샘플 용액이 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩됨에 있어서 샘플 용액의 전·후에는 기체 구간을 포함하도록 하고 기체는 공기이거나 불활성 가스 일 수 있으며, 제 1 감지 센서(83)는 제 1 샘플 튜브(82)에 설치되어 기체 구간과 샘플 용액을 구별하여 감지한다.The sample may be air or an inert gas such that the sample solution is loaded into the first sample tube 82 before and after the sample solution, and the first sensing sensor 83 is connected to the first sample tube 82 to distinguish between the gas phase and the sample solution.

샘플 용액 도입부(80)와 표준 용액 도입부(90)는 샘플 튜브(82,92)에 설치되고 기체 구간과 샘플 용액을 구별하여 감지하는 액체 감지 센서(83,93)를 이용하여 샘플 용액 또는 표준 용액 등의 도착 또는 이동을 감지한다.The sample solution introducing portion 80 and the standard solution introducing portion 90 are provided in the sample tubes 82 and 92 and are connected to the sample solution or standard solution Or the like.

로드 포지션에서 제 1 액체 감지 센서(83)가 기체 및 액체의 순서로 감지하면 샘플 용액이 스캔 노즐로부터 샘플 튜브(82)에 도착하는 것으로 판단하며, 인젝션 포지션에서 액체 감지 센서(83)가 액체 및 기체의 순서로 감지하면 샘플 용액이 분석기(70)쪽으로 이동하는 것으로 판단한다.It is determined that the sample solution arrives from the scan nozzle to the sample tube 82 when the first liquid detection sensor 83 senses in the order of gas and liquid in the load position and the liquid detection sensor 83 in the injection position detects liquid and When it is detected in the order of the gas, it is judged that the sample solution moves to the analyzer 70 side.

제 1 정량 펌프(85)는 주로 스위칭 밸브(81)가 로드 포지션일 때 샘플 용액을 샘플 튜브(81)에 로딩할 때 사용하며, 제 2 정량 펌프(86)는 주로 스위칭 밸브(81)가 인젝션 포지션일 때 로딩된 샘플 용액을 초순수로써 분석기(70)쪽으로 밀어줄 때 사용한다.
The first metering pump 85 is mainly used when the sample solution is loaded into the sample tube 81 when the switching valve 81 is in the load position and the second metering pump 86 is mainly used when the switching valve 81 is injected Position to push the loaded sample solution to the analyzer 70 with ultra pure water.

이하, 샘플 용액 도입부(80)의 동작에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the operation of the sample solution introducing portion 80 will be described in detail.

기본 상태에서 제 1 스위칭 밸브(81)는 인젝션 포지션에 있으며 제 1 샘플 튜브(82)를 통해 항상 분석기(70)로 초순수를 공급하도록 하여, 제 1 샘플 튜브(82) 및 유로의 세정 효과를 가지게 한다. 또한 스캔 노즐(53)로부터 제 1 스위칭 밸브(81) 사이의 튜브는 액체가 아닌 공기 또는 가스로 채워진 상태로 한다.In the basic state, the first switching valve 81 is in the injection position and always supplies ultrapure water to the analyzer 70 through the first sample tube 82, so that the first sample tube 82 and the flow path are cleaned do. Further, the tube between the scan nozzle 53 and the first switching valve 81 is filled with air or gas rather than liquid.

스캔 노즐(53)이 스캔을 마친 후, 제 1 밸브(88)를 열고 제 1 스위칭 밸브(81)가 로드 포지션에서 제 1 정량 펌프(85)에 의해 시료를 빨아들임으로써, 스캔한 샘플 용액을 스캔 노즐(53)과 분석기(70) 사이 유로의 중간에 위치하는 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩한다. 샘플 용액의 이동거리는 예를 들면 2 ~ 4m 범위일 수 있다. After the scan nozzle 53 has completed the scan, the first valve 88 is opened and the first switching valve 81 sucks the sample by the first metering pump 85 at the load position, And is loaded into the first sample tube 82 located in the middle of the flow path between the scan nozzle 53 and the analyzer 70. The travel distance of the sample solution may be in the range of, for example, 2 to 4 m.

샘플 용액이 샘플 튜브에 도달하면 제 1 액체 감지 센서(83)를 이용 감지하여 제 1 스위칭 밸브(81)를 인젝션 포지션으로 스위칭한다. 제 1 액제 감지 센서(83)가 기체 및 액체의 순서로 감지하면 샘플 용액이 스캔 노즐로부터 제 1 샘플 튜브(82)에 도착하는 것으로 판단한다.When the sample solution reaches the sample tube, it senses the first liquid detection sensor 83 and switches the first switching valve 81 to the injection position. When the first liquid detection sensor 83 senses in the order of gas and liquid, it is judged that the sample solution arrives from the scan nozzle to the first sample tube 82.

스캔 노즐(53)과 샘플 튜브(82) 사이의 유로는 공기나 가스가 채우도록 한 상태로서, 샘플 용액이 펌프 작동에 의해 이동될 때 샘플 용액의 전후는 공기나 가스로 채워진다. 이는 샘플 용액의 구간만 확인할 수 있는 장점을 제공한다. 예를 들면, 샘플 용액이 제 1 샘플 튜브(82)에 도입되기 전, 기체 영역이 존재하고 제 1 샘플 튜브(82)의 액체 감지 센서는 off 상태를 나타낸다. 이때 액체인 샘플 용액이 제 1 액체 감지 센서(83)에 도달하면 액체 감지 센서의 출력 상태가 on 상태를 나타내며, 이 때 제 1 스위칭 밸브(81)를 인젝션 포지션으로 스위칭하여 샘플 용액을 제 1 샘플 튜브(82) 내부에 보관할 수 있으며, 흡입을 위한 제 1 정량 펌프(85)를 스톱한다. 샘플 용액의 양 끝은 기체가 존재하며, 정확한 측정을 위해 센서가 추가되어 복수개 설치될 수도 있다.The flow path between the scan nozzle 53 and the sample tube 82 is filled with air or gas. When the sample solution is moved by the pump operation, the sample solution is filled with air or gas before and after the sample solution. This provides the advantage that only the section of the sample solution can be identified. For example, before the sample solution is introduced into the first sample tube 82, the gas area is present and the liquid detection sensor of the first sample tube 82 is in an off state. At this time, when the liquid sample solution reaches the first liquid detection sensor 83, the output state of the liquid detection sensor is on. At this time, the first switching valve 81 is switched to the injection position, Can be stored in the tube (82), and the first metering pump (85) for suction is stopped. Both ends of the sample solution have gas, and a plurality of sensors may be added for accurate measurement.

만약 제 1 액체 감지 센서(83)가 액체를 감지하지 못하면 샘플 용액의 흡입 과정을 정해진 횟수만큼 반복할 수 있다. 만약 그 과정에 의해서도 액체가 감지되지 않으면 기판의 샘플 용액이 손실된 것으로 판단하고 알람처리한다.If the first liquid detection sensor 83 can not detect the liquid, the suction process of the sample solution can be repeated a predetermined number of times. If no liquid is detected by the process, it is determined that the sample solution on the substrate is lost and an alarm process is performed.

본 발명의 일 실시예에 따르면 샘플 용액이 샘플 튜브에 도착하는 것에 맞추어서 감지하여 로딩할 수 있으므로, 샘플 용액의 정확한 로딩이 가능하고 샘플 용액의 손실을 방지하며, 보다 적은 샘플 용액을 사용해도 되고 스캔 노즐로부터 샘플 튜브까지 고속으로 이동해도 되는 효과가 있다.According to one embodiment of the present invention, since the sample solution can be sensed and loaded according to arrival at the sample tube, accurate loading of the sample solution is possible, loss of the sample solution can be prevented, less sample solution can be used, There is an effect that the nozzle can be moved at high speed from the nozzle to the sample tube.

이어서 제 1 스위칭 밸브(80)를 로드 포지션에서 인젝션 포지션으로 전환하고 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩된 샘플 용액을 분석기쪽으로 인젝션한다. 이 때 제 1 스위칭 밸브(81)에 연결된 제 2 정량 펌프(86)를 이용해 샘플 용액을 분석기(70)로 공급하되 일정한 유량으로 공급한다. 인젝션할 때 로딩된 샘플 용액을 초순수로써 분석기(70)쪽으로 밀어줄 때 제 2 정량 펌프(86)가 이용된다.The first switching valve 80 is then switched from the load position to the injection position and the sample solution loaded in the first sample tube 82 is injected into the analyzer. At this time, the sample solution is supplied to the analyzer 70 using a second metering pump 86 connected to the first switching valve 81, and supplied at a constant flow rate. A second dosing pump 86 is used to push the loaded sample solution to the analyzer 70 with ultra pure water.

제 1 액체 감지 센서(83)가 액체 및 기체의 순서로 감지하면 샘플 용액이 분석기(70)쪽으로 이동하는 것으로 판단한다. 그리고 제 1 액체 감지 센서(83)가 액체로부터 기체로 바뀌는 것을 감지하지 못하면 이상이 있는 것으로 판단하고 알람할 수 있다.When the first liquid detection sensor 83 detects liquid and gas in this order, it is determined that the sample solution moves to the analyzer 70 side. If the first liquid detection sensor 83 does not detect the change from the liquid to the gas, it can be determined that there is an abnormality and an alarm can be issued.

샘플 용액 도입 시 샘플 용액의 양단은 기체로 되어 있어 샘플 용액이 이동하면 제 1 액체 감지 센서(83)가 off 상태 - on 상태 - off 상태로 바뀌거나 on 상태 - off 상태로 바뀌는 것을 감지할 수 있다. 샘플 용액의 이동은 초순수를 제 2 정량 펌프(86)로 밀면서 전체가 같이 이동하는 것으로 샘플 용액 - 기체 - 초순수 순으로 분석기에 도입된다.When the sample solution is introduced, both ends of the sample solution are gaseous, and when the sample solution moves, it can detect that the first liquid detection sensor 83 is changed from off state to on state to off state or from on state to off state . The movement of the sample solution is introduced into the analyzer in the order of the sample solution-gas-ultrapure water while the ultrapure water is moved together with the second metering pump 86.

