KR20100041149A - X-ray detector of line type - Google Patents

X-ray detector of line type Download PDF

Info

Publication number
KR20100041149A
KR20100041149A KR1020080100189A KR20080100189A KR20100041149A KR 20100041149 A KR20100041149 A KR 20100041149A KR 1020080100189 A KR1020080100189 A KR 1020080100189A KR 20080100189 A KR20080100189 A KR 20080100189A KR 20100041149 A KR20100041149 A KR 20100041149A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
detector
ray
electrode
gas
substrate
Prior art date
Application number
KR1020080100189A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101570520B1 (en
Inventor
신종배
송광섭
허성철
김경진
길도현
강구삼
김만중
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020080100189A priority Critical patent/KR101570520B1/en
Publication of KR20100041149A publication Critical patent/KR20100041149A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101570520B1 publication Critical patent/KR101570520B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

PURPOSE: A line type detector for detecting an X-ray image is provided to remove the interference phenomenon of a lead out electrode by emitting X-ray detection signal to the side part of an object. CONSTITUTION: A line type detector body includes a enclosure space which forms a gas layer(30). The side incident face of the detector body receives an X-ray. An electrode(70) which is formed on the detector body and applies voltage. A readout electrode(40) is formed in the enclosure space. The detector body includes an upper board(10) and a lower board(20) which are spaced apart from each other.

Description

라인형 Ｘ-레이 이미지 검출 디텍터{X-RAY DETECTOR OF LINE TYPE}X-RAY DETECTOR OF LINE TYPE

본 발명은 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터에 관한 것으로, 구체적으로는 엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 디텍터에 관한 것이다.The present invention relates to a line type X-ray image detection detector, and more particularly, to form a line type X-ray detector capable of incidence of the X-ray detection signal from the side part, thereby simplifying the manufacturing process without the interference phenomenon of the lead-out electrode. The present invention relates to a detector that provides a detector capable of reducing the risk of breakage in a vacuum process, and that provides a clearer image when the image is acquired in a circuit because there is no cross talk phenomenon when the image is acquired.

엑스레이 검출기는 인체 또는 물체를 투과한 엑스선을 읽어들여 이를 영상으로 구현하는 장치를 말한다.An X-ray detector refers to a device that reads X-rays transmitted through a human body or an object and implements the image.

현재 의학용, 공학용 등으로 널리 사용되고 있는 X-레이 검사방법은 X-레이 감지필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위하여 소정의 필름 인화단계를 거치게 된다. 그러나 이로 인해 일정시간이 흐른 후에 원하는 목적물에 대한 사진을 인지할 수 있다는 점에서 그 이용성에 있어서 시간이 길어지는 문제가 있었으며, 특히 촬영 후에 필름의 보관 및 보존이 어려워 필름 자체가 훼손되는 경우에는 결과물을 확인하기 어려운 문제점이 있었다.X-ray inspection method currently widely used in medical, engineering, etc. is taken using the X-ray detection film, and undergoes a predetermined film printing step in order to know the result. However, this caused a long time in terms of usability since the photograph of the desired object could be recognized after a certain time, especially when the film itself was damaged due to difficulty in storing and preserving the film after shooting. There was a difficult problem to check.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로 TFT(Thin Film Transistor)를 이용한 X-레이 이미지 검출용 디텍터가 연구/개발되었다. 상기 TFT를 이용한 디텍터는 TFT를 스위칭 소자로 사용하고 X-레이의 촬영 즉시 실시간으로 결과를 진단할 수 있는 이점을 구현할 수 있게된다. 현재 상용화되고 있는 TFT를 스위칭 소자로 사용하는 X-레이 신호 검출 방법은 간접방식과 직접방식으로 나눌 수 있다.In order to solve the above problems, a detector for X-ray image detection using a thin film transistor (TFT) has been researched and developed. The detector using the TFT can realize the advantage of using the TFT as a switching element and diagnosing the result in real time immediately after the X-ray is taken. The X-ray signal detection method using the TFT which is currently commercialized as a switching element can be divided into an indirect method and a direct method.

