KR101537357B1 - 반도체 공정을 모니터링 하는 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

반도체 공정을 모니터링 하는 방법이 개시된다. 반도체 공정을 모니터링 하는 장치에서, 가스 공급 장치에 저장되어 있는 반도체 공정에 이용되는 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득하고, 획득한 데이터가 기설정된 범위를 만족하는지 여부를 판단하여, 판단 결과 획득한 데이터가 기설정된 범위를 만족하지 않는 경우, 가스 저장 장치를 제어하는 동작을 수행하는 방법이 개시된다.

Description

반도체 공정을 모니터링 하는 방법 및 장치 {Method and apparatus for monitoring semiconductor process and recording medium thereof}

본 발명은 반도체 공정을 모니터링 하는 방법, 장치 및 기록매체에 관한 것이다.

반도체 제품을 제조하는 일련의 프로세스들에는 챔버에 남아있는 가스를 정화하는 프로세스 또는 웨이퍼에 이온을 주입하는 프로세스 등 가스를 사용하는 다양한 프로세스들이 포함될 수 있다.

각각의 프로세스에 공급되는 가스를 저장하고 있는 가스 저장 장치의 가스가 소진되는 경우, 사용자는 직접 가스를 공급하는 가스통을 교체해야 한다. 종래에는 사용자의 부주의 등으로 가스통을 교체하는 과정에서 가스 누출이 발생하게 되면, 사용자가 가스 캐비닛을 직접 확인하기 전까지는 가스 누출을 인지할 수 없다. 그러므로, 사용자가 가스가 누출되었다는 사실을 즉시 인지하지 못해 가스 누출로 인한 사고를 예방하기 어렵다는 문제가 있다.

본 발명은 가스 캐비닛에 저장되어 있는 가스의 누출 사실을 자동으로 감지하여, 가스 누출로 인한 사고를 예방할 수 있는 반도체 공정을 모니터링 하는 방법 및 장치를 제공하는데 목적이 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 방법에 있어서,

가스 공급 장치에 저장되어 있는 상기 반도체 공정에 이용되는 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득하는 단계; 상기 획득한 데이터가 상기 가스의 누출 여부를 판단하기 위해 기설정된 범위를 만족하는지 여부를 판단하는 단계; 및 상기 판단 결과, 상기 획득한 데이터가 상기 기설정된 범위를 만족하지 않는 경우, 상기 가스 저장 장치를 제어하는 동작을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 방법에 있어서, 상기 가스 저장 장치를 제어하는 동작을 수행하는 단계는, 상기 가스의 누출 정보를 사용자에게 제공하는 알람을 발생시키는 동작 및 상기 가스 저장 장치를 차단하는 동작 중 적어도 하나의 동작을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 방법에 있어서 상기 판단하는 단계는, 상기 획득한 적어도 하나의 데이터의 변화량을 주기적으로 측정하는 단계; 상기 측정된 적어도 하나의 데이터의 변화량이 기설정된 변화량을 초과하는지 여부를 확인하는 단계; 및 상기 확인 결과에 기초하여, 상기 측정된 적어도 하나의 데이터의 변화량이 상기 기설정된 변화량을 초과하는 횟수가 소정 횟수 이상인지 여부를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 방법에 있어서, 상기 판단하는 단계는, 미리 설정된 시간 동안, 획득한 상기 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인지 판단하는 단계; 및 상기 판단 결과에 기초하여 상기 적어도 하나의 데이터가 상기 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 횟수 이상 연속적으로 발생하는지 여부를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 방법에 있어서, 상기 판단하는 단계는, 복수개의 시간 구간 각각에서 획득한 상기 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인지 여부를 판단하는 단계; 및 상기 판단 결과에 기초하여 소정 개수 이상의 시간 구간에서 상기 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인지 여부를 판단하는 단계를 포함할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 가스 누출 여부를 판단하는 방법을 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 가스 누출 여부를 판단하는 방법을 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 가스 누출 여부를 판단하는 방법을 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 장치의 블록도이다.

아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 시스템(10)을 도시한 도면이다.

