KR101475046B1 - X-ray detector with metal substrates - Google Patents
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Abstract
본 발명은 X-레이 이미지 검출용 디텍터에 관한 것으로, 본 발명의 구성은 내부에 가스가 충진되어 X-레이 신호를 전기적인 신호로 변환시키는 가스층이 형성되는 밀폐공간을 형성하는 디텍터 몸체와 상기 몸체에 형성되는 다수의 전극, 그리고 상기 디텍터 몸체의 내부에 형성되는 유전체층;을 포함하여 구성되되, 상기 디텍터 몸체는 엑스레이 투과성이 높은 금속물질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a detector for detecting an X-ray image. The detector of the present invention comprises a detector body for forming a closed space in which a gas layer is filled and a X-ray signal is converted into an electric signal, And a dielectric layer formed inside the detector body, wherein the detector body is made of a metal material having high X-ray transmittance.
본 발명에 따르면, 금속소재를 이용한 상부 및 하부기판으로 이루어진 가스타입의 검출기를 통하여 고압의 가스주입이 가능하도록 하여 높은 검출효과를 구현할 수 있는 효과가 있다. 또한, 박막트랜지스터를 사용하지 않고 분리된 3개의 전극을 통해 검출신호를 읽어내는 엑스레이 검출기를 제공하여, 제조비용 및 이용상의 편의성을 제공하고, 제작효율이 높은 디지털 방사선 영상을 제공할 수 있는 효과도 있다.According to the present invention, it is possible to inject gas at a high pressure through a gas-type detector composed of an upper substrate and a lower substrate using a metal material, thereby achieving a high detection effect. In addition, it is possible to provide an X-ray detector that reads a detection signal through three electrodes separated without using a thin film transistor, thereby providing a manufacturing cost and convenience of use, and an effect of providing a digital radiation image with high production efficiency have.
X-레이, 디텍터, 3상 전극, 금속기판 X-ray, detector, three-phase electrode, metal substrate
Description
본 발명은 X-레이 이미지 검출용 디텍터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 X-레이 투과율이 높은 진공 밀폐된 2장의 기판 사이에 페닝가스 또는 페닝 혼합가스를 충진하고 인체를 투과한 방사선에 의해 발생하는 전자 갯수를 전자회로를 이용하여 읽어들여 X-레이 이미지를 구현할 수 있는 X-레이 이미지 검출용 디텍터에 관한 것이다. 특히 이러한 가스타입의 검출방식을 이용하여 박막트랜지스터 또는 PDP의 격벽이 있거나 또는 격벽이 제거된 방식의 엑스레이 검출기를 제공하여 제작공정의 편의성과 비용의 절감시킴과 아울러 감도를 혁신적으로 증진시킬 수 있도록 한다. The present invention relates to a detector for detecting an X-ray image, and more particularly, to a detector for detecting an X-ray image, and more particularly to a detector for detecting an X- Ray image detecting apparatus capable of reading an electronic number by using an electronic circuit to implement an X-ray image. In particular, by providing such a gas type detection method, a thin film transistor, a PDP, or an X-ray detector in which a barrier rib is removed, thereby reducing the convenience and cost of the fabrication process and improving the sensitivity .
아울러, 다수의 전극라인으로 미세픽셀 제작을 용이하게 하고, 이를 통한 정보검출의 편의성을 획기적으로 단축시켜 대면적 기판에서도 효율적으로 영상정보를 수집할 수 있는 엑스레이 디텍터에 관한 것이다.In addition, the present invention relates to an X-ray detector capable of easily fabricating fine pixels with a plurality of electrode lines, dramatically shortening the convenience of information detection through the use thereof, and efficiently collecting image information even on a large area substrate.
특히, 본 발명은 이러한 가스타입의 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 형성함에 있어서, 디텍터를 형성하는 상부 및 하부기판을 금속기판으로 형성하고, 이에 따른 다수의 전극라인을 형성하여 고압의 가스를 주입이 가능하도록 하며, 이를 통해 높은 감도의 이상적인 신호검출할 수 있도록 하는 기술에 관한 것이다.In particular, in forming the detector for X-ray image detection of this gas type, the upper and lower substrates forming the detector are formed of a metal substrate, and a plurality of electrode lines are formed, To thereby enable detection of an ideal signal with high sensitivity.
현재 의학용, 공학용 등으로 널리 사용되고 있는 X-ray 검사방법은 X-ray 감지필름을 사용하여 촬영하고, 그 결과를 알기 위하여 소정의 필름 인화단계를 거치게 된다. 그러나 이로 인해 일정시간이 흐른 후에 원하는 목적물에 대한 사진을 인지할 수 있다는 점에서 그 이용성에 있어서 시간이 길어지는 문제가 있었으며, 특히 촬영 후에 필름의 보관 및 보존이 어려워 필름 자체가 훼손되는 경우에는 결과물을 확인하기 어려운 문제점이 있었다.X-ray inspection methods widely used in medicine, engineering and the like are photographed using an X-ray detection film, and a predetermined film printing step is performed in order to know the result. However, there is a problem in that it takes a long time for the usability because the photograph can be recognized after a certain time after a certain time. Especially, when the film itself is damaged due to difficulty in storing and preserving the film after photographing, It has been difficult to confirm such a problem.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로 TFT(Thin Film Transistor)를 이용한 X-레이 이미지 검출용 디텍터가 연구/개발되었다. 상기 TFT를 이용한 디텍터는 TFT를 스위칭 소자로 사용하고 X-레이의 촬영 즉시 실시간으로 결과를 진단할 수 있는 이점을 구현할 수 있으며, 현재 상용화되고 있는 X-레이 신호 검출 방법은 간접방식과 직접방식으로 나눌 수 있다.In order to solve the above problems, a detector for X-ray image detection using a TFT (Thin Film Transistor) has been researched / developed. The detector using the TFT can realize an advantage that the TFT can be used as a switching element and the result can be diagnosed in real time immediately after the X-ray is shot. The X-ray signal detection method currently being commercialized is an indirect method and a direct method Can be divided.
