KR101580112B1 - 태양전지모듈의 제조방법 - Google Patents

태양전지모듈의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 태양전지모듈의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 태양전지모듈의 제조방법은 결정질 실리콘 웨이퍼의 상부에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계, 상기 비정질 실리콘층의 상부에 투명전도막층을 증착하는 단계, 상기 투명전도막층의 상부에 전극을 증착하는 단계 및 상기 전극을 플라즈마 처리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

태양전지모듈의 제조방법 {Manufacturing method of solar cell module}
본 발명은 태양전지모듈의 제조방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 태양전지모듈에서 생성되는 전류를 효과적으로 수집하여 충진율(fill factor) 및 최대출력전압을 향상시킬 수 있는 태양전지모듈에 관한 것이다.
최근 전기에 대한 수요가 급증하면서 석탄, 석유 등과 같은 기존의 화석연료에 의해 전기를 생산하는 방식 이외에 태양광, 바이오, 풍력, 지열, 해양, 폐기물 에너지와 같은 재생에너지를 활용한 전기 생산 방식이 각광받고 있다. 이 중에서도 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지시스템에 대한 개발이 활발하다. 태양전지시스템을 이용한 태양광 발전시스템은 태양 에너지를 전기에너지로 전환시키는 과정에서 기계적, 화학적 작용이 없으므로 시스템의 구조가 단순하여 유지보수가 거의 필요치 않다. 또한, 태양광 시스템을 한번 설치하게 되면 그 수명이 길고 안전하며, 나아가 환경 친화적이라는 장점을 가지고 있다.
태양전지시스템은 태양광이 입사되는 셀(cell)을 구비하고, 태양광을 받으면 광전효과에 의해 전기를 발생시키는 셀의 특성을 이용하여 전기를 생산하게 된다. 한편, 최근에는 태양전지시스템의 전기생산효율을 향상시키기 위한 많은 연구가 활발하게 진행되고 있다. 예를 들어, 셀에 입사되는 태양광의 반사율을 낮추거나, 또는 같은 크기의 셀을 구비한 경우에도 셀로 입사되는 태양광의 입사율을 높이고자 하는 연구가 활발하다. 특히, 최근에는 동일한 크기의 셀을 구비하는 경우에도 태양광의 집광율을 높이기 위하여 집광렌즈와 같은 집광수단을 구비하고 있다. 집광수단에 의해 태양광의 집광율을 높이게 되어 동일한 크기의 셀을 구비하여도 더 많은 양의 태양광을 집광하는 것이 가능해진다. 하지만, 이와 같은 집광수단을 구비한 경우에 셀의 작동온도가 상대적으로 상승하여 충진율(fill factor) 및 전기생산효율이 떨어진다는 문제점이 야기된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 태양전지시스템을 구성하는 태양전지모듈에서 충진율(fill factor) 및 최대출력전압을 향상시킬 수 있는 태양전지모듈의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 결정질 실리콘 웨이퍼의 상부에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계, 상기 비정질 실리콘층의 상부에 투명전도막층을 증착하는 단계, 상기 투명전도막층의 상부에 전극을 증착하는 단계 및 상기 전극을 플라즈마 처리하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법에 의해 달성된다.
여기서, 상기 전극을 증착하는 단계는 은 페이스트(Ag paste)를 이용한 스크린 인쇄 공정을 포함한다.
또한, 상기 플라즈마 처리하는 단계는 300 ℃ 이하의 온도에서 수행될 수 있다. 나아가, 상기 플라즈마 처리하는 단계는 헬륨, 아르곤, 질소 중에 적어도 하나의 가스를 공급할 수 있다.
한편, 상기 플라즈마 처리하는 단계에서 공급되는 가스의 양은 500 내지 3000 sccm이며, 상기 RF 파워의 밀도는 0.01 내지 0.3 W/㎠이며, 상기 플라즈마 처리하는 단계의 압력은 0.5 내지 5 torr일 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면 태양전지모듈의 표면에 구비되는 전극을 플라즈마 처리하여 전극 밀도를 향상시킴으로써, 태양전지모듈의 충진율 및 최대출력전압을 현저히 향상시킬 수 있다. 이 경우, 상대적으로 낮은 온도에서 플라즈마 처리를 수행하여 태양전지모듈의 비정질 실리콘층의 손상을 방지할 수 있다.
