KR101532655B1 - Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 스위칭 소자로서의 박막 트랜지스터가 투명 절연 기판에 형성되는 표시장치, 상기 표시장치의 구동방법, 및 전자기기에 관한 것이다.The present invention relates to a display device in which a thin film transistor as a switching device is formed on a transparent insulating substrate, a driving method of the display device, and an electronic device.
본 발명은 2008년 4월 30일자에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 JP 2008-119202, 둘다 2007년 6월 29일자에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 JP 2007-173459 및 JP 2007-173460에 관련된 주제를 포함하며, 그 전체 내용은 본 명세서에 참고문헌으로 첨부된다.The present invention relates to Japanese Patent Application JP 2008-119202 filed on April 30, 2008, Japanese Patent Application JP 2008-119202, both of which are filed on June 29, 2007, Japanese Patent Application JP 2007-173459 and JP 2007-173460 The subject matter of which is incorporated herein by reference in its entirety.
표시장치, 예를 들면 액정 셀이 표시 엘리먼트 또는 전기광학 엘리먼트로서 사용되는 액정 표시장치는 화소가 매트릭스 형태로 배열되고 출력 화상이 액정 표시면을 통하여 표시되는 화상 표시장치이다.A display device, for example, a liquid crystal display device in which a liquid crystal cell is used as a display element or an electro-optical element is an image display device in which pixels are arranged in a matrix form and an output image is displayed through a liquid crystal display surface.
액정 표시장치는 초박형이고 저소비 전력이라는 특징을 가진다. 그 특징을 최대한 이용하고 있는, 액정 표시장치는 예를 들면 휴대 정보단말(Personal Digital Assistants: PDA), 휴대전화, 디지털 카메라, 비디오 카메라, 개인용 컴퓨터와 같은 폭넓은 전자기기에 적용된다.The liquid crystal display device is characterized by being ultra-thin and low in power consumption. The liquid crystal display device making full use of the characteristics is applied to a wide range of electronic devices such as a personal digital assistant (PDA), a cellular phone, a digital camera, a video camera, and a personal computer.
도 1a 내지 도 1c는 일반적인 액정 표시장치의 일례 및 그 액정 표시장치의 게이트 펄스 파형을 도시한다.1A to 1C show an example of a general liquid crystal display device and a gate pulse waveform of the liquid crystal display device.
도 1a를 참조하면, 도시된 액정 표시장치(1)는 유효 화소부(2), 수직 구동회로(vertical driving circuit: VDRV)(3), 및 수평 구동회로(horizontal driving circuit: HDRV)(4)를 포함한다.1A, the
유효 화소부(2)는 매트릭스 형태로 배열된 복수의 화소 회로(21)를 가진다.The
각각의 화소 회로(21)는 스위칭 소자로서 기능하는 박막 트랜지스터(TFT)(22), 액정 셀(23), 및 저장 용량(24)을 포함한다. 액정 셀(23)은 그것의 화소 전극이 TFT(22)의 드레인 전극 또는 소스 전극에 접속된다. 저장 용량(24)은 그것의 일방의 전극이 TFT(22)의 드레인 전극에 접속된다.Each
화소 회로(21)는 각 행마다 화소 배열 방향을 따라 배선되는 게이트 라인(5-1 내지 5-m) 및 각 열마다 그 화소 배열 방향을 따라 배선되는 신호 라인(6-1 내지 6-n)에 접속된다.The
화소 회로(21)의 TFT(22)의 게이트 전극은 행단위로 동일한 게이트 라인(5-1 내지 5-m)에 각각 접속된다. 화소 회로(21)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 열단위로 동일한 신호 라인(6-1 내지 6-n)에 각각 접속된다.The gate electrodes of the
또한, 각각의 액정 셀(23)에 있어서, 그 화소 전극이 TFT(22)의 드레인 전극에 접속되고, 그 대향 전극이 공통 라인(7)에 접속된다. 저장 용량(24)은 TFT(22) 의 드레인 전극과 공통 라인(7) 사이에 접속된다.In each
공통 라인(7)은 유리 기판에 구동회로 등과 일체로 형성되는 도면에 도시되지 않은 VCOM 회로로부터, 공통 전압(Vcom)으로서, 소정의 교류전압을 수신하도록 접속된다.The
게이트 라인(5-1 내지 5-m)은 수직 구동회로(3)에 의해 각각 구동되며, 신호 라인(6-1 내지 6-n)은 수평 구동회로(4)에 의해 각각 구동된다.The gate lines 5-1 to 5-m are respectively driven by the
수직 구동회로(3)는 수직 스타트 신호(VST), 수직 클록(Vclk), 및 인에이블 신호(ENAB)를 수신하며, 게이트 라인(5-1 내지 5-m)에 접속된 화소 회로(21)를 행단위로 순차 선택하도록 1필드 기간마다 수직방향, 즉 행 방향으로 주사한다.The
특히, 주사 펄스(Gp1)가 수직 구동회로(3)로부터 주사 라인(5-1)에 인가될 때 제1행째의 열의 화소가 선택되고, 다른 주사 펄스(Gp2)가 주사 라인(5-2)에 인가될 때 제2행째의 열의 화소가 선택된다. 그후에, 게이트 펄스(Gp3,…, Gpm)가 게이트 라인 또는 주사 라인(5-3,…, 5-m)에 유사하게 각각 인가된다.Particularly, when the scanning pulse Gp1 is applied from the
게이트 버퍼(8-1 내지 8-m)가 수직 구동회로(3)에서 각 게이트 라인(5-1 내지 5-m)으로의 게이트 펄스(Gp)의 출력 스테이지에 설치된다.The gate buffers 8-1 to 8-m are provided in the output stage of the gate pulse Gp from the
도 1b는 게이트 펄스(Gpm)의 게이트 버퍼링후 게이트 버퍼(8-m)에서 게이트 라인(5-m)으로의 출력 스테이지에 있어서의 파형 예를 도시한다.Fig. 1B shows an example of waveforms in the output stage from the gate buffer 8-m to the gate line 5-m after gate buffering of the gate pulse Gpm.
도 1c는 게이트 펄스(Gpm)의 게이트 라인(5-m)의 배선 말단부에 있어서의 파형 예를 도시한다.1C shows an example of waveform at the wiring end of the gate line 5-m of the gate pulse Gpm.
수평 구동회로(4)는 도시되지 않은 클록 발생기에로부터 생성된 수평주사의 시작을 표시하는 수평 스타트 펄스(Hst), 수평주사의 기준으로서 사용되는 서로 역상의 수평 클록(Hclk)을 수신한다. 다음에, 수평 구동회로(4)는 샘플링 펄스를 생성한다.The
수평 구동회로(4)는 생성된 샘플링 펄스에 응답하여 입력되는 화상 데이터 R(빨강), G(초록), B(파랑)를 순차 샘플링하고, 샘플링된 화상 데이터를 화소 회로(21)에 기록되는 데이터 신호로서 신호 라인(6-1 내지 6-n)에 공급한다.The
수평 구동회로(4)는 신호 라인을 복수의 그룹으로 분할하고, 분할 그룹에 대응하는 신호 드라이버(41 내지 44)를 포함한다.The
도 1에 도시된 액정 표시장치(1)는 기본적인 구성을 보이고 있지만, 전술한 바와 같은 수직 구동회로(3)에 의한 게이트 라인 구동 및 전술한 바와 같은 수평 구동회로(4)에 의한 신호 라인 구동에 관한 기술이 다수 제안되어 있다. 그런 기술들은 예를 들면 일본국 특허 제3,276,996호(이하, 특허문헌 1로서 참조됨), 일본국 공개특허공보 제2007-52370호(이하, 특허문헌 2로서 참조됨), 일본국 특허 제3,270,485호(이하, 특허문헌 3으로서 참조됨), 일본국 공개특허공보 제2006-78505호(이하, 특허문헌 4로서 참조됨), 일본국 공개특허공보 제2005-148424호(이하, 특허문헌 5로서 참조됨), 및 일본국 공개특허공보 제2005-148425호(이하, 특허문헌 6으로서 참조됨)에 개시되어 있다.Although the liquid
부수적으로, 도 1에 도시된 액정 표시장치(1)의 수직 구동회로(3)로부터 출력된 게이트 펄스(Gp)는 보통 패널 내부의 게이트 배선의 저항과 게이트 배선에 기생하고 있는 용량, 즉 TFT의 게이트 용량, 화소 전극과 VCOM 배선 사이의 용량에 의해 임피던스를 발생시킨다.Incidentally, the gate pulse Gp outputted from the
그 결과, 수직 구동회로(3)의 각 게이트 배선의 말단부에서, 즉 수직 구동회로(3)로부터 게이트 배선의 원단부에서의 게이트 출력 파형은 도 1c에서 파선으로 나타낸 바와 같이 발생된 임피던스에 의해 시정수가 발생되기 때문에 수직 구동회로(3)의 바로 다음의 출력 스테이지에서의 출력에 대하여 약간의 왜곡을 나타낸다.As a result, the gate output waveform at the end of each gate wiring of the
게이트 펄스의 파형의 왜곡은 게이트 라인 상의 수직 구동회로(3)의 출력 스테이지로부터 거리가 다른 위치들 간의 파형에서 약간의 차이를 가져온다.The distortion of the waveform of the gate pulse causes a slight difference in the waveform between the positions at different distances from the output stage of the
그 결과, 게이트 라인 상의 다른 위치에 있는 화소 트랜지스터로서의 TFT(22)가 서로 벗어난 타이밍에 게이트 신호에 의해 온되며, 결과적으로 액정 표시장치에서의 화상품질이 열화된다. 특히, 수평방향에서의 블랙 및 그레이의 휘도차이가 나타난다.As a result, the
또한, 예를 들면, 4K2K의 슈퍼 하이비전(4,096 × RGB × 1,080)의 화소수와 관련하여, 수평 기간(1H)이 하이비전(1,920 × RGB × 1,080)보다 한층 더 짧기 때문에, 화질 열화가 한층 더 심각하다.Further, regarding the number of pixels of 4K2K super high vision (4,096 x RGB x 1,080), since the horizontal period (1H) is much shorter than the high vision (1,920 x RGB x 1,080) More serious.
그외에, 240Hz(보통 60Hz)의 고프레임율은 1H 기간을 1/4까지 추가로 감소시 키며, 화상 자체의 표시가 불가능해진다.In addition, a high frame rate of 240 Hz (typically 60 Hz) further reduces the 1H period to 1/4, rendering the picture itself impossible to display.
여기에서, 고프레임율이 설명된다. 예를 들면, 액정 표시장치는 1초간에 표시하는 프레임수와 프레임 주파수를 보통의 4배까지 증가시켜 표시하여 동영상 특성을 개선하는 기술을 사용한다. 액정 표시장치는 보통 60Hz로 동작하기 때문에, 고프레임율은 240Hz가 된다.Here, a high frame rate is described. For example, a liquid crystal display uses a technique of improving the moving picture characteristics by displaying the frame number and the frame frequency displayed in one second to increase to four times the normal number. Since the liquid crystal display normally operates at 60 Hz, the high frame rate is 240 Hz.
한편, 특허문헌 1 내지 6에 개시된 기술은 이하에 설명된 바와 같은 단점을 가진다.On the other hand, the techniques disclosed in
특허문헌 1에 개시된 기술은 게이트 펄스의 하강 에지를 고의로 상승 에지보다 길게 하여 트랜지스터의 오프시 화소 전극내의 원치않는 전위를 억제하는 방법에 대한 것이다. 그러나, 이 기술은 게이트 라인에 따른 지연 분포의 해소에 대한 대책이 되지 못한다.The technique disclosed in
그러므로, 이 기술은 게이트 라인의 저항이 화면의 좌우에서의 쉐이딩(shading) 감소를 일으키는 것 같은 고화소수를 포함하거나 또는 표시를 위해 고프레임율을 사용하는 액정 표시장치에는 맞지 않다.Therefore, this technique is incompatible with liquid crystal displays that include a high number of pixels, such that the resistance of the gate line causes shading reduction on the left and right of the screen, or that use a high frame rate for display.
특허문헌 2에 개시된 기술은 각 화소마다 수행되는 수직방향에서의 데이터 전송, 개별 화소마다 배치된 제어 클록 배선에 따른 수직 방향의 수평 주사 신호의 전송, 및 각 화소마다의 게이트 펄스 신호의 출력을 포함한다.The technique disclosed in
이 기술에 따르면, 시프트 레지스터용 전원(VDD 및 VSS), 클록 신호, 및 ㅅ시프트 레지스터용 클록 신호와 입력 신호 라인 및 출력 신호 라인이 요구되고, 이들 라인에 대한 공간이 액정의 개구 주변에 필요하다. 이것은 액정의 개구율을 감 소시키는 원인이 된다.According to this technique, the power supply (VDD and VSS) for the shift register, the clock signal, and the clock signal for the shift register and the input signal line and the output signal line are required, and a space for these lines is required around the opening of the liquid crystal . This causes a decrease in the aperture ratio of the liquid crystal.
이것은 투과율의 감소를 초래하고 백라이트에 대한 전력을 증가시킨다.This results in a decrease in transmittance and an increase in power to the backlight.
또한, 제어 클록 라인과 신호 라인이 서로 인접하기 때문에, 신호 라인과 제어 클록 라인 사이의 기생 용량에 의한 원치않는 전위의 침입이 발생한다. 결과적으로, 오동작이 발생하기 쉽다. 더욱이, 클록 자체가 용량에 의해 초래되는 왜곡에 의한 지연을 가지기 때문에, 게이트 지연을 억제하는 효과가 없다.Further, since the control clock line and the signal line are adjacent to each other, an invasion of an undesired potential by the parasitic capacitance between the signal line and the control clock line occurs. As a result, malfunctions are likely to occur. Furthermore, since the clock itself has a delay caused by the distortion caused by the capacitance, there is no effect of suppressing the gate delay.
특허문헌 3에 개시된 기술은 아날로그 신호 뿐만 아니라 디지털 데이터가 표시를 위한 신호 데이터로서 사용되는 PWM(Pulse Wave Modulation)법을 사용하며, 화소의 게이트 펄스가 수신되고 CMOS 회로의 출력이 화소 전위의 출력으로서 사용된다.The technique disclosed in
그러나, 이 기술은 근본적으로 게이트 배선의 지연 대책을 제공하지 않는다. 그러므로, 이 기술은 게이트 라인의 저항이 화면의 좌우에서의 쉐이딩 감소를 일으키는 것 같은 고화소수를 포함하거나 또는 표시를 위해 고프레임율을 사용하는 액정 표시장치에는 맞지 않다.However, this technique fundamentally does not provide delay measures for gate wiring. Therefore, this technique is incompatible with liquid crystal displays in which the resistance of the gate line includes a high number of pixels, such as causing shading on the left and right of the screen, or using a high frame rate for display.
특허문헌 4에 개시된 표시 방법에 있어서, 박막 트랜지스터(TFT)를 사용하는 기록 방법이 다음과 같은 방식으로 수행된다.In the display method disclosed in
상기 기록 방법에서, 화소 표시는 왼쪽으로부터 순차 수행되고, 1/240초간에 1프레임 화상의 기록 또는 순차적으로 빗나간 타이밍에 1/60초간의 액정에 대한 기록을 행하고, 마치 1/24초에서의 프레임 재기록이 수행되는 것처럼 나타난다(특허문헌 4의 도 21).In the above-described recording method, the pixel display is sequentially performed from the left, and recording of one frame image in 1/240 second or recording of liquid crystal in 1/60 second is performed at the timing of sequentially deviating, The rewriting is performed as shown in Fig. 21 of Patent Document 4).
그러나, 특허문헌 4에는 데이터 라인 구동회로내의 화상 신호 데이터의 입력 타이밍(입력 방법)에 관하여 서술하고 있지 않으며, 화상 프레임 주파수의 240Hz에서의 구체적 기록 시스템이 개시되지 않는다.However,
특허문헌 5 및 6에 개시된 기술에서, 메모리가 전력 소비의 감소를 위하여 화소내에 내장되며, CMOS의 SRAM 구조의 회로가 구성된다.In the techniques disclosed in
그러나, 이 기술은 어디까지나 화소 전위를 공급하기 위한 회로와 신호 라인의 배선에 관한 것이며, 게이트 지연을 해소하는 회로 구성을 개시하지는 않는다.However, this technique relates only to the circuit for supplying the pixel potential and the wiring of the signal line, and does not disclose a circuit configuration for solving the gate delay.
그러므로, 표시장치의 게이트 라인에 따른 지연이 발생하기 때문에, 그 회로는 고화소수를 포함하는 또는 고속으로 구동되는 표시장치에는 대응할 수 없다.Therefore, since a delay occurs in accordance with the gate line of the display device, the circuit can not cope with a display device including a high number of pixels or driven at a high speed.
따라서, 주사 라인에 따른 지연을 억제할 수 있고 고화소수가 고속으로 구동될 수 있는, 표시장치, 표시장치의 구동방법, 및 전자기기를 제공하는 것이 요구된다.Therefore, it is required to provide a display device, a method of driving the display device, and an electronic device capable of suppressing the delay along the scanning line and capable of driving a high number of pixels at a high speed.
본 발명의 실시예에 따르면, 복수 열의 매트릭스를 형성하도록 배치되고, 화소 데이터가 스위칭 소자를 통해 기록되는, 복수의 화소 회로를 포함하는 화소부; 상기 화소 회로의 행에 대응하여 배치되고, 상기 스위칭 소자의 도통을 제어하는 복수의 주사 라인; 상기 화소 회로의 열에 대응하여 배치되고, 상기 화소 데이터를 전파시키는 복수의 신호 라인; 및 상기 화소 회로의 스위칭 소자를 상기 복수의 주사 회로에 도통시키기 위한 주사 펄스를 출력하는 구동회로를 포함하는 표시장치로 서, 파형 정형 회로가 각 주사 라인의 배선에 배치되어, 상기 주사 라인으로 전파된 주사 펄스의 파형 정형을 수행하는 것을 특징으로 하는 표시장치가 제공된다.According to the embodiment of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a pixel portion including a plurality of pixel circuits arranged to form a matrix of a plurality of columns and pixel data is written through switching elements; A plurality of scan lines arranged corresponding to the rows of the pixel circuits and controlling conduction of the switching elements; A plurality of signal lines arranged corresponding to columns of the pixel circuits and propagating the pixel data; And a driving circuit for outputting a scanning pulse for making the switching element of the pixel circuit conductive to the plurality of scanning circuits, wherein the waveform shaping circuit is arranged in the wiring of each scanning line, And the waveform shaping of the scan pulse is performed.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 복수 열의 매트릭스를 형성하도록 배치되고, 화소 데이터가 스위칭 소자를 통해 기록되는, 복수의 화소 회로를 포함하는 화소부; 상기 화소 회로의 행에 대응하여 배치되고, 상기 스위칭 소자의 도통을 제어하는 복수의 주사 라인; 상기 화소 회로의 열에 대응하여 배치되고, 상기 화소 데이터를 전파시키는 복수의 신호 라인; 및 상기 화소 회로의 스위칭 소자를 상기 복수의 주사 회로에 도통시키기 위한 주사 펄스를 출력하는 구동회로를 포함하는 표시장치의 구동방법으로서, 상기 복수의 주사 라인의 각 주사 라인 중간에서 전파된 주사 펄스의 파형을 정형하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동방법이 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a pixel portion including a plurality of pixel circuits arranged to form a matrix of a plurality of columns and pixel data is written through switching elements; A plurality of scan lines arranged corresponding to the rows of the pixel circuits and controlling conduction of the switching elements; A plurality of signal lines arranged corresponding to columns of the pixel circuits and propagating the pixel data; And a driving circuit for outputting a scanning pulse for causing a switching element of the pixel circuit to conduct to the plurality of scanning circuits, the driving method comprising the steps of: applying a scanning pulse to the plurality of scanning lines, There is provided a method of driving a display device, comprising the step of shaping a waveform.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 복수 열의 매트릭스를 형성하도록 배치되고, 화소 데이터가 스위칭 소자를 통해 기록되는, 복수의 화소 회로를 포함하는 화소부; 상기 화소 회로의 행에 대응하여 배치되고, 상기 스위칭 소자의 도통을 제어하는 복수의 주사 라인; 상기 화소 회로의 열에 대응하여 배치되고, 상기 화소 데이터를 전파시키는 복수의 신호 라인; 및 상기 화소 회로의 스위칭 소자를 상기 복수의 주사 회로에 도통시키기 위한 주사 펄스를 출력하는 구동회로를 포함하는 표시장치의 구동방법으로서, 상기 신호 라인에 평행한 배선을 통해 인에이블 신호를 공급하여 상기 인에이블 신호에 따라 파형 정형 동작의 시작을 제어하는 단계; 및 상기 복수의 주사 라인의 각 주사 라인 중간에 전파된 주사 펄스의 파형을 정형 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 구동방법이 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided a liquid crystal display comprising: a pixel portion including a plurality of pixel circuits arranged to form a matrix of a plurality of columns and pixel data is written through switching elements; A plurality of scan lines arranged corresponding to the rows of the pixel circuits and controlling conduction of the switching elements; A plurality of signal lines arranged corresponding to columns of the pixel circuits and propagating the pixel data; And a driving circuit for outputting a scanning pulse for causing a switching element of the pixel circuit to conduct to the plurality of scanning circuits, the method comprising: supplying an enable signal through a wiring parallel to the signal line, Controlling the start of the waveform shaping operation according to the enable signal; And shaping the waveform of the scanning pulse propagated in the middle of each scanning line of the plurality of scanning lines.
