JP2004317300A - Plane radiation detector and its manufacturing method - Google Patents

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JP2004317300A
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radiation
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Inventor
Hiroyuki Aida
Koyo Fukuda
Katsuhisa Honma
Kenichi Ito
Masaaki Tamaya
健一 伊藤
博之 會田
克久 本間
正昭 玉谷
幸洋 福田
Original Assignee
Toshiba Corp
株式会社東芝
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plane radiation detector improved in reliability and resolution characteristics, and also to provide its manufacturing method.
SOLUTION: The radiation detector comprises: a photoelectric converter substrate 11 arranged with a plurality of photoelectric transducers 13 of pixel units; a scintillator layer 39 disposed on the photoelectric converter substrate 11, and generating fluorescence by being excited; and a partition wall part 38 which divides the scintillator layer 39 formed on the photoelectric substrate 11 in the pixel unit. The scintillator layer 39 is characterized in that it is composed of fluorescent particles of ≥75% concentration of ceramic scintillator packed in a unit volume, or at least one single crystal selected from among CaF2 BaF2, CaWO4, Bi4Ge3O12, NaI, CsI, Gd2SiO5, and Lu2SiO5.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
この発明は、放射線平面検出器及びその製造方法に係り、特に、放射線画像を検出する間接方式の放射線平面検出器及びこれを製造するための製造方法に関する。 This invention relates to a radiation plane detector and a manufacturing method thereof, particularly, radiation flat panel detector of the indirect method of detecting a radiation image and to a method for manufacturing the same.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
例えば、新世代のX線診断用検出器としてアクティブマトリックス型のX線平面検出器が大きな注目を集めている。 For example, an active matrix type of X-ray flat panel detector has attracted considerable attention as X-ray diagnostic detector new generation. このX線平面検出器において、照射されたX線を検出することにより、X線撮影像またはリアルタイムのX線画像がデジタル信号として出力される。 In this X-ray flat panel detector, by detecting the X-rays emitted, the X-ray imaging image or real-time X-ray image is output as a digital signal. X線平面検出器は固体検出器であることから、画質性能や安定性の面でも極めて期待が大きい。 X-ray flat panel detector since it is a solid detector, a large very expected in terms of picture quality performance and stability. このため、多くの大学やメーカが研究開発に取り組んでいる。 For this reason, a number of universities and manufacturers are working on research and development.
【0003】 [0003]
実用化の最初の用途として、比較的大きなX線量で、静止画像を収集する人体の胸部・一般撮影用に開発され、近年商品化されている。 As a first application of the practical application, a relatively large amount of X-rays, developed for human chest, general imaging to collect still images, it has recently been commercialized. より高い技術的なハードルをクリアして、透視線量下で毎秒30コマ以上のリアルタイム動画を実現させる必要のある循環器、消化器分野への応用に対しても近い将来に商品化が予想される。 Clear the higher technical hurdles, commercialization is expected in the near future even for the fluoroscopic flux under circulatory that need to implement the 30 frames per second or more real-time video, application to gastrointestinal Field . この動画用途に対しては、ノイズ(S/N:シグナル/ノイズ比)の改善や微小信号のリアルタイム処理技術等が重要な開発項目となっている。 This For video applications, the noise: real-time processing techniques such improvements and small signal (S / N signal / noise ratio) is an important development items.
【0004】 [0004]
X線平面検出器には、大きく分けて直接方式と間接方式との2通りがある。 The X-ray flat panel detector, there are two and roughly direct method and indirect method.
直接方式は、X線をa−Seなどの光導電膜を用いて直接信号電荷に変換し、変換した信号電荷を電荷蓄積用キャパシタに蓄積する方式である。 Direct method converts the X-rays directly into a signal charge by using a photoconductive film such as a-Se, a method to accumulate in the charge storage capacitor the converted signal charges. この直接方式は、X線により発生した光導電電荷を高電界により直接に電荷蓄積用キャパシタに導くため、ほぼアクティブマトリックスの画素ピッチで規定される解像度特性が得られる。 The direct method is to guide the photoconductive charges generated by X-rays directly into the charge storage capacitor due to the high electric field, the resolution characteristic is obtained which is defined by the pixel pitch of approximately active matrix.
【0005】 [0005]
直接方式のX線平面検出器は、X線の吸収率を上げて信号強度を確保するために、例えばa−Seの光導電膜を1mm程度の厚膜で形成している。 X-ray flat panel detector of the direct method, in order to secure the signal intensity by increasing the absorption of X-rays, are formed by a thick film of about 1mm photoconductive film such a-Se. また、X線フォトン1個当りの光導電電荷生成率を上げるためと、生成した光導電電荷が膜中の欠陥準位にトラップされることなく収電電極に到達させるため、かつ、バイアス電界と直角方向への電荷の拡散を極力抑えるために、例えば10V/μmの強バイアス電界を印加して用いる。 Also, since to reach the current collecting electrodes without a for increasing the photoconductivity charge generation rate per X-ray photons, resulting photoconductive charge is trapped in the defect level in the film, and a bias electric field to minimize the diffusion of charges to perpendicular, used by applying a strong bias field of eg 10V / [mu] m.
【0006】 [0006]
すなわち、この例では、光導電膜のa−Seに対し、10kVの高電圧を印加することになる。 That is, in this example, with respect to a-Se of the photoconductive film, thereby applying a high voltage of 10 kV. このため、直接方式は、解像度特性面からは間接方式に比較して有利であるが、動作電圧の低い薄膜トランジスタすなわちTFTを高電圧から保護する信頼性の確保や、暗電流と感度特性、熱的安定性などを兼ね備えた好適な光導電材料が見つからないなどの問題が生じている。 Therefore, the direct method, although the resolution characteristic surface is advantageous as compared to the indirect method, the lower thin film transistor ie TFT operating voltage reliable and secure protection against high voltage, the dark current and sensitivity characteristics, thermal problems such as missing a suitable photoconductive material performing such stability has occurred.
【0007】 [0007]
一方の間接方式は、シンチレータ層によりX線を受けて一旦蛍光に変換し、蛍光をa−SiフォトダイオードやCCDにより信号電荷に変換して、電荷蓄積用キャパシタに導く方式であるため、直接方式で生じる耐高電圧の問題は生じない。 One indirect method, since receiving the X-ray is converted once into fluorescence by a scintillator layer, the fluorescence is converted into a signal charge by a-Si photodiode or CCD, is a method that leads to the charge storage capacitor, the direct method problem of anti-high-voltage generated by does not occur. また、シンチレータ材料や、フォトダイオードについても基本的な技術は確立している点で有利である。 Moreover, and scintillator material, basic technology for the photodiode is advantageous in that it establishes.
【0008】 [0008]
しかしながら、この間接方式は、シンチレータ層からの蛍光がフォトダイオードに到達するまでの光学的な拡散及び散乱により、その分の解像度劣化を生じる。 However, the indirect method is by optical diffusion and scattering to the fluorescence from the scintillator layer reaches the photodiode, resulting in correspondingly resolution degradation. 特に、感度特性を確保するために、シンチレータ層を厚膜にするほど、フォトダイオード等の光電変換素子に到達するまでの蛍光の広がりが大きく、解像度劣化が顕著となる。 In particular, in order to secure the sensitivity characteristic, the more the scintillator layer in a thick film, greater fluorescence spread to reach the photoelectric conversion element such as a photodiode, the resolution degradation is conspicuous.
【0009】 [0009]
このような蛍光の広がりを抑えて解像度を確保する方法として、間接方式において、例えば、Gd Sなどの蛍光体粒子をバインダ樹脂で結着させて形成したシンチレータ層をフォトダイオードとTFTのマトリックスに合わせて画素単位に設け、画素間を光学的に分離する隔壁部を設けたX線検出器が提案されている。 As a method of ensuring the resolution while suppressing the spread of such a fluorescent, in an indirect method, for example, a scintillator layer formed by the phosphor particles, such as Gd 2 O 2 S were sintered wearing the binder resin of the photodiode and the TFT provided for each pixel in accordance with the matrix, X-rays detector is proposed in which a partition wall which isolates pixels optically. これにより、シンチレータ層内で発光した蛍光は、隔壁部により横方向への散乱や拡散を抑制される。 Thereby, fluorescence emitted by the scintillator layer is suppressed scattering and diffusion in the lateral direction by the partition wall. したがって、光学的なガイド効果により、蛍光をフォトダイオード等の光電変換素子に効率良く到達させることができ、解像度特性が改善される(例えば、特許文献1参照。)。 Accordingly, the optical guiding effect, fluorescence can be efficiently reach the photoelectric conversion element such as a photodiode, the resolution characteristics are improved (e.g., see Patent Document 1.).
【0010】 [0010]
【特許文献1】 [Patent Document 1]
特開平11−166976号公報【0011】 Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-166976 [0011]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
このようなX線平面検出器の画像においては、偶発的な輝点がしばしば発生する。 In the image of such an X-ray flat panel detector, accidental bright spots often occurs. これは、シンチレータ層を透過する透過X線によるX線量子ノイズに起因しており、特に蛍光体粒子を含むシンチレータ層を備えたX線平面検出器で頻繁に発生する。 This is due to the X-ray quantum noise by transmission X-ray transmitted through the scintillator layer, frequently it occurs in particular X-ray flat panel detector with a scintillator layer comprising phosphor particles.