도 1은 태양전지시스템의 동작원리를 도시한 개략도,
도 2 및 도 3은 비정질 실리콘층을 구비한 태양전지모듈의 단면도,
도 4는 태양전지모듈로 광을 모으는 집광수단을 구비한 태양전지시스템의 개략도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법을 도시한 순서도,
도 6은 결정질 실리콘 웨이퍼의 측면도,
도 7 및 도 8은 상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 상부에 비정질 실리콘층이 증착된 상태를 도시한 측면도,
도 9는 태양전지모듈의 셀이 집합된 웨이퍼의 평면도,
도 10은 상기 웨이퍼의 상부에 마스크를 구비한 상태를 도시한 평면도,
도 11은 비정절 실리콘층의 상부에 투명전도막층이 증착된 상태를 도시한 측면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명된 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 태양전지시스템에 구비되어 태양빛을 받아 전기를 생성하는 태양전지모듈(solar cell module)을 개략적으로 도시한 개략도이다. 도 1은 태양전지 셀(cell)의 측단면도이다.
도 1을 참조하면, 태양전지시스템이란 태양빛을 받으면 광전효과에 의해 전기를 발생하는 전지로 정의될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 N층(3)과 P층(5)이 접합하여 PN접합으로 이루어진 셀(32)에 태양광이 입사되면, 정공쌍이 형성된다. 이 때, PN 접합부에서 생기는 전계에 의해 전자는 N층(3)으로 이동하고, 정공은 P층(5)으로 이동하게 된다. 따라서, P층(5)과 N층(3) 사이에 기전력이 발생하게 되고, 상기 양단의 전극(34, 44)에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 된다. 도면에서 설명되지 않은 도면번호 '1'은 태양광이 반사되는 것을 방지하는 반사방지막에 해당한다.
그런데, 상기와 같은 태양전지시스템은 태양전지시스템의 작동 온도가 상승하는 경우에 상기 셀(32)에서 전기를 생산하는 효율이 떨어지는 문제점을 수반한다. 이를 해결하기 위하여 도 2 및 도 3과 같은 이종접합 태양전지시스템이 개시된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 이종접합 태양전지시스템은 N층과 P층을 성질에 따라 구분한 것으로서, 구체적으로 N층과 P층이 서로 다른 결정구조 또는 서로 다른 물질로 구성된 경우를 의미한다.
도 2를 참조하면, 이종접합 태양전지시스템에서 전기를 생산하는 태양전지모듈(100A)은 결정질 실리콘 웨이퍼(110)와, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼(110)의 상부에 형성되는 하나 이상의 비정질 실리콘층(120, 130)과, 상기 비정질 실리콘층(130)의 상부에 형성되는 투명전도막층(140)과, 상기 투명전도막층(140)의 상부에 형성되는 전극(150)을 구비할 수 있다. 여기서, 결정질 실리콘 웨이퍼(110)와, 비정질 실리콘층(120, 130) 및 투명전도막층(140)을 태양전지 셀(cell)로 정의할 수 있다.
상기 결정질 실리콘 웨이퍼(110)는 n형 실리콘으로 구성될 수 있으며, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼(110)의 상부에 진성 비정질 실리콘층(120)을 형성하고, 그 상부에 증착장치를 통하여 P형 비정질 실리콘층(130)을 증착한다. 태양광이 입사되는 상면에는 투명전도막층(140)을 형성하고, 그 상부에 평행하게 이격된 상부전극(150)을 구비하고, 실리콘 웨이퍼(110) 하면에 하부전극(160)을 구비한다.
상기 도 2에 따른 태양전지모듈은 일본의 'Sanyo'에서 개발하여 시판하는 소위 'HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer) 셀 태양전지'의 구조로서, N형의 실리콘 웨이퍼(110)와 P형 비정질 실리콘층(130) 사이에 진성 비정질 실리콘층(120)을 수 nm의 두께로 삽입하여 기존의 도 1에 따른 태양전지모듈에 비해 현저히 높은 20% 이상의 광전환 효율을 나타낸다.
한편, 도 3은 전술한 도 2와 유사한 구조에서 실리콘 웨이퍼(110)의 하면에 텍스쳐링(texturing) 구조와 전계 형성층(125)를 구비한 태양전지모듈(100B)을 도시한다.
상기와 같은 이종접합 태양전지시스템에서 태양광이 입사되는 투명전도막층(140)은 태양광이 반사되지 않고 입사되도록 하는 반사방지막의 역할을 한다.
