KR101526845B1 - 화학적 기계적 폴리싱 소모품들의 변동성의 보상을 위한 장치 및 방법 - Google Patents

화학적 기계적 폴리싱 소모품들의 변동성의 보상을 위한 장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

CMP 시스템에서 폴리싱 패드를 컨디셔닝하기 위한 장치 및 방법들이 제공된다. 일 실시예에서, 기판을 폴리싱하기 위한 장치가 제공된다. 상기 장치는 회전 가능한 플래튼과, 베이스에 연결되는 컨디셔너 디바이스를 포함한다. 상기 컨디셔너 디바이스는 제1모터에 의해 상기 베이스에 회전 가능하게 연결되는 축을 포함한다. 회전 가능한 컨디셔너 헤드는 아암에 의해 축에 연결된다. 상기 컨디셔너 헤드는 컨디셔너 헤드의 회전을 제어하는 제2모터에 연결된다. 상기 베이스에 대한 축의 회전력 메트릭과 상기 컨디셔너 헤드의 회전력 메트릭을 감지하도록 작동 가능한 하나 또는 둘 이상의 측정 디바이스들이 제공된다.

Description

화학적 기계적 폴리싱 소모품들의 변동성의 보상을 위한 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR COMPENSATION OF VARIABILITY IN CHEMICAL MECHANICAL POLISHING CONSUMABLES}
본 발명의 실시예는 일반적으로 반도체 기판과 같은 기판을 폴리싱하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 실시예들은 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 시스템으로 폴리싱 표면을 컨디셔닝(conditioning)하기 위한 방법들에 관한 것이다.
반도체 디바이스들의 제조 동안, 다양한 프로세스들에 의해 반도체 기판상에 층(layer)들 및 구조물들이 증착 및 형성된다. 화학적 기계적 폴리싱(CMP)은 후속 층의 수용을 위해 기판을 평탄화하거나 또는 평탄함을 유지시키는 방식으로 폴리싱 패드가 폴리싱 용액과 조합하여 과잉 물질을 제거하는 널리 사용되는 프로세스이다. 시간이 지남에 따라, 폴리싱 패드의 효과가 감소된다. 폴리싱 패드의 효과를 개선시키기 위해, 폴리싱 패드는 주기적으로 컨디셔닝될 수 있다.
패드 표면상에 축적되는 임의의 폴리싱 부산물들을 제거하기 위해 및/또는 폴리싱 패드의 표면을 리프레시(refresh)하기 위해, 패드 컨디셔닝은 일반적으로 마멸성(abrasive) 컨디셔너(conditioner) 디스크를 이용하여 폴리싱 패드를 닦아내는 것을 포함한다. 폴리싱 패드들 및 컨디셔너 디스크들과 같은 새로운 CMP 소모품(consumable)들이 폴리싱 시스템 내로 도입될 때, 특성들 및/또는 서로 간의 상호작용은 알려져 있지 않다. 예를 들어, 컨디셔너 디스크들은 제조업자 마다 다르고, 종종 디스크 마다 다르다. 따라서, 새로운 컨디셔너 디스크는 폴리싱 패드를 언더-컨디셔닝(under-condition)할 수 있거나(이는 낮은 제거율을 초래함), 또는 폴리싱 패드를 오버-컨디셔닝(over-condition)할 수 있다(이는 폴리싱 패드의 수명의 감소를 초래함). 유사하게, 폴리싱 패드 특성들은 제조업자 마다 다를 수 있고, 폴리싱 패드 마다 다를 수 있다. 예를 들어, 경도(hardness)와 같은 폴리싱 패드의 특성들은 폴리싱 패드가 오버-컨디셔닝 또는 언더-컨디셔닝되도록 유발시키는 컨디셔닝 레시피(recipe)에 영향을 끼칠 수 있다.
따라서, 폴리싱 패드를 컨디셔닝하고, 폴리싱 패드들의 특성들과 컨디셔너 디스크들의 특성들과 같은 소모품들의 특성들 및 상호작용에 기초하여 폴리싱 패드 컨디셔닝을 개선시키기 위한 개선된 장치 및 방법에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명의 실시예들은 기판을 폴리싱하기 위한 장치 및 방법들을 제공한다. 일 실시예에서, 기판을 폴리싱하기 위한 장치가 제공된다. 상기 장치는 베이스(base)에 연결되는 컨디셔너 디바이스 및 회전 가능한 플래튼(platen)을 포함한다. 컨디셔너 디바이스는 제1모터에 의해 베이스에 회전 가능하게 연결되는 축을 포함한다. 회전 가능한 컨디셔너 헤드는 아암(arm)에 의해 축에 연결된다. 컨디셔너 헤드는 컨디셔너 헤드의 회전을 제어하는 제2모터에 연결된다. 베이스에 대한 축의 회전력 메트릭(metric) 및 컨디셔너 헤드의 회전력 메트릭을 감지하도록 작동 가능한 하나 또는 둘 이상의 측정 디바이스들이 제공된다.
다른 실시예에서, 기판을 폴리싱하기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은 기판의 부재 시 예비-폴리싱(pre-polish) 프로세스를 수행하는 단계 ― 예비-폴리싱 프로세스는 폴리싱 스테이션에 배치되는 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 대해 컨디셔너 디스크를 가압하는 단계와, 폴리싱 패드에 대해 컨디셔너 디스크를 운동시키는데 요구되는 회전력 값을 모니터링하는 동안, 폴리싱 표면에 걸쳐 스위프(sweep) 패턴으로 폴리싱 패드에 대해 컨디셔너 디스크를 운동시키는 단계와, 회전력 값으로부터 컨디셔너 디스크와 폴리싱 표면 사이의 상호작용을 나타내는 메트릭을 결정하는 단계와, 메트릭에 응답하여 폴리싱 레시피를 조정하는 단계를 포함함 ― , 및 조정된 폴리싱 레시피를 사용하여 하나 또는 둘 이상의 기판들을 폴리싱하는 단계를 포함한다.
다른 실시예에서, 기판을 폴리싱하기 위한 방법이 제공된다. 상기 방법은 기판의 부재 시 예비-폴리싱 프로세스를 수행하는 단계를 포함하며, 예비-폴리싱 프로세스는 폴리싱 스테이션에 배치되는 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 대해 컨디셔너 디스크를 가압하는 단계와, 폴리싱 표면에 대해 컨디셔너 디스크를 운동시키는데 요구되는 회전력 값을 모니터링하는 동안, 폴리싱 패드에 대해 컨디셔너 디스크를 운동시키는 단계를 포함한다. 또한, 예비-폴리싱 프로세스는 회전력 값으로부터 컨디셔너 디스크와 폴리싱 표면 사이의 상호작용을 나타내는 제1토오크(torque) 메트릭을 결정하는 단계와, 제1토오크 메트릭에 응답하여 폴리싱 레시피를 조정하는 단계와, 조정된 폴리싱 레시피를 사용하여 하나 또는 둘 이상의 기판들을 폴리싱하는 단계와, 제2토오크 메트릭을 결정하기 위해 폴리싱 표면에 대해 컨디셔너 디스크를 운동시키는데 요구되는 회전력 값을 모니터링하는 동안, 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 컨디셔닝하는 단계와, 제2토오크 메트릭이 목표 토오크 메트릭과 상이할 때 하나 또는 둘 이상의 컨디셔닝 매개변수들을 조정하는 단계를 포함한다.
본 발명의 위에 열거된 특징들이 얻어지고 상세히 이해될 수 있는 방식을 위해, 위에 간략히 요약된 본 발명의 보다 상세한 설명이 첨부된 도면들에 도시되는 본 발명의 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다.