도 1에 도시된 반도체 공정을 모니터링 하는 시스템(5)에는 본 실시예와 관련된 구성요소들만이 도시되어 있다. 따라서, 도 1에 도시된 구성요소들 외에 다른 범용적인 구성요소들이 더 포함될 수 있음을 본 실시예와 관련된 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이해할 수 있다.

도 1을 참고하면, 반도체 공정을 모니터링 하는 시스템(5)은 반도체 공정에 이용되는 가스를 공급하는 장치(10) 및 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)를 포함할 수 있다. 이하에서는, 반도체 공정에 이용되는 가스를 공급하는 장치(10)를 가스 공급 장치(10)로 설명하도록 한다.

가스 공급 장치(10)는 반도체 제품을 제조하는 적어도 하나의 프로세스에 가스를 공급할 수 있다. 예를 들어, 가스 공급 장치(10)는 웨이퍼를 가공하는 과정에서, 엣칭 프로세스 및 전극 형성 프로세스 등을 수행하기 위해, 각 프로세스에 적합한 가스를 각각의 프로세스가 수행되는 챔버에 주입할 수 있다. 또한, 가스 공급 장치(10)는 하나의 프로세스가 완료된 후, 다음 프로세스가 시작하기에 앞서, 챔버를 정화하기 위해 가스를 공급할 수도 있다.

가스 공급 장치(10) 내부에는, 저장하고 있는 가스의 종류에 따라 적어도 하나 이상의 캐비닛이 존재할 수 있다. 적어도 하나 이상의 캐비닛은 반도체 제품을 제조하는 프로세스가 수행되는 적어도 하나 이상의 챔버에 각각 연결되어 있다.

반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)의 내부에 저장되어 있는 가스가 누출되었는지 여부를 확인할 수 있다. 일반적으로 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스의 용량은 사용자가 수작업으로 측정하므로, 사용자가 직접 가스의 용량을 측정하기 전에는 가스의 누출 여부를 확인할 수 없다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스의 용량 등을 체크하여, 가스 누출이 발생하였다는 정보를 사용자에게 자동으로 제공할 수 있다.

한편, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)와 통신할 수 있다. 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스의 중량 데이터 및 압력 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 가스 공급 장치(10)로부터 수신할 수 있다. 한편, 여기에서 가스의 중량 데이터 또는 압력 데이터는 본 발명의 일 실시예일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10) 내부에 저장되어 있는 가스의 양을 확인할 수 있는 모든 종류의 정보를 획득할 수 있다.

반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)로부터 수신한 가스의 중량 데이터 및 압력 데이터 중 적어도 하나의 데이터(102)를 기초로, 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스가 누출되어 있는지 여부를 확인할 수 있다.

확인 결과, 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스가 누출되고 있는 경우, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)에 가스 공급 장치(10)의 동작을 제어하기 위한 동작 제어 신호(104)를 전송할 수 있다. 또한, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 사용자에게 동작 제어 신호(104)를 전송할 수 있다. 여기에서 동작 제어 신호(104)에는 가스 공급 장치(10)에서 가스를 저장하고 있는 캐비닛을 잠그는 동작을 명령하는 신호일 수도 있고, 사용자에게 가스 누출이 발생했음을 알리는 알람 신호일 수도 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

단계 210에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 반도체 공정에 이용되는 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 미리 설정된 시간 간격에 따라, 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스에 관한 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다. 예를 들어, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 사용자의 설정에 따라 1분, 5분, 1시간, 12시간 등의 시간 간격으로 가스에 관한 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다.

반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 미리 설정된 시간 간격별로 획득한 데이터를 누적하여 저장할 수 있다. 또한, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)로부터 획득한 데이터와 함께 데이터를 획득한 시간 정보를 저장할 수 있다. 한편, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 획득한 데이터가 어떠한 프로세스에 사용되는 가스인지에 관한 정보 역시 함께 저장할 수 있다.

단계 220에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 획득한 데이터가 기설정된 범위를 만족하는지 여부를 확인할 수 있다. 여기에서 기설정된 범위는 사용자가 프로세스에 이용되는 가스의 특성 등을 기초로 가스가 누출되었는지 여부를 판단하기 위해 설정한 값일 수 있다. 사용자는 가스가 사용되는 용도 등을 고려하여 가스 누출 여부를 판단하는데 기준이 되는 범위 값을 설정할 수 있다.

