KR101529369B1 - 향상된 스캐너 처리율 시스템 및 방법 - Google Patents

향상된 스캐너 처리율 시스템 및 방법 Download PDF

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Abstract

스캔 처리율을 향상시키는 방법 및 시스템이 제공된다. 레티클로부터의 이미지는 다이의 전체 열 또는 다이의 열들이 연속적으로, 즉 상이한 위치로의 스텝핑없이 스캔되는 연속적인 선형 스캔 절차를 이용하여 기판에 투사된다. 각 스캔은 고정된 빔에 대하여 기판을 병진하는 것을 포함한다. 기판이 병진되는 동안 레티클도 병진된다. 제 1 다이 또는 다이의 셀이 기판에 투사되면 레티클은 스캔 방향과 대향하는 방향을 따라 병진하고 스캔이 동일한 방향을 따라 연속함에 따라, 그 다음에 레티클은 기판의 반대 방향으로 병진하여 다음의 다이 또는 셀에 반전된 패턴을 형성한다. 기판의 노광과 연관된 시간은 스텝핑 동작이 셀의 완전한 열이 스캔된 후에만 발생하므로 최소화된다.

Description

향상된 스캐너 처리율 시스템 및 방법{ENHANCED SCANNER THROUGHPUT SYSTEM AND METHOD}
본 발명은 반도체 디바이스 제조 시스템 및 방법에 관한 것이고, 보다 구체적으로는 패터닝 시스템 및 방법에 관한 것이다.
스캐너는 반도체 기판, 즉 웨이퍼와 같은 기판 상에 패턴을 형성하는데 사용되는 포토리소그래피 툴(photolithography tool)이다. 스캐너는 스텝퍼(stepper)의 한 유형으로 간주되고, 기판 표면 상의 수백만 마이크로(microscopic) 회로 요소를 생성하는데 사용된다. 다이 또는 칩은 전형적으로 집적 회로 또는 다른 반도체 디바이스를 형성하기 위해 결합된 그들 수백만 마이크로 회로 요소를 포함한다. 각 기판은 수백 또는 심지어 수천의 개별적인 다이를 포함한다.
집적 회로 또는 다른 반도체 디바이스를 형성하기 위해 결합된 마이크로 회로 요소는 레티클로 불리는 석영 플레이트의 표면에 투명 및 불투명 영역의 패턴에서 생산된다. 스캐너는 레티클을 통하여 광을 통과시켜 기판에 레티클 패턴의 이미지를 투사한다. 이미지는 렌즈에 의해 포커싱하고 축소되고, 포토레지스트로 불리는 감광성 물질로 코팅되는 기판의 표면에 투사된다. 레티클은 노광 필드로서 하나의 다이 또는 칩을 포함되거나, 다중 다이의 셀을 포함할 수 있다. 레티클 상에 나타나는 셀을 형성하기 위해 결합된 다중 다이는 동일한 다이이거나 서로 상이한 다이일 수 있다. 스텝퍼에서, 레티클의 이미지는 각 노광 "샷" 동안에 전체 노광 필드를 노광하는 것을 포함한 노공 동작 동안에 기판에 투사된다. 노광 필드는 상기와 같이 개별적인 다이 또는 다중 다이의 셀을 포함할 수 있다. 스캐너는 한번에 전체 필드를 노광하지 않지만, 오히려 일반적으로 적어도 노광 필드만큼 넓지만, 단지 그 길이의 일부인 노광 슬릿을 통하여 기판을 노광할 수 있다. 기판을 유지하는 단계는 빔이 다이 및 기판을 가로질러 스캔함에 따라 기판에 레티클로부터 전체 노광이 투사되도록 고정된 노광 슬릿에 대하여 병진(translate)된다. 노광 필드로부터의 이미지가 포토레지스트에 투사된 후에 현상과 같은 후속의 제조 동작이 포토레지스트 물질로 이루어진 포토마스크를 형성한다. 포토마스크는 후속의 처리 동작에서 사용된다.
기판은 전형적으로 행 및 열로 배열된 개별적인 다이 또는 칩을 포함한다. 행 및 열로 배열된 수백 또는 수천의 다이를 생산하기 위해 전체 기판을 패터닝하는 동작은 시간이 걸리는 동작이다. 시간이 걸리는 동작은 집적 회로 또는 반도체 디바이스를 형성하는데 사용되는 제조 동작의 시퀀스에서 다중 디바이스 레벨에서 수행되어야 한다.