【0012】 [0012]
すなわち、シンチレータ層に蛍光体粒子が含まれる場合、透過X線量を減少させるためには、蛍光体粒子の充填密度(すなわち単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度)を上げることが要求される。 That is, if it contains the phosphor particles in the scintillator layer, in order to reduce the transmission X-ray dose, it is required to increase the packing density of the phosphor particles (i.e. density of the filled phosphor particles per unit volume) that. しかしながら、蛍光体粒子をバインダ樹脂で結合してシンチレータ層を形成した場合、球状の蛍光体粒子を仮定すると、蛍光体粒子を最密充填した場合でもその充填密度は最大で74%が限界となる。 However, when the phosphor particles are bound with a binder resin to form a scintillator layer, assuming phosphor particles spherical, the filling density even when close-packed phosphor particles 74% at most the limit .
【0013】 [0013]
また、透過X線量を減少させるためには、シンチレータ層の膜厚を厚くすることが要求される。 Further, in order to reduce the transmission X-ray dose is required to increase the thickness of the scintillator layer. しかしながら、膜厚を厚くすることによって透過X線量を減少させられるが、膜厚が厚くなるに伴って蛍光の光学的な拡散や散乱の発生確率が高くなり、解像度劣化が顕著となる。 However, although is reduced the transmission X-ray dose by increasing the film thickness, the probability of occurrence of optical diffusion and scattering of the fluorescence increases with the film thickness increases, the resolution degradation is conspicuous.
【0014】 [0014]
このように、蛍光体粒子をバインダ樹脂で結合してシンチレータ層は、X線の利用効率が低い。 Thus, the scintillator layer phosphor particles bound with a binder resin, a low utilization efficiency of X-ray. このため、X線平面検出器での透過X線量が高くなってしまい、輝点の発生といった信頼性に関わる課題を有している。 Therefore, transmission X-ray dose in the X-ray flat panel detector becomes higher, there is a problem concerning the reliability such as occurrence of bright spot. また、透過X線量を低減するために、シンチレータ層の膜厚を厚くした場合には、解像度の劣化といった課題を生ずる。 Further, in order to reduce the transmission X-ray dose, when increasing the thickness of the scintillator layer, causing problems such degradation in resolution.
【0015】 [0015]
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、検出器としての信頼性及び解像度特性を向上することが可能な放射線平面検出器及びその製造方法を提供することにある。 The present invention was made in view of the above problems, and its object is to provide a reliable and radiation flat panel detector and a manufacturing method thereof capable of improving the resolution characteristics of the detector is there.
【0016】 [0016]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
この発明の第1の様態による放射線平面検出器は、 Radiation flat detector according to a first aspect of the invention,
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、 A photoelectric conversion substrate in which the photoelectric conversion element is formed by arranging pixel units,
前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生するシンチレータ層と、を備え、 Disposed on the photoelectric conversion substrate, and a scintillator layer that generates fluorescence is excited by radiation,
前記シンチレータ層は、単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度が75%以上のセラミックシンチレータによって形成されたことを特徴とする。 The scintillator layer, the density of the filled phosphor particles per unit volume is characterized by being formed by more than 75% of the ceramic scintillator.
【0017】 [0017]
この発明の第2の様態による放射線平面検出器は、 Radiation flat panel detector according to the second aspect of the invention,
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、 A photoelectric conversion substrate in which the photoelectric conversion element is formed by arranging pixel units,
前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生するシンチレータ層と、を備え、 Disposed on the photoelectric conversion substrate, and a scintillator layer that generates fluorescence is excited by radiation,
前記シンチレータ層は、CaF 、BaF 、CaWO 、Bi4Ge 12 、NaI、CsI、Gd SiO 、Lu SiO の少なくとも1種の単結晶で形成されたことを特徴とする。 The scintillator layer, CaF 2, BaF 2, CaWO 4, Bi4Ge 3 O 12, NaI, CsI, and characterized in that it is formed with at least one single crystal of Gd 2 SiO 5, Lu 2 SiO 5.
【0018】 [0018]
この発明の第3の様態による放射線平面検出器の製造方法は、 Method for producing a radiation plane detector according to a third aspect of the invention,
放射線により励起されて蛍光を発生する、単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度が75%以上のセラミックシンチレータ体を用意し、 Is excited by radiation generates fluorescence, density of the filled phosphor particles per unit volume was prepared 75% or more of the ceramic scintillator body,
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、前記セラミックシンチレータ体を設けてシンチレータ層を形成することを特徴とする。 A photoelectric conversion substrate in which the photoelectric conversion element of the pixel units formed by arranging, and forming a scintillator layer provided with the ceramic scintillator body.
【0019】 [0019]
この発明の第4の様態による放射線平面検出器の製造方法は、 Method for producing a radiation flat panel detector according to a fourth aspect of the invention,
放射線により励起されて蛍光を発生する、CaF 、BaF 、CaWO 、Bi4Ge 12 、NaI、CsI、Gd SiO 、Lu SiO の少なくとも1種の単結晶で形成されたセラミックシンチレータ体を用意し、 Are excited to generate fluorescence by radiation, CaF 2, BaF 2, CaWO 4, Bi4Ge 3 O 12, NaI, CsI, Gd 2 SiO 5, ceramic scintillator formed of at least one single crystal of Lu 2 SiO 5 prepare the body,
画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、前記セラミックシンチレータ体を設けてシンチレータ層を形成することを特徴とする。 A photoelectric conversion substrate in which the photoelectric conversion element of the pixel units formed by arranging, and forming a scintillator layer provided with the ceramic scintillator body.
【0020】 [0020]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、この発明の一実施の形態に係る放射線平面検出器及びその製造方法について図面を参照して説明する。 Hereinafter, the radiation flat panel detector and a manufacturing method thereof according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. なお、この発明においては、X線、γ線、その他の各種放射線の場合に適用可能であるが、以下の一実施の形態においては、放射線の中の代表的なX線の場合を例にとり説明する。 In the present invention, X-rays, gamma rays, can be applied in the case of various other radiation, in the form of the following exemplary, taking the case of a typical X-ray in the radiation Examples Description to. したがって、実施の形態の「X線」を「放射線」に置き換えることにより、この発明が対象とする他の放射線にも適用可能である。 Therefore, by replacing the "X-ray" in the embodiment in "radiation", the invention is also applicable to other radiation of interest.
【0021】 [0021]
図1に示すように、X線を検出してX線の強度分布に対応する電気信号を出力するX線検出器1は、複数の画素を有するアクティブマトリクス型の光電変換基板11を有している。 As shown in FIG. 1, the X-ray detector 1 outputs an electric signal corresponding to the intensity distribution of the X-ray by detecting the X-rays, it has a photoelectric conversion substrate 11 of the active matrix type having a plurality of pixels there. この光電変換基板11は、ガラスなどの絶縁基板上に、行方向(例えば図中の横方向)及び列方向(例えば図中の縦方向)に所定のピッチLで2次元的にマトリクス状に配列された同じ構造の複数の画素12を有している。 The photoelectric conversion substrate 11, on an insulating substrate such as glass, a row direction (e.g. horizontal direction in the drawing) and column two-dimensional matrix in a sequence at a predetermined pitch L (e.g. vertical direction in the drawing) and a plurality of pixels 12 of the same structure that is. 図1に示した例では、9個の画素(12a〜12i)が図示されている。 In the example shown in FIG. 1, nine pixels (12a-12i) is illustrated.
【0022】 [0022]
各画素12(a〜i)は、入射した光強度に対応して信号電荷に変換する光電変換素子として機能するフォトダイオード13、スイッチング素子として機能する薄膜トランジスタ(以下TFTと称する)14、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部として機能する蓄積キャパシタ15などによって構成されている。 Each pixel 12 (a to i) includes a photodiode 13 functioning as a photoelectric conversion element for converting into a corresponding signal charge to the light intensity incident, (hereinafter referred to as TFT) thin film transistor functions as a switching element 14, the signal charges It is constituted by such a storage capacitor 15 that serves as a charge storage unit accumulating.
【0023】 [0023]
各TFT14は、ゲート電極G、ソース電極S、及び、ドレイン電極Dを有している。 Each TFT14 includes a gate electrode G, and has a source electrode S, and a drain electrode D. ドレイン電極Dは、例えばフォトダイオード13及び蓄積キャパシタ15と電気的に接続されている。 The drain electrode D is for example connected photodiodes 13 and storage capacitor 15 electrically.
【0024】 [0024]
光電変換基板11の外部には、制御回路16が設けられている。 Outside of the photoelectric conversion substrate 11, the control circuit 16 is provided. この制御回路16は、TFT14の動作状態、例えばオン/オフを制御する。 The control circuit 16 controls the operating state of the TFT 14, for example, on / off. すなわち、この制御回路16には、光電変換基板11上において、行方向に延びる複数の制御ライン17が接続されている。 That is, the control circuit 16, the photoelectric conversion substrate 11, a plurality of control lines 17 extending in the row direction are connected. それぞれの制御ライン17は、同じ行の画素12を構成する各TFT14のゲート電極Gに接続されている。 Each control line 17 is connected to the gate electrode G of each TFT14 constituting the pixels 12 in the same row. 図1に示した例では、第1乃至第4の4個の制御ライン171乃至174が設けられている。 In the example shown in FIG. 1, the first to fourth four control lines 171 to 174 are provided. 例えば、第1の制御ライン171は、画素12a乃至12cを構成する各TFT14のゲート電極Gに接続されている。 For example, the first control line 171 is connected to the gate electrode G of each TFT14 constituting the pixel 12a to 12c.