도 1은 종래의 간접방식으로 구현되는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a detector for detecting an X-ray image, which is implemented by a conventional indirect method.
도 1을 참조하면, 종래의 간접방식은 TFT(10) 상에 포토다이오드(Photodiode,20))가 형성되고, 상기 포토다이오드(20) 상에 X-레이 신호를 가시광선으로 바꿔주는 신틸레이터(Scintillator,30)를 도포하여 상기 신틸레이터(30)에 의해 가시광선으로 변환된 X-레이 신호를 포토다이오드(20)를 통해서 전기적 신호로 변환하여 TFT(10)의 커패시터에 저장해 두었다가 TFT(10)의 게이트 전극에 읽기 신호(readout signal)를 가하여 커패시터에 충전되어 있는 X-레이 신호를 읽어 들이는 방식이다.1, a conventional indirect method includes a
그러나 종래의 간접방식은 TFT(10) 위에 포토다이오드(20)를 제작하여야 하고, 또 그 위에 신틸레이터(30)를 증착하여야 하므로 구조가 복잡할 뿐만 아니라, 제작 프로세스가 복잡하므로 공정의 효율성이 떨어지는 문제가 있었다.However, in the conventional indirect method, since the
또한, X-레이 신호가 신틸레이터에 의해 가시광선으로 변환할 때 효율이 낮아 원 신호가 작아지며, 가시광선이 포토다이오드(20)를 거치면서 손실이 발생하여 마지막 TFT에 의해 검출되는 X-레이 신호가 작아지므로 검출되는 이미지 영상의 질이 떨어지는 문제가 있었다.In addition, when the X-ray signal is converted into visible light by the scintillator, the efficiency is low and the original signal is small. A visible light ray passes through the
도 2는 종래의 직접방식으로 구현되는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically showing a detector for detecting an X-ray image, which is implemented in a conventional direct method.
도 2를 참조하면, 종래의 직접방식은 상기 간접방식과 유사하게 TFT를 사용하며, TFT(10) 상에 X-레이에 민감한 포토컨덕터(Photoconductor; a-Se, Csl, PbO, 40)가 형성되어 X-레이 신호를 전기적 신호로 전환하며, X-레이에 의해 발생된 전자를 TFT(10)의 커패시터에 저장한 후 게이트에 읽기 신호를 가하여 커패시터에 충전되어 있는 X-레이 신호를 읽어들이는 방식이다.Referring to FIG. 2, the conventional direct method uses a TFT similar to the indirect method, and a photoconductor (a-Se, Csl, PbO, 40) sensitive to X-rays is formed on the
그러나 종래의 직접방식은 TFT(10) 상에 증착 및 도포 된 포토컨덕터(40)를 X-레이 신호에 활성화시키기 위하여 포토컨덕터(40)에 수천 볼트의 고전압을 인가해야 한다. 따라서, 전력소모가 클 뿐만 아니라, 수천 볼트의 고전압으로 인해 기기의 안정성이 떨어지고, 많은 열이 발생하여 연속사용이 불가능한 문제가 있었다.However, the conventional direct method has to apply a high voltage of several thousand volts to the
또한, 포토컨덕터(40)를 TFT(10) 상에 균일하게 증착 및 도포해야 하므로, 대형 평판 제작이 불가능한 문제가 있었다.Further, since the
상기와 같이 종래의 TFT를 이용한 디텍터는 제조가 어려운 난점 이외에도, 패널 내부의 픽셀 하나당 한 개의 박막트랜지스터가 필요하므로 대면적이 어렵고 비용이 증가하게 되며, 감도가 낮아지는 문제점이 있었다. As described above, the conventional detector using a TFT requires a single thin film transistor for each pixel in the panel in addition to the difficulty in manufacturing, which makes it difficult to increase the size, increase the cost, and lower the sensitivity.
이러한 문제를 극복하기 위한 구조상의 변경을 통하여 극복하고자 하는 노력이 있었으나, 디지털 장비들 역시 낮은 X-선 변환효율과 이미지 특성(분해능, 휘도)의 저하, 영상의 왜곡현상, 과도한 환자 피폭량, 방사선 피폭에 의한 장비수명의 단축과 같은 많은 기술적 문제들을 내포하고 있어 그 임상적 적용이 미흡하며, 이러한 문제점들을 보완할 수 있는 획기적인 디지털 이미지 장치의 개발이 절실히 요구되고 있는 실정에서 최근 대체장비로써 디텍터를 PDP를 활용한 방안이 제시되었다.In order to overcome these problems, there has been an effort to overcome by the structural changes. However, digital equipments have also suffered from low X-ray conversion efficiency, deterioration of image characteristics (resolution, luminance), image distortion, excessive patient dose, In recent years, there has been a great demand for the development of an innovative digital image device that can overcome these problems. Recently, as a substitute device, a PDP A method to utilize it was proposed.