도1은 본 발명의 실시예들을 실행하는데 사용될 수 있는 폴리싱 스테이션의 일 실시예의 부분 사시도.
도2는 도1의 폴리싱 스테이션의 개략적인 평면도.
도3은 본 발명의 실시예들을 실행하는데 사용될 수 있는 방법의 일 실시예를 도시한 흐름도.
도4는 본 발명의 실시예들을 실행하는데 사용될 수 있는 방법의 다른 실시예를 도시한 흐름도.
이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 공통적인 동일한 요소들을 지정하기 위해서 가능한 한 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 일 실시예의 요소들 및 특징들이 추가적인 열거 없이도 다른 실시예들에 유익하게 포함될 수 있는 것이 고려된다.
본 명세서에 서술되는 실시예들은 기판들 상의 물질 제거율을 강화시키고 처리율(throughput)을 증가시키기 위해 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 시스템에서 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 컨디셔닝하기 위한 장치 및 방법들에 관한 것이다. CMP 프로세스들에서, 폴리싱 패드의 표면을 리프레시하기 위해 폴리싱 패드의 주기적인 컨디셔닝이 요구된다. 그러나, 폴리싱 프로세스들 동안 패드 컨디셔닝과 기판들로부터의 마찰의 조합은 폴리싱 패드가 교체될 필요가 있는 정도까지 폴리싱 패드를 마모시키려는 경향이 있다. 마찬가지로, 컨디셔너 디스크의 마멸도는 시간이 지남에 따라 완화되어, 컨디셔너 디스크가 교체될 필요가 있다. 새로운 폴리싱 패드 및/또는 새로운 컨디셔너 디스크와 같은 새로운 소모품들이 폴리싱 시스템 내로 도입될 때, 폴리싱 패드와 컨디셔너 디스크 사이의 상호작용은 알려져 있지 않다. 예를 들어, 폴리싱 패드 특성들은 제조자 마다 그리고 폴리싱 패드 마다 다를 수 있다. 유사하게, 컨디셔너 디스크들의 다이아몬드 그릿(grit) 크기 및 형태와 같은 컨디셔너 디스크들의 특성들은 디스크 마다 다를 수 있다.
본 발명의 실시예들은 폴리싱 패드들, 폴리싱 패드를 컨디셔닝 또는 리프레시하기 위한 컨디셔너 디스크들, 및 이들의 조합들과 같은 소모품들의 성능에 관한 것이다. 본 발명자들은 새로운 소모품들의 설치 시 새로운 소모품들의 상호작용 또는 성능이 본래대로(in-situ) 결정될 수 있음을 발견하였다. 자동화된 폴리싱 프로세스 레시피에서 프로세싱 매개변수들을 제어하기 위해 폴리싱 레시피 또는 폐쇄-루프 제어 시스템에 사용될 수 있는 성능 메트릭을 제공하도록, 소모품들 사이의 상호작용이 하나 또는 둘 이상의 예비-폴리싱 프로세스들에서 모니터링될 수 있다. 또한, 제거율 및/또는 소모품의 수명을 강화시키기 위해, 후속하는 폴리싱 프로세스들 동안 성능 메트릭이 계속적으로 모니터링될 수 있다.
도1은 화학적 기계적 폴리싱(CMP) 프로세스 또는 전기화학적 기계적 폴리싱(ECMP) 프로세스와 같은 폴리싱 프로세스를 수행하도록 구성되는 폴리싱 스테이션(100)의 일 실시예의 부분 단면도이다. 폴리싱 스테이션(100)은 대형 프로세싱 시스템의 독립형 유니트 또는 부분일 수 있다. 폴리싱 스테이션(100)을 사용하는데 채택될 수 있는 대형 프로세싱 시스템의 예들은 다른 폴리싱 시스템들 중에서도 캘리포니아 산타 클라라 소재의 Applied Materials, Inc.로부터 입수할 수 있는 REFLEXION®, REFLEXION® LK, REFLEXION® LK ECMP™, REFLEXION GT™, 및 MIRRA MESA® 폴리싱 시스템들을 포함한다.
폴리싱 스테이션(100)은 베이스(110)상에 회전 가능하게 지지되는 플래튼(105)을 포함한다. 플래튼(105)은 회전 축선(A) 주위로 플래튼(105)을 회전시키도록 채택되는 작동기 또는 구동 모터(115)에 작동 가능하게 연결된다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 물질(122)은 전형적으로 CMP 프로세스들에 사용되는 폴리머 기반 패드 물질들과 같은, 상용으로 입수할 수 있는 패드 물질이다. 폴리머 물질은 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 플루오로폴리머들, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리페닐렌 황화물(PPS), 또는 이들의 조합물들일 수 있다. 폴리싱 물질(122)은 개방 또는 폐쇄 셀(cell) 발포(foamed) 폴리머들, 엘라스토머들, 펠트(felt), 함침된(impregnated) 펠트, 플라스틱들, 및 프로세싱 화학물(chemistry)들과 양립 가능한 유사 물질들을 더 포함할 수 있다. 다른 실시예들에서, 폴리싱 물질(122)은 다공성 코팅을 이용하여 함침된 펠트 물질이다. 다른 실시예에서, 폴리싱 물질(122)은 적어도 부분적으로 전도성인 물질을 포함한다. 폴리싱 패드(120)는 소모품으로 간주되며, 폴리싱 패드(120)의 교체를 촉진시키기 위해 플래튼(105)에 해제 가능하게 연결될 수 있다.
기판이 폴리싱 물질(122)과 접촉할 때 폴리싱 패드(120)가 기판(135)의 표면을 평탄화 또는 폴리싱하도록, 플래튼(105)은 프로세싱 동안 폴리싱 패드(120)를 회전시키는데 사용된다. 플래튼(105) 및 폴리싱 패드(120)를 회전시키는데 요구되는 힘을 나타내는 메트릭을 얻기 위해, 플래튼 회전 센서와 같은 제1측정 디바이스(138)가 사용될 수 있다. 제1측정 디바이스(138)는 구동 모터(115) 또는 구동 모터(115)의 출력축에 연결되는 토오크 또는 다른 회전력 센서일 수 있다.
캐리어(carrier) 헤드(130)는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125) 위에 배치된다. 캐리어 헤드(130)는 기판(135)을 보유하며, 프로세싱 동안 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)(Z 축선을 따른)을 향해 기판(135)을 제어 가능하게 가압한다. 일 실시예에서, 캐리어 헤드(130)는 폴리싱 표면(125)을 향해 기판(135)을 가압하기 위해 기판(135)의 후방측의 하나 또는 둘 이상의 영역들에 압력 또는 힘을 적용하는데 채택되는 하나 또는 둘 이상의 압축 가능한 블래더(bladder)들(도시되지 않음)을 포함한다. 캐리어 헤드(130)는, 캐리어 헤드(130)를 지지하고 폴리싱 패드(120)에 대한 캐리어 헤드(130)의 운동을 촉진시키는 지지 부재(140)에 장착된다. 지지 부재(140)는 베이스(110)에 연결될 수 있거나 또는 폴리싱 패드(120) 위에 캐리어 헤드(130)를 현수(suspend)시키는 방식으로 폴리싱 스테이션(100)상에 장착될 수 있다. 일 실시예에서, 지지 부재(140)는 폴리싱 패드(120) 위에서 폴리싱 스테이션(100)상에 또는 근처에서 장착되는 원형 트랙이다.
