KR101570520B1 - - x-ray detector of line type - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터에 관한 것으로, 내부에 가스층을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부에서 받아들이는 라인형 구조의 디텍터 몸체와 상기 디텍터 몸체에 형성되어 전압을 인가하는 적어도 1이상의 전극, 그리고 상기 밀폐공간에 형성되는 적어도 1이상의 리드아웃 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a line type X-ray image detection detector, and more particularly, to a line type X-ray image detection detector which includes a detector body having a line-shaped structure for receiving an incident X- And at least one or more lead-out electrodes formed in the hermetically sealed space.
본 발명에 따르면, 엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하되, 세로형 구조로 구성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is provided a line type X-ray detector capable of incidence of an X-ray detection signal on a side surface, wherein the X-ray detector has a vertical structure, The present invention provides a detector which is capable of reducing the number of pixels of a pixel to be detected, and is capable of acquiring a clearer image at the time of image acquisition in a circuit because there is no cross talk phenomenon at the time of image acquisition.
엑스레이, 디텍터, 라인타입, 간섭 X-ray, detector, line type, interference
Description
본 발명은 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터에 관한 것으로, 구체적으로는 엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 디텍터에 관한 것이다.The present invention relates to a line-type X-ray image detection detector, and more particularly, to a line-type X-ray image detector capable of forming an X- The present invention relates to a detector capable of reducing the risk of breakage in a vacuum process and capable of obtaining a clearer image at the time of image acquisition in a circuit because there is no cross talk phenomenon during image acquisition.
엑스레이 검출기는 인체 또는 물체를 투과한 엑스선을 읽어들여 이를 영상으로 구현하는 장치를 말한다.An X-ray detector is a device that reads an x-ray transmitted through a human body or an object and implements it as an image.
현재 의학용, 공학용 등으로 널리 사용되고 있는 X-레이 검사방법은 X-레이 감지필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위하여 소정의 필름 인화단계를 거치게 된다. 그러나 이로 인해 일정시간이 흐른 후에 원하는 목적물에 대한 사진을 인지할 수 있다는 점에서 그 이용성에 있어서 시간이 길어지는 문제가 있었으며, 특히 촬영 후에 필름의 보관 및 보존이 어려워 필름 자체가 훼손되는 경우에는 결과물을 확인하기 어려운 문제점이 있었다.Currently, X-ray inspection methods widely used for medical, engineering, etc. are taken by using an X-ray detection film and subjected to a predetermined film printing step in order to know the result. However, there is a problem in that it takes a long time for the usability because the photograph can be recognized after a certain time after a certain time. Especially, when the film itself is damaged due to difficulty in storing and preserving the film after photographing, It has been difficult to confirm such a problem.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로 TFT(Thin Film Transistor)를 이용한 X-레이 이미지 검출용 디텍터가 연구/개발되었다. 상기 TFT를 이용한 디텍터는 TFT를 스위칭 소자로 사용하고 X-레이의 촬영 즉시 실시간으로 결과를 진단할 수 있는 이점을 구현할 수 있게된다. 현재 상용화되고 있는 TFT를 스위칭 소자로 사용하는 X-레이 신호 검출 방법은 간접방식과 직접방식으로 나눌 수 있다.In order to solve the above problems, a detector for X-ray image detection using a TFT (Thin Film Transistor) has been researched / developed. The detector using the TFT can realize an advantage that the TFT can be used as a switching element and the result can be diagnosed in real time immediately after the X-ray is photographed. The X-ray signal detection method using TFT, which is currently being commercialized, as a switching element can be divided into an indirect method and a direct method.
간접방식은 TFT 상에 포토다이오드(Photodiode)가 형성되고, 상기 포토다이오드 상에 X-레이 신호를 가시광선으로 바꿔주는 신틸레이터(Scintillator)를 도포하여 상기 신틸레이터에 의해 가시광선으로 변환된 X-레이 신호를 포토다이오드를 통해서 전기적 신호로 변환하여 TFT의 커패시터에 저장해 두었다가 TFT의 게이트 전극에 읽기 신호(readout signal)를 가하여 커패시터에 충전되어 있는 X-레이 신호를 읽어 들이는 방식이다.In an indirect method, a photodiode is formed on a TFT, and a scintillator for converting an X-ray signal into a visible light is coated on the photodiode, and the X-ray signal is converted into visible light by the scintillator, Ray signal is converted into an electrical signal through a photodiode and stored in the capacitor of the TFT, and a readout signal is applied to the gate electrode of the TFT to read the X-ray signal charged in the capacitor.