본 발명의 또다른 실시예에 따르면, 표시장치를 포함하는 전자기기로서, 상기 표시장치는, 복수 열의 매트릭스를 형성하도록 배치되고, 화소 데이터가 스위칭 소자를 통해 기록되는, 복수의 화소 회로를 포함하는 화소부; 상기 화소 회로의 행에 대응하여 배치되고, 상기 스위칭 소자의 도통을 제어하는 복수의 주사 라인; 상기 화소 회로의 열에 대응하여 배치되고, 상기 화소 데이터를 전파시키는 복수의 신호 라인; 상기 화소 회로의 스위칭 소자를 상기 복수의 주사 회로에 도통시키기 위한 주사 펄스를 출력하는 구동회로; 및 각 주사 라인의 배선에 배치되어 상기 주사 라인에 전파된 주사 펄스의 파형 정형을 수행하는 파형 정형 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자기기가 제공된다.According to another embodiment of the present invention, there is provided an electronic apparatus including a display device, wherein the display device includes a plurality of pixel circuits arranged to form a matrix of a plurality of columns and pixel data is recorded through a switching element A pixel portion; A plurality of scan lines arranged corresponding to the rows of the pixel circuits and controlling conduction of the switching elements; A plurality of signal lines arranged corresponding to columns of the pixel circuits and propagating the pixel data; A driving circuit for outputting a scanning pulse for making a switching element of the pixel circuit conductive to the plurality of scanning circuits; And a waveform shaping circuit arranged in the wiring of each scanning line and performing waveform shaping of the scanning pulse propagated to the scanning line.
상기 표시장치, 표시장치의 구동방법, 및 전자기기는 이들이 주사 라인에서의 지연을 억제할 수 있고, 고속으로 구동되는 고화소수의 표시를 수행할 수 있다는 점에서 유리하다.The display device, the driving method of the display device, and the electronic device are advantageous in that they can suppress the delay in the scanning line and perform display of a high number of pixels driven at high speed.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<제1 실시예>≪
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 제1실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 예를 도시한다.FIGS. 2A to 2C show a configuration example of a liquid crystal display device and a gate pulse example according to the first embodiment of the present invention.
도 2a를 참조하면, 액정 표시장치(100)는 유효 화소 영역부(110), 수직 구동회로(VDRV)(120), 및 수평 구동회로(HDRV)(130)를 포함한다.2A, a liquid crystal display 100 includes an
게이트 버퍼(140-1 내지 140-m)가 수직 구동회로(120)에서 게이트 펄스(Gp)의 주사 라인이 되는 게이트 라인(115-1 내지 115-m)으로의 출력 스테이지에 배치된다.The gate buffers 140-1 to 140-m are arranged in the output stage from the
본 실시예의 액티브 매트릭스형 액정 표시장치에 있어서, 수직 구동회로(120)로부터 출력된 게이트 펄스에 대하여 파형 정형과 전압 변경을 수행하는 파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m, 150-21 내지 151-2m)이 게이트 라인(115-1 내지 115-m) 상의 중간에 배치된다.In the active matrix type liquid crystal display device of this embodiment, the waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m and 150-21 to 151 -2m are arranged in the middle on the gate lines 115-1 to 115-m.
수직 구동회로(120)로부터 출력되는 게이트 펄스 또는 파형 정형과 전압 변경이 처리된 후의 게이트 펄스는 각 게이트 라인(115-1 내지 115-m)을 통해서 박막 트랜지스터로 구성되는 화소 스위칭 트랜지스터에 공급된다.The gate pulse output from the
파형 정형 회로의 구성, 배치 등에 관해서는 이후에 상세히 설명한다.The configuration, arrangement, and the like of the waveform shaping circuit will be described in detail later.
유효 화소 영역부(110)는 매트릭스 형태로 배열되는 복수의 화소 회로(111)를 포함한다.The effective
각각의 화소 회로(111)는 스위칭 소자로서의 박막 트랜지스터(TFT)(112), 액정 셀(113), 및 유지 영역 또는 축적 용량(144)을 포함한다.Each
액정 셀(113)은 그 화소 전극이 TFT(112)의 드레인 전극 또는 소스 전극에 접속된다. 저장 용량(114)은 그 하나의 전극이 TFT(112)의 드레인 전극에 접속된 다.The liquid crystal cell 113 has its pixel electrode connected to the drain electrode or the source electrode of the
화소 회로(111)에 대하여, 게이트 라인(115-1 내지 115-m)은 각 행마다의 화소 배열 방향을 따라 연장되고, 신호 라인(116-1 내지 116-n)은 각 열마다의 화소 배열 방향을 따라 배선된다.The gate lines 115-1 to 115-m extend along the pixel arrangement direction for each row and the signal lines 116-1 to 116-n extend to the pixel arrangement Direction.
화소 회로(111)의 TFT(112)는 그 게이트 전극이 각 행단위로 동일한 게이트 라인(115-1 내지 115-m)에 접속된다. 또한, 화소 회로(111)의 TFT(112)는 그 소스 전극 또는 드레인 전극이 각 열단위로 동일한 신호 라인(116-1 내지 116-n)에 접속된다.The gate electrode of the
더욱이, 액정 셀(113)은 그 화소 전극이 TFT(112)의 드레인 전극에 접속되고, 그 대향 전극이 공통 라인(117)에 접속된다. 저장 용량(114)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극과 공통 라인(117) 사이에 접속된다.Furthermore, the liquid crystal cell 113 has its pixel electrode connected to the drain electrode of the
공통 라인(117)에는 유리 기판에 구동회로 등과 일체로 형성되는 도시되지 않은 VCOM 회로로부터 소정의 ac 전압이 공통 전압(Vcom)으로서 인가된다.In the
게이트 라인(115-1 내지 115-m)은 수직 구동회로(120)에 의해 구동되고, 신호 라인(116-1 내지 116-n)은 수평 구동회로(130)에 의해 구동된다.The gate lines 115-1 to 115-m are driven by the
TFT(112)는 표시를 행하는 화소를 선택하고, 선택된 화소의 화소 영역에 표시 신호를 공급하기 위한 스위칭 소자이다.The
TFT(112)는 예를 들면 도 3에 도시된 바와 같은 하부 게이트 구조, 또는 도 4에 도시된 바와 같은 상부 게이트 구조를 가진다.The
도 3를 참조하면, 도시된 하부 게이트 구조의 TFT(112A)에 있어서, 게이트 절연막(202)으로 덮힌 게이트 전극(203)이 예를 들어 유리 기판으로 형성되는 투명 절연 기판(201) 상에 형성되어 있다.Referring to FIG. 3, in the
게이트 전극(203)은 주사 라인으로서의 게이트 라인(115)에 접속되고, 주사 신호인 게이트 펄스가 게이트 라인(115)으로부터 게이트 전극(203)에 입력된다. TFT(21A)는 주사 신호에 따라 온 또는 오프된다. 게이트 전극(203)은 예를 들면 스퍼터링과 같은 방법에 의해 몰리브덴(Mo) 또는 탄탈(Ta)의 금속 또는 합금 막으로 형성된다.The
TFT(112A)는 게이트 절연막(202) 상에 형성되어 채널 형성 영역으로서 기능하는 반도체막(204)을 포함한다. TFT(112A)는 반도체막(204)을 가로질러 형성된 한 쌍의 n+ 확산층(205, 206)을 더 포함한다. 층간 절연막(207)이 반도체막(204) 상에 형성되고, 다른 층간 절연막(208)이 절연 기판(201), 게이트 절연막(202), n+ 확산층(205, 206), 및 층간 절연막(207)을 덮도록 형성된다.The
소스 전극(210)은 층간 절연막(208)에 형성된 콘택 홀(209a)을 통해서 n+ 확산층(205)에 접속된다. 한편, 드레인 전극(211)은 층간 절연막(208)에 형성된 콘택 홀(209b)을 통해서 다른 n+ 확산층(206)에 접속된다.The
소스 전극(210) 및 드레인 전극(211)은 예를 들면 알루미늄(Al)의 패터닝에 의해 형성된다. 소스 전극(210)에 신호 라인(116)이 접속되고, 드레인 전극(211)은 도시되지 않은 접속 전극을 통해서 화소 영역 또는 화소 전극에 접속된다.The
도 4를 참조하면, 상부 게이트 구조의 TFT(112B)가 도시된다. TFT(112B)는 예를 들면 유리 기판으로 형성되는 투명 절연 기판(221) 상에 채널 형성 영역으로서 기능하는 반도체막(222)을 포함한다. TFT(112B)는 반도체막(222)을 가로질러 형성되는 한쌍의 n+ 확산층(223, 224)을 더 포함한다.Referring to Fig. 4, the
게이트 절연막(225)이 반도체막(222)과 한쌍의 n+ 확산층(223, 224)을 덮는 식으로 형성되고, 게이트 전극(226)이 반도체막(222)과 마주하는 게이트 절연막(225) 상에 형성된다. 더욱이, 층간 절연막(227)이 기판(221), 게이트 절연막(225), 게이트 전극(226)을 덮는 식으로 형성된다.The
소스 전극(229)이 층간 절연막(227) 및 게이트 절연막(225)에 형성된 콘택 홀(228a)을 거쳐서 n+ 확산층(223)에 접속된다. 드레인 전극(230)이 층간 절연막(227) 및 게이트 절연막(225)에 형성된 콘택 홀(228b)을 거쳐서 다른 n+ 확산층(224)에 접속된다.The
다시 도 2a를 참조하면, 전술한 액정 표시장치(1)에 있어서, 각 화소 회로(111)의 TFT(112)는 비정질 실리콘(a-Si) 또는 폴리실리콘으로 이루어진 반도체 박막의 트랜지스터에 의해 형성된다.Referring again to FIG. 2A, in the above-described liquid
수직 구동회로(120)는 수직 스타트 신호(VST), 수직 클록(VCK), 인에이블 신호(ENB)를 수신하고, 게이트 라인(115-1 내지 115-m)에 접속된 화소 회로(111)를 행단위로 순차 선택하도록 1필드 기간마다 수직방향, 즉 행 방향으로 주사한다. The
특히, 게이트 펄스(Gp1)가 수직 구동회로(120)로부터 게이트 라인(115-1)에 공급되면, 제1행째의 열의 화소가 선택되지만, 게이트 펄스(Gp2)가 게이트 라인(115-2)에 공급되면, 제2행째의 열의 화소가 선택된다. 이후에, 게이트 펄스(Gp3,…, Gpm)가 게이트 라인(115-3, …, 115-m)에 각각 순차적으로 공급된다.Particularly, when the gate pulse Gp1 is supplied from the
도 2b는 게이트 버퍼(140-m)에 있어서의 게이트 펄스(Gpm)의 게이트 버퍼링후의 게이트 라인(115-m)으로의 출력 스테이지의 파형 예를 도시한다.2B shows an example of the waveform of the output stage to the gate line 115-m after gate buffering of the gate pulse Gpm in the gate buffer 140-m.
도 2c는 게이트 펄스(Gpm)의 게이트 라인(115-m)의 배선 말단부에 있어서의 파형 예를 도시한다.2C shows an example of the waveform at the wiring end of the gate line 115-m of the gate pulse Gpm.
수평 구동회로(130)는 도시되지 않은 클록 발생기에 의해 생성된 수평주사의 시작을 표시하는 수평 스타트 펄스(Hst), 수평주사의 기준이 되는 서로 역상의 수평 클록(HCK)을 수신하며, 샘플링 펄스를 생성한다.The
수평 구동회로(130)는 입력되는 화상 데이터 R(빨강), G(초록), B(파랑)을 생성된 샘플링 펄스에 응답하여 순차 샘플링하고, 샘플링된 화상 데이터를 화소 회로(21)에 기록되는 데이터 신호로서 신호 라인(116-1 내지 116-n)에 공급한다.The
수평 구동회로(130)는 신호 라인(116-1 내지 116-n)을 복수의 그룹으로 분할하고, 개별 그룹에 대응하는 신호 드라이버(131 내지 134)를 포함한다.The
여기에서, 파형 정형 회로가 설명된다.Here, the waveform shaping circuit is described.
본 실시예에 있어서, 게이트 버퍼(140-1 내지 140m)로부터 게이트 펄스의 파형 정형과 전압 변경을 행하는 파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m, 150-21 내지 150-2m)가 상기한 바와 같이 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 중간에 배치된다.In this embodiment, the waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m and 150-21 to 150-2m for waveform shaping and voltage changing of the gate pulse from the gate buffers 140-1 to 140m are the same as those described above Are arranged in the middle of the gate lines 115-1 to 115-m.
이에 따라, 도 2c에 실선으로 나타낸 파형으로부터 알 수 있는 바와 같이, 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 게이트 버퍼(140-1 내지 140m)의 출력 스테이지로부터 벗어난 원단부 또는 말단부에서의 게이트 펄스의 파형은 왜곡으로부터 개선되어 있다. 또한, 도 2c에 파선으로 나타낸 파형은 파형 정형 회로가 개입되지 않는 경우의 원단부 또는 말단부에서의 게이트 펄스의 파형의 왜곡을 보이고 있다.Thus, as can be seen from the waveforms shown by the solid lines in Fig. 2C, the gate electrodes of the gate lines 115-1 to 115- The waveform of the pulse is improved from the distortion. The waveform shown by the broken line in Fig. 2 (c) shows the distortion of the waveform of the gate pulse at the far end or the far end when the waveform shaping circuit is not intervened.
이에 따라, 표시장치는 고화소수 및 높은 프레임 주파수에 의한 표시를 쉽게 한다.Thus, the display device can easily display the image with a high number of pixels and a high frame frequency.
파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m, 150-21 내지 150-2m)는 파형 정형을 위하여 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 배선 중간에 배치되어 있다.The waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m, 150-21 to 150-2m are disposed in the middle of the wiring of the gate lines 115-1 to 115-m for waveform shaping.
또한, 파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m, 150-21 내지 150-2m)는 고전위가 되는 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 저전위가 되는 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)에 공통으로 접속된다.The waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m and 150-21 to 150-2m supply the supply voltage of the supply voltage VDD2 and the reference voltage VSS2 of low potential, Are commonly connected to the
파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m, 150-21 내지 150-2m)는 예를 들면 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같은 캐스케이드 접속으로 접속된 2개의 CMOS 버퍼를 포함하는 회로로부터 각각 형성된다.The waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m, 150-21 to 150-2m are respectively formed from a circuit including two CMOS buffers connected in a cascade connection as shown in, for example, Figs. 5A to 5C do.
제1 실시예에 있어서, 파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m, 150-21 내지 150-2m)는 화소 회로(111)의 매트릭스의 좌표 배치에 있어서, 수직방향, 즉 신호 라인의 연장 방향으로 동일한 좌표에 배치된다.In the first embodiment, the waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m, 150-21 to 150-2m are arranged in the vertical direction, that is, in the extending direction of the signal line As shown in Fig.
구체적으로, 파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m)는 각각 신호 라인(116-6)과 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 교차 위치에 배치되어 있다. 파형 정형 회 로(150-21 내지 150-2m)는 신호 라인(116-10)과 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 교차 위치에 배치되어 있다.Specifically, the waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m are disposed at the intersections of the signal lines 116-6 and the gate lines 115-1 to 115-m, respectively. The waveform shaping circuits 150-21 to 150-2m are disposed at the intersections of the signal lines 116-10 and the gate lines 115-1 to 115-m.
또한, 도 2a에 있어서, 고전위의 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 저전위의 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)은 게이트 라인 및 신호 라인과의 구별 및 이해가 용이하도록 각각 파선 및 일점 쇄선에 의해 표시되고 있다.2A, the
도 5a 내지 도 5c는 본 실시형태에 따른 파형 정형 회로가 CMOS 버퍼로 형성되는 예를 도시한다. 도 5a는 등가회로를 나타내고, 도 5b는 구체적인 회로를 나타내는 반면, 도 5c는 버퍼 출력측의 용량을 도시한다.5A to 5C show an example in which the waveform shaping circuit according to the present embodiment is formed of a CMOS buffer. Fig. 5A shows an equivalent circuit, Fig. 5B shows a specific circuit, and Fig. 5C shows a capacity of the buffer output side.
도 5b에 도시된 바와 같이, 각 파형 정형 회로(150)는 캐스케이드 접속으로 접속된 CMOS 버퍼 또는 인버터(BF1)와 다른 CMOS 버퍼 또는 인버터(BF2)를 포함한다.As shown in FIG. 5B, each
CMOS 버퍼(BF1)는 p채널 MOS(PMOS) 트랜지스터(PT1)와 n채널 MOS(NMOS) 트랜지스터(NT1)를 포함한다.The CMOS buffer BF1 includes a p-channel MOS (PMOS) transistor PT1 and an n-channel MOS (NMOS) transistor NT1.
PMOS 트랜지스터(PT1)는 그 소스가 고전위의 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)에 접속되고, 그 드레인이 NMOS 트랜지스터(NT1)의 드레인에 접속된다. 노드(ND1)가 PMOS 트랜지스터(PT1) 및 NMOS 트랜지스터(NT1)의 드레인의 접속점에 의해 형성된다. NMOS 트랜지스터(NT1)는 그 소스가 저전위의 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)에 접속된다.The source of the PMOS transistor PT1 is connected to the
PMOS 트랜지스터(PT1) 및 NMOS 트랜지스터(NT1)의 게이트가 서로 접속되고, 입력 노드(ND1)가 게이트의 접속점에 의해 형성된다. 그 입력 노드(ND1)는 대응하 는 게이트 라인(115-1 내지 115-m) 중 하나에 접속된다.The gates of the PMOS transistor PT1 and the NMOS transistor NT1 are connected to each other and the input node ND1 is formed by the junction of the gates. And its input node ND1 is connected to one of the corresponding gate lines 115-1 to 115-m.
CMOS 버퍼(BF2)는 PMOS 트랜지스터(PT2)와 NMOS 트랜지스터(NT2)를 포함한다.The CMOS buffer BF2 includes a PMOS transistor PT2 and an NMOS transistor NT2.
PMOS 트랜지스터(PT2)는 그 소스가 고전위의 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)에 접속되고, 드레인이 NMOS 트랜지스터(NT2)의 드레인에 접속된다. 노드(ND2)가 PMOS 트랜지스터(PT2)와 NMOS 트랜지스터(NT2)의 드레인의 접속점에 의해 형성된다. NMOS 트랜지스터(NT2)는 그 소스가 저전위의 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)에 접속된다.The source of the PMOS transistor PT2 is connected to the
PMOS 트랜지스터(PT2) 및 NMOS 트랜지스터(NT2)의 게이트가 서로 접속되고, 그 게이트의 접속점이 CMOS 버퍼(BF1)의 노드(ND1)에 접속된다. 노드(ND2)가 출력 노드로서 대응하는 게이트 라인(115-1 내지 115-m) 중 하나에 접속된다.The gates of the PMOS transistor PT2 and the NMOS transistor NT2 are connected to each other and the gate connection point thereof is connected to the node ND1 of the CMOS buffer BF1. And the node ND2 is connected to one of the corresponding gate lines 115-1 to 115-m as an output node.