캐리어 헤드(130)는 회전 축선(B) 주위로 캐리어 헤드(130)의 적어도 회전 운동을 제공하는 구동 시스템(145)에 연결된다. 구동 시스템(145)은 지지 부재(140)를 따라 폴리싱 패드(120)에 대해 횡방향으로(X 및/또는 Y 축들) 캐리어 헤드(130)를 운동시키도록 추가적으로 구성될 수 있다. 일 실시예에서, 구동 시스템(145)은 횡방향 운동과 더불어 폴리싱 패드(120)에 대해 캐리어 헤드(130)를 수직으로(Z 축) 운동시킨다. 예를 들어, 구동 시스템(145)은 폴리싱 패드(120)에 대한 기판(135)의 회전 및/또는 횡방향 운동의 제공과 더불어, 폴리싱 패드(120)를 향해 기판(135)를 운동시키는데 사용될 수 있다. 캐리어 헤드(130)의 횡방향 운동은 선형 또는 원호형(arcing) 또는 스위핑(sweeping) 운동일 수 있다. 제2측정 디바이스(148)는 캐리어 헤드(130)에 연결될 수 있다. 제2측정 디바이스(148)는 폴리싱 패드(120)에 대해 기판(135)을 회전시키는데 요구되는 힘의 메트릭을 얻기 위해 사용되는 캐리어 헤드(130)를 위한 회전 센서일 수 있다. 제2측정 디바이스(148)는 구동 시스템(145) 또는 구동 시스템(145)의 출력축에 연결되는 토오크 또는 다른 회전력 센서일 수 있다.
컨디셔너 디바이스(150) 및 유체 어플리케이터(applicator)(155)는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125) 위에 위치되는 것으로 도시되어 있다. 유체 어플리케이터(155)는 폴리싱 패드(120)의 일부에 폴리싱 유체들을 전달하는데 채택되는 하나 또는 둘 이상의 노즐들(160)을 포함한다. 유체 어플리케이터(155)는 베이스(110)에 회전 가능하게 연결된다. 일 실시예에서, 유체 어플리케이터(155)는 회전 축선(C) 주위로 회전하도록 채택되며, 폴리싱 표면(125)을 향해 지향되는 폴리싱 유체를 제공한다. 폴리싱 유체는 화학 용액, 물, 폴리싱 컴파운드(compound), 세척 용액, 또는 이들의 조합물일 수 있다.
컨디셔너 디바이스(150)는 일반적으로 컨디셔너 헤드(151), 회전 가능한 축(152), 및 회전 가능한 축(152)으로부터 폴리싱 패드(120) 위로 연장되고 그리고 컨디셔너 헤드(151)를 지지하도록 구성되는 아암(153)을 포함한다. 컨디셔너 헤드(151)는 폴리싱 표면(125)을 컨디셔닝하기 위해 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)과 접촉하여 선택적으로 위치되는 컨디셔너 디스크(154)를 보유한다. 컨디셔너 디스크(154)는 소모품으로 간주되며, 컨디셔너 디스크(154)의 교체를 촉진시키기 위해 컨디셔너 헤드(151)에 해제 가능하게 연결된다.
회전 가능한 축(152)은 폴리싱 스테이션(100)의 베이스(110)를 통해 배치된다. 회전 가능한 축(152)은 베이스(110)에 대해 회전 축선(D) 주위로 회전할 수 있다. 아암(153)이 베이스(110) 및 폴리싱 패드(120)에 대해 컨디셔너 헤드(151)를 회전시키도록, 회전 가능한 축(152)의 회전은 베이스(110)와 회전 가능한 축(152) 사이의 베어링들(156)에 의해 촉진될 수 있다. 일 실시예에서, 회전 가능한 축(152)을 회전시키고 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 걸쳐 스위핑 운동으로 아암(153) 및 컨디셔너 헤드(151)를 가압하기 위해, 작동기 또는 모터(157)가 회전 가능한 축(152)에 연결된다.
컨디셔너 디바이스(150)는 회전 가능한 축(152)의 회전을 모니터링하는데 사용되는 제3측정 디바이스(158)를 더 포함한다. 일 실시예에서, 제3측정 디바이스(158)는, 회전 가능한 축(152) 및/또는 아암(153)과 함께 사용되며 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 걸쳐 스위핑 운동으로 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 회전력 또는 토오크를 검출하도록 채택되는 회전 센서이다. 일 실시예에서, 제3측정 디바이스(158)는 모터(157) 또는 모터(157)의 출력축에 연결되는 토오크 또는 다른 회전력 센서일 수 있다. 다른 실시예들에서, 제3측정 디바이스(158)는 모터(157)에 연결되는 전기 전류 센서 또는 압력 센서일 수 있다. 전기 전류 센서는 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125) 사이의 마찰력들이 변화할 때, 모터(157)에 의해 인출되는 전기 전류의 변화들을 검출할 수 있다. 압력 센서는 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125) 사이의 마찰력들이 변할 때, 모터(157)를 작동시키는데 사용되는 압력의 변화들을 검출하기 위해 모터(157)와 인터페이스할 수 있다. 또 다른 실시예들에서, 제3측정 디바이스(158)는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 걸쳐 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 힘을 나타내는 메트릭을 제공하기에 적절한 임의의 다른 센서일 수 있다.
컨디셔너 헤드(151)는 컨디셔너 디스크(154)를 통해 직교하여 배치되는 회전 축선(E) 주위로 컨디셔너 디스크(154)를 회전시킨다. 작동기 또는 모터(161)는 아암(153) 및/또는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)를 회전시키는데 사용된다. 일 실시예에서, 모터(161)는 아암(153)의 말단부에서 하우징(162)에 배치된다. 컨디셔너 디스크(154)는 폴리싱 패드(120)의 물질을 컨디셔닝하기에 적합한 물질로부터 제조된다. 컨디셔너 디스크(154)는 폴리머 물질로 제조되는 강모(bristle)들을 갖는 브러시(brush)일 수 있으며, 또는 마멸성 입자들을 포함하는 마멸성 표면을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 컨디셔너 디스크(154)는 베이스 기판에 고착되는 다이아몬드들 또는 다른 상대적으로 경질의 입자들과 같은 마멸성 입자들을 함유하는 표면을 포함한다.
컨디셔너 디스크(154)가 폴리싱 패드(120)와 접촉할 때, 컨디셔너 디바이스(150)는 회전 축선(E) 주위로 컨디셔너 디스크(154)를 회전시키는데 요구되는 회전력 또는 토오크를 감지하기 위한 제4측정 디바이스(163)를 더 포함한다. 일 실시예에서, 제4측정 디바이스(163)는 컨디셔너 헤드(151)에 의해 경험한 토오크를 감지하기 위한 토오크 센서일 수 있다. 일 양상에서, 제4측정 디바이스(163)는 하우징(162) 내에 배치된다. 일 실시예에서, 제4측정 디바이스(163)는 모터(161)와 컨디셔너 디스크(154) 사이에 연결되는 모터(161) 또는 출력축에 연결되는 전기 전류 센서일 수 있다. 전기 전류 센서는 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125) 사이의 마찰력들이 변화할 때, 모터(161)에 의해 인출되는 전류의 변화들을 검출할 수 있다. 다른 실시예에서, 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125) 사이의 마찰에 의해 유발되는 구동 트레인(train)상의 힘들을 측정하기 위해, 제4측정 디바이스(163)는 모터들과 컨디셔너 헤드 사이의 구동 트레인에 위치되는 토오크 센서, 편향(deflection) 센서, 또는 스트레인 게이지일 수 있다.
