CN100570494C

CN100570494C - 光刻法

Info

Publication number: CN100570494C
Application number: CNB2007100053028A
Authority: CN
Inventors: 梁辅杰; 许林弘; 陈俊光; 高蔡胜; 林本坚
Original assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Current assignee: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date: 2006-06-07
Filing date: 2007-02-14
Publication date: 2009-12-16
Anticipated expiration: 2027-02-14
Also published as: CN101086626A

Abstract

本发明提供一种光刻法，以图案化位于一基板上的多个区域。所述光刻法包括利用一辐射束沿着一第一方向扫描一第一区域；然后步进至邻接于所述第一区域的一第二区域，且当所述第一区域和所述第二区域两者沿所述第一方向观看时，所述第二区域位于所述第一区域之后；然后利用所述辐射束沿着所述第一方向扫描所述第二区域。通过本发明中所给出的扫描方向以及步进动作中的步进移动值，可以降低或大体上消除在浸润式光刻法处理期间的污染。

Description

光刻法

技术领域

本发明涉及一种光刻法，特别涉及一种减少污染的光刻法。

背景技术

随着半导体制造过程技术持续不断地进行以降低特征尺寸，例如65nm、45nm到更小的尺寸，则须采用浸润式光刻(immersion lithography)方式。然而，利用浸润式光刻系统的光刻处理期间，例如气泡(bubble)、颗粒(particle)和水痕(water residue)等污染会进入浸润式光刻系统中，且会污染将要进行制造过程的半导体芯片。这种污染会导致缺陷(defect)和成品率下降。

发明内容

鉴于此，本发明的目的在于可以降低或大体上消除在光刻法处理期间的污染。

为实现发明的上述目的，本发明提供一种光刻法，以图案化位于一基板上的多个区域。所述光刻法包括利用一辐射束沿着一第一方向扫描一第一区域；然后步进至邻接于该第一区域的一第二区域，且当该第一区域和该第二区域两者沿该第一方向观看时，该第二区域位于该第一区域之后；然后利用所述辐射束沿着该第一方向扫描该第二区域，其中所述步进至该第二区域包括沿着一步进方向从该第一区域步进至该第二区域，该步进方向与该第一方向之间的夹角小于20°。

所述光刻法还可包括步进至邻接于该第二区域的一第三区域，该第三区域设置于包括该第一区域和该第二区域的一长条区中，且当该第二区域和该第三区域两者沿该第一方向观看时，该第三区域位于该第二区域之后。然后利用所述辐射束沿着该第一方向扫描该第三区域。所述光刻制造方法还可包括图案化位于该基板上另一长条区中的多个区域，包括下列步骤：利用一辐射束沿一第二方向扫描一第五区域；步进至邻接于该第五区域的一第六区域，且当该第五区域和该第六区域两者沿该第二方向观看时，该第六区域位于该第五区域之后；以及利用所述辐射束沿该第二方向扫描该第六区域。该第二方向可接近平行于该第一方向。另一实施例中该第二方向可接近相反于该第一方向。所述扫描该第一区域或扫描该第二区域可包括扫描包括一浸泡液的每一个区域，该浸泡液位于该基板和一物镜系统之间。该辐射束可包括紫外线。该基板包括一影像层，镀于该基板上。该基板包括一半导体芯片。所述扫描该第一区域和步进至该第二区域的步骤包括一扫描速度和一步进速度，该步进速度小于该扫描速度。

本发明又提供一种光刻法，用以图案化一基板，所述光刻法包括步骤：图案化一基板的一第一面积，该第一面积具有多个区域，所述多个区域设置于沿第一方向延伸的一长条区的多个空间位置中，所述图案化一基板的该第一面积包括步骤：沿着接近平行于该第一方向的一(扫描)方向扫描每一个区域；以及沿着接近平行于该第一方向的一(步进)方向从每一个所述区域步进至下一个区域，该步进方向与该第一方向之间的夹角小于20°。

所述光刻法还可包括步骤：图案化该基板的一第二面积，其中该第二面积大体上包围该第一面积，且该第二面积接近于该基板的边缘。所述图案化该第二面积的步骤可包括扫描每一个区域；以及以最小步进距离从一区域步进至另一区域。该第二面积可以两个同心圆之间的面积定义。所述两个同心圆的半径差值可小于55mm。

