KR101546604B1 - 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는 반도체 디바이스 탈착 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 반도체 디바이스의 손상 현상을 최소화할 수 있는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법을 제공하는데 있다.
이를 위해 본 발명은 자성을 갖는 캐리어를 준비하는 단계; 상기 캐리어의 상면에 포일 및 접착층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 접착층 위에 반도체 다이를 부착하고, 상기 반도체 다이를 인캡슐란트로 인캡슐레이션하는 단계; 상기 포일로부터 상기 캐리어를 분리하는 단계; 및 상기 반도체 다이 및 인캡슐란트로부터 상기 접착층 및 포일을 제거하는 단계를 포함하는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법을 개시한다.

Description

자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법{Magnetically assisted semiconductor device support system}
본 발명의 일 실시예는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스의 소형화를 도모하기 위해, 복수의 반도체 다이를 기판 상에 배치하여 구성한 멀티칩형의 반도체 디바이스가 알려져 있다. 또한, 반도체 다이를 관통하도록 관통 전극을 형성하고, 이러한 관통 전극을 이용하여 다른 반도체 다이와 전기적으로 접속하여 반도체 다이를 적층한 반도체 디바이스도 알려져 있다. 전술한 관통 전극을 갖는 반도체 디바이스를 가공하여 반도체 디바이스를 제조할 때에, 반도체 디바이스를 캐리어에 의해 지지한 상태에서 가공을 행하는 것이 고려되고 있다. 이러한 캐리어을 이용한 종래의 반도체 디바이스의 제조 공정으로서는, 반도체 디바이스를 극박(100㎛ 이하)으로 이면 연삭할 목적으로, 캐리어을 이용하여 반도체 디바이스를 지지하고 있다.
그런데, 이러한 방법은 반도체 디바이스의 이면 연삭 후 반도체 디바이스를 캐리어으로부터 분리할 때, 반도체 디바이스가 손상될 수 있는 문제가 있다. 즉, 반도체 디바이스와 캐리어 사이의 접착력이 충분히 감소하지 않을 수 있기 때문에, 물리적으로 반도체 디바이스를 캐리어으로 분리할 때 반도체 디바이스가 크랙되거나, 또는 반도체 디바이스에 형성된 범프 등이 손상될 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 반도체 디바이스의 손상 현상을 최소화할 수 있는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법은 자성을 갖는 캐리어를 준비하는 단계; 상기 캐리어의 상면에 포일 및 접착층을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 접착층 위에 반도체 다이를 부착하고, 상기 반도체 다이를 인캡슐란트로 인캡슐레이션하는 단계; 상기 포일로부터 상기 캐리어를 분리하는 단계; 및 상기 반도체 다이 및 인캡슐란트로부터 상기 접착층 및 포일을 제거하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법은 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 웨이퍼에 접착층 및 포일을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 포일을 자성을 갖는 캐리어에 부착하는 단계; 상기 반도체 웨이퍼의 상면에 반도체 제조 공정을 수행하는 단계; 상기 포일로부터 상기 캐리어를 분리하는 단계; 및 상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 접착층 및 포일을 제거하는 단계를 포함한다.
상기 캐리어는 강자성체 블럭일 수 있다.
상기 캐리어는 하면에 다수의 요홈이 형성된 절연판과, 상기 절연판의 요홈에 결합된 다수의 강자성체 블럭을 포함할 수 있다. 상기 캐리어를 분리하는 단계 이전에 상기 절연판으로부터 상기 다수의 강자성체 블럭을 분리할 수 있다.
상기 포일은 강자성체 재료, 상자성체 재료 또는 반자성체 재료로 형성될 수 있다.
상기 접착층은 열, 용제(solvent) 또는 자외선에 의해 접착력을 잃는 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 캐리어 및 반도체 디바이스가 상호간 자성으로 강하게 접착되도록 한 상태에서, 반도체 디바이스의 제조 공정이 수행되고, 이어서 캐리어와 반도체 디바이스 사이에 자성이 제거되도록 함으로써, 반도체 디바이스와 캐리어 사이의 접착력이 제거되도록 한다. 이 상태에서 캐리어가 반도체 디바이스로부터 분리되고, 또한 접착층 등이 분리된다.
따라서, 본 발명에 따르면 반도체 디바이스의 제조 공정 이후 반도체 디바이스를 캐리어로부터 용이하게 분리할 수 있어, 반도체 디바이스의 손상 현상이 제거된다.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법에 이용된 접착층을 갖는 금속 포일을 도시한 사시도이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법을 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 이하의 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이며, 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 특정 실시예를 설명하기 위하여 사용되며, 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 단수 형태는 문맥상 다른 경우를 분명히 지적하는 것이 아니라면, 복수의 형태를 포함할 수 있다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 경우 "포함한다(comprise)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급한 형상들, 숫자, 단계, 동작, 부재, 요소 및/또는 이들 그룹의 존재를 특정하는 것이며, 하나 이상의 다른 형상, 숫자, 동작, 부재, 요소 및 /또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것이 아니다.