반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)로부터 획득한 가스의 중력 데이터 및 압력 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 기초로 미리 설정된 시간 간격 동안의 가스 용량의 최대값, 최소값, 평균 값, 표준 편차 등에 대한 정보를 포함하고 있는 통계 정보를 생성할 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스의 종류 별로 통계 정보를 생성할 수도 있다.

반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 생성된 통계 정보를 기초로, 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스가 누출되었는지 여부를 확인할 수 있다.

예를 들어, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 주기적으로 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터의 변화량를 산출할 수 있다. 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 산출된 적어도 하나의 데이터의 변화량이 기설정된 변화량을 초과하는 경우가 소정 횟수 이상 발생하는지 여부에 기초하여 가스 누출 여부를 판단할 수 있다. 이에 대해서는 도 3을 참고하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.

다른 예에 따르면, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 미리 설정된 시간 간격마다 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다. 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 횟수 이상 연속적으로 발생했는지 여부에 기초하여 가스 누출 여부를 판단할 수 있다. 이에 대해서는 도 4를 참고하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.

또 다른 예에 따르면, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 복수개의 시간 구간 각각에서 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다. 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 획득한 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 개수 이상의 구간에서 발생했는지 여부에 기초하여 가스 누출 여부를 판단할 수 있다. 이에 대해서는 도 5를 참고하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.

단계 230에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 판단 결과, 획득한 데이터가 기설정된 범위를 만족하지 않는 경우, 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작을 수행할 수 있다. 여기에서, 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작에는 사용자에게 가스 누출 사실을 알리기 위한 알람 신호를 발생시키는 동작 및 가스 공급 장치(10) 내부에 가스가 저장되어 있는 캐비닛을 차단하는 동작 등이 포함될 수 있다. 단, 이는 본 발명의 일 실시예일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 가스 누출 여부를 판단하는 방법을 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.

단계 310에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 반도체 공정에 이용되는 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다.

한편, 단계 310은 도 2의 단계 210과 대응될 수 있다.

단계 320에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 획득한 적어도 하나의 데이터의 변화량을 주기적으로 측정할 수 있다.

예를 들어, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 1초마다 주기적으로 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터의 변화량을 측정할 수 있다.

단계 330에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 측정된 변화량이 기설정된 변화량을 초과하는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 사용자는 가스가 누출되지 않고, 프로세스에 이용되는 경우의 변화량을 a1으로 설정할 수 있다. 이러한 경우, 가스의 감소에 의한 변화량이 a1을 초과한다면, 가스 누출의 가능성을 의심해 볼 수 있다.

단계 340에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 측정된 가스의 변화량이 기설정된 변화량을 초과하는 횟수가 소정 횟수 이상인지 여부를 판단할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 미리 설정된 시간 동안 측정된 변화량이 기설정된 변화량을 초과하는 횟수를 측정할 수 있다. 예를 들어, 1분 동안 가스의 감소에 의한 변화량이 a1을 초과하는 횟수가 몇회였는지 또는 1분 동안 가스의 감소에 의한 변화량이 a1을 초과하는 시간이 몇초였는지를 측정할 수 있다. 한편, 이는 본 발명의 일 실시예일 뿐, 사용자의 설정에 따라 판단 기준을 다르게 설정할 수 있다. 예를 들어, 사용자는 별도의 시간 설정을 하지 않고 측정된 가스의 변화량이 기설정된 변화량을 초과하는 횟수가 소정 횟수 이상인지 여부를 판단할 수 있다.

단계 350에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 판단 결과, 측정된 변화량이 기설정된 변화량을 초과하는 횟수가 소정 횟수 이상인 경우, 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작을 수행할 수 있다. 여기에서, 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작에는 사용자에게 가스 누출 사실을 알리기 위한 알람 신호를 발생시키는 동작 및 가스 공급 장치(10) 내부에 가스가 저장되어 있는 캐비닛을 차단하는 동작 등이 포함될 수 있다. 단, 이는 본 발명의 일 실시예일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 가스 누출 여부를 판단하는 방법을 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.