한편, 태양전지시스템은 태양 에너지를 전기에너지로 전환시키는 과정에서 기계적, 화학적 작용이 없으므로 시스템의 구조가 단순하여 유지보수가 거의 필요치 않으며, 태양광 시스템을 한번 설치하게 되면 그 수명이 길고 안전하며, 나아가 환경 친화적이라는 장점을 가지고 있다. 하지만, 태양전지시스템은 초기 설치비용이 많이 소요되는 문제점을 수반하며, 특히 태양광의 입사면적을 넓히기 위하여 실리콘 웨이퍼의 대형화는 태양전지시스템의 초기 비용을 높이는 주된 요인으로 작용한다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 도 4와 같이 태양전지모듈로 태양광을 모으는 집광수단을 구비한 태양전지시스템이 개발되었다.
도 4를 참조하면, 태양전지시스템(200)의 태양전지모듈(100')은 베이스(180)에 안착되며, 상기 태양전지모듈(100')에서 소정거리를 두고 집광수단, 예를 들어 집광렌즈(210)가 구비된다. 집광렌즈(210)는 태양광의 빛을 모아서 하부의 태양전지모듈(100')로 입사시키게 된다. 상기 태양전지모듈(100')과 집광렌즈(210) 사이의 거리는 상기 집광렌즈(210)의 초점거리에 따라 집광렌즈(210)를 지난 태양광의 대부분이 태양전지모듈(100')로 입사되도록 적절히 결정될 수 있다. 결국, 종래에서는 대면적의 실리콘 웨이퍼를 필요로 하였으나, 집광렌즈(210)를 구비함으로써 웨이퍼의 크기를 현저히 줄이어 태양전지시스템의 초기 비용을 낮출 수 있게 된다.
특히, 도 2 및 도 3에 따른 이종접합 태양전지모듈에 집광렌즈를 구비하는 경우에 높은 에너지 변환 효율과 함께 우수한 온도 계수 특성을 가지는 태양전지 시스템을 구축하는 것이 가능해진다.
이하, 웨이퍼를 가공하여 태양전지모듈을 제작하는 방법을 살펴보기로 한다. 이하에서 설명하는 웨이퍼는 전술한 셀(cell)에서 투명전도막층이 생략된 형태의 집합체로서 각 태양전지모듈에 적합한 형태로 절삭되기 전의 집합체로 정의될 수 있다.
도 5는 일 실시예에 따른 태양전지모듈의 제조방법을 도시한 순서도이다.
도 5를 참조하면, 태양전지모듈의 제조방법은 결정질 실리콘 웨이퍼의 상부에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계(S510), 상기 비정질 실리콘층의 상부에 투명전도막층을 증착하는 단계(S530), 상기 투명전도막층의 상부에 전극을 증착하는 단계(S550) 및 상기 전극을 플라즈마 처리하는 단계(S570)를 구비한다.
도 6은 결정질 실리콘 웨이퍼(110)를 도시하며, 전술한 바와 같이 상기 결정질 실리콘 웨이퍼(110)는 n형 실리콘으로 구성될 수 있다.
도 7은 상기 결정질 실리콘 웨이퍼(110)의 상부에 비정질 실리콘층(120), 예를 들어 진성 비정질 실리콘층(120)이 증착된 경우를 도시한다.
도 7을 참조하면, 상기 결정질 실리콘 웨이퍼(110)의 상부에 비정질 실리콘층(120)이 증착된 경우를 도시하지만, 이에 한정되지 않으며 하부에 증착되거나, 또는 상부 및 하부에 모두 증착될 수 있다. 한편, 상기 비정질 실리콘층(120)을 증착하는 경우에 증착장치는 한정되지 않으며, 예를 들어, 플라즈마 화학기상증착장치를 사용하여 증착할 수 있다.
도 8은 상기 비정질 실리콘층(120)의 상부에 P형 비정질 실리콘층(130)을 증착한 경우를 도시한다.
도 8을 참조하면, 상기 P형 비정질 실리콘층(130)은 전술한 플라즈마 화학기상증착장치를 사용하여 증착할 수 있다.
이어서, 상기 P형 비정질 실리콘층(130)의 상부에 태양광이 입사되는 투명전도막층(140)을 형성할 수 있다. 이하, 도면을 참조하여 투명전도막층을 증착하는 과정을 상세히 살펴본다.
도 9는 전술한 도 6 내지 도 8의 과정을 거쳐 결정질 실리콘 웨이퍼(110)의 상부에 비정질 실리콘층(120)이 증착된 웨이퍼(W)를 도시한다.
도 9를 참조하면, 웨이퍼(W)는 원형의 형상을 가질 수 있으며 태양전지모듈의 단면적에 따라 도면에 도시된 바와 같이 은선을 따라 절삭될 수 있다. 상기 웨이퍼(W)가 태양전지모듈의 단면적에 따라 절삭되기 전에 그 상부 및/또는 하면에 투명전도막층을 형성할 수 있다.