간접방식은 TFT 상에 포토다이오드(Photodiode)가 형성되고, 상기 포토다이오드 상에 X-레이 신호를 가시광선으로 바꿔주는 신틸레이터(Scintillator)를 도포하여 상기 신틸레이터에 의해 가시광선으로 변환된 X-레이 신호를 포토다이오드를 통해서 전기적 신호로 변환하여 TFT의 커패시터에 저장해 두었다가 TFT의 게이트 전극에 읽기 신호(readout signal)를 가하여 커패시터에 충전되어 있는 X-레이 신호를 읽어 들이는 방식이다.In the indirect method, a photodiode is formed on a TFT, and a scintillator for converting an X-ray signal into visible light is coated on the photodiode, and the x-converted into visible light by the scintillator is applied. A ray signal is converted into an electrical signal through a photodiode, stored in a capacitor of a TFT, and a readout signal is applied to a gate electrode of the TFT to read an X-ray signal charged in the capacitor.

직접방식은 상기 간접방식과 유사하게 TFT를 사용하며, TFT 상에 X-레이에 민감한 포토컨덕터(Photoconductor; a-Se, Csl, PbO)가 형성되어 X-레이 신호를 전기적 신호로 전환하며, X-레이에 의해 발생한 전자를 TFT의 커패시터에 저장한 후 게이트에 읽기 신호를 가하여 커패시터에 충전되어 있는 X-레이 신호를 읽어들이는 방식이다.Similar to the indirect method, the direct method uses a TFT, and an X-ray sensitive photoconductor (a-Se, Csl, PbO) is formed on the TFT to convert the X-ray signal into an electrical signal. -The electrons generated by the ray are stored in the capacitor of the TFT and the read signal is applied to the gate to read the X-ray signal charged in the capacitor.

상기와 같이 종래의 TFT를 이용한 디텍터는 제조가 어려운 난점 이외에도, 패널 내부의 픽셀 하나당 한 개의 박막트랜지스터가 필요하므로 대면적이 어렵고 비용이 증가하게 되며, 감도가 낮아지는 단점이 있었다. 이러한 단점을 해결하기 위하여, 최근 대체장비로써 디텍터를 PDP를 활용한 방안이 제시되고 있다. 즉 TFT 를 활용한 구조가 아닌 PDP 구조를 채용하는 방식으로, 내부의 가스층의 가스가 엑스레이에 의해 이온화되면서 전자, 정공 쌍이 발생하게 되며 이 전자 역시 전기장에 의해 가속되어 다른 가스를 이온화시키거나 수집 전극으로 끌려가게 된다. 이렇게 수집된 전자들은 리드아웃 장치로 출력된 전기적 신호들은 영상 데이터로 변환되어 영상으로 출력하면 방사선 이미지가 생성되는 원리를 이용하는 것이다.As described above, a detector using a conventional TFT has a disadvantage in that a large area is difficult, a cost increases, and a sensitivity is lowered because one thin film transistor is required for each pixel in the panel in addition to a difficult manufacturing point. In order to solve this drawback, a method using a PDP as a detector has recently been proposed as an alternative device. That is, by adopting the PDP structure instead of the TFT structure, electrons and hole pairs are generated as the gas in the inner gas layer is ionized by X-rays, and these electrons are also accelerated by the electric field to ionize other gases or collect electrodes. Will be dragged. The collected electrons are used to convert the electrical signals output to the readout device into image data and generate a radiographic image when outputted to the image.

도 1을 참조하면, 플라즈마 디스플레이(PDP)를 이용한 검출기(100)는 방전 갭을 가지면서 인접하여 대향 배치되는 2개의 기판(110)과 상기 기판상의 대향면측에 형성된 유전층(120)과 상기 기판과 유전층의 사이에 형성된 전극층(130)과 상기 유전층의 사이에 형성되어 기판 내면에 밀폐 셀 구조를 형성시키는 격벽(140)과 상기 격벽과 기판의 내면 일 측 위에 형성되며, 방사선에 의해 자극되어 가시광선을 발생시키는 형광층(150)과 상기 격벽과 기판에 의해 형성되는 밀폐 셀 내부에 충진되어 방사선에 의해 자극되어 전자를 발생시키는 가스층(160)으로 구성된다. Referring to FIG. 1, a detector 100 using a plasma display (PDP) includes two substrates 110 disposed to face each other with a discharge gap and a dielectric layer 120 and the substrate formed on an opposite surface side of the substrate. A partition wall 140 formed between the dielectric layer and the dielectric layer to form a sealed cell structure on the inner surface of the substrate, and formed on one side of the inner surface of the partition and the substrate, and are stimulated by radiation to display visible light. And a gas layer 160 filled in the sealed cell formed by the barrier ribs and the substrate to generate an electron and stimulated by radiation to generate electrons.