전술한 바와 같은 구성을 가지는 파형 정형 회로(150)는 수직 구동회로(120)의 배치측, 즉 도 2의 좌측의 출력측으로부터 대응하는 게이트 라인(115-1 내지 115-m)을 따라 전파된 게이트 펄스(Gp1 내지 Gpm)를 정논리로 출력하고, 또한 파형 정형을 수행한다.The
파형 정형을 위한 CMOS 버퍼(BF1와 BF2)의 출력은 게이트 라인의 용량(Cgate)을 의미하며, 화소 전극 또는 TFT(화소 트랜지스터)가 온 상태에 있는 상태에서의 액정 용량(Clcd)과 화소의 축적 용량(Cs)을 포함하는 용량도 의미한다.The output of the CMOS buffers BF1 and BF2 for waveform shaping refers to the capacitance of the gate line Cgate and corresponds to the capacitance of the liquid crystal capacitor Clcd in the state in which the pixel electrode or TFT (pixel transistor) But also a capacity including the capacity Cs.
또한, CMOS 버퍼의 제1 스테이지가 입력에 대하여 부논리 출력을 나타내기 때문에, 파형 정형 회로(150)에 대해 정논리 출력을 출력하기 위하여, 파형 정형 회로(150)는 CMOS 버퍼(BF1, BF2)의 직렬 접속 회로로 형성된다.Since the first stage of the CMOS buffer represents the negative logic output with respect to the input, the
파형 정형 회로(150)가 그 출력 전원을 필요로 하기 때문에, 화소 게이트의 온 오프를 위하여 고전위측의 전원전압(VDD2)과 저전위측의 전원전압(VSS)을 공급하는 공급 라인(160, 161)이 배치되어 있다.
공급 라인(160, 161)의 배선은 화소 신호 라인과 평행하게 배치된다.The wirings of the
그 이유는, 공급 라인(160, 161)이 신호 라인(116)((116-1 내지 116n)의 근방에서 평행하게 배선된 경우에, 예를 들면 액정의 개구율의 저하가 최소화될 수 있기 때문이다. 또한, 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)에 대해 저저항을 나타내는 버스 배선이 유효 화소 영역부(110) 상에 접속되는 경우에, 수평방향의 전원 라인의 전압강하가 최소화될 수 있기 때문이다.This is because, for example, the lowering of the aperture ratio of the liquid crystal can be minimized when the
그 결과, 유효 화소의 수평방향에서 파형 정형 회로(150)로부터 출력되는 하이 레벨에 대응하는 전압(고전압)과 로우 레벨에 대응하는 전압(저전압)의 변동도 최소화될 수 있다.As a result, the fluctuation of the voltage (high voltage) corresponding to the high level and the voltage (low voltage) corresponding to the low level outputted from the
또한, 제1 실시예에 있어서, 파형 정형 회로(150)에 공급되는 전압(VDD2 및 VSS2)의 배선(160, 161)과 파형 정형 회로(150)은 수평방향의 동일한 좌표에 배치되는 것이 바람직하다.In the first embodiment, it is preferable that the
그 이유는, 수평방향에서의 파형 정형 회로(150)의 좌표가 일정하기 때문에, 게이트 펄스 파형의 지연이 지연을 겪지 않는다.The reason is that since the coordinates of the
이상에서 설명한 바와 같이, 제1 실시예에 따르면, 수직 구동회로(120)로부터 출력된 게이트 펄스에 대하여 게이트 라인의 배선 중간에서 파형 정형과 전압 변경을 행하는 파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m, 150-21 내지 151-2m)가 배치되어 있다.As described above, according to the first embodiment, the waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m (not shown) for waveform shaping and voltage change in the middle of the wiring of the gate line with respect to the gate pulse output from the
따라서, 제1 실시예에 의하면, 이하의 효과가 얻어질 수 있다.Therefore, according to the first embodiment, the following effects can be obtained.
4K2K의 고화소수를 포함하고 240Hz의 높은 프레임 주파수를 사용하는 표시장치에 있어서, 게이트 라인의 지연에 의한 좌우의 쉐이딩 또는 좌우의 색도 차이가 발생하지 않게 되며, 양호한 화질이 얻어질 수 있다. In a display device including a high number of pixels of 4K2K and using a high frame frequency of 240Hz, the left and right shading due to the delay of the gate lines or the difference in chromaticity between left and right do not occur and good image quality can be obtained.
또한, 수직 구동회로(120)로부터의 게이트 펄스(Gp)의 출력 지연, 파형의 왜곡 발생이 억제될 수 있고, 액티브 매트릭스 표시장치의 액자의 좌측 또는 우측에 위치하는 수직 구동회로와 버퍼 회로의 점유 면적이 감소될 수 있다. 그러므로, 표시장치의 액자가 좌우 부분이 감소된 폭으로 형성될 수 있다.Further, the output delay of the gate pulse Gp from the
더욱이, 파형 정형 회로(150)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 배선(160, 161)과 파형 정형 회로(150)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되어, 게이트 펄스 파형의 지연이 억제될 수 있다.The
<제2 실시예>≪
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 각각 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형 예를 도시한다.6A, 6B and 6C show an example of the configuration of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to a second embodiment of the present invention.
먼저, 도 6a를 참조하면, 제2 실시예에 따른 액정 표시장치(100A)는 제1 실시예에 따른 액정 표시장치(100)와 구성면에서 유사하지만, 파형 정형 회로(150)의 배치 위치가 다르다.Referring to FIG. 6A, the liquid crystal display 100A according to the second embodiment is similar in configuration to the liquid crystal display 100 according to the first embodiment, but the arrangement position of the
특히, 전술한 제1 실시예에 따른 액정 표시장치(100)에 있어서, 파형 정형 회로(150)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)과 파형 정형 회로(150)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되어 있다.Particularly, in the liquid crystal display device 100 according to the first embodiment described above, the
대조적으로, 제2 실시예에 따른 액정 표시장치(100A)에 있어서, 파형 정형 회로(150)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)과 파형 정형 회로(150)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되고 않고, 게이트 라인과 신호 라인의 배선에 대응하는 관계로 서로 일렬씩 빗나간 관계로 배치되어 있다.In contrast, in the liquid crystal display device 100A according to the second embodiment, the
도 6a의 예에서, 파형 정형 회로(150-11)는 신호 라인(116-30)과 게이트 라인(115-1)의 교차 위치의 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-12)는 신호 라인(116-4)과 게이트 라인(115-2)의 교차 위치의 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-13)는 신호 라인(116-5)과 게이트 라인(115-3)의 교차 위치의 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-14(m))는 신호 라인(116-5)과 게이트 라인(115-m)의 교차 위치의 근방에 배치되어 있다.In the example of Fig. 6A, the waveform shaping circuit 150-11 is disposed in the vicinity of the intersection of the signal line 116-30 and the gate line 115-1. The waveform shaping circuit 150-12 is disposed in the vicinity of the intersection of the signal line 116-4 and the gate line 115-2. The waveform shaping circuit 150-13 is disposed in the vicinity of the intersection of the signal line 116-5 and the gate line 115-3. The waveform shaping circuit 150-14 (m) is disposed near the intersection of the signal line 116-5 and the gate line 115-m.
한편, 파형 정형 회로(150-21)는 신호 라인(116-7)과 게이트 라인(115-1)의 교차 위치의 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-22)는 신호 라인(116-8)과 게이트 라인(115-2)의 교차 위치의 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-23)는 신호 라인(116-9)과 게이트 라인(115-3)의 교차 위치의 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-24(m))는 신호 라인(116-10)과 게이트 라인(115-m)의 교차 위치의 근방에 배치되어 있다.On the other hand, the waveform shaping circuit 150-21 is disposed near the intersection of the signal line 116-7 and the gate line 115-1. The waveform shaping circuit 150-22 is disposed near the intersection of the signal line 116-8 and the gate line 115-2. The waveform shaping circuit 150-23 is arranged near the intersection of the signal line 116-9 and the gate line 115-3. The waveform shaping circuit 150-24 (m) is disposed near the intersection of the signal line 116-10 and the gate line 115-m.
이 경우에, 파형 정형 회로(150)의 수평방향의 좌표가 고정되지 않는 경우에, 전원전압(VDD2)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(160, 161)으로부터 국부적인 기 울기가 제거된다. 그러므로, 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)에 의한 배선 배치의 영향하에서 화소의 투과율의 균일성이 보장된다.In this case, if the horizontal coordinate of the
이 경우에, 표시장치의 휘도 분포가 고정된다.In this case, the luminance distribution of the display device is fixed.
제2 실시예에서의 그 밖의 구성은 제1 실시예와 유사하며, 전술한 제1 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.Other structures in the second embodiment are similar to those in the first embodiment, and the same effects as those obtained by the first embodiment described above can be obtained.
<제3 실시예>≪ Third Embodiment >
도 7a, 도 7b 및 도 7c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 예를 도시한다.FIGS. 7A, 7B and 7C show a configuration example of a liquid crystal display and a gate pulse example according to a third embodiment of the present invention.
도 7a를 참조하면, 제3 실시예에 따른 액정 표시장치(100B)는 제1 및 제2 실시예에 따른 액정 표시장치(100, 100A)와 구성면에서 유사하지만, 파형 정형 회로(150)의 배치 위치에서 다르다.7A, the liquid crystal display device 100B according to the third embodiment is similar in construction to the liquid crystal display devices 100 and 100A according to the first and second embodiments, but the arrangement of the
특히, 제1 및 제2 실시예에 따른 액정 표시장치(100, 100A)에 있어서, 파형 정형 회로(150)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)과 파형 정형 회로(150)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되어 있다.Particularly, in the liquid crystal display devices 100 and 100A according to the first and second embodiments, the
또는 반대로, 파형 정형 회로(150)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)과 파형 정형 회로(150)는 동일한 좌표에 배치되지 않는다.Conversely, the
대조적으로, 제3 실시예에 따른 액정 표시장치(100B)에 있어서, 게이트 라인과 신호 라인의 거의 모든 교차 위치 근방의 게이트 라인에, 바꾸어 말하면 각각의 화소 회로(111)의 게이트 펄스의 입력부에 파형 정형 회로(150-11 내지 150-nm)가 배치되어 있다.In contrast, in the liquid crystal display device 100B according to the third embodiment, the gate lines in the vicinity of almost all the intersections of the gate lines and the signal lines, that is, the gate lines of the
이런 방식으로, 파형 정형 회로(150)가 게이트 라인의 배선 상에서 각각의 화소 회로(111)에 대해 배치되는 경우에, 파형 정형 회로간에 복수의 화소 회로(111)가 존재하여 게이트 펄스의 파형의 지연의 편차가 발생하지 않도록 하는 것이 가능해진다.In this manner, when the
다시 말해서, 파형 정형 회로와 다른 파형 정형 회로간에 복수의 화소 회로가 존재하는 경우에, 기생 용량의 불균일성이 제거되고, 파형 정형 회로의 화소 게이트의 균일한 부하 용량이 확보된다. 따라서, 게이트 전극에서의 지연은 더 이상 발생하지 않는다.In other words, when there are a plurality of pixel circuits between the waveform shaping circuit and another waveform shaping circuit, the non-uniformity of the parasitic capacitance is eliminated, and the uniform load capacitance of the pixel gate of the waveform shaping circuit is ensured. Thus, the delay at the gate electrode no longer occurs.
제3 실시예에 있어서, 그 밖의 구성은 제1 및 제2실시예와 유사하고, 전술한 제1 및 제2 실시예에 의해 얻어지는 효과와 유사한 효과가 얻어질 수 있다.In the third embodiment, the other structures are similar to those of the first and second embodiments, and effects similar to those obtained by the first and second embodiments described above can be obtained.
<제4 실시예><Fourth Embodiment>
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.8 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to the fourth embodiment of the present invention.
도 8를 참조하면, 제4 실시예에 따른 액정 표시장치(100C)는 제1 실시예에 따른 액정 표시장치(100)와 구성면에서 유사하지만, 화상 데이터가 시분할로 패널에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성을 채용한다는 점에서 다르다.Referring to Fig. 8, the liquid
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 8에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 시분할 스위치의 시분할수가 수평 선택기간 중에 전기 특성과 화상 특성을 충분히 만족시키지 않을 경우, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, even when the time-divisional switch is used as shown in Fig. 8 for reducing the frame size of the panel, if the time-divisional number of the time-divisional switch does not sufficiently satisfy the electric characteristics and image characteristics during the horizontal selection period, .
신호 드라이버(131∼134)로부터의 신호(SV1 내지 SV4)는 복수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116)(116-1 내지 116-12)로 전 송된다.Signals SV1 to SV4 from the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되고 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is selected by the selection signal S1 and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and the inverted signal XS2 thereof which are supplied from the outside and have mutually complementary levels, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 프레임율 방식의 액티브 매트릭스형 표시장치에 대하여, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the case of employing the above-described configuration, the selector time division driving method is adopted for the active matrix display device of high definition (UXGA) and high frame rate method in which the number of connection terminals is reduced and the mechanical reliability of connection is improved Lt; / RTI >
제4 실시예에 있어서, 그 밖의 구성은 제1 실시예에 유사하고, 전술한 제1 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.In the fourth embodiment, the other structures are similar to those of the first embodiment, and the same effects as those obtained by the first embodiment described above can be obtained.
<제5 실시예><Fifth Embodiment>
도 9는 본 발명의 제5 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.Fig. 9 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to the fifth embodiment of the present invention.
도 9를 참조하면, 제5 실시예에 따른 액정 표시장치(100D)는 제2 실시예에 따른 액정 표시장치(100A)와 구성면에서 유사하지만, 화상 데이터가 시분할로 패널내에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성을 채용한다는 점에서 다르다.Referring to Fig. 9, the liquid
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 9에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 그 시분할수가 수평 선택기간 중에 전기 특성과 화상 특성을 충분히 만족시키지 않을 경우, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, even in the case where the time-divisional switch is used as shown in Fig. 9 for reducing the frame size of the panel, if the time division does not sufficiently satisfy the electric characteristics and the image characteristics during the horizontal selection period, do.
도 9를 참조하면, 신호 드라이버(131 내지 134)로부터의 신호(SV1 내지 SV4)는 복수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116-1 내지 116-12)에 전송된다.9, the signals SV1 to SV4 from the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되는 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is controlled by the selection signal S1 having its complementary level supplied from the outside and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and its inverted signal XS2, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 이러한 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 ㅍ프프레임율 방식의 액티브 매트릭스형 표시장치에 대해서, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the case of adopting such a configuration as described above, for an active matrix display device of a high definition (UXGA) and high-speed ripple frame rate scheme, the number of connection terminals is reduced and a selector time- Can be adopted.
제5 실시예에 있어서, 그 밖의 구성은 제2 실시예와 유사하고, 전술한 제1 및 제2 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.In the fifth embodiment, the other structures are similar to those of the second embodiment, and the same effects as those obtained by the above-described first and second embodiments can be obtained.
<제6 실시예><Sixth Embodiment>
도 10은 본 발명의 제6 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.10 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to the sixth embodiment of the present invention.
도 10를 참조하면, 제6 실시예에 따른 액정 표시장치(100E)는 제3 실시예에 따른 액정 표시장치(100B)와 구성면에서 유사하지만, 화상 데이터가 시분할로 패널내에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성을 채용한다는 점에서 다르다.Referring to Fig. 10, the liquid
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 10에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 시분할 스위치의 시분할수가 수평 선택기간 중에 전기 특성과 화상 특성을 충분히 만족시키지 않을 경우, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, even when the time-divisional switch is used as shown in Fig. 10 for reducing the frame size of the panel, when the time-divisional number of the time-divisional switch does not sufficiently satisfy the electric characteristics and image characteristics during the horizontal selection period, .
도 10을 참조하면, 신호 드라이버(131 내지 134)로부터의 신호(SV1 내지 SV4)는 복수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116-1 내지 116-12)에 전송된다.10, the signals SV1 to SV4 from the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되고 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is selected by the selection signal S1 and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and the inverted signal XS2 thereof which are supplied from the outside and have mutually complementary levels, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 이러한 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 프플프레임율 방식의 액티브 매트릭스형 표시장치에 대하여, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the case of adopting such a configuration as described above, the active matrix display device of high-definition (UXGA) and high-speed full-frame rate system is provided with a selector time division driving method Can be adopted.
제6 실시예에 있어서, 그 밖의 구성은 제3실시예와 유사하고, 전술한 제1 내지 제3실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.In the sixth embodiment, the other structures are similar to those of the third embodiment, and the same effects as those obtained by the first to third embodiments described above can be obtained.
<제7 실시예><Seventh Embodiment>
도 11은 본 발명의 제7 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.11 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to a seventh embodiment of the present invention.
도 11을 참조하면, 제7 실시예에 따른 액정 표시장치(100F)는 제3 실시예에 따른 액정 표시장치(100B)와 구성면에서 유사하지만, 다음과 같은 점에서 다르다.Referring to Fig. 11, the liquid
특히, 액정 표시장치(100F)에 있어서, 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 전원전압(VSS2)의 공급 라인(161)이 모든 신호 라인(116)((116-1 내지 116m)과 모든 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 사이에도 배선되어 있다.Particularly, in the liquid
전술한 구성이 채용되는 경우에, 게이트 라인과 신호 라인 사이에서 발생하는 인접한 화소 회로(111) 내의 원치않는 전압의 침입이 방지될 수 있다. 결과적으로, 양호한 화질이 얻어질 tn 있다.When the above-described configuration is employed, intrusion of unwanted voltages in the
제7 실시예의 그 밖의 구성은 제3 실시예와 유사하고, 전술한 제1 내지 제3 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures of the seventh embodiment are similar to those of the third embodiment, and the same effects as those obtained by the first to third embodiments described above can be obtained.
제7 실시예에서의 전압공급 라인의 배선은 도 11에 도시되지 않았지만, 제7 실시예의 구성은 다른 제1, 제2, 제4 내지 제6 실시예에도 적용될 수 있다. 그 경우에도, 인접하는 화소 회로(111) 내의 원치않는 전압의 침입이 방지될 수 있고, 양호한 화질이 얻어질 수 있다.Although the wiring of the voltage supply line in the seventh embodiment is not shown in Fig. 11, the configuration of the seventh embodiment can be applied to other first, second, and fourth to sixth embodiments. Even in this case, the intrusion of unwanted voltages in the
<제8 실시예>≪ Eighth Embodiment >
도 12a, 도 12b 및 도 12c는 각각 본 발명의 제8 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형 예를 도시한다.12A, 12B, and 12C each show a configuration example of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to an eighth embodiment of the present invention.
도 12a를 참조하면, 제8 실시예에 따른 액정 표시장치(100G)는 전술한 제1 실시예에 따른 액정 표시장치(100)와 구성면에서 유사하지만, 파형 정형 회로가 단순히 캐스케이드 접속으로 접속된 CMOS 버퍼가 아니라 클록된 CMOS 회로를 사용하여 구성되는 점에서 다르다.12A, the liquid
여기에서, 파형 정형 회로(151)가 설명된다.Here, the
제8 실시예에 있어서도, 상기한 바와 같이, 게이트 라인(115-1 내지 115-m) 의 배선 중간에, 게이트 버퍼(140-1 내지 140-m)에 의한 게이트 펄스의 파형 정형과 전압 변경을 행하는 파형 정형 회로(150-11 내지 150-1m, 150-21 내지 150-2m)가 배치되어 있다.Also in the eighth embodiment, as described above, waveform shaping and voltage change of the gate pulse by the gate buffers 140-1 to 140-m are performed in the middle of the wiring of the gate lines 115-1 to 115- The waveform shaping circuits 150-11 to 150-1m, 150-21 to 150-2m are arranged.