그러므로, 스캐너를 이용하여 전체 기판을 노광하는데 필요한 시간을 감소하는 것이 이롭다.
일양상에 따르면, 본 개시는 기판을 패터닝하는 방법을 제공한다. 방법은 행 및 열로 배열된 복수의 다이로 나누어진 기판을 제공하는 것; 및 조명원, 레티클, 및 투사 렌즈를 제공하는 것을 포함한다. 방법은 또한 복수의 스캔을 수행하는 것에 의한 스캔에 의해 조명원으로부터 레티클 및 투사 렌즈를 통해 기판에 빔을 투사하는 것에 의해 레티클로부터의 패턴으로 기판을 패터닝하기 위해 제공되고, 스캔 각각은 스캔 방향에서 열 중 완전한 하나의 열에 따른 연속적인 선형 스캔에서 빔에 대하여 기판을 연속적으로 병진(translating)하는 것을 포함한다.
다른 양상에 따르면, 본 개시는 기판을 패터닝하는 방법을 제공한다. 방법은 실질적으로 원형 형상인 기판을 제공하는 것; 및 조명원, 레티클, 및 투사 렌즈를 제공하는 것을 포함한다. 방법은 또한 조명원으로부터의 빔을 레티클 및 투사 렌즈를 통하여 기판의 에지에서의 또는 인접한 제 1 위치에서 시작하여 기판에 투사하고, 빔이 에지에서의 또는 에지에 인접한 제 2 위치에 도달할 때까지 스캔 방향을 따라 빔에 대하여 기판을 연속적으로 선형 병진하는 것에 의해 스캔함으로써 기판에 레티클로부터의 패턴을 반복적으로 투사하기 위해 제공한다.
또한, 기판을 패터닝하는 다른 방법이 제공된다. 방법은 실질적으로 원형이고, 행 및 열로 배열된 복수의 셀을 포함하는 기판을 제공하는 것; 및 조명원, 레티클, 및 투사 렌즈를 포함한 시스템을 제공하는 것을 포함하고, 레티클은 복수의 다이를 갖는 셀 패턴을 포함한다. 방법은 또한 조명원으로부터의 빔을 레티클 및 투사 렌즈를 통하여 열 중 제 1 열에서의 최상부 또는 최하부 셀인 제 1 셀에서 시작하여 기판에 투사하고, 복수의 스캔을 이용하는 것에 의해 스캔함으로써 기판에 셀 패턴을 반복적으로 투사함으로써 기판을 패터닝하기 위해 제공되고, 스캔 각각은 빔에 대하여 레티클을 병진하는 것, 및 제 1 열 전체를 따른 연속적인 선형 스캔에서 스캔 방향으로 빔에 대하여 기판을 병진하는 것을 포함한다.
본 개시는 첨부 도면과 함께 판독될 때 다음의 상세한 설명으로부터 가장 잘 이해된다. 관례에 따르면 도면의 여러 피쳐가 일정한 비율로 그려질 필요는 없다는 것이 강조된다. 한편, 여러 피쳐의 치수는 명확함을 위해 임의로 확대 또는 축소될 수 있다. 명세서 및 도면에 걸쳐 동일한 번호는 동일한 피쳐를 지시한다.
도 1은 기판 상에 행 및 열로 배열된 셀을 노광하는데 사용되는 열x열(column by column) 스캔 동작을 나타낸 평면도이다.
도 2는 기판 상에 행 및 열로 배열된 셀을 노광하는데 사용되는 열x열 스캔 동작의 다른 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 스캔 동작의 6개의 예시적인 스텝을 나타내는 측면도이다.
본 발명은 스캐너를 사용하여 기판에 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 방법은 실질적으로 원형의 형상인 반도체 기판을 제공하는 것을 포함한다. 기판은 행 및 열로 배열된 복수의 개별적인 다이로 나누어진다. 스캐너는 조명원(illumination source) 및 투사 렌즈를 포함한다. 빔은 노광 슬릿(exposure slit)을 통해 조명원으로부터 투사되고, 기판의 에치에서의 또는 근접한 제 1 위치에서 시작하여 기판에 레티클로부터의 이미지를 투사한다. 패턴은 스캔에 의해 전체 기판에 레티클로부터 투사된다. 각 스캔은 일실시예에 있어서 열 중 완전한 하나를 따른 연속적인 선형 스캔이다.