이러한 구성에 있어서, PDP 구조를 이용한 디지털 X-ray 이미지 검출기에서, 인체를 투과한 X-레이가 가스층(160)에 도달하게 되면 가스층(160)은 X-ray 에 의해 전자, 정공 쌍이 발생하게 되는 데 이러한 가스층(160)에 의한 방사선의 전자 방출 효과를 이용하여 PDP 구조를 방사선 디텍터 기판으로 사용하는 것이다. 또한, 가스층(160)과 상호작용을 하지 못한 X-ray 는 가스층(160) 아래에 위치한 형광층(150)과 상호작용하고 그 결과 가시광선이 발생하게 되는데, 이때 발생된 가시광선을 일함수가 낮은 광음극층(미도시) 전자를 방출시켜 방사선 디텍터 기판으로 사용하는 것이다. 상기 방출된 전자는 상기 기판 위에 위치한 전극에 의해 가속되어 가스층(160) 내의 가스를 이온화시키거나 또는 바로 전극에 도달하게 된다.In this configuration, in the digital X-ray image detector using the PDP structure, when the X-ray penetrating the human body reaches the gas layer 160, the gas layer 160 generates electron and hole pairs by the X-ray. The PDP structure is used as a radiation detector substrate by utilizing the electron emission effect of radiation by the gas layer 160. In addition, the X-ray that does not interact with the gas layer 160 interacts with the fluorescent layer 150 positioned below the gas layer 160, and as a result, visible light is generated, and the work function of the visible light generated at this time is generated. Low photocathode layers (not shown) emit electrons and use them as radiation detector substrates. The emitted electrons are accelerated by an electrode located on the substrate to ionize the gas in the gas layer 160 or directly reach the electrode.

가스가 이온화되면서 전자, 정공 쌍이 발생하게 되며 이 전자 역시 전기장에 의해 가속되어 다른 가스를 이온화시키거나 수집 전극(리드아웃 전극)으로 끌려가게 된다. 이렇게 수집된 전자들은 리드아웃 장치로 출력된 전기적 신호들은 영상 데이터로 변환되어 영상으로 출력하면 방사선 이미지가 생성되게 된다. 또한, 상기 형광층(150) 대신에 X-ray에 반응하여 전자, 정공 쌍을 발생시키는 광도전체층(미도시)을 사용할 수 있다.As the gas is ionized, electrons and hole pairs are generated, which are also accelerated by an electric field to ionize other gases or to be attracted to a collection electrode (lead-out electrode). The collected electrons are converted into image data, and the output signals are converted into image data to generate a radiographic image. In addition, instead of the fluorescent layer 150, a photoconductor layer (not shown) that generates electron and hole pairs in response to X-rays may be used.

종합하면, X-ray가 디텍터 내부의 가스와 충돌하여 전하(signal)가 발생하면, 발생된 전하는 리드아웃 장치를 통하여 회로로 전달되고, 회로부에서 이러한 아날로그 신호를 디지털 신호로 변경하여 영상을 획득할 수 있게 된다.In summary, when the X-ray collides with the gas inside the detector and generates a signal, the generated charge is transferred to the circuit through the readout device, and the circuit unit converts the analog signal into a digital signal to acquire an image. It becomes possible.

그러나 이러한 PDP를 이용한 검출기는 상부기판에서 엑스레이 흡수율이 매우 높아 감도가 낮으며, 내부 구조중의 필수요소라 할 수 있는 격벽을 세우기가 어렵다. 특히 상기 격벽을 이용하여 가스층의 공간을 마련하여야 하는데 이 경우 격벽이 무너지는 경우가 빈번하여 제조상의 수율이 낮고, 또한 격벽을 미세하게 제조하기도 어렵다는 문제도 발생하였다. 특히 복잡한 설계와 낮은 감도로 인한 품질상의 문제를 가지고 있으며, 형광층의 고른 도포가 극히 어려운바, 이로 인한 엑스레이의 감도 역시 현저하게 떨어지는 문제와 가스 충진 공간의 보다 폭넓은 확보가 어려운 문제도 발생하였다. However, the detector using the PDP has a low sensitivity due to a very high X-ray absorption rate on the upper substrate, and it is difficult to establish a partition wall, which is an essential element of the internal structure. In particular, the space of the gas layer should be provided by using the barrier ribs. In this case, the barrier ribs are often collapsed, resulting in low manufacturing yield and difficulty in producing the barrier ribs. In particular, there is a quality problem due to the complicated design and low sensitivity, and evenly applying the fluorescent layer is extremely difficult, which also causes a problem that the sensitivity of the X-ray is also significantly lowered and it is difficult to secure a wider gas filling space. .