도 10은 웨이퍼(W)의 일면, 즉 상면에 투명전도막층을 형성하기 위하여 마스크(300)를 안착한 상태를 도시한다.
상기 투명전도막층은 인듐주석산화물계로 이루어지므로, 스퍼터링 등의 방식에 의해 상기 웨이퍼(W) 상부에 증착되어 형성된다. 이 경우, 태양전지모듈의 형태로 증착하기 위하여 마스크(300)를 웨이퍼(W)의 상부에 배치한다. 상기 마스크(300)는 투명전도막층이 증착되도록 복수개의 개구부(310)를 구비할 수 있다. 즉, 증착을 하는 경우에 상기 개구부(310)를 통하여 상기 웨이퍼(W)의 상부에 증착막이 형성되며, 상기 증착막이 투명전도막층을 형성하게 된다.
상기 웨이퍼(W) 상에 투명전도막층(140)이 형성된 구조는 도 11에 단면도 형태로 도시된다. 도 11에 도시된 바와 같이, 결정질 실리콘 웨이퍼(110)의 상부에 비정질 실리콘층(120, 130)이 증착되고, 상기 비정질 실리콘층 상부에 투명전도막층(140)이 증착된다.
이어서, 상기 투명전도막층(140)의 상부에 전극(150)이 구비되어 도 2 또는 도 3과 같은 구조를 가지게 된다.
이때, 본 실시예에서 상기 전극(150)은 은 페이스트(Ag paste)를 이용한 스크린 인쇄 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 이는 증발기 및 스퍼터를 이용한 박막증착공정을 이용할 경우 전극 두께가 상대적으로 얇아져서 충진율(fill facor)을 떨어뜨리기 때문이다. 상기 충진율의 저하를 방지하기 위하여 가급적 10㎛ 이상의 두께가 요구되므로, 본 발명에서는 스크린 인쇄 공정으로 전극을 형성한다.
상기와 같은 공정을 거쳐 태양전지모듈을 제조한 다음, 본 실시예에서는 상기 전극을 플라즈마 처리하는 단계를 거치게 된다. 상기 전극을 플라즈마에 의해 후처리공정을 수행하게 되면, 전극의 밀도를 높일 수 있어 태양전지모듈에서 발생한 전류를 효과적으로 수집하여 충진율(fill factor)을 향상시킬 수 있다. 특히, 도 4와 같이 집광수단을 구비한 태양전지 시스템의 경우에 태양전지모듈에서 상대적으로 많은 양의 전류가 발생하므로, 플라즈마 후처리공정을 거친 전극에 의해 상기 전류를 보다 효과적으로 수집하여 충진율의 향상을 가져올 수 있다.
상기 플라즈마 처리하는 단계는 상기 태양전지모듈을 처리장치에 투입하고 수행된다. 이 경우, 상기 처리장치는 플라즈마 처리를 위한 별도의 장치로 이루어지거나 또는 전술한 비정질 실리콘층을 증착하는데 사용한 증착장치를 활용할 수 있다. 상기 별도의 처리장치, 또는 증착장치는 플라즈마 공급을 위한 구성, 예를 들어 가스공급부, 플라즈마 발생부 및 배기부 등의 구성을 구비할 수 있으며, 이러한 구성에 대해서는 본 발명이 속하는 기술분야에서 널리 알려져 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.
구체적으로, 상기 플라즈마 처리하는 단계는 미리 결정된 공정가스를 공급하면서, 공급되는 가스량, 온도 및 플라즈마 발생을 위한 RF 파워 등의 각종 공정조건들을 적절히 조절하여 수행될 수 있다. 이하, 공정조건들을 하나씩 살펴보기로 한다.
상기 플라즈마 처리 단계는 헬륨, 아르곤, 질소 중에 적어도 하나의 가스를 공정가스로 공급할 수 있다. 이 경우, 공급되는 공정가스의 양은 상기 플라즈마 처리를 위한 장치의 내부 공간 등에 의해 조절이 가능하며, 예를 들어 본 실시예에서는 대략 500 내지 3000 sccm의 공정가스를 공급하게 된다. 상기 공정가스의 양이 500sccm 보다 작은 경우에는 공정가스의 양이 적어 플라즈마 형성이 어려우며, 상기 공정가스의 양이 3000sccm 보다 큰 경우에는 후술하는 공정 압력 조절이 어려워져 플라즈마가 불안정해지며, 나아가 높은 RF 파워 밀도를 요구하게 되어 플라즈마 균일도가 감소하여 투명전도막층에 플라즈마에 의한 손상을 입힐 수 있다.