일실시예에서 레티클은 개별적인 다이를 포함하고, 다른 실시예에서 레티클은 다중 다이를 포함한 셀을 포함한다. 다중 다이는 복수의 동일한 다이의 배열 또는 다른 배치를 포함할 수 있고, 다른 실시예에 있어서, 셀은 액티브 다이 및 테스트 칩과 같은 상이한 유형의 다이를 포함한다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서, 패턴은 다중 디바이스 레벨에서 형성되고, 개시된 시스템 및 방법은 반도체 디바이스의 제조에 사용되는 디바이스 레벨 각각에서의 패터닝 동작에 적용가능하다. 일실시예에 있어서, 반도체 디바이스는 집적 회로이다. 다른 실시예에 있어서, 다이는 상이한 유형의 반도체 디바이스를 나타낸다.
레티클, 즉 개별적인 다이 또는 다중 다이의 셀로부터의 이미지는 다이 또는 셀이 복수의 행 및 열로 배열된 기판에 투사된다. 행 및 열은 개별적인 다이로 나누어지고, 패턴은 각각의 다이 또는 다이로서 지정되는 새로운 기판의 각 부분에 형성된다. 레티클, 예를 들어 다이 또는 셀의 노광 필드는 빔이 병진하는(translating) 기판을 가로질러 스캔함에 따라 연관된 다이 또는 셀에 투사된다. 빔이 병진하는 기판을 가로질러 스캔함에 따라 레티클의 노광 필드, 즉 셀 또는 다이의 패턴은 다중 다이를 형성하기 위해 기판에 반복적으로 투사된다.
도 1은 일실시예에 있어서 반도체 기판인 기판(2)을 나타낸다. 기판(2)은 다양한 실시예에 있어서 다양한 물질로 형성되고, 일반적으로 원형의 형상이다. 기판(2)은 다양한 실시예에 있어서 다양한 치수를 포함한다. 반도체 제조에서 사용되는 일부 일반적인 기판 사이즈는 직경 8인치, 직경 12인치, 및 직경 18인치의 기판을 포함하지만, 다른 실시예에 있어서 다른 치수가 사용된다. 기판(2)에는 적절한 사이즈의 기판을 수용하고 처리하도록 구성된 스캐너 장치에서 패터닝이 실시된다. 기판(2)은 에지(4)에 의해 규정된다. 도 1의 백그라운드에서의 그리드는 기판(2)이 어떻게 다수의 셀(6)로 나누어지는지를 나타낸다. 일실시예에 있어서 셀(6)은 개별적인 다이이고, 다른 실시예에 있어서, 셀(6)은 복수의 다이를 나타낸다. 셀(6)은 레티클의 노광 필드의 이미지가 투사되는 기판(2) 상의 단위를 나타낸다. 도시된 실시형태에 있어서, 셀(6)의 일부는 기판(2) 위로 돌출된다. 일부 실시예에 있어서, 기판(2) 내의 완전하지 않은 셀(6)은 패터닝되지 않으므로 기판(2)의 패터닝된 부분은 절단(truncate)된다. 이 실시예는 도 1에 되시되어 있다. 다른 실시예에 있어서, 패턴은 에지(4) 위에 부분적으로 연장된 부분적인 셀(6)에서 형성된다. 이 실시예는 도 2에 되시되어 있고, 일반적으로 셀(6)이 다중 개별적인 다이를 포함하고 그 일부가 연장된 셀(6)의 다른 부분이 에지(4)를 지났을 때에도 기판(2) 상에 완전하게 형성되는 경우이다.