本发明又提供一种光刻法，用以监控制造过程污染，所述光刻法包括步骤：图案化一第一基板，其具有多个互斥区域，所述多个互斥区域包括相邻的一第一区域和一第二区域，所述图案化该第一基板的步骤包括：沿第一方向，以具有一第一移动量的一扫描动作，扫描该第一区域；然后，沿着第一步进方向，以具有一第二移动量一第一步进动作从第一区域步进至第二区域；以及沿该第一方向，以具有一第三移动量的一扫描动作，扫描该第二区域，该第二移动量大体上小于该第一移动量和该第三移动量，其中该第一步进方向与该第一方向之间的夹角小于20°；图案化一第二基板，该第二基板具有其它的多个互斥区域，所述其它的多个互斥区域包括相邻的一第三区域和一第四区域，所述图案化该第二基板的步骤包括：沿第二方向，以具有一第四移动量的一扫描动作，扫描该第三区域；然后，沿着第二步进方向，以具有一第五移动量一第二步进动作从该第三区域步进至该第四区域；以及沿该第二方向，以具有一第六移动量的一扫描动作，扫描该第四区域，该第五移动量大体上小于该第四移动量和第六移动量，其中该第二步进方向相反于该第二方向；所述光刻制造方法还可包括比较该第一基板的一污染结果和该第二基板的一污染结果。

所述光刻法中，所述图案化该第一基板的步骤可包括利用沿着一第一方向的一扫描动作，扫描该第一区域；利用沿着一接近平行于该第一方向的一第二方向的步进动作，从该第一区域步进至该第二区域；以及利用沿着该第一方向的一扫描动作，扫描该第二区域。所述图案化该第二基板的步骤包括：利用沿着一第三方向的一扫描动作，扫描该第三区域；利用沿着一接近相反于第三方向的一第四方向的步进动作，从该第三区域步进至该第四区域；以及利用沿着一第三方向的一扫描动作，扫描该第四区域。

通过本发明中所给出的扫描方向以及步进动作中的步进移动值，可以降低或大体上消除在浸润式光刻法处理期间的污染。

附图说明

图1为本发明实施例的浸润式光刻系统的示意图。

图2为本发明实施例的利用图1的浸润式光刻系统扫描的半导体芯片的的俯视图。

图3为光刻图案化过程中，应用于半导体芯片的步进-扫描过程。

图4至图9为本发明不同实施例的示意图，其为光刻图案化过程中，应用于半导体芯片的步进-扫描过程。

其中，附图标记说明如下：

100浸润式光刻系统 110基板载座 115基板

120透镜系统 130浸润液储存模块 132、134、136孔洞

140浸润液 150控制器 220、220a、220b、220c、220d区域

210缺口 610线 1-36区域

具体实施方式

以下利用过程剖面图，以更详细地说明本发明优选实施例的光刻过程。在本发明各实施例中，相同的符号表示相同的组件。

参考图1，其显示本发明实施例的浸润式光刻系统100的示意图。浸润式光刻系统100包括一以固定欲图案化的基板115的基板载座110。基板载座110为可操作，以保护和移动浸润式光刻系统100的基板115。举例来说，基板载座110可被设计为可以传递及/或旋转移位，以做为基板的对准、步进和扫描。基板载座110可包括不同零件以适于进行精确的移动。

可利用基板载座110以固定基板115，且利用系统110执行所述过程。基板115可为一例如硅芯片的半导体芯片。在另一实施例中，该半导体芯片可包括一元素半导体(elementary semiconductor)、一化合物半导体(compoundsemiconductor)、一合金半导体(alloy semiconductor)或它们的组合。该半导体芯片可包括一层或多层用以被图案化的材料层，例如多晶硅(poly-silicon)、金属及/或介电质。基板115还包括一形成于其上的影像层(imaging layer)。影像层可为一光阻层(阻抗层(resist layer)、感光层(photo sensitive layer)或图案层(patterning layer))，该感光层会对曝光过程反应以形成图案。该影像层可为一正型或负型光阻材料，且可具有一多层结构。例如一化学增幅型(chemicalamplifier，CA)光阻。