【0025】 [0025]
光電変換基板11上において、列方向には、複数のデータライン18が設けられている。 In the photoelectric conversion substrate 11, the column direction, a plurality of data lines 18 are provided. それぞれのデータライン18は、同じ列の画素12を構成する各TFT14のソース電極Sに接続されている。 Each data line 18 is connected to the source electrode S of each TFT14 constituting the pixel 12 of the same column. 図1に示した例では、第1乃至第4の4個のデータライン181乃至184が設けられている。 In the example shown in FIG. 1, four data lines 181 to 184 of the first to fourth is provided. 例えば、第1のデータライン181は、画素12a、12d、12gを構成する各TFT14のソース電極Sに接続されている。 For example, the first data line 181 is connected to the source electrode S of each TFT14 constituting pixels 12a, 12d, and 12g.
【0026】 [0026]
それぞれのデータライン17は、対応する電荷増幅器19に接続されている。 Each data line 17 is connected to a corresponding charge amplifier 19. 各電荷増幅器19は、例えば演算増幅器で構成され、その一方の入力端子a1にデータライン18が接続され、他方の入力端子a2は接地されている。 Each charge amplifier 19 is configured, for example, an operational amplifier, its is one connected to a data line 18 to the input terminal a1, the other input terminal a2 is grounded. 一方の入力端子a1と出力端子bとの間にコンデンサCが接続され、積分機能を有する。 Capacitor C between the one input terminal a1 and the output terminal b is connected with an integrating function. また、コンデンサCに並列にスイッチSWが接続され、例えばスイッチSWを閉じてコンデンサCに残った電荷を放電する構成になっている。 Also, it has a configuration that is connected the switch SW is in parallel with the capacitor C, to discharge the charges remaining in the capacitor C, for example, closing the switch SW.
【0027】 [0027]
それぞれの電荷増幅器19は、並列に入力する複数の電気信号を直列信号に変換する並列/直列変換器またはマルチプレクサ20に接続されている。 Each charge amplifier 19 is connected to the parallel / serial converter or multiplexer 20 converts the plurality of electrical signals to be input in parallel to a serial signal. 並列/直列変換器20は、アナログ信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器またはデジタイザ21に接続されている。 Parallel / serial converter 20, analog-converts the analog signal into a digital signal - is connected to the digital converter or digitizer 21.
【0028】 [0028]
このような構成により、制御回路16は、同一の制御ライン17に接続された同じ行の複数のTFT14を同時にオン/オフ制御するための制御信号を出力する。 With such a configuration, the control circuit 16 outputs a control signal for simultaneously turning on / off control a plurality of the TFT14 the same row connected to the same control line 17. 制御回路16による制御に基づいてオン状態のTFT14は、画像電荷を画素12からデータライン18に転送する。 TFT14 ON state under the control of the control circuit 16 transfers the image charge from the pixels 12 to the data line 18. これにより、画素12の電位がリセットされる。 Thus, the potential of the pixel 12 is reset. データライン18に転送された画像電荷は、電荷増幅器19にて増幅され、並列/直列変換器またはマルチプレクサ20にて複合化された後、アナログ−デジタル変換器またはデジタイザ21に送られる。 Image charges are transferred to the data line 18 is amplified by the charge amplifier 19, after being conjugated in a parallel / serial converter or multiplexer 20, analog - sent to digital converter or digitizer 21.
【0029】 [0029]
次に、この実施の形態に係るX線検出器の画素の構造について図2を参照して説明する。 Next, the structure of the pixels of the X-ray detector according to this embodiment will be described with reference to FIG. なお、図2では、1つの画素部分12を抜き出して図示しており、図1に対応する部分には同じ参照符号を付して重複する説明は一部省略する。 In FIG. 2, it is shown by extracting one pixel portion 12, the portions corresponding to FIG. 1 overlaps with the same reference numerals description thereof will be omitted partially.
【0030】 [0030]
光電変換基板11は、ガラスなどの絶縁基板31上に形成されたフォトダイオード13、TFT14、及び蓄積キャパシタ15を備えている。 The photoelectric conversion substrate 11 includes a photodiode 13, TFT 14, and storage capacitor 15 formed on an insulating substrate 31 such as glass.
【0031】 [0031]
TFT14は、3つの電気的接続、すなわちゲート電極G、ソース電極S、及び、ドレイン電極Dを備えている。 TFT14 comprises three electrical connections, that is, the gate electrode G, a source electrode S, and a drain electrode D. ゲート電極Gは、絶縁基板31上に形成されている。 The gate electrode G is formed on the insulating substrate 31. このゲート電極Gは、絶縁膜32によって覆われている。 The gate electrode G is covered with the insulating film 32. また、このゲート電極Gは、同じ行に位置する他のTFT14のゲート電極Gとともに共通の制御ライン17に接続されている。 Further, the gate electrode G is connected to a common control line 17 with the gate electrode G of the other TFT14 located in the same row. 例えば、TFT14をオン/オフする制御するためには、+10V及び−5Vが用いられる。 For example, in order to control turning on / off the TFT14 it is, + 10V and -5V is used.
【0032】 [0032]
ソース電極Sは、絶縁膜32上に形成された半絶縁膜33にコンタクトしている。 The source electrode S is in contact with the semi-insulating film 33 formed on the insulating film 32. このソース電極Sは、同じ列に位置する他のTFT14のソース電極Sとともに共通のデータライン18に接続されている。 The source electrode S is connected to the common data line 18 with the source electrode S of the other TFT14 located in the same column. ドレイン電極Dは、半絶縁膜33にコンタクトしている。 The drain electrode D is in contact with the semi-insulating film 33. このドレイン電極Dは、フォトダイオード13及び蓄積キャパシタ15に接続されている。 The drain electrode D is connected to the photodiode 13 and the storage capacitor 15.
【0033】 [0033]
蓄積キャパシタ15は、絶縁基板31上に形成された下部電極34、絶縁膜32を介して下部電極34に対向して設けられた上部電極35などによって構成されている。 Storage capacitor 15 includes a lower electrode 34 formed on the insulating substrate 31 is constituted by including an upper electrode 35 disposed opposite to the lower electrode 34 through the insulating film 32. 上部電極35は、TFT14のドレイン電極Dと電気的に接続されている。 The upper electrode 35 is electrically connected to the drain electrode D of the TFT 14.
【0034】 [0034]
TFT14及び蓄積キャパシタ15は、第1絶縁層361によって覆われている。 TFT14 and the storage capacitor 15 is covered by a first insulating layer 361. この第1絶縁層361上には、フォトダイオード13が形成されている。 On this first insulating layer 361, a photodiode 13 is formed. フォトダイオード13の周囲の第1絶縁層361上には、第2絶縁層362が設けられている。 On the first insulating layer 361 around the photodiode 13, the second insulating layer 362 is provided. この第2絶縁層362は、ほぼ矩形状のフォトダイオード13を囲むように枠状に形成されている。 The second insulating layer 362 is formed in a frame shape so as substantially to surround the rectangular photodiode 13.
【0035】 [0035]
フォトダイオード13は、a−Siのpnダイオード構造、もしくはpinダイオード構造などで画素毎に形成される。 Photodiode 13 is formed in each pixel in such pn diode structure or pin diode structure, the a-Si. このフォトダイオード13は、第1絶縁層361上に形成された第1電極131、第1電極131に対向して配置された第2電極132などによって構成されている。 The photodiode 13, first electrode 131 is formed on the first insulating layer 361 is constituted by including a second electrode 132 disposed to face the first electrode 131.
【0036】 [0036]
第1電極131は、第1絶縁層361に形成されたスルーホール37を介してTFT14のドレイン電極D及び蓄積キャパシタ15の上部電極35に電気的に接続されている。 The first electrode 131 is electrically connected to the upper electrode 35 of the drain electrode D and the storage capacitor 15 of the TFT14 via a through hole 37 formed in the first insulating layer 361. 第2電極132は、例えばスパッタリング法によってITOなどの透明導電膜を成膜することによって形成される。 The second electrode 132 is formed by depositing a transparent conductive film such as ITO for example by sputtering. これら第1電極131と第2電極132との間には、バイアス電圧が印加される。 These first electrode 131 is formed between the second electrode 132, a bias voltage is applied.
【0037】 [0037]
なお、この実施の形態では、フォトダイオード13は、図2に示すように、蓄積キャパシタ15及びTFT14に重ならないエリアに形成されているが、受光面積を確保するために、TFT14及び蓄積キャパシタ15上に絶縁層を配して、これらを含む画素全域に収電電極を形成して、更にその上部にほぼ各画素の全面対応するフォトダイオードを形成するなどの構造も可能である。 In this embodiment, photodiode 13, as shown in FIG. 2, are formed in an area not overlapping the storage capacitor 15 and TFT 14, in order to ensure the light receiving area, TFT 14 and the storage capacitor 15 on the by arranging an insulating layer, to form a current collecting electrode to the pixel throughout including these, it is further possible structure, such as a photo-diode which substantially corresponds entirely of pixels thereon.