직접방식은 상기 간접방식과 유사하게 TFT를 사용하며, TFT 상에 X-레이에 민감한 포토컨덕터(Photoconductor; a-Se, Csl, PbO)가 형성되어 X-레이 신호를 전기적 신호로 전환하며, X-레이에 의해 발생한 전자를 TFT의 커패시터에 저장한 후 게이트에 읽기 신호를 가하여 커패시터에 충전되어 있는 X-레이 신호를 읽어들이는 방식이다.The direct method uses a TFT similar to the indirect method, and a photoconductor (a-Se, Csl, PbO) sensitive to X-rays is formed on a TFT to convert an X-ray signal into an electrical signal, - The electrons generated by the ray are stored in the capacitor of the TFT and the read signal is applied to the gate to read the X-ray signal charged in the capacitor.
상기와 같이 종래의 TFT를 이용한 디텍터는 제조가 어려운 난점 이외에도, 패널 내부의 픽셀 하나당 한 개의 박막트랜지스터가 필요하므로 대면적이 어렵고 비용이 증가하게 되며, 감도가 낮아지는 단점이 있었다. 이러한 단점을 해결하기 위하여, 최근 대체장비로써 디텍터를 PDP를 활용한 방안이 제시되고 있다. 즉 TFT 를 활용한 구조가 아닌 PDP 구조를 채용하는 방식으로, 내부의 가스층의 가스가 엑스레이에 의해 이온화되면서 전자, 정공 쌍이 발생하게 되며 이 전자 역시 전기장에 의해 가속되어 다른 가스를 이온화시키거나 수집 전극으로 끌려가게 된다. 이렇게 수집된 전자들은 리드아웃 장치로 출력된 전기적 신호들은 영상 데이터로 변환되어 영상으로 출력하면 방사선 이미지가 생성되는 원리를 이용하는 것이다.As described above, the conventional detector using a TFT has a disadvantage in that it requires a large number of thin-film transistors per pixel in the panel in addition to the difficulty in manufacturing, which makes it difficult to increase the size, increase the cost, and decrease the sensitivity. In order to solve these drawbacks, a method of using a PDP as a detector as an alternative apparatus has recently been proposed. In other words, the PDP structure is adopted instead of the structure using the TFT, and the gas in the gas layer inside is ionized by the X-ray to generate electron and hole pairs. The electrons are also accelerated by the electric field to ionize the other gas, . The collected electrons use the principle that the electrical signals output to the lead-out device are converted into image data and outputted as an image to generate a radiation image.
도 1을 참조하면, 플라즈마 디스플레이(PDP)를 이용한 검출기(100)는 방전 갭을 가지면서 인접하여 대향 배치되는 2개의 기판(110)과 상기 기판상의 대향면측에 형성된 유전층(120)과 상기 기판과 유전층의 사이에 형성된 전극층(130)과 상기 유전층의 사이에 형성되어 기판 내면에 밀폐 셀 구조를 형성시키는 격벽(140)과 상기 격벽과 기판의 내면 일 측 위에 형성되며, 방사선에 의해 자극되어 가시광선을 발생시키는 형광층(150)과 상기 격벽과 기판에 의해 형성되는 밀폐 셀 내부에 충진되어 방사선에 의해 자극되어 전자를 발생시키는 가스층(160)으로 구성된다. Referring to FIG. 1, a
이러한 구성에 있어서, PDP 구조를 이용한 디지털 X-ray 이미지 검출기에서, 인체를 투과한 X-레이가 가스층(160)에 도달하게 되면 가스층(160)은 X-ray 에 의해 전자, 정공 쌍이 발생하게 되는 데 이러한 가스층(160)에 의한 방사선의 전자 방출 효과를 이용하여 PDP 구조를 방사선 디텍터 기판으로 사용하는 것이다. 또한, 가스층(160)과 상호작용을 하지 못한 X-ray 는 가스층(160) 아래에 위치한 형광층(150)과 상호작용하고 그 결과 가시광선이 발생하게 되는데, 이때 발생된 가시광선을 일함수가 낮은 광음극층(미도시) 전자를 방출시켜 방사선 디텍터 기판으로 사용하는 것이다. 상기 방출된 전자는 상기 기판 위에 위치한 전극에 의해 가속되어 가스층(160) 내의 가스를 이온화시키거나 또는 바로 전극에 도달하게 된다.In the digital X-ray image detector using the PDP structure, when the X-ray transmitted through the human body reaches the