浸润式光刻系统100包括一或多个影像透镜(image len)(视为一透镜系统)120。基板115还可包括或可结合一照明系统(illumination system)(例如一聚光器，condenser)，该照明系统可具有一单一透镜或多重透镜及/或其它透镜组合。举例来说，该照明系统可包括微透镜阵列(microlens array)、屏蔽(shadowmask)及/或其它结构。透镜系统120还可包括一物镜(object len)，该物镜可具有一单一透镜组件或多个透镜组件。每一个透镜组件可包括一透光基板，且还可包括多层镀层(coating layer)。该透光基板可为一传统透镜，且可利用熔凝硅砂(fused silica，SiO₂)、氟化钙(calcium-fluoride，CaF₂)、氟化锂(lithium-fluoride，LiF₂)、氟化钡(barium-fluoride，BaF₂)或其它适当的材料制成。可选择在光刻法中用基准波长的材料做为透镜组件，以使光吸收和光散射减到最少。

浸润式光刻系统100包括一浸润液储存模块130，其用以储存一浸润液140。浸润液储存模块130可接近于(例如环绕)透镜系统120，除储存浸润液140之外，透镜系统120可设计做为其它功能之用。浸润液储存模块130和透镜系统120组成(至少在某种程度上)一浸润头(immersion head)。浸润液140可包括水(水溶液、去离子水(de-ionized water，DIW)或超纯水(ultra purewater))、高n流体(其在给定的光波长下具有一折射率n，其值高于1.44)、汽油或其它适当的流体。

浸润液储存模块130可包括不同的孔洞(或喷孔)，用以提供显影过程用的浸润液、提供干燥用的清除气体、移除任何外来的流体及/或进行其它的功能。特别地，浸润液储存模块130可包括一孔洞132做为一浸润液的入口，用以提供和传递浸润液至介于透镜系统120和位于基板载座110上的基板115的一空间中。浸润液储存模块130可包括一孔洞134做为一浸润液的出口，用以移除浸润液，或其它被清除的流体。浸润液储存模块130可包括一孔洞136，其用以提供做为清除任何残留流体和干燥清洁后的表面的一干燥气体。

浸润式光刻系统100可包括一控制器150，其设计做为控制浸润式光刻系统100的各种零件，例如基板载座110和透镜系统120，以进行例如对准、步进移动、扫描移动和放置浸润液等不同的动作。控制器150可被一制造执行系统(manufacturing executive system，MES)合并或组合。控制器150可包括各种零件，其分布于浸润式光刻系统100及/或制造执行系统中。举例来说，控制器150可包括例如微处理器(microprocessor)、半导体内存(semiconductormemory)和连接接口(communication interface)。控制器150可包括例如宏指令(macro instruction)、微处理器编码(microprocessor code)和配方(recipe)的程序化软件(preprogrammed software)。控制器150被设计及程序化以执行如图4至图9所示的不同的步进-扫描过程。

浸润式光刻系统100还可包括一放射光源。放射光源可为一适当的紫外光源(ultraviolet，UV)或超紫外光源(extra UV，EUV)。举例来说，放射光源可为一水银灯(mercury lamp)，其波长为436nm(G-line)或365nm(I-Line)；氟化氪准分子激光(krypton fluoride(KrF)excimer laser)，其波长为248nm；氟化氩准分子激光(argon fluoride(ArF)excimer laser)，其波长为193nm；氟准分子激光(fluoride(F₂)excimer laser)，其波长为157nm或其它具有理想波长的放射光源(例如波长约小于100nm)。

在浸润式光刻处理期间，可采用一光罩(也可视为一屏蔽(reticle))于浸润式光刻系统100中。光罩可包括一透明基板和一图案化吸收层。可利用例如硼硅玻璃(borosilicate glass)和钠玻璃(sodalime glass)的熔凝硅砂(fused silica，SiO₂)做为透明基板以防止缺陷。透明基板可包括氟化钙及/或其它适当的材料。可利用多道处理或多个材料形成图案化吸收层，例如沉积铬(Cr)或氧化铁(iron oxide)制成的材料薄膜，或为硅化钼(MoSi)、锆氧化硅(ZrSiO)、氮化硅(SiN)及/或氮化钛(TiN)等无机薄膜。可设计具有其它特征或增强分辨率技术的光罩，例如光学邻近效应修正(optical proximity correction，OPC)及/或相变化光罩(phase shift mask，PSM)。