【0038】 [0038]
上述したような構造の光電変換基板11の上には、外部から入射したX線を可視光に変換する(すなわちX線により励起されて蛍光を発生する)シンチレータ層39が配置されている。 On the photoelectric conversion substrate 11 having the structure as described above, (is excited to generate fluorescence by i.e. X-ray) to be converted to visible light incident X-rays from outside the scintillator layer 39 is disposed. すなわち、図2に示すように、シンチレータ層39は、光電変換基板11におけるフォトダイオード13上及び第2絶縁層362上に配置されている。 That is, as shown in FIG. 2, the scintillator layer 39 is disposed on the photodiode 13 and on the second insulating layer 362 in the photoelectric conversion substrate 11.
【0039】 [0039]
また、この光電変換基板11上には、シンチレータ層39を画素単位に区画する溝部または隔壁部38が形成されている。 Further, on the photoelectric conversion substrate 11, a groove portion or the partition wall 38 for partitioning the scintillator layer 39 in the pixel units are formed. この溝部または隔壁部38は、上方よりシンチレータ層39に入射したX線40によってシンチレータ層39内で変換された蛍光41が隣接する画素12のフォトダイオード13のエリアに極力干渉しないように、画素12を分離する境界に沿って形成される。 The groove or the partition wall 38, as fluorescence 41 that has been converted in the scintillator layer 39 by X-ray 40 incident on the scintillator layer 39 from above is as little as possible interfere with the area of ​​the photodiode 13 of the pixel 12 adjacent the pixel 12 It is formed along the boundary that separates the. これにより、シンチレータ層39は、主にフォトダイオード13に重なるエリアが残り、画素分離される。 Thus, the scintillator layer 39 is mainly rest area overlapping the photodiode 13, is the pixel separation.
【0040】 [0040]
隔壁部38は、シンチレータ層39内で発生した蛍光41のうち、隣接する画素12に向かって外方に散乱された蛍光411をシンチレータ層39の内部に向けて反射する光反射性を有する反射材料によって形成されても良い。 Partition wall 38, of the fluorescence 41 generated in the scintillator layer 39, a reflective material having light reflectivity which reflects fluorescence 411 scattered outwardly toward the pixel 12 adjacent towards the inside of the scintillator layer 39 it may be formed by. また、隔壁部38は、画素12に入射したX線のうち、隣接する画素12に向かって外方に散乱された散乱X線を吸収するX線吸収体によって形成されても良い。 Further, the partition wall portion 38, among the X-rays incident on the pixel 12, may be formed by the X-ray absorber to absorb scattered X-rays scattered outwardly toward the pixel 12 adjacent.
【0041】 [0041]
(第1実施形態) (First Embodiment)
第1実施形態に係るX線検出器では、X線などの放射線によって励起されて蛍光を発生するシンチレータ層39は、セラミックシンチレータによって形成されている。 The X-ray detector according to the first embodiment, the scintillator layer 39 is excited by radiation such as X-rays to generate fluorescence is formed by a ceramic scintillator.
【0042】 [0042]
すなわち、シンチレータ層が平均粒径6〜10μmの蛍光体粒子をバインダ樹脂で結着した膜によって構成した場合、内部で発生した蛍光と蛍光体粒子との衝突回数が増加することにより、蛍光の隣接するフォトダイオードへの入射を抑制することで解像度を向上することができるが、蛍光が減衰し、輝度の劣化を生じる。 That is, when the scintillator layer has phosphor particles having an average particle size of 6~10μm constituted by film formation wear the binder resin, by the number of collisions between fluorescence and phosphor particles generated inside increases, adjacent fluorescent to can be improved resolution by suppressing incident to the photodiode, fluorescence is attenuated, resulting in deterioration of luminance. したがって、高解像度を維持しつつ輝度を向上するためには、蛍光に対する透過率が高い材料であるセラミックシンチレータによってシンチレータ層を構成することが望ましい。 Therefore, in order to improve the brightness while maintaining high resolution, it is desirable to configure the scintillator layer by a ceramic scintillator transmittance of the fluorescence is high material.
【0043】 [0043]
このセラミックシンチレータとしては、例えばGd Sセラミックシンチレータや、Lu Sセラミックシンチレータなどを使用することが好ましい。 As the ceramic scintillator, for example, Gd 2 O 2 S ceramic scintillator, it is preferred to use like Lu 2 O 2 S ceramic scintillator. また、セラミックシンチレータは、Gd S:Tb,PR +3 ,CE +3 ,Fなどで構成されてもよいし、Gd S:Tbを母材とする他のX線用蛍光体、Re S:Tb,Pr +3 ,Ce +3 ,Eu(Reは希土類元素)、CsI:Tl、CsI:Na、CaWO 、LaOBr:Tm等のX線用蛍光体などでも構わない。 Also, the ceramic scintillator, Gd 2 O 2 S: Tb , PR +3, CE +3, may be configured by a F, Gd 2 O 2 S: other X-ray phosphor which a base material of Tb, Re 2 O 2 S: Tb, Pr +3, Ce +3, Eu (Re is a rare earth element), CsI: Tl, CsI: Na, CaWO 4, LaOBr: may be a X-ray phosphor, such as Tm.
【0044】 [0044]
このような高透明度のセラミックシンチレータを用いることにより、シンチレータ層の内部で発生した蛍光がフォトダイオードに到達するまでの減衰を緩和し、輝度を向上することができる。 By using the ceramic scintillator of such high clarity, fluorescence generated inside the scintillator layer relaxes the decay before reaching the photodiode, it is possible to improve the brightness.
【0045】 [0045]
また、セラミックシンチレータを使用した場合、シンチレータ層の内部で放射状に発生した蛍光が隣接するフォトダイオードに到達して解像度の低下が起こり得るが、シンチレータ層にフォトダイオードのエリアに干渉しないように溝部を形成することによって画素分離され、蛍光が隣接するフォトダイオードへの入射を抑制することができるため、解像度の劣化を防止することができる。 Further, when using ceramic scintillator, but decrease in resolution fluorescence generated radially inside of the scintillator layer has reached the adjacent photodiodes can occur, the groove so as not to interfere with the photodiode area scintillator layer is pixel separation by forming, because fluorescence can be prevented from entering into the adjacent photodiodes, it is possible to prevent the deterioration of resolution.
【0046】 [0046]
さらに、溝部に隔壁部を形成することにより、蛍光は光ガイド効果により隣接するフォトダイオードに入射することなく各画素のフォトダイオードに到達するため、高解像度を維持することができる。 Further, by forming a partition wall in the groove, fluorescence to reach the photodiode of each pixel without entering the adjacent photodiodes by the light guiding effect, it is possible to maintain a high resolution. したがって、高輝度かつ高解像度のシンチレータを得られることができる。 Therefore, it is possible to obtain a high luminance and high resolution scintillator.
【0047】 [0047]
次に、この第1実施形態に係るX線検出器の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the X-ray detector according to the first embodiment.
まず、図3の(a)に示すように、セラミックシンチレータ体50を用意する。 First, as shown in FIG. 3 (a) providing a ceramic scintillator body 50. セラミックシンチレータ体50は、薄い板状に形成されており、例えば、蛍光体粒子の粉末を所定容器に入れ、所定圧力に加圧しつつ所定温度に加熱することによって製造される。 Ceramic scintillator body 50 is formed in a thin plate shape, for example, put the powder of the phosphor particles in a predetermined container, is prepared by heating to a predetermined temperature while pressing the predetermined pressure.
【0048】 [0048]
続いて、図3の(b)に示すように、画素単位のフォトダイオード13などが配列してなる光電変換基板11上に、セラミックシンチレータ体50を設けてシンチレータ層39を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 3 (b), on the photoelectric conversion substrate 11 such as a photodiode 13 of the pixel units formed by arranging, forming the scintillator layer 39 is provided a ceramic scintillator body 50. セラミックシンチレータ体50は、例えば樹脂などの接着剤によって光電変換基板11上に貼り合わせられる。 Ceramic scintillator body 50 is laminated on the photoelectric conversion substrate 11 by an adhesive such as a resin, for example. ここで用いる接着剤は、セラミックシンチレータ体50と光電変換基板11上のフォトダイオード13との間に介在されることから、これらセラミックシンチレータ体50及びフォトダイオード13と同様に蛍光に対する屈折率が高い材料であることが望ましい。 Adhesive used here, since it is interposed between the photodiode 13 on the ceramic scintillator body 50 and the photoelectric conversion substrate 11, a high refractive index on the fluorescence in the same manner as these ceramic scintillator body 50 and a photodiode 13 material it is desirable that.