또한, 컨디셔닝 디바이스(150)는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)를 가압하는데 사용되는 하향력(down-force) 작동기(164)를 포함한다. 하향력 작동기(164)는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)에 의해 적용된 힘을 선택적으로 제어하도록 구성된다. 일 실시예에서, 하향력 작동기(164)는 아암(153)과 축(152) 사이에, 또는 다른 적절한 장소에 배치될 수 있다. 다른 실시예들(도시되지 않음)에서, 아암(153)은 회전 가능한 축(152)에 정적으로(statically) 연결되며, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)에 의해 적용되는 힘을 제어하기 위해, 하향력 작동기(164)는 아암(153)의 말단부와 컨디셔너 헤드(151) 사이에 배치된다.
제5측정 디바이스(165)는 하향력 작동기(164)에 연결되며, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대한 컨디셔너 디스크(154)의 하향력을 나타내는 메트릭을 검출하는데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 제5측정 디바이스(165)는, 인라인(in-line) 방향으로 하향력 작동기(164)에 위치 또는 연결될 수 있으며 또는 회전 가능한 축(152)에 대해 하향력 작동기(164)의 응력 또는 스트레인(strain)을 검출하는데 사용되는 다른 적절한 장소, 또는 다른 장착 장소에 배치될 수 있는 하향력 센서이다.
측정 디바이스들(138, 148, 158, 163, 165) 뿐만 아니라, 구동 시스템(145), 하향력 작동기(164), 모터들(115, 157, 161) 각각은 제어기에 연결된다. 일반적으로, 제어기는 폴리싱 스테이션(100)에서 수행되는 하나 또는 둘 이상의 컴포넌트들 및 프로세스들을 제어하는데 사용된다. 일 실시예에서, 제어기는 프로세싱 동안 기판(135)으로부터 제거되는 물질의 비율을 제어하기 위해 감각(sensory) 데이터를 사용한다. 제어기는 구동 시스템(145), 하향력 작동기(164), 및 모터들(115, 157, 161)에 제어 신호들을 전송하며, 측정 디바이스들(138, 148, 158, 163, 165)에 의해 검출되는 힘들에 대응하는 신호들을 수신한다. 제어기는 일반적으로 폴리싱 스테이션(100)의 제어 및 자동화를 촉진시키도록 설계되며, 전형적으로 중앙 처리 장치(CPU), 메모리, 및 지원 회로들(또는 I/O)을 포함한다. CPU 는 다양한 시스템 기능들, 기판 운동, 폴리싱 프로세스들, 프로세스 타이밍 및 지원 하드웨어(예를 들어, 센서들, 로봇들, 모터들, 타이밍 디바이스들, 등)를 제어하기 위한 산업적 세팅들에 사용되는 컴퓨터 프로세서들의 임의의 형태 중 하나일 수 있으며, 그리고 프로세스들(예를 들어, 화학적 농도들, 프로세싱 변수들, 프로세스 시간, I/O 신호들, 등)을 모니터링할 수 있다. 메모리는 CPU 에 접속되며, 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 로컬 또는 원격의 임의의 다른 형태의 디지털 저장장치와 같은 용이하게 입수할 수 있는 메모리 중 하나 또는 둘 이상일 수 있다. 소프트웨어 명령들 및 데이터는 CPU 에 명령하기 위해 메모리 내에 코딩 및 저장될 수 있다. 또한, 지원 회로들은 종래의 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU 에 접속된다. 지원 회로들은 캐시(cache), 전원공급부들, 클럭(clock) 회로들, 입력/출력 회로, 서브 시스템들, 등을 포함할 수 있다. 제어기에 의해 판독 가능한 프로그램 또는 컴퓨터 명령들은 기판상에서 어떤 과업(task)들이 수행 가능한지를 결정한다. 바람직하게, 프로그램은 모니터링, 운동의 실행 및 제어, 지원, 및/또는 폴리싱 스테이션(100)에서의 기판의 포지셔닝(positioning)과 관련된 과업들을 수행하기 위한 코드를 포함하는 제어기에 의해 판독 가능한 소프트웨어이다. 일 실시예에서, 프로세스들을 반복할 수 있게 하고 대기 시간 문제들을 해결하며 그리고 기판들의 오버(over) 또는 언더(under) 프로세싱을 방지하기 위해, 제어기는 폴리싱 스테이션(100)의 전략적 운동, 스케쥴링(scheduling) 및 작동을 제어하는 로봇 디바이스들을 제어하는데 사용된다.
도2는 도1의 폴리싱 스테이션(100)의 개략적인 평면도이다. 기판(135)이 캐리어 헤드(130)에 보유될 때 폴리싱 패드(120)상에서의 기판(135)의 폴리싱 스위프 패턴(205)의 실시예를 위해, 캐리어 헤드(130)(도1)는 도시되지 않았다. 기판(135)으로부터 물질의 제거를 실시하기 위해 회전하는 폴리싱 패드(120)에 대해 기판(135)을 회전시키는 동안, 캐리어 헤드는 폴리싱 표면(125)에 걸쳐 기판(135)을 선형으로 또는 원호형으로 운동시킨다. 또한, 폴리싱 패드(120)상의 컨디셔닝 스위프 패턴(210)의 일 실시예를 도시하기 위해, 컨디셔닝 디스크(154)를 갖는 컨디셔너 디바이스(150)가 도시되었다. 폴리싱 표면(125)을 컨디셔닝 및/또는 리프레시하여 기판(135)으로부터 물질의 강화된 제거율을 촉진시키기 위해, 컨디셔너 디스크(154)는 폴리싱 표면(125)에 걸쳐 스위핑된다.
작동시, 도2에 도시된 바와 같이, 폴리싱 유체(215)는 폴리싱 유체 어플리케이터(155)에 의해 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)으로 전달된다. 일 실시예에서, 플래튼(105)은 약 93 RPM(분당 회전수)과 같은 약 85 RPM 내지 약 100 RPM 의 회전 속도로 회전된다. 캐리어 헤드(130)(도시되지 않음)는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 기판(135)을 가압한다. 일 실시예에서, 캐리어 헤드(130)는 약 87 RPM 과 같은 약 80 RPM 내지 약 95 RPM 의 회전 속도로 플래튼(105)에 대해 회전된다. 폴리싱 패드(120)를 향해 기판(135)을 가압하기 위해, 캐리어 헤드(130) 내의 하나 또는 둘 이상의 압축 가능한 블래더들은 기판(135)의 후방측에 압력을 적용할 수 있다. 일 실시예에서, 평균 압력은 약 4.5 psi(평방 인치당 파운드)와 같은 약 3.5 psi 내지 약 5.5 psi 이다. 폴리싱 유체(215)의 존재 시 회전하는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)과의 접촉은 기판으로부터 과잉의 금속, 유전체(dielectric) 및/또는 장벽(barrier) 물질들을 제거하고, 그리고 폴리싱 패드(120)와 접촉하는 기판(135)의 표면을 평탄화시킨다.
기판(135)상에서의 폴리싱 프로세스 이전에, 동안에 그리고/또는 이후에, 폴리싱 패드(120)는 조도(粗度)(asperity)들을 재생시키고, 폴리싱 부산물들 및 패드 찌꺼기를 제거하고, 폴리싱 표면(125)을 리프레시하도록 컨디셔닝된다. 컨디셔닝 동안, 컨디셔너 헤드(151)는 미리 정의(define)되는 하향력을 이용하여 폴리싱 패드(120)에 대해 컨디셔너 디스크(154)를 가압한다. 하향력 작동기(164)에 의해 적용되는 하향력은 약 1 파운드-힘(lb-f) 내지 약 10 lb-f 일 수 있다. 컨디셔너 디스크(154)는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 회전하면서, 폴리싱 패드(120)에 걸쳐 컨디셔닝 스위프 패턴(210)으로 전후로 스위핑한다. 일 실시예에서, 컨디셔너 디스크(154)는 약 95 RPM 과 같은 약 85 RPM 내지 약 105 RPM 의 회전 속도로 회전된다. 다른 실시예에서, 컨디셔닝 스위프 패턴(210)은 약 1.7 인치 내지 약 14.7 인치와 같은 약 1.5 인치 내지 약 15 인치의 범위를 포함한다. 다른 실시예에서, 스위프 비율은 분당 약 19 스위프들과 같은 분당 약 15 스위프들 내지 분당 약 22 스위프들이다.