본 발명의 일 실시예에 따르면 샘플 용액이 분석기(70)로 도입이 안 되는 경우가 있어도 제 1 액체 감지 센서(83)의 감지를 이용하여 샘플 용액의 이동을 체크할 수 있는 효과가 있다. 그리고 분석기(70)에 분석 명령을 내리고 분석 결과를 확인한다.According to the embodiment of the present invention, there is an effect that the movement of the sample solution can be checked using the detection of the first liquid sensor 83 even when the sample solution is not introduced into the analyzer 70. Then, an analysis command is issued to the analyzer 70 and the analysis result is confirmed.

웨이퍼의 시료가 분석기까지 전달되는 과정에서 다양한 시료 손실의 과정이 존재할 수 있다. 스캔 과정에서 시료 손실(시료는 웨이퍼의 특징에 의해 노즐을 벗어나 웨이퍼 표면으로 샐 수 있으며, 시료가 샘플 튜브로 이동하는 과정에서 펌프 등의 이상에 의해 시료 손실이 있을 수 있고, 샘플 튜브에서 분석기로 이동하는 과정에서 펌프 또는 시료 도입 장치 이상 등에 의해서도 손실될 수 있다.There may be various sample loss processes in the process of transferring the wafer sample to the analyzer. During the scanning process, the sample may be lost (the sample may escape from the nozzle due to the characteristics of the wafer and may leak to the wafer surface. In the process of moving the sample to the sample tube, there may be a sample loss due to abnormality of the pump, It may be lost by the pump or the sample introduction device abnormality during the movement.

이에 반해서 본 발명의 일 실시예에 따르면 샘플 튜브 상에 간단히 센서를 추가함으로써, 샘플 튜브를 중심으로 시료의 손실 과정을 확인할 수 있는 효과가 있다. 자동화된 장비에서 사람이 수시 확인 없이 시료 손실을 체크하여 분석 결과의 신뢰성 향상 및 안전성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
On the other hand, according to the embodiment of the present invention, the sensor can be simply added on the sample tube, thereby confirming the loss process of the sample around the sample tube. It is possible to improve the reliability of the analysis result and the safety by checking the sample loss without any confirmation from the person in the automated equipment.

샘플 용액의 인젝션 및 세정의 병행Combination of injection and cleaning of sample solution

제 1 스위칭 밸브(81)의 인젝션 포지션에서 샘플 용액을 분석기(70)쪽으로 인젝션하는 것과 병행하여, 적어도 스캔 노즐(53)부터 제 1 스위칭 밸브(81)까지의 유로를 세정한다. The flow path from at least the scan nozzle 53 to the first switching valve 81 is cleaned in parallel with the injection of the sample solution to the analyzer 70 at the injection position of the first switching valve 81.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 스캔한 샘플 용액을 유로의 중간에 위치하는 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩하는 제 1 단계; 및 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩된 샘플 용액을 분석기(70)쪽으로 인젝션하는 제 2 단계;를 포함하되, 제 2 단계와 병행하여, 적어도 스캔 노즐(53)부터 제 1 샘플 튜브(82)의 앞까지의 구간을 포함하여 세정한다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method comprising: a first step of loading a scanned sample solution into a first sample tube 82 located in the middle of a flow path; And a second step of injecting the sample solution loaded into the first sample tube 82 toward the analyzer 70. In parallel with the second step, at least the scan nozzle 53, the first sample tube 82, Including the preceding section.

또한, 샘플 용액의 인젝션이 완료되면 밀어주던 초순수에 의해서 제 1 스위칭 밸브(81)로부터 분석기(70)까지의 유로도 자연스레 세정된다. 세정되는 경로는 스캔 노즐(53)로부터 분석기(70) 까지 시료 이동 경로 및 스캔 노즐(53) 자체를 포함한다.Further, when the injection of the sample solution is completed, the flow path from the first switching valve 81 to the analyzer 70 is naturally cleansed by the ultra pure water which is pushed. The path to be cleaned includes the sample movement path from the scan nozzle 53 to the analyzer 70 and the scan nozzle 53 itself.

세정은 노즐 세정 베슬(54)에 스캔 노즐(53)을 넣은 후 펌프를 이용하여 흡입함으로써 수행된다. 구체적으로 살펴 보면, 상시 overflow하여 clean 상태를 유지하는 노즐 세정 베슬(54)에 스캔 노즐(53)을 넣은 후 제 1 스위칭 밸브(81)와 제 1 펌프(87)를 이용하여 정해진 시간 또는 반복하여 초순수 또는 세정 용액을 연속적으로 흡입하여 세정을 진행한다.The cleaning is performed by inserting the scan nozzle 53 into the nozzle cleaning vessel 54 and then sucking it using a pump. More specifically, the scan nozzle 53 is inserted into the nozzle cleaning vane 54 that maintains a clean state by overflowing at all times, and then the cleaning nozzle 53 is rotated by a predetermined time or repeatedly using the first switching valve 81 and the first pump 87 The ultra pure water or the cleaning solution is sucked continuously to perform cleaning.

이때는 세정 효율을 증가시키고 세정시간을 단축하기 위해 세정 용액으로 약액(HF, HF+H2O2, HNO3, HCl 등)을 도입할 수 있고 펌프 용량이 큰 제 1 펌프(87)를 사용하는 것이 좋다.In this case, a chemical pump (HF, HF + H 2 O 2 , HNO 3 , HCl, etc.) can be introduced into the cleaning solution to increase the cleaning efficiency and shorten the cleaning time. It is good.

샘플 용액을 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩하기 위하여 사용되는 제 1 정량 펌프(85)와 세정을 위하여 사용되는 제 1 펌프(87)를 구비하되, 제 1 정량 펌프(85)와 제 1 펌프(87)는 제 1 스위칭 밸브(81)의 동일 포트(6번 포트)에 연결되며, 제 1 펌프(87)는 제 1 정량 펌프(85)보다 용량이 크다. 샘플 용액의 로딩과 세정에서는 서로 다른 펌프가 사용되며, 세정에서 흡입 속도가 더 큰 펌프가 이용된다.A first metering pump 85 used for loading the sample solution into the first sample tube 82 and a first pump 87 used for cleaning, The first pump 87 is connected to the same port (port 6) of the first switching valve 81 and the first pump 87 has a larger capacity than the first metering pump 85. Different pumps are used for loading and cleaning the sample solution, and a pump with a higher suction speed is used for cleaning.

스캔 노즐(530의 세정은 초순수만으로 가능하며 약액도 도입할 수 있다. 이는 하나의 베슬에서 연속 진행할 수도 있고 초순수용과 약액용을 나누어 진행할 수도 있다.The cleaning of the scan nozzles 530 is possible only with ultra-pure water and can also introduce a chemical solution, which can be carried out continuously in a single vessel or divided into ultrapure water and chemical solution.

전체 공정 시간 단축을 위해 세정은 인젝션 과정 중에 병행해서 진행할 수 있다. 통상 ICP-MS와 같은 분석기(70)는 느린 속도로 시료를 도입해야 하고 빠른 속도로 시료를 도입하게 되면 시료의 낭비가 심하게 되는 바, 예를 들면 분석기(70)는 0.1ml/분 정도의 속도로 시료를 도입한다. 그렇다면, 제 1 샘플 튜브(82)의 샘플 용액을 분석기(70)까지 인젝션하기 위한 시간이 상당하며, 본 발명의 일 실 시예는 이러한 점을 이용하여 인젝션 시간 동안 스캔 노즐(53)부터 제 1 스위칭 밸브(81)까지의 유로를 세정한다.In order to shorten the overall process time, cleaning can proceed in parallel during the injection process. In general, the analyzer 70 such as ICP-MS needs to introduce the sample at a slow rate. If the sample is introduced at a high speed, waste of the sample becomes severe. For example, the analyzer 70 can measure a rate of about 0.1 ml / The sample is introduced. In this case, the time for injecting the sample solution of the first sample tube 82 to the analyzer 70 is considerable, and in one embodiment of the present invention, The flow path up to the valve 81 is cleaned.

가정하여 동시 세정이 불가한 경우에 대비하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면 수분 내지 수십초의 시간을 단축할 수 있으며, 액체 감지 센서를 이용함으로써 스캔 노즐(53)의 샘플 용액을 샘플 튜브에 고속으로 로딩할 수 있으므로 역시 이송 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, the time of several minutes to several tens of seconds can be shortened in preparation for the simultaneous cleaning, and a sample solution of the scan nozzle 53 is supplied to the sample tube at a high speed It is possible to shorten the transfer time.

이어서, 세정 후 스캔 노즐(53)은 노즐 세정 베슬(54)의 상부로 올라가며 이 상태에서 펌핑을 계속한다. 이렇게 하여 스캔 노즐(53)부터 제 1 스위칭 밸브(81) 및 제 1 펌프(87)까지의 튜브는 액체가 아닌 기체를 채운 상태로 존재한다.Then, after the cleaning, the scan nozzle 53 rises to the top of the nozzle cleaning vessel 54 and continues pumping in this state. In this way, the tubes from the scan nozzle 53 to the first switching valve 81 and the first pump 87 are filled with gas, not liquid.

세정후 다시 샘플 용액을 제 1 샘플 튜브(82)에 로딩하는 등의 과정을 수행하기 전, 적어도 스캔 노즐(53)부터 제 1 샘플 튜브(82)의 앞까지의 구간을 포함하는 유로에 공기 또는 가스를 채운다. 이 후 스캔 노즐(53)은 다시 노즐 세정 베슬(54)로 들어가 대기 상태를 유지한다.
It is preferable that at least a portion of the flow path including the section from the scan nozzle 53 to the front of the first sample tube 82 before the process of loading the sample solution into the first sample tube 82 after cleaning, Fill the gas. Thereafter, the scan nozzle 53 enters the nozzle cleaning vessel 54 again and remains in the standby state.

오토 캘리브레이션Auto Calibration

본 발명의 일 실시예는, 분석 대상 기판에서 스캔 노즐(53)을 이용하여 흡입한 샘플 용액을 스캔 노즐(53)로부터 분석기(70)까지 유로를 통하여 이송하는 기판 오염물 분석 장치로서, 샘플 용액 도입부(8)외에 표준 용액 도입부(90)를 더 포함할 수 있으며, 표준 용액 도입부(90)는 샘플 용액이 이송되는 유로의 중간에 T자관(94)을 이용하여 결합되어 유로에 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있다.An embodiment of the present invention is a substrate contamination analyzing apparatus for transferring a sample solution sucked by using a scan nozzle (53) on a substrate to be analyzed from a scan nozzle (53) to an analyzer (70) The standard solution introducing portion 90 may be connected to the standard solution introducing portion 90 through a T-shaped tube 94 in the middle of the flow path through which the sample solution is transferred, Can be introduced.