가스가 이온화되면서 전자, 정공 쌍이 발생하게 되며 이 전자 역시 전기장에 의해 가속되어 다른 가스를 이온화시키거나 수집 전극(리드아웃 전극)으로 끌려가게 된다. 이렇게 수집된 전자들은 리드아웃 장치로 출력된 전기적 신호들은 영상 데이터로 변환되어 영상으로 출력하면 방사선 이미지가 생성되게 된다. 또한, 상기 형광층(150) 대신에 X-ray에 반응하여 전자, 정공 쌍을 발생시키는 광도전체층(미도시)을 사용할 수 있다.As the gas is ionized, electrons and holes are generated. The electrons are also accelerated by the electric field to ionize the other gas or to be drawn to the collecting electrode (lead-out electrode). The electrons thus collected are converted into image data, which are output to the lead-out device, and output as an image, thereby generating a radiation image. Instead of the
종합하면, X-ray가 디텍터 내부의 가스와 충돌하여 전하(signal)가 발생하면, 발생된 전하는 리드아웃 장치를 통하여 회로로 전달되고, 회로부에서 이러한 아날로그 신호를 디지털 신호로 변경하여 영상을 획득할 수 있게 된다.In other words, when an X-ray collides with a gas inside the detector to generate a signal, the generated charge is transferred to the circuit through the lead-out device, and the circuit changes the analog signal into a digital signal to acquire an image .
그러나 이러한 PDP를 이용한 검출기는 상부기판에서 엑스레이 흡수율이 매우 높아 감도가 낮으며, 내부 구조중의 필수요소라 할 수 있는 격벽을 세우기가 어렵다. 특히 상기 격벽을 이용하여 가스층의 공간을 마련하여야 하는데 이 경우 격벽이 무너지는 경우가 빈번하여 제조상의 수율이 낮고, 또한 격벽을 미세하게 제조하기도 어렵다는 문제도 발생하였다. 특히 복잡한 설계와 낮은 감도로 인한 품질상의 문제를 가지고 있으며, 형광층의 고른 도포가 극히 어려운바, 이로 인한 엑스레이의 감도 역시 현저하게 떨어지는 문제와 가스 충진 공간의 보다 폭넓은 확보가 어려운 문제도 발생하였다. However, the PDP-based detector has a low sensitivity due to a high x-ray absorption rate on the upper substrate, and it is difficult to form a barrier which is an essential element in the internal structure. Particularly, it is necessary to provide a space for the gas layer by using the barrier ribs. In this case, the barrier ribs are often collapsed, resulting in a low production yield and difficulty in finely forming the barrier ribs. In particular, it has a problem of quality due to complicated design and low sensitivity, and it is extremely difficult to uniformly apply the fluorescent layer, resulting in a problem that the sensitivity of the X-rays is remarkably decreased and that it is difficult to secure a wider gas filling space .
또한, 상하 좌우 픽셀 간에 경계가 불분명하여 각 픽셀 간에 간섭작용이 발생하여 높은 질의 이미지 영상을 구현하는데 한계가 있는 문제도 발생하였다.In addition, the boundaries between upper, lower, left, and right pixels are unclear and interferences are generated between the respective pixels, so that there is a limit to implement a high quality image.
특히, 이러한 PDP 형 디텍터의 경우에는 패널의 전면에서 전체적인 검출신호를 읽어들이는 방식을 취하고 있으며, 이 경우, 회로부로 검출신호를 보내는 경우, 리드아웃 전극에서 간섭이 발생하여 영상의 간섭현상이 발생하게 되는 문제가 발생하게 된다.In particular, in the case of such a PDP type detector, the entire detection signal is read from the front surface of the panel. In this case, when a detection signal is sent to the circuit portion, interference occurs in the lead- A problem occurs.