기판(2)은 먼저 기판(2) 상에 포토레지스트 필름을 형성한 후에 스캔에 의해 기판(2)의 셀(6) 각각에 패턴을 노광함으로써 스캐너에서 패터닝된다. 조명원으로부터의 빔이 노광 슬릿, 레티클, 및 투사 렌즈를 통과하여 각 셀(6)에 대하여 기판(2)에 레티클의 노광 필드로부터의 이미지를 투사한다. 일부 실시예에 있어서 빔은 콜리메이트(collimate)된 빔이다. 레티클, 즉 셀(6)의 전체 노광 필드를 동시에 노광하는 대신에 일부 실시예에서 노광 필름만큼 넓지만, 단지 그 길이의 일부인 노광 슬릿을 통해 노광이 이루어진다. 빔은 노광 슬릿을 통과하고, 레티클 상의 패턴은 기판이 광 빔에 대하여 병진함에 따라 기판에 스캔된다. 그것은 도 3에서 도시될 것이다.
도 1은 고정된 노광 슬릿에 의해 고정되는 빔에 관한 기판의 다중 스캔을 나타낸다. 스캔(10)은 빔 및 이미지가 스캔(10) 상의 화살표에 의해 지시되는 방향을 따라 스캔되도록 고정된 빔에 대하여 병진되고 있는 기판(2)을 나타낸다. 스캔(10)은 셀(6)의 전체 열을 따른 연속하는 선형 스캔이고, 스캔(12)은 셀(6)의 전체 열을 따른 연속하는 선형 스캔이다. 스캔(10) 및 스캔(12)은 대향하는 스캔 방향으로 일어난다. 스텝(8)은 노광이 일어나지 않는 동안 고정된 빔에 대하여 이동되고 있는 기판(2)을 나타낸다. 스캔(10)에 따른 스캔 속도는 잠시 동안 증가한 후에 실질적으로 일정하다. 일부 실시예에 있어서는 스캔의 끝에서 잠시 동안 감속된 기간이 일부 실시예에서 사용될 수 있다. 증가 및 어떤 감속된 시간은 일부 실시예에서 10 내지 18인치일 수 있는 전체 열을 따라 연속하는 스캔에 관해 무시될 수 있고, 따라서 스캔은 기본적으로 일정하다. 전체 기판을 패터닝하는데 필요한 시간은 패터닝이 일어나는 스캔(10, 12)과 패터닝이 일어나지 않는 스텝(8) 사이의 높은 비율때문에 감소된다. 스캔(10 및 12)은 인접한 열에서 대향하는 방향으로 연장된다. 각 셀(6)에 나타낸 "V's"는, 도 3에 보다 분명하게 예시될 바와 같이, 각각의 셀(6)에서 형성된 패턴의 상대적인 배향을 나타낸다. 스캔 방향을 따라 인접한 셀은 반대의 패턴을 갖는다. 기판(2) 상의 패턴 노광은 실질적으로 기판(2)의 에지(4) 상에 있는 시작점(16)에서 시작한다. 시작점(16)은 다른 실시예에서 가까이에 근접하고 인접한 에지(4)에 있고, 에지(4) 가장 가까이에 근접한 다이의 최외측의 코너를 나타낸다. 도 1에 예시된 실시예에 있어서, 스캔, 즉 스캔(10, 12)은 셀(6)의 완전한 열을 따라 연속하는 스캔을 포함한다.
도 2는 도 1과 실질적으로 유사하고, 각 스캔(10, 12)이 기판(2)의 에지(4)를 따른 위치에서 시작하여 빔이 제 1 위치에서 에지(4)와 교차할 때까지 선형 방향으로 연속하는 다른 실시예를 예시한다. 이러한 실시예에 있어서, 부분적인 셀(6)은 기판 상에 패터닝되고, 노광이 일어나지 않을 때 노광 슬릿에 정렬되는 기판(2)의 위치를 나타내는 스텝(8)은 기판(2)의 경계 밖으로 연장한다.
스캔 각각 동안에 기판[기판(2)]과 레티클 모두는 도 3에 나타낸 바와 같이, 노광 슬릿을 통해 연장하는 광에 의해 형성된 빔에 대하여 이동한다.