새로운 사용되지 않은 폴리싱 패드(120) 및/또는 새로운 사용되지 않은 컨디셔너 디스크(154)와 같은 새로운 소모품들이 폴리싱 스테이션(100) 내로 도입될 때, 폴리싱 패드(120)와 컨디셔너 디스크(154) 사이의 상호작용이 초기에는 알려져 있지 않다. 예를 들어, 폴리싱 패드 특성들은 제조업자 마다 그리고 폴리싱 패드 마다 다르다. 유사하게, 컨디셔너 디스크들의 다이아몬드 그릿 크기 및 형태는 디스크 마다 다르다. 이것은 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125) 내로의 결정질 특징부들의 방향 및 관통 깊이에 영향을 끼치며, 이는 폴리싱 패드(120)의 마모율에 상당한 차이들을 유발시킬 수 있다. 일부 경우들에서, 컨디셔너 디스크의 결정질 특징부들의 일부만이 컨디셔닝 프로세스에 능동적으로 참여하며, 계속적인 사용에 의해 상당한 마모를 경험한다. 컨디셔너 디스크의 마모는 컨디셔너 디스크의 수명을 감소시킬 뿐만 아니라, 폴리싱 패드의 언더-컨디셔닝에 의해 컨디셔닝 프로세스에 영향을 끼친다. 언더-컨디셔닝은 폴리싱 표면(125)의 글레이징(glazing) 및 제거율의 감소를 유발시킬 수 있으며, 이는 처리율을 낮춘다. 컨디셔너 디스크 및 폴리싱 패드와 같은 소모품들의 증가된 마모율들은 조기 교체를 유발시키고, 이는 소유권(ownership)의 비용 및 툴 정지 시간(tool downtime)을 증가시킨다.
소모품 변동성을 개선시키는 한가지 해결책은 소모품들의 더욱 엄격한 사양들 및 품질 제어를 요구하는 것이다. 그러나, 증가되는 품질 제어는 소모품의 비용을 상승시킬 수 있으며, 이는 소유권의 비용을 증가시킨다.
본 발명자들은 새로운 소모품들의 성능을 결정하는 것이 하나 또는 둘 이상의 새로운 소모품들의 설치 시 본래대로 결정될 수 있음을 발견하였다. 폴리싱 레시피 또는 폐쇄-루프 제어 시스템에 사용될 수 있는 성능 메트릭을 제공하여 자동화된 폴리싱 프로세스 레시피의 프로세싱 매개변수들을 제어하기 위해, 소모품들 사이의 상호작용이 하나 또는 둘 이상의 예비-폴리싱 프로세스들에서 모니터링될 수 있다.
도3은 도1 및 도2의 폴리싱 스테이션(100)을 이용하여 사용될 수 있는 방법(300)의 일 실시예를 도시하는 흐름도이다. 방법(300)은 폴리싱 스테이션(100)의 폴리싱 프로세스 레시피에 사용되는 폴리싱 매개변수를 결정하는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 폴리싱 스테이션(100)의 소모품들 사이의 상호작용은 예비-폴리싱에 의해 결정되며, 예비-폴리싱 데이터는 방법(300)을 사용하는 폴리싱 레시피를 조정하는데 사용될 수 있다.
단계(310)에서, 기판의 부재 시 폴리싱 스테이션(100)과 같은 폴리싱 스테이션을 사용하여 예비-폴리싱 프로세스가 수행된다. 단계(320)에서, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)을 향해 컨디셔너 디스크(154)가 가압된다. 일 실시예에서, 마멸성 표면은 하향력 작동기(164)를 사용하여 폴리싱 표면(125)을 향해 약 1 lb-f 내지 약 10 lb-f 의 하향력으로 가압된다. 일 실시예에서, 하향력 값은 약 9 lb-f 의 하향력으로 일정하다. 일 양상에서, 컨디셔너 디스크(154)는 마멸성 표면을 포함하며, 이는 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)과 접촉 및 마멸시키도록 구성되는 강모들, 다이아몬드들, 또는 다른 마멸성 입자들일 수 있다.
단계(330)에서, 컨디셔너 디스크(154)가 폴리싱 패드(120)에 대해 운동되는 동안, 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 회전력 값이 모니터링된다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)에 대한 운동은 컨디셔너 디스크(154)의 회전, 회전하는 컨디셔너 디스크(154)에 대한 폴리싱 패드(120)의 회전, 폴리싱 표면(125)에 걸쳐 컨디셔닝 스위프 패턴(210)으로의 컨디셔너 디스크(154)의 운동, 또는 이들의 조합들을 포함한다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)가 회전되는 동안 컨디셔너 디스크(154)가 회전하는 반면에, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)의 마멸성 표면이 가압된다. 컨디셔너 디스크(154)는 제1회전 속도로 회전되는 한편, 폴리싱 패드(120)는 제2회전 속도로 회전된다. 일 실시예에서, 그 위에 폴리싱 패드를 갖는 플래튼(105)을 회전시킨다면, 컨디셔너 디스크(154)의 제1회전 속도는 약 90 RPM 내지 약 100 RPM 일 수 있고, 폴리싱 패드(120)의 제2회전 속도는 약 90 RPM 내지 약 96 RPM 일 수 있다.
폴리싱 패드(120)에 대한 컨디셔너 디스크(154)의 운동 동안, 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 회전력 값이 모니터링된다. 일 실시예에서, 컨디셔너 디스크(154)를 회전시키는데 요구되는 토오크는 모터(161)와 컨디셔너 디스크(154) 사이에 연결되는 제4측정 디바이스(163)에 의해 모니터링될 수 있다. 다른 실시예에서, 컨디셔닝 스위핑 패턴(210)으로 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 토오크는 제3측정 디바이스(158)에 의해 모니터링된다. 따라서, 회전력 값은 제4측정 디바이스(163), 제3측정 디바이스(158), 또는 이들의 조합들에 의해 제공될 수 있다.
단계(340)에서, 상호작용을 나타내는 메트릭, 예를 들어 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 표면(125) 사이의 마찰력은 회전력 값으로부터 결정된다. 일 실시예에서, 메트릭은 제3측정 디바이스(158)에 의해 감지되는 바와 같이 컨디셔닝 스위프 패턴(210)으로 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 마찰의 측정된 토오크 값이다. 다른 실시예에서, 메트릭은 제4측정 디바이스(163)에 의해 감지되는 바와 같이 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)를 회전시키는데 요구되는 마찰의 측정된 토오크 값이다.