본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하되, 세로형 구조로 구성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 세로형 X-레이 이미지 검출 라인디텍터를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived to solve the problems described above, and it is an object of the present invention to provide a line type X-ray detector capable of incidence of an X- The present invention provides a detector that is stable enough to reduce the manufacturing process simplicity and the risk of breakage in a vacuum process without any cross talk phenomenon at the time of image acquisition, Ray image detecting line detectors capable of detecting a vertical X-ray image.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위한 구성으로, 내부에 가스층을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부에서 받아들이는 세로형 구조의 디텍터 몸체와 상기 디텍터 몸체에 형성되어 전압을 인가하는 적어도 1이상의 전극, 상기 밀폐공간에 형성되는 적어도 1이상의 리드아웃 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터를 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an X-ray imaging apparatus including a detector body having a vertical structure for receiving an incident X-ray at a side incidence portion and a detector body having a closed space for forming a gas layer therein, At least one electrode for applying a voltage, and at least one lead-out electrode formed in the closed space.
특히, 본 발명의 상기 디텍터 몸체는, 서로 이격되는 상부기판과 하부기판을 포함하며, 각 기판의 사이에 구획격벽에 의해 구획되는 단위밀폐공간이 형성된 구조인 것을 특징으로 한다.In particular, the detector body of the present invention includes an upper substrate and a lower substrate which are separated from each other, and a unit sealing space defined by a partition wall is formed between the substrates.
또한, 상술한 상기 리드아웃 전극은 상기 단위밀폐공간 내의 하부기판에 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the lead-out electrodes may be formed on the lower substrate in the unit sealed space.
상술한 리드아웃 전극을 배치하는 구조는, 상기 단위밀폐공간의 길이방향을 따라서 배치됨이 바람직하다.The structure for disposing the lead-out electrodes described above is preferably arranged along the longitudinal direction of the unit closed space.
또한, 본 발명에서 전압을 인가하기 위한 상기 전극은 상부기판에 형성되는 전면전극으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the electrode for applying a voltage may be a front electrode formed on an upper substrate.
또한, 본 발명은 상기 전면전극과 패턴전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 리드아웃 전극을 통해 리드아웃하는 회로부를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the present invention may further comprise a circuit unit for reading out a signal amount due to electrons and holes formed by the voltage applied by the front electrode and the pattern electrode through the lead-out electrode.
본 발명에서는 단위밀폐공간을 형성하는 상기 구획 격벽은 별도의 격벽구조로 형성시킬 수도 있지만, 다른 일례로서 상부기판 또는 하부기판에 일체형으로 형성될 수 도 있다.In the present invention, the partition wall defining the unit closed space may have a separate partition structure, but may be formed integrally with the upper substrate or the lower substrate as another example.
또한, 본 발명에 따른 상기 가스층은 페닝가스로 이루어진 것을 특징으로 하며, 아울러 상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나이거나, 이 중에서 선택된 2 이상의 가스를 혼합한 혼합페닝가스로 형성할 수 있다.Further, the gas layer according to the present invention is formed of a penning gas, and the penning gas may be any one selected from Xe, Kr, Ar, Ne, and He, or a mixed penning gas .
이러한 상기 혼합페닝가스는 Xe+Ne, Kr+Ne, Ar+Ne, Xe+CO2, Kr+CO2, Ar+CO2, Xe+CH4, Kr+CH4, Ar+CH4 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다.Which of these the mixture Penning gas is selected from Xe + Ne, Kr + Ne, Ar + Ne, Xe + CO 2, Kr + CO 2, Ar + CO 2, Xe + CH 4, Kr + CH 4, Ar + CH 4 One can be used.