PDP는 복수 개의 전극이 코팅된 두 기판상에 Xe이나 Ne 등의 페닝 가스를 봉입한 후 방전 전압을 가하고, 이 방전전압으로 인하여 발생하는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체를 여기 시켜 소망하는 숫자, 문자 또는 그래픽을 얻는 영상 장치를 말한다. In PDP, a discharge voltage is applied to two substrates coated with a plurality of electrodes, such as Xe or Ne, and then a discharge voltage is applied. A phosphor formed in a predetermined pattern is excited by ultraviolet rays generated by the discharge voltage, , A video device that obtains text or graphics.
도 3은 종래의 플라즈마 디스플레이(PDP)를 이용한 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically showing a detector for X-ray image detection using a conventional plasma display (PDP).
도 3을 참조하면, 플라즈마 디스플레이(PDP)를 이용한 검출기(100)는 방전 갭을 가지면서 인접하여 대향 배치되는 2개의 기판(110)과 상기 기판상의 대향면측에 형성된 유전층(120)과 상기 기판과 유전층의 사이에 형성된 전극층(130)과 상기 유전층의 사이에 형성되어 기판 내면에 밀폐 셀 구조를 형성시키는 격벽(140)과 상기 격벽과 기판의 내면 일 측 위에 형성되며, 방사선에 의해 자극되어 가시광선을 발생시키는 형광층(150)과 상기 격벽과 기판에 의해 형성되는 밀폐 셀 내부에 충진되어 방사선에 의해 자극되어 전자를 발생시키는 가스층(160)으로 구성된다. Referring to FIG. 3, a
이러한 구성에 있어서, PDP 구조를 이용한 디지털 X-ray 이미지 검출기에서, 인체를 투과한 X-레이가 가스층(160)에 도달하게 되면 가스층(160)은 X-ray 에 의해 전자, 정공 쌍이 발생하게 되는 데 이러한 가스층(160)에 의한 방사선의 전자 방출 효과를 이용하여 PDP 구조를 방사선 디텍터 기판으로 사용하는 것이다. 또한, 가스층(160)과 상호작용을 하지 못한 X-ray 는 가스층(160) 아래에 위치한 형광층(150)과 상호작용하고 그 결과 가시광선이 발생하게 되는데, 이때 발생된 가시광선을 일함수가 낮은 광음극층(미도시) 전자를 방출시켜 방사선 디텍터 기판으로 사용하는 것이다. 상기 방출된 전자는 상기 기판 위에 위치한 전극에 의해 가속되어 가스층(160) 내의 가스를 이온화시키거나 또는 바로 전극에 도달하게 된다.In the digital X-ray image detector using the PDP structure, when the X-ray transmitted through the human body reaches the
가스가 이온화되면서 전자, 정공 쌍이 발생하게 되며 이 전자 역시 전기장에 의해 가속되어 다른 가스를 이온화시키거나 수집 전극으로 끌려가게 된다. 이렇게 수집된 전자들은 리드아웃 장치로 출력된 전기적 신호들은 영상 데이터로 변환되어 영상으로 출력하면 방사선 이미지가 생성되게 된다. 또한, 상기 형광층(150) 대신에 X-ray에 반응하여 전자, 정공 쌍을 발생시키는 광도전체층(미도시)을 사용할 수 있다.As the gas is ionized, electrons and holes are generated. The electrons are also accelerated by the electric field to ionize the other gas or to be attracted to the collecting electrode. The electrons thus collected are converted into image data, which are output to the lead-out device, and output as an image, thereby generating a radiation image. Instead of the
그러나, 이러한 플라즈마 디스플레이 평판 패널 구조의 검출기는 일반적으로 기판을 유리재질로 사용함으로써, 엑스레이 변환층인 가스를 상압 이상의 고압으로 주입시키기 어려운 치명적인 약점을 가지고 있었다. 즉, 고압가스의 주입이 어려움으로 인해 높은 감도의 실현에 한계를 가지게 되는 것이다.However, the detector of such a plasma display panel panel structure generally has a fatal weakness which makes it difficult to inject the gas, which is an X-ray conversion layer, at a high pressure higher than the atmospheric pressure by using the substrate as a glass material. That is, since the injection of the high-pressure gas is difficult, the realization of high sensitivity is limited.
본 발명은 상술한 과제를 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 본 발명에 따르면, 금속소재를 이용하여 디텍터 몸체를 형성하는 상부 및 하부기판을 구성함으로써, 새로운 가스타입의 검출기의 제작의 편의성과 더불어 고압의 가스주입이 가능하도록 하여 높은 검출효과를 구현할 수 있는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a new gas type detector by forming an upper and a lower substrate which form a detector body using a metal material. Ray detector for detecting X-rays, which can realize a high detection effect by enabling high-pressure gas injection with convenience.
본 발명은 엑스레이 디텍터에 있어서, 내부에 가스가 충진되어 X-레이 신호를 전기적인 신호로 변환시키는 가스층이 형성되는 밀폐공간을 형성하는 디텍터 몸체;상기 몸체에 형성되는 다수의 전극; 상기 디텍터 몸체의 내부에 형성되는 유전체층;을 포함하여 구성되되,상기 디텍터 몸체는 엑스레이 투과성이 높은 금속물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공하여, 제조방식의 편의성과 금속물질로 형성되는 디텍터 몸체를 통해 가스 충진시 고압의 충진을 시행할 수 있도록 해 검출성능을 극대화할 수 있도록 한다.The present invention relates to an X-ray detector, which comprises a detector body which forms a closed space in which a gas layer is filled with a gas to convert an X-ray signal into an electrical signal, a plurality of electrodes formed on the body, And a dielectric layer formed inside the detector body, wherein the detector body is made of a metal material having high X-ray transmittance, and the detector for X-ray image detection, It is possible to maximize the detection performance by injecting the high pressure through the detector body formed by the gas filling.