该浸润式光刻系统100可用以进行一浸润式曝光工艺(immersionexposure process)。另一实施例中，浸润式光刻系统100可用以进行干式光刻图案化过程，且可设计不同的浸润液储存模块130或不设置浸润液储存模块130。利用放射光源射出的放射光，以操作浸润式光刻系统100，将镀于基板115上的影像层(imaging layer)曝光。

参考图2，其显示本发明一实施例的图1和一步进-扫描过程的基板115的俯视图。基板115直径的尺寸可以不同，例如为200nm或300nm。基板115可包括例如缺口(notch)210的定位物。在基板115上定义多个面积220，且也称为例如区域220a至区域220d等多个区域。将预先定义于光罩或以其它方法定义的一图案(pattern)，利用一光刻过程形成于每一个区域220中，所述光刻过程可视为一步进-扫描过程(step-and-scan process)。步进-扫描过程叙述如后，另外可参考图1。

在步进-扫描过程中，透镜系统120从一区域至另一区域的方式步进(step)基板115。步进至一区域后，利用一辐射束扫描该区域，以在基板115上形成预先定义的图案。在一步进动作期间，移动与基板载座110一起的基板115，以定位基板的下一区域以供扫描。在一扫描动作期间，基板115和一光罩以不同方向或以相同方向移动，该光罩具有预先定义的图案，该预先定义的图案用以形成于基板的每一个区域上。在后续描述中，“扫描动作”一词表示透镜系统和基板的相对动作，即使在扫描动作期间，透镜系统实际上可不移动。扫描动作方向以同样方式定义。类似地，“步进动作”一词表示透镜系统(以及光罩)和基板的相对动作，即使在步进动作期间，透镜系统(以及光罩)实际上可不移动。然而，“沿一方向从一区域至另一区域步进”表示沿着刚扫描完的区域(just-scanned field)传递移动的方向，所述的传递移动可使刚扫描完的区域和接着要被扫描的邻接区域部分重迭。

在本发明的一实施例中，沿y方向扫描区域220a。之后透镜系统沿x方向从区域220a步进至区域220b。之后沿y方向扫描区域220b。之后透镜系统沿x方向从区域220b步进至区域220c，之后沿y方向扫描区域220c。之后透镜系统沿x方向从区域220c步进至区域220d，之后沿y方向扫描区域220d。由于区域220a至220d设置为同一列且依序扫描，区域220a至220d可视为一长条区。然后透镜系统步进至下一长条区。依序扫描下一长条区中的每一个区域。步进-扫描过程从一区域至另一区域，从一长条区至另一长条区持续进行，直到基板上的所有区域都进行完毕为止。

参考图3，其显示一实施例的基板115的俯视图以及依照前述的步进-扫描过程。位于基板115中的多个区域是依其扫描顺序标号为1至36。举例来说，第一个扫描区域1，接着扫描区域2，接着扫描区域3，直到扫描区域36。一第一长条区，其包括区域1至4，下一长条区包括区域5至10，以此类推。在每一区域中的箭头用以标示扫描方向。以第一长条区为例，沿y方向扫描区域1；然后透镜系统沿x方向从区域1步进至区域2，接着沿y方向扫描区域2；然后透镜系统沿x方向从区域2步进至区域3，接着沿y方向扫描区域3；然后步进至区域4，接着扫描区域4；然后透镜系统步进至下一长条区的区域5。在此一长条区中，类似的步进-扫描过程继续用于所有的区域，直到基板115上所有的区域都被扫描为止。依照所述过程，每一长条区中的步进和扫描动作为互相垂直或接近垂直。然而，所述过程中的每一个步进动作会扫描到刚扫描完区域约一半的宽度，因此具有引起污染或散布污染的高可能性。