단계 410에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 가스 공급 장치(10)의 내부에 존재하는 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다.

한편, 단계 410은 도 2의 단계 210과 대응될 수 있다.

단계 420에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 미리 설정된 시간 동안 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인지 여부를 판단할 수 있다. 여기에서 기설정된 기준값은 가스가 반도체 공정에 사용되는 경우 예측되는 가스의 감소량에 기초하여 설정될 수 있다. 즉, 사용자는 반도체 공정이 수행되는 동안 감소되는 가스의 양을 예측하여, 특정 시간에 기준값 만큼의 가스가 저장되어 있을 것이라고 예상할 수 있다.

단계 430에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 횟수 이상 연속적으로 발생하는지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 제 1 시점에 기설정된 중량 기준값이 10인 경우, 실제 획득한 가스의 중량 데이터가 8이고, 제 1 시점과 연속된 시점인 제 2 시점에 기설정된 중량 기준값이 9이고, 실제 획득한 가스의 중량 데이터가 6인 경우가 해당될 수 있다.

단계 440에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 판단 결과, 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 횟수 이상 연속적으로 발생한 경우 공급 장치(20)를 제어하는 동작을 수행할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 횟수 이상 연속적으로 발생하게 되면, 가스가 누출되었다고 판단할 수 있다.

한편, 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작에는 사용자에게 가스 누출 사실을 알리기 위한 알람 신호를 발생시키는 동작 및 가스 공급 장치(10) 내부에 가스가 저장되어 있는 캐비닛을 차단하는 동작 등이 포함될 수 있다. 단, 이는 본 발명의 일 실시예일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

또한, 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하가 되는 횟수에 따라 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)가 제어하는 동작이 상이할 수 있다. 예를 들어, 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 연속적으로 3회인 경우에는 알람 신호를 발생시키는 동작을 수행할 수 있다. 다른 예에 따라, 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 연속적으로 5회인 경우에는 가스 공급 장치(10) 내부에 가스가 저장되어 있는 캐비닛을 차단하는 동작을 수행할 수 있다.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 가스 누출 여부를 판단하는 방법을 상세하게 설명하기 위한 흐름도이다.

단계 510에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 반도체 공정에 이용되는 가스를 공급하는 디바이스(20 이하, 가스 공급 장치)의 내부에 존재하는 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다.

한편, 단계 510은 도 2의 단계 210과 대응될 수 있다.

단계 520에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 복수개의 시간 구간 각각에서 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인지 여부를 판단할 수 있다. 예를 들어, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 1초에서 30초를 제 1 구간, 31초에서 60초를 제 2 구간, 61초에서 90초를 제 3 구간 등으로 복수개의 시간 구간을 설정할 수 있다. 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 제 1 구간, 제 2 구간 및 제 3 구간 등의 시간 구간에서 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 존재하는 시간 구간을 검출할 수 있다.

단계 530에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 시간 구간이 소정 개수 이상 존재하는지 여부를 판단할 수 있다.

단계 540에서, 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 판단 결과, 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 횟수 이상 연속적으로 발생한 경우 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작을 수행할 수 있다.

여기에서, 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작에는 사용자에게 가스 누출 사실을 알리기 위한 알람 신호를 발생시키는 동작 및 가스 공급 장치(10) 내부에 가스가 저장되어 있는 캐비닛을 차단하는 동작 등이 포함될 수 있다. 단, 이는 본 발명의 일 실시예일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)의 블록도이다.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 입력부(110), 제어부(120) 및 출력부(130)를 포함할 수 있다. 그러나 도시된 구성요소 모두가 필수구성요소인 것은 아니다. 도시된 구성요소보다 많은 구성요소에 의해 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)가 구현될 수도 있고, 그보다 적은 구성요소에 의해서도 반도체 공정을 모니터링 하는 장치(100)는 구현될 수 있다.

이하 상기 구성요소들에 대해 차례로 살펴본다.