또한, 본 발명은 상술한 디텍터 몸체를 상부기판과 하부기판으로 형성할 수 있다. Further, in the present invention, the above-described detector body may be formed of an upper substrate and a lower substrate.
또한, 본 발명은 상술한 상기 다수의 전극은 상기 디텍터 몸체의 내부 또는 외부에 형성되는 3개의 전극으로 형성되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있도록 하여, 박막트랜지스터를 사용하지 않고 분리된 3개 의 전극을 통해 검출신호를 읽어낼 수 있도록 하며, 제조비용 및 이용상의 편의성을 제공하고, 제작효율이 높은 디지털 방사선 영상을 제공할 수 있도록 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a detector for detecting an X-ray image, wherein the plurality of electrodes are formed of three electrodes formed inside or outside the detector body, It is possible to read the detection signal through the three separated electrodes without providing the sensor, and it is possible to provide a manufacturing cost and convenience of use, and to provide a digital radiation image with high production efficiency.
또한, 본 발명은 상기 유전체층은 상기 다수의 전극의 상부면 또는 하부면에 형성할 수 있도록 한다.In addition, the dielectric layer may be formed on the upper surface or the lower surface of the plurality of electrodes.
또한, 본 발명은 상기 유전체층은 기판과 인접하는 전극 간과 및 각각의 인접하는 전극 사이를 이격시키는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공하여, 필연적으로 금속기판을 구비하는 본 발명에 따른 고압의 가스충진 구조의 장치의 안정성을 확보할 수 있도록 한다.The present invention also provides a detector for detecting an X-ray image, characterized in that the dielectric layer separates between the substrate and adjacent electrodes and between adjacent electrodes, and inevitably provides a detector Thereby ensuring the stability of the high-pressure gas-filled structure.
또한, 본 발명은 상기 전극은 기판 및 하부 기판에 각각 형성되는 제1전극 및 제2전극; 및 상기 하부기판의 내부 또는 외부에 형성되는 제3전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있도록 한다.According to another aspect of the present invention, the electrode includes a first electrode and a second electrode formed on a substrate and a lower substrate, respectively; And a third electrode formed on the inside or the outside of the lower substrate.
또한, 본 발명은 상기 제2전극 및 제3전극은 상기 하부기판의 내부에 형성되며, 상기 제2전극, 제3전극 및 하부기판간은 유전체층에 의해 이격되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있도록 해, 제조구조의 다양성을 실현할 수 있도록 한다. In the present invention, the second electrode and the third electrode are formed in the lower substrate, and the second electrode, the third electrode, and the lower substrate are spaced apart from each other by a dielectric layer. So that it is possible to realize a variety of manufacturing structures.
또한, 본 발명은 상기 하부기판의 외부에 상기 제2전극 및 제3전극이 형성되며, 상기 제2전극, 제3전극 및 하부기판에는 유전체층에 의해 이격되는 구조로 형성시킬 수 있다.In addition, the second electrode and the third electrode may be formed outside the lower substrate, and the second electrode, the third electrode, and the lower substrate may be separated from each other by a dielectric layer.
또한, 본 발명은 상기 하부기판의 내부에는 상기 제2전극이 형성되고, 상기 하부기판의 외부에는 상기 제3전극이 형성되되, 상기 하부기판과 각 전극 간에는 유전체층에 의해 이격되는 구조로도 형성시킬 수 있다.In the present invention, the second electrode is formed in the lower substrate, the third electrode is formed on the outer side of the lower substrate, and the dielectric layer is also formed between the lower substrate and the electrodes. .
또한, 본 발명은 상기 다수의 구조를 배치함에 있어서, 상기 제 1전극 및 제2전극은 수직교차하는 구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.In the present invention, it is possible to provide the detector for X-ray image detection, wherein the first electrode and the second electrode are arranged to cross each other when the plurality of structures are arranged.
또한, 본 발명은 상기 제3전극은 전면전극인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.The present invention can provide a detector for X-ray image detection, wherein the third electrode is a front electrode.
또한, 본 발명은 상기 금속기판은 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있도록 한다.The present invention also provides a detector for X-ray image detection, characterized in that the metal substrate is made of copper (Cu) or aluminum (Al).
또한, 본 발명은 상기 제1 및 제3전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 전자 및 정공에 의한 신호량을 상기 제2전극을 통해 리드아웃하는 회로부를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.Further, the present invention further includes a circuit unit for reading out a signal amount due to electrons and holes formed by the voltages applied by the first and third electrodes through the second electrode. It is possible to provide a detector for image detection.
또한, 본 발명은 상기 디텍터 몸체는 상기 상부기판과 하부기판 을 지지하는 지지부를 통하여 이격되는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.The detector may have a structure in which the detector body is spaced apart through a support for supporting the upper substrate and the lower substrate.
또한, 본 발명은 상기 유전체층은 Pb, Si, B, Al, Ba, Sr, Zn, Bi, Ti, Co, Ca, P, R, Sn 산화물(PbO, SiO2, B2O3, Al2O3, BaO, SrO, ZnO, Bi2O3, TiO2, CoO, Bi계열, CaO, P2O5, R2O, SnO)중에서 선택되거나, 이 중에서 선택되는 하나 이상의 물질간의 혼합물로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.The dielectric layer may be formed of at least one selected from the group consisting of Pb, Si, B, Al, Ba, Sr, Zn, Bi, Ti, Co, Ca, P, R, Sn oxides (PbO, SiO2, B2O3, Al2O3, BaO, , Bi2O3, TiO2, CoO, Bi series, CaO, P2O5, R2O, SnO), or a mixture of at least one selected from the group consisting of Bi2O3, TiO2, CoO, Bi series, CaO, P2O5, R2O and SnO.