도 3은 연속하는 선형 스캔을 따라 2개의 인접한 셀에 패턴을 노광, 즉 투사하기 위해 사용되는 노광 동작에서의 6개의 연속하는 스텝을 나타낸다. 빔(32)은 불투명한 부재(36) 사이에 형성된 개구부(34)에 의해 정의되는 고정 노광 슬릿을 통과하는 조명원으로부터의 광에 의해 형성된다. 다양한 실시예에 있어서, 다양한 조명원이 사용되고, 조명원으로부터의 광은 노광 슬릿(34)을 통과하기 전에 콜리메이트된다. 슬릿(34)을 통해 광을 유도하는(directing) 다양한 구성이 사용된다. 빔(32)은 축소 투사 렌즈(40)를 통과하여 기판(2)에 투사되는 레티클(44) 상에 형성된 이미지의 사이즈를 감소시킨다. 레티클(44)은 노광 필드(46)를 포함하고, 그 전체가 기판(2)에 투사된다. 노광 필드(46)에서의 패턴은 패턴이 현상된 후에 이후에 마스킹 패턴으로 변환될 기판(2) 상의 사이즈가 감소된다.
일부 실시예에서 노광 필드(46)는 단일 다이를 포함하고, 다른 실시예에서 노광 필드(46)는 다중 다이의 셀을 포함한다. 설명의 간결성 및 명확성을 위해, 일부 실시예에 있어서 "셀"은 하나의 다이일 수 있지만, 노광 필드의 이미지는 이하 셀이라고 할 것이다. 화살표는 노광 동안에 기판(2) 및 레티클(44)이 병진하는 각각의 방향을 지시한다. 기판(2)은 다양한 기계적 수단 중 어느 것을 이용하여 병진 운동할 수 있는 단계(도시되지 않음)에 있다. 다양한 기계적 피쳐 및 구성이 레티클(44)에 운동을 제공하기 위해 사용될 수 있다. 도 3의 스텝(1, 2 및 3)은 기판(2)의 대향하는 방향으로 이동된다. 스텝(1, 2 및 3)는 기판(2) 상의 제 1 셀의 패터닝을 포함하고, 스텝(4, 5, 및 6)은 동일한 선형 스캔을 따른 기판(2) 상의 제 2 인접한 셀의 패터닝을 포함한다.
스텝(1, 2 및 3)은 기판(2)의 제 1 셀(50)에 패턴을 투사하기 위해 빔(32)이 레티클(44)의 전체 노광 필드(46)를 통해 스캔하는 스텝을 나타낸다. 스텝(3) 이후에 레티클(44)이 병진하는 방향은 반대된다. 스텝(4, 5 및 6)은 셀(50)에 인접한 셀(52)의 노광을 나타낸다. 셀(52)은 레티클(44)이 기판(2)와 동일한 방향으로 병진됨에 따라 노광 필드(46) 전체를 통과하는 빔(32)에 의해 패터닝된다. 요약하면, 스텝(1, 2 및 3)에서 기판(2) 및 레티클(44)은 대향하는 방향으로 병진되고, 스텝(4, 5 및 6)에서 기판(2) 및 레티클(44)은 동일한 방향으로 병진한다. 그러므로, 셀(52)에서 생성된 패턴은 동일한 레티클(44)로부터 형성되어도 셀(50)의 패턴의 반대일 것이다. 그것은 스캔 방향을 따라 인접한 다이에 투사된 패턴이 반대되는 것을 나타낸 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같다. 레티클(44)의 방향은 스캔 방향을 따른 각각의 후속하는 셀에 반대된다. 그와 같이, 스캔이 스캔 방향을 따라 연속함에 따라 각 셀은 그것에 인접한 셀의 반대인 패턴을 포함한다. 대안적으로, 기판(2)이 고정된 빔(32)에 대하여 하나의 방향을 따라 스캔됨에 따라 레티클(44)은 기판(2)에 셀(50, 52)로서 투사되는 연속적인 노광 필드(46) 각각에 대항여 대향하는 방향을 따라 교호로 병진된다.
노광 패턴이 설명된 바와 같이 형성된 후에 현상 동작이 포토마스크를 형성하기 위해 노광된 포토레지스 또는 비노광된 포토레지스 중 하나를 현상하는데 사용된다. 패터닝된 포토마스크는 에칭, 이온 주입, 또는 다양한 다른 동작들과 같은 후속하는 처리 동작에 사용된다.