이에 따라, 도 12c에서 실선으로 나타낸 파형과 같이, 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 게이트 버퍼(140-1 내지 140-m)의 출력 스테이지로부터 벗어난 원단부 또는 말단부에서의 게이트 펄스의 파형이 그것의 왜곡으로부터 개선된다. 또한, 도 12c에서 파선으로 나타낸 파형은 파형 정형 회로가 개입되지 않는 경우의 원단부 또는 말단부에서의 게이트 펄스의 파형의 왜곡을 보이고 있다.Thus, as shown by the solid line in Fig. 12C, the gate pulse of the gate pulse at the far end or the end portion deviating from the output stage of the gate buffers 140-1 to 140-m of the gate lines 115-1 to 115- The waveform is improved from its distortion. In addition, the waveform shown by the broken line in Fig. 12C shows the distortion of the waveform of the gate pulse at the far end or the end portion when the waveform shaping circuit is not intervened.
이에 따라, 표시장치는 고화소수와 높은 프레임 주파수에서의 표시가 용이하다.Thus, the display device is easy to display at a high frame rate and a high frame frequency.
파형 정형 회로(151-11 내지 151-1m, 151-21 내지 151-2m)는 파형 정형을 위한 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 배선 중간에 배치되어 있다. The waveform shaping circuits 151-11 to 151-1m and 151-21 to 151-2m are disposed in the middle of the wiring of the gate lines 115-1 to 115-m for waveform shaping.
또한, 파형 정형 회로(151-11 내지 151-1m, 151-21 내지 151-2m)는 고전위의 전원전압(VDD2) 공급 라인(160)과 저전위의 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)에 공통으로 접속된다. 파형 정형 회로(151-11 내지 151-1m, 151-21 내지 151-2m)는 도 13에 도시된 바와 같이 캐스케이드 접속으로 접속된 클록된 CMOS 버퍼와 CMOS 버퍼를 포함하는 회로로 각각 형성된다.The waveform shaping circuits 151-11 to 151-1m and 151-21 to 151-2m are connected to the power supply voltage
제8 실시예에 있어서, 파형 정형 회로(151-11 내지 151-1m, 151-21 내지 151-2m)는 수직방향의 동일한 좌표에 배치되어 있다.In the eighth embodiment, the waveform shaping circuits 151-11 to 151-1m and 151-21 to 151-2m are arranged at the same coordinates in the vertical direction.
구체적으로, 파형 정형 회로(151-11 내지 151-1m)는 신호 라인(116-6)과 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 교차 위치에 각각 배치되어 있다. 파형 정형 회로(151-21 내지 151-2m)는 신호 라인(116-10)과 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 교차 위치에 각각 배치되어 있다.Specifically, the waveform shaping circuits 151-11 to 151-1m are disposed at the intersections of the signal lines 116-6 and the gate lines 115-1 to 115-m, respectively. The waveform shaping circuits 151-21 to 151-2m are disposed at the intersections of the signal lines 116-10 and the gate lines 115-1 to 115-m, respectively.
도 13a 내지 도 13c는 제8 실시예와 같이 파형 정형 회로가 클록된 CMOS 회로로 구성되는 예를 도시한다.13A to 13C show an example in which the waveform shaping circuit is constituted by a clocked CMOS circuit as in the eighth embodiment.
특히, 도 13a는 등가회로를 나타내고, 도 13b는 구체적인 회로를 나타내고, 도 13c는 버퍼 출력측의 용량을 도시한다.In particular, FIG. 13A shows an equivalent circuit, FIG. 13B shows a specific circuit, and FIG. 13C shows a capacity on the buffer output side.
도 13b에 도시된 바와 같이, 각각의 파형 정형 회로(151)는 도 5의 CMOS 버퍼(BF1)의 구성 대신에 클록된 CMOS 버퍼 또는 인버터(BF3), 및 클록된 CMOS 버퍼(BF3)에 캐스케이드 접속으로 접속된 다른 CMOS 버퍼 또는 인버터(BF2)를 포함한다.13B, each of the
클록된 CMOS 버퍼(BF3)는 도 5의 CMOS 버퍼(BF1)의 구성에 더하여 PMOS 트랜지스터(PT3)와 NMOS 트랜지스터(NT3)를 포함한다.The clocked CMOS buffer BF3 includes the PMOS transistor PT3 and the NMOS transistor NT3 in addition to the configuration of the CMOS buffer BF1 of FIG.
PMOS 트랜지스터(PT3)는 그 소스가 고전위의 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)에 접속되고, 그 드레인이 PMOS 트랜지스터(PT1)의 소스에 접속된다.The source of the PMOS transistor PT3 is connected to the
한편, NMOS 트랜지스터(NT3)는 그 소스가 저전위의 전원전압(VSS2)의 공급 라인(161)에 접속되고, 그 드레인이 NMOS 트랜지스터(NT1)의 소스에 접속된다.On the other hand, the NMOS transistor NT3 has its source connected to the
NMOS 트랜지스터(NT3)의 게이트에 클록(CK)이 공급되고, PMOS 트랜지스터(PT3)의 게이트에 클록(CK)의 반전 또는 상보 신호(XCK)가 공급된다.The clock CK is supplied to the gate of the NMOS transistor NT3 and the complement of the clock CK or the complementary signal XCK is supplied to the gate of the PMOS transistor PT3.
클록(CK)이 하이 레벨일 때, PMOS 트랜지스터(PT3)와 NMOS 트랜지스터(NT3)는 클록된 CMOS 회로를 동작시키는 온 상태에 배치된다.When the clock CK is at the high level, the PMOS transistor PT3 and the NMOS transistor NT3 are placed in the ON state for operating the clocked CMOS circuit.
클록(CK, XCK)은 파형 정형 회로(151)의 동작 시작을 제어가능한 인에이블 신호로서의 기능을 가진다.The clocks (CK, XCK) have a function as an enable signal that can control the start of operation of the
파형 정형 회로(151)의 그 밖의 구성은 도 5a 내지 도 5c와 유사하므로, 여기에서 동일한 상세 설명은 중복을 방지하기 위해 생략한다.Other configurations of the
전술한 바와 같은 구성을 가지는 파형 정형 회로(151)는 수직 구동회로(120) 의 배치측, 즉 출력측 또는 도 13a에서의 좌측으로부터 전송된 게이트 펄스(Gp1 내지 Gpm)의 파형을 정논리 출력으로서 출력하고, 추가로 파형 정형을 수행한다.The
파형 정형을 위한 클록된 CMOS 버퍼(BF3)와 CMOS 버퍼(BF1)의 출력은 게이트 라인의 용량(Cgate)을 의미하며, 화소 전극 또는 TFT(화소 트랜지스터)가 온 상태인 상태에서의 액정 용량(Clcd)과 화소의 축적 용량(Cs)을 포함하는 용량도 의미한다.The output of the clocked CMOS buffer BF3 and CMOS buffer BF1 for waveform shaping means the capacitance of the gate line Cgate and the liquid crystal capacitance Clcd in the state in which the pixel electrode or TFT (pixel transistor) ) And the storage capacitance Cs of the pixel.
더욱이, 클록된 CMOS 버퍼(BF3)가 입력에 대하여 반전 논리 출력을 나타내기 때문에, 파형 정형 회로(151)는 CMOS 버퍼(BF2)가 정논리 출력을 얻기 위하여 클록된 CMOS 버퍼(BF3)에 접속되는 회로로 구성되어 있다.Furthermore, since the clocked CMOS buffer BF3 indicates the inverted logic output with respect to the input, the
파형 정형 회로(151)가 출력 전원을 필요로 하기 때문에, 화소 게이트의 온 오프를 위한 고전위측의 전원전압(VDD2)과 저전위측의 전원전압(VSS2)을 공급하는 공급 라인(160, 161)의 배선이 배치된다.
이 배선은 화소 신호 배선과 평행하게 배치된다. 그 이유는 이들이 신호 라인(116)((116-1 내지 116n)에 평행하게 근방에 배치되는 경우에, 예를 들면 액정의 개구율의 저하가 최소화될 수 있기 때문이다.This wiring is arranged in parallel with the pixel signal wiring. This is because, for example, the decrease in the aperture ratio of the liquid crystal can be minimized when they are arranged in the vicinity of the signal lines 116 (116-1 to 116n).
더욱이, 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)에 대해 저저항이 되는 버스 라인이 유효 화소 영역부(110)의 상에 접속되는 경우에, 수평방향의 전원 라인의 전압강하가 최소화될 수 있다.Further, when a bus line having a low resistance to the
그 결과, 유효 화소의 수평방향에서 파형 정형 회로(150)로부터 출력되는 고전압과 저전압의 변동도 최소화될 수 있다.As a result, variations in the high and low voltages output from the
클록이 파형 정형 회로(151)를 형성하는 CMOS 버퍼에 진입할 때, 클록된 CMOS 버퍼(BF3)는 제어신호로서 클록(인에이블 신호)(CK 또는 XCK)의 상승 에지 또는 하강 에지에서 동작을 시작한다.When the clock enters the CMOS buffer forming the
클록(CK 또는 XCK)의 공급 라인(162)이 표시장치의 수직방향에 배선되어 동작될 때, 수직방향에서의 클록(CK, XCK)의 지연 또는 왜곡이 발생하더라도, 수평방향에 있어서, 클록(CK, XCK)은 동일한 기생 용량의 동일한 이력을 가진다. 그러므로, 지연은 고정적이 된다.Even if delay or distortion of the clocks CK and XCK in the vertical direction occurs when the
그 결과, 수평방향에 배치되는 게이트 라인을 따라 전송되는 신호는 클록에 의해 제어된 지연의 파형이 된다. 이것은 고속으로 수직주사하는 게이트 선택 파형에 있어서 수평방향에 유의할 필요없이 선택신호를 발생시키게 된다.As a result, the signal transmitted along the gate line arranged in the horizontal direction becomes a waveform of the delay controlled by the clock. This causes a selection signal to be generated in the gate selection waveform which is scanned at a high speed in a vertical direction without being conspicuous in the horizontal direction.
또한, 제8 실시예에 있어서도, 제1 실시예와 같이, 파형 정형 회로(151)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)과 파형 정형 회로(151)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되는 것이 바람직하다.Also in the eighth embodiment,
그 이유는 파형 정형 회로(151)의 수평방향의 좌표가 고정되기 때문에, 게이트 펄스 파형이 지연을 겪지 않기 때문이다.This is because the horizontal coordinate of the
제8 실시예에서의 그 밖의 구성은 제1실시예와 유사하고, 전술한 제1 실시예에 의해 얻어지는 효과와 유사한 효과가 얻어질 수 있다. 물론, 지연이 고도의 정밀도로 일정하게 유지될 수 있다.Other structures in the eighth embodiment are similar to those in the first embodiment, and effects similar to those obtained by the first embodiment described above can be obtained. Of course, the delay can be kept constant with a high degree of accuracy.
<제9 실시예>≪ Example 9 &
도 14a, 도 14b 및 도 14c는 각각 본 발명의 제9 실시예에 따른 액정 표시장 치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한다.Figs. 14A, 14B and 14C show an example of the configuration of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to a ninth embodiment of the present invention, respectively.
도 14a를 참조하면, 제9 실시예에 따른 액정 표시장치(100H)는 제8 실시예에 따른 액정 표시장치(100G)와 구성면에서 유사하지만, 파형 정형 회로(150)의 배치 위치가 다르다.14A, the liquid
특히, 제8 실시예에 따른 액정 표시장치(100G)에 있어서, 파형 정형 회로(150)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161), 클록(CK, XCK)의 배선(162), 및 파형 정형 회로(150)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되어 있다.Particularly, in the liquid
대조적으로, 제9 실시예에 따른 액정 표시장치(100H)에 있어서, 파형 정형 회로(150)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161), 클록(CK, XCK)의 배선(162), 및 파형 정형 회로(150)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되지 않고, 게이트 라인 및 신호 라인의 배선에 대응하는 관계로 서로 일렬씩 빗나간 관계로 배치되어 있다.In contrast, in the liquid
도 14a의 예에 있어서, 파형 정형 회로(150-11)는 신호 라인(116-3)과 게이트 라인(115-1)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-12)는 신호 라인(116-4)과 게이트 라인(115-2)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다.In the example of Fig. 14A, the waveform shaping circuit 150-11 is disposed in the vicinity of the intersection of the signal line 116-3 and the gate line 115-1. The waveform shaping circuit 150-12 is arranged near the intersection of the signal line 116-4 and the gate line 115-2.
파형 정형 회로(150-13)는 신호 라인(116-5)과 게이트 라인(115-3)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-14(m))는 신호 라인(116-6)과 게이트 라인(115-m)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다.The waveform shaping circuit 150-13 is arranged near the intersection of the signal line 116-5 and the gate line 115-3. The waveform shaping circuit 150-14 (m) is arranged near the intersection of the signal line 116-6 and the gate line 115-m.
한편, 파형 정형 회로(150-21)는 신호 라인(116-7)과 게이트 라인(115-1)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-22)는 신호 라인(116-8)과 게이트 라인(115-2)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-23)는 신호 라인(116-9)과 게이트 라인(115-3)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(150-24(m))은 신호 라인(116-10)과 게이트 라인(115-m)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다.On the other hand, the waveform shaping circuit 150-21 is disposed near the intersection of the signal line 116-7 and the gate line 115-1. The waveform shaping circuit 150-22 is arranged near the intersection of the signal line 116-8 and the gate line 115-2. The waveform shaping circuit 150-23 is arranged near the intersection of the signal line 116-9 and the gate line 115-3. The waveform shaping circuit 150-24 (m) is disposed near the intersection of the signal line 116-10 and the gate line 115-m.
이 경우에, 파형 정형 회로(150)의 수평방향의 좌표가 일정하지 않은 경우에, 전원전압(VDD2)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(160, 161)으로부터 국부적인 기울기가 제거된다. 그러므로, 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)에 의한 배선 배치의 영향에서의 화소의 투과율의 균일성이 확보된다.In this case, when the horizontal coordinate of the
이 경우에, 표시장치의 휘도분포가 고정된다.In this case, the luminance distribution of the display device is fixed.
제9 실시예에서의 그 밖의 구성은 제8 실시예와 유사하고, 전술한 제1 및 제8 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과도 얻을 수 있다.The other structures in the ninth embodiment are similar to those in the eighth embodiment, and the same effects as those obtained by the first and eighth embodiments can be obtained.
<제10 실시예><Tenth Embodiment>
도 15a, 도 15 b 및 도 15c는 각각 본 발명의 제10 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한다.15A, 15B and 15C show an example of the configuration of the liquid crystal display device and the example of the gate pulse waveform according to the tenth embodiment of the present invention, respectively.
한편, 도 16a 내지 도 16j는 제10 실시예에 따른 액정 표시장치의 동작을 도시한다.16A to 16J show operations of the liquid crystal display device according to the tenth embodiment.
특히, 도 16a는 수직 구동회로용 수직 클록(VCK)을; 도 16b는 파형 정형 회로용 클록(CK)을; 도 16c는 클록(CK)의 반전 신호(XCK)를; 도 16d는 수직 스타트 신호(VST)(Vst)를 도시한다.In particular, FIG. 16A shows a vertical clock VCK for a vertical driving circuit; 16B shows a clock CK for the waveform shaping circuit; 16C shows the inverted signal XCK of the clock CK; 16D shows the vertical start signal VST (Vst).
도 16e는 수직 구동회로(120)의 제1 행째의 직후 출력으로서의 게이트 펄 스(Gp1)를; 도 16f는 수직 구동회로(120)의 제2 행째의 직후 출력으로서의 게이트 펄스(Gp2)를; 도 16g는 수직 구동회로(120)의 제3 행째의 직후 출력으로서의 게이트 펄스(Gp3)를 도시한다.16E shows the gate pulse Gp1 as the output immediately after the first row of the
도 16h는 수직 구동회로(120)의 제1 행째의 원단부의 게이트 펄스(Gp1)를; 도 16i는 수직 구동회로(120)의 제2 행째의 원단부의 게이트 펄스(Gp2)를; 도 16j는 수직 구동회로(120)의 제3 행째의 원단부의 게이트 펄스(Gp3)를 도시한다.16H shows the gate pulse Gp1 at the farthest end of the first row of the
또한, 도 16e의 타이밍 챠트 Vgate_1_L은 제1 행째의 직후 출력 펄스를; 도 16f의 타이밍 챠트 Vgate_2_L은 제2 행째의 직후 출력 펄스를; 도 16g의 타이밍 챠트 Vgate_3_L은 제3 행째의 직후 출력 펄스를 도시한다.The timing chart Vgate_1_L in Fig. 16E shows an output pulse immediately after the first row; The timing chart Vgate_2_L in Fig. 16F shows an output pulse immediately after the second row; The timing chart Vgate_3_L of Fig. 16G shows the output pulse immediately after the third row.
또한, 도 16h의 타이밍 챠트 Vgate_1_R은 제1 행째의 원단부 펄스를; 도 16i의 타이밍 챠트 Vgate_2_R은 제2 행째의 직후 출력 펄스를; 도 16j의 타이밍 챠트 Vgate_3_R은 제3 행째의 직후 출력 펄스를 도시한다.The timing chart Vgate_1_R in Fig. 16H indicates the far-end pulse of the first row; The timing chart Vgate_2_R in Fig. 16I shows an output pulse immediately after the second row; The timing chart Vgate_3_R in Fig. 16J shows the output pulse immediately after the third row.
도 15a을 참조하면, 제10 실시예에 따른 액정 표시장치(100I)는 제8 및 제9 실시예에 따른 액정 표시장치(100G, 100H)와 구성면에서 유사하지만, 파형 정형 회로(151)의 배치 위치가 다르다.15A, the liquid crystal display 100I according to the tenth embodiment is similar in construction to the liquid
특히, 제8 및 제9 실시예에 따른 액정 표시장치(100G, 100H)에 있어서, 파형 정형 회로(151)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 배선(160, 161)과 파형 정형 회로(151)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되어 있다.Particularly, in the liquid
또는 반대로, 제10 실시에에 따른 액적 표시장치에 있어서, 파형 정형 회로(151)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 배선(160, 161)과 파형 정형 회로(151)는 동일한 좌표에 배치되지 않는다.Conversely, in the liquid crystal display device according to the tenth embodiment, the
이에 대하여, 제10 실시예에 따른 액정 표시장치(100I)에 있어서, 게이트 라인과 신호 라인의 거의 모든 교차 위치 근방의 게이트 라인에, 바꾸어 말하면 화소 회로(111)의 게이트 펄스에 대한 입력부에 파형 정형 회로(151-11 내지 151-nm)가 배치되어 있다.On the other hand, in the liquid crystal display device 100I according to the tenth embodiment, in the gate lines near the intersections of almost all the gate lines and the signal lines, in other words, in the input section for the gate pulse of the
제10 실시예에 의하면, 도 16a 내지 도 16j에 도시된 바와 같이, 게이트 펄스가 양호하게 파형 정형된다.According to the tenth embodiment, as shown in Figs. 16A to 16J, the gate pulse is well waveform-shaped.
또한, 클록(CK, XCK)의 공급 라인(162) 등의 기생 용량에 의해 게이트 펄스의 파형이 왜곡되더라도, 수평방향에서, 모든 클록(CK, XCK)의 공급 라인(162)이 같은 기생 용량값을 가지기 때문에, 클록(CK, XCK)의 파형의 왜곡이 동일해진다.Even if the waveform of the gate pulse is distorted by the parasitic capacitance of the
다음에, 수평방향으로 전파되는 게이트 펄스의 파형이 파형 정형 회로(151)를 경유하기 때문에, 수평방향에서의 파형의 왜곡과 지연은 발생하지 않는다.Next, since the waveform of the gate pulse propagated in the horizontal direction passes through the
이런 식으로, 파형 정형 회로(151)가 게이트 라인의 배선 상에 각각의 화소 회로(111) 마다 배치되기 때문에, 파형 정형 회로간에 복수의 화소 회로(111)가 존재하여 게이트 펄스의 파형의 지연의 편차가 발생하지 않는다.In this way, since the
다시 말해서, 파형 정형 회로와 다른 파형 정형 회로간에 복수의 화소 회로가 존재하기 때문에, 기생 용량의 불균일성은 없어지고, 파형 정형 회로의 화소 게이트의 균일한 부하용량이 확보된다. 따라서, 게이트 전극에서의 지연은 더 이상 발생하지 않는다.In other words, since there are a plurality of pixel circuits between the waveform shaping circuit and the other waveform shaping circuits, the non-uniformity of the parasitic capacitance is eliminated, and the uniform load capacity of the pixel gate of the waveform shaping circuit is ensured. Thus, the delay at the gate electrode no longer occurs.