【0049】 [0049]
続いて、シンチレータ層39を画素分離する。 Subsequently, pixel separation scintillator layer 39. すなわち、図3の(c)に示すように、シンチレータ層39を画素単位に区画する溝部60を形成する。 That is, as shown in FIG. 3 (c), a groove portion 60 for partitioning the scintillator layer 39 for each pixel. この溝部60は、フォトダイオード13の周縁に沿って形成される。 The groove 60 is formed along the periphery of the photodiode 13. この実施の形態では、溝部60は、下地のフォトダイオード13及びTFT14に合わせて150μmのピッチで、約25μmの溝幅で形成し、シンチレータ層39を画素分離している。 In this embodiment, the groove 60 is, at a pitch of 150μm in accordance with the photodiode 13 and TFT14 underlying, formed with a groove width of about 25 [mu] m, the scintillator layer 39 has pixel isolation.
【0050】 [0050]
溝部60は、50μm以下の幅を有する溝または50μm以下の直径を有する穴の機械的な微細加工が可能な精密加工装置を用いて形成される。 Groove 60 is formed using a precision machining apparatus capable mechanical microfabrication of holes having a diameter of the groove or 50 [mu] m has a width less than or equal to 50 [mu] m. 精密加工装置としては、ダイサーや微細ドリルなどが挙げられる。 The precision machining apparatus, such as a dicer or fine drilling and the like. ダイサーなど精密加工装置は、位置合わせ技術が確立しており、数μmのオーダの位置合わせが可能であるため、画素12間をフォトダイオード13のエリアに干渉しないように溝部60を形成することが可能である。 Dicer and precision machining apparatus has established alignment techniques, since it is possible to align several μm in order, to form a groove portion 60 so as not to interfere between pixels 12 in the area of ​​the photodiode 13 possible it is.
【0051】 [0051]
なお、この溝部60は、光電変換基板11の第2絶縁層362まで到達する深さに形成しても良いし、溝部60と光電変換基板11との間にシンチレータ層39が残るような深さに形成しても良い。 Incidentally, the groove portion 60, the second may be formed to a depth reaching the insulating layer 362, the groove 60 and the depth as the scintillator layer 39 remains between the photoelectric conversion substrate 11 of the photoelectric conversion substrate 11 it may be formed on.
【0052】 [0052]
続いて、図3の(d)に示すように、シンチレータ層39を画素単位に区画する隔壁部38を形成する。 Subsequently, as shown in FIG. 3 (d), to form a partition wall 38 for partitioning the scintillator layer 39 for each pixel. すなわち、隔壁部38は、先に形成した溝部60に形成される。 That is, the partition wall 38 is formed in the groove 60 previously formed. この隔壁部38は、溝部60の内部に、光反射性を有する反射材料を充填することによって形成される。 The partition wall 38, the interior of the groove 60, is formed by filling a reflective material having light reflectivity. この隔壁部38を構成する反射材料としては、高屈折特性を有する微粒子、例えばTiO 、またはX線発光蛍光体粒子、例えばGd S:Tb、あるいは透明セラミックスの微粒子粉体などが用いられ、さらに、膜の平坦性が高いものであればメタル膜であってもよい。 The reflective material constituting the partition wall 38, particulates, for example, TiO 2 or X-ray light emitting phosphor particles, e.g., Gd 2 O 2 S having a high refractive properties: Tb, or fine powder of a transparent ceramic, such as using it is, may also be a metal film as long as it has high film flatness.
【0053】 [0053]
光電変換基板11の外部に接続される制御回路16などは、光電変換基板11にワイヤボンディングで接続する集積回路として製造すればよい。 A control circuit 16 connected to the external of the photoelectric conversion substrate 11 may be manufactured in the photoelectric conversion substrate 11 as an integrated circuit connected by wire bonding. 電荷増幅器19、マルチプレクサ20、デジタイザ21などもまた、光電変換基板11にワイヤボンディングで接続される集積回路として製造すればよい。 Charge amplifier 19, a multiplexer 20, such as a digitizer 21 also may be produced in the photoelectric conversion substrate 11 as an integrated circuit connected by wire bonding.
【0054】 [0054]
さらに、シンチレータ層39の湿気による変質などを防ぐために、X線検出器1の主要部を、例えばアルミニウムやプラスチックなどの外囲器で覆って、真空封止しても良いし、あるいは乾燥気体を封入するしても良い。 Furthermore, in order to prevent such deterioration due to moisture of the scintillator layer 39, the main part of the X-ray detector 1, for example, covered with an envelope of aluminum or plastic, it may be vacuum sealed, or drying gas to it may also be encapsulated.
【0055】 [0055]
上述した製造方法によれば、セラミックシンチレータ層39は、微細加工が可能な精密加工装置を用いて形成される。 According to the manufacturing method described above, the ceramic scintillator layer 39 is formed using a precision machining apparatus capable microfabrication. フォトダイオード13の画素12間の幅は、画素ピッチ150μmの光電変換基板11においては50μm程度であり、画素ピッチの約1/3程度である。 Width between the pixels 12 of the photodiode 13, the photoelectric conversion substrate 11 of the pixel pitch 150μm is about 50 [mu] m, is about 1/3 of the pixel pitch. したがって、フォトダイオード13のエリアに干渉せずに画素12の周囲に溝部60を精度良く形成するためには、画素ピッチが200μmの光電変換基板11では65μm以下、画素ピッチが150μmの光電変換基板11では50μm以下の幅を有する溝または直径を有する穴の微細加工が可能な装置を必要とする。 Therefore, a groove 60 around the pixel 12 without interfering with the area of ​​the photodiode 13 in order to accurately form is, 65 .mu.m in the photoelectric conversion substrate 11 of the pixel pitch of 200μm or less, the photoelectric conversion pixel pitch 150μm substrate 11 in need of device capable of fine processing hole having grooves or diameter has a width less than or equal to 50 [mu] m. 特にダイサーは、20〜30μm幅、深さ500〜600μmの溝を良好に形成することが可能である。 Particularly Dicer can be satisfactorily formed 20~30μm width, a groove depth of 500-600. したがって、ダイサーを使用すれば、フォトダイオード画素間が20〜30μmの光電変換基板11上に形成したシンチレータ層39にフォトダイオード13のエリアに干渉しないように画素12間に溝部60を格子状に形成することができる。 Therefore, the use of a dicer, forming the groove 60 in a lattice shape between the pixel 12 so as not to interfere with the scintillator layer 39 between the photodiode pixels are formed on the photoelectric conversion substrate 11 of 20~30μm the area of ​​the photodiode 13 can do.
【0056】 [0056]
このように、セラミックシンチレータ体50を光電変換基板11上に貼り付けた後に、ダイサーでシンチレータ層39へ溝部60を形成する手法は、微細な画素ピッチへの位置合わせを施すという高精度な組み立て技術及び位置合わせ技術は必要としない。 Thus, after laminating the ceramic scintillator body 50 on the photoelectric conversion substrate 11, a technique for forming the groove 60 to the scintillator layer 39 by a dicer, a high-precision assembly technique that performs positioning of the fine pixel pitch and alignment technology does not require. このため、60〜200μmと非常に細かい画素ピッチを持つ平面検出器の製造方法として極めて有効である。 Therefore, it is very effective as a manufacturing method of a flat detector with a very fine pixel pitch and 60~200Myuemu.
【0057】 [0057]
つまり、上述した製造方法によれば、画素分離型シンチレータ層を用いた場合のX線平面検出器において、シンチレータ層に蛍光体のセラミックシンチレータを用いることにより、高輝度かつ高解像度のX線平面検出器を提供することができる。 That is, according to the manufacturing method described above, the X-ray flat panel detector in the case of using the pixel separation scintillator layer, by using a ceramic scintillator phosphor the scintillator layer, the high-luminance and high-resolution X-ray flat panel detector it is possible to provide a vessel. また、高度な位置合わせ技術及び組み立て技術を必要とすることなく、製造工程が簡略化され、製造コストを低減できるだけでなく、製造効率を向上することができる。 Further, without the need for advanced positioning technologies and assembly technologies, manufacturing process can be simplified, not only the manufacturing cost can be reduced, thereby improving the manufacturing efficiency.
【0058】 [0058]
また、溝部の内部に反射材料を充填することにより、セラミックシンチレータで構成された画素分離シンチレータが完成するため、従来の製造方法のような組み立て技術は不要となる。 Further, by filling the reflective material inside the groove, for pixel separation scintillator made of a ceramic scintillator is completed, the assembly techniques such as conventional manufacturing method is not required. また、このような製造方法は、画素ピッチの更なる微細化を可能とし、平面検出器以外にCTを含む放射線検出器においても、画素ピッチを細密化する際に上記と同様の効果が得られ、容易く高解像度化が可能となる。 Moreover, this manufacturing method allows further miniaturization of the pixel pitch, in a radiation detector including CT in addition to the flat panel detector, the same effect as described above can be obtained when the minutely pixel pitch , it is possible to easily high resolution.