또한, 상하 좌우 픽셀 간에 경계가 불분명하여 각 픽셀 간에 간섭작용이 발생하여 높은 질의 이미지 영상을 구현하는데 한계가 있는 문제도 발생하였다.In addition, the boundary between the upper, lower, left, and right pixels is unclear, and thus, an interference action occurs between each pixel, thereby causing a problem in that a high quality image image is limited.

특히, 이러한 PDP 형 디텍터의 경우에는 패널의 전면에서 전체적인 검출신호를 읽어들이는 방식을 취하고 있으며, 이 경우, 회로부로 검출신호를 보내는 경우, 리드아웃 전극에서 간섭이 발생하여 영상의 간섭현상이 발생하게 되는 문제가 발생하게 된다.In particular, in the case of the PDP type detector, the entire detection signal is read from the front of the panel. In this case, when the detection signal is sent to the circuit unit, interference occurs at the lead-out electrode, thereby causing image interference. The problem arises.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하되, 세로형 구조로 구성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 세로형 X-레이 이미지 검출 라인디텍터를 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above-described problem, an object of the present invention is to form a line-type X-ray detector that can be incident on the side of the X-ray detection signal, but the vertical structure of the interference phenomenon of the lead-out electrode It provides a detector that guarantees the simplicity of manufacturing process and the stability to reduce the risk of breakage in vacuum process, and there is no cross talk phenomenon when acquiring images. To provide a vertical X-ray image detection line detector.

본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위한 구성으로, 내부에 가스층을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부에서 받아들이는 세로형 구조의 디텍터 몸체와 상기 디텍터 몸체에 형성되어 전압을 인가하는 적어도 1이상의 전극, 상기 밀폐공간에 형성되는 적어도 1이상의 리드아웃 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터를 제공한다.The present invention is a configuration for solving the above problems, and has a sealed space for forming a gas layer therein, is formed in the detector body and the detector body of the vertical structure that receives the incident X-rays from the side incident portion At least one electrode for applying a voltage, at least one lead-out electrode formed in the sealed space provides a line-type X-ray image detection detector.

특히, 본 발명의 상기 디텍터 몸체는, 서로 이격되는 상부기판과 하부기판을 포함하며, 각 기판의 사이에 구획격벽에 의해 구획되는 단위밀폐공간이 형성된 구조인 것을 특징으로 한다.In particular, the detector body of the present invention, the upper substrate and the lower substrate spaced apart from each other, characterized in that the structure formed in the unit sealed space partitioned by the partition partition wall between each substrate.

또한, 상술한 상기 리드아웃 전극은 상기 단위밀폐공간 내의 하부기판에 각각 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the above-described lead-out electrode is characterized in that each formed on the lower substrate in the unit sealed space.

상술한 리드아웃 전극을 배치하는 구조는, 상기 단위밀폐공간의 길이방향을 따라서 배치됨이 바람직하다.The structure for arranging the lead-out electrode described above is preferably arranged along the longitudinal direction of the unit sealed space.

또한, 본 발명에서 전압을 인가하기 위한 상기 전극은 상부기판에 형성되는 전면전극으로 구성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the electrode for applying a voltage in the present invention is characterized in that consisting of a front electrode formed on the upper substrate.

또한, 본 발명은 상기 전면전극과 패턴전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 리드아웃 전극을 통해 리드아웃하는 회로부를 더 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.In addition, the present invention preferably further comprises a circuit unit for reading out the signal amount by the electrons and holes formed by the voltage applied by the front electrode and the pattern electrode through the lead-out electrode.

본 발명에서는 단위밀폐공간을 형성하는 상기 구획 격벽은 별도의 격벽구조로 형성시킬 수도 있지만, 다른 일례로서 상부기판 또는 하부기판에 일체형으로 형성될 수 도 있다.In the present invention, the partition partition wall forming the unit sealed space may be formed as a separate partition structure, but may be integrally formed on the upper substrate or the lower substrate as another example.

또한, 본 발명에 따른 상기 가스층은 페닝가스로 이루어진 것을 특징으로 하며, 아울러 상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나이거나, 이 중에서 선택된 2 이상의 가스를 혼합한 혼합페닝가스로 형성할 수 있다.In addition, the gas layer according to the present invention is characterized in that consisting of a penning gas, and the penning gas is any one selected from Xe, Kr, Ar, Ne, He, or a mixed phening gas mixed with two or more selected from these It can be formed as.