한편, 상기 공정가스를 공급하면서 상기 처리장치의 내부 공정압력은 진공 또는 준진공상태를 유지할 수 있으며, 구체적으로 대략 0.5 내지 5 torr로 설정될 수 있다. 상기 공정압력 범위보다 낮은 경우에는 플라즈마 형성이 어려우며, 반대로 상기 공정압력 범위 이상의 경우에는 플라즈마가 불안정해져 플라즈마 균일도가 감소하게 된다.
또한, 상기 처리장치의 내부 온도는 대략 300 ℃ 이하로 설정될 수 있다. 예를 들어, 300 ℃ 이상의 온도에서 플라즈마 처리를 수행하는 경우에 이미 증착된 비정질 실리콘층(120, 130)의 손상 및/또는 파괴가 우려되므로 상기 플라즈마 처리 단계는 300 ℃ 이하의 온도에서 수행된다.
한편, 상기와 같이 압력 및 온도를 설정하고 공정가스를 공급함과 동시에 플라즈마 발생을 위해 RF 파워를 인가하게 된다. 상기 RF 파워는 공정가스의 종류, 가스량 등에 의해 적절히 조절이 가능하며, 예를 들어 본실시예에서 상기 RF 파워의 밀도는 대략 0.01 내지 0.3 W/㎠로 설정될 수 있다. 상기 RF 파워 밀도의 범위보다 작은 경우에는 플라즈마가 불안정해져 플라즈마 균일도가 감소하게 되며, 반대로 상기 RF 파워 밀도의 범위보다 큰 경우에는 투명전도막층에 손상을 입힐 수 있다.
본 발명자는 상기와 같은 공정조건에 의한 플라즈마 후처리공정을 1 내지 10분 정도 수행한 경우를 다른 비교예와 비교한 실험을 수행하였다. '비교예 1'은 도 4의 집광수단이 없는 경우를 나타내며, '비교예 2'는 도 4의 집광수단을 구비한 경우(집광렌즈를 15개 구비한 경우)를 나타내며, '실시예'는 도 4의 집광수단을 구비(집광렌즈를 15개 구비한 경우)하고 플라즈마 후처리 공정을 거친 경우를 나타낸다.
개방전압
(Voc,V)		 단락전류밀도
(Jsc,mA/㎠)		 Fill factor 최대출력전압
(mW/㎠)
비교예1 0.701 36.93 0.742 19.22
비교예2 0.760 503.83 0.455 174.19
실시예 0.758 493.00 0.550 205.36
상기 표에 도시된 바와 같이, '비교예 1'의 경우에 비해 집광수단을 구비한 '비교예 2' 및 '실시예'의 경우에 개방전압 및 단락전류밀도가 상승하였음을 알 수 있다. 한편, '비교예 1'에 비해 집광수단을 구비한 '비교예 2' 및 '실시예'의 경우에 충진율이 다소 하락하는 것을 알 수 있다. 이 경우에도 후처리공정을 수행한 '실시예'가 '비교예 2'에 비해 충진율이 상대적으로 높아 집광수단을 구비하는 경우에 급격한 충진율의 하락을 방지할 수 있다.
나아가, 최대출력전압을 보게 되면 '비교예 1'의 경우에 비해 집광수단을 구비한 '비교예 2' 및 '실시예'의 경우에 현저히 상승하였으며, 특히 '비교예 2'에 비해서도 '실시예'의 경우에 대략 17% 이상의 최대출력전압의 향상이 이루어졌음을 알 수 있다.
본 명세서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
110..실리콘 웨이퍼
120..P형 비정질 실리콘층
130..진성 비정질 실리콘층
140..투명전도막층
150..상부전극
160..하부전극

Claims (7)

  1. 결정질 실리콘 웨이퍼의 상부에 비정질 실리콘층을 증착하는 단계;
    상기 비정질 실리콘층의 상부에 투명전도막층을 증착하는 단계;
    상기 투명전도막층의 상부에 전극을 증착하는 단계; 및
    상기 전극을 플라즈마 처리하는 단계;를 구비하는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극을 증착하는 단계는 은 페이스트(Ag paste)를 이용한 스크린 인쇄 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계는 300 ℃ 이하의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계는 헬륨, 아르곤, 질소 중에 적어도 하나의 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계에서 공급되는 가스의 양은 500 내지 3000 sccm인 것을 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계에서 RF 파워의 밀도는 0.01 내지 0.3 W/㎠인 것 것을 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 플라즈마 처리하는 단계는 0.5 내지 5 torr의 압력에서 수행되는 것 것을 것을 특징으로 하는 태양전지모듈의 제조방법.
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