【0059】 [0059]
(第2実施形態) (Second Embodiment)
第2実施形態に係るX線検出器では、X線などの放射線によって励起されて蛍光を発生するシンチレータ層39は、単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度が75%以上のセラミックシンチレータによって形成されている。 The X-ray detector according to the second embodiment, the scintillator layer 39 is excited by radiation such as X-rays to generate fluorescence, the density of the filled phosphor particles per unit volume by 75% or more ceramic scintillator It is formed. このセラミックシンチレータは、元素の周期律表における希土類(3A族)元素の少なくとも一種と、酸素族(6B族)元素(O、S、Se、Teなど)の少なくとも一種とを含む材料によって構成されている。 The ceramic scintillator, at least one rare earth (3A group) element in the periodic table of elements, oxygen group (6B Group) element (O, S, Se, Te, etc.) are constituted by a material containing at least one there. また、シンチレータ層39は、CaF 、BaF 、CaWO 、Bi4Ge 12 、NaI、CsI、Gd SiO 、Lu SiO の少なくとも1種の単結晶で形成されても良い。 Further, the scintillator layer 39, CaF 2, BaF 2, CaWO 4, Bi4Ge 3 O 12, NaI, CsI, Gd 2 SiO 5, Lu 2 SiO 5 of may be formed with at least one single crystal. なお、蛍光体粒子の充填密度は、アルキメデス法、または、体積と重量を実測し、材料の比重を用いて測定した。 The filling density of the phosphor particles, Archimedes method, or by actually measuring the volume and weight was measured using the specific gravity of the material.
【0060】 [0060]
すなわち、光電変換基板に入射する透過X線量は、シンチレータ層のX線透過率に依存する。 That is, transmission of X-rays incident on the photoelectric conversion substrate is dependent on the X-ray transmittance of the scintillator layer. したがって、X線平面検出器の画像における透過X線によるX線量子ノイズの発生を抑制するためには、シンチレータ層のX線透過率を減少させなければならない。 Therefore, in order to suppress the generation of X-ray quantum noise by transmission X-ray in the image of the X-ray flat panel detector, it must be reduced X-ray transmittance of the scintillator layer. シンチレータ層のX線透過率は以下の式で表される。 X-ray transmittance of the scintillator layer is expressed by the following equation.
【0061】 [0061]
T=100×exp(−γ×t×F) (%) T = 100 × exp (-γ × t × F) (%)
ここで、Tはシンチレータ層のX線透過率、γはシンチレータ層に使用される材料自体のX線源弱係数、tはシンチレータ層の膜厚、Fはシンチレータ層内の蛍光体粒子の充填密度(すなわち単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度)である。 Here, T is X-ray transmittance of the scintillator layer, gamma is the X-ray source weak coefficient of the material itself used for the scintillator layer, t is the scintillator layer thickness, F is the filling of the phosphor particles in the scintillator layer density it is (i.e. the density of the packed phosphor particles per unit volume).
【0062】 [0062]
つまり、シンチレータ層のX線透過率は、膜厚を厚くするほど、また、蛍光体粒子の充填密度を高くするほど指数関数的に減少することとなる。 That, X-rays transmittance of the scintillator layer is enough to increase the film thickness, also becomes possible decreases as exponentially increasing the packing density of the phosphor particles. したがって、X線平面検出器における量子ノイズを減少させるためには、シンチレータ層を構成する蛍光体粒子の充填密度を高密度化すること及び厚膜化することが挙げられる。 Therefore, in order to reduce the quantum noise in X-ray flat panel detector, and be and thickening it to densify the packing density of the phosphor particles constituting the scintillator layer.
【0063】 [0063]
まず、蛍光体粒子の高密度化について検討する。 First, consider the density of the phosphor particles. 蛍光体粒子をバインダ樹脂で結合してシンチレータ層を形成した場合、同一半径を有する球状の蛍光体粒子を仮定すると、蛍光体粒子を最密充填した場合でもその充填密度は最大で74%が限界となる。 If the phosphor particles are bound with a binder resin to form a scintillator layer, assuming phosphor particles of spherical shape having the same radius, the packing density even when close-packed phosphor particles limit 74% at the maximum to become. したがって、シンチレータ層のX線透過率をさらに減少させるためには、シンチレータ層を構成する蛍光体粒子の充填密度をさらに高密度化する、つまり75%以上の充填密度とすることが重要となる。 Therefore, in order to further reduce the X-ray transmittance of the scintillator layer further densify the packing density of the phosphor particles constituting the scintillator layer, i.e. be a 75% or more packing density is important.
【0064】 [0064]
このため、この実施形態では、シンチレータ層は、蛍光体セラミックシンチレータ、または、蛍光体単結晶によって形成されている。 Therefore, in this embodiment, the scintillator layer, the phosphor ceramic scintillator, or are formed by a phosphor monocrystal. このような構成のシンチレータ層は、蛍光体粒子を75%以上の高充填密度で作成可能である。 The scintillator layer having such a configuration, it is possible to create a phosphor particle with a high packing density of 75% or more. これにより、シンチレータ層によるX線の利用効率を向上することができ、シンチレータ層を透過する透過X線量を減少させることができる。 Thus, it is possible to improve the utilization efficiency of X-rays by the scintillator layer, it is possible to reduce the transmission of X-rays transmitted through the scintillator layer. したがって、透過X線によるX線量子ノイズに起因した輝点の発生を抑制することができ、検出器としての信頼性を向上することができる。 Therefore, it is possible to suppress the occurrence of resulting from the bright spot on the X-ray quantum noise by transmission X-ray, it is possible to improve the reliability of the detector.
【0065】 [0065]
続いて、シンチレータ層の厚膜化について検討する。 Then, consider the thick film of the scintillator layer. シンチレータ層の膜厚が200μm以下に薄く形成した場合、透過X線量が大きく、X線量子ノイズが発生してしまう。 If the thickness of the scintillator layer is formed thin to 200μm or less, transmission X-ray dose is increased, X-ray quantum noise is generated. したがって、シンチレータ層のX線透過率をさらに減少させるためには、シンチレータ層の膜厚を200μmより厚くすることが重要となる。 Therefore, in order to further reduce the X-ray transmittance of the scintillator layer, it is important to be thicker than 200μm thickness of the scintillator layer. しかしながら、膜厚が厚くなるにともなってシンチレータ層内で発生した蛍光の光学的な拡散や散乱の発生確率が高くなり、解像度劣化を引き起こす。 However, the thickness probability of occurrence of optical diffusion and scattering of the fluorescence generated in the scintillator layer increases with the increases, causing deterioration of resolution.
【0066】 [0066]
このため、この実施形態では、シンチレータ層は、蛍光体セラミックシンチレータ、または、蛍光体単結晶の厚さを200μmより厚く、望ましくは500乃至600μm程度の膜厚に形成している。 Therefore, in this embodiment, the scintillator layer, the phosphor ceramic scintillator, or thicker than 200μm and the thickness of the phosphor single crystal, desirably are formed to have a film thickness of about 500 to 600 .mu.m. これにより、シンチレータ層を透過する透過X線量を減少させることができる。 Thus, it is possible to reduce the transmission of X-rays transmitted through the scintillator layer. したがって、透過X線によるX線量子ノイズに起因した輝点の発生を抑制することができ、検出器としての信頼性を向上することができる。 Therefore, it is possible to suppress the occurrence of resulting from the bright spot on the X-ray quantum noise by transmission X-ray, it is possible to improve the reliability of the detector. また、シンチレータ層の厚膜化によって付随する解像度の劣化も、溝部や隔壁部によってシンチレータ層を画素分離することで抑制できる。 Also, degradation in resolution associated with thickening of the scintillator layer can be suppressed by the pixel separation scintillator layer by the groove and the partition wall.
【0067】 [0067]
ここで、シンチレータ層を構成する蛍光体粒子の高密度化及びシンチレータ層の厚膜化によるX線透過率の低減効果について説明する。 Here it will be described the effect of reducing the X-ray transmittance due thickening densification and the scintillator layer of the phosphor particles constituting the scintillator layer.
図4には、シンチレータ層の膜厚が200μmの場合及び600μmの場合それぞれについて、シンチレータ層を構成する蛍光体粒子の充填密度に対するX線透過率のシミュレーション結果が示されている。 4 shows, for each case where the thickness of the scintillator layer in the case and 600μm of 200 [mu] m, the simulation result of the X-ray transmittance for the packing density of the phosphor particles constituting the scintillator layer is shown. 蛍光体粒子としては、一般的に用いられるGd Sを使用し、X線エネルギは50keVとして計算した。 The phosphor particles, typically use Gd 2 O 2 S used, X-rays energy was calculated as 50 keV. この結果から明らかなように、蛍光体粒子の充填密度が高密度化になるに連れ、X線透過率が減少することを確認できた。 As apparent from the results, take the packing density of the phosphor particles is higher density, X-rays transmittance was confirmed that the decrease. また、シンチレータ層を厚膜化することにより、X線透過率が減少することを確認できた。 Also, increasing the thickness of the scintillator layer, it was confirmed that the X-ray transmittance is reduced.
【0068】 [0068]
次に、この第2実施形態に係るX線検出器の製造方法について説明するが、実質的に上述した第1実施形態と同一であるので、重複する説明は省略する。 Next, a method for manufacturing the X-ray detector according to the second embodiment, since substantially the same as the first embodiment described above, the redundant description will be omitted.
まず、X線などの放射線により励起されて蛍光を発生する、単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度が75%以上のセラミックシンチレータ体50、または、CaF 、BaF 、CaWO 、Bi4Ge 12 、NaI、CsI、Gd SiO 、Lu SiO の少なくとも1種の単結晶で形成されたセラミックシンチレータ体50を用意する。 First, by being excited by radiation such as X-rays to generate fluorescence, ceramic scintillator body 50 density is more than 75% of the phosphor particles packed per unit volume or,, CaF 2, BaF 2, CaWO 4, Bi4Ge 3 O 12, NaI, CsI, to prepare Gd 2 SiO 5, Lu 2 ceramic scintillator body 50 formed with at least one single crystal of SiO 5.