이러한 상기 혼합페닝가스는 Xe+Ne, Kr+Ne, Ar+Ne, Xe+CO2, Kr+CO2, Ar+CO2, Xe+CH4, Kr+CH4, Ar+CH4 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다.The mixed penning gas is any one selected from Xe + Ne, Kr + Ne, Ar + Ne, Xe + CO 2 , Kr + CO 2 , Ar + CO 2 , Xe + CH 4 , Kr + CH 4 , Ar + CH 4 One can be used.

본 발명에 따르면, 엑스레이 검출신호의 입사를 측면부에서 할 수 있는 라인형 엑스레이 디텍터를 형성하되, 세로형 구조로 구성하여 리드아웃 전극의 간섭현상이 없으면서도 제조공정의 간편성과 진공공정에서의 파손위험성을 줄일 수 있는 안정성이 확보된 디텍터를 제공하며, 영상취득시 크로스 토크(cross talk) 현상이 없어 회로에서 영상취득시 보다 선명한 영상을 취득할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, a line-type X-ray detector capable of incidence of the X-ray detection signal at the side portion is formed, but is configured in a vertical structure, so that the simplicity of the manufacturing process and the risk of breakage in the vacuum process without interference of the lead-out electrode. It provides a detector with a stable stability to reduce the number, and there is no cross talk phenomenon when acquiring an image, thereby obtaining a clearer image when acquiring an image from a circuit.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of the present invention.

도 2를 참조하면, 도 2의 (a)는 바람직할 일 실시예의 사시도이며, (b)는 분해사시도이다. 본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터는 기존의 PDP평 디텍터가 평판 패널의 전(前)면에서 디텍팅을 하는 구조와는 달리 디텍터를 세워서 측면 방향에서 엑스레이가 들어오는 형태를 취한다. 세로나 가로면의 측면입사부를 통해 선형(라인형)으로 검출을 구현할 수 있다. 아울러 내부 구조에 있어서도 종래 방식과는 상이한 격벽구조와 전극구조를 구비하고 있다.2, (a) is a perspective view of one preferred embodiment, (b) is an exploded perspective view. In the linear X-ray image detection detector according to the present invention, unlike a structure in which a conventional PDP flat detector detects the front surface of a flat panel, the X-ray image detector takes a form in which X-rays enter from a lateral direction. Detection can be implemented linearly (lined) through the side or incidence of the vertical or horizontal plane. In addition, also in the internal structure, the partition structure and electrode structure different from the conventional system are provided.

본 발명은 기본적으로 내부에 가스층(30)을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부(60)에서 받아들이는 구조의 디텍터 몸체를 구비하며, 상기 디텍터 몸체에 전압을 인가하는 적어도 1 이상의 전극(70)을 구비할 수 있으며, 또한, 상기 밀폐공간에는 적어도 1이상의 리드아웃 전극(40)이 형성된다. 특히, 이러한 구조에서는 하부기판 상에 하부전극을 형성시키지 않아 하부전극을 인쇄하고 이에 따른 유전체를 인쇄하는 등의 공정 및 구성이 줄어들어 불량율이 현저하게 낮아지는 장점도 있게 된다.The present invention basically has a sealed space for forming a gas layer 30 therein, and has a detector body having a structure that receives an incident X-ray from the side incident part 60, and applies a voltage to the detector body. At least one electrode 70 may be provided, and at least one lead-out electrode 40 is formed in the sealed space. In particular, in such a structure, the lower electrode is not formed on the lower substrate, thereby reducing the process and configuration such as printing the lower electrode and printing the dielectric, thereby significantly reducing the defect rate.

특히, 상기 디텍터 몸체는 도시된 것처럼, 상부와 하부기판, 그리고 양 기판을 지지 및 밀폐하는 측면 테두리부를 포함하는 개념이다.In particular, the detector body, as shown, is a concept including a top and bottom substrate, and side edges for supporting and sealing both substrates.