또한, 본 발명은 상기 유전체층은 그 두께가 1~1000㎛인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a detector for X-ray image detection, wherein the dielectric layer has a thickness of 1 to 1000 mu m.
또한, 본 발명은 상기 각 전극의 두께는 1~1000㎛인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.The present invention can provide a detector for X-ray image detection, wherein the thickness of each of the electrodes is 1 to 1000 mu m.
또한, 본 발명은 상기 지지부는 원형, 타원형 및 다각형 중 선택된 어느 하나의 형상인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.Also, the present invention can provide a detector for detecting an X-ray image, wherein the support part has a shape selected from a circle, an ellipse, and a polygon.
또한, 본 발명은 상기 지지부는 실리콘 계열의 실재 또는 지르코늄으로 형성된 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a detector for X-ray image detection, wherein the support is formed of a silicon-based substance or zirconium.
또한, 본 발명은 상기 가스층은 페닝가스로 이루어진 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a detector for X-ray image detection, wherein the gas layer is made of Penning gas.
또한, 본 발명은 상기 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.Also, the present invention can provide the detector for X-ray image detection, wherein the penning gas is any one selected from Xe, Kr, Ar, Ne, and He.
또한, 본 발명은 상기 가스층은 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 2 이상의 가스를 혼합한 혼합페닝가스인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.Further, the present invention can provide the detector for X-ray image detection, wherein the gas layer is a mixed penning gas in which two or more gases selected from Xe, Kr, Ar, Ne, and He are mixed.
또한, 본 발명은 상기 혼합페닝가스는 Xe+Ne, Kr+Ne, Ar+Ne, Xe+CO2, Kr+CO2, Ar+CO2, Xe+CH4, Kr+CH4, Ar+CH4 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 제공할 수 있다.In addition, the present invention is the mixing Penning gas is Xe + Ne, Kr + Ne, Ar + Ne, Xe + CO 2, Kr + CO 2, Ar + CO 2, Xe + CH 4, Kr + CH 4, Ar + CH 4 of the can provide X- ray detector for detecting the image, characterized in that at least one selected.
본 발명에 따르면, 금속소재를 이용한 상부 및 하부기판으로 이루어진 가스타입의 검출기를 통하여 고압의 가스주입이 가능하도록 하여 높은 검출효과를 구현할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, it is possible to inject gas at a high pressure through a gas-type detector composed of an upper substrate and a lower substrate using a metal material, thereby achieving a high detection effect.
또한, 박막트랜지스터를 사용하지 않고 분리된 3개의 전극을 통해 검출신호를 읽어내는 엑스레이 검출기를 제공하여, 제조비용 및 이용상의 편의성을 제공하고, 제작효율이 높은 디지털 방사선 영상을 제공할 수 있는 효과도 있다.In addition, it is possible to provide an X-ray detector that reads a detection signal through three electrodes separated without using a thin film transistor, thereby providing a manufacturing cost and convenience of use, and an effect of providing a digital radiation image with high production efficiency have.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the structure and operation of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 4를 참조하면, 도 4는 성능향상을 위하여 고압의 가스를 주입할 수 있도록 설계된 디지털 엑스레이 검출기의 구조 및 동작방법을 개략적으로 도시한 것이다.Referring to FIG. 4, FIG. 4 schematically shows a structure and operation method of a digital X-ray detector designed to inject a high-pressure gas for improving performance.
본 발명에서는 내부에 가스가 충진되어 X-레이 신호를 전기적인 신호로 변환시키는 가스층(g)이 형성되는 밀폐공간을 형성하는 디텍터 몸체(10,20)와 상기 디텍터 몸체에 형성되는 다수의 전극(30a,30b,30c), 그리고 상기 디텍터 몸체의 내부에 형성되는 유전체층(40a,40b,40c,40d)으로 형성된다. 특히 상기 디텍터 몸체는 일체형으로 형성할 수 있으나, 바람직한 일 실시예에서는 상부기판(10)과 하부기판(20)으로 분리형성할 수 있다. In the present invention, a detector body (10, 20) for forming a closed space in which a gas layer (g) for filling an internal gas and converting an X-ray signal into an electric signal is formed, and a plurality of