参考图4，其显示一实施例的基板115的俯视图以及依照本发明揭示的一实施例的步进-扫描过程。位于基板115上的多个区域依其扫描顺序标号为1至36。在每一区域中的箭头用以标示扫描方向。由于同一长条区的所有区域是以同一方向扫描，此一方向可视为长条区的扫描方向。第一长条区包括区域1和2。首先沿y方向扫描区域1，然后透镜系统沿第一长条区的扫描方向从区域1步进至位于区域1之后的区域2。换句话说，透镜系统沿第一长条区的扫描方向从区域1步进至区域2。扫描区域1后，透镜系统(相对于基板)可超过一小段距离。因此，从区域1至区域2的步进动作期间，透镜系统可需要拉回(back off)一小段距离，以使透镜系统位于区域2的起始扫描位置。再者，所有动作为相对动作，例如，即使实际上为基板移动。

接着，透镜系统步进至位于第二长条区的区域3，且沿y方向扫描区域3。接着透镜系统沿y方向从区域3步进至区域4，且沿y方向扫描区域4；接着透镜系统沿y方向从区域4步进至区域5，且沿y方向扫描区域5；且接着步进至位于第三长条区的区域7。类似的步进-扫描过程用于第三长条区，第四长条区以及其它的长条区直到所有的长条区都进行完毕为止。如图4所示的上述步进-扫描过程期间，在同一长条区中，从一区域到另一区域的步进动作具有一方向，其平行或至少接近平行于长条区的扫描方向，且步进动作具有一最小的步进移动值。因此，可以降低或大体上消除在浸润式光刻法处理期间的污染。

图5为本发明的另一实施例的基板115的俯视图。本发明实施例中的基板115上的区域1至36是依扫描顺序标号。在每一区域中的箭头用以标示扫描方向。图5所示的步进-扫描过程相似于图4所示的步进-扫描过程。上述两实施例中，一长条区中的透镜系统沿一方向扫描每一区域，且沿相同方向从一区域步进到另一区域。然而，图5的步进-扫描过程，其从一长条区至另一长条区的步进方向可以不同。同样地，由于从一区域到另一区域的步进动作具有一最小的步进移动值，可以降低或大体上消除在浸润式光刻法处理期间的污染。

图4和图5所示的本发明的其它实施例的步进-扫描过程分别可具有不同的组合。举例来说，在一长条区中，透镜系统沿一方向扫描每一区域，且仍沿着相同方向从长条区中的一区域步进到另一区域。从一长条区至另一长条区可设计为不同方向，例如彼此邻接的长条区的步进动作可为相同方向，或在其它实施例中可为相反方向。同样地，由于在同一长条区中，从一区域到另一区域的步进动作具有一最小的步进移动值，可以降低或大体上消除在浸润式光刻法处理期间的污染。

参考图6，其显示一实施例的基板115的俯视图以及依照本发明揭示的一实施例的步进-扫描过程。定义于基板115上的多个区域是以线610分为两个族群(线610为虚构的线，因此用虚线绘制)。在本实施例中，线610为一圆圈，其定义区域的第一族群和第二族群，区域的第一族群位于被线610围住的内部面积中，区域的第二族群位于或部分位于边缘面积中。通常区域的第二族群位于或部分位于第二面积中，第二面积是以线610和另一个同心圆定义而成，所述同心圆具有一半径，其值大于圆圈610的半径。在一实施例中，第二面积可具有沿半径方向的一宽度，其值约为50nm。在进行步进-扫描过程期间，先进行内部面积中的区域的第一族群，然后再进行边缘面积中的区域的第二族群。用于进行区域的第一族群时的步进-扫描过程，其图4、图5或其组合的过程类似。举例来说，进行区域的第一族群时，透镜系统沿一方向扫描一长条区的所有区域，且沿着相同方向从该长条区中的一区域步进到另一区域。在邻接长条区的步进动作可沿同一方向，或在其它实施例中可沿相反方向。边缘面积中的区域的第二族群以一方式进行，以使从一区域到另一区域步进移动值最小化，或步进-扫描过程造成的污染减到最少。用于边缘面积的区域的步进-扫描过程是在用于内部面积的区域的步进-扫描过程之后进行。因此，可使边缘面积造成的污染减到最少，且可防止污染影响到内部面积的区域。因此，使用上述的步进-扫描过程，可使浸润式光刻法处理造成的污染减到最少。