디텍터 몸체는 상부기판(10)과 하부기판(20)이 이격되며, 이격된 사이에 구획격벽(50)을 배치하여 밀폐공간을 형성하는 구조로 형성될 수 있으며, 상기 구획격벽(50)은 도시된 것과 같이 독립적으로 형성하여 상부기판과 하부기판을 밀착하여 형성하거나, 상기 구획격벽(50)이 상부기판이나 하부기판에 일체형으로 형성되도록 포밍(forming)하여 형성할 수 도 있다(도 4참조). 특히, 본 발명에 따른 실시예에서는 상술한 측면 테두리부를 통하여 X-레이가 입사되도록 측면 테두리 부중 어느 하나를 측면 입사부(60)로 형성한다.The detector body may be formed in a structure in which the upper substrate 10 and the lower substrate 20 are spaced apart from each other, and a partition partition 50 is disposed between the spaced apart spaces to form a sealed space, and the partition partition 50 is illustrated. As described above, the upper substrate and the lower substrate may be formed in close contact with each other, or may be formed by forming the partition partition 50 to be integrally formed on the upper substrate or the lower substrate (see FIG. 4). . In particular, in the embodiment according to the present invention, any one of the side edge portions is formed as the side incident portion 60 so that the X-rays are incident through the side edge portions described above.

물론 상기 디텍터 몸체는 측면 테두리부는 기판과 동일한 재질 또는 다른 재질의 기판으로 밀봉될 수 있으며, 본 발명에 따른 디텍터 몸체를 형성하는 기판은 유기기판 또는 투명한 재질의 기판을 사용할 수 있다.Of course, the detector body may be sealed with a substrate having the same material or a different material as the substrate, and the substrate forming the detector body according to the present invention may use an organic substrate or a substrate of a transparent material.

상기 디텍터 몸체를 형성함에 있어서, 상기 상부기판(10)의 상면에는 전극(70)을 형성하되, 전극을 전면 전극으로 도포하여 형성할 수 있다. 아울러 하부기판에는 패턴이 형성된 리드아웃 전극(40)을 형성한다. 특히 상기 리드아웃 전극(40)은 단위밀폐공간에 길이방향으로 도시된 것처럼 패턴화 하여 형성함이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 라인디텍터는 도 2에 도시된 형상을 위로 세워서 사용하는 것도 가능하다. In forming the detector body, an electrode 70 may be formed on an upper surface of the upper substrate 10, and the electrode may be coated by a front electrode. In addition, a lead-out electrode 40 having a pattern formed on the lower substrate is formed. In particular, the lead-out electrode 40 is preferably formed by patterning the unit sealed space as shown in the longitudinal direction. In addition, the line-type X-ray image detection line detector according to the present invention can also be used by standing up the shape shown in FIG.

기본적인 X-레이가 측면입사부를 통해 입사하고, 입사된 X-레이는 내부에 충진된 가스층(30)과 부딪혀 전자, 정공을 형성하게 된다. 이렇게 형성된 전하는 리드아웃(40)을 통해 외부 회로부 쪽으로 보내지게 된다. 따라서, 상기 전면전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 리드아웃 전극을 통해 리드아웃하는 회로부(미도시)를 더 포함하여 구성됨이 바람직하다.A basic X-ray is incident through the side incident part, and the incident X-ray collides with the gas layer 30 filled therein to form electrons and holes. The charge thus formed is directed to the external circuit portion through the leadout 40. Therefore, it is preferable to further include a circuit unit (not shown) for reading out the signal amount due to the electrons and holes formed by the voltage applied by the front electrode through the lead-out electrode.

도 3은 본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터의 제조공정을 개략적으로 도시한 개념도이다.3 is a conceptual diagram schematically illustrating a manufacturing process of the line type X-ray image detection detector according to the present invention.

개략적인 공정을 도면을 참조하여 설명하자면, 상부기판(10)의 전(全)면에 전극을 도포하고, 하부기판(20)에는 리드아웃을 할 패턴을 그려 전극(40)을 도포한다. 이후 구획격벽(50)을 형성하고, 전극이 도포된 상부기판과 하부기판을 붙인다. 내부에 열처리와 진공 공정 후 반응가스를 주입하여 제조하게 된다.Referring to the schematic process with reference to the drawings, the electrode is applied to the entire surface of the upper substrate 10, the lower substrate 20 is applied to the electrode 40 by drawing a pattern to be read out. Thereafter, the partition partition 50 is formed, and the upper substrate and the lower substrate to which the electrodes are applied are attached to each other. It is prepared by injecting the reaction gas after the heat treatment and vacuum process inside.