구체적으로, 본 발명의 엑스레이 검출기는 상부와 하부에 사용되는 기판(10,20)과 상기 상부기판(10)과 하부기판(20)사이에 형성되는 제1전극(30a), 제2 전극(30b), 제3전극(30c)을 포함한다. 아울러 상기 상부기판과 하부기판은 대향되는 구조로 형성함이 바람직하며, 외부의 실링(50)처리 외에도 내부에 대향되는 두 기판을 일정간격으로 이격시킴과 동시에 밀폐공간을 형성하도록 지지부(60)를 형성함이 바람직하다. 상기 지지부는 격벽형상으로 제작될 수 있다. 특히, 상기 지지부(60)를 구성함에 있어 상기 지지부는 격벽형상으로 몰드(Mold)를 이용해 찍어낼 수도 있으며, 나아가 상부기판 또는 하부기판을 직접 포밍(Forming)하여 격벽 일체형으로 형성할 수 있다. 상기 지지부를 형성하는 경우에는, 특히 상기 격벽으로 형성되는 지지부(60)는 가스 충진 공간을 확보하는 동시에 전자가 이웃하는 픽셀에 영향을 주는 크로스 토크 현상을 막는 역할을 한다. 아울러 이러한 지지부는 픽셀의 구분 또는 지지대 역할을 동시에 할 수 있다. 이러한 지지부는 격벽의 형상으로 제작이 가능하며, 다른 실시예로서는 원형, 타원형, 다각형 등의 형상을 구현시킬 수 도 있다. 아울러 지지부를 실리콘 계열의 실재 또는 지르코늄으로 형성시키는 것도 효율을 높일 수 있는 방안이 된다.Specifically, the X-ray detector of the present invention includes a
상기 상부 및 하부기판(10,20)은 기본적으로 금속물질로 형성되는 금속기판이며, 상기 금속물질은 Ni, Ti, Al, Cu 등이 사용될 수 있으며, 특히 바람직하게는 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)가 사용될 수 있다.The upper and
특히 본 발명에 형성되는 다수의 전극은 기본적으로 3개의 전극으로 형성함이 바람직하며, 이는 제1전극 내지 제3전극(30a~30c)로 구성된다.In particular, it is preferable that the plurality of electrodes formed in the present invention are basically formed of three electrodes, which are composed of the first to
상기 제1전극(30a)은 상기 상부기판(10)의 하측에 형성되며, 상기 제1전극의 상부면과 하부면에는 유전체층(40a)을 형성시킴이 바람직하다. 상기 유전체층(40a) 은 금속재질의 상부기판과 전극의 쇼트를 방지하기 위한 역할을 한다.The
아울러 하부기판에는 2개의 제2 전극(30b) 및 제3전극(30c)을 형성할 수 있으며, 이 경우 도시된 것처럼 하부기판의 상부에 2개를 모두 형성시키는 구조로 형성하거나, 하부기판의 상면과 하면에 형성되는 구조로 배치시킬 수 있다. 도시된 것처럼 하부기판의 상부에 2개의 전극을 형성하는 경우에는 각 전극 간에 유전체층(40b,40c)을 형성함과 아울러 상기 하부기판(20)과 인접하는 전극(제3전극)사이에도 유전체층(40d)를 형성함이 바람직하다. 상술한 바와 같이 이러한 유전체층은 기판과 전극 간, 그리고 전극과 전극 간의 쇼트를 방지할 수 있게 해준다. 아울러 유전체층은 쇼트방지의 효율을 위해 그 두께를 1~1000㎛로 형성시킬 수 있으며, 전극의 두께 역시 효율향상을 위해서는 1~1000㎛로 형성시킬 수 있다.In addition, two
상기 제1전극(30a) 및 제2전극(30b)은 패턴화된 전극으로 상기 상부 및 하부기판의 방향에 가로 또는 세로로 각각 형성되되, 각 전극 간에는 교차하는 구조로 형성시킴이 바람직하다. 아울러 상기 제3전극(30c)은 전면적으로 형성되는 전면전극임이 바람직하다. 상기 제1전극(30a), 제3전극(30c)은 두 기판에 각각 배치되어 전계를 인가하며, 상기 제2전극(30b)은 신호를 외부로 전달하기 위한 역할을 한다. 즉 가스가 엑스레이와 부딪쳐 전자를 발생시키면 상기 제2전극(30b)(리드 아웃 전극)에서 정보를 읽어들이게 된다.The
도 4b는 본 발명에 따른 하부전극에 형성되는 제2전극 및 제3전극의 다른 배치를 구현한 것이다. 즉 기본적인 구성은 도 4a와 동일하나, 하부기판(20)의 상부면에 유전체층(40c)으로 이격되는 제2전극(30b)을 형성하고, 상기 하부기판의 하부 면에는 역시 유전체층(40d)으로 이격되는 제3전극(30c)를 형성하게 된다.4B illustrates another arrangement of the second electrode and the third electrode formed on the lower electrode according to the present invention. 4A, a
상술한 금속기판으로 구성되며, 3개의 전극이 유전체층을 통하여 이격되는 본 발명에 따른 구조에서는 종래의 도 3에 도시된 검출기에 비해, 금속재질로 형성되는 상부기판 및 하부기판으로 인해 고압의 가스 충진이 가능하게 되며, 동일한 조건에서 동일한 강도의 엑스레이가 조사되어도, 발생되는 전자의 양이 현저하게 많아져, 검출감도를 크게 향상시키게 된다. 이하의 {표 1}에서는 이러한 본 발명의 금속재질의 엑스레이 투과율의 현저성을 확인할 수 있다.In the structure according to the present invention in which the three electrodes are separated from each other through the dielectric layer, as compared with the conventional detector shown in FIG. 3, due to the upper substrate and the lower substrate formed of a metal material, And even if the same intensity of x-rays is irradiated under the same conditions, the amount of generated electrons is remarkably increased, and the detection sensitivity is greatly improved. In the following {Table 1}, it is confirmed that the X-ray transmittance of the metal material of the present invention is remarkable.