단계(350)에서, 폴리싱 레시피는 메트릭에 응답하여 조정된다. 예를 들어, 메트릭은 위의 단계(330)에서 결정되는 측정된 토오크 값이며, 컨디셔너 디스크(154)의 공격성(aggressiveness)을 나타내는 측정된 토오크 값과 같은 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125) 사이의 상호작용을 나타낸다. 폴리싱 레시피는 연장되는 폴리싱 작동들 동안(즉, 자동화된 제어 프로세스를 사용하여 복수의 기판들을 폴리싱) 하나 또는 둘 이상의 폴리싱 매개변수들(즉, 컨디셔너 디스크(154) 및/또는 캐리어 헤드(130)의 회전 속도들, 컨디셔닝 디스크(154) 및/또는 캐리어 헤드(130)에 적용되는 하향력, 컨디셔너 디스크(154) 및/또는 캐리어 헤드(130)의 스위프 범위(들) 등)을 자동으로 조정할 수 있는 폐쇄-루프 제어 시스템에 의해 제어될 수 있다. 복수의 기판들의 폴리싱 동안 물질 제거율을 최적화하기 위해, 폐쇄-루프 제어 시스템은 연장되는 폴리싱 작동들 동안 폴리싱 매개변수들을 최적화하는데 사용된다.
단계(360)에서, 조정되는 폴리싱 레시피를 사용하여 하나 또는 둘 이상의 기판들이 폴리싱된다. 일 실시예에서, 하나 또는 둘 이상의 기판들은 폐쇄-루프 제어 시스템에 의해 제어되는 조정되는 폴리싱 레시피에 따라 폴리싱되는 복수의 기판들을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 컨디셔너 디스크(154) 및/또는 폴리싱 패드(120)는 새로운 또는 사용되지 않은 것이며, 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 표면(125) 사이의 상호작용 및/또는 마멸 특성들은 알려져 있지 않다. 예를 들어, 일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)는 새로운 또는 사용되지 않은 것이며, 컨디셔너 디스크(154)는 이전의 폴리싱 패드상에서 이미 사용되었을 수 있다. 그러나, 새로운 폴리싱 패드(120)와 컨디셔너 디스크(154) 사이의 상호작용은 알려져 있지 않으며, 방법(300)의 실시예들은 서비스를 위해서 새로운 폴리싱 패드(120)를 준비하기 위한 패드 브레이크-인(break-in) 프로세스를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 컨디셔너 디스크(154)는 새로운 또는 사용되지 않은 것이며, 새로운 컨디셔너 디스크(154)와 기존의 폴리싱 패드(120)와의 상호작용을 결정하기 위해 방법(300)의 실시예들이 단독으로 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 컨디셔너 디스크(154) 및 폴리싱 패드(120) 모두는 새로운 또는 사용되지 않은 것이며, 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 표면(125) 사이의 상호작용은 알려져 있지 않다. 따라서, 새로운 컨디셔너 디스크(154)와 새로운 폴리싱 패드(120)의 상호작용을 결정하기 위해, 방법(300)의 실시예들이 사용될 수 있다.
일 실시예에서, 패드 브레이크-인 이후 테스트 기판상에 인정(qualification) 프로세스가 수행된다. 테스트 기판은 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 시간 기간 동안 가압되며, 물질 제거율은 계량(metrology) 프로세스에 의해 결정된다. 인정(qualificaion) 프로세스 동안 결정되는 물질 제거율은 위의 단계(330)에서 얻어진 회전력 데이터와 함께 사용될 수 있으며, 연장되는 폴리싱 작동들 이전에 폐쇄-루프 제어 시스템에 제공될 수 있다.
일 양상에서, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 걸쳐 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 힘 또는 토오크는, 폴리싱 프로세스 또는 컨디셔닝 프로세스가 수행될 때 시간이 지남에 따라 달라질 수 있다. 컨디셔너 디스크(154) 및 폴리싱 패드(120) 중 하나 또는 둘 다가 마모되고 그리고/또는 프로세스 조건들이 변화할 때, 힘 또는 토오크의 변화는 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 패드(120) 사이의 저항 마찰력들의 변화의 결과일 수 있다. 컨디셔닝 매개변수들이 시간이 지나도 변화하지 않는다면, 컨디셔너 디스크(154)가 마모되고 그 유효 절삭율(cut rate)이 점차 감소됨에 따라, 토오크 값은 컨디셔너 디스크(154)의 수명에 걸쳐 감소될 가능성이 있다. 다른 양상에서, 컨디셔너 디스크(154)와 폴리싱 패드(120) 사이의 마찰력은, 폴리싱 및/또는 컨디셔닝 프로세스 동안 컨디셔너 디스크(154) 및/또는 폴리싱 패드(120) 중 적어도 하나를 회전시키는데 요구되는 힘의 변화들을 모니터링함으로써 검출될 수 있는 저항력을 발생시킨다. 다른 양상에서, 기판(135)과 폴리싱 패드(120) 사이의 마찰력은 폴리싱 프로세스 동안 모니터링될 수 있는 저항력을 발생시킨다. 이들 힘들은 폴리싱 프로세스 동안 위에 서술한 측정 디바이스들(138, 148, 158, 163, 165) 중 하나 또는 둘 이상에 의해 모니터링될 수 있으며, 복수의 기판들(135)로부터 물질의 최적의 제거율을 유지하기 위해 폴리싱 레시피 및/또는 컨디셔닝 레시피를 실시간으로 조정하도록 폐쇄-루프 제어 시스템에 데이터가 제공될 수 있다.
도4는 도1 및 도2의 폴리싱 스테이션(100)을 이용하여 사용될 수 있는 방법(400)의 다른 실시예를 도시하는 흐름도이다. 410 에서, 폴리싱 스테이션(100)과 같은 폴리싱 스테이션을 사용하여 예비-폴리싱 프로세스가 수행된다. 420 에서, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)을 향해 컨디셔너 디스크(154)가 가압된다. 430 에서, 컨디셔너 디스크(154)가 폴리싱 패드(120)에 대해 운동되는 동안, 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 회전력 값이 모니터링된다. 일 실시예에서, 폴리싱 패드(120)에 대한 운동은 컨디셔너 디스크(154)의 회전, 회전하는 컨디셔너 디스크(154)에 대한 폴리싱 패드(120)의 회전, 폴리싱 표면(125)에 걸쳐 컨디셔닝 스위프 패턴(210)으로의 컨디셔너 디스크(154)의 운동, 또는 이들의 조합들을 포함한다.
일 실시예에서, 기판의 부재 시 단계들(410, 420, 430) 중 하나 또는 이 단계들의 조합이 수행된다. 다른 실시예에서, 단계들(410, 420, 430) 중 하나 또는 이 단계들의 조합이 수행되는 동안, 기판은 캐리어 헤드(130)에 보유되고 그리고 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 가압된다. 예를 들어, 단계들(410, 420 및/또는 430) 동안 제거율을 결정하기 위해, 인정 절차에서 기판이 폴리싱될 수 있다.
440 에서, 회전력 값에 기초한 제1토오크 메트릭이 결정된다. 일 실시예에서, 제1토오크 메트릭은 제3측정 디바이스(158)에 의해 감지되는 바와 같이, 컨디셔닝 스위프 패턴(210)으로 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 마찰의 측정된 토오크 값이다. 다른 실시예에서, 제1토오크 메트릭은 제4측정 디바이스(163)에 의해 감지되는 바와 같이, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)를 회전시키는데 요구되는 마찰의 측정된 토오크 값이다.
450 에서, 폴리싱 레시피에 따른 폐쇄-루프 제어 시스템을 사용하여 하나 또는 둘 이상의 기판들이 폴리싱된다. 440 에서 얻어진 제1토오크 메트릭 데이터를 사용하여 폴리싱 레시피가 조정될 수 있다. 460 에서, 폴리싱 단계(450) 이전에, 동안에, 또는 이후에 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)이 컨디셔닝되는 동안, 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 회전력 값이 모니터링된다. 일 실시예에서, 메트릭은 제3측정 디바이스(158)에 의해 감지되는 바와 같이, 컨디셔닝 스위프 패턴(210)으로 컨디셔너 디스크(154)를 운동시키는데 요구되는 마찰의 측정된 토오크 값이다. 다른 실시예에서, 메트릭은 제4측정 디바이스(163)에 의해 감지되는 바와 같이, 폴리싱 패드(120)의 폴리싱 표면(125)에 대해 컨디셔너 디스크(154)를 회전시키는데 요구되는 마찰의 측정된 토오크 값이다.