본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터의 가스층에 주입되는 가스는, 페닝가스로 이루어진 것을 특징으로 하며, 아울러 상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나이거나, 이 중에서 선택된 2 이상의 가스를 혼합한 혼합페닝가스로 형성할 수 있다. 이를 테면, 이러한 상기 혼합페닝가스는 Xe+Ne, Kr+Ne, Ar+Ne, Xe+CO2, Kr+CO2, Ar+CO2, Xe+CH4, Kr+CH4, Ar+CH4 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다.The gas injected into the gas layer of the linear X-ray image detection detector according to the present invention is characterized in that it is made of a penning gas, and the penning gas is any one selected from Xe, Kr, Ar, Ne, and He, or It may be formed of a mixed phening gas mixed with two or more selected gases. For example, the mixed penning gas may be Xe + Ne, Kr + Ne, Ar + Ne, Xe + CO 2 , Kr + CO 2 , Ar + CO 2 , Xe + CH 4 , Kr + CH 4 , Ar + CH 4 Any one selected from may be used.

도 4는 본 발명에 따른 구획격벽을 상부기판 또는 하부기판에 일체형으로 형성한 구조를 나타낸 것이다. 이는 도 2 에서 구획격벽을 상부기판과 하부기판에 독립적으로 형성하는 것과는 달리, 일체로 기판에 포밍(forming)하여 형성할 수 있다.4 illustrates a structure in which the partition bulkhead according to the present invention is integrally formed on an upper substrate or a lower substrate. Unlike the case in which the partition partition wall is independently formed on the upper substrate and the lower substrate in FIG. 2, the partition partition wall may be integrally formed on the substrate.

본 발명에 따른 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터는 전극 간의 간섭현상이 거의 없고, 제조공정이 매우 간편하며, 패널의 표면적이 넓지 않아 진공공정에서 패널의 깨짐현상을 줄일 수 있는 장점이 있다. 또한, 회로부에서 리드아웃된 신호를 이용하여 영상을 획득하는 경우에 크로스 토크 현상을 없어 우수한 이미지 영상을 구현할 수 있다.The line-type X-ray image detection detector according to the present invention has an advantage that there is little interference between electrodes, a manufacturing process is very simple, and the surface area of the panel is not wide, thereby reducing the breakage of the panel in a vacuum process. In addition, when an image is acquired by using the signal read out from the circuit unit, an excellent image image may be realized without cross talk phenomenon.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, many modifications are possible without departing from the scope of the invention. The technical idea of the present invention should not be limited to the embodiments of the present invention but should be determined by the equivalents of the claims and the claims.

도 1은 종래의 PDP 형 엑스레이 디텍터를 도시한 것이다.1 illustrates a conventional PDP type X-ray detector.

도 2는 본 발명에 따른 바람직할 일 실시예를 도시한 것이다.Figure 2 illustrates a preferred embodiment according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 디텍터의 제조공정을 개략적으로 도시한 것이다.Figure 3 schematically shows a manufacturing process of the detector according to the present invention.

도 4는 본 발명의 다른 실시예로서의 디텍터 부분을 도시한 것이다.4 shows a detector portion as another embodiment of the present invention.

Claims (11)