본 발명에 따르면, 엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하되, 세로형 구조로 구성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, there is provided a line type X-ray detector capable of incidence of an X-ray detection signal on a side surface, wherein the X-ray detector has a vertical structure, The present invention provides a detector which is capable of reducing the number of pixels of a pixel to be detected, and is capable of acquiring a clearer image at the time of image acquisition in a circuit because there is no cross talk phenomenon at the time of image acquisition.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structure and operation of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2를 참조하면, 도 2의 (a)는 바람직할 일 실시예의 사시도이며, (b)는 분해사시도이다. 본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터는 기존의 PDP평 디텍터가 평판 패널의 전(前)면에서 디텍팅을 하는 구조와는 달리 디텍터를 세워서 측면 방향에서 엑스레이가 들어오는 형태를 취한다. 세로나 가로면의 측면입사부를 통해 선형(라인형)으로 검출을 구현할 수 있다. 아울러 내부 구조에 있어서도 종래 방식과는 상이한 격벽구조와 전극구조를 구비하고 있다.Referring to FIG. 2, FIG. 2A is a perspective view of a preferred embodiment, and FIG. 2B is an exploded perspective view. The line type X-ray image detection detector according to the present invention takes a form in which the X-ray enters in the lateral direction by erecting the detector, unlike the conventional structure in which the PDP flat detector is detec- ting on the front surface of the flat panel. Detection can be realized linearly (line-shaped) through the side incidence portion of the vertical or horizontal surface. In addition, the internal structure also has a barrier structure and an electrode structure which are different from those of the conventional method.
본 발명은 기본적으로 내부에 가스층(30)을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부(60)에서 받아들이는 구조의 디텍터 몸체를 구비하며, 상기 디텍터 몸체에 전압을 인가하는 적어도 1 이상의 전극(70)을 구비할 수 있으며, 또한, 상기 밀폐공간에는 적어도 1이상의 리드아웃 전극(40)이 형성된다. 특히, 이러한 구조에서는 하부기판 상에 하부전극을 형성시키지 않아 하부전극을 인쇄하고 이에 따른 유전체를 인쇄하는 등의 공정 및 구성이 줄어들어 불량율이 현저하게 낮아지는 장점도 있게 된다.The present invention basically has a closed space for forming a
특히, 상기 디텍터 몸체는 도시된 것처럼, 상부와 하부기판, 그리고 양 기판을 지지 및 밀폐하는 측면 테두리부를 포함하는 개념이다.In particular, the detector body is a concept that includes upper and lower substrates, and side edge portions for supporting and sealing both substrates, as shown.
디텍터 몸체는 상부기판(10)과 하부기판(20)이 이격되며, 이격된 사이에 구획격벽(50)을 배치하여 밀폐공간을 형성하는 구조로 형성될 수 있으며, 상기 구획격벽(50)은 도시된 것과 같이 독립적으로 형성하여 상부기판과 하부기판을 밀착하여 형성하거나, 상기 구획격벽(50)이 상부기판이나 하부기판에 일체형으로 형성되도록 포밍(forming)하여 형성할 수 도 있다(도 4참조). 특히, 본 발명에 따른 실시예에서는 상술한 측면 테두리부를 통하여 X-레이가 입사되도록 측면 테두리 부중 어느 하나를 측면 입사부(60)로 형성한다.The detector body may have a structure in which the
물론 상기 디텍터 몸체는 측면 테두리부는 기판과 동일한 재질 또는 다른 재질의 기판으로 밀봉될 수 있으며, 본 발명에 따른 디텍터 몸체를 형성하는 기판은 유기기판 또는 투명한 재질의 기판을 사용할 수 있다.Of course, the side edge portion of the detector body may be sealed with a substrate made of the same material as that of the substrate, or a substrate made of another material. The substrate for forming the detector body according to the present invention may be an organic substrate or a transparent substrate.
상기 디텍터 몸체를 형성함에 있어서, 상기 상부기판(10)의 상면에는 전극(70)을 형성하되, 전극을 전면 전극으로 도포하여 형성할 수 있다. 아울러 하부기판에는 패턴이 형성된 리드아웃 전극(40)을 형성한다. 특히 상기 리드아웃 전극(40)은 단위밀폐공간에 길이방향으로 도시된 것처럼 패턴화 하여 형성함이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 라인디텍터는 도 2에 도시된 형상을 위로 세워서 사용하는 것도 가능하다. In forming the detector body, an
기본적인 X-레이가 측면입사부를 통해 입사하고, 입사된 X-레이는 내부에 충진된 가스층(30)과 부딪혀 전자, 정공을 형성하게 된다. 이렇게 형성된 전하는 리드아웃(40)을 통해 외부 회로부 쪽으로 보내지게 된다. 따라서, 상기 전면전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 리드아웃 전극을 통해 리드아웃하는 회로부(미도시)를 더 포함하여 구성됨이 바람직하다.The basic X-ray is incident through the side incidence portion, and the incident X-ray collides with the
도 3은 본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터의 제조공정을 개략적으로 도시한 개념도이다.3 is a conceptual diagram schematically showing a manufacturing process of a line-type X-ray image detection detector according to the present invention.