본 발명의 일 실시예에 따른 시료 도입부(100)는 샘플 용액을 로딩한 다음 샘플 용액을 분석기(70)쪽으로 인젝션하는 샘플 용액 도입부(80)와, 샘플 용액 도입부(80)와 분석기(70) 사이의 유로에 T자관(94)을 이용하여 결합되어 캘리브레이션을 위한 표준 용액을 도입할 수 있는 표준 용액 도입부(90)를 포함한다.The sample inlet 100 according to an embodiment of the present invention includes a sample solution inlet 80 for injecting a sample solution into the analyzer 70 after loading the sample solution and a sample solution inlet 80 between the sample solution inlet 80 and the analyzer 70 And a standard solution introducing portion 90 which is coupled to the flow path of the sample solution using a T-shaped tube 94 to introduce a standard solution for calibration.

표준 용액 도입부(90)는 제 2 스위칭 밸브(91), 제 2 샘플 튜브(92), 제 2 액체 감지 센서(93), 제 3 정량 펌프(95) 및 제 2 펌프(96)를 포함하여 구성되며, 제 2 샘플 루프(92)는 표준 용액이 로딩될 공간을 가지며, 제 2 스위칭 밸브(91)는 제 2 샘플 튜브(92)와 결합되며 표준 용액이 제 2 샘플 튜브(92)에 로딩되는 로드 포지션과 로딩된 표준 용액을 T자관(94) 쪽으로 인젝션하는 인젝션 포지션을 적어도 가지는 밸브이다. 제 2 스위칭 밸브(91)는 6 포트 인젝션 밸브일 수 있다.The standard solution introducing portion 90 includes a second switching valve 91, a second sample tube 92, a second liquid sensing sensor 93, a third metering pump 95 and a second pump 96, The second sample loop 92 has a space for the standard solution to be loaded and the second switching valve 91 is coupled to the second sample tube 92 and the standard solution is loaded into the second sample tube 92 And is a valve having at least an injection position for injecting the load position and the loaded standard solution to the T-shaped tube 94 side. The second switching valve 91 may be a six port injection valve.

제 2 스위칭 밸브(91)는 제 2 샘플 튜브(92)와 결합되는 제 1 포트 및 제 4 포트, 표준용액이 공급되는 유로에 결합되는 제 3 포트, 표준 용액을 흡입하는 흡입 펌프인 제 2 펌프(96)에 결합되는 제 2 포트, T자관(94)에 연결되는 제 5 포트, 표준 용액을 밀어주는 초순수가 공급되는 제 6 포트를 포함한다.The second switching valve 91 has a first port and a fourth port coupled to the second sample tube 92, a third port coupled to the flow path through which the standard solution is supplied, a second pump A fifth port connected to the T-shaped tube 94, and a sixth port supplied with ultra pure water for pushing the standard solution.

그리고 제 2 스위칭 밸스(91)가 표준 용액을 로딩할 때에는 제 1 포트 및 제 2 포트 사이, 제 3 포트 및 제 4 포트 사이, 및 제 5 포트 및 제 6 포트 사이가 연결되며, 표준 용액을 인젝션할 때에는 제 6 포트 및 제 1 포트 사이, 제 2 포트 및 제 3 포트 사이, 및 제 4 포트 및 제 5 포트 사이가 연결된다.When the second switching valve 91 loads the standard solution, it is connected between the first port and the second port, between the third port and the fourth port, and between the fifth port and the sixth port, A connection is made between the sixth port and the first port, between the second port and the third port, and between the fourth port and the fifth port.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 시료 도입부(100)를 이용하여 샘플 용액과 표준 용액의 희석비를 정해진 비에 의해 다양하게 조절하여 분석기(70)로 도입하면서 캘리브레이션을 자동 진행할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the dilution ratio of the sample solution and the standard solution can be variously adjusted by using the sample introduction unit 100, and the calibration can be automatically performed while introducing the dilution ratio into the analyzer 70.

평상시 제 1 스위칭 밸브(81)는 인젝션 포지션에 위치하여 상시 초순수가 제 1 샘플 루프(81)를 통해 분석기(70)로 도입되며, 이는 상시 세정의 의미를 갖는다.Normally, the first switching valve 81 is located at the injection position and constantly ultra pure water is introduced into the analyzer 70 through the first sample loop 81, which has the meaning of routine cleaning.

한편, 캘리브레이션을 할 때 제 3 정량 펌프(93)는 로딩된 표준 용액을 초순수로써 밀어주고 이후 T자관(94)부터 제 3 정량 펌프(95)의 유로는 초순수로 채워지게 되며, 캘리브레이션의 완료 후 로드 포지션으로 복귀하는 데 이때에도 그 상태를 유지하게 된다. 제 2 스위칭 밸브(91)는 평상시 로드 포지션(도 2의 상태)에 존재하고 T자관(94)부터 제 3 정량 펌프(95)의 유로는 초순수로 채워져 있게 되므로, 샘플 용액 도입부(80) 등에 의해 샘플 용액의 분석을 진행할 때 표준 용액이 T자관(94)을 타고 샘플 용액에 혼입되어 분석기(70)로 들어가 분석 결과에 영향을 주지 않도록 한다.Meanwhile, when calibrating, the third metering pump 93 pushes the loaded standard solution with ultra-pure water, and then the flow path of the third metering pump 95 from the T-tube 94 is filled with ultra-pure water. After completion of the calibration It returns to the load position and remains in this state at this time. Since the second switching valve 91 is normally in the load position (the state shown in FIG. 2) and the flow path of the third metering pump 95 from the T-shaped tube 94 is filled with the ultra-pure water, During the analysis of the sample solution, the standard solution is incorporated into the sample solution via the T-tube 94 to enter the analyzer 70 so as not to affect the analysis results.

적어도 샘플 용액이 T자관(94)을 통과하여 이송될 때에는, 적어도 T자관(94)부터 제 2 스위칭 밸브(91) 사이의 유로에는 초순수로 채워져 있도록 하게 되므로, T자관(94)에 의해서 샘플 용액이 표준 용액으로 부터 영향받는 것을 배제할 수 있다. At least when the sample solution is transported through the T-shaped tube 94, at least the channel between the T-shaped tube 94 and the second switching valve 91 is filled with ultra-pure water, It can be excluded from being affected by this standard solution.

제 2 스위칭 펌프(91)의 로드 포지션에서는 정해진 시간마다 또는 캘리브레이션을 하기 전, 표준 용액을 흘려서 버릴 수 있으며, 인젝션 포지션에서는 제 3 정량 펌프(95)를 이용하여 로딩된 표준 용액을 초순수로써 밀어준다.In the load position of the second switching pump 91, the standard solution can be flowed out before the predetermined time or before the calibration. In the injection position, the loaded standard solution is pushed by the ultra-pure water using the third dosing pump 95 .

본 발명의 일 실 시예에 따르면, 샘플 용액 도입부(90)는 샘플 용액을 분석기(70)쪽으로 인젝션할 때 초순수로써 샘플 용액을 밀어주는 초순수 캐리어부(88)를 포함하되, 캘리브레이션을 위하여 표준 용액을 희석할 때에도 초순수 캐리어부(88)를 공통 이용한다.According to an embodiment of the present invention, the sample solution introducing portion 90 includes a ultra-pure water carrier portion 88 for pushing the sample solution with ultrapure water when the sample solution is injected toward the analyzer 70, The ultra-pure water carrier portion 88 is commonly used for dilution.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석장치에서 시료 도입부(100)를 이용하여 분석기(70)를 오토 캘리브레이션하는 과정에 대하여 설명한다.Hereinafter, a process of auto-calibrating the analyzer 70 using the sample inlet 100 in the apparatus for analyzing substrate contaminants according to an embodiment of the present invention will be described.

분석기로써 분석해야할 대상은 스캔 용액에서 유래하는 샘플 용액이므로 캘리브레이션에 있어서도 표준 용액을 스캔 용액으로 희석하여 캘리브레이션을 진행하는 것이 바람직할 수 있다.Since the sample to be analyzed with the analyzer is a sample solution derived from the scan solution, it may be preferable to dilute the standard solution with the scan solution and perform the calibration in the calibration.

본 발명의 일 실시예에 따르면 표준 용액을 스캔 용액으로 희석하면서 분석한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 시료 도입부(100)는 원래 샘플 용액의 도입을 위한 샘플 용액 도입부(80)를 포함하는 바, 표준 용액으로써 분석기에 대한 캘리브레이션을 수행할 때 샘플 용액 도입부(80)는 샘플 용액 대신 스캔 용액을 도입하여 표준 용액을 희석한다. 표준 용액을 스캔 용액으로 희석할 때 제 1 밸브(88)를 닫고 제 2 밸브(89)를 열어서 샘플 용액 도입부(80)의 구성을 그대로 이용하면서 스캔 용액 베슬(121)로부터 희석을 위한 스캔 용액을 직접 도입한다.According to one embodiment of the present invention, the standard solution is analyzed while diluting it with the scan solution. The sample introducing part 100 according to an embodiment of the present invention includes a sample solution introducing part 80 for introducing a sample solution. When the calibration solution for the analyzer is performed as a standard solution, the sample solution introducing part 80 Dilute the standard solution by introducing the scan solution instead of the sample solution. When the standard solution is diluted with the scan solution, the first valve 88 is closed and the second valve 89 is opened to remove the scan solution for dilution from the scan solution vessel 121 while using the structure of the sample solution introduction part 80 as it is Directly introduced.

한편, 스캔 용액은 제조 또는 취급 과정중, 포함되는 극미량 오염물의 농도가 흔들릴 수 있으며, 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법으로서, 본 발명의 다른 실시예에서는 표준 용액을 스캔 용액으로 희석하는 대신 초순수로써 희석하고 스캔 용액의 측정 결과를 이용하여 보정하는 방법을 사용한다.In another embodiment of the present invention, the standard solution is diluted with ultrapure water instead of diluted with the scan solution, and the concentration of the ultrafine contaminant may be fluctuated during the manufacturing or handling of the scan solution. And calibrating using the measurement results of the scan solution.