{표 1}{Table 1}
※ X-ray condition : 70kvp, 100mA, 0.032sec / Temperature : 21.5℃ / Humidity : 35%※ X-ray condition: 70kvp, 100mA, 0.032sec / Temperature: 21.5 ℃ / Humidity: 35%
상기 표 1을 참조하면, 기본적으로 검출기의 기판으로 적용하는 본 발명의 바람직한 실시예로서의 구리와 알루미늄의 투과율이 현저하게 높은 것을 확인할 수 있다. 특히 투과율에서 이들 두 금속은 소다 유리기판과 동등한 투과율을 구현할 수 있으며, PD200 유리 기판과 비교해서는 현저하게 높은 투과율을 구현할 수 있다. 본 발명에 따른 금속기판을 이용하여 내부가스가 1 이상인 검출기를 제작하게 되면 감도가 월등히 높은 고효율의 엑스레이 검출기를 제작할 수 있게 되는 것이다. 또한, 수율이 낮고 고가격의 기존의 검출기와 비교할 경우, 상대적으로 저렴하며 제작공정에 있어서 편리하고 간단하며, 고감도의 대면적 디지털 방사선 영상을 구현할 수 있게 된다. 이러한 고감도를 구현할 수 있게 되면, 특히 사용자가 환자에게 낮은 피폭량으로 높은 감도를 구현할 수 있게 되는 것이다.Referring to Table 1, it can be confirmed that the transmittance of copper and aluminum is remarkably high as a preferred embodiment of the present invention, which is basically applied to a substrate of a detector. Especially, in terms of transmittance, these two metals can achieve transmittance equivalent to that of a soda glass substrate and can achieve a significantly higher transmittance than PD200 glass substrates. When a detector having an internal gas of 1 or more is fabricated using the metal substrate according to the present invention, a highly efficient x-ray detector with much higher sensitivity can be manufactured. Also, when compared to conventional detectors with low yield and high price, it is possible to implement a large-area digital radiation image with relatively low cost, convenient and simple in manufacturing process, and high sensitivity. When such a high sensitivity can be realized, the user can implement a high sensitivity with a low dose to the patient.
상술한 도 4b와는 다른 배치구조로는 하부기판의 외부에 제2전극과 제3전극을 모두 생성시키며, 각각의 기판과 전극 간의 사이를 유전체 층으로 이격시키는 구조를 형성하는 것도 가능하다.4B, it is also possible to form a structure in which both the second electrode and the third electrode are formed outside the lower substrate, and a space between the substrate and the electrode is separated to the dielectric layer.
본 발명에 따른 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 구성하는 내부의 밀폐공간은 가스를 충진할 수 있는 구조로 밀폐되며, 내부에는 X선에 감응하여 전자를 방출할 수 있도록 가스(g)가 충진되어 있다. 상기 가스는 상기 가스 충진공간은 X-레이 신호를 전기적인 신호로 변환시키는 역할을 담당하고, 순수한 페닝가스 또는 혼합 페닝가스가 충진되어 밀봉 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 상기 가스층에 충진되는 순수 페닝가스는 Xe, Kr, Ar, Ne, He 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있으며, 혼합 페닝가스는 상기 순수 페닝 가스를 2 이상 혼합한 것을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 Xe+Ne, Kr+Ne, Ar+Ne, Xe+CO2, Kr+CO2, Ar+CO2, Xe+CH4, Kr+CH4, Ar+CH4 중 선택된 어느 하나를 이용할 수 있다. 상기 충진되는 순수 페닝가스 또는 혼합 페닝 가스의 양은 압력을 이용하여 조절할 수 있으며, X-레이 감도를 높이기 위해 가능한 높은 가스 압력을 유지하는 것이 바람직하다. 즉 가스타입의 검출감도를 높이는데에는 가장 중요한 요소가 가스압력이 되는 것이며, 본 발명에서는 이러한 가스 충진압력을 고압으로 할 수 있는 특유의 구조를 제공할 수 있게 되는 것이다.The closed space constituting the detector for detecting an X-ray image according to the present invention is sealed with a structure capable of filling a gas, and a gas (g) is filled therein so as to be able to emit electrons in response to X- have. The gas filling space serves to convert an X-ray signal into an electrical signal, and may be filled with pure penning gas or mixed penning gas to be sealed. More specifically, the pure penning gas to be filled in the gas layer may be selected from Xe, Kr, Ar, Ne, and He. The mixed penning gas may be a mixture of two or more of the pure penning gases, You may use any one selected from Xe + Ne, Kr + Ne, Ar + Ne, Xe + CO 2, Kr + CO 2, Ar + CO 2, Xe + CH 4, Kr + CH 4, Ar + CH 4 . The amount of the pure penning gas or mixed penning gas to be filled can be adjusted by using the pressure, and it is desirable to maintain the gas pressure as high as possible in order to increase the X-ray sensitivity. That is, the most important factor for increasing the detection sensitivity of the gas type is the gas pressure. In the present invention, it is possible to provide a unique structure capable of high-pressure gas filling.
또한, 본 발명에서는 3상 전극을 구비한 엑스레이 검출기의 한 픽셀에 엑스레이를 주사하여 발생한 전자 정보를 읽어 들여 화면에 처리할 수 있으며, 예를 들면 한 픽셀에서 발생한 전자 정보들은 리드아웃 전극(제3전극)을 통하여 회로에 입력되어 픽셀마다 하나의 피크를 형성하게 된다. 이 피크 정보를 연산하여 디스플레이에 처리하면 엑스레이 영상을 획득할 수 있게 되는 것이다. In the present invention, electronic information generated by scanning an x-ray on one pixel of an x-ray detector having a three-phase electrode can be read and processed on a screen. For example, electronic information generated in one pixel is read out Electrode) to form one peak for each pixel. When this peak information is calculated and processed on the display, an x-ray image can be acquired.