【0069】 [0069]
続いて、画素単位のフォトダイオード13などが配列してなる光電変換基板11上に、セラミックシンチレータ体50を設けてシンチレータ層39を形成する。 Then, on the photoelectric conversion substrate 11 such as a photodiode 13 of the pixel units formed by arranging, forming the scintillator layer 39 is provided a ceramic scintillator body 50. 続いて、シンチレータ層39を画素分離する。 Subsequently, pixel separation scintillator layer 39. まず、シンチレータ層39を画素単位に区画する溝部60を形成する。 First, a groove portion 60 for partitioning the scintillator layer 39 for each pixel. さらに、溝部60に光反射性を有する反射材料を充填することによって隔壁部38を形成する。 Further, a partition wall 38 by filling a reflective material having light reflectivity on the groove 60.
【0070】 [0070]
以下同様の製造方法によりX線検出器が製造される。 X-ray detector is produced by the same manufacturing method below.
このような製造方法によれば、透過X線に起因する偶発的なX線量子ノイズの発生を抑制することができ、信頼性の高いX線平面検出器を提供することができる。 According to such a manufacturing method, it is possible to suppress the occurrence of accidental X-ray quantum noise due to transmitted X-rays, it is possible to provide a highly reliable X-ray flat panel detector. また、セラミックまたは単結晶シンチレータ層を厚膜化し、かつシンチレータ層を各画素単位に分離した構造を持たすことにより、さらにX線量子ノイズを低減し、かつ比較的高い解像度を持つX線平面検出器を提供することができる。 Furthermore, it thickened ceramic or single crystal scintillator layer, and by Motas the structure of the scintillator layer was separated into respective pixel units to further reduce the X-ray quantum noise, and X-ray flat panel detector having a relatively high resolution it is possible to provide a. さらに、透過X線を低減することができたため、被験者のX線被曝線量を低減することができる。 Furthermore, since it was possible to reduce the transmitted X-rays, it is possible to reduce the X-ray exposure dose of the subject.
【0071】 [0071]
次に、具体的な試作による効果の検証を行った。 It was then carried out to verify the effect of the specific prototype.
まず、第1実施形態の効果を確認するために、以下のX線検出器サンプルの輝度及び解像度特性として2lp/mmのCTF特性を比較評価した。 First, in order to confirm the effects of the first embodiment, it was compared and evaluated the CTF properties of 2 lp / mm as luminance and resolution characteristics of the following X-ray detector samples. なお、1画素当たりの輝度(cd/m )は、赤から緑の光線に感度を有するフォトダイオードや、光電子増倍管を使用したHG−H2(富士フィルム社製増感紙)との輝度を比較する方法で測定した。 Note that 1 per pixel luminance (cd / m 2), the luminance of the or a photodiode having a sensitivity from red to green light, HG-H2 using photomultiplier tubes and (Fuji Film Co. intensifying screen) It was measured by the method of comparing.
【0072】 [0072]
(比較例1)平均粒径10μmのGd S:Tb蛍光体粒子をバインダ樹脂で結着させた膜からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が200μmであって画素分離なしのサンプル。 (Comparative Example 1) Average particle size 10μm of Gd 2 O 2 S: Tb phosphor particles comprising a scintillator layer made of a film was sintered wearing the binder resin, the scintillator layer thickness was in no pixel separation is 200μm sample.
(比較例2)平均粒径10μmのGd S:Tb蛍光体粒子をバインダ樹脂で結着させた膜からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が500μmであって画素ピッチ150μmで画素分離型のサンプル。 (Comparative Example 2) Average particle size 10μm of Gd 2 O 2 S: Tb phosphor particles comprising a scintillator layer made of a film was sintered wearing the binder resin, the thickness of the scintillator layer is a 500μm pixel pitch 150μm sample of pixel separation type.
(比較例3)平均粒径40μmのGd S:Tb蛍光体粒子をバインダ樹脂で結着させた膜からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が500μmであって画素ピッチ150μmで画素分離型のサンプル。 (Comparative Example 3) Average particle size 40μm of Gd 2 O 2 S: Tb phosphor particles comprising a scintillator layer made of a film was sintered wearing the binder resin, the thickness of the scintillator layer is a 500μm pixel pitch 150μm sample of pixel separation type.
(実施例1)Gd S:Tb蛍光体のセラミックシンチレータ体からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が500μmであって画素ピッチ150μmで画素分離型のサンプル。 (Example 1) Gd 2 O 2 S: Tb phosphor with a scintillator layer made of a ceramic scintillator body, the scintillator layer thickness of the pixel separation type pixel pitch 150μm a 500μm sample.
【0073】 [0073]
測定結果を図5に示す。 The measurement results are shown in FIG. 図5に示すように、比較例1での1画素の輝度を「1」とした場合、比較例2及び3では1画素あたりの輝度が「1」程度で同等であったのに対して、実施例1では1画素あたり約1.5倍の輝度が得られた。 As shown in FIG. 5, whereas when the luminance of one pixel in the comparative example 1 set to "1", the luminance of each pixel in Comparative Examples 2 and 3 were similar degree "1", about 1.5 times the luminance per pixel in example 1 were obtained. また、CTF特性については、全ての例で45%前後とほぼ同等であって、実施例1のようにセラミックシンチレータ体でシンチレータ層を構成した場合であっても、画素分離することにより著しいCTF特性の低下は確認されなかった。 Also, the CTF characteristics, be substantially equal to 45% or so in all cases, even when constituting the scintillator layer in a ceramic scintillator body as in Example 1, significant CTF characteristic by the pixel separation a decrease in the was not confirmed.
【0074】 [0074]
また、第2実施形態の効果を確認するために、以下のX線検出器サンプルのX線透過率及び解像度特性として2lp/mmのCTF特性を比較評価した。 Further, in order to confirm the effects of the second embodiment, it was compared and evaluated the CTF properties of 2 lp / mm as the X-ray transmittance and resolution characteristics of the following X-ray detector samples. なお、X線透過率は、線量計を用いて測定した。 Incidentally, X-rays transmittance was measured using a dosimeter.
【0075】 [0075]
(比較例)平均粒径10μmのGd S:Tb蛍光体粒子をバインダ樹脂で結着させた膜からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が200μmであって画素分離なしのサンプル。 (Comparative Example) average particle size 10μm of Gd 2 O 2 S: Tb phosphor particles comprising a scintillator layer made of a film was sintered wearing the binder resin, the thickness of the scintillator layer is a 200μm no pixel separation Sample .
(実施例1)Gd S:Tb蛍光体のセラミックシンチレータ体からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が200μmであって画素分離なしのサンプル。 (Example 1) Gd 2 O 2 S: Tb phosphor with a scintillator layer made of a ceramic scintillator body, the thickness of the scintillator layer is a 200μm no pixel separation sample.
(実施例2)Gd S:Tb蛍光体のセラミックシンチレータ体からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が200μmであって画素ピッチ150μmで画素分離型のサンプル。 (Example 2) Gd 2 O 2 S: Tb phosphor with a scintillator layer made of a ceramic scintillator body, the scintillator layer thickness of the pixel separation type pixel pitch 150μm a 200μm sample.
(実施例3)Gd S:Tb蛍光体のセラミックシンチレータ体からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が600μmであって画素分離なしのサンプル。 (Example 3) Gd 2 O 2 S: Tb phosphor with a scintillator layer made of a ceramic scintillator body, the thickness of the scintillator layer is a 600μm no pixel separation sample.
(実施例4)Gd S:Tb蛍光体のセラミックシンチレータ体からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が600μmであって画素ピッチ150μmで画素分離型のサンプル。 (Example 4) Gd 2 O 2 S: Tb phosphor with a scintillator layer made of a ceramic scintillator body, the scintillator layer thickness of the pixel separation type pixel pitch 150μm a 600μm sample.
(実施例5)CaWO 単結晶からなるシンチレータ層を備え、シンチレータ層の膜厚が600μmであって画素ピッチ150μmで画素分離型のサンプル。 (Example 5) CaWO 4 includes a scintillator layer made of monocrystalline, the thickness of the scintillator layer of the pixel separation type pixel pitch 150μm a 600μm sample.
【0076】 [0076]
測定結果を図6に示す。 The measurement results are shown in FIG. 図6に示すように、比較例でのX線透過率が79%であったのに対して、比較例と同等の膜厚のセラミックシンチレータ体でシンチレータ層を構成した実施例1及び2でのX線透過率を比較例より10%程度低減することができた。 As shown in FIG. 6, whereas the X-ray transmittance in the comparative example was 79% in Example 1 and 2 to constitute a scintillator layer ceramic scintillator body thickness equivalent to Comparative Example the X-ray transmittance could be reduced by about 10% than Comparative example. また、比較例の3倍の膜厚を有するセラミックシンチレータ体でシンチレータ層を構成した実施例3及び4でのX線透過率は、比較例より半分以下に低減することができた。 Further, X-ray transmittance in Examples 3 and 4 to constitute a scintillator layer ceramic scintillator body having a film thickness of 3 times the comparative example, could be reduced to half or less than that of the comparative example. さらに、単結晶でシンチレータ層を構成した実施例5でのX線透過率は、5%程度と極めて低く抑えることができた。 Furthermore, X-rays transmittance in Example 5 which constitute the scintillator layer in a single crystal could be suppressed to an extremely low as about 5%.