본 발명의 일 양상에 따르면, 적어도 한가지 이상의 표준 용액에 대하여 초순수로써 표준 용액을 실시간 희석하면서 분석기(70)로 이송하여 분석하며, 또한 스캔을 위하여 사용되는 스캔 용액을 분석기(70)로 이송하여 분석한다.According to one aspect of the present invention, the standard solution is sent to the analyzer 70 while analyzing at least one standard solution with ultra-pure water in real time dilution, and the scan solution used for the scanning is transferred to the analyzer 70, do.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 초순수 분석 → 표준 용액 농도 1 분석 → 표준 용액 농도 2 분석 → . . → 표준 용액 농도 N 분석 → 스캔 용액 분석 등의 순서로 진행될 수 있으며, 표준 용액을 분석할 때에는 낮은 농도에서 고농도 순으로 측정하여 분석함으로써 유로에 금속 원자등이 침전되어 생길 수 있는 메모리 효과를 저감할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, ultra pure water analysis → standard solution concentration 1 analysis → standard solution concentration 2 analysis →. . → standard solution concentration N analysis → scan solution analysis, etc. When analyzing the standard solution, it is measured and analyzed in the order of low concentration to high concentration, thereby reducing the memory effect which may be caused by deposition of metal atoms or the like in the flow path .

먼저 제 1 스위칭 밸브(81)을 인젝션 포지션에 두고 초순수를 분석기(70)로 도입하는 바, 초순수는 제 2 정량펌프(86)를 이용해 정해진 유량으로 분석기(70)에 공급되며, 분석기(70)가 초순수를 분석하여 초순수의 분석 결과를 도출한다.The ultrapure water is supplied to the analyzer 70 at a predetermined flow rate by using the second dosing pump 86 and the ultrapure water is supplied to the analyzer 70 through the second dosing pump 86. Then, Analyzes the ultrapure water and derives the analysis results of the ultrapure water.

이어서, 제 2 스위칭 밸브(91)를 로드 포지션으로 하고 제 2 펌프(96)를 이용해 표준 용액을 제 2 샘플 튜브(92)에 채운다. 필요시 제 2 샘플 루프(92)를 통해 표준 용액을 정해진 시간 이상 펌핑함으로써 제 2 샘플 루프(92)에 대한 세정을 수행한 후 제 2 샘플 튜브(92)에 채울 수도 있다.Then, the second sample tube 92 is filled with the standard solution by using the second pump 96 as the second switching valve 91 as the load position. The second sample loop 92 may be cleaned and then filled in the second sample tube 92 by pumping the standard solution through the second sample loop 92 for a predetermined time or longer, if necessary.

그리고 제 2 액체 감지 센서(93)을 이용하여 표준 용액의 도달을 감지하고서 또는 제 2 액체 감지 센서(93)을 이용하지 않고 일정 시간 후, 제 2 스위칭 밸브(91)를 인젝션 포지션으로 스위칭한다. 여기서 로드 포지션은 표준 용액을 도입할 수 있는 연결 상태이며, 인젝션 포지션은 표준 용액을 분석기로 도입할 수 있는 연결 상태이다.And switches the second switching valve 91 to the injection position after a predetermined time without sensing the arrival of the standard solution using the second liquid detection sensor 93 or without using the second liquid detection sensor 93. Here, the load position is the connection state in which the standard solution can be introduced, and the injection position is the connection state in which the standard solution can be introduced into the analyzer.

이어서, 제 1 인젝션 밸브(81)에 연결된 제 2 정량 펌프(86)를 이용해 제 1 샘플 루프(82)의 초순수를 분석기(70)로 도입하면서 동시에 제 2 스위칭 밸브(91)에 연결된 제 3 정량 펌프(95)를 이용해 제 2 샘플 루프(92)의 표준용액을 분석기(70)로 도입한다. 각 용액은 중간의 T자관(94)에서 만나 믹싱되면서 섞인다. 혼합 또는 희석비는 각 펌프의 토출 유량에 의해 결정된다.Next, the ultrapure water of the first sample loop 82 is introduced into the analyzer 70 using the second metering pump 86 connected to the first injection valve 81, and at the same time, the third metering pump 82 connected to the second switching valve 91 A pump 95 is used to introduce the standard solution of the second sample loop 92 into the analyzer 70. Each solution is mixed and mixed in an intermediate T-tube (94). The mixing or dilution ratio is determined by the discharge flow rate of each pump.

본 발명의 일 실시에 따르면, 실시간 희석을 위하여 초순수 및 표준 용액은 각각 서로 다른 샘플 튜브에 로딩된 후 서로 다른 2개의 정량 펌프에 의해서 동시에 인젝션되어 T자관(94)에서 혼합되며, 초순수 및 표준 용액의 희석비는 서로 다른 2개의 정량 펌프의 토출 유량에 의해서 결정된다.According to one embodiment of the present invention, for real-time dilution, the ultrapure water and the standard solution are respectively loaded into different sample tubes, then injected simultaneously by two different dosing pumps and mixed in the T-tube 94, Is determined by the discharge flow rate of two different metering pumps.

그리고 분석기(70)는 분석을 진행하여 표준 용액 농도 1에 대한 결과값을 저장하며, 아울러 여러 가지의 표준 용액 농도에 대하여 순차적으로 측정 분석한다. 이 때 상기한 바와 같이 토출 유량을 달리해 희석비를 조정한다.Then, the analyzer 70 performs the analysis to store the result for the standard solution concentration 1, and sequentially measures and analyzes the various standard solution concentrations. At this time, the dilution ratio is adjusted by changing the discharge flow rate as described above.

표준 용액에 대한 분석은 복수의 서로 다른 희석 농도에서 실행되어 캘리브레이션 커브를 획득하는 데 이용된다. 여러 농도에 대하여 표준 용액의 분석이 완료되면 캘리브레이션 커브가 생성되며, 캘리브레이션 커브는 분석기의 입력과 출력 사이, 또는 도입되는 시료의 농도와 분석기의 출력값 사이의 관계를 나타낸다. 여기서 '캘리브레이션 커브'는 반드시 수학적 커브를 의미하는 것이 아니라, 분석기의 입력과 출력 사이, 또는 도입되는 시료의 농도와 분석기의 출력값 사이의 대응 관계를 알 수 있는 맵핑 테이블이나 매핑 함수와 같은 것을 포함할 수 있다.Analysis for the standard is performed at a plurality of different dilution concentrations to obtain the calibration curve. Once the calibration of the standard is completed for various concentrations, a calibration curve is generated and the calibration curve shows the relationship between the analyzer input and output, or the concentration of the sample introduced and the analyzer output. Here, 'calibration curve' does not necessarily mean a mathematical curve but may include a mapping table or a mapping function to know the correspondence between the input and the output of the analyzer or between the concentration of the introduced sample and the output of the analyzer .

그리고 각 시료 속 원소별로 작성된 캘리브레이션 커브는 통상 직선성이 뛰어나야 신뢰성이 있다. 직선성 판단 기준치를 설정하여 미달이면 전체 또는 일부의 캘리브레이션을 다시 진행하여 설정값이 충족될 때만 정상 처리할 수 있다.The calibration curve prepared for each element in each sample is reliable with excellent linearity. If the linearity judgment reference value is set and if it is undershot, the whole or part of the calibration is resumed and the normal process can be performed only when the set value is satisfied.

그리고 기판 오염물 분석 장치는 분석기(70)로써 스캔 용액을 분석한다. 스캔 용액을 제 1 스위칭 밸브(81)의 제 1 샘플 튜브(82)에 채우는 바, 스캔 노즐(53)을 통하지 않고 제 1 스위칭 밸브(81)의 로드 포지션에서 제 1 펌프(87)를 이용해 제 1 샘플 루프(82)에 채우며, 이때 제 1 밸브(88)는 닫고 제 2 밸브(89)는 열어 둔다.The substrate contaminant analyzer analyzes the scan solution with the analyzer (70). The scan solution is filled in the first sample tube 82 of the first switching valve 81 and the first pump 87 is used at the load position of the first switching valve 81 without passing through the scan nozzle 53. [ 1 sample loop 82, where the first valve 88 is closed and the second valve 89 is open.

그리고 제 1 정량펌프(85)를 이용해 정해진 유량으로 초순수로써 스캔 용액을 분석기로 밀어서, 분석기(70)에서는 분석을 진행하여 스캔 용액의 분석 결과를 도출한다.Then, the scan solution is pushed to the analyzer with ultrapure water at a predetermined flow rate by using the first metering pump 85, and the analyzer 70 performs the analysis to derive the analysis result of the scan solution.

스캔 용액에 대한 분석 결과, 금속 원자등의 오염물이 극미량 농도 설정값보다 낮으면, 표준 용액에 대한 분석 결과를 그대로 적용하여 추후 샘플 용액을 분석하는 데 이용할 수 있다.As a result of the analysis on the scan solution, if the contaminants such as metal atoms are lower than the set value of the trace concentration, the analysis result of the standard solution can be applied as it is to analyze the sample solution later.

또한, 다른 방법으로서, 스캔 용액의 분석 결과 극미량 농도 설정값보다 낮으면 정상으로 처리하며, 표준 용액에 대한 분석 결과는 스캔 용액에 대한 분석 결과에 의해서 보정되어 샘플 용액을 분석하데 이용되게 할 수 있다. 스캔 용액에 대한 분석 결과에 의해서 캘리브레이션 커브를 보정하거나, 샘플 용액을 분석함에 있어서 샘플 용액의 농도에서 스캔 용액의 분석 결과에 따른 스캔 용액의 농도를 빼줄 수 있다. 그리고 스캔 용액의 분석 결과 극미량 농도 설정값보다 높게 발생시에는 재측정하고 그래도 이상 상태이면 스캔 용액을 다시 제조하는 등의 조치를 취하도록 할 수도 있다.Alternatively, if the analysis result of the scan solution is lower than the set value of the trace concentration, the analysis result of the standard solution may be corrected by the analysis result of the scan solution so as to be used for analyzing the sample solution . The calibration curve can be calibrated according to the result of analysis on the scan solution, or the concentration of the scan solution can be subtracted from the concentration of the sample solution according to the analysis result of the scan solution in analyzing the sample solution. If the result of the analysis of the scan solution is higher than the set value of the trace concentration, it may be re-measured, and if it is abnormal, the scan solution may be remanufactured.