개략적인 공정을 도면을 참조하여 설명하자면, 상부기판(10)의 전(全)면에 전극을 도포하고, 하부기판(20)에는 리드아웃을 할 패턴을 그려 전극(40)을 도포한다. 이후 구획격벽(50)을 형성하고, 전극이 도포된 상부기판과 하부기판을 붙인다. 내부에 열처리와 진공 공정 후 반응가스를 주입하여 제조하게 된다.An electrode is applied to the entire surface of the
본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터의 가스층에 주입되는 가스는, 페닝가스로 이루어진 것을 특징으로 하며, 아울러 상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나이거나, 이 중에서 선택된 2 이상의 가스를 혼합한 혼합페닝가스로 형성할 수 있다. 이를 테면, 이러한 상기 혼합페닝가스는 Xe+Ne, Kr+Ne, Ar+Ne, Xe+CO2, Kr+CO2, Ar+CO2, Xe+CH4, Kr+CH4, Ar+CH4 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다.The gas injected into the gas layer of the line-type X-ray image detection detector according to the present invention is formed of a penning gas, and the penning gas may be any one selected from Xe, Kr, Ar, Ne, Or a mixture of two or more gases selected from among them. For instance, such a mixture Penning gas is Xe + Ne, Kr + Ne, Ar + Ne, Xe + CO 2, Kr + CO 2, Ar + CO 2, Xe + CH 4, Kr + CH 4, Ar + CH 4 Can be used.
도 4는 본 발명에 따른 구획격벽을 상부기판 또는 하부기판에 일체형으로 형성한 구조를 나타낸 것이다. 이는 도 2 에서 구획격벽을 상부기판과 하부기판에 독립적으로 형성하는 것과는 달리, 일체로 기판에 포밍(forming)하여 형성할 수 있다.FIG. 4 shows a structure in which the partition walls according to the present invention are integrally formed on an upper substrate or a lower substrate. 2, the partition walls may be integrally formed on the substrate by forming the partition walls separately from the upper substrate and the lower substrate.
본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터는 전극 간의 간섭현상이 거의 없고, 제조공정이 매우 간편하며, 패널의 표면적이 넓지 않아 진공공정에서 패널의 깨짐현상을 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한, 회로부에서 리드아웃된 신호를 이용하여 영상을 획득하는 경우에 크로스 토크 현상을 없어 우수한 이미지 영상을 구현할 수 있다.The line-type X-ray image detection detector according to the present invention is advantageous in that there is little interference between electrodes, the manufacturing process is very simple, and the surface area of the panel is not wide enough to reduce the breakage of the panel in a vacuum process. In addition, when an image is obtained using a signal read out from the circuit unit, a crosstalk phenomenon can be avoided and a superior image can be realized.
전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the embodiments of the present invention but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.
도 1은 종래의 PDP 형 엑스레이 디텍터를 도시한 것이다.1 shows a conventional PDP type x-ray detector.
도 2는 본 발명에 따른 바람직할 일 실시예를 도시한 것이다.2 shows a preferred embodiment according to the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 디텍터의 제조공정을 개략적으로 도시한 것이다.3 schematically shows a manufacturing process of a detector according to the present invention.
도 4는 본 발명의 다른 실시예로서의 디텍터 부분을 도시한 것이다.4 shows a detector portion as another embodiment of the present invention.
Claims (11)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080100189A KR101570520B1 (en) | 2008-10-13 | 2008-10-13 | - x-ray detector of line type |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080100189A KR101570520B1 (en) | 2008-10-13 | 2008-10-13 | - x-ray detector of line type |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100041149A KR20100041149A (en) | 2010-04-22 |
| KR101570520B1 true KR101570520B1 (en) | 2015-11-20 |
Family
ID=42216942
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020080100189A KR101570520B1 (en) | 2008-10-13 | 2008-10-13 | - x-ray detector of line type |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101570520B1 (en) |
-
2008
- 2008-10-13 KR KR1020080100189A patent/KR101570520B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100041149A (en) | 2010-04-22 |
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