【0077】 [0077]
また、CTF特性については、セラミックシンチレータ体や単結晶でシンチレータ層を構成した場合であっても、画素分離を施すことにより著しいCTF特性の低下は確認されなかった。 Also, the CTF characteristics, even when constituting the scintillator layer in a ceramic scintillator body or a single crystal, significant degradation of CTF properties by subjecting the pixel separation was not observed.
【0078】 [0078]
なお、この発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々な変形・変更が可能である。 The present invention is not limited to the above embodiments, at the stage of its implementation are various modifications may be without departing from the scope of the invention. また、各実施の形態は可能な限り適宜組み合わせて実施されてもよく、その場合組み合わせによる効果が得られる。 Further, the embodiments may be implemented in appropriate combination as far as possible, the effect of the case combination is obtained.
【0079】 [0079]
この発明のX線検出器は、縦横に複数の画素が配列された構成のものについて説明したが、縦横の画素の比率が異なる(例えば、一方の画素数が1個の場合など)一見すると線状に構成されたX線検出器に適用するこも可能である。 X-ray detector of the present invention, a plurality of pixels vertically and horizontally has been described as the ordered arrangement, the ratio of vertical and horizontal pixels are different (for example, one number of pixels of one) At first glance line this applied to the X-ray detector configured to Jo are also possible. この場合、スイッチング素子はTFTを使用しなくとも実施可能である。 In this case, the switching element can be implemented without using the TFT.
【0080】 [0080]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上説明したように、この発明によれば、検出器としての信頼性及び解像度特性を向上することが可能な放射線平面検出器及びその製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a reliable and radiation flat panel detector and a manufacturing method thereof capable of improving the resolution characteristics of the detector.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】図1は、この発明の一実施の形態に係るX線検出器の回路構成を模式的に示す図である。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a circuit configuration of the X-ray detector according to an embodiment of the present invention.
【図2】図2は、図1に示したX線検出器の1画素部分の構造を概略的に示す断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view schematically showing the structure of one pixel portion of the X-ray detector shown in FIG.
【図3】図3の(a)乃至(d)は、図2に示した構造のX線検出器の製造方法を説明するための図である。 Of (a) to FIG. 3 FIG. 3 (d) are views for explaining a manufacturing method of the X-ray detector of the structure shown in FIG.
【図4】図4は、シンチレータ層の厚膜化及びシンチレータ層を構成する蛍光体粒子の充填密度に対するX線透過率の低減効果を説明するための図である。 Figure 4 is a diagram for explaining the effect of reducing the X-ray transmittance for the packing density of the phosphor particles constituting the thickening and the scintillator layer of the scintillator layer.
【図5】図5は、比較例及び実施例のX線検出器サンプルにおける輝度及び解像度特性の測定結果を示す図である。 Figure 5 is a graph showing measurement results of the luminance and resolution characteristics in the X-ray detector samples of Comparative Examples and Examples.
【図6】図6は、比較例及び実施例のX線検出器サンプルにおけるX線透過率及び解像度特性の測定結果を示す図である。 Figure 6 is a view showing measurement results of X-ray transmission rate and resolution characteristics in the X-ray detector samples of Comparative Examples and Examples.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1…X線検出器、11…光電変換基板、12…画素、13…フォトダイオード、14…薄膜トランジスタ(TFT)、15…蓄積キャパシタ、16…制御回路、17…データライン、18…制御ライン、38…隔壁部、39…シンチレータ層、41…蛍光、50…セラミックシンチレータ体、60…溝部 1 ... X-ray detector, 11 ... photoelectric conversion substrate, 12 ... pixels, 13 ... photodiode, 14 ... thin film transistor (TFT), 15 ... storage capacitor, 16 ... control circuit, 17 ... data line, 18 ... control line, 38 ... partition wall, 39 ... scintillator layer, 41 ... fluorescent, 50 ... ceramic scintillator body, 60 ... groove

Claims (10)

  1. 画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、 A photoelectric conversion substrate in which the photoelectric conversion element is formed by arranging pixel units,
    前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生するシンチレータ層と、を備え、 Disposed on the photoelectric conversion substrate, and a scintillator layer that generates fluorescence is excited by radiation,
    前記シンチレータ層は、単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度が75%以上のセラミックシンチレータによって形成されたことを特徴とする放射線平面検出器。 The scintillator layer is a radiation flat panel detector, wherein the density of the filled phosphor particles per unit volume is formed by more than 75% of the ceramic scintillator.
  2. 前記セラミックシンチレータを構成する材料が、元素の周期律表における希土類元素の少なくとも一種と、酸素族元素の少なくとも一種とを含むことを特徴とする請求項1に記載の放射線平面検出器。 The material constituting the ceramic scintillator, the radiation plane detector according to claim 1 and at least one rare earth element in the periodic table of elements, characterized in that it comprises at least one oxygen group element.
  3. 画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板と、 A photoelectric conversion substrate in which the photoelectric conversion element is formed by arranging pixel units,
    前記光電変換基板上に配置され、放射線により励起されて蛍光を発生するシンチレータ層と、を備え、 Disposed on the photoelectric conversion substrate, and a scintillator layer that generates fluorescence is excited by radiation,
    前記シンチレータ層は、CaF 、BaF 、CaWO 、Bi4Ge 12 、NaI、CsI、Gd SiO 、Lu SiO の少なくとも1種の単結晶で形成されたことを特徴とする放射線平面検出器。 The scintillator layer, CaF 2, BaF 2, CaWO 4, Bi4Ge 3 O 12, NaI, CsI, Gd 2 SiO 5, Lu 2 radiation plane, characterized in that it is formed with at least one single crystal of SiO 5 Detector.
  4. 前記光電変換素子の周縁に沿って形成され、前記シンチレータ層を画素単位に区画する溝部を備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線平面検出器。 The formed along the periphery of the photoelectric conversion element, the radiation plane detector according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it comprises a groove partitioning the scintillator layer in pixel units.
  5. 前記光電変換素子の周縁に沿って形成され、前記シンチレータ層を画素単位に区画する隔壁部を備えたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の放射線平面検出器。 The formed along the periphery of the photoelectric conversion element, the radiation plane detector according to any one of claims 1 to 3, further comprising a partition wall partitioning the scintillator layer in pixel units.
  6. 放射線により励起されて蛍光を発生する、単位体積あたりに充填された蛍光体粒子の密度が75%以上のセラミックシンチレータ体を用意し、 Is excited by radiation generates fluorescence, density of the filled phosphor particles per unit volume was prepared 75% or more of the ceramic scintillator body,
    画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、前記セラミックシンチレータ体を設けてシンチレータ層を形成することを特徴とする放射線平面検出器の製造方法。 On the photoelectric conversion substrate in which the photoelectric conversion element of the pixel units formed by arranging the method for producing a radiation flat panel detector and forming a ceramic scintillator body provided scintillator layer.
  7. 前記セラミックシンチレータ体を構成する材料が、元素の周期律表における希土類元素の少なくとも一種と、酸素族元素の少なくとも一種とを含むことを特徴とする請求項6に記載の放射線平面検出器の製造方法。 The material constituting the ceramic scintillator body, and at least one rare earth element in the periodic table of elements, a method of manufacturing a radiation plane detector according to claim 6, characterized in that it comprises at least one oxygen group element .
  8. 放射線により励起されて蛍光を発生する、CaF 、BaF 、CaWO 、Bi4Ge 12 、NaI、CsI、Gd SiO 、Lu SiO の少なくとも1種の単結晶で形成されたセラミックシンチレータ体を用意し、 Are excited to generate fluorescence by radiation, CaF 2, BaF 2, CaWO 4, Bi4Ge 3 O 12, NaI, CsI, Gd 2 SiO 5, ceramic scintillator formed of at least one single crystal of Lu 2 SiO 5 prepare the body,
    画素単位の光電変換素子が配列してなる光電変換基板上に、前記セラミックシンチレータ体を設けてシンチレータ層を形成することを特徴とする放射線平面検出器の製造方法。 On the photoelectric conversion substrate in which the photoelectric conversion element of the pixel units formed by arranging the method for producing a radiation flat panel detector and forming a ceramic scintillator body provided scintillator layer.
  9. 前記光電変換素子の周縁に沿って形成され、前記シンチレータ層を画素単位に区画する溝部を形成することを特徴とする請求項6乃至8のいずれか1項に記載の放射線平面検出器の製造方法。 Formed along the periphery of the photoelectric conversion element, a method of manufacturing a radiation plane detector according to any one of claims 6 to 8, wherein the forming the groove partitioning the scintillator layer for each pixel .
  10. 前記溝部に隔壁部を形成することを特徴とする請求項9に記載の放射線平面検出器の製造方法。 Method for producing a radiation plane detector according to claim 9, characterized by forming the partition wall portion to the groove.
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