스캔 용액은 제조 또는 취급 과정중, 포함되는 극미량 오염물의 농도가 흔들릴 수 있으며 이에 따라 스캔 용액으로 희석하면 표준 용액의 분석 결과에서 스캔 용액으로 인한 오차분을 구별해 낼 수 없으나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 이러한 문제점을 해결하여 스캔 용액에서 오염물의 농도가 흔들리더라도 그 만큼을 일괄 보정할 수 있게 되므로 캘리브레이션에 있어서 스캔 용액의 흔들림을 배제하기 쉬운 효과가 있다.
The concentration of the trace contaminants contained in the scan solution may fluctuate during manufacture or handling, and accordingly, when the solution is diluted with the scan solution, the error due to the scan solution can not be discriminated from the analysis result of the standard solution. According to the example, even if the concentration of the contaminant in the scanning solution fluctuates due to solving such a problem, it is possible to collectively correct the concentration of the contaminant in the scanning solution. Therefore, the shaking of the scanning solution is easily eliminated in the calibration.

Sensitivity Check Sensitivity Check

상기한 바와 같이 기판 오염물 분석 장치는 오토 캘리브레이션을 통하여 표준 용액에 대하여 복수의 서로 다른 희석 농도에서 분석기(70)로써 분석하여 캘리브레이션 커브를 획득하고 획득된 캘리브레이션 커브를 이용하여 일련의 샘플 용액을 분석한다.As described above, the substrate contaminant analyzing apparatus analyzes the standard solution with the analyzer 70 at a plurality of different dilution concentrations through the auto-calibration to acquire the calibration curve, and analyzes the series of sample solutions using the obtained calibration curve .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 설정된 주기 또는 설정된 시간에 자동으로 표준 용액을 분석기(70)로 측정하여 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단하여 감도를 체크하는 감도 체크 단계를 실행한다.According to an embodiment of the present invention, a sensitivity check step of measuring the standard solution with the analyzer 70 at a predetermined period or a predetermined time and determining whether the measured concentration value is within the set range and checking the sensitivity is executed.

감도 체크 단계는 오토 캘리브레이션의 실행 빈도에 비하여 적은 빈도로 간단히 실행할 수 있다. 그리고, 감도 체크 단계에서 특정된 농도값이 설정 범위를 벗어나는 경우, 캘리브레이션 커브를 획득하는 과정을 다시 수행한다.The sensitivity check step can be executed simply with less frequency than the frequency of auto-calibration. If the density value specified in the sensitivity check step is out of the setting range, the process of acquiring the calibration curve is performed again.

분석기(70)는 시간에 따라 분석 감도가 조금씩 변한다. 이에 따라 감도 상태를 체크하여 이상 유무를 체크한다. 감도가 달라지면 측정 결과가 달라져 분석 결과의 신뢰성이 떨어지기 때문이다.The analyzer 70 slightly changes the analytical sensitivity with time. Accordingly, the state of sensitivity is checked to check whether there is an abnormality. If the sensitivity is different, the result of the measurement is different and the reliability of the analysis result is lowered.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 감도 체크 과정을 도시한 플로우차트이다.4 is a flowchart illustrating a sensitivity check process according to an embodiment of the present invention.

먼저, 표준 용액을 특정 비율로 희석하여 또는 그대로 분석기(70)로 측정하되(S10), 분석기(70)의 출력값 또는 예상되는 농도값은 미리 알고 있다. 그리고, 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단한다(S12). 판단 결과 농도값이 설정 범위를 벗어나면 다시 오토 캘리브레이션 과정을 수행하도록 하여(S14) 캘리브레이션 커브를 다시 획득하도록 하며, 농도값이 설정 범위를 벗어나지 않으면 다음 샘플 용액 등 샘플 용액에 대한 분석을 계속한다(S16). 측정한 농도값이 설정된 편차 이내에서 존재하면 정상 처리되어 다음 샘플을 측정할 수 있는 반면 설정된 편차를 벗어나 오차가 커지면 감도의 변화로 인식하여 캘리브레이션 과정을 다시 수행토록 한다.First, the standard solution is diluted at a specific ratio or is directly measured by the analyzer 70 (S10), and the output value or expected concentration value of the analyzer 70 is known in advance. Then, it is determined whether the measured concentration value is within the setting range (S12). If the concentration value is out of the setting range, the auto-calibration process is performed again (S14) to obtain the calibration curve again. If the concentration value does not exceed the setting range, the analysis of the sample solution such as the next sample solution is continued S16). If the measured concentration value is within the set deviation, normal processing can be performed to measure the next sample, while if the measured concentration value deviates from the set deviation, it is recognized as a change in sensitivity and the calibration process is performed again.

그리고 설정된 범위를 벗어나는 경우, 바로 분석기(70)의 캘리브레이션을 다시 수행하지 않고 표준 용액에 대한 측정을 정해진 숫자 만큼 반복한 이후에도 설정 범위를 벗어나면 그 때 캘리브레이션을 수행토록 할 수도 있다.If the measurement range is out of the predetermined range, the calibration may be performed when the measurement is out of the set range even after repeating the measurement for the standard solution by a predetermined number without performing the calibration of the analyzer 70 again.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 간단한 절차로 수행될 수 있는 감도 체크 과정을 도입함으로써, 시간이 많이 소요되는 캘리브레이션 과정을 자주 실행하지 않아도 되는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, the sensitivity checking process, which can be performed by a simple procedure, is introduced, so that a time-consuming calibration process is not performed frequently.

Self ValidationSelf Validation

고농도로 오염된 시료를 분석하면 시료와 접촉되는 노즐, 유로 및 분석기 등에 오염물이 일부 잔류할 수 있다. 통상적으로 각 샘플의 분석 후 관련 부분의 세정 작업이 진행되지만, 고농도 오염시료의 경우는 1회 또는 정해진 숫자의 세정 등으로 오염이 제거되지 않을 수 있다.Analysis of contaminated samples at high concentrations may leave some contaminants in the nozzles, channels, and analyzers in contact with the sample. Typically, the cleaning of the relevant part proceeds after the analysis of each sample, but in the case of a highly contaminated sample, the contamination may not be removed once, or by a predetermined number of rinses.

이렇게 오염이 남게 되면 다음 샘플의 측정 시 깨끗한 샘플이라 해도 오염 성분이 있는 것으로 측정될 수 있다. 이렇게 이전에 측정한 샘플에서 남은 물질이 새로 측정하는 샘플의 결과에 영향을 미치는 메모리 효과(memory effect)를 가진다. 이와 같이, 메모리 효과는 시료 측정 결과의 신뢰성에 문제를 야기시킬 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일 실시예에 따르면, 메모리 효과(memory effect)가 완전히 제거 되었는지 확인하는 자기 검증(self validation) 기능을 자동으로 수행하도록 한다.If this contamination remains, even a clean sample may be measured as contaminated when the next sample is measured. The remaining material in the previously measured sample has a memory effect that affects the results of the newly measured sample. As such, the memory effect can cause problems in the reliability of the sample measurement results. Accordingly, according to an embodiment of the present invention, a self validation function for checking whether a memory effect is completely eliminated is automatically performed.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 자기 검증 과정을 설명하기 위한 플로우차트이다.5 is a flowchart illustrating a self-verification process according to an embodiment of the present invention.

통상적인 절차에 따라 샘플 용액을 분석기로 이송하여 분석하며(S20) 분석이 있을 때마다 분석후 스캔 노즐부터 분석기까지의 유로를 세정하며(S22), 이때에는 초순수를 이용한 자동 세정일 수 있다.The sample solution is transferred to the analyzer according to a conventional procedure and analyzed (S20). After the analysis, the flow path from the scan nozzle to the analyzer is cleaned (S22). At this time, the sample solution may be automatically cleaned using ultrapure water.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 자기 검증 과정(S40)이 추가되는 바, 이송된 샘플 용액이 설정된 농도값 이상의 고농도이었는지를 판단하며(S24), 고농도 샘플이 아니었던 경우에는 다음 샘플 용액에 대한 분석으로 진행한다.According to one embodiment of the present invention, a self-verification process (S40) is added to determine whether the transferred sample solution has a concentration higher than a predetermined concentration value (S24). If the sample solution is not a high concentration sample, .

그러나, 만약 고농도 샘플인 경우에는 시료 전달 파트를 케미컬로 세정하며(S26), 초순수를 이용한 세정과 함께 초순수를 분석기로 이송 분석하며(S28), 초순수의 측정된 농도값이 설정 범위 이내인지를 판단한다(S30). 만약 설정된 범위이내이면 다음 샘플에 대한 분석으로 넘어가지만, 설정 범위를 벗어나는 경우에는 케미컬 세정 및 초순수 분석 과정을 반복하며, 정해진 횟수를 반복하여도 설정 범위를 벗어나는 경우에는 알람을 발생시킬 수 있다. 자기 검증 단계의 실행 결과, 설정된 범위를 정해진 횟수만큼 벗어나는 경우 알람을 발생시킨다.However, if the sample is a high-concentration sample, the sample transfer part is chemically cleaned (S26), the ultrapure water is cleaned with the ultrapure water and transferred to the analyzer (S28), and it is judged whether the measured concentration value of the ultrapure water is within the set range (S30). If the set range is out of the set range, the chemical cleaning and ultrapure water analysis process are repeated. If the set range is exceeded, an alarm may be generated if the set range is exceeded. As a result of execution of the self-verification step, an alarm is generated when the set range is deviated by a predetermined number of times.

상기에서 자기 검증 단계는 고농도 샘플인지를 판단하는 것으로 하였으나, 고농도 샘플 여부에 상관없이 초순수 분석등으로 구성되는 자기 검증을 실행하 수도 있다.In the above-described self-verification step, it is determined whether or not the sample is a high-concentration sample, but it is also possible to perform self-verification composed of ultrapure water analysis or the like regardless of whether the sample is a high concentration sample.

본 발명의 일 실시예에 따르면 자기 검증(self validation) 기능을 자동으로 수행함으로써, 기판 오염물 분석 장치 및 방법에서 메모리 효과(memory effect)를 손쉽게 배제하며 기판 오염물 분석 결과의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, a self-validation function is automatically performed to easily eliminate a memory effect in a substrate contamination analyzing apparatus and method, and to improve the reliability of a substrate contamination analysis result .