내부에 가스층을 형성하는 밀폐공간을 구비하며, 입사하는 X-레이를 측면입사부에서 받아들이는 라인형 구조의 디텍터 몸체;A detector body having a sealed space for forming a gas layer therein and receiving an incident X-ray at a side incident part; 상기 디텍터 몸체에 형성되어 전압을 인가하는 적어도 1이상의 전극;At least one electrode formed on the detector body to apply a voltage; 상기 밀폐공간에 형성되는 적어도 1이상의 리드아웃 전극;At least one lead-out electrode formed in the sealed space; 을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.Line X-ray image detection detector, characterized in that comprises a. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 디텍터 몸체는,The detector body, 서로 이격되는 상부기판과 하부기판을 포함하며, 각 기판의 사이에 구획격벽에 의해 구획되는 단위밀폐공간이 형성된 구조인 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.And a top substrate and a bottom substrate spaced apart from each other, wherein a unit sealed space is formed between the substrates by partition partition walls. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 리드아웃 전극은 상기 단위밀폐공간 내의 하부기판에 각각 형성되는 것을 특징으로 하는 세로형 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.And the lead-out electrode is formed on the lower substrate in the unit enclosed space, respectively. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 리드아웃 전극은 상기 단위밀폐공간의 길이방향을 따라서 배치되는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.And the lead-out electrode is disposed along the longitudinal direction of the unit enclosed space. 청구항 1 내지 4 중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 상부기판에 형성되는 전극은 전면전극으로 구성되어 상부기판의 내부 또는 외부면에 형성되는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.The electrode formed on the upper substrate is a line type X-ray image detection detector, characterized in that formed on the inner surface or the outer surface of the upper substrate. 청구항 5에 있어서,The method according to claim 5, 상기 전면전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 리드아웃 전극을 통해 리드아웃하는 회로부를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.And a circuit unit configured to read out the amount of signals generated by the electrons and holes formed by the voltage applied by the front electrode through the lead-out electrode. 청구항 2 내지 4 중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 2 to 4, 상기 구획 격벽은 상부기판 또는 하부기판에 일체형으로 형성되는 것을 특징 으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.And the partition partition wall is integrally formed on the upper substrate or the lower substrate. 청구항 1 내지 4 중 어느 한항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 가스층은 페닝가스로 이루어진 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.The gas layer is a line-type X-ray image detection detector, characterized in that consisting of the penning gas. 청구항 7에 있어서,The method of claim 7, 상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.The penning gas is Xe, Kr, Ar, Ne, He is a linear X-ray image detection detector, characterized in that any one selected from. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 가스층은 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 2 이상의 가스를 혼합한 혼합페닝가스인 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.The gas layer is a line-type X-ray image detection detector, characterized in that the mixed panning gas mixed with two or more selected gases of Xe, Kr, Ar, Ne, He. 청구항 8에 있어서,The method according to claim 8, 상기 혼합페닝가스는 Xe+Ne, Kr+Ne, Ar+Ne, Xe+CO2, Kr+CO2, Ar+CO2, Xe+CH4, Kr+CH4, Ar+CH4 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 라인형 X-레이 이미지 검출 디텍터.The mixed penning gas is any one selected from Xe + Ne, Kr + Ne, Ar + Ne, Xe + CO 2 , Kr + CO 2 , Ar + CO 2 , Xe + CH 4 , Kr + CH 4 , Ar + CH 4 A line type X-ray image detection detector, characterized in that.
KR1020080100189A 2008-10-13 2008-10-13 - x-ray detector of line type KR101570520B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080100189A KR101570520B1 (en) 2008-10-13 2008-10-13 - x-ray detector of line type

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080100189A KR101570520B1 (en) 2008-10-13 2008-10-13 - x-ray detector of line type

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100041149A true KR20100041149A (en) 2010-04-22
KR101570520B1 KR101570520B1 (en) 2015-11-20

Family

ID=42216942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080100189A KR101570520B1 (en) 2008-10-13 2008-10-13 - x-ray detector of line type

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101570520B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR101570520B1 (en) 2015-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5223717A (en) Imaging device for ionizing radiation
US6316773B1 (en) Multi-density and multi-atomic number detector media with gas electron multiplier for imaging applications
AU778579B2 (en) A method and an apparatus for radiography and a radiation detector
KR20100011101A (en) Detector for detecting x-ray image and method thereof
US3412246A (en) Spark imaging device for mapping distribution of radiation
KR100551569B1 (en) Digital X-ray detector using by plasma display panel
KR101475046B1 (en) X-ray detector with metal substrates
CN101762820B (en) Flat panel detector
JP3230669U (en) Image enhancer
KR101475043B1 (en) Detector For Detecting X-Ray Image Within Photoconductor
KR101515130B1 (en) X-ray detector of line type within multiplication laye
EP1314184A1 (en) Multi-density and multi-atomic number detector media with gas electron multiplier for imaging applications
KR20100041149A (en) X-ray detector of line type
KR101475042B1 (en) X-ray detector of line type with protection layer
KR101475041B1 (en) X-ray detector of line type
KR101503806B1 (en) Manufacturing Method of Grid In Gas Typr Detector For Detecting X-Ray Image And Detecting System
KR101610158B1 (en) X-ray detector with metal substrates
KR20080105518A (en) X-ray detector and detecting method by the same
WO2008147135A1 (en) X-ray detector and image-detecting method by the same
JPH1187681A (en) Flat panel type sensor
KR20080062343A (en) Apparatus and control method for digital radiation detector based on plasma display panel
KR20030031927A (en) Passive matrix X-ray image detector
KR101455382B1 (en) Hybrid X-ray Detection Apparatus using Photostimulable Phosphor
KR101035412B1 (en) X-ray detection method and x-ray detector
CN201844983U (en) Flat-panel detector

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
LAPS Lapse due to unpaid annual fee