제10 실시예에서의 그 밖의 구성은 제8 및 제9 실시예와 유사하고, 전술한 제8 및 제9 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other configurations in the tenth embodiment are similar to those in the eighth and ninth embodiments, and the same effects as those obtained by the eighth and ninth embodiments described above can be obtained.
<제11 실시예>≪ Eleventh Embodiment >
도 17은 본 발명의 제11 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.Fig. 17 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to an eleventh embodiment of the present invention.
도 17를 참조하면, 제11 실시예에 따른 액정 표시장치(100J)는 제1 실시예에 따른 액정 표시장치(100G)와 구성면에서 유사하지만, 화상 데이터가 시분할로 패널에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성이 채용되는 점이 다르다.Referring to Fig. 17, the
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 18에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 시분할 스위치의 시분할수가 수평 선택기간 중에 충분히 전기 특성과 화상 특성을 만족시키지 않을 경우, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, even when the time-divisional switch is used as shown in Fig. 18 for the reduction of frame size of the panel, if the time-divisional number of the time-divisional switch does not sufficiently satisfy the electric characteristic and the image characteristic during the horizontal selection period, .
도 17에서, 신호 드라이버(131 내지 134)로부터의 신호(SV1 내지 SV4)는 복수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116)(116-1 내지 116-12)으로 전송된다. 17, the signals SV1 to SV4 from the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되는 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is controlled by the selection signal S1 having its complementary level supplied from the outside and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and its inverted signal XS2, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 프레임율 방식의 액티브 매트릭스형의 표시장치에 있어서, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the active matrix type display device of the high definition (UXGA) and high frame rate method, when the above-described configuration is adopted, the number of connection terminals is reduced and the selectivity of the selector time division driving method Employment becomes possible.
제11 실시예에서의 그 밖의 구성은 제8 실시예와 유사하며, 전술한 제8 실시 예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the eleventh embodiment are similar to those in the eighth embodiment, and the same effects as those obtained by the eighth embodiment described above can be obtained.
<제12 실시예><Twelfth Embodiment>
도 18은 본 발명의 제12 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.18 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to a twelfth embodiment of the present invention.
도 18을 참조하면, 제12 실시예에 따른 액정 표시장치(100K)는 제9 실시예에 따른 액정 표시장치(100H)와 구성면에서 유사하지만, 화상 데이터가 시분할로 패널에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성이 채용되는 점이 다르다.Referring to Fig. 18, the liquid
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 18에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 시분할 스위치의 시분할수가 수평 선택기간 중에 충분히 전기 특성과 화상 특성을 만족시키지 않을 경우, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, even when the time-divisional switch is used as shown in Fig. 18 for the reduction of frame size of the panel, if the time-divisional number of the time-divisional switch does not sufficiently satisfy the electric characteristic and the image characteristic during the horizontal selection period, .
도 18에 있어서, 신호 드라이버(131 내지 134)로부터의 신호(SV1 내지 SV4)는 복수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116)(116-1 내지 116-12)으로 전송된다.18, the signals SV1 to SV4 from the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되는 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is controlled by the selection signal S1 having its complementary level supplied from the outside and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and its inverted signal XS2, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 이러한 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 프레임율 방식의 액티브 매트릭스형의 표시장치에 있어서, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the case of adopting such a configuration as described above, in the active matrix type display device of high-definition (UXGA) and high-speed frame rate scheme, the number of connection terminals is reduced and the selector time- Can be adopted.
제12 실시예에서의 그 밖의 구성은 제9 실시예와 유사하며, 전술한 제8 및 제9 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the twelfth embodiment are similar to those in the ninth embodiment, and the same effects as those obtained by the eighth and ninth embodiments described above can be obtained.
<제13 실시예>≪ Thirteenth Embodiment &
도 19는 본 발명의 제13 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.Fig. 19 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to a thirteenth embodiment of the present invention.
도 19를 참조하면, 제13 실시예에 따른 액정 표시장치(100L)는 제10 실시예에 따른 액정 표시장치(100I)와 구성면에서 유사하지만, 화상 데이터가 시분할로 패널에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성이 채용된다는 점이 다르다.Referring to FIG. 19, the
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 19에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 시분할 스위치의 시분할수가 수평 선택기간 중에 충분히 전기 특성과 화상 특성을 만족시키지 않을 경우, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, even when the time-divisional switch is used as shown in Fig. 19 for reducing the frame size of the panel, when the time-divisional number of the time-divisional switch does not sufficiently satisfy the electric characteristic and the image characteristic during the horizontal selection period, .
도 19를 참조하면, 신호 드라이버(131 내지 134)에 의한 신호(SV1 내지 SV4)는 복수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116)(116-1 내지 116-12)으로 전송된다.19, the signals SV1 to SV4 by the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되는 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is controlled by the selection signal S1 having its complementary level supplied from the outside and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and its inverted signal XS2, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 이러한 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 프레임율 방식의 액티브 매트릭스형의 표시장치에 있어서, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the case of adopting such a configuration as described above, in the active matrix type display device of high-definition (UXGA) and high-speed frame rate scheme, the number of connection terminals is reduced and the selector time- Can be adopted.
제13 실시예에서의 그 밖의 구성은 제10의 실시예와 유사하며, 전술한 제8 내지 제10 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the thirteenth embodiment are similar to those in the tenth embodiment, and the same effects as those obtained by the eighth to tenth embodiments described above can be obtained.
또한, 제7 실시예에 있어서의 전압공급 라인의 배선은 여기에서 굳이 도면에 도시하지 않았지만, 제8 내지 제13 실시예에도 적용할 수 있다.Although the wiring of the voltage supply line in the seventh embodiment is not shown in the drawing here, it can be applied to the eighth to thirteenth embodiments.
그 경우에도, 원치않는 전압의 인접하는 화소 회로(111)로의 침입이 방지될 수 있다. 이에 따라서, 양호한 화질이 달성될 수 있다.Even in that case, an intrusion of an unwanted voltage into the
<제14 실시예><Fourteenth Embodiment>
도 20a, 도 20b 및 도 20c는 본 발명의 제14 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형을 도시한다.20A, 20B and 20C show a configuration example of a liquid crystal display device and a gate pulse waveform according to a fourteenth embodiment of the present invention.
도 20a를 참조하면, 제14 실시예에 따른 액정 표시장치(100M)는 제1 실시예에 따른 액정 표시장치(100)와 구성면에서 유사하지만, 다음과 같은 점에서 다르다.20A, the liquid
특히, 제14 실시예에 따른 액정 표시장치(100M)에 있어서, 파형 정형 회로가 캐스케이드 접속으로 단순히 접속된 CMOS 버퍼로 형성되는 회로 대신에 클록된 CMOS 회로에 의해 구성된다.In particular, in the liquid
여기에서, 파형 정형 회로(152)가 설명된다.Here, the
제14 실시예에 있어서도, 상기한 바와 같이, 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 배선 중간에, 게이트 버퍼(140-1 내지 140-m)에 의한 게이트 펄스의 파형 정형과 전압 변경을 행하는 파형 정형 회로(152-11 내지 152-1m, 152-21 내지 152-2m)가 배치되어 있다.Also in the fourteenth embodiment, as described above, waveform shaping and voltage change of the gate pulse by the gate buffers 140-1 to 140-m are performed in the middle of the wiring of the gate lines 115-1 to 115- The waveform shaping circuits 152-11 to 152-1m and 152-21 to 152-2m are arranged.
이에 따라, 도 20c의 실선으로 나타낸 파형과 같이, 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 게이트 버퍼(140-1 내지 140-m)의 출력 스테이지로부터 벗어난 원단부 또는 말단부에서의 게이트 펄스의 파형이 왜곡으로부터 개선된다. 또한, 도 20c의 파선으로 나타낸 파형은 파형 정형 회로가 개입되지 않은 경우의 원단부 또는 말단부에서의 게이트 펄스의 파형의 왜곡을 보이고 있다.Thus, as shown by the solid line in Fig. 20C, the gate pulse of the gate pulse at the distal end portion or the end portion deviating from the output stage of the gate buffers 140-1 to 140-m of the gate lines 115-1 to 115- The waveform is improved from distortion. In addition, the waveform shown by the broken line in Fig. 20C shows the distortion of the waveform of the gate pulse at the distal end portion or the end portion when the waveform shaping circuit is not intervened.
이에 따라, 표시장치는 고화소수 및 높은 프레임 주파수에 의한 표시가 용이해진다.Thus, the display device can be easily displayed by a high number of pixels and a high frame frequency.
파형 정형 회로(152-11 내지 152-1m, 152-21 내지 152-2m)는 파형 정형을 위한 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 라인 중간에 배치되어 있다.The waveform shaping circuits 152-11 to 152-1m and 152-21 to 152-2m are arranged in the middle of the lines of the gate lines 115-1 to 115-m for waveform shaping.
더욱이, 파형 정형 회로(152-11 내지 152-1m, 152-21 내지 152-2m)는 고전위가 되는 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 저전위가 되는 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)에 공통으로 접속된다.Further, the waveform shaping circuits 152-11 to 152-1m and 152-21 to 152-2m supply the supply voltage of the supply voltage VDD2 of high potential and the reference voltage VSS2 of low potential Are commonly connected to the
파형 정형 회로(152-11 내지 152-1m, 152-21 내지 152-2m)는 예를 들면 도 21a 내지 도 21c에 도시된 바와 같이 캐스케이드 접속으로 접속된 CMOS 구성의 NAND 게이트와 CMOS 버퍼를 포함하는 회로에 의해 각각 형성되어 있다.The waveform shaping circuits 152-11 to 152-1m and 152-21 to 152-2m may include a CMOS configuration NAND gate and a CMOS buffer connected in a cascade connection as shown in FIGS. 21A to 21C, for example. Respectively.
제14의 실시예에 있어서, 파형 정형 회로(152-11 내지 152-1m, 152-21 내지 152-2m)는 수직방향에서 동일한 좌표에 배치되어 있다.In the fourteenth embodiment, the waveform shaping circuits 152-11 to 152-1m, 152-21 to 152-2m are arranged at the same coordinates in the vertical direction.
구체적으로, 파형 정형 회로(152-11 내지 152-1m)는 신호 라인(116-6)과 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 교차 위치에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(152-21 내지 152-2m)는 신호 라인(116-10)과 게이트 라인(115-1 내지 115-m)의 교차 위치에 배치되어 있다.More specifically, the waveform shaping circuits 152-11 to 152-1m are disposed at the intersections of the signal lines 116-6 and the gate lines 115-1 to 115-m. The waveform shaping circuits 152-21 to 152-2m are disposed at the intersections of the signal lines 116-10 and the gate lines 115-1 to 115-m.
도 21a 내지 도 21c는 제14 실시예에 따른 파형 정형 회로가 CMOS 구성의 클록된 CMOS 회로로 구성한 예를 도시한다.Figs. 21A to 21C show an example in which the waveform shaping circuit according to the fourteenth embodiment is constituted by a clocked CMOS circuit of a CMOS configuration.
특히, 도 21a는 등가회로를 나타내고, 도 21b는 구체적인 회로를 나타내는 반면, 도 21c는 버퍼 출력측의 용량을 도시한다.Particularly, Fig. 21A shows an equivalent circuit, Fig. 21B shows a concrete circuit, and Fig. 21C shows a capacity on the buffer output side.
도 21b에 도시된 바와 같이, 각각의 파형 정형 회로(152)는 CMOS 구성의 NAND 회로(11) 및 NAND 회로(11)와 캐스케이드 접속으로 접속된 CMOS 버퍼 또는 인버터(BF11)를 포함한다.As shown in Fig. 21B, each
CMOS 구성의 NAND 회로(11)는 한쌍의 PMOS 트랜지스터(PT11, PT12)와 NMOS 트랜지스터(NT11, NT12)를 포함한다.The CMOS
PMOS 트랜지스터(PT11, PT12)는 그 소스가 고전위의 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)에 접속된다. PMOS 트랜지스터(PT11, PT12)는 그 드레인이 NMOS 트랜지스터(NT11)의 드레인에 접속되고, 드레인들의 접속점에 의해 노드(ND11)가 형성된다.The sources of the PMOS transistors PT11 and PT12 are connected to the
NMOS 트랜지스터(NT11)는 그 소스가 NMOS 트랜지스터(NT12)의 드레인에 접속되고, NMOS 트랜지스터(NT12)는 그 소스가 저전위의 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)에 접속된다.The source of the NMOS transistor NT11 is connected to the drain of the NMOS transistor NT12 and the source of the NMOS transistor NT12 is connected to the
PMOS 트랜지스터(PT12) 및 NMOS 트랜지스터(NT12)는 그 게이트가 서로 접속되고, 그 게이트의 접속점에 의해 노드(ND1)가 형성되어, 대응하는 게이트 라인(115-1 내지 115-m)에 접속된다.The gates of the PMOS transistor PT12 and the NMOS transistor NT12 are connected to each other and a node ND1 is formed by a junction point of the gate thereof to be connected to the corresponding gate line 115-1 to 115-m.
또한, PMOS 트랜지스터(PT12) 및 NMOS 트랜지스터(NT12)는 그 게이트가 인에이블 신호(ENB)의 공급 라인에 접속된다.The gates of the PMOS transistor PT12 and the NMOS transistor NT12 are connected to the supply line of the enable signal ENB.
CMOS 버퍼(BF11)는 PMOS 트랜지스터(PT13)와 NMOS 트랜지스터(NT13)를 포함한다.The CMOS buffer BF11 includes a PMOS transistor PT13 and an NMOS transistor NT13.
PMOS 트랜지스터(PT13)는 그 소스가 고전위의 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)에 접속되고, 그 드레인이 NMOS 트랜지스터(NT13)의 드레인에 접속된다. 그 드레인들의 접속점에 의해 노드(ND12)가 형성되된다.The source of the PMOS transistor PT13 is connected to the
NMOS 트랜지스터(NT13)는 그 소스가 저전위의 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)에 접속된다.The source of the NMOS transistor NT13 is connected to the
PMOS 트랜지스터(PT13) 및 NMOS 트랜지스터(NT13)는 그 게이트가 서로 접속되어, 그 게이트의 접속점이 CMOS 구성의 NAND 회로(11)의 노드(ND11)에 접속된다. 노드(ND12)는 출력 노드로서 대응하는 게이트 라인(115-1 내지 115-m)에 접속된다.The gates of the PMOS transistor PT13 and the NMOS transistor NT13 are connected to each other and the node is connected to the node ND11 of the
전술한 바와 같이 이러한 구성을 가지는 파형 정형 회로(152)는 수직 구동회로(120)의 배치측, 즉 출력측 또는 도 20a에서의 좌측으로부터 전송되는 게이트 펄스(Gp1 내지 Gpm)의 파형을 정논리로서 출력하고, 파형 정형을 행한다.The
파형 정형을 위한 CMOS 구성의 NAND 회로(11)와 CMOS 버퍼(BF11)의 출력은 게이트 라인의 용량(Cgate)을 의미하며, 화소 전극 또는 TFT(화소 트랜지스터)가 온 상태가 되는 상태에서의 액정 용량(Clcd)과 화소의 축적 용량(Cs)을 포함하는 용량도 의미한다.The output of the
또한, CMOS 구성의 NAND 회로(11)가 입력에 대하여 반전 논리 출력을 나타내기 때문에, 파형 정형 회로(152)는 정논리 출력을 얻기 위하여 CMOS 버퍼(BF11)가 NAND 회로(11)에 직렬 접속되는 회로에 의해 구성된다.In addition, since the
파형 정형 회로(152)가 출력 전원을 필요로 하기 때문에, 화소 게이트의 온 오프를 위한 하이 측의 전원전압(VDD2)과 로우 측의 기준전압(VSS)을 공급하는 공급 라인(160, 161)의 배선이 배치된다.Since the
이 배선은 화소 신호 배선과 평행하게 배치된다. 그 이유는 이들이 신호 라인(116)(116-1 내지 116-n)에 근방에 평행하게 배치되는 경우에, 예를 들면 액정의 개구율의 저하가 최소화될 수 있기 때문이다.This wiring is arranged in parallel with the pixel signal wiring. This is because, for example, the decrease in the aperture ratio of the liquid crystal can be minimized when they are arranged in the vicinity of the signal lines 116 (116-1 to 116-n) in parallel.
또한, 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)에 대해 저저항이 되는 버스 배선이 유효 화소 영역부(110)의 상부에 접속되는 경우에, 수평방향의 전원 라인의 전압강하가 최소화될 수 있다.When a bus wiring having a low resistance to the
그 결과, 유효 화소의 수평방향에서 파형 정형 회로(152)로부터 출력되는 고전압과 저전압의 변동도 최소화될 수 있다.As a result, variations in the high and low voltages output from the
CMOS 구성의 NAND 회로(11)는 인에이블 신호(ENB)가 파형 정형 회로(152)를 형성하는 CMOS 구성의 NAND 회로(11)에 입력될 때 그 제어 펄스로서 인에이블 신호 또는 클록(ENB)의 상승 에지 또는 하강 에지에서 동작을 시작한다.The
인에이블 신호(ENB)의 공급 라인(163)이 표시장치의 수직방향에 배선되어 동작되는 경우에, 수직방향에서의 인에이블 신호(ENB)의 지연 또는 파형의 왜곡이 발생하지만, 인에이블 신호(ENB)는 같은 기생 용량의 이력을 가진다. 그러므로, 지연은 고정되어진다.When the
그 결과, 수평방향에 배치되는 게이트 라인을 따라 전송된 신호는 클록에 제어된 지연의 파형을 보인다. 이것은 고속으로 수직주사하는 게이트 선택 파형에 있 어서 수평방향에 유의할 필요없이 선택신호를 발생시키게 된다.As a result, the signal transmitted along the gate line arranged in the horizontal direction shows a clock-controlled delay waveform. This causes the selection signal to be generated without regard to the horizontal direction in the gate selection waveform that is scanned at high speed in the vertical direction.
또한, 제14의 실시예에 있어서도, 제1 및 제8 실시예와 같이, 파형 정형 회로(152)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)과 파형 정형 회로(152)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되는 것이 바람직하다.Also in the fourteenth embodiment,
그 이유는 파형 정형 회로(152)의 수평방향의 좌표가 일정하기 때문에 게이트 펄스 파형의 지연이 발생하지 않는다.The reason is that since the horizontal coordinate of the
제14 실시예에 있어서의 그 밖의 구성은 제1 실시예와 유사하며, 전술한 제1 효과에 의해 얻어지는 동일한 효과가 얻어질 수 있다. 물론, 지연이 고정밀도로 일정하게 유지될 수 있다.Other structures in the fourteenth embodiment are similar to those in the first embodiment, and the same effect obtained by the first effect described above can be obtained. Of course, the delay can be kept constant with high accuracy.
<제15 실시예>≪ Embodiment 15 &
도 22a, 도 22b 및 도 22c는 각각 본 발명의 제15 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형을 도시한다.22A, 22B and 22C show a configuration example of a liquid crystal display device and a gate pulse waveform according to a fifteenth embodiment of the present invention, respectively.
도 22a를 참조하면, 제15 실시예에 따른 액정 표시장치(100N)는 제14 실시예에 따른 액정 표시장치(100G)과 구성면에서 유사하지만, 파형 정형 회로(152)의 배치 위치가 다르다.22A, the liquid
특히, 제14 실시예에 따른 액정 표시장치(100M)에 있어서, 파형 정형 회로(152)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161), 인에이블 신호(ENB)의 공급 라인(163), 및 파형 정형 회로(152)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되어 있다.Particularly, in the liquid
이에 대하여, 제15 실시예에 따른 액정 표시장치(100N)에 있어서, 수평방향 의 동일한 좌표에 배치되지 않고, 게이트 라인 및 신호 라인의 배선에 대응하여 일렬씩 빗나간 관계로 배치되어 있다.On the other hand, in the liquid
도 22a의 예에서, 파형 정형 회로(152-11)는 신호 라인(116-3)과 게이트 라인(115-1)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(152-12)는 신호 라인(116-4)과 게이트 라인(115-2)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(152-13)는 신호 라인(116-5)과 게이트 라인(115-3)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(152-14(m))는 신호 라인(116-5)과 게이트 라인(115-m)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다.In the example of Fig. 22A, the waveform shaping circuit 152-11 is disposed near the intersection of the signal line 116-3 and the gate line 115-1. The waveform shaping circuit 152-12 is disposed near the intersection of the signal line 116-4 and the gate line 115-2. The waveform shaping circuit 152-13 is disposed near the intersection of the signal line 116-5 and the gate line 115-3. The waveform shaping circuit 152-14 (m) is disposed near the intersection of the signal line 116-5 and the gate line 115-m.