모니터 웨이퍼에 대한 리사이클링Recycling for Monitor Wafer

기판 오염물 분석 장치는 주로 반도체 제조 공정 중에 있는 모니터 웨이퍼를 도입받아 기상분해한 후 스캔 노즐을 이용하여 모니터 웨이퍼를 분석기로써 분석한다. 종래 ICP-MS 등에 의한 웨이퍼의 오염물 분석은 VPD 등을 수반하므로 파괴 분석으로 분류되며 분석이 끝난 웨이퍼는 폐기하였다.The substrate contaminant analyzer is mainly composed of a monitor wafer in a semiconductor manufacturing process, and after gas phase decomposition, a monitor wafer is analyzed by an analyzer using a scan nozzle. Conventionally, contamination analysis of wafers by ICP-MS and the like is accompanied by VPD, so it is classified into destructive analysis, and wafers that have been analyzed are discarded.

그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 스캔이 종료된 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 적어도 리사이틀링 유닛(60)을 이용하여 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리한다. 산 계열의 케미컬은 불산 및 과산화수소를 포함하며, 염기 계열의 케미컬은 수산화암노늄 및 과산화수소를 포함한다.
However, according to one embodiment of the present invention, at least the recycling unit 60 is used to treat the wafer containing the acid-based or base-based chemical in order to recycle the monitor wafer that has been scanned. Acid-based chemicals include hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, and base-based chemicals include ammonium hydroxide and hydrogen peroxide.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 리사이클 유닛의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a recycle unit according to an embodiment of the present invention.

리사이클링 유닛(60)은 상부 노즐(69 : 분리 상태로 도시됨), 상부 노즐 장착부(63), 하부 노즐(64), 웨이퍼 로드 플레이트(61), 웨이퍼 진공척(62), 상부 노즐 회전 구동부(66), 진공척 구동부(67) 및 경사부(65) 등을 포함한다.The recycling unit 60 includes an upper nozzle 69 (shown in a disengaged state), an upper nozzle mount 63, a lower nozzle 64, a wafer load plate 61, a wafer vacuum chuck 62, 66, a vacuum chuck driving part 67, an inclined part 65, and the like.

상부 노즐(69 : 분리 상태로 도시됨)은 상부 노즐 장착부(63)에 장착되고 상기한 용액을 모니터 웨이퍼의 상부면으로 분사하며, 상부 노즐 회전 구동부(66)는 상부 노즐을 회전 구동한다. 하부 노즐(64)은 상기한 용액을 모니터 웨이퍼의 하부면으로 분사하며, 하부 노즐 회전 구동부(68)에 의해서 회전 구동될 수 있다. 리사이클링 유닛(60)은 상부 및 하부에 구비된 노즐을 통하여 모니터 웨이퍼의 양면을 처리할 수 있다.The upper nozzle 69 (shown in the separated state) is mounted on the upper nozzle mounting part 63 and injects the solution onto the upper surface of the monitor wafer, and the upper nozzle rotation driving part 66 rotates the upper nozzle. The lower nozzle 64 injects the above solution onto the lower surface of the monitor wafer, and can be driven to rotate by the lower nozzle rotation driving part 68. The recycling unit 60 can process both sides of the monitor wafer through the nozzles provided at the top and the bottom.

그리고 리사이클링 유닛(60)은 챔버를 포함하되, 챔버의 내측 바닥은 일측으로 경사진 구조인 경사부(65)를 포함하여 처리 후 상기한 용액의 배수를 돕는다.And the recycling unit 60 includes a chamber, wherein the inner bottom of the chamber includes an inclined portion 65 that is tapered in one direction to assist in draining the solution after treatment.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 스캔이 종료된 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 챔버에서 적어도 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하는 리사이클링 처리 단계를 포함하며, 리사이클링 처리 단계는 모니터 웨이퍼의 양면에 대하여 상기한 용액의 분사에 의해서 실행된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a method for recycling a monitor wafer, the method comprising: a recycling process step of treating at least a monitor wafer in a chamber with a solution containing at least acid series or base series chemicals, The above-described solution is sprayed on both surfaces of the substrate.

리사이클링 유닛에서의 처리 과정을 상세히 살펴보면, 모니터 웨이퍼를 공정 챔버로 인입하여 상승된 웨이퍼 로드 플레이트(61)에 안착시킨 후, 웨이퍼 로드 플레이트(61)는 하강하고 도어는 닫는다. 그리고, 상부 노즐이 웨이퍼 센터로 이동하고 약액을 분사하는 바, 저속으로 웨이퍼는 회전되고 상부 노즐도 제한된 각도로 회전된다. 상부 노즐에 의한 약액의 고른 분사후 웨이퍼 하부에 대해서도 유사하게 약액 분사가 이루어진다.The process of the recycling unit will be described in detail. After bringing the monitor wafer into the process chamber and placing it on the raised wafer load plate 61, the wafer load plate 61 is lowered and the door is closed. Then, as the upper nozzle moves to the wafer center and injects the chemical liquid, the wafer is rotated at a low speed and the upper nozzle is rotated at a limited angle. Chemical solution injection is similarly performed to the lower portion of the wafer after the uniform spray of the chemical liquid by the upper nozzle.

그리고 웨이퍼 상부 및 하부에 대하여 초순수를 이용하여 린스(Rinse)가 진행되고 웨이퍼를 고속 회전시고 질소 가스를 분사하여 건조시키며, 건조 완료후 웨이퍼 로드 플레이트가 상승하고 도어가 오픈된 다음 웨이퍼를 인출한다.Then, rinse is performed on the upper and lower wafers using ultrapure water, the wafer is rotated at a high speed, nitrogen gas is sprayed and dried, and after the drying, the wafer load plate is lifted and the door is opened.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 종래 폐기되었던 모니터 웨이퍼를 재사용할 수 있으므로 모니터 웨이퍼의 비용을 대폭 절감할 수 있는 효과가 있다.
According to an embodiment of the present invention, since the monitor wafer that was conventionally discarded can be reused, the cost of the monitor wafer can be greatly reduced.

스캔용액 등에 대한 자동 약액 제조Automatic chemical liquid preparation for scan solutions

종래 기판 오염물 분석 장치의 경우 각 공정에 사용되는 약액을 작업자가 직접 제조하거나 제조된 제품을 구매하여 사용하였다. 이에 따라 작업자가 약액을 주기적으로 보충 또는 교체해야 하는 불편이 있다.In the conventional apparatus for analyzing substrate contaminants, the chemical solution used in each step was directly manufactured by the operator or purchased and purchased. Accordingly, there is an inconvenience that the operator has to periodically replenish or replace the chemical liquid.

그리고 이렇게 약액을 제조 및 교체하는 등의 과정에서 안전 사고를 야기시킬 수 있는 문제가 있으며, 작업 과정에서 일부 시료의 오염이 발생하여 측정 결과의 신뢰성을 크게 떨어뜨리는 문제도 있다. 본 발명에 관한 장치는 극미량의 오염을 분석하는 장치이므로 허용되는 오염 정도의 수준이 매우 낮으며 사소한 부주의나 작업 환경상의 오염원에 의해서도 이러한 허용 오염 수준을 만족하지 못하거나 기준 농도 제조가 안될 가능성이 매우 높다.
In addition, there is a problem that can cause a safety accident in the process of manufacturing and replacing the chemical liquid, and the contamination of some samples in the process of work may seriously lower the reliability of the measurement result. Since the apparatus according to the present invention is a device for analyzing a trace amount of pollution, the level of allowed pollution degree is very low and it is very likely that the pollution source in case of minor carelessness or work environment does not satisfy the allowable pollution level, high.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 용액 제조부를 도시한 모식도이다.7 is a schematic diagram showing a scan solution producing unit according to an embodiment of the present invention.

스캔 용액 제조부는 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 자동 혼합하여 스캔 용액을 제조하며,The scan solution manufacturing section automatically mixes the ultrapure water and the central supply chemical to prepare a scan solution,

스캔 용액 제조부는 스캔 용액 베슬(121), 복수의 밸브(125a~125i), 복수의 유량조절계(122~124) 및 펌프(127)를 포함하여 구성된다. 스캔 용액 베슬(121: 도 2의 121과 동일)은 제조된 스캔 용액이 임시 저장되는 용기이다.The scan solution manufacturing unit includes a scan solution vessel 121, a plurality of valves 125a to 125i, a plurality of flow rate controllers 122 to 124, and a pump 127. The scan solution vessel 121 (the same as 121 in FIG. 2) is a vessel in which the prepared scan solution is temporarily stored.

밸브 및 유량조절계는 초순수(DIW) 및 중앙 공급 케미컬(Chem1, Chem2)을 공급하는 라인들과 스캔 용액 베슬(121)과의 사이, 그리고 초순수(DIW) 및 중앙 공급 케미컬(Chem1, Chem2)을 공급하는 라인들과 드레인(128)과의 사이, 스캔 용액 베슬(121)과 드레인(128) 사이 등에 위치한다. 특히, 밸브(125f, 125g, 125g)는 중앙 공급 케미컬을 공급하는 라인들과 드레인 사이에서 위치하여 중앙 공급 케미컬을 배출하거나 주기적으로 배출하여 중앙 공급 케미컬의 정체에 따른 오염을 방지한다.The valve and flow rate controller supplies the DIW and the central supply chemistry (Chem1, Chem2) between the line supplying the DIW and the central supply chemistry (Chem1, Chem2) and the scan solution vessel (121) Between the drain lines 128 and the scan line 121, and between the scan line 121 and the drain 128. In particular, the valves 125f, 125g, 125g are positioned between the lines and the drains supplying the central supply chemistry to vent or periodically vent the central supply chemistry to prevent contamination due to stagnation of the central supply chemistry.

또한, 본 발명의 일 실시예에는 스캔 용액 베슬(121)에 저장된 스캔 용액을 유로를 통해 분석기로 이송하여 적어도 제조된 스캔 용액의 오염 여부를 검증하는 데 일 특징이 있다.Also, in one embodiment of the present invention, the scan solution stored in the scan solution vessel 121 is transferred to the analyzer through the flow path to verify at least whether the scan solution is contaminated.

이하 이러한 점을 포함하여 스캔 용액의 자동 제조 및 검증 과정에 대하여 설명한다.Hereinafter, the automatic manufacturing and verification process of the scan solution will be described.