입력부(110)는 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 반도체 공정에 이용되는 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 입력부(110)는 미리 설정된 시간 간격에 따라, 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스에 관한 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다. 또한, 입력부(110)는 미리 설정된 시간 간격별로 획득한 데이터를 누적하여 메모리(미도시)에 저장할 수 있다. 또한, 입력부(110)는 가스 공급 장치(10)로부터 획득한 데이터와 함께 데이터를 획득한 시간 정보를 메모리(미도시)에 저장할 수 있다. 한편, 입력부(110)는 획득한 데이터가 어떠한 프로세스에 사용되는 가스인지에 관한 정보 또한 메모리(미도시)에 함께 저장할 수 있다.

제어부(120)는 획득한 적어도 하나의 데이터가 가스 누출을 감지하기 위해 기설정한 범위를 만족하는지 여부를 확인할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제어부(120)는 사용자 입력부(122), 통계 정보 산출부(124), 판단부(126) 및 제어 신호 생성부(128)를 포함할 수 있다.

사용자 입력부(122)는 가스 누출을 감지하기 위한 기준값들을 사용자로부터 수신할 수 있다. 사용자는 가스의 종류 및 특성과 가스가 사용되는 공정의 특성에 기초하여, 가스 누출을 감지하기 위한 기준값들을 설정할 수 있다.

통계 정보 산출부(124)는 가스 공급 장치(10)로부터 획득한 가스의 중력 데이터 및 압력 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 기초로 미리 설정된 시간 간격 동안의 가스 용량의 최대값, 최소값, 평균 값, 표준 편차 등에 대한 정보를 포함하고 있는 통계 정보를 생성할 수 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 통계 정보 산출부(124)는 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스의 종류 별로 통계 정보를 생성할 수도 있다.

판단부(126)는 생성된 통계 정보를 기초로, 가스 공급 장치(10)에 저장되어 있는 가스가 누출되었는지 여부를 확인할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 판단부(126)는 주기적으로 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터의 변화량를 산출할 수 있다. 판단부(126)는 산출된 적어도 하나의 데이터의 변화량이 기설정된 변화량을 초과하는 경우가 소정 횟수 이상 발생하는지 여부에 기초하여 가스 누출 여부를 판단할 수 있다.

다른 예에 따르면, 입력부(110)는 기설정된 시간 간격마다 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다. 판단부(126)는 획득한 적어도 하나의 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 횟수 이상 연속적으로 발생했는지 여부에 기초하여 가스 누출 여부를 판단할 수 있다.

또 다른 예에 따르면, 입력부(110)는 복수개의 시간 구간 각각에서 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득할 수 있다. 판단부(126)는 획득한 데이터가 기설정된 기준값 이하인 경우가 소정 개수 이상의 구간에서 발생했는지 여부에 기초하여 가스 누출 여부를 판단할 수 있다.

한편, 제어 신호 생성부(128)는 판단부(126)에서 획득한 적어도 하나의 데이터를 기초로 판단한 결과 가스 누출이 발생하였다고 판단되는 경우, 가스 저장 장치(20)의 동작을 제어하기 위한 동작 제어 신호를 생성할 수 있다. 제어 신호 생성부(128)는 생성된 동작 제어 신호를 출력부(130)에 전송할 수 있다.

출력부(130)는 판단 결과, 획득한 데이터가 기설정된 범위를 만족하지 않는 경우, 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작을 수행할 수 있다. 여기에서, 가스 공급 장치(10)를 제어하는 동작에는 사용자에게 가스 누출 사실을 알리기 위한 알람 신호를 발생시키는 동작 및 가스 공급 장치(10) 내부에 가스가 저장되어 있는 캐비닛을 차단하는 동작 등이 포함될 수 있다. 단, 이는 본 발명의 일 실시예일 뿐, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.