한편, 파형 정형 회로(152-21)는 신호 라인(116-7)과 게이트 라인(115-1)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(152-22)는 신호 라인(116-8)과 게이트 라인(115-2)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(152-23)는 신호 라인(116-9)과 게이트 라인(115-3)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다. 파형 정형 회로(152-24(m))는 신호 라인(116-10)과 게이트 라인(115-4m)의 교차 위치 근방에 배치되어 있다.On the other hand, the waveform shaping circuit 152-21 is disposed near the intersection of the signal line 116-7 and the gate line 115-1. The waveform shaping circuit 152-22 is arranged near the intersection of the signal line 116-8 and the gate line 115-2. The waveform shaping circuit 152-23 is arranged near the intersection of the signal line 116-9 and the gate line 115-3. The waveform shaping circuit 152-24 (m) is disposed near the intersection of the signal line 116-10 and the gate line 115-4m.
이 경우에, 파형 정형 회로(152)의 수평방향의 좌표가 일정하지 않은 경우에, 전원전압(VDD2)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(160, 161)의 배선으로부터 국부적인 기울기가 제거된다. 그러므로, 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)의 배선 배치의 영향하에서 화소의 투과율의 균일성이 확보된다.In this case, when the coordinates of the
이 경우에, 표시장치의 휘도분포가 일정하게 된다.In this case, the luminance distribution of the display device becomes constant.
제15 실시예에서의 그 밖의 구성은 제14 실시예와 유사하며, 전술한 제1 및 제14 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the fifteenth embodiment are similar to those in the fourteenth embodiment, and the same effects as those obtained by the first and fourteenth embodiments described above can be obtained.
<제16 실시예><Sixteenth Embodiment>
도 23a, 도 23b 및 도 23c는 각각 발명의 제16 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형을 도시한다.23A, 23B and 23C show a configuration example of a liquid crystal display device and a gate pulse waveform according to a sixteenth embodiment of the present invention, respectively.
한편, 도 24a 내지 도 24j는 제16 실시예에 따른 액정 표시장치의 동작을 도시한다.24A to 24J show operations of the liquid crystal display according to the sixteenth embodiment.
특히, 도 24a는 수직 스타트 신호(VST)(Vst)를; 도 24b는 수직 구동회로용 수직 클록(VCK)을; 도 24c는 파형 정형 회로용 인에이블 신호(ENB)를 각각 보이고 있다.In particular, FIG. 24A shows a vertical start signal VST (Vst); 24B shows a vertical clock VCK for a vertical driving circuit; And Fig. 24C shows the waveform shaping circuit enable signal ENB.
도 24d는 수직 구동회로(120)의 제1 행째의 즉각 게이트 펄스(Gp1)를; 도 24e는 수직 구동회로(120)의 제2 행째의 즉각 게이트 펄스(Gp2)를; 도 24f는 수직 구동회로(120)의 제3 행째의 즉각 게이트 펄스(Gp3)를 각각 보이고 있다.24D shows the immediately-after gate pulse Gp1 in the first row of the
도 24g는 수직 구동회로(120)의 제1 행째의 원단부의 게이트 펄스(Gp1)를; 도 24h는 수직 구동회로(120)의 제2 행째의 원단부의 게이트 펄스(Gp2)를; 도 24i는 수직 구동회로(120)의 제3 행째의 원단부의 게이트 펄스(Gp3)를 각각 보이고 있다.24G shows a gate pulse Gp1 at the farthest end of the first row of the
또한, 도 24d의 타이밍 챠트 Vgate_1_L은 제1 행째의 직후 출력 펄스를; 도 24e의 타이밍 챠트 Vgate_2_L은 제2 행째의 직후 출력 펄스를; 도 24f의 Vgate_3_L은 제3 행째의 직후 출력 펄스를 각각 보이고 있다.The timing chart Vgate_1_L in Fig. 24D shows an output pulse immediately after the first row; The timing chart Vgate_2_L in FIG. 24E shows an output pulse immediately after the second row; Vgate_3_L in FIG. 24F shows output pulses immediately after the third row.
또한, 도 24g의 타이밍 챠트 Vgate_1_R은 제1 행째의 원단부 펄스를; 도 24h 의 타이밍 챠트 Vgate_2_R은 제2 행째의 직후 출력 펄스를; 도 24i의 타이밍 챠트 Vgate_3_R은 제3 행째의 직후 출력 펄스를 각각 보이고 있다.The timing chart Vgate_1_R in Fig. 24G shows the far-end pulse in the first row; The timing chart Vgate_2_R in Fig. 24H shows an output pulse immediately after the second row; The timing chart Vgate_3_R in FIG. 24 (i) shows output pulses immediately after the third row.
도 25a는 수직 스타트 신호 또는 스타트 펄스(VST)(Vst)를; 도 24b는 수직 구동회로용 수직 클록(VCK)을 각각 보이고 있다.25A shows a vertical start signal or a start pulse VST (Vst); And Fig. 24B shows the vertical clock VCK for the vertical driving circuit, respectively.
도 25c는 파형 정형 회로용의 제1 스테이지에서의 인에이블 신호(ENB)를; 도 25d는 수직 구동회로(120)의 제1 행째의 즉각 게이트 펄스(Gp1)를; 도 25e는 수직 구동회로(120)의 제1 행째의 원단부의 게이트 펄스(Gp1)를 각각 보이고 있다.Fig. 25C shows the enable signal ENB in the first stage for the waveform shaping circuit; FIG. 25D shows the immediately-after gate pulse Gp1 in the first row of the
도 25f는 파형 정형 회로용의 중간 스테이지에서의 인에이블 신호(ENB)를; 도 25g는 수직 구동회로(120)의 중간 스테이지에서의 즉각 게이트 펄스(GpM)를; 도 25h는 수직 구동회로(120)의 중간 스테이지에서의 원단부의 게이트 펄스(GpM)를 각각 보이고 있다.Fig. 25F shows the enable signal ENB at the intermediate stage for the waveform shaping circuit; 25G shows an immediate gate pulse GpM at the intermediate stage of the
도 25i는 파형 정형 회로용의 최종 스테이지에서의 인에이블 신호(ENB)를; 도 25j는 수직 구동회로(120)의 최후 행의 즉각 게이트 펄스(GpF)를; 도 25k는 수직 구동회로(120)의 최후 행의 원단부의 게이트 펄스(GpF)를 각각 보이고 있다.Fig. 25I shows the enable signal ENB at the final stage for the waveform shaping circuit; 25J shows a gate pulse GpF immediately after the last row of the
또한, 도 25d의 타이밍 챠트 Vgate_1_L은 제1 행째의 직후 출력 펄스를; 도 25e의 타이밍 챠트 Vgate_1_R은 제1 행째의 원단부 펄스를 각각 보이고 있다.The timing chart Vgate_1_L in Fig. 25D shows the output pulse immediately after the first row; The timing chart Vgate_1_R in Fig. 25E shows the far-end pulse of the first row.
도 25g의 타이밍 챠트 Vgate_M_L은 중간 스테이지에서의 직후 출력 펄스를; 도 25h의 타이밍 챠트 Vgate_M_R은 중간 스테이지에서의 원단부 펄스를 각각 보이고 있다.The timing chart Vgate_M_L in Fig. 25G shows the output pulse immediately after the intermediate stage; The timing chart Vgate_M_R in Fig. 25H shows the far-end pulse at the intermediate stage.
도 25j의 타이밍 챠트 Vgate_F_L은 최후 행의 직후 출력 펄스를; 도 25k의 타이밍 챠트 Vgate_F_R은 최후 행의 원단부 펄스를 각각 보이고 있다.The timing chart Vgate_F_L in FIG. 25J shows an output pulse immediately after the last row; And the timing chart Vgate_F_R in FIG. 25K shows the far-end far-end pulse.
도 23a를 참조하면, 제16 실시예에 따른 액정 표시장치(100O)는 제14 및 제15 실시예에 따른 액정 표시장치(100M, 100N)와 구성면에서 유사하지만, 파형 정형 회로(152)의 배치 위치가 다르다.23A, the liquid crystal display 100O according to the sixteenth embodiment is similar in construction to the liquid
특히, 제14 및 제16 실시예에 따른 액정 표시장치(100M, 100N)에 있어서, 파형 정형 회로(152)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)과 파형 정형 회로(152)는 수평방향의 동일한 좌표에 배치되어 있다.Particularly in the liquid
또는 반대로, 파형 정형 회로(152)에 공급되는 전압(VDD2, VSS2)의 공급 라인(160, 161)과 파형 정형 회로(152)는 동일한 좌표에 배치되지 않는다.Conversely, the
이에 대하여, 제16 실시예에 따른 액정 표시장치(100O)에 있어서, 게이트 라인과 신호 라인의 거의 모든 교차 위치 근방의 게이트 라인에, 바꾸어 말하면 각각의 화소 회로(111)의 게이트 펄스의 입력부에 파형 정형 회로(152-11 내지 152-nm)가 배치되어 있다.On the other hand, in the liquid crystal display device 100O according to the sixteenth embodiment, the gate lines near the intersections of almost all the gate lines and the signal lines, in other words, the input waveforms of the gate pulses of the
제16 실시예에 의하면, 도 24a 내지 도 24j에 도시된 바와 같이 게이트 펄스는 양호하게 파형 정형된다.According to the sixteenth embodiment, the gate pulse is well waveform-shaped as shown in Figs. 24A to 24J.
또한, 인에이블 신호(ENB)가 공급 라인(163) 등의 기생 용량에 의해 파형에 왜곡이 발생하지만, 수평방향에서의 모든 인에이블 신호(ENB)의 공급 라인(163)이 같은 기생 용량값을 가지기 때문에, 인에이블 신호(ENB)의 파형의 왜곡이 동일하다.Although the waveform of the enable signal ENB is distorted by the parasitic capacitance of the
다음에, 수평방향으로 전송되는 게이트 펄스가 파형 정형 회로(152)를 경유 하기 때문에, 수평방향에서의 파형의 왜곡과 지연은 발생하지 않는다.Next, since the gate pulse transmitted in the horizontal direction passes through the
이렇게, 파형 정형 회로(152)가 게이트 라인의 배선 상에서 화소 회로(111) 마다 배치되기 때문에, 파형 정형 회로간에 복수의 화소 회로(111)가 존재하여 게이트 펄스의 파형의 지연의 편차가 발생하지 않는다.In this way, since the
다시 말해서, 파형 정형 회로와 다른 파형 정형 회로간에 복수의 화소 회로가 존재하기 때문에, 기생 용량의 불균일성은 제거되고, 파형 정형 회로의 화소 게이트의 균일한 부하 용량이 확보된다. 따라서, 게이트 전극에서의 지연은 발생하지 않게 된다.In other words, since there are a plurality of pixel circuits between the waveform shaping circuit and other waveform shaping circuits, the non-uniformity of the parasitic capacitance is eliminated, and the uniform load capacitance of the pixel gate of the waveform shaping circuit is ensured. Therefore, no delay occurs in the gate electrode.
제16 실시예에서의 그 밖의 구성은 제14 및 제15의 실시예와 유사하며, 전술한 제14 및 제15의 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the sixteenth embodiment are similar to those in the fourteenth and fifteenth embodiments, and the same effects as those obtained by the fourteenth and fifteenth embodiments described above can be obtained.
<제17 실시예><Seventeenth Embodiment>
도 26은 본 발명의 제17 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.Fig. 26 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to a seventeenth embodiment of the present invention.
도 26를 참조하면, 제17 실시예에 따른 액정 표시장치(100P)는 제14 실시예에 따른 액정 표시장치(100M)와 구성면에서 유사하며, 화상 데이터가 시분할로 패널에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성이 채용된다는 점이 다르다.Referring to Fig. 26, the liquid
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 26에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 시분할 스위치의 시분할수가 수평 선택기간 중에 충분히 전기 특성과 화상 특성을 만족시키지 않을 경우, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, even when the time-divisional switch is used as shown in Fig. 26 for reducing the frame size of the panel, if the time-divisional number of the time-divisional switch does not sufficiently satisfy the electric characteristic and the image characteristic during the horizontal selection period, .
도 26에서, 신호 드라이버(131 내지 134)로부터의 신호(SV1 내지 SV4)는 복 수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116)(116-1 내지 116-12)으로 전송된다.26, the signals SV1 to SV4 from the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되는 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is controlled by the selection signal S1 having its complementary level supplied from the outside and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and its inverted signal XS2, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 이런 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 프레임율 방식의 액티브 매트릭스형의 표시장치에 있어서, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the case of adopting such a configuration as described above, in the active matrix type display device of high-definition (UXGA) and high-speed frame rate scheme, the number of connection terminals is reduced and the selector time- Can be adopted.
제17 실시예에서의 그 밖의 구성은 제14 실시예와 유사하며, 전술한 제14 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the seventeenth embodiment are similar to those in the fourteenth embodiment, and the same effects as those obtained by the fourteenth embodiment can be obtained.
<제18 실시예><Eighteenth Embodiment>
도 27은 본 발명의 제18 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.Fig. 27 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to an eighteenth embodiment of the present invention.
도 27를 참조하면, 제18 실시예에 따른 액정 표시장치(100Q)는 제15 실시예에 따른 액정 표시장치(100N)와 구성면에서 유사하지만, 화상 데이터가 시분할로 패널에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성이 채용된다는 점이 다르다.Referring to Fig. 27, the
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 27에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 시분할 스위치의 시분할수가 수평 선택기간 중에 충분히 전기 특성과 화상 특성을 만족시키지 않을 경우, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, even when the time-divisional switch is used as shown in Fig. 27 for reducing the frame size of the panel, when the time-divisional number of the time-divisional switch does not sufficiently satisfy the electric characteristic and the image characteristic during the horizontal selection period, .
도 27에서, 신호 드라이버(131 내지 134)로부터의 신호(SV1 내지 SV4)는 복 수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116)(116-1 내지 116-12)으로 전송된다.27, the signals SV1 to SV4 from the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되는 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is controlled by the selection signal S1 having its complementary level supplied from the outside and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and its inverted signal XS2, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 이러한 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 프레임율 방식의 액티브 매트릭스형의 표시장치에 있어서, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the case of adopting such a configuration as described above, in the active matrix type display device of high-definition (UXGA) and high-speed frame rate scheme, the number of connection terminals is reduced and the selector time- Can be adopted.
제18 실시예에서의 그 밖의 구성은 제15 실시예와 유사하며, 전술한 제14 및 제15 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the eighteenth embodiment are similar to those in the fifteenth embodiment, and the same effects as those obtained by the fourteenth and fifteenth embodiments described above can be obtained.
<제19 실시예>≪ Example 19 &
도 28은 본 발명의 제19 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한다.Fig. 28 shows a configuration example of a liquid crystal display device according to a nineteenth embodiment of the present invention.
도 28를 참조하면, 제19 실시예에 따른 액정 표시장치(100R)는 제16 실시예에 따른 액정 표시장치(100O)와 구성면에서 유사하며, 화상 데이터가 시분할로 패널내에 기록되는 방식에 대해서도 유효한 구성이 채용된다는 점에서 다르다.Referring to Fig. 28, the liquid
특히, 패널의 액자 감소를 위하여, 도 28에 도시된 바와 같이 시분할 스위치가 이용되는 경우에 있어서도, 시분할 스위치의 시분할수가 수평 선택 기간 중에 충분히 전기 특성과 화상 특성을 만족시키지 않는 경우에, 본 발명의 적용이 요구된다.Particularly, in the case where the time division switch of the time division switch does not sufficiently satisfy the electric characteristics and the image characteristics during the horizontal selection period, even when the time division switch is used as shown in Fig. 28, Application is required.
도 28에서, 신호 드라이버(131 내지 134)에 의한 신호(SV1 내지 SV4)는 복수의 전송 게이트(TMG)를 가지는 선택기(SEL)를 거쳐서 신호 라인(116)(116-1 내지 116-12)으로 전송된다.28, the signals SV1 to SV4 by the
전송 게이트(아날로그 스위치)(TMG)의 도통 상태는 외부에서 공급되는 서로 상보적 레벨을 가지는 선택신호(S1)와 그 반전 신호(XS1), 선택신호(S2)와 그 반전 신호(XS2), 선택신호(S3)와 그 반전 신호(XS3), ...에 의해 제어된다.The conduction state of the transfer gate (analog switch) TMG is controlled by the selection signal S1 having its complementary level supplied from the outside and the inverted signal XS1, the selection signal S2 and its inverted signal XS2, Is controlled by the signal S3 and its inverted signals XS3, ....
전술한 바와 같은 이러한 구성이 채용되는 경우에, 고선명(UXGA), 고속 프레임율 방식의 액티브 매트릭스형의 표시장치에 있어서, 접속 단자수를 감소시키고, 접속의 기계적인 신뢰를 향상시키는 선택기 시분할 구동방식의 채용이 가능해진다.In the case of adopting such a configuration as described above, in the active matrix type display device of high-definition (UXGA) and high-speed frame rate scheme, the number of connection terminals is reduced and the selector time- Can be adopted.
제19 실시예에서의 그 밖의 구성은 제16의 실시예와 유사하며, 전술한 제14 내지 제16 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the nineteenth embodiment are similar to those in the sixteenth embodiment, and the same effects as those obtained by the above-described fourteenth to sixteenth embodiments can be obtained.
<제20 실시예><Twentieth Embodiment>
도 29a, 도 29b 및 도 29c는 본 발명의 제20 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한다.29A, 29B and 29C show an example of the configuration of the liquid crystal display device and the example of the gate pulse waveform according to the 20th embodiment of the present invention.
도 29a를 참조하면, 제20 실시예에 따른 액정 표시장치(100S)는 제16 실시예에 따른 액정 표시장치(100O)와 구성면에서 유사하지만, 다음과 같은 점이 다르다.29A, the liquid
제20 실시예에 따른 액정 표시장치(100S)는 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161)이 모든 신호 라인(116)(116-1 내지 116-m)과 모든 게이트 라인(115)(115-1 내지 115-m)의 사이에도 배선되어 있다.The liquid
전술한 바와 같은 구성이 채용되는 경우에, 게이트 라인과 신호 라인으로 발 생하는 원치않는 전압의 인접하는 화소 회로(111)로의 침입이 방지될 수 있다. 이에 따라, 양호한 화질이 얻어질 수 있다.When the configuration as described above is employed, the intrusion of an undesired voltage generated in the gate line and the signal line into the
제20 실시예에서의 그 밖의 구성은 제10 실시예와 유사하며, 전술한 제14 내지 제16 실시예에 의해 얻어지는 효과와 동일한 효과가 얻어질 수 있다.The other structures in the twentieth embodiment are similar to those in the tenth embodiment, and the same effects as those obtained by the above-described fourteenth to sixteenth embodiments can be obtained.
또한, 제20 실시예에서의 전압공급 라인의 배선은 여기에서 굳이 도면에 나타내지 않았지만, 다른 제14, 제15, 제17 내지 제19 실시예에도 적용할 수 있다. 그 경우도 원치않는 전압의 인접하는 화소 회로(111)로의 침입이 방지될 수 있고, 양호한 화질이 얻어질 수 있다.Although the wiring of the voltage supply line in the twentieth embodiment is not shown in the drawing here, it is also applicable to the other fourteenth, fifteenth, and seventeenth to nineteenth embodiments. In this case as well, intrusion of undesired voltages into the
본 발명의 제1 내지 제20 실시예에 있어서, 등가회로에 있어서의 파형 정형 회로(150, 151, 152)의 배치 위치, 구성, 및 전원 라인 등이 전술되었다.In the first to twentieth embodiments of the present invention, the arrangement positions and configurations of the
이하, 디바이스에 있어서의 파형 정형 회로(150, 151, 152)의 배치 위치가 설명된다.Hereinafter, the arrangement positions of the
본 실시예에서, 투과형 액정 표시장치에서, 파형 정형 회로(150, 151, 152)는 기본적으로 블랙 컬러 필터 마스크의 바로 아래에 배치된다.In the present embodiment, in the transmissive liquid crystal display device, the
한편, 반사형 또는 투과반사형의 액정 표시장치에 있어서, 파형 정형 회로(150, 151, 152)는 반사 영역에 배치된다.On the other hand, in the reflective or transmissive liquid crystal display device, the
도 30a 및 도 30b는 투과형 액정 표시장치를 도시한다.30A and 30B show a transmissive liquid crystal display device.