약액은 펌프 또는 중앙공급 시스템에 의해 공급될 수 있으며, 약액의 부피는 유량조절계(122,123,124) 또는 정량 펌프(미도시) 등을 사용하여 정의하여 정해진 부피를 스캔 용액 베슬(121)에 공급한다. 약액 공급은 혼합하고자 하는 약액을 순서대로 또는 동시에 진행할 수 있으며 관련 밸브를 열어서 도입할 수 있다.The chemical liquid may be supplied by a pump or a central supply system, and the volume of the chemical liquid is defined by using a flow rate controller (122, 123, 124) or a metering pump (not shown) and supplies a predetermined volume to the scan solution vessel 121. The chemical liquid supply can be carried out sequentially or simultaneously with the chemical liquid to be mixed and can be introduced by opening the relevant valve.

먼저 스캔 용액을 제조하기 위한 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 동일하게 이용하여 스캔 용액 베슬(121)을 세정한 후 드레인으로 배출한다. 구체적으로 살펴보면, 밸브(125f)를 닫고 밸브(125c)를 연 상태에서, 유량조절계(124)를 이용해 유량을 조절하여 초순수를 스캔 용액 베슬(121)에 도입하며, 마찬가지로 제 1 중앙공급 케미컬(HF) 및 제 2 중앙 공급 케미컬(H2O2)을 정해진 시간 후에 동일한 방법으로 도입하되 최종 부피를 맞추기 위해 유량과 밸브 열림 시간을 조절한다.First, the cleaning solution vessel 121 is cleaned using the ultra-pure water and the central supply chemical for manufacturing the scan solution in the same manner, and then discharged to the drain. In detail, when the valve 125f is closed and the valve 125c is opened, the flow rate is adjusted using the flow rate controller 124 to introduce ultrapure water into the scan solution vessel 121, and similarly, the first central supply chemical (HF ) And the second central supply chemical (H 2 O 2 ) are introduced in the same manner after a predetermined time, and the flow rate and valve opening time are adjusted to achieve the final volume.

챔버 세정을 위해 일정 시간을 대기한 후 밸브(125i)를 열고 펌프(127) 또는 가스 가압을 이용해 스캔 용액 베슬(121)의 용액을 드레인(128)로 배출하며 이러한 과정은 생략될 수도 있고 반복될 수도 있다.After waiting a predetermined time for chamber cleaning, the valve 125i is opened and the solution of the solution 121 of the scan solution is discharged to the drain 128 by using the pump 127 or gas pressurization, and this process may be omitted or repeated It is possible.

그리고 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 자동 혼합하여 스캔 용액을 제조하고 베슬에 저장한다. 스캔 용액의 제조 과정은 상기한 베슬 세정을 위해서 초순수 및 중앙 공급 케미컬을 채우는 과정과 동일하며, 다만 농도 등의 조절은 달리할 수 있다.Then, the ultrapure water and the central supply chemical are automatically mixed to prepare the scan solution and store it in the vessel. The manufacturing process of the scan solution is the same as the process of filling the ultrapure water and the central supply chemical for the above-mentioned bevel cleaning, but the concentration and the like can be controlled differently.

그리고, 유로를 통해 제조된 스캔 용액을 스캔 용액 베슬(121)로부터 분석기(70)로 이송하여 적어도 제조된 스캔 용액의 오염 여부를 검증한다. 이때 밸브(89: 도 2), 스위칭 밸브(81) 및 샘플 튜브(82) 등을 이용하여 분석기(70)로 이송하여 분석하며, 이러한 과정은 캘리브레이션 과정에서 스캔 용액을 분석하는 과정과 동일할 수 있다. 그리고 측정된 결과가 극미량 설정값 이상이면 오염된 것으로 판단하여 재제조 및 분석 등을 설정 횟수만큼 반복하며 만일 반복 이후에도 설정값 이상이면 알람을 띄운다.Then, the scan solution prepared through the flow path is transferred from the scan solution vessel 121 to the analyzer 70 to verify whether or not at least the prepared scan solution is contaminated. At this time, the sample is transferred to the analyzer 70 by using the valve 89 (FIG. 2), the switching valve 81 and the sample tube 82 and analyzed. This process can be the same as the process of analyzing the scan solution in the calibration process have. If the measured result is more than the set value, it is judged that it is contaminated, and the re-manufacturing and analysis are repeated for the set number of times.

본 발명의 일 실시예에 따르면 기판 오염물 분석 장치 및 방법에서 안전 사고 및 약액 오염을 방지하고 제조된 스캔 용액의 품질을 보장할 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, there is an effect that safety accidents and chemical liquid contamination are prevented in the apparatus and method for analyzing substrate contaminants, and the quality of the manufactured scan solution can be assured.

그리고 스캔 용액 제조부는 중앙 공급 케미컬을 드레인으로 주기적으로 배출하여 중앙 공급 케미컬의 정체에 따른 오염을 방지한다. 약액은 정체가 되면 자발적으로 오염이 유발되며, 특히 오염은 박테리아 등 생물체 등에 의해서도 유발될 수 있으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 스캔 용액 제조부는 약액의 정체에 따른 오염을 미연에 방지한다.And the scan solution manufacturing unit periodically discharges the center supply chemical to the drain to prevent contamination due to the stagnation of the central supply chemical. The contamination can be caused by biological substances such as bacteria. However, the scan solution producing unit according to an embodiment of the present invention prevents contamination due to the stagnation of the chemical solution in advance.

약액 공급을 원활히 하기 위해 스캔 용액 베슬(121)에는 배기가 연결될 수 있으며, 스캔 용액 베슬(121)에 존재하는 약액은 펌프(127)나 가스 가압을 사용하여 드레인(128)으로 제거할 수 있고 초순수를 이용하여 세정할 수 있다. 또한 스캔 용액 베슬(121)에는 약액 레벨 감지 센서(126a, 126b)를 설치하여 약액이 부족하면 자동으로 새로 제조할 수 있거나 과량 제조되는 경우 안전을 위해 작업이 중단될 수 있도록 한다.
An exhaust can be connected to the scan solution vessel 121 to smoothly supply the chemical solution and the chemical solution present in the scan solution vessel 121 can be removed by the drain 128 using the pump 127 or gas pressurization, . ≪ / RTI > In addition, the chemical solution level sensor (126a, 126b) may be provided in the scan solution vessel 121 to automatically perform a new operation if the chemical solution is insufficient, or to stop the operation for safety when the chemical solution level is excessively produced.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 용액 제조부를 도시한 모식도이다.8 is a schematic diagram showing an etching solution producing unit according to an embodiment of the present invention.

에칭 용액 제조부는 반도체 기판의 벌크를 글로벌 에칭하거나 포인트 에칭하기 위한 에칭 용액을 자동 제조하며, 에칭 용액 제조부는 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 용기(133, 134), 포인트 에칭액 베슬(131), 벌크 에칭액 베슬(132), 복수의 밸브(136a~136g) 및 정량 펌프(135)를 포함하여 구성된다.The etch solution manufacturing section automatically manufactures an etching solution for global etching or point etching of the bulk of the semiconductor substrate. The etching solution manufacturing section includes chemical supply vessels 133 and 134 for supplying the chemical, point etching liquid bath 131, A plurality of valves 136a to 136g, and a metering pump 135. [

포인트 에칭액 베슬(131)은 기판의 포인트 뎁스 프로파일(Point Depth Profile)을 분석하기 위하여 기판을 포인트 에칭하는 에칭액을 저장하며, 스캔 노즐(53)로 에칭액을 공급하기 위한 에칭 용액 베슬이다. 벌크 에칭액 베슬(132)은 VPD 유닛에서 기판의 벌크까지 에칭하고 벌크를 스캔하여 분석하기 위한 에칭액을 저장하는 에칭 용액 베슬이다.The point etching solution vessel 131 is an etching solution vessel for storing an etching solution for point etching the substrate to analyze the point Depth Profile of the substrate and supplying the etching solution to the scanning nozzle 53. The bulk etchant vessel 132 is an etchant solution vessel that etches from the VPD unit to the bulk of the substrate and stores the etchant for scanning and analyzing the bulk.

정량 펌프(135)는 에칭 용액을 제조하기 위한 2이상의 케미컬 및 초순수를 순차 흡입한 후 포인트 에칭액 베슬(131) 또는 벌크 에칭액 베슬(132)의 에칭 용액 베슬로 배출한다. 그리고 에칭 용액 베슬(131, 132)로부터 글로벌 에칭을 위한 챔버나 포인트 에칭을 위한 노즐로 유로를 통해 에칭액을 가스상태로 변환하여 또는 액체상태로 공급하며, 사용되는 케미컬은 바람직하게 불산(HF) 및 질산(HNO3)을 포함한다.The metering pump 135 sequentially sucks two or more chemicals and ultrapure water to produce an etching solution and then discharges the etching solution into a point etchant solution vessel 131 or an etching solution vessel of the bulk etching solution vessel 132. Then, the etchant is converted into a gaseous state or supplied in a liquid state through a flow path from the etching solution vanes 131 and 132 to a chamber for global etching or a nozzle for point etching, and the chemical used is preferably hydrofluoric acid (HF) include nitric acid (HNO 3).

이하 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 용액 제조부에서 에칭 용액을 제조하는 에칭 용액 자동 제조 과정을 설명한다.Hereinafter, an automatic etching solution manufacturing process for producing an etching solution in an etching solution producing unit according to an embodiment of the present invention will be described.

제조 과정은 반도체 기판의 벌크를 글로벌 에칭하거나 포인트 에칭하기 위한 에칭 용액을 자동 제조하는 과정으로서, 에칭 용액을 제조하기 위한 2이상의 케미컬 및 초순수를 순차 흡입한 후 에칭 용액 베슬로 배출하는 과정을 반복 수행하며, 제조된 애칭 용액은 에칭 용액 베슬로부터 글로벌 에칭을 위한 챔버나 포인트 에칭을 위한 노즐로 유로를 통해 공급된다.The manufacturing process is a process of automatically manufacturing an etching solution for global etching or point etching of a bulk of a semiconductor substrate. The process of sequentially sucking two or more chemical and ultrapure water for producing an etching solution, And the produced nicking solution is supplied from the etching solution vessel through a channel to a chamber for global etching or a nozzle for point etching.