图7示出一实施例的基板115的俯视图以及依照本发明揭示的一实施例的步进-扫描过程。基板115包括位于内部面积的第一族群，其包括区域1至21，以及位于边缘面积中区域的第二族群，其包括区域22至36。区域1至36是全部依扫描顺序标号。在每一区域中的箭头用以标示扫描方向。透镜系统以类似图4的过程方式扫描内部面积的区域，接着以减少的步进移动值扫描位于边缘面积中的所有区域，且减少的步进移动值遍及之前扫描过的区域。

参考图8，其示出基板115的俯视图，其上具有多个已定义区域，该俯视图用以说明监控浸润式光刻法处理导致的污染的方法。区域1至36是依扫描顺序标号。在每一区域中的箭头用以标示扫描方向。利用具有区域1和2的第一长条区作为例子，以叙述和解释所述过程，透镜系统沿y方向扫描区域1。然后透镜系统步进至区域2，当区域1和区域2两者沿第一长条区的扫描方向观看时，区域2位于区域1之后(在本实施例中为y方向)，然后沿着y方向扫描区域2。由于在同一长条区中，从一区域到另一区域的步进动作沿一方向，其相反于长条区的扫描方向，因此透镜系统几乎扫描过所有刚扫描完和将要扫描的区域(在本实施例中为区域1)，扩大从步进动作产生的污染。因此，此种步进-扫描过程可用于监控及控制光刻法处理期间的污染，特别是浸润式光刻法处理期间的污染。

图9为另一实施例的基板115的俯视图和步进-扫描过程。在图9中，区域1至36是全部依扫描顺序标号。在每一区域中的箭头用以表示扫描方向。在步进-扫描过程期间，在同一长条区中，从一区域到另一区域的步进动作是沿一方向，其相反于长条区的扫描方向，因此透镜系统几乎扫描过所有刚扫描完和将要扫描的区域，同样地，扩大了从步进动作产生的污染。

在一监控污染方法的实施例中，第一基板利用图4至图7所示的那些步进-扫描过程的其中之一进行。第二基板利用图8和图9所示的那些步进-扫描过程的其中之一进行。然后量测及比较第一基板和第二基板的污染，以得到污染信息、测定污染等级、当污染量将到界限或超出界限时做出过程警示及/或起动修正动作。举例来说，上述的监控方法可包含在例行的认证程序(routine qualification procedure)中，例如每日认证程序(daily qualificationprocedure)、维护认证程序(maintenance qualification procedure)及/或机台认证程序(tool qualification procedure)。上述的方法可有其它不同的变化。举例来说，第二基板可利用步进-扫描过程，以图3所示的另一种方式进行。

再者，可在不脱离本发明的构思和范围内，当可做些许更动与润饰。举例来说，图4至图7所示的步进-扫描过程，透镜系统沿同一扫描方向扫描一长条区的所有区域，且沿着相同方向或接近平行的步进方向从所述长条区中的一区域步进到另一区域，扫描方向和步进方向之间的夹角小于20°。本发明可应用于干式光刻过程的干式光刻法制造系统。用以定位的缺口示出在实施例的每一基板中。相对于区域或长条区而言，缺口可置于不同的相对位置。定位缺口可设计为例如平口(flat)等不同的几何形状。在一实施例中，步进速度大体上可小于扫描速度，以减少污染。

因此，本发明实施例提供一种光刻法，以图案化位于一基板上的多个区域。所述光刻法包括利用一辐射束沿着一第一方向扫描一第一区域；然后步进至邻接于该第一区域的一第二区域，且当该第一区域和该第二区域两者沿该第一方向观看时，该第二区域位于该第一区域之后；然后利用所述辐射束沿着该第一方向扫描该第二区域。