상기는 단지 본 발명의 원리를 예시한다. 따라서, 당업자는 여기서 분명하게 설명되거나 도시되지 않지만 본 출원의 원리를 구현하고, 그 정신 및 범위 내에 포함되는 다양한 구성을 고안할 수 있다는 것이 인지될 것이다. 또한, 여기에 기재된 모든 예시 및 조건적 언어는 단지 교육적 목적을 위한 것이고, 본 기술을 발전시키기 위해 발명자에 의해 기여되는 본 발명의 원리 및 개념을 독자가 이해하는 것을 돕기 위해 원리적으로 표현하도록 의도된 것이고, 구체적으로 기재된 예시 및 조건에 제한되지 않는 것으로 이해된다. 게다가, 여기서 본 발명의 원리, 양상 및 실시예뿐만 아니라 그 구체적인 예를 기재하는 모든 서술은 그것의 구조적 및 기능적 동등물을 포함하도록 의도된다. 추가적으로, 그러한 동등물은 현재 알려진 동등물 및 향후 개발되는 동등물(즉 구조에 관계없이 동일한 기능을 수행하도록 개발된 어떤 요소) 모두를 포함하도록 의도된다.
예시적인 실시예의 설명은 전체 기재된 설명의 일부로 간주될 수 있는 첨부 도면과 함께 판독되도록 의도된다. "하부", "상부", "수평", "수직", "위", "아래", "위로", "아래로", "상면", "저면"뿐만 아니라 그 변형들(예를 들어, "수평으로", "하향하여", "상향하여" 등)과 같은 상대 용어는 논의하에 설명되거나 도면에 도시된 바와 같은 배향을 말하는 것으로 이해되어야 한다. 그러한 용어는 설명의 편의를 위한 것이고, 장치가 특정 배향으로 구조되거나 작동되는 것을 요구하지 않는다. "접속된" 및 "상호접속된"과 같은 부착, 결합 등에 관련된 용어는 구조가 다른 표현적인 설명이 없다면 이동가능한 또는 고정된 부착 또는 관계뿐만 아니라 개재하는 구조를 통하여 간접적으로 또는 직접적으로 다른 것에 고정 또는 부착되는 관계르 말한다.
본 발명은 예시적인 실시예에 관하여 설명되었지만, 그것에 제한되지 않는다. 그보다는, 첨부된 청구항은 본 발명의 동등물의 영역 및 범위로부터 벗어남 없이 당업자에 의해 이루어질 수 있는 본 개시의 다른 변형 및 실시예를 포함하도록 광범위하게 이해되어야 한다.

Claims (10)

  1. 기판을 패터닝하는 방법에 있어서,
    행들 및 열들로 배열된 복수의 다이로 나누어진 기판을 제공하는 것;
    조명원, 레티클(reticle) 및 투사 렌즈를 제공하는 것; 및
    복수의 스캔을 수행하는 것에 의한 스캐닝에 의해 상기 조명원으로부터의 빔을 상기 레티클 및 상기 투사 렌즈를 통해 상기 기판에 투사함으로써 상기 레티클로부터의 패턴으로 상기 기판을 패터닝하는 것
    를 포함하고,
    상기 스캔 각각은 스캔 방향에서 상기 열들 중 완전한 하나의 열에 따른 연속적인 선형 스캔에서 상기 빔에 대하여 상기 기판을 연속적으로 병진(translating)시키는 것을 포함하며,
    상기 기판을 패터닝하는 것은 상기 조명원으로부터의 광을 노광 슬릿(exposure slit)을 통하도록 지향(directing)시킴으로써 상기 빔을 형성하는 것 및 상기 스캐닝 동안에 상기 빔에 대하여 상기 레티클을 병진시키는 것을 포함하고,
    상기 레티클을 병진시키는 것은 상기 복수의 다이 중 제 1 다이를 형성하기 위해 상기 스캔 방향을 따라 상기 레티클을 병진시키는 것, 및 상기 스캔 방향에서 상기 열들 중 제 1 열을 따라 상기 복수의 다이 중 인접한 제 2 다이를 형성하기 위해 상기 스캔 방향과 반대 방향을 따라 상기 레티클을 병진시키는 것을 포함하는 것인, 기판 패터닝 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 스캔을 수행하는 것은 제 1 열을 따라 상기 스캔 방향으로 제 1 스캔을 수행하는 것, 및 인접한 제 2 열에서 반대 방향을 따라 제 2 스캔을 수행하는 것을 포함하는 것인, 기판 패터닝 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 스캔 각각은 일정한 스캔 속도에서 수행되고, 상기 제 1 스캔과 상기 제 2 스캔 사이에서 상기 스캔 방향과 직교하는 방향으로 상기 기판을 이동시킴으로써 스텝핑하는 것을 더 포함하는, 기판 패터닝 방법.