제 1 케미컬(HNO3)과 관련한 밸브(136c)를 열고 정량 펌프(135)로 제 1 케미컬을 정해진 부피만큼 흡입하며 밸브(136c)를 닫고 벌크 에칭액 베슬(132)과 연결된 밸브(136e)를 열고서 정량 펌프(135)를 이용하여 흡입한 제 1 케미컬을 배출한다. 이때 벌크 에칭액 베슬(132)의 밸브(136e)만 열려 있기 때문에 약액은 벌크 에칭액 베슬(132)로 공급된다.A first, open the valve (136c) relating to the chemical (HNO 3) to open the metering pump 135, the suction by a volume defined by the first chemical and the valve valve (136e) connected to the bulk etching solution vessel 132 to close the (136c) And the first chemical sucked in is sucked out by using the metering pump 135. [ At this time, since only the valve 136e of the bulk etching liquid vessel 132 is open, the chemical liquid is supplied to the bulk etching liquid vessel 132.

제 2 케미컬 및 초순수 등 다른 약액도 정해진 희석비율에 맞게 같은 방법으로 공급하여 제조하며, 포인트 에칭을 위한 약액도 동일한 방법으로 제조할 수 있다.Other chemical liquids such as the second chemical and ultrapure water are also prepared by supplying them in the same manner in accordance with the predetermined dilution ratio, and the chemical liquid for point etching can also be produced by the same method.

그리고 정량 펌프(135)를 이용하여 흡입 및 배출을 반복하는 과정 사이에 흡입 및 배출에 사용된 유로의 부분 또는 전체를 비반응성 가스로 퍼지한다. 정량 펌프(135)로 정량 공급을 완전하게 하기 위해 N2 등 비반응성 가스를 이용하여 튜브등에 남아 있을 수 있는 약액을 완전히 제거하거나 공급할 수 있다.The metering pump 135 is used to purge part or all of the flow path used for suction and discharge between the process of repeating suction and discharge with the non-reactive gas. A non-reactive gas such as N 2 may be used to completely remove or supply the chemical solution which may remain in the tube or the like, in order to complete the constant amount supply by the metering pump 135.

그리고 에칭액 베슬로의 약액 공급 시 압력이 걸릴 경우 배기 장치를 두어 공급을 원활히 할 수 있으며, 에칭액 베슬에 존재하는 약액은 펌프나 가스 가압을 하여 드레인으로 제거할 수 있으며 초순수를 이용하여 세정할 수 있다. 에칭액 베슬에는 약액 레벨 감지 센서(137a, 137b, 138a, 138b)를 설치하여 약액이 부족하면 자동으로 새로 제조할 수 있거나 과량 제조되는 경우 안전을 위해 작업이 중단될 수 있도록 하며, 케미컬을 공급하는 케미컬 공급 용기(133, 134)에도 케미컬 레벨 감지 센서(139a, 139b)를 두어 케미컬의 레벨이 일정 이하가 되는 경우 알람할 수 있도록 한다.
If the pressure is applied during the supply of the chemical liquid to the etchant vessel, the supply can be smoothly performed by supplying the exhaust gas. The chemical liquid present in the etchant vessel can be removed by a pump or a gas pressurized by drain, . If the chemical solution level sensor (137a, 137b, 138a, 138b) is provided in the etchant vessel, the chemical solution level sensor can automatically be newly manufactured if the chemical solution is insufficient or the operation can be stopped for safety in the case of excessive production. Chemical level sensors 139a and 139b may also be provided in the supply vessels 133 and 134 to enable an alarm when the level of the chemical becomes less than a certain level.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 오염물 분석 장치 및 방법은 분석에 소요되는 스캔 용액 및 에칭액 등의 케미컬 제조, 스캔 노즐로의 공급, 스캔 후 샘플 용액의 이송 등이 완전 자동으로 수행될 수 있으며, 케미컬의 품질 유지 및 보충, 분석기의 캘리브레이션, 감도 유지, 성능 유지, 유로의 세정, 모니터 웨이퍼의 재활용 등이 완전 자동으로 단일 장치내에서 실행될 수 있다.The apparatus and method for analyzing substrate contaminants according to an embodiment of the present invention can completely perform the manufacture of a chemical such as a scan solution and an etchant for analysis, a supply to a scan nozzle, a transfer of a sample solution after a scan, Maintenance and replenishment of chemical quality, calibration of the analyzer, maintenance of sensitivity, maintenance of performance, cleaning of the flow path, recycling of the monitor wafer, etc., can be carried out automatically in a single device.

종래 기판 오염물 분석 장치에서는 작업자의 수작업에 따른 대응 지연, 케미컬 취급 상의 안전 문제, Cross Contamination 문제 등이 있었으나, 본 발명의 일 실시예에 따르면 기판 제조 공정에서 In-Line 모니터링이 가능하게 되고, Closed Sampling System으로 운영되어 케미컬 취급 상의 안전 문제 및 Cross Contamination 문제가 없으며, 실시간 또는 신속한 대응이 가능하게 되는 효과가 있다.Conventional substrate contamination analyzing apparatuses have a delay in response to a manual operation of a worker, a safety problem in chemical handling, and a problem of cross contamination. However, according to one embodiment of the present invention, in-line monitoring is possible in a substrate manufacturing process, System, there is no chemical handling safety problem and cross contamination problem, and real time or quick response is possible.

10 : 로드 포트 20 : 로봇
30 : 얼라이너 유닛 40 : VPD 유닛
50 : 스캔 유닛 51 : 스캔 스테이지
52 : 스캔 모듈 53 : 스캔 노즐
60 : 리사이클링 유닛 70 : 분석기
80 : 샘플 용액 도입부 81 : 제 1 스위칭 밸브
82 : 제 1 샘플 튜브 83 : 제 1 액체 감지 센서
90 : 표준 용액 도입부 91 : 제 2 스위칭 밸브
92 : 제 2 샘플 튜브 93 : 제 2 액체 감지 센서
94 :T자관 100 : 시료 도입부
121 : 스캔 용액 베슬 131 : 포인트 에칭액 베슬
10: load port 20: robot
30: aligner unit 40: VPD unit
50: scan unit 51: scan stage
52: scan module 53: scan nozzle
60: Recycling unit 70: Analyzer
80: sample solution introducing portion 81: first switching valve
82: first sample tube 83: first liquid detection sensor
90: standard solution introduction part 91: second switching valve
92: second sample tube 93: second liquid detection sensor
94: T-tube 100: Sample introduction part
121: Scan solution vessel 131: Point etch solution vessel

Claims (17)

반도체 제조 공정 중에 있는 모니터 웨이퍼를 도입받아 기상분해한 후 스캔 노즐을 이용하여 상기 모니터 웨이퍼를 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치로서,
상기 스캔이 종료된 상기 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 적어도 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하는 리사이클링 유닛;를 포함하며,
상기 산 계열의 케미컬은 불산 및 과산화수소를 포함하고 상기 염기 계열의 케미컬은 수산화암모늄 및 과산화수소를 포함하며,
상기 리사이클링 유닛은,
상기 처리에 사용되는 용액을 상기 모니터 웨이퍼의 상부면로 분사하는 상부 노즐; 및 상기 처리에 사용되는 용액을 상기 모니터 웨이퍼의 하부면으로 분사하는 하부 노즐;을 포함하며,
상기 분석기는 유도결합 플라즈마 질량 분석기이고, 상기 분석기로써의 분석은 VPD를 수반하는 파괴 분석으로 분류되는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.
A substrate contamination analyzer for analyzing a sample solution, which is obtained by vaporizing a monitor wafer in a semiconductor manufacturing process, and then scans the monitor wafer using a scan nozzle, from a scan nozzle to an analyzer through a flow path,
And a recycling unit for treating the monitor wafer with the solution containing at least acid series or base series chemical to recycle the monitor wafer that has been scanned,
Wherein the acid-based chemistry comprises hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, the base-based chemistry comprises ammonium hydroxide and hydrogen peroxide,
The recycling unit comprises:
An upper nozzle for spraying the solution used in the treatment onto the upper surface of the monitor wafer; And a lower nozzle for spraying the solution used for the treatment onto the lower surface of the monitor wafer,
Wherein the analyzer is an inductively coupled plasma mass spectrometer and the analysis by the analyzer is classified as destructive analysis involving VPD,
Wherein the substrate contamination analyzing apparatus comprises:
삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 리사이클링 유닛은 챔버를 포함하며,
상기 챔버의 내측 바닥은 일측으로 경사진 구조인,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the recycling unit comprises a chamber,
Wherein the inner bottom of the chamber is tilted to one side,
Wherein the substrate contamination analyzing apparatus comprises:
반도체 제조 공정 중에 있는 모니터 웨이퍼를 도입받아 기상분해한 후 스캔 노즐을 이용하여 상기 모니터 웨이퍼를 스캔한 샘플 용액을 상기 스캔 노즐로부터 분석기까지 유로를 통하여 이송하여 상기 분석기로써 분석하는 기판 오염물 분석 장치에서 실행되는 기판 오염물 분석 방법으로서,
상기 스캔이 종료된 상기 모니터 웨이퍼를 재활용하기 위하여, 챔버에서 적어도 산 계열 또는 염기 계열의 케미컬을 포함하는 용액으로 처리하는 리사이클링 처리 단계;를 포함하며,
상기 산 계열의 케미컬은 불산 및 과산화수소를 포함하고 상기 염기 계열의 케미컬은 수산화암모늄 및 과산화수소를 포함하며,
상기 리사이클링 처리 단계는,
상기 모니터 웨이퍼의 양면에 대하여 상기 용액을 분사하여 실행되며,
상기 분석기는 유도결합 플라즈마 질량 분석기이고, 상기 분석기로써의 분석은 VPD를 수반하는 파괴 분석으로 분류되는,
것을 특징으로 하는 기판 오염물 분석 방법.
A monitor wafer in a semiconductor manufacturing process is introduced and vapor-phase decomposed, a sample solution of the monitor wafer is transferred from the scan nozzle to the analyzer through a flow path, and analyzed by the analyzer The substrate contamination analyzing method comprising:
And a recycling processing step of treating the monitor wafer with the solution containing at least acid series or base series chemical in the chamber in order to recycle the monitor wafer which has finished the scanning,
Wherein the acid-based chemistry comprises hydrofluoric acid and hydrogen peroxide, the base-based chemistry comprises ammonium hydroxide and hydrogen peroxide,
The recycling processing step includes:
And spraying the solution onto both surfaces of the monitor wafer,
Wherein the analyzer is an inductively coupled plasma mass spectrometer and the analysis by the analyzer is classified as destructive analysis involving VPD,
≪ / RTI >
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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