단계(470)에서, 단계(460)에서 결정되는 회전력 값에 기초한 제2토오크 메트릭은 단계(440)에서 결정되는 제1토오크 메트릭과 비교된다. 제2토오크 메트릭이 제1토오크 메트릭 보다 작다면, 폴리싱 레시피가 조정될 수 있다. 더 낮은 제2토오크 메트릭은 컨디셔너 디스크(154)의 마모를 나타낼 수 있다. 단계(480)에서, 제2토오크 메트릭이 목표 토오크 메트릭과 상이하다면, 컨디셔너 디스크(154)에 적용되는 하향력이 조정된다. 예를 들어, 제2토오크 메트릭이 목표 토오크 메트릭 보다 작다면, 컨디셔너 디스크(154)에 적용되는 하향력이 증가된다.
일 양상에서, 제2토오크 메트릭은 측정된 토오크 값이고, 측정된 토오크 값은 목표 토오크 메트릭과 비교된다. 목표 토오크 메트릭은 위에 서술한 방법(300)의 부분들과 같은 실험 및 테스팅, 모델링(modeling), 계산 이전에 경험적 데이터를 통해 발생될 수 있으며, 또는 컨디셔너 디스크의 사양들 내의 기준 곡선(curve)으로서 제공될 수 있다. 어떤 양상들에 따르면, 목표 토오크 메트릭은 2개의 상이한 데이터 세트들의 분석을 사용하여 전개될 수 있다. 마모의 상이한 단계들에서 컨디셔너 디스크들을 사용하여 수행되는 실험들의 설계를 사용하여, 제1데이터 세트가 유도될 수 있다. 블랭킷(blanket) 기판 제거율과 함께, 모든 하향력 상태에 대해 스위프 토오크의 평균 평방근(root mean square)(RMS)이 측정될 수 있다. 제2데이터 세트는 수동 폐쇄-루프 제어기를 사용하여 하향력이 계단식 형태로 변화된 블랭킷 기판들의 마라톤(marathon) 작동일 수 있다. 일 실시예에서, 컨디셔너 디스크(154)에 적용되는 하향력은 약 3 lb-f 로 시작될 수 있으며, 약 2,500 장의 기판들의 프로세싱 동안 약 11 lb-f 로 증가될 수 있다. 스위프 토오크의 RMS 는 모든 기판상에서 측정될 수 있는 반면에, 블랭킷 제거율은 덜 빈번하지 않게 측정될 수 있다. 이들 두 데이터 세트들은 조합될 수 있으며, 최소 정사각형 추정(a least squares estimation) 기술 또는 임의의 다른 적절한 데이터 피팅(fitting) 기술은 RMS 스위프 토오크(T), 하향력, 및 블랭킷 제거율 사이의 목표 토오크 메트릭을 추정하는데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 모델의 구조는 다음과 같을 수 있다:
Loge(T) = b*Loge(RR) + a*Loge(DF) (1)
여기서, a 및 b 는 최소 정사각형 추정으로부터 얻어진 상수들이다. 일 특정 예에서, Applied Materials, Inc.의해 제작된 낮은 하향력 컨디셔너 아암을 사용하여 산화물 CMP 시스템에 대해 계산된 값들(b 및 a)은 각각 0.228 및 0.3 이다. 상수들(b 및 a)은 다른 기준들 중에서도 특정 패드 물질들, 폴리싱 유체들, 폴리싱되는 기판 물질을 위해 선택될 수 있다.
또한, 식(1)은 다음과 같이 고쳐 쓸 수 있다.
Loge(T) - Loge(DF)a = Loge(RR)b
Loge(T/DFa ) = Loge(RR)b (2)
일정한 제거율 = k 에 대해, 식은 다음과 같이 감소될 수 있다.
Loge(T/DFa ) = Logek (3)
(T/DFa ) = k1, 또는 (4)
T = k1*DFa (5)
식(5)은 일정한 제거율을 달성하기 위해 하향력의 함수로서 목표 스위프 토오크 값에 대한 목표 토오크 메트릭을 도시하고 있다.
따라서, 폴리싱 스테이션 내의 소모품들의 상호작용을 결정하기 위한 방법이 제공되었다. 일 실시예에서, 상기 방법은 컨디셔너 디스크(154)의 공격성 및/또는 컨디셔너 디스크(154)와 새로운 폴리싱 패드(120) 사이의 상호작용을 결정한다. 일 양상에서, 상기 방법은 소모품들의 수명에 걸쳐 일정한 제거율들을 유지하는데 사용될 수 있는 데이터를 제공한다. 상기 방법은 연장되는 프로세스 작동 동안 프로세스 드리프트(drift)를 실질적으로 제거하기 위해, 새로운 소모품에 대해 본래대로 또는 작동 프로세스로서 또는 피드백 루틴으로서 브레이크-인 프로세스(break-in process)에 사용될 수 있다.
상술한 바는 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 그 기본적인 범위로부터 벗어나지 않고 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 고안될 수 있으며, 그 범위는 하기의 청구범위에 의해 결정된다.