  6. 삭제
  7. 기판을 패터닝하는 방법에 있어서,
    원형의 형상인 기판을 제공하는 것;
    조명원, 레티클 및 투사 렌즈를 제공하는 것; 및
    상기 조명원으로부터의 빔을 상기 레티클 및 상기 투사 렌즈를 통하여 상기 기판의 에지에서의 또는 상기 에지에 인접한 제 1 위치에서 시작하여 상기 기판에 투사하고, 상기 빔이 상기 에지에서의 또는 상기 에지에 인접한 제 2 위치에 도달할 때까지 스캔 방향을 따라 상기 빔에 대하여 상기 기판을 연속적으로 선형 병진시키는 것에 의해 스캐닝함으로써 상기 기판에 상기 레티클로부터의 패턴을 반복적으로 투사하는 것
    을 포함하며,
    상기 빔을 투사하는 것은 상기 조명원으로부터의 광을 노광 슬릿(exposure slit)을 통하도록 지향(directing)시킴으로써 상기 빔을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 패턴을 반복적으로 투사하는 것은 상기 스캔 방향을 따라 제 1 셀을 형성하기 위해 상기 스캐닝 동안에 상기 스캔 방향을 따라 상기 레티클을 병진시키고, 상기 스캔 방향을 따라 인접한 제 2 셀을 형성하기 위해 상기 스캔 방향의 반대 방향을 따라 상기 레티클을 병진시키는 것을 포함하는 것인 기판 패터닝 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 빔이 상기 제 2 위치에 도달한 후에 상기 스캔 방향에 직교하는 방향으로 상기 기판을 이동함으로써 스텝핑하고,
    그 다음에, 상기 빔이 상기 에지에서의 또는 상기 에지에 인접한 제 3 위치에 도달할 때까지 상기 스캔 방향에 평행하면서 반대인 방향으로 상기 빔에 대하여 상기 기판을 연속적으로 선형 병진시키는 것에 의한 추가의 스캐닝에 의해 상기 레티클로부터의 상기 패턴을 상기 투사 렌즈를 통하여 상기 기판에 추가로 반복적으로 투사하는 것
    을 더 포함하는 기판 패터닝 방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 레티클은 상기 패턴을 포함하고, 상기 패턴은 복수의 다이를 포함하는 것인 기판 패터닝 방법.
  10. 기판을 패터닝하는 방법에 있어서,
    행들 및 열들로 배열된 복수의 셀을 포함한 기판을 제공하는 것;
    조명원, 복수의 다이를 갖는 셀 패턴을 포함한 레티클, 및 투사 렌즈를 포함한 시스템을 제공하는 것; 및
    상기 조명원으로부터의 빔을 상기 레티클 및 상기 투사 렌즈를 통하여 상기 열들 중 제 1 열에서의 최상부 또는 최하부 셀인 제 1 셀에서 시작하여 상기 기판에 투사하고, 복수의 스캔을 이용하는 것에 의해 스캐닝함으로써 상기 기판에 셀 패턴을 반복적으로 투사함으로써 상기 기판을 패터닝하는 것
    을 포함하고,
    상기 스캔 각각은 상기 빔에 대하여 상기 레티클을 병진시키는 것, 및 상기 제 1 열 전체를 따른 연속적인 선형 스캔에서 스캔 방향으로 상기 빔에 대하여 상기 기판을 병진시키는 것을 포함하며,
    상기 빔을 투사하는 것은 상기 조명원으로부터의 광을 노광 슬릿(exposure slit)을 통해 지향(directing)시킴으로써 상기 빔을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 빔에 대하여 상기 레티클을 병진시키는 것은 상기 기판을 병진시키는 동안 일어나며, 상기 제 1 셀을 위해 상기 스캔 방향을 따라 상기 레티클을 병진시키는 것, 및 상기 연속적인 선형 스캔을 따라 인접한 제 2 셀을 위해 상기 스캔 방향과 반대 방향을 따라 상기 레티클을 병진시키는 것을 포함하는, 기판 패터닝 방법.
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