본 발명에 따른 장치는 프로세서, 프로그램 데이터를 저장하고 실행하는 메모리, 디스크 드라이브와 같은 영구 저장부(permanent storage), 외부 장치와 통신하는 통신 포트, 터치 패널, 키(key), 버튼 등과 같은 사용자 인터페이스 장치 등을 포함할 수 있다. 소프트웨어 모듈 또는 알고리즘으로 구현되는 방법들은 상기 프로세서상에서 실행 가능한 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드들 또는 프로그램 명령들로서 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체 상에 저장될 수 있다. 여기서 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체로 마그네틱 저장 매체(예컨대, ROM(read-only memory), RAM(random-access memory), 플로피 디스크, 하드 디스크 등) 및 광학적 판독 매체(예컨대, 시디롬(CD-ROM), 디브이디(DVD: Digital Versatile Disc)) 등이 있다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록 매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템들에 분산되어, 분산 방식으로 컴퓨터가 판독 가능한 코드가 저장되고 실행될 수 있다. 매체는 컴퓨터에 의해 판독가능하며, 메모리에 저장되고, 프로세서에서 실행될 수 있다.

본 발명에서 인용하는 공개 문헌, 특허 출원, 특허 등을 포함하는 모든 문헌들은 각 인용 문헌이 개별적으로 및 구체적으로 병합하여 나타내는 것 또는 본 발명에서 전체적으로 병합하여 나타낸 것과 동일하게 본 발명에 병합될 수 있다.

본 발명의 이해를 위하여, 도면에 도시된 바람직한 실시 예들에서 참조 부호를 기재하였으며, 본 발명의 실시 예들을 설명하기 위하여 특정 용어들을 사용하였으나, 특정 용어에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명은 당업자에 있어서 통상적으로 생각할 수 있는 모든 구성 요소들을 포함할 수 있다.

본 발명은 기능적인 블록 구성들 및 다양한 처리 단계들로 나타내어질 수 있다. 이러한 기능 블록들은 특정 기능들을 실행하는 다양한 개수의 하드웨어 또는/및 소프트웨어 구성들로 구현될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 하나 이상의 마이크로프로세서들의 제어 또는 다른 제어 장치들에 의해서 다양한 기능들을 실행할 수 있는, 메모리, 프로세싱, 로직(logic), 룩업 테이블(look-up table) 등과 같은 직접 회로 구성들을 채용할 수 있다. 본 발명에의 구성 요소들이 소프트웨어 프로그래밍 또는 소프트웨어 요소들로 실행될 수 있는 것과 유사하게, 본 발명은 데이터 구조, 프로세스들, 루틴들 또는 다른 프로그래밍 구성들의 조합으로 구현되는 다양한 알고리즘을 포함하여, C, C++, 자바(Java), 어셈블러(assembler) 등과 같은 프로그래밍 또는 스크립팅 언어로 구현될 수 있다. 기능적인 측면들은 하나 이상의 프로세서들에서 실행되는 알고리즘으로 구현될 수 있다. 또한, 본 발명은 전자적인 환경 설정, 신호 처리, 및/또는 데이터 처리 등을 위하여 종래 기술을 채용할 수 있다. "매커니즘", "요소", "수단", "구성"과 같은 용어는 넓게 사용될 수 있으며, 기계적이고 물리적인 구성들로서 한정되는 것은 아니다. 상기 용어는 프로세서 등과 연계하여 소프트웨어의 일련의 처리들(routines)의 의미를 포함할 수 있다.

본 발명에서 설명하는 특정 실행들은 일 실시 예들로서, 어떠한 방법으로도 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다. 명세서의 간결함을 위하여, 종래 전자적인 구성들, 제어 시스템들, 소프트웨어, 상기 시스템들의 다른 기능적인 측면들의 기재는 생략될 수 있다. 또한, 도면에 도시된 구성 요소들 간의 선들의 연결 또는 연결 부재들은 기능적인 연결 및/또는 물리적 또는 회로적 연결들을 예시적으로 나타낸 것으로서, 실제 장치에서는 대체 가능하거나 추가의 다양한 기능적인 연결, 물리적인 연결, 또는 회로 연결들로서 나타내어질 수 있다. 또한, "필수적인", "중요하게" 등과 같이 구체적인 언급이 없다면 본 발명의 적용을 위하여 반드시 필요한 구성 요소가 아닐 수 있다.