所述光刻法还可包括步进至邻接于该第二区域的一第三区域，该第三区域设置于包括该第一区域和该第二区域的一长条区中，且当该第二区域和该第三区域两者沿该第一方向观看时，该第三区域位于该第二区域之后。然后利用所述辐射束沿着该第一方向扫描该第三区域。所述光刻法还可包括图案化位于该基板上另一长条区中的多个区域，包括下列步骤：利用一辐射束沿一第二方向扫描一第五区域；步进至邻接于该第五区域的一第六区域，且当该第五区域和该第六区域两者沿该第二方向观看时，该第六区域位于该第五区域之后；以及利用所述辐射束沿该第二方向扫描该第六区域。该第二方向可接近平行于该第一方向。另一实施例中，该第二方向可接近相反于该第一方向。所述扫描该第一区域或扫描该第二区域的步骤可包括扫描包括一浸泡液的每一个区域，该浸泡液位于该基板和一物镜系统之间。所述辐射束可包括紫外线。该基板包括一影像层，镀于该基板上。所述步进至该第二区域的步骤包括沿着接近平行于该第一方向的一步进方向从该第一区域步进至该第二区域。该步进方向接近平行于该第一方向，该步进方向与该第一方向之间的夹角小于20°。该基板包括一半导体芯片。所述扫描该第一区域和步进至该第二区域的步骤包括一扫描速度和一步进速度，该步进速度小于该扫描速度。

本发明又提供一种光刻法，其用以图案化一基板，包括：图案化一基板的一第一面积，其具有多个区域，所述多个区域设置于沿第一方向延伸的一长条区的多个空间位置中，包括：沿着接近平行于该第一方向的一扫描方向扫描每一个区域；以及沿着接近平行于该第一方向的一步进方向从每一个该区域步进至下一个区域。

所述光刻法还可包括步骤：然后图案化该基板的一第二面积，其中该第二面积大体上包围该第一面积，且该第二面积接近于该基板的边缘。图案化该第二面积可包括扫描每一个区域；以及以最小步进距离从一区域步进至另一区域。该第二面积可以两个同心圆之间的面积定义。所述两个同心圆的半径差值可小于55mm。

本发明又提供一种光刻法，其用以监控过程污染，包括：图案化一第一基板，其具有多个互斥区域，其包括相邻的一第一区域和一第二区域，包括：以具有一第一移动量的一扫描动作，扫描该第一区域；然后以具有一第二移动量一第一步进动作步进；以及以具有一第三移动量的一扫描动作，扫描该第二区域，该第二移动量大体上小于该第一移动量和第三移动量；图案化一第二基板，其具有其它的多个互斥区域，其包括相邻的一第三区域和一第四区域，包括：以具有一第四移动量的一扫描动作，扫描该第三区域；然后以具有一第五移动量一第二步进动作步进；以及以具有一第六移动量的一扫描动作，扫描该第四区域，该第五移动量大体上小于该第四移动量和第六移动量；所述光刻法还可包括步骤：比较该第一基板的一污染结果和该第二基板的一污染结果。

所述光刻法中，图案化该第一基板可包括利用沿着一第一方向的一扫描动作，扫描该第一区域；利用沿着一接近平行于该第一方向的一第二方向的步进动作，从该第一区域步进至该第二区域；以及利用沿着该第一方向的一扫描动作，扫描该第二区域。图案化该第二基板包括：利用沿着一第三方向的一扫描动作，扫描该第三区域；利用沿着一接近相反于第三方向的一第四方向的步进动作，从该第三区域步进至该第四区域；以及利用沿着一第三方向的一扫描动作，扫描该第四区域。

本发明提供一种光刻装置。所述光刻装置包括一透镜系统；一基板载座，其设置于该透镜系统下方；以及一控制器，其耦接于该透镜系统和该基板载座。该透镜系统、该基板载座和该控制器为可被设计或程序化，利用沿着接近平行于该第一方向的一扫描方向扫描每一个区域；以及沿着接近平行于该第一方向的一步进方向从每一个该区域步进至下一个区域的方式，图案化一基板，该基板具有多个区域，所述多个区域设置于沿第一方向延伸的一长条区的多个空间位置中。所述光刻装置还可包括一浸润液储存模块，该浸润液储存模块用以储存一流体，该流体至少部分填入介于该透镜系统和该基板之间，且位于该基板载座上的一空间中。

虽然本发明已以优选实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，在不脱离本发明的构思和保护范围内，本领域的技术人员可做些许更动与润饰，因此本发明的保护范围以随附的权利要求书所限定的范围为准。