도 30a 및 도 30b를 참조하면, 투과형 액정 표시장치(300)는 도 3을 참조하여 이전에 설명된 바와 같은 하부 게이트형 TFT를 포함하고, TFT 기판(310)과 대향기판(320) 사이에 액정층(330)이 삽입되도록 구성된다.30A and 30B, the transmissive
도 30a에 도시된 바와 같이, TFT 기판(310)은 유리 기판(311), 유리 기판(311) 상에 형성된 평탄화 막(312), 평탄화 막(312) 상에 형성된 투명전극(313), 및 투명전극(313) 상에 형성된 배향막(314)을 포함한다.30A, the
대향 기판(320)은 유리 기판(321), 유리 기판(321)상에 형성된 차광 영역(322), 및 차광 영역(322) 상에 형성된 배향막(323)을 포함한다.The
또한, 도 30b에 있어서, 도 3과 동일구성 부분은 동일한 참조 부호에 의해 나타내고 있다. 그리고, TFT의 구조 자체는 이미 설명되었기 때문에, 그 중복 설명은 장황함을 피하기 위하여 생략된다.In Fig. 30B, the same constituent parts as those in Fig. 3 are denoted by the same reference numerals. Since the structure of the TFT itself has already been described, the redundant description is omitted in order to avoid verbosity.
도 31은 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1의 예를 도시한다.Fig. 31 shows a first example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 5A to 5C is employed.
도 31에 도시된 바와 같이, 파형 정형 회로(150)의 구성 소자(PT1, PT2, NT1 및 NT2) 및 배선은 블랙 컬러 필터 마스크로 이루어지는 차광 영역(322)의 바로 아래에 배치된다.31, the constituent elements PT1, PT2, NT1 and NT2 of the
본 예에서, 정논리로 입력되는 게이트 펄스(Gp)는 버퍼(BF1, BF2)를 통과한 후 정논리로 화소 회로(111)의 TFT(112)의 게이트에 인가된다.In this example, the gate pulse Gp input with the positive logic is applied to the gate of the
파형 정형 회로(150)가 폴리실리콘 TFT(박막 트랜지스터)로 형성되기 때문에, 백라이트로부터의 광이 파형 정형 회로(150)에 의해 차단되고, 이것은 화소의 투과율의 저하를 일으킨다.Since the
그러므로, TFT(박막 트랜지스터)로 형성되는 파형 정형 회로(150)와 그 파형 정형 회로(150)에 대한 전압(VDD2, VSS2)의 전원 라인(160, 161)을 포함하는 임의 의 화소에서, 휘도의 편차가 발생하기 쉬워진다.Therefore, in the arbitrary pixel including the
그러므로, 화소간의 휘도 편차를 억제하는 블랙 컬러 필터 마스크로 이루어지는 차광 영역(322)이 그 회로의 바로 위에 배치되어, 투과율을 일정하게 하고, 휘도 편차를 억제한다.Therefore, the
도 32는 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 32 shows a second example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 5A to 5C is employed.
제2 예는 도 31의 제1 예와 유사하지만, 부논리로 입력된 게이트 펄스(Gp)를 버퍼(BF1)에 의해 레벨 반전시켜서, 정논리로 화소 회로(111)의 TFT(112)의 게이트에 인가되는 점에서 다르다. 다음에, 게이트 펄스(Gp)는 버퍼(BF2)를 통해 부논리로 출력된다.The second example is similar to the first example of Fig. 31, but the gate pulse Gp input with the negative logic is level-inverted by the buffer BF1, and the gate of the
따라서, 화소 회로(111)는 버퍼(BF1)의 출력과 버퍼(BF2)의 입력 사이에 배치된다.Therefore, the
도 33은 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제3 예를 도시한다.Fig. 33 shows a third example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 5A to 5C is employed.
제3 예는 도 31의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 구성된다는 점에서 다르다.The third example is similar to the first example of FIG. 31, but differs in that it is configured to prevent intrusion of undesired voltages from the
특히, 제3 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 34는 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경 우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제4 예를 도시한다.Fig. 34 shows a fourth example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 5A to 5C is employed.
제4 예는 도 32의 제2 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 구성된다는 점에서 다르다.The fourth example is similar to the second example of FIG. 32, but differs in that it is configured to prevent the ingress of undesired voltages from the
특히, 제3 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 35a는 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로를 도시하고, 도 35b는 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1의 예를 도시한다.FIG. 35A shows a pixel circuit of a transmissive reflection type liquid crystal display device, and FIG. 35B shows a first example of a pixel circuit of a transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to FIGS. 5A to 5C is employed. Fig.
도 35a를 참조하면, 투과반사형 액정 표시장치(400)는 투명 절연 기판(401) 및 투명 절연 기판(401) 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT)(402), 화소 영역(403) 등을 포함한다.35A, a transmissive reflection type liquid
투과반사형 액정 표시장치(400)는 투명 절연 기판(401)과 마주하는 관계로 설치되는 투명 절연 기판(404), TFT(402), 및 화소 영역(403)을 더 포함한다. 투과반사형 액정 표시장치(400)는 오버코트층(405), 컬러 필터(405a), 대향 전극(406), 및 투명 절연 기판(404) 상에 형성된 액정층(407)을 더 포함한다. 액정층(407)은 화소 영역(403)과 대향 전극(406) 사이에 삽입된다.The transmissive reflection type liquid
화소 영역(403)은 매트릭스로 배치되며, TFT(402)에 게이트 펄스(Gp)를 공급하는 게이트 라인(115)과 TFT(402)에 표시 신호를 공급하기 위한 신호 라인(116)이 서로 직교 관계로 개별 화소 영역(403)의 주위에 제공되어, 화소부를 구성한다.The
또한, 투명 절연 기판(401)과 TFT(402) 측에는 게이트 라인(115)에 평행하게 연장하는 금속막으로 형성되는 저장 용량용 배선(이하, CS 라인이라고 칭한다)이 설치된다. 상기 CS 라인은 화소 전극과 저장 용량(CS)을 형성하고, 대향 전극(406)에 접속된다.A storage capacitor wiring (hereinafter referred to as CS line) formed of a metal film extending parallel to the
또한, 반사형 표시를 행하기 위한 반사 영역(A)과 투과형 표시를 행하기 위한 투과 영역(B)이 각 화소 영역(403)에 제공된다.Further, a reflective region A for performing reflective display and a transmissive region (B) for performing transmissive display are provided in each
투명 절연 기판(401)은 예를 들면 유리와 같은 투명재료로 형성된다. TFT(402), 산란층(408), 평탄화 층(409)이 투명 절연 기판(401) 상에 형성된다. 특히, 산란층(408)은 그 사이에 삽입된 절연막으로 TFT(402) 상에 형성되고, 평탄화 층(409)이 산란층(408) 상에 형성된다. 더욱이, 투명 전극(410)과 반사 전극(411)이 평탄화 층(409) 상에 형성된다. 반사 전극(411)은 전술한 반사 영역(A) 및 투과 영역(B)을 가지는 화소 영역(403)을 형성한다.The transparent
이제, 도 35b를 참조하면, 파형 정형 회로(150)의 구성 소자(PT1, PT2, NT1 NT2) 및 배선은 반사 영역(A)에 배치된다.35B, the constituent elements PT1, PT2, NT1 NT2 and the wiring of the
전술한 바와 같이, 파형 정형 회로(150)는 폴리실리콘 TFT(박막 트랜지스터)로 형성되기 때문에, 백라이트로부터의 광은 파형 정형 회로(150)에 의해 차단되고, 이것은 화소의 투과율의 저하의 원인이 된다.As described above, since the
이런 점에서, 반사 액정과 같이 백라이트의 광을 통과시키지 않는 것이 존재하는 경우에, 파형 정형 회로(151)가 반사 액정의 반사 영역의 바로 아래에 적극적으로 배치되는 방법이 유용하다.In this regard, a method in which the
상기 파형 정형 회로(150)의 배치에 의해, 파형 정형 회로(150)에 사용된 CMOS의 형성을 위한 TFT 배치의 자유도가 투과형과 비교하여 상당히 증가한다. 이에 따라, 전원전압(VDD2)과 기준전압(VSS2)의 전원 라인의 폭이 증가될 수 있기 때문에, CMOS 출력의 전원 라인 저항에 의한 지연은 발생하기 어려워진다.By the arrangement of the
도 36a는 반사형 액정 표시장치의 화소 회로이며, 도 36b는 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1의 예를 도시한다.36A is a pixel circuit of a reflection type liquid crystal display device, and FIG. 36B shows a first example of a pixel circuit of a reflection type liquid crystal display device when the above-described waveform shaping circuit is employed with reference to FIGS. 5A to 5C .
반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 디바이스 구조는 투과 영역(B)을 가지지 않는다는 점만 제외하면 투과반사형 액정 표시장치와 유사하다. 그러므로, 디바이스 구조의 중복 설명은 여기에서 장황함을 피하기 위해 생략된다.The device structure of the pixel circuit of the reflective liquid crystal display device is similar to the transmissive reflective liquid crystal display device except that it does not have the transmissive region B. [ Therefore, a redundant description of the device structure is omitted here to avoid verbosity.
이 경우에도, 도 36b에 도시된 바와 같이 파형 정형 회로(150)의 구성 소자(PT1, PT2, NT1, NT2) 및 배선은 반사 영역(A)에 배치된다.In this case also, the constituent elements PT1, PT2, NT1 and NT2 of the
도 37은 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 37 shows a second example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the above-described waveform shaping circuit is employed with reference to Figs. 5A to 5C.
제2 예는 도 35a와 도 35b의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록 구성된다는 점에서 다르다. The second example is similar to the first example of FIGS. 35A and 35B, but differs in that it is configured to prevent the intrusion of undesired voltages from the
특히, 본 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 38은 도 5a 내지 도 5c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 38 shows a second example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above is employed with reference to Figs. 5A to 5C.
제2 예는 도 36의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록 구성된다는 점에서 다르다.The second example is similar to the first example of FIG. 36, but differs in that it is configured to prevent intrusion of undesired voltages from the
특히, 본 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 39는 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1 예를 도시한다.Fig. 39 shows a first example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the above-described waveform shaping circuit is employed with reference to Figs. 13A to 13C.
도 39에 도시된 바와 같이, 파형 정형 회로(151)의 구성 소자(PT1, PT2, NT1, NT2) 및 배선은 블랙 컬러 필터 마스크로 형성된 차광 영역(322)의 바로 아래에 배치된다.The constituent elements PT1, PT2, NT1 and NT2 of the
본 예에서, 정논리로 입력된 게이트 펄스(Gp)는 버퍼(BF3, BF2)를 통과한 후 정논리로 화소 회로(111)의 TFT(112)의 게이트에 인가된다.In this example, the gate pulse Gp input with the positive logic is applied to the gate of the
파형 정형 회로(151)가 폴리실리콘 TFT(박막 트랜지스터)로 형성되기 때문에, 백라이트로부터의 광은 파형 정형 회로(151)에 의해 차광되고, 이것은 화소의 투과율의 저하의 원인이 된다.Since the
그러므로, TFT(박막 트랜지스터)로 형성되는 파형 정형 회로(151)와 그 파형 정형 회로(151)를 위한 전압( VDD2, VSS2)의 전원 라인(160, 161)을 포함하는 임의의 화소에서, 휘도의 편차가 발생하기 쉬워진다.Therefore, in the arbitrary pixel including the
그러므로, 화소간의 휘도 편차를 감소시키기 위한 블랙 컬러 필터 마스크로 형성되는 차광 영역(322)이 투과율을 일정하게 하기 위하여 그 회로 상에 배치되어, 휘도 편차를 억제한다.Therefore, the
도 40은 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 40 shows a second example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above is employed with reference to Figs. 13A to 13C.
제2 예는 도 39의 제1 예와 유사하지만, 부논리로 입력된 게이트 펄스(Gp)가 버퍼(BF3)에 의해 레벨 반전시켜서 정논리로 화소 회로(111)의 TFT(112)의 게이트에 인가되도록 구성된다는 점이 다르다. 그리고, 게이트 펄스(Gp)는 버퍼(BF1)를 통해 부논리로 출력된다.The second example is similar to the first example of Fig. 39, but the gate pulse Gp input with the negative logic is level-inverted by the buffer BF3 and is applied to the gate of the
따라서, 화소 회로(111)는 버퍼(BF3)의 출력과 버퍼(BF11)의 입력 사이에 배치된다.Therefore, the
도 41은 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제3 예를 도시한다.Fig. 41 shows a third example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the above-described waveform shaping circuit is employed with reference to Figs. 13A to 13C.
제3 예는 도 39의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록 구성된다는 점이 다르다.The third example is similar to the first example of FIG. 39, except that it is configured to prevent the intrusion of undesired voltages from the
특히, 본 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 42는 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제4 예를 도시한다.Fig. 42 shows a fourth example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the above-described waveform shaping circuit is employed with reference to Figs. 13A to 13C.
제4 예는 도 40의 제2 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록 구성된다는 점이 다르다.The fourth example is similar to the second example of Fig. 40, except that the intrusion of undesired voltages from the
특히, 본 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 43은 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1 예를 도시한다.Fig. 43 shows a first example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the above-described waveform shaping circuit is employed with reference to Figs. 13A to 13C.
도 43에 도시된 바와 같이, 파형 정형 회로(151)의 구성 소자(PT1, PT2, NT1, NT2) 및 배선은 반사 영역(A)에 배치된다.The constituent elements PT1, PT2, NT1 and NT2 of the
전술한 바와 같이, 파형 정형 회로(151)는 폴리실리콘 TFT(박막 트랜지스터)로 형성되기 때문에, 백라이트로부터의 광이 파형 정형 회로(151)에 의해 차광되고, 이것은 화소의 투과율의 저하의 원인이 된다.As described above, since the
이런 점에서, 반사 액정과 같이 백라이트의 광을 통과시키지 않는 것이 존재하는 경우에, 파형 정형 회로(151)가 반사 액정의 반사 영역의 바로 아래에 적극적으로 배치되는 방법이 유용하다.In this regard, a method in which the
상기 파형 정형 회로(151)의 배치에 의해, 파형 정형 회로(151)에 사용된 CMOS의 형성을 위한 TFT 배치의 자유도가 투과형과 비교하여 상당히 증가한다. 이에 따라, 전원전압(VDD2)과 기준전압(VSS2)의 전원 라인의 폭이 증가될 수 있기 때문에, CMOS 출력의 전원 라인 저항에 의한 지연은 발생하기 어려워진다.By the arrangement of the
도 44는 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1 예를 도시한다.Fig. 44 shows a first example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the above-described waveform shaping circuit is employed with reference to Figs. 13A to 13C.
도 44를 참조하면, 파형 정형 회로(151)의 구성 소자(PT1, PT2, NT1, NT2) 및 배선은 반사 영역(A)에 배치된다. 44, the constituent elements PT1, PT2, NT1 and NT2 of the
도 45는 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 45 shows a second example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above is employed with reference to Figs. 13A to 13C.
제2 예는 도 43의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록 구성되는 점에서 다르다.The second example is similar to the first example of FIG. 43, but differs in that it is configured to prevent the intrusion of undesired voltages from the
특히, 본 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 46은 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 전술한 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 46 shows a second example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above is employed with reference to Figs. 13A to 13C.
제2 예는 도 44의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록 구성되는 점에서 다르다.The second example is similar to the first example of FIG. 44, but differs in that it is configured to prevent the intrusion of undesired voltages from the
특히, 본 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 47은 도 21a 내지 도 21c의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1 예를 도시한다.Fig. 47 shows a first example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Figs. 21A to 21C is employed.
도 47에 도시된 바와 같이, 파형 정형 회로(152)의 구성 소자(PT1, PT2,PT3, NT1, NT2, NT3) 및 배선은 블랙 컬러 필터 마스크로 형성되는 차광 영역(322)의 바로 아래에 배치된다.The constituent elements PT1, PT2, PT3, NT1, NT2 and NT3 of the
본 예에서, 정논리로 입력된 게이트 펄스(Gp)는 버퍼(BF1, BF2)를 통과한 후, 정논리로 화소 회로(111)의 TFT(112)의 게이트에 인가된다.In this example, the gate pulse Gp input with the positive logic passes through the buffers BF1 and BF2 and is then applied to the gate of the
파형 정형 회로(152)가 폴리실리콘 TFT(박막 트랜지스터)로 형성되기 때문에, 백라이트로부터의 광은 파형 정형 회로(152)에 의해 차단되고, 이것은 화소의 투과율의 저하의 원인이 된다.Since the
그러므로, TFT(박막 트랜지스터)로 형성되는 파형 정형 회로(152)와 그 파형 정형 회로(152)에 대한 전압(VDD2, VSS2)의 전원 라인(160, 161)을 포함하는 임의의 화소에서, 휘도의 편차가 발생하기 쉬워진다.Therefore, in any pixel including the
그러므로, 화소간의 휘도 편차를 억제하는 블랙 컬러 필터 마스크로 이루어지는 차광 영역(322)이 그 회로의 바로 위에 배치되어, 투과율을 일정하게 하고, 휘도 편차를 억제한다.Therefore, the
도 48은 도 21a 내지 도 21c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 48 shows a second example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 21A to 21C is employed.
제2 예는 도 47의 제1 예와 유사하지만, 부논리로 입력된 게이트 펄스(Gp)를 NAND 회로(11)에 의해 레벨 반전시켜서, 정논리로 화소 회로(111)의 TFT(112)의 게이트에 인가되는 점에서 다르다. 다음에, 게이트 펄스(Gp)는 버퍼(BF11)를 통해 부논리로 출력된다.The second example is similar to the first example of Fig. 47, but the gate pulse Gp input with the negative logic is level inverted by the
따라서, 화소 회로(111)는 NAND 회로(11)의 출력과 버퍼(BF11)의 입력 사이 에 배치된다.Therefore, the
도 49는 도 21a 내지 도 21c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제3 예를 도시한다.Fig. 49 shows a third example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 21A to 21C is employed.
제3 예는 도 47의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록 구성된다는 점에서 다르다.The third example is similar to the first example of FIG. 47, but differs in that it is configured to prevent the intrusion of undesired voltages from the
특히, 제3 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 50은 도 21a 내지 도 21c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제4 예를 도시한다.Fig. 50 shows a fourth example of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 21A to 21C is employed.
제4 예는 도 48의 제2 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입이 방지되도록 구성된다는 점에서 다르다.The fourth example is similar to the second example of FIG. 48, but differs in that it is configured to prevent the ingress of undesired voltages from the
특히, 제4 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.The
도 51은 도 21a 내지 도 21c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1의 예를 도시한다.Fig. 51 shows a first example of a pixel circuit of a transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 21A to 21C is employed.
도 51를 참조하면, 파형 정형 회로(152)의 구성 소자(PT11, PT12, PT13, NT11, NT12, NT13) 및 배선은 반사 영역(A)에 배치된다.51, the constituent elements PT11, PT12, PT13, NT11, NT12, and NT13 and the wiring of the
전술한 바와 같이, 파형 정형 회로(152)가 폴리실리콘 TFT(박막 트랜지스터) 로 형성되기 때문에, 백라이트로부터의 광은 파형 정형 회로(152)에 의해 차단되고, 이것은 화소의 투과율의 저하의 원인이 된다.As described above, since the
이런 점에서, 반사 액정과 같이 백라이트의 광을 통과시키지 않는 것이 존재하는 경우에, 파형 정형 회로(152)가 반사 액정의 반사 영역의 바로 아래에 적극적으로 배치되는 방법이 유용하다.In this regard, a method in which the
상기 파형 정형 회로(152)의 배치에 의해, 파형 정형 회로(152)에 사용된 CMOS의 형성을 위한 TFT 배치의 자유도가 투과형과 비교하여 상당히 증가한다. 이에 따라, 전원전압(VDD2)과 기준전압(VSS2)의 전원 라인의 폭이 증가될 수 있기 때문에, CMOS 출력의 전원 라인 저항에 의한 지연은 발생하기 어려워진다.The arrangement of the
도 52는 도 21a 내지 도 21c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1의 예를 도시한다.Fig. 52 shows a first example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 21A to 21C is employed.