본 발명의 명세서(특히 특허청구범위에서)에서 "상기"의 용어 및 이와 유사한 지시 용어의 사용은 단수 및 복수 모두에 해당하는 것일 수 있다. 또한, 본 발명에서 범위(range)를 기재한 경우 상기 범위에 속하는 개별적인 값을 적용한 발명을 포함하는 것으로서(이에 반하는 기재가 없다면), 발명의 상세한 설명에 상기 범위를 구성하는 각 개별적인 값을 기재한 것과 같다. 마지막으로, 본 발명에 따른 방법을 구성하는 단계들에 대하여 명백하게 순서를 기재하거나 반하는 기재가 없다면, 상기 단계들은 적당한 순서로 행해질 수 있다. 반드시 상기 단계들의 기재 순서에 따라 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 모든 예들 또는 예시적인 용어(예들 들어, 등등)의 사용은 단순히 본 발명을 상세히 설명하기 위한 것으로서 특허청구범위에 의해 한정되지 않는 이상 상기 예들 또는 예시적인 용어로 인해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다. 또한, 당업자는 다양한 수정, 조합 및 변경이 부가된 특허청구범위 또는 그 균등물의 범주 내에서 설계 조건 및 팩터에 따라 구성될 수 있음을 알 수 있다.

5: 반도체 공정을 모니터링 하는 시스템
10: 가스 공급 장치
100: 반도체 공정을 모니터링 하는 장치
102: 가스의 중량데이터 및 압력데이터 중 적어도 하나의 데이터
104: 동작 제어 신호

Claims (6)

1. 반도체 공정을 모니터링 하는 방법에 있어서,
   상기 반도체 공정에 이용되는 복수의 가스들 각각에 대해 미리 설정된 시간 동안 획득된 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 기초로 최대값, 최소값, 평균값 및 표준 편차 중 적어도 하나를 포함하느 통계 정보를 생성하는 단계;
   가스 공급 장치에 저장되어 있는 상기 반도체 공정에 이용되는 가스를 식별하는 단계;
   상기 식별된 가스의 압력 데이터 및 중량 데이터 중 적어도 하나의 데이터를 획득하는 단계;
   상기 생성된 통계 정보에서 상기 식별된 가스의 통계 정보를 검출하여, 상기 획득된 적어도 하나의 데이터와 비교하는 단계; 및
   상기 비교 결과, 상기 획득된 적어도 하나의 데이터가 상기 검출된 통계 정보가 나타내는 기설정된 범위를 만족하지 않는 경우, 상기 가스 공급 장치를 제어하는 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 가스 공급 장치를 제어하는 동작을 수행하는 단계는,
   상기 가스의 누출 정보를 사용자에게 제공하는 알람을 발생시키는 동작 및 상기 가스 공급 장치를 차단하는 동작 중 적어도 하나의 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 비교하는 단계는,
   상기 획득된 적어도 하나의 데이터의 변화량을 주기적으로 측정하는 단계;
   상기 측정된 적어도 하나의 데이터의 변화량이 상기 검출된 통계 정보가 나타내는 범위를 초과하는지 여부를 확인하는 단계; 및
   상기 확인 결과에 기초하여, 상기 측정된 적어도 하나의 데이터의 변화량이 상기 검출된 통계 정보가 나타내는 범위를 초과하는 횟수가 소정 횟수 이상인지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 비교하는 단계는,
   미리 설정된 시간 동안, 획득한 상기 적어도 하나의 데이터가 상기 검출된 통계 정보가 나타내는 기준값 이하인지 판단하는 단계; 및
   상기 판단 결과에 기초하여 상기 적어도 하나의 데이터가 상기 기준값 이하인 경우가 소정 횟수 이상 연속적으로 발생하는지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 비교하는 단계는,
   복수개의 시간 구간 각각에서 획득한 상기 적어도 하나의 데이터가 상기 검출된 통계 정보가 나타내는 기준값 이하인지 여부를 판단하는 단계; 및
   상기 판단 결과에 기초하여 소정 개수 이상의 시간 구간에서 상기 적어도 하나의 데이터가 상기 기준값 이하인지 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제 1항 내지 제 5항 중 어느 하나의 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.
   

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