도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법을 도시한 도면이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 2가지 타입의 캐리어(110A,110)가 제공될 수 있다.
우선, 캐리어(110A)는 상면과 하면이 대략 평평한 강자성체 블럭일 수 있다. 여기서, 캐리어(110A)는 영구 자석이거나 또는 전자석 형태일 수 있다. 반도체 디바이스로부터 캐리어(110A)를 용이하게 탈착하기 위해서는 자성의 강도를 쉽게 조절할 수 있는 전자석 형태가 바람직하다.
또한, 캐리어(110)는 상면이 대략 평평하고, 하면에 다수의 요홈(112)이 형성된 절연판(111)과, 절연판(111)의 요홈(112) 각각에 결합된 강자성체 블록(113)일 수 있다. 여기서, 강자성체 블록(113)은 절연판(111)의 요홈(112)에 결합되거나, 분리될 수 있다.
이하에서는 강자성체 블록(113)의 결합 및 분리가 가능한 캐리어(110)를 중심으로 설명한다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 캐리어(110)의 상면에 대략 평평한 포일(121)이 위치되고, 포일(121) 상면에 대략 평평한 접착층(122)이 형성된다.
여기서, 포일(121)은 강자성체 재료, 상자성체 재료, 반자성체 재료 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나일 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하지 않는다. 다만, 포일(121)은 강자성체 블록(113)에 의한 자성 또는 자력에 의해 강하게 접착 하는 재료이면 모두 가능하다.
또한, 접착층(122)은 열, 용제(solvent), 자외선 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나에 의해 접착력을 잃는 재료로 형성될 수 있으나, 본 발명에서 이를 한정하지 않는다.
한편, 상술한 바와 같이 하여, 하면에는 강자성체 블록(113)이 결합되고, 그 상부에는 포일(121)이 존재함으로써, 캐리어(110) 위의 포일(121)이 자성 및/또는 자력에 의해 강력하게 접착된 상태를 유지하게 된다.
도 1c에 도시된 바와 같이, 접착층(122) 위에 반도체 다이(131)가 부착되고, 또한 반도체 다이(131)가 인캡슐란트(132)로 인캡슐레이션되는 등의 반도체 제조 공정이 수행된다.
이때, 캐리어(110)의 강자성체 블록(113)이 포일(121)을 자성에 의해 강력하게 고정하고 있음으로써, 포일(121) 및 접착층(122)의 위치에 변화가 없고, 이에 따라 반도체 제조 공정이 수월하게 수행된다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 포일(121)로부터 캐리어(110)가 분리된다. 여기서, 캐리어(110)의 용이한 분리를 위해, 캐리어(110)에 결합된 다수의 강자성체 블록(113)이 먼저 분리될 수 있다. 이와 같이 하여, 캐리어(110)와 포일(121) 사이에 자성 및/또는 자력이 제거됨으로써, 캐리어(110)와 포일(121)은 자연스럽게 분리된다.
도 1e에 도시된 바와 같이, 캐리어(110)와 포일(121) 사이에 자성이 존재하지 않음으로써, 포일(121)로부터 캐리어(110)가 쉽게 분리된다.
도 1f에 도시된 바와 같이, 반도체 디바이스(즉, 반도체 다이(131) 및 인캡슐란트(132))로부터 포일(121) 및 접착층(122)이 제거된다. 이때, 접착층(122)에는 열, 용제(solvent), 자외선 및 그 등가물 중에서 선택된 어느 하나가 제공됨으로써, 접착층(122)의 접착력이 제거된다.
이와 같이 하여, 본 발명에서는 반도체 디바이스의 제조 공정 중에는 캐리어(110)가 자성을 갖게 되어 반도체 디바이스를 강하게 고정하지만, 반도체 디바이스 제조 공정 완료 후에는 캐리어(110)가 자성을 잃게 되어, 캐리어(110)로부터 반도체 디바이스가 쉽게 분리되고, 이에 따라 반도체 디바이스의 손상 현상이 발생하지 않게 된다.
물론, 이러한 공정 이후에는 통상의 싱귤레이션 공정이나 범핑 공정 등과 같은 추가적인 반도체 제조 공정이 수행될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법에 이용된 접착층(122)을 갖는 금속 포일(121)을 도시한 사시도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 포일(121) 및 접착층(122)은 일체로 형성될 수 있다. 즉, 포일(121)의 표면에 접착층(122)이 형성된 채 다수회 권취된 테이프(123) 형태일 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 포일(121)을 형성하고, 이후에 그 위에 별도로 접착층(122)을 형성할 필요없이, 상술한 바와 같이 권취된 테이프(123)를 이용하여 간단하게 포일(121) 및 접착층(122)을 동시에 캐리어(110) 위에 올릴 수 있다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법을 도시한 도면이다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 하면에 액티브층이 형성된 반도체 웨이퍼(210)가 준비된다. 물론, 반도체 웨이퍼(210)의 상면은 기능이 없는 인액티브층일 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 반도체 디바이스의 두께가 작아지도록 반도체 웨이퍼(210)의 상면이 그라인딩되어 제거될 수 있다. 실질적으로, 반도체 웨이퍼(210)의 인액티브층이 그라인딩되어 제거될 수 있다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(210)의 하면에 접착층(122) 및 포일(121)이 순차적으로 형성된다. 여기서, 접착층(122) 및 포일(121)은 상술한 바와 같이 권취된 테이프(123) 형태를 이용하여 간단하게 형성될 수 있다.