도 52를 참조하면, 도시된 배열에서도, 파형 정형 회로(152)의 구성 소자(PT11, PT12, PT13, NT11, NT12, NT13) 및 배선은 반사 영역(A)에 배치된다.52, the constituent elements PT11, PT12, PT13, NT11, NT12, and NT13 of the
도 53은 도 21a 내지 도 21c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 53 shows a second example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 21A to 21C is employed.
제2 예는 도 51의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 구성된다는 점에서 다르다.The second example is similar to the first example of FIG. 51, but differs in that it is configured to prevent the ingress of undesired voltages from the
특히, 본 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.In particular, in this example, the
도 54는 도 21a 내지 도 21c를 참조하여 전술된 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시한다.Fig. 54 shows a second example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit described above with reference to Figs. 21A to 21C is employed.
제2 예는 도 52의 제1 예와 유사하지만, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 구성된다는 점에서 다르다.The second example is similar to the first example of FIG. 52, but differs in that it is configured to prevent intrusion of undesired voltages from the
특히, 본 예에서, 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)은 신호 라인(116)과 게이트 라인(115)으로부터의 원치않는 전압의 침입을 방지하도록 전원전압(VDD2)의 공급 라인(160)과 기준전압(VSS2)의 공급 라인(161) 사이에 삽입된다.In particular, in this example, the
전술한 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 액정 표시장치로 대표되는 액티브 매트릭스형 표시장치는 퍼스널 컴퓨터와 워드프로세서 등의 OA 기기, 텔레비전 수상기 등의 표시장치로서 사용된다. 본 발명의 표시장치는 장치 본체의 소형화, 컴팩트화를 위한 휴대전화기 또는 PDA 등의 전자기기의 표시부로서 적합하게 적용될 수 있다. The active matrix type display device typified by the active matrix type liquid crystal display device according to the embodiment described above is used as a display device such as an OA device such as a personal computer and a word processor, and a television receiver. INDUSTRIAL APPLICABILITY The display device of the present invention can be suitably applied as a display portion of an electronic device such as a cellular phone or PDA for miniaturization and compactness of the apparatus main body.
특히, 본 발명에 따른 표시장치는 도 55a 내지 도 55g의 예로서 도시된 여러가지 전기기기에 적용될 수 있다.Particularly, the display apparatus according to the present invention can be applied to various electric apparatuses shown as examples of Figs. 55A to 55G.
특히, 표시장치는 예를 들면 디지털 카메라, 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 휴대전화, 비디오 카메라 등과 같은 전자기기에 입력되는 영상 신호 또는 전자기기에서 생성되는 영상신호를 표시하는 모든 분야의 전자기기의 표시장치에 적용하는 것이 가능하다.Particularly, the display device is applicable to a display device of an electronic device in all fields displaying video signals inputted to electronic devices such as digital cameras, notebook type personal computers, mobile phones, video cameras, or the like, or video signals generated in electronic devices It is possible to apply.
이하, 본 발명의 표시장치가 적용되는 전자기기의 예가 설명된다.Hereinafter, an example of an electronic apparatus to which the display apparatus of the present invention is applied will be described.
도 55a는 본 발명이 적용된 텔레비전의 예를 도시한다. 도 55a를 참조하면, 텔레비전(500)은 전면 패널(501), 유리 필터(502) 등으로 구성되는 영상 표시 화면부(303)를 포함한다. 본 발명에 따른 표시장치는 영상 표시 화면부(503)로서 사용될 수 있다.55A shows an example of a television to which the present invention is applied. 55A, the
도 55b 및 도 55c는 본 발명이 적용된 디지털 카메라의 예를 도시한다. 도 55b 및 도 55c를 참조하면, 디지털 카메라(510)는 촬영 렌즈(511), 플래쉬 발광부(512), 표시부(513), 제어 스위치(514) 등을 포함한다. 본 발명에 따른 표시장치는 표시부(513)에 사용될 수 있다.55B and 55C show an example of a digital camera to which the present invention is applied. 55B and 55C, the
도 55d는 본 발명이 적용된 비디오 카메라의 예를 나타낸다. 도 55d를 참조하면, 비디오 카메라(520)는 본체부(521), 피사체 촬영용 렌즈(522), 촬영시에 동작되는 시작/정지 스위치(523), 표시부(524) 등을 포함한다. 본 발명에 따른 표시장치는 표시부(524)에 사용될 수 있다.55D shows an example of a video camera to which the present invention is applied. 55D, the
도 55e 및 도 55f는 본 발명이 적용된 휴대 단말장치를 나타낸다. 도 55e 및 도 55f를 참조하면, 휴대 단말장치(530)는 상측 하우징(531), 하측 하우징(532), 힌지 형태의 연결부(533), 표시부(534), 부표시부(535), 픽처 라이트(536), 카메라(537) 등을 포함한다. 본 발명에 따른 표시장치는 표시부(534) 또는 부표시부(535)에 사용될 수 있다.55E and 55F show a portable terminal apparatus to which the present invention is applied. 55E and 55F, the portable
도 55g는 본 발명이 적용된 노트북형 퍼스널 컴퓨터를 나타낸다. 도 55g를 참조하면, 노트북형 퍼스널 컴퓨터(540)는 본체(541), 문자 등을 입력할 때 조작되는 키보드(542), 화상을 표시하는 표시부(543) 등을 포함한다. 본 발명에 따른 표시장치는 표시부(543)에 사용될 수 있다.55G shows a notebook type personal computer to which the present invention is applied. 55G, the notebook-type
또한, 상기 실시예에서, 본 발명은 액티브 매트릭스형 액정 표시장치에 적용된다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않고, 전기발광(EL) 디바이스가 각 화소의 전기광학소자로서 사용되는 EL 표시 장치와 같은 다른 액티브 매트릭스형 표시장치에도 유사하게 적용될 수 있다.Further, in the above embodiment, the present invention is applied to an active matrix liquid crystal display device. However, the present invention is not limited thereto, and can be similarly applied to other active matrix type display devices such as an EL display device in which an electroluminescence (EL) device is used as an electro-optical element of each pixel.
당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 다양한 변형, 조합, 부분 조합, 및 변경이 첨부된 특허청구범위의 사상과 그 균등물 범위내에 있는 한 디자인 요구와 다른 인자에 의존하여 발생할 수 있다고 이해될 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the appended claims and their equivalents, .
도 1a, 도 1b, 및 도 1c는 각각 일반적인 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시하는 회로도 및 파형도이고,1A, 1B, and 1C are circuit diagrams and waveform diagrams each showing an exemplary configuration example of a general liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform,
도 2a, 도 2b, 및 도 2c는 각각 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형을 도시하는 회로도 및 파형도이고,2A, 2B and 2C are circuit diagrams and waveform diagrams showing a configuration example of a liquid crystal display device and a gate pulse waveform according to the first embodiment of the present invention, respectively,
도 3은 하부 게이트 구조의 TFT를 나타내는 개략도이고,3 is a schematic view showing a TFT of a bottom gate structure,
도 4는 상부 게이트 구조의 TFT를 나타내는 개략도이고,4 is a schematic view showing a TFT of a top gate structure,
도 5a, 도 5b, 및 도 5c는 CMOS 버퍼로 형성되는 도 2a의 액정 표시장치 내의 파형 정형 회로의 예를 도시하는 회로도이고,5A, 5B and 5C are circuit diagrams showing an example of a waveform shaping circuit in the liquid crystal display of FIG. 2A formed of a CMOS buffer,
도 6a, 도 6b, 및 도 6c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시장치 및 게이트 펄스 파형의 구성 예를 도시한 도면이고,6A, 6B and 6C are diagrams showing a configuration example of a liquid crystal display device and a gate pulse waveform according to a second embodiment of the present invention,
도 7a, 도 7b, 및 도 7c는 각각 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한 회로도이고,7A, 7B and 7C are circuit diagrams showing a configuration example of the liquid crystal display device according to the third embodiment of the present invention,
도 8은 본 발명의 제4 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시하는 회로도이고,8 is a circuit diagram showing a configuration example of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention,
도 9, 도 10, 및 도 11은 각각 본 발명의 제5, 제6, 및 제7 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한 회로도이고,Figs. 9, 10 and 11 are circuit diagrams showing a configuration example of the liquid crystal display device according to the fifth, sixth, and seventh embodiments of the present invention, respectively,
도 12a, 도 12b, 및 도 12c는 각각 본 발명의 제8 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한 회로도 및 파형도이고,12A, 12B and 12C are a circuit diagram and a waveform diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to an eighth embodiment of the present invention,
도 13a, 도 13b, 및 도 13c는 클록된 COMS 회로로 형성되는 도 12a의 액정 표시장치의 파형 정형 회로를 도시한 도면이고,13A, 13B and 13C are diagrams showing the waveform shaping circuit of the liquid crystal display device of Fig. 12A formed by the clocked COMS circuit,
도 14a, 도 14b, 및 도 14c는 각각 본 발명의 제9 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한 회로도 및 파형도이고,14A, 14B and 14C are circuit diagrams and waveform diagrams each showing a configuration example of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to a ninth embodiment of the present invention,
도 15a, 도 15b, 및 도 15c는 각각 본 발명의 제10 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한 회로도 및 파형도이고,15A, 15B and 15C are a circuit diagram and a waveform diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to a tenth embodiment of the present invention,
도 16a 내지 도 16j는 도 15a에 도시된 액정 표시장치의 타이밍 차트이고,16A to 16J are timing charts of the liquid crystal display device shown in Fig. 15A,
도 17, 도 18, 및 도 19는 본 발명의 제11 네지 제13 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예를 도시한 회로도이고,17, 18, and 19 are circuit diagrams showing a configuration example of the liquid crystal display device according to the eleventh to thirteenth embodiments of the present invention,
도 20a, 도 20b, 및 도 20c는 각각 본 발명의 제14 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한 회로도 및 파형도이고,20A, 20B and 20C are a circuit diagram and a waveform diagram showing an example of the configuration of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to a fourteenth embodiment of the present invention,
도 21a, 도 21b, 및 도 21c는 CMOS 구성의 NAND를 포함하는 클록된 CMOS 회로로 구성한 도 20a의 액정 표시장치의 파형 정형 회로를 도시하는 회로도이고,21A, 21B and 21C are circuit diagrams showing the waveform shaping circuit of the liquid crystal display of Fig. 20A, which is constituted by a clocked CMOS circuit including a NAND of a CMOS configuration,
도 22a, 도 22b, 및 도 22c는 각각 본 발명의 제15 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한 회로도 및 파형도이고,22A, 22B and 22C are circuit diagrams and waveform diagrams each showing a configuration example of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to a fifteenth embodiment of the present invention,
도 23a, 도 23b, 및 도 23c는 각각 본 발명의 제16 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 회로도 및 파형도이고,23A, 23B and 23C are circuit diagrams and waveform diagrams, respectively, of a configuration example of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to a sixteenth embodiment of the present invention,
도 24a 내지 도 24i는 도 23a에 도시한 액정 표시장치의 타이밍 차트이고,24A to 24I are timing charts of the liquid crystal display device shown in Fig. 23A,
도 25a 내지 도 25k는 도 23a에 도시한 액정 표시장치의 다른 동작을 설명하는 타이밍 차트이고,25A to 25K are timing charts for explaining another operation of the liquid crystal display device shown in Fig. 23A,
도 26, 도 27, 및 도 28은 각각 본 발명의 제17, 제18 및 제19 실시예에 따 른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한 회로도 및 파형도이고,Figs. 26, 27, and 28 are circuit diagrams and waveform diagrams each showing a configuration example of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to the seventeenth, eighteenth, and nineteenth embodiments of the present invention,
도 29a, 도 29b, 및 도 29c는 각각 제20 실시예에 따른 액정 표시장치의 구성 예 및 게이트 펄스 파형의 예를 도시한 회로도 및 파형도이고,29A, 29B and 29C are a circuit diagram and a waveform diagram showing an example of a configuration example of a liquid crystal display device and an example of a gate pulse waveform according to a twentieth embodiment,
도 30a 및 도 30b는 투과형 액정 표시장치의 단면도이고,30A and 30B are cross-sectional views of a transmissive liquid crystal display device,
도 31, 도 32, 33, 및 도 34는 도 5a의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1, 제2, 제3, 및 제4 예를 도시하는 평면도이고,Figs. 31, 32, 33, and 34 are plan views showing first, second, third, and fourth examples of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig.
도 35a 및 도 35b는 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 단면도 및 도 5a의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1 예를 도시하는 평면도이고,Figs. 35A and 35B are a cross-sectional view of a pixel circuit of a transmission reflection type liquid crystal display device and a plan view showing a first example of a pixel circuit of a transmission reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 5A is employed,
도 36a 및 도 36b는 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 단면도 및 도 5a의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1 예를 도시하는 평면도이고,Figs. 36A and 36B are a cross-sectional view of a pixel circuit of a reflection type liquid crystal display device and a plan view showing a first example of a pixel circuit of a reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 5A is employed,
도 37은 도 5의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 37 is a plan view showing a second example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 5 is employed,
도 38은 도 5의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 38 is a plan view showing a second example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 5 is employed,
도 39, 도 40, 도 41, 및 도 42는 도 13의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1, 제2, 제3 및 제4 예를 도시하는 평면 도이고,Figs. 39, 40, 41, and 42 are plan views showing first, second, third, and fourth examples of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 13 is employed ,
도 43은 도 13의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 43 is a plan view showing a first example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 13 is employed,
도 44는 도 13의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1의 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 44 is a plan view showing a first example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 13 is employed,
도 45는 도 13의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시하는 평면도이고,45 is a plan view showing a second example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 13 is employed,
도 46은 도 13의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 46 is a plan view showing a second example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 13 is employed,
도 47, 도 48, 도 49, 및 도 50은 도 21의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1, 제2, 제3, 및 제4 예를 도시하는 평면도이고,Figs. 47, 48, 49, and 50 are plan views showing first, second, third, and fourth examples of the pixel circuit of the transmissive liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 21 is employed ,
도 51은 도 21 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 51 is a plan view showing a second example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 21 is employed,
도 52는 도 21의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제1 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 52 is a plan view showing a first example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 21 is employed,
도 53은 도 21의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 투과반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 53 is a plan view showing a second example of the pixel circuit of the transmissive reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 21 is employed,
도 54는 도 21의 파형 정형 회로가 채용되는 경우의 반사형 액정 표시장치의 화소 회로의 제2 예를 도시하는 평면도이고,Fig. 54 is a plan view showing a second example of the pixel circuit of the reflection type liquid crystal display device when the waveform shaping circuit of Fig. 21 is employed,
도 55a 내지 도 55g는 본 발명에 따른 표시장치가 적용되는 전자기기의 수개의 예를 도시하는 개략도이다.55A to 55G are schematic diagrams showing several examples of electronic devices to which the display device according to the present invention is applied.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※[Description of Reference Numerals]
100, 100A 내지 100M : 액정 표시장치 110 : 유효 화소부100, 100A to 100M: liquid crystal display device 110: effective pixel portion
115-1 내지 115-m : 주사 라인 116-1 내지 116-n : 신호 라인115-1 to 115-m: scan lines 116-1 to 116-n: signal lines
120 : 수직 구동회로(VDRV) 130: 수평 구동회로(HDRV)120: vertical driving circuit (VDRV) 130: horizontal driving circuit (HDRV)
131 내지 134 : 신호 드라이버 150, 151, 152 : 파형 정형 회로131 to 134:
160 : 전원전압(VDD2)의 공급 라인 161 : 기준전압(VSS2)의 공급 라인160: supply line of the power source voltage VDD2 161: supply line of the reference voltage VSS2
162 : 클록용 공급 라인 163 : 인에이블 신호용 공급 라인162: clock supply line 163: enable signal supply line
Claims (16)
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2007-00173459 | 2007-06-29 | ||
JPJP-P-2007-00173460 | 2007-06-29 | ||
JP2007173459 | 2007-06-29 | ||
JP2007173460 | 2007-06-29 | ||
JP2008119202A JP5301201B2 (en) | 2007-06-29 | 2008-04-30 | Display device, driving method thereof, and electronic apparatus |
JPJP-P-2008-00119202 | 2008-04-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090004614A KR20090004614A (en) | 2009-01-12 |
KR101532655B1 true KR101532655B1 (en) | 2015-06-30 |
Family
ID=40402265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080062331A KR101532655B1 (en) | 2007-06-29 | 2008-06-30 | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5301201B2 (en) |
KR (1) | KR101532655B1 (en) |
CN (1) | CN101334950B (en) |
TW (1) | TWI404023B (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100884450B1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-02-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting display device |
JP5448981B2 (en) | 2009-04-08 | 2014-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Driving method of liquid crystal display device |
KR101097316B1 (en) | 2009-10-12 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | organic light emitting device |
JP2012185339A (en) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Jvc Kenwood Corp | Liquid crystal display element |
KR101549291B1 (en) * | 2012-10-25 | 2015-09-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display device |
CN103456353A (en) * | 2013-09-04 | 2013-12-18 | 东南大学 | Drive circuit used for SRAM (Static Random Access Memory) subthreshold address decoder |
US10078239B2 (en) * | 2014-04-28 | 2018-09-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sensor-equipped display device |
TWI643013B (en) * | 2017-03-29 | 2018-12-01 | 友達光電股份有限公司 | Display |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994020949A1 (en) * | 1993-03-01 | 1994-09-15 | Wah-Iii Technology Corp. | Polysilicon gate bus with interspersed buffers |
KR19990068231A (en) * | 1998-01-30 | 1999-08-25 | 야스카와 히데아키 | Electrooptical apparatus, method of producing the same, and electronic apparatus |
KR20070023577A (en) * | 2005-08-24 | 2007-02-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Electro-optical device and electronic apparatus including the same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08234703A (en) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Sony Corp | Display device |
TWI254898B (en) * | 2003-10-02 | 2006-05-11 | Pioneer Corp | Display apparatus with active matrix display panel and method for driving same |
JP4793121B2 (en) * | 2005-08-24 | 2011-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device and electronic apparatus including the same |
JP4984731B2 (en) * | 2006-08-09 | 2012-07-25 | セイコーエプソン株式会社 | Matrix type electro-optical device |
-
2008
- 2008-04-30 JP JP2008119202A patent/JP5301201B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-06-19 TW TW097122921A patent/TWI404023B/en not_active IP Right Cessation
- 2008-06-30 KR KR1020080062331A patent/KR101532655B1/en active IP Right Grant
- 2008-06-30 CN CN2008101274056A patent/CN101334950B/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994020949A1 (en) * | 1993-03-01 | 1994-09-15 | Wah-Iii Technology Corp. | Polysilicon gate bus with interspersed buffers |
US5396262A (en) * | 1993-03-01 | 1995-03-07 | Wah-Iii Technology Corporation | Polysilicon gate bus with interspersed buffers for driving a row of pixels in an active matrix liquid crystal display |
KR19990068231A (en) * | 1998-01-30 | 1999-08-25 | 야스카와 히데아키 | Electrooptical apparatus, method of producing the same, and electronic apparatus |
KR20070023577A (en) * | 2005-08-24 | 2007-02-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Electro-optical device and electronic apparatus including the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5301201B2 (en) | 2013-09-25 |
CN101334950A (en) | 2008-12-31 |
JP2009031752A (en) | 2009-02-12 |
TWI404023B (en) | 2013-08-01 |
TW200912877A (en) | 2009-03-16 |
KR20090004614A (en) | 2009-01-12 |
CN101334950B (en) | 2010-09-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
N231 | Notification of change of applicant | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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