Claims (16)

  1. 기판을 폴리싱하기 위한 방법으로서:
    기판의 부재 시 예비-폴리싱 프로세스를 수행하는 단계 ― 상기 예비-폴리싱 프로세스는 폴리싱 스테이션 내에 배치된 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 대해 컨디셔너 디스크를 가압하는 단계를 포함하며, 상기 예비-폴리싱 프로세스는:
    상기 폴리싱 패드에 대해 상기 컨디셔너 디스크를 운동시키는데 요구되는 회전력 값을 모니터링하는 동안, 상기 폴리싱 표면에 걸쳐 스위프 패턴(sweep pattern)으로 상기 폴리싱 패드에 대해 상기 컨디셔너 디스크를 운동시키는 단계;
    상기 회전력 값으로부터 상기 컨디셔너 디스크와 상기 폴리싱 표면 사이의 상호작용을 나타내는 메트릭(metric)을 결정하는 단계; 및
    상기 메트릭에 응답하여 상기 기판으로부터 미리 정의된 물질 제거율을 얻도록 폴리싱 레시피(recipe)를 조정하는 단계를 포함함 ― ; 및
    조정된 상기 폴리싱 레시피를 사용하여 하나 또는 둘 이상의 기판들을 폴리싱하는 단계를 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 메트릭은 마찰력 값인,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 컨디셔너 디스크에 축이 연결되고,
    상기 회전력 값을 모니터링하는 것은 상기 축을 회전시키는데 요구되는 토오크 값을 감지하는 것을 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 회전력 값을 모니터링하는 것은 상기 폴리싱 패드에 대하여 상기 컨디셔너 디스크를 회전시키는데 요구되는 상기 컨디셔너 디스크의 토오크 값을 감지하는 것을 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 메트릭은 측정된 토오크 값을 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 폴리싱하는 단계는:
    상기 하나 또는 둘 이상의 기판들의 폴리싱 동안 상기 회전력 값을 모니터링하는 단계; 및
    상기 측정된 토오크 값을 목표 토오크 값과 비교하는 단계를 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 측정된 토오크 값과 상기 목표 토오크 값 사이의 차이에 응답하여 상기 컨디셔너 디스크의 하향력을 조정하는 단계를 더 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  9. 기판을 폴리싱하기 위한 방법으로서:
    기판의 부재 시 예비-폴리싱 프로세스를 수행하는 단계 ― 상기 예비-폴리싱 프로세스는 폴리싱 스테이션 내에 배치된 폴리싱 패드의 폴리싱 표면에 대해 컨디셔너 디스크를 가압하는 단계를 포함하며, 상기 예비-폴리싱 프로세스는:
    상기 폴리싱 표면에 대해 상기 컨디셔너 디스크를 운동시키는데 요구되는 회전력 값을 모니터링하는 동안, 상기 폴리싱 패드에 대해 상기 컨디셔너 디스크를 운동시키는 단계;
    상기 회전력 값으로부터 상기 컨디셔너 디스크와 상기 폴리싱 표면 사이의 상호작용을 나타내는 제1토오크 메트릭을 결정하는 단계; 및
    상기 제1토오크 메트릭에 응답하여 상기 기판으로부터 미리 정의된 물질 제거율을 얻도록 폴리싱 레시피를 조정하는 단계를 포함함 ― ; 및
    폴리싱 프로세스를 수행하는 단계 - 상기 폴리싱 프로세스를 수행하는 단계는, 조정된 상기 폴리싱 레시피를 사용하여 하나 또는 둘 이상의 기판들을 폴리싱하는 단계;
    제2토오크 메트릭을 결정하기 위해 상기 폴리싱 표면에 대해 상기 컨디셔너 디스크를 운동시키는데 요구되는 회전력 값을 모니터링하는 동안, 상기 폴리싱 패드의 폴리싱 표면을 컨디셔닝하는 단계; 및
    상기 제2토오크 메트릭이 목표 토오크 메트릭과 상이할 때 하나 또는 둘 이상의 컨디셔닝 매개변수들을 조정하는 단계를 포함함 - 를 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1토오크 메트릭 및 상기 제2토오크 메트릭은 마찰력 값인,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 컨디셔너 디스크에 축이 연결되고,
    상기 회전력 값을 모니터링하는 것은 상기 축을 회전시키는데 요구되는 토오크 값을 감지하는 것을 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 회전력 값을 모니터링하는 것은 상기 폴리싱 패드에 대하여 상기 컨디셔너 디스크를 회전시키는데 요구되는 상기 컨디셔너 디스크의 토오크 값을 감지하는 것을 포함하는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 컨디셔너 디스크는 상기 축을 회전시킴에 따라 스위프 패턴으로 운동되는,
    기판을 폴리싱하기 위한 방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI381904B (zh) * 2009-12-03 2013-01-11 Nat Univ Chung Cheng The method of detecting the grinding characteristics and service life of the polishing pad
US20130196572A1 (en) * 2012-01-27 2013-08-01 Sen-Hou Ko Conditioning a pad in a cleaning module
JP5973883B2 (ja) * 2012-11-15 2016-08-23 株式会社荏原製作所 基板保持装置および研磨装置
US9089949B2 (en) * 2012-12-04 2015-07-28 General Electric Company Automated polishing systems and methods
US9673113B2 (en) * 2014-06-05 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Method and system for real-time polishing recipe control
KR102333209B1 (ko) 2015-04-28 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 기판 연마 장치
JP2017121672A (ja) * 2016-01-05 2017-07-13 不二越機械工業株式会社 ワーク研磨方法および研磨パッドのドレッシング方法
SG10201600301SA (en) * 2016-01-14 2017-08-30 3M Innovative Properties Co CMP Pad Conditioner, Pad Conditioning System And Method
JP6805550B2 (ja) 2016-05-23 2020-12-23 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置及びプログラム
JP6357260B2 (ja) * 2016-09-30 2018-07-11 株式会社荏原製作所 研磨装置、及び研磨方法
US10571069B2 (en) * 2017-09-14 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gimbal assembly for heater pedestal
US11292101B2 (en) * 2017-11-22 2022-04-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus and method
JP6970601B2 (ja) * 2017-12-06 2021-11-24 株式会社荏原製作所 半導体製造装置の設計方法
US11806833B2 (en) * 2018-08-31 2023-11-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical planarization system and a method of using the same
US20200130136A1 (en) * 2018-10-29 2020-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chemical mechanical polishing apparatus and method
FI130973B1 (en) * 2019-11-18 2024-06-25 Turun Yliopisto Apparatus and method for polishing a piece

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6896583B2 (en) * 2001-02-06 2005-05-24 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for conditioning a polishing pad
US7150675B2 (en) * 2003-05-28 2006-12-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for controlling the chemical mechanical polishing by using a sensor signal of a pad conditioner
JP2007524518A (ja) * 2003-09-30 2007-08-30 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド パッドコンディショナーのセンサー信号を使用して化学機械研磨を制御する方法およびシステム
KR20090024733A (ko) * 2006-06-28 2009-03-09 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 연마 용품, ｃｍｐ 모니터링 시스템 및 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5908530A (en) * 1995-05-18 1999-06-01 Obsidian, Inc. Apparatus for chemical mechanical polishing
US6306008B1 (en) * 1999-08-31 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning and monitoring media used for chemical-mechanical planarization
JP2001079752A (ja) * 1999-09-08 2001-03-27 Hitachi Ltd 化学的機械研磨装置およびこれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
US7101799B2 (en) * 2001-06-19 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Feedforward and feedback control for conditioning of chemical mechanical polishing pad
US7094695B2 (en) * 2002-08-21 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization
JP2004142083A (ja) 2002-10-28 2004-05-20 Elpida Memory Inc ウエハ研磨装置およびウエハ研磨方法
JP2005131732A (ja) * 2003-10-30 2005-05-26 Ebara Corp 研磨装置
US6953382B1 (en) 2004-06-24 2005-10-11 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatuses for conditioning polishing surfaces utilized during CMP processing
JP2008258510A (ja) * 2007-04-07 2008-10-23 Tokyo Seimitsu Co Ltd Ｃｍｐ装置の研磨条件管理装置及び研磨条件管理方法
JP4658182B2 (ja) * 2007-11-28 2011-03-23 株式会社荏原製作所 研磨パッドのプロファイル測定方法
US8870625B2 (en) * 2007-11-28 2014-10-28 Ebara Corporation Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method
TW201006609A (en) * 2008-06-09 2010-02-16 Applied Materials Inc CMP pad identification and layer ratio modeling
US8337279B2 (en) * 2008-06-23 2012-12-25 Applied Materials, Inc. Closed-loop control for effective pad conditioning
US8096852B2 (en) * 2008-08-07 2012-01-17 Applied Materials, Inc. In-situ performance prediction of pad conditioning disk by closed loop torque monitoring
JP5236515B2 (ja) * 2009-01-28 2013-07-17 株式会社荏原製作所 ドレッシング装置、化学的機械的研磨装置及び方法
KR20130059312A (ko) * 2010-04-30 2013-06-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 일정한 제거율을 얻기 위한 패드 컨디셔닝 스위프 토크 모델링

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6896583B2 (en) * 2001-02-06 2005-05-24 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for conditioning a polishing pad
US7150675B2 (en) * 2003-05-28 2006-12-19 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for controlling the chemical mechanical polishing by using a sensor signal of a pad conditioner
JP2007524518A (ja) * 2003-09-30 2007-08-30 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド パッドコンディショナーのセンサー信号を使用して化学機械研磨を制御する方法およびシステム
KR20090024733A (ko) * 2006-06-28 2009-03-09 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 연마 용품, ｃｍｐ 모니터링 시스템 및 방법

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