도 3d 및 도 3e에 도시된 바와 같이, 포일(121)이 자성을 갖는 캐리어(110)에 부착될 수 있다. 즉, 절연판(111)에 형성된 다수의 요홈(112)에 강자성체 블록(113)이 결합됨으로써, 캐리어(110)는 자성을 갖게 되고, 이러한 자성을 갖는 캐리어(110)어 위에 반도체 웨이퍼(210), 접착층(122) 및 포일(121)로 이루어진 부재가 위치된다.
이때, 캐리어(110)는 자성을 갖고, 포일(121)은 강자성체, 상자성체 또는 반자성이므로, 캐리어(110) 위에 포일(121)이 강건하게 고정된다. 이에 따라, 캐리어(110) 위에 반도체 웨이퍼(210) 역시 강건하게 고정된다.
도 3f에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(210)의 상면에 반도체 제조 공정이 수행된다. 일례로, 반도체 웨이퍼(210)의 상면에 절연층이 형성되고, 관통전극과 연결된 후면 전극 및 재배선 패턴 등이 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명에서 이러한 반도체 제조 공정이 한정되는 것은 아니며, 여기에 기술되지 않은 다양한 공정이 수행될 수 있다.
도 3g에 도시된 바와 같이, 캐리어(110)로부터 강자성체 블록(113)이 분리되고, 이에 따라 캐리어(110)와 포일(121) 사이의 자성이 제거된다. 이와 같이 하여, 캐리어(110)와 포일(121)이 상호간 쉽게 분리된다.
도 3h에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(210)로부터 포일(121) 및 접착층(122)이 제거됨으로써, 반도체 웨이퍼(210)의 하면이 외부로 노출된다.
물론, 이러한 공정 이후에는 통상의 싱귤레이션 공정이나 범핑 공정 등과 같은 추가적인 반도체 제조 공정이 수행될 수 있다.
이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법을 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.
110; 캐리어 111; 절연판
112; 요홈 113; 강자성체 블록
121; 포일 122; 접착층
123; 테이프 131; 반도체 다이
132; 인캡슐란트 210; 반도체 웨이퍼

Claims (7)

  1. 자성을 갖는 캐리어를 준비하는 단계;
    상기 캐리어의 상면에 포일 및 접착층을 순차적으로 형성하는 단계;
    상기 접착층 위에 반도체 다이를 부착하고, 상기 반도체 다이를 인캡슐란트로 인캡슐레이션하는 단계;
    상기 포일로부터 상기 캐리어를 분리하는 단계; 및
    상기 반도체 다이 및 인캡슐란트로부터 상기 접착층 및 포일을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 캐리어는 하면에 다수의 요홈이 형성된 절연판과, 상기 절연판의 요홈에 결합된 다수의 강자성체 블럭을 포함하고,
    상기 캐리어를 분리하는 단계 이전에 상기 절연판으로부터 상기 다수의 강자성체 블럭을 분리함을 특징으로 하는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법.
  2. 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계;
    상기 반도체 웨이퍼의 하면에 접착층 및 포일을 순차적으로 형성하는 단계;
    자성을 갖는 캐리어의 상면에 상기 반도체 웨이퍼의 하면에 형성된 포일을 부착하는 단계;
    상기 반도체 웨이퍼의 상면에 반도체 제조 공정을 수행하는 단계;
    상기 포일로부터 상기 캐리어를 분리하는 단계; 및
    상기 반도체 웨이퍼로부터 상기 접착층 및 포일을 제거하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 캐리어는 강자성체 블럭인 것을 특징으로 하는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 캐리어는 하면에 다수의 요홈이 형성된 절연판과, 상기 절연판의 요홈에 결합된 다수의 강자성체 블럭을 포함함을 특징으로 하는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 캐리어를 분리하는 단계 이전에 상기 절연판으로부터 상기 다수의 강자성체 블럭을 분리함을 특징으로 하는 반도체 디바이스 탈착 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 포일은 강자성체 재료, 상자성체 재료 또는 반자성체 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 접착층은 열, 용제(solvent) 또는 자외선에 의해 접착력을 잃는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 자성을 이용한 반도체 디바이스 탈착 방법.
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