이때 본 발명의 지지부인 격벽이 형성되어 있는 경우에는 크로스 토크 현상을 방지함으로 신호의 간섭을 막아 정확한 정보를 읽을 수 있게 한다. 따라서 본 발명은 상기 제1 및 제3전극에 의해 인가되는 전압에 의해 형성된 신호량을 상기 제2전극을 통해 리드아웃하는 회로부를 더 포함하여 이루어짐이 바람직하다. At this time, in the case where the barrier rib, which is the support portion of the present invention, is formed, the crosstalk phenomenon is prevented so that interference of signals can be prevented and accurate information can be read. Therefore, it is preferable that the present invention further comprises a circuit unit for reading out a signal amount formed by the voltages applied by the first and third electrodes through the second electrode.
상기 가스층에서 엑스선과 충돌한 가스에서 가스층을 형성하는 최외각 전자가 이온화하면, 상기 제2전극을 통해 축적된 전자에 의해 형성된 신호량이 회로부에서 읽히게 되어 이미지를 검출하게 되는 것이다.보다 구체적으로, 회로부는 각 픽셀 부분에 축적된 전자 및 정공에 의한 신호량을 순차적으로 읽어 들이는 패시브 매트릭스 형식의 리드아웃 방식으로 영상신호를 읽어내어 영상정보를 구현하게 된다.When the outermost electrons forming the gas layer in the gas impinging on the X-ray in the gas layer are ionized, the amount of signal formed by the electrons accumulated through the second electrode is read by the circuit portion, thereby detecting the image. More specifically, The circuit unit reads the image signal in a read-out manner in a passive matrix type in which the amount of electrons and holes accumulated in each pixel portion are sequentially read, thereby realizing image information.
본 발명은 기본적으로 발명의 과제에서 언급한 것처럼, 금속소재를 이용한 상부 및 하부기판으로 이루어진 가스타입의 검출기를 통하여 고압의 가스주입이 가능하도록 하여 높은 검출효과를 구현할 수 있는 장점이 있음은 상술한 바와 같다. 특히 이와 같은 3상 전극의 구조를 적용한 가스타입의 엑스레이 검출기 구조를 활용하는 것은 아울러, 박막트랜지스터 또는 PDP의 격벽을 제거한 방식의 엑스레이 검출기를 제공하여 제작공정의 편의성과 비용의 절감시킴과 아울러 감도를 혁신적으로 증진시킬 수 있는 장점이 구현되는 것은 물론이다. 이는 X-레이 이미지 검출용 디텍터 및 그 방법은 현재 상용되는 TFT를 이용한 X-레이 이미지 검출용 디텍터와 비교하여 TFT, 포토다이오드, 신틸레이터 및 포토컨덕터를 사용하지 않아 제작 프로세스가 간단하고 대형 평판 제작이 가능한 장점이 구현되는 것이다.The present invention basically has advantages in that a high-pressure gas can be injected through a gas-type detector composed of an upper and a lower substrate using a metal material to realize a high detection effect, Same as. In particular, utilizing the gas-type x-ray detector structure using such a three-phase electrode structure and providing a x-ray detector in which a barrier rib of a thin film transistor or a PDP is removed can reduce the manufacturing process convenience and cost, It is a matter of course that the advantages that can be innovatively promoted are realized. This is because the detector for X-ray image detection and its method does not use a TFT, a photodiode, a scintillator and a photoconductor in comparison with a detector for X-ray image detection using a currently used TFT, A possible advantage is realized.
또한, PDP의 격벽을 제거한 방식의 엑스레이 검출기를 제공하여 제작공정의 편의성과 비용의 절감시킴과 아울러 감도를 혁신적으로 증진시킬 수 있는 엑스레이 디텍터를 제공하는 탁월한 효과가 발생한다. 그리고 다수의 전극라인으로 미세픽셀 제작을 용이하게 하고, 이를 통한 정보검출의 편의성을 획기적으로 단축시켜 대면적 기판에서도 효율적으로 영상정보를 수집할 수 있는 엑스레이 디텍팅을 검출할 수 있게 되는 장점도 아울러 구현하고 있음은 물론이다.Also, there is an excellent effect of providing an X-ray detector capable of reducing the convenience and cost of the manufacturing process as well as innovatively improving the sensitivity by providing an X-ray detector in which a PDP barrier is removed. In addition, it is possible to easily manufacture fine pixels with a plurality of electrode lines, remarkably shorten the convenience of information detection through the electrode lines, and can detect X-ray detection capable of efficiently collecting image information even on a large area substrate Of course.
도 1은 종래의 간접방식으로 구현되는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a detector for detecting an X-ray image, which is implemented by a conventional indirect method.
도 2는 종래의 직접방식으로 구현되는 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도이다. 2 is a cross-sectional view schematically showing a detector for detecting an X-ray image, which is implemented in a conventional direct method.
도 3은 종래의 플라즈마 디스플레이(PDP)를 이용한 X-레이 이미지 검출용 디텍터를 개략적으로 도시한 단면도이다. 3 is a cross-sectional view schematically showing a detector for X-ray image detection using a conventional plasma display (PDP).
도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터의 요부단면도이다.4A and 4B are cross-sectional views of the main part of the X-ray detector according to the present invention.
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KR20050025043A (en) * | 2001-06-14 | 2005-03-11 | 하이페리온 커탤리시스 인터내셔널 인코포레이티드 | Field emission devices using modified carbon nanotubes |
KR100632139B1 (en) * | 2005-06-09 | 2006-10-11 | 남상희 | Digital x-ray and gamma ray image detector |
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