Claims

1.一种光刻法，其用以图案化多个位于一基板上的区域，依序包括步骤：

利用一辐射束沿一第一方向扫描一第一区域；

步进至邻接于该第一区域的一第二区域，且当该第一区域和一第二区域沿该第一方向观看时，该第二区域位于该第一区域之后；以及

利用所述辐射束沿该第一方向扫描该第二区域，其中所述步进至该第二区域包括沿着一步进方向从该第一区域步进至该第二区域，该步进方向与该第一方向之间的夹角小于20°。

2.如权利要求1所述的光刻法，其中，所述光刻法还包括步骤：

步进至邻接于该第二区域的一第三区域，该第三区域、该第一区域和该第二区域为一长条区，且所述第二区域和所述第三区域两者沿该第一方向观看时，该第三区域位于该第二区域之后；以及

利用该辐射束沿该第一方向扫描该第三区域。

3.如权利要求1所述的光刻法，其中，所述光刻法还包括图案化位于该基板上另一长条区中的多个区域的步骤，该步骤包括：

利用该辐射束沿一第二方向扫描一第五区域；

步进至邻接于该第五区域的一第六区域，且该第五区域和该第六区域两者沿该第二方向观看时，该第六区域位于该第五区域之后；以及

利用该辐射束沿该第二方向扫描该第六区域。

4.如权利要求3所述的光刻法，其中，该第二方向平行于该第一方向。

5.如权利要求3所述的光刻法，其中，该第二方向相反于该第一方向。

6.如权利要求1所述的光刻法，其中，所述扫描该第一区域和扫描该第二区域分别包括扫描包括一浸泡液的每一个区域，该浸泡液位于该基板和一物镜系统之间。

7.如权利要求1所述的光刻法，其中，所述扫描该第一区域和步进至该第二区域包括一扫描速度和一步进速度，该步进速度小于该扫描速度。

8.一种光刻法，用以图案化一基板，所述光刻法包括步骤：

图案化一基板的一第一面积，该第一面积具有多个区域，该多个区域设置于沿第一方向延伸的一长条区的多个空间位置中，包括：

沿着平行于该第一方向的一扫描方向扫描每一个区域；以及

沿着一步进方向从每一个该区域步进至下一个区域，该步进方向与该第一方向之间的夹角小于20°。

9.如权利要求8所述的光刻法，其中，所述光刻法还包括：

图案化该基板的一第二面积，该第二面积包围该第一面积，且该第二面积接近于该基板的边缘。

10.如权利要求9所述的光刻法，其中，所述图案化该第二面积包括：

扫描每一个区域；以及

以最小步进距离从一区域步进至另一区域。

11.如权利要求9所述的光刻法，其中，该第二面积以两个同心圆之间的面积定义。

12.如权利要求11所述的光刻法，其中，所述两个同心圆的半径差值小于55mm。

13.一种光刻法，用以监控制造过程污染，所述光刻法包括：

图案化一第一基板，其具有多个互斥区域，所述多个互斥区域包括相邻的一第一区域和一第二区域，所述图案化该第一基板的步骤包括：

沿一第一方向，以具有一第一移动量的一扫描动作，扫描该第一区域；

然后，沿着一第一步进方向，以具有一第二移动量一第一步进动作从该第一区域步进至该第二区域；以及

沿该第一方向，以具有一第三移动量的一扫描动作，扫描该第二区域，该第二移动量小于该第一移动量和第三移动量，其中该第一步进方向与该第一方向之间的夹角小于20°；

图案化一第二基板，第二基板具有其它的多个互斥区域，所述其它的多个互斥区域包括相邻的一第三区域和一第四区域，所述图案化该第二基板的步骤包括：

沿一第二方向，以具有一第四移动量的一扫描动作，扫描该第三区域；

然后，沿着一第二步进方向，以具有一第五移动量一第二步进动作从该第三区域步进至该第四区域；以及

沿该第二方向，以具有一第六移动量的一扫描动作，扫描该第四区域，该第五移动量小于该第四移动量和第六移动量，其中该第二步进方向相反于该第二方向；以及

比较该第一基板的一污染结果和该第二基板的一污染结果。